JP2024040293A - Transparent electroconductive film - Google Patents

Transparent electroconductive film Download PDF

Info

Publication number
JP2024040293A
JP2024040293A JP2024017053A JP2024017053A JP2024040293A JP 2024040293 A JP2024040293 A JP 2024040293A JP 2024017053 A JP2024017053 A JP 2024017053A JP 2024017053 A JP2024017053 A JP 2024017053A JP 2024040293 A JP2024040293 A JP 2024040293A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transparent conductive
conductive layer
film
conductive film
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2024017053A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
佑輔 茂手木
Yusuke Motegi
文彦 河野
Fumihiko Kono
純一 長瀬
Junichi Nagase
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2024017053A priority Critical patent/JP2024040293A/en
Publication of JP2024040293A publication Critical patent/JP2024040293A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • B32B7/023—Optical properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • B32B7/025—Electric or magnetic properties
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

To provide a transparent electroconductive film that comprises an electroconductive layer containing metal fibers but is unsusceptible to poor electroconductivity due to contact.SOLUTION: This transparent electroconductive film comprises a base material and a transparent electroconductive layer disposed on at least either side of the base material. The transparent electroconductive layer includes a polymer matrix and metal fibers present in the polymer matrix. The arithmetic average surface roughness Ra of the transparent electroconductive layer is 1.5 μm or more.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、透明導電性フィルムに関する。 The present invention relates to transparent conductive films.

従来、タッチセンサーの電極等に用いられる透明導電性フィルムとして、樹脂フィルム上にインジウム・スズ複合酸化物層（ＩＴＯ層）等の金属酸化物層が形成された透明導電性フィルムが多用されている。しかし、金属酸化物層が形成された透明導電性フィルムには、屈曲性が不十分であり、曲げ等の物理的な応力によってクラックが発生しやすいという問題がある。 Conventionally, transparent conductive films in which a metal oxide layer such as an indium-tin composite oxide layer (ITO layer) is formed on a resin film are often used as transparent conductive films used for electrodes of touch sensors, etc. . However, a transparent conductive film on which a metal oxide layer is formed has insufficient flexibility and is prone to cracking due to physical stress such as bending.

また、透明導電性フィルムとして、銀や銅などから構成される金属繊維を含む導電層を備える透明導電性フィルムが提案されている。このような透明導電性フィルムは屈曲性に優れるという利点がある。その一方で、金属繊維を含む導電層は、接触耐性が低く、当該導電層を備える導電性フィルムは、移送時、保管時等において、導電性不良の不具合がでやすいという問題がある。 Further, as a transparent conductive film, a transparent conductive film including a conductive layer containing metal fibers made of silver, copper, or the like has been proposed. Such a transparent conductive film has an advantage of excellent flexibility. On the other hand, a conductive layer containing metal fibers has low contact resistance, and a conductive film including the conductive layer tends to suffer from poor conductivity during transportation, storage, and the like.

特表２００９－５０５３５８号公報Special Publication No. 2009-505358

本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、金属繊維を含む導電層を備えながら、接触による導電性不良が生じがたい透明導電性フィルムを提供することにある。 The present invention has been made to solve the above problems, and its purpose is to provide a transparent conductive film that is difficult to cause conductivity defects due to contact, although it is equipped with a conductive layer containing metal fibers. There is a particular thing.

本発明の透明導電性フィルムは、基材と、基材の少なくとも片側に配置された透明導電層とを備え、該透明導電層が、ポリマーマトリックスと、該ポリマーマトリックス中に存在する金属繊維とを含み、該透明導電層の算術平均表面粗さＲａが、１．５μｍ以上である。
１つの実施形態においては、上記金属繊維が、金属ナノワイヤである。
１つの実施形態においては、上記金属ナノワイヤが、銀ナノワイヤである。
１つの実施形態においては、上記透明導電性フィルムは、金属層をさらに備える。
１つの実施形態においては、上記金属層が、銅から構成される。
１つの実施形態においては、上記透明導電層の厚みが、５０ｎｍ～３００ｎｍである。 The transparent conductive film of the present invention includes a base material and a transparent conductive layer disposed on at least one side of the base material, the transparent conductive layer comprising a polymer matrix and metal fibers present in the polymer matrix. The transparent conductive layer has an arithmetic mean surface roughness Ra of 1.5 μm or more.
In one embodiment, the metal fibers are metal nanowires.
In one embodiment, the metal nanowires are silver nanowires.
In one embodiment, the transparent conductive film further includes a metal layer.
In one embodiment, the metal layer is comprised of copper.
In one embodiment, the transparent conductive layer has a thickness of 50 nm to 300 nm.

本発明によれば、金属繊維を含む導電層を備えながら、接触による導電性不良が生じがたい透明導電性フィルムを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a transparent conductive film that is difficult to cause conductivity defects due to contact, although it includes a conductive layer containing metal fibers.

本発明の１つの実施形態による透明導電性フィルムの概略断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a transparent conductive film according to one embodiment of the present invention. 本発明の別の実施形態による透明導電性フィルムの概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a transparent conductive film according to another embodiment of the present invention.

Ａ．透明導電性フィルムの全体構成
図１は、本発明の１つの実施形態による透明導電性フィルムの概略断面図である。透明導電性フィルム１００は、基材１０と、基材１０の少なくとも片側（図示例では両側）に配置された透明導電層２０とを備える。透明導電層２０は、ポリマーマトリックスと、ポリマーマトリックス中に存在する金属繊維とを含む。図示していないが、透明導電性フィルムは、任意の適切なその他の層をさらに含んでいてもよい。１つの実施形態においては、上記透明導電性フィルムは、少なくとも一方の最外層が、透明導電層となる。 A. Overall configuration of transparent conductive film FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a transparent conductive film according to one embodiment of the present invention. The transparent conductive film 100 includes a base material 10 and a transparent conductive layer 20 disposed on at least one side (both sides in the illustrated example) of the base material 10. Transparent conductive layer 20 includes a polymer matrix and metal fibers present within the polymer matrix. Although not shown, the transparent conductive film may further include any other appropriate layers. In one embodiment, at least one outermost layer of the transparent conductive film is a transparent conductive layer.

図２（ａ）および（ｂ）は、本発明の別の実施形態による透明導電性フィルムの概略断面図である。透明導電性フィルム２００は、基材１０の片側にのみ透明導電層２０が配置されている。透明導電性フィルム３００は、金属層３０をさらに備える。図２（ｂ）の例示では、透明導電性フィルム３００は、金属層透明導電層２０と、基材１０と、金属層３０とがこの順に配置されている。 FIGS. 2(a) and 2(b) are schematic cross-sectional views of a transparent conductive film according to another embodiment of the present invention. In the transparent conductive film 200, the transparent conductive layer 20 is disposed only on one side of the base material 10. The transparent conductive film 300 further includes a metal layer 30. In the example shown in FIG. 2(b), the transparent conductive film 300 includes the metal layer transparent conductive layer 20, the base material 10, and the metal layer 30 arranged in this order.

本発明において、上記透明導電層の算術平均表面粗さＲａは、１．５μｍ以上である。透明導電層の算術平均表面粗さＲａを上記範囲とすることにより、このような範囲であれば、透明導電層への接触が生じた際にも、導電不良が生じがたい透明導電性フィルムを得ることができる。従来の透明導電性フィルムは、ロールの形態で提供される際、互いに接触することで表面に摩擦力がかかり、金属繊維を含む透明導電層を備える場合には、当該金属繊維同士の接合が外れて導電不良が生じやすい。一方、本願発明の透明導電性フィルムは、ロールの形態で提供された場合であっても、金属繊維同士の接合が維持され、所望の導電性が維持される。また、上記透明導電性フィルムが枚葉であっても、当該透明導電性フィルムを積層した際の接触、摩擦等による金属繊維同士の接合外れを防止することができる。また、上記透明導電性フィルムは、透明導電性フィルム同士の接触に限らず、その他の物品との接触に対しても優れた接触耐性を示し得る。上記透明導電層の算術平均表面粗さＲａは、好ましくは２．０μｍ～５．０μｍであり、より好ましくは３．０μｍ～４．０μｍであり、さらに好ましくは３．０μｍ～３．５μｍである。このような範囲であれば、上記効果は顕著となる。算術平均表面粗さＲａは、原子間力顕微鏡を用いて測定することができる。 In the present invention, the arithmetic mean surface roughness Ra of the transparent conductive layer is 1.5 μm or more. By setting the arithmetic mean surface roughness Ra of the transparent conductive layer within the above range, it is possible to create a transparent conductive film that is unlikely to cause poor conductivity even when it comes into contact with the transparent conductive layer. Obtainable. When conventional transparent conductive films are provided in the form of a roll, frictional force is applied to the surface by contact with each other, and when a transparent conductive layer containing metal fibers is provided, the bond between the metal fibers may come off. poor conductivity is likely to occur. On the other hand, even when the transparent conductive film of the present invention is provided in the form of a roll, the bond between the metal fibers is maintained and the desired conductivity is maintained. Furthermore, even if the transparent conductive film is a sheet, it is possible to prevent the metal fibers from coming loose from each other due to contact, friction, etc. when the transparent conductive films are laminated. Further, the transparent conductive film can exhibit excellent contact resistance not only to contact between transparent conductive films but also to contact with other articles. The arithmetic mean surface roughness Ra of the transparent conductive layer is preferably 2.0 μm to 5.0 μm, more preferably 3.0 μm to 4.0 μm, and even more preferably 3.0 μm to 3.5 μm. . Within this range, the above effect becomes significant. Arithmetic mean surface roughness Ra can be measured using an atomic force microscope.

本発明の透明導電性フィルムの表面抵抗値は、好ましくは０．０１Ω／□～１０００Ω／□であり、より好ましくは０．１Ω／□～５００Ω／□であり、特に好ましくは０．１Ω／□～３００Ω／□であり、最も好ましくは０．１Ω／□～１００Ω／□である。１つの実施形態においては、透明導電性フィルムの表面抵抗値は、１００Ω／□以下である。 The surface resistance value of the transparent conductive film of the present invention is preferably 0.01Ω/□ to 1000Ω/□, more preferably 0.1Ω/□ to 500Ω/□, and particularly preferably 0.1Ω/□. ~300Ω/□, most preferably 0.1Ω/□~100Ω/□. In one embodiment, the surface resistance value of the transparent conductive film is 100Ω/□ or less.

本発明の透明導電性フィルムのヘイズ値は、好ましくは１％以下であり、より好ましくは０．７％以下であり、さらに好ましくは０．５％以下である。当該ヘイズ値は、小さいほど好ましいが、その下限値は例えば、０．０５％である。 The haze value of the transparent conductive film of the present invention is preferably 1% or less, more preferably 0.7% or less, and still more preferably 0.5% or less. The smaller the haze value is, the more preferable it is, but its lower limit is, for example, 0.05%.

本発明の透明導電性フィルムの全光線透過率は、好ましくは８０％以上であり、より好ましくは８５％以上であり、特に好ましくは９０％以上である。 The total light transmittance of the transparent conductive film of the present invention is preferably 80% or more, more preferably 85% or more, particularly preferably 90% or more.

本発明の透明導電性フィルムの厚みは、好ましくは１０μｍ～５００μｍであり、より好ましくは１５μｍ～３００μｍであり、さらに好ましくは２０μｍ～２００μｍである。 The thickness of the transparent conductive film of the present invention is preferably 10 μm to 500 μm, more preferably 15 μm to 300 μm, and even more preferably 20 μm to 200 μm.

Ｂ．透明導電層
上記のとおり、透明導電層は、金属繊維とポリマーマトリックスとを含む。 B. Transparent Conductive Layer As mentioned above, the transparent conductive layer includes metal fibers and a polymer matrix.

上記透明導電層の厚みは、好ましくは５０ｎｍ～３００ｎｍであり、より好ましくは８０ｎｍ～２００ｎｍである。透明導電層の厚みを５０ｎｍ以上とすることにより、動摩擦係数の小さい透明導電層を形成することができる。 The thickness of the transparent conductive layer is preferably 50 nm to 300 nm, more preferably 80 nm to 200 nm. By setting the thickness of the transparent conductive layer to 50 nm or more, it is possible to form a transparent conductive layer with a small coefficient of dynamic friction.

上記透明導電層の全光線透過率は、好ましくは８５％以上であり、より好ましくは９０％以上であり、さらに好ましくは９５％以上である。 The total light transmittance of the transparent conductive layer is preferably 85% or more, more preferably 90% or more, and still more preferably 95% or more.

上記透明導電層の当該透明導電層に対する動摩擦係数は、好ましくは２．０以下であり、より好ましくは１．８以下であり、さらに好ましくは１．５以下であり、さらに好ましくは１．２以下であり、特に好ましくは１．０以下であり、最も好ましくは０．８以下である。透明導電層の当該透明導電層に対する動摩擦係数は小さいほど好ましいが、その下限値は、例えば、０．０５である。このような範囲であれば、透明導電層への接触が生じた際にも、導電不良が生じがたい透明導電性フィルムを得ることができる。「透明導電層の当該透明導電層に対する動摩擦係数」とは、透明導電性フィルムが備える透明導電層／透明導電性フィルムが備える透明導電層と同組成の透明導電層間における動摩擦係数を意味する。本明細書において、動摩擦係数は、ＪＩＳ Ｋ７１２５：１９９９に準じて、測定荷重：１００ｇ、測定速度：１ｍｍ／ｓ、測定距離：３０ｍｍで測定される。 The coefficient of dynamic friction of the transparent conductive layer with respect to the transparent conductive layer is preferably 2.0 or less, more preferably 1.8 or less, still more preferably 1.5 or less, still more preferably 1.2 or less. It is particularly preferably 1.0 or less, most preferably 0.8 or less. The smaller the dynamic friction coefficient of the transparent conductive layer with respect to the transparent conductive layer is, the more preferable it is, and the lower limit thereof is, for example, 0.05. Within this range, it is possible to obtain a transparent conductive film that is unlikely to suffer from poor conductivity even when it comes into contact with the transparent conductive layer. "The coefficient of dynamic friction of the transparent conductive layer with respect to the transparent conductive layer" means the coefficient of dynamic friction between the transparent conductive layers of the same composition as the transparent conductive layer of the transparent conductive film/the transparent conductive layer of the transparent conductive film. In this specification, the dynamic friction coefficient is measured according to JIS K7125:1999 at a measurement load of 100 g, a measurement speed of 1 mm/s, and a measurement distance of 30 mm.

１つの実施形態においては、透明導電層と当該透明導電層とは反対側の面とを接触させた際の動摩擦係数は、好ましくは２．０以下であり、より好ましくは１．８以下であり、さらに好ましくは１．５以下であり、さらに好ましくは１．２以下であり、特に好ましくは１．０以下であり、最も好ましくは０．８以下である。透明導電層と当該透明導電層とは反対側の面とを接触させた際の動摩擦係数は、小さいほど好ましいが、その下限値は、例えば、０．０５である。「当該透明導電層とは反対側の面」とは、基材を基準に、測定対象となる透明導電層の表面とは反対側の最外面を意味する。したがって、透明導電性フィルムが、透明導電層Ａ／基材／透明導電層Ａの構成である場合には、「透明導電層と当該透明導電層とは反対側の面とを接触させた際の動摩擦係数」は透明導電層同士（透明導電層Ａと透明導電層Ａ）を接触させた際の動摩擦係数であり、「透明導電層の当該透明導電層に対する動摩擦係数」と同義である。また、透明導電性フィルムが、透明導電層／基材の構成である場合には、「透明導電層と当該透明導電層とは反対側の面とを接触させた際の動摩擦係数」は、透明導電層と基材とを接触させた際の動摩擦係数である。透明導電層と当該透明導電層とは反対側の面とを接触させた際の動摩擦係数が、上記範囲であれば、透明導電性フィルムを積層した際、あるいは、透明導電性フィルムをロールの形態とした際において、導電不良の発生を顕著に防止することができる。 In one embodiment, the dynamic friction coefficient when the transparent conductive layer and the surface opposite the transparent conductive layer are in contact with each other is preferably 2.0 or less, more preferably 1.8 or less, even more preferably 1.5 or less, even more preferably 1.2 or less, particularly preferably 1.0 or less, and most preferably 0.8 or less. The smaller the dynamic friction coefficient when the transparent conductive layer and the surface opposite the transparent conductive layer are in contact with each other, the more preferable it is, but the lower limit is, for example, 0.05. The "surface opposite the transparent conductive layer" means the outermost surface opposite the surface of the transparent conductive layer to be measured, based on the substrate. Therefore, when the transparent conductive film has a configuration of transparent conductive layer A/substrate/transparent conductive layer A, the "dynamic friction coefficient when the transparent conductive layer and the surface opposite the transparent conductive layer are in contact with each other" is the dynamic friction coefficient when transparent conductive layers (transparent conductive layer A and transparent conductive layer A) are in contact with each other, and is synonymous with the "dynamic friction coefficient of the transparent conductive layer against the transparent conductive layer". In addition, when the transparent conductive film has a transparent conductive layer/substrate structure, the "dynamic friction coefficient when the transparent conductive layer is brought into contact with the surface opposite the transparent conductive layer" is the dynamic friction coefficient when the transparent conductive layer is brought into contact with the substrate. If the dynamic friction coefficient when the transparent conductive layer is brought into contact with the surface opposite the transparent conductive layer is within the above range, the occurrence of poor conductivity can be significantly prevented when the transparent conductive film is laminated or when the transparent conductive film is formed into a roll.

１つの実施形態においては、上記透明導電層はパターン化されている。パターン化の方法としては、透明導電層の形態に応じて、任意の適切な方法が採用され得る。透明導電層のパターンの形状は、用途に応じて任意の適切な形状であり得る。例えば、特表２０１１－５１１３５７号公報、特開２０１０－１６４９３８号公報、特開２００８－３１０５５０号公報、特表２００３－５１１７９９号公報、特表２０１０－５４１１０９号公報に記載のパターンが挙げられる。透明導電層は基材上に形成された後、透明導電層の形態に応じて、任意の適切な方法を用いてパターン化することができる。 In one embodiment, the transparent conductive layer is patterned. As the patterning method, any appropriate method can be adopted depending on the form of the transparent conductive layer. The shape of the pattern of the transparent conductive layer may be any suitable shape depending on the application. Examples include patterns described in Japanese Patent Publication No. 2011-511357, Japanese Patent Application Laid-open No. 2010-164938, Japanese Patent Application Publication No. 2008-310550, Japanese Patent Application Publication No. 2003-511799, and Japanese Patent Application Publication No. 2010-541109. After the transparent conductive layer is formed on the substrate, it can be patterned using any suitable method depending on the form of the transparent conductive layer.

上記金属繊維としては、金属ナノワイヤが好ましく用いられ得る。上記金属ナノワイヤとは、材質が金属であり、形状が針状または糸状であり、径がナノメートルサイズの導電性物質をいう。金属ナノワイヤは直線状であってもよく、曲線状であってもよい。金属ナノワイヤで構成された透明導電層を用いれば、金属ナノワイヤが網の目状となり、それぞれ接合することにより、良好な電気伝導経路を形成することができ、電気抵抗の小さい透明導電性フィルムを得ることができる。 Metal nanowires may be preferably used as the metal fibers. The metal nanowire refers to a conductive substance that is made of metal, has a needle-like or thread-like shape, and has a diameter of nanometers. The metal nanowires may be linear or curved. If a transparent conductive layer made of metal nanowires is used, the metal nanowires form a network, and by joining each other, a good electrical conduction path can be formed, resulting in a transparent conductive film with low electrical resistance. be able to.

上記金属ナノワイヤの太さｄと長さＬとの比（アスペクト比：Ｌ／ｄ）は、好ましくは１０～１００，０００であり、より好ましくは５０～１００，０００であり、特に好ましくは１００～１０，０００である。このようにアスペクト比の大きい金属ナノワイヤを用いれば、金属ナノワイヤが良好に交差して、少量の金属ナノワイヤにより高い導電性を発現させることができる。その結果、光透過率の高い透明導電性フィルムを得ることができる。なお、本明細書において、「金属ナノワイヤの太さ」とは、金属ナノワイヤの断面が円状である場合はその直径を意味し、楕円状である場合はその短径を意味し、多角形である場合は最も長い対角線を意味する。金属ナノワイヤの太さおよび長さは、走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡によって確認することができる。 The ratio of the thickness d to the length L (aspect ratio: L/d) of the metal nanowire is preferably 10 to 100,000, more preferably 50 to 100,000, and particularly preferably 100 to 100,000. 10,000. If metal nanowires with such a large aspect ratio are used, the metal nanowires intersect well and a small amount of metal nanowires can exhibit high conductivity. As a result, a transparent conductive film with high light transmittance can be obtained. In addition, in this specification, the "thickness of a metal nanowire" means the diameter when the cross section of the metal nanowire is circular, the short axis when it is elliptical, and the thickness of the metal nanowire when the cross section is circular. If there is, it means the longest diagonal. The thickness and length of metal nanowires can be confirmed using a scanning electron microscope or a transmission electron microscope.

上記金属ナノワイヤの太さは、好ましくは５００ｎｍ未満であり、より好ましくは２００ｎｍ未満であり、特に好ましくは１０ｎｍ～１００ｎｍであり、最も好ましくは１０ｎｍ～６０ｎｍである。このような範囲であれば、光透過率の高い透明導電層を形成することができる。 The thickness of the metal nanowire is preferably less than 500 nm, more preferably less than 200 nm, particularly preferably 10 nm to 100 nm, and most preferably 10 nm to 60 nm. Within this range, a transparent conductive layer with high light transmittance can be formed.

上記金属ナノワイヤの長さは、好ましくは１μｍ～１０００μｍであり、より好ましくは１μｍ～５００μｍであり、特に好ましくは１μｍ～１００μｍである。このような範囲であれば、導電性の高い透明導電性フィルムを得ることができる。 The length of the metal nanowire is preferably 1 μm to 1000 μm, more preferably 1 μm to 500 μm, particularly preferably 1 μm to 100 μm. Within this range, a transparent conductive film with high conductivity can be obtained.

上記金属ナノワイヤを構成する金属としては、導電性の高い金属である限り、任意の適切な金属が用いられ得る。上記金属ナノワイヤを構成する金属としては、例えば、銀、金、銅、ニッケル等が挙げられる。また、これらの金属にメッキ処理（例えば、金メッキ処理）を行った材料を用いてもよい。金属ナノワイヤは、金、白金、銀および銅からなる群より選ばれた１種以上の金属により構成されることが好ましい。１つの実施形態においては、上記金属ナノワイヤは、銀ナノワイヤである。 As the metal constituting the metal nanowire, any appropriate metal may be used as long as it is a highly conductive metal. Examples of the metal constituting the metal nanowire include silver, gold, copper, and nickel. Furthermore, materials obtained by plating these metals (for example, gold plating) may be used. The metal nanowires are preferably made of one or more metals selected from the group consisting of gold, platinum, silver, and copper. In one embodiment, the metal nanowires are silver nanowires.

上記金属ナノワイヤの製造方法としては、任意の適切な方法が採用され得る。例えば溶液中で硝酸銀を還元する方法、前駆体表面にプローブの先端部から印可電圧又は電流を作用させ、プローブ先端部で金属ナノワイヤを引き出し、該金属ナノワイヤを連続的に形成する方法等が挙げられる。溶液中で硝酸銀を還元する方法においては、エチレングリコール等のポリオール、およびポリビニルピロリドンの存在下で、硝酸銀等の銀塩の液相還元することにより、銀ナノワイヤが合成され得る。均一サイズの銀ナノワイヤは、例えば、Ｘｉａ，Ｙ．ｅｔａｌ．，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．（２００２）、１４、４７３６－４７４５、Ｘｉａ，Ｙ．ｅｔａｌ．，Ｎａｎｏ ｌｅｔｔｅｒｓ（２００３）３（７）、９５５－９６０に記載される方法に準じて、大量生産が可能である。 Any suitable method may be employed as the method for producing the metal nanowires. Examples include a method of reducing silver nitrate in a solution, a method of applying voltage or current to the precursor surface from the tip of a probe, drawing out metal nanowires at the tip of the probe, and continuously forming the metal nanowires. . In the method of reducing silver nitrate in a solution, silver nanowires can be synthesized by liquid phase reduction of a silver salt such as silver nitrate in the presence of a polyol such as ethylene glycol and polyvinylpyrrolidone. Uniformly sized silver nanowires have been described, for example, by Xia, Y.; etal. , Chem. Mater. (2002), 14, 4736-4745, Xia, Y. etal. , Nano letters (2003) 3(7), 955-960.

上記透明導電層における金属ナノワイヤの含有割合は、透明導電層の全重量に対して、好ましくは８０重量％以下である。このような範囲であれば、動摩擦係数の小さい透明導電層を形成することができる。上記透明導電層における金属ナノワイヤの含有割合は、透明導電層の全重量に対して、より好ましくは３０重量％～７５重量％であり、より好ましくは３０重量％～６５重量％であり、さらに好ましくは４５重量％～６５重量％である。このような範囲であれば、導電性および光透過性に優れる透明導電性フィルムを得ることができる。 The content of metal nanowires in the transparent conductive layer is preferably 80% by weight or less based on the total weight of the transparent conductive layer. Within this range, a transparent conductive layer with a small dynamic friction coefficient can be formed. The content ratio of metal nanowires in the transparent conductive layer is more preferably 30% to 75% by weight, more preferably 30% to 65% by weight, and even more preferably is 45% to 65% by weight. Within this range, a transparent conductive film with excellent conductivity and light transmittance can be obtained.

上記ポリマーマトリックスを構成するポリマーとしては、任意の適切なポリマーが用いられ得る。該ポリマーとしては、例えば、アクリル系ポリマー；ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル系ポリマー；ポリスチレン、ポリビニルトルエン、ポリビニルキシレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド等の芳香族系ポリマー；ポリウレタン系ポリマー；エポキシ系ポリマー；ポリオレフィン系ポリマー；アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン共重合体（ＡＢＳ）；セルロース；シリコン系ポリマー；ポリ塩化ビニル；ポリアセテート；ポリノルボルネン；合成ゴム；フッ素系ポリマー等が挙げられる。好ましくは、ペンタエリスリトールトリアクリレート（ＰＥＴＡ）、ネオペンチルグリコールジアクリレート（ＮＰＧＤＡ）、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＤＰＨＡ）、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート（ＤＰＰＡ）、トリメチロールプロパントリアクリレート（ＴＭＰＴＡ）等の多官能アクリレートから構成される硬化型樹脂（好ましくは紫外線硬化型樹脂）が用いられる。 Any suitable polymer may be used as the polymer constituting the polymer matrix. Examples of such polymers include acrylic polymers; polyester polymers such as polyethylene terephthalate; aromatic polymers such as polystyrene, polyvinyltoluene, polyvinylxylene, polyimide, polyamide, and polyamideimide; polyurethane polymers; epoxy polymers; and polyolefin polymers. Polymers; acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer (ABS); cellulose; silicone polymers; polyvinyl chloride; polyacetate; polynorbornene; synthetic rubber; fluorine polymers and the like. Preferably, polyfunctional compounds such as pentaerythritol triacrylate (PETA), neopentyl glycol diacrylate (NPGDA), dipentaerythritol hexaacrylate (DPHA), dipentaerythritol pentaacrylate (DPPA), trimethylolpropane triacrylate (TMPTA), etc. A curable resin (preferably an ultraviolet curable resin) composed of acrylate is used.

透明導電層の密度は、好ましくは１．３ｇ／ｃｍ３～１０．５ｇ／ｃｍ３であり、より好ましくは１．５ｇ／ｃｍ３～３．０ｇ／ｃｍ３である。このような範囲であれば、導電性および光透過性に優れる透明導電性フィルムを得ることができる。 The density of the transparent conductive layer is preferably 1.3 g/cm 3 to 10.5 g/cm 3 , more preferably 1.5 g/cm 3 to 3.0 g/cm 3 . Within this range, a transparent conductive film with excellent conductivity and light transmittance can be obtained.

透明導電層は、基材（または、基材とその他の層との積層体）に、金属繊維（例えば、金属ナノワイヤ）を含む導電層形成用組成物を塗布し、その後、塗布層を乾燥させて、形成することができる。導電層形成用組成物には、ポリマーマトリックスを形成する樹脂材料が含まれていてもよい。あるいは、ポリマーマトリックスを形成する樹脂材料を導電層形成用組成物とは別に準備し、導電層形成用組成物を塗布し乾燥させた後、金属繊維から構成される層上に樹脂材料（ポリマー組成物、モノマー組成物）を塗布し、その後、樹脂材料の塗布層を乾燥または硬化させて、透明導電層を形成してもよい。 A transparent conductive layer is formed by applying a conductive layer forming composition containing metal fibers (for example, metal nanowires) to a base material (or a laminate of a base material and other layers), and then drying the applied layer. can be formed. The composition for forming a conductive layer may contain a resin material that forms a polymer matrix. Alternatively, the resin material forming the polymer matrix is prepared separately from the conductive layer forming composition, and the conductive layer forming composition is applied and dried, and then the resin material (polymer composition A transparent conductive layer may be formed by applying a resin material, a monomer composition), and then drying or curing the applied layer of the resin material.

上記導電層形成用組成物は、金属繊維（例えば、金属ナノワイヤ）の他、任意の適切な溶媒を含み得る。導電層形成用組成物は、金属繊維（例えば、金属ナノワイヤ）の分散液として準備され得る。上記溶媒としては、水、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、炭化水素系溶媒、芳香族系溶媒等が挙げられる。環境負荷低減の観点から、水を用いることが好ましい。上記導電層形成用組成物は、目的に応じて任意の適切な添加剤をさらに含有し得る。上記添加剤としては、例えば、金属繊維（例えば、金属ナノワイヤ）の腐食を防止する腐食防止材、金属繊維（例えば、金属ナノワイヤ）の凝集を防止する界面活性剤等が挙げられる。使用される添加剤の種類、数および量は、目的に応じて適切に設定され得る。 The above-mentioned composition for forming a conductive layer may contain any appropriate solvent in addition to metal fibers (for example, metal nanowires). The composition for forming a conductive layer may be prepared as a dispersion of metal fibers (for example, metal nanowires). Examples of the solvent include water, alcohol solvents, ketone solvents, ether solvents, hydrocarbon solvents, aromatic solvents, and the like. From the viewpoint of reducing environmental load, it is preferable to use water. The conductive layer forming composition may further contain any appropriate additives depending on the purpose. Examples of the additive include a corrosion inhibitor that prevents corrosion of metal fibers (eg, metal nanowires), a surfactant that prevents agglomeration of metal fibers (eg, metal nanowires), and the like. The type, number and amount of additives used can be appropriately set depending on the purpose.

上記導電層形成用組成物中の金属繊維（例えば、金属ナノワイヤ）の分散濃度は、好ましくは０．１重量％～１重量％である。このような範囲であれば、導電性および光透過性に優れる透明導電層を形成することができる。 The dispersion concentration of metal fibers (for example, metal nanowires) in the conductive layer forming composition is preferably 0.1% by weight to 1% by weight. Within this range, a transparent conductive layer with excellent conductivity and light transmittance can be formed.

上記導電層形成用組成物の塗布方法としては、任意の適切な方法が採用され得る。塗布方法としては、例えば、スプレーコート、バーコート、ロールコート、ダイコート、インクジェットコート、スクリーンコート、ディップコート、凸版印刷法、凹版印刷法、グラビア印刷法等が挙げられる。塗布層の乾燥方法としては、任意の適切な乾燥方法（例えば、自然乾燥、送風乾燥、加熱乾燥）が採用され得る。例えば、加熱乾燥の場合には、乾燥温度は代表的には５０℃～２００℃であり、好ましくは８０℃～１５０℃である。乾燥時間は代表的には１～１０分である。 Any suitable method may be employed as a method for applying the composition for forming a conductive layer. Examples of the coating method include spray coating, bar coating, roll coating, die coating, inkjet coating, screen coating, dip coating, letterpress printing, intaglio printing, and gravure printing. Any suitable drying method (for example, natural drying, blow drying, heating drying) may be employed as a drying method for the coating layer. For example, in the case of heat drying, the drying temperature is typically 50°C to 200°C, preferably 80°C to 150°C. Drying times are typically 1 to 10 minutes.

上記ポリマー溶液は、上記ポリマーマトリックスを構成するポリマー、または該ポリマーの前駆体（該ポリマーを構成するモノマー）を含む。 The polymer solution contains a polymer constituting the polymer matrix or a precursor of the polymer (a monomer constituting the polymer).

上記ポリマー溶液は溶剤を含み得る。上記ポリマー溶液に含まれる溶剤としては、例えば、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、テトラヒドロフラン、炭化水素系溶剤、または芳香族系溶剤等が挙げられる。好ましくは、該溶剤は、揮発性である。該溶剤の沸点は、好ましくは２００℃以下であり、より好ましくは１５０℃以下であり、さらに好ましくは１００℃以下である。 The polymer solution may include a solvent. Examples of the solvent contained in the polymer solution include alcohol solvents, ketone solvents, tetrahydrofuran, hydrocarbon solvents, and aromatic solvents. Preferably the solvent is volatile. The boiling point of the solvent is preferably 200°C or lower, more preferably 150°C or lower, and still more preferably 100°C or lower.

Ｃ．基材
上記基材は、代表的には、任意の適切な樹脂から構成される。上記基材を構成する樹脂としては、例えば、シクロオレフィン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂等が挙げられる。好ましくは、シクロオレフィン系樹脂が用いられる。シクロオレフィン系樹脂から構成される基材を用いれば、屈曲性に優れる透明導電性フィルムを得ることができる。 C. Substrate The above-mentioned substrate is typically composed of any suitable resin. Examples of the resin constituting the base material include cycloolefin resins, polyimide resins, polyvinylidene chloride resins, polyvinyl chloride resins, polyethylene terephthalate resins, and polyethylene naphthalate resins. Preferably, a cycloolefin resin is used. By using a base material made of a cycloolefin resin, a transparent conductive film with excellent flexibility can be obtained.

上記シクロオレフィン系樹脂として、例えば、ポリノルボルネンが好ましく用いられ得る。ポリノルボルネンとは、出発原料（モノマー）の一部または全部に、ノルボルネン環を有するノルボルネン系モノマーを用いて得られる（共）重合体をいう。上記ポリノルボルネンとしては、種々の製品が市販されている。具体例としては、日本ゼオン社製の商品名「ゼオネックス」、「ゼオノア」、ＪＳＲ社製の商品名「アートン（Ａｒｔｏｎ）」、ＴＩＣＯＮＡ社製の商品名「トーパス」、三井化学社製の商品名「ＡＰＥＬ」が挙げられる。 As the cycloolefin resin, for example, polynorbornene can be preferably used. Polynorbornene refers to a (co)polymer obtained by using a norbornene monomer having a norbornene ring as part or all of the starting materials (monomers). Various products are commercially available as the polynorbornene. Specific examples include the product names "ZEONEX" and "ZEONOR" manufactured by Nippon Zeon, the product name "Arton" manufactured by JSR, the product name "Topas" manufactured by TICONA, and the product name manufactured by Mitsui Chemicals. One example is "APEL".

上記基材を構成する樹脂のガラス転移温度は、好ましくは５０℃～２００℃であり、より好ましくは６０℃～１８０℃であり、さらに好ましくは７０℃～１６０℃である。このような範囲のガラス転移温度を有する基材であれば、透明導電積層体を形成する際の劣化が防止され得る。 The glass transition temperature of the resin constituting the base material is preferably 50°C to 200°C, more preferably 60°C to 180°C, even more preferably 70°C to 160°C. A base material having a glass transition temperature within such a range can prevent deterioration when forming a transparent conductive laminate.

上記基材の厚みは、好ましくは８μｍ～５００μｍであり、より好ましくは１０μｍ～２５０μｍであり、さらに好ましくは１０μｍ～１５０μｍであり、特に好ましくは１５μｍ～１００μｍである。 The thickness of the base material is preferably 8 μm to 500 μm, more preferably 10 μm to 250 μm, even more preferably 10 μm to 150 μm, particularly preferably 15 μm to 100 μm.

上記基材の全光線透過率は、好ましくは８０％以上であり、より好ましくは８５％以上であり、特に好ましくは９０％以上である。このような範囲であれば、タッチパネル等に備えられる透明導電性フィルムとして好適な透明導電性フィルムを得ることができる。 The total light transmittance of the base material is preferably 80% or more, more preferably 85% or more, and particularly preferably 90% or more. Within this range, a transparent conductive film suitable for use in a touch panel or the like can be obtained.

上記基材は、必要に応じて任意の適切な添加剤をさらに含み得る。添加剤の具体例としては、可塑剤、熱安定剤、光安定剤、滑剤、抗酸化剤、紫外線吸収剤、難燃剤、着色剤、帯電防止剤、相溶化剤、架橋剤、および増粘剤等が挙げられる。使用される添加剤の種類および量は、目的に応じて適宜設定され得る。 The base material may further contain any suitable additives as necessary. Examples of additives include plasticizers, heat stabilizers, light stabilizers, lubricants, antioxidants, ultraviolet absorbers, flame retardants, colorants, antistatic agents, compatibilizers, crosslinkers, and thickeners. etc. The type and amount of the additive used can be appropriately set depending on the purpose.

必要に応じて、上記基材に対して各種表面処理を行ってもよい。表面処理は目的に応じて任意の適切な方法が採用される。例えば、低圧プラズマ処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、酸またはアルカリ処理が挙げられる。１つの実施形態においては、透明基材を表面処理して、透明基材表面を親水化させる。基材を親水化させれば、水系溶媒により調製された透明導電層形成用組成物を塗工する際の加工性が優れる。また、基材と透明導電層との密着性に優れる透明導電性フィルムを得ることができる。 If necessary, the base material may be subjected to various surface treatments. Any appropriate method may be used for surface treatment depending on the purpose. Examples include low-pressure plasma treatment, ultraviolet irradiation treatment, corona treatment, flame treatment, and acid or alkali treatment. In one embodiment, the transparent substrate is surface treated to make the surface of the transparent substrate hydrophilic. If the base material is made hydrophilic, the processability when coating a composition for forming a transparent conductive layer prepared using an aqueous solvent will be excellent. Moreover, a transparent conductive film having excellent adhesion between the base material and the transparent conductive layer can be obtained.

Ｄ．金属層
上記金属層は、任意の適切な金属から構成される。好ましくは、銀、金、銅、ニッケル等等の導電性金属から構成される。１つの実施形態においては、上記金属層は、銅から構成される。 D. Metal Layer The metal layer is comprised of any suitable metal. Preferably, it is made of conductive metal such as silver, gold, copper, nickel, etc. In one embodiment, the metal layer is comprised of copper.

上記金属層は、任意の適切な方法により形成することができる。上記金属層は、蒸着法やスパッタリング法、ＣＶＤなどのドライプロセス（乾式法）、めっきなどのウェットプロセス等により形成することができる。 The metal layer can be formed by any suitable method. The metal layer can be formed by a vapor deposition method, a sputtering method, a dry process such as CVD, a wet process such as plating, or the like.

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例になんら限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically explained with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples in any way.

［製造例１］
（金属ナノワイヤの製造）
攪拌装置を備えた反応容器中、１６０℃下で、無水エチレングリコール５ｍｌ、ＰｔＣｌ２の無水エチレングリコール溶液（濃度：１．５×１０－４ｍｏｌ／Ｌ）０．５ｍｌを加えた。４分経過後、得られた溶液に、ＡｇＮＯ３の無水エチレングリコール溶液（濃度：０．１２ｍｏｌ／ｌ）２．５ｍｌと、ポリビニルピロリドン（ＭＷ：５５０００）の無水エチレングリコール溶液（濃度：０．３６ｍｏｌ／ｌ）５ｍｌとを同時に、６分かけて滴下した。この滴下後、１６０℃に加熱して１時間以上かけて、ＡｇＮＯ３が完全に還元されるまで反応を行い、銀ナノワイヤを生成した。次いで、上記のようにして得られた銀ナノワイヤを含む反応混合物に、該反応混合物の体積が５倍になるまでアセトンを加えた後、該反応混合物を遠心分離して（２０００ｒｐｍ、２０分）、銀ナノワイヤを得た。純水中に、該銀ナノワイヤ（濃度：０．２重量％）、およびペンタエチレングリコールドデシルエーテル（濃度：０．１重量％）を分散させ、銀ナノワイヤインクを調製した。 [Manufacture example 1]
(Manufacture of metal nanowires)
In a reaction vessel equipped with a stirring device, 5 ml of anhydrous ethylene glycol and 0.5 ml of an anhydrous ethylene glycol solution of PtCl2 (concentration: 1.5 x 10-4 mol/L) were added at 160°C. After 4 minutes, 2.5 ml of an anhydrous ethylene glycol solution of AgNO3 (concentration: 0.12 mol/l) and an anhydrous ethylene glycol solution of polyvinylpyrrolidone (MW: 55000) (concentration: 0.36 mol/l) were added to the obtained solution. l) 5 ml was simultaneously added dropwise over 6 minutes. After this dropwise addition, the mixture was heated to 160° C. and reacted for over 1 hour until the AgNO 3 was completely reduced, thereby producing silver nanowires. Next, acetone was added to the reaction mixture containing silver nanowires obtained as described above until the volume of the reaction mixture was increased to 5 times, and then the reaction mixture was centrifuged (2000 rpm, 20 minutes). Silver nanowires were obtained. The silver nanowires (concentration: 0.2% by weight) and pentaethylene glycol decyl ether (concentration: 0.1% by weight) were dispersed in pure water to prepare a silver nanowire ink.

［実施例１］
基材（シクロオレフィンフィルム）上に製造例１で得られた銀ナノワイヤインクを、ワイヤーバーを用いて、製膜後の比抵抗値が５０Ω／□となる様に塗布し、１２０℃で２分間加熱製膜した。
さらにウレタンアクリレートを主成分とする光硬化性樹脂を、イソプロパノール（ＩＰＡ）とジアセトンアルコール（ＤＡＡ）の混合溶媒（混合比（重量基準）ＩＰＡ：ＤＡＡ＝８：２）で固形分濃度１．５％に希釈した塗工液ａを用意し、上記銀ナノワイヤインク塗布面にスピンコーターを用いて乾燥膜厚が７０ｎｍとなる様に塗布し、８０℃で１分間加熱した後、高圧水銀ランプで積算露光量４５０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射し、透明導電層Ａを形成し、基材／透明導電層Ａからなる透明導電性フィルムＡを得た。
透明導電性フィルムＡを以下の評価に供した。
（１）透明導電層Ａに対する動摩擦係数
協和界面化学社製の商品名「ＴＳｆ－５０３」を用い、ＪＩＳ Ｋ７１２５：１９９９に準じて、接触子側のサンプル（透明導電層Ａ）サイズ：１ｃｍ□、測定荷重：１００ｇ、測定速度：１ｍｍ／ｓ、測定距離：３０ｍｍ、測定温度：２３℃の条件で、透明導電層Ａと透明導電層Ａとを摺動させて、動摩擦係数を測定した。
（２）静摩擦係数
協和界面化学社製の商品名「ＴＳｆ－５０３」を用い、ＪＩＳ Ｋ７１２５：１９９９に準じて、接触子側のサンプル（透明導電層Ａ）サイズ：１ｃｍ□、測定荷重：１００ｇ、測定速度：１ｍｍ／ｓ、測定距離：３０ｍｍ、測定温度：２３℃の条件で、透明導電層Ａと透明導電層Ａとを摺動させて、滑り出しの摩擦係数（静摩擦係数）を測定した。
（３）抵抗値上昇率
荷重を３００ｇとしたこと以外は、上記動摩擦係数測定時の条件にて、透明導電層Ａ同士を３ｃｍの距離で１回摺動させた。
上記被摺動箇所およびそれ以外の箇所について、透明導電層の表面抵抗値を、非接触表面抵抗測定器（ＮＡＰＳＯＮ社製、商品名「ＥＣ－８０」、シート抵抗測定モード、室温：２６℃）を用いて、測定した。
摺動による抵抗値上昇率を、（被摺動箇所の表面抵抗値／被摺動部以外の表面抵抗値）の式により求めた。
（４）透明導電層Ａの算術平均粗さＲａ
Ｖｅｅｃｏ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製 の走査型プローブ顕微鏡「ＮａｎｏｓｃｏｐｅＩＶ」ＡＦＭタッピングモードを用いて、透明導電層Ａの表面の５μｍ×５μｍの領域における算術平均粗さＲａを測定した。 [Example 1]
The silver nanowire ink obtained in Production Example 1 was applied onto the substrate (cycloolefin film) using a wire bar so that the specific resistance value after film formation was 50Ω/□, and the film was heated at 120°C for 2 minutes. A film was formed by heating.
Furthermore, a photocurable resin whose main component is urethane acrylate is mixed with a mixed solvent of isopropanol (IPA) and diacetone alcohol (DAA) (mixing ratio (weight basis) IPA:DAA=8:2) to a solid content concentration of 1.5. Coating liquid a diluted to A transparent conductive layer A was formed by irradiating ultraviolet rays with an exposure amount of 450 mJ/cm 2 to obtain a transparent conductive film A consisting of a base material/transparent conductive layer A.
Transparent conductive film A was subjected to the following evaluation.
(1) Coefficient of dynamic friction with respect to transparent conductive layer A Using the product name "TSf-503" manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd., according to JIS K7125:1999, the sample on the contact side (transparent conductive layer A) size: 1 cm □, The dynamic friction coefficient was measured by sliding the transparent conductive layer A and the transparent conductive layer A under the following conditions: measurement load: 100 g, measurement speed: 1 mm/s, measurement distance: 30 mm, and measurement temperature: 23°C.
(2) Static friction coefficient Using the product name "TSf-503" manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd., according to JIS K7125:1999, the size of the sample on the contact side (transparent conductive layer A): 1 cm □, the measurement load: 100 g, The transparent conductive layer A was slid on the transparent conductive layer A under the conditions of measurement speed: 1 mm/s, measurement distance: 30 mm, and measurement temperature: 23° C., and the friction coefficient at the beginning of sliding (static friction coefficient) was measured.
(3) Rate of increase in resistance value The transparent conductive layers A were slid once at a distance of 3 cm under the conditions described above for measuring the coefficient of dynamic friction, except that the load was 300 g.
The surface resistance value of the transparent conductive layer was measured for the sliding area and other areas using a non-contact surface resistance measuring device (manufactured by NAPSON, product name: EC-80, sheet resistance measurement mode, room temperature: 26°C). It was measured using
The rate of increase in resistance value due to sliding was determined using the formula: (Surface resistance value of the sliding part/Surface resistance value of other parts than the sliding part).
(4) Arithmetic mean roughness Ra of transparent conductive layer A
The arithmetic mean roughness Ra in a 5 μm×5 μm area of the surface of the transparent conductive layer A was measured using a scanning probe microscope “Nanoscope IV” manufactured by Veeco Instruments in AFM tapping mode.

［参考例１－１］
実施例１と同様にして、透明導電性フィルムＡを得た。
（１ａ）透明導電層Ａ上の銅膜に対する動摩擦係数
別途、実施例１と同様にして、透明導電性フィルムＡを得た。得られた透明導電性フィルムＡの透明導電層Ａ上に、厚みが１００ｎｍとなるようにして銅膜をスパッタ成膜して、銅膜付透明導電性フィルムを得た。接触子側のサンプルをこの銅膜付透明導電性フィルムとして、上記（１）と同様の方法により、透明導電層Ａと透明導電層Ａ上の銅膜とを摺動させて、動摩擦係数を測定した。
（２ａ）静摩擦係数
別途、実施例１と同様にして、透明導電性フィルムＡを得た。得られた透明導電性フィルムＡの透明導電層Ａ上に、厚みが１００ｎｍとなるようにして銅膜をスパッタ成膜して、銅膜付透明導電性フィルムを得た。接触子側のサンプルをこの銅膜付透明導電性フィルムとして、上記（２）と同様の方法により、透明導電層Ａと透明導電層Ａ上の銅膜とを摺動させて、滑り出しの摩擦係数（静摩擦係数）を測定した。
（３ａ）抵抗値上昇率
上記（３）と同様の方法により、透明導電層Ａと透明導電層Ａ上の銅膜とを摺動させて、摺動による抵抗値上昇率を測定した。
（４ａ）透明導電層Ａ上の銅膜の算術平均粗さＲａ
上記（４）と同様の方法により、透明導電層Ａ上の銅膜の算術平均粗さＲａを測定した。 [Reference example 1-1]
A transparent conductive film A was obtained in the same manner as in Example 1.
(1a) Coefficient of dynamic friction with respect to copper film on transparent conductive layer A Separately, a transparent conductive film A was obtained in the same manner as in Example 1. On the transparent conductive layer A of the obtained transparent conductive film A, a copper film was formed by sputtering to a thickness of 100 nm to obtain a transparent conductive film with a copper film. Using this transparent conductive film with a copper film as the sample on the contact side, the coefficient of dynamic friction was measured by sliding the transparent conductive layer A and the copper film on the transparent conductive layer A in the same manner as in (1) above. did.
(2a) Coefficient of Static Friction Separately, a transparent conductive film A was obtained in the same manner as in Example 1. On the transparent conductive layer A of the obtained transparent conductive film A, a copper film was formed by sputtering to a thickness of 100 nm to obtain a transparent conductive film with a copper film. Using this transparent conductive film with a copper film as the sample on the contact side, the transparent conductive layer A and the copper film on the transparent conductive layer A were made to slide in the same manner as in (2) above, and the coefficient of friction at the beginning of sliding was measured. (Static friction coefficient) was measured.
(3a) Rate of increase in resistance value The rate of increase in resistance value due to sliding was measured by sliding the transparent conductive layer A and the copper film on the transparent conductive layer A using the same method as in (3) above.
(4a) Arithmetic mean roughness Ra of copper film on transparent conductive layer A
The arithmetic mean roughness Ra of the copper film on the transparent conductive layer A was measured by the same method as in (4) above.

［参考例１－２］
実施例１と同様にして、透明導電性フィルムＡを得た。
（１ｂ）透明導電層ｄに対する動摩擦係数
基材（シクロオレフィンフィルム）上に製造例１で得られた銀ナノワイヤインクを、ワイヤーバーを用いて、製膜後の比抵抗値が５０Ω／□となる様に塗布し、１２０℃で２分間加熱製膜した。
さらにウレタンアクリレートを主成分とする光硬化性樹脂を、メチルイソブチルケトンで固形分濃度１．５％に希釈した塗工液ａを用意し、上記銀ナノワイヤインク塗布面にスピンコーターを用いて乾燥膜厚が７０ｎｍとなる様に塗布し、８０℃で１分間加熱した後、高圧水銀ランプで積算露光量４５０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射し、透明導電層ｄを形成し、基材／透明導電層ｄからなる透明導電性フィルムｄを得た。
接触子側のサンプルを透明導電性フィルムｄとして、上記（１）と同様の方法により、透明導電層Ａと透明導電層ｄとを摺動させて、動摩擦係数を測定した。
（２ｂ）静摩擦係数
接触子側のサンプルを透明導電性フィルムｄとして、上記（２）と同様の方法により、透明導電層Ａと透明導電層ｄとを摺動させて、滑り出しの摩擦係数（静摩擦係数）を測定した。
（３ｂ）抵抗値上昇率
上記（３）と同様の方法により、透明導電層Ａと透明導電層ｄとを摺動させて、摺動による抵抗値上昇率を測定した。
（４ｂ）透明導電層ｄの算術平均粗さＲａ
上記（４）と同様の方法により、透明導電層ｄの算術平均粗さＲａを測定した。 [Reference example 1-2]
A transparent conductive film A was obtained in the same manner as in Example 1.
(1b) Coefficient of dynamic friction against transparent conductive layer d The silver nanowire ink obtained in Production Example 1 was deposited on the base material (cycloolefin film) using a wire bar, and the specific resistance value after film formation was 50Ω/□. The film was formed by heating at 120° C. for 2 minutes.
Further, a coating liquid a was prepared by diluting a photocurable resin mainly composed of urethane acrylate with methyl isobutyl ketone to a solid content concentration of 1.5%, and a spin coater was used to coat the surface coated with the silver nanowire ink to form a dry film. The coating was applied to a thickness of 70 nm, heated at 80°C for 1 minute, and then irradiated with ultraviolet rays with a cumulative exposure dose of 450 mJ/cm 2 using a high-pressure mercury lamp to form a transparent conductive layer d. A transparent conductive film d consisting of d was obtained.
Using the transparent conductive film d as the sample on the contact side, the transparent conductive layer A and the transparent conductive layer d were slid against each other in the same manner as in (1) above, and the coefficient of dynamic friction was measured.
(2b) Coefficient of Static Friction Using the transparent conductive film d as the sample on the contact side, the transparent conductive layer A and the transparent conductive layer d were slid in the same manner as in (2) above, and the coefficient of friction at the beginning of sliding (static friction coefficient) was measured.
(3b) Rate of increase in resistance value The rate of increase in resistance value due to sliding was measured by sliding the transparent conductive layer A and the transparent conductive layer d using the same method as in (3) above.
(4b) Arithmetic mean roughness Ra of transparent conductive layer d
The arithmetic mean roughness Ra of the transparent conductive layer d was measured by the same method as in (4) above.

［参考例１－３］
実施例１と同様にして、透明導電性フィルムＡを得た。
（１ｃ）シクロオレフィンフィルムに対する動摩擦係数
接触子側のサンプルをシクロオレフィンフィルム（日本ゼオン社製、商品名「ＺＦ１６」）として、上記（１）と同様の方法により、透明導電層Ａとシクロオレフィンフィルムとを摺動させて、動摩擦係数を測定した。
（２ｃ）静摩擦係数
接触子側のサンプルをシクロオレフィンフィルム（日本ゼオン社製、商品名「ＺＦ１６」）として、上記（２）と同様の方法により、透明導電層Ａとシクロオレフィンフィルムとを摺動させて、滑り出しの摩擦係数（静摩擦係数）を測定した。
（３ｃ）抵抗値上昇率
上記（３）と同様の方法により、透明導電層Ａと上記シクロオレフィンフィルムとを摺動させて、摺動による抵抗値上昇率を測定した。
（４ｃ）シクロオレフィンフィルムの算術平均粗さＲａ
上記（４）と同様の方法により、上記シクロオレフィンフィルムの算術平均粗さＲａを測定した。 [Reference example 1-3]
A transparent conductive film A was obtained in the same manner as in Example 1.
(1c) Dynamic friction coefficient for cycloolefin film Using the sample on the contact side as a cycloolefin film (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., trade name "ZF16"), the transparent conductive layer A and the cycloolefin film were coated in the same manner as in (1) above. The coefficient of dynamic friction was measured by sliding the
(2c) Coefficient of static friction Using a cycloolefin film (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., product name "ZF16") as the sample on the contact side, the transparent conductive layer A and the cycloolefin film were slid together in the same manner as in (2) above. The friction coefficient at the beginning of sliding (static friction coefficient) was measured.
(3c) Rate of increase in resistance value The rate of increase in resistance value due to sliding was measured by sliding the transparent conductive layer A and the above cycloolefin film using the same method as in (3) above.
(4c) Arithmetic mean roughness Ra of cycloolefin film
The arithmetic mean roughness Ra of the cycloolefin film was measured by the same method as in (4) above.

［参考例１－４］
実施例１と同様にして、透明導電性フィルムＡを得た。
（１ｄ）ＰＥＴフィルムに対する動摩擦係数
接触子側のサンプルをＰＥＴフィルム（ＫＯＬＯＮ ｉｎｄｕｓｔｒｙ製、商品名「ＣＥ９００」）として、上記（１）と同様の方法により、透明導電層ＡとＰＥＴフィルムとを摺動させて、動摩擦係数を測定した。
（２ｄ）静摩擦係数
接触子側のサンプルをＰＥＴフィルム（ＫＯＬＯＮ ｉｎｄｕｓｔｒｙ製、商品名「ＣＥ９００」）として、上記（２）と同様の方法により、透明導電層ＡとＰＥＴフィルムとを摺動させて、滑り出しの摩擦係数（静摩擦係数）を測定した。
（３ｄ）抵抗値上昇率
上記（３）と同様の方法により、透明導電層Ａと上記ＰＥＴフィルムとを摺動させて、摺動による抵抗値上昇率を測定した。
（４ｄ）ＰＥＴフィルムの算術平均粗さＲａ
上記（４）と同様の方法により、上記ＰＥＴフィルムの算術平均粗さＲａを測定した。 [Reference example 1-4]
A transparent conductive film A was obtained in the same manner as in Example 1.
(1d) Coefficient of dynamic friction against PET film The sample on the contact side was a PET film (manufactured by KOLON industry, product name "CE900"), and the transparent conductive layer A and the PET film were slid by the same method as in (1) above. The coefficient of dynamic friction was measured.
(2d) Coefficient of Static Friction Using a PET film (manufactured by KOLON industry, product name "CE900") as the sample on the contact side, the transparent conductive layer A and the PET film were slid together by the same method as in (2) above. The friction coefficient at the beginning of sliding (static friction coefficient) was measured.
(3d) Rate of increase in resistance value By the same method as in (3) above, the transparent conductive layer A and the PET film were slid, and the rate of increase in resistance value due to sliding was measured.
(4d) Arithmetic mean roughness Ra of PET film
The arithmetic mean roughness Ra of the PET film was measured by the same method as in (4) above.

［参考例１－５］
実施例１と同様にして、透明導電性フィルムＡを得た。
（１ｅ）アクリルフィルムに対する動摩擦係数
接触子側のサンプルをアクリルフィルム（東洋鋼鈑社製、商品名「ＨＸ－４０－ＵＦ」）として、上記（１）と同様の方法により、透明導電層Ａとアクリルフィルムとを摺動させて、動摩擦係数を測定した。
（２ｅ）静摩擦係数
接触子側のサンプルをアクリルフィルム（東洋鋼鈑社製、商品名「ＨＸ－４０－ＵＦ」）として、上記（２）と同様の方法により、透明導電層Ａとアクリルフィルムとを摺動させて、滑り出しの摩擦係数（静摩擦係数）を測定した。
（３ｅ）抵抗値上昇率
上記（３）と同様の方法により、透明導電層Ａと上記アクリルフィルムとを摺動させて、摺動による抵抗値上昇率を測定した。
（４ｅ）アクリルフィルムの算術平均粗さＲａ
上記（４）と同様の方法により、上記アクリルフィルムの算術平均粗さＲａを測定した。 [Reference example 1-5]
A transparent conductive film A was obtained in the same manner as in Example 1.
(1e) Coefficient of dynamic friction with respect to acrylic film Using the sample on the contact side as an acrylic film (manufactured by Toyo Kohan Co., Ltd., product name "HX-40-UF"), the transparent conductive layer A was coated with the same method as in (1) above. The coefficient of dynamic friction was measured by sliding the acrylic film.
(2e) Static friction coefficient Using the sample on the contact side as an acrylic film (manufactured by Toyo Kohan Co., Ltd., product name "HX-40-UF"), the transparent conductive layer A and the acrylic film were separated by the same method as in (2) above. The friction coefficient at the beginning of sliding (static friction coefficient) was measured.
(3e) Rate of increase in resistance value The rate of increase in resistance value due to sliding was measured by sliding the transparent conductive layer A and the above acrylic film in the same manner as in (3) above.
(4e) Arithmetic mean roughness Ra of acrylic film
The arithmetic mean roughness Ra of the acrylic film was measured by the same method as in (4) above.

［実施例２］
塗工液ａの乾燥膜厚を１００ｎｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、基材／透明導電層Ｂからなる透明導電性フィルムＢを得た。
透明導電性フィルムＢを以下の評価に供した。
（１Ｂ）透明導電層Ｂに対する動摩擦係数
協和界面化学社製の商品名「ＴＳｆ－５０３」を用い、ＪＩＳ Ｋ７１２５：１９９９に準じて、接触子側のサンプル（透明導電層Ｂ）サイズ：１ｃｍ□、測定荷重：１００ｇ、測定速度：１ｍｍ／ｓ、測定距離：３０ｍｍ、測定温度：２３℃の条件で、透明導電層Ｂと透明導電層Ｂとを摺動させて、動摩擦係数を測定した。
（２Ｂ）静摩擦係数
協和界面化学社製の商品名「ＴＳｆ－５０３」を用い、ＪＩＳ Ｋ７１２５：１９９９に準じて、接触子側のサンプル（透明導電層Ｂ）サイズ：１ｃｍ□、測定荷重：１００ｇ、測定速度：１ｍｍ／ｓ、測定距離：３０ｍｍ、測定温度：２３℃の条件で、透明導電層Ｂと透明導電層Ｂとを摺動させて、滑り出しの摩擦係数（静摩擦係数）を測定した。
（３Ｂ）抵抗値上昇率
荷重を３００ｇとしたこと以外は、上記動摩擦係数測定時の条件にて、透明導電層Ｂ同士を３ｃｍの距離で１回摺動させた。
上記被摺動箇所およびそれ以外の箇所について、透明導電層の表面抵抗値を、非接触表面抵抗測定器（ＮＡＰＳＯＮ社製、商品名「ＥＣ－８０」、シート抵抗測定モード、室温：２６℃）を用いて、測定した。
摺動による抵抗値上昇率を、（被摺動箇所の表面抵抗値／被摺動部以外の表面抵抗値）の式により求めた。
（４Ｂ）透明導電層Ｂの算術平均粗さＲａ
Ｖｅｅｃｏ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製 の走査型プローブ顕微鏡「ＮａｎｏｓｃｏｐｅＩＶ」ＡＦＭタッピングモードを用いて、透明導電層Ｂの表面の５μｍ×５μｍの領域における算術平均粗さＲａを測定した。 [Example 2]
A transparent conductive film B consisting of base material/transparent conductive layer B was obtained in the same manner as in Example 1 except that the dry film thickness of coating liquid a was 100 nm.
Transparent conductive film B was subjected to the following evaluation.
(1B) Coefficient of dynamic friction against transparent conductive layer B Using the product name "TSf-503" manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd., according to JIS K7125:1999, the size of the sample on the contact side (transparent conductive layer B): 1 cm □, The dynamic friction coefficient was measured by sliding the transparent conductive layer B and the transparent conductive layer B under the following conditions: measurement load: 100 g, measurement speed: 1 mm/s, measurement distance: 30 mm, and measurement temperature: 23°C.
(2B) Coefficient of static friction Using the product name "TSf-503" manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd., according to JIS K7125:1999, size of contact side sample (transparent conductive layer B): 1 cm □, measurement load: 100 g, The transparent conductive layer B was slid on the transparent conductive layer B under the conditions of measurement speed: 1 mm/s, measurement distance: 30 mm, and measurement temperature: 23° C., and the friction coefficient at the beginning of sliding (static friction coefficient) was measured.
(3B) Rate of increase in resistance value The transparent conductive layers B were slid once at a distance of 3 cm under the above conditions for measuring the coefficient of dynamic friction, except that the load was 300 g.
The surface resistance value of the transparent conductive layer was measured for the sliding area and other areas using a non-contact surface resistance measuring device (manufactured by NAPSON, product name: EC-80, sheet resistance measurement mode, room temperature: 26°C). It was measured using
The rate of increase in resistance value due to sliding was determined using the formula: (Surface resistance value of the sliding part/Surface resistance value of other parts than the sliding part).
(4B) Arithmetic mean roughness Ra of transparent conductive layer B
The arithmetic mean roughness Ra in a 5 μm×5 μm area of the surface of the transparent conductive layer B was measured using a scanning probe microscope “Nanoscope IV” manufactured by Veeco Instruments in AFM tapping mode.

［比較例１］
実施例１と同様に銀ナノワイヤ層を製膜した。さらにウレタンアクリレートを主成分とする光硬化性樹脂にシランカップリング剤を添加し、メチルイソブチルケトンで固形分濃度１．５％に希釈した塗工液ｃを用意し、上記銀ナノワイヤインク塗布面にスピンコーターを用いて乾燥膜厚が７０ｎｍとなる様に塗布し、８０℃で１分間加熱した後、高圧水銀ランプで積算露光量４５０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射し、透明導電層Ｃを形成し、基材／透明導電Ｃからなる透明導電性フィルムＣを得た。
（１ｆ）透明導電層ｄに対する動摩擦係数
接触子側のサンプルを透明導電層Ｃとして、上記（１）と同様の方法により、透明導電層Ｃと透明導電層Ｃとを摺動させて、動摩擦係数を測定した。
（２ｇ）静摩擦係数
接触子側のサンプルを透明導電層Ｃとして、上記（２）と同様の方法により、透明導電層ｃと透明導電層Ｃとを摺動させて、滑り出しの摩擦係数（静摩擦係数）を測定した。
（３ｇ）抵抗値上昇率
上記（３）と同様の方法により、透明導電層Ｃと上記シクロオレフィンフィルムとを摺動させて、摺動による抵抗値上昇率を測定した。
（４ｇ）透明導電層ｄの算術平均粗さＲａ
上記（４）と同様の方法により、透明導電層Ｃの算術平均粗さＲａを測定した。 [Comparative example 1]
A silver nanowire layer was formed in the same manner as in Example 1. Furthermore, a coating liquid c was prepared by adding a silane coupling agent to a photocurable resin mainly composed of urethane acrylate and diluted with methyl isobutyl ketone to a solid content concentration of 1.5%, and applied it to the surface coated with the silver nanowire ink. It was applied using a spin coater to a dry film thickness of 70 nm, heated at 80°C for 1 minute, and then irradiated with ultraviolet rays with a cumulative exposure dose of 450 mJ/cm 2 using a high-pressure mercury lamp to form a transparent conductive layer C. A transparent conductive film C consisting of base material/transparent conductive C was obtained.
(1f) Coefficient of dynamic friction for transparent conductive layer d Using the sample on the contact side as transparent conductive layer C, slide the transparent conductive layer C and the transparent conductive layer C using the same method as in (1) above to obtain a coefficient of dynamic friction. was measured.
(2g) Coefficient of Static Friction Using the sample on the contact side as the transparent conductive layer C, slide the transparent conductive layer C and the transparent conductive layer C using the same method as in (2) above. ) was measured.
(3g) Rate of increase in resistance value The rate of increase in resistance value due to sliding was measured by sliding the transparent conductive layer C and the above cycloolefin film in the same manner as in (3) above.
(4g) Arithmetic mean roughness Ra of transparent conductive layer d
The arithmetic mean roughness Ra of the transparent conductive layer C was measured by the same method as in (4) above.

［比較例２］
参考例１－２に記載の方法と同様の方法で、基材／透明導電層ｄからなる透明導電性フィルムｄを得た。
（１ｇ）透明導電層ｄに対する動摩擦係数
接触子側のサンプルを透明導電層ｄとして、上記（１）と同様の方法により、透明導電層ｄと透明導電層ｄとを摺動させて、動摩擦係数を測定した。
（２ｇ）静摩擦係数
接触子側のサンプルを透明導電層ｄとして、上記（2）と同様の方法により、透明導電層ｄと透明導電層ｄとを摺動させて、滑り出しの摩擦係数（静摩擦係数）を測定した。
（３ｇ）抵抗値上昇率
上記（３）と同様の方法により、透明導電層ｄと上記シクロオレフィンフィルムとを摺動させて、摺動による抵抗値上昇率を測定した。
（４ｇ）透明導電層ｄの算術平均粗さＲａ
上記（４）と同様の方法により、透明導電層ｄの算術平均粗さＲａを測定した。 [Comparative example 2]
A transparent conductive film d consisting of a base material/transparent conductive layer d was obtained in the same manner as described in Reference Example 1-2.
(1g) Coefficient of dynamic friction against transparent conductive layer d Using the sample on the contact side as transparent conductive layer d, slide the transparent conductive layer d and the transparent conductive layer d in the same manner as in (1) above to obtain a coefficient of dynamic friction. was measured.
(2g) Coefficient of Static Friction Using the sample on the contact side as the transparent conductive layer d, slide the transparent conductive layer d and the transparent conductive layer d using the same method as in (2) above. ) was measured.
(3g) Rate of increase in resistance value The rate of increase in resistance value due to sliding was measured by sliding the transparent conductive layer d and the above cycloolefin film using the same method as in (3) above.
(4g) Arithmetic mean roughness Ra of transparent conductive layer d
The arithmetic mean roughness Ra of the transparent conductive layer d was measured by the same method as in (4) above.

［比較参考例２－１］
比較例２と同様にして、透明導電性フィルムｄを得た。
（１ｈ）透明導電層ｄ上の銅膜に対する動摩擦係数
別途、比較例２と同様にして、透明導電性フィルムｄを得た。得られた透明導電性フィルムｄの透明導電層ｄ上に、厚みが１００ｎｍとなるようにして銅膜をスパッタ成膜して、銅膜付透明導電性フィルムを得た。接触子側のサンプルをこの銅膜付透明導電性フィルムとして、上記（１）と同様の方法により、透明導電層ｄと透明導電層ｄ上の銅膜とを摺動させて、動摩擦係数を測定した。
（２ｈ）静摩擦係数
接触子側のサンプルを上記銅膜付透明導電性フィルムとして、上記（２）と同様の方法により、透明導電層ｄと透明導電層ｄ上の銅膜とを摺動させて、滑り出しの摩擦係数（静摩擦係数）を測定した。
（３ｈ）抵抗値上昇率
上記（３）と同様の方法により、透明導電層ｄと透明導電層ｄ上の銅膜とを摺動させて、摺動による抵抗値上昇率を測定した。
（４ｈ）透明導電層ｄ上の銅膜の算術平均粗さＲａ
上記（４）と同様の方法により、透明導電層ｄ上の銅膜の算術平均粗さＲａを測定した。 [Comparative Reference Example 2-1]
A transparent conductive film d was obtained in the same manner as in Comparative Example 2.
(1h) Coefficient of dynamic friction with respect to copper film on transparent conductive layer d Separately, a transparent conductive film d was obtained in the same manner as in Comparative Example 2. A copper film was sputtered to a thickness of 100 nm on the transparent conductive layer d of the obtained transparent conductive film d to obtain a transparent conductive film with a copper film. Using this transparent conductive film with a copper film as the sample on the contact side, the transparent conductive layer d and the copper film on the transparent conductive layer d are made to slide by the same method as in (1) above, and the coefficient of dynamic friction is measured. did.
(2h) Static friction coefficient Using the above-mentioned transparent conductive film with a copper film as the sample on the contact side, the transparent conductive layer d and the copper film on the transparent conductive layer d were slid together in the same manner as in (2) above. , the friction coefficient at the beginning of sliding (static friction coefficient) was measured.
(3h) Rate of increase in resistance value By the same method as in (3) above, the transparent conductive layer d and the copper film on the transparent conductive layer d were slid, and the rate of increase in resistance value due to sliding was measured.
(4h) Arithmetic mean roughness Ra of copper film on transparent conductive layer d
The arithmetic mean roughness Ra of the copper film on the transparent conductive layer d was measured by the same method as in (4) above.

上記実施例、参考例、比較例、比較参考例における評価結果を表１に示す。なお、動摩擦係数、抵抗値上昇率における接触子側のサンプルを、表中、「透明導電層に接触させる層」と表記している。

Figure 2024040293000002
Table 1 shows the evaluation results for the above Examples, Reference Examples, Comparative Examples, and Comparative Reference Examples. In addition, the sample on the contact side in terms of dynamic friction coefficient and resistance value increase rate is described as "layer in contact with transparent conductive layer" in the table.
Figure 2024040293000002

表１から明らかなように、本発明によれば、透明導電層の算術平均表面粗さＲａを特定することにより、金属繊維を含む導電層を備えながら、接触による導電性不良が生じがたい透明導電性フィルムを提供することができる。このような透明導電性フィルムは、参考例に示すように、種々のフィルム等と接触し摺動された際にも、抵抗値の上昇が抑えられる。 As is clear from Table 1, according to the present invention, by specifying the arithmetic mean surface roughness Ra of the transparent conductive layer, it is possible to provide a transparent conductive layer that is resistant to poor conductivity due to contact while having a conductive layer containing metal fibers. A conductive film can be provided. As shown in the reference examples, such a transparent conductive film can suppress an increase in resistance value even when it comes into contact with and slides on various films.

１０ 基材
２０ 透明導電層
３０ 金属層
１００、２００、３００ 透明導電性フィルム

 10 base material 20 transparent conductive layer 30 metal layer 100, 200, 300 transparent conductive film

本発明の透明導電性フィルムは、基材と、基材の少なくとも片側に配置された透明導電層とを備え、該透明導電層が、ポリマーマトリックスと、該ポリマーマトリックス中に存在する金属繊維とを含み、該透明導電層の算術平均表面粗さＲａが、１．５ｎｍ以上である。
１つの実施形態においては、上記金属繊維が、金属ナノワイヤである。
１つの実施形態においては、上記金属ナノワイヤが、銀ナノワイヤである。
１つの実施形態においては、上記透明導電性フィルムは、金属層をさらに備える。
１つの実施形態においては、上記金属層が、銅から構成される。
１つの実施形態においては、上記透明導電層の厚みが、５０ｎｍ～３００ｎｍである。 The transparent conductive film of the present invention includes a base material and a transparent conductive layer disposed on at least one side of the base material, the transparent conductive layer comprising a polymer matrix and metal fibers present in the polymer matrix. The transparent conductive layer has an arithmetic mean surface roughness Ra of 1.5 nm or more.
In one embodiment, the metal fibers are metal nanowires.
In one embodiment, the metal nanowires are silver nanowires.
In one embodiment, the transparent conductive film further includes a metal layer.
In one embodiment, the metal layer is comprised of copper.
In one embodiment, the transparent conductive layer has a thickness of 50 nm to 300 nm.

本発明において、上記透明導電層の算術平均表面粗さＲａは、１．５ｎｍ以上である。透明導電層の算術平均表面粗さＲａを上記範囲とすることにより、このような範囲であれば、透明導電層への接触が生じた際にも、導電不良が生じがたい透明導電性フィルムを得ることができる。従来の透明導電性フィルムは、ロールの形態で提供される際、互いに接触することで表面に摩擦力がかかり、金属繊維を含む透明導電層を備える場合には、当該金属繊維同士の接合が外れて導電不良が生じやすい。一方、本願発明の透明導電性フィルムは、ロールの形態で提供された場合であっても、金属繊維同士の接合が維持され、所望の導電性が維持される。また、上記透明導電性フィルムが枚葉であっても、当該透明導電性フィルムを積層した際の接触、摩擦等による金属繊維同士の接合外れを防止することができる。また、上記透明導電性フィルムは、透明導電性フィルム同士の接触に限らず、その他の物品との接触に対しても優れた接触耐性を示し得る。上記透明導電層の算術平均表面粗さＲａは、好ましくは２．０ｎｍ～５．０ｎｍであり、より好ましくは３．０ｎｍ～４．０ｎｍであり、さらに好ましくは３．０ｎｍ～３．５ｎｍである。このような範囲であれば、上記効果は顕著となる。算術平均表面粗さＲａは、原子間力顕微鏡を用いて測定することができる。 In the present invention, the arithmetic mean surface roughness Ra of the transparent conductive layer is 1.5 nm or more. By setting the arithmetic mean surface roughness Ra of the transparent conductive layer within the above range, it is possible to create a transparent conductive film that is unlikely to cause poor conductivity even when it comes into contact with the transparent conductive layer. Obtainable. When conventional transparent conductive films are provided in the form of a roll, frictional force is applied to the surface by contact with each other, and when a transparent conductive layer containing metal fibers is provided, the bond between the metal fibers may come off. poor conductivity is likely to occur. On the other hand, even when the transparent conductive film of the present invention is provided in the form of a roll, the bond between the metal fibers is maintained and the desired conductivity is maintained. Furthermore, even if the transparent conductive film is a sheet, it is possible to prevent the metal fibers from coming loose from each other due to contact, friction, etc. when the transparent conductive films are laminated. Further, the transparent conductive film can exhibit excellent contact resistance not only to contact between transparent conductive films but also to contact with other articles. The arithmetic mean surface roughness Ra of the transparent conductive layer is preferably 2.0 nm to 5.0 nm , more preferably 3.0 nm to 4.0 nm , even more preferably 3.0 nm to 4.0 nm . It is 3.5 nm . Within this range, the above effect becomes significant. Arithmetic mean surface roughness Ra can be measured using an atomic force microscope.

上記実施例、参考例、比較例、比較参考例における評価結果を表１に示す。なお、動摩擦係数、抵抗値上昇率における接触子側のサンプルを、表中、「透明導電層に接触させる層」と表記している。

Figure 2024040293000005
Table 1 shows the evaluation results for the above Examples, Reference Examples, Comparative Examples, and Comparative Reference Examples. In addition, the sample on the contact side in terms of dynamic friction coefficient and resistance value increase rate is described as "layer in contact with transparent conductive layer" in the table.
Figure 2024040293000005

Claims (6)

基材と、該基材の少なくとも片側に配置された透明導電層とを備え、
該透明導電層が、ポリマーマトリックスと、該ポリマーマトリックス中に存在する金属繊維とを含み、
該透明導電層の算術平均表面粗さＲａが、１．５μｍ以上である、
透明導電性フィルム。 comprising a base material and a transparent conductive layer disposed on at least one side of the base material,
The transparent conductive layer includes a polymer matrix and metal fibers present in the polymer matrix,
The arithmetic mean surface roughness Ra of the transparent conductive layer is 1.5 μm or more.
Transparent conductive film. 前記金属繊維が、金属ナノワイヤである、請求項１に記載の透明導電性フィルム。 The transparent conductive film according to claim 1, wherein the metal fibers are metal nanowires. 前記金属ナノワイヤが、銀ナノワイヤである、請求項２に記載の透明導電性フィルム。 The transparent conductive film according to claim 2, wherein the metal nanowires are silver nanowires. 金属層をさらに備える、請求項１から３のいずれかに記載の透明導電性フィルム。 The transparent conductive film according to any one of claims 1 to 3, further comprising a metal layer. 前記金属層が、銅から構成される、請求項４に記載の透明導電性フィルム。 The transparent conductive film according to claim 4, wherein the metal layer is made of copper. 前記透明導電層の厚みが、５０ｎｍ～３００ｎｍである、請求項１から５のいずれかにに記載の透明導電性フィルム。
 The transparent conductive film according to claim 1, wherein the transparent conductive layer has a thickness of 50 nm to 300 nm.
JP2024017053A 2021-03-18 2024-02-07 Transparent electroconductive film Pending JP2024040293A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2024017053A JP2024040293A (en) 2021-03-18 2024-02-07 Transparent electroconductive film

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021044562A JP2022143836A (en) 2021-03-18 2021-03-18 Transparent electroconductive film
JP2024017053A JP2024040293A (en) 2021-03-18 2024-02-07 Transparent electroconductive film

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021044562A Division JP2022143836A (en) 2021-03-18 2021-03-18 Transparent electroconductive film

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2024040293A true JP2024040293A (en) 2024-03-25

Family

ID=83321496

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021044562A Ceased JP2022143836A (en) 2021-03-18 2021-03-18 Transparent electroconductive film
JP2024017053A Pending JP2024040293A (en) 2021-03-18 2024-02-07 Transparent electroconductive film

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021044562A Ceased JP2022143836A (en) 2021-03-18 2021-03-18 Transparent electroconductive film

Country Status (5)

Country Link
JP (2) JP2022143836A (en)
KR (1) KR20230142602A (en)
CN (1) CN116982124A (en)
TW (1) TW202244947A (en)
WO (1) WO2022196348A1 (en)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101333012B1 (en) 2005-08-12 2013-12-02 캄브리오스 테크놀로지즈 코포레이션 Nanowires-based transparent conductors
JP6610262B2 (en) * 2014-01-28 2019-11-27 コニカミノルタ株式会社 Conductive pattern, substrate with conductive pattern, method for manufacturing substrate with conductive pattern, structure having conductive pattern on surface, and method for manufacturing the structure
JP7442283B2 (en) * 2019-09-02 2024-03-04 日東電工株式会社 Transparent conductive film, transparent conductive film manufacturing method and intermediate

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230142602A (en) 2023-10-11
TW202244947A (en) 2022-11-16
CN116982124A (en) 2023-10-31
JP2022143836A (en) 2022-10-03
WO2022196348A1 (en) 2022-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI450282B (en) Transparent conductive film with adhesive layer and manufacturing method thereof
TWI508104B (en) A method for producing a transparent conductive film and a transparent conductive film
TW201434640A (en) Transparent conductive film
JP2012151095A (en) Transparent conductive film, transparent electrode for electrostatic capacitance type touch panel, and touch panel
JP2013200943A (en) Transparent conductive film and manufacturing method of the same, and touch panel
JP6712910B2 (en) Transparent conductive film
JP2024040293A (en) Transparent electroconductive film
EP3791247B1 (en) An electrically conductive multilayer film including a coating layer
JP7485629B2 (en) Transparent Conductive Film
WO2022050243A1 (en) Method for manufacturing transparent electroconductive film
WO2022172870A1 (en) Transparent electroconductive film
JP2023127683A (en) Method of producing transparent conductive film
JP7458926B2 (en) Transparent Conductive Film
WO2021235431A1 (en) Electrically conductive film
JP2021184344A (en) Transparent conductive film
WO2021065828A1 (en) Method for producing transparent conductive film
WO2021172086A2 (en) Transparent conductive film
JP2023183132A (en) transparent conductive film
JP2010269569A (en) Conductive film for transfer, production process thereof and conductive object

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240313

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240313

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20240313

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20240314

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240604