JP2023518965A - 多層基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
電源電力、信号伝送以外の共通配線について、第一のビアポストが階段状に接続されるとともに貫通接続を行うことを採用することで、第一のビアポストの間に接続されるパッド(Pad)を省き、パッド(Pad)が配線基板の配線面積を占用することを回避することができ、それによって伝送配線の配線の利用可能な面積を増大させる。
開始層を選択し、前記開始層上に第一の配線パターンを有する第一の配線層を製造する工程S100と、
前記開始層と前記第一の配線層上に第一の貫通孔層を製造する工程S200であって、前記第一の貫通孔層は、第一のビアポストと、第二のビアポストとを含み、前記第一のビアポストは、前記第一の配線パターンの溝内に設けられており、前記第二のビアポストは、前記第一の配線パターン上に設けられている工程S200と、
誘電体材料を前記第一の貫通孔層上に積層して半積層体を得て、前記半積層体を薄化して前記第一のビアポストと前記第二のビアポストの端部を露出させ、少なくとも一つの前記第一のビアポスト又は前記第二のビアポストの端部をアライメントとしてのレジマークとする工程S300と、
前記半積層体を前記開始層から分離する工程S400と、
前記半積層体を新たな開始層として選択し、前記第一の配線層を製造する工程S100と前記レジマークとする工程S300を繰り返して複数の層を形成する工程S500であって、各層の半積層体の前記第一のビアポストは、前の層の半積層体の前記第一のビアポストに階段状に接続され、各層の半積層体の前記第二のビアポストは、次の層の半積層体の前記第一の配線パターンに接続される工程S500と、
最後の層の半積層体の外面に第二の配線パターンを有する第二の配線層を製造する工程S600であって、前記第二の配線パターンは、共通配線と、伝送配線とを含み、最後の層の半積層体の前記第一のビアポストは、前記共通配線に接続され、最後の層の半積層体の前記第二のビアポストは、前記伝送配線に接続される工程S600とを含む。
本発明の実施形態の製造方法は、少なくとも一つの前記第一のビアポスト又は前記第二のビアポストの端部をアライメントとしてのレジマークとし、位置合わせの精度を向上させることができ、各層の半積層体の第一のビアポストは、前の層の半積層体の第一のビアポストに階段状に接続され、各層の半積層体の第二のビアポストは、次の層の半積層体の配線パターンに接続され、多層基板を成形した後、異なる層の間の第一のビアポストは、共通配線に階段状に貫通に接続され、異なる層の第一のビアポストの間に接続されたパッド(Pad)を省くことができ、それによって伝送配線の配線の利用可能な面積を増大させる。
開始層を選択する工程S110と、
前記開始層上に第一のシード層を製造する工程S120と、
前記第一のシード層上に第一のフォトレジスト層を加工する工程S130と、
前記第一のフォトレジスト層を露光及び現像して第一の特徴パターンを形成する工程S140と、
前記第一の特徴パターンに金属を電気めっきして前記第一の配線層を形成する工程S150と、
前記第一のフォトレジスト層を除去する工程S160とを含む。
前記開始層と前記第一の配線層上に第二のフォトレジスト層を加工する工程S210と、
前記第二のフォトレジスト層を露光及び現像して第二の特徴パターンを形成する工程S220と、
前記第二の特徴パターンに金属を電気めっきして前記第一の貫通孔層を形成する工程S230と、
前記第二のフォトレジスト層を除去する工程S240とを含む。
前記開始層上に第一の粘着金属層を製造する工程S121と、
前記第一の粘着金属層上に前記第一のシード層を製造する工程S122とを含む。
本発明の上記及び/又は更なる方面及び利点は、以下の図面を参照しながら実施形態を説明することによって明瞭に且つ理解しやすくなる。
工程S100において、開始層を選択し、開始層上に第一の配線パターンを有する第一の配線層211を製造する。具体的には、工程S100は、以下の工程S110~工程S160を含む。
工程S110において、開始層を選択する。
工程S121において、開始層上に第一の粘着金属層410を製造する。
工程S210において、開始層と第一の配線層211上に第二のフォトレジスト層520を加工する。
工程S511において、図8を参照して、工程S110に従って、開始層から分離した半積層体を新たな開始層として選択する。本実施形態は、片面製造であり、そのため、半積層体の第一の面に第三のフォトレジスト層530を加工する。
工程S610において、図12を参照して、本実施形態では、片面製造を例に説明したため、第一の層の半積層体の表面に第四のフォトレジスト層540を加工した後、最後の層の半積層体の下面に第二の粘着金属層を堆積する。第二の粘着金属層は、物理蒸着又は化学めっきの堆積方法で堆積可能であり、第二の粘着金属層の材料は、Ti、Ta、W、Ni、Cr、Pt、AlとCuのうちの少なくとも一つである。
Claims (10)
- 順で積層された複数の誘電体層(214)と、
先端又は基端の前記誘電体層(214)上に設けられた共通配線(231)と、
対応する前記誘電体層(214)内にそれぞれ嵌め込まれた複数の第一のビアポスト(212)であって、複数の前記第一のビアポスト(212)は、階段状に接続されるとともに前記共通配線(231)に接続される、複数の第一のビアポスト(212)とを含む、ことを特徴とする多層基板。 - 隣り合う層の前記第一のビアポスト(212)の間には、第一のシード層(420)が設けられており、及び/又は前記第一のビアポスト(212)と前記共通配線(231)との間には、第二のシード層(430)が設けられている、ことを特徴とする請求項1に記載の多層基板。
- 前記第一のシード層(420)と前記第二のシード層(430)の材料は、Ni、Au、Cu又はPdのうちの少なくとも一つである、ことを特徴とする請求項2に記載の多層基板。
- 前記第一のシード層(420)と前記誘電体層(214)との間には、第一の粘着金属層が設けられており、及び/又は、前記第二のシード層(430)と前記誘電体層(214)との間には、第二の粘着金属層が設けられている、ことを特徴とする請求項2又は3に記載の多層基板。
- 前記第一の粘着金属層と前記第二の粘着金属層の材料は、Ti、Ta、W、Ni、Cr、Pt、AlとCuのうちの少なくとも一つである、ことを特徴とする請求項4に記載の多層基板。
- X-Y平面内における前記第一のビアポスト(212)の投影形状は、円形又は方形である、ことを特徴とする請求項1に記載の多層基板。
- 開始層を選択し、前記開始層上に第一の配線パターンを有する第一の配線層(211)を製造する工程(S100)と、
前記開始層と前記第一の配線層(211)上に第一の貫通孔層を製造する工程(S200)であって、前記第一の貫通孔層は、第一のビアポスト(212)と、第二のビアポスト(213)とを含み、前記第一のビアポスト(212)は、前記第一の配線パターンの溝内に設けられており、前記第二のビアポスト(213)は、前記第一の配線パターン上に設けられている工程(S200)と、
誘電体材料を前記第一の貫通孔層上に積層して半積層体を得て、前記半積層体を薄化して前記第一のビアポスト(212)と前記第二のビアポスト(213)の端部を露出させ、少なくとも一つの前記第一のビアポスト(212)又は前記第二のビアポスト(213)の端部をアライメントとしてのレジマークとする工程(S300)と、
前記半積層体を前記開始層から分離する工程(S400)と、
前記半積層体を新たな開始層として選択し、前記第一の配線層(211)を製造する工程(S100)と前記レジマークとする工程(S300)を繰り返して複数の層を形成する工程(S500)であって、各層の半積層体の前記第一のビアポスト(212)は、前の層の半積層体の前記第一のビアポスト(212)に階段状に接続され、各層の半積層体の前記第二のビアポスト(213)は、次の層の半積層体の前記第一の配線パターンに接続される工程(S500)と、
最後の層の半積層体の外面に第二の配線パターンを有する第二の配線層を製造する工程(S600)であって、前記第二の配線パターンは、共通配線(231)と、伝送配線(232)とを含み、最後の層の半積層体の前記第一のビアポスト(212)は、前記共通配線(231)に接続され、最後の層の半積層体の前記第二のビアポスト(213)は、前記伝送配線(232)に接続される工程(S600)とを含む、ことを特徴とする多層基板の製造方法。 - 前記第一の配線層(211)を製造する工程(S100)は、具体的には、
開始層を選択する工程(S110)と、
前記開始層上に第一のシード層(420)を製造する工程(S120)と、
前記第一のシード層(420)上に第一のフォトレジスト層(510)を加工する工程(S130)と、
前記第一のフォトレジスト層(510)を露光及び現像して第一の特徴パターンを形成する工程(S140)と、
前記第一の特徴パターンに金属を電気めっきして前記第一の配線層(211)を形成する工程(S150)と、
前記第一のフォトレジスト層(510)を除去する工程(S160)とを含む、ことを特徴とする請求項7に記載の多層基板の製造方法。 - 前記第一の貫通孔層を製造する工程(S200)は、具体的には、
前記開始層と前記第一の配線層(211)上に第二のフォトレジスト層(520)を加工する工程(S210)と、
前記第二のフォトレジスト層(520)を露光及び現像して第二の特徴パターンを形成する工程(S220)と、
前記第二の特徴パターンに金属を電気めっきして前記第一の貫通孔層を形成する工程(S230)と、
前記第二のフォトレジスト層(520)を除去する工程(S240)とを含む、ことを特徴とする請求項7又は8に記載の多層基板の製造方法。 - 前記第一のシード層(420)を製造する工程(S120)は、具体的には、
前記開始層上に第一の粘着金属層(410)を製造する工程(S121)と、
前記第一の粘着金属層(410)上に前記第一のシード層(420)を製造する工程(S122)とを含む、ことを特徴とする請求項8に記載の多層基板の製造方法。
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