JP2506046B2 - Ga-based film forming material, Ga-based film forming method, and Ga-based film - Google Patents
Ga-based film forming material, Ga-based film forming method, and Ga-based filmInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、高純度Ｇａ，Ｇａ2 Ｏ
3 ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，ＧａＡｌＡｓあるいはＧａＮと
いったＧａ系膜（Ｇａ含有膜）を形成する為のＧａ源と
なる材料及びＧａ系膜の形成方法並びにＧａ系膜に関す
るものである。The present invention relates to high purity Ga, Ga 2 O.
The present invention relates to a Ga source material for forming a Ga-based film (Ga-containing film) such as 3 , GaAs, GaP, GaAlAs, or GaN, a method for forming the Ga-based film, and a Ga-based film.
【０００２】[0002]
【発明の背景】ガリウムの薄膜気相成長法に使用される
原料として、一般的に、有機金属、例えばトリメチルガ
リウムＧａ（ＣＨ3 ）3 やトリエチルガリウムＧａ（Ｃ
2 Ｈ5）3 などのトリアルキルガリウムが用いられてい
る。しかしながら、これらの原料はＧａ−Ｃ結合を持つ
為、求める薄膜に炭素が混入してしまうと言う欠点があ
る。又、これらの原料は酸素による劣化を招き、アルコ
キシド結合（Ｇａ−Ｏ−Ｒ）が混在してしまう結果、求
める薄膜に酸素が混入と言った欠点も起きてしまう。BACKGROUND OF THE INVENTION As a raw material used in a thin film vapor phase epitaxy method of gallium, an organic metal such as trimethylgallium Ga (CH 3 ) 3 or triethylgallium Ga (C) is generally used.
Trialkylgallium such as 2 H 5 ) 3 is used. However, since these raw materials have a Ga—C bond, there is a drawback that carbon is mixed in the desired thin film. In addition, these raw materials are deteriorated by oxygen and alkoxide bonds (Ga-O-R) are mixed, resulting in a defect that oxygen is mixed in a desired thin film.
【０００３】更に、トリメチルガリウムなどは空気中で
発火し、酸素を断つ以外消火が困難であり、又、水と爆
発的に反応すると言う欠点もあり、その取扱いが極めて
面倒であり、かつ、取扱施設に多大な費用が掛かる問題
も有る。又、Ｇａ膜ではなく、ＧａＡｌＡｓ等のような
混晶の作成に際し、そのＡｌ源としてトリメチルアルミ
ニウムやトリエチルアルミニウムに代わって水素化アル
ミニウム（アラン）・アミン付加物（ＡｌＨ3 ・Ｎ
Ｒ3 ）が提案されている。このＡｌＨ3 ・ＮＲ3 は、ト
リメチルアルミニウムのようにＡｌ−Ｃ結合を持ってい
ないことから、炭素などの混入を低減できると言われて
いる。Further, trimethylgallium and the like ignite in the air and are difficult to extinguish except for cutting off oxygen, and also have the drawback of explosively reacting with water, and the handling thereof is extremely troublesome. There is also a problem that the facility costs a lot of money. Further, when a mixed crystal such as GaAlAs is formed instead of the Ga film, aluminum hydride (alan) / amine adduct (AlH 3 · N) is used as the Al source instead of trimethylaluminum or triethylaluminum.
R 3 ) has been proposed. This AlH 3 · NR 3 does not have an Al—C bond like trimethylaluminum, and is therefore said to be able to reduce the inclusion of carbon and the like.
【０００４】そこで、このような観点から、ガリウムの
原料源においてもガラン（水素化ガリウム）・トリメチ
ルアミン付加体やガラン・ジメチルアミン付加体などが
考えられているものの、現実性には乏しいものであっ
た。すなわち、アラン・アミン付加物はトリメチルガリ
ウムと気相で反応し、 AlH3・NR3 ＋(CH3)3Ga → Al＋3/2H2 ＋(CH3)3Ga・NR
3 となることから、ＧａＡｌＡｓ等のような混晶の作成に
際してアラン・アミン付加物とトリメチルガリウムとを
使用することには大きな問題が有る。From this point of view, therefore, although a raw material source of gallium, such as a galane (gallium hydride) / trimethylamine adduct or a galane / dimethylamine adduct, is considered, it is not practical. It was That is, the alan-amine adduct reacts with trimethylgallium in the gas phase, and AlH 3 · NR 3 + (CH 3 ) 3 Ga → Al + 3 / 2H 2 + (CH 3 ) 3 Ga · NR
Since the 3 major problems is present in the use of the mixed crystal Alan amine adduct and trimethylgallium in preparing such as GaAlAs, and the like.
【０００５】かつ、ガラン・トリメチルアミン付加体や
ガラン・ジメチルアミン付加体は常温下で下記の式に示
すように分解し易く、安定性に乏しいことから、使用に
際しては問題が大きい。すなわち、使用中や保存時に分
解が進み、原料の大半を失ってしまうことになる。 GaH3・N(CH3)3 → Ga＋3/2H2 ＋N(CH3)3 GaH3・HN(CH3)2 → Ga＋3/2H2 ＋HN(CH3)2 Further, the galane / trimethylamine adduct and the galane / dimethylamine adduct are easily decomposed at room temperature as shown by the following formula, and are poor in stability, so that there is a great problem in use. That is, the decomposition proceeds during use or storage, and most of the raw materials are lost. GaH 3 · N (CH 3) 3 → Ga + 3 / 2H 2 + N (CH 3) 3 GaH 3 · HN (CH 3) 2 → Ga + 3 / 2H 2 + HN (CH 3) 2
【０００６】[0006]
【発明の目的】本発明者は、ガリウムの気相成長法にお
いてその原料として有望とされているガラン（水素化ガ
リウムＧａＨ3 ）の不安定さを解決する為の研究を鋭意
押し進めて行くうちに、不安定なガラン・アミン付加物
のアミンの構造を工夫することによって安定なガラン・
アミン付加物となることが判って来た。OBJECTS OF THE INVENTION The present inventor has earnestly pursued research for solving the instability of galane (gallium hydride GaH 3 ) which is promising as a raw material for vapor phase growth of gallium. , Stable galane-amine by devising the amine structure of unstable galane-amine adduct
It has been found to be an amine adduct.
【０００７】すなわち、ＧａＨ3 ・Ｎ（ＣＨ3)3 が不安
定となることについての研究を押し進めて行くうちに、
トリメチルアミンなどは下記の〔化１〕に示される如
く、[0007] That is, while pushing forward the research on the instability of GaH 3 · N (CH 3 ) 3 ,
Trimethylamine and the like are as shown in [Chemical Formula 1] below.
【０００８】[0008]
【化１】 Embedded image
【０００９】室温のエネルギーレベルにおいて反転が簡
単に起こり、この為ガランに配位したアミンの背後から
隣接分子のガリウムあるいは他の金属若しくはカチオン
Ｍが接近すると、下記の〔化２〕に示される如く、At room temperature energy level, inversion easily occurs, and when gallium or other metal or cation M of an adjacent molecule approaches from behind the amine coordinated with galane, as shown in the following [Chemical formula 2]. ,
【００１０】[0010]
【化２】 Embedded image
【００１１】が簡単に起き、アミンの脱落が起きてしま
い、そして一度アミンが失われたガランＧａＨ3 は直ぐ
分解してしまうと言ったことが判って来たのである。従
って、室温のエネルギーレベルにおいて反転が簡単に起
きることがないアミンを用いれば良いであろうとの啓示
を得るに至った。そして、このような観点からの研究を
鋭意押し進めて行った結果、これまでのアミン構造とは
全く異なるボール構造を有するキヌクリジンを用いれば
良いであろうとの結論に到達するに至ったのである。It has become clear that the reaction occurs easily, the amine is lost, and the Galan GaH 3 which has lost the amine is decomposed immediately. Therefore, we have reached the revelation that it would be better to use an amine that does not easily invert at room temperature energy levels. Then, as a result of earnestly conducting research from such a viewpoint, it came to the conclusion that it would be better to use quinuclidine having a ball structure completely different from the amine structure up to now.
【００１２】このような知見を基にして本発明が達成さ
れたものであり、本発明の目的は、高純度Ｇａ，Ｇａ2
Ｏ3 ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，ＧａＡｌＡｓあるいはＧａＮ
といったＧａ系膜（Ｇａ含有膜）を簡単、かつ、低廉な
コストで形成する技術を提供することである。この本発
明の目的は、水素化ガリウム・キヌクリジン付加体から
なることを特徴とするＧａ系膜形成材料によって達成さ
れる。The present invention has been achieved on the basis of such knowledge, and the object of the present invention is to obtain high-purity Ga and Ga 2
O 3 , GaAs, GaP, GaAlAs or GaN
It is an object of the present invention to provide a technique for forming such a Ga-based film (Ga-containing film) simply and at low cost. The object of the present invention is achieved by a Ga-based film forming material characterized by comprising a gallium hydride / quinuclidine adduct.
【００１３】又、水素化ガリウム・キヌクリジン誘導体
付加体からなることを特徴とするＧａ系膜形成材料によ
って達成される。又、水素化ガリウム・キヌクリジン付
加体を気相分解させ、ガリウムを基板上に堆積させるこ
とを特徴とするＧａ系膜形成方法によって達成される。
又、水素化ガリウム・キヌクリジン誘導体付加体を気相
分解させ、ガリウムを基板上に堆積させることを特徴と
するＧａ系膜形成方法によって達成される。Further, it is achieved by a Ga-based film forming material characterized by comprising an adduct of gallium hydride / quinuclidine derivative. Further, it is achieved by a Ga-based film forming method characterized by vapor-decomposing a gallium hydride / quinuclidine adduct and depositing gallium on a substrate.
Further, it can be achieved by a Ga-based film forming method characterized by vapor-decomposing a gallium hydride / quinuclidine derivative adduct and depositing gallium on a substrate.
【００１４】又、上記のＧａ系膜形成方法により基板上
にＧａ系膜が形成されてなるＧａ系膜によって達成され
る。尚、上記Ｇａ系膜形成方法において、気相化は加熱
手段、減圧手段、及びキャリアーガス使用手段の中から
選ばれる手段を採用することが出来、又、分解は、熱分
解、光分解、反応分解、プラズマ分解、マイクロ波分解
などの手段を採用することが出来る。Further, it is achieved by a Ga-based film formed by forming the Ga-based film on the substrate by the above-described Ga-based film forming method. In the above Ga-based film forming method, vaporization can be performed by means selected from heating means, pressure reducing means, and carrier gas using means, and decomposition can be achieved by thermal decomposition, photodecomposition, or reaction. Means such as decomposition, plasma decomposition, and microwave decomposition can be adopted.
【００１５】尚、上記発明における水素化ガリウム・キ
ヌクリジン付加体は下記の〔化３〕The gallium hydride / quinuclidine adduct in the above invention is represented by the following [Chemical Formula 3]
【００１６】[0016]
【化３】 Embedded image
【００１７】の構造を有するものであり、そしてキヌク
リジン誘導体は下記の〔化４〕The quinuclidine derivative has the following structure:
【００１８】[0018]
【化４】 Embedded image
【００１９】〔Ｒ1 ，Ｒ2 〜Ｒ13はＨ、又はメチル基、
エチル基などのアルキル基（Ｃn Ｈ 2n+1）、エチレン基
などのアルケニル基（Ｃn Ｈ2n）、アセチレン基などの
アルキニル基（Ｃn Ｈ2n-1）、シクロヘキシル基などの
シクロアルキル基、フェニル基などの芳香族基といった
炭化水素であり、全てが同一であっても良く、又、異な
っていても良い。尚、炭素数は１〜１０の炭化水素が好
ましいものである。〕の構造を有するものである。[R1, R2~ R13Is H or a methyl group,
Alkyl group such as ethyl group (CnH 2n + 1), Ethylene group
Alkenyl groups such as (CnH2n), Acetylene group, etc.
Alkynyl group (CnH2n-1), Cyclohexyl group, etc.
Aromatic groups such as cycloalkyl groups and phenyl groups
Hydrocarbons, all of which may be the same or different
You can Incidentally, a hydrocarbon having 1 to 10 carbon atoms is preferable.
It is a good thing. ] It has a structure of.
【００２０】上記のような構造の水素化ガリウム・キヌ
クリジン付加体は次のようにして製造される。先ず、例
えば市販のキヌクリジン塩酸塩０．２７モルに、−７８
℃で１時間かけて水素化リチウムガリウムのエーテル溶
液（０．２７モルの塩化ガリウムと水素化リチウムより
合成）を不活性気流下で加えた。この混合物を１日かけ
て室温に昇温させた後、減圧下で生じた塩化リチウムを
濾過して除去した。The gallium hydride / quinuclidine adduct having the above structure is produced as follows. First, for example, to commercially available quinuclidine hydrochloride 0.27 mol, -78
An ether solution of lithium gallium hydride (synthesized from 0.27 mol gallium chloride and lithium hydride) was added under an inert gas stream at 1 ° C over 1 hour. After the temperature of this mixture was raised to room temperature over 1 day, lithium chloride generated under reduced pressure was removed by filtration.
【００２１】濾液を濃縮して得た白色固体を減圧下
（０．３ｍｍＨｇ、４０〜５０℃）で昇華精製した。こ
のようにして得られた目的物は無色のプリズム晶状の固
体（ｍ．ｐ．９７〜１００℃）であり、有機定量分析に
よればＣが４５．６６％、Ｈが８．５７％、Ｎが７．４
６％であり、水素化ガリウム・キヌクリジン付加体Ｃ7
Ｈ16ＮＧａの理論値Ｃ＝４５．７１％、Ｈ＝８．７７
％、Ｎ＝７．６２％に一致するものであった。そして、
水とは穏やかに反応し、又、希酸とは激しく反応し、水
素ガスが発生した。The white solid obtained by concentrating the filtrate was purified by sublimation under reduced pressure (0.3 mmHg, 40 to 50 ° C.). The target product thus obtained is a colorless prismatic solid (mp 97 to 100 ° C.), and according to organic quantitative analysis, C is 45.66%, H is 8.57%, N is 7.4
6%, gallium hydride / quinuclidine adduct C 7
Theoretical value for H 16 NGa C = 45.71%, H = 8.77
%, N = 7.62%. And
Reacts mildly with water and violently with dilute acid, generating hydrogen gas.
【００２２】以下、本発明について具体的実施例を挙げ
て説明する。The present invention will be described below with reference to specific examples.
【００２３】[0023]
【実施例】〔実施例１〕図１は、本発明に係るＧａ系膜
形成方法を実施する為の装置の概略図である。同図中、
１は水素若しくは他の不活性キャリアガスが充填されて
いるガスボンベ、２はキャリアガスの流量制御器、３は
上記の〔化３〕で表されるキヌクリジン・ガラン付加体
が入った容器、４はガスや化合物を輸送する配管、５は
キヌクリジン・ガラン付加体を分解させる反応炉、６は
ガリウムを堆積させる基板、７は加熱器、８は液体チッ
素により冷却された分解物捕集トラップ、９は真空ポン
プである。EXAMPLES Example 1 FIG. 1 is a schematic view of an apparatus for carrying out the Ga-based film forming method according to the present invention. In the figure,
1 is a gas cylinder filled with hydrogen or another inert carrier gas, 2 is a carrier gas flow controller, 3 is a container containing the quinuclidine-gallan adduct represented by the above [Chemical Formula 3], and 4 is Pipes for transporting gases and compounds, 5 is a reaction furnace for decomposing the quinuclidine-galane adduct, 6 is a substrate for depositing gallium, 7 is a heater, 8 is a decomposition product trap trap cooled by liquid nitrogen, 9 Is a vacuum pump.
【００２４】このような装置において、装置内を真空ポ
ンプ９により高真空（例えば、１０ -3Ｔｏｒｒ）に排気
し、そして基板６を３００〜３５０℃に加熱した。続い
て、容器３を５０〜７０℃に加熱し、キャリアガスを流
してキヌクリジン・ガラン付加体を反応炉５内に導い
た。そして、約２時間かけてＧａの堆積を行わせた。In such an apparatus, a vacuum port is placed inside the apparatus.
High vacuum (for example, 10 -3Exhaust to Torr)
And substrate 6 was heated to 300-350 ° C. Continued
And heat the container 3 to 50 to 70 ° C. to flow the carrier gas.
Then, introduce the quinuclidine-gallan adduct into the reaction furnace 5.
Was. Then, Ga was deposited for about 2 hours.
【００２５】このようにして得られた基板６上のＧａ薄
膜をＥＤＸによって調べると、Ｇａ以外の成分は認めら
れず、極めて高純度なＧａ薄膜が得られたものである。
次に、この高純度Ｇａ薄膜の形成に用いられた上記の
〔化３〕で表されるキヌクリジン・ガラン付加体の熱安
定性について調べた。すなわち、キヌクリジン・ガラン
付加体、トリメチルアミン・ガラン付加体、ジメチルア
ミン・ガラン付加体を各々の容器内に入れ、不活性ガス
で満たし、油浴により温度を徐々に上げ、分解温度を調
べた処、キヌクリジン・ガラン付加体の分解温度が約１
００℃であるのに対して、トリメチルアミン・ガラン付
加体の分解温度は約５３℃、ジメチルアミン・ガラン付
加体の分解温度は約５０℃であり、本発明のキヌクリジ
ン・ガラン付加体の熱的安定性の高いことが判る。つま
り、キヌクリジンを付加させることによりガラン（水素
化ガリウム）の安定性を大きく改善させることの出来る
ことが窺える。When the Ga thin film thus obtained on the substrate 6 was examined by EDX, no components other than Ga were found, and an extremely high purity Ga thin film was obtained.
Next, the thermal stability of the quinuclidine-galane adduct represented by the above [Chemical Formula 3] used for forming this high-purity Ga thin film was examined. That is, quinuclidine-galane adduct, trimethylamine-galane adduct, dimethylamine-galane adduct was placed in each container, filled with an inert gas, the temperature was gradually raised by an oil bath, and the decomposition temperature was examined, The decomposition temperature of quinuclidine-galane adduct is about 1
On the other hand, the decomposition temperature of the trimethylamine / galane adduct is about 53 ° C, and the decomposition temperature of the dimethylamine / galane adduct is about 50 ° C, and the thermal stability of the quinuclidine / galane adduct of the present invention is 00 ° C. It turns out that it is highly effective. In other words, it can be seen that the stability of galane (gallium hydride) can be greatly improved by adding quinuclidine.
【００２６】又、キヌクリジン・ガラン付加体を空気中
に取り出した処、目視による変化は認められなかった。
又、水中に没しても緩やかに水素を発生する程度で、激
しい変化は認められなかった。これに対して、トリメチ
ルガリウムやトリエチルガリウムは空気中で直ちに発火
し、又、水と爆発的に反応することから、本発明になる
キヌクリジン・ガラン付加体は取り扱いの極めて容易な
ことが判る。Further, when the quinuclidine-galane adduct was taken out into the air, no visual change was observed.
Further, even if it was submerged in water, hydrogen was generated slowly, and no drastic change was observed. On the other hand, trimethylgallium or triethylgallium immediately ignites in the air and explosively reacts with water. Therefore, it is understood that the quinuclidine-gallane adduct of the present invention is extremely easy to handle.
【００２７】更に、長期貯蔵安定性についても調べたの
で、その結果を以下で述べる。気相成長法においては、
その原料物質はステンレス製容器で貯蔵・運搬・使用さ
れる。キヌクリジン・ガラン付加体とトリメチルアミン
・ガラン付加体をストップバルブの付いたステンレス製
容器に各々５ｇ入れ、そして内部を真空にした後、２５
℃〜３０℃で１カ月及び３カ月保管した。トリメチルア
ミン・ガラン付加体は１カ月後に内部ですべて分解して
おり、ガリウムの金属が析出していた。一方、キヌクリ
ジン・ガラン付加体は３カ月の保存でも変質は認められ
なかった。これより、気相成長法に水素化ガリウムを用
いようとする際、従来のトリメチルアミン・ガラン付加
体では極めて困難であるのに対して、キヌクリジン・ガ
ラン付加体によれば実施が簡単に行われる。Further, long-term storage stability was also investigated, and the results will be described below. In the vapor phase growth method,
The raw materials are stored, transported and used in stainless steel containers. 5 g each of the quinuclidine-galane adduct and the trimethylamine-galane adduct were placed in a stainless steel container equipped with a stop valve, and the inside was evacuated.
It was stored at 1 ° C to 30 ° C for 1 month and 3 months. The trimethylamine-galane adduct was completely decomposed inside after one month, and gallium metal was deposited. On the other hand, the quinuclidine-gallan adduct did not show any alteration even after storage for 3 months. Therefore, when using gallium hydride in the vapor phase growth method, it is extremely difficult to use the conventional trimethylamine-galane adduct, whereas the quinuclidine-galane adduct is easy to carry out.
【００２８】〔実施例２〕図１の装置に、反応炉５内に
別の配管を用いて下記の表−２の原料ガスを導き、実施
例１と同様にした処、基板６上にはＧａ2 Ｏ3 ，ＧａＡ
ｓ，ＧａＰ，ＧａＡｌＡｓ，ＧａＮが堆積した。 表−２ 堆積膜 ； 原料ガス Ｇａ2 Ｏ3 ；Ｏ2 ，Ｏ3 ，Ｈ2 Ｏ，Ｈ2 Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏ ＧａＡｓ ；Ａｓ金属，ＡｓＨ3 ，ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ＡｓＨ2 ，（ＣＨ3 ）3 Ａｓ Ｃ2 Ｈ5 ＡｓＨ2 ，（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ａｓ 〔（ＣＨ3 ）2 Ｎ〕3 Ａｓ ＧａＰ ；ＰＨ3 ，ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ＰＨ2 ，（ＣＨ3 ）3 Ｐ ＧａＡｌＡｓ；（ＣＨ3 ）3 Ａｌ，（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ａｌ，ＡｌＨ3 Ｎ（ＣＨ3 )3 〔（ＣＨ3 ）2 Ｎ〕3 Ａｓ ＧａＮ ；Ｎ2 ／プラズマ，Ｎ2 ／マイクロ波，ＮＨ3 ，ヒドラジン誘導体 アルキルアジド，ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ＮＨ2 又、キヌクリジンの代わりに上記〔化４〕で表されるキ
ヌクリジン誘導体を用いても同様にＧａ系薄膜が形成さ
れた。[Embodiment 2] Into the apparatus shown in FIG. 1, the source gas shown in Table 2 below was introduced into the reaction furnace 5 by using another pipe, and the same procedure as in Embodiment 1 was performed. Ga 2 O 3 and GaA
s, GaP, GaAlAs, and GaN were deposited. Table 2 deposited film; raw material gas Ga 2 O 3; O 2, O 3, H 2 O, H 2 O 2 / H 2 O GaAs; As metal, AsH 3, t-C 4 H 9 AsH 2, (CH 3) 3 As C 2 H 5 AsH 2, (C 2 H 5) 3 As [(CH 3) 2 N] 3 As GaP; PH 3, t -C 4 H 9 PH 2, (CH 3) 3 P GaAlAs ; (CH 3) 3 Al, (C 2 H 5) 3 Al, AlH 3 N (CH 3) 3 [(CH 3) 2 N] 3 As GaN; N 2 / plasma, N 2 / microwave, NH 3 , Hydrazine derivative alkyl azide, t-C 4 H 9 NH 2, or a Ga-based thin film was similarly formed by using the quinuclidine derivative represented by the above [Chemical Formula 4] instead of quinuclidine.
【００２９】[0029]
【効果】水素化ガリウム・キヌクリジン付加体あるいは
水素化ガリウム・キヌクリジン誘導体付加体を気相分解
させ、基板上に堆積させることにより高純度なＧａ系薄
膜を簡単に形成できる。特に、例えばＧａＡｓ等の化合
物半導体の分野にあっては、膜中への炭素や酸素の混入
を解決でき、超高純度な化合物半導体が得られるといっ
た大きな特長がある。[Effect] A high purity Ga-based thin film can be easily formed by vapor-decomposing a gallium hydride / quinuclidine adduct or a gallium hydride / quinuclidine derivative adduct and depositing it on a substrate. In particular, in the field of compound semiconductors such as GaAs, it is possible to solve the problem of mixing carbon and oxygen into the film and to obtain a compound semiconductor of ultra-high purity.
【００３０】しかも、用いられる水素化ガリウム・キヌ
クリジン付加体や水素化ガリウム・キヌクリジン誘導体
付加体は安定性に富み、取り扱いが極めて簡単な特長を
有する。Moreover, the gallium hydride / quinuclidine adduct and the gallium hydride / quinuclidine derivative adduct used have excellent stability and are extremely easy to handle.
【図１】Ｇａ系膜形成方法を実施する為の装置の概略図
である。FIG. 1 is a schematic view of an apparatus for carrying out a Ga-based film forming method.
１ キャリアガス充填ガスボンベ ２ キャリアガスの流量制御器 ３ キヌクリジン・ガラン付加体が入った容器 ５ キヌクリジン・ガラン付加体分解反応炉 ６ 基板 ７ 加熱器 1 carrier gas filling gas cylinder 2 carrier gas flow controller 3 container containing quinuclidine / galane adduct 5 quinuclidine / galan adduct decomposition reactor 6 substrate 7 heater
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 友和 神奈川県愛甲郡愛川町中津字桜台4002番 地 株式会社トリケミカル研究所内 (72)発明者 須藤 弘 神奈川県愛甲郡愛川町中津字桜台4002番 地 株式会社トリケミカル研究所内 (72)発明者 国分 宏 神奈川県愛甲郡愛川町中津字桜台4002番 地 株式会社トリケミカル研究所内 (72)発明者 執行 真道 神奈川県愛甲郡愛川町中津字桜台4002番 地 株式会社トリケミカル研究所内 (56)参考文献 特表 平４−503954（ＪＰ，Ａ) ＩＮＯＲＧ．ＣＨＥＭ．30（1991) Ｐ．3792−３ ＡＰＰＬ．ＰＨＹＳ．ＬＥＴＴ．63 （９）（1993−８−30）Ｐ．1270−２ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tomokazu Ogawa 4002 Sakuradai, Nakatsu, Aikawa-cho, Aiko-gun, Kanagawa Trichemical Laboratory Co., Ltd. (72) Inventor Hiroshi Sudo 4002 Nakadai, Nakatsu, Aikawa-cho, Kanagawa Local Tri-Chemical Research Institute Co., Ltd. (72) Inventor Hiroshi Kokubun 4002 Sakuradai Nakatsu, Aikawa-cho, Aiko-gun Kanagawa Prefecture Chi Tri Chemical Laboratory Co., Ltd. (56) Bibliography Special Table 4-503954 (JP, A) INORG. CHEM. 30 (1991) P. 3792-3 APPL. PHYS. LETT. 63 (9) (1993-8-30) P. 1270-2
Claims (9)
らなることを特徴とするＧａ系膜形成材料。1. A Ga-based film-forming material comprising a gallium hydride / quinuclidine adduct.
加体からなることを特徴とするＧａ系膜形成材料。2. A Ga-based film forming material comprising a gallium hydride / quinuclidine derivative adduct.
に炭化水素が付いたものであることを特徴とする請求項
２のＧａ系膜形成材料。3. The Ga-based film forming material according to claim 2, wherein the quinuclidine derivative is one in which a hydrocarbon is attached to the ring of quinuclidine.
気相分解させ、ガリウムを基板上に堆積させることを特
徴とするＧａ系膜形成方法。4. A method for forming a Ga-based film, which comprises subjecting a gallium hydride / quinuclidine adduct to gas phase decomposition to deposit gallium on a substrate.
加体を気相分解させ、ガリウムを基板上に堆積させるこ
とを特徴とするＧａ系膜形成方法。5. A method for forming a Ga-based film, which comprises subjecting a gallium hydride / quinuclidine derivative adduct to gas phase decomposition to deposit gallium on a substrate.
ャリアーガス使用手段の中から選ばれる手段で行われる
ものであることを特徴とする請求項４または請求項５の
Ｇａ系膜形成方法。6. The Ga-based film formation according to claim 4 or 5, wherein vaporization is performed by means selected from heating means, decompression means, and carrier gas using means. Method.
ラズマ分解、マイクロ波分解などの手段の中から選ばれ
る手段で行われるものであることを特徴とする請求項４
または請求項５のＧａ系膜形成方法。7. The decomposition is carried out by means selected from means such as thermal decomposition, photolysis, reactive decomposition, plasma decomposition and microwave decomposition.
Alternatively, the Ga-based film forming method according to claim 5.
により基板上にＧａ系膜が形成されてなるＧａ系膜。8. A Ga-based film having a Ga-based film formed on a substrate by the method for forming a Ga-based film according to claim 4.
ｓ，ＧａＰ，ＧａＡｌＡｓあるいはＧａＮであることを
特徴とする請求項８のＧａ系膜。9. The Ga-based film is Ga, Ga 2 O 3 , GaA.
9. The Ga-based film according to claim 8, which is s, GaP, GaAlAs or GaN.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP17929793A JP2506046B2 (en) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | Ga-based film forming material, Ga-based film forming method, and Ga-based film |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0733438A JPH0733438A (en) | 1995-02-03 |
| JP2506046B2 true JP2506046B2 (en) | 1996-06-12 |
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ID=16063370
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17929793A Expired - Fee Related JP2506046B2 (en) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | Ga-based film forming material, Ga-based film forming method, and Ga-based film |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2506046B2 (en) |
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|---|---|---|---|---|
| CA2461274C (en) | 2001-09-28 | 2012-10-02 | Japan Science And Technology Agency | Photoelectric current multiplier using molecular crystal and production method therefor |
-
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|---|
| ＡＰＰＬ．ＰＨＹＳ．ＬＥＴＴ．６３（９）（１９９３−８−３０）Ｐ．１２７０−２ |
| ＩＮＯＲＧ．ＣＨＥＭ．３０（１９９１）Ｐ．３７９２−３ |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0733438A (en) | 1995-02-03 |
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