JP2502232B2 - 高分子系薄膜のドライ・エッチング加工法 - Google Patents
高分子系薄膜のドライ・エッチング加工法Info
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- JP2502232B2 JP2502232B2 JP3333098A JP33309891A JP2502232B2 JP 2502232 B2 JP2502232 B2 JP 2502232B2 JP 3333098 A JP3333098 A JP 3333098A JP 33309891 A JP33309891 A JP 33309891A JP 2502232 B2 JP2502232 B2 JP 2502232B2
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- Japan
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- thin film
- polymer thin
- polymer
- dry etching
- etching method
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高分子系材料の薄膜のド
ライエッチング法に関し、特にエアーコンディショニン
グ用温度センサにおける高分子系材料の薄膜微細加工に
有利に適用することができる同方法に関する。
ライエッチング法に関し、特にエアーコンディショニン
グ用温度センサにおける高分子系材料の薄膜微細加工に
有利に適用することができる同方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高分子系薄膜の微細加工における
エッチング加工法を図２によって説明する。この加工法
では、図２の（ａ）に示すように、基板４上に高分子系
材料を全面に塗布して高分子系薄膜５を形成させた後、
図２の（ｂ）に示すように感光性のあるレジスト薄膜６
を全面に塗布する。次に、図２の（ｃ）に示すように、
所望の加工パターン７が形成されたガラスマスク８を通
して平行紫外線光を照射してから、図２の（ｄ）に示す
ように、レジスト溶解液Ａ１０によってレジスト薄膜６
の光のあたった部分だけを溶解する。その後、さらに図
２の（ｅ），（ｆ）に示すように、高分子系薄膜溶解液
及びレジスト溶解液Ｂ１２に次々と浸漬することによ
り、所望の高分子系薄膜５形状に加工し、浸漬液より取
出し図２の（ｇ）に示すように製品とする。
エッチング加工法を図２によって説明する。この加工法
では、図２の（ａ）に示すように、基板４上に高分子系
材料を全面に塗布して高分子系薄膜５を形成させた後、
図２の（ｂ）に示すように感光性のあるレジスト薄膜６
を全面に塗布する。次に、図２の（ｃ）に示すように、
所望の加工パターン７が形成されたガラスマスク８を通
して平行紫外線光を照射してから、図２の（ｄ）に示す
ように、レジスト溶解液Ａ１０によってレジスト薄膜６
の光のあたった部分だけを溶解する。その後、さらに図
２の（ｅ），（ｆ）に示すように、高分子系薄膜溶解液
及びレジスト溶解液Ｂ１２に次々と浸漬することによ
り、所望の高分子系薄膜５形状に加工し、浸漬液より取
出し図２の（ｇ）に示すように製品とする。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように従来のエッ
チング加工法では高分子系薄膜が何度も薬液にさらされ
ることになる。このため電気容量、電気抵抗などの物性
を用いて高分子系薄膜に機能をもたせる場合、ばらつき
や機能低下といった不具合が生じることがあった。
チング加工法では高分子系薄膜が何度も薬液にさらされ
ることになる。このため電気容量、電気抵抗などの物性
を用いて高分子系薄膜に機能をもたせる場合、ばらつき
や機能低下といった不具合が生じることがあった。
【０００４】本発明は上記技術水準に鑑み、高分子系薄
膜を薬液に一度も接触させることがなく、従って従来法
のような不具合を発生させない高分子系薄膜の加工法を
提供しようとするものである。
膜を薬液に一度も接触させることがなく、従って従来法
のような不具合を発生させない高分子系薄膜の加工法を
提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は基板に高分子系
材料を塗布した後、金属製形板を前記高分子系材料の上
に載せ、その後、前記金属製形板の開放部の高分子系薄
膜をドライエッチングした後、前記金属製形板をとりは
ずすことを特徴とする高分子系薄膜のドライエッチング
加工法である。
材料を塗布した後、金属製形板を前記高分子系材料の上
に載せ、その後、前記金属製形板の開放部の高分子系薄
膜をドライエッチングした後、前記金属製形板をとりは
ずすことを特徴とする高分子系薄膜のドライエッチング
加工法である。
【０００６】本発明において使用される基板としてはシ
リコンウエハ、ガラス、サファイア、ガリウムヒ素な
ど、高分子系材料としてはポリイミド、ポリプロピレン
など、金属製形板としてはステンレス、クロム合金板な
どがあげられ、またドライエッチング剤としてはＯ2 ガ
ス、ＣＦ4 ガスなどがあげられる。
リコンウエハ、ガラス、サファイア、ガリウムヒ素な
ど、高分子系材料としてはポリイミド、ポリプロピレン
など、金属製形板としてはステンレス、クロム合金板な
どがあげられ、またドライエッチング剤としてはＯ2 ガ
ス、ＣＦ4 ガスなどがあげられる。
【０００７】
【作用】本発明によれば金属製形板をマスクに用いるこ
とで、マスク形成時、高分子系薄膜エッチング時及びマ
スク除去時に薬液にひたす必要がなくなる。
とで、マスク形成時、高分子系薄膜エッチング時及びマ
スク除去時に薬液にひたす必要がなくなる。
【０００８】
【実施例】次に本発明の実施例を図１により説明する。
図１の（ａ）のように、シリコンウエハの基板１全面に
ポリイミドよりなる高分子系材料２を塗布して高分子系
薄膜２を形成する。次に、図１の（ｂ）のように金属
（ステンレス）製形板３をその上に載せる。さらに図１
の（ｃ）のように、真空度：２×１０-2Torr、パワー：
１００Ｗ、Ｏ2 ガス流量：１０cc／min の条件下で酸素
などのプラズマ中に入れることによって金属製形板３の
開放部の高分子系薄膜２をエッチングする。最後に、図
１の（ｄ）のように、金属製形板３を取りはずすことに
より所望の形状の高分子系薄膜２を得る。
図１の（ａ）のように、シリコンウエハの基板１全面に
ポリイミドよりなる高分子系材料２を塗布して高分子系
薄膜２を形成する。次に、図１の（ｂ）のように金属
（ステンレス）製形板３をその上に載せる。さらに図１
の（ｃ）のように、真空度：２×１０-2Torr、パワー：
１００Ｗ、Ｏ2 ガス流量：１０cc／min の条件下で酸素
などのプラズマ中に入れることによって金属製形板３の
開放部の高分子系薄膜２をエッチングする。最後に、図
１の（ｄ）のように、金属製形板３を取りはずすことに
より所望の形状の高分子系薄膜２を得る。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば従来
の高分子系薄膜を薬液に一度も接触させることなく所望
の形状に加工できることにより、薬液の薄膜接触による
電気容量や電気抵抗といった物性的機能のばらつきや機
能低下が避けられるようになる。
の高分子系薄膜を薬液に一度も接触させることなく所望
の形状に加工できることにより、薬液の薄膜接触による
電気容量や電気抵抗といった物性的機能のばらつきや機
能低下が避けられるようになる。
【図１】本発明の方法の工程図
【図２】従来の高分子系薄膜の加工の工程図
Claims (1)
- 【請求項１】 基板に高分子系材料を塗布した後、金属
製形板を前記高分子系材料の上に載せ、その後、前記金
属製形板の開放部の高分子系薄膜をドライエッチングし
た後、前記金属製形板をとりはずすことを特徴とする高
分子系薄膜のドライエッチング加工法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3333098A JP2502232B2 (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 高分子系薄膜のドライ・エッチング加工法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3333098A JP2502232B2 (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 高分子系薄膜のドライ・エッチング加工法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05163375A JPH05163375A (ja) | 1993-06-29 |
| JP2502232B2 true JP2502232B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=18262260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3333098A Expired - Lifetime JP2502232B2 (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 高分子系薄膜のドライ・エッチング加工法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2502232B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4523892B2 (ja) * | 2005-08-18 | 2010-08-11 | 立山マシン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
| JP5190571B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2013-04-24 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | マイクロピラーアレイ素子の製造方法と製造装置 |
| KR102255676B1 (ko) * | 2018-09-10 | 2021-05-28 | 동국대학교 산학협력단 | 기능성 박막 형상화 제조 방법 및 이를 통해 제조된 전자 소자 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4529860A (en) * | 1982-08-02 | 1985-07-16 | Motorola, Inc. | Plasma etching of organic materials |
| JPS60261574A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-24 | Nissan Motor Co Ltd | 樹脂成形品の部分塗装方法 |
| JPS6153335A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-17 | Tohoku Richo Kk | プラスチツクのドライエツチング法 |
-
1991
- 1991-12-17 JP JP3333098A patent/JP2502232B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05163375A (ja) | 1993-06-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960123 |