JP2522585B2 - 光磁気メモリ素子及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、浮上型磁気ヘッドを備えた光磁気記録再生
装置用の光磁気メモリ素子及びその製造方法に関するも
のである。

〔従来の技術〕

近年、いわゆるコンパクトディスク等の再生専用の光
メモリ素子に代えて、情報の記録・再生及び消去が可能
な大容量メモリである光磁気メモリ素子の研究開発が活
発に行われ、実用化段階に至っている。最近では、より
高速、高密度での記録を実現するための方式が研究され
ており、なかでもオーバライトと呼ばれる記録方式が注
目されている。このオーバライト方式は、情報の消去動
作を必要とせず、直接記録済の情報の書換えが行えるた
め、記録に要する時間を短縮できる利点がある。

以下、従来の記録方式と併せてオーバライト方式につ
いて説明する。

説明を簡単にするため、記録媒体である垂直磁化膜の
磁化の向きは所定の方向、例えば、膜面と直交する方向
における上向きに揃っているものとする。記録を行う場
合は、記録すべき部位にレーザビームを高出力状態で照
射し、記録部位を記録媒体のキュリー温度又は磁気的補
償温度近傍或いはそれ以上の温度に上昇させる。これに
より、記録部位の保磁力の値はほぼ“0"となるので、外
部から上記膜面と直交する方向における下向きの磁界を
印加することで記録部位の磁化は下向きに反転し、記録
が行われる。

情報の再生時には、昇温による磁化反転が生じない範
囲の低出力のレーザビームを照射し、磁化の向きにより
偏光面の回転方向が相違する現象に基づいて光学的に情
報を検出する。

ところで、既に情報が書き込まれている領域に対し、
新たな情報の書込きを行う場合の書換え方式には、
（ｉ）消去動作により記録媒体の磁化の向きを一定方向
に揃え直すことにより初期化を行った後、新たな情報を
記録する方式と、（ii）記録媒体又は外部磁界発生装置
に工夫を加え、消去動作を介さずに直接情報の書換えを
行うオーバライト方式の２方式がある。

その内、（ｉ）の方式では、消去専用ヘッドを別個に
設けるか、又は磁気ヘッドが１個のみであれば、一旦消
去を行った後に記録を行うことになる。ところが、消去
専用ヘッドを設ける場合はコスト高及び装置の大型化を
招き、一方、従来多用されている如く、磁気ヘッドを１
個のみとすると、書換えに長時間を要することになる。

一方、（ii）の方式の内、外部磁界印加装置に工夫を
加える方式、つまり、レーザビームを高出力状態に保持
し、外部磁界の向きを記録すべき情報に応じて上向きと
下向きに変調する方式は、記録媒体を従来のものから大
きく変更する必要がなく、最も有望であると思われる。

ところで、高密度記録を行うために外部磁化の向きを
非常に高い周波数、例えば、10MHz程度でスイッチング
する場合、外部磁界発生装置におけるコイル及びコイル
芯を充分に小さくする必要がある。従って、発生磁界強
度及び磁界発生領域も小さくなるので、磁気ヘッドと記
録媒体とを充分に、具体的には、数μｍ〜数10μｍ程度
の距離まで接近させねばならない。その際、記録媒体表
面に面振れ、つまり、円周方向の凹凸が存在することを
考慮すると、磁気ヘッドを固定型としたのでは、上記の
ような微小間隔は得られにくい。

従って、板ばね等のサスペンションにより光磁気メモ
リ素子の表面側に付勢されるとともに、光磁気メモリ素
子の回転に伴って生じる空気流により光磁気メモリ素子
の表面から浮上する浮上型磁気ヘッドを採用することが
考えられる。なお、このような浮上型磁気ヘッドは既存
のハードディスクにて採用されており、ハードディスク
における浮上量は、通常、サブミクロンオーダである。

ところで、上記の浮上型磁気ヘッドを用いた光磁気記
録において、浮上型磁気ヘッドは光磁気メモリ素子の定
速回転中には光磁気メモリ素子との間に生じる空気流に
より一定の浮上量を保つが、光磁気メモリ素子の回転開
始及び終了時並びに光磁気メモリ素子の停止中には浮上
型磁気ヘッドを何らかの方法で支持する必要がある。こ
の支持方法としては、（ｉ）浮上型磁気ヘッドの支持機
構に工夫を加え、光磁気メモリ素子の停止中等に浮上型
磁気ヘッドが光磁気メモリ素子に接触しないように支持
する方法、（ii）光磁気メモリ素子の回転の開始、終了
時及び停止中に浮上型磁気ヘッドを光磁気メモリ素子上
で摺動又は接触させる方法がある。

その内、（ｉ）の方法は、支持機構がかなり複雑とな
る問題がある。一方、（ii）の方法はハードディスクの
分野では一般的であり、CSS（コンタクト・スタート・
アンド・ストップ）方式と呼ばれている。このCSS方式
では、まず、光磁気メモリ素子の表面の耐摺動性が極め
て重要になる。既存のハードディスクにおいては、この
耐摺動性に優れた潤滑層を記録媒体上に形成している。
潤滑層は、例えば、液体潤滑剤であるフッ素系潤滑油
（主にパーフルオロポリエーテル）、固体潤滑剤である
PTFE（ポリテトラフルオロエチレン）等を塗布すること
で形成される。

又、CSS方式においては、回転の開始及び終了時、つ
まり、浮上型磁気ヘッドの摺動時のヘッドクラッシュに
よる情報破壊を防止する必要がある。このため、ハード
ディスクにおいては、通常、記録領域より内周側に設定
されたCSS専用の領域で浮上型磁気ヘッドの摺動・接触
が行われている。なお、光磁気記録再生装置においても
浮上型磁気ヘッドは記録領域以外の領域で摺動させるの
が好ましいと思われる。

ところで、従来提案されている光磁気メモリ素子は、
例えば、第５図（ａ）（ｂ）に示すように、透光性基板
１、記録媒体層２、保護樹脂層３及びセンタハブ４を含
む構成である。

透光性基板１としては、射出整形による量産が可能な
ポリカーボネイトが多く用いられ、この透光性基板１に
は情報の記録再生に使用する光ビームを所定位置に案内
するためのトラック及び番地情報が記録されたガイドト
ラック及びガラス番地溝1aが形成されている。なお、ガ
イドトラック及びガイド番地溝1aは射出整形時に、成形
金型（図示せず）内に設けられたスタンパにより透光性
基板１の成形と同時に形成される。この際に、金型内に
スタンパを固定する部材、いわゆる、スンタパ押えによ
ってスンタパ押え溝1bも副次的に形成される。

記録媒体層２はガイドトラック及びガイド番地溝1aを
覆う状態で形成され、例えば、透光性基板１側から順
次、第１の透明誘電体膜、光磁気記録媒体である希土類
遷移金属合金薄膜、第２の透明誘電体及び反射膜が積層
された多層構造をなしている（図では単に１層として示
す）。

保護樹脂層３は記録媒体層２に損傷及び塵埃等が付く
のを防止するとともに、酸化を防止する役割を果たすも
のである。保護樹脂層３の材料としては、耐水性、耐環
境性に優れており、かつ、作業性、プロセス時間等の点
でも有利な紫外線硬化型樹脂が多用されている。保護樹
脂層３は主にスピンコート法により形成される。その
際、上記紫外線硬化型樹脂は、例えば、スンタパ押え溝
1bの外側エッジ部に滴下させて記録媒体層２を覆う状態
でスピンコート法により塗布した後、紫外線を照射して
硬化させる。

センタハブ４は透光性基板１の中央に設けられた穴1c
の中心と、ガイドトラック及びガイド番地溝1aとの間に
通常若干の偏心があるので、これを吸収しつつ、光磁気
メモリ素子を記録再生装置の回転スピンドルに装着する
ための治具である。センタハブ４には記録再生装置の回
転スピンドル５（第６図（ｂ）参照）に装着するための
ガイド穴4aが設けられる。センタハブ４の材料として
は、回転スピンドル５に対し、マグネット装着が多用さ
れるため、SUS430等のステンレス鋼が用いられる。

又、センタハブ４の形状としては、第５図（ｂ）のよ
うに、上端部に外向きフランジ4bが形成されたものが多
用され、外向きフランジ4bが透光性基板１における記録
媒体層２の形成された表面に適宜の接着剤、例えば、エ
ポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤、紫外線硬化型樹
脂又は両面テープ等により取り付けられている。

上記の光磁気メモリ素子に対し、CSS方式で記録再生
を行う記録再生装置を第６図（ａ）（ｂ）に示す。

回転スピンドル５上に第５図（ａ）（ｂ）の光磁気メ
モリ素子がマグネット装着され、この光磁気メモリ素子
の図中上側に浮上型磁気ヘッド６が配置されている。浮
上型磁気ヘッド６は板ばねからなるサスペンション７の
突出端部により支持され、サスペンション７の基端部は
支持ベース８に接続されている。浮上型磁気ヘッド６
は、光磁気メモリ素子上で摺動するスライダ6aと、コイ
ル及びコイル芯（具体的に図示せず）からなる磁界発生
部材6bとを備えている。

一方、光磁気メモリ素子の図中下側に光学系ユニット
を含む光ヘッド９が配置されている。この光ヘッド９と
浮上型磁気ヘッド６は連動して光磁気メモリ素子の半径
方向に移動する必要があるため、支持ベース８が光ヘッ
ド９に接続されている。光ヘッド９の対物レンズ9aは浮
上型磁気ヘッド６の磁界発生部材6bに対応する位置に配
置されている。

上記の構成において、浮上型磁気ヘッド６がCSS方式
による摺動を行い得る範囲がどの程度であるか、仮に求
めてみると以下のようになる。

まず、透光性基板１が民生用としての需要が最も期待
される直径3.5インチ（8.6mm）のものであるとすると、
ガイドトラック及びガイド番地溝1aが設けられる記録領
域は半径22〜40mm程度の範囲となる。この記録領域での
光磁気記録特性を確保するには、記録媒体層２を半径
r₁′（第５図（ａ））＝20.5mm〜半径r₂′＝41.5mm程度
の範囲に形成することが望ましい。

又、浮上型磁気ヘッド６におけるスライダ6aのサイズ
は浮上特性等から決定されるが、上記の光磁気メモリ素
子に対しては半径方向に4mm、円周方向に5mm程度の摺動
面が必要となる。

上記の各サイズに基づいて考慮すると、光磁気メモリ
素子の記録領域より外周側で浮上型磁気ヘッド６の摺動
を行わせることは困難であり、摺動領域（CSS領域）は
必然的に記録領域より内周側となる。ここで、記録領域
の情報の破壊を避けるためには、記録領域が半径r₁′＝
20.5mmより外側に設けられるのであれば、CSS領域は半
径20mmより内側に設けるのが好ましい。

次に、CSS領域が内周側にどの程度の半径位置まで取
り得るかを考慮すると、内周側での制限は回転スピンド
ル５の外周面と光ヘッド９の内周端との接触が生じない
ようにという点から決定される。

回転スピンドル５の外径は、モータトルク及び、光磁
気メモリ素子を装着する際の基準面となるクランピング
ゾーンの面積等により決定され、ここでは、ほぼ21mm
（半径10.5mm）となる。一方、光ヘッド９は対物レンズ
9aを中心として光ビームのサーボを安定して行うための
アクチュエータ（図示せず）が設けられ、又、塵埃等か
ら光学部品を保護するための筐体で覆われるため、ビー
ム中心から光ヘッド９の内周端までの距離は最小でも8.
5mm程度必要である。これらの寸法から回転スピンドル
５と光ヘッド９が接触しない光ビーム中心位置（つま
り、磁界発生部材6bの位置）は半径19mmより外側とな
る。

従って、CSS動作時における磁界発生部材6bの半径位
置は半径20〜19mmの範囲となり、浮上型磁気ヘッド６が
CSS動作を行う領域は極めて限られた範囲に限定され
る。

更に、透光性基板１上のスンタパ押え溝1bは、前述の
如く、スンタパを金型に固定するためのスンタパ押え部
材が透光性基板１に転写されることにより、単に副次的
に形成されるものであるから、スンタパ押え溝1bの形成
位置はあまり内周側にずらすことはできず、最も内周側
にずらしたとしてもその外周端は半径15mm前後の位置と
なる（なお、スンタパ押え溝1bは溝幅は約1mm）。

又、センタハブ４は透光性基板１に対する接着強度、
平面度の点からある程度の接着面積を確保する必要があ
るの、その直径が、例えば28mm程度とされる。以上のよ
うに、スンタパ押え溝1bの位置及びセンタハブ４の接着
面積等の点からもCSS領域が制限を受ける。

〔発明が解決しようとする課題〕

以上の点からCSS動作を行い得る領域は、半径15〜20m
mの極めて狭い範囲となる。この結果、磁界発生部材6b
を含めた浮上型磁気ヘッド６の形状に制約が加えられる
ことになり、浮上特性に関する自由度が小さくなる。

更に、記録媒体層２を保護する保護樹脂層３は、スン
タパ押え溝1bの外周エッジを基準として同心円状に形成
されるものである。ところで、浮上型磁気ヘッド６は保
護樹脂層３の表面との間で生じる空気流により浮上力を
得るため、CSS動作時に浮上型磁気ヘッド６のスライダ6
a全面に対向して保護樹脂層３が存在する必要がある。
その場合、スライダ6aの一部が保護樹脂層３より内周側
にずれ込むと、空気流の乱れにより浮上特性に悪影響が
生じる。

なお、スライダ6aが保護樹脂層３より内周側にずれ込
まないとしても、保護樹脂層３のエッジとスライダ6aの
エッジが極めて近接している第６図（ａ）（ｂ）の構成
においても、空気流の乱れの心配があり、理想的な状態
であるとは言えない。

又、保護樹脂層３は極めて酸化されやすい希土類遷移
金属合金薄膜を保護するための耐水、耐湿性等の耐環境
性に主眼が置かれているために、CSS動作に対する耐摺
動性、耐磨耗性の点で充分な特性が得られず、スライダ
6aが保護樹脂層３に粘着したり、磨耗粉が生じる等の問
題がある。耐摺動性、耐磨耗性と耐環境性を兼ね備えた
保護樹脂は未だ開発途上である。一方、耐摺動性、耐磨
耗性に優れたフッ素系高分子材料では、充分な耐環境性
が得られないことが確認されている。

そこで、保護樹脂層３上に更にフッ素系高分子樹脂を
形成することは容易に考えられるが、これが工数の増
加、コスト高に結び付くとともに、２種類の樹脂間の親
和性も不充分であることが懸念され、有効な方法と言え
ない。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る光磁気メモリ素子は、上記の課題を解決
するために、基板と、基板上に形成された光磁気記録媒
体と、光磁気記録媒体を覆う保護樹脂層と、光磁気記録
媒体より内周側で基板に取り付けられたセンタハブとを
有し、浮上型磁気ヘッドを用いて情報の記録を行う光磁
気メモリ素子において、上記基板における光磁気記録媒
体の形成位置より内周側に凹状段差部が設けられ、この
凹状段差部にセンタハブは上記保護樹脂層とほぼ同一面
をなすように取り付けられるとともに、センタハブ上に
浮上型磁気ヘッドの摺動・接触領域が設けられているこ
とを特徴とするものである。

又、本発明に係る光磁気メモリ素子の製造方法は、上
記の光磁気メモリ素子を製造するに際して、センタハブ
を基板の凹状段差部に取り付けた後に、センタハブの外
周端に密着させて保護樹脂層をセンタハブとほぼ同一面
をなすように形成するようにしたことを特徴としてい
る。

〔作用〕

本発明の光磁気メモリ素子によれば、浮上型磁気ヘッ
ドの摺動・接触がセンタハブ上で行われるので、保護樹
脂層上で摺動・接触が行われる場合に比して磨耗粉の発
生及びスクラッチ等の傷の発生が少なくなり、安定した
CSS動作を行うことができるようになる。更に、従来の
センタハブの外径を必要に応じて若干大きくするのみで
本発明の構成を実現できるので、コスト及び工数の点で
不利益は生じない。

又、センタハブ上には充分広いスペースが存在するの
で、浮上型磁気ヘッドの形状の自由度が増し、それに伴
って浮上特性の設定の自由度も増すとともに、摺動中に
浮上型磁気ヘッドがセンタハブ上からはみ出る恐れはな
いで、浮上特性の安定化をも図ることができる。

更に、基板上に凹状段差部を設けて、この凹状段差部
にセンタハブを取り付けるようにしたので、センタハブ
と保護樹脂層とがほぼ同一面をなすようにすることがで
き、これにより、浮上型磁気ヘッドがセンタハブと保護
樹脂層との境界部を通過する際にも、ヘッドクラッシュ
が生じる恐れはなくなる。

一方、本発明に係る光磁気メモリ素子の製造方法によ
れば、基板上にセンタハブを取り付けた後、保護樹脂層
を形成するようにしたので、センタハブの外周端に密着
させて保護樹脂層が形成された光磁気メモリ素子を再現
性良く製造することができる。この光磁気メモリ素子で
は、センタハブの外周端と保護樹脂層との間に間隙が生
じないので、浮上型磁気ヘッドがセンタハブと保護樹脂
層との境界部を通過する際にも浮上特性に変化は生じ
ず、ヘッドクラッシュは更に生じにくくなる。

〔実施例〕

本発明の一実施例を第１図乃至第４図に基づいて説明
すれば、以下の通りである。

本実施例に係る光磁気メモリ素子は、第２図（ａ）
（ｂ）及び第３図（ａ）に示すように、透光性基板11
と、透光性基板11上に形成された光磁気記録媒体として
の記録媒体層12（図の簡略化のため第２図（ｂ）には不
図示）と、透光性基板11を覆う保護樹脂層13と、透光性
基板11の中央に取り付けられたセンタハブ14とを備えて
いる。

透光性基板11はポリカーボネイト等の透光性を有する
樹脂を射出成形することで得られたもので、光ヘッド20
（第１図（ｂ）参照）から出射されるレーザビームを所
望の記録・再生部位に案内するためのトラック及び番地
情報が記録されているガイドトラック及びガイド番地溝
11a（第２図（ｂ）には図示せず）が射出成形時に同時
に形成されている。

更に、透光性基板11上の記録媒体層12より内周側のセ
ンタハブ14を接着する範囲には、センタハブ14の外向き
フランジ14bの外径より若干大きい内径を有する凹状段
差部11bが設けられている。この凹状段差部11bは、透光
性基板11を射出成形により製造する際に、スタンパ及び
スタンパ押え部材（図示せず）の形状を工夫することに
より形成される。

記録媒体層12は透光性基板11上のガイドトラック及び
ガイド番地溝11aを覆う状態で形成されている。記録媒
体層12は、透光性基板11側から、例えば、順次第１の透
明誘電体膜、光磁気記録媒体である希土類遷移金属合金
薄膜、第２の透明誘電体膜及び順次金属反射膜が積層さ
れた多層構造となっている（第３図（ａ）には、簡単の
ため単に１層として示す）。

保護樹脂層13は記録媒体層12を覆う状態で、記録媒体
層12よりやや広い半径範囲に渡って形成され、記録媒体
層12の酸化及び損傷を防止するようになっている。保護
樹脂層13の材料としては、例えば、紫外線硬化型樹脂が
使用される。

センタハブ14は、透光性基板11の中央の穴11cの中心
とガイドトラック及びガイド番地溝11aとの間の偏心を
吸収しつつ光磁気メモリ素子を第１図（ａ）（ｂ）に示
す記録再生装置の回転スピンドル21に装着するためのも
のである。センタハブ14上で浮上型磁気ヘッド16の摺動
・接触を行わせるために、センタハブ14の外径は従来の
ものより大きくされている。

センタハブ14の材料としては、中心のガイド穴14aを
利用し、上記回転スピンドル21にマグネット装着させる
必要上、及び加工性の点からステンレス鋼（SUS430等）
が使用される。

センタハブ14は、上端部に設けた外向きフランジ14b
の部位で透光性基板11の凹状段差部11b内に接着剤層15
により接着されている。接着剤層15としては、接着強
度、作業性等を考慮して速乾性エポキシ系接着剤或いは
紫外線硬化型樹脂等が使用される。

上記光磁気メモリ素子の各部の寸法は、例えば、透光
性基板11として外径が86mm、中央の穴11cの内径が15m
m、厚みが1.2mmのポリカーボネイト製基板を使用する場
合、ガイドトラック及びガイド番地溝11aを設ける領域
は半径22〜40mmの範囲とする。又、記録媒体層12を形成
する領域は、半径r₁（第２図（ａ））＝20.5mm〜半径r₂
＝41.5mmの範囲とする。

浮上型磁気ヘッド16が摺動・接触（CSS）を行う領域
を半径20mmの位置より内周側とすると、センタハブ14の
外径は40mmとするのが好ましい。又、センタハブ14の板
厚はマグネットによる吸着性及び機械特性（剛性、平面
特性等）等を考慮して0.3mm程度とされる。

上記の光磁気メモリ素子においては、センタハブ14と
保護樹脂層13の表面高さを同一とするか又は浮上型磁気
ヘッド16の浮上特性に悪影響を及ぼさない程度の僅かな
高さずれに留めることが重要である。

すなわち、浮上型磁気ヘッド６は、光磁気メモリ素子
の回転の開始に伴ってセンタハブ14上の摺動・接触領域
（CSS領域）で摺動して浮上した後、光ヘッド20から出
射されるレーザビームと連動して光磁気メモリ素子上を
半径方向にアクセス動作するものであるが、センタハブ
14と保護樹脂層13の境界部で大きな高さずれがあると、
ヘッドクラッシュが生じる恐れがある。

従って、上記のように、センタハブ14の板厚が0.3mm
であり、かつ、接着剤層15の厚みが0.05mm前後、保護樹
脂層13の厚みが0.01mm（10μｍ）前後であれば、凹状段
差部11bの深さを0.34mm前後として置くことにより、セ
ンタハブ14の外向きフランジ14bと保護樹脂層13の表面
高さをほぼ一致させることができる。

凹状段差部11bの内径は、センタハブ14がガイドトラ
ック及びガイド番地溝11aの偏心を吸収する役割を有し
ていることを考慮し、前述の如く、センタハブ14の外径
より若干大きくする必要がある。具体的には凹状段差部
11bの内径はセンタハブ14の外径より0.3mm程度大きくし
て、40.3mm程度とすれば良い。

第１図（ａ）（ｂ）に示すように、本実施例の光磁気
メモリ素子を使用する記録再生装置は、光磁気メモリ素
子の回転の開始及び終了時並びに停止時にセンタハブ14
の外向きフランジ14b上で摺動・接触するスライダ16a
と、スライダ16aに取り付けられた磁界発生部材16bから
なる浮上型磁気ヘッド16を備え、浮上型磁気ヘッド16
は、その基端部が支持ベース18に固定されたサスペンシ
ョン17により光磁気メモリ素子側に付勢されている。

光磁気メモリ素子の下方には、磁界発生部材16bに対
応する位置に対物レンズ20aを有する光ヘッド20が配置
されている。支持ベース18は光ヘッド20に接続され、光
ヘッド20と浮上型磁気ヘッド16が一体的に光磁気メモリ
素子の半径方向に移動するようになっている。

又、光磁気メモリ素子は、センタハブ14のガイド穴14
aの部位で回転スピンドル21により、例えば、マグネッ
ト装着され、図示しないスピンドルモータにより回転さ
れるようになっている。

上記の構成において、浮上型磁気ヘッド16のスライダ
16aは光磁気メモリ素子の回転の停止時にはセンタハブ1
4の外向きフランジ14b上に接触している。

記録時には光磁気メモリ素子の回転に伴って外向きフ
ランジ14bとスライダ16aとの間で生じる空気流により浮
上型磁気ヘッド16が浮上する。その後、浮上型磁気ヘッ
ド16及び光ヘッド20を外向きフランジ14b上から記録媒
体層12上に移動させ、レーザビームの照射及び磁界の印
加により、オーバライト方式で所望の情報を記録する。

記録が終了すると、再度浮上型磁気ヘッド16を外向き
フランジ14b上に移動させた後、光磁気メモリ素子の回
転速度を次第に低下させると、浮上型磁気ヘッド16が外
向きフランジ16a上で摺動した後、光磁気メモリ素子の
回転の停止に伴って外向きフランジ14b上で静止する。

上記の構成では、浮上型磁気ヘッド16の摺動・接触動
作がSUS430等のステンレス鋼からなるセンタハブ14上で
行われるため、磨耗・摺動性の点で何ら問題は生じず、
安定したCSS動作を行うことができる。

又、センタハブ14の取付けに用いられる凹状段差部11
bは、透光性基板11の射出成形時に、スタンパ押え部材
の形状に工夫を加えるのみで形成することができるの
で、製造コスト、工数の点で従来より不利になることは
ない。

更に、センタハブ14の材質を従来のものから変更する
必要はなく、外径のみを大きくすれば良いので、CSS動
作のために、別の部材又は潤滑層等を設ける場合に比し
て、コスト、工数の点で有利である。

又、第１図（ａ）（ｂ）及び従来例を示す第６図
（ａ）（ｂ）を比較すれば明らかなように、本実施例で
は、従来より外径が大きくされた外向きフランジ14b上
で浮上型磁気ヘッド16の摺動を行うようにしているの
で、摺動・接触領域を従来より大幅に広く取ることがで
きる。その結果、浮上型磁気ヘッド16のスライダ16aの
形状の自由度が増すので、浮上特性（浮上量等）の設定
の自由度が増し、かつ、摺動時に浮上型磁気ヘッド16
が、摺動領域である外向きフランジ14bからはみ出す恐
れもないので、浮上特性の安定化も図ることができる。

ところで、本実施例の光磁気メモリ素子では、センタ
ハブ14の外径より凹状段差部11bの内径を若干大きくし
ている。例えば、上記の如く、センタハブ14の外径より
凹状段差部11bの内径を0.3mm程度大きくすると、外向き
フランジ14bの外周面と凹状段差部11bの内側面との間に
0.15mm程度の間隙が生じる。光磁気メモリ素子の完成時
にこの間隙がそのまま残っていると、光磁気メモリ素子
表面の空気流に乱れが生じ、浮上型磁気ヘッド16の浮上
特性に悪影響を及ぼす恐れがある。従って、光磁気メモ
リ素子の完成時には、上記の間隙は存在しないことが好
ましい。

ところが、本実施例の光磁気メモリ素子の製造に際し
て、従来と同様に透光性基板11に記録媒体層12及び保護
樹脂層13を形成した後、センタハブ14を取り付けるよう
にすると、第３図（ｂ）に示すよう、外向きフランジ14
bの外周面と凹状段差部11bの内側面との間の間隙24が残
る不具合がある。

すなわち、センタハブ14の取付け前に、透光性基板11
にスピンコート法で保護樹脂層13を形成する場合、保護
樹脂層13の材料である液状の紫外線硬化型樹脂は凹状段
差部11bの内側面上端の角部Ａを基準に滴下され、スピ
ンナの回転により透光性基板11及び記録媒体層12上に同
心円状に拡がるが、凹状段差部11b内には若干の回り込
みが生じる程度である。従って、上記紫外線硬化型樹脂
を硬化させて保護樹脂層13を形成した後、センタハブ14
を取り付けると、凹状段差部11bの内側面とセンタハブ1
4との間に間隙24が生じることになる。

逆に言えば、上記の紫外線硬化型樹脂が凹状段差部11
b内に流入して凹状段差部11b内まで保護樹脂層13が形成
されると、センタハブ14の取付けの障害となるので、セ
ンタハブ14の取付け前に保護樹脂層13を形成するのであ
れば、間隙24は不可欠である。以上のように、本実施例
において、従来と同様にセンタハブ14の取付けを保護樹
脂層13の形成後に行うと、間隙24はなくすことができな
い。

そこで、本実施例では、センタハブ14を取り付けた
後、保護樹脂層13を形成することにより、両者間の間隙
をなくすようにしている。

すなわち、本実施例においては、光磁気メモリ素子の
製造に際し、まず、ガイドトラック及びガイド番地溝11
a及び凹状段差部11bが設けられた透光性基板11を射出成
形により得る。

そして、必要に応じて、洗浄、ベイク（脱ガスのた
め）等の成形前処理を行った後、スパッタリングによ
り、多層膜からなる記録媒体層12を形成する。

次に、記録媒体層12の形成された透光性基板11の凹状
段差部11bにセンタハブ14の外向きフランジ14bを、ガイ
ドトラック及びガイド番地溝11aに対してガイド穴14aが
同心となるように接着剤層15により接着する。この上記
で、外向きフランジ14bの表面は透光性基板11に形成さ
れた記録媒体層12の表面より若干高くなっている。

続いて、保護樹脂層13の形成工程に移る。まず、第４
図（ａ）に示すように、記録媒体層12（同図には図示せ
ず）の形成及びセンタハブ14の取付けの行われた透光性
基板11をスピンナーの回転テーブル22上に装着する。装
着は回転テーブル22に設置されたマグネット23により行
われ、必要であれば、真空チャックも同時に行えば良
い。

上記の装着状態で、まず、外向きフランジ14bの外周
面と凹状段差部11bの内側面との間の間隙を埋めるた
め、紫外線硬化型樹脂13′をセンタハブ14の外向きフラ
ンジ14bの外周端よりやや外側の透光性基板11上に滴下
させる。紫外線硬化型樹脂13′の滴下は滴下口を固定し
て置いて、回転テーブル22を緩やかに回転させながら行
っても良く、或いは、滴下口を透光性基板11の円周方向
に移動させながら滴下しても良い。

上記のようにして滴下された紫外線硬化型樹脂13′は
透光性基板11の外周側及び内周側に拡がるが、内周側は
第４図（ａ）に示すように、外向きフランジ14bの外周
面に密着し、更に、第３図（ａ）に示すように、硬化後
の保護樹脂層13が凹状段差部11bの内側面と外向きフラ
ンジ14bの外周面との間の間隙にも形成されるように、
上記間隙にも流れ込む。

次に、回転テーブル22を所定の速度で回転させながら
紫外線硬化型樹脂13′の滴下を続けると、紫外線硬化型
樹脂13′は外向きフランジ14bより外周側の透光性基板1
1の全面を覆う（第４図（ｂ））。

その後、第４図（ｃ）に示すように、上方から紫外線
を照射することにより、紫外線硬化型樹脂13′が硬化
し、保護樹脂層13が形成される。

以上のように、本実施例の製造方法によれば、外向き
フランジ14bの外周面と凹状段差部11bの内側面との間に
間隙の存在しない光磁気メモリ素子が提供できる。

なお、上記の実施例において、センタハブ14はSUS430
等のステンレス鋼からなるものとしたが、これは他の金
属であっても良い。但し、マグネット吸着可能なものが
望ましい。

又、凹状段差部11bの内側面の上端の角部Ａ（第３図
（ａ））は直角形状としたが、この角部Ａは、例えば、
円弧形状等、凹状段差部11bの内側面と外向きフランジ1
4bとの間の間隙に紫外線硬化型樹脂13′が流入しやすい
他の形状としても良い。

更に、上記した光磁気メモリ素子の製造方法において
は、透光性基板11上に記録媒体層12を形成した後、セン
タハブ14の取付けを行うようにしたが、透光性基板11に
センタハブ14を取り付けた後、記録媒体層12及び保護樹
脂層13の形成を行うようにしても良い。

又、透光性基板11は、センタハブ14の取付け用の凹状
段差部11bが設けられている限り、ポリカーボネイト以
外にアクリル、エポキシ等の透光性樹脂から形成されて
いても良い。更に、センタハブ14の接着は、所定の接着
強度、信頼性が満足される限り、両面テープ等で行われ
ていても良い。

〔発明の効果〕

本発明に係る光磁気メモリ素子は、以上のように、基
板の光磁気記録媒体の形成位置より内周側に凹状段差部
が設けられ、この凹状段差部にセンタハブが保護樹脂層
ととほぼ同一面をなすように取り付けられるとともに、
センタハブ上に浮上型磁気ヘッドの摺動・接触領域が設
けられている構成である。

これにより、浮上型磁気ヘッドの摺動・接触がセンタ
ハブ上で行われるので、保護樹脂層上で摺動・接触が行
われる場合に比して磨耗粉の発生及びスクラッチ等の傷
の発生が少なくなり、安定したCSS動作を行うことがで
きるようになる。又、従来のセンタハブの外径を必要に
応じて若干大きくするのみで本発明の構成を実現できる
ので、コスト及び工数の点で不利益は生じない。

又、センタハブ上には充分広いスペースが存在するの
で、浮上型磁気ヘッドの形状の自由度が増し、それに伴
って浮上特性の設定の自由度も増すとともに摺動中に浮
上型磁気ヘッドが、摺動領域であるセンタハブ上からは
み出る恐れはないので、浮上特性の安定化をも図ること
ができる。

更に、基板上に凹状段差部を設けて、この凹状段差部
にセンタハブを取り付けるようにしたので、センタハブ
と保護樹脂層とがほぼ同一面をなすようにすることがで
き、これにより、浮上型磁気ヘッドがセンタハブと保護
樹脂層との境界部を通過する際にも、ヘッドクラッシュ
が生じる恐れはなくなる。

又、本発明に係る光磁気メモリ素子の製造方法は、上
記の光磁気メモリ素子を製造するに際して、センタハブ
を基板の凹状段差部に取り付けた後に、センタハブの外
周端に密着させて保護樹脂層をセンタハブとほぼ同一面
をなすように形成するようにした構成である。

これにより、センタハブの外周端に密着させて保護樹
脂層が形成された光磁気メモリ素子を再現性良く製造す
ることができる。この光磁気メモリ素子では、センタハ
ブの外周端と保護樹脂層との間に間隙が生じないので、
浮上型磁気ヘッドがセンタハブと保護樹脂層との境界部
を通過する際にも浮上特性に変化は生じず、ヘッドクラ
ッシュが更に生じにくくなるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は本発明の一実施例を示すものであ
る。 第１図（ａ）は光磁気メモリ素子及び記録再生装置を示
す概略平面図である。 同図（ｂ）は同概略縦断面図である。 第２図（ａ）は光磁気メモリ素子を示す概略平面図であ
る。 同図（ｂ）は同概略縦断面図である。 第３図（ａ）は第２図（ａ）の部分拡大図である。 同図（ｂ）は本発明の光磁気メモリ素子を従来の製造手
順で製造した場合の同部分拡大図である。 第４図（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ保護樹脂層の形成手順
を示す概略縦断面図である。 第５図及び第６図は従来例を示すものである。 第５図（ａ）は光磁気メモリ素子を示す概略平面図であ
る。 同図（ｂ）は同概略縦断面図である。 第６図（ａ）は光磁気メモリ素子及び記録再生装置を示
す概略平面図である。 同図（ｂ）は同概略縦断面図である。 11は透光性基板、11bは凹状段差部、12は記録媒体層
（光磁気記録媒体）、13は保護樹脂層、14はセンタハ
ブ、16は浮上型磁気ヘッドである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−64148（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−220280（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−101126（ＪＰ，Ｕ) 実開 平２−60969（ＪＰ，Ｕ)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板と、基板上に形成された光磁気記録媒
   体と、光磁気記録媒体を覆う保護樹脂層と、光磁気記録
   媒体より内周側で基板に取り付けられたセンタハブとを
   有し、浮上型磁気ヘッドを用いて情報の記録を行う光磁
   気メモリ素子において、 上記基板における光磁気記録媒体の形成位置より内周側
   に凹状段差部が設けられ、この凹状段差部にセンタハブ
   が上記保護樹脂層とほぼ同一面をなすように取り付けら
   れるとともに、センタハブ上に浮上型磁気ヘッドの摺動
   ・接触領域が設けられていることを特徴とする光磁気メ
   モリ素子。
2. 【請求項２】請求項第１項に記載の光磁気メモリ素子の
   製造方法において、 センタハブを基板の凹状段差部に取り付けた後に、セン
   タハブの外周端に密着させてセンタハブとほぼ同一面を
   なすように保護樹脂層を形成するようにしたことを特徴
   とする光磁気メモリ素子の製造方法。