JP2024017373A - Plasma processing device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma processing device capable of checking an antenna and its peripheral state even when an inner cover is provided.
SOLUTION: A plasma processing device (1) includes: a housing (2) provided with a first opening (2b); a vacuum cover (4) detachably installed to the first opening (2b) and closing the first opening (2b); an antenna cover (5) supported inside the first opening (2b) and having a dielectric property; an antenna (8) arranged in an antenna housing space (AK) formed by being surrounded at least by the vacuum cover (4) and the antenna cover (5) and used to generate an inductively coupled plasma; a view port (4b) provided in the vacuum cover (4) and having light transmissivity; and an optical sensor (14) receiving light in the antenna housing space (AK) that has transmitted through the view port (4b).
SELECTED DRAWING: Figure 1
COPYRIGHT: (C)2024,JPO&INPIT

Description

本開示は、プラズマ処理装置に関する。 The present disclosure relates to a plasma processing apparatus.

真空容器内に配置したアンテナを用いて当該真空容器内に誘導結合性のプラズマを発生させるプラズマ処理装置が知られている。プラズマ処理装置は、その種別に応じて、発生させたプラズマを用いた所定のプラズマ処理を被処理基板に施す。 2. Description of the Related Art Plasma processing apparatuses are known that generate inductively coupled plasma in a vacuum container using an antenna placed inside the vacuum container. The plasma processing apparatus performs predetermined plasma processing on a substrate to be processed using generated plasma depending on the type of the apparatus.

例えば、特許文献１に記載のプラズマ処理装置は、真空容器の上壁に設けられた空洞の内部に高周波アンテナが配置されたアンテナ配置部と、上壁の内面側全体を覆うように設けられた仕切板とを有する。 For example, the plasma processing apparatus described in Patent Document 1 includes an antenna arrangement part in which a high-frequency antenna is arranged inside a cavity provided in the upper wall of a vacuum container, and an antenna arrangement part provided so as to cover the entire inner surface of the upper wall. It has a partition plate.

国際公開第２０１２／０３３１９１号International Publication No. 2012/033191

しかしながら、上記のような従来のプラズマ処理装置では、そのプラズマ処理の動作時において、アンテナおよびその周囲状態を確認することができないという問題点があった。 However, the conventional plasma processing apparatus as described above has a problem in that it is not possible to check the antenna and its surroundings during the plasma processing operation.

本開示は上記の問題点を鑑みてなされたものであり、内側カバーを設けた場合でも、アンテナおよびその周囲状態を確認することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 The present disclosure has been made in view of the above problems, and an object of the present disclosure is to provide a plasma processing apparatus in which the antenna and its surrounding state can be confirmed even when an inner cover is provided.

上記の課題を解決するために、本開示の一側面に係るプラズマ処理装置は、処理室を備えたプラズマ処理装置であって、前記処理室と外部環境とを連通する開口部が設けられた筐体と、前記開口部に脱着可能に取り付けられ、当該開口部を閉塞する外側カバーと、前記開口部の内部にて支持される、誘電性を有する内側カバーと、少なくとも前記外側カバーおよび前記内側カバーによって囲まれて形成される包囲空間に配され、誘導結合性のプラズマを発生させるためのアンテナと、前記外側カバーに設けられた透光性を有する光透過部と、前記光透過部を透過した前記包囲空間内の光を受光する受光素子と、を備えている。 In order to solve the above problems, a plasma processing apparatus according to one aspect of the present disclosure is a plasma processing apparatus including a processing chamber, and includes a housing provided with an opening that communicates the processing chamber with an external environment. an outer cover that is removably attached to the opening and closes the opening; an inner cover that is dielectric and is supported inside the opening; and at least the outer cover and the inner cover. an antenna for generating inductively coupled plasma; a light-transmitting portion having light-transmitting properties provided on the outer cover; and a light receiving element that receives light within the surrounding space.

本開示の一態様によれば、内側カバーを設けた場合でも、アンテナおよびその周囲状態を確認することができるプラズマ処理装置を提供することができる。 According to one aspect of the present disclosure, it is possible to provide a plasma processing apparatus in which the antenna and its surrounding state can be confirmed even when an inner cover is provided.

本開示の実施形態１に係るプラズマ処理装置の構成を説明する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating the configuration of a plasma processing apparatus according to Embodiment 1 of the present disclosure. 図１のＩＩ－ＩＩ線断面図である。2 is a sectional view taken along the line II-II in FIG. 1. FIG. 上記プラズマ処理装置の動作例を説明する波形図である。FIG. 3 is a waveform diagram illustrating an example of the operation of the plasma processing apparatus. 本開示の実施形態２に係るプラズマ処理装置の構成を説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating the configuration of a plasma processing apparatus according to Embodiment 2 of the present disclosure. 図４のＶ－Ｖ線断面図である。5 is a sectional view taken along the line VV in FIG. 4. FIG. 変形例１に係るプラズマ処理装置でのアンテナの具体的な配線を説明する図である。7 is a diagram illustrating specific wiring of an antenna in a plasma processing apparatus according to modification 1. FIG. 変形例２に係るプラズマ処理装置でのアンテナの具体的な配線を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating specific wiring of an antenna in a plasma processing apparatus according to a second modification. 変形例３に係るプラズマ処理装置でのアンテナの具体的な配線を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating specific wiring of an antenna in a plasma processing apparatus according to Modification Example 3;

〔実施形態１〕
以下、本開示の実施形態１について、図１および図２を用いて詳細に説明する。図１は、本開示の実施形態１に係るプラズマ処理装置１の構成を説明する図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線断面図である。 [Embodiment 1]
Embodiment 1 of the present disclosure will be described in detail below using FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a diagram illustrating the configuration of a plasma processing apparatus 1 according to Embodiment 1 of the present disclosure. FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II in FIG.

なお、以下の説明では、所定のプラズマ処理として、誘導結合性のプラズマを使用したプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相堆積）法によって、被処理物としての被処理基板Ｈ１の表面に所定の皮膜を成膜する成膜処理を行うプラズマ処理装置１を例示して説明する。 In the following explanation, as a predetermined plasma treatment, a predetermined amount is deposited on the surface of the substrate H1 to be processed by a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method using inductively coupled plasma. A plasma processing apparatus 1 that performs a film forming process for forming a film will be described by way of example.

しかしながら、本開示は、所定のプラズマ処理として、例えば、スパッタ法によって被処理基板Ｈ１に所定の皮膜を成膜する成膜処理を行うプラズマ処理装置１に適用することができる。また、本開示は、所定のプラズマ処理として、プラズマを用いて、被処理基板Ｈ１の表面に対して、所定の加工を行う表面加工処理、例えば、エッチング処理あるいはアッシング処理を行うプラズマ処理装置１に適用することができる。なお、スパッタ法を行うプラズマ処理装置１においては、ターゲットは、例えば、後述するプラズマ生成領域ＨＡの内部に設置される。 However, the present disclosure can be applied to a plasma processing apparatus 1 that performs, as a predetermined plasma treatment, a film forming process of forming a predetermined film on the processing target substrate H1 by, for example, a sputtering method. The present disclosure also provides a plasma processing apparatus 1 that performs a surface processing process, such as an etching process or an ashing process, on the surface of the substrate H1 to be processed using plasma as a predetermined plasma process. Can be applied. In addition, in the plasma processing apparatus 1 that performs a sputtering method, a target is installed, for example, inside a plasma generation area HA, which will be described later.

＜プラズマ処理装置１の構成＞
図１に示すように、本実施形態１のプラズマ処理装置１は、筐体２と、フランジ３と、真空カバー４と、アンテナカバー５と、ステージ６とを備えている。また、プラズマ処理装置１は、アンテナ８と、光学センサ１４と、制御装置１５とを備えている。また、プラズマ処理装置１では、図２に示すように、複数のアンテナ８、例えば、４つのアンテナ８が設けられており、真空カバー４、アンテナカバー５、および光学センサ１４は、アンテナ８毎に設置されている。さらに、プラズマ処理装置１では、被処理基板Ｈ１は搬送機構によってステージ６と公知のロードロック室との間で搬送される（図示せず）。 <Configuration of plasma processing apparatus 1>
As shown in FIG. 1, the plasma processing apparatus 1 of the first embodiment includes a housing 2, a flange 3, a vacuum cover 4, an antenna cover 5, and a stage 6. The plasma processing apparatus 1 also includes an antenna 8, an optical sensor 14, and a control device 15. Further, in the plasma processing apparatus 1, as shown in FIG. is set up. Further, in the plasma processing apparatus 1, the substrate to be processed H1 is transported between the stage 6 and a known load lock chamber by a transport mechanism (not shown).

被処理基板Ｈ１は、例えば、液晶パネルディスプレイ、有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルディスプレイなどに用いられるガラス基板、合成樹脂基板であり得る。また、被処理基板Ｈ１は、各種用途に用いられる半導体基板であり得る。プラズマ処理装置１は、上記所定のプラズマ処理によってバリア（防湿）膜などの所定の皮膜を被処理基板Ｈ１上に成膜する。 The substrate to be processed H1 may be, for example, a glass substrate or a synthetic resin substrate used for a liquid crystal panel display, an organic EL (Electro Luminescence) panel display, or the like. Further, the substrate to be processed H1 may be a semiconductor substrate used for various purposes. The plasma processing apparatus 1 forms a predetermined film such as a barrier (moisture-proof) film on the substrate H1 to be processed by the above-described predetermined plasma processing.

＜筐体２＞
筐体２は、被処理基板Ｈ１に対して上記所定のプラズマ処理を行う処理室を構成するための筐体本体２ａを備え、当該筐体本体２ａの上部には、上記処理室と外部環境とを連通する第１の開口部２ｂが設けられている。本実施形態のプラズマ処理装置１では、筐体２は、上側が開口した箱体状の筐体本体２ａを有しており、筐体本体２ａの上面側には、複数の開口部を有するフランジ３が気密に取り付けられている。プラズマ処理装置１では、筐体本体２ａにフランジ３が取り付けられた状態において、フランジ３の開口部が、上記処理室と外部環境とを連通する第１の開口部２ｂであると言える。 <Case 2>
The casing 2 includes a casing main body 2a for configuring a processing chamber for performing the above-described predetermined plasma processing on the substrate to be processed H1. A first opening 2b is provided that communicates with the first opening 2b. In the plasma processing apparatus 1 of this embodiment, the casing 2 has a box-shaped casing main body 2a with an open top, and a flange having a plurality of openings on the top side of the casing main body 2a. 3 is installed airtight. In the plasma processing apparatus 1, when the flange 3 is attached to the housing body 2a, the opening of the flange 3 can be said to be the first opening 2b that communicates the processing chamber with the external environment.

＜フランジ３＞
フランジ３は、図２に示すように、例えば、互いに対向する２つの第１辺部３ａと、第１辺部３ａに直交するとともに、互いに対向する２つの第２辺部３ｂ（図１）と、を有する矩形状の枠体を備えている。また、フランジ３は、例えば、上記枠体の内側において一方の第２辺部３ｂから他方の第２辺部３ｂにわたって設けられた、第３辺部３ｃ、第４辺部３ｄ、および第５辺部３ｅを備えている。すなわち、これらの第３辺部３ｃ、第４辺部３ｄ、および第５辺部３ｅの各両端部は、第２辺部３ｂに連続して形成されている。第３辺部３ｃ、第４辺部３ｄ、および第５辺部３ｅは、２つの第１辺部３ａの間において、第１辺部３ａと平行となるように形成されていてよい。 <Flange 3>
As shown in FIG. 2, the flange 3 includes, for example, two first sides 3a facing each other, and two second sides 3b (FIG. 1) perpendicular to the first sides 3a and facing each other. It has a rectangular frame body having . Further, the flange 3 includes, for example, a third side 3c, a fourth side 3d, and a fifth side provided from one second side 3b to the other second side 3b inside the frame. It has a section 3e. That is, both ends of the third side 3c, the fourth side 3d, and the fifth side 3e are formed continuously from the second side 3b. The third side 3c, the fourth side 3d, and the fifth side 3e may be formed parallel to the first side 3a between the two first sides 3a.

また、第１辺部３ａ、第２辺部３ｂ、第３辺部３ｃ、第４辺部３ｄ、および第５辺部３ｅはそれぞれ、第１の開口部２ｂ側に突出する突出部（詳しくは後述）を有していてよい。なお、以下の説明では、第１辺部３ａ、第２辺部３ｂ、第３辺部３ｃ、第４辺部３ｄ、および第５辺部３ｅについて、辺部３ｈと総称する。 In addition, the first side 3a, the second side 3b, the third side 3c, the fourth side 3d, and the fifth side 3e each have a protrusion (for details) that protrudes toward the first opening 2b. (described later). In the following description, the first side 3a, the second side 3b, the third side 3c, the fourth side 3d, and the fifth side 3e are collectively referred to as a side 3h.

＜真空カバー４＞
また、プラズマ処理装置１では、第１の開口部２ｂを閉塞する真空カバー４が、当該第１の開口部２ｂに脱着可能に取り付けられるように構成されている。つまり、真空カバー４は、第１の開口部２ｂを閉塞するようにフランジ３に気密に取り付けられるとともに、可逆的にフランジ３から取り外し可能に取り付けられる。ここで、フランジ３は、外部環境から上記処理室に向かう方向において第１の開口部２ｂの開口面積を段階的に小さくするように形成された突出部を有していてよい。例えば、第１辺部３ａ、第３辺部３ｃ、第４辺部３ｄ、および第５辺部３ｅのそれぞれは、第１の開口部２ｂの内部において、真空カバー４の周縁部を係止するように突出する第１の支持部を有していてよい。第１の支持部は上記突出部の一部であってよい。 <Vacuum cover 4>
Furthermore, the plasma processing apparatus 1 is configured such that the vacuum cover 4 that closes the first opening 2b is removably attached to the first opening 2b. That is, the vacuum cover 4 is airtightly attached to the flange 3 so as to close the first opening 2b, and is attached reversibly and removably from the flange 3. Here, the flange 3 may have a protrusion formed so as to reduce the opening area of the first opening 2b stepwise in the direction from the external environment toward the processing chamber. For example, each of the first side 3a, third side 3c, fourth side 3d, and fifth side 3e locks the peripheral edge of the vacuum cover 4 inside the first opening 2b. It may have a first support portion that protrudes like this. The first support portion may be part of the protrusion.

また、真空カバー４は、外側カバーの一例であり、第２辺部３ｂの上面に当接するとともに、第１辺部３ａ、第３辺部３ｃ、第４辺部３ｄ、および第５辺部３ｅにおける第１の支持部の上面に当接して支持される。また、真空カバー４は、例えば、平板状のカバー本体４ａと当該カバー本体４ａに設けられたビューポート４ｂとを備えている。カバー本体４ａは、例えば、金属製である。また、ビューポート４ｂは、例えば、透明な合成樹脂材料または透明なガラス材料を用いて構成されており、透光性を有する光透過部を構成している。 The vacuum cover 4 is an example of an outer cover, and is in contact with the upper surface of the second side 3b, as well as the first side 3a, the third side 3c, the fourth side 3d, and the fifth side 3e. The first supporting portion is supported by being in contact with the upper surface of the first supporting portion. Further, the vacuum cover 4 includes, for example, a flat cover body 4a and a view port 4b provided on the cover body 4a. The cover main body 4a is made of metal, for example. Further, the view port 4b is made of, for example, a transparent synthetic resin material or a transparent glass material, and constitutes a light transmitting portion having translucency.

＜アンテナカバー５＞
また、プラズマ処理装置１では、アンテナカバー５が第１の開口部２ｂの内部にてフランジ３に対し取り外し可能に支持されている。具体的には、アンテナカバー５は、図１及び図２に示すように、例えば、断面Ｕ字状に構成されたアンテナ収容部５ａを備えている。また、アンテナカバー５は、カバー支持部５ｂと、カバー開口部５ｃとを備えている。カバー支持部５ｂは、断面Ｕ字状のアンテナ収容部５ａの２つの端部から連続的に形成されるとともに、アンテナ収容部５ａの端部から外向きに張り出すように形成された鍔部である。つまり、カバー支持部５ｂは、外向きフランジ形状を有する。 <Antenna cover 5>
Further, in the plasma processing apparatus 1, the antenna cover 5 is removably supported on the flange 3 inside the first opening 2b. Specifically, as shown in FIGS. 1 and 2, the antenna cover 5 includes, for example, an antenna accommodating portion 5a having a U-shaped cross section. Further, the antenna cover 5 includes a cover support portion 5b and a cover opening portion 5c. The cover support portion 5b is a flange portion that is formed continuously from two ends of the antenna housing portion 5a having a U-shaped cross section and extends outward from the end portion of the antenna housing portion 5a. be. In other words, the cover support portion 5b has an outward flange shape.

ここで、例えば、フランジ３の辺部３ｈは、第１の開口部２ｂの内部において、アンテナカバー５の周縁部を係止するように突出する第２の支持部を有していてよい。第２の支持部は、上記突出部の一部であり、上記第１の支持部よりも第１の開口部２ｂの内部側に突出している（突出長が大きい）。アンテナカバー５が第１の開口部２ｂの内部に支持された状態において、カバー支持部５ｂは、フランジ３の辺部３ｈ（の上記第２の支持部）によって支持される。また、アンテナカバー５は、アンテナ収容部５ａによって囲まれて形成されたカバー開口部５ｃを有している。 Here, for example, the side portion 3h of the flange 3 may have a second support portion that protrudes inside the first opening 2b so as to lock the peripheral portion of the antenna cover 5. The second support part is a part of the protrusion, and protrudes further into the first opening 2b than the first support part (has a larger protrusion length). In a state where the antenna cover 5 is supported inside the first opening 2b, the cover support portion 5b is supported by (the second support portion of) the side portion 3h of the flange 3. Further, the antenna cover 5 has a cover opening 5c surrounded by the antenna accommodating portion 5a.

また、アンテナカバー５は、例えば、アルミナなどの誘電材料を用いて構成されており、誘電性を有する内側カバーを構成している。また、アンテナカバー５では、アンテナ収容部５ａは保持するアンテナ８の形状に一致するように形成されており、アンテナ８の外周面に対応して当該外周面を覆うよう構成されている。また、アンテナカバー５では、カバー支持部５ｂがフランジ３の辺部３ｈに取り外し可能に支持されている。さらに、アンテナカバー５では、カバー開口部５ｃが真空カバー４側に開口するように設けられている。このカバー開口部５ｃは、後述のアンテナ収容空間ＡＫの一部を構成する第２の開口部の一例である。 Further, the antenna cover 5 is made of a dielectric material such as alumina, and constitutes an inner cover having dielectric properties. Further, in the antenna cover 5, the antenna housing portion 5a is formed to match the shape of the antenna 8 to be held, and is configured to correspond to and cover the outer peripheral surface of the antenna 8. Further, in the antenna cover 5, the cover support portion 5b is removably supported by the side portion 3h of the flange 3. Furthermore, the antenna cover 5 is provided with a cover opening 5c opening toward the vacuum cover 4 side. This cover opening 5c is an example of a second opening that constitutes a part of an antenna accommodation space AK, which will be described later.

さらに、アンテナカバー５には、例えば、大きいヘーズ値を有する、不透明な不透光材料が用いられている。これにより、本実施形態１では、光学センサ１４が後述のプラズマ生成領域ＨＡからの光を受光する可能性を大幅に低減されている。 Furthermore, the antenna cover 5 is made of, for example, an opaque non-transparent material having a large haze value. As a result, in the first embodiment, the possibility that the optical sensor 14 receives light from the plasma generation area HA, which will be described later, is significantly reduced.

また、筐体２では、少なくとも真空カバー４およびアンテナカバー５によって囲まれたアンテナ収容空間ＡＫが形成されている。このアンテナ収容空間ＡＫは、包囲空間の一例であり、誘導結合性のプラズマを発生させるためのアンテナ８が収容されている。但し、このアンテナ収容空間ＡＫでは、その空間の大きさがアンテナ８によるプラズマを維持することができない大きさに設定されているため、プラズマ非生成領域として機能する。 Furthermore, in the housing 2, an antenna housing space AK is formed that is surrounded by at least the vacuum cover 4 and the antenna cover 5. This antenna accommodation space AK is an example of an enclosed space, and accommodates an antenna 8 for generating inductively coupled plasma. However, since the antenna accommodation space AK is set to a size that cannot maintain plasma generated by the antenna 8, it functions as a plasma non-generation area.

＜アンテナ８＞
アンテナ８は、例えば、円筒状に構成されるとともに、銅などの金属材料を用いて構成されている。また、アンテナ８の一方の端部および他方の端部は、それぞれアンテナ絶縁部１３Ａおよび１３Ｂを介して真空カバー４に電気的に絶縁された状態で設けられており、筐体２の外部に気密に引き出されている。 <Antenna 8>
The antenna 8 has, for example, a cylindrical shape and is made of a metal material such as copper. Further, one end and the other end of the antenna 8 are provided in an electrically insulated state to the vacuum cover 4 via antenna insulating parts 13A and 13B, respectively, and are airtightly provided to the outside of the housing 2. is being drawn out.

また、アンテナ８には、チラー１２が設置されており、当該チラー１２によって循環された冷却媒体、例えば、冷却水によってアンテナ８は所定温度に冷却されるようになっている。具体的には、チラー１２は、図示しないポンプ等の駆動部を含み、冷却水を循環させるためのチラー本体１２ａと、チラー本体１２ａに気密に連結された配管１２ｂとを備えている。また、配管１２ｂは、アンテナ８の内部空間にも配置されており、アンテナ８の当該内部空間を冷却水の循環路として利用するよう構成されている。すなわち、アンテナ８では、図１に矢印Ｒ１およびＲ２にて示すように、アンテナ８の内部空間に冷却水を流すことにより、当該アンテナ８の冷却を行うようになっている。 Further, a chiller 12 is installed on the antenna 8, and the antenna 8 is cooled to a predetermined temperature by a cooling medium, such as cooling water, circulated by the chiller 12. Specifically, the chiller 12 includes a drive unit such as a pump (not shown), a chiller body 12a for circulating cooling water, and a pipe 12b airtightly connected to the chiller body 12a. The pipe 12b is also arranged in the internal space of the antenna 8, and is configured to use the internal space of the antenna 8 as a cooling water circulation path. That is, the antenna 8 is cooled by flowing cooling water into the internal space of the antenna 8, as shown by arrows R1 and R2 in FIG.

また、アンテナ８の一方の端部および他方の端部には、インピーダンス調整部１０およびインピーダンス調整部１１がそれぞれ電気的に接続されている。インピーダンス調整部１０は、図示しない整合回路を備えており、整合回路を介してアンテナ８の一方の端部が電源９に接続されている。また、インピーダンス調整部１１は、可変コンデンサを備えており、アンテナ８の他方の端部は可変コンデンサを介して電気的に接地されている。 Further, an impedance adjustment section 10 and an impedance adjustment section 11 are electrically connected to one end and the other end of the antenna 8, respectively. The impedance adjustment section 10 includes a matching circuit (not shown), and one end of the antenna 8 is connected to a power source 9 via the matching circuit. Further, the impedance adjustment section 11 includes a variable capacitor, and the other end of the antenna 8 is electrically grounded via the variable capacitor.

電源９は、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を、インピーダンス調整部１０を介してアンテナ８の一方の端部に供給する。プラズマ処理装置１では、制御装置１５の制御部１５ａがインピーダンス調整部１１の上記可変コンデンサの容量を変更することにより、アンテナ８に高周波電力が効率的に供給されるように制御する。また、本実施形態１では、電源９、インピーダンス調整部１０、およびインピーダンス調整部１１はアンテナ８毎に設けられており、制御部１５ａは、アンテナ８毎の電源９の制御を行うことにより、各アンテナ８で発生させるプラズマの生成制御を実行し得る。 The power supply 9 supplies high frequency power of, for example, 13.56 MHz to one end of the antenna 8 via the impedance adjustment section 10. In the plasma processing apparatus 1, the control section 15a of the control device 15 controls the antenna 8 so that high frequency power is efficiently supplied by changing the capacitance of the variable capacitor of the impedance adjustment section 11. Further, in the first embodiment, the power supply 9, the impedance adjustment section 10, and the impedance adjustment section 11 are provided for each antenna 8, and the control section 15a controls the power supply 9 for each antenna 8. It is possible to control the generation of plasma generated by the antenna 8.

また、筐体２では、第１の開口部２ｂの内部にアンテナカバー５を取り付けることによって、当該筐体２の内部空間が画定されてプラズマ生成領域ＨＡが筐体本体２ａの内部に形成される。このプラズマ生成領域ＨＡの内部には、ステージ６および当該ステージ６に支持された被処理基板Ｈ１が配置されるようになっており、プラズマ生成領域ＨＡが上記処理室を実質的に構成している。換言すれば、筐体２では、アンテナカバー５により、プラズマ生成領域ＨＡと上記プラズマ非生成領域とが互いに区切られている。 Furthermore, in the casing 2, by attaching the antenna cover 5 inside the first opening 2b, the internal space of the casing 2 is defined and the plasma generation area HA is formed inside the casing main body 2a. . Inside this plasma generation area HA, a stage 6 and a substrate to be processed H1 supported by the stage 6 are arranged, and the plasma generation area HA substantially constitutes the processing chamber. . In other words, in the housing 2, the plasma generation area HA and the plasma non-generation area are separated from each other by the antenna cover 5.

さらに、筐体２では、フランジ３および真空カバー４がそれぞれ筐体本体２ａおよびフランジ３に気密に取り付けられることにより、上記処理室を含んだ真空容器を構成している。つまり、図１に示すように、筐体２では、真空ポンプＰＯが筐体本体２ａに連結されており、制御部１５ａが真空ポンプＰＯの制御を行うことにより、プラズマ生成領域ＨＡの内部は少なくともプラズマ処理の際に所定の真空度とされる。なお、図１に示すように、筐体２およびステージ６は、各々電気的に接地されている。 Further, in the case 2, the flange 3 and the vacuum cover 4 are airtightly attached to the case main body 2a and the flange 3, respectively, thereby forming a vacuum container including the processing chamber. That is, as shown in FIG. 1, in the housing 2, the vacuum pump PO is connected to the housing main body 2a, and the control unit 15a controls the vacuum pump PO, so that at least the inside of the plasma generation area HA is A predetermined degree of vacuum is maintained during plasma processing. Note that, as shown in FIG. 1, the housing 2 and the stage 6 are each electrically grounded.

また、筐体２には、プラズマ生成領域ＨＡの内部での圧力（真空度）を検知する圧力計（図示せず）が設けられており、制御部１５ａは、当該圧力計の検知結果を用いて、プラズマ生成領域ＨＡの内部の真空度の制御を行う。 Further, the housing 2 is provided with a pressure gauge (not shown) that detects the pressure (degree of vacuum) inside the plasma generation region HA, and the control unit 15a uses the detection result of the pressure gauge to Then, the degree of vacuum inside the plasma generation area HA is controlled.

また、筐体２には、ステージ６の温度を検出する温度センサが設けられており（図示せず）、当該温度センサの検出結果は、制御部１５ａに出力される。そして、制御部１５ａは、入力した温度センサの検出結果を用いたフィードバック制御を行うことにより、上記プラズマ処理中に、ステージ６を予め定められた設定温度となるように制御する。 Furthermore, the housing 2 is provided with a temperature sensor (not shown) that detects the temperature of the stage 6, and the detection result of the temperature sensor is output to the control unit 15a. Then, the control unit 15a controls the stage 6 to a predetermined set temperature during the plasma processing by performing feedback control using the input detection result of the temperature sensor.

また、筐体２には、上記所定のプラズマ処理に対応した、上記皮膜の成膜用ガスを含んだ処理ガスを筐体２のプラズマ生成領域ＨＡ（処理室）の内部に導入する処理ガス供給部を備えており（図示せず）、処理ガスの雰囲気化で当該プラズマ処理が行われるようになっている。なお、処理ガスは、例えば、アルゴン、水素、窒素、シラン、または酸素である。 Further, the housing 2 is supplied with a processing gas for introducing a processing gas corresponding to the predetermined plasma processing and containing a gas for forming the film into the plasma generation area HA (processing chamber) of the housing 2. (not shown), and the plasma processing is performed by creating a processing gas atmosphere. Note that the processing gas is, for example, argon, hydrogen, nitrogen, silane, or oxygen.

＜光学センサ１４＞
光学センサ１４は、例えば、フォトダイオードあるいはフォトトランジスタ、またはＣＣＤセンサなどの固体撮像素子等の受光素子を用いて構成されている。光学センサ１４は、図示しない治具を介在させてビューポート４ｂ上となるように真空カバー４に取り付けられている。 <Optical sensor 14>
The optical sensor 14 is configured using a light receiving element such as a photodiode, a phototransistor, or a solid-state image sensor such as a CCD sensor. The optical sensor 14 is attached to the vacuum cover 4 with a jig (not shown) interposed therebetween so as to be above the view port 4b.

また、本実施形態１では、図１に示すように、ビューポート４ｂおよび光学センサ１４は、アンテナ８の直線状部の中央部に対向する位置に設けられている。そして、光学センサ１４は、ビューポート４ｂを介してアンテナ収容空間ＡＫ内のアンテナ８の上記中央部およびその周囲部分から発生された光を受光して、その受光した検出結果を示す出力値を制御装置１５に出力する。 Further, in the first embodiment, the view port 4b and the optical sensor 14 are provided at positions facing the center of the linear portion of the antenna 8, as shown in FIG. The optical sensor 14 receives the light generated from the central part of the antenna 8 in the antenna accommodation space AK and the surrounding part thereof through the view port 4b, and controls an output value indicating the detection result of the received light. Output to device 15.

＜制御装置１５＞
制御装置１５は、制御部１５ａと発光分光分析装置１５ｂとを備えている。制御部１５ａは、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）等を含み、情報処理に応じてプラズマ処理装置１の各部の制御を行う機能ブロックである。具体的には、制御部１５ａは、例えば、光学センサ１４の検出結果を用いて、プラズマ生成領域ＨＡにおける被処理基板Ｈ１のプラズマ処理について、所定の制御処理を実行する。 <Control device 15>
The control device 15 includes a control section 15a and an emission spectrometer 15b. The control unit 15a is a functional block that includes, for example, a CPU (Central Processing Unit), a RAM (Random Access Memory), a ROM (Read Only Memory), etc., and controls each unit of the plasma processing apparatus 1 according to information processing. . Specifically, the control unit 15a uses, for example, the detection result of the optical sensor 14 to execute a predetermined control process regarding the plasma processing of the substrate to be processed H1 in the plasma generation area HA.

詳細にいえば、制御部１５ａには、光学センサ１４毎、つまりアンテナ８毎に、光学センサ１４の出力値に対する、所定のしきい値が設定可能に構成されている。そして、制御部１５ａでは、後に詳述するように、当該しきい値を用いた所定の制御処理が実行可能になっている。 Specifically, the control unit 15a is configured to be able to set a predetermined threshold value for the output value of the optical sensor 14 for each optical sensor 14, that is, for each antenna 8. The control unit 15a is capable of executing a predetermined control process using the threshold value, as will be described in detail later.

発光分光分析装置（Optical Emission Spectrometer）１５ｂは、光学センサ１４の検出結果に対して、所定の分光分析処理を実行し、その分光分析結果を制御部１５ａに出力する。これにより、制御部１５ａでは、アンテナ収容空間ＡＫにプラズマが発生した場合、分光分析結果を基に、そのプラズマに含まれる、元素および元素の濃度を検知することが可能となる。さらに、制御部１５ａでは、その検知結果に基づき、プラズマ発生の原因を容易に把握することができる。また、制御部１５ａは、異常放電がアンテナ収容空間ＡＫに発生した場合でも、分光分析結果に基づき、異常放電の光に含まれる、元素および元素の濃度を検知することも可能となる。 The optical emission spectrometer 15b performs a predetermined spectroscopic analysis process on the detection result of the optical sensor 14, and outputs the spectroscopic analysis result to the control unit 15a. Thereby, when plasma is generated in the antenna accommodation space AK, the control unit 15a can detect the elements and the concentrations of the elements contained in the plasma based on the spectroscopic analysis results. Furthermore, the control unit 15a can easily understand the cause of plasma generation based on the detection results. Further, even when abnormal discharge occurs in the antenna housing space AK, the control unit 15a can detect the elements and the concentrations of the elements contained in the light of the abnormal discharge based on the spectroscopic analysis results.

＜動作例＞
図３も用いて、本実施形態１のプラズマ処理装置１の動作例について具体的に説明する。図３は、上記プラズマ処理装置１の動作例を説明する波形図である。なお、以下の説明では、制御部１５ａにおける、しきい値を用いた電源９の制御処理について主に説明する。 <Operation example>
An example of the operation of the plasma processing apparatus 1 according to the first embodiment will be specifically explained using FIG. 3 as well. FIG. 3 is a waveform diagram illustrating an example of the operation of the plasma processing apparatus 1. In addition, in the following description, the control process of the power supply 9 using a threshold value in the control part 15a will be mainly demonstrated.

制御部１５ａは、光学センサ１４の出力値としきい値との比較を行うことにより、電源９の制御を実行する。つまり、制御部１５ａは、図３の曲線５０にて示すように、光学センサ１４の出力値で表される、アンテナ収容空間ＡＫから発生された光の発光強度を検出する。そして、制御部１５ａは、時点Ｔ１で光学センサ１４の出力値がしきい値以上となったことを検知すると、制御部１５ａは、電源９を停止させる。これにより、電源９では、図３に直線７０にて示すように、時点Ｔ１でＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替えられる。この結果、アンテナ８への電力の供給が停止されて、当該アンテナ８によるプラズマの発生もまた停止される。 The control unit 15a controls the power supply 9 by comparing the output value of the optical sensor 14 and a threshold value. That is, the control unit 15a detects the intensity of light emitted from the antenna accommodation space AK, which is represented by the output value of the optical sensor 14, as shown by the curve 50 in FIG. Then, when the control section 15a detects that the output value of the optical sensor 14 becomes equal to or greater than the threshold value at time T1, the control section 15a stops the power supply 9. As a result, the power supply 9 is switched from the ON state to the OFF state at time T1, as shown by a straight line 70 in FIG. As a result, the supply of power to the antenna 8 is stopped, and generation of plasma by the antenna 8 is also stopped.

また、制御部１５ａは、複数の光学センサ１４のうち、いずれか１つの光学センサ１４の出力値がしきい値以上であることを検知したときに、全ての電源９を停止させる。 Furthermore, when the control unit 15a detects that the output value of any one optical sensor 14 among the plurality of optical sensors 14 is equal to or higher than the threshold value, the control unit 15a stops all the power supplies 9.

なお、制御部１５ａにおける、電源９の上記制御処理が実行されない場合、図３に点線８０にて示すように、時点Ｔ１を経過した後も、電源９は、停止されずに、ＯＮ状態で維持される。このため、図３に点線６０にて示すように、アンテナ収容空間ＡＫから発生された光の発光強度は、時点Ｔ１を経過した後も、上限値となるまで上昇する。 Note that if the control process for the power supply 9 is not executed in the control unit 15a, the power supply 9 is not stopped and remains in the ON state even after time T1, as shown by the dotted line 80 in FIG. be done. Therefore, as indicated by a dotted line 60 in FIG. 3, the intensity of light emitted from the antenna accommodation space AK increases until it reaches the upper limit even after time T1.

以上のように構成された本実施形態１のプラズマ処理装置１は、第１の開口部２ｂが設けられた筐体２と、第１の開口部２ｂに脱着可能に取り付けられ、当該第１の開口部２ｂを閉塞する真空カバー４とを備えている。また、プラズマ処理装置１は、第１の開口部２ｂの内部にて支持される、誘電性を有するアンテナカバー５と、少なくとも真空カバー４およびアンテナカバー５によって囲まれて形成されるアンテナ収容空間ＡＫに配され、誘導結合性のプラズマを発生させるためのアンテナ８とを備えている。また、プラズマ処理装置１は、真空カバー４に設けられた透光性を有するビューポート４ｂと、ビューポート４ｂを透過したアンテナ収容空間ＡＫ内の光を受光する光学センサ１４と、を備えている。 The plasma processing apparatus 1 of the first embodiment configured as described above includes a casing 2 provided with a first opening 2b, and a housing 2 that is detachably attached to the first opening 2b. It includes a vacuum cover 4 that closes the opening 2b. Further, the plasma processing apparatus 1 includes a dielectric antenna cover 5 supported inside the first opening 2b, and an antenna accommodation space AK surrounded by at least the vacuum cover 4 and the antenna cover 5. and an antenna 8 for generating inductively coupled plasma. The plasma processing apparatus 1 also includes a view port 4b provided in the vacuum cover 4 and having a light-transmitting property, and an optical sensor 14 that receives light in the antenna housing space AK that has passed through the view port 4b. .

以上の構成により、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、アンテナカバー５を設けた場合でも、アンテナ８およびその周囲状態を確認することができる。具体的にいえば、本実施形態１では、アンテナ収容空間ＡＫにおいて、異常放電またはプラズマが発生した場合に、制御装置１５は光学センサ１４の検出結果を用いて、その異常放電の発生またはプラズマの発生を検知することができる。 With the above configuration, in the plasma processing apparatus 1 of the first embodiment, even when the antenna cover 5 is provided, the antenna 8 and its surrounding state can be confirmed. Specifically, in the first embodiment, when an abnormal discharge or plasma occurs in the antenna accommodation space AK, the control device 15 uses the detection result of the optical sensor 14 to detect the occurrence of the abnormal discharge or plasma. Occurrence can be detected.

また、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、制御部１５ａは、光学センサ１４の検出結果を用いて、電源９およびプラズマ生成領域ＨＡにおける被処理基板Ｈ１のプラズマ処理について、所定の制御処理を実行する。これにより、本実施形態１では、制御部１５ａは光学センサ１４の検出結果を基にプラズマ処理装置１を適切に動作させることができる。また、本実施形態１では、制御部１５ａはアンテナ８をより適切に動作させることができ、アンテナ収容空間ＡＫでの異常放電やプラズマ発生を確実に抑制可能となって、アンテナ８の損傷発生をより確実に抑えることができる。 Furthermore, in the plasma processing apparatus 1 of the first embodiment, the control unit 15a uses the detection results of the optical sensor 14 to perform predetermined control processing regarding the plasma processing of the substrate H1 to be processed in the power source 9 and the plasma generation area HA. Execute. Thereby, in the first embodiment, the control unit 15a can appropriately operate the plasma processing apparatus 1 based on the detection result of the optical sensor 14. Further, in the first embodiment, the control unit 15a can operate the antenna 8 more appropriately, and can reliably suppress abnormal discharge and plasma generation in the antenna accommodation space AK, thereby preventing damage to the antenna 8. This can be suppressed more reliably.

さらに、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、制御部１５ａは、図３に例示したように、光学センサ１４の出力値が所定のしきい値以上であることを検知したときに、電源９を停止させる。これにより、本実施形態１では、制御部１５ａは電源９をより適切に制御することができ、アンテナ収容空間ＡＫでの異常放電やプラズマ発生をより確実に抑制可能となって、プラズマ処理装置１をより適切に動作させることができる。 Furthermore, in the plasma processing apparatus 1 of Embodiment 1, as illustrated in FIG. to stop. As a result, in the first embodiment, the control unit 15a can more appropriately control the power source 9, and can more reliably suppress abnormal discharge and plasma generation in the antenna accommodation space AK, and the plasma processing apparatus 1 can operate more appropriately.

また、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、制御部１５ａは複数の光学センサ１４のうち、いずれか１つの光学センサ１４の出力値がしきい値以上であることを検知したときに、全ての電源９を停止させる。これにより、本実施形態１では、複数のアンテナ８が設けられている場合でも、制御部１５ａは複数の各アンテナ収容空間ＡＫでの異常放電またはプラズマの発生をより確実に抑制可能となって、より適切な動作をプラズマ処理装置１に確実に行わせることができる。 In addition, in the plasma processing apparatus 1 of the first embodiment, when the control unit 15a detects that the output value of any one of the plurality of optical sensors 14 is equal to or higher than the threshold value, the control unit 15a controls all of the plurality of optical sensors 14. The power supply 9 is stopped. As a result, in the first embodiment, even when a plurality of antennas 8 are provided, the control unit 15a can more reliably suppress abnormal discharge or plasma generation in each of the plurality of antenna accommodation spaces AK. The plasma processing apparatus 1 can be reliably operated more appropriately.

また、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、筐体２の第１の開口部２ｂ側には、アンテナカバー５を取り外し可能に支持するフランジ３が設けられている。これにより、本実施形態１では、アンテナカバー５を容易に筐体２に設けることができる。さらに、本実施形態１では、真空カバー４、アンテナカバー５、およびアンテナ８などを筐体２から容易に取り外すことが可能となって、メンテナンス性に優れたプラズマ処理装置１を容易に構成することができる。 Furthermore, in the plasma processing apparatus 1 of the first embodiment, a flange 3 that removably supports the antenna cover 5 is provided on the first opening 2b side of the housing 2. Thereby, in the first embodiment, the antenna cover 5 can be easily provided on the housing 2. Furthermore, in the first embodiment, the vacuum cover 4, antenna cover 5, antenna 8, etc. can be easily removed from the housing 2, and the plasma processing apparatus 1 with excellent maintainability can be easily configured. I can do it.

なお、上記の説明では、制御装置１５にしきい値を設定して、制御部１５ａが当該しきい値と光学センサ１４の出力値とを用いた制御を行う場合について説明したが、本開示はこれに限定さない。例えば、制御装置１５に情報を表示する表示部を設けて、当該表示部に光学センサ１４の検出結果を表示させることにより、しきい値を設定することなく、ユーザが、アンテナ収容空間ＡＫにおける、異常放電の発生の有無またはプラズマの発生の有無を判断する構成でもよい。 Note that in the above description, a case has been described in which a threshold value is set in the control device 15 and the control unit 15a performs control using the threshold value and the output value of the optical sensor 14; Not limited to. For example, by providing a display section for displaying information on the control device 15 and displaying the detection results of the optical sensor 14 on the display section, the user can perform the following operations in the antenna accommodation space AK without setting a threshold value. It may be configured to determine whether abnormal discharge occurs or whether plasma occurs.

但し、上記実施形態１のように、制御装置１５にしきい値を設定する場合の方が、プラズマ処理装置１を高精度に制御することができる点で好ましい。具体的には、光学センサ１４に対して、外部環境側からの光（迷光）が受光されることも有り得る。また、光学センサ１４は、アンテナカバー５において、ひびなどの微細な損傷が生じた場合、プラズマ発生領域ＨＡからの迷光を受光することも有り得る。このような迷光を鑑みて、しきい値を適切に設定することにより、制御部１５ａは、これらの迷光の影響を極力排除して、プラズマ処理装置１をより精度よく制御することが可能となる。 However, it is preferable to set a threshold value in the control device 15 as in the first embodiment, since the plasma processing apparatus 1 can be controlled with high precision. Specifically, the optical sensor 14 may receive light (stray light) from the external environment. Further, if minute damage such as a crack occurs in the antenna cover 5, the optical sensor 14 may receive stray light from the plasma generation area HA. By appropriately setting the threshold value in consideration of such stray light, the control unit 15a can eliminate the influence of these stray lights as much as possible and control the plasma processing apparatus 1 with more precision. .

また、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、アンテナカバー５がプラズマ生成領域ＨＡとプラズマ非生成領域（アンテナ収容空間ＡＫ）とを互いに区切っている。これにより、本実施形態１では、異常放電の発生またはプラズマの発生によってアンテナ８等が損傷して、パーティクルなどの汚染物質がアンテナ収容空間ＡＫに生じたとしても、汚染物質のプラズマ生成領域ＨＡ側への侵入をアンテナカバー５によって大幅に抑制することができ、汚染物質による被処理基板Ｈ１の品質低下の発生する可能性を極力低減することができる。 Further, in the plasma processing apparatus 1 of the first embodiment, the antenna cover 5 separates the plasma generation area HA and the plasma non-generation area (antenna accommodation space AK) from each other. As a result, in the first embodiment, even if the antenna 8 or the like is damaged due to the occurrence of abnormal discharge or the generation of plasma and contaminants such as particles are generated in the antenna housing space AK, the plasma generation area HA of the contaminants The antenna cover 5 can greatly suppress the intrusion into the target substrate H1, and the possibility that the quality of the substrate H1 to be processed due to contaminants will deteriorate can be reduced as much as possible.

また、本実施形態１では、アンテナ８毎に、真空カバー４およびアンテナカバー５が設けられているので、アンテナ８単位に、設置作業、交換作業、およびメンテナンス作業等を行うことが可能となる。この結果、本実施形態１では、取り扱いが容易な作業性に優れたプラズマ処理装置１を簡単に構成することができる。 Further, in the first embodiment, since the vacuum cover 4 and the antenna cover 5 are provided for each antenna 8, installation work, replacement work, maintenance work, etc. can be performed for each antenna 8. As a result, in the first embodiment, it is possible to easily configure the plasma processing apparatus 1 that is easy to handle and has excellent workability.

また、本実施形態１では、ネジ止めを用いていた上記従来例と異なり、アンテナカバー５はネジ止め等を行うことなく、筐体２の内部に設置することができる。この結果、本実施形態１では、プラズマ生成領域ＨＡ（処理室）の内部を所定の真空度の真空環境下にしたときでも、上記従来例と異なり、ネジ止めの箇所を起点とする割れまたは変形などがアンテナカバー５に生じる可能性を大幅に低減することができる。 Further, in the first embodiment, unlike the above conventional example in which screws are used, the antenna cover 5 can be installed inside the housing 2 without screwing or the like. As a result, in Embodiment 1, even when the inside of the plasma generation area HA (processing chamber) is placed in a vacuum environment with a predetermined degree of vacuum, unlike the above conventional example, cracks or deformation may occur starting from the screwed locations. The possibility that such problems occur on the antenna cover 5 can be significantly reduced.

〔実施形態２〕
本開示の実施形態２について、図４および図５を用いて具体的に説明する。図４は、本開示の実施形態２に係るプラズマ処理装置１の構成を説明する図である。図５は、図４のＶ－Ｖ線断面図である。なお、説明の便宜上、上記実施形態１にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。 [Embodiment 2]
Embodiment 2 of the present disclosure will be specifically described using FIGS. 4 and 5. FIG. 4 is a diagram illustrating the configuration of a plasma processing apparatus 1 according to Embodiment 2 of the present disclosure. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV in FIG. 4. For convenience of explanation, members having the same functions as those described in Embodiment 1 will be denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.

本実施形態２と上記実施形態１との主な相違点は、アンテナ８の直線状部と８ａ、直線状部８ａの一方の端部および他方の端部にそれぞれ連続的に設けられた第１折り曲げ部８ｂおよび第２折り曲げ部８ｃから発せられた光をそれぞれ受光する３つの光学センサ１４Ａ、１４Ｂ、および１４Ｃを設けた点である。 The main differences between the second embodiment and the first embodiment are that the linear portion 8a of the antenna 8, and the first The point is that three optical sensors 14A, 14B, and 14C are provided to receive the light emitted from the bent portion 8b and the second bent portion 8c, respectively.

図４および図５に示すように、本実施形態２のプラズマ処理装置１では、４つの各アンテナ８の一部は、直線状の直線状部８ａと、直線状部８ａの一方の端部および他方の端部にそれぞれ連続的に設けられた第１折り曲げ部８ｂおよび第２折り曲げ部８ｃとを含んでいる。また、真空カバー４には、直線状部８ａの中央部、第１折り曲げ部８ｂ、および第２折り曲げ部８ｃにそれぞれ対応して、ビューポート４ｂ、４ｃ、および４ｄが設けられている。 As shown in FIGS. 4 and 5, in the plasma processing apparatus 1 of the second embodiment, a portion of each of the four antennas 8 includes a linear portion 8a, one end of the linear portion 8a, and a portion of each of the four antennas 8. The other end includes a first bent part 8b and a second bent part 8c which are each continuously provided. Further, the vacuum cover 4 is provided with view ports 4b, 4c, and 4d corresponding to the center portion of the linear portion 8a, the first bent portion 8b, and the second bent portion 8c, respectively.

また、本実施形態２のプラズマ処理装置１では、ビューポート４ｂ、４ｃ、および４ｄにおいて、光学センサ１４Ａ、１４Ｂ、および１４Ｃがそれぞれ取り付けられている。そして、光学センサ１４Ａ、１４Ｂ、および１４Ｃは、それぞれ直線状部８ａに中央部、第１折り曲げ部８ｂ、および第２折り曲げ部８ｃからの光を受光する。 Furthermore, in the plasma processing apparatus 1 of the second embodiment, optical sensors 14A, 14B, and 14C are attached to the viewports 4b, 4c, and 4d, respectively. The optical sensors 14A, 14B, and 14C each receive light from the central portion of the linear portion 8a, the first bent portion 8b, and the second bent portion 8c.

具体的にいえば、光学センサ１４Ａは、アンテナ８の直線状部８ａの中央部およびその周囲部分からの光を受光する。また、光学センサ１４Ｂは、アンテナ８の一方の端部であって直線状部８ａが真空カバー４側に折り曲げられた第１折り曲げ部８ｂおよびその周囲部分からの光を受光する。また、光学センサ１４Ｃは、アンテナ８の他方の端部であって直線状部８ａが真空カバー４側に折り曲げられた第２折り曲げ部８ｃおよびその周囲部分からの光を受光する。 Specifically, the optical sensor 14A receives light from the central portion of the linear portion 8a of the antenna 8 and the surrounding portion thereof. Further, the optical sensor 14B receives light from a first bent portion 8b, which is one end of the antenna 8, where the linear portion 8a is bent toward the vacuum cover 4 side, and the surrounding portion thereof. Further, the optical sensor 14C receives light from a second bent portion 8c, which is the other end of the antenna 8, where the linear portion 8a is bent toward the vacuum cover 4 side, and the surrounding portion thereof.

さらに、本実施形態２のプラズマ処理装置１は、アンテナカバー５を取り外し可能に支持する支持台１６をさらに備えている。そして、本実施形態２のプラズマ処理装置１では、第１の開口部２ｂを通じて、アンテナカバー５を支持台１６から取り外すとともに筐体２の外部に取り出し可能となっている。これにより、本実施形態２では、筐体２から、アンテナカバー５と一体でアンテナ８および真空カバー４を取り外せることができる。この結果、本実施形態２では、プラズマ処理装置１のメンテナンス性をさらに向上させることができる。 Furthermore, the plasma processing apparatus 1 of the second embodiment further includes a support base 16 that removably supports the antenna cover 5. In the plasma processing apparatus 1 of the second embodiment, the antenna cover 5 can be removed from the support base 16 and taken out from the housing 2 through the first opening 2b. Thereby, in the second embodiment, the antenna 8 and the vacuum cover 4 can be removed from the housing 2 together with the antenna cover 5. As a result, in the second embodiment, the maintainability of the plasma processing apparatus 1 can be further improved.

以上の構成により、本実施形態２のプラズマ処理装置１は、第１の実施形態のものと同様な効果を奏する。 With the above configuration, the plasma processing apparatus 1 of the second embodiment has the same effects as those of the first embodiment.

また、本実施形態２のプラズマ処理装置１では、光学センサ１４Ｂおよび１４Ｃがそれぞれ第１折り曲げ部８ｂおよび第２折り曲げ部８ｃから発せられた光を受光するので、光学センサ１４Ｂおよび１４Ｃは、アンテナ８において、電界が集中し易いエッジからの光を受光することができる。従って、本実施形態２では、アンテナ８およびその周囲状態をより確実に確認することができる。この結果、本実施形態２では、アンテナ収容空間ＡＫでの異常放電の発生またはプラズマの発生をより確実に検知可能となって、より適切な動作をプラズマ処理装置１に確実に行わせることができる。 Further, in the plasma processing apparatus 1 of the second embodiment, since the optical sensors 14B and 14C receive the light emitted from the first bent portion 8b and the second bent portion 8c, respectively, the optical sensors 14B and 14C receive the light emitted from the antenna 8. , it is possible to receive light from the edge where the electric field tends to concentrate. Therefore, in the second embodiment, the antenna 8 and its surroundings can be confirmed more reliably. As a result, in the second embodiment, the occurrence of abnormal discharge or the occurrence of plasma in the antenna housing space AK can be detected more reliably, and the plasma processing apparatus 1 can be reliably operated more appropriately. .

なお、上記の説明では、３つの光学センサ１４Ａ、１４Ｂ、および１４Ｃを設けて、それぞれアンテナ８の直線状部８ａの中央部、第１折り曲げ部８ｂ、および第２折り曲げ部８ｃから発生られた光を受光する場合について説明した。しかしながら、本開示はこれに限定されるものではなく、光学センサ１４が直線状部８ａの中央部、第１折り曲げ部８ｂ、および第２折り曲げ部８ｃのうち、少なくとも１つから発せられた光を受光するものであればよい。 Note that in the above description, three optical sensors 14A, 14B, and 14C are provided to detect light generated from the center portion of the linear portion 8a of the antenna 8, the first bent portion 8b, and the second bent portion 8c, respectively. The case where the light is received has been explained. However, the present disclosure is not limited thereto, and the optical sensor 14 detects light emitted from at least one of the center portion of the linear portion 8a, the first bent portion 8b, and the second bent portion 8c. It may be anything that can receive light.

また、本実施形態３では、アンテナカバー５に対する、支持台１６の支持高さを部分的に調整して、調整した支持台１６に合わせて、アンテナ８を真空カバー４に取り付けることができる。これにより、本実施形態３では、アンテナカバー５、ひいては被処理基板Ｈ１に対する、アンテナ８の高さ調整およびその長手方向の傾き調整を容易に行うことができる。この結果、本実施形態３では、高精度なプラズマ処理を実行することができるプラズマ処理装置１を容易に構成することができる。 Furthermore, in the third embodiment, the support height of the support stand 16 with respect to the antenna cover 5 is partially adjusted, and the antenna 8 can be attached to the vacuum cover 4 in accordance with the adjusted support stand 16. As a result, in the third embodiment, the height of the antenna 8 and the longitudinal tilt of the antenna 8 can be easily adjusted with respect to the antenna cover 5 and, ultimately, the substrate to be processed H1. As a result, in the third embodiment, it is possible to easily configure the plasma processing apparatus 1 that can perform highly accurate plasma processing.

〔変形例１〕
本開示の変形例１について、図６を用いて具体的に説明する。図６は、変形例１に係るプラズマ処理装置１でのアンテナ８１～８４の具体的な配線を説明する図である。なお、説明の便宜上、上記実施形態１にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。 [Modification 1]
Modification 1 of the present disclosure will be specifically described using FIG. 6. FIG. 6 is a diagram illustrating specific wiring of the antennas 81 to 84 in the plasma processing apparatus 1 according to the first modification. For convenience of explanation, members having the same functions as those described in Embodiment 1 will be denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.

本変形例１と上記実施形態１との主な相違点は、２つの電源９Ａおよび９Ｂなどを用いて、４つのアンテナ８１、８２、８３、および８４を動作させる点である。 The main difference between this first modification and the first embodiment is that four antennas 81, 82, 83, and 84 are operated using two power supplies 9A and 9B.

図６に示すように、本変形例１のプラズマ処理装置１では、電源９Ａには、２つのアンテナ８１および８２の各一端がインピーダンス調整部１０Ａを介して並列に接続されている。アンテナ８１および８２の他端は、それぞれインピーダンス調整部１１Ａおよび１１Ｂに接続されている。電源９Ｂには、２つのアンテナ８３および８４の各一端がインピーダンス調整部１０Ｂを介して並列に接続されている。アンテナ８３および８４の他端は、それぞれインピーダンス調整部１１Ｃおよび１１Ｄに接続されている。そして、本変形例１のプラズマ処理装置１では、制御部１５ａがインピーダンス調整部１１Ａ～１１Ｄの各可変コンデンサの容量を変更することにより、アンテナ８１～８４に高周波電力が効率的に供給されるように制御する。 As shown in FIG. 6, in the plasma processing apparatus 1 of the present modification 1, one end of each of two antennas 81 and 82 is connected in parallel to the power source 9A via an impedance adjustment section 10A. The other ends of antennas 81 and 82 are connected to impedance adjustment sections 11A and 11B, respectively. One end of each of two antennas 83 and 84 is connected in parallel to power supply 9B via impedance adjustment section 10B. The other ends of antennas 83 and 84 are connected to impedance adjustment sections 11C and 11D, respectively. In the plasma processing apparatus 1 of the present modification 1, the control unit 15a changes the capacitance of each variable capacitor of the impedance adjustment units 11A to 11D, so that high frequency power is efficiently supplied to the antennas 81 to 84. to control.

以上の構成により、本変形例１のプラズマ処理装置１では、上記実施形態１のものと同様な効果を奏する。 With the above configuration, the plasma processing apparatus 1 of the present modification 1 provides the same effects as those of the first embodiment.

〔変形例２〕
本開示の変形例２について、図７を用いて具体的に説明する。図７は、変形例２に係るプラズマ処理装置１でのアンテナ８１～８４の具体的な配線を説明する図である。なお、説明の便宜上、上記実施形態１にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。 [Modification 2]
Modification 2 of the present disclosure will be specifically described using FIG. 7. FIG. 7 is a diagram illustrating specific wiring of the antennas 81 to 84 in the plasma processing apparatus 1 according to the second modification. For convenience of explanation, members having the same functions as those described in Embodiment 1 will be denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.

本変形例２と上記実施形態１との主な相違点は、２つの電源９Ａおよび９Ｂとインピーダンス調整部１１Ｅおよび１１Ｄなどを用いて、４つのアンテナ８１、８２、８３、および８４を動作させる点である。 The main difference between this second modification and the first embodiment is that four antennas 81, 82, 83, and 84 are operated using two power supplies 9A and 9B, impedance adjustment units 11E and 11D, etc. It is.

図７に示すように、本変形例２のプラズマ処理装置１では、電源９Ａには、アンテナ８１の一端がインピーダンス調整部１０Ａを介して接続されている。アンテナ８１の他端には、インピーダンス調整部１１Ｅを介してアンテナ８２の一端が接続されている。アンテナ８２の他端は、接地されている。電源９Ｂには、アンテナ８３の一端がインピーダンス調整部１０Ｂを介して接続されている。アンテナ８３の他端には、インピーダンス調整部１１Ｆを介してアンテナ８４の一端が接続されている。アンテナ８４の他端は、接地されている。そして、本変形例２のプラズマ処理装置１では、制御部１５ａがインピーダンス調整部１１Ｅおよび１１Ｆの各可変コンデンサの容量を変更することにより、アンテナ８１～８４に高周波電力が効率的に供給されるように制御する。 As shown in FIG. 7, in the plasma processing apparatus 1 of Modification 2, one end of an antenna 81 is connected to a power source 9A via an impedance adjustment section 10A. One end of an antenna 82 is connected to the other end of the antenna 81 via an impedance adjustment section 11E. The other end of antenna 82 is grounded. One end of the antenna 83 is connected to the power source 9B via an impedance adjustment section 10B. One end of an antenna 84 is connected to the other end of the antenna 83 via an impedance adjustment section 11F. The other end of antenna 84 is grounded. In the plasma processing apparatus 1 of the second modification, the control unit 15a changes the capacitance of each variable capacitor of the impedance adjustment units 11E and 11F, so that high frequency power is efficiently supplied to the antennas 81 to 84. to control.

以上の構成により、本変形例２のプラズマ処理装置１では、上記実施形態１のものと同様な効果を奏する。 With the above configuration, the plasma processing apparatus 1 of the present modification 2 provides the same effects as those of the first embodiment.

〔変形例３〕
本開示の変形例３について、図８を用いて具体的に説明する。図８は、変形例３に係るプラズマ処理装置１でのアンテナ８１～８４の具体的な配線を説明する図である。なお、説明の便宜上、上記実施形態１にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。 [Modification 3]
Modification 3 of the present disclosure will be specifically described using FIG. 8. FIG. 8 is a diagram illustrating specific wiring of the antennas 81 to 84 in the plasma processing apparatus 1 according to the third modification. For convenience of explanation, members having the same functions as those described in Embodiment 1 will be denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.

本変形例３と上記実施形態１との主な相違点は、電源９とインピーダンス調整部１１Ｇおよび１１Ｈなどを用いて、４つのアンテナ８１、８２、８３、および８４を動作させる点である。 The main difference between this third modification and the first embodiment is that four antennas 81, 82, 83, and 84 are operated using a power supply 9, impedance adjustment units 11G and 11H, and the like.

図８に示すように、本変形例３のプラズマ処理装置１では、電源９には、アンテナ８１の一端がインピーダンス調整部１０を介して接続されている。アンテナ８１の他端には、インピーダンス調整部１１Ｇを介してアンテナ８２の一端が接続されている。アンテナ８２の他端は、接地されている。インピーダンス調整部１０には、アンテナ８３の一端が接続されている。アンテナ８３の他端には、インピーダンス調整部１１Ｈを介してアンテナ８４の一端が接続されている。アンテナ８４の他端は、接地されている。そして、本変形例３のプラズマ処理装置１では、制御部１５ａがインピーダンス調整部１１Ｇおよび１１Ｈの各可変コンデンサの容量を変更することにより、アンテナ８１～８４に高周波電力が効率的に供給されるように制御する。 As shown in FIG. 8, in the plasma processing apparatus 1 of the present modification 3, one end of an antenna 81 is connected to the power source 9 via the impedance adjustment section 10. One end of an antenna 82 is connected to the other end of the antenna 81 via an impedance adjustment section 11G. The other end of antenna 82 is grounded. One end of an antenna 83 is connected to the impedance adjustment section 10. One end of an antenna 84 is connected to the other end of the antenna 83 via an impedance adjustment section 11H. The other end of antenna 84 is grounded. In the plasma processing apparatus 1 of the third modification, the control unit 15a changes the capacitance of each variable capacitor of the impedance adjustment units 11G and 11H, so that high frequency power is efficiently supplied to the antennas 81 to 84. to control.

以上の構成により、本変形例３のプラズマ処理装置１では、上記実施形態１のものと同様な効果を奏する。 With the above configuration, the plasma processing apparatus 1 of the third modification has the same effects as those of the first embodiment.

〔まとめ〕
上記の課題を解決するために、本開示の第１態様のプラズマ処理装置は、処理室を備えたプラズマ処理装置であって、前記処理室と外部環境とを連通する開口部が設けられた筐体と、前記開口部に脱着可能に取り付けられ、当該開口部を閉塞する外側カバーと、前記開口部の内部にて支持される、誘電性を有する内側カバーと、少なくとも前記外側カバーおよび前記内側カバーによって囲まれて形成される包囲空間に配され、誘導結合性のプラズマを発生させるためのアンテナと、前記外側カバーに設けられた透光性を有する光透過部と、前記光透過部を透過した前記包囲空間内の光を受光する受光素子と、を備えている。 〔summary〕
In order to solve the above problems, a plasma processing apparatus according to a first aspect of the present disclosure is a plasma processing apparatus including a processing chamber, and includes a housing provided with an opening that communicates the processing chamber with an external environment. an outer cover that is removably attached to the opening and closes the opening; an inner cover that is dielectric and is supported inside the opening; and at least the outer cover and the inner cover. an antenna for generating inductively coupled plasma; a light-transmitting portion having light-transmitting properties provided on the outer cover; and a light receiving element that receives light within the surrounding space.

上記構成によれば、内側カバーを設けた場合でも、アンテナおよびその周囲状態を確認することができるプラズマ処理装置を提供することができる。 According to the above configuration, it is possible to provide a plasma processing apparatus in which the antenna and its surrounding state can be checked even when the inner cover is provided.

本開示の第２態様は、第１態様のプラズマ処理装置において、前記筐体の前記開口部側には、前記内側カバーを取り外し可能に支持するフランジが設けられてもよい。 In a second aspect of the present disclosure, in the plasma processing apparatus of the first aspect, a flange that removably supports the inner cover may be provided on the opening side of the housing.

上記構成によれば、内側カバーを容易に筐体に設けることができる。 According to the above configuration, the inner cover can be easily provided on the housing.

本開示の第３態様は、第１態様または第２態様のプラズマ処理装置において、前記アンテナの一部は、直線状の直線状部と、前記直線状部の一方の端部および他方の端部にそれぞれ連続的に設けられた第１折り曲げ部および第２折り曲げ部とを含み、前記受光素子は、前記直線状部の中央部、前記第１折り曲げ部、および前記第２折り曲げ部のうち、少なくとも１つから発せられた光を受光してもよい。 A third aspect of the present disclosure is the plasma processing apparatus according to the first aspect or the second aspect, in which a portion of the antenna includes a linear portion, one end of the linear portion, and the other end of the linear portion. The light-receiving element includes a first bent part and a second bent part that are continuously provided in each of the straight parts, and the light receiving element includes at least one of the center part of the linear part, the first bent part, and the second bent part. The light emitted from one may be received.

上記構成によれば、アンテナおよびその周囲状態をより確実に確認することができる。 According to the above configuration, it is possible to check the antenna and its surroundings more reliably.

本開示の第４態様は、第１態様から第３態様のいずれかの態様のプラズマ処理装置であって、制御部をさらに備え、前記制御部は、前記受光素子の検出結果を用いて、前記処理室における被処理物のプラズマ処理について、所定の制御処理を実行してもよい。 A fourth aspect of the present disclosure is the plasma processing apparatus according to any one of the first to third aspects, further comprising a control section, and the control section uses the detection result of the light receiving element to A predetermined control process may be performed regarding plasma processing of the object to be processed in the processing chamber.

上記構成によれば、制御部は受光素子の検出結果を基にプラズマ処理装置を適切に動作させることができる。 According to the above configuration, the control section can appropriately operate the plasma processing apparatus based on the detection result of the light receiving element.

本開示の第５態様は、第４態様のプラズマ処理装置であって、前記アンテナに電力を供給する電源をさらに備え、前記制御部は、前記制御処理として、前記電源の制御を行ってもよい。 A fifth aspect of the present disclosure is the plasma processing apparatus according to the fourth aspect, further comprising a power source that supplies power to the antenna, and the control unit may control the power source as the control process. .

上記構成によれば、制御部はアンテナをより適切に動作させることができ、包囲空間での異常放電やプラズマ発生を確実に抑制可能となって、アンテナの損傷発生をより確実に抑えることができる。 According to the above configuration, the control unit can operate the antenna more appropriately, and can reliably suppress abnormal discharge and plasma generation in the surrounding space, thereby more reliably suppressing the occurrence of damage to the antenna. .

本開示の第６態様は、第４態様または第５態様のプラズマ処理装置において、前記制御部は、前記受光素子の出力値が所定のしきい値以上であることを検知したときに、前記電源を停止させてもよい。 In a sixth aspect of the present disclosure, in the plasma processing apparatus according to the fourth aspect or the fifth aspect, the control unit is configured to control the power supply when detecting that the output value of the light receiving element is equal to or higher than a predetermined threshold. may be stopped.

上記構成によれば、制御部は電源をより適切に制御することができ、包囲空間での異常放電やプラズマ発生をより確実に抑制可能となって、プラズマ処理装置をより適切に動作させることができる。 According to the above configuration, the control unit can control the power supply more appropriately, and can more reliably suppress abnormal discharge and plasma generation in the surrounding space, thereby allowing the plasma processing apparatus to operate more appropriately. can.

本開示の第７態様は、第５態様または第６態様のプラズマ処理装置であって、複数の前記アンテナにそれぞれ設けられた複数の前記受光素子を備え、前記制御部は、前記複数の受光素子のうち、いずれか１つの前記受光素子の出力値が前記しきい値以上であることを検知したときに、前記電源を停止させてもよい。 A seventh aspect of the present disclosure is the plasma processing apparatus according to the fifth aspect or the sixth aspect, which includes a plurality of the light receiving elements respectively provided in the plurality of antennas, and the control unit is configured to control the plurality of light receiving elements. The power source may be stopped when it is detected that the output value of any one of the light receiving elements is equal to or higher than the threshold value.

上記構成によれば、複数のアンテナが設けられている場合でも、制御部は複数の各包囲空間での異常放電やプラズマ発生をより確実に抑制可能となって、より適切な動作をプラズマ処理装置に確実に行わせることができる。 According to the above configuration, even when multiple antennas are provided, the control unit can more reliably suppress abnormal discharge and plasma generation in each of the multiple surrounding spaces, and the plasma processing apparatus can operate more appropriately. can be carried out reliably.

本開示の第８態様は、第１態様から第７態様のいずれかの態様のプラズマ処理装置であって、前記内側カバーを取り外し可能に支持する支持台をさらに備え、前記開口部を通じて、前記内側カバーを前記支持台から取り外すとともに前記筐体の外部に取り出し可能となってもよい。 An eighth aspect of the present disclosure is the plasma processing apparatus according to any one of the first to seventh aspects, further comprising a support base that removably supports the inner cover, and the plasma processing apparatus further includes a support base that removably supports the inner cover. The cover may be removed from the support base and can be taken out of the housing.

上記構成によれば、筐体から、内側カバーと一体でアンテナおよび外側カバーを取り外せることができ、プラズマ処理装置のメンテナンス性をさらに向上させることができる。 According to the above configuration, the antenna and the outer cover can be removed together with the inner cover from the housing, and the maintainability of the plasma processing apparatus can be further improved.

本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態に開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。 The present disclosure is not limited to the embodiments described above, and various changes can be made within the scope of the claims, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. Also included within the technical scope of the present disclosure.

１ プラズマ処理装置
２ 筐体
２ｂ 第１の開口部（開口部）
３ フランジ
４ 真空カバー（外側カバー）
４ｂ、４ｃ、４ｄ ビューポート（光透過部）
５ アンテナカバー（内側カバー）
８、８１、８２、８３、８４ アンテナ
８ａ 直線状部
８ｂ 第１折り曲げ部
８ｃ 第２折り曲げ部
９、９Ａ、９Ｂ 電源
１４、１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ 光学センサ（受光素子）
１５ａ 制御部
１６ 支持部
Ｈ１ 被処理基板（被処理物）
ＡＫ アンテナ収容空間（包囲空間）
ＨＡ プラズマ生成領域（処理室） 1 Plasma processing apparatus 2 Housing 2b First opening (opening)
3 Flange 4 Vacuum cover (outer cover)
4b, 4c, 4d Viewport (light transmitting part)
5 Antenna cover (inner cover)
8, 81, 82, 83, 84 Antenna 8a Straight portion 8b First bent portion 8c Second bent portion 9, 9A, 9B Power supply 14, 14A, 14B, 14C Optical sensor (light receiving element)
15a Control section 16 Support section H1 Processed substrate (processed object)
AK antenna accommodation space (enclosed space)
HA plasma generation area (processing chamber)

Claims (8)

処理室を備えたプラズマ処理装置であって、
前記処理室と外部環境とを連通する開口部が設けられた筐体と、
前記開口部に脱着可能に取り付けられ、当該開口部を閉塞する外側カバーと、
前記開口部の内部にて支持される、誘電性を有する内側カバーと、
少なくとも前記外側カバーおよび前記内側カバーによって囲まれて形成される包囲空間に配され、誘導結合性のプラズマを発生させるためのアンテナと、
前記外側カバーに設けられた透光性を有する光透過部と、
前記光透過部を透過した前記包囲空間内の光を受光する受光素子と、を備えている、プラズマ処理装置。 A plasma processing apparatus including a processing chamber,
a casing provided with an opening that communicates the processing chamber with an external environment;
an outer cover that is removably attached to the opening and closes the opening;
a dielectric inner cover supported inside the opening;
an antenna for generating inductively coupled plasma, disposed in an enclosed space surrounded by at least the outer cover and the inner cover;
a light transmitting section provided on the outer cover and having a light transmitting property;
A plasma processing apparatus, comprising: a light receiving element that receives light in the surrounding space that has passed through the light transmitting section. 前記筐体の前記開口部側には、前記内側カバーを取り外し可能に支持するフランジが設けられている、請求項１に記載のプラズマ処理装置。 The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein a flange for removably supporting the inner cover is provided on the opening side of the housing. 前記アンテナの一部は、直線状の直線状部と、前記直線状部の一方の端部および他方の端部にそれぞれ連続的に設けられた第１折り曲げ部および第２折り曲げ部とを含み、
前記受光素子は、前記直線状部の中央部、前記第１折り曲げ部、および前記第２折り曲げ部のうち、少なくとも１つから発せられた光を受光する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。 The part of the antenna includes a straight linear part, and a first bent part and a second bent part continuously provided at one end and the other end of the linear part, respectively,
The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the light receiving element receives light emitted from at least one of the center portion of the linear portion, the first bent portion, and the second bent portion. 制御部をさらに備え、
前記制御部は、前記受光素子の検出結果を用いて、前記処理室における被処理物のプラズマ処理について、所定の制御処理を実行する、請求項１から３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。 further comprising a control section,
The plasma processing according to any one of claims 1 to 3, wherein the control unit executes a predetermined control process for plasma processing of the object to be processed in the processing chamber using the detection result of the light receiving element. Device. 前記アンテナに電力を供給する電源をさらに備え、
前記制御部は、前記制御処理として、前記電源の制御を行う、請求項４に記載のプラズマ処理装置。 further comprising a power source that supplies power to the antenna,
The plasma processing apparatus according to claim 4, wherein the control section controls the power supply as the control process. 前記制御部は、前記受光素子の出力値が所定のしきい値以上であることを検知したときに、前記電源を停止させる、請求項５に記載のプラズマ処理装置。 The plasma processing apparatus according to claim 5, wherein the control section stops the power supply when detecting that the output value of the light receiving element is equal to or higher than a predetermined threshold. 複数の前記アンテナにそれぞれ設けられた複数の前記受光素子を備え、
前記制御部は、前記複数の受光素子のうち、いずれか１つの前記受光素子の出力値が前記しきい値以上であることを検知したときに、前記電源を停止させる、請求項６に記載のプラズマ処理装置。 comprising a plurality of the light receiving elements each provided in a plurality of the antennas,
The control unit stops the power supply when detecting that the output value of any one of the plurality of light receiving elements is equal to or higher than the threshold value. Plasma processing equipment. 前記内側カバーを取り外し可能に支持する支持台をさらに備え、
前記開口部を通じて、前記内側カバーを前記支持台から取り外すとともに前記筐体の外部に取り出し可能となっている、請求項４に記載のプラズマ処理装置。 further comprising a support stand that removably supports the inner cover,
5. The plasma processing apparatus according to claim 4, wherein the inner cover can be removed from the support base and taken out of the housing through the opening.
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JP5385875B2 (en) * 2010-08-26 2014-01-08 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing apparatus and optical monitor apparatus
US20130220548A1 (en) * 2010-09-10 2013-08-29 Emd Corporation Plasma processing device
JP6286215B2 (en) * 2014-01-28 2018-02-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ Plasma processing equipment
JP2021039925A (en) * 2019-09-05 2021-03-11 東京エレクトロン株式会社 Plasma probe device, plasma processing device and control method thereof

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