JP2504034B2 - 磁気ヘツド用コア - Google Patents
磁気ヘツド用コアInfo
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- JP2504034B2 JP2504034B2 JP5766287A JP5766287A JP2504034B2 JP 2504034 B2 JP2504034 B2 JP 2504034B2 JP 5766287 A JP5766287 A JP 5766287A JP 5766287 A JP5766287 A JP 5766287A JP 2504034 B2 JP2504034 B2 JP 2504034B2
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- Japan
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- carbon
- protective film
- sliding surface
- gas
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、磁気ヘッド用コアに関し、特に、その磁
気記録媒体との摺動面の保護手段に関する。
気記録媒体との摺動面の保護手段に関する。
第３図は、従来の磁気ヘッド用コアの一例を拡大して
示す概略平面図である。
示す概略平面図である。
磁気ヘッド用コア１の、磁気テープ、磁気ディスク等
の磁気記録媒体４との摺動面1sの表面は、通常、当該摺
動面1sの機械的な保護、酸化防止等のために、メッキ膜
等から成る保護膜２で被覆されている。尚、1gは当該コ
ア１のギャップであり、３は当該コア１に巻かれるコイ
ルである。
の磁気記録媒体４との摺動面1sの表面は、通常、当該摺
動面1sの機械的な保護、酸化防止等のために、メッキ膜
等から成る保護膜２で被覆されている。尚、1gは当該コ
ア１のギャップであり、３は当該コア１に巻かれるコイ
ルである。
この場合、相手側の磁気記録媒体４の様々な改良等に
伴い、コア１側においても、摺動面1s上の保護膜２の耐
摩耗性や潤滑性（この明細書では、表面がなめらかで滑
りが良好なことを意味する。）の優れたものが要望され
ている。
伴い、コア１側においても、摺動面1s上の保護膜２の耐
摩耗性や潤滑性（この明細書では、表面がなめらかで滑
りが良好なことを意味する。）の優れたものが要望され
ている。
この発明は、このような要望に応えんとするものであ
る。
る。
この発明の磁気ヘッド用コアは、磁気記録媒体との摺
動面を、ダイヤモンド結晶とアモルファス炭素とを含む
炭素系の保護膜で被覆していることを特徴とする。
動面を、ダイヤモンド結晶とアモルファス炭素とを含む
炭素系の保護膜で被覆していることを特徴とする。
〔作用〕 上記炭素系の保護膜は、そこに含まれるダイヤモンド
結晶が高硬度であるため耐摩耗性に優れており、しかも
アモルファス炭素の粒子が細かいため表面がなめらかで
潤滑性にも優れている。
結晶が高硬度であるため耐摩耗性に優れており、しかも
アモルファス炭素の粒子が細かいため表面がなめらかで
潤滑性にも優れている。
第１図は、この発明の一実施例に係る磁気ヘッド用コ
アを拡大して示す概略平面図である。
アを拡大して示す概略平面図である。
この磁気ヘッド用コア５は、磁気記録媒体（第３図の
符号４参照）との摺動面5sを、ダイヤモンド結晶とアモ
ルファス炭素とを含む炭素系の保護膜６で被覆してい
る。5gはギャップである。
符号４参照）との摺動面5sを、ダイヤモンド結晶とアモ
ルファス炭素とを含む炭素系の保護膜６で被覆してい
る。5gはギャップである。
このコア５の材料は例えばパーマロイ、ミューメタル
等であり、また当該コア５は通常は薄板の積層構造をし
ている。形状は必ずしも図示例のようなものに限らな
い。
等であり、また当該コア５は通常は薄板の積層構造をし
ている。形状は必ずしも図示例のようなものに限らな
い。
上記コア５においては、炭素系の保護膜６は、機械的
強度が大きくかつ化学的にも安定であるため、摺動面5s
の機械的保護、酸化防止等のための保護膜として作用す
る。しかも、当該炭素系の保護膜６は、そこに含まれる
ダイヤモンド結晶が高硬度であるため耐摩耗性に優れて
おり、かつアモルファス炭素の粒子が細かいため表面が
なめらかで潤滑性にも優れている。
強度が大きくかつ化学的にも安定であるため、摺動面5s
の機械的保護、酸化防止等のための保護膜として作用す
る。しかも、当該炭素系の保護膜６は、そこに含まれる
ダイヤモンド結晶が高硬度であるため耐摩耗性に優れて
おり、かつアモルファス炭素の粒子が細かいため表面が
なめらかで潤滑性にも優れている。
従って上記コア５は、摺動面5sの表面が耐摩耗性に優
れていて長寿命であるのみならず、潤滑性にも優れてい
るため磁気記録媒体との機械的ななじみも良い。
れていて長寿命であるのみならず、潤滑性にも優れてい
るため磁気記録媒体との機械的ななじみも良い。
尚、炭素系の保護膜６の膜厚は、あまり厚くせずに例
えば数百Å程度以下にするのが好ましい。これは、その
膜厚が大きくなる程、当該コア５を磁気ヘッドとして使
用する時にその摺動面5sと相手側の磁気記録媒体との間
の空隙長が大きくなって損失が増大し、それによって感
度（SN比）等の磁気特性が低下する傾向にあるからであ
る。
えば数百Å程度以下にするのが好ましい。これは、その
膜厚が大きくなる程、当該コア５を磁気ヘッドとして使
用する時にその摺動面5sと相手側の磁気記録媒体との間
の空隙長が大きくなって損失が増大し、それによって感
度（SN比）等の磁気特性が低下する傾向にあるからであ
る。
次に、上記のような炭素系の保護膜６の被覆方法の一
例を第２図を参照して説明する。
例を第２図を参照して説明する。
炭素系の保護膜６を被覆前のコア材50が例えばホルダ
15に取付けられて真空容器（図示省略）内に収納されて
おり、それに向けて蒸発源８およびイオン源16が配置さ
れている。尚、必要に応じて複数のコア材50を並べてホ
ルダ15に取り付けても良い。
15に取付けられて真空容器（図示省略）内に収納されて
おり、それに向けて蒸発源８およびイオン源16が配置さ
れている。尚、必要に応じて複数のコア材50を並べてホ
ルダ15に取り付けても良い。
蒸発源８は、図示例のものは電子ビーム蒸発源であ
り、蒸発材料10として炭素ペレットを有しており、それ
を電子ビームによって加熱蒸気化して得られる炭素12を
コア材50の摺動面5sに蒸着させることができる。もっと
も、炭素は昇華性であるため電子ビーム蒸発源では膜形
成速度が遅い場合もあり、その場合は蒸発源８として、
炭素から成るターゲットを不活性ガスイオンの照射やマ
グネトロン放電によってスパッタさせる方式のもの、あ
るいは炭素から成るカソードにおける真空アーク放電に
よって炭素を蒸発させる方式のもの等としても良く、更
にはこれらを併用しても良い。
り、蒸発材料10として炭素ペレットを有しており、それ
を電子ビームによって加熱蒸気化して得られる炭素12を
コア材50の摺動面5sに蒸着させることができる。もっと
も、炭素は昇華性であるため電子ビーム蒸発源では膜形
成速度が遅い場合もあり、その場合は蒸発源８として、
炭素から成るターゲットを不活性ガスイオンの照射やマ
グネトロン放電によってスパッタさせる方式のもの、あ
るいは炭素から成るカソードにおける真空アーク放電に
よって炭素を蒸発させる方式のもの等としても良く、更
にはこれらを併用しても良い。
イオン源16としても特定の方式のものに限定されるも
のではないが、例えばプラズマ閉込めにカスプ磁場を用
いるバケット型イオン源が好ましく、それによれば供給
されたガスＧをイオン化して均一で大面積のイオンビー
ム18をコア材50の摺動面5sに向けて照射することができ
るので、一度に大面積の処理が可能になる。尚、14は摺
動面5sに作製される膜の膜厚モニタである。
のではないが、例えばプラズマ閉込めにカスプ磁場を用
いるバケット型イオン源が好ましく、それによれば供給
されたガスＧをイオン化して均一で大面積のイオンビー
ム18をコア材50の摺動面5sに向けて照射することができ
るので、一度に大面積の処理が可能になる。尚、14は摺
動面5sに作製される膜の膜厚モニタである。
イオン源16に供給するガスＧとしては、後述するよう
な理由から、不活性ガス（例えばヘリウムガス、アルゴ
ンガス等）、炭化水素系ガス（例えばメタンガス、エタ
ンガス等）および有機化合物系ガス（例えばアセトン
等）の内の少なくとも一種、即ちこれらの単一ガスまた
は混合ガスを用いる。
な理由から、不活性ガス（例えばヘリウムガス、アルゴ
ンガス等）、炭化水素系ガス（例えばメタンガス、エタ
ンガス等）および有機化合物系ガス（例えばアセトン
等）の内の少なくとも一種、即ちこれらの単一ガスまた
は混合ガスを用いる。
膜作製に際しては、真空容器内を例えば10-5〜10-7To
rr程度にまで排気した後、蒸発源８からの炭素12をコア
材50の摺動面5sに蒸着させるのと同時に、またはそれと
交互に、あるいは間歇的にイオン源16からのイオンビー
ム18を当該摺動面5sに向けて照射する。その際、摺動面
5sに蒸着させる炭素量に対する照射イオン量の割合、即
ちイオン／炭素は、例えば0.1％〜100％程度の範囲内に
する。
rr程度にまで排気した後、蒸発源８からの炭素12をコア
材50の摺動面5sに蒸着させるのと同時に、またはそれと
交互に、あるいは間歇的にイオン源16からのイオンビー
ム18を当該摺動面5sに向けて照射する。その際、摺動面
5sに蒸着させる炭素量に対する照射イオン量の割合、即
ちイオン／炭素は、例えば0.1％〜100％程度の範囲内に
する。
その結果、摺動面5sに、ダイヤモンド結晶とアモルフ
ァス炭素とがほぼ偏在することなく混在した炭素系の保
護膜６が被覆され、前述したような磁気ヘッド用コア５
が得られる。これは、イオン照射によって、摺動面5sに
蒸着された炭素がアモルファス化する一方、照射イオン
が、摺動面5sに蒸着されたグラファイト構造の炭素をダ
イヤモンドに結晶成長させるための核形成エネルギー供
給源として作用するからであると考えられる。
ァス炭素とがほぼ偏在することなく混在した炭素系の保
護膜６が被覆され、前述したような磁気ヘッド用コア５
が得られる。これは、イオン照射によって、摺動面5sに
蒸着された炭素がアモルファス化する一方、照射イオン
が、摺動面5sに蒸着されたグラファイト構造の炭素をダ
イヤモンドに結晶成長させるための核形成エネルギー供
給源として作用するからであると考えられる。
その場合、摺動面5sのみに炭素系の保護膜６を被覆す
る必要がある場合には、例えば第２図に示すように、摺
動面5sのみが露出するようなマスク20を用いる等すれば
良い。また、ギャップ5gが炭素系の保護膜６で被覆され
ても、当該炭素系の保護膜６は非磁性だから特に支障は
ない。
る必要がある場合には、例えば第２図に示すように、摺
動面5sのみが露出するようなマスク20を用いる等すれば
良い。また、ギャップ5gが炭素系の保護膜６で被覆され
ても、当該炭素系の保護膜６は非磁性だから特に支障は
ない。
尚、ガスＧに上記のような種類のものを用いるのは、
不活性ガスを用いれば、イオンビーム18として照射され
る不活性元素は反応性が乏しいため、不純物混入の無い
良質の炭素系の保護膜６が得られるからであり、炭化水
素系ガスや有機化合物系ガスを用いれば、蒸着炭素にそ
れと同系の、即ち炭素系のイオンビーム18が照射される
ため、それによって蒸着炭素をより励起し易くなるから
であり、またこれらの混合ガスを用いれば、上記のよう
な各作用を併合した結果を得ることができるからであ
る。
不活性ガスを用いれば、イオンビーム18として照射され
る不活性元素は反応性が乏しいため、不純物混入の無い
良質の炭素系の保護膜６が得られるからであり、炭化水
素系ガスや有機化合物系ガスを用いれば、蒸着炭素にそ
れと同系の、即ち炭素系のイオンビーム18が照射される
ため、それによって蒸着炭素をより励起し易くなるから
であり、またこれらの混合ガスを用いれば、上記のよう
な各作用を併合した結果を得ることができるからであ
る。
また、ガスＧとして、上記のような単一ガスまたは混
合ガスに、ケイ素系ガス（例えばモノシランガス、ジシ
ランガス等）および水素ガスの内の少なくとも一方を混
合したガスを用いても良く、そのようにすれば、イオン
ビーム18として照射されたケイ素はSP3混成軌道しか取
らず、蒸着炭素中におけるグラファイトの析出を抑制す
ると共にダイヤモンド形成に有効に作用するため、また
イオンビーム18として照射された水素は、蒸着炭素中の
グラファイトをメタン、エタン等の炭化水素系のガスと
して取り除く作用をするため、ダイヤモンド結晶がより
効果的に形成されるようになる。
合ガスに、ケイ素系ガス（例えばモノシランガス、ジシ
ランガス等）および水素ガスの内の少なくとも一方を混
合したガスを用いても良く、そのようにすれば、イオン
ビーム18として照射されたケイ素はSP3混成軌道しか取
らず、蒸着炭素中におけるグラファイトの析出を抑制す
ると共にダイヤモンド形成に有効に作用するため、また
イオンビーム18として照射された水素は、蒸着炭素中の
グラファイトをメタン、エタン等の炭化水素系のガスと
して取り除く作用をするため、ダイヤモンド結晶がより
効果的に形成されるようになる。
上記の場合、炭素系の保護膜６中におけるダイヤモン
ド結晶とアモルファス炭素との割合は、前述した摺動面
5sに入射させるイオン／炭素の割合、イオン源16に供給
する上記のような各種ガスの混合比、イオンビーム18の
エネルギー等の条件によって変化するので、これらの条
件によって所望のものに制御することができる。
ド結晶とアモルファス炭素との割合は、前述した摺動面
5sに入射させるイオン／炭素の割合、イオン源16に供給
する上記のような各種ガスの混合比、イオンビーム18の
エネルギー等の条件によって変化するので、これらの条
件によって所望のものに制御することができる。
尚、イオンビーム18のエネルギーは、その照射によっ
て炭素系の保護膜６の内部にダメージ（欠陥部）が発生
するのを極力少なくする観点から、10KeV程度以下の低
エネルギー、より好ましくは数百eV程度以下にするのが
良く、またその下限は特にないが、イオン源16からイオ
ンビーム18を引き出せる限度から、現実的には10eV程度
以上になる。
て炭素系の保護膜６の内部にダメージ（欠陥部）が発生
するのを極力少なくする観点から、10KeV程度以下の低
エネルギー、より好ましくは数百eV程度以下にするのが
良く、またその下限は特にないが、イオン源16からイオ
ンビーム18を引き出せる限度から、現実的には10eV程度
以上になる。
また、摺動面5sに対するイオンビーム18の照射角度
（即ち摺動面5sの表面に対する垂線との間の角度）は、
０゜〜50゜程度の範囲内にするのが好ましく、そのよう
にすれば、イオンビーム18の照射に伴う蒸着炭素のスパ
ッタを小さく抑えることができる。
（即ち摺動面5sの表面に対する垂線との間の角度）は、
０゜〜50゜程度の範囲内にするのが好ましく、そのよう
にすれば、イオンビーム18の照射に伴う蒸着炭素のスパ
ッタを小さく抑えることができる。
また、膜作製時には、コア材50に対する熱的影響をよ
り少なくするために、必要に応じてコア材50を冷却手段
（図示省略）によって例えば室温〜100℃程度以内にな
るように冷却しても良い。
り少なくするために、必要に応じてコア材50を冷却手段
（図示省略）によって例えば室温〜100℃程度以内にな
るように冷却しても良い。
上記方法の特徴を列挙すれば次の通りである。
従来のメッキによる保護膜２では、膜厚が大き過ぎ
る（例えば0.2μｍ程度）ため、摺動面1sと磁気記録媒
体４との間の空隙長が大きくなってコア１の磁気特性を
低下させるという問題もあったが、上記方法によれば非
常に薄い炭素系の保護膜６を容易に被覆することができ
るので、そのような問題が起こるのを防止することがで
きる。
る（例えば0.2μｍ程度）ため、摺動面1sと磁気記録媒
体４との間の空隙長が大きくなってコア１の磁気特性を
低下させるという問題もあったが、上記方法によれば非
常に薄い炭素系の保護膜６を容易に被覆することができ
るので、そのような問題が起こるのを防止することがで
きる。
室温付近のような低温で炭素系の保護膜６の形成が
可能であるため、コア材50に与える熱的影響が少ない。
可能であるため、コア材50に与える熱的影響が少ない。
イオンビーム照射を併用するため、イオンの押込み
（ノックオン）作用により母材と炭素系保護膜との混合
層の形成が期待でき、摺動面5sに対する密着性の良い炭
素系の保護膜６が得られる。
（ノックオン）作用により母材と炭素系保護膜との混合
層の形成が期待でき、摺動面5sに対する密着性の良い炭
素系の保護膜６が得られる。
炭素系の保護膜６中のダイヤモンド結晶とアモルフ
ァス炭素との割合が、前述したイオン／炭素の割合等の
条件によって制御可能であり、しかもそのような条件の
制御は容易であるので、被覆する炭素系の保護膜６の耐
摩耗性、潤滑性等の機械的特性を目的等に応じて容易に
変えることができる。
ァス炭素との割合が、前述したイオン／炭素の割合等の
条件によって制御可能であり、しかもそのような条件の
制御は容易であるので、被覆する炭素系の保護膜６の耐
摩耗性、潤滑性等の機械的特性を目的等に応じて容易に
変えることができる。
以上のようにこの発明に係る磁気ヘッド用コアは、摺
動面の保護膜にダイヤモンド結晶とアモルファス炭素と
を含む炭素系の保護膜を用いているため、その表面の耐
摩耗性に優れていると共に、潤滑性にも優れていて磁気
記録媒体との機械的ななじみも良い。
動面の保護膜にダイヤモンド結晶とアモルファス炭素と
を含む炭素系の保護膜を用いているため、その表面の耐
摩耗性に優れていると共に、潤滑性にも優れていて磁気
記録媒体との機械的ななじみも良い。
第１図は、この発明の一実施例に係る磁気ヘッド用コア
を拡大して示す概略平面図である。第２図は、ダイヤモ
ンド結晶とアモルファス炭素とを含む炭素系の保護膜の
被覆に用いられる装置の一例を示す概略図である。第３
図は、従来の磁気ヘッド用コアの一例を拡大して示す概
略平面図である。 ５……実施例に係る磁気ヘッド用コア、5s……摺動面、
5g……ギャップ、６……ダイヤモンド結晶とアモルファ
ス炭素とを含む炭素系の保護膜。
を拡大して示す概略平面図である。第２図は、ダイヤモ
ンド結晶とアモルファス炭素とを含む炭素系の保護膜の
被覆に用いられる装置の一例を示す概略図である。第３
図は、従来の磁気ヘッド用コアの一例を拡大して示す概
略平面図である。 ５……実施例に係る磁気ヘッド用コア、5s……摺動面、
5g……ギャップ、６……ダイヤモンド結晶とアモルファ
ス炭素とを含む炭素系の保護膜。
Claims (1)
- 【請求項１】磁気記録媒体との摺動面を、ダイヤモンド
結晶とアモルファス炭素とを含む炭素系の保護膜で被覆
していることを特徴とする磁気ヘッド用コア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5766287A JP2504034B2 (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 磁気ヘツド用コア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5766287A JP2504034B2 (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 磁気ヘツド用コア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63222314A JPS63222314A (ja) | 1988-09-16 |
| JP2504034B2 true JP2504034B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=13062112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5766287A Expired - Fee Related JP2504034B2 (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 磁気ヘツド用コア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2504034B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9144603B2 (en) | 2008-09-12 | 2015-09-29 | Mie University | Cell capable of expressing exogenous GITR ligand |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02158690A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-19 | Ricoh Co Ltd | 摺動部材 |
| EP0523607B1 (en) * | 1991-07-15 | 1997-05-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium, sliding member and manufacturing method thereof |
| DE102010043694B4 (de) * | 2010-11-10 | 2014-08-28 | Ddm Hopt + Schuler Gmbh & Co. Kg | Verschleißminimierter Magnetkopf zur Erfassung magnetischer Signale |
-
1987
- 1987-03-11 JP JP5766287A patent/JP2504034B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9144603B2 (en) | 2008-09-12 | 2015-09-29 | Mie University | Cell capable of expressing exogenous GITR ligand |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63222314A (ja) | 1988-09-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |