JP2512213B2 - Thermoelectric device and manufacturing method thereof - Google Patents
Thermoelectric device and manufacturing method thereofInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、薄膜状の熱電素子と磁石を使用し、エッチ
ングスハウゼン効果を利用することにより、電気的に冷
房もしくは暖房を行う空調装置、冷蔵庫等に用いる熱電
装置に関する。Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to an air conditioner, a refrigerator, etc. that electrically cools or heats by using a thin film thermoelectric element and a magnet and utilizing the etching-Shausen effect. The present invention relates to a thermoelectric device.
従来の技術 磁場をかけて電気を熱に変換、もしくはその逆を行う
エッチングスハウゼン素子は、従来は例えば特開昭63−
257282号公報に示されている。この素子は第６図に示す
ようにエッチングスハウゼン素子１がＮ極とＳ極を向か
い合って設置した磁石２に挟まれており、これらが絶縁
台３上に設置されたものである。エッチングスハウゼン
効果は、エッチングスハウゼン素子１に電流IxをＸ方向
に流し、その方向と垂直なＹ方向に磁束密度Byの磁場が
かかっている場合、Ｚ方向に温度勾配が生じるものであ
る。2. Description of the Related Art Etching Shausen elements that apply a magnetic field to convert electricity into heat or vice versa have hitherto been disclosed in, for example, JP-A-63-
It is disclosed in Japanese Patent No. 257282. As shown in FIG. 6, this element is such that an etching Shausen element 1 is sandwiched between magnets 2 having N and S poles facing each other, and these are placed on an insulating base 3. The etching-Shausen effect is such that when a current Ix is passed through the etching-Shaussen element 1 in the X direction and a magnetic field having a magnetic flux density By is applied in the Y direction perpendicular to the etching direction, a temperature gradient is generated in the Z direction.
また、このようなエッチングスハウゼン素子の製造方
法は以下のように行われている。まず、エッチングスハ
ウゼン素子材料としてBi元素やBi−Sb合金等を用いて、
溶融、焼成等の手段を用いて所定の形状に成形する。こ
のようにして得られたエッチングスハウゼン素子１と磁
石２を絶縁台３上に設置する。このようにして製造した
エッチングスハウゼン素子に電流を流すことによりＺ軸
方向の上下面で冷却および発熱を行うことができる。そ
して冷却能力の拡大は、素子数を増加させることにより
行い、冷却部と発熱部の温度差の拡大は、それらを多段
に積層することによって行う。A method of manufacturing such an etching Shausen element is performed as follows. First, by using Bi element or Bi-Sb alloy etc. as the etching Shausen element material,
It is formed into a predetermined shape by means of melting, firing, or the like. The etching Shausen element 1 and the magnet 2 thus obtained are placed on the insulating base 3. By passing a current through the thus-produced etching Shausen element, cooling and heat generation can be performed on the upper and lower surfaces in the Z-axis direction. The cooling capacity is expanded by increasing the number of elements, and the temperature difference between the cooling part and the heat generating part is expanded by stacking them in multiple stages.
発明が解決しようとする課題 しかしながら、このような構成の場合、 （ａ）上記従来例に示すバルク物質の形状をしたエッチ
ングスハウゼン素子では、平面状に冷却することが難し
い。However, in the case of such a configuration, (a) it is difficult to cool the etching-Shausen device having the shape of the bulk substance shown in the above-mentioned conventional example into a flat shape.
また、素子の並列や積層を行う場合に、 （ｂ）電流値に対して電圧値を大きくとるためには、素
子を直列に電気的に接続することが必要であるが、それ
ぞれの素子の電流方向を磁場に対して一定にしながら直
列に電気的連結を行うことが困難である。Further, when the elements are arranged in parallel or stacked, (b) it is necessary to electrically connect the elements in series in order to increase the voltage value with respect to the current value. It is difficult to make electrical connection in series while keeping the direction constant with respect to the magnetic field.
（ｃ）デバイスが大型化してしまう。(C) The device becomes large.
（ｄ）熱的に良好な接触が得られにくく効率が悪くな
る。(D) It is difficult to obtain good thermal contact, resulting in poor efficiency.
また、このような製造方法の場合は、 （ｅ）製造工程が連続的ではなく、素子や個々の部品を
それぞれ作製して組み立てるので、大量に製造する場
合、時間と手間がかかり、製造コストを下げられない。Further, in the case of such a manufacturing method, (e) the manufacturing process is not continuous, and each element or individual part is manufactured and assembled, so that it takes time and labor to mass-produce, and the manufacturing cost is low. I can't lower it.
（ｆ）半導体材料にとって性能を高くするために、磁場
方向に対する半導体結晶の結晶軸方向をそろえる場合
に、簡便で時間のかからない製造方法をとることが困難
である。(F) In order to improve the performance of a semiconductor material, it is difficult to adopt a simple and time-saving manufacturing method when aligning the crystal axis direction of the semiconductor crystal with the magnetic field direction.
本発明は上記の課題を解決するもので、小型、高効率
で、平面を通じて冷却を行うことができる新規な熱電装
置およびその製造方法を提供することを目的としてい
る。The present invention solves the above problems, and an object thereof is to provide a novel thermoelectric device that is small in size, highly efficient, and capable of cooling through a flat surface, and a manufacturing method thereof.
課題を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するために、電気絶縁性基板
上に薄膜状のエッチングスハウゼン素子および薄膜電極
部を設け、前記エッチングスハウゼン素子薄膜の面に平
行で薄膜中を流れる電流方向とは垂直な方向に磁場がか
かるように磁石を配してなるものである。Means for Solving the Problems In order to achieve the above object, the present invention provides a thin film etching Shaussen element and a thin film electrode portion on an electrically insulating substrate, and a thin film in parallel with the surface of the etching Shausen element thin film. A magnet is arranged so that a magnetic field is applied in a direction perpendicular to the direction of current flowing through the magnet.
また本発明による熱電装置の製造方法は、電気絶縁性
基板上に、エッチングスハウゼン素子薄膜を所定間隔で
絶縁して縞状に形成する工程と、前記エッチングスハウ
ゼン素子薄膜が電気的に直列となるように金属薄膜をマ
スク蒸着する電極形成工程と、磁場の方向が縞状に並ん
だエッチングスハウゼン素子薄膜を横切るように磁石を
電気絶縁性基板の両端へ設置する工程よりなるものであ
る。Further, the method for manufacturing a thermoelectric device according to the present invention comprises a step of electrically insulating the etching Shaussen element thin film on the electrically insulating substrate at predetermined intervals to form stripes, and the etching Shausen element thin film is electrically connected in series. Then, a step of forming electrodes by mask-depositing a metal thin film as described above, and a step of installing magnets on both ends of the electrically insulating substrate so that the direction of the magnetic field crosses the striped etching-Shausen element film.
作 用 本発明は上記のような構成もしくは製造方法によっ
て、得られる作用は次の通りある。Operation The present invention has the following actions obtained by the above-described configuration or manufacturing method.
（ア）エッチングスハウゼン素子薄膜の表面と裏面に温
度差がつくので平面状に冷却を行うことができる。(A) Etching Since there is a temperature difference between the front surface and the back surface of the Shausen element thin film, it is possible to perform planar cooling.
（イ）電気絶縁性基板上に設けられたエッチングスハウ
ゼン素子薄膜と磁石を用いた構成であるため、積層した
場合でもデバイスを小型にすることが出来る。(A) Since the etching Shausen element thin film provided on the electrically insulating substrate and the magnet are used, the device can be downsized even when laminated.
（ウ）エッチングスハウゼン素子薄膜を直列に接続する
ことにより電流値に対して電圧値を大きく取ることがで
きる。(C) Etching By connecting the Schauzen element thin films in series, a large voltage value can be obtained with respect to the current value.
（エ）真空製膜プロセスを用いて連続的で大量に製造を
行うことができる。(D) Continuous and large-scale production can be performed using a vacuum film forming process.
（オ）電気絶縁性基板にエッチングスハウゼン素子薄膜
を直接的に付着させるので、熱的な接触が良好である。(E) Since the etching Shausen element thin film is directly attached to the electrically insulating substrate, good thermal contact is achieved.
（カ）真空製膜プロセスを用いて結晶成長方向を制御す
ることにより、簡便に磁場に対して最も熱電効果が高く
なる結晶面を優先的に配向させることが可能である。(F) By controlling the crystal growth direction using the vacuum film forming process, it is possible to easily and preferentially orient the crystal plane having the highest thermoelectric effect with respect to the magnetic field.
実施例 以下、本発明の一実施例について第１図〜第５図を参
照しながら説明する。Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 5.
（実施例１） 第１図は本発明による熱電装置の一実施例の斜視図で
ある。(Embodiment 1) FIG. 1 is a perspective view of an embodiment of a thermoelectric device according to the present invention.
電気絶縁性基板４の両端には、Ｎ極とＳ極が対向した
磁石５が設置されている。また電気絶縁性基板４の表面
には、エッチングスハウゼン素子薄膜として短冊状の帯
状のBi88Sb12薄膜６がその短冊形の長辺を磁石５の対向
方向と垂直な方向に平行させて縞状に付着されている。
さらに、金属薄膜７、８、９が、各帯状に配置されたBi
88Sb12薄膜６を電気的に直列接続するように、Bi88Sb12
薄膜６の端部にそれぞれ付着されている。At both ends of the electrically insulating substrate 4, magnets 5 having N and S poles facing each other are installed. On the surface of the electrically insulative substrate 4, a strip-shaped Bi 88 Sb 12 thin film 6 as an etching Shausen element thin film is striped with its long sides parallel to the direction perpendicular to the magnet 5. Are attached in a shape.
Further, the metal thin films 7, 8 and 9 are Bi-shaped and arranged in strips.
88 Sb 12 As if the thin film 6 is electrically connected in series, Bi 88 Sb 12
They are attached to the ends of the thin film 6, respectively.
このような構成においてそれぞれ端子位置にある金属
薄膜８と金属薄膜９の間に直流電流を流すことにより、
Bi88Sb12薄膜６のそれぞれの表裏に温度差をつけること
ができる。この場合、磁場の向きに対してどのBi88Sb12
薄膜６も、電流が同じ向きに流れているので、それぞれ
の表裏には同じように高温部と低温部ができる。この温
度差を用いて電気的に冷却を行うことが可能となる。In such a configuration, by applying a direct current between the metal thin film 8 and the metal thin film 9 at the terminal positions, respectively,
A temperature difference can be applied to the front and back of each Bi 88 Sb 12 thin film 6. In this case, which Bi 88 Sb 12
Since the electric current flows in the same direction in the thin film 6 as well, a high temperature portion and a low temperature portion are similarly formed on the front and back sides. It becomes possible to electrically cool using this temperature difference.
この実施例における効果は、次の通りである。 The effects of this embodiment are as follows.
（キ）構造上、簡便に平面形状物質を冷却することが可
能となる。(G) Due to the structure, it becomes possible to easily cool the planar material.
（ク）薄膜を直列に接続することにより電流値に対して
電圧値を大きく取ることができる。(H) By connecting the thin films in series, a large voltage value can be obtained with respect to the current value.
（ケ）真空製膜プロセスを用いて連続的で大量に製造を
行うことができる。(Vi) Continuous and large-scale production can be performed using a vacuum film forming process.
（コ）電気絶縁性基板に半導体薄膜を直接的に付着させ
ているので、熱的な接触が良好である。(U) Since the semiconductor thin film is directly attached to the electrically insulating substrate, thermal contact is good.
（サ）製膜条件を制御し、Bi88Sb12における菱面体型結
晶格子のバイセクトリクス（bisectrix）軸を磁場の向
きと平行になるように結晶成長面を優先的に配向させる
ことにより、磁気ゼーベック係数を高くし、高効率の出
力を得ることも可能となる。(S) By controlling the film forming conditions and preferentially orienting the crystal growth surface so that the bisectrix axis of the rhombohedral crystal lattice in Bi 88 Sb 12 is parallel to the direction of the magnetic field, It is also possible to obtain a highly efficient output by increasing the Seebeck coefficient.
これは結晶軸の方向の揃った結晶性の基板上に真空蒸
着により薄膜を形成させることによって達成でき、その
際基板温度を高めるとさらに効果がある。This can be achieved by forming a thin film by vacuum vapor deposition on a crystalline substrate whose crystal axes are aligned, and it is more effective to raise the substrate temperature.
（実施例２） 第２図は、本発明による熱電装置の他の実施例の斜視
図である。(Embodiment 2) FIG. 2 is a perspective view of another embodiment of the thermoelectric device according to the present invention.
第２図では、第１図で示したBi88Sb12薄膜６と金属薄
膜７、８、９を付着した電気絶縁性基板４が１枚の熱電
素子部10を構成して、その熱電素子部10が熱的接触を確
保しながら複数枚積層されており、Ｎ極とＳ極が対向し
ている磁石５により挟まれて固定されている。In FIG. 2, the electrically insulating substrate 4 to which the Bi 88 Sb 12 thin film 6 and the metal thin films 7, 8 and 9 shown in FIG. 1 are attached constitutes one thermoelectric element part 10, and the thermoelectric element part 10 is formed. A plurality of layers 10 are stacked while ensuring thermal contact, and are fixed by being sandwiched by magnets 5 having an N pole and an S pole facing each other.
このような構成において、積層されたそれぞれの熱電
素子部10に電流を流すことにより熱電装置11の表裏に生
じる温度差は、それぞれの層の熱電素子部10の表裏に生
じる温度差の総和となる。In such a configuration, the temperature difference generated between the front and back of the thermoelectric device 11 by applying an electric current to each of the stacked thermoelectric element units 10 is the sum of the temperature differences generated between the front and back of the thermoelectric element unit 10 of each layer. .
この実施例における効果は、先述の実施例に加えて次
のものがある。The effects of this embodiment are as follows in addition to the above-mentioned embodiment.
（シ）熱電素子部10を積層することによりそれぞれの温
度差の効果が増幅されて、熱電素子11全体として表面と
裏面の間に大きな温度差をつけることができる。(Vi) By stacking the thermoelectric element portions 10, the effect of each temperature difference is amplified, and a large temperature difference can be provided between the front surface and the back surface of the thermoelectric element 11 as a whole.
（ス）電気絶縁性基板上に付着されたBi88Sb12薄膜（エ
ッチングスハウゼン素子薄膜）６と磁石５を用いた構成
であるため、積層した場合でも装置を小型にすることが
出来る。(S) Since the structure uses the Bi 88 Sb 12 thin film (etching Shausen element thin film) 6 and the magnet 5 attached on the electrically insulating substrate, the device can be downsized even when laminated.
（セ）温度勾配と対応させながらそれぞれの層に流す電
流値を変えてより温度差の効果を大きくとることができ
る。(E) The effect of the temperature difference can be further enhanced by changing the value of the current flowing in each layer while corresponding to the temperature gradient.
（ソ）真空製膜プロセスを用いて連続的で大量に製造を
行うことができる。It is possible to continuously and mass-produce using a (so) vacuum film forming process.
なお、エッチングスハウゼン効果は使用した材料の作
動温度にもよるから温度の勾配に沿って使用する半導体
の種類をその温度に適するように変えて積層することに
より、より温度差の効果を大きくとることができる。例
えば高温で作動させるのに適した材料としてはBi2（Se,
Te）３、低温には前述のBi88Sb12が好ましい。Since the etching-Shausen effect depends on the operating temperature of the material used, the effect of the temperature difference is further enhanced by changing the type of semiconductor used along the temperature gradient so as to be suitable for that temperature. be able to. For example, Bi 2 (Se,
Te) 3 and Bi 88 Sb 12 described above are preferable for low temperatures.
（実施例３） 第３図は、本発明による冷却器用熱電装置の他の実施
例の斜視図である。この実施例は、第２図で示した熱電
装置11の下部に放熱手段としての放熱フィン12を設置し
ている。(Embodiment 3) FIG. 3 is a perspective view of another embodiment of the thermoelectric device for a cooler according to the present invention. In this embodiment, a radiation fin 12 as a radiation means is installed below the thermoelectric device 11 shown in FIG.
（実施例４） 第４図は、さらに他の実施例の斜視図であり、水冷も
しくは空冷の冷却器13を設けた放熱器14を設置してい
る。(Embodiment 4) FIG. 4 is a perspective view of still another embodiment, in which a radiator 14 provided with a water-cooled or air-cooled cooler 13 is installed.
このような構成において、発熱部における放熱をより
効率よく行うことが可能となり、冷却効果をより高める
ことが可能となる。With such a configuration, it is possible to more efficiently dissipate heat in the heat generating portion, and it is possible to further enhance the cooling effect.
第５図（ａ）、（ｂ）は、本発明による熱電装置の製
造方法の一実施例を示す工程図である。5 (a) and 5 (b) are process drawings showing an embodiment of a method for manufacturing a thermoelectric device according to the present invention.
まず第５図（ａ）に示すように、電気絶縁性基板４の
表面にマスク蒸着もしくはエッチング等によりBi88Sb12
薄膜６を帯状に所定の間隔を確保しながら形成する。続
いて、第５図（ｂ）に示すように、Bi88Sb12薄膜６の端
部に金属薄膜７、８、９をそれぞれのBi88Sb12薄膜６が
直列接続されるようにマスク蒸着を行う。最後に電気絶
縁性基板４の両端部にＮ極とＳ極を対向させた磁石５を
磁場の方向が縞状に並んだ各Bi88Sb12薄膜６を横切るよ
うに設置する。First, as shown in FIG. 5A, Bi 88 Sb 12 is formed on the surface of the electrically insulating substrate 4 by mask vapor deposition or etching.
The thin film 6 is formed in a strip shape while ensuring a predetermined interval. Subsequently, as shown in FIG. 5 (b), a mask vapor deposition as Bi 88 Sb 12 on the end portion of the thin film 6 of the metal thin film 7, 8, 9 of each Bi 88 Sb 12 thin film 6 is connected in series To do. Finally, magnets 5 having N poles and S poles opposed to each other are installed at both ends of the electrically insulating substrate 4 so as to cross each Bi 88 Sb 12 thin film 6 in which magnetic field directions are arranged in stripes.
このように本実施例の製造方法では、エッチングスハ
ウゼン素子薄膜を電気絶縁性基板の表面に直接的に形成
する製造方法としている。したがって従来の製造方法と
比較して基板選択の自由度が広く、しかも準備が簡便で
また熱電装置完成までの工程も少なく、使用する金属の
量も非常にわずかで済ますことが可能となる。この結
果、熱電装置の生産性が大きく向上し、コストの低減を
図ることが可能となる。As described above, in the manufacturing method of this embodiment, the etching Schausen element thin film is directly formed on the surface of the electrically insulating substrate. Therefore, compared to the conventional manufacturing method, the degree of freedom in selecting a substrate is wide, the preparation is simple, the number of steps until the thermoelectric device is completed is small, and the amount of metal used can be extremely small. As a result, the productivity of the thermoelectric device is greatly improved, and the cost can be reduced.
なお、エッチングスハウゼン素子薄膜としては、Bi88
Sb12やBi2（Se,Te）３に限定されることはなく、他の金
属または半導体、例えばHgTe,HgSe,ヒ化カドミウム等、
エッチングスハウゼン効果を示す材料が使用可能である
ことは言うまでもない。In addition, as an etching Shausen element thin film, Bi 88
Not limited to Sb 12 or Bi 2 (Se, Te) 3 , other metals or semiconductors such as HgTe, HgSe, cadmium arsenide,
It goes without saying that a material exhibiting the etching-Shausen effect can be used.
発明の効果 以上のように本発明による熱電装置は、電気絶縁性基
板上に形成されたエッチングスハウゼン素子薄膜および
薄膜電極と前記エッチングスハウゼン素子薄膜の面に平
行で薄膜中を流れる電流方向とは垂直な方向に磁場がか
かるように磁石を配置した構成をとっているため、小
型、高効率で、平面状に冷却を行うことができる。EFFECTS OF THE INVENTION As described above, the thermoelectric device according to the present invention includes an etching Shausen element thin film and a thin film electrode formed on an electrically insulating substrate, and a direction of current flowing in the thin film parallel to the surface of the etching Shausen element thin film. Has a structure in which magnets are arranged so that a magnetic field is applied in the vertical direction, it is possible to perform cooling in a planar manner with small size and high efficiency.
また本発明による熱電装置の製造方法は、真空製膜プ
ロセスを用いた製造方法を用いているので、生産性が高
くなり、用いる材料も非常に少なくて済み、半導体薄膜
の結晶成長面を制御することも出来る。Further, the thermoelectric device manufacturing method according to the present invention uses the manufacturing method using the vacuum film forming process, so that the productivity is high, the material used is very small, and the crystal growth surface of the semiconductor thin film is controlled. You can also do it.
第１図は本発明の一実施例の熱電装置の斜視図、第２図
は本発明の他の実施例の熱電装置の斜視図、第３図、第
４図はそれぞれ本発明のさらに他の実施例の冷却用熱電
装置の斜視図、第５図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施
例の熱電装置の製造方法を示す工程図、第６図はエッチ
ングスハウゼン素子を用いた従来の熱電装置の斜視図で
ある。 ４……電気絶縁性基板、５……磁石、６……Bi88Sb12薄
膜（エッチングスハウゼン素子薄膜）、７、８、９……
金属薄膜（薄膜電極）。FIG. 1 is a perspective view of a thermoelectric device according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view of a thermoelectric device according to another embodiment of the present invention, and FIGS. 3 and 4 are still other views of the present invention. 5A and 5B are perspective views of the cooling thermoelectric device of the embodiment, FIG. 5A and FIG. 5B are process drawings showing the method of manufacturing the thermoelectric device of the embodiment of the present invention, and FIG. 6 uses an etching Shausen element. It is a perspective view of the conventional thermoelectric device. 4 ... Electrically insulating substrate, 5 ... Magnet, 6 ... Bi 88 Sb 12 thin film (etching Shausen element thin film), 7, 8, 9 ...
Metal thin film (thin film electrode).
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 行天 久朗 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−257282（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Kuro Gyoten 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (56) Reference JP-A-63-257282 (JP, A)
Claims (6)
した電気絶縁性基板と、その電気絶縁性基板の表面に前
記磁石の対向方向と垂直な方向に形成された帯状のエッ
チングスハウゼン素子薄膜と、その素子薄膜中を磁石の
対向方向に垂直な方向でそれぞれ同じ向きに電流が流れ
るように配置接続した薄膜電極とからなる熱電装置。1. An electrically insulating substrate having magnets with N and S poles facing each other at both ends, and a strip-shaped etching formed on the surface of the electrically insulating substrate in a direction perpendicular to the facing direction of the magnets. A thermoelectric device comprising a Shausen element thin film and thin film electrodes arranged and connected such that currents flow in the same direction in the element thin film in a direction perpendicular to the facing direction of the magnet.
を制御して、基板面に対してある特定の結晶面を優先的
に配向させた請求項１記載の熱電装置。2. The thermoelectric device according to claim 1, wherein the film forming conditions of the etching Shausen element thin film are controlled to preferentially orient a specific crystal plane with respect to the substrate surface.
して複数個積層した熱電装置。3. A thermoelectric device in which a plurality of thermoelectric devices according to claim 1 are stacked while ensuring thermal contact.
しかつエッチングスハウゼン素子薄膜の材料を変えて複
数個積層した熱電装置。4. A thermoelectric device in which a plurality of the thermoelectric devices according to claim 1 are laminated while ensuring thermal contact and by changing the material of the etching-Shausen element thin film.
子薄膜が付着していない面に放熱手段を設置した請求項
３記載の熱電装置。5. The thermoelectric device according to claim 3, wherein a heat radiating means is provided on the surface of the electrically insulating substrate to which the etching Shausen element thin film is not attached.
素子薄膜を所定間隔で絶縁して縞状に形成する工程と、
前記エッチングスハウゼン素子薄膜が電気的に直列とな
るように金属薄膜をマスク蒸着する電極形成工程と、磁
場の方向が縞状に並んだエチングスハウゼン素子薄膜を
横切るように磁石を電気絶縁性基板の両端へ設置する工
程とからなる熱電装置の製造方法。6. A step of forming a striped pattern by insulating a thin film of an etching Shausen element on an electrically insulating substrate at predetermined intervals.
An electrode forming step of mask-depositing a metal thin film so that the etching Shaussen element thin films are electrically connected in series, and a magnet electrically insulating substrate so that the direction of the magnetic field crosses the Etchingshausen element thin films arranged in stripes. A method of manufacturing a thermoelectric device, the method comprising the steps of:
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| JP2170614A JP2512213B2 (en) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | Thermoelectric device and manufacturing method thereof |
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