JP2500714B2 - ソレノイド異常検出回路 - Google Patents

ソレノイド異常検出回路

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JP2500714B2
JP2500714B2 JP3317060A JP31706091A JP2500714B2 JP 2500714 B2 JP2500714 B2 JP 2500714B2 JP 3317060 A JP3317060 A JP 3317060A JP 31706091 A JP31706091 A JP 31706091A JP 2500714 B2 JP2500714 B2 JP 2500714B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、パルス幅変調により通
電されるソレノイドの異常を検出するソレノイド異常検
出回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図5は従来のソレノイド異常検出回路の
構成例を示す回路図であり、この図において、1はパル
ス幅変調信号を発生するパルス幅変調信号発生回路、2
および3は分圧抵抗、4および5はパルス幅変調信号に
よってオン/オフされるダーリントン接続のトランジス
タ、6は自動演奏ピアノの鍵やペダルを駆動するための
ソレノイド、7はソレノイド6を保護するためのダイオ
ード、8はソレノイド6で発生するノイズを防止するた
めのコンデンサ、9はダイオードである。そして、これ
らの回路要素1〜9は、鍵およびペダルの数、たとえ
ば、約90個設けられており、ダイオード9a〜9cは、
これらの回路要素1〜9が接続点aにパラレルに接続さ
れていることを示している。
【0003】また、10はダイオード、11〜14は抵
抗、15はダイオード、16はコンデンサであり、これ
らの回路要素のうち、回路要素14〜16は、約数秒の
時定数を有するアナログ積分回路を構成している。17
はコンパレータ、18および19は所定の基準電圧V
refを設定するための抵抗、20はコンデンサ、21は
異常検出信号が出力される出力端子である。なお、抵抗
11の値は、たとえば、抵抗13の値の1/100程
度、抵抗12の値は、たとえば、抵抗13の値の1/2
0程度、抵抗14の値は、たとえば、抵抗13の値の2
倍程度とする。今の場合、電源電圧VDDを120
[V]、電源電圧VCCを5[V]、抵抗11の値を1
[kΩ]、抵抗12の値を4.7[kΩ]、抵抗13の
値を100[kΩ]、抵抗14の値を220[kΩ]、
コンデンサ16の容量を10[μF]、抵抗18の値を
12[kΩ]、抵抗19の値を10[kΩ]とする。
【0004】このような構成において、パルス幅変調信
号発生回路1においてパルス幅変調信号が発生される
と、トランジスタ4および5は、この信号によりオン/
オフされ、ソレノイド6は、パルス幅変調信号が”H”
レベルの間通電される。そして、トランジスタ5がオフ
の期間には、接続点aの電位、すなわち、トランジスタ
5のコレクタ電位がほぼ電源電圧VDD(120[V])
となり、接続点bの電位が電源電圧VCC(5[V])の
抵抗12および13による分圧電圧(約4.78
[V])にほぼ等しいので、ダイオード9および10は
非導通状態となる。これにより、コンデンサ16は、電
源電圧VCC(5[V])、抵抗12、ダイオード15を
介して充電される。この場合の充電時間は、ほぼ抵抗1
2およびコンデンサ16のそれぞれの値によって決定さ
れる時定数による。
【0005】いっぽう、トランジスタ5がオンの期間に
は、接続点aの電位、すなわち、トランジスタ5のコレ
クタ電位がほぼ0[V]となるが、接続点bの電位は電
源電圧VCC(5[V])の抵抗12および13による分
圧電圧(約4.78[V])にほぼ等しいままであるの
で、ダイオード9および10は導通状態となる。これに
より、接続点bの電位は、電源電圧VCC(5[V])の
抵抗11および12による分圧電圧(約0.87
[V])にほぼ等しくなるので、トランジスタ5がオフ
の期間にコンデンサ16に充電された電荷は、抵抗1
4、抵抗11、ダイオード10および9並びにトランジ
スタ5を介して放電される。この場合の放電時間は、ほ
ぼ抵抗14およびコンデンサ16のそれぞれの値によっ
て決定される時定数による。
【0006】正常時は、以上説明したコンデンサ16の
充電および放電動作がパルス幅変調信号発生回路1から
出力されるパルス幅変調信号に応じて繰り返されるの
で、コンデンサ16の電位は、常に、あらかじめ設定さ
れた基準電圧Vref(約2.73[V])以上である。
したがって、出力端子21から正常であることを示す”
H”レベルの信号が出力されている。
【0007】ところが、トランジスタ5がショート状
態、あるいは、何らかの原因によってトランジスタ5の
オン状態が連続する、すなわち、ソレノイド6が長い時
間通電され続けると、コンデンサ16の放電時間が長く
なるので、コンデンサ16の電位は基準電圧Vref以下
となり、出力端子21から異常であることを示す”L”
レベルの異常検出信号が出力される。これにより、図示
せぬ制御回路は、異常検出信号を入力し、ソレノイド6
の通電を停止し、ソレノイド6の焼損を防止する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来のソレノイド異常検出回路においては、トランジスタ
5のオン状態の連続、あるいは、トランジスタ5のコレ
クタ−エミッタ間電圧VCEが0〜1.5V程度となるシ
ョート状態を検出して異常検出信号を出力している。し
かしながら、トランジスタ5の故障モードのなかには、
コレクタ−エミッタ間が半ショート状態になるものがあ
るが、従来の回路では、この状態を検出できないので、
ソレノイド6が焼損してしまうという問題があった。
【0009】また、上述した従来のソレノイド異常検出
回路が適用される自動演奏ピアノにおいては、装置全体
の電源は投入されたままであるが、動作休止時にソレノ
イドに印加される電源電圧VDDを遮断する場合がある。
しかしながら、上述した従来のソレノイド異常検出回路
において、電源電圧VDDを遮断すると、回路の動作とし
てはトランジスタ5がオンした状態と同じになるため、
コンデンサ16に充電された電荷は、抵抗14、抵抗1
1、ダイオード10および9並びにトランジスタ5を介
して放電されるので、この場合にも、コンデンサ16の
電位が基準電圧Vref以下となり、出力端子21から異
常であることを示す”L”レベルの異常検出信号が出力
されてしまう。本発明は、このような背景の下になされ
たもので、ソレノイドを駆動するトランジスタの半ショ
ート状態が検出でき、また、電源を遮断しても回路が誤
動作しないソレノイド異常検出回路を提供することを目
的とする。
【0010】請求項1記載の発明によるソレノイド異常
検出回路は、パルス幅変調信号に応じて通電/通電遮断
されるソレノイドの通電/通電遮断に応じて充放電され
る第1の充放電手段と、該第1の充放電手段の電位を所
定の電位と比較して前記ソレノイドの通電異常を検出す
る検出手段と、前記ソレノイドに所定の電圧以上印加さ
れている場合にのみ、前記第1の充放電手段を充電また
は放電する第2の充放電手段とを具備することを特徴と
している。
【0011】請求項2記載の発明によるソレノイド異常
検出回路は、パルス幅変調信号に応じて通電/通電遮断
されるソレノイドの通電/通電遮断に応じて充放電され
る第1の充放電手段と、該第1の充放電手段の電位を所
定の電位と比較して前記ソレノイドの通電異常を検出す
る検出手段と、前記ソレノイドに所定の電圧以上印加さ
れている場合に、前記第1の充放電手段を充電または放
電する第2の充放電手段と、前記ソレノイドに印加され
る電源が遮断された場合に、前記第1の充放電手段への
充電または放電を阻止する阻止手段とを具備することを
特徴としている。
【0012】
【作用】請求項1記載の発明によるソレノイド異常検出
回路においては、パルス幅変調信号に応じてソレノイド
が通電/通電遮断されると、第1の充放電手段は、この
ソレノイドの通電/通電遮断に応じて充放電される。こ
れにより、検出手段は、第1の充放電手段の電位を所定
の電位と比較してソレノイドの通電異常を検出する。そ
して、第2の充放電手段がソレノイドに所定の電圧以上
印加されている場合には、第1の充放電手段を充電また
は放電するので、これに応じて、検出手段は、第1の充
放電手段の電位を所定の電位と比較してソレノイドの通
電異常を検出する。
【0013】また、請求項2記載の発明によるソレノイ
ド異常検出回路においては、請求項1記載の発明による
ソレノイド異常検出回路と同様の動作が行われるのに加
えて、ソレノイドに印加される電源が遮断された場合に
は、阻止手段が第1の充放電手段への充電または放電を
阻止するので、検出手段は、この場合には、ソレノイド
の通電異常として検出しない。
【0014】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の一実施例に
ついて説明する。図1は本発明の第1の実施例によるソ
レノイド異常検出回路の構成を示す回路図であり、この
図において、図5の各部に対応する部分には同一の符号
を付け、その説明を省略する。この図に示すソレノイド
異常検出回路においては、ソレノイド6の電源電圧VDD
が印加されている端子とダイオード9のカソードとの間
に、抵抗22および23が新たに介挿されている。
【0015】また、ダイオード9のカソードと端子bと
の間には、ダイオード10および抵抗11に代えて、ツ
ェナーダイオード24およびダイオード25が介挿され
るとともに、ツェナーダイオード24のカソードとダイ
オード25のアノードとの接続点と接地との間に、抵抗
26が介挿されている。抵抗26の値は、たとえば、抵
抗22の値と抵抗23の値との和の1/10程度とす
る。なお、ツェナーダイオード24の臨界電圧VZは、
トランジスタ5のコレクタ−エミッタ間電圧VCEに応じ
て変更可能であり、抵抗22、23および26の値も同
様に変更可能である。今、電源電圧VDD=120[V]
とし、トランジスタ5の半ショート状態の場合のコレク
タ−エミッタ間電圧VCEが約60[V]であるとした
時、ツェナーダイオード24には、臨界電圧VZが75
[V]であるものを使用する。また、抵抗22、23お
よび26の値は、それぞれ12[kΩ]、10[kΩ]
および2.2[kΩ]とする。
【0016】このような構成において、パルス幅変調信
号発生回路1においてパルス幅変調信号が発生される
と、トランジスタ4および5は、この信号によりオン/
オフされ、ソレノイド6は、パルス幅変調信号が”H”
レベルの間通電される。そして、トランジスタ5がオフ
の期間には、接続点aの電位、すなわち、トランジスタ
5のコレクタ電位がほぼ電源電圧VDD[V](120
[V])となり、接続点cの電位が、ツェナーダイオー
ド24の臨界電圧VZと、電源電圧VDD[V](120
[V])からツェナーダイオード24の臨界電圧VZ
差し引いた電圧の抵抗22および23と抵抗26とによ
る分圧電圧(約4.09[V])との和(約79.1
[V])であるので、ダイオード9は非導通状態であ
る。
【0017】また、接続点dの電位が電源電圧V
DD[V](120[V])からツェナーダイオード24
の臨界電圧VZを差し引いた電圧の抵抗22および23
と抵抗26とによる分圧電圧(約4.09[V])であ
り、接続点bの電位が電源電圧VCC[V](5
[V])の抵抗12と13とによる分圧電圧(約4.7
8[V])にほぼ等しいので、ダイオード25は非導通
状態である。これにより、コンデンサ16は、電源電圧
CC[V]、抵抗12、ダイオード15を介して充電
される。この場合の充電時間は、ほぼ抵抗12およびコ
ンデンサ16のそれぞれの値によって決定される時定数
による。
【0018】いっぽう、トランジスタ5がオンの期間に
は、接続点aの電位、すなわち、トランジスタ5のコレ
クタ電位がほぼ0[V]となるが、接続点cの電位が、
ツェナーダイオード24の臨界電圧VZと、電源電圧V
DD[V](120[V])からツェナーダイオード24
の臨界電圧VZを差し引いた電圧の抵抗22および23
と抵抗26とによる分圧電圧(約4.09[V])との
和(約79.1[V])のままであるので、ダイオード
9は導通状態となる。
【0019】これにより、接続点cの電位が約0.7
[V]となるので、ツェナーダイオード24には、逆方
向電流が流れなくなる。いっぽう、接続点bの電位は、
電源電圧VCC[V](5[V])の抵抗12と13とに
よる分圧電圧(約4.78[V])にほぼ等しいままで
あるので、ダイオード25が導通状態となるとともに、
ツェナーダイオード24には、順方向電流が流れるよう
になる。
【0020】したがって、接続点bの電位は、ダイオー
ド9、ツェナーダイオード24およびダイオード25の
それぞれの順方向電圧の合計、すなわち、約2.1
[V]にほぼ等しくなるので、トランジスタ5がオフの
期間にコンデンサ16に充電された電荷は、抵抗14、
ダイオード25および抵抗26を介して放電される。こ
の場合の放電時間は、ほぼ抵抗14およびコンデンサ1
6のそれぞれの値によって決定される時定数による。
【0021】正常時は、以上説明したコンデンサ16の
充電および放電動作がパルス幅変調信号発生回路1から
出力されるパルス幅変調信号に応じて繰り返されるの
で、コンデンサ16の電位は、常に、あらかじめ設定さ
れた基準電圧Vref以上である。したがって、出力端子
21から正常であることを示す”H”レベルの信号が出
力されている。
【0022】ところが、トランジスタ5がショート状
態、あるいは、何らかの原因によってトランジスタ5の
オン状態が連続する、すなわち、ソレノイド6が長い時
間通電され続けると、コンデンサ16の放電時間が長く
なるので、コンデンサ16の電位は基準電圧Vref以下
となり、出力端子21から異常であることを示す”L”
レベルの異常検出信号が出力される。これにより、図示
せぬ制御回路は、異常検出信号を入力し、ソレノイド6
の通電を停止し、ソレノイド6の焼損を保護する。
【0023】また、トランジスタ5が、何らかの原因に
よって半ショート状態となった場合、すなわち、トラン
ジスタ5が所定の抵抗値を有しており、トランジスタ5
のコレクタ−エミッタ間に、たとえば、60[V]程度
の電位差が生じている場合、ソレノイド6の両端には、
約40[V]以上の電圧が印加されることになるが、こ
のような場合、ソレノイド6は発熱し始め、焼損する可
能性が高い。
【0024】そこで、この実施例によるソレノイド異常
検出回路は、以下に示す動作により、ソレノイド6の焼
損を防止する。トランジスタ5が、何らかの原因によっ
て半ショート状態となり、トランジスタ5のコレクタ電
位、すなわち、接続点aの電位が、たとえば、60
[V]程度となっている場合、接続点cの電位は、ツェ
ナーダイオード24の臨界電圧VZと、電源電圧V
DD[V](120[V])からツェナーダイオード24
の臨界電圧VZを差し引いた電圧の抵抗22および23
と抵抗26とによる分圧電圧(約4.09[V])との
和(約79.1[V])のままであるので、ダイオード
9は導通状態となる。
【0025】これにより、接続点cの電位がほぼ60
[V]となるので、ツェナーダイオード24には、逆方
向電流が流れなくなる。いっぽう、接続点bの電位は、
電源電圧VCC[V](5[V])の抵抗12と13とに
よる分圧電圧(約4.78[V])にほぼ等しいままで
あるので、ダイオード25が導通状態となる。ツェナー
ダイオード24には、電流は流れない。
【0026】したがって、接続点bの電位は、抵抗1
2、ダイオード25および抵抗26で決定される電圧、
すなわち、約1.3[V]となるので、コンデンサ16
に充電された電荷は、抵抗14、ダイオード25および
抵抗26を介して放電される。そして、このトランジス
タ5の半ショート状態がある時間以上連続すると、コン
デンサ16の電位は基準電圧Vref以下となり、出力端
子21から異常であることを示す”L”レベルの異常検
出信号が出力される。これにより、図示せぬ制御回路
は、異常検出信号を入力し、ソレノイド6の通電を停止
し、ソレノイド6の焼損を保護する。
【0027】次に、本発明の第2の実施例について説明
する。図2は本発明の第2の実施例によるソレノイド異
常検出回路の構成を示す回路図であり、この図におい
て、図1の各部に対応した部分には同一の符号を付け、
その説明を省略する。図2において、27はツェナーダ
イオード24と同一の臨界電圧VZを有するツェナーダ
イオード、28はPNP型のトランジスタ、29〜32
は電源電圧VDD遮断時にトランジスタ28を所定の動作
点で動作させるためにトランジスタ28にバイアスを印
加するための抵抗である。トランジスタ28としては、
たとえば、ベース・エミッタ間電圧VBEのティピカル値
が−0.6[V]、コレクタ−エミッタ間電圧VCEのテ
ィピカル値が−0.07[V]、直流電流増幅率hFE
ティピカル値が200、エミッタ・ベース電圧VEB0
最大値が−5[V]の特性を有するものを使用する。
【0028】また、電源電圧VDDが120[V]であっ
て、トランジスタ5の半ショート状態の場合のコレクタ
−エミッタ間電圧VCEが62.7[V]であるとした
時、ツェナーダイオード24および27には、臨界電圧
Zが62[V]であるものを使用する。また、抵抗2
2,23および26の値は、たとえば、それぞれ12
[kΩ]、10[kΩ]および2.7[kΩ]とする。
さらに、抵抗29〜32の値は、たとえば、それぞれ1
5[kΩ]、2.7[kΩ]、1[kΩ]および1[k
Ω]とする。
【0029】このような構成において、パルス幅変調信
号発生回路1においてパルス幅変調信号が発生される
と、トランジスタ4および5は、この信号によりオン/
オフされ、ソレノイド6は、パルス幅変調信号が”H”
レベルの間通電される。そして、トランジスタ5がオフ
の期間には、接続点aの電位、すなわち、トランジスタ
5のコレクタ電位がほぼ電源電圧VDD[V](120
[V])となるとともに、接続点cの電位がツェナーダ
イオード24の臨界電圧VZと、電源電圧VDD[V]
(120[V])からツェナーダイオード24の臨界電
圧VZを差し引いた電圧の抵抗22および23と抵抗2
6とによる分圧電圧(約6.3[V])との和(約6
8.3[V])であるので、ダイオード9は非導通状態
である。
【0030】また、接続点dの電位が電源電圧V
DD[V](120[V])からツェナーダイオード24
の臨界電圧VZを差し引いた電圧の抵抗22および23
と抵抗26とによる分圧電圧(約6.3[V])であ
り、接続点bの電位が電源電圧VCC[V](5[V])
の抵抗12および13による分圧電圧(約4.78
[V])より高いので、ダイオード25は非導通状態で
ある。これにより、コンデンサ16は、電源電圧V
CC[V]、抵抗12、ダイオード15を介して充電され
る。この場合の充電時間は、ほぼ抵抗12およびコンデ
ンサ16のそれぞれの値によって決定される時定数によ
る。
【0031】このとき、接続点eの電位が電源電圧VDD
[V](120[V])からツェナーダイオード27の
臨界電圧VZを差し引いた電圧の抵抗29と抵抗30と
による分圧電圧(約8.8[V])であり、トランジス
タ28のエミッタには、電源電圧VCC(5[V])が印
加されているので、トランジスタ28のベース・エミッ
タ間電圧VBEは、ほぼ接続点eの電位(約8.8
[V])から電源電圧VCC(5[V])を引いた電位
(約3.8[V])であるから、トランジスタ28は遮
断状態である。
【0032】いっぽう、トランジスタ5がオンの期間に
は、接続点aの電位、すなわち、トランジスタ5のコレ
クタ電位がほぼ0[V]となるが、接続点cの電位が、
ツェナーダイオード24の臨界電圧VZと、電源電圧V
DD[V](120[V])からツェナーダイオード24
の臨界電圧VZを差し引いた電圧の抵抗22および23
と抵抗26とによる分圧電圧(約6.3[V])との和
(約68.3[V])のままであるので、ダイオード9
は導通状態となる。
【0033】これにより、接続点cの電位が約0.7
[V]となるので、ツェナーダイオード24には、逆方
向電流が流れなくなる。いっぽう、接続点bの電位は、
電源電圧VCC[V](5[V])の抵抗12と13とに
よる分圧電圧(約4.78[V])にほぼ等しいままで
あるので、ダイオード25が導通状態となるとともに、
ツェナーダイオード24には、順方向電流が流れるよう
になる。
【0034】したがって、接続点bの電位は、ダイオー
ド9、ツェナーダイオード24およびダイオード25の
それぞれの順方向電圧の合計、すなわち、約2.1
[V]にほぼ等しくなるので、トランジスタ5がオフの
期間にコンデンサ16に充電された電荷は、抵抗14、
ダイオード25および抵抗26を介して放電される。こ
の場合の放電時間は、ほぼ抵抗14およびコンデンサ1
6のそれぞれの値によって決定される時定数による。
【0035】このとき、接続点eの電位が電源電圧VDD
[V](120[V])からツェナーダイオード27の
臨界電圧VZを差し引いた電圧の抵抗29と抵抗30と
による分圧電圧(約8.8[V])であり、トランジス
タ28のエミッタには、電源電圧VCC(5[V])が印
加されているので、トランジスタ28のベース・エミッ
タ間電圧VBEは、ほぼ接続点eの電位(約8.8
[V])から電源電圧VCC(5[V])を引いた電位
(約3.8[V])であるから、トランジスタ28は遮
断状態のままである。
【0036】正常時は、以上説明したコンデンサ16の
充電および放電動作がパルス幅変調信号発生回路1から
出力されるパルス幅変調信号に応じて繰り返されるの
で、コンデンサ16の電位は、常に、あらかじめ設定さ
れた基準電圧Vref以上である。したがって、出力端子
21から正常であることを示す”H”レベルの信号が出
力されている。
【0037】ところが、トランジスタ5がショート状
態、あるいは、何らかの原因によってトランジスタ5の
オン状態が連続する、すなわち、ソレノイド6が長い時
間通電され続けると、コンデンサ16の放電時間が長く
なるので、コンデンサ16の電位は基準電圧Vref以下
となり、出力端子21から異常であることを示す”L”
レベルの異常検出信号が出力される。これにより、図示
せぬ制御回路は、異常検出信号を入力し、ソレノイド6
の通電を停止し、ソレノイド6の焼損を保護する。
【0038】また、トランジスタ5が、図3に示すよう
に、何らかの原因によって半ショート状態となり、トラ
ンジスタ5のコレクタ電位、すなわち、接続点aの電位
が、たとえば、120[V]から下がって時刻t1に6
2.7[V]となった場合、ソレノイド6の両端には、
約57[V]以上の電圧が印加されることになるので、
ソレノイド6は発熱している。
【0039】このとき、接続点cの電位は、ツェナーダ
イオード24の臨界電圧VZと、電源電圧VDD[V]
(120[V])からツェナーダイオード24の臨界電
圧VZを差し引いた電圧の抵抗22および23と抵抗2
6とによる分圧電圧(約6.3[V])との和(約6
8.3[V])のままであるので、ダイオード9は導通
状態となる。これにより、接続点cの電位がほぼ63.
4[V]となるので、ツェナーダイオード24には、逆
方向電流が流れなくなる。いっぽう、接続点bの電位
は、電源電圧VCC[V](5[V])の抵抗12と13
とによる分圧電圧(約4.78[V])にほぼ等しいま
まであるので、ダイオード25が導通状態となる。ツェ
ナーダイオード24には、電流が流れない。
【0040】したがって、接続点dの電位は、図3に示
すように、抵抗12、ダイオード25および抵抗26で
決定される電圧、すなわち、約1.6[V]となり、接
続点bの電位が約2.3[V]になるので、コンデンサ
16に充電された電荷は、抵抗14、ダイオード25お
よび抵抗26を介して放電される。そして、このトラン
ジスタ5の半ショート状態がある時間以上連続すると、
コンデンサ16の電位は基準電圧Vref以下となり、出
力端子21から異常であることを示す”L”レベルの異
常検出信号が出力される。これにより、図示せぬ制御回
路は、異常検出信号を入力し、ソレノイド6の通電を停
止し、ソレノイド6の焼損を保護する。
【0041】このとき、接続点eの電位が電源電圧VDD
[V](120[V])からツェナーダイオード27の
臨界電圧VZを差し引いた電圧の抵抗29と抵抗30と
による分圧電圧(約8.8[V])であり、トランジス
タ28のエミッタには、電源電圧VCC(5[V])が印
加されているので、トランジスタ28のベース・エミッ
タ間電圧VBEは、ほぼ接続点eの電位(約8.8
[V])から電源電圧VCC(5[V])を引いた電位
(約3.8[V])であるから、トランジスタ28は遮
断状態のままである。
【0042】さて、この実施例が適用される自動演奏ピ
アノにおいては、装置全体の電源は投入されたままであ
るが、動作休止時にソレノイドに印加される電源電圧V
DDを遮断する場合がある。以下、そのような場合の図2
に示す回路の動作について説明する。図4に示すよう
に、時刻t0にソレノイド6に印加されていた電源電圧
DDが遮断されると、その電圧が120[V]から0
[V]に向かって徐々に下がっていくとともに、接続点
aの電位、すなわち、トランジスタ5のコレクタ電位も
120[V]から0[V]に向かって徐々に下がってい
く(電源電圧VDDが遮断される直前がトランジスタ5が
オフの期間であった場合)。
【0043】また、電源電圧VDDが120[V]から0
[V]に向かって徐々に下がっていくに応じて接続点c
の電位も約68.3[V]から0[V]に向かって徐々
に下がっていくので、図4に示すように、電源電圧VDD
が65.7[V]まで下がった時点(時刻t2)で、ツ
ェナーダイオード24には、逆方向電流が流れなくな
る。
【0044】ところで、電源電圧VDDが120[V]か
ら0[V]に向かって徐々に下がっていくのに応じて接
続点eの電位も、図4に示すように、8.8[V]から
0[V]に向かって徐々に下がっていくが、4.4
[V]まで下がると、トランジスタ28のベース・エミ
ッタ間電圧VBEは、ほぼ接続点eの電位(4.4
[V])から電源電圧VCC(5[V])を引いた電位
(−0.6[V])となるから、トランジスタ28はオ
ンする(時刻t1)。
【0045】これにより、トランジスタ28のコレクタ
電流が接続点dに流れ込むので、図4に示すように、接
続点dの電位の低下が阻止され、3.65[V]以下に
は下がらない。したがって、コンデンサ16の電位が基
準電圧Vref以下とならず、出力端子21から異常であ
ることを示す”L”レベルの異常検出信号が出力されな
い。
【0046】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1記載の発
明によれば、ソレノイドを駆動するトランジスタの半シ
ョート状態も検出できるという効果がある。これによ
り、ソレノイドの異常通電の検出範囲が広くなり、ソレ
ノイドの焼損を従来よりもさらに防止することができ、
装置の信頼性が向上する。
【0047】また、請求項2記載の発明によれば、装置
全体の電源は投入されたままであるが、動作休止時にソ
レノイドに印加される電源を遮断した場合でも、ソレノ
イドの動作休止時とソレノイドの動作時とが区別され、
回路がトランジスタがショート状態であると誤検出しな
いという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施例によるソレノイド異常
検出回路の構成を示す回路図である。
【図2】 本発明の第2の実施例によるソレノイド異常
検出回路の構成を示す回路図である。
【図3】 図2の回路の動作を説明するための図であ
る。
【図4】 図2の回路の動作を説明するための図であ
る。
【図5】 従来のソレノイド異常検出回路の構成例を示
す回路図である。
【符号の説明】
5,28……トランジスタ、6……ソレノイド、22,
23,26,29〜32……抵抗、24,27……ツェ
ナーダイオード、25……ダイオード。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パルス幅変調信号に応じて通電/通電遮
    断されるソレノイドの通電/通電遮断に応じて充放電さ
    れる第1の充放電手段と、 該第1の充放電手段の電位を所定の電位と比較して前記
    ソレノイドの通電異常を検出する検出手段と、 前記ソレノイドに所定の電圧以上印加されている場合
    のみ、前記第1の充放電手段を充電または放電する第2
    の充放電手段とを具備することを特徴とするソレノイド
    異常検出回路。
  2. 【請求項2】 パルス幅変調信号に応じて通電/通電遮
    断されるソレノイドの通電/通電遮断に応じて充放電さ
    れる第1の充放電手段と、 該第1の充放電手段の電位を所定の電位と比較して前記
    ソレノイドの通電異常を検出する検出手段と、 前記ソレノイドに所定の電圧以上印加されている場合
    に、前記第1の充放電手段を充電または放電する第2の
    充放電手段と、 前記ソレノイドに印加される電源が遮断された場合に、
    前記第1の充放電手段への充電または放電を阻止する阻
    止手段とを具備することを特徴とするソレノイド異常検
    出回路。
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