JP2534699B2 - マスク／レチクル処理装置における光軸方向位置補正方法 - Google Patents
マスク／レチクル処理装置における光軸方向位置補正方法Info
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、光を使用してマスクまたはレチクルの寸法
を測定したり欠陥を検出するマスク／レチクル処理装置
に適用され、対物レンズと被処理物の位置関係を正確に
制御するための基準となるセンサの位置ドリフト補正お
よび気圧，温度，湿度等の変化にともなう空気の屈折率
変化ならびに光源の波長変動による対物レンズの集面面
ドリフト補正を行なうようにしたマスク／レチクル処理
装置における光軸方向位置補正方法に関する。
を測定したり欠陥を検出するマスク／レチクル処理装置
に適用され、対物レンズと被処理物の位置関係を正確に
制御するための基準となるセンサの位置ドリフト補正お
よび気圧，温度，湿度等の変化にともなう空気の屈折率
変化ならびに光源の波長変動による対物レンズの集面面
ドリフト補正を行なうようにしたマスク／レチクル処理
装置における光軸方向位置補正方法に関する。
（従来の技術） 通常、マスク／レチクル欠陥検査装置は、第６図に示
すようにXYステージａに載置されたマスクまたはレチ
クル等の被処理物ｂにランプｃの光を照明レンズｄにて
集光して被処理物ｂの下面にあるパターン部（欠陥検査
すべきLSIのパターン）に結ばせ、その下方にある対物
レンズｅにて拡大し、イメージセンサｆへ結像させ撮像
データとする。そして、この撮像データと設計データと
を比較しその差である欠陥を見付けるようになってい
る。このとき、被処理物ｂと対物レンズｅの距離をＺセ
ンサ、すなわち対物レンズｅに固定した発光素子（LD）
ｇと受光素子（PSD）ｉによって検出し、ピエゾ素子ｊ
によって前記距離を一定に保つようになっている。
すようにXYステージａに載置されたマスクまたはレチ
クル等の被処理物ｂにランプｃの光を照明レンズｄにて
集光して被処理物ｂの下面にあるパターン部（欠陥検査
すべきLSIのパターン）に結ばせ、その下方にある対物
レンズｅにて拡大し、イメージセンサｆへ結像させ撮像
データとする。そして、この撮像データと設計データと
を比較しその差である欠陥を見付けるようになってい
る。このとき、被処理物ｂと対物レンズｅの距離をＺセ
ンサ、すなわち対物レンズｅに固定した発光素子（LD）
ｇと受光素子（PSD）ｉによって検出し、ピエゾ素子ｊ
によって前記距離を一定に保つようになっている。
ところで、従来装置の検出精度に対する被処理物ｂと
対物レンズｅの焦点面位置関係に要求される位置精度は
±0.5〜±0.7μｍ程度であり、これに比べてＺセンサの
位置ドリフト量及び対物レンズの焦点面ドリフトとも充
分小さく、この精度に対して特別に補正を必要とせず、
このため、従来の装置においては前記位置ドリフト補正
および前記焦点面ドリフト補正をする方法は全くとられ
ていないのが現状であった。
対物レンズｅの焦点面位置関係に要求される位置精度は
±0.5〜±0.7μｍ程度であり、これに比べてＺセンサの
位置ドリフト量及び対物レンズの焦点面ドリフトとも充
分小さく、この精度に対して特別に補正を必要とせず、
このため、従来の装置においては前記位置ドリフト補正
および前記焦点面ドリフト補正をする方法は全くとられ
ていないのが現状であった。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、昨今においては、被処理物ｂのパター
ンが微細化し微細欠陥（0.3〜0.5μｍ程度）を検出する
となると対物レンズｅの倍率を50〜80倍と大きくしてイ
メージセンサｆへ結像させる必要が出てくる。
ンが微細化し微細欠陥（0.3〜0.5μｍ程度）を検出する
となると対物レンズｅの倍率を50〜80倍と大きくしてイ
メージセンサｆへ結像させる必要が出てくる。
倍率の大きな対物レンズｅは極端に焦点深度が浅くな
り、たとえば焦点深度が±0.25μｍ程度となったりする
と従来の如く対物レンズｅに固定された発光素子（LD）
ｇからの光をＺセンサ光軸ｈの如く被処理物ｂのパター
ン面に当て反射させXYステージａの移動時のＺ方向変
位による受光素子（PSD）ｉへの入射位置の変化に対し
ていつも最適値の所に入射するようピエゾ素子ｊによる
対物レンズｅの上下調整（これをＺ軸補正という）では
長期的に±0.25μｍの焦点深度内に調整するのは困難で
ある。
り、たとえば焦点深度が±0.25μｍ程度となったりする
と従来の如く対物レンズｅに固定された発光素子（LD）
ｇからの光をＺセンサ光軸ｈの如く被処理物ｂのパター
ン面に当て反射させXYステージａの移動時のＺ方向変
位による受光素子（PSD）ｉへの入射位置の変化に対し
ていつも最適値の所に入射するようピエゾ素子ｊによる
対物レンズｅの上下調整（これをＺ軸補正という）では
長期的に±0.25μｍの焦点深度内に調整するのは困難で
ある。
それは、対物レンズe,発光素子g,受光素子ｉおよびそ
れらを固定している部材の温度変化に基づく熱変形があ
るためであり、たとえば装置の置かれている室温を±0.
1℃等に制御しても前記のような焦点深度内に留めるこ
とは非常に困難であった。
れらを固定している部材の温度変化に基づく熱変形があ
るためであり、たとえば装置の置かれている室温を±0.
1℃等に制御しても前記のような焦点深度内に留めるこ
とは非常に困難であった。
また、空気の屈折率変化による焦点面ドリフトとして
は大気圧変動による影響が大きく気圧変動としては通常
±25mb程度は考えられ大きな問題である。
は大気圧変動による影響が大きく気圧変動としては通常
±25mb程度は考えられ大きな問題である。
もちろん、焦点深度を外れると欠陥検査ミスをする要
因となる。つまり、欠陥が無いのに欠陥が有ると判断す
る（疑似欠陥と呼ぶ）ことになり装置の信頼性が低下す
ることになる。
因となる。つまり、欠陥が無いのに欠陥が有ると判断す
る（疑似欠陥と呼ぶ）ことになり装置の信頼性が低下す
ることになる。
本発明は、上記事情に基づきなされたもので、その目
的とするところは、装置の要求する対物レンズの焦点面
位置と被処理物のパターン面との位置関係を常に焦点深
度以内（±0.25μｍ以内）に維持することができ、より
高い精度の処理を可能としたマスク／レチクル処理装置
における光軸方向位置補正方法を提供しようとするもの
である。
的とするところは、装置の要求する対物レンズの焦点面
位置と被処理物のパターン面との位置関係を常に焦点深
度以内（±0.25μｍ以内）に維持することができ、より
高い精度の処理を可能としたマスク／レチクル処理装置
における光軸方向位置補正方法を提供しようとするもの
である。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明は、上記問題点を解決するために、ステージ上
に載置されたマスクまたはレチクル等の被処理物に光を
照射し透過光を対物レンズで拡大してイメージセンサ上
に結像させ、この撮像データよりパターンの寸法や欠陥
を検出するとともに、ステージの移動により発生する対
物レンズと被処理物のパターン面との光軸方向距離変動
をＺセンサにて測定し対物レンズと被処理物の相対位置
関係を補正しながら処理するマスク／レチクル処理装置
において、測定または検査する被処理物に描画された像
の一部であって透過率に差のある境界部分に光を投射し
かつ被処理物と対物レンズを光軸方向に微小範囲相対移
動させた時にイメージセンサにより得られた電気信号の
変化を見てパターン画と対物レンズの焦点面位置が一致
した点を知り、このとき得られたＺセンサの出力を基準
として以後の対物レンズと被処理物の光軸方向の位置関
係補正を行なうようにしたものである。
に載置されたマスクまたはレチクル等の被処理物に光を
照射し透過光を対物レンズで拡大してイメージセンサ上
に結像させ、この撮像データよりパターンの寸法や欠陥
を検出するとともに、ステージの移動により発生する対
物レンズと被処理物のパターン面との光軸方向距離変動
をＺセンサにて測定し対物レンズと被処理物の相対位置
関係を補正しながら処理するマスク／レチクル処理装置
において、測定または検査する被処理物に描画された像
の一部であって透過率に差のある境界部分に光を投射し
かつ被処理物と対物レンズを光軸方向に微小範囲相対移
動させた時にイメージセンサにより得られた電気信号の
変化を見てパターン画と対物レンズの焦点面位置が一致
した点を知り、このとき得られたＺセンサの出力を基準
として以後の対物レンズと被処理物の光軸方向の位置関
係補正を行なうようにしたものである。
（作用） すなわち、本発明はイメージセンサに結像されるパタ
ーンのガラスとクロム等の境界部のアウトフォーカス状
態に応じてイメージセンサの出力が変化することを利用
して被処理物と対物レンズの関係を積極的に±0.2〜0.4
μｍ程度変化させ、ガラスとクロムの境界部に相当する
部分のイメージセンサ出力の立上り又は立下がりが最も
急峻となる点をジャストフォーカス点として記憶し、こ
の点におけるＺセンサの出力を維持すべく補正するよう
にしたから、従来のようにレンズ保持体に固定された発
光素子，受光素子および光軸上の各ミラーの位置と対物
レンズの焦点位置の関係が一定としてシステムを組み込
むことにより生じる焦点面位置ずれが防止でき、より高
い精度の処理が可能となる。
ーンのガラスとクロム等の境界部のアウトフォーカス状
態に応じてイメージセンサの出力が変化することを利用
して被処理物と対物レンズの関係を積極的に±0.2〜0.4
μｍ程度変化させ、ガラスとクロムの境界部に相当する
部分のイメージセンサ出力の立上り又は立下がりが最も
急峻となる点をジャストフォーカス点として記憶し、こ
の点におけるＺセンサの出力を維持すべく補正するよう
にしたから、従来のようにレンズ保持体に固定された発
光素子，受光素子および光軸上の各ミラーの位置と対物
レンズの焦点位置の関係が一定としてシステムを組み込
むことにより生じる焦点面位置ずれが防止でき、より高
い精度の処理が可能となる。
（実施例） 以下、本発明の一実施例を第１図ないし第５図を参照
して説明する。
して説明する。
第１図は全体構成を示し、図中１は定盤であり、この
定盤１は基台２上に緩衝装置３…を介して弾性的に支承
された状態となっている。
定盤１は基台２上に緩衝装置３…を介して弾性的に支承
された状態となっている。
この定盤１の上面中央部には、マスクまたはレチクル
などの被処理物４を保持するXYステージ５が搭載され
ているとともにXYステージ５の上方にはランプ６およ
び照明レンズ７を有する照明系８が支持ブラケット９を
介して取り付けられている。
などの被処理物４を保持するXYステージ５が搭載され
ているとともにXYステージ５の上方にはランプ６およ
び照明レンズ７を有する照明系８が支持ブラケット９を
介して取り付けられている。
また、定盤１および基台２の上ベース部2aを貫通する
状態に対物レンズ10およびイメージセンサ11を組み込ん
だ対物本体12が設けられている。この対物本体12はピエ
ゾ素子13により上下方向に移動調整可能な構成となって
いる。
状態に対物レンズ10およびイメージセンサ11を組み込ん
だ対物本体12が設けられている。この対物本体12はピエ
ゾ素子13により上下方向に移動調整可能な構成となって
いる。
また、上記対物本体12の上部には、上記対物レンズ10
およびイメージセンサ11からなる光学系14の他に第２図
に詳図するように発光素子（LD）15,ミラー16,ミラー1
7,ミラー18,ミラー19,および受光素子（PSD）20からな
る光学系（Ｚセンサ）21が組み込まれている。この光学
系21は対物レンズ10と対向する部分に開口部22aを有す
るケーシング22で囲繞された状態となっている。
およびイメージセンサ11からなる光学系14の他に第２図
に詳図するように発光素子（LD）15,ミラー16,ミラー1
7,ミラー18,ミラー19,および受光素子（PSD）20からな
る光学系（Ｚセンサ）21が組み込まれている。この光学
系21は対物レンズ10と対向する部分に開口部22aを有す
るケーシング22で囲繞された状態となっている。
しかして、発光素子15より発せられた光はミラー16,1
7を介して被処理物４に導かれ、さらに、被処理物４か
らの反射光ミラー18,19を介して受光素子20のａ点に入
射する。この状態が対物レンズ10の焦点面位置と被処理
物４のパターン面と一致した状態となっている。
7を介して被処理物４に導かれ、さらに、被処理物４か
らの反射光ミラー18,19を介して受光素子20のａ点に入
射する。この状態が対物レンズ10の焦点面位置と被処理
物４のパターン面と一致した状態となっている。
次に、ステージ５上に固定している被処理物４が移動
するとステージ５の上下動または被処理物４の平面度等
により対物レンズ10と被処理物４の位置関係が変化す
る。それは、受光素子20への入射光の位置変化によって
検出される。
するとステージ５の上下動または被処理物４の平面度等
により対物レンズ10と被処理物４の位置関係が変化す
る。それは、受光素子20への入射光の位置変化によって
検出される。
そこで、常に同じ位置、つまりａの位置へ入射するよ
うにピエゾ素子13への給電電圧を変化させ調整してい
る。しかし、ここで実際は被処理物４と対物レンズ10の
位置関係が変化しなくても第２図の如くミラー19が二点
鎖線で示す19′の位置に熱変形し受光素子20への入射位
置がａ′の位置となると対物レンズ10をピエゾ素子13に
て駆動してａ点に入射するように調整してしまい、する
と焦点位置からずれてしまうことになる。
うにピエゾ素子13への給電電圧を変化させ調整してい
る。しかし、ここで実際は被処理物４と対物レンズ10の
位置関係が変化しなくても第２図の如くミラー19が二点
鎖線で示す19′の位置に熱変形し受光素子20への入射位
置がａ′の位置となると対物レンズ10をピエゾ素子13に
て駆動してａ点に入射するように調整してしまい、する
と焦点位置からずれてしまうことになる。
また、前記構成物の相対的位置関係が変化しなくても
大気圧の変化や光源の波長変動があると対物レンズの焦
点面位置がずれることになる。
大気圧の変化や光源の波長変動があると対物レンズの焦
点面位置がずれることになる。
これが対物レンズ10の焦点深度内であれば実用上問題
がないが、対物レンズ10の倍率が高いとその焦点深度は
極端に浅くなり問題となってくる。
がないが、対物レンズ10の倍率が高いとその焦点深度は
極端に浅くなり問題となってくる。
そこで、本発明においては、現在あるシステムを大幅
に変更することなく被処理物４のパターン面と対物レン
ズ10の焦点面位置が一致した点を自動的に検出する方法
を加えることによりこの問題を解決することができるよ
うにしている。
に変更することなく被処理物４のパターン面と対物レン
ズ10の焦点面位置が一致した点を自動的に検出する方法
を加えることによりこの問題を解決することができるよ
うにしている。
この方法を具体的に説明すると、第３図の如く被処理
物４の上方より照明光23をクロム面24とガラス面25の境
界面に投射すると対物レンズ10で拡大された照明光23′
となりイメージセンサ11上に入射する。なお、第３図に
おいては拡大した図は示さず１対１のごとく示してい
る。
物４の上方より照明光23をクロム面24とガラス面25の境
界面に投射すると対物レンズ10で拡大された照明光23′
となりイメージセンサ11上に入射する。なお、第３図に
おいては拡大した図は示さず１対１のごとく示してい
る。
イメージセンサ11には、図の如く複数の素子11a,11b,
11c…11dがあり、それぞれ単独に入射光量に応じた電気
信号が得られるようになっている。
11c…11dがあり、それぞれ単独に入射光量に応じた電気
信号が得られるようになっている。
本実施例では、この電気信号をA/D変換して０〜64の
レベルでデジタル信号が得られるようになっている。こ
の得られたデータをプロットしたものが第４図および第
５図である。つまり、ガラス面25を通過した光のレベル
は64,クロム面24を通過した光のレベルは０となる。そ
して、その中間部分は０〜64の間のデータとなり、これ
が焦点位置に被処理物４のパターン面が来ると第４図の
ごとく立上りまたは立下がりカーブが急峻となり、ずれ
ると第５図の如くなだらかなカーブとなる。
レベルでデジタル信号が得られるようになっている。こ
の得られたデータをプロットしたものが第４図および第
５図である。つまり、ガラス面25を通過した光のレベル
は64,クロム面24を通過した光のレベルは０となる。そ
して、その中間部分は０〜64の間のデータとなり、これ
が焦点位置に被処理物４のパターン面が来ると第４図の
ごとく立上りまたは立下がりカーブが急峻となり、ずれ
ると第５図の如くなだらかなカーブとなる。
そこで、被処理物４と対物レンズ10の位置関係を積極
的にピエゾ素子13を使用して微小範囲上下させ、第４図
または第５図の如く得られたデータ（ａ〜ｇの如く０〜
64レベルのもの）をCPU（図示しない）に取込みその傾
きを計算する。そして、微小範囲（たとえば0.1μｍ間
隔で±0.5μｍの範囲）上下させ、その中で最も急峻に
なった時に受光素子20の20′の位置に入射し、その位置
に応じた出力が受光素子20から得られたとすると、以後
は前記ａ′の位置に反射光が入射するようにピエゾ素子
13への給電電圧をコントロールする。
的にピエゾ素子13を使用して微小範囲上下させ、第４図
または第５図の如く得られたデータ（ａ〜ｇの如く０〜
64レベルのもの）をCPU（図示しない）に取込みその傾
きを計算する。そして、微小範囲（たとえば0.1μｍ間
隔で±0.5μｍの範囲）上下させ、その中で最も急峻に
なった時に受光素子20の20′の位置に入射し、その位置
に応じた出力が受光素子20から得られたとすると、以後
は前記ａ′の位置に反射光が入射するようにピエゾ素子
13への給電電圧をコントロールする。
この調整を一定周期（たとえば10分毎,30分毎，被処
理物交換毎，一定の気圧変動や光源の波長変動があった
時毎等）にて必要に応じて検出し対物レンズ10の光軸方
向位置を補正していけば常に対物レンズ10の焦点深度範
囲内に被処理物４のパターン面が保持可能となる。
理物交換毎，一定の気圧変動や光源の波長変動があった
時毎等）にて必要に応じて検出し対物レンズ10の光軸方
向位置を補正していけば常に対物レンズ10の焦点深度範
囲内に被処理物４のパターン面が保持可能となる。
しかして、被処理物４と対物レンズ10の相対位置変動
を測定するＺセンサ位置がドリフト或いは対物レンズの
焦点面位置が変化しても一定時間毎に最適値に自動補正
することにより常に対物レンズ10の焦点深度内にパター
ン面を保持できる。
を測定するＺセンサ位置がドリフト或いは対物レンズの
焦点面位置が変化しても一定時間毎に最適値に自動補正
することにより常に対物レンズ10の焦点深度内にパター
ン面を保持できる。
また、ハード的には機械，電気ともに従来からあるも
のを使用し、センサ信号のカーブの傾斜を求めるソフト
および微小範囲上下させたデータを比較するソフト等を
追加するだけでよい。
のを使用し、センサ信号のカーブの傾斜を求めるソフト
および微小範囲上下させたデータを比較するソフト等を
追加するだけでよい。
なお、他の方法として予め求めたパターン面と対物レ
ンズ10の焦点面位置が一致した時のイメージセンサ11の
立上りまたは立下りカーブと、ピエゾ素子13を使用して
対物レンズ10を移動させて得られた該カーブとを比較し
てその差が一定以下となったときを基準（一致点）とし
てそれ以降補正していく方法がある。また、マスク／レ
チクル欠陥検査装置について説明したが計測装置に適用
できることは勿論である。
ンズ10の焦点面位置が一致した時のイメージセンサ11の
立上りまたは立下りカーブと、ピエゾ素子13を使用して
対物レンズ10を移動させて得られた該カーブとを比較し
てその差が一定以下となったときを基準（一致点）とし
てそれ以降補正していく方法がある。また、マスク／レ
チクル欠陥検査装置について説明したが計測装置に適用
できることは勿論である。
その他、本発明は、本発明の要旨を変えない範囲で種
々変形実施可能なことは勿論である。
々変形実施可能なことは勿論である。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば装置の要求する
対物レンズの焦点面位置と被処理物のパターン面との位
置関係を常に焦点深度以内に維持することとができるよ
うにしたマスク／レチクル処理装置における光軸方向位
置補正方法を提供できるといった効果を奏する。
対物レンズの焦点面位置と被処理物のパターン面との位
置関係を常に焦点深度以内に維持することとができるよ
うにしたマスク／レチクル処理装置における光軸方向位
置補正方法を提供できるといった効果を奏する。
第１図ないし第５図は本発明の一実施例を示すもので、
第１図はマスク／レチクル欠陥検査装置の概略的構成
図、第２図は要部の拡大図、第３図は被処理物へ光を照
射し対物レンズを通しイメージセンサへ入射した状態を
説明する説明図、第４図および第５図は得られた電気信
号を０〜64のレベルにデジタル化しプロットした図、第
６図は従来装置の概略的構成図である。 ４……被処理物（マスクまたはレチクル）、５……ステ
ージ、６……ランプ、10……対物レンズ、11……イメー
ジセンサ、11a〜11d……受光素子、13……ピエゾ素子、
15……発光素子（LD）、16〜19……ミラー、20……受光
素子（PSD）、21……光学系（Ｚセンサ）、24……クロ
ム面、25……ガラス面。
第１図はマスク／レチクル欠陥検査装置の概略的構成
図、第２図は要部の拡大図、第３図は被処理物へ光を照
射し対物レンズを通しイメージセンサへ入射した状態を
説明する説明図、第４図および第５図は得られた電気信
号を０〜64のレベルにデジタル化しプロットした図、第
６図は従来装置の概略的構成図である。 ４……被処理物（マスクまたはレチクル）、５……ステ
ージ、６……ランプ、10……対物レンズ、11……イメー
ジセンサ、11a〜11d……受光素子、13……ピエゾ素子、
15……発光素子（LD）、16〜19……ミラー、20……受光
素子（PSD）、21……光学系（Ｚセンサ）、24……クロ
ム面、25……ガラス面。
Claims (4)
- 【請求項１】ステージ上に載置されたマスクまたはレチ
クル等の被処理物に光を照射し透過光を対物レンズで拡
大してイメージセンサ上に結像させ、この撮像データよ
りパターンの寸法や欠陥を検出するとともに、対物レン
ズと被処理物のパターン面との光軸方向距離変動をＺセ
ンサにて測定し対物レンズと被処理物の相対位置関係を
補正しながら処理するマスク／レチクル処理装置におい
て、測定または検査する被処理物に描画された像の一部
であって透過率に差のある境界部分に光を投射しかつ被
処理物と対物レンズを光軸方向に微小範囲相対移動させ
た時にイメージセンサにより得られた電気信号の変化を
見てパターン画と対物レンズの焦点面位置が一致した点
を知り、このとき得られたＺセンサの出力を基準として
それ以降の対物レンズと被処理物の光軸方向の位置関係
補正を行なうことを特徴とするマスク／レチクル処理装
置における光軸方向位置補正方法。 - 【請求項２】イメージセンサは、複数個の受光素子から
なり受光すると受光量に応じた電気信号が得られること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマスク／レチ
クル処理装置における光軸方向位置補正方法。 - 【請求項３】パターン面と対物レンズの焦点面位置の一
致した点の検出方法としてパターン面の像の透過率の差
によるイメージセンサの電気信号の立上りまたは立下が
りが最も急峻となる点またはその近傍とすることを特徴
とする特許請求の範囲第２項記載のマスク／レチクル処
理装置における光軸方向位置補正方法。 - 【請求項４】パターン面と対物レンズの焦点面位置の一
致した点の検出方法としてイメージセンサより得られた
電気信号と既知のジャストフォーカス時のイメージセン
サの電子信号とを比較することにより得ることを特徴と
する特許請求の範囲第２項記載のマスク／レチクル処理
装置における光軸方向位置補正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071637A JP2534699B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | マスク／レチクル処理装置における光軸方向位置補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071637A JP2534699B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | マスク／レチクル処理装置における光軸方向位置補正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63240180A JPS63240180A (ja) | 1988-10-05 |
| JP2534699B2 true JP2534699B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=13466361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62071637A Expired - Lifetime JP2534699B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | マスク／レチクル処理装置における光軸方向位置補正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2534699B2 (ja) |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP62071637A patent/JP2534699B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63240180A (ja) | 1988-10-05 |
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