JP2512880B2 - 第３電極層から電極取出しを行なつたｅｃ素子 - Google Patents
第３電極層から電極取出しを行なつたｅｃ素子Info
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、エレクトロクロミック素子の改良に関す
る。
る。
電圧を印加すると可逆的に電解酸化または還元反応が
起こり可逆的に着色する現像をエレクトロクロミズムと
言う。このような現象を示すエレクトロクロミック（以
下、ECと略称する）物質を用いて、電圧操作におり着消
色するEC素子（以下、ECDと略す）を作り、このECDを光
量制御素子（例えば、防眩ミラー）や７セグメントを利
用した数字表示素子に利用しようとする試みは、20年以
上前から行われている。例えば、ガラス基板の上に透明
電極層、三酸化タングステン薄膜と絶縁膜（例えば、二
酸化ケイ素）との２層膜（順は不同）及び、対向電極層
を順次積層してなるECD（特公昭52−46098参照）が全固
体型ECDとして知られている。
起こり可逆的に着色する現像をエレクトロクロミズムと
言う。このような現象を示すエレクトロクロミック（以
下、ECと略称する）物質を用いて、電圧操作におり着消
色するEC素子（以下、ECDと略す）を作り、このECDを光
量制御素子（例えば、防眩ミラー）や７セグメントを利
用した数字表示素子に利用しようとする試みは、20年以
上前から行われている。例えば、ガラス基板の上に透明
電極層、三酸化タングステン薄膜と絶縁膜（例えば、二
酸化ケイ素）との２層膜（順は不同）及び、対向電極層
を順次積層してなるECD（特公昭52−46098参照）が全固
体型ECDとして知られている。
ECDの各層はいずれも非常に薄いことから、真空薄膜
形成技術例えば反応又は非反応真空蒸着、反応又は非反
応イオンプレーティング、反応又は非反応スパッタリン
グ、CVDで成膜される。
形成技術例えば反応又は非反応真空蒸着、反応又は非反
応イオンプレーティング、反応又は非反応スパッタリン
グ、CVDで成膜される。
このECDに電池から得られる程度の電圧を印加すると
三酸化タングステン（WO3）薄膜が青色に着色する。そ
の後、このECDに同程度の逆電圧を印加すると、WO3薄膜
の青色が消えて無色になる。この着色・消色する機構は
詳しくは解明されていないが、WO3薄膜及び／又は絶縁
膜（イオン導電層）中に含まれる少量の水分がWO3の着
色・消色を支配していると理解されている。着色の反応
式は下記のように推定されている。
三酸化タングステン（WO3）薄膜が青色に着色する。そ
の後、このECDに同程度の逆電圧を印加すると、WO3薄膜
の青色が消えて無色になる。この着色・消色する機構は
詳しくは解明されていないが、WO3薄膜及び／又は絶縁
膜（イオン導電層）中に含まれる少量の水分がWO3の着
色・消色を支配していると理解されている。着色の反応
式は下記のように推定されている。
陰極側： H2O→H+＋OH- WO3＋nH+＋ne-→HnWO3 （無色透明） （青色） 陽極側： OH-→1/2H2O＋1/4O2↑＋1/2e- その後、WO3層の還元反応を補償する酸化反応する層
を追加した対象型ECDが発明された（例えば、特開昭50
−50892、同52−73749、同56−4679参照）。このような
ECDの断面構造を第２図に示す。
を追加した対象型ECDが発明された（例えば、特開昭50
−50892、同52−73749、同56−4679参照）。このような
ECDの断面構造を第２図に示す。
EC層を直接又は間接的に挟む一対の電極層は、EC層の
着消色を外部に見せるために少なくとも一方は透明でな
ければならない。特に透過型のECDの場合には両方とも
透明でなければならない。透明な電極材料としては、現
在のところSnO2、In2O3、ITO（SnO2とIn2O3との混合
物）、ZnOなどが知られているが、これらの材料は比較
的透明度が悪いために薄くせねばならず、この理由及び
その他の理由からECDは基板例えばガラス板やプラスチ
ック板の上に形成するのが普通である。
着消色を外部に見せるために少なくとも一方は透明でな
ければならない。特に透過型のECDの場合には両方とも
透明でなければならない。透明な電極材料としては、現
在のところSnO2、In2O3、ITO（SnO2とIn2O3との混合
物）、ZnOなどが知られているが、これらの材料は比較
的透明度が悪いために薄くせねばならず、この理由及び
その他の理由からECDは基板例えばガラス板やプラスチ
ック板の上に形成するのが普通である。
第２図に於いて、（Ａ）は下部電極層、（Ｂ）は可逆
的電解酸化層又は酸化着色性EC層（例えば酸化又は水酸
化イリジウム）、（Ｃ）はイオン導電層、（Ｄ）は還元
着色性EC層（例えばWO3）、（Ｅ）は上部電極層をそれ
ぞれ示し、基本的にはこの（Ａ）〜（Ｅ）の積層構造だ
けでECDが構成されるが、前述のとおり、これらのECDは
基板（Ｓ）上に形成される。なお、第２図で（Ｒ）はEC
Dの封止材例えばエポキシ樹脂であり、（Ｇ）は保護用
の封止基板である。
的電解酸化層又は酸化着色性EC層（例えば酸化又は水酸
化イリジウム）、（Ｃ）はイオン導電層、（Ｄ）は還元
着色性EC層（例えばWO3）、（Ｅ）は上部電極層をそれ
ぞれ示し、基本的にはこの（Ａ）〜（Ｅ）の積層構造だ
けでECDが構成されるが、前述のとおり、これらのECDは
基板（Ｓ）上に形成される。なお、第２図で（Ｒ）はEC
Dの封止材例えばエポキシ樹脂であり、（Ｇ）は保護用
の封止基板である。
このようなECDの電極（Ａ）、（Ｅ）に外部電源を供
給するために、各々、取出し電極部が必要で、ここに外
部配線（LA）、（LE）が各々接続される。
給するために、各々、取出し電極部が必要で、ここに外
部配線（LA）、（LE）が各々接続される。
ところで、透過型ECDの場合に必ず必要なことである
が、上部電極層を透明電極にしなければならない。そし
て、着消色の応答速度（レスポンス）を速くし、着色ム
ラを発生しないようにするには、透明電極をできるだけ
低抵抗にしなければならない。特に表示面積が大きなEC
Dにおいては、上記特性上、低抵抗の上部電極層が好ま
しい。
が、上部電極層を透明電極にしなければならない。そし
て、着消色の応答速度（レスポンス）を速くし、着色ム
ラを発生しないようにするには、透明電極をできるだけ
低抵抗にしなければならない。特に表示面積が大きなEC
Dにおいては、上記特性上、低抵抗の上部電極層が好ま
しい。
しかし、透明な電極材料としては、現在のところ記述
のようにSnO2、In2O3、ITO、ZnOなどが知られている
が、これらの材料はいずれも比較的低温で成膜すると高
抵抗になり、比較的高温度で成膜すると低抵抗になる。
のようにSnO2、In2O3、ITO、ZnOなどが知られている
が、これらの材料はいずれも比較的低温で成膜すると高
抵抗になり、比較的高温度で成膜すると低抵抗になる。
下部電極層の場合、基板の上に直接電極層を形成する
ので、基板として最も一般的なガラス基板を使用すれ
ば、高温度に耐えるので、高温度例えば300〜400℃で成
膜できることから、低抵抗（一般に10Ω／□以下）の透
明電極層が得られる。
ので、基板として最も一般的なガラス基板を使用すれ
ば、高温度に耐えるので、高温度例えば300〜400℃で成
膜できることから、低抵抗（一般に10Ω／□以下）の透
明電極層が得られる。
それに対して、上部電極層の場合には、基板上に既に
種々の層が形成されている。そのため、上部電極層を低
抵抗にする目的で成膜時に高温度にすると、EC層が高温
度にさらされるため著じるしく劣化し、極端な場合、EC
Dが作動しなくなるという問題点があった。
種々の層が形成されている。そのため、上部電極層を低
抵抗にする目的で成膜時に高温度にすると、EC層が高温
度にさらされるため著じるしく劣化し、極端な場合、EC
Dが作動しなくなるという問題点があった。
そこで、EC層が劣化しない低温度で上部透明電極層を
成膜すると、高抵抗（一般に50Ω／□以上）の透明電極
層が得られ、今後は、ECDのレスポンスが遅く、着色ム
ラが発生するという問題点を生む。この問題点は、特に
表示面積が大きなECDの場合に顕著である。
成膜すると、高抵抗（一般に50Ω／□以上）の透明電極
層が得られ、今後は、ECDのレスポンスが遅く、着色ム
ラが発生するという問題点を生む。この問題点は、特に
表示面積が大きなECDの場合に顕著である。
従って、本発明の目的は、上部電極層が高抵抗なECD
であっても、レスポンスが速く、着色ムラが発生しない
ECDを提供することにある。
であっても、レスポンスが速く、着色ムラが発生しない
ECDを提供することにある。
そこで、本発明では、予め第２の基板上に低抵抗の第
３電極層を形成しておき、これを導電性樹脂を介して上
部電極層に重ね合わせ両者を一体化する。そして、第３
電極層に外部配線を接続し、上部電極層の電極取出しを
第３電極層から行なう。
３電極層を形成しておき、これを導電性樹脂を介して上
部電極層に重ね合わせ両者を一体化する。そして、第３
電極層に外部配線を接続し、上部電極層の電極取出しを
第３電極層から行なう。
本発明では、高抵抗の上部電極層も低抵抗の導電性樹
脂層を介して低抵抗の第３電極層の面接触をするので、
見掛け上、低抵抗化する。つまり、外部配線を通じて着
色に必要な電荷の供給を先ず第３電極層に行なうと、そ
れは低抵抗なので、電荷は速やかに全体に行きわたり、
その上で面接触している上部電極層に電荷が垂直に移動
する（垂直方向の電荷の移動距離は水平方向＝面内方向
に比べ遥かに短い）ことから、レスポンスが速く、着色
ムラが発生しない。このことは、消色時の電荷の奪取
（又は正孔の供給）においても同様である。
脂層を介して低抵抗の第３電極層の面接触をするので、
見掛け上、低抵抗化する。つまり、外部配線を通じて着
色に必要な電荷の供給を先ず第３電極層に行なうと、そ
れは低抵抗なので、電荷は速やかに全体に行きわたり、
その上で面接触している上部電極層に電荷が垂直に移動
する（垂直方向の電荷の移動距離は水平方向＝面内方向
に比べ遥かに短い）ことから、レスポンスが速く、着色
ムラが発生しない。このことは、消色時の電荷の奪取
（又は正孔の供給）においても同様である。
ECDの各層について説明すると、ECDは基本的には一対
の電極層とその層間に挟まれたEC層とからなる。
の電極層とその層間に挟まれたEC層とからなる。
しかし、EC層に加えて電極層間にイオン導電層を挿入
したタイプのECDが好ましい（例えば、特公昭52−46098
参照）。更に、EC物質として代表的なWO3の如き還元着
色性EC物質を使用したときには、可逆的電解酸化層又は
酸化着色性EC層を付加することが好ましい（例えば、特
開昭50−50892、同52−73749、同56−4679参照）。
したタイプのECDが好ましい（例えば、特公昭52−46098
参照）。更に、EC物質として代表的なWO3の如き還元着
色性EC物質を使用したときには、可逆的電解酸化層又は
酸化着色性EC層を付加することが好ましい（例えば、特
開昭50−50892、同52−73749、同56−4679参照）。
基板上に形成される下部電極層（Ａ）としては、ECD
のタイプが透過型か反射型かで変わるが、透明である必
要があれば、上記透明電極材料例えば、SnO2、In2O3、I
TOで構成される。これらの電極層は、比較的高温度例え
ば300〜400℃で成膜すると低抵抗（一般に10Ω／□以
下）となり、比較的低温度例えば100〜200℃で成膜する
と高抵抗（一般に50Ω／□以上）となる。膜厚は、一般
に0.04〜0.4μｍである。透明である必要がなければ、
金属材料又は炭素で下部電極層（Ａ）が形成される。金
属材料としては、例えば金、銀、アルミニウム、クロ
ム、スズ、亜鉛、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、ス
テンレスなどが使用される。金属電極層は、上記の如き
透明電極層を仮に低抵抗なものにしても、それより遥か
に低抵抗である。金属電極層の膜厚としては、一般に0.
04〜10μｍである。膜厚が厚ければ、金属電極層は光を
反射し透過させない。従って、反射型のECDにおいては
上部電極層か下部電極層のいずれかを金属で構成する。
のタイプが透過型か反射型かで変わるが、透明である必
要があれば、上記透明電極材料例えば、SnO2、In2O3、I
TOで構成される。これらの電極層は、比較的高温度例え
ば300〜400℃で成膜すると低抵抗（一般に10Ω／□以
下）となり、比較的低温度例えば100〜200℃で成膜する
と高抵抗（一般に50Ω／□以上）となる。膜厚は、一般
に0.04〜0.4μｍである。透明である必要がなければ、
金属材料又は炭素で下部電極層（Ａ）が形成される。金
属材料としては、例えば金、銀、アルミニウム、クロ
ム、スズ、亜鉛、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、ス
テンレスなどが使用される。金属電極層は、上記の如き
透明電極層を仮に低抵抗なものにしても、それより遥か
に低抵抗である。金属電極層の膜厚としては、一般に0.
04〜10μｍである。膜厚が厚ければ、金属電極層は光を
反射し透過させない。従って、反射型のECDにおいては
上部電極層か下部電極層のいずれかを金属で構成する。
還元着色性EC層（Ｄ）としては、酸化タングステン、
酸化モリブデンなどが使用される。場合によっては、他
の有機又は無機物質でもよい。膜厚は、一般に0.3〜１
μｍである。
酸化モリブデンなどが使用される。場合によっては、他
の有機又は無機物質でもよい。膜厚は、一般に0.3〜１
μｍである。
必要に応じて設けられるイオン導電層（Ｃ）として
は、例えば、無機誘電体薄膜例えば酸化タンタル（Ta
2O5）、酸化ニオブ（Nb2O5）、酸化ジルコニウム（Zr
O2）、酸化チタン（TiO2）、酸化ハフニウム（HfO2）、
酸化イツトリウム（Y2O3）、酸化ランタン（La2O3）、
酸化珪素（SiO2）、フツ化マグネシウム、リン酸ジルコ
ニウムあるいはこれらの混合物質の薄膜（これらの薄膜
は、製法により、電子に対しては絶縁性であるが、プロ
トン（H+）及びヒドロキシイオン（OH-）に対しては良
導性となり、製造時に積極的に水を含ませるか、薄膜製
造後又はECD製造後に大気中にさらすことによって大気
中からの水分を自然に吸着させることにより、あるいは
系内のいずれからかのH2O,H+,OH-を含むことにより、イ
オン導電性となり、しかも電子は透過させない）；塩
化ナトリウム、塩化カリウム、臭化ナトリウム、臭化カ
リウム、Na3Zr2Si2PO12、Na1+XZrSiXP3-XO12、Na5YSi4O
12、RbAg4I5等の固体電解質が挙げられる。イオン導電
層（Ｃ）の膜厚は、一般に0.1〜２μｍである。
は、例えば、無機誘電体薄膜例えば酸化タンタル（Ta
2O5）、酸化ニオブ（Nb2O5）、酸化ジルコニウム（Zr
O2）、酸化チタン（TiO2）、酸化ハフニウム（HfO2）、
酸化イツトリウム（Y2O3）、酸化ランタン（La2O3）、
酸化珪素（SiO2）、フツ化マグネシウム、リン酸ジルコ
ニウムあるいはこれらの混合物質の薄膜（これらの薄膜
は、製法により、電子に対しては絶縁性であるが、プロ
トン（H+）及びヒドロキシイオン（OH-）に対しては良
導性となり、製造時に積極的に水を含ませるか、薄膜製
造後又はECD製造後に大気中にさらすことによって大気
中からの水分を自然に吸着させることにより、あるいは
系内のいずれからかのH2O,H+,OH-を含むことにより、イ
オン導電性となり、しかも電子は透過させない）；塩
化ナトリウム、塩化カリウム、臭化ナトリウム、臭化カ
リウム、Na3Zr2Si2PO12、Na1+XZrSiXP3-XO12、Na5YSi4O
12、RbAg4I5等の固体電解質が挙げられる。イオン導電
層（Ｃ）の膜厚は、一般に0.1〜２μｍである。
可逆的電解酸化層又は酸化着色性EC層（Ｂ）として使
用される物質としては、スチリル類似化合物、アリルピ
ラゾリン、アリルピリリウム、アリルピリジウム、メト
キシフルオレン、プルシアンブルー錯体、ルテニウムパ
ープル錯体、ペンタシアノカルボニル鉄酸鉄などの有機
物質のほか、イリジウム、ニッケル、クロム、バナジウ
ム、ルテニウム、ロジウムなどの遷移金属の酸化又は水
酸化物が使用される。特にイリジウムの酸化又は水酸化
物を不活性分散媒で希釈してそのIr金属含有率を１〜20
at.％特に３〜10at.％としたものは、好ましいものであ
る。透明な不活性分散媒としては、例えば酸化ケイ素、
酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化チ
タン、酸化ハフニウム、酸化イツトリウム、酸化ランタ
ン、フツ化マグネシウム、酸化スズ、酸化インジウム、
ITOなどが使用される。層（Ｂ）は常態（安定状態）で
は無色又は淡色の透明な膜であり、膜厚は、一般に0.04
〜１μｍである。
用される物質としては、スチリル類似化合物、アリルピ
ラゾリン、アリルピリリウム、アリルピリジウム、メト
キシフルオレン、プルシアンブルー錯体、ルテニウムパ
ープル錯体、ペンタシアノカルボニル鉄酸鉄などの有機
物質のほか、イリジウム、ニッケル、クロム、バナジウ
ム、ルテニウム、ロジウムなどの遷移金属の酸化又は水
酸化物が使用される。特にイリジウムの酸化又は水酸化
物を不活性分散媒で希釈してそのIr金属含有率を１〜20
at.％特に３〜10at.％としたものは、好ましいものであ
る。透明な不活性分散媒としては、例えば酸化ケイ素、
酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化チ
タン、酸化ハフニウム、酸化イツトリウム、酸化ランタ
ン、フツ化マグネシウム、酸化スズ、酸化インジウム、
ITOなどが使用される。層（Ｂ）は常態（安定状態）で
は無色又は淡色の透明な膜であり、膜厚は、一般に0.04
〜１μｍである。
上部電極層（Ｅ）は、上述の如く本発明では高抵抗な
電極層からなることを想定している。
電極層からなることを想定している。
それに対して、第３電極層（Ｆ）は上部電極層（Ｅ）
より少なくとも低抵抗な電極層である。
より少なくとも低抵抗な電極層である。
従って、上部電極層（Ｅ）に低温で成膜した高抵抗な
透明電極を使用した場合には、第３電極層（Ｆ）は高温
で成膜した透明電極を使用するか、場合により遥かに低
抵抗な金属電極を使用する。
透明電極を使用した場合には、第３電極層（Ｆ）は高温
で成膜した透明電極を使用するか、場合により遥かに低
抵抗な金属電極を使用する。
一般には第３電極層（Ｆ）は第２の基板（S2）上に形
成される。これは、特に透明電極材料で構成した第３電
極層（Ｆ）は非常に薄く自己支持性がないからである。
しかし、金属板のような第３電極（Ｆ）を使用する場合
には自己支持性があるので第２の基板（S2）は不要であ
る。尚、第２の基板（S2）は封止基板を兼ねてガラス基
板を使用することが好ましい。
成される。これは、特に透明電極材料で構成した第３電
極層（Ｆ）は非常に薄く自己支持性がないからである。
しかし、金属板のような第３電極（Ｆ）を使用する場合
には自己支持性があるので第２の基板（S2）は不要であ
る。尚、第２の基板（S2）は封止基板を兼ねてガラス基
板を使用することが好ましい。
導電性樹脂層（Ｈ）は、低抵抗（一般には垂直方向の
単位面積当たりの抵抗値10KΩ/cm2以下好ましくは100Ω
/cm2以下）である必要があり、一般には導電性粉末と樹
脂との混合物からなる。
単位面積当たりの抵抗値10KΩ/cm2以下好ましくは100Ω
/cm2以下）である必要があり、一般には導電性粉末と樹
脂との混合物からなる。
導電性粉末としては、例えばAl、Ag、Ni、Pt、Au、P
d、Cr、Ta、Ir、Ru、Rhなどの金属粉末、又はITO、Sn
O2、In2O3などの導電性酸化物粉末又はこれらの物質を
担体粉末の表面に付着させたものが使用される。粉末の
粒径としては、一般に１〜300μｍが適当であり、特に
５〜30μｍが好ましい。この程度の粒径であれば、樹脂
層（Ｈ）の電気抵抗は低くなり、光の透過性も余り邪魔
されない。
d、Cr、Ta、Ir、Ru、Rhなどの金属粉末、又はITO、Sn
O2、In2O3などの導電性酸化物粉末又はこれらの物質を
担体粉末の表面に付着させたものが使用される。粉末の
粒径としては、一般に１〜300μｍが適当であり、特に
５〜30μｍが好ましい。この程度の粒径であれば、樹脂
層（Ｈ）の電気抵抗は低くなり、光の透過性も余り邪魔
されない。
導電性粉末は、一般に樹脂100重量部に対して0.1〜50
重量部混入することが適当であり、特に１〜10重量部混
入することが好ましい。この程度の量であれば、樹脂層
（Ｈ）の電気抵抗は低くなり、光の透過性も余り邪魔さ
れない。
重量部混入することが適当であり、特に１〜10重量部混
入することが好ましい。この程度の量であれば、樹脂層
（Ｈ）の電気抵抗は低くなり、光の透過性も余り邪魔さ
れない。
導電性樹脂層（Ｈ）を構成する樹脂としては、上部電
極層（Ｅ）と第３電極層（Ｆ）とを重ね合わせるときに
は少なくとも液状でなければならず（何故ならば、固状
であると、両層の間に隙間ができやすく、層間抵抗又は
接触抵抗が増加するからである）、その後はそのまま液
状でも或いは硬化又は固化してもよい。硬化又は固化し
て、上部電極層（Ｅ）と第３電極層（Ｆ）とを強固に接
着するものは、第２の基板を使用するときに、それが封
止基板に兼用できるので好ましい。
極層（Ｅ）と第３電極層（Ｆ）とを重ね合わせるときに
は少なくとも液状でなければならず（何故ならば、固状
であると、両層の間に隙間ができやすく、層間抵抗又は
接触抵抗が増加するからである）、その後はそのまま液
状でも或いは硬化又は固化してもよい。硬化又は固化し
て、上部電極層（Ｅ）と第３電極層（Ｆ）とを強固に接
着するものは、第２の基板を使用するときに、それが封
止基板に兼用できるので好ましい。
樹脂は、接着性を考慮すると、例えばエポキシ樹脂、
ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル、フェノール樹脂な
どの熱硬化性樹脂又はその前駆体又は重合性モノマー
（例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メ
タ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ヒ
ドロキシエチル（メタ）アクリレートなどのアクリル酸
エステル、スチレン）が好ましい。ただし、硬化は常温
又はやや加熱した温度で進行するものが好ましい。何故
ならば、高温度ではEC層が劣化する恐れがあるからであ
る。接着することを考慮しなければ、例えば、ポリビニ
ルアルコール、CMC、寒天、ゼラチンなども使用するこ
とができる。
ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル、フェノール樹脂な
どの熱硬化性樹脂又はその前駆体又は重合性モノマー
（例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メ
タ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ヒ
ドロキシエチル（メタ）アクリレートなどのアクリル酸
エステル、スチレン）が好ましい。ただし、硬化は常温
又はやや加熱した温度で進行するものが好ましい。何故
ならば、高温度ではEC層が劣化する恐れがあるからであ
る。接着することを考慮しなければ、例えば、ポリビニ
ルアルコール、CMC、寒天、ゼラチンなども使用するこ
とができる。
導電性樹脂層（Ｈ）の厚さとしては、層間抵抗又は接
触抵抗を低くする目的からは、薄いことが好ましく、一
般には５〜300μｍ特に５〜50μｍが好ましい。これら
の厚みでは、光は十分に透過する。
触抵抗を低くする目的からは、薄いことが好ましく、一
般には５〜300μｍ特に５〜50μｍが好ましい。これら
の厚みでは、光は十分に透過する。
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。
明はこれに限定されるものではない。
第１図は、本実施例のECDの概略断面図である。図
は、一部デホルメしてあり正確な寸法比を有しない。
は、一部デホルメしてあり正確な寸法比を有しない。
（１）先ず、縦200mm×横200mm×厚さ1mmの大面積ガラ
ス基板（Ｓ）を用意し、この上に真空蒸着（基板温度:3
50℃）により、膜厚0.15μｍ、抵抗８Ω／□のITO膜か
らなる低抵抗電極層を形成した。次にホトエッチングよ
りパターニングして下部電極層（Ａ）を形成した。尚、
ホトエッチグに代えて、最初からマスク蒸着によりパタ
ーニングしてもよい。
ス基板（Ｓ）を用意し、この上に真空蒸着（基板温度:3
50℃）により、膜厚0.15μｍ、抵抗８Ω／□のITO膜か
らなる低抵抗電極層を形成した。次にホトエッチングよ
りパターニングして下部電極層（Ａ）を形成した。尚、
ホトエッチグに代えて、最初からマスク蒸着によりパタ
ーニングしてもよい。
（２）次に膜厚0.12μｍの酸化イリジウム−酸化スズ混
合膜からなる酸化着色性EC層（Ｂ）を反応真空蒸着によ
り形成した。
合膜からなる酸化着色性EC層（Ｂ）を反応真空蒸着によ
り形成した。
（３）その上に膜厚0.7μｍの五酸化タンタル膜からな
る透明イオン導電層（Ｃ）を蒸着により形成した。
る透明イオン導電層（Ｃ）を蒸着により形成した。
（４）更に蒸着により膜厚0.5μｍの三酸化タングステ
ン膜からなる還元着色性EC層（Ｄ）を形成した。
ン膜からなる還元着色性EC層（Ｄ）を形成した。
（５）その上に更に真空蒸着（基板温度:150℃）によ
り、膜厚0.15μｍ、抵抗60Ω／□のITO膜からなる高抵
抗の上部電極層（Ｅ）を形成した。
り、膜厚0.15μｍ、抵抗60Ω／□のITO膜からなる高抵
抗の上部電極層（Ｅ）を形成した。
（６）別途、基板（Ｓ）と同じ第２基板（S2）を用意
し、同様に膜厚0.15μｍ、抵抗８Ω／□の低抵抗ITO膜
からなる第３電極層（Ｆ）を形成した。
し、同様に膜厚0.15μｍ、抵抗８Ω／□の低抵抗ITO膜
からなる第３電極層（Ｆ）を形成した。
そして、第３電極層（Ｆ）の端の方に外部配線（LE）
を接続しておいた。
を接続しておいた。
（７）最後に、エポキシ樹脂の主剤に70重量部に対し
て、硬化剤30重量部を混合し、十分に混ぜ合わせた上、
樹脂100重量部に対して粒径10μｍの金属Ni粉末を５重
量部を混合し、全体を十分に混ぜ合わせた。この混合物
が硬化を始めないうちに、上部電極層（Ｅ）の上に塗布
し、その上に第２電極層（Ｆ）を重ね合わせた。常温で
20時間放置してエポキシ樹脂を硬化させ、層厚10μｍの
導電性樹脂層（Ｈ）を形成した。この樹脂層（Ｈ）垂直
方向の単位面積当たりの抵抗値は100Ω/cm2であった。
て、硬化剤30重量部を混合し、十分に混ぜ合わせた上、
樹脂100重量部に対して粒径10μｍの金属Ni粉末を５重
量部を混合し、全体を十分に混ぜ合わせた。この混合物
が硬化を始めないうちに、上部電極層（Ｅ）の上に塗布
し、その上に第２電極層（Ｆ）を重ね合わせた。常温で
20時間放置してエポキシ樹脂を硬化させ、層厚10μｍの
導電性樹脂層（Ｈ）を形成した。この樹脂層（Ｈ）垂直
方向の単位面積当たりの抵抗値は100Ω/cm2であった。
（８）こうして得られたECDの下部電極層（Ａ）の端に
外部配線（LA）を接続した。
外部配線（LA）を接続した。
（９）この透過型ECDに外部配線（LA）、（LE）を通じ
て駆動電源（Su）から着色電圧（＋1.35V）を印加する
と、基板（Ｓ）側から入射させた波長633nmの光（Ｌ）
に対し透過率が30％に減少するのに要した時間が５秒で
あった。この透過型は電圧印加を止めても、しばらく保
たれた。次に消色電圧（−1.35V）を印加すると、同じ
く透過率が70％に回復するのに要した時間が２秒であっ
た。これらの着色・消色の変化は均一に濃度が変化して
着色ムラが発生しなかった。
て駆動電源（Su）から着色電圧（＋1.35V）を印加する
と、基板（Ｓ）側から入射させた波長633nmの光（Ｌ）
に対し透過率が30％に減少するのに要した時間が５秒で
あった。この透過型は電圧印加を止めても、しばらく保
たれた。次に消色電圧（−1.35V）を印加すると、同じ
く透過率が70％に回復するのに要した時間が２秒であっ
た。これらの着色・消色の変化は均一に濃度が変化して
着色ムラが発生しなかった。
なお、エポキシ樹脂100重量部に対して、粒子径５μ
ｍのAl粉末を１重量部均一に混入した導電性樹脂層
（Ｈ）を用いたECDも製作したが、同様の特性を示し
た。Al粉末の場合、光沢があるので外観上の審美性が高
く、また防眩効果もあった。
ｍのAl粉末を１重量部均一に混入した導電性樹脂層
（Ｈ）を用いたECDも製作したが、同様の特性を示し
た。Al粉末の場合、光沢があるので外観上の審美性が高
く、また防眩効果もあった。
（比較例） 第２図は、本実施例のECDの概略断面図である。図
は、一部デホルメしてあり正確な寸法比を有しない。
は、一部デホルメしてあり正確な寸法比を有しない。
（１）先ず、縦200mm×横200mm×厚さ1mmの大面積ガラ
ス基板（Ｓ）を用意し、実施例と同様に下部電極層
（Ａ）、酸化着色性EC層（Ｂ）、透明イオン導電層
（Ｃ）、還元着色性EC層（Ｄ）及び抵抗60Ω／□の上部
電極層（Ｅ）を形成した。
ス基板（Ｓ）を用意し、実施例と同様に下部電極層
（Ａ）、酸化着色性EC層（Ｂ）、透明イオン導電層
（Ｃ）、還元着色性EC層（Ｄ）及び抵抗60Ω／□の上部
電極層（Ｅ）を形成した。
（６）次に下部電極層（Ａ）の端の方と上部電極層
（Ｅ）の端の方に外部配線（LA）、（LE）を接続し、上
部電極層（Ｅ）の上に封止樹脂としてエポキシ樹脂を塗
布し、その上に第２基板と同じ封止基板（Ｇ）を押し付
けて常温で20時間放置してエポキシ樹脂を硬化させるこ
とによりECDを製作した。
（Ｅ）の端の方に外部配線（LA）、（LE）を接続し、上
部電極層（Ｅ）の上に封止樹脂としてエポキシ樹脂を塗
布し、その上に第２基板と同じ封止基板（Ｇ）を押し付
けて常温で20時間放置してエポキシ樹脂を硬化させるこ
とによりECDを製作した。
（７）この透過型ECDに外部配線（LA）、（LE）を通じ
て駆動電源（Su）から着色電圧（＋1.35V）を印加する
と、基板（Ｓ）側から入射させた波長633nmの光（Ｌ）
に対し透過率が30％に減少するのに要した時間が30秒で
あった。次に消色電圧（−1.35V）を印加すると、同じ
く透過率が70％に回復するのに用した時間が15秒であっ
た。そして、これらの着色・消色の変化は部分的に濃度
が濃くなり着色ムラが著しかった。
て駆動電源（Su）から着色電圧（＋1.35V）を印加する
と、基板（Ｓ）側から入射させた波長633nmの光（Ｌ）
に対し透過率が30％に減少するのに要した時間が30秒で
あった。次に消色電圧（−1.35V）を印加すると、同じ
く透過率が70％に回復するのに用した時間が15秒であっ
た。そして、これらの着色・消色の変化は部分的に濃度
が濃くなり着色ムラが著しかった。
以上の通り、本発明によれば、高抵抗の上部電極層に
低抵抗の第３電極層を低抵抗な導電性樹脂を介して重ね
合わせて一体化するので、上部電極層が見掛け上低抵抗
化し、そして第３電極層から上部電極層の取出しを行な
うことにより、レスポンスが速くなり、着消色のムラが
なくなる。
低抵抗の第３電極層を低抵抗な導電性樹脂を介して重ね
合わせて一体化するので、上部電極層が見掛け上低抵抗
化し、そして第３電極層から上部電極層の取出しを行な
うことにより、レスポンスが速くなり、着消色のムラが
なくなる。
特に大面積のECDでも、レスポンスが速く、着消色の
ムラがないので、透過型ECDでは初めて大型化が実用的
になった。
ムラがないので、透過型ECDでは初めて大型化が実用的
になった。
第１図は、本発明の実施例にかかるECDの概略垂直断面
図である。 第２図は、従来及び比較例のECDの概略垂直断面図であ
る。 〔主要部分の符号の説明〕 Ｓ……基板 S2……第２基板 Ａ……下部電極層 Ｂ……可逆的電解酸化層又は酸化着色性EC層 Ｃ……イオン導電層 Ｄ……還元着色性EC層 Ｅ……上部電極層 Ｆ……第３電極層 Ｇ……封止用基板 Ｈ……導電性樹脂層 Ｒ……封止材 LA,LE……外部配線 Su……電源
図である。 第２図は、従来及び比較例のECDの概略垂直断面図であ
る。 〔主要部分の符号の説明〕 Ｓ……基板 S2……第２基板 Ａ……下部電極層 Ｂ……可逆的電解酸化層又は酸化着色性EC層 Ｃ……イオン導電層 Ｄ……還元着色性EC層 Ｅ……上部電極層 Ｆ……第３電極層 Ｇ……封止用基板 Ｈ……導電性樹脂層 Ｒ……封止材 LA,LE……外部配線 Su……電源
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に少なくとも下部電極層、エレクト
ロクロミック層及び高抵抗の上部電極層を積層してなる
エレクトロクロミック素子において、 前記上部電極層の上に、導電性樹脂層を介して該上部電
極層より低抵抗の第３電極層を重ね合わせ、かつ上部電
極層の取出しを第３電極層から行なうことを特徴とする
エレクトロクロミック素子。 - 【請求項２】前記導電性樹脂が、導電性粉末と樹脂との
混合物からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のエレクトロクロミック素子。 - 【請求項３】前記導電性粉末が、Al、Ag、Ni、Pt、Au、
Pd、Cr、Ta、Ir、Ru、Rhなどの金属粉末、又はITO、SnO
2、In2O3などの導電性酸化物粉末又はこれらの物質を担
体粉末の表面に付着させたものであることを特徴とする
特許請求の範囲第２項記載のエレクトロクロミック素
子。 - 【請求項４】前記導電性粉末が、１〜300μｍの粒径を
有することを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のエ
レクトロクロミック素子。 - 【請求項５】前記導電性粉末を、樹脂100重量部に対し
て0.1〜50重量部混入させたことを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載のエレクトロクロミック素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62082382A JP2512880B2 (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 第３電極層から電極取出しを行なつたｅｃ素子 |
| US07/174,472 US4824221A (en) | 1987-04-03 | 1988-03-28 | Electrochromic device |
| DE3810923A DE3810923A1 (de) | 1987-04-03 | 1988-03-30 | Elektrochromes bauelement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62082382A JP2512880B2 (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 第３電極層から電極取出しを行なつたｅｃ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63249132A JPS63249132A (ja) | 1988-10-17 |
| JP2512880B2 true JP2512880B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=13773033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62082382A Expired - Lifetime JP2512880B2 (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 第３電極層から電極取出しを行なつたｅｃ素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4824221A (ja) |
| JP (1) | JP2512880B2 (ja) |
| DE (1) | DE3810923A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3182198A1 (en) | 2015-12-16 | 2017-06-21 | Ricoh Company, Ltd. | Electrochromic device and electrochromic dimming device |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2649691B1 (fr) * | 1989-07-11 | 1992-10-30 | Saint Gobain Vitrage Int | Vitrage electrochrome |
| US5157540A (en) * | 1990-07-11 | 1992-10-20 | Toray Industries, Inc. | Electrochromic display device with improved absorption spectrum and method of producing it |
| US5122647A (en) * | 1990-08-10 | 1992-06-16 | Donnelly Corporation | Vehicular mirror system with remotely actuated continuously variable reflectance mirrors |
| US5148014A (en) * | 1990-08-10 | 1992-09-15 | Donnelly Corporation | Mirror system with remotely actuated continuously variable reflectant mirrors |
| DE4125448C2 (de) * | 1991-08-01 | 2003-11-06 | Continental Teves Ag & Co Ohg | Elektromotorischer Stellantrieb für eine zentrale Türverriegelungsanlage eines Kraftfahrzeugs |
| US5413739A (en) * | 1992-12-22 | 1995-05-09 | Coleman; James P. | Electrochromic materials and displays |
| US5754329A (en) * | 1992-12-22 | 1998-05-19 | Monsanto Company | Electrochromic display laminates |
| US5580496A (en) * | 1993-04-05 | 1996-12-03 | Sumitomo Metal Mining Company Limited | Raw material for producing powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the raw material, powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the powder, electroconductive paste and light-transmitting |
| US5657150A (en) * | 1993-09-10 | 1997-08-12 | Eyeonics Corporation | Electrochromic edge isolation-interconnect system, process, and device for its manufacture |
| US5790298A (en) * | 1994-05-03 | 1998-08-04 | Gentex Corporation | Method of forming optically transparent seal and seal formed by said method |
| US5876633A (en) * | 1995-12-26 | 1999-03-02 | Monsanto Company | Electrochromic metal oxides |
| CA2241286A1 (en) * | 1995-12-26 | 1997-07-03 | Monsanto Company | Electrochromic tin oxide |
| US5891511A (en) * | 1995-12-26 | 1999-04-06 | Monsanto Company | Addition of color to electrochromic displays |
| US5977162A (en) * | 1996-09-16 | 1999-11-02 | Seidman; Michael D. | Therapeutic treatment for auditory function |
| DE19640515A1 (de) * | 1996-10-01 | 1998-04-09 | Flachglas Ag | Elektrochromer Spiegel und Verfahren zum Herstellen eines elektrochromen Spiegels |
| US6665107B2 (en) * | 1997-04-02 | 2003-12-16 | Gentex Corporation | Electrochromic device having an electrically conductive seal |
| US5877888A (en) * | 1997-06-10 | 1999-03-02 | Monsanto Company | Single and double sided electrochromic displays |
| JPH11204267A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Sharp Corp | エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP3585033B2 (ja) * | 2000-04-29 | 2004-11-04 | 喜萬 中山 | カーボンナノコイル生成用のインジウム・スズ・鉄系触媒の製造方法 |
| US6831769B2 (en) * | 2001-07-09 | 2004-12-14 | E Ink Corporation | Electro-optic display and lamination adhesive |
| US7593154B2 (en) * | 2005-10-11 | 2009-09-22 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices having improved ion conducting layers |
| EP3624086A1 (en) | 2007-01-25 | 2020-03-18 | Magna Electronics Inc. | Radar sensing system for vehicle |
| US7884995B2 (en) * | 2007-06-27 | 2011-02-08 | Gentex Corporation | Electrochromic device having an improved fill port plug |
| US8345345B2 (en) | 2007-06-27 | 2013-01-01 | Gentex Corporation | Electrochromic device having an improved fill port plug |
| US7813023B2 (en) * | 2008-06-09 | 2010-10-12 | Magna Mirrors Of America, Inc. | Electro-optic mirror |
| FR2948356B1 (fr) | 2009-07-22 | 2011-08-19 | Saint Gobain | Dispositif electrochrome |
| US9205780B2 (en) | 2010-02-04 | 2015-12-08 | Magna Mirrors Of America, Inc. | Electro-optic rearview mirror assembly for vehicle |
| US20130141916A1 (en) * | 2010-03-11 | 2013-06-06 | National University Corporation Chiba University | Display device |
| JP5764098B2 (ja) * | 2012-07-17 | 2015-08-12 | 株式会社ホンダロック | 防眩ミラー、車両および防眩ミラーの製造方法 |
| US9057925B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-06-16 | Gentex Corporation | Fill port plugs for electrochromic devices |
| US9454054B2 (en) | 2013-11-18 | 2016-09-27 | Magna Mirrors Of America, Inc. | Electro-optic mirror element and process of making same |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3521941A (en) * | 1967-02-07 | 1970-07-28 | American Cyanamid Co | Electro-optical device having variable optical density |
| JPS50103584A (ja) * | 1974-01-22 | 1975-08-15 | ||
| FR2430054A1 (fr) * | 1978-06-30 | 1980-01-25 | Commissariat Energie Atomique | Cellule d'affichage electrolytique a depot metallique |
| JPS6031355B2 (ja) * | 1979-06-26 | 1985-07-22 | 株式会社ニコン | 全固体エレクトロクロミツク素子 |
| US4660939A (en) * | 1983-09-08 | 1987-04-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrochromic display device |
-
1987
- 1987-04-03 JP JP62082382A patent/JP2512880B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-03-28 US US07/174,472 patent/US4824221A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-30 DE DE3810923A patent/DE3810923A1/de not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3182198A1 (en) | 2015-12-16 | 2017-06-21 | Ricoh Company, Ltd. | Electrochromic device and electrochromic dimming device |
| US10126623B2 (en) | 2015-12-16 | 2018-11-13 | Ricoh Company, Ltd. | Electrochromic device and electrochromic dimming device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63249132A (ja) | 1988-10-17 |
| US4824221A (en) | 1989-04-25 |
| DE3810923A1 (de) | 1988-10-13 |
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