JP2524108B2 - 光走査記録装置 - Google Patents

光走査記録装置

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JP2524108B2 JP61038606A JP3860686A JP2524108B2 JP 2524108 B2 JP2524108 B2 JP 2524108B2 JP 61038606 A JP61038606 A JP 61038606A JP 3860686 A JP3860686 A JP 3860686A JP 2524108 B2 JP2524108 B2 JP 2524108B2
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Description

【発明の詳細な説明】 (発明の分野) 本発明は記録材料を光ビームにより走査して該記録材
料に記録を行なう光走査記録装置、特に詳細には光ビー
ム発生手段として半導体レーザを用い、連続調画像を得
るようにした光走査記録装置に関するものである。
(発明の技術的背景および先行技術) 従来より、光ビームを光偏向器により偏向して感光性
記録材料上を走査させ、該記録材料に記録を行なう光走
査記録装置が広く実用に供されている。このような光走
査記録装置において光ビームを発生する手段の1つとし
て、半導体レーザが従来から用いられている。この半導
体レーザは、ガスレーザ等に比べれば小型、安価で消費
電力も少なく、また駆動電流を変えることによって直接
変調が可能である等、数々の長所を有している。
しかしながら、その反面この半導体レーザは、第4図
に示すように駆動電流に対する光出力特性が、ある点を
境にして急激に変化するので、連続調画像の記録には適
用困難であるという問題が有る。すなわち上記の光出力
特性が急激に変化する点にまたがって光出力を制御する
ことは難かしく、また該変化点の上側の特性がリニアな
範囲のみを利用して強度変調を行なうと、光出力のダイ
ナミックレンジがたかだか2桁程度しかとれない。周知
のように、この程度のダイナミックレンジでは高品位の
連続調画像を得ることは不可能である。
そこで従来より、半導体レーザの光出力は一定とする
とともに、該半導体レーザを連続的にON−OFFさせて走
査ビームをパルス光とし、このパルスの数を各画素毎に
制御して走査光量を変化させることにより連続調画像を
得る試みもなされている。
ところが上記のようなパルス数変調を行なう場合に
は、例えば画素周波数が100kHzのとき走査光量の分解能
を4桁確保しようとすると、パルスの周波数は1GHzと極
めて高く設定しなければならない。半導体レーザ自体は
この程度の周波数でON−OFFすることも可能であるが、
パルス数制御のためのパルスカウント回路等は一般にこ
のような高周波数に対応して作動し得ず、結局は画素周
波数を上記程度の値よりも大幅に下げなければならな
い。したがってこのようにパルス数変調により連続調画
像を記録する場合、記録速度は非常に遅いものとなって
しまう。
(発明の目的) そこで本発明は半導体レーザを用い、高速で連続調画
像を記録しうる光走査記録装置を提供することを目的と
するものである。
(発明の構成) 本発明の光走査記録装置は、半導体レーザの駆動電流
を画像信号に基づいて制御して、該半導体レーザから射
出される光ビームを変調するレーザ駆動回路と、この変
調された光ビームにより記録材料を走査する走査手段と
を備えて、記録材料に記録を行なう光走査記録装置にお
いて、 レーザ駆動回路が、1画素書込み期間内に、光ビーム
を画像信号に応じて複数のレベルI1、I2、I3……IN(I1
>I2>I3……>IN)に強度変調し、 これら複数の強度レベルとなる光ビームの各々をさら
に画像信号に応じて独立にパルス数変調あるいはパルス
幅変調し、 このとき、強度レベルがIk(k=2、3……N)の光
ビームに対するパルス数変調あるいはパルス幅変調の変
調分解能nkをnk=Ik-1/Ikとするように半導体レーザ駆
動電流を制御する構成とされ、 それにより、光ビームの光量制御の最小単位を、光量
制御の全範囲に亘って、最低強度レベルINの光ビームの
最低パルス数あるいはパルス幅で規定するように強度変
調と、パルス数変調あるいはパルス幅変調とを組み合わ
せて行なうことを特徴とするものである。
(作用) 上記のようにパルス数変調あるいはパルス幅変調と強
度変調とを組み合わせれば、パルス数変調幅あるいはパ
ルス幅変調幅が小さくても強度変調で補って、走査光量
の変化範囲を大きく設定することができる。したがって
1画素当たりのパルス数あるいはパルス幅を小さく設定
でき、高速記録が可能になる。
また、光ビームの光量制御の最小単位を、光量制御の
全範囲に亘って、最低強度レベルの光ビームの最低パル
ス数あるいはパルス幅で規定するようにしているから、
光量分解能も高いものとなる。
(実施態様) 以下、図面に示す実施態様に基づいて本発明を詳細に
説明する。
第1図は本発明の第1実施態様による光走査記録装置
を示すものである。半導体レーザ10には駆動回路11から
駆動電流Dが供給され、半導体レーザ10はこの駆動電流
Dの値に対応した発光強度のレーザビーム12を射出す
る。このレーザビーム12はコリメータレンズ13に通され
て平行ビームとされ、例えばガルバノメータミラー等の
光偏向器14によって偏向される。偏向されたレーザビー
ム12は走査レンズ(通常はfθレンズ)15に通されて、
例えば銀塩フィルム等からなる記録材料16上で集束し、
この記録材料16を矢印X方向に走査する(主走査)。そ
れとともに記録材料16は、例えばエンドレスベルト装置
からなる記録材料移動手段17により上記主走査方向Xと
略直角な方向Yに移送され、副走査がなされる。こうし
て記録材料16はレーザビーム12により全面的に走査さ
れ、該ビーム12に感光して2次元像を形成する。
上述のようにして記録材料16に記録される像は、レー
ザビーム12が以下説明のようにして変調されることによ
り、連続調を有するものとなる。すなわち半導体レーザ
10は、駆動回路11から駆動電流Dが大きさを変え、また
パルス状に供給されることにより、2段階の発光強度
I1、I2いずれかのレーザビーム12をそれぞれパルス状に
射出する。そして本実施態様においては、2段階の発光
強度I1、I2の比はI1/I2=128と設定され、また1画素に
おけるレーザビーム12の最大パルス数=254と設定され
ている。つまり第2図に示されるように1画素当たり25
4個のクロックパルスが駆動回路11に入力され、駆動回
路11は画像信号供給器18から供給される画像信号Sに応
じて駆動電流DのON−OFF、および大きさを制御するこ
とにより、レーザビーム12のパルス数(各パルスは上記
クロックパルスに同期している)と発光強度(パルスの
振幅)を変化させる。
1画素当たりの走査光量が最小となるのは勿論レーザ
ビーム12のパルス数が0のときであり、次に走査光量が
低いのは第2図の(1)に示されるように発光強度I2
パルスが1個だけ出力されたときである。上記発光強度
I2のパルス数を1〜127個まで変えれば、走査光量はI2
〜127I2と変化する。そして第2図の(2)に示される
ように発光強度I1のパルスを1個出力させ、このとき発
光強度I2のパルスを出力させなければ走査光量は128I2
となる。発光強度I1のパルス1個に加えて発光強度I2
パルスを1〜127個加えれば、走査光量は129I2〜255I2
と変化する。以下同様にして発光強度I1のパルスと、発
光強度I2のパルスの組み合わせにより、走査光量を最大
16383I2[128I2×127+127I2、第3図の(3)]まで、
光量I2刻みで変化させることができる。
すなわち本実施態様においては、1画素当たり254の
パルス数変調幅で、走査光量の分解能14bit(16384レベ
ル)を得る。記録材料16が銀塩フィルムである場合、高
品位の連続調画像を得るためには、一般的に露光量の変
化範囲は3桁弱程度、そしてこのとき走査光量の分解能
は4桁以上必要とされるが、本実施態様においては上記
の通り、この4桁以上の走査光量分解能が確保されてい
る。
また本実施態様においては、発光強度I1、I2の比はI1
/I2=128であり、発光強度I2のパルスによるパルス数変
調の分解能n2=128であるから、前述のnk=Ik-1/Ikの関
係が満足されている。
上記の場合画素周波数を100kHzとすれば、クロックパ
ルスの周波数は25.4MHzであり、パルス数制御用パルス
カウント回路等のロジック回路は、従来より用いられて
いるものが使用可能である。従来から行なわれているよ
うにパルス数変調のみで上記走査光量の分解能14bitを
得るには、周波数1.6383GHzのクロックパルスに基づい
てパルス数変調を行なわねばならず、現在のロジック回
路では対応困難である。したがってこの場合は画素周波
数を100kHzよりも大幅に低下させなければならない。
なお周知のように半導体レーザ10の光出力は変動しや
すいので、本実施態様においてはレーザビーム12による
記録材料16の有効走査域から外れた位置に光量検出器19
を設け、該光量検出器19の検出光量に基づいて制御回路
20により前記駆動回路11を制御し、所定の光出力が得ら
れるようにしている。
ここで上述のように走査光量の分解能14bitを得る他
の例を挙げる。レーザビーム12の2段階の発生強度の比
をI1/I2=64とする場合には、発光強度I2のレーザビー
ム12のパルス数変調により64レベル(=6bit)、発光強
度I1のレーザビーム12のパルス数変調により256レベル
(=8bit)を設定すればよいから、前記1画素当たりの
最大変調パルス数(クロックパルスの数)は63+255=3
18となる。また発光強度の比をI1/I2=256とする場合に
は、発光強度I2のビームのパルス数変調により256レベ
ル(=8bit)、発光強度I1のビームのパルス数変調によ
り64レベル(=6bit)を設定すればよいから、1画素当
たりの最大変調パルス数は同じく255+63=318となる。
この例では、発光強度I1、I2の比はI1/I2=64であ
り、発光強度I2のパルスによるパルス数変調の分解能n2
=64であるから、前述のnk=Ik-1/Ikの関係が満足され
ている。
また上記実施態様においては半導体レーザ10の発光強
度をI1、I2の2段階に設定しているが、3段階以上に設
定することもできる。例えば発光強度をI1、I2、I3の3
段階に設定し、I1/I2=32、I2/I3=16(したがってI1/I
3=512)として走査光量の分解能14bitを得る場合に
は、発光強度I3のレーザビーム12のパルス数変調により
16レベル(=4bit)、発光強度I2のレーザビーム12のパ
ルス数変調により32レベル(=5bit)、発光強度I1のレ
ーザビーム12のパルス数変調により32レベル(=5bit)
を設定すればよい。このときの1画素当たりの最大変調
パルス数は15+31+31=77となる。
同様にI1/I2=16、I2/I3=8(したがってI1/I3=12
8)とする場合には、発光強度I3、I2、I1のレーザビー
ム12それぞれのパルス数変調により8レベル(=3bi
t)、16レベル(=4bit)、128レベル(=7bit)を設定
すればよいから、このときの1画素当たりの最大変調パ
ルス数は7+15+127=149となる。
以上の説明からも明らかなように、発光強度をI1、I2
の2段階に設定する場合には、 のとき1画素当たりの最大変調パルス数(クロックパル
スの数)は最小になる。また一般に発光強度をN段階に
設定する場合、1画素当たりの最大変調パルス数は のとき最小になる。記録速度を高めるには当然1画素当
たりのパルス数を小さく設定すればよいが、前述したよ
うに半導体レーザの発光強度比はあまり大きくとれない
ので、画素周波数や使用する半導体レーザの特性等を考
慮して上記発光強度比を決定すればよい。
次に第3図に示す本発明の第2実施態様について説明
する。本実施態様においては2個の半導体レーザ10A、1
0Bが設けられ、それぞれから射出されたレーザビーム12
A、12Bがハーフミラー21によって1本のレーザビーム12
に合成され、この合成されたレーザビーム12により記録
材料16が走査されるようになっている。各半導体レーザ
10A、10Bは、それぞれ専用の駆動回路11A、11Bから駆動
電流D1、D2が供給されて、レーザビーム12A、12Bをパル
ス状に射出する。この場合には各半導体レーザ10A、10B
をON−OFF制御することによりレーザビーム12の強度が
変えられる。
この場合、所望の走査光量分解能を得るためのレーザ
ビーム12Aと12Bの強度比、およびパルス数変調の条件
は、前述の1個の半導体レーザ10の光出力を2段階に変
える場合と全く同じである。しかし2本のレーザビーム
12A、12Bは合成されて同時に記録材料16を走査するか
ら、1画素当たりの最大変調パルス数は、両ビーム12
A、12Bの最大変調パルス数を足し合わせたものではな
く、パルス数変調の幅が大きい方のビーム12Aあるいは1
2Bの最大変調パルス数となる。すなわち例えばレーザビ
ーム12Aと12Bの強度比を64/1とし、各レーザビーム12A
と12Bをそれぞれ256レベル(=8bit)、64レベル(=6b
it)にパルス数変調して走査光量の分解能14bitを得る
場合には、1画素当たりの最大変調パルス数は255とな
る。
なおハーフミラー21における光透過率と光反射率は異
なることがあるから、上記レーザビーム12Aと12Bの強度
比は、半導体レーザ10A、10Bの発光強度の比ではなく、
実際に記録材料16に入射するビームについて規定されな
ければならないことは勿論である。そして本実施態様に
おいては、制御回路20により駆動回路11A、11Bが各々制
御され、各レーザビーム12Aと12Bの強度が所定値に維持
されるようになっている。
また上記第2実施態様におけるように、複数の半導体
レーザからのレーザビームを合成して走査させる場合に
おいても、前記第1実施態様におけるように、各半導体
レーザの光出力レベルを複数に設定可能である。そうす
れば1画素当たりの最大変調パルス数はなお一層小さく
て済むようになる。例えば第3図の装置においてレーザ
ビーム12Aの強度をI1/I1′=4として2段階に設定し、
また同様にレーザビーム12Bの強度をI2/I2′=4として
2段階に設定し、I1/I2=128とした場合、走査光量の分
解能14bitを得るには、レーザビーム12A側で強度I1′の
ビームのパルス数変調で4レベル(=2bit)、強度I1
ビームのパルス数変調で32レベル(=5bit)を設定し、
他方レーザビーム12B側で強度I2′のビームのパルス数
変調で4レベル(=2bit)、強度I2のビームのパルス数
変調で32レベル(=5bit)を設定すればよいから、結局
1画素当たりの最大変調パルス数は31+3=34となる。
なお前記第3図の装置において、2本のレーザビーム
12A、12Bは、ハーフミラー21に限らず、偏光ビームスプ
リッタ等のその他のビーム合成手段を用いて1本に合成
されてもよい。上記偏光ビームスプリッタを使用する場
合には、その偏光面を回転させることにより、レーザビ
ーム12A、12Bの合成後の強度比を所望値に設定すること
ができ、好都合である。またレーザビームを偏向させる
光偏向器14としては、前述したガルバノメータミラーの
他、回転多面鏡(ポリゴンミラー)やホログラムスキャ
ナ、さらにはAOD(音響光学偏向器)等が使用可能であ
る。
以上、パルス数変調と強度変調とを組み合わせて記録
ビームを変調する例について説明したが、各画素の記録
を1つのパルス光によって行ない、そしてこのパルス光
の幅を画像信号に応じて変調すれば連続調画像記録が可
能となる。このパルス幅変調は、光ビームの光量制御の
点ではパルス数変調と同等に扱えるから(例えばパルス
幅をn倍にするということはパルス数変調においてパル
ス数をn倍にすることと同等である)、以上説明したパ
ルス数変調の代わりにパルス幅変調を行なっても同様の
効果が得られる。
(発明の効果) 以上詳細に説明した通り本発明の光走査記録装置によ
れば、パルス数あるいはパルス幅の変調幅が小さくても
強度変調で補って十分に大きな走査光量分解能が得られ
るから、1画素当たりの変調パルス数あるいはパルス幅
を小さくし、高速で高品位の連続調画像を記録すること
が可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の光走査記録装置の第1実施態様を示す
概略図、 第2図は上記実施態様装置における光ビームの変調を説
明する説明図、 第3図は本発明の光走査記録装置の第2実施態様を示す
概略図、 第4図は本発明に係わる半導体レーザの駆動電流と光出
力の関係を示すグラフである。 10、10A、10B……半導体レーザ 11、11A、11B……駆動回路 12、12A、12B……レーザビーム 14……光偏向器、15……走査レンズ 16……記録材料、17……記録材料移送手段

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体レーザの駆動電流を画像信号に基づ
    いて制御して、該半導体レーザから射出される光ビーム
    を変調するレーザ駆動回路と、この変調された光ビーム
    により記録材料を走査する走査手段とを備えて、前記記
    録材料に記録を行なう光走査記録装置において、 前記レーザ駆動回路が、1画素書込み期間内に、前記光
    ビームを前記画像信号に応じて複数のレベルI1、I2、I3
    ……IN(I1>I2>I3……>IN)に強度変調し、 これら複数の強度レベルとなる光ビームの各々をさらに
    前記画像信号に応じて独立にパルス数変調あるいはパル
    ス幅変調し、 このとき、強度レベルがIk(k=2、3……N)の光ビ
    ームに対するパルス数変調あるいはパルス幅変調の変調
    分解能nkをnk=Ik-1/Ikとするように前記駆動電流を制
    御する構成とされ、 それにより、光ビームの光量制御の最小単位を、光量制
    御の全範囲に亘って、最低強度レベルINの光ビームの最
    低パルス数あるいはパルス幅で規定するように前記強度
    変調と、パルス数変調あるいはパルス幅変調とを組み合
    わせて行なうことを特徴とする光走査記録装置。
  2. 【請求項2】前記半導体レーザを複数有し、各半導体レ
    ーザからの光ビームを合成した合成ビームにより前記走
    査を行ない、合成するビーム数を変えることにより前記
    強度変調を行なうことを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の光走査記録装置。
JP61038606A 1986-02-24 1986-02-24 光走査記録装置 Expired - Lifetime JP2524108B2 (ja)

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