JP2527961B2 - 安息香酸エステル誘導体及びその製造方法 - Google Patents
安息香酸エステル誘導体及びその製造方法Info
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- JP2527961B2 JP2527961B2 JP62101278A JP10127887A JP2527961B2 JP 2527961 B2 JP2527961 B2 JP 2527961B2 JP 62101278 A JP62101278 A JP 62101278A JP 10127887 A JP10127887 A JP 10127887A JP 2527961 B2 JP2527961 B2 JP 2527961B2
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は新規な安息香酸エステル誘導体及びその製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
更に詳しくは一般式（Ｉ）： （式中、 Ｒは、同一でも異っても良く、水素原子、ハロゲン原
子、又は低級アルキル基を示し、 ｎは１乃至４の整数を示し、 Ｘはハロゲン原子を示し、 R1,R2及びR3は、同一でも異っても良く、低級アルキ
ル基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシカルボニル
基又はフェニル基を示し、置換基XCH2はカルボニル基に
対してメタ位又はパラ位置換を示す。但し、置換基XCH2
がカルボニル基に対してパラ位置換を示し、Ｒが水素原
子を示す場合、Ｘは臭素原子を除く。） で表わされる安息香酸エステル誘導体及びその製造方
法を提供するものである。
子、又は低級アルキル基を示し、 ｎは１乃至４の整数を示し、 Ｘはハロゲン原子を示し、 R1,R2及びR3は、同一でも異っても良く、低級アルキ
ル基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシカルボニル
基又はフェニル基を示し、置換基XCH2はカルボニル基に
対してメタ位又はパラ位置換を示す。但し、置換基XCH2
がカルボニル基に対してパラ位置換を示し、Ｒが水素原
子を示す場合、Ｘは臭素原子を除く。） で表わされる安息香酸エステル誘導体及びその製造方
法を提供するものである。
本発明の化合物は文献にいまだ記載されていない新規
化合物であり、医薬、農薬等の中間体として有用な化合
物である。
化合物であり、医薬、農薬等の中間体として有用な化合
物である。
本発明化合物の製造方法は、活性なハロゲン原子２個
を有する安息香酸ハライド誘導体の特定のハロゲン原子
を選択的に反応させて安息香酸エステル誘導体とするも
のであり、例えば図式的に示すと下記の如く例示するこ
とができる。
を有する安息香酸ハライド誘導体の特定のハロゲン原子
を選択的に反応させて安息香酸エステル誘導体とするも
のであり、例えば図式的に示すと下記の如く例示するこ
とができる。
（式中、 Ｒは同一でも異っても良く、水素原子、ハロゲン原子
又は低級アルキル基を示し、 ｎは１乃至４の整数を示し、Ｘ及びＹ、は同一でも異
なっても良く、ハロゲン原子を示し、 R1,R2及びR3は、同一でも異っても良く、低級アルキ
ル基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシカルボニル
基又はフェニル基を示し、置換基XCH2はカルボニル基に
対してメタ位又はパラ位置換を示す。但し、置換基XCH2
がカルボニル基に対してパラ位置換を示し、Ｒが水素原
子を示す場合、Ｘは臭素原子を除く。） 即ち、一般式（II）で表わされる安息香酸ハライド誘
導体を不活性溶媒の存在下又は不存在下で塩基の存在
下、一般式（III）で表わされる第三級アルコール類と
反応させることにより一般式（Ｉ）で表わされる安息香
酸エステルを製造することができる。
又は低級アルキル基を示し、 ｎは１乃至４の整数を示し、Ｘ及びＹ、は同一でも異
なっても良く、ハロゲン原子を示し、 R1,R2及びR3は、同一でも異っても良く、低級アルキ
ル基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシカルボニル
基又はフェニル基を示し、置換基XCH2はカルボニル基に
対してメタ位又はパラ位置換を示す。但し、置換基XCH2
がカルボニル基に対してパラ位置換を示し、Ｒが水素原
子を示す場合、Ｘは臭素原子を除く。） 即ち、一般式（II）で表わされる安息香酸ハライド誘
導体を不活性溶媒の存在下又は不存在下で塩基の存在
下、一般式（III）で表わされる第三級アルコール類と
反応させることにより一般式（Ｉ）で表わされる安息香
酸エステルを製造することができる。
本発明で使用できる溶媒としては、本反応を阻害しな
いものであれば良く、例えばジエチルエーテル、ジイソ
プロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
のエーテル類、ジクロロエタン、テトラクロロエタン、
クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、
ベンゼン、モノクロロベンゼン、ニトロベンゼン、トル
エン等の芳香族炭化水素類を挙げることができる。これ
らは単独でも、混合しても使用することができる。ま
た、一般式（III）で表わされる第三級アルコール類を
過剰に使用することにより、溶媒とすることもできる。
塩基としては無機塩基又は有機塩基を使用することがで
きるが、有機塩基の使用が好ましくは、例えばトリエチ
ルアミン、ピリジン、ピコリン、４−N,N−ジメチルア
ミノピリジン等の三級アミンを使用することができる。
いものであれば良く、例えばジエチルエーテル、ジイソ
プロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
のエーテル類、ジクロロエタン、テトラクロロエタン、
クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、
ベンゼン、モノクロロベンゼン、ニトロベンゼン、トル
エン等の芳香族炭化水素類を挙げることができる。これ
らは単独でも、混合しても使用することができる。ま
た、一般式（III）で表わされる第三級アルコール類を
過剰に使用することにより、溶媒とすることもできる。
塩基としては無機塩基又は有機塩基を使用することがで
きるが、有機塩基の使用が好ましくは、例えばトリエチ
ルアミン、ピリジン、ピコリン、４−N,N−ジメチルア
ミノピリジン等の三級アミンを使用することができる。
反応温度は、０℃乃至溶媒の沸点域の範囲内の温度か
ら選択すれば良いが、室温付近の温度で反応を行うのが
好ましい。
ら選択すれば良いが、室温付近の温度で反応を行うのが
好ましい。
反応時間は、反応温度、反応規模によって一定しない
が、反応が完結されていれば良く、数分乃至48時間の範
囲から選択すれば良い。
が、反応が完結されていれば良く、数分乃至48時間の範
囲から選択すれば良い。
一般式（III）で表わされる第３級アルコール類及び
塩基の添加量は、一般式（II）で表わされる安息香酸ハ
ライド誘導体に対して等モル使用すれば良いが、過剰に
使用しても良い。
塩基の添加量は、一般式（II）で表わされる安息香酸ハ
ライド誘導体に対して等モル使用すれば良いが、過剰に
使用しても良い。
反応終了後、常法により処理し、そのまま次の反応に
使用することもでき、また、精製処理を行って次の反応
に使用することもできる。
使用することもでき、また、精製処理を行って次の反応
に使用することもできる。
本発明の出発物質である一般式（II）で表わされる安
息香酸ハライド誘導体は下記に示す方法により製造する
ことができる。
息香酸ハライド誘導体は下記に示す方法により製造する
ことができる。
（式中、R,n,X及びＹは前記で定義した意味に同
じ。） 即ち、一般式（Ｖ）で表わされるパラ又はメタ安息香
酸誘導体をハロゲン化し、一般式（IV）で表わされるパ
ラ又はメタ安息香酸ハライド誘導体とし、該化合物（I
V）のパラ位又はメタ位のメチル基の水素１個をハロゲ
ン化することにより、一般式（II）で表わされる安息香
酸ハライド誘導体を製造することができる。
じ。） 即ち、一般式（Ｖ）で表わされるパラ又はメタ安息香
酸誘導体をハロゲン化し、一般式（IV）で表わされるパ
ラ又はメタ安息香酸ハライド誘導体とし、該化合物（I
V）のパラ位又はメタ位のメチル基の水素１個をハロゲ
ン化することにより、一般式（II）で表わされる安息香
酸ハライド誘導体を製造することができる。
以下に本発明化合物の代表的な実施例を示すが、本発
明はこれらに限定されるものではない。
明はこれらに限定されるものではない。
実施例1. ｔ−ブチル４−クロロメチル安息香酸の製造 ｔ−ブチルアルコール5.55g（0.075モル）及びピリジ
ン3.95g（0.05モル）を含む反応溶液を10℃に保持し、
加温溶解した４−クロロメチル安息香酸クロリド9.45g
（0.05モル）を添加し、10℃で３時間攪拌下反応を行っ
た後、更に、30℃で２時間反応を行った。反応終了後水
20mlを加え、生成したピリジン塩酸塩を溶解させ、目的
化合物を集し、水洗し、乾燥して目的化合物10.78gを
得た。
ン3.95g（0.05モル）を含む反応溶液を10℃に保持し、
加温溶解した４−クロロメチル安息香酸クロリド9.45g
（0.05モル）を添加し、10℃で３時間攪拌下反応を行っ
た後、更に、30℃で２時間反応を行った。反応終了後水
20mlを加え、生成したピリジン塩酸塩を溶解させ、目的
化合物を集し、水洗し、乾燥して目的化合物10.78gを
得た。
融点53.4℃、 収率95.2％。
実施例２ ２−クロロ−1,3−ジメチルエチル ４−クロロメチル
安息香酸の製造 1,1−ジメチル−２−クロロエチルアルコール8.13g
（0.075モル）及びピリジン3.95g（0.05モル）を含む反
応溶液に加温溶解した４−クロロメチル安息香酸クロリ
ド9.45g（0.05モル）を10℃で添加し、その温度で３時
間攪拌しながら反応を行い、更に、30℃で２時間反応を
行った。反応終了後反応液に水50mlを加え、目的化合物
を酢酸エチル（30mlずつ３回）で抽出し、そして希塩酸
50mlで洗浄し、乾燥した後、抽出液を減圧留去し、残渣
をシリカゲルクロマトグラフィーで精製して目的化合物
を10.6g得た。
安息香酸の製造 1,1−ジメチル−２−クロロエチルアルコール8.13g
（0.075モル）及びピリジン3.95g（0.05モル）を含む反
応溶液に加温溶解した４−クロロメチル安息香酸クロリ
ド9.45g（0.05モル）を10℃で添加し、その温度で３時
間攪拌しながら反応を行い、更に、30℃で２時間反応を
行った。反応終了後反応液に水50mlを加え、目的化合物
を酢酸エチル（30mlずつ３回）で抽出し、そして希塩酸
50mlで洗浄し、乾燥した後、抽出液を減圧留去し、残渣
をシリカゲルクロマトグラフィーで精製して目的化合物
を10.6g得た。
3.87（s.2H,−CH2−） 4.54（s.2H,−CH2−）,7.33（d.2H,ベンゼン環） 7.88（d.2H,ベンゼン環） 収率81％。
実施例３ １−メトキシカルボニル−１−メチルエチル ４−クロ
ロメチル安息香酸の製造 メチル２−メチル−２−ヒドロキシプロピオン酸8.85g
（0.075モル）及びピリジン3.95g（0.05モル）を含む反
応溶液に加温溶解した４−クロロメチル安息香酸クロリ
ド9.45g（0.05モル）を10℃で添加し、その温度で３時
間攪拌しながら反応を行い、更に、30℃で２時間反応を
行った。反応終了後反応液に水50mlを加え、目的物を酢
酸エチル（30mlずつ３回）で抽出し、そして希塩酸50ml
で洗浄し、乾燥した後、抽出液を減圧留去し、残渣をシ
リカゲルクロマトグラフィーで精製して目的物を8.39g
得た。
ロメチル安息香酸の製造 メチル２−メチル−２−ヒドロキシプロピオン酸8.85g
（0.075モル）及びピリジン3.95g（0.05モル）を含む反
応溶液に加温溶解した４−クロロメチル安息香酸クロリ
ド9.45g（0.05モル）を10℃で添加し、その温度で３時
間攪拌しながら反応を行い、更に、30℃で２時間反応を
行った。反応終了後反応液に水50mlを加え、目的物を酢
酸エチル（30mlずつ３回）で抽出し、そして希塩酸50ml
で洗浄し、乾燥した後、抽出液を減圧留去し、残渣をシ
リカゲルクロマトグラフィーで精製して目的物を8.39g
得た。
3.55（s.3H−OCH3） 4.58（s.2H,−CH2−）,7.08（d.2H,ベンゼン環） 7.78（d.2H,ベンゼン環） 収率62％。
実施例４ 1,1−ジメチルプロピル ３−クロロメチル安息香酸の
製造 1,1−ジメチルプロピルアルコール6.6g（0.075モル）
及びピリジン3.95g（0.05モル）を含む反応溶液に３−
クロロメチル安息香酸クロリド9.45g（0.05モル）を10
℃で添加し、その温度で３時間攪拌しながら反応を行
い、更に30℃で２時間反応を行った。反応終了後反応液
に水20mlを加え、目的物を酢酸エチル（30mlずつ３回）
で抽出し、そして希塩酸50mlで洗浄し、乾燥した後、抽
出液を減圧留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィ
ーで精製して目的化合物を10.2g得た。
製造 1,1−ジメチルプロピルアルコール6.6g（0.075モル）
及びピリジン3.95g（0.05モル）を含む反応溶液に３−
クロロメチル安息香酸クロリド9.45g（0.05モル）を10
℃で添加し、その温度で３時間攪拌しながら反応を行
い、更に30℃で２時間反応を行った。反応終了後反応液
に水20mlを加え、目的物を酢酸エチル（30mlずつ３回）
で抽出し、そして希塩酸50mlで洗浄し、乾燥した後、抽
出液を減圧留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィ
ーで精製して目的化合物を10.2g得た。
0.95（t.3H,−CH3）， 1.89（q.2H,−CH2−）,4.59（s.2H,−CH2−） 7.15〜7.85（m.4H,ベンゼン環） 収率85％。
Claims (2)
- 【請求項１】一般式（Ｉ）： （式中、 Ｒは、同一でも異なっても良く、水素原子、ハロゲン原
子又は低級アルキル基を示し、 ｎは１乃至４の整数を示し、 Ｘはハロゲン原子を示し、 R1、R2及びR3は、同一でも異なっても良く、低級アルキ
ル基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシカルボニル
基又はフェニル基を示し、置換基XCH2はカルボニル基に
対してメタ位又はパラ位置換を示す。但し、置換基XCH2
がカルボニル基に対してパラ位置換を示し、Ｒが水素原
子を示す場合、Ｘは臭素原子を除く。）で表わされる安
息香酸エステル誘導体。 - 【請求項２】一般式（II）： （式中、 Ｒは、同一でも異なっても良く、水素原子、ハロゲン原
子又は低級アルキル基を示し、 ｎは１乃至４の整数を示し、 Ｘ及びＹは同一でも異なっても良く、ハロゲン原子を示
し、置換基XCH2はカルボニル基に対してメタ位又はパラ
位置換を示す。但し、置換基XCH2がカルボニル基に対し
てパラ位置換を示し、Ｒが水素原子を示す場合、Ｘは臭
素原子を除く。）で表わされる安息香酸ハライド誘導体
を塩基の存在下に一般式（III）： （式中、 R1、R2及びR3は、同一でも異なっても良く、低級アルキ
ル基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシカルボニル
基又はフェニル基を示す。） で表わされる第三級アルコール類と反応させることを特
徴とする 一般式（Ｉ） （式中、 Ｒ、R1、R2、R3、Ｘ及びｎは前記で定義した意味に同
じ。） で表わされる安息香酸エステル誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62101278A JP2527961B2 (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 安息香酸エステル誘導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62101278A JP2527961B2 (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 安息香酸エステル誘導体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63267745A JPS63267745A (ja) | 1988-11-04 |
| JP2527961B2 true JP2527961B2 (ja) | 1996-08-28 |
Family
ID=14296406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62101278A Expired - Lifetime JP2527961B2 (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 安息香酸エステル誘導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2527961B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4339208A1 (de) * | 1993-11-17 | 1995-05-18 | Hoechst Ag | Verfahren zur Herstellung von Fluorbenzoesäurealkylestern in hoher Reinheit und Ausbeute |
| JP2013028559A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Nippon Light Metal Co Ltd | ３−クロロ−４−メチル安息香酸イソプロピル及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4699904A (en) * | 1985-07-01 | 1987-10-13 | Merck & Co., Inc. | Tetrazolyl derivatives of β-lactams useful as elastase inhibitors |
-
1987
- 1987-04-24 JP JP62101278A patent/JP2527961B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63267745A (ja) | 1988-11-04 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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