JP2514952B2 - Ｘ線イメ−ジ管 - Google Patents
Ｘ線イメ−ジ管Info
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- JP2514952B2 JP2514952B2 JP62056740A JP5674087A JP2514952B2 JP 2514952 B2 JP2514952 B2 JP 2514952B2 JP 62056740 A JP62056740 A JP 62056740A JP 5674087 A JP5674087 A JP 5674087A JP 2514952 B2 JP2514952 B2 JP 2514952B2
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- screen
- fluorescent screen
- light
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/38—Photoelectric screens; Charge-storage screens not using charge storage, e.g. photo-emissive screen, extended cathode
- H01J29/385—Photocathodes comprising a layer which modified the wave length of impinging radiation
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
- H05G1/08—Electrical details
- H05G1/64—Circuit arrangements for X-ray apparatus incorporating image intensifiers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明はＸ線イメージ管に係り、特にその蛍光スク
リーンの改良に関する。
リーンの改良に関する。
（従来の技術） 一般にＸ線イメージ管例えばＸ線蛍光増倍管は、医療
用を主に工業用非破壊検査などＸ線工業テレビを併用し
て広範囲に応用されている。
用を主に工業用非破壊検査などＸ線工業テレビを併用し
て広範囲に応用されている。
この種のＸ線蛍光増倍管は、従来、第４図に示すよう
に構成され、入力窓１を有する真空外囲器２の内部に
は、入力窓１に対向して入力面３が配設されている。一
方、真空外囲器２の内部の出力側には、陽極４が配設さ
れると共に出力蛍光スクリーン５が配設され、更に真空
外囲器２の内部の側壁に沿って集束電極６が配設されて
いる。
に構成され、入力窓１を有する真空外囲器２の内部に
は、入力窓１に対向して入力面３が配設されている。一
方、真空外囲器２の内部の出力側には、陽極４が配設さ
れると共に出力蛍光スクリーン５が配設され、更に真空
外囲器２の内部の側壁に沿って集束電極６が配設されて
いる。
そして、上記入力面３は、基板７な入力蛍光スクリー
ン８と光電面９が順次積層形成されてなっている。
ン８と光電面９が順次積層形成されてなっている。
このようなＸ線蛍光増倍管において、動作時には、Ｘ
線管10からのＸ線が被写体11を通り、Ｘ線蛍光増倍管の
入力窓１と基板７を通過して、入力蛍光スクリーン８で
光に変換される。この光は光電面９に達し、電子に変換
される。この電子は集束電極６と陽極４により集束・加
速され、出力蛍光スクリーン５において可視像に変換さ
れる。
線管10からのＸ線が被写体11を通り、Ｘ線蛍光増倍管の
入力窓１と基板７を通過して、入力蛍光スクリーン８で
光に変換される。この光は光電面９に達し、電子に変換
される。この電子は集束電極６と陽極４により集束・加
速され、出力蛍光スクリーン５において可視像に変換さ
れる。
このようにしてＸ線像は可視光像に変換されるが、こ
の可視光像はTVカメラ、シネカメラ、スポットカメラな
どにより記録され、医療診断が行われる。
の可視光像はTVカメラ、シネカメラ、スポットカメラな
どにより記録され、医療診断が行われる。
ところで、近年のＸ線蛍光増倍管の中には、その構成
要素の一つである入力蛍光スクリーン８の膜厚を、従来
に比べて大幅に大きくしたものが見られる。即ち、厚さ
Ｔの入力蛍光スクリーンに吸収されるＸ線は、 １−ｅ−ψＴ と記述することが出来る。但し、ψはＸ線吸収係数であ
る。第５図に入力蛍光スクリーンの膜厚とＸ線吸収率の
関係を表すが、スクリーン材質はCsI、Ｘ線のエネルギ
は60KVである。このように膜厚を大きくすると、Ｘ線の
吸収率も大きくなるので、Ｘ線を有効に利用することが
出来、被曝線量の低減、画質の向上に役立つ。
要素の一つである入力蛍光スクリーン８の膜厚を、従来
に比べて大幅に大きくしたものが見られる。即ち、厚さ
Ｔの入力蛍光スクリーンに吸収されるＸ線は、 １−ｅ−ψＴ と記述することが出来る。但し、ψはＸ線吸収係数であ
る。第５図に入力蛍光スクリーンの膜厚とＸ線吸収率の
関係を表すが、スクリーン材質はCsI、Ｘ線のエネルギ
は60KVである。このように膜厚を大きくすると、Ｘ線の
吸収率も大きくなるので、Ｘ線を有効に利用することが
出来、被曝線量の低減、画質の向上に役立つ。
（発明が解決しようとする問題点） 第６図に示すように、Ｘ線蛍光増倍管に均一なＸ線を
照射して、出力像を観察すると、出力像の中心部が明る
く、周辺部に向って輝度が低下していることがある。こ
れは、Ｘ線蛍光増倍管の電子レンズによって、周辺部の
像が中心部の像よりも引き伸ばされることに主として起
因している。このような出力輝度分布では、撮像後のダ
イナミックレンジを全面に亙って有効に使うことが出来
ない。
照射して、出力像を観察すると、出力像の中心部が明る
く、周辺部に向って輝度が低下していることがある。こ
れは、Ｘ線蛍光増倍管の電子レンズによって、周辺部の
像が中心部の像よりも引き伸ばされることに主として起
因している。このような出力輝度分布では、撮像後のダ
イナミックレンジを全面に亙って有効に使うことが出来
ない。
このような出力輝度分布を出来るだけフラットにする
ための方法の一つとして、例えば特開昭53−102663号公
報に記載されたように、入力蛍光スクリーンの膜厚を中
心部から周辺部に向って増やしてやるというものがあ
る。この方法では中心部よりも周辺部の方がＸ線をより
多く吸収発光するため、出力側において周辺部の輝度が
持上げられ、出力輝度分布がフラットに近づくのであ
る。
ための方法の一つとして、例えば特開昭53−102663号公
報に記載されたように、入力蛍光スクリーンの膜厚を中
心部から周辺部に向って増やしてやるというものがあ
る。この方法では中心部よりも周辺部の方がＸ線をより
多く吸収発光するため、出力側において周辺部の輝度が
持上げられ、出力輝度分布がフラットに近づくのであ
る。
ところが、前述した近年になって開発された厚膜入力
蛍光スクリーンを採用したＸ線蛍光増倍管においては、
この方法が成功しない。
蛍光スクリーンを採用したＸ線蛍光増倍管においては、
この方法が成功しない。
この理由について説明する、先ず、一定のＸ線が入射
した時、どの位の発光が光電面に達するかをモデルを使
って考えてみる。第７図にそのモデルを示す。膜厚Ｔの
入力蛍光スクリーン中、深さｔの場所における微小部分
dtでのＸ線から光への変換量は、その場所でのＸ線量に
比例する。又、光電面までの距離はＴ−ｔであるから、
光の入力蛍光スクリーン中での減衰係数をβと考える
と、結局、αｅ−αＴ・ｅ−β（Ｔ−ｔ）dtとなる。ス
クリーン膜厚Ｔ全体で考えると、積分して が光電面に達する光量となる。尚、αはＸ線吸収係数で
ある。この定積分は、ピークを持つことが判る。実際に
も色々な膜厚の入力蛍光スクリーンを製作し、実験する
と、ピークが得られた。これを第８図に示す。
した時、どの位の発光が光電面に達するかをモデルを使
って考えてみる。第７図にそのモデルを示す。膜厚Ｔの
入力蛍光スクリーン中、深さｔの場所における微小部分
dtでのＸ線から光への変換量は、その場所でのＸ線量に
比例する。又、光電面までの距離はＴ−ｔであるから、
光の入力蛍光スクリーン中での減衰係数をβと考える
と、結局、αｅ−αＴ・ｅ−β（Ｔ−ｔ）dtとなる。ス
クリーン膜厚Ｔ全体で考えると、積分して が光電面に達する光量となる。尚、αはＸ線吸収係数で
ある。この定積分は、ピークを持つことが判る。実際に
も色々な膜厚の入力蛍光スクリーンを製作し、実験する
と、ピークが得られた。これを第８図に示す。
さて、Ｘ線有効利用のため、入力蛍光スクリーンの中
心部の膜厚をこのピークを示す膜厚に設定すると、前述
した出力輝度分布の補正の方法は使えないことが明らか
である。即ち、周辺部の膜厚を中心部に対して増して
も、輝度は小さくなり、出力輝度分布は却って強い凸形
になってしまう。実際では、更に膜厚を大きくしていく
と、光の拡散のため解像度が低下するので、丁度発光量
のピークを与える膜厚程度が、実用に供される最大の膜
厚と考えられる。従って、このような膜厚を実現した時
に、出力輝度分布を有効に補正出来ないという問題点を
解決しなければならない。
心部の膜厚をこのピークを示す膜厚に設定すると、前述
した出力輝度分布の補正の方法は使えないことが明らか
である。即ち、周辺部の膜厚を中心部に対して増して
も、輝度は小さくなり、出力輝度分布は却って強い凸形
になってしまう。実際では、更に膜厚を大きくしていく
と、光の拡散のため解像度が低下するので、丁度発光量
のピークを与える膜厚程度が、実用に供される最大の膜
厚と考えられる。従って、このような膜厚を実現した時
に、出力輝度分布を有効に補正出来ないという問題点を
解決しなければならない。
更に、もう一つの問題点として、膜厚に分布を付ける
と、Ｘ線吸収係数がＸ線質によって変化するので、ある
Ｘ線質で出力輝度分布がフラットになっても、Ｘ線質を
変化させると出力輝度分布はフラットでなくなってしま
うことが挙げられる。
と、Ｘ線吸収係数がＸ線質によって変化するので、ある
Ｘ線質で出力輝度分布がフラットになっても、Ｘ線質を
変化させると出力輝度分布はフラットでなくなってしま
うことが挙げられる。
出力輝度分布をフラットにするもう一つの提案は、入
力蛍光スクリーンの表面に光透過率に分布を持たせた膜
を形成するというものである。即ち、入力蛍光スクリー
ン中心部の膜の光透過率を小さくすることによって、出
力輝度分布をフラットにするというものである。しか
し、この方法の問題点は、工程数が増えることが挙げら
れる。又、入力蛍光スクリーンと光電面との間の分布を
持つことから、光電面の形成条件にも分布が現れ、更に
経時変化に分布が現れる恐れがある。
力蛍光スクリーンの表面に光透過率に分布を持たせた膜
を形成するというものである。即ち、入力蛍光スクリー
ン中心部の膜の光透過率を小さくすることによって、出
力輝度分布をフラットにするというものである。しか
し、この方法の問題点は、工程数が増えることが挙げら
れる。又、入力蛍光スクリーンと光電面との間の分布を
持つことから、光電面の形成条件にも分布が現れ、更に
経時変化に分布が現れる恐れがある。
この発明は、厚い入力蛍光スクリーンを用いた場合で
も、出力輝度分布をフラットにすると共に、Ｘ線質の変
化による出力輝度分布の変化を小さくすることが出来る
Ｘ線イメージ管を提供することを目的とする。
も、出力輝度分布をフラットにすると共に、Ｘ線質の変
化による出力輝度分布の変化を小さくすることが出来る
Ｘ線イメージ管を提供することを目的とする。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） この発明は、少なくとも、Ｘ線を光に変換する蛍光ス
クリーンを備えたＸ線イメージ管において、上記蛍光ス
クリーンは密度の異なる複数の蛍光体層よりなり、密度
の高い蛍光体層が密度の低い蛍光体層の出力側に配設さ
れ、且つ該密度の高い蛍光体層の膜厚が上記蛍光スクリ
ーンの中心部よりも周辺部で徐々に厚くなるように形成
されてなるＸ線イメージ管である。
クリーンを備えたＸ線イメージ管において、上記蛍光ス
クリーンは密度の異なる複数の蛍光体層よりなり、密度
の高い蛍光体層が密度の低い蛍光体層の出力側に配設さ
れ、且つ該密度の高い蛍光体層の膜厚が上記蛍光スクリ
ーンの中心部よりも周辺部で徐々に厚くなるように形成
されてなるＸ線イメージ管である。
（作用） この発明によれば、出力輝度分布をフラットにするこ
とが出来、又、Ｘ線質の変化によって、出力輝度分布が
変化しないようにすることが出来る。
とが出来、又、Ｘ線質の変化によって、出力輝度分布が
変化しないようにすることが出来る。
（実施例） 以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に
説明する。
説明する。
Ｘ線イメージ管としてＸ線蛍光増倍管を例にとれば、
この発明は、蛍光スクリーンを改良したもので、蛍光ス
クリーンについてのみ説明するが、その前に蛍光体につ
いて述べることにする。
この発明は、蛍光スクリーンを改良したもので、蛍光ス
クリーンについてのみ説明するが、その前に蛍光体につ
いて述べることにする。
通常、蛍光スクリーンを構成する蛍光体は、Ｘ線を吸
収し光を放出する。この光は、あらゆる方向に進むの
で、蛍光スクリーンと平行方向の光の拡散は、解像度を
低下させる。これを防ぐために、例えば蛍光体を蛍光ス
クリーンと垂直方向に細長い柱状に形成することによ
り、光を全反射、あるいは柱の隙間で減衰させることが
一般に行われる。この場合、蛍光体の柱と柱との間には
空間が存在するため、蛍光体の密度は、蛍光体を隙間な
く充填した場合と比較して、一般的に0.5％程度小さく
なる。又、前述のように、光の減衰があるため、光の透
過率も蛍光体が隙間なく充填された場合より小さい。こ
こで、厚さＴの蛍光体層を考える。前述したように、光
電面に達する光量は、概略 で与えられる。αはＸ線吸収係数、βは光の吸収係数で
ある。この定積分を計算すると、 となる。これをＴについての関数と考え、ピーク値とな
るＴを求めると、 Ｔ＝1n（β／α）／（β−α） となる。例えば、蛍光体としてCsIを考える。αを実験
によって求めると、60KVの単色Ｘ線に対して、α＝4.4
×10-3μm-1という値が得られた。又、βを実験によっ
て求めると、β＝1.5×10-3μm-1という値が得られた。
収し光を放出する。この光は、あらゆる方向に進むの
で、蛍光スクリーンと平行方向の光の拡散は、解像度を
低下させる。これを防ぐために、例えば蛍光体を蛍光ス
クリーンと垂直方向に細長い柱状に形成することによ
り、光を全反射、あるいは柱の隙間で減衰させることが
一般に行われる。この場合、蛍光体の柱と柱との間には
空間が存在するため、蛍光体の密度は、蛍光体を隙間な
く充填した場合と比較して、一般的に0.5％程度小さく
なる。又、前述のように、光の減衰があるため、光の透
過率も蛍光体が隙間なく充填された場合より小さい。こ
こで、厚さＴの蛍光体層を考える。前述したように、光
電面に達する光量は、概略 で与えられる。αはＸ線吸収係数、βは光の吸収係数で
ある。この定積分を計算すると、 となる。これをＴについての関数と考え、ピーク値とな
るＴを求めると、 Ｔ＝1n（β／α）／（β−α） となる。例えば、蛍光体としてCsIを考える。αを実験
によって求めると、60KVの単色Ｘ線に対して、α＝4.4
×10-3μm-1という値が得られた。又、βを実験によっ
て求めると、β＝1.5×10-3μm-1という値が得られた。
この値は、CsIの発光スペクトルのピーク値約420nmの
光に対するもので、且つCsIスクリーンは柱状に形成し
た場合である。即ち、密度が低い場合である。先の式に
これらの値を入れると、Ｔ＝370μｍという値が求めら
れる。つまり、この値よりも膜厚が大きくても小さくて
も、光電面に達する光量は減少し、輝度は低くなる。
光に対するもので、且つCsIスクリーンは柱状に形成し
た場合である。即ち、密度が低い場合である。先の式に
これらの値を入れると、Ｔ＝370μｍという値が求めら
れる。つまり、この値よりも膜厚が大きくても小さくて
も、光電面に達する光量は減少し、輝度は低くなる。
次に、同じ膜厚Ｔ＝370μｍであるが、340μｍは柱状
に形成し、その上に30μｍの密度の高い層を形成するこ
とを考える。密度の高い層と低い層では、Ｘ線の吸収率
に関しては殆ど差はない。何故なら、密度の低い層と高
い層の密度の差は、１％以内であるからである。ところ
が、光の透過率には大きな差がある。測定の結果では、
β＜１×10-5μm-1であった。これらのことから、光電
面に達する光量を考えてみる。
に形成し、その上に30μｍの密度の高い層を形成するこ
とを考える。密度の高い層と低い層では、Ｘ線の吸収率
に関しては殆ど差はない。何故なら、密度の低い層と高
い層の密度の差は、１％以内であるからである。ところ
が、光の透過率には大きな差がある。測定の結果では、
β＜１×10-5μm-1であった。これらのことから、光電
面に達する光量を考えてみる。
ここで、T1＝340μｍ、T2＝30μｍ、α＝4.4×10-3μ
m-1、β１＝1.5×10-3μm-1、β２＝１×10-5μm-1とす
る。β２の大きさから、 は１と近似することが出来るので、計算は簡単となり、
積分を解くと光量Ｌは となる。
m-1、β１＝1.5×10-3μm-1、β２＝１×10-5μm-1とす
る。β２の大きさから、 は１と近似することが出来るので、計算は簡単となり、
積分を解くと光量Ｌは となる。
この式に、実際に数値を代入してみると、370μｍ全
てが柱状に形成された場合に比べて約4.5％ほど光電面
に達する光量が増加していることが判る。又、高密度層
と低密度層をそれぞれ（10μｍ、360μｍ）、（20μ
ｍ、350μｍ）、（40μｍ、330μｍ）、（50μｍ、320
μｍ）として計算したものが、第９図である。
てが柱状に形成された場合に比べて約4.5％ほど光電面
に達する光量が増加していることが判る。又、高密度層
と低密度層をそれぞれ（10μｍ、360μｍ）、（20μ
ｍ、350μｍ）、（40μｍ、330μｍ）、（50μｍ、320
μｍ）として計算したものが、第９図である。
このように、低密度層と高密度層を付加することによ
り、光電面に達する光量を増加させることが出来る。
又、高密度層を割合を増すことにより、光量は更に増加
する。これを利用して、例えば入力蛍光スクリーンの中
心部の高密度層と低密度層を（０μｍ、370μｍ）、周
辺部の高密度層と低密度層を（50μｍ、320μｍ）とす
れば、約7.5％ほど周辺部の輝度を上げることが出来
る。そして、重要なことは、先に述べるようにＸ線の吸
収については、同じ膜厚と考えることが出来るので、Ｘ
線質の変化によって輝度分布が変わってしまうことがな
いという点である。
り、光電面に達する光量を増加させることが出来る。
又、高密度層を割合を増すことにより、光量は更に増加
する。これを利用して、例えば入力蛍光スクリーンの中
心部の高密度層と低密度層を（０μｍ、370μｍ）、周
辺部の高密度層と低密度層を（50μｍ、320μｍ）とす
れば、約7.5％ほど周辺部の輝度を上げることが出来
る。そして、重要なことは、先に述べるようにＸ線の吸
収については、同じ膜厚と考えることが出来るので、Ｘ
線質の変化によって輝度分布が変わってしまうことがな
いという点である。
以上の事実から、この発明のＸ線蛍光増倍管における
入力蛍光スクリーンは、第１図に示すように構成され、
12が入力蛍光スクリーンである。この入力蛍光スクリー
ン12は、密度の低い蛍光体層13と密度の高い蛍光体層14
とからなっている。そして、密度の大きい蛍光体層14が
密度の小さい蛍光体層13の出力側に配設されている。更
に、各蛍光体層13、14のそれぞれの膜厚分布は、例えば
第２図に示すようになっており、密度の高い蛍光体層14
の膜厚が上記入力蛍光スクリーン12の中心部よりも周辺
部で厚くなるように形成されている。又、上記密度の低
い蛍光体層13の膜厚が、上記入力蛍光スクリーン12の中
心部よりも周辺部で薄くなるように形成されている。
入力蛍光スクリーンは、第１図に示すように構成され、
12が入力蛍光スクリーンである。この入力蛍光スクリー
ン12は、密度の低い蛍光体層13と密度の高い蛍光体層14
とからなっている。そして、密度の大きい蛍光体層14が
密度の小さい蛍光体層13の出力側に配設されている。更
に、各蛍光体層13、14のそれぞれの膜厚分布は、例えば
第２図に示すようになっており、密度の高い蛍光体層14
の膜厚が上記入力蛍光スクリーン12の中心部よりも周辺
部で厚くなるように形成されている。又、上記密度の低
い蛍光体層13の膜厚が、上記入力蛍光スクリーン12の中
心部よりも周辺部で薄くなるように形成されている。
この膜厚分布に既述の式を用いて計算すると、従来に
比較して第３図に示すような出力輝度分布の補正を行な
えることが判る。
比較して第３図に示すような出力輝度分布の補正を行な
えることが判る。
尚、ここに示した数値は、一つの例であり、特許請求
の範囲を限定するものではない。
の範囲を限定するものではない。
この発明のＸ線イメージ管即ちＸ線蛍光増倍管は、上
記入力蛍光スクリーン以外は第４図と同一構成ゆえ詳細
な説明を省略する。
記入力蛍光スクリーン以外は第４図と同一構成ゆえ詳細
な説明を省略する。
（変形例） 上記実施例では、密度の低い蛍光体層13の膜厚が、入
力蛍光スクリーン12の中心部よりも周辺部で薄くなるよ
うに形成されているが、この逆に入力蛍光スクリーン12
の中心部よりも周辺部で厚くなるように形成しても良
い。
力蛍光スクリーン12の中心部よりも周辺部で薄くなるよ
うに形成されているが、この逆に入力蛍光スクリーン12
の中心部よりも周辺部で厚くなるように形成しても良
い。
［発明の効果］ この発明によれば、出力輝度分布をフラットにするこ
とが出来る。又、Ｘ線質の変化によって、出力輝度分布
が変化しないように出来る。
とが出来る。又、Ｘ線質の変化によって、出力輝度分布
が変化しないように出来る。
尚、上記実施例では、Ｘ線イメージ管としてＸ線蛍光
増倍管を例に挙げたが、この発明はＸ線蛍光増倍管に限
定されないことは、言うまでもない。
増倍管を例に挙げたが、この発明はＸ線蛍光増倍管に限
定されないことは、言うまでもない。
第１図はこの発明の一実施例に係るＸ線イメージ管の要
部（入力蛍光スクリーン）を示す断面図、第２図はこの
発明における入力蛍光スクリーンを構成する高密度層と
低密度層の分布を示す断面図、第３図はこの発明のＸ線
イメージ管における出力輝度分布の補正を示す説明図、
第４図は一般的なＸ線イメージ管を示す断面図、第５図
は入力蛍光スクリーンの膜厚とＸ線吸収率の関係を示す
特性曲線図、第６図は出力輝度分布を示す特性曲線図、
第７図は入力蛍光スクリーン中での発光、光の減衰する
様子を示す説明図、第８図は入力蛍光スクリーンの膜厚
と相対発光量の関係を示す特性曲線図、第９図は高密度
層と光量増加率との関係を示す特性曲線図である。 １……入力窓、２……真空外囲器、３……入力面、４…
…陽極、５……出力蛍光スクリーン、６……集束電極、
７……基板、９……光電面、12……入力蛍光スクリー
ン、13……密度の低い蛍光体層、14……密度の高い蛍光
体層。
部（入力蛍光スクリーン）を示す断面図、第２図はこの
発明における入力蛍光スクリーンを構成する高密度層と
低密度層の分布を示す断面図、第３図はこの発明のＸ線
イメージ管における出力輝度分布の補正を示す説明図、
第４図は一般的なＸ線イメージ管を示す断面図、第５図
は入力蛍光スクリーンの膜厚とＸ線吸収率の関係を示す
特性曲線図、第６図は出力輝度分布を示す特性曲線図、
第７図は入力蛍光スクリーン中での発光、光の減衰する
様子を示す説明図、第８図は入力蛍光スクリーンの膜厚
と相対発光量の関係を示す特性曲線図、第９図は高密度
層と光量増加率との関係を示す特性曲線図である。 １……入力窓、２……真空外囲器、３……入力面、４…
…陽極、５……出力蛍光スクリーン、６……集束電極、
７……基板、９……光電面、12……入力蛍光スクリー
ン、13……密度の低い蛍光体層、14……密度の高い蛍光
体層。
Claims (4)
- 【請求項１】少なくとも、Ｘ線を光に変換する蛍光スク
リーンを備えたＸ線イメージ管において、 上記蛍光スクリーンは密度の異なる複数の蛍光体層より
なり、密度の高い蛍光体層が密度の低い蛍光体層の出力
側に配設され、且つ該密度の高い蛍光体層の膜厚が上記
蛍光スクリーンの中心部よりも周辺部で徐々に厚くなる
ように形成されてなることを特徴とするＸ線イメージ
管。 - 【請求項２】上記密度の低い蛍光体層の膜厚が上記蛍光
スクリーンの中心部よりも周辺部で徐々に厚くなるよう
に形成されてなることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のＸ線イメージ管。 - 【請求項３】上記密度の低い蛍光体層の膜厚が上記蛍光
スクリーンの中心部よりも周辺部で徐々に薄くなるよう
に形成されてなることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のＸ線イメージ管。 - 【請求項４】上記蛍光体層の合計の膜厚が中心部および
周辺部にほぼ同等であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のＸ線イメージ管。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62056740A JP2514952B2 (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | Ｘ線イメ−ジ管 |
| EP88103918A EP0282089B1 (en) | 1987-03-13 | 1988-03-11 | X-ray image intensifier |
| DE8888103918T DE3864544D1 (de) | 1987-03-13 | 1988-03-11 | Roentgenbildverstaerker. |
| US07/167,244 US4847482A (en) | 1987-03-13 | 1988-03-11 | X-ray image intensifier with columnar crystal phosphor layer |
| CN88101359.5A CN1012772B (zh) | 1987-03-13 | 1988-03-12 | X射线显象管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62056740A JP2514952B2 (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | Ｘ線イメ−ジ管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63224133A JPS63224133A (ja) | 1988-09-19 |
| JP2514952B2 true JP2514952B2 (ja) | 1996-07-10 |
Family
ID=13035921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62056740A Expired - Lifetime JP2514952B2 (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | Ｘ線イメ−ジ管 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4847482A (ja) |
| EP (1) | EP0282089B1 (ja) |
| JP (1) | JP2514952B2 (ja) |
| CN (1) | CN1012772B (ja) |
| DE (1) | DE3864544D1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02152143A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-12 | Toshiba Corp | Ｘ線イメージ管及びその製造方法 |
| EP0403802B1 (en) * | 1989-06-20 | 1997-04-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray image intensifier and method of manufacturing input screen |
| FR2681727B1 (fr) * | 1991-09-20 | 1993-11-05 | Thomson Tubes Electroniques | Tube intensificateur d'image a correction de brillance. |
| US5367172A (en) * | 1993-06-01 | 1994-11-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Radiological system employing phosphors of different densities |
| WO1998012731A1 (fr) * | 1996-09-18 | 1998-03-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Tube a image radiologique et son procede de fabrication |
| CN100519715C (zh) * | 2006-05-11 | 2009-07-29 | 李伯林 | 高分子污染物清洗剂及制备方法 |
| JP2011137665A (ja) * | 2009-12-26 | 2011-07-14 | Canon Inc | シンチレータパネル及び放射線撮像装置とその製造方法、ならびに放射線撮像システム |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE518747A (ja) * | 1952-03-29 | |||
| US3716713A (en) * | 1969-01-09 | 1973-02-13 | Varian Associates | Input screen for image devices having reduced sensitivity in the cental region |
| JPS51131264A (en) * | 1975-05-10 | 1976-11-15 | Toshiba Corp | The input of x-ray fluorescence intensifying tube |
| JPS5927072B2 (ja) * | 1977-02-21 | 1984-07-03 | 株式会社東芝 | 像増強管用入力面 |
| JPS53102663A (en) * | 1977-02-21 | 1978-09-07 | Toshiba Corp | Manufacture for input surface of image intensifier tube |
| JPS5631049A (en) * | 1979-08-23 | 1981-03-28 | Atsuko Inoue | Bead knitting method |
| FR2467481A1 (fr) * | 1979-10-12 | 1981-04-17 | Thomson Csf | Ecran scintillateur pour tube intensificateur d'image radiologique, son procede de fabrication, et tube incorporant un tel ecran |
| EP0042149B1 (en) * | 1980-06-16 | 1987-03-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Radiation excited phosphor screen and method for manufacturing the same |
| FR2545270B1 (fr) * | 1983-04-29 | 1985-12-27 | Thomson Csf | Intensificateur d'images radiologiques et application a un systeme de radiologie numerique |
| JPH0754675B2 (ja) * | 1986-03-31 | 1995-06-07 | 株式会社東芝 | Ｘ線イメ−ジインテンシフアイア |
-
1987
- 1987-03-13 JP JP62056740A patent/JP2514952B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-03-11 US US07/167,244 patent/US4847482A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-11 DE DE8888103918T patent/DE3864544D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-11 EP EP88103918A patent/EP0282089B1/en not_active Expired
- 1988-03-12 CN CN88101359.5A patent/CN1012772B/zh not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN88101359A (zh) | 1988-09-28 |
| EP0282089A3 (en) | 1989-03-22 |
| JPS63224133A (ja) | 1988-09-19 |
| US4847482A (en) | 1989-07-11 |
| EP0282089B1 (en) | 1991-09-04 |
| DE3864544D1 (de) | 1991-10-10 |
| EP0282089A2 (en) | 1988-09-14 |
| CN1012772B (zh) | 1991-06-05 |
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