JP2023536971A - 極紫外線フォトリソグラフィー用工程液組成物及びこれを用いたパターン形成方法 - Google Patents

極紫外線フォトリソグラフィー用工程液組成物及びこれを用いたパターン形成方法 Download PDF

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Abstract

本発明は、極紫外線フォトリソグラフィー用工程液組成物及びこれを用いたパターン形成方法に関するものであって、工程液組成物は、フッ素系界面活性剤０．００００１～０．０１重量％；化学式（１）で表されたパターン強化剤０．００００１～０．０１重量％未満；トリオール誘導体、テトラオール誘導体又はこれらの混合物よりなる群から選択される物質０．００００１～０．０１重量％；及び残量の水；から構成されることを特徴とする、極紫外線フォトリソグラフィー用工程液組成物である。【選択図】図１

Description

本発明は、極紫外線を露光源とするフォトリソグラフィーにおけるフォトレジストパターンのリフティング欠陥改善用工程液組成物及びこれを用いたフォトレジストパターン形成方法に関する。
一般的に、半導体は、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、３６５ｎｍなどの波長帯の紫外線を露光光とするリソグラフィー工程によって製造され、各業者が最小線幅（以下、ＣＤ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）を減らすための競争が激しい。
このため、より微細なパターンを形成するために、より小さい波長帯の光源を必要とするが、現在、極紫外線（ＥＵＶ、ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａ ｖｉｏｌｅｔ、１３．５ｎｍの波長）光源を用いたリソグラフィー技術が盛んに用いられており、これを用いてより微細なパターンを実現することができるようになった。
しかし、極紫外線用フォトレジストのエッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）耐性が依然として改善されていないので、アスペクト比の大きいフォトレジストパターンが継続的に必要とされており、これにより現像中にパターンのリフティング欠陥が容易に起こることにより、製造工程において工程マージンが大きく減少するという問題が生じている。
このため、微細パターン形成中に発生するリフティング欠陥レベルを改善するための技術開発が求められている。パターンリフティング欠陥レベルを改善するためにフォトレジストの性能向上が最善であり得るが、全ての性能を満足させるフォトレジストの新規開発が難しい現実を無視することができない状況である。
フォトレジストの新規開発の必要性は残しておいても、他の方法でパターンリフティングレベルを改善するための努力が継続的に行われている。
本発明の目的は、フォトレジストを現像した後に発生するパターンのリフティング欠陥レベルを改善するための工程液組成物、及びこれを用いたフォトレジストパターン形成方法の開発にある。
現像工程中に使用する水系タイプの工程液組成物には、様々な界面活性剤が用いられているが、本発明では、フッ素系界面活性剤を用いて効果的な工程液組成物を製造した。
超純水を主に使用する水系タイプの工程液組成物に、疎水性に近い炭化水素系界面活性剤を用いる場合、フォトレジスト壁面の疎水化を誘導してパターンのメルティング（ｍｅｌｔｉｎｇ）減少及び崩壊減少を誘導することができるが、炭化水素系界面活性剤同士が凝集する傾向が強いため、工程液組成物の物性が均一にならず、使用中にむしろ凝集した炭化水素系界面活性剤によって欠陥（ｄｅｆｅｃｔ）を誘発させる可能性がある。つまり、炭化水素系界面活性剤を使用する場合、メルティングの改善のために使用量を増やさなければならず、これは、フォトレジストにダメージ（Ｄａｍａｇｅ）が発生するおそれがある。また、毛細管力を減らすために、工程液組成物の表面張力を下げる目的で不適切な界面活性剤を過剰使用する場合、パターンのメルティングを誘導してむしろパターン崩壊をさらに誘発させるおそれがある。
本発明では、フッ素系界面活性剤を用い、これに加えて、化学式（１）で表されたパターン強化剤、及びトリオール（Ｔｒｉｏｌ）誘導体、テトラオール（Ｔｅｔｒａｏｌ）誘導体又はこれらの混合物よりなる群から選択される物質を用いることにより、パターンリフティング欠陥レベルを改善する効果に優れることを確認した。

化学式（１）

Figure 2023536971000002

前記化学式（１）において、
Ｘ、Ｙは、フッ素、又はＣ１～Ｃ５のアルキルであり、
Ｘ及びＹは、単結合を形成し、
ｌは１～５であり、ｍは０～５であり、
ｎは０～２である。
現在、大部分のフォトリソグラフィー現像工程に使用する代表的な現像液として純水を基本にして、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを一定の濃度（大部分の工程では、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８重量％に水９７．６２重量％を混用して使用している）で希釈して使用している。
また、フォトリソグラフィー工程中のフォトレジストパターン現像後に連続的に純水単独で洗浄する場合、パターンリフティング欠陥を確認し、純水にテトラメチルアンモニウムヒドロキシドが含まれた工程液組成物を現像した後で連続的に適用するか、或いは純水で処理した後で連続的に適用する場合にも、パターン崩壊を確認した。
テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの含まれた工程液組成物の場合、露光した微細パターンを弱化させ、毛細管力が大きいか或いは不均一であってパターンを崩すものと推定することができる。
そこで、露光されたパターンの崩壊を改善し、さらに工程で要求されるフォトレジストパターンのＬＷＲ（Ｌｉｎｅ Ｗｉｄｔｈ Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）及び欠陥を改善するためには、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドよりも相対的に露光されたパターンに及ぼす力が弱い物質についての検討が必要である。
本発明では、フッ素系界面活性剤を用い、これに加えて、化学式（１）で表されたパターン強化剤、及びトリオール（Ｔｒｉｏｌ）誘導体、テトラオール（Ｔｅｔｒａｏｌ）誘導体又はこれらの混合物よりなる群から選択される物質を用いる場合、パターン崩壊を始めとしてＬＷＲ又は欠陥が改善されることを確認した。
このため、本発明は、好適な第１実施形態として、フッ素系界面活性剤０．００００１～０．０１重量％；化学式（１）で表されたパターン強化剤０．００００１～０．００５重量％；トリオール（Ｔｒｉｏｌ）誘導体、テトラオール（Ｔｅｔｒａｏｌ）誘導体又はこれらの混合物よりなる群から選択される物質０．００００１～０．０１重量％；及び残量の水；から構成されることを特徴とする、フォトレジスト現像中に発生するフォトレジストパターンのリフティング欠陥レベル改善用工程液組成物を提供する。
また、本発明は、さらに好適な第２実施形態として、フッ素系界面活性剤０．０００１～０．０１重量％；化学式（１）で表されたパターン強化剤０．００００１～０．００５重量％；トリオール（Ｔｒｉｏｌ）誘導体、テトラオール（Ｔｅｔｒａｏｌ）誘導体又はこれらの混合物よりなる群から選択される物質０．００００１～０．０１重量％；及び残量の水；から構成されることを特徴とする、フォトレジスト現像中に発生するフォトレジストパターンのリフティング欠陥レベル改善用工程液組成物を提供する。
また、本発明は、最も好適な第３実施形態として、フッ素系界面活性剤０．００１～０．０１重量％；化学式（１）で表されたパターン強化剤０．００００１～０．００５重量％；トリオール（Ｔｒｉｏｌ）誘導体、テトラオール（Ｔｅｔｒａｏｌ）誘導体又はこれらの混合物よりなる群から選択される物質０．００００１～０．０１重量％；及び残量の水；から構成されることを特徴とする、フォトレジスト現像中に発生するフォトレジストパターンのリフティング欠陥レベル改善用工程液組成物を提供する。
前記実施形態によるフッ素系界面活性剤は、フッ素アクリルカルボキシレート（Ｆｌｕｏｒｏａｃｒｙｌ ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ）、フッ素アルキルエーテル（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｅｔｈｅｒ）、フッ素アルキレンエーテル（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌｅｎｅ ｅｔｈｅｒ）、フッ素アルキルサルフェート（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｓｕｌｆａｔｅ）、フッ素アルキルホスフェート（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）、フッ素アクリルコポリマー（Ｆｌｕｏｒｏａｃｒｙｌ ｃｏ－ｐｏｌｙｍｅｒ）、フッ素コポリマー（Ｆｌｕｏｒｏ ｃｏ－ｐｏｌｙｍｅｒ）、過フッ素化酸（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ａｃｉｄ）、過フッ素化カルボン酸塩（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ）、過フッ素化スルホン酸塩（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）、又はこれらの混合物よりなる群から選択されるものであり得る。
前記実施形態による化学式（１）で表されたパターン強化剤は、ビス（１，１，２，２，３，３，３－ヘプタフルオロ－１－プロパンスルホニル）イミド、ビス（１，１，２，２，３，３，４，４，４－ノナフルオロ－１－ブタンスルホニル）イミド、１，１，２，２，３，３－ヘキサフルオロプロパン－１，３－ジスルホニルイミド、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、又はこれらの混合物よりなる群から選択されるものであり得る。
前記実施形態によるトリオール誘導体物質は、Ｃ３～Ｃ１０からなるものであって、１，２，３－プロパントリオール、１，２，４－ブタントリオール、１，１，４－ブタントリオール、１，３，５－ペンタントリオール、１，２，５－ペンタントリオール、２，３，４－ペンタントリオール、１，２，３－ヘキサントリオール、１，２，６－ヘキサントリオール、１，３，４－ヘキサントリオール、１，４，５－ヘキサントリオール、２，３，４－ヘキサントリオール、１，２，３－ヘプタントリオール、１，２，４－ヘプタントリオール、１，２，６－ヘプタントリオール、１，３，５－ヘプタントリオール、１，４，７－ヘプタントリオール、２，３，４－ヘプタントリオール、２，４，６－ヘプタントリオール、１，２，８－オクタントリオール、１，３，５－オクタントリオール、１，４，７－オクタントリオール、ブタン－１，１，１－トリオール、２－メチル－１，２，３－プロパントリオール、５－メチルヘキサン－１，２，３－トリオール、２，６－ジメチル－３－ヘプテン－２，４，６－トリオール、ベンゼン－１，３，５－トリオール、２－メチル－ベンゼン－１，２，３－トリオール、５－メチル－ベンゼン－１，２，３－トリオール、２，４，６－トリメチルベンゼン－１，３，５－トリオール、ナフタレン－１，４，５－トリオール、５，６，７，８－テトラヒドロナフタレン－１，６，７－トリオール、５－ヒドロメチルベンゼン－１，２，３－トリオール、５－イソプロピル－２－メチル－５－シクロヘキセン－１，２，４－トリオール、４－イソプロピル－４－シクロヘキセン－１，２，３－トリオール、又はこれらの混合物よりなる群から選択されるものであり得る。
前記実施形態によるテトラオール誘導体物質は、Ｃ４～Ｃ１４からなるものであって、１，２，３，４－ブタンテトラオール、１，２，３，４－ペンタンテトラオール、１，２，４，５－ペンタンテトラオール、１，２，３，４－ヘキサンテトラオール、１，２，３，５－ヘキサンテトラオール、１，２，３，６－ヘキサンテトラオール、１，２，４，５－ヘキサンテトラオール、１，２，４，６－ヘキサンテトラオール、１，２，５，６－ヘキサンテトラオール、１，３，４，５－ヘキサンテトラオール、１，３，４，６－ヘキサンテトラオール、２，３，４，５－ヘキサンテトラオール、１，２，６，７－ヘプタンテトラオール、２，３，４，５－ヘプタンテトラオール、１，１，１，２－オクタンテトラオール、１，２，７，８－オクタンテトラオール、１，２，３，８－オクタンテトラオール、１，３，５，７－オクタンテトラオール、２，３，５，７－オクタンテトラオール、４，５，６，７－オクタンテトラオール、３，７－ジメチル－３－オクテン－１，２，６，７－テトラオール、３－ヘキシン－１，２，５，６－テトラオール、２，５－ジメチル－３－ヘキシン－１，２，５，６－テトラオール、アントラセン－１，４，９，１０－テトラオール、又はこれらの混合物よりなる群から選択されるものであり得る。
本発明は、また、（ａ）半導体基板にフォトレジストを塗布し、膜を形成するステップと；（ｂ）前記フォトレジスト膜を露光した後、現像してパターンを形成するステップと；（ｃ）前記フォトレジストパターンを前記フォトレジストパターンのリフティング欠陥改善用工程液組成物で洗浄するステップと；を含んでなることを特徴とする、フォトレジストパターン形成方法を提供する。
パターン崩壊は、現像後に純水でパターンを洗浄するときにパターン同士の間に発生する毛細管力によるものと考えられているが、毛細管力を減らすだけでパターン崩壊を完全に改善させ且つ欠陥数を減らすことはできないことを長期間の数多くの研究から分かった。
毛細管力を減らすために工程液組成物の表面張力を下げる目的で不適切な界面活性剤を過剰使用する場合、パターンのメルティングを誘導してむしろパターンリフティング欠陥をさらに誘発させる可能性がある。
パターンリフティング欠陥を改善させるためには、工程液組成物の表面張力を減らすとともにフォトレジストパターンのメルティングを防止する界面活性剤の選択が重要である。
本発明の工程液組成物は、フォトレジストに優れた効果を発揮し、特にフォトレジスト現像中に発生するパターンのリフティング欠陥を改善させるという効果がある。
本発明の工程液組成物は、フォトレジストを用いたパターン形成の際にフォトレジスト単独では達成できない効果であるパターンのリフティング欠陥を改善させるという効果があり、特に、このような工程液組成物で洗浄するステップを含むフォトレジストパターン形成方法は、生産費用を大きく節減させることができるという効果を示す。
実施例１によるフォトレジストパターンのリフティング評価結果を示す。 比較例１によるフォトレジストパターンのリフティング評価結果を示す。
以下、本発明をより詳細に説明する。
長期間の数多くの研究によって開発された本発明は、「フッ素アクリルカルボキシレート（Ｆｌｕｏｒｏａｃｒｙｌ ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ）、フッ素アルキルエーテル（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｅｔｈｅｒ）、フッ素アルキレンエーテル（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌｅｎｅ ｅｔｈｅｒ）、フッ素アルキルサルフェート（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｓｕｌｆａｔｅ）、フッ素アルキルホスフェート（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）、フッ素アクリルコポリマー（Ｆｌｕｏｒｏａｃｒｙｌ ｃｏ－ｐｏｌｙｍｅｒ）、フッ素コポリマー（Ｆｌｕｏｒｏ ｃｏ－ｐｏｌｙｍｅｒ）、過フッ素化酸（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ａｃｉｄ）、過フッ素化カルボン酸塩（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ）、過フッ素化スルホン酸塩（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）、又はこれらの混合物よりなる群から選択されるものであるフッ素系界面活性剤０．００００１～０．０１重量％；ビス（１，１，２，２，３，３，３－ヘプタフルオロ－１－プロパンスルホニル）イミド、ビス（１，１，２，２，３，３，４，４，４－ノナフルオロ－１－ブタンスルホニル）イミド、１，１，２，２，３，３－ヘキサフルオロプロパン－１，３－ジスルホニルイミド、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、又はこれらの混合物よりなる群から選択されるものである、化学式（１）で表されたパターン強化剤０．００００１～０．００５重量％；Ｃ３～Ｃ１０からなるトリオール誘導体物質として１，２，３－プロパントリオール、１，２，４－ブタントリオール、１，１，４－ブタントリオール、１，３，５－ペンタントリオール、１，２，５－ペンタントリオール、２，３，４－ペンタントリオール、１，２，３－ヘキサントリオール、１，２，６－ヘキサントリオール、１，３，４－ヘキサントリオール、１，４，５－ヘキサントリオール、２，３，４－ヘキサントリオール、１，２，３－ヘプタントリオール、１，２，４－ヘプタントリオール、１，２，６－ヘプタントリオール、１，３，５－ヘプタントリオール、１，４，７－ヘプタントリオール、２，３，４－ヘプタントリオール、２，４，６－ヘプタントリオール、１，２，８－オクタントリオール、１，３，５－オクタントリオール、１，４，７－オクタントリオール、ブタン－１，１，１－トリオール、２－メチル－１，２，３－プロパントリオール、５－メチルヘキサン－１，２，３－トリオール，２，６－ジメチル－３－ヘプテン－２，４，６－トリオール、ベンゼン－１，３，５－トリオール、２－メチル－ベンゼン－１，２，３－トリオール、５－メチル－ベンゼン－１，２，３－トリオール、２，４，６－トリメチルベンゼン－１，３，５－トリオール、ナフタレン－１，４，５－トリオール、５，６，７，８－テトラヒドロナフタレン－１，６，７－トリオール、５－ヒドロメチルベンゼン－１，２，３－トリオール、５－イソプロピル－２－メチル－５－シクロヘキセン－１，２，４－トリオール、４－イソプロピル－４－シクロヘキセン－１，２，３－トリオール、Ｃ４～Ｃ１４からなるテトラオール誘導体物質として１，２，３，４－ブタンテトラオール、１，２，３，４－ペンタンテトラオール、１，２，４，５－ペンタンテトラオール、１，２，３，４－ヘキサンテトラオール、１，２，３，５－ヘキサンテトラオール、１，２，３，６－ヘキサンテトラオール、１，２，４，５－ヘキサンテトラオール、１，２，４，６－ヘキサンテトラオール、１，２，５，６－ヘキサンテトラオール、１，３，４，５－ヘキサンテトラオール、１，３，４，６－ヘキサンテトラオール、２，３，４，５－ヘキサンテトラオール、１，２，６，７－ヘプタンテトラオール、２，３，４，５－ヘプタンテトラオール、１，１，１，２－オクタンテトラオール、１，２，７，８－オクタンテトラオール、１，２，３，８－オクタンテトラオール、１，３，５，７－オクタンテトラオール、２，３，５，７－オクタンテトラオール、４，５，６，７－オクタンテトラオール、３，７－ジメチル－３－オクテン－１，２，６，７－テトラオール、３－ヘキシン－１，２，５，６－テトラオール、２，５－ジメチル－３－ヘキシン－１，２，５，６－テトラオール、アントラセン－１，４，９，１０－テトラオール、又はこれらの混合物よりなる群から選択されるものであるトリオール誘導体又はテトラオール誘導体単独又は混合物０．００００１～０．０１重量％；及び残量の水から構成される、フォトレジストパターンのリフティング欠陥改善用工程液組成物」に関するものであり、このような本発明の工程液組成物の組成成分及び組成比を実施例１～実施例６５として設定し、これと対比される組成成分及び組成比を比較例１～比較例１９として設定した。
［発明の実施のための形態］
以下、本発明の好適な実施例及びこれと比較するための比較例を説明する。ところが、下記実施例は、本発明の好適な一実施例に過ぎず、本発明を限定するものではない。
［実施例１］
フッ素アクリルカルボキシレート０．００１重量％、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド０．０００１重量％、１，２，３－プロパントリオール０．００１重量％が含まれた、フォトレジストパターンの崩壊レベルを改善するための極紫外線フォトリソグラフィー用工程液組成物を、次の方法で製造した。
フッ素アクリルカルボキシレート０．００１重量％、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド０．０００１重量％、１，２，３－プロパントリオール０．００１重量％を残量の蒸留水に投入して６時間攪拌した後、微細固形分不純物を除去するために０．０１μｍのフィルターに通過させることにより、フォトレジストパターンの欠陥レベルを改善するための工程液組成物を製造した。
［実施例２～実施例６５］
表１～表１６に記載されている組成によって、実施例１と同様の方法でフォトレジストパターンの欠陥レベルを改善するための工程液組成物を製造した。
［比較例１］
一般的に、半導体素子製造工程中の現像工程の最終洗浄液として使用される蒸留水を準備した。
［比較例２～比較例１９］
表１～表１６に記載されている組成によって、実施例と比較するために実施例１と同様の方法で工程液組成物を製造した。
［実験例１～実験例６５、比較実験例１～比較実験例１９］
化学的増幅ＰＨＳアクリレートハイドレートハイブリッドＥＵＶレジストを１２インチのシリコンウェーハ（ＳＫ Ｓｉｌｔｒｏｎ製）上でスピンコートし、１１０℃で６０秒間ソフトベーキングして厚さ４０ｎｍのレジスト膜を形成した。ウェーハ上のレジスト膜を、サイズ１８ｎｍ（ライン：スペース＝１：１）のマスクを介してＥＵＶ露光装置で露光し、ウェーハを１１０℃で６０秒間ベーキング（ＰＥＢ）した。そして、レジスト膜を２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液で４０秒間パドル－現像した。脱イオン水（ＤＩ ｗａｔｅｒ）をウェーハ上の現像剤のパドル（ｐｕｄｄｌｅ）内に注ぎ（ｐｏｕｒｉｎｇ）、注ぎ続けながらウェーハを回転させて現像剤を脱イオン水に変え、ウェーハの回転を脱イオン水によってパドル状態（ｐｕｄｄｌｅｄ ｓｔａｔｅ）で停止させた。後続的に、実験例１～実験例６５、比較例２～比較例１９のリンス組成物をウェーハ上の脱イオン水のパドル内に導入し、ウェーハを高速で回転させてこれを乾燥させた。
このとき、実施例１～実施例６５及び比較例１～比較例１９で製造された工程液を用いて、パターンが形成されたシリコンウェーハに対してパターンリフティング欠陥を測定して実験例１～実験例６５、比較実験例１～比較実験例１９に示し、その結果を表１７に記載した。
（１）パターンリフティング防止の確認
露光エネルギーをスプリットした後、ＣＤ－ＳＥＭ（ｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ ｓｃａｎｎｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、日立製作所製）を用いて、全体ブロック（ｂｌｏｃｋ）８９個のうちパターンが崩れていないブロックの数を測定した。
（２）透明度
製造された工程液組成物の透明度を肉眼で確認して透明又は不透明で表示した。

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Figure 2023536971000004

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Figure 2023536971000009

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Figure 2023536971000017

Figure 2023536971000018
［実験例１～実験例６５、比較実験例１～比較実験例１９］
実施例１～実施例６５及び比較例１～比較例１９でパターンが形成されたシリコンウェーハに対してパターンリフティング欠陥レベル及び透明度を測定して実験例１～実験例６５、比較実験例１～比較実験例１９に示し、その結果を表１７に記載した。
（１）パターンリフティング防止の確認
露光エネルギーをスプリットした後、ＣＤ－ＳＥＭ（日立製作所製）を用いて、全体ブロック（ｂｌｏｃｋ）８９個のうちパターンが崩れていないブロックの数を測定した。
（２）透明度
製造された工程液組成物の透明度を肉眼で確認して透明又は不透明で表示した。

長期間の研究結果に基づいて実験例１～実験例６５と比較実験例１～比較実験例１９を比較した結果、全体ブロック数８９個のうち、パターン崩壊のないブロックの数が６０個以上であれば、優れた結果を示すことが明らかになった。
実験例１～実験例６５に該当する工程液組成物であるフッ素アクリルカルボキシレート（Ｆｌｕｏｒｏａｃｒｙｌ ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ）、フッ素アルキルエーテル（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｅｔｈｅｒ）、フッ素アルキレンエーテル（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌｅｎｅ ｅｔｈｅｒ）、フッ素アルキルサルフェート（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｓｕｌｆａｔｅ）、フッ素アルキルホスフェート（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）、フッ素アクリルコポリマー（Ｆｌｕｏｒｏａｃｒｙｌ ｃｏ－ｐｏｌｙｍｅｒ）、フッ素コポリマー（Ｆｌｕｏｒｏ ｃｏ－ｐｏｌｙｍｅｒ）、過フッ素化酸（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ａｃｉｄ）、過フッ素化カルボン酸塩（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ）、過フッ素化スルホン酸塩（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）の中から選択されたフッ素系界面活性剤０．００００１～０．０１重量％；ビス（１，１，２，２，３，３，３－ヘプタフルオロ－１－プロパンスルホニル）イミド、ビス（１，１，２，２，３，３，４，４，４－ノナフルオロ－１－ブタンスルホニル）イミド、１，１，２，２，３，３－ヘキサフルオロプロパン－１，３－ジスルホニルイミド、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドの中から選択された、化学式（１）で表されたパターン強化剤０．００００１～０．００５重量％；Ｃ３～Ｃ１０からなるトリオール誘導体物質として１，２，３－プロパントリオール、１，２，４－ブタントリオール、１，１，４－ブタントリオール、１，３，５－ペンタントリオール、１，２，５－ペンタントリオール、２，３，４－ペンタントリオール、１，２，３－ヘキサントリオール、１，２，６－ヘキサントリオール、１，３，４－ヘキサントリオール、１，４，５－ヘキサントリオール、２，３，４－ヘキサントリオール、１，２，３－ヘプタントリオール、１，２，４－ヘプタントリオール、１，２，６－ヘプタントリオール、１，３，５－ヘプタントリオール、１，４，７－ヘプタントリオール、２，３，４－ヘプタントリオール、２，４，６－ヘプタントリオール、１，２，８－オクタントリオール、１，３，５－オクタントリオール、１，４，７－オクタントリオール、ブタン－１，１，１－トリオール、２－メチル－１，２，３－プロパントリオール、５－メチルヘキサン－１，２，３－トリオール，２，６－ジメチル－３－ヘプテン－２，４，６－トリオール、ベンゼン－１，３，５－トリオール、２－メチル－ベンゼン－１，２，３－トリオール、５－メチル－ベンゼン－１，２，３－トリオール、２，４，６－トリメチルベンゼン－１，３，５－トリオール、ナフタレン－１，４，５－トリオール、５，６，７，８－テトラヒドロナフタレン－１，６，７－トリオール、５－ヒドロメチルベンゼン－１，２，３－トリオール、５－イソプロピル－２－メチル－５－シクロヘキセン－１，２，４－トリオール、４－イソプロピル－４－シクロヘキセン－１，２，３－トリオール、Ｃ４～Ｃ１４からなるテトラオール誘導体物質として１，２，３，４－ブタンテトラオール、１，２，３，４－ペンタンテトラオール、１，２，４，５－ペンタンテトラオール、１，２，３，４－ヘキサンテトラオール、１，２，３，５－ヘキサンテトラオール、１，２，３，６－ヘキサンテトラオール、１，２，４，５－ヘキサンテトラオール、１，２，４，６－ヘキサンテトラオール、１，２，５，６－ヘキサンテトラオール、１，３，４，５－ヘキサンテトラオール、１，３，４，６－ヘキサンテトラオール、２，３，４，５－ヘキサンテトラオール、１，２，６，７－ヘプタンテトラオール、２，３，４，５－ヘプタンテトラオール、１，１，１，２－オクタンテトラオール、１，２，７，８－オクタンテトラオール、１，２，３，８－オクタンテトラオール、１，３，５，７－オクタンテトラオール、２，３，５，７－オクタンテトラオール、４，５，６，７－オクタンテトラオール、３，７－ジメチル－３－オクテン－１，２，６，７－テトラオール、３－ヘキシン－１，２，５，６－テトラオール、２，５－ジメチル－３－ヘキシン－１，２，５，６－テトラオール、アントラセン－１，４，９，１０－テトラオール又はこれらの混合物よりなる群から選択されるものであるトリオール誘導体又はテトラオール誘導体物質単独又は混合物０．００００１～０．０１重量％；及び水９９．９７～９９．９９９９７重量％から構成される工程液組成物の場合、比較実験例１～比較実験例１９と比較したとき、パターンリフティング欠陥が改善されたことを確認することができた。
また、実験例１～実施例６５に該当する工程液組成物のうち、フッ素アクリルカルボキシレート（Ｆｌｕｏｒｏａｃｒｙｌ ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ）、フッ素アルキルエーテル（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｅｔｈｅｒ）、フッ素アルキレンエーテル（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌｅｎｅ ｅｔｈｅｒ）、フッ素アルキルサルフェート（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｓｕｌｆａｔｅ）、フッ素アルキルホスフェート（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）、フッ素アクリルコポリマー（Ｆｌｕｏｒｏａｃｒｙｌ ｃｏ－ｐｏｌｙｍｅｒ）、フッ素コポリマー（Ｆｌｕｏｒｏ ｃｏ－ｐｏｌｙｍｅｒ）、過フッ素化酸（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ａｃｉｄ）、過フッ素化カルボン酸塩（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ）、過フッ素化スルホン酸塩（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）の中から選択されたフッ素系界面活性剤０．０００１～０．０１重量％；ビス（１，１，２，２，３，３，３－ヘプタフルオロ－１－プロパンスルホニル）イミド、ビス（１，１，２，２，３，３，４，４，４－ノナフルオロ－１－ブタンスルホニル）イミド、１，１，２，２，３，３－ヘキサフルオロプロパン－１，３－ジスルホニルイミド、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドの中から選択された、化学式（１）で表されたパターン強化剤０．００００１～０．００５重量％；Ｃ３～Ｃ１０からなるトリオール誘導体物質として１，２，３－プロパントリオール、１，２，４－ブタントリオール、１，１，４－ブタントリオール、１，３，５－ペンタントリオール、１，２，５－ペンタントリオール、２，３，４－ペンタントリオール、１，２，３－ヘキサントリオール、１，２，６－ヘキサントリオール、１，３，４－ヘキサントリオール、１，４，５－ヘキサントリオール、２，３，４－ヘキサントリオール、１，２，３－ヘプタントリオール、１，２，４－ヘプタントリオール、１，２，６－ヘプタントリオール、１，３，５－ヘプタントリオール、１，４，７－ヘプタントリオール、２，３，４－ヘプタントリオール、２，４，６－ヘプタントリオール、１，２，８－オクタントリオール、１，３，５－オクタントリオール、１，４，７－オクタントリオール、ブタン－１，１，１－トリオール、２－メチル－１，２，３－プロパントリオール、５－メチルヘキサン－１，２，３－トリオール，２，６－ジメチル－３－ヘプテン－２，４，６－トリオール、ベンゼン－１，３，５－トリオール、２－メチル－ベンゼン－１，２，３－トリオール、５－メチル－ベンゼン－１，２，３－トリオール、２，４，６－トリメチルベンゼン－１，３，５－トリオール、ナフタレン－１，４，５－トリオール、５，６，７，８－テトラヒドロナフタレン－１，６，７－トリオール、５－ヒドロメチルベンゼン－１，２，３－トリオール、５－イソプロピル－２－メチル－５－シクロヘキセン－１，２，４－トリオール、４－イソプロピル－４－シクロヘキセン－１，２，３－トリオール、Ｃ４～Ｃ１４からなるテトラオール誘導体物質として１，２，３，４－ブタンテトラオール、１，２，３，４－ペンタンテトラオール、１，２，４，５－ペンタンテトラオール、１，２，３，４－ヘキサンテトラオール、１，２，３，５－ヘキサンテトラオール、１，２，３，６－ヘキサンテトラオール、１，２，４，５－ヘキサンテトラオール、１，２，４，６－ヘキサンテトラオール、１，２，５，６－ヘキサンテトラオール、１，３，４，５－ヘキサンテトラオール、１，３，４，６－ヘキサンテトラオール、２，３，４，５－ヘキサンテトラオール、１，２，６，７－ヘプタンテトラオール、２，３，４，５－ヘプタンテトラオール、１，１，１，２－オクタンテトラオール、１，２，７，８－オクタンテトラオール、１，２，３，８－オクタンテトラオール、１，３，５，７－オクタンテトラオール、２，３，５，７－オクタンテトラオール、４，５，６，７－オクタンテトラオール、３，７－ジメチル－３－オクテン－１，２，６，７－テトラオール、３－ヘキシン－１，２，５，６－テトラオール、２，５－ジメチル－３－ヘキシン－１，２，５，６－テトラオール、アントラセン－１，４，９，１０－テトラオール又はこれらの混合物よりなる群から選択されるものであるトリオール誘導体又はテトラオール誘導体物質単独又は混合物０．００００１～０．０１重量％；及び水９９．９７～９９．９９９８８重量％から構成される工程液組成物の場合、比較実験例１～比較実験例１９と比較したとき、パターンリフティング欠陥改善効果が好ましく増加することを確認することができた。
そして、実験例１～実験例６５に該当する工程液組成物のうち、フッ素アクリルカルボキシレート（Ｆｌｕｏｒｏａｃｒｙｌ ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ）、フッ素アルキルエーテル（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｅｔｈｅｒ）、フッ素アルキレンエーテル（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌｅｎｅ ｅｔｈｅｒ）、フッ素アルキルサルフェート（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｓｕｌｆａｔｅ）、フッ素アルキルホスフェート（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）、フッ素アクリルコポリマー（Ｆｌｕｏｒｏａｃｒｙｌ ｃｏ－ｐｏｌｙｍｅｒ）、フッ素コポリマー（Ｆｌｕｏｒｏ ｃｏ－ｐｏｌｙｍｅｒ）、過フッ素化酸（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ａｃｉｄ）、過フッ素化カルボン酸塩（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ）、過フッ素化スルホン酸塩（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）の中から選択されたフッ素系界面活性剤０．００１～０．０１重量％；ビス（１，１，２，２，３，３，３－ヘプタフルオロ－１－プロパンスルホニル）イミド、ビス（１，１，２，２，３，３，４，４，４－ノナフルオロ－１－ブタンスルホニル）イミド、１，１，２，２，３，３－ヘキサフルオロプロパン－１，３－ジスルホニルイミド、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドの中から選択された、化学式（１）で表されたパターン強化剤０．００００１～０．００５重量％；Ｃ３～Ｃ１０からなるトリオール誘導体物質として１，２，３－プロパントリオール、１，２，４－ブタントリオール、１，１，４－ブタントリオール、１，３，５－ペンタントリオール、１，２，５－ペンタントリオール、２，３，４－ペンタントリオール、１，２，３－ヘキサントリオール、１，２，６－ヘキサントリオール、１，３，４－ヘキサントリオール、１，４，５－ヘキサントリオール、２，３，４－ヘキサントリオール、１，２，３－ヘプタントリオール、１，２，４－ヘプタントリオール、１，２，６－ヘプタントリオール、１，３，５－ヘプタントリオール、１，４，７－ヘプタントリオール、２，３，４－ヘプタントリオール、２，４，６－ヘプタントリオール、１，２，８－オクタントリオール、１，３，５－オクタントリオール、１，４，７－オクタントリオール、ブタン－１，１，１－トリオール、２－メチル－１，２，３－プロパントリオール、５－メチルヘキサン－１，２，３－トリオール，２，６－ジメチル－３－ヘプテン－２，４，６－トリオール、ベンゼン－１，３，５－トリオール、２－メチル－ベンゼン－１，２，３－トリオール、５－メチル－ベンゼン－１，２，３－トリオール、２，４，６－トリメチルベンゼン－１，３，５－トリオール、ナフタレン－１，４，５－トリオール、５，６，７，８－テトラヒドロナフタレン－１，６，７－トリオール、５－ヒドロメチルベンゼン－１，２，３－トリオール、５－イソプロピル－２－メチル－５－シクロヘキセン－１，２，４－トリオール、４－イソプロピル－４－シクロヘキセン－１，２，３－トリオール、Ｃ４～Ｃ１４からなるテトラオール誘導体物質として１，２，３，４－ブタンテトラオール、１，２，３，４－ペンタンテトラオール、１，２，４，５－ペンタンテトラオール、１，２，３，４－ヘキサンテトラオール、１，２，３，５－ヘキサンテトラオール、１，２，３，６－ヘキサンテトラオール、１，２，４，５－ヘキサンテトラオール、１，２，４，６－ヘキサンテトラオール、１，２，５，６－ヘキサンテトラオール、１，３，４，５－ヘキサンテトラオール、１，３，４，６－ヘキサンテトラオール、２，３，４，５－ヘキサンテトラオール、１，２，６，７－ヘプタンテトラオール、２，３，４，５－ヘプタンテトラオール、１，１，１，２－オクタンテトラオール、１，２，７，８－オクタンテトラオール、１，２，３，８－オクタンテトラオール、１，３，５，７－オクタンテトラオール、２，３，５，７－オクタンテトラオール、４，５，６，７－オクタンテトラオール、３，７－ジメチル－３－オクテン－１，２，６，７－テトラオール、３－ヘキシン－１，２，５，６－テトラオール、２，５－ジメチル－３－ヘキシン－１，２，５，６－テトラオール、アントラセン－１，４，９，１０－テトラオール又はこれらの混合物よりなる群から選択されるものであるトリオール誘導体又はテトラオール誘導体物質単独又は混合物０．００００１～０．０１重量％；及び水９９．９７～９９．９９８９８重量％から構成される工程液組成物の場合、比較実験例１～比較実験例１９と比較したとき、パターンリフティング欠陥改善効果がさらに好ましく増加することを確認することができた。
一方、実験例１～実験例６５に該当する工程液組成物のうち、フッ素アクリルカルボキシレート（Ｆｌｕｏｒｏａｃｒｙｌ ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ）、フッ素アルキルエーテル（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｅｔｈｅｒ）、フッ素アルキレンエーテル（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌｅｎｅ ｅｔｈｅｒ）、フッ素アルキルサルフェート（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｓｕｌｆａｔｅ）、フッ素アルキルホスフェート（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）、フッ素アクリルコポリマー（Ｆｌｕｏｒｏａｃｒｙｌ ｃｏ－ｐｏｌｙｍｅｒ）、フッ素コポリマー（Ｆｌｕｏｒｏ ｃｏ－ｐｏｌｙｍｅｒ）、過フッ素化酸（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ａｃｉｄ）、過フッ素化カルボン酸塩（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ）、過フッ素化スルホン酸塩（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）の中から選択されたフッ素系界面活性剤０．００１～０．０１重量％；ビス（１，１，２，２，３，３，３－ヘプタフルオロ－１－プロパンスルホニル）イミド、ビス（１，１，２，２，３，３，４，４，４－ノナフルオロ－１－ブタンスルホニル）イミド、１，１，２，２，３，３－ヘキサフルオロプロパン－１，３－ジスルホニルイミド、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドの中から選択された、化学式（１）で表されたパターン強化剤０．０００１～０．００５重量％；Ｃ３～Ｃ１０からなるトリオール誘導体物質として１，２，３－プロパントリオール、１，２，４－ブタントリオール、１，１，４－ブタントリオール、１，３，５－ペンタントリオール、１，２，５－ペンタントリオール、２，３，４－ペンタントリオール、１，２，３－ヘキサントリオール、１，２，６－ヘキサントリオール、１，３，４－ヘキサントリオール、１，４，５－ヘキサントリオール、２，３，４－ヘキサントリオール、１，２，３－ヘプタントリオール、１，２，４－ヘプタントリオール、１，２，６－ヘプタントリオール、１，３，５－ヘプタントリオール、１，４，７－ヘプタントリオール、２，３，４－ヘプタントリオール、２，４，６－ヘプタントリオール、１，２，８－オクタントリオール、１，３，５－オクタントリオール、１，４，７－オクタントリオール、ブタン－１，１，１－トリオール、２－メチル－１，２，３－プロパントリオール、５－メチルヘキサン－１，２，３－トリオール，２，６－ジメチル－３－ヘプテン－２，４，６－トリオール、ベンゼン－１，３，５－トリオール、２－メチル－ベンゼン－１，２，３－トリオール、５－メチル－ベンゼン－１，２，３－トリオール、２，４，６－トリメチルベンゼン－１，３，５－トリオール、ナフタレン－１，４，５－トリオール、５，６，７，８－テトラヒドロナフタレン－１，６，７－トリオール、５－ヒドロメチルベンゼン－１，２，３－トリオール、５－イソプロピル－２－メチル－５－シクロヘキセン－１，２，４－トリオール、４－イソプロピル－４－シクロヘキセン－１，２，３－トリオール、Ｃ４～Ｃ１４からなるテトラオール誘導体物質として１，２，３，４－ブタンテトラオール、１，２，３，４－ペンタンテトラオール、１，２，４，５－ペンタンテトラオール、１，２，３，４－ヘキサンテトラオール、１，２，３，５－ヘキサンテトラオール、１，２，３，６－ヘキサンテトラオール、１，２，４，５－ヘキサンテトラオール、１，２，４，６－ヘキサンテトラオール、１，２，５，６－ヘキサンテトラオール、１，３，４，５－ヘキサンテトラオール、１，３，４，６－ヘキサンテトラオール、２，３，４，５－ヘキサンテトラオール、１，２，６，７－ヘプタンテトラオール、２，３，４，５－ヘプタンテトラオール、１，１，１，２－オクタンテトラオール、１，２，７，８－オクタンテトラオール、１，２，３，８－オクタンテトラオール、１，３，５，７－オクタンテトラオール、２，３，５，７－オクタンテトラオール、４，５，６，７－オクタンテトラオール、３，７－ジメチル－３－オクテン－１，２，６，７－テトラオール、３－ヘキシン－１，２，５，６－テトラオール、２，５－ジメチル－３－ヘキシン－１，２，５，６－テトラオール、アントラセン－１，４，９，１０－テトラオール又はこれらの混合物よりなる群から選択されるものであるトリオール誘導体又はテトラオール誘導体物質単独又は混合物０．００００１～０．０１重量％；及び水９９．９７～９９．９９８８９重量％から構成される工程液組成物の場合、比較実験例１～比較実験例１９と比較したとき、パターンリフティング欠陥改善効果が好ましく増加することを確認することができた。
実施例１によるフォトレジストパターンの崩壊レベルを評価した結果は、図１に示されているように、パターン崩壊が起こらない区間（ｂｌｏｃｋ）の数が６８個と測定されて最も優れた効果を示した。
比較実験例１によるフォトレジストパターンの崩壊レベルを評価した結果は、図２に示されているように、パターン崩壊が起こらない区間（ｂｌｏｃｋ）の数が４０個と測定された。
以上、本発明の特定の部分を詳細に説明したが、当業分野における通常の知識を有する者にとって、このような具体的技術は、好適な実施形態に過ぎず、これにより本発明の範囲が制限されるものではないことは明らかであろう。よって、本発明の実質的な範囲は、請求項とそれらの等価物によって定義されるというべきである。

Claims (6)

  1. フッ素系界面活性剤０．００００１～０．０１重量％；
    化学式（１）の化合物又はこれらの混合物であるパターン強化剤０．００００１～０．０１重量％未満；
    トリオール誘導体、テトラオール誘導体又はこれらの混合物よりなる群から選択される物質０．００００１～０．０１重量％；及び
    残量の水；から構成されることを特徴とする、極紫外線フォトリソグラフィー用工程液組成物。
    Figure 2023536971000021
     ・・・（化学式（１））

    （式中、Ｘ、Ｙはフッ素、又はＣ１～Ｃ５のアルキルであり、
    ＸとＹは単結合を形成し、
    ｌは１～５であり、ｍは０～５であり、
    ｎは０～２である。）
  2. フッ素系界面活性剤０．０００１～０．０１重量％；
    化学式（１）の化合物又はこれらの混合物であるパターン強化剤０．００００１～０．００５重量％；
    トリオール誘導体、テトラオール誘導体又はこれらの混合物よりなる群から選択される物質０．００００１～０．０１重量％；及び
    残量の水；から構成されることを特徴とする、請求項１に記載の極紫外線フォトリソグラフィー用工程液組成物。
  3. 前記フッ素系界面活性剤は、
    フッ素アクリルカルボキシレート（Ｆｌｕｏｒｏａｃｒｙｌ ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ）、フッ素アルキルエーテル（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｅｔｈｅｒ）、フッ素アルキレンエーテル（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌｅｎｅ ｅｔｈｅｒ）、フッ素アルキルサルフェート（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｓｕｌｆａｔｅ）、フッ素アルキルホスフェート（Ｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）、フッ素アクリルコポリマー（Ｆｌｕｏｒｏａｃｒｙｌ ｃｏ－ｐｏｌｙｍｅｒ）、フッ素コポリマー（Ｆｌｕｏｒｏ ｃｏ－ｐｏｌｙｍｅｒ）、過フッ素化酸（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ａｃｉｄ）、過フッ素化カルボン酸塩（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ）、過フッ素化スルホン酸塩（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）、又はこれらの混合物よりなる群から選択されることを特徴とする、請求項１に記載の極紫外線フォトリソグラフィー用工程液組成物。
  4. 前記化学式（１）の化合物又はこれらの混合物であるパターン強化剤は、ビス（１，１，２，２，３，３，３－ヘプタフルオロ－１－プロパンスルホニル）イミド、ビス（１，１，２，２，３，３，４，４，４－ノナフルオロ－１－ブタンスルホニル）イミド、１，１，２，２，３，３－ヘキサフルオロプロパン－１，３－ジスルホニルイミド、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド又はこれらの混合物よりなる群から選択されることを特徴とする、請求項１に記載の極紫外線フォトリソグラフィー用工程液組成物。
  5. 前記トリオール誘導体及びテトラオール誘導体物質は、Ｃ３～Ｃ１０からなるトリオール誘導体物質として１，２，３－プロパントリオール、１，２，４－ブタントリオール、１，１，４－ブタントリオール、１，３，５－ペンタントリオール、１，２，５－ペンタントリオール、２，３，４－ペンタントリオール、１，２，３－ヘキサントリオール、１，２，６－ヘキサントリオール、１，３，４－ヘキサントリオール、１，４，５－ヘキサントリオール、２，３，４－ヘキサントリオール、１，２，３－ヘプタントリオール、１，２，４－ヘプタントリオール、１，２，６－ヘプタントリオール、１，３，５－ヘプタントリオール、１，４，７－ヘプタントリオール、２，３，４－ヘプタントリオール、２，４，６－ヘプタントリオール、１，２，８－オクタントリオール、１，３，５－オクタントリオール、１，４，７－オクタントリオール、ブタン－１，１，１－トリオール、２－メチル－１，２，３－プロパントリオール、５－メチルヘキサン－１，２，３－トリオール，２，６－ジメチル－３－ヘプテン－２，４，６－トリオール、ベンゼン－１，３，５－トリオール、２－メチル－ベンゼン－１，２，３－トリオール、５－メチル－ベンゼン－１，２，３－トリオール、２，４，６－トリメチルベンゼン－１，３，５－トリオール、ナフタレン－１，４，５－トリオール、５，６，７，８－テトラヒドロナフタレン－１，６，７－トリオール、５－ヒドロメチルベンゼン－１，２，３－トリオール、５－イソプロピル－２－メチル－５－シクロヘキセン－１，２，４－トリオール、４－イソプロピル－４－シクロヘキセン－１，２，３－トリオール、Ｃ４～Ｃ１４からなるテトラオール誘導体物質として１，２，３，４－ブタンテトラオール、１，２，３，４－ペンタンテトラオール、１，２，４，５－ペンタンテトラオール、１，２，３，４－ヘキサンテトラオール、１，２，３，５－ヘキサンテトラオール、１，２，３，６－ヘキサンテトラオール、１，２，４，５－ヘキサンテトラオール、１，２，４，６－ヘキサンテトラオール、１，２，５，６－ヘキサンテトラオール、１，３，４，５－ヘキサンテトラオール、１，３，４，６－ヘキサンテトラオール、２，３，４，５－ヘキサンテトラオール、１，２，６，７－ヘプタンテトラオール、２，３，４，５－ヘプタンテトラオール、１，１，１，２－オクタンテトラオール、１，２，７，８－オクタンテトラオール、１，２，３，８－オクタンテトラオール、１，３，５，７－オクタンテトラオール、２，３，５，７－オクタンテトラオール、４，５，６，７－オクタンテトラオール、３，７－ジメチル－３－オクテン－１，２，６，７－テトラオール、３－ヘキシン－１，２，５，６－テトラオール、２，５－ジメチル－３－ヘキシン－１，２，５，６－テトラオール、アントラセン－１，４，９，１０－テトラオール、又はこれらの混合物よりなる群から選択されることを特徴とする、請求項１に記載の極紫外線フォトリソグラフィー用工程液組成物。
  6. （ａ）半導体基板にフォトレジストを塗布し、膜を形成するステップと、
    （ｂ）前記フォトレジスト膜を露光した後、現像してパターンを形成するステップと、
    （ｃ）前記フォトレジストパターンを請求項１、３～５のいずれか一項に記載の極紫外線フォトリソグラフィー用工程液組成物で洗浄するステップと、を含んでなることを特徴とする、フォトレジストパターン形成方法。
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