JP2539917B2 - フッ化塩素ガスによる炭素材料のクリ―ニング方法 - Google Patents
フッ化塩素ガスによる炭素材料のクリ―ニング方法Info
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- OMRRUNXAWXNVFW-UHFFFAOYSA-N fluoridochlorine Chemical compound ClF OMRRUNXAWXNVFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 19
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 title claims description 16
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 11
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 11
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 4
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000002296 pyrolytic carbon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- -1 etc. Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 1
- 238000005087 graphitization Methods 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体製造用薄膜形成プロセス等において広
範に使用されている黒鉛、SiCコーティング黒鉛、PyC
(熱分解炭素)等の黒鉛成形体等に付着または堆積した
金属あるいはその化合物を黒鉛成形体に影響を与えるこ
となく除去するクリーニング方法に関するものである。
範に使用されている黒鉛、SiCコーティング黒鉛、PyC
(熱分解炭素)等の黒鉛成形体等に付着または堆積した
金属あるいはその化合物を黒鉛成形体に影響を与えるこ
となく除去するクリーニング方法に関するものである。
[従来技術] 従来より半導体製造等の薄膜形成プロセス、すなわち
CVD、真空蒸着、PVD、シリコンエピタキシー等において
は、薄膜を形成すべき目的物のみでなく装置部部材、各
種治具等にも多量の堆積物、付着物が生成する。これら
を除去するする手段として強酸、強アルカリ等による洗
浄、機械的研摩あるいはCF4、SF6、NF3等をクリーニン
グガスとして用いプラスマ雰囲気下でクリーニングする
方法が実施されている。
CVD、真空蒸着、PVD、シリコンエピタキシー等において
は、薄膜を形成すべき目的物のみでなく装置部部材、各
種治具等にも多量の堆積物、付着物が生成する。これら
を除去するする手段として強酸、強アルカリ等による洗
浄、機械的研摩あるいはCF4、SF6、NF3等をクリーニン
グガスとして用いプラスマ雰囲気下でクリーニングする
方法が実施されている。
しかし、強酸、強アルカリ等による洗浄、機械的研摩
においては長期間装置を停止する必要があるほか操作が
煩雑で、装置、治具自体が損傷を受けるという問題点が
ある。一方、CF4、SF6、NF3等を用いプラズマエッチン
グをおこなう方法においてはプラズマ雰囲気を必要とす
るため装置上の制約が大きい。また、クリーニング対象
物が炭素材料である場合、プラズマ雰囲気下で生成する
フッ素ラジカルとカーボンとの激しいフッ素化反応が起
こり、表面が侵食される等の問題がある。
においては長期間装置を停止する必要があるほか操作が
煩雑で、装置、治具自体が損傷を受けるという問題点が
ある。一方、CF4、SF6、NF3等を用いプラズマエッチン
グをおこなう方法においてはプラズマ雰囲気を必要とす
るため装置上の制約が大きい。また、クリーニング対象
物が炭素材料である場合、プラズマ雰囲気下で生成する
フッ素ラジカルとカーボンとの激しいフッ素化反応が起
こり、表面が侵食される等の問題がある。
[問題点を解決するための具体的手段] 本発明者らは従来法の問題点に鑑み鋭意検討の結果、
フッ素塩素ガスを用いることで効率的かつ損傷を与える
ことなく炭素成形体をクリーニングできることを見出し
本発明に到達した。すなわち本発明は100〜350℃の温度
範囲内で、ClF、ClF3、ClF5のうち少なくとも1種以上
を含有するフッ化塩素ガスを炭素材料と接触させること
を特徴とするフッ化塩素ガスによる炭素材料のクリーニ
ング方法である。
フッ素塩素ガスを用いることで効率的かつ損傷を与える
ことなく炭素成形体をクリーニングできることを見出し
本発明に到達した。すなわち本発明は100〜350℃の温度
範囲内で、ClF、ClF3、ClF5のうち少なくとも1種以上
を含有するフッ化塩素ガスを炭素材料と接触させること
を特徴とするフッ化塩素ガスによる炭素材料のクリーニ
ング方法である。
上記のように、本発明を実施する上で重要な条件は、
クリーニングの際の温度であり、その温度は100〜350℃
の範囲、好ましくは200〜300℃の範囲に設定する必要が
ある。この温度の範囲内においては、下記する様々のCV
D堆積物を取り除く効果は極めて大きいが、基材の炭素
材料は殆どエッチングされない。
クリーニングの際の温度であり、その温度は100〜350℃
の範囲、好ましくは200〜300℃の範囲に設定する必要が
ある。この温度の範囲内においては、下記する様々のCV
D堆積物を取り除く効果は極めて大きいが、基材の炭素
材料は殆どエッチングされない。
温度が100℃以下の場合、炭素材料はフッ化塩素ガス
と反応して層間化合物を生成し、粉末化して表面の状態
が変化してしまうため好ましくなく、一方クリーニング
温度が350℃以上の場合においては、同様に炭素材料と
フッ化塩素ガスは反応するが、この場合はフッ化黒鉛を
生成し、やはり粉末化が起こるため好ましくない。
と反応して層間化合物を生成し、粉末化して表面の状態
が変化してしまうため好ましくなく、一方クリーニング
温度が350℃以上の場合においては、同様に炭素材料と
フッ化塩素ガスは反応するが、この場合はフッ化黒鉛を
生成し、やはり粉末化が起こるため好ましくない。
本発明に使用するフッ化塩素ガスとして、ClF、Cl
F3、ClF5があり、少なくともそれらの内の1種類を使用
することができる。従って、上記ガスの内2種類または
3種類を混合して使用してもよく、その他の塩素ガスや
フッ素ガスとフッ化塩素ガスを混合して使用してもよい
が、ClF3を単独で使用するか、または主成分として使用
するのが好ましい。
F3、ClF5があり、少なくともそれらの内の1種類を使用
することができる。従って、上記ガスの内2種類または
3種類を混合して使用してもよく、その他の塩素ガスや
フッ素ガスとフッ化塩素ガスを混合して使用してもよい
が、ClF3を単独で使用するか、または主成分として使用
するのが好ましい。
上記ガスを使用する場合、クリーニングのガスを100
%として使用してもよいが、後述する希釈されたものに
比較して反応性が高く、長時間の処理では若干炭素材料
が反応して層間化合物等を生成する場合もあり時間の設
定が難しく、また経済的理由からも普通は不活性ガスで
希釈して用いるのが好ましい。希釈する不活性ガスとし
ては、アルゴン、窒素、ヘリウム等が使用でき、フッ化
塩素の濃度としては、1〜20vol%が好ましい。濃度が1
vol%より低い場合、堆積物のエッチング効果が余り期
待できず、またその速度も遅く、一方濃度が20vol%よ
り高い場合、エッチング効果は十分あるが、クリーニン
グする材料そのものと反応して層間化合物等を生成しや
すくなるためその条件の設定が難しく、また経済的にみ
てもガスの必要量が多くなるため好ましくない。また、
クリーニングの際のガスの圧力はどのような圧力でも実
施できるが、安全面を考えると1気圧以下が好ましい。
%として使用してもよいが、後述する希釈されたものに
比較して反応性が高く、長時間の処理では若干炭素材料
が反応して層間化合物等を生成する場合もあり時間の設
定が難しく、また経済的理由からも普通は不活性ガスで
希釈して用いるのが好ましい。希釈する不活性ガスとし
ては、アルゴン、窒素、ヘリウム等が使用でき、フッ化
塩素の濃度としては、1〜20vol%が好ましい。濃度が1
vol%より低い場合、堆積物のエッチング効果が余り期
待できず、またその速度も遅く、一方濃度が20vol%よ
り高い場合、エッチング効果は十分あるが、クリーニン
グする材料そのものと反応して層間化合物等を生成しや
すくなるためその条件の設定が難しく、また経済的にみ
てもガスの必要量が多くなるため好ましくない。また、
クリーニングの際のガスの圧力はどのような圧力でも実
施できるが、安全面を考えると1気圧以下が好ましい。
本発明がクリーニングの対象とする炭素材料は、普通
半導体製造用薄膜形成プロセス等に使用されている黒
鉛、SiCコーティング用黒鉛、熱分解炭素等と他、余り
黒鉛化度の高くない炭素材料、炭素繊維等、炭素材料で
あればどのようなものでもよい。
半導体製造用薄膜形成プロセス等に使用されている黒
鉛、SiCコーティング用黒鉛、熱分解炭素等と他、余り
黒鉛化度の高くない炭素材料、炭素繊維等、炭素材料で
あればどのようなものでもよい。
また、取り除くことのできる堆積物は、W,Si,Ti,V,N
b,Ta,Se,Te,Mo,Re,Os,Ir,Sb,Ge等の金属およびその化合
物、具体的にはこれらの窒化物、炭化物およびこれらの
合金が挙げられる。
b,Ta,Se,Te,Mo,Re,Os,Ir,Sb,Ge等の金属およびその化合
物、具体的にはこれらの窒化物、炭化物およびこれらの
合金が挙げられる。
クリーニング方式としては、静置式、流通式のいずれ
で行ってもよい。
で行ってもよい。
[実施例] 以下、実施例により本発明を詳細に説明する。
参考例1 三フッ化塩素ガスによる黒鉛材料の損傷の度合を調べ
るため、最も厳しいと考えられる100vol%の三フッ化塩
素ガス一気圧で温度を変化させてその重量増加を測定し
た。
るため、最も厳しいと考えられる100vol%の三フッ化塩
素ガス一気圧で温度を変化させてその重量増加を測定し
た。
試料のブロック状の黒鉛(密度:1.87g/cm3)のNi製容
器の内部に静置し、脱気を行った後に三フッ化塩素ガス
を容器内部の圧力が760mmHgになるよう導入し、温度を2
0℃、200℃、250℃、300℃、400℃と変化させて、1時
間処理を行いそれぞれの条件での黒鉛の重量変化を測定
した。
器の内部に静置し、脱気を行った後に三フッ化塩素ガス
を容器内部の圧力が760mmHgになるよう導入し、温度を2
0℃、200℃、250℃、300℃、400℃と変化させて、1時
間処理を行いそれぞれの条件での黒鉛の重量変化を測定
した。
その結果を第1図に示す。これより、20℃で処理を行
った時は大きな重量増加が認められるが、これは黒鉛と
三フッ化塩素ガスとの層間化合物が生成するためである
ことがX線回折分析より分かった。また、温度を400℃
にした場合も、大きな重量増加が認められるが、これは
フッ化黒鉛が生成するためであることが、同様にX線回
折分析よりわかった。
った時は大きな重量増加が認められるが、これは黒鉛と
三フッ化塩素ガスとの層間化合物が生成するためである
ことがX線回折分析より分かった。また、温度を400℃
にした場合も、大きな重量増加が認められるが、これは
フッ化黒鉛が生成するためであることが、同様にX線回
折分析よりわかった。
参考例2 処理温度と三フッ化塩素ガスの濃度との関係を調べる
ため、参考例1と同様の容器および黒鉛を用いて処理を
行い、その時の重量増加を調べた。
ため、参考例1と同様の容器および黒鉛を用いて処理を
行い、その時の重量増加を調べた。
その条件として処理温度を200℃、250℃、300℃と変
化させ、また三フッ化塩素ガスの濃度をアルゴンガスで
希釈してその濃度を20,10,1vol%と変化させ、1時間処
理を行った。この場合の全圧は500Torrである。結果を
第1表に示す。
化させ、また三フッ化塩素ガスの濃度をアルゴンガスで
希釈してその濃度を20,10,1vol%と変化させ、1時間処
理を行った。この場合の全圧は500Torrである。結果を
第1表に示す。
この結果より、濃度が20vol%以下では重量増加率は
0.1%以下と誤差範囲内であり、かつSEM観察によっても
表面の変化は殆ど観察されないことがわかった。
0.1%以下と誤差範囲内であり、かつSEM観察によっても
表面の変化は殆ど観察されないことがわかった。
実施例1 黒鉛基板(30×30mm)上に、プラズマCVDにより15000
Åの圧さの窒化珪素を堆積させたテストピースを用い
て、三フッ化塩素ガスによってエッチングを行い、その
エッチング速度を測定した。
Åの圧さの窒化珪素を堆積させたテストピースを用い
て、三フッ化塩素ガスによってエッチングを行い、その
エッチング速度を測定した。
エッチング速度の測定は、(株)小坂研究所製の非接
触二次元、三次元微細形状測定機(ET−30HK)を用いて
行った。その時のエッチング速度と温度の関係を第2表
に示す。この結果より、エッチング温度が200℃以上、
濃度が1vol%以上であれば、エッチング速度が200Å/mi
n以上と優れたエッチング性能を有することがわかっ
た。
触二次元、三次元微細形状測定機(ET−30HK)を用いて
行った。その時のエッチング速度と温度の関係を第2表
に示す。この結果より、エッチング温度が200℃以上、
濃度が1vol%以上であれば、エッチング速度が200Å/mi
n以上と優れたエッチング性能を有することがわかっ
た。
実施例2 エッチング処理後、炭素材料に多少フッ素、塩素が残
留すので、それを取り除くための後処理を行った。実施
例1において、250℃、三フッ化塩素濃度1vol%でエッ
チングを行ったものにつき、370℃で10分間エアーを流
通させながら、ベーキング処理を行い、エッチング処理
前、エッチング処理後、ベーキング処理後のフッ素、塩
素について、螢光X線による測定を行った。結果を第3
表に示す。
留すので、それを取り除くための後処理を行った。実施
例1において、250℃、三フッ化塩素濃度1vol%でエッ
チングを行ったものにつき、370℃で10分間エアーを流
通させながら、ベーキング処理を行い、エッチング処理
前、エッチング処理後、ベーキング処理後のフッ素、塩
素について、螢光X線による測定を行った。結果を第3
表に示す。
この結果からわかるように、少なくとも370℃で10分
間以上ベーキング処理を行えば、フッ素、塩素の含有量
を処理前以下にすることができる。
間以上ベーキング処理を行えば、フッ素、塩素の含有量
を処理前以下にすることができる。
またこの材料を使用して、実際にCVDを行ったが、エ
ッチング処理前と全くかわらず、良好に実施できること
を確認した。
ッチング処理前と全くかわらず、良好に実施できること
を確認した。
[発明の効果] 本発明の方法、すなわち100〜350℃という特定の温度
範囲でフッ化塩素ガスにより炭素材料に堆積した種々の
金属またはその化合物のクリーニングを行うことによ
り、炭素材料を傷つけることなく極めて良好に上記堆積
物を取り除くことができる。
範囲でフッ化塩素ガスにより炭素材料に堆積した種々の
金属またはその化合物のクリーニングを行うことによ
り、炭素材料を傷つけることなく極めて良好に上記堆積
物を取り除くことができる。
第1図は、参考例1における処理温度と重量増加率の関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
Claims (1)
- 【請求項1】100〜350℃の温度範囲内で、ClF、ClF3、C
lF5のうち、少なくとも1種以上を含有するフッ化塩素
ガスを炭素材料と接触させることを特徴とするフッ化塩
素ガスによる炭素材料のクリーニング方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1177384A JP2539917B2 (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | フッ化塩素ガスによる炭素材料のクリ―ニング方法 |
US07/548,412 US5069724A (en) | 1989-07-10 | 1990-07-05 | Method of cleaning carbon member contaminated with inorganic deposits |
DE4021968A DE4021968A1 (de) | 1989-07-10 | 1990-07-10 | Verfahren zur reinigung von mit anorganischen ablagerungen verunreinigten kohlenstoffteilen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1177384A JP2539917B2 (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | フッ化塩素ガスによる炭素材料のクリ―ニング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0341199A JPH0341199A (ja) | 1991-02-21 |
JP2539917B2 true JP2539917B2 (ja) | 1996-10-02 |
Family
ID=16029999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1177384A Expired - Fee Related JP2539917B2 (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | フッ化塩素ガスによる炭素材料のクリ―ニング方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5069724A (ja) |
JP (1) | JP2539917B2 (ja) |
DE (1) | DE4021968A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5318668A (en) * | 1991-10-24 | 1994-06-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dry etching method |
US5486235A (en) * | 1993-08-09 | 1996-01-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma dry cleaning of semiconductor processing chambers |
JPH08319586A (ja) * | 1995-05-24 | 1996-12-03 | Nec Yamagata Ltd | 真空処理装置のクリーニング方法 |
US5868852A (en) * | 1997-02-18 | 1999-02-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Partial clean fluorine thermal cleaning process |
US6236023B1 (en) | 1998-07-13 | 2001-05-22 | Mattson Technology, Inc. | Cleaning process for rapid thermal processing system |
US6246029B1 (en) * | 1999-02-19 | 2001-06-12 | Seh America, Inc. | High temperature semiconductor crystal growing furnace component cleaning method |
US7888685B2 (en) * | 2004-07-27 | 2011-02-15 | Memc Electronic Materials, Inc. | High purity silicon carbide structures |
JP5759534B2 (ja) * | 2010-04-21 | 2015-08-05 | インテグリス・インコーポレーテッド | 被覆黒鉛物品、ならびに反応性イオンエッチングによる黒鉛物品の製造および再生 |
CN103771354A (zh) * | 2013-12-12 | 2014-05-07 | 江苏大学 | 一种TixNb1-xSe2纳米材料的制备方法及其应用 |
CN103922293A (zh) * | 2014-04-15 | 2014-07-16 | 江苏大学 | 一种Nb1-xTaxSe2纳米材料的制备方法 |
CN113429224B (zh) * | 2021-05-14 | 2022-10-04 | 中国工程物理研究院材料研究所 | 一种碳材料的表面刻蚀方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1268377A (en) * | 1968-06-17 | 1972-03-29 | James Ephraim Lovelock | An improved method for cleaning articles |
GB2183204A (en) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Advanced Semiconductor Mat | Nitrogen trifluoride as an in-situ cleaning agent |
JP2720966B2 (ja) * | 1987-07-13 | 1998-03-04 | セントラル硝子株式会社 | 薄膜を付着した部品の再生利用方法 |
JPH01152274A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Iwatani Internatl Corp | 膜形成操作系におけるフッ化塩素クリーニング後の汚染除去方法 |
JPH0231936A (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-01 | Toyota Motor Corp | 前後輪差動制限装置の制御方法 |
-
1989
- 1989-07-10 JP JP1177384A patent/JP2539917B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-07-05 US US07/548,412 patent/US5069724A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-10 DE DE4021968A patent/DE4021968A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4021968A1 (de) | 1991-01-17 |
US5069724A (en) | 1991-12-03 |
JPH0341199A (ja) | 1991-02-21 |
DE4021968C2 (ja) | 1992-06-11 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080708 Year of fee payment: 12 |
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