JP2535507B2 - 誘電性高分子膜の製造方法 - Google Patents
誘電性高分子膜の製造方法Info
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- JP2535507B2 JP2535507B2 JP61125823A JP12582386A JP2535507B2 JP 2535507 B2 JP2535507 B2 JP 2535507B2 JP 61125823 A JP61125823 A JP 61125823A JP 12582386 A JP12582386 A JP 12582386A JP 2535507 B2 JP2535507 B2 JP 2535507B2
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- polymer
- dielectric polymer
- dielectric
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Insulating Bodies (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、誘電性高分子膜の製造方法に関する。さ
らに詳しくは導電性高分子を含む層を誘電性高分子の層
ではさんだ形である複合層の誘電性高分子膜の製造方法
に関する。
らに詳しくは導電性高分子を含む層を誘電性高分子の層
ではさんだ形である複合層の誘電性高分子膜の製造方法
に関する。
一般に、高分子誘電体材料はコンデンサーなどの用途
に用いられるが、高分子材料だけでは比較的誘電率が小
さいという欠点があり、この欠点を補うために誘電性高
分子にクロラニル、テトラシアノキノジメタンなどの電
子受容性物質を添加し、誘電性高分子化合物との間に電
荷移動型錯体を形成させて誘電率を増大せしめる方法、
あるいは電子供与体と電子受容体とからなる電荷移動型
錯体を高分子材料中に分散させた誘電性組成物が知られ
ているが、錯体の分散によって絶縁性が低下するという
問題があった。
に用いられるが、高分子材料だけでは比較的誘電率が小
さいという欠点があり、この欠点を補うために誘電性高
分子にクロラニル、テトラシアノキノジメタンなどの電
子受容性物質を添加し、誘電性高分子化合物との間に電
荷移動型錯体を形成させて誘電率を増大せしめる方法、
あるいは電子供与体と電子受容体とからなる電荷移動型
錯体を高分子材料中に分散させた誘電性組成物が知られ
ているが、錯体の分散によって絶縁性が低下するという
問題があった。
この発明は絶縁性の良好な誘電率の高い誘電性高分子
膜を提供することを目的とする。
膜を提供することを目的とする。
本発明者らは上記目的を達成するために鋭意検討の結
果本発明に到達した。
果本発明に到達した。
即ち本発明は、酸及び／又は酸化剤を含有する誘電性
高分子化合物の膜に複素５員環式化合物およびその誘導
体ならびにアニリン及びその誘導体から選ばれる少なく
とも一種の化合物を気相又は液相で接触させることを特
徴とする誘電性高分子化合物の膜内部に複素５員環式化
合物及びその誘導体ならびにアニリン及びその誘導体の
重合体から選ばれた少なくとも１種の導電性高分子を含
む層を膜面に平行に１層以上含有する誘電性高分子膜の
製造方法である。
高分子化合物の膜に複素５員環式化合物およびその誘導
体ならびにアニリン及びその誘導体から選ばれる少なく
とも一種の化合物を気相又は液相で接触させることを特
徴とする誘電性高分子化合物の膜内部に複素５員環式化
合物及びその誘導体ならびにアニリン及びその誘導体の
重合体から選ばれた少なくとも１種の導電性高分子を含
む層を膜面に平行に１層以上含有する誘電性高分子膜の
製造方法である。
本発明において用いられる導電性高分子としては、ピ
ロール、フラン、チオフェン、セレノフェン、テルロフ
ェンなどの複素５員環式化合物及びその誘導体、アニリ
ン及びその誘導体などの重合体が挙げられる。
ロール、フラン、チオフェン、セレノフェン、テルロフ
ェンなどの複素５員環式化合物及びその誘導体、アニリ
ン及びその誘導体などの重合体が挙げられる。
これらの導電性高分子は単独で、又は二種類以上組合
せて用いることが出来る。
せて用いることが出来る。
本発明で用いられる誘電性高分子化合物としては、電
気絶縁性で製膜性を有するものが用いられ、例えば、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリス
チレン、ポリアクリロニトリル、ポリカーボネート、ポ
リアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレン
テレフタレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルカ
ルバゾール、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタ
ール、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルペンテ
ン、アセチルセルロース、ポリスルホン及びこれらの共
重合体などのような熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、エ
ポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などのような熱硬
化性樹脂などが挙げられる。
気絶縁性で製膜性を有するものが用いられ、例えば、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリス
チレン、ポリアクリロニトリル、ポリカーボネート、ポ
リアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレン
テレフタレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルカ
ルバゾール、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタ
ール、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルペンテ
ン、アセチルセルロース、ポリスルホン及びこれらの共
重合体などのような熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、エ
ポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などのような熱硬
化性樹脂などが挙げられる。
本発明においては、これらの誘電性高分子材料の膜中
に酸及び／又は酸化剤を含有させたのち、前記複素５員
環式化合物やアニリン及びそれらの誘導体を気相または
液相で接触させることにより容易に誘電性高分子膜中に
導電性高分子を含む層が形成される。
に酸及び／又は酸化剤を含有させたのち、前記複素５員
環式化合物やアニリン及びそれらの誘導体を気相または
液相で接触させることにより容易に誘電性高分子膜中に
導電性高分子を含む層が形成される。
本発明の方法において使用される酸や酸化剤としては
無機酸、金属の化合物、あるいは無機や有機の酸化物、
過酸化物などが有効である。具体的には例えば塩酸、硫
酸、硝酸、クロロスルホン酸などの無機酸類、チタン、
ジルコニウム、クロム、モリブデン、タングステン、マ
ンガン、鉄、ルテニウム、パラジウム、白金、銅、アル
ミニウム、スズなどの金属のハロゲン化合物、あるいは
それらの金属の無機酸塩類が挙げられ、殊にこれらの金
属の化合物でもルイス酸として知られている化合物が好
適な酸化剤として挙げられ、さらにはそれらの金属のア
セチルアセトナートなどの配位化合物も挙げられる。さ
らにはまたペルオキソ二硫酸や過炭酸などの過酸の塩類
や、ベンゾキノンや有機過酸化物も挙げられる。特に好
ましくは、塩化鉄（III）、硫酸鉄（III）などの鉄の化
合物、あるいは過硫酸ナトリウム、過硝酸カリウム、過
硫酸アンモニウムなどの過硫酸の塩が挙げられる。また
これらの酸及び酸化剤は単独でも、また２種以上の混合
としても用いることができる。
無機酸、金属の化合物、あるいは無機や有機の酸化物、
過酸化物などが有効である。具体的には例えば塩酸、硫
酸、硝酸、クロロスルホン酸などの無機酸類、チタン、
ジルコニウム、クロム、モリブデン、タングステン、マ
ンガン、鉄、ルテニウム、パラジウム、白金、銅、アル
ミニウム、スズなどの金属のハロゲン化合物、あるいは
それらの金属の無機酸塩類が挙げられ、殊にこれらの金
属の化合物でもルイス酸として知られている化合物が好
適な酸化剤として挙げられ、さらにはそれらの金属のア
セチルアセトナートなどの配位化合物も挙げられる。さ
らにはまたペルオキソ二硫酸や過炭酸などの過酸の塩類
や、ベンゾキノンや有機過酸化物も挙げられる。特に好
ましくは、塩化鉄（III）、硫酸鉄（III）などの鉄の化
合物、あるいは過硫酸ナトリウム、過硝酸カリウム、過
硫酸アンモニウムなどの過硫酸の塩が挙げられる。また
これらの酸及び酸化剤は単独でも、また２種以上の混合
としても用いることができる。
これらの酸及び酸化剤を誘電性高分子化合物中に含有
させる方法としては種々挙げられるが、例えば製膜時に
添加する方法として、ボールミル、ロールなどにより混
練分散させてから製膜する方法、高分子材料を溶解させ
た溶液中に酸や酸化剤を溶解させてからキャステイング
しフィルムにする方法などが挙げられる。また、高分子
フィルムを酸や酸化剤を含む溶液あるいは気相中に、浸
漬したり晒す事により、酸や酸化剤を含有する誘電性高
分子化合物を得ることができる。
させる方法としては種々挙げられるが、例えば製膜時に
添加する方法として、ボールミル、ロールなどにより混
練分散させてから製膜する方法、高分子材料を溶解させ
た溶液中に酸や酸化剤を溶解させてからキャステイング
しフィルムにする方法などが挙げられる。また、高分子
フィルムを酸や酸化剤を含む溶液あるいは気相中に、浸
漬したり晒す事により、酸や酸化剤を含有する誘電性高
分子化合物を得ることができる。
また酸または酸化剤を溶液として用いる場合には、溶
媒としてポリマーを膨潤または溶解させることができる
溶媒を用いると特に好適な結果を得る事ができる。
媒としてポリマーを膨潤または溶解させることができる
溶媒を用いると特に好適な結果を得る事ができる。
また得られた酸及び／又は酸化剤を含む誘電性高分子
化合物の膜は、必要に応じて洗浄その他の手段で表面に
ついている余分な酸化剤を除去する。
化合物の膜は、必要に応じて洗浄その他の手段で表面に
ついている余分な酸化剤を除去する。
含浸および重合の最も簡単な方法としては、高分子フ
ィルムを酸や酸化剤を含む溶液中に浸漬したのちに引き
上げ、表面についた余分の酸化剤を洗浄除去し、乾かし
た後に、モノマー蒸気と接触させて重合する方法が、一
例として挙げられる。
ィルムを酸や酸化剤を含む溶液中に浸漬したのちに引き
上げ、表面についた余分の酸化剤を洗浄除去し、乾かし
た後に、モノマー蒸気と接触させて重合する方法が、一
例として挙げられる。
以下、実施例によりさらに本発明を説明する。
実施例 ポリ塩化ビニルフィルム（縦10cm、横10cm、厚さ1m
m）を、酸化剤として塩化鉄（III）をクロロホルムに溶
解した飽和溶液500ml中に10分間浸漬したのち、取り出
して表面についている余分な酸化剤をクロロホルムで洗
浄し乾燥させた。
m）を、酸化剤として塩化鉄（III）をクロロホルムに溶
解した飽和溶液500ml中に10分間浸漬したのち、取り出
して表面についている余分な酸化剤をクロロホルムで洗
浄し乾燥させた。
この酸化剤を含有させたポリ塩化ビニルフィルムを、
下段にピロール水溶液を入れたデシケーター中にいれ、
ピロールを気相で重合させた。24時間後にフィルムを取
り出してメタノールで充分洗浄した。
下段にピロール水溶液を入れたデシケーター中にいれ、
ピロールを気相で重合させた。24時間後にフィルムを取
り出してメタノールで充分洗浄した。
減圧で充分乾燥させてから、表面の電気伝導度を測定
したところ、表と裏共に、絶縁性であった。得られた組
成物の誘電率は、1KHzで11であった。
したところ、表と裏共に、絶縁性であった。得られた組
成物の誘電率は、1KHzで11であった。
また、この組成物の断面を調べて見たところ、第１図
に示したようにポリピロールを含む層が二層見られた。
に示したようにポリピロールを含む層が二層見られた。
ポリピロールの含有量は、フィルムを酸化剤溶液に浸
漬する時間をかえることにより変化させることができ、
それによって得られる組成物の誘電率を任意に変化させ
ることが可能である。
漬する時間をかえることにより変化させることができ、
それによって得られる組成物の誘電率を任意に変化させ
ることが可能である。
第２図にフィルムの浸漬時間を変えた時の組成物の1K
Hzでの誘電率の変化を示した。
Hzでの誘電率の変化を示した。
また、第３図にフィルムの浸漬時間を10秒間及び５分
間とした時の組成物の誘電率と周波数の相関を示した。
間とした時の組成物の誘電率と周波数の相関を示した。
以上の実施例に於ては、誘電性高分子化合物として、
ポリ塩化ビニルを用いた場合の例を示したが、他の誘電
性高分子材料を用いた場合でも、ほぼ同様な効果がえら
れた。
ポリ塩化ビニルを用いた場合の例を示したが、他の誘電
性高分子材料を用いた場合でも、ほぼ同様な効果がえら
れた。
本発明を実施する事により得られる新規誘電性高分子
膜は高分子自体の持っている絶縁性を損うことなく誘電
率を任意に改善する事が出来るため、工業上有用性が大
きい。
膜は高分子自体の持っている絶縁性を損うことなく誘電
率を任意に改善する事が出来るため、工業上有用性が大
きい。
第１図は実施例で得られた本発明の組成物の断面を示す
図である。 第２図はフィルムを酸化剤溶液に浸漬した時間を変えた
時の浸漬時間と得られた組成物の誘電率との関係を示す
図である。 第３図は本発明組成物の誘電率と周波数の相関を示す図
である。 １、２、３……ポリ塩化ビニルの絶縁層 ４、５……ポリピロールを含有する層 ６……浸漬時間10秒間の相関線 ７……浸漬時間５分間の相関線
図である。 第２図はフィルムを酸化剤溶液に浸漬した時間を変えた
時の浸漬時間と得られた組成物の誘電率との関係を示す
図である。 第３図は本発明組成物の誘電率と周波数の相関を示す図
である。 １、２、３……ポリ塩化ビニルの絶縁層 ４、５……ポリピロールを含有する層 ６……浸漬時間10秒間の相関線 ７……浸漬時間５分間の相関線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 17/62 Ｈ０１Ｂ 17/62 Ｈ０１Ｇ 4/18 ３２７ 7924−5Ｅ Ｈ０１Ｇ 4/18 ３２７Ｚ
Claims (1)
- 【請求項１】酸及び／又は酸化剤を含有する誘電性高分
子化合物の膜に複素５員環式化合物およびその誘導体な
らびにアニリン及びその誘導体から選ばれる少なくとも
一種の化合物を気相または液相で接触させることを特徴
とする誘電性高分子化合物の膜内部に複素５員環式化合
物及びその誘導体ならびにアニリン及びその誘導体の重
合体から選ばれた少なくとも１種の導電性高分子を含む
層を膜面に平行に１層以上含有する誘電性高分子膜の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61125823A JP2535507B2 (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 誘電性高分子膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61125823A JP2535507B2 (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 誘電性高分子膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62282932A JPS62282932A (ja) | 1987-12-08 |
| JP2535507B2 true JP2535507B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=14919821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61125823A Expired - Lifetime JP2535507B2 (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 誘電性高分子膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2535507B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5045357A (en) * | 1987-12-09 | 1991-09-03 | Mitsubishi Rayon Company, Ltd. | Process for preparing a membranous gas separator |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60224136A (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録材料および記録方法 |
| JP2675754B2 (ja) * | 1994-07-08 | 1997-11-12 | 株式会社日立製作所 | 太陽電池 |
-
1986
- 1986-06-02 JP JP61125823A patent/JP2535507B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62282932A (ja) | 1987-12-08 |
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