JP2502977B2 - Heat treatment equipment - Google Patents
Heat treatment equipmentInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、熱処理技術、特に、半導体装置の製造に使
用される縦型の熱処理装置に適用して有効な技術に関す
る。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a heat treatment technique, and particularly to a technique effectively applied to a vertical heat treatment apparatus used for manufacturing a semiconductor device.
縦型化学気相成長装置や縦型拡散装置などについて
は、株式会社工業調査会、昭和57年11月15日発行、「電
子材料」1983年11月号別冊、P75〜P79および「電子材
料」1984年３月号、P75に記載されている。For vertical chemical vapor deposition equipment, vertical diffusion equipment, etc., Kogyo Kenkyukai Co., Ltd., published November 15, 1982, "Electronic Materials", November 1983, Supplement, P75-P79 and "Electronic Materials" It is described in the March 1984 issue, P75.
その概要は、軸が鉛直方向に設けられた処理室内に複
数の半導体ウエハを収容し、処理室の周囲に配設され、
装置本体に固定して設けられた加熱体によって所定の温
度に加熱するとともに、処理室の上下端部にそれぞれ接
続された配管を通じて所定の反応ガスなどを流通させる
ことにより、半導体ウエハ表面に所定の物質からなる薄
膜を形成する化学気相成長処理や、所定の物質を拡散さ
せる拡散処理などを行うものである。The outline is that a plurality of semiconductor wafers are housed in a processing chamber whose axis is provided in the vertical direction, and the semiconductor wafers are arranged around the processing chamber.
The semiconductor wafer surface is heated to a predetermined temperature by a heating body fixed to the apparatus main body, and a predetermined reaction gas or the like is circulated through pipes connected to the upper and lower ends of the processing chamber. The chemical vapor deposition process for forming a thin film made of a substance, the diffusion process for diffusing a predetermined substance, and the like are performed.
ところで、上記のような縦型化学気相成長装置や縦型
拡散装置などにおいては、処理室の内壁に付着した異物
を除去するなどの目的で、加熱体から処理室を定期的に
軸方向に抜き出して洗浄するなどの保守点検作業が必要
となる。By the way, in the vertical chemical vapor deposition apparatus and the vertical diffusion apparatus as described above, the processing chamber is periodically moved in the axial direction from the heating body for the purpose of removing foreign matters adhering to the inner wall of the processing chamber. Maintenance and inspection work such as removing and cleaning is required.
［発明が解決しようとする問題点］ ところが、上記のような構造の装置においては、加熱
体が装置本体に固定されているため、処理室を抜き出す
前に、すなわち、処理室の上端部が、建屋などの天井に
近い比較的高い位置にある状態で、処理室の上端部に接
続された配管を取り外す作業を行わねばならず、高所作
業となり、作業性が劣るとともに、危険であるなど、種
々の不都合があることを本発明者は見いだした。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the apparatus having the above structure, since the heating element is fixed to the apparatus main body, before the processing chamber is taken out, that is, the upper end of the processing chamber is At a relatively high position near the ceiling of a building, etc., the work connected to the upper end of the processing chamber must be removed, which leads to work at high places, poor workability, and dangerous. The present inventor has found that there are various disadvantages.
本発明の目的は、保守作業などにおける作業性および
安全性の向上、さらには作業時間の短縮を実現すること
が可能な熱処理技術を提供することにある。An object of the present invention is to provide a heat treatment technique capable of improving workability and safety in maintenance work and shortening work time.
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴
は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるで
あろう。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
［問題点を解決するための手段］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、次の通りである。[Means for Solving the Problems] The outline of the representative one of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
すなわち、本発明の熱処理装置は、下端に被処理物挿
入用の開口部が形成され、内部に鉛直方向に延びる処理
室を有する処理管を有し、この処理管の上端部には配管
が着脱自在に装着され、処理管の周囲に配設される加熱
体が上下動自在のステージの上側に取り付けられ、処理
管の開口部を密閉する蓋体が処理管の下端部に着脱自在
に設けられ、ステージと処理管とを連結してステージの
上下動を処理管に伝達する接続具がステージと処理管の
下端部との間に着脱自在に設けられ、ステージは昇降機
構によって昇降するようになっており、加熱体と処理管
とを降下した状態で、処理管の上端部に接続されている
配管を外し、接続具が外された状態のもとでステージを
介して加熱体を上昇すると、加熱体が処理管から離反さ
れる。That is, the heat treatment apparatus of the present invention has a processing tube having an opening for inserting an object to be processed at the lower end and having a processing chamber extending in the vertical direction inside, and the piping is attached to and detached from the upper end of the processing tube. A heating body that is freely mounted and arranged around the processing tube is attached to the upper side of the vertically movable stage, and a lid that seals the opening of the processing tube is detachably provided at the lower end of the processing tube. A connection tool that connects the stage and the processing tube and transmits the vertical movement of the stage to the processing tube is detachably provided between the stage and the lower end of the processing tube, and the stage is moved up and down by an elevating mechanism. In the state where the heating element and the processing tube are lowered, the pipe connected to the upper end of the processing tube is removed, and when the heating element is raised through the stage under the state where the connecting tool is removed, The heating element is separated from the processing tube.
上記した手段によれば、加熱処理装置の保守点検を行
うために処理管を加熱体から抜き出して離反する作業に
際して、まず、加熱体を処理管とともに降下させること
により、処理管の上端部に接続されている配管の着脱を
比較的低い位置で作業性良くかつ安全に行うことがで
き、処理室の保守などにおける作業性および安全性の向
上、さらには作業時間の短縮を実現することが可能とな
る。According to the above-mentioned means, when the processing tube is pulled out from the heating body and separated from the heating tube in order to perform maintenance and inspection of the heat processing apparatus, first, the heating body is lowered together with the processing tube to be connected to the upper end of the processing tube. It is possible to attach / detach pipes that have been installed and removed at a relatively low position with good workability and safety, and it is possible to improve workability and safety in the maintenance of processing chambers, and also to shorten work time. Become.
［実施例］ 第１図は、本発明の一実施例である熱処理装置の要部
を示す説明図である。[Embodiment] FIG. 1 is an explanatory view showing a main part of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
本実施例においては、熱処理装置が、半導体装置の製
造における半導体ウエハの化学気相成長装置として構成
されている。In the present embodiment, the heat treatment apparatus is configured as a chemical vapor deposition apparatus for semiconductor wafers in the manufacture of semiconductor devices.
ステージ１の上には、軸がほぼ鉛直方向に設けられた
円筒状の加熱体２が設けられ、この加熱体２の内部に
は、ほぼ同軸状に処理管3aが挿入されており、この処理
管3a内には処理室３が形成され、この処理管3aの下端に
は被処理物挿入用の開口部3bが形成されている。On the stage 1, a cylindrical heating body 2 whose axis is provided in a substantially vertical direction is provided, and inside the heating body 2, a processing tube 3a is inserted in a substantially coaxial manner. A processing chamber 3 is formed in the tube 3a, and an opening 3b for inserting an object to be processed is formed at the lower end of the processing tube 3a.
この処理管3aつまり処理室３の下端部は、接続具４を
介してテーブル１の下端面に着脱自在に固定されてい
る。The processing tube 3a, that is, the lower end of the processing chamber 3 is detachably fixed to the lower end surface of the table 1 via a connector 4.
また処理室３の上端部には、反応ガス供給口５が設け
られており、加熱体２の下端部近傍から該加熱体２の側
面外周に沿って処理室３の上端部に到る配管６を介して
所定の図示しない反応ガス供給機構に接続されている。A reaction gas supply port 5 is provided at the upper end of the processing chamber 3, and a pipe 6 extending from the vicinity of the lower end of the heating body 2 to the upper end of the processing chamber 3 along the outer periphery of the side surface of the heating body 2. Is connected to a predetermined reaction gas supply mechanism (not shown).
この配管６には、処理室３の上端部における反応ガス
供給口５との接続部、および加熱体２の下端部近傍に、
それぞれ着脱自在な管継手部７および管継手部８が設け
られている。In the pipe 6, a connection portion at the upper end of the processing chamber 3 to the reaction gas supply port 5 and a vicinity of the lower end of the heating element 2 are provided.
A detachable pipe joint portion 7 and a pipe joint portion 8 are provided respectively.
処理室３の下端部には、排気口９が設けられ、配管10
を介して図示しない真空ポンプなどの排気機構に接続さ
れるとともに、排気口９と配管10との接続部には、着脱
自在な管継手部11が設けられている。管継手部８には配
管10aが接続され、この管継手部８を介して配管６には
配管10aからの反応ガスが案内される。An exhaust port 9 is provided at the lower end of the processing chamber 3, and a pipe 10
Is connected to an exhaust mechanism such as a vacuum pump (not shown) via a pipe, and a detachable pipe joint portion 11 is provided at a connecting portion between the exhaust port 9 and the pipe 10. A pipe 10a is connected to the pipe joint portion 8, and the reaction gas from the pipe 10a is guided to the pipe 6 through the pipe joint portion 8.
処理室３の下端部には、着脱自在な蓋体12が設けら
れ、処理室３の下端部の開口部3bが密閉される構造とさ
れている。A detachable lid 12 is provided at the lower end of the processing chamber 3, and the opening 3b at the lower end of the processing chamber 3 is sealed.
蓋体12には、処理室３の軸方向に挿入される治具13が
固定されており、複数の半導体ウエハなどの被処理物14
が、この治具13に保持された状態で処理室３の内部の所
定の位置に収容されるように構成されている。A jig 13 that is inserted in the axial direction of the processing chamber 3 is fixed to the lid body 12, and an object to be processed 14 such as a plurality of semiconductor wafers 14 is fixed.
However, the jig 13 is accommodated in a predetermined position inside the processing chamber 3 while being held by the jig 13.
さらに、蓋体12には、昇降自在なローダ15が設けら
れ、該蓋体12の処理室３の下端部への着脱、および、治
具13に保持された複数の被処理物14の処理室３内への搬
入および搬出が行われる構造とされている。Furthermore, the lid 12 is provided with a loader 15 that can be raised and lowered, and the lid 12 is attached to and detached from the lower end portion of the processing chamber 3, and the processing chambers for the plurality of objects to be processed 14 held by the jig 13 are provided. It is structured so that it can be carried in and out.
この場合、加熱体２が位置されるステージ１は、紙面
に垂直な方向に所定の間隔で配設された一対の送りねじ
16aおよび送りねじ16bに螺合される昇降機構16によって
支持されており、送りねじ16aおよび16bを、モータなど
の駆動機構16cおよび歯車機構16dなどによって同時に所
定の方向に回転させることにより、ステージ１が所望の
高さに昇降されるように構成されている。In this case, the stage 1 on which the heating element 2 is positioned is composed of a pair of feed screws arranged at a predetermined interval in the direction perpendicular to the paper surface.
The stage 1 is supported by an elevating mechanism 16 that is screwed to the 16a and the feed screw 16b, and the feed screws 16a and 16b are simultaneously rotated in a predetermined direction by a drive mechanism 16c such as a motor and a gear mechanism 16d. Is configured to be raised and lowered to a desired height.
以下、本実施例の作用について説明する。 The operation of this embodiment will be described below.
処理室３の内部に収容されている複数の被処理物14を
加熱体２によって所定の温度に加熱するとともに、処理
室３の上端部に設けられた反応ガス供給口５を通じて所
定の組成の反応ガスを供給しつつ、排気口９を通じて処
理室３の内部を排気することにより、反応ガスが処理室
３の内部を軸方向に流通され、反応ガスの熱分解反応な
どによって、複数の被処理物14の表面には所定の物質か
らなる薄膜が被着形成される。A plurality of objects to be processed 14 housed inside the processing chamber 3 are heated to a predetermined temperature by the heating body 2, and a reaction of a predetermined composition is performed through the reaction gas supply port 5 provided at the upper end of the processing chamber 3. By exhausting the inside of the processing chamber 3 through the exhaust port 9 while supplying the gas, the reaction gas is circulated in the inside of the processing chamber 3 in the axial direction, and a plurality of objects to be processed are generated by the thermal decomposition reaction of the reaction gas. A thin film made of a predetermined material is deposited on the surface of 14.
そして、表面に所定の物質の薄膜などが形成された被
処理物14は、ローダ15によって蓋体12および治具13を処
理室３の軸方向に降下させることにより外部に搬出さ
れ、未処理の被処理物14が治具13に装着されて処理室３
の内部に挿入される。Then, the object to be processed 14 on the surface of which a thin film of a predetermined substance or the like has been formed is carried out to the outside by lowering the lid body 12 and the jig 13 in the axial direction of the processing chamber 3 by the loader 15, and unprocessed. The object 14 to be processed is mounted on the jig 13 and the processing chamber 3
Inserted inside.
上記の一連の操作を繰り返すことにより、多数の被処
理物14の表面に所定の物質からなる薄膜を被着形成する
作業が行われる。By repeating the above-described series of operations, the work of depositing and forming a thin film made of a predetermined substance on the surface of a large number of objects to be processed 14 is performed.
ここで、反応ガスの熱分解などによって被処理物14の
表面に被着される物質は、同時に処理室３の内壁面など
にも堆積され、処理室３の内部における異物発生の原因
となるため、該処理室３を定期的に取り外して内部を洗
浄するなどの保守作業が必要となるが、本実施例の加熱
処理装置における保守作業は、次のように行われる。Here, the substance deposited on the surface of the object to be processed 14 due to the thermal decomposition of the reaction gas is simultaneously deposited on the inner wall surface of the processing chamber 3 and the like, which causes the generation of foreign matter inside the processing chamber 3. Maintenance work such as periodical removal of the processing chamber 3 and cleaning of the inside is required. The maintenance work in the heat treatment apparatus of this embodiment is performed as follows.
まず、蓋体12および治具13などが降下され、外部に取
り除かれる。First, the lid 12 and the jig 13 are lowered and removed to the outside.
次に、反応ガス供給口５に接続される配管６、および
排気口９に接続される配管10において、加熱体２の下端
部近傍の比較的低い位置にある管継手部８および管継手
部11がそれぞれ取り外される。Next, in the pipe 6 connected to the reaction gas supply port 5 and the pipe 10 connected to the exhaust port 9, the pipe joint portion 8 and the pipe joint portion 11 at a relatively low position near the lower end portion of the heating body 2 are provided. Are removed respectively.
その後、ステージ１の昇降機構16を作動させることに
よって、該ステージ１に固定された加熱体２および処理
室３が比較的低い位置に降下される。Then, by operating the elevating mechanism 16 of the stage 1, the heating element 2 and the processing chamber 3 fixed to the stage 1 are lowered to a relatively low position.
そして、降下された処理室３の上端部における配管６
の管継手部７が、たとえば高い作業台などを用いること
なく、比較的低い位置で作業性良く、安全に取り外さ
れ、さらに、処理室３の下端部をステージ１の底部に固
定している接続具４が取り外された後、昇降機構16によ
ってステージ１および加熱体２が上昇される。これによ
り、処理管3aつまり処理室３は加熱体２から抜き出され
て離反することになる。Then, the pipe 6 at the upper end of the lowered processing chamber 3
The pipe joint part 7 of FIG. 1 is safely removed at a relatively low position without using, for example, a high workbench, and the lower end of the processing chamber 3 is fixed to the bottom of the stage 1. After the tool 4 is removed, the lifting mechanism 16 raises the stage 1 and the heating body 2. As a result, the processing tube 3a, that is, the processing chamber 3 is extracted from the heating body 2 and separated.
次に、処理室３が外部に取り除かれ、洗浄済みの清浄
な処理室３が上昇されている加熱体２の直下に位置され
た後、昇降機構16によってステージ１および加熱体２が
降下され、該加熱体２の内部軸方向に処理室３が挿通さ
れる。Next, the processing chamber 3 is removed to the outside, and the cleaned and cleaned processing chamber 3 is positioned immediately below the elevated heating body 2, and then the lifting mechanism 16 lowers the stage 1 and the heating body 2. The processing chamber 3 is inserted in the inner axial direction of the heating body 2.
そして、処理室３の上端部における反応ガス供給口５
と配管６のとの管継手部７が、前記の取り外し作業の場
合と同様に、比較的低い位置で作業性良く、安全かつ確
実に接続され、さらに、処理室３の下端部が接続具４に
よってステージ１の下面に固定された後、昇降機構16に
よってステージ１は加熱体２および処理室３とともに所
定の高さに上昇されて固定される。Then, the reaction gas supply port 5 at the upper end of the processing chamber 3
The pipe joint portion 7 of the pipe 6 and the pipe 6 is connected at a relatively low position with good workability, safely and surely, as in the case of the above-mentioned removal work, and the lower end portion of the processing chamber 3 is connected to the connector 4 After being fixed to the lower surface of the stage 1 by means of the elevating mechanism 16, the stage 1 is elevated to a predetermined height and fixed together with the heating body 2 and the processing chamber 3.
その後、反応ガス供給口５に接続される配管６および
排気口９に接続される配管10の、加熱体２の下端部近傍
の比較的低い位置にある管継手部８および管継手部11が
それぞれ接続され、熱処理装置が稼働可能な状態に迅速
に復帰される。Thereafter, the pipe joint portion 8 and the pipe joint portion 11 at a relatively low position near the lower end portion of the heating body 2 of the pipe 6 connected to the reaction gas supply port 5 and the pipe 10 connected to the exhaust port 9 are respectively It is connected and the heat treatment apparatus is quickly returned to an operable state.
このように、本実施例においては以下の効果を得るこ
とができる。As described above, the following effects can be obtained in this embodiment.
（１）．処理室３を所定の温度に加熱する加熱体２を支
持するステージ１に昇降機構16が設けられ、加熱体２が
昇降自在な構造であるため、たとえば、処理室３の交換
などの保守作業に際して行われる該処理室３の上端部に
おける反応ガス供給口５と配管６とを接続する管継手部
７の着脱を、加熱体２および処理室３を降下させること
により、比較的低い位置で作業性良く安全に行うことが
できる。(1). Since the stage 1 supporting the heating body 2 for heating the processing chamber 3 to a predetermined temperature is provided with the elevating mechanism 16 and the heating body 2 can be moved up and down, for example, in maintenance work such as replacement of the processing chamber 3 The attachment / detachment of the pipe joint portion 7 connecting the reaction gas supply port 5 and the pipe 6 at the upper end of the processing chamber 3 is performed by lowering the heating body 2 and the processing chamber 3 so that workability is relatively low. You can do it well and safely.
（２）．前記（１）の結果、処理室３の上端部における
反応ガス供給口５と配管６とを接続する管継手部７の着
脱が、迅速かつ確実に行われ、保守作業に要する時間の
短縮および、管継手部７の接続不良などに起因するガス
漏れ事故の防止が可能となる。(2). As a result of (1) above, the pipe joint portion 7 that connects the reaction gas supply port 5 and the pipe 6 at the upper end of the processing chamber 3 is quickly and reliably attached and detached, and the time required for maintenance work is shortened, and It is possible to prevent a gas leakage accident caused by a poor connection of the pipe joint portion 7.
（３）．前記（１），（２）の結果、単位時間当たりに
処理される半導体ウエハなどの被処理物14の数量が増加
され、半導体装置の製造における製造原価が低減され
る。(3). As a result of the above (1) and (2), the number of objects to be processed 14 such as semiconductor wafers processed per unit time is increased, and the manufacturing cost in manufacturing a semiconductor device is reduced.
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、昇降機構と
しては、送りねじなどを使用するものに限らず、いかな
る機構であってもよく、さらに、処理室の上下両端部に
おける反応ガス供給口と排気口の位置が逆であってもよ
い。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Nor. For example, the elevating mechanism is not limited to the one using a feed screw or the like, and any mechanism may be used. Further, even if the positions of the reaction gas supply port and the exhaust port at the upper and lower ends of the processing chamber are reversed. Good.
また、処理室の軸は、鉛直方向に限らず、傾斜されて
いてもよい。Further, the axis of the processing chamber is not limited to the vertical direction and may be inclined.
以上の説明では主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野である半導体ウエハの膜
形成処理に適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではなく、被処理物を加熱することによっ
て所定の処理を行う技術などに広く適用できる。In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to the film forming process of the semiconductor wafer which is the field of application which is the background has been described, but the invention is not limited thereto and the object to be processed is heated. By doing so, it can be widely applied to a technique for performing a predetermined process.
［発明の効果］ 本願において開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りであ
る。[Effects of the Invention] The effects obtained by the representative one of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
すなわち、処理室の周囲に配設された加熱体によって
該処理室内に位置される被処理物を加熱する縦型の熱処
理装置で、前記加熱体を昇降させる昇降機構を有する構
造であるため、たとえば、保守点検などの目的で処理室
を加熱体から抜き出す作業に際して、加熱体を処理室と
ともに降下されることにより、該処理室の上端部に接続
されている配管の着脱などを比較的低い位置で作業性良
くかつ安全に行うことができ、保守作業などにおける作
業性および安全性の向上、さらには作業時間の短縮を実
現することができる。That is, since it is a vertical heat treatment apparatus for heating an object to be processed located in the processing chamber by a heating body arranged around the processing chamber, and has a lifting mechanism for moving the heating body up and down, When removing the processing chamber from the heating body for the purpose of maintenance and inspection, lowering the heating body together with the processing chamber allows the pipes connected to the upper end of the processing chamber to be attached and detached at a relatively low position. It can be performed with good workability and safety, and workability and safety in maintenance work and the like can be improved, and further work time can be shortened.
第１図は、本発明の一実施例である熱処理装置の要部を
示す説明図である。 １……ステージ、２……加熱体、３……処理室、４……
接続具、５……反応ガス供給口、６……配管、7,8……
管継手部、９……排気口、10……配管、11……管継手
部、12……蓋体、13……治具、14……被処理物、15……
ローダ、16……昇降機構、16a,16b……送りねじ、16c…
…駆動機構、16d……歯車機構。FIG. 1 is an explanatory view showing a main part of a heat treatment apparatus which is an embodiment of the present invention. 1 ... Stage, 2 ... Heating body, 3 ... Processing room, 4 ...
Connector, 5 …… Reactant gas supply port, 6 …… Piping, 7,8 ……
Pipe fitting, 9 ... Exhaust port, 10 ... Piping, 11 ... Pipe fitting, 12 ... Lid, 13 ... Jig, 14 ... Workpiece, 15 ...
Loader, 16 ... Lifting mechanism, 16a, 16b ... Feed screw, 16c ...
… Driving mechanism, 16d …… Gear mechanism.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 明弘 小平市上水本町1450番地 株式会社日立 製作所武蔵工場内 (72)発明者 中村 宏 小平市上水本町1450番地 株式会社日立 製作所武蔵工場内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Akihiro Kobayashi 1450, Kamimizuhonmachi, Kodaira City, Hitachi Ltd. Musashi Plant (72) Inventor Hiroshi Nakamura, 1450, Kamimizumoto Town, Kodaira Hitachi, Ltd. Musashi Plant, Ltd.
Claims (2)
れ、内部に鉛直方向に延びる処理室を有する処理管と、 前記処理管の上端部に着脱自在に装着される配管と、 上下動自在のステージの上側に取り付けられ、前記処理
管の周囲に配設されて前記処理室内の被処理物を加熱す
る円筒形状の加熱体と、 前記処理管の下端部に着脱自在に設けられ、前記開口部
を密閉する蓋体と、 前記ステージと前記処理管の下端部との間に着脱自在に
設けられ、前記ステージと前記処理管とを連結して前記
ステージの上下動を前記処理管に伝達する接続具と、 前記ステージを昇降させる昇降機構とを有し、 前記ステージを介して前記加熱体と前記処理管とを降下
した状態で前記配管を前記処理管から外し、かつ前記接
続具が外された状態のもとで前記ステージを介して前記
加熱体を上昇して前記加熱体を前記処理管から離反し得
るようにしたことを特徴とする熱処理装置。1. A processing pipe having an opening for inserting an object to be processed formed at a lower end thereof and having a processing chamber extending in the vertical direction therein; a pipe detachably attached to an upper end of the processing pipe; A cylindrical heating element that is attached to the upper side of a movable stage and is disposed around the processing tube to heat an object to be processed in the processing chamber, and is detachably provided at a lower end portion of the processing tube, A lid that seals the opening, and is detachably provided between the stage and the lower end of the processing tube, and connects the stage and the processing tube to move the stage up and down to the processing tube. A connector that transmits, and an elevating mechanism that elevates and lowers the stage, removes the pipe from the process pipe in a state where the heating body and the process pipe are lowered through the stage, and the connector is With the stay removed, Heat treatment apparatus, characterized in that the heating body by increasing the said heating body and adapted to be separated from the process tube through.
熱処理装置が、縦型化学気相成長装置または縦型拡散装
置であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
熱処理装置。2. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the object to be treated is a semiconductor wafer, and the heat treatment apparatus is a vertical chemical vapor deposition apparatus or a vertical diffusion apparatus. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61087928A JP2502977B2 (en) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | Heat treatment equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61087928A JP2502977B2 (en) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | Heat treatment equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62245623A JPS62245623A (en) | 1987-10-26 |
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1986
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Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS62245623A (en) | 1987-10-26 |
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