JP2023542720A - 電気光学デバイス - Google Patents
電気光学デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023542720A JP2023542720A JP2023519224A JP2023519224A JP2023542720A JP 2023542720 A JP2023542720 A JP 2023542720A JP 2023519224 A JP2023519224 A JP 2023519224A JP 2023519224 A JP2023519224 A JP 2023519224A JP 2023542720 A JP2023542720 A JP 2023542720A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- layer
- buffer layer
- electro
- oxide layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 113
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000382 optic material Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0305—Constructional arrangements
- G02F1/0316—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12083—Constructional arrangements
- G02B2006/12097—Ridge, rib or the like
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/212—Mach-Zehnder type
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/07—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 buffer layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本発明は、基板（１）と、基板（１）上に形成された光導波路（１０ａ、１０ｂ）と、光導波路上に形成される上部電極（７、８）とを有する電気光学デバイスを提供する。電気光学デバイスは、基板と上部電極との間に形成されたバッファ層（３１、３３）を更に備え、光導波路（１０ａ、１０ｂ）とバッファ層（３１）との境界部には、光導波路及びバッファ層と組成が異なる酸化物層（３２）が形成される。本発明によって提供される電気光学デバイスにより、光の伝搬損失が抑制され得る。
Description
技術分野
[0001] 本発明は、光通信及び光学測定の分野のための電気光学デバイスに関する。
[0001] 本発明は、光通信及び光学測定の分野のための電気光学デバイスに関する。
背景技術
[0002] インターネットの普及に伴い、通信量が著しく増加し、光ファイバー通信の重要性は、非常に高い。光ファイバー通信は、電気信号を光信号に変換し、光ファイバーを介して光信号を伝送する通信モードであり、広帯域幅、低損失及び強い雑音抵抗の特性を有する。
[0002] インターネットの普及に伴い、通信量が著しく増加し、光ファイバー通信の重要性は、非常に高い。光ファイバー通信は、電気信号を光信号に変換し、光ファイバーを介して光信号を伝送する通信モードであり、広帯域幅、低損失及び強い雑音抵抗の特性を有する。
[0003] 電気信号を光信号に変換するモードとして、半導体レーザーを利用した直接変調モード及び光変調器を用いた外部変調モードがあることが知られている。直接変調は、光変調器を必要とせず、低コストであるが、高速変調の面で制限を有し、その結果、高速及び長距離用途では、外部光変調モードが使用される。
[0004] ニオブ酸リチウム膜（ＬＮ膜）を用いたマッハツェンダー光変調器が特許文献１に開示されている。ニオブ酸リチウム単結晶基板を用いた光変調器と比較して、ニオブ酸リチウム膜を用いた光変調器は、大幅な小型化及び低い駆動電圧を実現する。図９は、特許文献１に開示された既存の光変調器８００の断面の構造を示す。ニオブ酸リチウム膜から作製された光導波路２２ａ及び２２ｂの対をサファイア基板２１に形成し、信号電極２４ａ及び接地電極２４ｂを、バッファ層２３を介して光導波路２２ａ及び２２ｂの上部にそれぞれ構成する。光変調器８００は、１つの信号電極２４ａを有するいわゆる単一駆動型光変調器であり、信号電極２４ａ及び接地電極２４ｂは、対称構造であり、従って、光導波路２２ａ及び２２ｂに印加される電場は、大きさが同じであり、符号が反対である。
[0005] 特許文献１において、ＬＮ膜は、バッファ層２３と直接接触し、バッファ層２３の境界位置におけるニオブ酸リチウム膜は、酸素欠陥を起こしやすく、その結果、伝搬損失の悪化を引き起こす。
発明の概要
[0007] 本発明は、上述の問題を考慮して完成されたものであり、ＬＮ膜の酸素欠陥を抑制するために、バッファ層の境界位置におけるＬＮ膜に酸素を供給することができる電気光学デバイスを提供することを目的とする。電気光学デバイスは、基板と、基板上に形成された光導波路と、光導波路上に形成される上部電極とを備え、電気光学デバイスは、基板と上部電極との間に形成されたバッファ層を更に備え、光導波路とバッファ層との境界部には、光導波路及びバッファ層と組成が異なる酸化物層が形成される。
[0007] 本発明は、上述の問題を考慮して完成されたものであり、ＬＮ膜の酸素欠陥を抑制するために、バッファ層の境界位置におけるＬＮ膜に酸素を供給することができる電気光学デバイスを提供することを目的とする。電気光学デバイスは、基板と、基板上に形成された光導波路と、光導波路上に形成される上部電極とを備え、電気光学デバイスは、基板と上部電極との間に形成されたバッファ層を更に備え、光導波路とバッファ層との境界部には、光導波路及びバッファ層と組成が異なる酸化物層が形成される。
[0008] 更に、本発明によって提供される電気光学デバイスにおいて、好ましくは、光導波路は、基板上に形成されたスラブ部と、スラブ部上に***して形成されたリッジ部とを備え、酸化物層は、少なくともリッジ部の上面に形成されている。
[0009] 更に、本発明によって提供される電気光学デバイスにおいて、好ましくは、酸化物層は、更にリッジ部の側面に形成されている。
[0010] 更に、本発明によって提供される電気光学デバイスにおいて、好ましくは、酸化物層は、更にスラブ部の上面に形成されている。
[0011] 更に、本発明によって提供される電気光学デバイスにおいて、好ましくは、酸化物層は、単一元素酸化物であり、且つアモルファスである。
[0012] 更に、本発明によって提供される電気光学デバイスにおいて、好ましくは、酸化物層における酸素のモル比は、６０％以上である。
[0013] 更に、本発明によって提供される電気光学デバイスにおいて、好ましくは、酸化物層は、Ｃｒ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｎ及びＴａのいずれか１つの酸化物である。
[0014] 更に、本発明によって提供される電気光学デバイスにおいて、好ましくは、バッファ層は、Ｍ－Ｓｉ－Ｏ系に属し、Ｍは、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｌａ、Ｂａ、Ｂａｉ、Ｔｉ、Ｃａ、Ｍｏ及びＩｎの少なくとも１つ以上である。
[0015] 更に、本発明によって提供される電気光学デバイスにおいて、好ましくは、酸化物層は、リッジ部の側面及びスラブ部の上面のみに形成される。
[0016] 更に、本発明によって提供される電気光学デバイスにおいて、好ましくは、酸化物層は、リッジ部の側面のみに形成される。
[0017] 更に、本発明によって提供される電気光学デバイスにおいて、好ましくは、酸化物層は、スラブ部の上面のみに形成される。
[0018] 本発明によって提供される電気光学デバイスにより、光伝搬損失を低減するために、バッファ層の境界位置におけるＬＮ膜の酸素欠陥を抑制することができる。
図面の簡単な説明
[0019]本発明の第１の実施形態による光変調器１００の上面図であり、光導波路のみを示す。
[0019]本発明の第１の実施形態による光変調器１００の上面図であり、進行波電極を含む光変調器１００の全体を示す。
[0019]図１（ａ）及び図１（ｂ）における線Ａ－Ａ’に沿った光変調器１００の概略断面図である。
[0019]本発明の別の実施形態による光変調器２００の概略断面図である。
[0019]本発明の別の実施形態による光変調器３００の概略断面図である。
[0019]本発明の別の実施形態による光変調器４００の概略断面図である。
[0019]本発明の別の実施形態による光変調器５００の概略断面図である。
[0019]本発明の別の実施形態による光変調器６００の概略断面図である。
[0019]本発明の別の実施形態による光変調器７００の概略断面図である。
[0019]先行技術における光変調器８００の概略断面図である。
実施形態の説明
[0020] 本発明を実施する形態について、図面を参照して詳細に後述する。
[0020] 本発明を実施する形態について、図面を参照して詳細に後述する。
[0021] 図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の一実施形態による光変調器（光電デバイス）１００の上面図である。図１（ａ）は、光導波路のみを示し、図１（ｂ）は、進行波電極を含む光変調器１００の全体を示す。
[0022] 図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、光変調器１００は、基板１上に形成され、互いに平行に配置された第１及び第２の光導波路１０ａ及び１０ｂを有するマッハツェンダー光導波路１０と、第１の光導波路１０ａに沿って配置された第１の電極７と、第２の光導波路１０ｂに沿って配置された第２の電極８とを設けられる。
[0023] マッハツェンダー光導波路１０は、マッハツェンダー干渉計の構造を有する光導波路である。マッハツェンダー光導波路１０は、分岐部１０ｃを介して１つの入力光導波路１０ｉから分岐された第１及び第２の光導波路１０ａ及び１０ｂを備え、第１及び第２の光導波路１０ａ及び１０ｂは、合波部１０ｄを介して１つの出力光導波路１０ｏに結合される。入力光Ｓｉは、分岐部１０ｃを介して分岐され、第１及び第２の光導波路１０ａ及び１０ｂでそれぞれ進み、次に合波部１０ｄで波結合され、変調信号Ｓｏとして出力光導波路１０ｏから出力される。
[0024] 上から見た場合、第１の電極７は、第１の光導波路１０ａを覆い、同様に、上から見た場合、第２の電極８は、第２の光導波路１０ｂを覆う。換言すれば、第１の電極７は、バッファ層（後述される）を介して第１の光導波路１０ａ上に形成され、同様に、第２の電極８は、バッファ層を介して第２の光導波路１０ｂ上に形成される。例えば、第１の電極７を交流（ＡＣ）信号に接続し、「ジャンプ」電極と呼ぶことができる。例えば、第２の電極を接地し、「接地」電極と呼ぶことができる。
[0025] 電気信号（変調信号）が第１の電極７に入力される。第１及び第２の光導波路１０ａ及び１０ｂは、電気光学効果を有する材料（例えば、ニオブ酸リチウムなど）によって形成され、従って第１及び第２の光導波路１０ａ及び１０ｂに印加される電場により、第１及び第２の光導波路１０ａ及び１０ｂの屈折率は、＋Δｎ及び－Δｎでそれぞれ変化し、光導波路の対間の位相差が変化する。位相差の変化によって変調された信号光が出力光導波路１０ｏから出力される。
[0026] 図２は、図１（ａ）及び図１（ｂ）における線Ａ－Ａ’に沿った光変調器１００の概略断面図である。
[0027] 図２に示すように、この実施形態による光変調器１００は、少なくとも、基板１、導波路層２、第１のバッファ層３１及び電極層４を順次積層することによって形成された多層構造を有する。基板１は、例えば、サファイア基板であり、ニオブ酸リチウム膜で構成された導波路層２が基板１の表面に形成される。導波路層２は、スラブ部２ｓと、スラブ部２ｓから***するリッジ部２ｒとによって形成された第１及び第２の光導波路１０ａ及び１０ｂを備える。
[0028] 第１及び第２の光導波路１０ａ及び１０ｂで伝搬する光が第１の電極７又は第２の電極８によって吸収されることを防止するために、第１のバッファ層３１が少なくとも導波路層２のリッジ部２ｒの上面に形成される。従って、第１のバッファ層３１は、光導波路と信号電極との間の中間層として効果を発揮しさえすればよく、第１のバッファ層３１の材料が非金属である限り、第１のバッファ層３１を幅広く選択することができる。例えば、第１のバッファ層３１は、絶縁材料（例えば、金属酸化物、金属窒化物及び金属炭化物など）で製造されたセラミック層を使用することができる。バッファ層の材料は、結晶性材料又はアモルファス（非晶質）材料であり得る。より好ましい実施形態として、第１のバッファ層３１は、屈折率が導波路層２の屈折率よりも低い材料（例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＬａＡｌＯ3、ＬａＹＯ3、ＺｎＯ、ＨｆＯ2、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3など）を使用することができる。
[0029] 第１の電極７及び第２の電極８は、電極層４に配置される。第１の電極７は、少なくとも第１のバッファ層３１を介して第１の光導波路１０ａと対向しており、第１の光導波路１０ａ内を進む光を変調するために、第１の光導波路１０ａに対応するリッジ部２ｒと重複するように設定される。第２の電極８は、少なくとも第１のバッファ層３１を介して第２の光導波路１０ｂと対向しており、第２の光導波路１０ｂ内を進む光を変調するために、第２の光導波路１０ｂに対応するリッジ部２ｒと重複するように設定される。
[0030] 導波路層２が電気光学材料で形成される限り、導波路層２は、特に限定されないが、好ましくは、導波路層２は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）によって形成される。これは、ニオブ酸リチウムが大きい電気光学定数を有し、光学デバイス（例えば、光変調器など）の構成材料として使用するのに適しているためである。導波路層２がニオブ酸リチウム膜である場合の本発明の構造について詳細に後述する。
[0031] 基板１の屈折率がニオブ酸リチウム膜の屈折率よりも低い限り、基板１は、特に限定されず、好ましくは、基板１は、ニオブ酸リチウム膜をエピタキシャル膜として形成することができる基板である。詳細には、好ましくは、基板１は、サファイア単結晶基板又はシリコン単結晶基板である。単結晶基板の結晶配向は、特に限定されない。ニオブ酸リチウム膜は、異なる結晶配向を有する単結晶基板の上にｃ軸配向エピタキシャル膜として容易に形成することができる。ｃ軸配向ニオブ酸リチウム膜は、３回対称性を有するため、下の単結晶基板は、同じ対称性を有することが好ましい。従って、単結晶サファイア基板は、ｃ平面を有することが好ましく、単結晶シリコン基板は、（１１１）表面を有することが好ましい。
[0032] 本明細書で使用されるような用語「エピタキシャル膜」は、結晶配向が下の基板又は膜に対して位置合わせされている膜を意味する。膜面をＸ－Ｙ平面とし、膜厚方向をＺ軸とした場合、結晶がＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸方向に整列させられている。例えば、まず２θ－θＸ線回折による配向位置でピーク強度を測定し、次に極点を確認することにより、エピタキシャル膜の存在を確認することができる。
[0033] 詳細には、まず、２θ－θＸ線回折測定において、目標平面を除く全ピーク強度は、目標平面上の最大ピーク強度の１０％以下、好ましくは５％以下である必要がある。例えば、ｃ軸配向エピタキシャルニオブ酸リチウム膜において、（００Ｌ）平面を除くピーク強度は、（００Ｌ）平面上の最大ピーク強度の１０％以下、好ましくは５％以下である。（００Ｌ）は、（００１）、（００２）及び他の均等な平面を総称する一般的な表現である。
[0034] 次に、測定において極点が観測される必要がある。第１の配向位置でピーク強度を確認するという条件下では、単一方向における配向のみが示される。第１の条件を満たしても、面内結晶配向が不均一である場合、Ｘ線強度は、特定の角度で増加せず、極点を観測することができない。ＬｉＮｂＯ3は、三方晶系結晶系を有するため、単結晶ＬｉＮｂＯ3（０１４）の極点は、３つとなる。ニオブ酸リチウム膜の場合、ｃ軸の周りで１８０度回転させた結晶が、対称的に結合された、いわゆる双晶結晶状態でエピタキシャルに成長することが知られている。この場合、３つの極点は、対称的に２つ結合されて６つの極点を形成する。ニオブ酸リチウム膜を、（１００）平面を有する単結晶シリコン基板に形成する場合、基板は、４回対称性を有するため、４×３＝１２個の極点が観測される。本発明において、双晶結晶状態でエピタキシャルに成長されたニオブ酸リチウム膜も、エピタキシャル膜とみなされる。
[0035] ニオブ酸リチウム膜の組成は、ＬｉｘＮｂＡｙＯｚである。Ａは、Ｌｉ、Ｎｂ及びＯ以外の元素を示す。数ｘは、０．５～１．２、好ましくは０．９～１．０５の範囲である。数ｙは、０～０．５の範囲である。数ｚは、１．５～４、好ましくは２．５～３．５の範囲である。元素Ａの例は、Ｋ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｃ及びＣｅを単独で又は組み合わせて含む。
[0036] 例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法又はゾルゲル法などの膜形成方法によってニオブ酸リチウム膜を形成することが望ましい。ニオブ酸リチウム膜のｃ軸を単結晶基板の主面と垂直に配向させる場合、電場をｃ軸と平行に印加し、これにより電場の強度に比例して光屈折率を変える。単結晶基板がサファイアである場合、ニオブ酸リチウム膜は、サファイア単結晶基板に直接エピタキシャル成長によって形成される。単結晶基板がシリコンである場合、ニオブ酸リチウム膜は、基板に形成されたクラッド層（図示せず）にエピタキシャル成長によって形成される。クラッド層（図示せず）は、ニオブ酸リチウム膜よりも低い屈折率を有し、エピタキシャル成長に適しているはずである材料で形成される。
[0037] ニオブ酸リチウム膜用の形成方法として、ニオブ酸リチウム単結晶基板を薄く研磨するか又はスライスする方法が知られている。この方法は、単結晶と同じ特性を得ることができるという利点があり、本発明に適用可能である。
[0038] この実施形態において、導波路層２及び第１のバッファ層３１の境界部に、導波路層２及び第１のバッファ層３１と異なる組成の酸化物層３２が形成される。詳細には、図２に示すように、酸化物層３２は、第１のバッファ層３１の下に形成され、リッジ部２ｒの上面を覆う。更に、酸化物層３２は、リッジ部２ｒの間及びスラブ部２ｓの上にも形成される。酸化物層３２をリッジ部２ｒの上面に形成することにより、ＬＮ膜の酸素欠陥を抑制するために、酸化物層３２における酸素をＬＮ膜に供給することができる。
[0039] 上から見た場合、第２のバッファ層３３は、第１及び第２の光導波路１０ａ及び１０ｂと第２のバッファ層３３とが重複しない位置に形成される。第２のバッファ層３３は、導波路層２の上面のリッジ部２ｒが形成されていない領域全体を覆い、リッジ部２ｒの側面も第２のバッファ層３３で覆われ、その結果、リッジ部２ｒの粗い側面のために生成される散乱損失を防止することができる。第２のバッファ層３３の厚さは、導波路層２のリッジ部２ｒの高さと略同じである。第２のバッファ層３３の材料は、特に規定されず、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を使用することができる。ここで、第２のバッファ層３３及び酸化物層３２は、異なる工程で形成された膜層である。更に、第２のバッファ層３３の材料は、第１のバッファ層３１の材料と同じであっても、第１のバッファ層３１の材料と異なってもよい。
[0040] 酸化物層３２は、好ましくは、単一元素酸化物であり、且つアモルファスである。酸化物層３２がアモルファスである場合、酸素を酸化物層３２からＬＮ膜に供給することは、結晶化の場合よりも容易である。
[0041] 酸化物層３２の酸素のモル比は、好ましくは、６０％以上である。酸素のモル比が高い場合、酸素をアニーリング処理でＬＮ膜に充填することができる。酸化物層３２は、Ｃｒ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｎ及びＴａからなる群から選択される少なくとも１つの酸化物であり得る。上述の金属から選択される１種類の金属からなる金属酸化物を使用することが好ましい。更に、金属酸化物は、炭素、窒素又は水素などの元素を含み得る。炭素は、特に好ましい元素である。元素の含有量は、好ましくは、５原子パーセント以下、より好ましくは０．１原子パーセント～３原子パーセントである。元素の含有量の測定値は、ＥＤＳ（エネルギー分散Ｘ線分光法）によって得ることができる。
[0042] 第１のバッファ層３１は、好ましくは、Ｍ－Ｓｉ－Ｏ系であり得、Ｍは、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｌａ、Ｂａ、Ｂａｉ、Ｔｉ、Ｃａ、Ｍｏ及びＩｎの少なくとも１つである。
[0043] 基本的に、第１のバッファ層３１の組成は、酸化物層３２の組成と異なる。更に好ましくは、第１のバッファ層３１は、酸化物層３２における構成金属よりも重い金属をドープした組成で構成される。例えば、Ｍ－Ｓｉ－Ｏ系における材料が好ましい。特に、酸化物層３２にＳｉ－Ｏ酸化物が使用される場合、第１のバッファ層３１は、Ｍ－Ｓｉ－Ｏ系（Ｍの質量数＞Ｓｉの質量数）であることが、より好ましい。
[0044] 更に、金属酸化物は、炭素、窒素又は水素などの元素を含み得る。炭素は、特に好ましい元素である。元素の含有量は、好ましくは、５原子パーセント以下、より好ましくは０．１原子パーセント～３原子パーセントである。元素の含有量の測定値は、ＥＤＳ（エネルギー分散Ｘ線分光法）によって得ることができる。
[0045] 更に、酸化物層３２の膜密度が高いほど、酸化物層３２の酸素組成比が高くなる。酸化物層３２は、例えば、ＣＶＤ膜形成、スパッタリング膜形成などによって形成される。酸化物層３２を形成した後、アニーリング処理を実行する。
[0046] 光変調器１００において、酸化物層３２を導波路層２のリッジ部２ｒと第１のバッファ層３１との間に形成することにより、バッファ層の境界位置におけるＬＮ膜の酸素欠陥に起因する伝搬損失を抑制することができる。
[0047] 図３は、本発明の別の実施形態による光変調器２００の概略断面図である。図３に示すように、酸化物層３２は、第１のバッファ層３１の下に形成され、リッジ部２ｒ及びスラブ部２ｓの上面を覆う。更に、酸化物層３２は、リッジ部２ｒの間にも形成される。換言すれば、リッジ部２ｒの側面も酸化物層３２で覆われる。
[0048] 光変調器２００において、酸化物層３２を導波路層２と第１のバッファ層３１との間に形成することにより、バッファ層の境界位置におけるＬＮ膜の酸素欠陥に起因する伝搬損失を抑制することができる。
[0049] 図４は、本発明の別の実施形態による光変調器３００の概略断面図である。図４に示すように、酸化物層３２は、導波路層２の外面に沿って延在する。換言すれば、酸化物層３２は、リッジ部２ｒの上面及び側面、並びにスラブ部２ｓの上面を覆う。第２のバッファ層３３は、酸化物層３２を覆い、第２のバッファ層３３の厚さは、酸化物層３２の最上面の高さと略同じである。酸化物層３２及び第２のバッファ層３３を覆うように第１のバッファ層３１を形成する。ここで、第１のバッファ層３１及び第２のバッファ層３３は、同一のバッファ層から形成することもできる。
[0050] 光変調器３００において、酸化物層３２をＬＮ膜の境界に沿って配置することにより、バッファ層の境界位置におけるＬＮ膜の酸素欠陥に起因する伝搬損失を抑制することができる。
[0051] 図５は、本発明の別の実施形態による光変調器４００の概略断面図である。図５に示すように、酸化物層３２は、リッジ部２ｒの上面のみを覆う。第２のバッファ層３３が、第１及び第２の光導波路１０ａ及び１０ｂと重複しない位置に形成される。第２のバッファ層３３は、導波路層２の上面のうちでリッジ部２ｒが形成されていない領域全体を覆い、リッジ部２ｒの側面も第２のバッファ層３３で覆われ、その結果、リッジ部２ｒの粗い側面のために生成される散乱損失を防止することができる。第２のバッファ層３３の厚さは、酸化物層３２の上面の高さと略同じである。酸化物層３２及び第２のバッファ層３３を覆うように第１のバッファ層３１が形成される。ここで、第１のバッファ層３１及び第２のバッファ層３３は、同一のバッファ層から形成することもできる。
[0052] 光変調器４００において、酸化物層３２を第１及び第２の光導波路１０ａ及び１０ｂとバッファ層との間に配置することにより、バッファ層の境界位置におけるＬＮ膜の酸素欠陥に起因する伝搬損失を抑制することができる。
[0053] 図６は、本発明の別の実施形態による光変調器５００の概略断面図である。図６に示す光変調器５００と、図４に示す光変調器３００との違いは、酸化物層３２がリッジ部２ｒの上面を覆っていない点のみである。光変調器５００において、酸化物層３２を導波路層２のスラブ部２ｓの上面及び導波路層２のリッジ部２ｒの側面に配置することにより、バッファ層の境界位置におけるＬＮ膜の酸素欠陥に起因する伝搬損失を抑制することができる。
[0054] 図７は、本発明の別の実施形態による光変調器６００の概略断面図である。図７に示す光変調器６００と、図６に示す光変調器５００との間の違いは、酸化物層３２がリッジ部２ｒの側面のみを覆う点のみである。光変調器６００において、酸化物層３２を導波路層２のリッジ部２ｒの側面に配置することにより、バッファ層の境界位置におけるＬＮ膜の酸素欠陥に起因する伝搬損失を抑制することができる。
[0055] 図８は、本発明の別の実施形態による光変調器７００の概略断面図である。図８に示す光変調器７００と、図６に示す光変調器５００との間の違いは、酸化物層３２がスラブ部２ｓの上面のみを覆う点のみである。光変調器７００において、酸化物層３２を導波路層２のスラブ部２ｓの上面に配置することにより、バッファ層の境界位置におけるＬＮ膜の酸素欠陥に起因する伝搬損失を抑制することができる。
実施例
[0056] 図２に示す断面構造を有する電気光学デバイス１００を実施例として使用する一方、酸化物層３２を形成しない電気光学デバイスを比較例として使用する。実施例及び比較例における光の伝送減衰を比較する。
[0056] 図２に示す断面構造を有する電気光学デバイス１００を実施例として使用する一方、酸化物層３２を形成しない電気光学デバイスを比較例として使用する。実施例及び比較例における光の伝送減衰を比較する。
実施例１
[0057] 実施例１において、５０ｎｍの厚さを有するＳｉＯ2層３２を、ＣＶＤ膜形成によって第２のバッファ層３３及びリッジ部２ｒ上に形成し、ＳｉＯ2層３２は、アモルファスである。比較例１において、構造は、ＳｉＯ2層３２を形成しない点を除いて、実施例１における構造と同じである。実施例１の評価結果は、表１に示す通りである。
[0057] 実施例１において、５０ｎｍの厚さを有するＳｉＯ2層３２を、ＣＶＤ膜形成によって第２のバッファ層３３及びリッジ部２ｒ上に形成し、ＳｉＯ2層３２は、アモルファスである。比較例１において、構造は、ＳｉＯ2層３２を形成しない点を除いて、実施例１における構造と同じである。実施例１の評価結果は、表１に示す通りである。
[0058]
[0059] ５０ｎｍの厚さを有するＳｉＯ2酸化物膜を第２のバッファ層３３及びリッジ部２ｒ上に形成することにより、光の伝送損失を低減することができ、歩留まり率を向上させることができることが表１から分かる。
実施例２
[0060] 実施例２において、１００ｎｍの厚さを有するＳｉＯ2層３２を、ＣＶＤ膜形成によって第２のバッファ層３３及びリッジ部２ｒに形成し、ＳｉＯ2層３２は、アモルファスである。比較例２において、構造は、ＳｉＯ2層３２を形成しない点を除いて、実施例２における構造と同じである。実施例２の評価結果は、表２に示す通りである。
[0060] 実施例２において、１００ｎｍの厚さを有するＳｉＯ2層３２を、ＣＶＤ膜形成によって第２のバッファ層３３及びリッジ部２ｒに形成し、ＳｉＯ2層３２は、アモルファスである。比較例２において、構造は、ＳｉＯ2層３２を形成しない点を除いて、実施例２における構造と同じである。実施例２の評価結果は、表２に示す通りである。
[0061]
[0062] １００ｎｍの厚さを有するＳｉＯ2酸化物膜を第２のバッファ層３３及びリッジ部２ｒに形成することにより、光の伝送損失を低減することができ、歩留まり率を向上させることができることが表２から分かる。
実施例３
[0063] 実施例３において、５０ｎｍの厚さを有するＡｌ2Ｏ3層３２を、スパッタリング膜形成によって第２のバッファ層３３及びリッジ部２ｒに形成し、Ａｌ2Ｏ3層３２は、アモルファスである。比較例３において、構造は、Ａｌ2Ｏ3層３２を形成しない点のみを除いて、実施例３における構造と同じである。実施例３の評価結果は、表３に示す通りである。
[0063] 実施例３において、５０ｎｍの厚さを有するＡｌ2Ｏ3層３２を、スパッタリング膜形成によって第２のバッファ層３３及びリッジ部２ｒに形成し、Ａｌ2Ｏ3層３２は、アモルファスである。比較例３において、構造は、Ａｌ2Ｏ3層３２を形成しない点のみを除いて、実施例３における構造と同じである。実施例３の評価結果は、表３に示す通りである。
[0064]
[0065] ５０ｎｍの厚さを有するＡｌ2Ｏ3酸化物膜を第２のバッファ層３３及びリッジ部２ｒに形成することにより、光の伝送損失を低減することができ、完成品率を向上させることができることが表３から分かる。
[0066] 本発明は、図面及び実施形態と併せて詳細に上述されているが、上述の説明は、決して本発明を限定しないことが理解され得る。例えば、光変調器１００の上述の説明において、第１の電極は、信号電極として使用され、第２の電極は、接地電極として使用される。しかし、本発明は、この例に限定されず、第１及び第２の電極は、電場を光導波路に印加する任意の電極であり得る。当業者は、本発明の本質的な趣旨及び範囲から逸脱することなく、必要に応じて本発明に対する修正形態及び変更形態をなし得、これらの修正形態及び変更形態は、本発明の範囲内に入る。
[0067]
参照符号：
１ 基板
２ 導波路層
３１ 第１のバッファ層
３２ 酸化物層
３３ 第２のバッファ層
４ 電極層
７ 第１の電極
８ 第２の電極
１０ マッハツェンダー光導波路
１０ａ 第１の光導波路
１０ｂ 第２の光導波路
１０ｃ 分岐部
１０ｄ 合波部
１０ｉ 入力光導波路
１０ｏ 出力光導波路
参照符号：
１ 基板
２ 導波路層
３１ 第１のバッファ層
３２ 酸化物層
３３ 第２のバッファ層
４ 電極層
７ 第１の電極
８ 第２の電極
１０ マッハツェンダー光導波路
１０ａ 第１の光導波路
１０ｂ 第２の光導波路
１０ｃ 分岐部
１０ｄ 合波部
１０ｉ 入力光導波路
１０ｏ 出力光導波路
Claims (8)
- 基板と、前記基板上に形成された光導波路と、前記光導波路上に形成される上部電極とを含む電気光学デバイスであって、
前記基板と前記上部電極との間に形成されたバッファ層を更に含み、
前記光導波路と前記バッファ層との境界部には、前記光導波路及び前記バッファ層と組成が異なる酸化物層が形成されている、電気光学デバイス。 - 前記光導波路は、前記基板上に形成されたスラブ部と、前記スラブ部上に***して形成されたリッジ部とを備え、
前記酸化物層は、少なくとも前記リッジ部の上面に形成されている、請求項１に記載の電気光学デバイス。 - 前記酸化物層は、更に前記リッジ部の側面に形成されている、請求項２に記載の電気光学デバイス。
- 前記酸化物層は、更に前記スラブ部の上面に形成されている、請求項２又は３に記載の電気光学デバイス。
- 前記酸化物層は、単一元素酸化物であり、且つアモルファスである、請求項１～４のいずれか一項に記載の電気光学デバイス。
- 前記酸化物層における酸素のモル比は、６０％以上である、請求項１～５のいずれか一項に記載の電気光学デバイス。
- 前記酸化物層は、Ｃｒ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｎ及びＴａのいずれか１つの酸化物である、請求項１～６のいずれか一項に記載の電気光学デバイス。
- 前記バッファ層は、Ｍ－Ｓｉ－Ｏ系であり、Ｍは、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｌａ、Ｂａ、Ｂａｉ、Ｔｉ、Ｃａ、Ｍｏ及びＩｎの少なくとも１つである、請求項１～７のいずれか一項に記載の電気光学デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011049946.9 | 2020-09-29 | ||
| CN202011049946.9A CN114326251A (zh) | 2020-09-29 | 2020-09-29 | 电光器件 |
| PCT/JP2021/035755 WO2022071357A1 (en) | 2020-09-29 | 2021-09-29 | Electro-optic device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023542720A true JP2023542720A (ja) | 2023-10-11 |
Family
ID=80949187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023519224A Pending JP2023542720A (ja) | 2020-09-29 | 2021-09-29 | 電気光学デバイス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230375781A1 (ja) |
| JP (1) | JP2023542720A (ja) |
| CN (2) | CN114326251A (ja) |
| WO (1) | WO2022071357A1 (ja) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006317550A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Anritsu Corp | 光変調器 |
| JP2007199500A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Anritsu Corp | 光変調器 |
| JP2007322599A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Fujitsu Ltd | 光デバイス |
| US9595629B2 (en) * | 2012-10-22 | 2017-03-14 | Mellanox Technologies Silicon Photonics Inc. | Enhancing planarization uniformity in optical devices |
| JP2014211528A (ja) * | 2013-04-18 | 2014-11-13 | 日本電信電話株式会社 | 光スイッチ素子およびレーザ発振装置 |
| US11366344B2 (en) * | 2017-10-02 | 2022-06-21 | Tdk Corporation | Optical modulator |
-
2020
- 2020-09-29 CN CN202011049946.9A patent/CN114326251A/zh active Pending
-
2021
- 2021-09-29 US US18/028,354 patent/US20230375781A1/en active Pending
- 2021-09-29 WO PCT/JP2021/035755 patent/WO2022071357A1/en active Application Filing
- 2021-09-29 CN CN202180066547.XA patent/CN116438484A/zh active Pending
- 2021-09-29 JP JP2023519224A patent/JP2023542720A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114326251A (zh) | 2022-04-12 |
| WO2022071357A1 (en) | 2022-04-07 |
| CN116438484A (zh) | 2023-07-14 |
| US20230375781A1 (en) | 2023-11-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11226531B2 (en) | Optical modulator | |
| US11366344B2 (en) | Optical modulator | |
| JP6369147B2 (ja) | 光導波路素子およびこれを用いた光変調器 | |
| WO2018016428A1 (ja) | 誘電体薄膜付き基板およびこれを用いた光変調素子 | |
| US11460751B2 (en) | Optical modulator | |
| US11003043B2 (en) | Optical modulator | |
| US20220326554A1 (en) | Electro-optical device | |
| JP2020166100A (ja) | 電気光学デバイス | |
| US20230036811A1 (en) | Optical modulator | |
| JP2022155578A (ja) | 光学デバイス | |
| JP7511018B2 (ja) | 光変調器 | |
| JP2023542720A (ja) | 電気光学デバイス | |
| WO2022071356A1 (en) | Optical modulator | |
| WO2021201132A1 (en) | Electro-optical device | |
| JP7476342B2 (ja) | 電気光学デバイス | |
| JP2023153049A (ja) | 光学デバイスおよび光変調器 | |
| CN115145059A (zh) | 光调制器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230519 |