JP2024047910A - 研磨装置及び被加工物の研磨方法 - Google Patents

Abstract

【課題】研磨加工条件を適切かつ迅速に設定することが可能な研磨装置を提供する。【解決手段】研磨パッドの研磨面で被加工物を研磨する研磨装置であって、被加工物を保持する保持面を有する保持テーブルと、研磨パッドが装着されるスピンドルを有する研磨ユニットと、研磨面に研磨液を供給する研磨液供給ユニットと、研磨面の温度を測定する温度センサと、研磨面と温度センサとを研磨パッドの回転軸と交差する方向に沿って相対的に移動させる移動機構と、を有し、研磨パッドによる被加工物の研磨中に研磨面の複数の位置における温度を測定する温度測定ユニットと、コントローラと、を備え、コントローラは、研磨面の温度が所定の温度分布になるように、研磨液供給ユニットから研磨面に供給される研磨液の供給位置を決定する。【選択図】図１

Description

本発明は、研磨パッドの研磨面で被加工物を研磨する研磨装置及び被加工物の研磨方法に関する。

デバイスチップの製造プロセスでは、格子状に配列された複数のストリート（分割予定ライン）によって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハが用いられる。このウェーハをストリートに沿って分割することにより、デバイスを備えるデバイスチップが得られる。デバイスチップは、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の様々な電子機器に組み込まれる。

デバイスチップの製造に用いられるウェーハに厚さばらつきがあったり微細な凹凸（傷等）が残存していたりすると、デバイスチップの抗折強度（曲げ強度）の低下や寸法の誤差等の不都合が生じ、デバイスチップの品質が低下するおそれがある。そこで、分割前のウェーハに対して、研磨装置を用いた研磨加工が施されることがある。

研磨装置は、ウェーハを保持する保持テーブルと、ウェーハに研磨加工を施す研磨ユニットとを備えている。研磨ユニットにはスピンドルが内蔵されており、スピンドルの先端部に円盤状の研磨パッドが装着される。ウェーハをチャックテーブルで保持し、研磨パッドを回転させつつウェーハに接触させることにより、ウェーハの被研磨面が研磨される。これにより、被研磨面が平坦化されるとともに被研磨面側に残存する微細な凹凸が除去され、デバイスチップの品質低下が抑制される。

研磨パッドをウェーハに接触させる際には、ウェーハと研磨パッドとの間に研磨液（スラリー）が供給され、研磨パッドによる機械的作用と研磨液による化学的作用とによってウェーハが研磨される。なお、ウェーハに作用する研磨液の化学的作用の強弱は、研磨パッドのウェーハを研磨する面（研磨面）の温度に依存することが確認されている。そこで、ウェーハの研磨中には、ウェーハと研磨パッドとの接触領域における温度が監視されることがある。例えば特許文献１には、研磨中のウェーハの温度を常時測定可能な研磨装置が開示されている。

特開平９－１９８５４号公報

上記のように被加工物と研磨パッドとの接触領域における温度が監視される場合には、測定された温度に応じて研磨加工条件の調節が行われる。例えば、研磨装置のオペレータが、測定された研磨面の温度分布を確認し、研磨面の温度が均一になるように研磨加工条件を変更する。

しかしながら、熟練のオペレータでなければ測定された研磨面の温度に基づいて適切な研磨加工条件を特定することが困難な場合も多く、研磨加工条件が誤って設定されてしまうおそれがある。そして、誤った研磨加工条件が設定された状態で被加工物の研磨が続行されると、研磨後の被加工物に厚さばらつき等の加工不良が生じることがある。また、被加工物と研磨パッドとの接触領域における温度に基づいて適切な研磨加工条件を選定することが可能であっても、オペレータは研磨加工条件の項目や数値を特定し、研磨装置に正確に入力する必要がある。そのため、研磨加工条件の調節作業には手間と時間がかかる。

本発明は、かかる問題に鑑みてなされたものであり、研磨加工条件を適切かつ迅速に設定することが可能な研磨装置及び被加工物の研磨方法の提供を目的とする。

本発明の一態様によれば、研磨パッドの研磨面で被加工物を研磨する研磨装置であって、該被加工物を保持する保持面を有する保持テーブルと、該研磨パッドが装着されるスピンドルを有する研磨ユニットと、該研磨面に研磨液を供給する研磨液供給ユニットと、該研磨面の温度を測定する温度センサと、該研磨面と該温度センサとを該研磨パッドの回転軸と交差する方向に沿って相対的に移動させる移動機構と、を有し、該研磨パッドによる該被加工物の研磨中に該研磨面の複数の位置における温度を測定する温度測定ユニットと、コントローラと、を備え、該コントローラは、該研磨面の温度と該研磨液の供給位置との対応関係を示す対応関係情報を記憶する記憶部と、該温度測定ユニットによって測定された該研磨面の温度と該記憶部に記憶された該対応関係情報とに基づいて、該研磨面の温度が所定の温度分布になるように、該研磨液供給ユニットから該研磨面に供給される該研磨液の供給位置を決定する決定部と、を有する研磨装置が提供される。

なお、好ましくは、該対応関係情報は、該研磨液の供給位置ごとの供給量を示す情報を含み、該決定部は、該研磨液の供給量を供給位置ごとに決定する。

また、好ましくは、該決定部は、該研磨面の複数の位置における温度の差が小さくなるように、該研磨液供給ユニットから該研磨面に供給される該研磨液の供給位置及び供給量を決定する。

また、好ましくは、該研磨面の面積は、該被加工物の該研磨面によって研磨される面の面積よりも大きく、該温度センサは、該研磨パッドによる該被加工物の研磨中に、該研磨面の該被加工物と重ならない領域の温度を測定する。

また、好ましくは、該研磨面の面積は、該被加工物の該研磨面によって研磨される面の面積よりも大きく、該研磨液供給ユニットは、該研磨パッドによる該被加工物の研磨中に該研磨面の該被加工物と重ならない領域に該研磨液を供給する供給部と、該研磨パッドと該供給部とを該研磨パッドの回転軸と交差する方向に沿って相対的に移動させる移動機構と、を有する。

また、好ましくは、該研磨ユニットは、該保持テーブルの上方に設けられた該スピンドルと、該スピンドルに該研磨パッドを装着するためのマウントと、該研磨液供給ユニットから該研磨液が供給される第１供給路と、該第１供給路に接続され該研磨液を該研磨面の複数の位置に導く複数の第２供給路と、該第２供給路から該研磨面に供給される該研磨液の流量を調節する調節部と、を有する。

また、本発明の他の一態様によれば、研磨パッドの研磨面で被加工物を研磨する被加工物の研磨方法であって、該被加工物を保持テーブルの保持面で保持する保持ステップと、該研磨パッドの該研磨面に研磨液を供給しながら該保持テーブルの保持面で保持された該被加工物を該研磨面で研磨する研磨ステップと、該研磨パッドによる該被加工物の研磨中に、該研磨面の複数の位置における温度を測定する温度測定ステップと、該温度測定ステップで測定された該研磨面の温度と、該研磨面の温度と該研磨液の供給位置との対応関係を示す対応関係情報と、に基づいて、該研磨面の温度が所定の温度分布になるように該研磨面に供給される該研磨液の供給位置を決定する研磨液供給条件決定ステップと、該研磨パッドによる該被加工物の研磨中に、該研磨液を該研磨液供給条件決定ステップで決定された供給位置に供給する研磨液供給ステップと、を含む被加工物の研磨方法が提供される。

なお、好ましくは、該対応関係情報は、該研磨液の供給位置ごとの供給量を示す情報を含み、該研磨液供給条件決定ステップでは、該研磨液の供給量を供給位置ごとに決定し、該研磨液供給ステップでは、該研磨液を該研磨液供給条件決定ステップで決定された供給量で供給する。

また、好ましくは、該研磨液供給条件決定ステップでは、該研磨面の複数の位置における温度の差が小さくなるように、該研磨面に供給される該研磨液の供給位置及び供給量を決定する。

また、好ましくは、該研磨面の面積は、該被加工物の該研磨面によって研磨される面の面積よりも大きく、該温度測定ステップでは、該研磨パッドによる該被加工物の研磨中に、該研磨面の該被加工物と重ならない領域の温度を測定する。

また、好ましくは、該研磨面の面積は、該被加工物の該研磨面によって研磨される面の面積よりも大きく、該研磨液供給ステップでは、該研磨パッドによる該被加工物の研磨中に、該研磨面の該被加工物と重ならない領域に該研磨液を供給する。

また、好ましくは、該研磨パッドは、研磨ユニットに装着され、該研磨ユニットは、該保持テーブルの上方に設けられたスピンドルと、該スピンドルに該研磨パッドを装着するためのマウントと、該研磨液が供給される第１供給路と、該第１供給路に接続され該研磨液を該研磨面の複数の位置に導く複数の第２供給路と、該第２供給路から該研磨面に供給される該研磨液の流量を調節する調節部と、を有し、該研磨液供給ステップでは、該研磨パッドによる該被加工物の研磨中に、該第１供給路及び複数の該第２供給路を介して該研磨面の複数の位置に該研磨液を供給する。

本発明の一態様に係る研磨装置及び被加工物の研磨方法においては、予め設定された対応関係情報に基づき、研磨パッドの研磨面の温度が所定の温度分布になるように研磨面に供給される研磨液の供給位置が決定される。これにより、研磨液の供給条件を研磨面の温度に応じて適切かつ迅速に調節することができる。

研磨装置を示す斜視図である。 図２（Ａ）は研磨パッドを示す斜視図であり、図２（Ｂ）は研磨パッドを示す底面図である。 研磨液供給ユニット及び温度測定ユニットを示す斜視図である。 研磨液供給ユニットの変形例を示す斜視図である。 温度センサを示す一部断面側面図である。 被加工物の研磨方法を示すフローチャートである。 研磨装置によって研磨される被加工物を示す側面図である。 研磨面の温度分布を示す底面図である。 図９（Ａ）は研磨パッドの変形例を示す斜視図であり、図９（Ｂ）は研磨パッドの変形例を示す底面図である。 研磨装置の第１変形例を示す一部断面側面図である。 研磨装置の第２変形例を示す一部断面側面図である。

以下、添付図面を参照して本発明の一態様に係る実施形態を説明する。まず、本実施形態に係る研磨装置の構成例について説明する。図１は、被加工物１１を研磨する研磨装置２を示す斜視図である。なお、図１において、Ｘ軸方向（第１水平方向、前後方向）とＹ軸方向（第２水平方向、左右方向）とは、互いに垂直な方向である。また、Ｚ軸方向（加工送り方向、高さ方向、鉛直方向、上下方向）は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向と垂直な方向である。

例えば被加工物１１は、単結晶シリコン等の半導体材料でなる円盤状のウェーハであり、互いに概ね平行な表面（第１面）１１ａ及び裏面（第２面）１１ｂを備える。被加工物１１は、互いに交差するように格子状に配列された複数のストリート（分割予定ライン）によって、複数の矩形状の領域に区画されている。また、ストリートによって区画された複数の領域の表面１１ａ側にはそれぞれ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイス等のデバイス（不図示）が形成されている。

被加工物１１をストリートに沿って分割することにより、デバイスをそれぞれ備える複数のデバイスチップが製造される。被加工物１１の分割には、環状の切削ブレードで被加工物１１を切削する切削装置、レーザービームの照射によって被加工物１１を加工するレーザー加工装置等、各種の加工装置を用いることができる。また、被加工物１１の分割前に、研磨装置２で被加工物１１の裏面１１ｂ側を研磨することにより、被加工物１１の裏面１１ｂが平坦化されるとともに、被加工物１１の裏面１１ｂ側に残存する微細な凹凸（傷等）が除去される。

ただし、被加工物１１の種類、材質、大きさ、形状、構造等に制限はない。例えば被加工物１１は、シリコン以外の半導体（ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ等）、サファイア、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等でなるウェーハ（基板）であってもよい。また、デバイスの種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はなく、被加工物１１にはデバイスが形成されていなくてもよい。

研磨装置２は、研磨装置２を構成する各構成要素を支持又は収容する基台４を備える。基台４の上面側には、長手方向がＸ軸方向に沿うように形成された矩形状の開口４ａが設けられている。また、基台４の後端部の上面側には、直方体状の支持構造６がＺ軸方向に沿って設けられている。

開口４ａの内側には、被加工物１１を保持する保持テーブル（チャックテーブル）８が設けられている。保持テーブル８の上面は、水平面（ＸＹ平面）と概ね平行な平坦面であり、被加工物１１を保持する保持面８ａを構成している。保持面８ａは、保持テーブル８の内部に形成された流路（不図示）、バルブ（不図示）等を介して、エジェクタ等の吸引源（不図示）に接続されている。

保持テーブル８には、保持テーブル８をＸ軸方向に沿って移動させるＸ軸移動ユニット１０が連結されている。Ｘ軸移動ユニット１０は、例えばボールねじ式の移動機構であり、開口４ａの内側に設けられている。具体的には、Ｘ軸移動ユニット１０は、Ｘ軸方向に沿って配置されたＸ軸ボールねじ（不図示）と、Ｘ軸ボールねじを回転させるＸ軸パルスモータ（不図示）とを備える。

また、Ｘ軸移動ユニット１０は、保持テーブル８を囲むように設けられた平板状のテーブルカバー１２を備える。テーブルカバー１２の前方及び後方には、Ｘ軸方向に沿って伸縮可能な蛇腹状の防塵防滴カバー１４が設けられている。テーブルカバー１２及び防塵防滴カバー１４は、開口４ａの内側に収容されているＸ軸移動ユニット１０の構成要素（Ｘ軸ボールねじ、Ｘ軸パルスモータ等）を覆うように設置される。

Ｘ軸移動ユニット１０を作動させると、保持テーブル８がテーブルカバー１２とともにＸ軸方向に沿って移動し、開口４ａの前端部（搬送位置）又は後端部（研磨位置）に位置付けられる。また、保持テーブル８には、保持テーブル８をＺ軸方向と概ね平行な回転軸の周りで回転させるモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されている。

支持構造６の前面側には、Ｚ軸移動ユニット１６が設けられている。Ｚ軸移動ユニット１６は、Ｚ軸方向に沿って配置された一対のＺ軸ガイドレール１８を備える。一対のＺ軸ガイドレール１８には、平板状のＺ軸移動プレート２０がＺ軸ガイドレール１８に沿ってスライド可能に装着されている。

Ｚ軸移動プレート２０の裏面側（後面側）側には、ナット部（不図示）が設けられている。このナット部には、一対のＺ軸ガイドレール１８の間にＺ軸方向に沿って配置されたＺ軸ボールねじ２２が螺合されている。また、Ｚ軸ボールねじ２２の端部には、Ｚ軸ボールねじ２２を回転させるＺ軸パルスモータ２４が連結されている。Ｚ軸パルスモータ２４でＺ軸ボールねじ２２を回転させると、Ｚ軸移動プレート２０がＺ軸ガイドレール１８に沿ってＺ軸方向に移動（昇降）する。

Ｚ軸移動プレート２０の表面（前面）側には、支持部材２６が固定されている。支持部材２６は、被加工物１１に研磨加工を施す研磨ユニット２８を支持している。研磨ユニット２８は、支持部材２６によって支持された円柱状のハウジング３０を備える。ハウジング３０には、Ｚ軸方向に沿って配置された円柱状のスピンドル３２が収容されている。

スピンドル３２の先端部（下端部）は、ハウジング３０の下面から下方に突出している。また、スピンドル３２の基端部（上端部）には、回転駆動源（不図示）が連結されている。例えばスピンドル３２として、エアスピンドルやモータスピンドルを用いることができる。

スピンドル３２の先端部には、金属等でなる円盤状のマウント３４が固定されている。マウント３４の下面側には、被加工物１１を研磨する円盤状の研磨パッド３６が着脱可能に装着される。すなわち、マウント３４は、スピンドル３２の先端部に研磨パッド３６を装着、固定するための支持部材である。

図２（Ａ）は研磨パッド３６を示す斜視図であり、図２（Ｂ）は研磨パッド３６を示す底面図である。研磨パッド３６は、円盤状の基台３８と、基台３８に固定された円盤状の研磨層４０とを含む。

基台３８は、ステンレス、アルミニウム等の金属でなり、互いに概ね平行な第１面３８ａ及び第２面３８ｂを備える。第１面３８ａはマウント３４（図１参照）に固定される固定端面に相当し、第２面３８ｂは固定端面の反対側に位置する自由端面に相当する。

研磨層４０は、基台３８と概ね同径に形成された円盤状の部材であり、互いに概ね平行な第１面４０ａ及び第２面４０ｂを備える。研磨層４０の第１面４０ａ側は、接着剤等を介して基台の第２面３８ｂ側に固定される。また、第２面４０ｂは、被加工物１１を研磨する研磨パッド３６の研磨面３６ａに相当する。

研磨層４０の第２面４０ｂ側には、互いに交差するように格子状に配列された複数の溝４０ｃが形成されている。溝４０ｃは、研磨パッド３６で被加工物１１が研磨される際に供給される研磨液の流路となる。

研磨層４０は、砥粒（固定砥粒）を結合材で固定することによって形成される。例えば、砥粒としては平均粒径が１μｍ以上１０μｍ以下のシリカ（ＳｉＯ_２）が用いられ、結合材としてはフェルトや樹脂（発泡ウレタン、ゴム粒子等）が用いられる。また、研磨層４０の厚さは、例えば５ｍｍ以上１５ｍｍ以下に設定される。ただし、砥粒の材質及び粒径、結合材の材質、研磨層４０の厚さはそれぞれ、被加工物１１の材質等に応じて適宜変更できる。

研磨パッド３６は、研磨ユニット２８のマウント３４（図１参照）に装着される。例えば、基台３８の第１面３８ａをマウント３４の下面に接触させた状態で、ボルド等の固定具（不図示）を用いて研磨パッド３６をマウント３４に固定する。そして、研磨パッド３６は、回転駆動源からスピンドル３２及びマウント３４を介して伝達される動力により、Ｚ軸方向と概ね平行な回転軸の周りを回転する。すなわち、研磨パッド３６の回転軸はＺ軸方向に沿って設定される。

図１に示すように、研磨ユニット２８の下方には、研磨液供給ユニット４２及び温度測定ユニット４４が設けられている。研磨液供給ユニット４２及び温度測定ユニット４４は、研磨ユニット２８に装着された研磨パッド３６の研磨面３６ａとＺ軸方向において重なるように配置されている。研磨液供給ユニット４２は、研磨面３６ａの複数の位置に研磨液（スラリー）を供給する。また、温度測定ユニット４４は、研磨面３６ａの複数の位置における温度を測定する。

図３は、研磨液供給ユニット４２及び温度測定ユニット４４を示す斜視図である。研磨液供給ユニット４２は、直方体状の支持部材５０を備える。支持部材５０の内側には、支持部材５０の上面で開口する直方体状の開口部５０ａが設けられている。開口部５０ａは、長手方向がＸ軸方向に沿うように所定の幅で形成されている。

支持部材５０の開口部５０ａには、移動機構５２が設けられている。例えば移動機構５２は、ボールねじ式の移動機構であり、Ｘ軸方向に沿って配置されたボールねじ（不図示）と、ボールねじを回転させるパルスモータ（不図示）とを備える。ただし、移動機構５２の構成に制限はない。例えば、エアシリンダ等によって移動機構５２を構成することもできる。

移動機構５２には、研磨液（スラリー）５６を供給する供給部５４が連結されている。供給部５４は、研磨液５６を噴射するノズル５４ａを備え、研磨パッド３６の研磨面３６ａ（図１参照）に向かって研磨液５６を噴射する。例えば供給部５４は、薬液と気体（エアー等）とを混合し、霧状の研磨液５６をノズル５４ａから上方に向かって噴射させる。

移動機構５２を作動させると、供給部５４が支持部材５０の上面に沿ってＸ軸方向に移動する。そして、供給部５４をＸ軸方向に沿って移動させると、研磨パッド３６の研磨面３６ａと供給部５４とが、研磨パッド３６の回転軸（Ｚ軸方向）と交差する方向に沿って相対的に移動する。具体的には、供給部５４のノズル５４ａが、研磨面３６ａと平行な方向に沿って、研磨面３６ａに対して相対的に移動する。これにより、研磨面３６ａの任意の位置に研磨液５６を供給することができる。

研磨液５６の材料は、被加工物１１の材質等に応じて適宜選択される。例えば研磨液５６として、酸性研磨液やアルカリ性研磨液等の薬液が用いられる。酸性研磨液の例としては、過マンガン酸塩等が溶解した酸性溶液が挙げられる。また、アルカリ性研磨液の例としては、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムが溶解したアルカリ溶液が挙げられる。

なお、研磨パッド３６の研磨層４０（図２（Ａ）及び図２（Ｂ）参照）には、固定砥粒が含有されていないこともある。この場合には、砥粒を含有する研磨液５６が研磨面３６ａに供給されてもよい。例えば研磨液５６には、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等でなる砥粒が遊離砥粒として含有される。

なお、研磨液供給ユニット４２の構成は、研磨液５６を研磨面３６ａの複数の位置に供給可能であれば制限はない。図４は、研磨液供給ユニット４２の変形例を示す斜視図である。

図４に示す研磨液供給ユニット４２は、供給部５４に連結された移動機構５８を備える。移動機構５８には、供給部５４をＹ軸方向と概ね平行な回転軸の周りで回転させるモータ等の回転駆動源（不図示）が内蔵されている。移動機構５８を作動させると、ノズル５４ａの向きがＸＺ平面内において変更され、研磨面３６ａの研磨面３６ａの任意の位置に供給することができる。

図３に示すように、温度測定ユニット４４は、直方体状の支持部材６０を備える。支持部材６０の内側には、支持部材６０の上面で開口する直方体状の開口部６０ａが設けられている。開口部６０ａは、長手方向がＸ軸方向に沿うように所定の幅で形成されている。

支持部材６０の開口部６０ａには、移動機構６２が設けられている。例えば移動機構６２は、ボールねじ式の移動機構であり、Ｘ軸方向に沿って配置されたボールねじ（不図示）と、ボールねじを回転させるパルスモータ（不図示）とを備える。ただし、移動機構６２の構成に制限はない。例えば、エアシリンダ等によって移動機構６２を構成することもできる。

移動機構６２には、研磨パッド３６の研磨面３６ａ（図１参照）の温度を測定する温度センサ６４が連結されている。移動機構６２を作動させると、温度センサ６４が支持部材６０の上面に沿ってＸ軸方向に移動する。

移動機構６２によって温度センサ６４をＸ軸方向に沿って移動させると、研磨パッド３６の研磨面３６ａと温度センサ６４とが、研磨パッド３６の回転軸（Ｚ軸方向）と交差する方向に沿って相対的に移動する。具体的には、温度センサ６４が、研磨面３６ａと平行な方向に沿って、研磨面３６ａに対して相対的に移動する。これにより、研磨面３６ａの任意の位置における温度を測定することができる。

図５は、温度センサ６４を示す一部断面側面図である。例えば温度センサ６４は、測定対象物から放出される赤外線６６の強度に基づいて測定対象物の温度を測定する。具体的には、温度センサ６４は、直方体状に形成された箱型の筐体６８と、筐体６８に収容された放射温度計７０とを備える。

放射温度計７０は、測定対象物が発する赤外線６６を集光させる赤外線レンズ７２と、赤外線レンズ７２によって集光された赤外線６６の強度を検出する検出素子７４とを備える。検出素子７４としては、例えばサーモパイルを用いることができる。

研磨パッド３６の研磨面３６ａ（図１参照）は、研磨面３６ａの温度に対応する赤外線６６を発する。そして、研磨面３６ａから放出された赤外線６６は、筐体６８の上壁に設けられた開口６８ａを介して赤外線レンズ７２に入射し、赤外線レンズ７２によって検出素子７４の受光面で集光される。検出素子７４は、集光された赤外線６６を検出し、赤外線６６の強度に対応する電気信号を生成して出力する。検出素子７４から出力された信号を増幅して放射率補正を行うことにより、研磨面３６ａの温度が検出される。

また、温度センサ６４は、温度センサ６４への異物（塵、ダスト等）の付着を防止するパージユニット（異物付着防止ユニット）７６を備える。例えばパージユニット７６は、エアー等の気体８２を供給するノズル７８を備える。ノズル７８の先端部（一端部）には、気体８２を噴射する噴射口７８ａが設けられている。また、ノズル７８の基端部（他端部）には、ノズル７８にエアー等の気体を供給する気体供給源８０が接続されている。ノズル７８の先端部は、筐体６８の上壁に沿って配置され、筐体６８の開口６８ａの近傍に位置付けられている。

パージユニット７６を作動させると、ノズル７８の噴射口７８ａから気体８２が、放射温度計７０の光軸と垂直な方向（ＸＹ平面方向）に沿って噴射される。その結果、筐体６８の開口６８ａが流動する気体８２によって覆われる。これにより、異物が開口６８ａから筐体６８の内部に入り込んで放射温度計７０による温度の測定が阻害されることを防止できる。

なお、ノズル７８の角度は、気体８２によって筐体６８の開口６８ａをカバーすることが可能であれば適宜変更できる。ただし、ノズル７８から噴射された気体８２が研磨パッド３６の研磨面３６ａ（図１参照）に直接吹き付けられると、研磨面３６ａが乾燥したり、研磨面３６ａの温度が意図せず変化したりすることがある。そのため、ノズル７８の角度は、気体８２がノズル７８から水平方向（ＸＹ平面方向）に噴射され、又は、水平方向よりも下方に噴射されるように調節することが好ましい。

図１に示すように、研磨装置２は、研磨装置２を制御するコントローラ（制御ユニット、制御部、制御装置）４６を備える。コントローラ４６は、研磨装置２の各構成要素（保持テーブル８、Ｘ軸移動ユニット１０、Ｚ軸移動ユニット１６、研磨ユニット２８、研磨液供給ユニット４２、温度測定ユニット４４等）に接続されている。コントローラ４６は、研磨装置２の各構成要素に制御信号を出力することにより、研磨装置２の動作を制御する。

例えばコントローラ４６は、コンピュータによって構成される。具体的には、コントローラ４６は、研磨装置２を稼働させるための演算等を行う処理部と、研磨装置２の稼働に用いられる各種の情報（データ、プログラム等）を記憶する記憶部とを備える。処理部は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサを含んで構成される。また、記憶部は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等のメモリを含んで構成される。

次に、研磨装置２を用いた被加工物の研磨方法について説明する。図６は、被加工物の研磨方法を示すフローチャートである。また、図７は、研磨装置２によって研磨される被加工物１１を示す側面図である。以下では一例として、研磨装置２を用いて被加工物１１の裏面１１ｂ側を研磨する場合について、図６及び図７を参照しつつ説明する。

まず、被加工物１１を保持テーブル８の保持面８ａで保持する（保持ステップＳ１）。研磨装置２で被加工物１１を研磨する際、被加工物１１は研磨される面（被研磨面）が露出するように保持テーブル８によって保持される。例えば、被加工物１１の裏面１１ｂ側を研磨する場合には、被加工物１１は、表面１１ａ側が保持面８ａに対面し、裏面１１ｂ側が上方に露出するように、保持テーブル８上に配置される。この状態で、保持面８ａに吸引源の吸引力（負圧）を作用させると、被加工物１１が保持テーブル８によって吸引保持される。

なお、被加工物１１を保持テーブル８で保持する際には、被加工物１１の表面１１ａ側に保護部材（不図示）が固定されてもよい。これにより、被加工物１１の表面１１ａ側が保護される。この場合、被加工物１１は保護部材を介して保持テーブル８によって保持される。

保護部材としては、被加工物１１と概ね同径に形成された円形の保護シートを用いることができる。例えば保護シートは、フィルム状の基材と、基材上に設けられた粘着層（糊層）とを備える。基材は、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタラート等の樹脂でなり、粘着層は、エポキシ系、アクリル系、又はゴム系の接着剤等でなる。なお、粘着層は、紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化型樹脂であってもよい。

被加工物１１が保持テーブル８で保持されると、保持テーブル８がＸ軸移動ユニット１０（図１参照）によって後方に移動し、研磨ユニット２８の下方（研磨位置）に配置される。なお、研磨パッド３６の研磨面３６ａの面積は、被加工物１１の被研磨面（裏面１１ｂ）の面積よりも大きい。具体的には、研磨面３６ａの直径は被加工物１１の裏面１１ｂの直径よりも大きい。そして、被加工物１１は、裏面１１ｂの全体が研磨面３６ａと重なるように位置付けられる。

次に、研磨パッド３６の研磨面３６ａに研磨液５６を供給しながら、保持テーブル８の保持面８ａで保持された被加工物１１を研磨面３６ａで研磨する（研磨ステップＳ２）。研磨ステップＳ２では、まず、保持テーブル８とスピンドル３２とをそれぞれ、Ｚ軸方向と概ね平行な回転軸の周りを所定の回転数で回転させる。例えば、保持テーブル８の回転数は３００ｒｐｍ以上１２５０ｒｐｍ以下に設定され、スピンドル３２の回転数は１０００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下に設定される。

次に、研磨ユニット２８をＺ軸移動ユニット１６（図１参照）によって所定の速度（加工送り速度）で下降させ、研磨パッド３６の研磨面３６ａと被加工物１１の裏面１１ｂとを互いに接近させる。また、研磨液供給ユニット４２から研磨面３６ａに研磨液５６を供給する。例えば、研磨液供給ユニット４２の供給部５４の位置を移動機構５２（図３参照）によって調節し、供給部５４から霧状の研磨液５６を研磨面３６ａの中心付近に吹き付ける。そして、回転する研磨パッド３６の研磨面３６ａが被加工物１１の裏面１１ｂに接触すると、研磨パッド３６による被加工物１１の研磨が開始される。

なお、前述の通り、研磨パッド３６の研磨面３６ａ側には複数の溝４０ｃ（図２（Ａ）及び図２（Ｂ）参照）が形成されている。そして、研磨面３６ａに研磨液５６が供給されると、溝４０ｃに研磨液５６が流入し、溝４０ｃが研磨液５６で満たされる。これにより、研磨面３６ａの全体に研磨液５６が広がりやすくなる。

研磨パッド３６による被加工物１１の研磨中には、研磨パッド３６の研磨面３６ａの複数の位置における温度が測定される（温度測定ステップＳ３）。これにより、被加工物１１の研磨中における研磨面３６ａの温度分布が監視される。

前述のように、研磨パッド３６の研磨面３６ａの面積は被加工物１１の裏面１１ｂの面積よりも大きい。そのため、被加工物１１の研磨中も研磨面３６ａの一部は被加工物１１と重ならずに露出する。そして、温度センサ６４は、研磨パッド３６による被加工物１１の研磨中に、研磨面３６ａの被加工物１１と重ならない領域の温度を測定する。具体的には、温度センサ６４を移動機構６２（図３参照）によってＸ軸方向に沿って移動させつつ、温度センサ６４で研磨面３６ａの温度を複数回測定する。これにより、研磨面３６ａの中央部から外周縁に至る領域の温度分布が測定される。

図７に示すように研磨面３６ａで被加工物１１の裏面１１ｂの全体を研磨する場合には、研磨面３６ａの中央部よりも研磨面３６ａの外周部の方が被加工物１１に高速で接触する。そのため、研磨面３６ａの外周縁に近い領域ほど摩擦熱が生じやすく、温度が高くなる傾向がある。

図８は、研磨面３６ａの温度分布を示す底面図である。例えば研磨面３６ａは、研磨面３６ａの中心を含む円形の第１領域９０Ａと、第１領域９０Ａを囲む環状の第２領域９０Ｂと、第２領域９０Ｂを囲む環状の第３領域９０Ｃと、研磨面３６ａの外周縁を含み第３領域９０Ｃを囲む環状の第４領域９０Ｄとに区画できる。そして、温度センサ６４は、第１領域９０Ａ、第２領域９０Ｂ、第３領域９０Ｃ、第４領域９０Ｄの温度を順次測定する。これにより、４つの領域における温度のばらつきを示す温度分布が得られる。

研磨面３６ａで被加工物１１の裏面１１ｂの全体を通常の方法で研磨すると、研磨面３６ａの温度は第１領域９０Ａから第４領域９０Ｄに向かって徐々に高くなる。すなわち、研磨面３６ａの温度にばらつきが生じる。そして、被加工物１１に作用する研磨液５６の化学的作用の強弱は、研磨面３６ａの温度に依存する。そのため、研磨面３６ａに温度のばらつきがあると、被加工物１１の研磨が均一に進行せず、研磨後の被加工物１１に厚さばらつきが生じやすい。

そこで、本実施形態においては、研磨パッド３６の研磨面３６ａの温度が所定の温度分布になるように、研磨液５６の供給位置を調節する。より好ましくは、研磨液５６の供給位置ごとに供給量を調節する。これにより、所望の研磨面３６ａの温度分布が維持され、被加工物１１に意図した通りの研磨加工を施すことが可能になる。

研磨液５６の供給位置及び供給量は、コントローラ４６（図７参照）によって制御される。具体的には、コントローラ４６は決定部４６ａと供給制御部４６ｂとを含む。決定部４６ａは、温度測定ユニット４４によって測定された研磨面３６ａの温度に基づいて、研磨面３６ａに供給される研磨液５６の供給位置及び供給量を決定する。また、供給制御部４６ｂは、決定部４６ａによる決定に基づいて、研磨液供給ユニット４２から研磨面３６ａに供給される研磨液５６の供給位置及び供給量を制御する。

さらに、コントローラ４６は、決定部４６ａ及び供給制御部４６ｂにおける処理に用いられる情報（データ、プログラム等）を記憶する記憶部（メモリ）４６ｃを含む。記憶部４６ｃには、研磨パッド３６の研磨面３６ａの温度と、所定の温度の研磨液５６の供給位置及び供給量との対応関係を示す情報（対応関係情報）が予め記憶されている。なお、研磨液５６の温度は研磨加工条件等に応じて予め所定の値に設定され、研磨液５６の供給位置及び供給量はその温度を前提として選定される。そのため、対応関係情報には研磨液５６の温度の情報も含まれている。

例えば、温度測定ユニット４４で研磨面３６ａの第１領域９０Ａ、第２領域９０Ｂ、第３領域９０Ｃ、及び第４領域９０Ｄ（図８参照）の温度を測定する場合には、研磨面３６ａの温度情報（第１領域９０Ａ、第２領域９０Ｂ、第３領域９０Ｃ、及び第４領域９０Ｄの温度）と、その温度情報によって表される研磨面３６ａの温度分布を所定の温度分布に変更するために必要な研磨液５６の供給条件（供給場所及び供給量）との関係を示すテーブルやグラフ（関数）が、予め実験結果等に基づいて作成され、対応関係情報として記憶部４６ｃに記憶される。

なお、対応関係情報に含まれる研磨液５６の供給条件の設定基準に制限はない。例えば、第１領域９０Ａ、第２領域９０Ｂ、第３領域９０Ｃ、及び第４領域９０Ｄにおける温度の差が小さくなるように、所定の温度の研磨液５６の供給場所及び供給量が設定される。この場合には、後述の研磨液供給ステップＳ５を実施することにより、研磨面３６ａにおける温度のばらつきが低減され、被加工物１１が均一に研磨されやすくなる。

温度測定ユニット４４によって研磨面３６ａの複数の位置における温度が測定されると（温度測定ステップＳ３）、測定された温度が決定部４６ａに入力される。そして、決定部４６ａは、温度測定ユニット４４によって測定された研磨面３６ａの温度と、記憶部４６ｃに記憶された対応関係情報とに基づいて、研磨面３６ａの温度が所定の温度分布になるように、研磨液供給ユニット４２から研磨面３６ａに供給される所定の温度の研磨液５６の供給位置及び供給量を決定する（研磨液供給条件決定ステップＳ４）。

具体的には、温度測定ユニット４４によって測定された研磨面３６ａの複数の位置（第１領域９０Ａ、第２領域９０Ｂ、第３領域９０Ｃ、第４領域９０Ｄ）における温度が決定部４６ａに入力されると、決定部４６ａは記憶部４６ｃにアクセスし、対応関係情報を読み出す。そして、決定部４６ａは、入力された温度を対応関係情報に当てはめることにより、第１領域９０Ａ、第２領域９０Ｂ、第３領域９０Ｃ、第４領域９０Ｄに供給されるべき研磨液５６の量をそれぞれ決定する。

このようにして、所定の温度の研磨液５６の供給量が供給位置ごとに決定される。そして、決定部４６ａによって決定された研磨液５６の供給場所及び供給量を示す情報（供給条件情報）が記憶部４６ｃに記憶される。

その後、研磨パッド３６による被加工物１１の研磨中に、研磨液５６を研磨液供給条件決定ステップＳ４で決定された供給位置に研磨面３６ａに供給する（研磨液供給ステップＳ５）。研磨液供給ステップＳ５では、供給制御部４６ｂが研磨液供給ユニット４２を制御することにより、研磨面３６ａに供給される研磨液５６の供給位置及び供給量が調節される。

具体的には、決定部４６ａによって研磨液５６の供給条件が決定されて供給条件情報が記憶部４６ｃに記憶されると、供給制御部４６ｂは供給条件情報を読み出し、供給条件情報に基づいて研磨液供給ユニット４２に制御信号を出力する。これにより、研磨液供給ユニット４２は、供給条件情報によって指定された供給位置及び供給量に従って所定の温度の研磨液５６を研磨パッド３６の研磨面３６ａに供給する。

なお、前述のように、研磨パッド３６の研磨面３６ａの面積は被加工物１１の裏面１１ｂの面積よりも大きい。そのため、被加工物１１の研磨中も研磨面３６ａの一部は被加工物１１と重ならずに露出する。そして、研磨液供給ユニット４２の供給部５４は、研磨パッド３６による被加工物１１の研磨中に、研磨面３６ａの被加工物１１と重ならない領域に研磨液５６を供給する。

例えば研磨液供給ユニット４２は、まず、移動機構５２（図３参照）で供給部５４を研磨面３６ａの第１領域９０Ａ（図８参照）の直下に位置付け、研磨液５６を供給条件情報によって指定された供給量で供給部５４から第１領域９０Ａに供給する。その後、同様の手順を繰り返すことにより、第２領域９０Ｂ、第３領域９０Ｃ、第４領域９０Ｄ（図８参照）にも研磨液５６を供給条件情報によって指定された供給量で順次供給する。

前述のように、研磨パッド３６の研磨面３６ａは、第１領域９０Ａから第４領域９０Ｄに向かって徐々に温度が高くなる傾向がある。すなわち、第１領域９０Ａの温度Ｔ_１、第２領域９０Ｂの温度Ｔ_２、第３領域９０Ｃの温度Ｔ_３、第４領域９０Ｄの温度Ｔ_４の関係が、Ｔ_１＜Ｔ_２＜Ｔ_３＜Ｔ_４となる。この場合には、例えば温度がＴ_１未満の研磨液５６を、第１領域９０Ａから第４領域９０Ｄに向かって徐々に供給量を増加させつつ供給する。これにより、研磨面３６ａの外周縁に近い領域ほど優先的に冷却され、第１領域９０Ａ、第２領域９０Ｂ、第３領域９０Ｃ、第４領域９０Ｄの間における温度の差が小さくなる。その結果、被加工物１１の研磨が均一に進行しやすくなり、研磨加工後の被加工物１１の厚さばらつきが低減される。

その後、同様の手順を繰り返すことにより、研磨面３６ａの温度の測定及び研磨液５６の供給の調節が継続される（ステップＳ６でＮＯ、温度測定ステップＳ３、研磨液供給条件決定ステップＳ４、研磨液供給ステップＳ５）。そして、被加工物１１の研磨時間が予め設定された所定の時間に達すると（ステップＳ６でＹＥＳ）、研磨パッド３６が被加工物１１の裏面１１ｂから離隔され、被加工物１１の研磨が停止される。このようにして、研磨装置２による被加工物１１の研磨が行われる。

なお、上記では研磨液５６の供給量が供給位置ごとに決定される場合について説明したが、研磨面３６ａの温度分布は、研磨液５６の供給位置のみによって制御することもできる。具体的には、研磨面３６ａを研磨液５６が供給される領域（供給領域）と研磨液５６が供給されない領域（非供給領域）とに分け、供給領域のみに研磨液５６を所定の流量で供給する。すなわち、研磨液５６が供給される面積によって研磨面３６ａの温度分布を制御する。この場合には、研磨液５６の供給位置が変わるごとに研磨液５６の供給量を変える必要がないため、研磨液供給ユニット４２の制御が簡略化される。

また、上記では研磨面３６ａの複数の領域における温度の差が小さくなるように研磨液５６の供給条件が調節される場合について説明したが、研磨液５６の供給条件は、実現しようとする研磨面３６ａの温度分布に応じて適宜設定できる。例えば、特に研磨面３６ａの外周部における研磨レートを高めたい場合には、研磨面３６ａの外周部に供給される研磨液の供給量を、研磨面３６ａの中央部に供給される研磨液の供給量より少なくしてもよい。これにより、研磨面３６ａの外周部において温度が上昇しやすくなり、研磨液の化学的作用を部分的に促進することができる。

さらに、コントローラ４６の記憶部４６ｃに記憶される対応関係情報は、研磨液５６の供給位置及び供給量の情報に加えて研磨液５６の温度（可変）の情報を含んでいてもよい。この場合には、研磨液供給条件決定ステップＳ４において研磨液５６の供給位置、供給量及び温度が決定される。そして、研磨液供給ステップＳ５では、研磨液供給条件決定ステップＳ４において決定された研磨液５６の供給条件に従って、所定の温度の研磨液５６が、所定の位置に所定の供給量で供給される。

以上の通り、本実施形態に係る研磨装置２及び被加工物の研磨方法においては、予め設定された対応関係情報に基づき、研磨パッド３６の研磨面３６ａの温度が所定の温度分布になるように研磨面３６ａに供給される研磨液の供給位置が決定される。これにより、研磨液の供給条件を研磨面３６ａの温度に応じて適切かつ迅速に調節することができる。

なお、研磨装置２の構成及び機能は、研磨パッド３６の研磨面３６ａに供給される研磨液の供給位置（及び供給量）を調節可能な範囲内で適宜変更できる。例えば、研磨液が研磨ユニット２８の内部から研磨パッド３６の研磨面３６ａに供給されてもよい。

図９（Ａ）は研磨パッド３６の変形例に相当する研磨パッド３６Ａを示す斜視図であり、図９（Ｂ）は研磨パッド３６の変形例に相当する研磨パッド３６Ａを示す底面図である。研磨パッド３６Ａは、基台３８Ａ及び研磨層４０Ａを備える。基台３８Ａ、研磨層４０Ａの材質、形状等はそれぞれ、研磨パッド３６の基台３８、研磨層４０（図２（Ａ）及び図２（Ｂ）参照）と同様である。

ただし、研磨パッド３６Ａには、研磨パッド３６Ａを厚さ方向に貫通する円柱状の貫通孔３６ｂ，３６ｃが設けられている。貫通孔３６ｂ，３６ｃはそれぞれ、基台３８Ａの第１面３８ａから研磨層４０Ａの第２面４０ｂに至るように研磨パッド３６Ａの厚さ方向に沿って形成されている。なお、貫通孔３６ｂの直径は貫通孔３６ｃの直径よりも大きい。

例えば、貫通孔３６ｂは、研磨パッド３６Ａの中心（基台３８Ａ及び研磨層４０Ａの中心）と重なる位置に形成される。また、複数の貫通孔３６ｃは、研磨パッド３６Ａの外周部に形成され、研磨パッド３６Ａの周方向に沿って概ね等間隔に配列される。そして、貫通孔３６ｂと複数の貫通孔３６ｃとは、研磨面３６ａにおいて複数の溝４０ｃを介して互いに連結されている。

なお、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）では４個の貫通孔３６ｃが９０°間隔で配列されている例を図示しているが、貫通孔３６ｃの数及び配列に制限はない。また、研磨パッド３６Ａの中心からの距離が貫通孔３６ｂよりも遠く、且つ貫通孔３６ｃよりも近い位置に、他の貫通孔が形成されていてもよい。

図１０は、研磨装置２の第１変形例に相当する研磨装置２Ａを示す一部断面側面図である。研磨装置２Ａは、研磨ユニット２８に代えて研磨ユニット２８Ａを備える点、及び、研磨液供給ユニット４２に代えて研磨液供給ユニット１００を備える点において、研磨装置（図７参照）と異なる。その他の研磨装置２Ａの構成及び機能については、研磨装置２と同様である。

研磨ユニット２８Ａは、スピンドル３２Ａ及びマウント３４Ａを備える。スピンドル３２Ａ、マウント３４Ａの材質、形状等はそれぞれ、研磨ユニット２８のスピンドル３２、マウント３４（図７参照）と同様である。

ただし、スピンドル３２Ａには、研磨液が供給される供給路（第１供給路）３２ａが設けられている。例えば供給路３２ａは、スピンドル３２Ａの中心を貫くように、スピンドル３２Ａの長さ方向（Ｚ軸方向）に沿って形成される。

また、マウント３４Ａには、研磨液を研磨パッド３６の研磨面３６ａの複数の位置に導く複数の供給路（第２供給路）３４ａ，３４ｂが設けられている。供給路３４ａは、マウント３４Ａの中心部に、マウント３４Ａを厚さ方向に貫通するように形成される。供給路３４ａの上端側はスピンドル３２Ａの供給路３２ａに接続され、供給路３４ａの下端側はマウント３４Ａの下面で開口している。

複数の供給路３４ｂはそれぞれ、供給路３４ａから分岐しており、供給路３４ａを介してスピンドル３２Ａの供給路３２ａに接続されている。なお、複数の供給路３４ｂは、研磨パッド３６Ａに設けられている貫通孔３６ｃと同数設けられる。複数の供給路３４ｂの下端側はそれぞれ、マウント３４Ａの下面で開口している。

また、複数の供給路３４ｂにはそれぞれ、供給路３４ｂを流れる研磨液の流量を調節する調節部３４ｃが設けられている。例えば、調節部３４ｃはバルブによって構成され、バルブの開閉時間又は開度によって供給路３４ｂを流れる研磨液の流量が増減する。

マウント３４Ａに研磨パッド３６Ａが装着されると、研磨パッド３６Ａに設けられた貫通孔３６ｂがマウント３４Ａの供給路３４ａに接続される。また、研磨パッド３６Ａに設けられた複数の貫通孔３６ｃがそれぞれ、マウント３４Ａの供給路３４ｂに接続される。その結果、スピンドル３２Ａに設けられた供給路３２ａが、マウント３４Ａの供給路３４ａ，３４ｂ及び研磨パッド３６Ａの貫通孔３６ｂ，３６ｃを介して、研磨面３６ａの異なる複数の領域に接続される。

また、研磨装置２Ａは、研磨液（スラリー）を供給する研磨液供給ユニット１００を備える。研磨液供給ユニット１００は、スピンドル３２Ａの供給路３２ａに研磨液を供給する供給部１０２を備える。供給部１０２はノズル１０２ａを備え、ノズル１０２ａの先端部は供給路３２ａの上端部に挿入されている。

供給部１０２には、研磨液を供給する研磨液供給源１０４が接続されている。研磨液供給源１０４から供給された研磨液は、供給部１０２に一時的に貯留された後、ノズル１０２ａから供給路３２ａに供給される。なお、供給部１０２には研磨液の流量を制御するバルブ（不図示）が内蔵されており、このバルブによってノズル１０２ａから供給路３２ａに供給される研磨液の流量が制御される。

供給部１０２のノズル１０２ａからスピンドル３２Ａの供給路３２ａに研磨液が供給されると、研磨液は供給路３２ａを介してマウント３４Ａの供給路３４ａ，３４ｂに供給される。そして、供給路３４ａ，３４ｂから研磨パッド３６Ａの貫通孔３６ｂ，３６ｃにそれぞれ研磨液が供給され、研磨面３６ａの複数の位置に研磨液が供給される。

また、マウント３４Ａの調節部３４ｃ及び研磨液供給ユニット１００の供給部１０２によって、研磨パッド３６の貫通孔３６ｂ，３６ｃから流出する研磨液の流量が制御される。これにより、研磨面３６ａの複数の位置（貫通孔３６ｂ，３６ｃの開口位置）に供給される研磨液の供給量をそれぞれ調節することができる。

マウント３４Ａの調節部３４ｃ及び研磨液供給ユニット１００の供給部１０２は、コントローラ４６の供給制御部４６ｂによって制御される。例えば、調節部３４ｃ及び供給部１０２がそれぞれバルブを備える場合には、供給制御部４６ｂからバルブに出力される制御信号によってバルブの開閉時間又は開度が制御される。

コントローラ４６の記憶部４６ｃには、研磨面３６ａの温度と、貫通孔３６ｂ，３６ｃのそれぞれから研磨面３６ａに供給される研磨液の有無又は供給量との対応関係を示す対応関係情報（テーブル、グラフ（関数）等）が記憶される。例えば、研磨面３６ａの外周部が中央部よりも高温である場合に、複数の貫通孔３６ｃそれぞれから流出する研磨液の量が貫通孔３６ｂから流出する研磨液の量よりも多くなるように、対応関係情報が設定される。

研磨液供給条件決定ステップＳ４では、決定部４６ａが、温度測定ユニット４４によって測定される研磨面３６ａの温度と記憶部４６ｃに記憶された対応関係情報に基づいて、研磨面３６ａの温度が所定の温度分布になるように、貫通孔３６ｂ，３６ｃから研磨面３６ａに供給される研磨液の有無又は供給量を決定する。なお、決定部４６ａの具体的な処理の内容は、研磨装置２（図７参照）と同様である。

そして、研磨液供給ステップＳ５では、研磨パッド３６による被加工物１１の研磨中に、供給路３２ａ及び供給路３４ａ，３４ｂを介して研磨面３６ａの複数の位置に研磨液を供給する。その際、供給制御部４６ｂからマウント３４Ａの調節部３４ｃ及び研磨液供給ユニット１００の供給部１０２に出力される制御信号によって、貫通孔３６ｂ，３６ｃから流出する研磨液の量が研磨液供給条件決定ステップＳ４において決定部４６ａによって決定された条件を満たすように調節される。これにより、研磨面３６ａの温度が所定の温度分布になるように、研磨面３６ａに研磨液が供給される。

上記のように、研磨液供給ユニット１００と研磨ユニット２８Ａの内部に設けられた流路とを用いることによっても、研磨パッド３６の研磨面３６ａに供給される研磨液の供給位置及び供給量を調節することができる。この場合には、研磨液供給ユニット４２（図７参照）を省略することができる。ただし、研磨液供給ユニット４２及び研磨液供給ユニット１００の両方を用いて研磨液の供給を調節することもできる。

図１１は、研磨装置２の第２変形例に相当する研磨装置２Ｂを示す一部断面側面図である。研磨装置２Ｂは、研磨液供給ユニット４２及び研磨液供給ユニット１００を備える。研磨液供給ユニット４２及び研磨液供給ユニット１００の構成、機能、動作等はそれぞれ、研磨装置２の研磨液供給ユニット４２（図７参照）及び研磨装置２Ａの研磨液供給ユニット１００（図１０参照）と同様である。

コントローラ４６の記憶部４６ｃには、研磨液供給ユニット４２及び研磨液供給ユニット１００から研磨パッド３６の研磨面３６ａに供給される研磨液の供給位置及び供給量を決定するための情報が記憶される。具体的には、研磨面３６ａの温度と研磨液供給ユニット４２から研磨面３６ａに供給される研磨液５６の供給位置及び供給量との対応関係を示す第１対応関係情報、及び、研磨面３６ａの温度と研磨液供給ユニット１００から研磨面３６ａに供給される研磨液５６の供給位置及び供給量との対応関係を示す第２対応関係情報が、記憶部４６ｃに記憶される。

研磨液供給条件決定ステップＳ４では、決定部４６ａが第１対応関係情報及び第２対応関係情報に基づいて、研磨面３６ａの温度が所定の温度分布になるように研磨液の供給位置及び供給量を決定する。なお、決定部４６ａの具体的な処理の内容は、研磨装置２（図７参照）及び研磨装置２Ａ（図１０参照）と同様である。

そして、研磨液供給ステップＳ５では、研磨パッド３６による被加工物１１の研磨中に、研磨液供給条件決定ステップＳ４において決定部４６ａによって決定された条件を満たすように、研磨液供給ユニット４２及び研磨液供給ユニット１００からそれぞれ研磨面３６ａに研磨液が供給される。なお、研磨液供給ユニット４２及び研磨液供給ユニット１００から研磨面３６ａへの研磨液の供給は、研磨装置２（図７参照）及び研磨装置２Ａ（図１０参照）と同様、コントローラ４６の供給制御部４６ｂによって制御される。

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１１ 被加工物
１１ａ 表面（第１面）
１１ｂ 裏面（第２面）
２，２Ａ，２Ｂ 研磨装置
４ 基台
４ａ 開口
６ 支持構造
８ 保持テーブル（チャックテーブル）
８ａ 保持面
１０ Ｘ軸移動ユニット
１２ テーブルカバー
１４ 防塵防滴カバー
１６ Ｚ軸移動ユニット
１８ Ｚ軸ガイドレール
２０ Ｚ軸移動プレート
２２ Ｚ軸ボールねじ
２４ Ｚ軸パルスモータ
２６ 支持部材
２８，２８Ａ 研磨ユニット
３０ ハウジング
３２ スピンドル
３２ａ 供給路（第１供給路）
３４，３４Ａ マウント
３４ａ，３４ｂ 供給路（第２供給路）
３４ｃ 調節部
３６，３６Ａ 研磨パッド
３６ａ 研磨面
３６ｂ 貫通孔（第１貫通孔）
３６ｃ 貫通孔（第２貫通孔）
３８，３８Ａ 基台
３８ａ 第１面
３８ｂ 第２面
４０，４０Ａ 研磨層
４０ａ 第１面
４０ｂ 第２面
４０ｃ 溝
４２ 研磨液供給ユニット
４４ 温度測定ユニット
４６ コントローラ（制御ユニット、制御部、制御装置）
４６ａ 決定部
４６ｂ 供給制御部
４６ｃ 記憶部（メモリ）
５０ 支持部材
５０ａ 開口部
５２ 移動機構
５４ 供給部
５４ａ ノズル
５６ 研磨液（スラリー）
５８ 移動機構
６０ 支持部材
６０ａ 開口部
６２ 移動機構
６４ 温度センサ
６６ 赤外線
６８ 筐体
６８ａ 開口
７０ 放射温度計
７２ 赤外線レンズ
７４ 検出素子
７６ パージユニット（異物付着防止ユニット）
７８ ノズル
７８ａ 噴射口
８０ 気体供給源
８２ 気体
９０Ａ 第１領域
９０Ｂ 第２領域
９０Ｃ 第３領域
９０Ｄ 第４領域
１００ 研磨液供給ユニット
１０２ 供給部
１０２ａ ノズル
１０４ 研磨液供給源

Claims (12)

1. 研磨パッドの研磨面で被加工物を研磨する研磨装置であって、
   該被加工物を保持する保持面を有する保持テーブルと、
   該研磨パッドが装着されるスピンドルを有する研磨ユニットと、
   該研磨面に研磨液を供給する研磨液供給ユニットと、
   該研磨面の温度を測定する温度センサと、該研磨面と該温度センサとを該研磨パッドの回転軸と交差する方向に沿って相対的に移動させる移動機構と、を有し、該研磨パッドによる該被加工物の研磨中に該研磨面の複数の位置における温度を測定する温度測定ユニットと、
   コントローラと、を備え、
   該コントローラは、
   該研磨面の温度と該研磨液の供給位置との対応関係を示す対応関係情報を記憶する記憶部と、
   該温度測定ユニットによって測定された該研磨面の温度と該記憶部に記憶された該対応関係情報とに基づいて、該研磨面の温度が所定の温度分布になるように、該研磨液供給ユニットから該研磨面に供給される該研磨液の供給位置を決定する決定部と、を有することを特徴とする研磨装置。
2. 該対応関係情報は、該研磨液の供給位置ごとの供給量を示す情報を含み、
   該決定部は、該研磨液の供給量を供給位置ごとに決定することを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。
3. 該決定部は、該研磨面の複数の位置における温度の差が小さくなるように、該研磨液供給ユニットから該研磨面に供給される該研磨液の供給位置及び供給量を決定することを特徴とする請求項２に記載の研磨装置。
4. 該研磨面の面積は、該被加工物の該研磨面によって研磨される面の面積よりも大きく、
   該温度センサは、該研磨パッドによる該被加工物の研磨中に、該研磨面の該被加工物と重ならない領域の温度を測定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の研磨装置。
5. 該研磨面の面積は、該被加工物の該研磨面によって研磨される面の面積よりも大きく、
   該研磨液供給ユニットは、該研磨パッドによる該被加工物の研磨中に該研磨面の該被加工物と重ならない領域に該研磨液を供給する供給部と、該研磨パッドと該供給部とを該研磨パッドの回転軸と交差する方向に沿って相対的に移動させる移動機構と、を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の研磨装置。
6. 該研磨ユニットは、
   該保持テーブルの上方に設けられた該スピンドルと、
   該スピンドルに該研磨パッドを装着するためのマウントと、
   該研磨液供給ユニットから該研磨液が供給される第１供給路と、
   該第１供給路に接続され該研磨液を該研磨面の複数の位置に導く複数の第２供給路と、
   該第２供給路から該研磨面に供給される該研磨液の流量を調節する調節部と、を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の研磨装置。
7. 研磨パッドの研磨面で被加工物を研磨する被加工物の研磨方法であって、
   該被加工物を保持テーブルの保持面で保持する保持ステップと、
   該研磨パッドの該研磨面に研磨液を供給しながら該保持テーブルの保持面で保持された該被加工物を該研磨面で研磨する研磨ステップと、
   該研磨パッドによる該被加工物の研磨中に、該研磨面の複数の位置における温度を測定する温度測定ステップと、
   該温度測定ステップで測定された該研磨面の温度と、該研磨面の温度と該研磨液の供給位置との対応関係を示す対応関係情報と、に基づいて、該研磨面の温度が所定の温度分布になるように該研磨面に供給される該研磨液の供給位置を決定する研磨液供給条件決定ステップと、
   該研磨パッドによる該被加工物の研磨中に、該研磨液を該研磨液供給条件決定ステップで決定された供給位置に供給する研磨液供給ステップと、を含むことを特徴とする被加工物の研磨方法。
8. 該対応関係情報は、該研磨液の供給位置ごとの供給量を示す情報を含み、
   該研磨液供給条件決定ステップでは、該研磨液の供給量を供給位置ごとに決定し、
   該研磨液供給ステップでは、該研磨液を該研磨液供給条件決定ステップで決定された供給量で供給することを特徴とする請求項７に記載の被加工物の研磨方法。
9. 該研磨液供給条件決定ステップでは、該研磨面の複数の位置における温度の差が小さくなるように、該研磨面に供給される該研磨液の供給位置及び供給量を決定することを特徴とする請求項８に記載の被加工物の研磨方法。
10. 該研磨面の面積は、該被加工物の該研磨面によって研磨される面の面積よりも大きく、
    該温度測定ステップでは、該研磨パッドによる該被加工物の研磨中に、該研磨面の該被加工物と重ならない領域の温度を測定することを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の被加工物の研磨方法。
11. 該研磨面の面積は、該被加工物の該研磨面によって研磨される面の面積よりも大きく、
    該研磨液供給ステップでは、該研磨パッドによる該被加工物の研磨中に、該研磨面の該被加工物と重ならない領域に該研磨液を供給することを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の被加工物の研磨方法。
12. 該研磨パッドは、研磨ユニットに装着され、
    該研磨ユニットは、該保持テーブルの上方に設けられたスピンドルと、該スピンドルに該研磨パッドを装着するためのマウントと、該研磨液が供給される第１供給路と、該第１供給路に接続され該研磨液を該研磨面の複数の位置に導く複数の第２供給路と、該第２供給路から該研磨面に供給される該研磨液の流量を調節する調節部と、を有し、
    該研磨液供給ステップでは、該研磨パッドによる該被加工物の研磨中に、該第１供給路及び複数の該第２供給路を介して該研磨面の複数の位置に該研磨液を供給することを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の被加工物の研磨方法。

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