JP2519604Y2 - トランジスタ等素子並列接続用ブスバー構造 - Google Patents

トランジスタ等素子並列接続用ブスバー構造

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JP2519604Y2
JP2519604Y2 JP9870591U JP9870591U JP2519604Y2 JP 2519604 Y2 JP2519604 Y2 JP 2519604Y2 JP 9870591 U JP9870591 U JP 9870591U JP 9870591 U JP9870591 U JP 9870591U JP 2519604 Y2 JP2519604 Y2 JP 2519604Y2
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bus bar
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信孝 常川
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Meidensha Corp
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Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は、トランジスタ等の素子
を並列接続するブスバーの構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、トランジスタの並列接続は、例え
ば、6ケのトランジスタの場合、エミッタ側の接続は、
図4,図5に示すように、トランジスタTR1〜TR3
及びTR4〜TR6のエミッタを夫々ほぼ直角に折曲し
た形状の素子並列接続用ブスバー1及び2の一方側1
a,2aにほぼ等間隔に接続し、これと直角な他方側1
b及び2bの中央部を端子部T1,T2とし、この端子部
1,T2間をブスバー接続用ブスバー3で接続してい
る。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】上記従来ブスバー構造
では、ブスバー1に図6に示すように、トランジスタT
R1〜TR3の電流I1〜I3が流れるため、ブスバー1
を通ってブスバー3に流れる電流はI2よりI1及びI3
の方が距離が長くなり、その長くなった長さL1,L2
インダクタンス分の抵抗により電流I1及びI3はI2
り流れにくくなる。
【0004】そのため、トランジスタTR2に多く流れ
ることになり、トランジスタTR2を破壊する原因にな
る。同様にトランジスタTR4〜TR6側にも電流のア
ンバランスが生じトランジスタTR5に多くの電流が流
れる。
【0005】この電流のアンバランスによるトランジス
タ破壊を避けるために、従来は、トランジスタ容量を大
きくしたり、トランジスタの並列接続数を多くしてい
る。しかし、この場合構造が大きくなると共にコスト高
となる。
【0006】本考案は、従来のこのような問題点に鑑み
てなされたものであり、その目的とするところは、並列
接続される素子間の電流アンバランスをなくし、電流ア
ンバランスによる素子破壊を素子容量又は素子数を増加
することなく防止しうるトランジスタ等素子並列接続用
ブスバー構造を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本考案におけるトランジスタ等素子並列接続用ブス
バー構造は、一方側にほぼ等間隔に各素子のコレクタ又
はエミッタ等が接続され他方側中央部を端子部とした素
子並列接続用ブスバーにおいて、ブスバーの中間部に各
素子の電流をほぼ等しくしうるスリットを設けてなるも
のである。
【0008】素子並列接続用ブスバーはほぼ直角に折曲
した形状となし、スリットを折曲部と端子部との間に設
けるとよい。
【0009】多くの素子を並列接続する場合は、素子の
接続された素子並列接続用ブスバーの複数をその端子部
においてブスバー接続用ブスバーで接続する。
【0010】
【作用】素子並列接続用ブスバーにスリットがないと、
ブスバーに流れる各素子の電流通路の長さが異なりイン
ダクタンスの抵抗が相違し、電流通路の短い中央部に配
置された素子に大きな電流が流れて破壊することがあ
る。
【0011】ブスバーの中央部にスリットを設けると中
央部に配置された素子の電流通路が長くなりインダクタ
ンスの抵抗が増加するので、スリットの大きさ等を適宜
選択することにより素子流のアンバランスを無くすこと
が可能となる。
【0012】従ってブスバーに各素子電流を等しくする
スリットを設ければ、各素子電流のアンバランスは無く
なり、電流アンバランスによる素子の破壊が防止され
る。
【0013】
【実施例】図1はトランジスタTR1〜TR3のエミッ
タ接続部を示すもので、素子接続用ブスバー1は中央部
でほぼ直角に折曲され、その一方側1aにトランジスタ
TR1〜TR3のエミッタが接続され、他方側1bには
折曲部1cと端子部T1との間にスリットSが設けられ
ると共に、上部の両端はカットされており、その中央部
にブスバー3の一端が接続されている。
【0014】しかして、ブスバー1の他方側1bには、
図2に示すように、トランジスタTR1〜TR3の電流
1〜I3が流れる。このブスバー1に流れる電流通路の
長さのインダクタンス分をインピーダンス分として考え
ると、図3に示すようになる。よって図1のスリットS
は図3の抵抗R1〜R4の値がR1=R4=2R2=2
R3となるように設けられており、各トランジスタTR
1〜TR3に流れる電流I1〜I3をバランスさせる。
【0015】実施例では1つの素子並列接続用ブスバー
に3ケのトランジスタを用いているが、4ケの場合も同
様に電流アンバランスを防止できる。また5ケの場合で
も中央部と端部に配置された電流のアンバランスを或る
程度なくすことができるが、6ケ以上の場合は3ケ用又
は4ケ用の素子並列接続用ブスバーを複数用いてブスバ
ー接続用ブスバーで接続する。
【0016】なお、実施例ではトランジスタについて説
明したがトランジスタに限定されるものでないことはい
うまでもない。
【0017】
【考案の効果】本考案は、上述のとおり構成されている
ので、次に記載する効果を奏する。
【0018】(1)並列接続された素子の電流をバラン
スさせることができる。
【0019】(2)そのため素子の電流容量を小さくす
ることができ、使用する素子のコストが下がる。
【0020】(3)また、素子の並列総数を少なくする
ことができると共に構造を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例にかかるトランジスタ並列接続用ブスバ
ー構造を示す斜視図。
【図2】電流説明図。
【図3】等価回路図。
【図4】トランジスタの並列接続を示す回路図。
【図5】従来トランジスタ並列接続用ブスバー構造を示
す斜視図。
【図6】トランジスタの破壊原因説明図。
【符号の説明】
1,2…トランジスタ並列接続用ブスバー、3…ブスバ
ー接続用ブスバー、TR1〜TR6…トランジスタ、T
1,T2…端子部。

Claims (3)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一方側にほぼ等間隔に各素子のコレクタ
    又はエミッタ等が接続され他方側中央部を端子部とした
    素子並列接続用ブスバーにおいて、 ブスバーの中間部に各素子の電流をほぼ等しくしうるス
    リットを設けたことを特徴としたトランジスタ等素子並
    列接続用ブスバー構造。
  2. 【請求項2】 ブスバーをほぼ直角に折曲した形状とな
    し、スリットを折曲部と端子部との間に設けたことを特
    徴としたトランジスタ等素子の並列接続用ブスバー構
    造。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2のトランジスタ等素子並
    列接続用ブスバー構造の複数をその端子部においてブス
    バー接続用ブスバーで接続したことを特徴としたトラン
    ジスタ等素子並列接続用ブスバー構造。
JP9870591U 1991-11-29 1991-11-29 トランジスタ等素子並列接続用ブスバー構造 Expired - Lifetime JP2519604Y2 (ja)

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JPH0548355U JPH0548355U (ja) 1993-06-25
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JP2015153839A (ja) * 2014-02-13 2015-08-24 本田技研工業株式会社 電力変換装置
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