JP2506199B2 - Electronics - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子メモや電子手帳のようなデータ記憶用
メモリを有する電子機器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic device having a memory for data storage, such as an electronic memo or an electronic notebook.

従来の技術 第３図は、電子メモや電子手帳などデータ記憶用メー
モリを有する従来の電子機器におけるデータ破壊の検出
などを含む処理の流れを示すフロー図である。2. Description of the Related Art FIG. 3 is a flowchart showing a flow of processing including detection of data destruction in a conventional electronic device having a memory for storing data such as an electronic memo and an electronic notebook.

上記電子機器において、データ記憶用メモリはRAM（R
andom Access Memory;随時読出し書込みメモリ）からな
り、そのRAMの記憶領域のうち特定部分にはデータ破壊
の検出に供される破壊検出コードが書込まれている。In the above electronic device, the data storage memory is a RAM (R
andom Access Memory (read-write memory at any time), and a destruction detection code used for detection of data destruction is written in a specific portion of the storage area of the RAM.

第３図のフロー図において、まず最初のシステム立上
げ時（電池を装着したとき）には、リセット（ACL）状
態から実行が開始され、まずステップn1においてリセッ
ト後かどうかの判定に供されるACL後フラグの内容が
「１」か否か（「１」であるばリセット後と判定）がチ
ェックされる。電池装着時にはACL後フラグの内容は
「０」であり、次のステップn2においてACL後フラグの
内容は「１」に書替えられ、ついでステップn3において
データ記憶用RAMの全データがクリアされる。In the flow chart of FIG. 3, when the system is first started up (when the battery is installed), the execution is started from the reset (ACL) state, and the step n1 is used to judge whether or not after the reset. It is checked whether or not the content of the post-ACL flag is "1" (if it is "1", it is determined that the post-reset). When the battery is installed, the content of the post-ACL flag is "0", the content of the post-ACL flag is rewritten to "1" in the next step n2, and then all the data in the data storage RAM is cleared in step n3.

また、電子機器ぎその動作を開始するパワーオンの状
態に設定されると、ステップn4でデータ破壊の有無が判
別される。この判別は、データ記憶用RAMの記憶領域の
特定部分から破壊検出コードを読出し、その破壊検出コ
ードが破壊されているか否かをチェックすることによっ
て行われる。すなわち、破壊検出コードが破壊されてい
ない場合には本来のデータも破壊されていない（OK）と
判定され、以後の実行に移る。一方、電子機器のシステ
ム誤動作や外来ノイズなどによって破壊検出コードが破
壊されている場合には、本来のデータも破壊されている
（NG）と判定される。データが破壊されている（NG）と
判定された場合には、ステップn3においてデータ記憶用
RAMの全データが強制的にクリアされる。Further, when the power is turned on to start the operation of the electronic device, it is determined in step n4 whether the data is destroyed. This determination is performed by reading the destruction detection code from a specific portion of the storage area of the data storage RAM and checking whether or not the destruction detection code is destroyed. That is, when the destruction detection code is not destroyed, it is determined that the original data is not destroyed (OK), and the subsequent processing is started. On the other hand, when the destruction detection code is destroyed due to system malfunction of the electronic device or external noise, it is determined that the original data is also destroyed (NG). If it is determined that the data has been destroyed (NG), for data storage in step n3
All data in RAM is forcibly cleared.

なお、電池装着以後においてリセットが行われる場合
には、ステップn1においてACL後フラグの内容は「１」
と判定され、ステップn4に信号が移りデータ破壊の有無
が判別される。If the reset is performed after the battery is installed, the content of the post-ACL flag is "1" in step n1.
Then, the signal moves to step n4 and it is determined whether or not the data is destroyed.

発明が解決しようとする課題 しかしながら、上述した従来の電子機器においては、
データが部分的に破壊された場合でも、データ破壊が検
出それると使用者が知らない間に自動的に全データが消
失してしまうため、部分的に破壊されたデータを修復し
たり、一部データの破壊を承知の上でデータを保存する
といったデータ取扱い選択を使用者が行うないという問
題点があった。SUMMARY OF THE INVENTION However, in the above-described conventional electronic device,
Even if the data is partially destroyed, if data corruption is detected, all the data will be automatically lost without the user's knowledge. There is a problem that the user does not make a data handling selection such as saving the data after knowing that the partial data is destroyed.

また、破壊検出コードの破壊の有無から本来のデータ
の破壊を判別するようにしているため、データ破壊があ
ってもそれを検出できない場合があり、検出されない部
分的なデータ破壊のためにその後システムが暴走して使
用不能に陥ったり、全データが破壊されてしまうという
問題点もあった。In addition, since the original data destruction is determined based on the presence or absence of destruction of the destruction detection code, it may not be possible to detect even if there is data corruption. There was also a problem that it would run out of control and become unusable, or all data would be destroyed.

したがって、本発明の目的は、データの破壊の有無を
使用者が確実に知ることができ、また破壊されたデータ
のその後の取扱いを使用者が選択することのできる電子
機器を提供することである。Therefore, it is an object of the present invention to provide an electronic device in which a user can surely know whether or not data has been destroyed and which allows the user to select the subsequent handling of the destroyed data. .

課題を解決するための手段 本発明は、電池が装着されてシステムを立上げること
によってリセット状態とされ、その後にプログラムの実
行が行われ、 各種のデータおよび演算によって得られるデータを記
憶するデータ記憶用メモリ３を有する電子機器におい
て、 電池が装着されてシステムを立上げて電子機器のリセ
ット状態とされたことを検出する第１検出手段と、 データ記憶用メモリ３のデータの入力および修正を行
ったことを検出する第２検出手段と、 データ記憶用メモリ３の全データのチェック・サムを
計算するチェック・サム計算手段と、 データ記憶用メモリ３よりも低電圧側での動作電圧マ
ージンが大きく設定され、かつデータ記憶用メモリ３よ
りも外来ノイズに対するマージンが大きく設定され、チ
ェック・サム計算手段によって計算されたチェック・サ
ムを記憶するチェック・サム記憶用メモリ４と、 電子機器がその動作を開始するパワーオンの状態を検
出する第３検出手段と、 第１検出手段の検出出力に応答して、データ記憶用メ
モリ３およびチェック・サムが記憶用メモリ４をクリア
し、このクリア後、第２検出手段の検出出力に応答し
て、チェック・サム計算手段によってチェック・サムを
計算させ、その計算されたチェック・サムをチェック・
サム記憶用メモリ４に記憶する手段と、 第３の検出手段の検出出力に応答して、チェック・サ
ム計算手段によってチェック・サムを計算させ、その計
算されたチェック・サムをチェック・サム記憶用メモリ
４に記憶されているチェック・サムと比較し、その比較
の結果、不一致のとき、データ記憶用メモリ３のデータ
の破壊を検出するデータ破壊検出手段と、 使用者によって操作され、データ破壊検出手段の検出
出力に応答し、データ記憶用メモリ３に記憶されている
データを消去、保存、加工および処理などの複数種類の
データ処理のうちから１種類の処理の選択操作を促し、
その選択操作されたことを検出する選択操作手段と、 選択操作手段の出力に応答し、選択された前記１種類
の処理を、データ記憶用メモリ３に対して施す手段とを
含むことを特徴とする電子機器である。Means for Solving the Problems The present invention relates to a data storage that stores a variety of data and data obtained by computation by executing a program after a battery is mounted and a system is brought into a reset state to start up a system. In an electronic device having a memory 3 for memory, a first detecting means for detecting that a battery is mounted and the system is started up and the electronic device is in a reset state, and data of the memory 3 for data storage are inputted and corrected. Second detection means for detecting the fact that there is a checksum calculation means for calculating the checksum of all the data in the data storage memory 3, and a large operating voltage margin on the lower voltage side than the data storage memory 3. It is set, and the margin for external noise is set larger than that of the memory 3 for data storage. A checksum storage memory 4 for storing the checksum calculated by the above; a third detection means for detecting a power-on state in which the electronic device starts its operation; and a detection output of the first detection means. Then, the data storage memory 3 and the check sum clear the storage memory 4, and after this clear, in response to the detection output of the second detection means, the check sum calculation means calculates the check sum, Check that calculated checksum
In response to the detection output of the third storage means and the means for storing in the sum storage memory 4, the check sum calculation means is caused to calculate the check sum, and the calculated check sum is used for the check sum storage. Data destruction detection means for comparing the checksum stored in the memory 4 and detecting the destruction of the data in the data storage memory 3 when there is a mismatch as a result of the comparison, and for detecting the data destruction operated by the user. In response to the detection output of the means, the data stored in the data storage memory 3 is prompted to select one of a plurality of types of data processing such as erasing, saving, processing and processing,
A selection operation means for detecting that the selection operation has been performed; and a means for responding to an output of the selection operation means and performing the selected one type of processing on the data storage memory 3. It is an electronic device that does.

作 用 本発明に従えば、データの破壊があった場合にその事
実を使用者が知ることができ、さらに破壊されたデータ
を使用者の必要に対して消去したり、保存したり、加工
あるいは流修理するなどデータ処理の選択が自由にな
る。Operation According to the present invention, the user can be notified of the fact that data has been destroyed, and the destroyed data can be erased, stored, processed or processed according to the user's needs. Free choice of data processing such as repair.

特に本発明に従えば、第１検出手段（第２図のステッ
プS1,S2）によって、電池の装着などによるシステムを
電源によって立上げてリセットさたことが検出されたと
き、および第２検出手段（第２図のステップS4）によっ
て、データ記憶用メモリ３に各種のデータおよび演算に
よって得られるデータの入力および修正が行われたと
き、そのデータ記憶用メモリ３の全データの加算が行わ
れてチェック・サムが計算され、チェック・サム記憶用
メモリ４に記憶される。In particular, according to the present invention, when it is detected by the first detecting means (steps S1 and S2 in FIG. 2) that the system has been started up by the power source and reset by the power source, and the second detecting means. By (step S4 in FIG. 2), when various kinds of data and data obtained by calculation are input to and corrected in the data storage memory 3, all data in the data storage memory 3 are added. The checksum is calculated and stored in the checksum storage memory 4.

そこで第３検出手段（第２図のステップS7）によっ
て、パワーオンの状態が検出されると、チェック・サム
計算手段によってデータ記憶用メモリ３の全データのチ
ェック・サムが計算され、この計算されたチェック・サ
ムの値と、チェック・サム記憶用メモリ４に記憶されて
いる値とが比較され、不一致であれば、データの破壊が
生じたものと検出され、選択操作手段によって、操作者
はデータ記憶用メモリ３に記憶されているデータを消
失、保存、加工および修理などの複数種類のデータ処理
のうちから１種類の処理の選択を行って、その選択され
た１種類の処理をデータ記憶用メモリ３に対して施す。Then, when the power-on state is detected by the third detecting means (step S7 in FIG. 2), the check sum calculating means calculates the check sums of all the data in the data storage memory 3, and this is calculated. The check sum value and the value stored in the check sum storage memory 4 are compared, and if they do not match, it is detected that the data has been destroyed, and the operator operates the selection operation means. Data stored in the data storage memory 3 is selected from among a plurality of types of data processing such as loss, storage, processing and repair, and the selected one type of processing is stored in the data storage. It applies to the memory 3 for use.

このチェック・サム記憶用メモリ４は、データ記憶用
メモリ３に比べて低電圧側での動作電圧マージンおよび
外来ノイズに対するマージンが大きく設定されているの
で、記憶内容の信頼性が高い。The checksum storage memory 4 has a large operating voltage margin on the low voltage side and a large margin for external noise as compared with the data storage memory 3, so that the stored contents have high reliability.

実施例 第１図は、本発明の一実施例である電子機器の概略的
な構成を示すブロック図である。第１図において、演算
ユニット（以下、ALUと略称する）１は各種の信号処理
や演算を行う回路部であり、ROM（Read Only Memory;読
出し専用メモリ）２はシステム全体を動作させるブログ
ラムが書込まれた固定メモリである。また、データ記憶
用メモリ３は各種のデータおよび演算値・被演算値など
の演算によって得られるデータを一時記憶するRAMであ
る。なお、データを主に扱うシステムの場合には、上記
データ記憶用メモリ３の一部を電子機器の外部に拡張し
て設定する場合もある。Embodiment FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of an electronic device which is an embodiment of the present invention. In FIG. 1, an arithmetic unit (hereinafter abbreviated as ALU) 1 is a circuit unit that performs various kinds of signal processing and arithmetic, and a ROM (Read Only Memory) 2 is a program for operating the entire system. It is a fixed memory written. Further, the data storage memory 3 is a RAM for temporarily storing various data and data obtained by calculation of calculated values and calculated values. In the case of a system that mainly handles data, a part of the data storage memory 3 may be set outside the electronic device.

ALU1は上記データ記憶用メモリ３で記憶される全デー
タの加算値であるチェック・サムを計算する機能も有す
るが、その計算されたチェック・さむはRAMからなるチ
ェック・サム記憶用メモリ４によって記憶される。上記
チェック・サム記憶用メモリ４は、データ記憶用メモリ
３と比べて、その製造プロセスにおいて大きい動作電圧
マージン（特に低電圧側での動作電圧マージン）が設定
されて、電子機器に供給される電源が瞬間的に停止する
場合でも、チェック・サム記憶用メモリ４に記憶されて
いるデータ、つまりチェック・サムが消失しないように
している。さらに、チェック・サム記憶用メモリ４は、
データ記憶用メモリ３に比べて、その構成要素であるフ
リップフロップの動作インピーダンスが小さく設定さ
れ、その結果、外来ノイズに対するマージンが大きくな
っている。したがって、従来の電子機器におけるデータ
記憶用RAMに比べて、この実施例のチェック・サム記憶
用メモリ４はデータ破壊に対するマージンが大きい。The ALU1 also has a function of calculating a check sum, which is an added value of all the data stored in the data storage memory 3, but the calculated check sum is stored by the check sum storage memory 4 composed of RAM. To be done. The checksum storage memory 4 has a larger operating voltage margin (in particular, an operating voltage margin on the low voltage side) set in the manufacturing process thereof as compared with the data storage memory 3, and power supplied to the electronic device. The data stored in the checksum storage memory 4, that is, the checksum, is prevented from being lost even when is temporarily stopped. Furthermore, the checksum storage memory 4 is
As compared with the data storage memory 3, the operational impedance of its constituent flip-flop is set smaller, and as a result, the margin for external noise is larger. Therefore, the check sum storage memory 4 of this embodiment has a large margin against data destruction as compared with the data storage RAM in the conventional electronic equipment.

周辺回路５は、キー入力ポートや表示出力ポートなど
のための論理回路、バッファおよび表示部を含む回路で
ある。The peripheral circuit 5 is a circuit including a logic circuit for a key input port and a display output port, a buffer, and a display unit.

第２図は、上記電子機器におけるデータ破壊の検出な
どを含む処理の流れを示すフロー図である。このフロー
図を参照して、上記電子機器の動作を以下に説明する。FIG. 2 is a flowchart showing a flow of processing including detection of data destruction in the electronic device. The operation of the electronic device will be described below with reference to this flowchart.

まず、最初に電池を装着してシステムを立上げた場
合、電子機器のプログラムはリセット状態から開始さ
れ、ステップS1においてリセット後かどうかの判定に供
されるACL後フラグの内容がチェックされる。電池装着
時にはACL後フラグの内容は「０」であり、このとき次
のステップS2へと実行が移される。このステプS2でACL
後フラグの内容は「１」に書替えられ、ついでステップ
S3においてデータ記憶用メモリ３およびチェック・サム
記憶用メモリ４の全データがクリアされる。次にステッ
プS5に実行が移り、ここでデータ記憶用メモリ３の全デ
ータのチェック・サムがALU1によって計算され、ついで
ステップS6において算出されたチェック・サムがチェッ
ク・サム記憶用メモリ４に書込まれる。First, when a battery is first installed and the system is started up, the program of the electronic device is started from the reset state, and in step S1, the contents of the post-ACL flag used for determining whether or not after the reset are checked. When the battery is attached, the content of the post-ACL flag is "0", and at this time, the execution is shifted to the next step S2. ACL on this step S2
The content of the rear flag is rewritten to "1" and then step
At S3, all the data in the data storage memory 3 and the checksum storage memory 4 are cleared. Next, execution proceeds to step S5, where the checksum of all data in the data storage memory 3 is calculated by the ALU1, and then the checksum calculated in step S6 is written to the checksum storage memory 4. Be done.

また、データの入力や修正などが行われる場合には、
ステップS4においてそれに伴う処理が実行されたあと、
ステップS5,ステップS6を経て修正後のデータに対する
チェック・サムの算出および書込みが行われる。Also, when data is entered or modified,
After the accompanying processing is executed in step S4,
After steps S5 and S6, the check sum is calculated and written for the corrected data.

さらに、電子機器がその動作を開始するパワーオンの
状態に設定されると、ステップS7においてこのときのデ
ータ記憶用メモリ３の全データのチェック・サムがALU1
によって算出され、次のステップS8ではその算出された
チェック・サムとそれまでチェック・サム記憶用メモリ
４に記憶されていたチェック・サムとALU1によって比較
され、これらの値が一致しているかどうかがステップS9
において判定される。ここで一致している（OK）と判定
されると、以後データ破壊の検出以外の通常の実行に移
る。Furthermore, when the electronic device is set to the power-on state in which it starts its operation, in step S7, the check sum of all data in the data storage memory 3 at this time is ALU1.
Calculated in step S8, and in the next step S8, the calculated check sum is compared with the check sum previously stored in the check sum storage memory 4 by the ALU1, and it is determined whether these values match. Step S9
Is determined. If it is determined that they match (OK), then the normal execution other than the detection of data destruction is started.

正しい処理の流れの中では上記ステップS9において不
一致が発生することはないが、外来ノイズや電源電圧の
低下などによってデータ記憶用メモリ３のデータに破壊
が生じている場合には、ステップS9でチェック・サムが
不一致である（NG）と判定される。不一致と判定される
と、データが破壊されている可能性があるので次のステ
ップS10において「データが破壊されています」といっ
た趣旨のメッセージが周辺回路５に含まれる表示部から
出力される。In the correct process flow, no discrepancy occurs in the above step S9, but if the data in the data storage memory 3 is destroyed due to external noise or a drop in the power supply voltage, check in step S9. -It is determined that the thumbs do not match (NG). If it is determined that they do not match, there is a possibility that the data has been destroyed, so in the next step S10, a message to the effect that "the data has been destroyed" is output from the display unit included in the peripheral circuit 5.

これに引続いて、次のステップS11ではさらに「デー
タを消去する」、あるいは「破壊されたデータ群を１つ
のデータとしてそのまま保存する」といったメッセージ
が上記表示部から出力され、これによって使用者にデー
タの取扱いの選択を促す（ステップS12）。ここで使用
者が「データを消去する」方を選択すると、次のステッ
プS13でデータ記憶用メモリ３やチェック・サム記憶用
メモリ４の全データがクリアされる。これに対し、使用
者が「…そのまま保存する」方を選択する場合には、ス
テップS14によってデータ記憶用メモリ３上の複数のデ
ータが１つのデータとして保存される。残されたデータ
を使用者が加工あるいは修正する場合には、そのデータ
を再度複数のデータとして利用することもできる。Following this, in the next step S11, a message such as “Delete data” or “Save the destroyed data group as one data as it is” is output from the display unit, and the user is thereby notified. Prompt selection of data handling (step S12). If the user selects the "erase data", all the data in the data storage memory 3 and the checksum storage memory 4 are cleared in the next step S13. On the other hand, when the user selects "... Store as it is", a plurality of data on the data storage memory 3 are stored as one data in step S14. When the user processes or corrects the remaining data, the data can be reused as a plurality of data.

なお、電子装着以後の処理の流れの中でリセットが行
われる場合には、ステップS1においてACL後フラグの内
容は「１」と判定され、ステップS7以下の処理が行われ
データ破壊の有無が判別される。If a reset is performed in the process flow after electronic mounting, the content of the post-ACL flag is determined to be "1" in step S1, and the processes in and after step S7 are performed to determine the presence or absence of data destruction. To be done.

前述の第２図のステップS1において、電子機器に電池
が装着されてシステムを立上げて、その電子機器のイセ
ット状態とされたことが検出されると、ステップS2を経
てステップS3では、メモリ3,4がクリアされる。またス
テップS4において電子機器のデータ記憶用メモリ３への
データの入力および修正を行ったことが検出されること
によって、および前述のステップS3においてメモリ3,4
がクリアされた後、ステップS5においてチェック・サム
の計算が行われ、その計算されたチェック・サムがメモ
リ４にステップS6において記憶される。またステップS7
では、電子機器がその動作を開始するパワーオンの状態
が検出されることによって、チェック・サムの算出が行
われ、また電子機器のリセット状態とされたことがステ
ップS1において検出されたとき、同様にチェック・サム
の計算が行われる。In step S1 of FIG. 2 described above, when it is detected that the battery is attached to the electronic device and the system is started up and the electronic device is set to the reset state, the memory 3 is passed through step S2 and step S3. , 4 is cleared. Further, in step S4, it is detected that the data is input and corrected in the data storage memory 3 of the electronic device, and in the above-described step S3, the memories 3, 4
Is cleared, the checksum is calculated in step S5, and the calculated checksum is stored in the memory 4 in step S6. Also step S7
Then, the checksum is calculated by detecting the power-on state in which the electronic device starts its operation, and when the reset state of the electronic device is detected in step S1, the same applies. Checksum calculation is performed on.

発明の効果 以上のように、本発明の電子機器によれば、データの
破壊が検出された場合、その事実を使用者に知らせその
後のデータの取扱いを使用者に選択させるようにしてい
るので、使用者はデータの破壊を知ってその後データを
消去したり、保存し加工あるいは修正を施すなど必要に
応じた処理が可能となる。As described above, according to the electronic device of the present invention, when the destruction of data is detected, the fact is notified to the user, and the user is made to select the subsequent data handling. When the user knows that the data has been destroyed, he / she can then delete the data, store it, process it, or modify it as necessary.

特に本発明によれば、本件電子機器に電池が装着され
ることによってシステムが立上げられてリセット状態と
されたことが第１検出手段によって検出されると、デー
タ記憶用メモリ３およびチェック・サム記憶用メモリ４
がいずれもクリアされ、その後、チェック・さむ計算手
段によってチェック・サムが計算されてその計算された
チェック・サムがチェック・サム記憶用メモリ４に記憶
され、次いで、電子機器がその動作を開始するパワーオ
ンの状態となったことが第３検出手段によって検出され
ると、チェック・サムが計算され、その計算されたチェ
ック・サムを、チェック・サム記憶用メモリ４に記憶さ
れているチェック・サムとを比較して、不一致であれば
そのことによってデータ記憶用メモリ３のデータ破壊の
検出が行われて選択操作が促されるように構成されるの
で、電子機器の故障などが生じているかどうかその立上
げ直後で知ることが可能であるという優れた効果が達成
される。In particular, according to the present invention, when the first detecting means detects that the system has been started up and brought into the reset state by installing the battery in the electronic device of the present invention, the memory 3 for data storage and the check sum. Memory for storage 4
Are cleared, then the check sum is calculated by the check / sampling calculation means, the calculated check sum is stored in the check sum storage memory 4, and then the electronic device starts its operation. When the third detection means detects that the power is turned on, a checksum is calculated, and the calculated checksum is stored in the checksum storage memory 4. When it is disagreement, the data destruction of the data storage memory 3 is detected, and the selection operation is prompted. The excellent effect that it is possible to know immediately after startup is achieved.

また本発明によれば、チェック・サム記憶用メモリ４
は、データ記憶用メモリ３よりも低電圧側での動作電圧
マージンが大きく設定され、かつデータ記憶用メモリ３
よりも外来ノイズに達するマージンが大きく設定される
ので、電圧低下および外来ノイズによる記憶内容の変化
が生じにくく、したがってチェック・サム記憶用メモリ
４の記憶されているチェック・サムの信頼性が高くな
る。これによってデータ記憶用メモリ３のデータ破壊の
誤検出をなくすことができるという効果が達成される。According to the present invention, the checksum storage memory 4 is also provided.
Is set to have a larger operating voltage margin on the lower voltage side than the data storage memory 3, and the data storage memory 3
Since the margin to reach the external noise is set larger than that, the change in the stored contents due to the voltage drop and the external noise is less likely to occur, and therefore the reliability of the check sum stored in the check sum storage memory 4 is improved. . This achieves the effect of eliminating erroneous detection of data destruction of the data storage memory 3.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第１図は本発明の一実施例である電子機器の概略的な構
成を示すブロック図、第２図はその電子機器のデータ破
壊検出を含む処理の流れを示すフロー図、第３図は従来
の電子機器のデータ破壊検出を含む処理の流れを示すフ
ロー図である。 １……ALU、２……ROM、３……データ記憶用メモリ、４
……チェック・サム記憶用メモリ、５……周辺回路FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of an electronic device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a flow diagram showing a flow of processing including data destruction detection of the electronic device, and FIG. It is a flowchart which shows the flow of a process including the data destruction detection of the said electronic device. 1 ... ALU, 2 ... ROM, 3 ... memory for data storage, 4
...... Memory for checksum storage, 5 ...... Peripheral circuit

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】電池が装着されてシステムを立上げること
によってリセット状態とされ、その後にプログラムの実
行が行われ、 各種のデータおよび演算によって得られるデータを記憶
するデータ記録用メモリ３を有する電子機器において、 電池が装着されてシステムを立上げて電子機器のリセッ
ト状態とされたことを検出する第１検出手段と、 データ記憶用メモリ３のデータの入力および修正を行っ
たことを検出する第２検出手段と、 データ記憶用メモリ３の全データのチェック・サムを計
算するチェック・サム計算手段と、 データ記憶用メモリ３よりも低電圧側での動作電圧マー
ジンざ大きく設定され、かつデータ記憶用メモル３より
も外来ノイズに対するマージンが大きく設定され、チェ
ック・サム計算手段によって計算されたチェック・サム
を記憶するチェック・サム記憶用メモリ４と、 電子機器がその動作を開始するパワーオンの状態を検出
する第３検出手段と、 第１検出手段の検出出力に応答して、データ記憶用メモ
リ３およびチェック・サム記憶用メモリ４をクリアし、
このクリア後、剤２検出手段の検出出力に応答して、チ
ェック・サム計算手段によってチェック・サムを計算さ
せ、その計算されたチェック・サムをチェック・サム記
憶用メモリ４に記憶する手段と、 第３検出手段の検出出力に応答して、チェック・サム計
量手段によってチェック・サムを計算させ、その計算さ
れたチェック・サムをチェック・サム記憶用メモリ４に
記憶されているチェック・サムと比較し、その比較の結
果、不一致のとき、データ記憶用メモリ３のデータの破
壊を検出するデータ破壊検出手段と、 使用者によって操作され、データ破壊検出手段の検出出
力に応答し、データ記憶用メモリ３に記憶されているデ
ータを消去、保存、加工および修理などの複数種類のデ
ータ処理のうちから１種類の処理の選択操作を促し、そ
の選択操作されたことを検出する選択操作手段と、 選択操作手段の出力に応答し、選択された前記１種類の
処理を、データ記憶用メモリ３に対して施す手段とを含
むことを特徴とする電子機器。1. An electronic device having a data recording memory 3 in which a battery is mounted and a system is started up to be in a reset state, after which a program is executed, and various data and data obtained by calculation are stored. In the device, a first detecting means for detecting that the battery is mounted and the system is started up and the electronic device is in a reset state, and a first detecting means for detecting that the data of the data storage memory 3 is input and corrected. 2 detection means, checksum calculation means for calculating the checksum of all the data in the data storage memory 3, and a larger operating voltage margin on the low voltage side than the data storage memory 3 and data storage The margin for external noise is set to be larger than that of the memory 3 and the checksum calculated by the checksum calculation means. A memory 4 for storing a checksum for storing a sum, a third detecting means for detecting a power-on state in which an electronic device starts its operation, and a memory for storing data in response to a detection output of the first detecting means Clear the memory 3 and the checksum storage memory 4,
After this clearing, in response to the detection output of the agent 2 detecting means, a means for causing the check sum calculating means to calculate a check sum, and storing the calculated check sum in the check sum storage memory 4, In response to the detection output of the third detection means, the checksum weighing means calculates a checksum, and the calculated checksum is compared with the checksum stored in the checksum storage memory 4. If the result of the comparison is that they do not match, a data destruction detecting means for detecting the destruction of the data in the data storing memory 3 and a memory for storing the data which is operated by the user and responds to the detection output of the data destruction detecting means. The data stored in 3 is urged to select one type of data processing among multiple types of data processing such as deletion, storage, processing and repair. It is characterized by including a selection operation means for detecting that the selection operation has been performed, and a means for responding to the output of the selection operation means and performing the selected one type of processing on the data storage memory 3. Electronics.