JP3520688B2 - コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents

コンデンサ及びその製造方法

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JP3520688B2 JP24439796A JP24439796A JP3520688B2 JP 3520688 B2 JP3520688 B2 JP 3520688B2 JP 24439796 A JP24439796 A JP 24439796A JP 24439796 A JP24439796 A JP 24439796A JP 3520688 B2 JP3520688 B2 JP 3520688B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンデンサ及びそ
の製造方法に関し、特に、周波数特性及び耐圧特性等の
コンデンサ特性に優れた小型大容量のコンデンサ及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電気機器のデジタル化に伴って、
コンデンサについても、小型大容量で高周波領域でのイ
ンピーダンスの低いものが要求されている。
【０００３】従来、高周波領域で使用されるコンデンサ
には、プラスチックコンデンサ、マイカコンデンサ、積
層セラミックコンデンサがあるが、これらのコンデンサ
では、形状が大きくなり大容量化が難しい。
【０００４】一方、大容量のコンデンサとしては、アル
ミニウム乾式電解コンデンサ、またはアルミニウムもし
くはタンタル固体電解コンデンサ等の電解コンデンサが
存在する。
【０００５】これらのコンデンサでは、誘電体となる酸
化皮膜が極めて薄いために、大容量化が実現できるので
あるが、一方酸化皮膜の損傷が起こり易いために、それ
を修復するための真の陰極を兼ねた電解質を設ける必要
がある。
【０００６】例えば、アルミニウム乾式コンデンサで
は、エッチングを施した陽極、陰極アルミニウム箔をセ
パレータを介して巻取り、液状の電解質をセパレータに
含浸して用いている。
【０００７】この液状電解質は、イオン伝導性で比抵抗
が大きいため、損失が大きく、インピーダンスの周波数
特性、温度特性が著しく劣るという課題を有する。
【０００８】さらに加えて、液漏れ、蒸発等が避けられ
ず、時間経過と共に容量の減少及び損失の増加が起こる
といった課題を抱えていた。
【０００９】また、タンタル固体電解コンデンサでは、
マンガン酸化物を電解質として用いているため、温度特
性及び容量、損失等の経時変化についての課題は改善さ
れるが、マンガン酸化物の比抵抗が比較的高いため損
失、インピーダンスの周波数特性が、積層セラミックコ
ンデンサ、あるいはフィルムコンデンサと比較して劣っ
ていた。
【００１０】さらに、タンタル固体電解コンデンサで
は、マンガン酸化物からなる電解質の形成に当り、硝酸
マンガン溶液に浸漬後、３００℃程度の温度で熱分解す
るという工程を数回から十数回繰り返して行う必要があ
り、形成工程がそもそも煩雑であった。
【００１１】そして、タンタル固体電解コンデンサで
は、マンガン酸化物からなる電解質を熱分解を繰り返し
て形成しているから、生じた皮膜損傷を修復するために
はその都度の化成が必要であり、この点からも工程は複
雑になってしまっていた。
【００１２】そこで、近年、金属、導電性を有する金属
酸化物、ポリピロール等の導電性高分子を誘電体皮膜上
に形成後、それらの導電層を経由して、電解重合によ
り、ポリピロール等の導電性高分子を形成してなる固体
電解コンデンサが提案されてきている（特開昭６３−１
５８８２９号公報、特開昭６３−１７３３１３号公報及
び特開平１−２５３２２６号公報等）。
【００１３】さらに、３、４位に置換基を有する導電性
高分子ポリチオフェンを化学重合によって形成してなる
固体電解コンデンサが提案されている（特公平２−１５
６１１号公報）。
【００１４】さらに、また、エッチドアルミ箔上に電着
ポリイミド薄膜からなる誘電体を形成した後、化学重合
及び電解重合により、順次導電性高分子層を形成して電
極とする大容量フィルムコンデンサが提案されている
（電気化学会第５８回大会講演要旨集２５１〜２５２頁
（１９９１年））。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、固体電
解コンデンサにおけるマンガン酸化物のような導電性の
熱分解金属酸化物を経由して電解重合高分子を形成する
場合には、熱による誘電体皮膜の損傷がおこるため、高
耐圧のコンデンサを得るためには、電解重合前に再度化
成を行い、その修復を行うことが必要でもあり、工程が
さらに複雑になっていた。
【００１６】加えて、ポリピロールで化学重合で導電性
高分子層を形成する場合、室温付近における重合速度大
きいため、一方の電極であるエッチドアルミニウム箔や
タンタル焼結体の細孔の深部まで浸透する途中で重合す
る結果、エッチピットや焼結体の細孔の閉塞が一部で起
こり、高充填率の導電性高分子層を形成することは困難
であった。
【００１７】もっとも、この課題は、重合温度を下げる
ことにより解決可能であるが、媒体に水を使用する場
合、摂氏０度付近で凍結するため、限界があった。
【００１８】また、ピロールモノマーの濃度を下げるこ
とにより、この課題は解決されるが、一方で被覆に要す
る重合繰り返し回数が多くなるという新たな課題が発生
してしまう。
【００１９】さらにまた、ポリピロール層を化学重合に
より形成した場合、粉体状の重合体が得られ、コンデン
サ電極表面や内部でもエッジ部の被覆性が劣り、完全被
覆のための重合時間を長時間要することも課題であっ
た。
【００２０】一方、電解重合ポリピロールの場合には、
フィルム状の重合体が得られるため、このような課題は
生じないが、一方誘電体表面に導電性を付与しないと高
被覆率の皮膜形成ができないという課題があった。
【００２１】さらにまた、３、４位に置換基を有するポ
リチオフェンを化学重合により形成する場合は、重合速
度が遅いため重合に長時間を要するか、あるいはその重
合時間を短縮するためには、重合温度を上昇させること
が必要であった。
【００２２】そして、重合温度を上げた場合には、酸化
剤の活性作用が強くなり、誘電体皮膜が損傷を被るとい
う課題もあった。
【００２３】本発明は、上記従来技術における各課題を
解決するもので、高容量達成率、高コンデンサ特性でか
つ高耐熱耐湿性の固体電解コンデンサを簡便に得るこ
と、及び小型大容量、高容量達成率、高コンデンサ特性
かつ高耐熱耐湿性のフィルムコンデンサを簡便に得るこ
とを目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明のコンデンサは、
対向して設けられた一対の電極と、電極間に設けられた
誘電体層と、電極間に設けられ、以下の（化２）に示す
チオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第１の導電
性高分子層及びピロールまたはその誘導体を繰り返し単
位として含む第２の導電性高分子層を有する積層導電性
高分子層とを備え、さらに、積層導電性高分子層は、第
１の導電性高分子層の反対側において第２の導電性高分
子層に隣接するように設けられ、以下の（化２）に示す
チオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第３の導電
性高分子層を含む構成である。
【００２５】
【化２】
【００２６】このチオフェン誘導体は、例えば、３，４
−ジヒドロキシチオフェン−２，５−ジカルボン酸エス
テルのアルカリ金属塩と適当なアルキレン−ｖｉｃ−ジ
ハライドを反応させ、次いで加水分解により３，４（ア
ルキレン−ｖｉｃ−ジオキシ）チオフェン−２，５−カ
ルボン酸を得、これを脱カルボン酸して得ることができ
るものである（Ｐｏｌｙｍｅｒ誌３５巻７号（１９９４
年）１３４７頁、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ誌２３巻（１
９６７年）２４３７頁及びＪ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏ
ｃ．誌６７巻（１９４５年）２２１７頁等）。
【００２７】また、本発明のコンデンサの製造方法は、
このようなコンデンサを好適に製造し得るもので、特
に、第１の導電性高分子層と第２の導電性高分子層とを
積層するための積層導電性高分子層形成工程として、第
１の導電性高分子層を化学重合により形成する第１の導
電性高分子層形成工程及び第２の導電性高分子層を化学
重合により形成する第２の導電性高分子層形成工程を有
する積層導電性高分子層形成工程を実行するか、第１の
導電性高分子層を導電性高分子溶液に含浸して形成する
第１の導電性高分子層形成工程及び第２の導電性高分子
層を化学重合により形成する第２の導電性高分子層形成
工程を有する積層導電性高分子層形成工程を実行する
か、または第１の導電性高分子層を導電性高分子溶液に
含浸して形成する第１の導電性高分子層形成工程及び第
２の導電性高分子層を電解重合により形成する第２の導
電性高分子層形成工程を有する積層導電性高分子層形成
工程を実行する構成を有するものである。
【００２８】以上の構成により、高容量達成率、高コン
デンサ特性でかつ耐熱耐湿性の高い固体電解コンデンサ
を容易に得ること、及び小型大容量、高容量達成率、高
コンデンサ特性、高耐熱耐湿性のフィルムコンデンサを
簡便に得ることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】請求項１に記載の本発明は、対向
して設けられた一対の電極と、前記電極間に設けられた
誘電体層と、前記電極間に設けられ、前述した（化２）
に示すチオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第１
の導電性高分子層及びピロールまたはその誘導体を繰り
返し単位として含む第２の導電性高分子層を有する積層
導電性高分子層とを備え、さらに、前記積層導電性高分
子層は、前記第１の導電性高分子層の反対側において前
記第２の導電性高分子層に隣接するように設けられ、前
記（化２）に示すチオフェン誘導体を繰り返し単位とし
て含む第３の導電性高分子層を含むコンデンサである。
【００３０】このように積層導電性高分子層は、誘電体
が弁金属の酸化皮膜で構成されるコンデンサでは、真の
陰極を兼ねた電解質として機能し、一方それが高分子薄
膜で構成されるコンデンサでは、単純な電極として機能
する。
【００３１】さらに、置換可能なアルキレン基として
は、エテン、１−プロペン、１−ヘキセンなどのよう
な、アルファオレフェンから得られるような１，２−ア
ルキレン基であることが好ましく、さらに１，２−シク
ロヘキセン、２，３−ブチレン、２，３−ジメチレン
２，３−ブチレン及び２，３−ペンチレン基等であって
もよい。もっとも、好適な例としては、メチレン、１，
２−エチレン、１，２−プロピレン基が挙げられる。
【００３２】このような構成により、コンデンサ特性及
び耐熱性が向上する。さらに、請求項２に記載のよう
に、第１の導電性高分子層は、一価アニオンをドーパン
トとして含む構成であってもよく、第１の導電性高分子
層の収量及び電気伝導度が増加するとともに、コンデン
サ特性及び耐熱性が向上する。
【００３３】さらに、請求項３記載のように、第１の導
電性高分子層は、さらに多価アニオンをドーパントとし
て含んでいてもよく、請求項１０に記載のように、一価
アニオンが、スルホン酸基であることが好適である。
【００３４】というのは、スルホン酸基のような一価ア
ニオンが、例えば酸化剤として使用された遷移金属多価
酸塩の多価アニオンと競争的に、第１の導電性高分子中
に取り込まれるためである。
【００３５】ここで、請求項１１に記載のように、スル
ホン酸基が、アニオン系界面活性剤から解離したものを
含むことが好適であり、界面活性作用によりコンデンサ
特性及び耐熱性がより向上する。
【００３６】また、請求項１２に記載のように、多価ア
ニオンが硫酸基であってもよい。ここで、この多価アニ
オンは、酸化剤として作用する遷移金属の多価酸塩から
供給されることが好ましく、例えば、遷移金属として鉄
（III）、銅（II）、クロム（VI）、セリウム（IV）、
ルテニウム（III）及びマンガン（VII）等を用いること
ができる。
【００３７】そして、多価酸としては、硫酸、燐酸、過
マンガン酸、クロム酸、重クロム酸等を用いることがで
きる。
【００３８】一方、請求項６に記載のように、第１の導
電性高分子層は、スルホン酸系アニオンをドーパントと
して含むものでもよく、請求項１３に記載のように、ス
ルホン酸系アニオンが、ポリスチレンスルホン酸イオン
であることが好適である。
【００３９】このような構成でも、コンデンサ特性及び
耐熱性が向上する。また、請求項４に記載のように、第
２の導電性高分子層も、一価アニオンをドーパントとし
て含むものが好適であり、コンデンサ特性及び耐熱性が
向上する。
【００４０】そして、請求項５に記載のように、第２の
導電性高分子層は、さらに多価アニオンをドーパントと
して含んでいてもよく、請求項１０に記載のように、一
価アニオンが、スルホン酸基であることが好適である。
【００４１】というのは、第１の導電性高分子と同様
に、スルホン酸基のような一価アニオンが、例えば酸化
剤として使用された遷移金属多価酸塩の多価アニオンと
競争的に、第２の導電性高分子中に取り込まれるためで
ある。
【００４２】ここで、請求項１１に記載のように、スル
ホン酸基が、アニオン系界面活性剤から解離したものを
含むことが好適であり、界面活性作用によりコンデンサ
特性及び耐熱性がより向上する。
【００４３】また、請求項１２に記載のように、多価ア
ニオンが硫酸基であってもよい。さらに、積層導電性高
分子層は、第１の導電性高分子層の反対側において第２
の導電性高分子層に隣接するように設けられ、前述の
（化２）に示すチオフェン誘導体を繰り返し単位として
含む第３の導電性高分子層を含む構成であってもよい。
【００４４】この第３の導電性高分子層は、第１の導電
性高分子と同様に、請求項７に記載のように、一価アニ
オンをドーパントとして含み、請求項８に記載のよう
に、第３の導電性高分子層は、さらに多価アニオンをド
ーパントとして含んでもよく、請求項１０に記載のよう
に、一価アニオンが、スルホン酸基であり、請求項１１
に記載のように、スルホン酸基が、アニオン系界面活性
剤から解離したものを含むことが好適である。
【００４５】また、請求項１２に記載のように、多価ア
ニオンが硫酸基であってもよい。一方、請求項９に記載
のように、第３の導電性高分子層は、スルホン酸系アニ
オンをドーパントとして含んでもよく、請求項１３に記
載のように、スルホン酸系アニオンが、ポリスチレンス
ルホン酸イオンであってもよい。
【００４６】そして、以上の構成において、請求項１４
に記載のように、誘電体層が、電極の一方を構成する弁
金属の酸化物被膜であってもよく、請求項１５に記載の
ように、弁金属は、アルミニウムまたはタンタルが挙げ
られる。
【００４７】一方、請求項１６に記載のように、誘電体
層が、高分子誘電体であってもよく、請求項１７に記載
のように、高分子が、ポリイミドであってもよい。
【００４８】もっとも、請求項１８に記載のように、第
１の導電性高分子層は、このような誘電体層に隣接する
ものである。
【００４９】さて、コンデンサの製造方法についての本
発明は、請求項１９に記載の、対向した一対の電極を配
置する工程と、前記電極間に誘電体層を形成する誘電体
層形成工程と、前記電極間において、前述の（化２）に
示すチオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第１の
導電性高分子層を化学重合により形成する第１の導電性
高分子層形成工程及びピロールまたはその誘導体を繰り
返し単位として含む第２の導電性高分子層を化学重合に
より形成する第２の導電性高分子層形成工程を有する積
層導電性高分子層形成工程とを備えたコンデンサの製造
方法である。
【００５０】
【００５１】または、請求項２０に記載のように、対向
した一対の電極を配置する工程と、前記電極間に誘電体
層を形成する誘電体層形成工程と、前記電極間におい
て、前述の（化２）に示すチオフェン誘導体を繰り返し
単位として含む第１の導電性高分子層を導電性高分子溶
液に含浸して形成する第１の導電性高分子層形成工程及
びピロールまたはその誘導体を繰り返し単位として含む
第２の導電性高分子層を化学重合により形成する第２の
導電性高分子層形成工程を有する積層導電性高分子層形
成工程とを備えたコンデンサの製造方法である。
【００５２】または、請求項２１に記載のように、対向
した一対の電極を配置する工程と、前記電極間に誘電体
層を形成する誘電体層形成工程と、前記電極間におい
て、前述の（化２）に示すチオフェン誘導体を繰り返し
単位として含む第１の導電性高分子層を導電性高分子溶
液に含浸して形成する第１の導電性高分子層形成工程及
びピロールまたはその誘導体を繰り返し単位として含む
第２の導電性高分子層を電解重合により形成する第２の
導電性高分子層形成工程を有する積層導電性高分子層形
成工程とを備えたコンデンサの製造方法である。
【００５３】このようないずれの製造方法によっても、
確実に積層導電性高分子層を形成し、コンデンサの特性
及び耐熱性を向上する。
【００５４】また、第１の導電性高分子層に用いたチオ
フェン誘導体は、重合速度がピロールの場合より遅いた
め、エッチド箔もしくは多孔質焼結体電極を用いたコン
デンサの細孔の深部まで浸透後重合されるため、ポリピ
ロールが単独で形成された場合より容量達成率の高いコ
ンデンサが容易に得られる。
【００５５】さらにつけ加えれば、誘電体層が、弁金属
の酸化皮膜で構成される場合であって、導電性高分子層
を溶液中で化学重合によって形成した場合には、熱によ
る誘電体層の損傷を防止することができる。
【００５６】そして、熱分解によるマンガン酸化物層形
成に際して、繰り返して行う熱分解の処理毎に必要とさ
れていた修復化成処理を省略しても、低漏れ電流の固体
電解コンデンサが容易に得られる。
【００５７】さらに、請求項２２に記載のように、積層
導電性高分子層形成工程は、前述の（化２）に示すチオ
フェン誘導体を繰り返し単位として含む第３の導電性高
分子層を、第１の導電性高分子層の反対側において第２
の導電性高分子層に隣接するように形成する第３の導電
性高分子層形成工程を含む構成であってもよい。
【００５８】このような構成により、確実に第３の導電
性高分子層を含む積層導電性高分子層を確実に形成し、
コンデンサの特性及び耐熱性を向上する。
【００５９】この第３の導電性高分子層形成工程は、請
求項２３に記載のように、化学重合工程により形成する
工程であってもよいし、請求項２４に記載のように、導
電性高分子溶液に含浸することにより形成する工程であ
ってもよい。
【００６０】このような構成により、確実に第３の導電
性高分子層を有する積層導電性高分子層を形成し、コン
デンサの特性及び耐熱性を向上する。
【００６１】また、この第３の導電性高分子層は、特に
その内層のポリピロール層が化学重合により形成される
場合には、溶液含浸を用いて形成される製造方法が好適
である。
【００６２】ここで、以上の化学重合工程は、請求項２
５に記載のように、水媒体中での化学重合工程であるこ
とが好適であり、請求項２６に記載のように、化学重合
工程では、硫酸第二鉄とアニオン系界面活性剤とを含む
溶液を用いて導電性高分子層を形成することが好適であ
る。
【００６３】このように、重合媒体に無毒性かつ不燃性
の水を用いると、生産プロセスの構築が容易となる。
【００６４】また、このように鉄界面活性剤を、前述の
（化２）に示すチオフェン誘導体重合溶液に含ませるこ
とにより、重合溶液のコンデンサ電極素子表面への濡れ
性が向上し、高被覆率の導電性高分子が形成できるた
め、高容量のコンデンサが実現される。
【００６５】また、この場合、３価の鉄カチオンと界面
活性剤アニオンからなる微細な沈殿が一時的に生じ、こ
の表面に該チオフェンモノマー分子が吸着され、その表
面で重合するため、過度に反応速度が遅くなりがちな重
合を促進する作用があるため、好適である。
【００６６】さらに、界面活性剤としてアニオン系のも
のを使用しているため、それから解離した一価アニオン
が、重合された導電性高分子中に酸化剤として使用され
た遷移金属多価酸塩の多価アニオンと競争的に取り込ま
れる。
【００６７】そして、アニオン系界面活性剤のアニオン
には、疎水性基が含まれており、そのイオンサイズが大
きいが、この大きなイオンサイズのドーパントのため、
高温あるいは高湿時の拡散による脱ドープが抑制され、
その結果、導電性の劣化の小さい該チオフェン誘導体を
繰り返し単位とする導電性高分子が形成されることにな
り、またこの効果はポリピロールの場合にも全く同様に
現れ、耐熱・耐湿性の優れたコンデンサが得られる。
【００６８】また、界面活性剤のアニオンは一価である
ため、酸化剤から生じる多価のアニオンより、チオフェ
ン誘導体及びピロールからなる導電性高分子にドーパン
トとして取り込まれやすい。
【００６９】そのため、全ドーパントに対する一価アニ
オンの比率は、酸化剤濃度よりも界面活性剤濃度に強く
依存し、この濃度を変化させることにより、その比率を
調節することができる。
【００７０】そして、ドーパントを有する導電性高分子
の電気伝導度及びその安定性は、界面活性剤に基づく分
子サイズの大きな一価アニオンのドープ比率が高くなれ
ばなるほど向上する傾向が見られる。
【００７１】したがって、遷移金属多価酸塩を用いて重
合した導電性高分子を用いた場合や二酸化マンガンを用
いた場合に比較して、高周波特性及び損失特性の大幅に
改善されたコンデンサが容易に得られる。
【００７２】また、ここで、請求項２７に記載のよう
に、スルホン酸基を有するアニオンを含むアニオン系界
面活性剤を用いることが好ましい。
【００７３】そして、請求項２８に記載のように、化学
重合工程で、さらにフェノールまたはその誘導体を含む
溶液を用いて化学重合をしてもよく、請求項２９に記載
のように、フェノール誘導体がニトロフェノール、シア
ノフェノール、ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキシフェノ
ール若しくはアセトフェノール、またはそれらの組合せ
であってもよい。
【００７４】このように、フェノールまたはその誘導体
の添加により、チオフェン誘導体及び及びピロールから
得られた導電性高分子の電気伝導度及びその安定性が、
より向上する。
【００７５】これは、フェノール系化合物は、前記両導
電性高分子中にはドーパントとして組み込まれないが、
規則性の高い、したがって共役長の発達した導電性高分
子を生成させるためと考えられるが、その結果、フェノ
ール系の誘導体を添加した重合系から得られたポリピロ
ールを用いたコンデンサの初期特性及び安定性はさらに
向上するためである。
【００７６】また、以上の電解重合工程は、請求項３０
に記載のように、水媒体中での電解重合工程であること
が好適であり、請求項３１に記載のように、電解重合工
程で、さらに化学重合と同様にフェノールまたはその誘
導体を含む溶液を用いて電解重合をしてもよく、フェノ
ール誘導体は、請求項３２に記載のように、ニトロフェ
ノール、シアノフェノール、ヒドロキシ安息香酸、ヒド
ロキシフェノール若しくはアセトフェノール、またはそ
れらの組合せであってもよい。
【００７７】そして、以上のコンデンサの製造方法によ
れば、請求項３３に記載のように、誘電体形成工程が、
弁金属の陽極酸化により誘電体を形成してもよく、請求
項３４に記載のように、電極の一方を構成する弁金属が
アルミニウムまたはタンタルであってもよい。
【００７８】一方、請求項３５に記載のように、誘電体
形成工程が、高分子を用いて誘電体を形成するスピンコ
ート工程であってもよく、請求項３６に記載のように、
高分子がポリイミドであってもよい。
【００７９】以下、本発明の各実施の形態について、詳
細に説明をする。 （実施の形態１）本実施の形態においては、まず、２ｘ
１．４ｘ０．９ｍｍ3のタンタル焼結体に対して、燐酸
５ｍｌを１０００ｍｌの水に溶解した溶液を用い、約９
０℃で４０Ｖを印加して、陽極酸化により酸化皮膜誘電
体皮膜を形成した。
【００８０】この構成をコンデンサと見立て、化成液中
の容量を測定したところ、１８．０μＦであった。
【００８１】さらに、この構成を用いて、エチレンジオ
キシチオフェン（ＥＤＯＴ）０．１ｍｏｌ／ｌと芳香族
スルホン酸系界面活性剤であるアルキルナフタレンスル
ホン酸ナトリウム（平均分子量３３８）０．７５重量％
からなる４５℃のモノマー水溶液に５分間浸漬後、硫酸
第二鉄０．７５ｍｏｌ／ｌを含む６５℃の酸化剤溶液に
６０分間浸漬した。
【００８２】ここで、ＥＤＯＴは、ドイツのバイエル社
から市販されているものを用いたが、ＥＤＯＴを一般的
な作製方法で合成してもよい。
【００８３】この処理により、２価の硫酸イオンと１価
のアルキルナフタレンスルホン酸イオンとがドープされ
たポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）から
なる導電層を、誘電体被膜が形成されたタンタル焼結体
上に形成した。
【００８４】ここで、図１は、アルキルナフタレンスル
ホン酸ナトリウムの添加量を変化させた場合に得られる
ＰＥＤＯＴの収量と電気伝導度の変化を示す。
【００８５】図１に示すように、このアルキルナフタレ
ンスルホン酸ナトリウムを徐々に添加をしていくことに
より、ＰＥＤＯＴの収量及び電気伝導度が増加している
ことがわかる。
【００８６】これは、ＰＥＤＯＴ中に、１価のアルキル
ナフタレンスルホン酸イオンがドープされていることに
起因すると考えられる。
【００８７】また、一方で、界面活性作用のないスルホ
ン酸塩を添加した場合には、ＰＥＤＯＴの収量や電気伝
導度は、ここまでは顕著に増加しなかった。
【００８８】したがって、界面活性剤作用のあるスルホ
ン酸塩を添加した方が、より重合速度を促進して収量を
増大させる効果もあることも判明した。
【００８９】なお、この重合生成物中には、元素分析か
ら実質的に鉄が含まれていないことが確認された。
【００９０】ついで、このようにＰＥＤＯＴ層が形成さ
れたタンタル焼結体上に、ピロールモノマー０．７５ｍ
ｏｌ／ｌとアルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム
（平均分子量３３８）０．７５重量％からなる２５℃の
モノマー水溶液に２分間浸漬後、ＰＥＤＯＴで用いた組
成の酸化剤溶液で２５℃のものに１０分間浸漬した。
【００９１】この処理を１４回繰り返し、２価の硫酸イ
オンと１価のアルキルナフタレンスルホン酸イオンとが
ドープされたポリピロールからなる導電層を形成した。
【００９２】このポリピロールについても、この界面活
性剤アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウムを全く添
加しないものに対して、徐々に添加をしていくことによ
り、収量及び電気伝導度が増加する。
【００９３】これは、やはりポリピロール中に、１価の
アルキルナフタレンスルホン酸イオンがドープされてい
ることに起因すると考えられる。
【００９４】また、一方で、界面活性作用のないスルホ
ン酸塩を添加した場合には、ポリピロールの収量は、こ
こまで増加しなかった。
【００９５】したがって、ポリピロールについても、界
面活性剤作用のあるスルホン酸塩を添加した方が、重合
速度を促進して収量を増大させる効果があることが判明
した。
【００９６】なお、元素分析から、この重合生成物中に
は、実質的に鉄は含まれていなかった。
【００９７】ついで、このようにポリピロール層が形成
されたタンタル焼結体上に、カーボン層と銀ペイント層
で陰極を形成すると共に、その上に陰極リードを取り付
け、合計で１０個のコンデンサ素子を得た。
【００９８】さらに、その素子をエポキシ樹脂を用いて
外装して、さらに１２５℃で１３Ｖを印加したエ−ジン
グ処理を行い、コンデンサを完成させた。
【００９９】これら１０個の素子について、１ｋＨｚに
おける容量、損失係数、及び４００ｋＨｚにおけるイン
ピーダンスを各々測定し、さらに１２５℃で１０Ｖを印
加して行った負荷耐熱試験後の容量変化率及び損失係数
を測定し、それらの平均値を以下の（表１）に示した。
【０１００】
【表１】
【０１０１】（実施の形態２）本実施の形態では、実施
の形態１において、ＰＥＤＯＴに代えて、同様に（化
２）で示されるチオフェン誘導体を繰り返し単位として
含む導電性高分子ポリ（３，４−（１，２−プロピレ
ン）ジオキシチオフェン）（ＰＰＤＯＴ）を用いた以外
は、実施の形態１と同様にして構成された１０個のコン
デンサ素子を完成させた。
【０１０２】これら１０個の素子についても、実施の形
態１と同様に１ｋＨｚにおける容量、損失係数、及び４
００ｋＨｚにおけるインピーダンス、さらに１２５℃で
１０Ｖを印加して行った負荷耐熱試験後の容量変化率及
び損失係数を各々測定し、それらの平均値を前述の（表
１）に示した。
【０１０３】（表１）より理解されるように、本実施の
形態においても、実施の形態１と同様のコンデンサ特性
及び耐熱性を実現できることがわかる。
【０１０４】これは、本実施形態においても、ＰＥＤＯ
Ｔ層と同様の物性を有する導電性高分子ＰＰＤＯＴの層
を用いてポリピロール層との積層導電層を形成し、かつ
ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムが、その嵩高な
１価のスルホン酸アニオンが２価の硫酸イオンを一部置
換した形で、このような導電性高分子とポリピロールに
ドープされており、界面活性剤としての機能も有してい
るためである。
【０１０５】以上より、本実施の形態においても、高容
量達成率、低損失及び高周波インピーダンス特性に優
れ、さらに耐熱性の高いコンデンサを効率的に得ること
ができた。
【０１０６】なお、前述の（化２）に示す他のチオフェ
ン誘導体についても、同様の結果が得られた。
【０１０７】（比較例１）次に、比較のため、比較例１
としてポリピロール層を全く積層形成せず、ＰＥＤＯＴ
層形成の操作を繰り返した以外、実施の形態１と同様の
条件で１０個のコンデンサを完成させた。
【０１０８】但し、ＰＥＤＯＴ層形成に要した繰り返し
回数は、３０回必要であった。これら１０個の素子につ
いても、実施の形態１と同様に１ｋＨｚにおける容量、
損失係数、及び４００ｋＨｚにおけるインピーダンス、
さらに１２５℃で１０Ｖを印加して行った負荷耐熱試験
後の容量変化率及び損失係数を各々測定し、それらの平
均値を前述の（表１）に示した。
【０１０９】実施の形態１と本比較例との結果を検討す
ると、コンデンサ特性及び耐熱性は、互いに同等ではあ
るが、導電層であるＰＥＤＯＴ層形成に必要な繰り返し
回数は多く必要であった。
【０１１０】つまり実施の形態１と同等の特性や耐久性
を確保するには、より長い導電層の形成時間が必要であ
り、工程保持時間が極めて長くなる結果となってしまっ
て、実用的でないことがわかる。
【０１１１】以上より、ＰＥＤＯＴ層に対してポリピロ
ール層を組合わせた積層導電層を採用することにより、
コンデンサ特性及び耐熱性に優れたコンデンサを実用的
に製造することができることが判明した。
【０１１２】（比較例２）次に、比較のため、比較例２
として、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウムを添
加しなかった以外、実施の形態１と同様の条件で１０個
のコンデンサを完成させた。
【０１１３】これら１０個の素子についても、実施の形
態１と同様に１ｋＨｚにおける容量、損失係数、及び４
００ｋＨｚにおけるインピーダンス、さらに１２５℃で
１０Ｖを印加して行った負荷耐熱試験後の容量変化率及
び損失係数を各々測定し、それらの平均値を前述の（表
１）に示した。
【０１１４】実施の形態１と本比較例との結果を検討す
ると、本比較例においては、コンデンサ特性及び耐熱性
は極めて低いものであった。
【０１１５】これは、まず第１に、ＰＥＤＯＴ層及びポ
リピロール層は形成されてはいるものの、そもそも嵩高
な１価のアルキルナフタレンスルホン酸イオンが、とも
にドープされていないことに起因すると考えられる。
【０１１６】さらに、実施の形態１の場合には、界面活
性剤としても作用するアルキルナフタレンスルホン酸ナ
トリウムを用いているため、それを用いていない本比較
例においては、コンデンサ特性及び耐熱性において一層
顕著な差異を生じたものと考えられる。
【０１１７】さらに、本比較例の場合、界面活性剤とし
て作用するアルキルナフタレンスルホン酸ナトリウムを
用いていないため、特にＰＥＤＯＴ層については、誘電
体表面に形成されている状態が、目視では観察され得な
い程度の形成程度でるに過ぎず、コンデンサ特性及び耐
熱性を向上させるほどのＰＥＤＯＴ層の実質的な形成が
なされ得なかったことも影響をしていると考えられる。
【０１１８】以上より、積層導電層に１価のアルキルナ
フタレンスルホン酸イオンをドープすることで、ＰＥＤ
ＯＴ層等の収量及び電気伝導度が増加するのみならず、
コンデンサ特性及び耐熱性は向上し、特に界面活性剤と
しても作用するアルキルナフタレンスルホン酸ナトリウ
ムを用いることにより、それらを一層向上できたことが
判明した。
【０１１９】（比較例３）次に、比較のため、比較例３
としてＰＥＤＯＴ層を形成しなかった以外、実施の形態
１と同様の条件でポリピロール層のみを形成して１０個
のコンデンサを完成させた。
【０１２０】これら１０個の素子についても、実施の形
態１と同様に１ｋＨｚにおける容量、損失係数、及び４
００ｋＨｚにおけるインピーダンス、さらに１２５℃で
１０Ｖを印加して行った負荷耐熱試験後の容量変化率及
び損失係数を各々測定し、それらの平均値を前述の（表
１）に示した。
【０１２１】実施の形態１と本比較例との結果を検討す
ると、コンデンサ容量が小さくなる傾向が示された。
【０１２２】これは、ポリピロールの重合速度が大きい
ため、焼結体の細孔深部までモノマーが達する前に重合
してポリピロールが形成されてしまい、細孔の一部を閉
塞さするためと考えられる。
【０１２３】対して、実施の形態１では、ＥＤＯＴモノ
マー溶液に界面活性剤アルキルナフタレンスルホン酸ナ
トリウムを適用して、ＥＤＯＴの重合速度を増大させて
いる面はあるとはいえ、ピロールと比較すれば重合速度
が適度に遅いため、誘電体被膜が形成された焼結体深部
までより浸透して、細孔を閉塞することなくＰＥＤＯＴ
を形成することができるため、より大きなコンデンサ容
量が達成されたと考えられる。
【０１２４】以上より、誘電体被膜が形成された焼結体
側に位置するようにＰＥＤＯＴ層を形成した積層導電層
を採用することにより、コンデンサ容量が大きなコンデ
ンサを実現できることが判明した。
【０１２５】以上の実施の形態１と、比較例１から３の
比較結果から、実施の形態１では、まずＰＥＤＯＴとポ
リピロールとを含む積層導電層を採用することにより、
つまり、重合速度が大きいポリピロール層を組合わせて
おくことにより、コンデンサ特性及び耐熱性に優れたコ
ンデンサをより効率的に実用に適した形で製造すること
ができたものである。
【０１２６】そして、この構成の積層導電層に１価のア
ルキルナフタレンスルホン酸イオンをドープすること
で、ＰＥＤＯＴ層等の収量及び電気伝導度が増加するの
みならず、コンデンサ特性及び耐熱性は向上し、特に界
面活性剤としても作用するアルキルナフタレンスルホン
酸ナトリウムを用いることにより、それらを一層向上さ
せたものである。
【０１２７】さらに、ＰＥＤＯＴ層を誘電体被膜が形成
された焼結体側に形成すれば、この誘電体被膜が形成さ
れた焼結体深部まで浸透して、細孔を閉塞することなく
ＰＥＤＯＴ層を形成することとなり、コンデンサ容量を
増大することができたものである。
【０１２８】また、以上の結果は、実施の形態２で示さ
れた各導電性高分子についても確認された。
【０１２９】これは、（化２）で示されるチオフェン誘
導体を繰り返し単位として含む導電性高分子であれば、
芳香族スルホン酸系界面活性剤等から同様の作用を受け
るためと考えられる。
【０１３０】（実施の形態３）本実施の形態では、実施
の形態１において、アルキルナフタレンスルホン酸ナト
リウムに代えて、同様に芳香族スルホン酸系界面活性剤
であるドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムを用いた
以外は、実施の形態１と同様にして構成された１０個の
コンデンサ素子を完成させた。
【０１３１】これら１０個の素子についても、実施の形
態１と同様に１ｋＨｚにおける容量、損失係数、及び４
００ｋＨｚにおけるインピーダンス、さらに１２５℃で
１０Ｖを印加して行った負荷耐熱試験後の容量変化率及
び損失係数を各々測定し、それらの平均値を前述の（表
１）に示した。
【０１３２】（表１）より理解されるように、本実施の
形態においても、実施の形態１と同様のコンデンサ特性
及び耐熱性を実現できることがわかる。
【０１３３】これは、本実施形態においても、ＰＥＤＯ
Ｔ層とポリピロール層の積層導電層を有し、かつドデシ
ルベンゼンスルホン酸ナトリウムも、その嵩高な１価の
スルホン酸アニオンが２価の硫酸イオンを一部置換した
形で、ＰＥＤＯＴとポリピロールにドープされており、
さらに界面活性剤としての機能も有しているためであ
る。
【０１３４】以上より、本実施の形態においても、高容
量達成率、低損失及び高周波インピーダンス特性に優
れ、さらに耐熱性の高いコンデンサを効率的に得ること
ができた。
【０１３５】また、以上の結果は、実施の形態２で示さ
れた各導電性高分子についても確認された。
【０１３６】（実施の形態４）本実施の形態では、実施
の形態１のタンタル焼結体に代えてエッチドアルミニウ
ム箔電極を用いた以外、実施の形態１と同様の条件で１
０個のコンデンサを完成させ、同様の特性評価を行い、
その結果を前述の（表１）に示した。
【０１３７】なお、ポリピロ−ル層形成のために要した
繰り返し処理回数は１２回であった。
【０１３８】ここで、具体的なエッチドアルミニウム電
極箔の作製は次の通りに行なった。まず、４×１０ｍｍ
2のアルミニウムエッチド箔を、３ｍｍと６ｍｍの部分
に仕切るように、両面に渡って、幅１ｍｍのポリイミド
テープを貼付けた。
【０１３９】次に、アルミニウムエッチド箔１の４×３
ｍｍ2の部分の陽極リードを取り付け、アルミニウムエ
ッチド箔の４×６ｍｍ2の部分を、３％アジピン酸アン
モニウム水溶液を用い、約７０℃で５０Ｖを印加して、
陽極酸化により酸化皮膜誘電体層を形成した。
【０１４０】ここで、この構成をコンデンサと見立て、
化成液中の容量を測定したところ、４．９２μＦであっ
た。
【０１４１】なお、本実施の形態でも、ＰＥＤＯＴに代
え実施の形態２で示された各導電性高分子を用いた場
合、及びアルキルナフタレンスルホン酸ナトリウムに代
えて、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムを用いた
場合にも、同様な結果が得られた。
【０１４２】（比較例４）次に、比較のため、比較例４
としてポリピロール層を全く積層形成せず、ＰＥＤＯＴ
層形成の操作を繰り返した以外、実施の形態４と同様の
条件で１０個のコンデンサを完成させた。
【０１４３】但し、ＰＥＤＯＴ層形成に要した繰り返し
回数は、２７回必要であった。これら１０個の素子につ
いても、実施の形態４と同様に１ｋＨｚにおける容量、
損失係数、及び４００ｋＨｚにおけるインピーダンス、
さらに１２５℃で１０Ｖを印加して行った負荷耐熱試験
後の容量変化率及び損失係数を各々測定し、それらの平
均値を前述の（表１）に示した。
【０１４４】実施の形態４と本比較例との結果を検討す
ると、コンデンサ特性及び耐熱性は、互いに同等ではあ
るが、導電層であるＰＥＤＯＴ層形成に必要な繰り返し
回数は多く必要であった。
【０１４５】つまり実施の形態４と同等の特性や耐久性
を確保するには、より長い導電層の形成時間が必要であ
り、工程保持時間が極めて長くなる結果となってしまっ
て、実用的でないことがわかる。
【０１４６】以上より、ＰＥＤＯＴ層に対してポリピロ
ール層を組合わせた積層導電層を採用することにより、
コンデンサ特性及び耐熱性に優れたコンデンサを実用的
に製造することができることが判明した。
【０１４７】（比較例５）次に、比較のため、比較例５
として、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウムを添
加しなかった以外、実施の形態４と同様の条件で１０個
のコンデンサを完成させた。
【０１４８】これら１０個の素子についても、実施の形
態４と同様に１ｋＨｚにおける容量、損失係数、及び４
００ｋＨｚにおけるインピーダンス、さらに１２５℃で
１０Ｖを印加して行った負荷耐熱試験後の容量変化率及
び損失係数を各々測定し、それらの平均値を前述の（表
１）に示した。
【０１４９】実施の形態４と本比較例との結果を検討す
ると、本比較例においては、コンデンサ特性及び耐熱性
は極めて低いものであった。
【０１５０】これは、まず第１に、ＰＥＤＯＴ層及びポ
リピロール層は形成されてはいるものの、そもそも嵩高
な１価のアルキルナフタレンスルホン酸イオンが、とも
にドープされていないことに起因すると考えられる。
【０１５１】さらに、実施の形態４の場合には、界面活
性剤としても作用するアルキルナフタレンスルホン酸ナ
トリウムを用いているため、それを用いていない本比較
例においては、コンデンサ特性及び耐熱性において一層
顕著な差異を生じたものと考えられる。
【０１５２】さらに、本比較例の場合、界面活性剤とし
て作用するアルキルナフタレンスルホン酸ナトリウムを
用いていないため、特にＰＥＤＯＴ層については、誘電
体表面に形成されている状態が、目視では観察され得な
い程度の形成程度であるに過ぎず、コンデンサ特性及び
耐熱性を向上させるほどのＰＥＤＯＴ層の実質的な形成
がなされ得なかったことも影響をしていると考えられ
る。
【０１５３】以上より、積層導電層に１価のアルキルナ
フタレンスルホン酸イオンをドープすることで、ＰＥＤ
ＯＴ層等の収量及び電気伝導度が増加するのみならず、
コンデンサ特性及び耐熱性は向上し、特に界面活性剤と
しても作用するアルキルナフタレンスルホン酸ナトリウ
ムを用いることにより、それらを一層向上できたことが
判明した。
【０１５４】（比較例６）次に、比較のため、比較例６
としてＰＥＤＯＴ層を形成しなかった以外、実施の形態
４と同様の条件でポリピロール層のみを形成して１０個
のコンデンサを完成させた。
【０１５５】これら１０個の素子についても、実施の形
態４と同様に１ｋＨｚにおける容量、損失係数、及び４
００ｋＨｚにおけるインピーダンス、さらに１２５℃で
１０Ｖを印加して行った負荷耐熱試験後の容量変化率及
び損失係数を各々測定し、それらの平均値を前述の（表
１）に示した。
【０１５６】実施の形態４と本比較例との結果を検討す
ると、コンデンサ容量が小さくなる傾向が示された。
【０１５７】これは、ポリピロールの重合速度が大きい
ため、焼結体の細孔深部までモノマーが達する前に重合
してポリピロールが形成されてしまい、細孔の一部を閉
塞さするためと考えられる。
【０１５８】対して、実施の形態４では、ＥＤＯＴモノ
マ−溶液に界面活性剤アルキルナフタレンスルホン酸ナ
トリウムを適用して、ＥＤＯＴの重合速度を増大させて
いる面はあるとはいえ、ピロールと比較すれば重合速度
が適度に遅いため、誘電体被膜が形成された焼結体深部
までより浸透して、細孔を閉塞することなくＰＥＤＯＴ
を形成することができるため、より大きなコンデンサ容
量が達成されたと考えられる。
【０１５９】以上より、誘電体被膜が形成された焼結体
側に位置するようにＰＥＤＯＴ層を形成した積層導電層
を採用することにより、コンデンサ容量が大きなコンデ
ンサを実現できることが判明した。
【０１６０】以上の実施の形態４と、比較例４から６の
比較結果から、実施の形態４では、まずＰＥＤＯＴとポ
リピロールとを含む積層導電層を採用することにより、
つまり、重合速度が大きいポリピロール層を組合わせて
おくことにより、コンデンサ特性及び耐熱性に優れたコ
ンデンサをより効率的に実用に適した形で製造すること
ができたものである。
【０１６１】そして、積層導電層に１価のアルキルナフ
タレンスルホン酸イオンをドープすることで、ＰＥＤＯ
Ｔ層等の収量及び電気伝導度が増加するのみならず、コ
ンデンサ特性及び耐熱性は向上し、特に界面活性剤とし
ても作用するアルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム
を用いることにより、それらを一層向上させたものであ
る。
【０１６２】さらに、ＰＥＤＯＴ層を誘電体被膜が形成
されたエッチド箔側に形成すれば、この誘電体被膜が形
成されたエッチド箔に良好に密着してＰＥＤＯＴ層を形
成し、コンデンサ容量を増大することができたものであ
る。
【０１６３】（実施の形態５）本実施の形態では、実施
の形態４の構成において、エッチドアルミニウム箔に代
え、２０ｍｍｘ２０ｍｍのアルミニウム平滑箔を用い、
加えて酸化皮膜誘電体を形成するのではなく、スピンコ
ートにより、厚さ０．５μｍのポリイミド薄膜からなる
ポリイミド誘電体層を一面に形成した電極を用いた以
外、実施の形態３と実質的に同様の条件で、計１０個の
コンデンサを作製した。
【０１６４】ポリピロール層形成のために要した処理繰
り返し回数は１０回であった。これらについて実施の形
態４と同様の評価を行い、その結果を前述の（表１）に
示した。
【０１６５】なお、本実施の形態でも、ＰＥＤＯＴに代
え実施の形態２で示された導電性高分子を用いた場合、
及びアルキルナフタレンスルホン酸ナトリウムに代え
て、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムを用いた場
合にも、同様な結果が得られた。
【０１６６】（比較例７）次に、比較のため、比較例７
としてポリピロール層を全く積層形成せず、ＰＥＤＯＴ
層形成の操作を繰り返した以外、実施の形態５と同様の
条件で１０個のコンデンサを完成させた。
【０１６７】但し、ＰＥＤＯＴ層形成に要した繰り返し
回数は、２２回必要であった。これら１０個の素子につ
いても、実施の形態５と同様に１ｋＨｚにおける容量、
損失係数、及び４００ｋＨｚにおけるインピーダンス、
さらに１２５℃で１０Ｖを印加して行った負荷耐熱試験
後の容量変化率及び損失係数を各々測定し、それらの平
均値を前述の（表１）に示した。
【０１６８】実施の形態５と本比較例との結果を検討す
ると、コンデンサ特性及び耐熱性は、互いに同等ではあ
るが、導電層であるＰＥＤＯＴ層形成に必要な繰り返し
回数は多く必要であった。
【０１６９】つまり実施の形態５と同等の特性や耐久性
を確保するには、より長い導電層の形成時間が必要であ
り、工程保持時間が極めて長くなる結果となってしまっ
て、実用的でないことがわかる。
【０１７０】以上より、ＰＥＤＯＴ層に対してポリピロ
ール層を組合わせた積層導電層を採用することにより、
コンデンサ特性及び耐熱性に優れたコンデンサを実用的
に製造することができることが判明した。
【０１７１】（比較例８）次に、比較のため、比較例８
として、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウムを添
加しなかった以外、実施の形態５と同様の条件で１０個
のコンデンサを完成させた。
【０１７２】これら１０個の素子についても、実施の形
態５と同様に１ｋＨｚにおける容量、損失係数、及び４
００ｋＨｚにおけるインピーダンス、さらに１２５℃で
１０Ｖを印加して行った負荷耐熱試験後の容量変化率及
び損失係数を各々測定し、それらの平均値を前述の（表
１）に示した。
【０１７３】実施の形態５と本比較例との結果を検討す
ると、本比較例においては、コンデンサの耐熱性は極め
て低いものであった。
【０１７４】これは、ＰＥＤＯＴ層及びポリピロール層
は形成されてはいるものの、そもそも嵩高な１価のアル
キルナフタレンスルホン酸イオンが、ともにドープされ
ておらず耐熱性の低いポリピロール層が形成されたこと
に起因すると考えられる。
【０１７５】以上より、積層導電層に１価のアルキルナ
フタレンスルホン酸イオンをドープすることで、ＰＥＤ
ＯＴ層等の収量及び電気伝導度が増加するのみならず耐
熱性も向上するため、コンデンサの耐熱性は向上し、特
に界面活性剤としても作用するアルキルナフタレンスル
ホン酸ナトリウムを用いることにより、それを一層向上
できたことが判明した。
【０１７６】以上の実施の形態５と、比較例７、８の比
較結果から、実施の形態５では、まずＰＥＤＯＴとポリ
ピロールとを含む積層導電層を採用することにより、つ
まり、重合速度が大きいポリピロール層を組合わせてお
くことにより、コンデンサ特性及び耐熱性に優れたコン
デンサをより効率的に実用に適した形で製造することが
できたものである。
【０１７７】そして、積層導電層に１価のアルキルナフ
タレンスルホン酸イオンをドープすることで、ＰＥＤＯ
Ｔ層等の収量及び電気伝導度が増加するのみならず、コ
ンデンサ特性及び耐熱性は向上し、特に界面活性剤とし
ても作用するアルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム
を用いることにより、それらを一層向上させたものであ
る。
【０１７８】なお、誘電体となる高分子として、ポリイ
ミドを用いる場合について述べたが、薄膜を形成できる
誘電体の高分子材料であればポリイミド以外のものを用
いることもできる。
【０１７９】そして、アルミニウム平滑箔にスピンコー
トで誘電体となるポリイミド膜を形成する場合について
述べたが、エッチドアルミニウム箔表面に、例えば電着
でポリイミドフィルムを形成してもよく、実施の形態５
においても高分子誘電体の適用が可能である。
【０１８０】（実施の形態６）本実施の形態では、実施
の形態１の構成において、酸化剤溶液に、さらに０．０
５ｍｏｌ／ｌのｐ−ニトロフェノールを添加した以外
は、実施の形態１と同様にして１０個のコンデンサ素子
を完成させた。
【０１８１】これらについて実施の形態１と同様の評価
を行い、その結果を前述の（表１）に示した。
【０１８２】ここで、図２は、Ｐ−ニトロフェノール添
加の有無による、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリ
ウム添加量に対するポリピロールの電気伝導度の関係を
示している。
【０１８３】図２より、ｐ−ニトロフェノール添加時の
電気伝導度は、ｐ−ニトロフェノール無添加の場合に比
較して明らかに大きいことがわかる。
【０１８４】なお、元素分析からｐ−ニトロフェノール
添加による得られたポリピロールの組成の変化は見られ
ないことから、ドーパントとしては取込まれていないこ
とも確認された。
【０１８５】一方、ＰＥＤＯＴについては、ポリピロー
ルの場合のように、ｐ−ニトロフェノール添加による電
気伝導度の向上は明確には観測されなかったが、その重
合速度が細孔を閉塞するほどではない程度に一層促進さ
れることが確認された。
【０１８６】そして、（表１）から理解されるように、
本実施形態のコンデンサは、実施の形態１や２のコンデ
ンサと、コンデンサ特性及び耐熱性において、ほぼ同様
の結果となった。
【０１８７】よって、本実施の形態においては、高容量
達成率、低損失及び高周波インピーダンス特性に優れ、
耐熱性の高いコンデンサを実現するのみならず、ｐ−ニ
トロフェノールを重合溶液中に添加することにより、Ｐ
ＥＤＯＴへの重合反応が促進され、ＰＥＤＯＴの焼結体
中への良好な浸透性を維持しながら収量が増大するた
め、より効率的、実用的にコンデンサを実現することが
できたといえる。
【０１８８】なお、実施の形態２から５においても、ア
ニオン系界面活性剤に加えてさらにｐ−ニトロフェノー
ルを重合溶液中に添加することにより、同様の効果が得
られた。
【０１８９】（実施の形態７）本実施の形態において
は、実施の形態６のｐ−ニトロフェノールに代えて、ｐ
−シアノフェノール（Ａ）、ｍ−ヒドロキシ安息香酸
（Ｂ）、ｍ−ヒドロキシフェノール（Ｃ）、ｍ−ニトロ
フェノール（Ｄ）を添加した以外は、実施の形態６と同
様にして１０個のコンデンサを完成させた。
【０１９０】これらについて実施の形態１と同様の評価
を行い、その結果を前述の（表１）に示した。
【０１９１】（表１）から理解されるように、本実施の
形態におけるコンデンサも、実施の形態６のコンデンサ
特性及び耐熱性と同様な結果を呈した。
【０１９２】よって、本実施の形態においても、高容量
達成率、低損失及び高周波インピーダンス特性の優れ、
耐熱性の高いコンデンサ素子を効率的に得ることができ
たといえる。
【０１９３】なお、実施の形態２から５においても、ア
ニオン系界面活性剤に加えて以上のフェノール誘導体を
重合溶液中に添加することにより、同様の効果が得られ
た。
【０１９４】（実施の形態８）本実施の形態において
は、実施の形態１において、硫酸第二鉄に代えて同濃度
の硫酸第二銅を用いた以外は、実施の形態１と同様にし
て構成された１０個のコンデンサ素子を完成させた。
【０１９５】これらについて実施の形態１と同様の評価
を行い、その結果を前述の（表１）に示した。
【０１９６】（表１）から理解されるように、本実施の
形態におけるコンデンサも、実施の形態１のコンデンサ
特性及び耐熱性から若干劣るものの、実用上は許容可能
な結果を呈した。
【０１９７】よって、本実施の形態においても、高容量
達成率、低損失及び高周波インピーダンス特性の優れ、
耐熱性の高いコンデンサ素子を効率的に得ることができ
たといえる。
【０１９８】なお、実施の形態２から７においても、硫
酸第二鉄に代えて、硫酸第二銅を用いることにより、同
様の効果が得られた。
【０１９９】（実施の形態９）本実施の形態において
は、実施の形態４において、ポリピロールを、化学重合
に代えて、電解重合で形成した以外、実施の形態４と同
様にして１０個のコンデンサを完成させた。
【０２００】これらについて、実施の形態４と同様の評
価を行い、その結果を前述の（表１）に示した。
【０２０１】ここで、本実施の形態の電解重合の条件を
示す。ピロールモノマ−濃度は、０．２５ｍｏｌ／ｌ、
支持電解質アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム濃
度は、０．１ｍｏｌ／ｌとし、これらを含む水溶液中
に、ＰＥＤＯＴ層が形成された素子を浸漬し、ステンレ
ス製電解重合用電極を接触させ、電解重合用電極と離隔
して設けた電解重合用の第２の電極との間に２．５Ｖの
電圧を印加したもので、ＰＥＤＯＴ層を介して電解重合
ポリピロール層を形成したものである。
【０２０２】（表１）から理解されるように、本実施の
形態におけるコンデンサも、実施の形態４のコンデンサ
特性及び耐熱性と同様な結果を呈した。
【０２０３】さらに、本実施の形態では、ＰＥＤＯＴ層
形成工程を一回実行した後、そのＰＥＤＯＴ層を介し
て、電解重合により、ポリピロール層を積層形成してい
るのため、例えば、熱分解二酸化マンガン層を形成しこ
れを導電層として用いる場合と同様に、電解重合前に誘
電体皮膜修復のための化成処理する必要なく、漏れ電流
の小さなコンデンサを得ることができる効果を有する。
【０２０４】具体的には、本実施の形態によるコンデン
サの１０Ｖ印加２分後の漏れ電流は、平均１５ｎＡであ
った。
【０２０５】よって、本実施の形態においても、高容量
達成率、低損失及び高周波インピーダンス特性に優れ、
耐熱性の高いコンデンサ素子を得ることができることに
加え、漏れ電流の小さなコンデンサを得ることができた
ものである。
【０２０６】なお、実施の形態１から３、５から８にお
いても、電解重合により、ポリピロール層を積層形成す
ることにより、同様の効果が得られた。
【０２０７】（比較例９）比較のため、比較例９とし
て、ＰＥＤＯＴ層の形成に代えて、３０％の硝酸マンガ
ン水溶液に浸漬後、２５０℃で熱分解し、３％アジピン
酸アンモニウム水溶液を用いて、約７０℃で４０Ｖ印加
して修復化成を行った以外、実施の形態９と同様にして
１０個のコンデンサを完成させた。
【０２０８】そして、これらについて実施の形態９と同
様にして漏れ電流を測定したところ平均３７ｎＡが得ら
れた。
【０２０９】また、これらについて実施の形態９と同様
の評価を行い、その結果を（表１）に示す。
【０２１０】以上の実施の形態９と、本比較例とを比較
検討すると、本比較例では、誘電体被膜を修復化成して
も、コンデンサ特性及び耐熱性において実施の形態９よ
り若干劣る結果となっている。
【０２１１】よって、実施の形態９においては、高容量
達成率、低損失及び高周波インピーダンス特性及び漏れ
電流特性に優れ、耐熱性の高いコンデンサを得ながら、
さらに誘電体被膜の修復の必要性がないことからきわめ
て効率的に製造し得る実用的なコンデンサを実現した。
【０２１２】（比較例１０）比較のため、比較例１０と
して、実施の形態９において、ポリピロールの電解重合
時に、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウムに代え
て過塩素酸ナトリウムを用いた以外、実施の形態９と同
様にして１０個のコンデンサを完成させた。
【０２１３】これらについて、実施の形態９と同様の評
価を行い、その結果を（表１）に示す。
【０２１４】以上の実施の形態９と、本比較例とを比較
検討すると、本比較例では、コンデンサ特性及び耐熱性
において実施の形態９よりはるかに劣る結果となってい
る。
【０２１５】これは、過塩素酸ナトリウムは、さして導
電性を付与することもないし嵩高でもなく、しかも界面
活性剤としても作用しないため、熱安定性にも欠け、重
合溶液のエッチピットへの浸透も十分でなくて容量が低
下等したものと考えられる。
【０２１６】よって、実施の形態９においては、電解重
合時にもアルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム等の
芳香族スルホン酸系界面活性剤を用いることにより、高
容量達成率、低損失及び高周波インピーダンス特性及び
漏れ電流特性に優れ、耐熱性の高いコンデンサを得るこ
とができたものである。
【０２１７】（実施の形態１０）本実施の形態において
は、実施の形態９において、ポリピロールの電解重合溶
液に、Ｐ−ニトロフェノールを０．０５ｍｏｌ／ｌさら
に添加した以外、実施の形態９と同様にして１０個のコ
ンデンサを完成させた。
【０２１８】これらについて実施の形態９と同様の評価
を行い、その結果を前述の（表１）に示した。
【０２１９】そして、（表１）から理解されるように、
本実施形態のコンデンサは、実施の形態９のコンデンサ
と比較して、コンデンサ特性及び耐熱性において、一層
向上した結果を呈するに至った。
【０２２０】これは、Ｐ−ニトロフェノールの共存によ
り、電解重合ポリピロールの初期電気伝導度及び環境安
定性が、一層大きく改善されるためであると考えられ
る。
【０２２１】よって、本実施の形態においては、高容量
達成率、低損失及び高周波インピーダンス特性に優れ、
耐熱性の高いコンデンサを、一層顕著に実現したものと
いえる。
【０２２２】なお、実施の形態７で述べたような、Ｐ−
ニトロフェノールに代えて他のフェノール誘導体を添加
した場合にも同様の効果が認められた。
【０２２３】（実施の形態１１）本実施の形態では、実
施の形態１のＰＥＤＯＴを、化学重合で形成することに
代えて、スルホン酸系アニオンであるポリスチレンスル
ホン酸イオンがドープされたＰＥＤＯＴ溶液（濃度０．
２重量％）に、さらに０．２％のアルキルナフタレンス
ルホン酸ナトリウムを添加して、室温で５分間浸漬後、
１０５℃１５分間乾燥して形成した以外、実施の形態１
と同様の条件で１０個のコンデンサを完成させた。
【０２２４】ここで、ポリスチレンスルフォン酸イオン
がドープされたＰＥＤＯＴは、ポリスチレンスルフォン
酸塩を支持電解質として用いてＥＤＯＴを電解重合して
作製したが、他に、例えばポリスチレンスルフォン酸塩
の共存下で硫酸第二鉄のような多価アニオンを含む酸化
剤を用いてＥＤＯＴを酸化重合させて作製することがで
きる。
【０２２５】そして、これらについて、実施の形態１と
同様の特性評価を行い、その結果を前述の（表１）に示
した。
【０２２６】（表１）から、本実施の形態のコンデンサ
は、実施の形態１のものと同様なコンデンサ特性及び耐
熱性を呈していることがわかる。
【０２２７】この理由としては、ポリスチレンスルホン
酸イオンは、嵩高であり、実施の形態１でドープされた
芳香族スルホン酸系界面活性剤であるアルキルナフタレ
ンスルホン酸ナトリウムから得られたアルキルナフタレ
ンスルホン酸基等と実質同等の役割を果たしているため
と考えられる。
【０２２８】よって、本実施の形態においては、予め重
合されたＰＥＤＯＴを用いるために、極めて容易に高容
量達成率、低損失及び高周波インピーダンス特性及び漏
れ電流特性に優れ、耐熱性の高いコンデンサを得ること
ができたものである。
【０２２９】なお、実施の形態２から１０においても、
可溶型ＰＥＤＯＴを用いて、スルホン酸系アニオンであ
るポリスチレンスルホン酸イオンを、ＰＥＤＯＴ層にド
ープすることにより、同様の効果が得られた。
【０２３０】また、可溶型であればＰＥＤＯＴ以外の
（化２）で示すチオフェン誘導体を繰り返し単位として
導電性高分子を用いることができ、嵩高なものであれば
ポリスチレンスルホン酸イオン以外のスルホン酸系アニ
オンも好適にドープさせることもできる。
【０２３１】（実施の形態１２）本実施の形態では、以
上の実施の形態で説明した積層導電性高分子層に加え、
さらに第３の導電性高分子層を追加した構成を有する。
【０２３２】まず、本実施の形態では、実施の形態１と
同様にして第１の導電性高分子層であるＰＥＤＯＴ層
と、第２の導電性高分子層であるポリピロール層とを多
孔質タンタル焼結体電極上に順次積層形成した。
【０２３３】ただし、ポリピロール形成のための繰り返
し処理を３回に限定した。ついで、さらにポリスチレン
スルホン酸イオンがドープされたＰＥＤＯＴ溶液（濃度
０．２重量％）に、室温で５分間浸漬後、１０５℃で１
５分間乾燥した。
【０２３４】その後、実施の形態１と同様にして陰極を
形成するとともにエポキシ樹脂外層して導電性高分子層
がＰＥＤＯＴ／ポリピロール／ＰＥＤＯＴの三層積層さ
れた構造を有する１０個のタンタルコンデンサを完成さ
せた。
【０２３５】そして、これらについて、実施の形態１と
同様の特性評価を行い、その結果を前述の（表１）に示
した。
【０２３６】（表１）から、本実施の形態のコンデンサ
は、実施の形態１等のＰＥＤＯＴ層とポリピロール層が
２層積層されたものと同様なコンデンサ特性及び耐熱性
を呈していることがわかる。
【０２３７】さらに、本実施の形態では、ポリピロール
層の形成に要する化学重合の繰り返し回数、つまり処理
時間が大幅に短縮されている。
【０２３８】よって、本実施の形態においては、ＰＥＤ
ＯＴ層／ポリピロール層／ＰＥＤＯＴ層の３層構造の積
層導電性高分子層を採用することにより、高容量達成
率、低損失及び高周波インピーダンス特性及び漏れ電流
特性に優れ、耐熱性の高いコンデンサを、効率よく得る
ことができたものである。
【０２３９】なお、本実施の形態では、第１、第３の導
電性高分子層であるＰＥＤＯＴ層は、浸漬乾燥により形
成してもよいし、第２の導電性高分子層であるポリピロ
ール層は電解重合により形成してもよい。
【０２４０】さらに、第１や第３の導電性高分子層であ
るＰＥＤＯＴ層の代わりに、前述の（化２）に示される
チオフェン誘導体のいずれかを繰り返し単位に含む導電
性高分子層を用いてもよく、前述した各実施の形態にお
ける構成及び工程の態様を適宜含ませることももちろん
可能である。
【０２４１】また、以上の各実施の形態では、多価アニ
オンとして硫酸イオンについてのみ述べたが、その他の
多価アニオンがドープされるように、硫酸塩以外の遷移
金属多価酸塩を用いることもできる。
【０２４２】また、以上の各実施の形態では、遷移金属
として鉄（III）と銅（II）を用いた場合についてのみ
述べたが、その他のピロールを酸化することができる酸
化還元電位を有する遷移金属をまた同様に用いることが
でき、本発明はその種類に限定されない。
【０２４３】また、以上の各実施の形態では、重合可能
なモノマーとしてピロールを用いた場合についてのみ述
べたが、置換基を有するその誘導体を用いることもでき
る。
【０２４４】また、以上の各実施の形態では、弁金属が
アルミニウムやタンタルの場合についてのみ述べたが、
その他ジルコニウム、ニオブ、ハフニウム及びチタンさ
らにはそれらのの金属間化合物等も使用可能である。
【０２４５】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、まず
ＰＥＤＯＴ層に代表される第１層に重合速度が大きいポ
リピロール層に代表される第２層を組合わせた積層導電
性高分子層を採用することにより、コンデンサ特性及び
耐熱性に優れたコンデンサをより効率的に実用に適した
形で製造することができる。
【０２４６】そして、この構成の積層導電層に１価のア
ルキルナフタレンスルホン酸イオン等をドープすること
で、導電性高分子層の収量及び電気伝導度が増加するの
みならず、コンデンサ特性及び耐熱性は向上し、特に界
面活性剤としても作用するアルキルナフタレンスルホン
酸ナトリウムを用いることにより、それらを一層向上さ
せることができる。
【０２４７】さらに、第１層を誘電体被膜が形成された
焼結体側に形成すれば、この誘電体被膜が形成された焼
結体深部まで浸透して、細孔を閉塞することなくＰＥＤ
ＯＴ層を形成することとなり、コンデンサ容量を増大す
ることができる。
【０２４８】さらに、ｐ−ニトロフェノール等を重合溶
液中に添加することにより、第１層の重合反応が促進さ
れ、ＰＥＤＯＴ等の焼結体中への良好な浸透性を維持し
ながら収量が増大するため、より効率的、実用的にコン
デンサを実現することができる。
【０２４９】さらに、ＰＥＤＯＴ層に代表される第１層
／ポリピロール層に代表される第２層／ＰＥＤＯＴ層に
代表される第３層の３層構造の積層導電性高分子層を採
用することにより、高容量達成率、低損失及び高周波イ
ンピーダンス特性及び漏れ電流特性に優れ、耐熱性の高
いコンデンサを、効率よく得ることができる。
【０２５０】さらに、第１層、第３層を化学重合または
導電性高分子溶液に含浸して形成し、第２の導電性高分
子層を化学重合または電解重合により形成することによ
り、コンデンサ特性及び耐熱性に優れたコンデンサをよ
り効率的に実用に適した形で確実に製造することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における導電性高分
子の界面活性剤添加量と電気伝導度及び収量の関係図
【図２】同第５の実施の形態におけるＰ−ニトロフェノ
ールの添加の有無に対応した導電性高分子の界面活性剤
添加量と電気伝導度の関係図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松家 安恵 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番 １号 松下技研株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−42912（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−15611（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−87316（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−315412（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−175082（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−175081（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 9/028

Claims (36)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 対向して設けられた一対の電極と、前記
    電極間に設けられた誘電体層と、前記電極間に設けら
    れ、（化１）に示すチオフェン誘導体を繰り返し単位と
    して含む第１の導電性高分子層及びピロールまたはその
    誘導体を繰り返し単位として含む第２の導電性高分子層
    を有する積層導電性高分子層とを備え、さらに、前記積
    層導電性高分子層は、前記第１の導電性高分子層の反対
    側において前記第２の導電性高分子層に隣接するように
    設けられ、前記（化１）に示すチオフェン誘導体を繰り
    返し単位として含む第３の導電性高分子層を含むコンデ
    ンサ。 【化１】
  2. 【請求項２】 第１の導電性高分子層は、一価アニオン
    をドーパントとして含む請求項１記載のコンデンサ。
  3. 【請求項３】 第１の導電性高分子層は、さらに多価ア
    ニオンをドーパントとして含む請求項２記載のコンデン
    サ。
  4. 【請求項４】 第２の導電性高分子層は、一価アニオン
    をドーパントとして含む請求項１から３のいずれかに記
    載のコンデンサ。
  5. 【請求項５】 第２の導電性高分子層は、さらに多価ア
    ニオンをドーパントとして含む請求項４記載のコンデン
    サ。
  6. 【請求項６】 第１の導電性高分子層は、スルホン酸系
    アニオンをドーパントとして含む請求項１記載のコンデ
    ンサ。
  7. 【請求項７】 第３の導電性高分子層は、一価アニオン
    をドーパントとして含む請求項１から６のいずれか記載
    のコンデンサ。
  8. 【請求項８】 第３の導電性高分子層は、さらに多価ア
    ニオンをドーパントとして含む請求項７記載のコンデン
    サ。
  9. 【請求項９】 第３の導電性高分子層は、スルホン酸系
    アニオンをドーパントとして含む請求項７記載のコンデ
    ンサ。
  10. 【請求項１０】 一価アニオンが、スルホン酸基である
    請求項２、４または７記載のコンデンサ。
  11. 【請求項１１】 スルホン酸基が、アニオン系界面活性
    剤から解離したものを含む請求項１０記載のコンデン
    サ。
  12. 【請求項１２】 多価アニオンが硫酸基である請求項
    ３、５または８記載のコンデンサ。
  13. 【請求項１３】 スルホン酸系アニオンが、ポリスチレ
    ンスルホン酸イオンである請求項６または９記載のコン
    デンサ。
  14. 【請求項１４】 誘電体層が、電極の一方を構成する弁
    金属の酸化物被膜である請求項１から１３のいずれかに
    記載のコンデンサ。
  15. 【請求項１５】 弁金属が、アルミニウムまたはタンタ
    ルである請求項１４記載のコンデンサ。
  16. 【請求項１６】 誘電体層が、高分子誘電体である請求
    項１から１５のいずれかに記載のコンデンサ。
  17. 【請求項１７】 高分子が、ポリイミドである請求項１
    ６記載のコンデンサ。
  18. 【請求項１８】 第１の導電性高分子層は、誘電体層に
    隣接する請求項１から１７のいずれかに記載のコンデン
    サ。
  19. 【請求項１９】 対向した一対の電極を配置する工程
    と、前記電極間に誘電体層を形成する誘電体層形成工程
    と、前記電極間において、請求項１記載の（化１）に示
    すチオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第１の導
    電性高分子層を化学重合により形成する第１の導電性高
    分子層形成工程及びピロールまたはその誘導体を繰り返
    し単位として含む第２の導電性高分子層を化学重合によ
    り形成する第２の導電性高分子層形成工程を有する積層
    導電性高分子層形成工程とを備えたコンデンサの製造方
    法。
  20. 【請求項２０】 対向した一対の電極を配置する工程
    と、前記電極間に誘電体層を形成する誘電体層形成工程
    と、前記電極間において、請求項１記載の（化１）に示
    すチオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第１の導
    電性高分子層を導電性高分子溶液に含浸して形成する第
    １の導電性高分子層形成工程及びピロールまたはその誘
    導体を繰り返し単位として含む第２の導電性高分子層を
    化学重合により形成する第２の導電性高分子層形成工程
    を有する積層導電性高分子層形成工程とを備えたコンデ
    ンサの製造方法。
  21. 【請求項２１】 対向した一対の電極を配置する工程
    と、前記電極間に誘電体層を形成する誘電体層形成工程
    と、前記電極間において、請求項１記載の（化１）に示
    すチオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第１の導
    電性高分子層を導電性高分子溶液に含浸して形成する第
    １の導電性高分子層形成工程及びピロールまたはその誘
    導体を繰り返し単位として含む第２の導電性高分子層を
    電解重合により形成する第２の導電性高分子層形成工程
    を有する積層導電性高分子層形成工程とを備えたコンデ
    ンサの製造方法。
  22. 【請求項２２】 さらに、積層導電性高分子層形成工程
    は、請求項１記載の（化１）に示すチオフェン誘導体を
    繰り返し単位として含む第３の導電性高分子層を、第１
    の導電性高分子層の反対側において第２の導電性高分子
    層に隣接するように形成する第３の導電性高分子層形成
    工程を含む請求項１９から２１のいずれかに記載のコン
    デンサの製造方法。
  23. 【請求項２３】 第３の導電性高分子層形成工程は、化
    学重合工程により形成する工程である請求項２２記載の
    コンデンサの製造方法。
  24. 【請求項２４】 第３の導電性高分子層形成工程は、導
    電性高分子溶液に含浸することにより形成する工程であ
    る請求項２２記載のコンデンサの製造方法。
  25. 【請求項２５】 化学重合工程は、水媒体中での化学重
    合工程である請求項１９、２０、または２３記載のコン
    デンサの製造方法。
  26. 【請求項２６】 化学重合工程では、硫酸第二鉄とアニ
    オン系界面活性剤とを含む溶液を用いて導電性高分子層
    を形成する請求項２５記載のコンデンサの製造方法。
  27. 【請求項２７】 スルホン酸基を有するアニオンを含む
    アニオン系界面活性剤を用いる請求項２６記載のコンデ
    ンサの製造方法。
  28. 【請求項２８】 化学重合工程で、さらにフェノールま
    たはその誘導体を含む溶液を用いて化学重合をする請求
    項１９、２０、２３から２７のいずれかに記載コンデン
    サの製造方法。
  29. 【請求項２９】 フェノール誘導体がニトロフェノー
    ル、シアノフェノール、ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキ
    シフェノール若しくはアセトフェノール、またはそれら
    の組合せである請求項２８記載のコンデンサの製造方
    法。
  30. 【請求項３０】 電解重合工程は、水媒体中での電解重
    合工程である請求項２１記載のコンデンサの製造方法。
  31. 【請求項３１】 電解重合工程で、さらにフェノールま
    たはその誘導体を含む溶液を用いて電解重合をする請求
    項２１または３０記載コンデンサの製造方法。
  32. 【請求項３２】 フェノール誘導体がニトロフェノー
    ル、シアノフェノール、ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキ
    シフェノール若しくはアセトフェノール、またはそれら
    の組合せである請求項３１記載のコンデンサの製造方
    法。
  33. 【請求項３３】 誘電体形成工程が、弁金属の陽極酸化
    により誘電体を形成する請求項１９から３２のいずれか
    に記載のコンデンサの製造方法。
  34. 【請求項３４】 電極の一方を構成する弁金属がアルミ
    ニウムまたはタンタルである請求項１９から３３のいず
    れかに記載のコンデンサの製造方法。
  35. 【請求項３５】 誘電体形成工程が、高分子を用いて誘
    電体を形成するスピンコート工程である請求項１９から
    ３４のいずれかに記載のコンデンサの製造方法。
  36. 【請求項３６】 高分子がポリイミドである請求項３５
    記載のコンデンサの製造方法。
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