JP2023181048A

JP2023181048A - Substrate processor

Info

Publication number: JP2023181048A
Application number: JP2022152834A
Authority: JP
Inventors: 滋山本; Shigeru Yamamoto; 敬次岩田; Keiji Iwata; 陽祐西野; Yosuke Nishino; 建治枝光; Kenji Edamitsu; 侑哉川井; Yuya Kawai; 和樹合田; Kazuki Aida; 大樹藤井; Daiki Fujii
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd
Priority date: 2022-06-10
Filing date: 2022-09-26
Publication date: 2023-12-21

Abstract

To provide a substrate processor which can prevent attachment of particles.SOLUTION: A substrate processor 1 includes: a processing tank 2; a chamber 3 surrounding the processing tank 2; solvent vapor nozzles 31 and 32 provided in the chamber 3, the nozzles being arranged above the processing tank 2; an air exhaustion pump 51 for exhausting air from the chamber 3 from an air exhaustion port 47 arranged lower than an upper surface of the processing tank 2; a substrate holding unit 5 having a holding member 7 and a back plate 9 and being movable from a position H2 in the processing tank 2 in the chamber 3 to a position H1 above the processing tank 2, the holding member 7 holding a plurality of substrates W arranged in a line to face one another in a vertical attitude at specific intervals and the back plate 9 supporting a base end part 7B of the holding member 7; and a shield plate 71 provided between an end substrate WT, which is the most distant from the back plate 9 of the substrates W, and a side wall 3A of the chamber 3, to which an end part 7A side of the holding member 7 faces, while the substrate holding unit 5 is in the position H1 above the processing tank 2.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、基板を処理するための基板処理装置に関する。基板は、例えば、半導体基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）用の基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが挙げられる。ＦＰＤは、例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などが挙げられる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate. Examples of the substrate include semiconductor substrates, FPD (Flat Panel Display) substrates, photomask glass substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, ceramic substrates, and solar cell substrates. Examples of the FPD include a liquid crystal display device and an organic EL (electroluminescence) display device.

従来の基板処理装置は、鉛直姿勢の複数の基板を保持する基板保持部と、純水を貯留し、基板保持部で保持された複数の基板を収容する処理槽と、処理槽を囲うチャンバと、チャンバ内に溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気ノズルと、チャンバ内を排気する排気ポンプと、を備えている（例えば、特許文献１参照）。 A conventional substrate processing apparatus includes a substrate holder that holds a plurality of substrates in a vertical position, a processing tank that stores pure water and accommodates the plurality of substrates held by the substrate holder, and a chamber that surrounds the processing tank. , a solvent vapor nozzle that supplies solvent vapor into the chamber, and an exhaust pump that evacuates the inside of the chamber (for example, see Patent Document 1).

なお、特許文献２の基板処理装置は、外槽内に設けられた遮蔽部材（板状部材）を備える。この遮蔽部材は、ドライエアの露点を低く保つために外槽上でドライエアが多量の水分を含むことを防止する。 Note that the substrate processing apparatus of Patent Document 2 includes a shielding member (plate-like member) provided within the outer tank. This shielding member prevents the dry air from containing a large amount of moisture on the outer tank in order to keep the dew point of the dry air low.

特開２０１５－０７０１４８号公報Japanese Patent Application Publication No. 2015-070148 特開２００６－２７８７３６号公報JP2006-278736A

しかしながら、従来の基板処理装置は、特定の基板で多くのパーティクルが付着するという問題を有する。例えば、チャンバ内において、複数の基板が処理槽の上方に位置する時に、排気ポンプによりチャンバ下部に設けられた排気口を介してチャンバ内を排気するとする。この場合、基板保持部の保持部材の先端部側で気流が悪くなり、それにより、雰囲気が滞留しやすくなる。その結果、雰囲気に混在するパーティクルが基板に付着する場合がある。 However, conventional substrate processing apparatuses have a problem in that many particles adhere to a particular substrate. For example, when a plurality of substrates are located above a processing tank in a chamber, the inside of the chamber is evacuated by an exhaust pump through an exhaust port provided at the bottom of the chamber. In this case, the airflow becomes poor on the tip end side of the holding member of the substrate holding section, and as a result, the atmosphere tends to stagnate. As a result, particles mixed in the atmosphere may adhere to the substrate.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、パーティクルの付着を防止することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can prevent the adhesion of particles.

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る基板処理装置は、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽を囲うチャンバと、前記チャンバ内に設けられると共に前記処理槽よりも高い位置に配置された溶剤蒸気ノズルであって、前記チャンバ内に溶剤蒸気を供給する前記溶剤蒸気ノズルと、前記処理槽の上面よりも低い位置に配置された排気口から前記チャンバ内を排気する排気ポンプと、所定間隔を空けて鉛直姿勢で対向するように一列に整列配置された複数の基板を保持する保持部材および、前記保持部材の基端部を支持する背板を有する基板保持部であって、前記チャンバ内でかつ前記処理槽内の位置と前記処理槽の上方の位置とに亘って移動可能な前記基板保持部と、前記基板保持部が前記処理槽の上方の位置にある状態で、前記複数の基板のうちの前記背板から最も離れた先端基板と、前記保持部材の先端部側が対向する前記チャンバの側壁との間に設けられた遮蔽板と、を備えるものである。 In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration. That is, the substrate processing apparatus according to the present invention includes a processing tank that stores a processing liquid, a chamber that surrounds the processing tank, and a solvent vapor nozzle that is provided inside the chamber and located at a higher position than the processing tank. the solvent vapor nozzle for supplying solvent vapor into the chamber, the exhaust pump for evacuating the inside of the chamber from an exhaust port disposed at a position lower than the top surface of the processing tank, and vertically spaced apart from each other by a predetermined interval. A substrate holding unit having a holding member for holding a plurality of substrates arranged in a line so as to face each other in a posture, and a back plate for supporting a proximal end portion of the holding member, the substrate holding unit having a substrate holding member that holds a plurality of substrates arranged in a line so as to face each other in a posture, and a back plate that supports a proximal end portion of the holding member, The substrate holder is movable between a position within the tank and a position above the processing tank, and when the substrate holder is in a position above the processing tank, The present invention includes a shielding plate provided between the tip substrate furthest from the back plate and a side wall of the chamber facing the tip end side of the holding member.

本発明に係る基板処理装置によれば、遮蔽板が設けられていることで、保持部材の先端部側で滞留した雰囲気に混在するパーティクルから基板を保護する。また、先端基板と遮蔽板との間で気体の流れを改善させることができる。これらにより、パーティクルが基板（先端基板）に付着することを防止することができる。 According to the substrate processing apparatus according to the present invention, by providing the shielding plate, the substrate is protected from particles mixed in the atmosphere that remains on the tip side of the holding member. Furthermore, the gas flow between the tip substrate and the shielding plate can be improved. These can prevent particles from adhering to the substrate (tip substrate).

また、上述の基板処理装置は、前記溶剤蒸気ノズルは、前記チャンバ内で水平に直線状に延びる管部と、前記管部に設けられると共に管軸に沿って配置された複数の吐出口とを備え、前記溶剤蒸気ノズルは、更に、前記複数の吐出口の上流の前記管部に設けられ、前記遮蔽板と前記チャンバの前記側壁との間に対応する領域に配置された液排出口を備え、前記複数の吐出口は各々、前記チャンバ内に前記溶剤蒸気を吐出し、前記液排出口は、前記溶剤蒸気が結露して生じた溶剤を前記遮蔽板と前記チャンバの前記側壁との間の領域に排出することが好ましい。 Further, in the above-described substrate processing apparatus, the solvent vapor nozzle includes a pipe section extending horizontally and linearly within the chamber, and a plurality of discharge ports provided in the pipe section and arranged along the pipe axis. and the solvent vapor nozzle further includes a liquid outlet provided in the pipe section upstream of the plurality of discharge ports and disposed in a region corresponding to between the shielding plate and the side wall of the chamber. , each of the plurality of discharge ports discharges the solvent vapor into the chamber, and the liquid discharge port discharges the solvent generated by condensation of the solvent vapor between the shielding plate and the side wall of the chamber. It is preferable to discharge into the area.

従来の基板処理装置は、溶剤の液体（液滴）が基板に付着し、その液体がパーティクルの原因になるおそれがある問題を有する。すなわち、溶剤蒸気ノズルの上流側で配管温度の低下により溶剤蒸気が結露し、溶剤蒸気ノズルの上流側の所定の吐出口から、結露した溶剤の液体が例えばミスト状に吐出される場合がある。ミスト状の溶剤が基板に付着すると、付着した溶剤の液体がパーティクルの原因になるおそれがある。 Conventional substrate processing apparatuses have a problem in that solvent liquid (droplets) may adhere to the substrate and the liquid may cause particles. That is, the solvent vapor may condense on the upstream side of the solvent vapor nozzle due to a decrease in piping temperature, and the condensed solvent liquid may be discharged, for example, in the form of a mist from a predetermined discharge port on the upstream side of the solvent vapor nozzle. If a mist-like solvent adheres to a substrate, the adhered solvent liquid may cause particles.

本発明によれば、溶剤蒸気ノズルの上流側で結露して生じた溶剤の液体が、複数の吐出口の上流の管部に設けられた液排出口から排出される。液排出口は、遮蔽板とチャンバの保持部材の先端部側の側壁との間に対応する領域に配置される。そのため、液排出口から排出された溶剤の液体が基板（先端基板）に付着することを防止できる。そのため、パーティクルが基板に付着することを防止できる。また、複数の吐出口のうちの所定の吐出口から溶剤の液体が基板に供給されることを防止できる。そのため、複数の吐出口の全てから溶剤蒸気を供給することができる。 According to the present invention, the solvent liquid generated by condensation on the upstream side of the solvent vapor nozzle is discharged from the liquid discharge port provided in the pipe section upstream of the plurality of discharge ports. The liquid outlet is arranged in a region corresponding to between the shielding plate and the side wall of the chamber on the distal end side of the holding member. Therefore, it is possible to prevent the solvent liquid discharged from the liquid discharge port from adhering to the substrate (tip substrate). Therefore, particles can be prevented from adhering to the substrate. Further, it is possible to prevent the solvent liquid from being supplied to the substrate from a predetermined discharge port among the plurality of discharge ports. Therefore, solvent vapor can be supplied from all of the plurality of discharge ports.

また、上述の基板処理装置において、前記液排出口は、前記複数の吐出口とは異なる方向を向いていることが好ましい。結露した溶剤の液体をパーティクル付着の問題などの基板に影響がない方向に向けることができる。 Moreover, in the above-described substrate processing apparatus, it is preferable that the liquid discharge port faces in a different direction from the plurality of discharge ports. The condensed solvent liquid can be directed in a direction that does not affect the substrate, such as particle adhesion problems.

また、上述の基板処理装置において、前記遮蔽板の上端は、前記先端基板の上端よりも高い位置に配置されることが好ましい。溶剤蒸気ノズルの液排出口から吐出されたミスト状の溶剤が、先端基板の上端よりも高い遮蔽板を乗り越えて複数の基板に向かうことを防止できる。 Moreover, in the above-described substrate processing apparatus, it is preferable that the upper end of the shielding plate be arranged at a higher position than the upper end of the tip substrate. The mist-like solvent discharged from the liquid discharge port of the solvent vapor nozzle can be prevented from climbing over the shield plate higher than the upper end of the tip substrate and heading toward the plurality of substrates.

また、上述の基板処理装置において、前記遮蔽板の上端は、前記チャンバの天井面に到達するように配置されることが好ましい。溶剤蒸気ノズルの液排出口から吐出されたミスト状の溶剤が、チャンバの天井面に到達する遮蔽板を乗り越えて複数の基板に向かうことを防止できる。 Moreover, in the above-described substrate processing apparatus, it is preferable that the upper end of the shielding plate is arranged so as to reach the ceiling surface of the chamber. It is possible to prevent the mist-like solvent discharged from the liquid discharge port of the solvent vapor nozzle from climbing over the shielding plate that reaches the ceiling surface of the chamber and heading toward the plurality of substrates.

また、上述の基板処理装置は、前記チャンバ内に設けられると共に前記処理槽よりも高い位置に配置された撥水剤蒸気ノズルであって、前記チャンバ内に撥水剤蒸気を供給する前記撥水剤蒸気ノズルを更に備え、前記撥水剤蒸気ノズルは、前記チャンバ内で水平に直線状に延びる第２管部と、前記第２管部に設けられると共に管軸に沿って配置された複数の第２吐出口とを備え、前記撥水剤蒸気ノズルは、更に、前記複数の第２吐出口の上流の前記第２管部に設けられ、前記遮蔽板と前記チャンバの前記側壁との間に対応する領域に配置された第２液排出口を備え、前記複数の第２吐出口は各々、前記チャンバ内に前記撥水剤蒸気を吐出し、前記第２液排出口は、前記撥水剤蒸気が結露して生じた撥水剤を前記遮蔽板と前記チャンバの前記側壁との間の領域に排出することが好ましい。 Further, the above-described substrate processing apparatus may include a water repellent vapor nozzle provided in the chamber and located at a higher position than the processing tank, the water repellent vapor nozzle supplying water repellent vapor into the chamber. The water repellent agent vapor nozzle further includes a second pipe section extending horizontally and linearly within the chamber, and a plurality of pipes provided in the second pipe section and arranged along the pipe axis. the water repellent vapor nozzle is further provided in the second pipe section upstream of the plurality of second discharge ports, and the water repellent vapor nozzle is further provided between the shielding plate and the side wall of the chamber. second liquid outlets disposed in corresponding areas, each of the plurality of second outlets discharges the water repellent vapor into the chamber, and the second liquid outlet discharges the water repellent vapor into the chamber; Preferably, water repellent produced by condensation of steam is discharged into a region between the shielding plate and the side wall of the chamber.

撥水剤蒸気ノズルの上流側で結露して生じた撥水剤の液体が、複数の第２吐出口の上流の第２管部に設けられた第２液排出口から排出される。第２液排出口は、遮蔽板とチャンバの保持部材の先端部側の側壁との間に対応する領域に配置される。そのため、第２液排出口から排出された撥水剤の液体が基板（先端基板）に付着することを防止できる。そのため、パーティクルが基板に付着することを防止できる。また、複数の第２吐出口のうちの所定の第２吐出口から撥水剤の液体が基板に供給されることを防止できる。そのため、複数の第２吐出口の全てから撥水剤蒸気を供給することができる。 The water repellent liquid that is generated by condensation on the upstream side of the water repellent vapor nozzle is discharged from the second liquid outlet provided in the second pipe section upstream of the plurality of second discharge ports. The second liquid outlet is arranged in a region corresponding to between the shielding plate and the side wall of the chamber on the distal end side of the holding member. Therefore, it is possible to prevent the water repellent liquid discharged from the second liquid discharge port from adhering to the substrate (tip substrate). Therefore, particles can be prevented from adhering to the substrate. Further, it is possible to prevent the water repellent liquid from being supplied to the substrate from a predetermined second discharge port among the plurality of second discharge ports. Therefore, water repellent vapor can be supplied from all of the plurality of second discharge ports.

また、上述の基板処理装置において、前記遮蔽板は、前記処理槽に取り付けられていることが好ましい。処理槽に取り付けられた遮蔽板によって、パーティクルが基板（先端基板）に付着することを防止することができる。 Moreover, in the above-mentioned substrate processing apparatus, it is preferable that the shielding plate is attached to the processing tank. A shielding plate attached to the processing tank can prevent particles from adhering to the substrate (tip substrate).

また、上述の基板処理装置において、前記遮蔽板は、前記保持部材で保持されたダミー基板であることが好ましい。遮蔽板としてのダミー基板が設けられていることで、保持部材の先端部側で滞留した雰囲気に混在するパーティクルから基板を保護する。また、先端基板とダミー基板との間で気体の流れを改善させることができる。これらにより、パーティクルが基板（先端基板）に付着することを防止することができる。 Moreover, in the above-described substrate processing apparatus, it is preferable that the shielding plate is a dummy substrate held by the holding member. By providing the dummy substrate as a shielding plate, the substrate is protected from particles mixed in the atmosphere accumulated on the tip side of the holding member. Furthermore, gas flow can be improved between the tip substrate and the dummy substrate. These can prevent particles from adhering to the substrate (tip substrate).

また、上述の基板処理装置において、前記複数の基板を水平姿勢で収納するキャリアを載置するキャリア載置棚と、前記ダミー基板を収納するダミー基板用キャリアと、前記複数の基板を搬送し、また、前記ダミー基板を搬送する水平基板搬送機構と、水平姿勢と鉛直姿勢との間で前記複数の基板および前記ダミー基板を姿勢変換する姿勢変換機構と、鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を搬送するバッチ基板搬送機構と、を更に備え、前記水平基板搬送機構は、前記キャリア載置棚に載置された前記キャリアから前記姿勢変換機構に前記複数の基板を搬送し、また、前記ダミー基板用キャリアから前記姿勢変換機構に前記ダミー基板を搬送し、前記姿勢変換機構は、前記水平基板搬送機構で搬送された前記複数の基板および前記ダミー基板を水平姿勢から鉛直姿勢に変換し、前記バッチ基板搬送機構は、鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記姿勢変換機構から搬送し、前記基板保持部は、鉛直姿勢の前記複数の基板を保持すると共に、前記複数の基板のうちの前記背板から最も離れた先端基板と、前記保持部材の先端部側が対向する前記チャンバの側壁との間に位置するように前記ダミー基板を保持し、前記基板保持部は、前記複数の基板と前記ダミー基板とを保持した状態で前記処理槽内の位置と前記処理槽の上方の位置とに亘って移動し、前記バッチ基板搬送機構は、前記処理槽で処理された鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記基板保持部から前記姿勢変換機構に搬送し、前記姿勢変換機構は、前記バッチ基板搬送機構で搬送された前記複数の基板および前記ダミー基板を鉛直姿勢から水平姿勢に変換し、前記水平基板搬送機構は、前記姿勢変換機構から前記キャリア載置棚に載置された前記キャリアに水平姿勢の前記複数の基板を戻し、また、前記姿勢変換機構から前記ダミー基板用キャリアに水平姿勢の前記ダミー基板を戻すことが好ましい。 Further, in the above-described substrate processing apparatus, a carrier mounting shelf on which a carrier for storing the plurality of substrates in a horizontal position is placed, a dummy substrate carrier for storing the dummy substrate, and a carrier for transporting the plurality of substrates; Further, a horizontal substrate transport mechanism that transports the dummy substrate, an attitude changing mechanism that changes the attitude of the plurality of substrates and the dummy substrate between a horizontal attitude and a vertical attitude, and a posture change mechanism that changes the attitude of the plurality of substrates and the dummy substrate in a vertical attitude. a batch substrate transport mechanism that transports substrates, the horizontal substrate transport mechanism transports the plurality of substrates from the carrier placed on the carrier mounting shelf to the attitude changing mechanism; transporting the dummy board from the dummy board carrier to the attitude conversion mechanism, the attitude conversion mechanism converting the plurality of substrates and the dummy substrate transferred by the horizontal substrate transfer mechanism from a horizontal attitude to a vertical attitude; The batch substrate transport mechanism transports the plurality of substrates in a vertical posture and the dummy substrate from the posture changing mechanism, and the substrate holding section holds the plurality of substrates in a vertical posture and The dummy substrate is held so as to be located between the tip substrate furthest from the back plate and the side wall of the chamber that the tip end side of the holding member faces, and the substrate holder The batch substrate transport mechanism moves between a position within the processing tank and a position above the processing tank while holding the substrate and the dummy substrate, and the batch substrate transport mechanism moves the substrate and the dummy substrate in a vertical posture after being processed in the processing tank. A plurality of substrates and the dummy substrates are transferred from the substrate holder to the attitude changing mechanism, and the attitude changing mechanism converts the plurality of substrates and the dummy substrates transferred by the batch substrate transfer mechanism from a vertical attitude to a horizontal attitude. The horizontal substrate transport mechanism returns the plurality of substrates in a horizontal orientation from the attitude changing mechanism to the carrier placed on the carrier mounting shelf, and also returns the plurality of substrates in a horizontal attitude from the attitude changing mechanism to the carrier placed on the carrier mounting shelf. It is preferable to return the dummy substrate in a horizontal position to the carrier.

基板保持部は、鉛直姿勢の複数の基板を保持すると共に、複数の基板のうちの先端基板とチャンバの側壁との間に位置するようにダミー基板を保持する。そのため、パーティクルが先端基板に付着することを防止することができる。また、基板処理装置は、ダミー基板用キャリアを備え、ダミー基板用キャリアは、遮蔽用のダミー基板を収納する。ダミー基板は、処理槽で一括して処理される複数の基板毎に加えられる。そして、処理槽で処理された後、ダミー基板は、複数の基板とは別に、ダミー基板用キャリアに戻される。そのため、処理槽を囲うチャンバ内に遮蔽板を常設することなく、パーティクルが先端基板に付着することを防止することができる。 The substrate holding section holds a plurality of substrates in a vertical posture, and also holds a dummy substrate so as to be located between a tip substrate among the plurality of substrates and a side wall of the chamber. Therefore, it is possible to prevent particles from adhering to the tip substrate. Further, the substrate processing apparatus includes a dummy substrate carrier, and the dummy substrate carrier accommodates a shielding dummy substrate. A dummy substrate is added to each of a plurality of substrates that are collectively processed in the processing tank. After being processed in the processing tank, the dummy substrate is returned to the dummy substrate carrier separately from the plurality of substrates. Therefore, it is possible to prevent particles from adhering to the tip substrate without permanently installing a shielding plate in the chamber surrounding the processing tank.

また、上述の基板処理装置において、複数のキャリアを保管する保管棚と、前記保管棚に保管された任意のキャリアを前記キャリア載置棚に搬送するキャリア搬送機構と、を更に備え、前記ダミー基板用キャリアは、前記保管棚に予め保管されていることが好ましい。ダミー基板用キャリアは、予め保管されている保管棚からキャリア載置棚にキャリア搬送機構によって搬送される。水平基板搬送機構は、キャリア載置棚に載置されたダミー基板用キャリアからダミー基板を搬送することができる。 The above-described substrate processing apparatus may further include a storage shelf for storing a plurality of carriers, and a carrier transport mechanism for transporting any carrier stored in the storage shelf to the carrier mounting shelf, and the dummy substrate It is preferable that the carrier is stored in advance on the storage shelf. The dummy substrate carrier is transported by a carrier transport mechanism from a storage shelf where it is stored in advance to a carrier mounting shelf. The horizontal substrate transfer mechanism can transfer a dummy substrate from a dummy substrate carrier placed on a carrier mounting shelf.

また、上述の基板処理装置において、前記複数の基板を水平姿勢で収納するキャリアを載置するキャリア載置棚と、前記ダミー基板を収納するダミー基板用キャリアと、前記複数の基板を搬送し、また、前記ダミー基板を搬送する水平基板搬送機構と、水平姿勢と鉛直姿勢との間で前記複数の基板および前記ダミー基板を姿勢変換する姿勢変換機構と、鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を搬送するバッチ基板搬送機構と、前記キャリアに収納される基板の有無を検出する基板検出センサ部と、を更に備え、を更に備え、前記保持部材は、一列に整列された、前記複数の基板を保持する複数の保持溝を備え、前記複数の保持溝は、前記保持部材の先端部側の最も端に位置する先端保持溝を有し、前記基板検出センサ部は、前記キャリア載置棚に載置された前記キャリアに対して上下方向に移動しながら、前記キャリアに収納される基板の有無を検出し、前記水平基板搬送機構は、前記キャリア載置棚に載置された前記キャリアから前記姿勢変換機構に前記複数の基板を搬送し、前記基板検出センサ部が前記先端保持溝に対応する対応基板が前記キャリアに無いことを検出したときは、前記水平基板搬送機構は、前記姿勢変換機構に搬送された前記複数の基板の列の前記対応基板が無い部分に前記ダミー基板用キャリアから前記ダミー基板を搬送し、前記姿勢変換機構は、前記水平基板搬送機構で搬送された前記複数の基板および前記ダミー基板を水平姿勢から鉛直姿勢に変換し、前記バッチ基板搬送機構は、鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記姿勢変換機構から搬送し、前記基板保持部は、前記保持部材の前記複数の保持溝で鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記バッチ基板搬送機構から受け取り、前記バッチ基板搬送機構は、前記処理槽で処理された鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記基板保持部から前記姿勢変換機構に搬送し、前記姿勢変換機構は、前記バッチ基板搬送機構で搬送された前記複数の基板および前記ダミー基板を鉛直姿勢から水平姿勢に変換し、前記水平基板搬送機構は、前記姿勢変換機構から前記キャリア載置棚に載置された前記キャリアに水平姿勢の前記複数の基板を戻し、また、前記姿勢変換機構から前記ダミー基板用キャリアに水平姿勢の前記ダミー基板を戻すことが好ましい。 Further, in the above-described substrate processing apparatus, a carrier mounting shelf on which a carrier for storing the plurality of substrates in a horizontal position is placed, a dummy substrate carrier for storing the dummy substrate, and a carrier for transporting the plurality of substrates; Further, a horizontal substrate transport mechanism that transports the dummy substrate, an attitude changing mechanism that changes the attitude of the plurality of substrates and the dummy substrate between a horizontal attitude and a vertical attitude, and a posture change mechanism that changes the attitude of the plurality of substrates and the dummy substrate in a vertical attitude. further comprising: a batch substrate transport mechanism that transports substrates; and a substrate detection sensor unit that detects the presence or absence of a substrate stored in the carrier; A plurality of holding grooves for holding the substrate are provided, the plurality of holding grooves include a tip holding groove located at the end of the tip end side of the holding member, and the substrate detection sensor section is connected to the carrier mounting shelf. The horizontal substrate transport mechanism detects the presence or absence of a substrate stored in the carrier while moving vertically with respect to the carrier placed on the carrier mounting shelf, and the horizontal substrate transport mechanism detects the presence or absence of a substrate stored in the carrier. When the plurality of substrates are transported to the attitude changing mechanism and the substrate detection sensor section detects that there is no corresponding substrate corresponding to the tip holding groove in the carrier, the horizontal substrate transporting mechanism transfers the attitude changing mechanism. The dummy substrate is transferred from the dummy substrate carrier to a part of the row of the plurality of substrates transferred to the mechanism where the corresponding substrate is not present, and the attitude changing mechanism is configured to transfer the plurality of substrates transferred by the horizontal substrate transfer mechanism The substrate and the dummy substrate are converted from a horizontal posture to a vertical posture, the batch substrate transfer mechanism transfers the plurality of substrates and the dummy substrate in the vertical posture from the posture conversion mechanism, and the substrate holding section is configured to convert the substrate and the dummy substrate into a vertical posture. The plurality of substrates and the dummy substrate in a vertical posture are received from the batch substrate transfer mechanism in the plurality of holding grooves of the member, and the batch substrate transfer mechanism receives the plurality of substrates in a vertical posture and processed in the processing tank. transporting the dummy substrate from the substrate holding unit to the attitude changing mechanism, the attitude changing mechanism converting the plurality of substrates and the dummy substrate transferred by the batch substrate transporting mechanism from a vertical attitude to a horizontal attitude; The horizontal substrate transfer mechanism returns the plurality of substrates in a horizontal attitude from the attitude changing mechanism to the carrier placed on the carrier mounting shelf, and returns the plurality of substrates in a horizontal attitude from the attitude changing mechanism to the dummy substrate carrier. It is preferable to return the dummy substrate.

基板保持部の保持部材の複数の保持溝は、保持部材の先端部側の最も端に位置する先端保持溝を有する。基板検出センサ部が先端保持溝に対応する対応基板がキャリアに無いことを検出したときは、水平基板搬送機構は、姿勢変換機構に搬送された複数の基板の列の対応基板がない部分にダミー基板を搬送する。これにより、先端基板と、保持部材の先端部側が対向するチャンバの側壁との間にダミー基板を自動的に配置することができる。また、基板処理装置は、ダミー基板用キャリアを備え、ダミー基板用キャリアは、遮蔽用のダミー基板を収納する。ダミー基板は、処理槽で一括して処理される複数の基板に選択的に加えられる。そして、処理槽で処理された後、ダミー基板は、複数の基板とは別に、ダミー基板用キャリアに戻される。そのため、処理槽を囲うチャンバ内に遮蔽板を常設することなく、パーティクルが先端基板に付着することを防止することができる。 The plurality of holding grooves of the holding member of the substrate holding part has a tip holding groove located at the end of the holding member on the tip side. When the substrate detection sensor unit detects that there is no corresponding substrate corresponding to the tip holding groove in the carrier, the horizontal substrate transport mechanism inserts a dummy into the part of the row of multiple substrates transported to the attitude changing mechanism where there is no corresponding substrate. Transport the board. Thereby, the dummy substrate can be automatically placed between the tip substrate and the side wall of the chamber where the tip side of the holding member faces. Further, the substrate processing apparatus includes a dummy substrate carrier, and the dummy substrate carrier accommodates a shielding dummy substrate. The dummy substrate is selectively added to a plurality of substrates that are collectively processed in the processing tank. After being processed in the processing tank, the dummy substrate is returned to the dummy substrate carrier separately from the plurality of substrates. Therefore, it is possible to prevent particles from adhering to the tip substrate without permanently installing a shielding plate in the chamber surrounding the processing tank.

また、上述の基板処理装置において、２枚以上の基板からなる第１基板群の水平姿勢で収納する第１キャリアを載置するキャリア載置棚と、前記ダミー基板を収納するダミー基板用キャリアと、前記第１基板群を搬送し、２枚以上からなる第２基板群を搬送し、また、前記ダミー基板を搬送する水平基板搬送機構と、水平姿勢と鉛直姿勢との間で前記第１基板群、前記第２基板群および前記ダミー基板を姿勢変換し、また、前記第１基板群と前記第２基板群とを組み合わせて鉛直姿勢の前記複数の基板を形成する姿勢変換機構と、鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を搬送するバッチ基板搬送機構と、前記第１キャリアに収納される基板の有無を検出する基板検出センサ部と、を更に備え、前記保持部材は、一列に整列された、前記複数の基板を保持する複数の保持溝を備え、前記複数の保持溝は、前記保持部材の先端部側の最も端に位置する先端保持溝を有し、前記基板検出センサ部は、前記キャリア載置棚に載置された前記第１キャリアに対して上下方向に移動しながら、前記第１キャリアに収納される基板の有無を検出し、前記基板検出センサ部は、前記キャリア載置棚に載置された、前記第２基板群を水平姿勢で収納する第２キャリアに対して上下方向に移動しながら、前記第２キャリアに収納される基板の有無を検出し、前記水平基板搬送機構は、前記キャリア載置棚に載置された前記第１キャリアから前記姿勢変換機構に前記第１基板群を搬送し、前記水平基板搬送機構は、前記キャリア載置棚に載置された前記第２キャリアから前記姿勢変換機構に前記第２基板群を搬送し、前記基板検出センサ部が、前記先端保持溝に対応する対応基板が前記第１キャリアまたは前記第２キャリアに無いことを検出したときは、前記水平基板搬送機構は、前記姿勢変換機構に搬送された前記第１基板群または前記第２基板群の列の前記対応基板が無い部分に前記ダミー基板用キャリアから前記ダミー基板を搬送し、前記姿勢変換機構は、前記第１基板群、前記第２基板群および前記ダミー基板を水平姿勢から鉛直姿勢に変換し、また、前記第１基板群と前記第２基板群とを組み合わせて鉛直姿勢の前記複数の基板を形成し、前記バッチ基板搬送機構は、鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記姿勢変換機構から搬送し、前記基板保持部は、前記保持部材の前記複数の保持溝で鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記バッチ基板搬送機構から受け取り、前記バッチ基板搬送機構は、前記処理槽で処理された鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記基板保持部から前記姿勢変換機構に搬送し、前記姿勢変換機構は、前記バッチ基板搬送機構で搬送された前記複数の基板を前記第１基板群と前記第２基板群とに分け、また、前記第１基板群、前記第２基板群および前記ダミー基板を鉛直姿勢から垂直姿勢に変換し、前記水平基板搬送機構は、前記姿勢変換機構から前記キャリア載置棚に載置された前記第１キャリアに水平姿勢の前記第１基板群を戻し、前記姿勢変換機構から前記キャリア載置棚に載置された前記第２キャリアに水平姿勢の前記第２基板群を戻し、また、前記姿勢変換機構から前記ダミー基板用キャリアに水平姿勢の前記ダミー基板を戻すことが好ましい。 Further, in the above-described substrate processing apparatus, a carrier mounting shelf for mounting a first carrier for storing a first substrate group consisting of two or more substrates in a horizontal position, and a dummy substrate carrier for storing the dummy substrates; , a horizontal substrate transport mechanism that transports the first board group, transports a second board group consisting of two or more boards, and transports the dummy board, and a horizontal board transport mechanism that transports the first board group between the horizontal and vertical positions; a posture changing mechanism configured to change the posture of the second substrate group and the dummy substrate, and to form the plurality of substrates in a vertical posture by combining the first substrate group and the second substrate group; further comprising: a batch substrate transport mechanism that transports the plurality of substrates and the dummy substrate; and a substrate detection sensor unit that detects the presence or absence of a substrate stored in the first carrier, and the holding members are aligned in a line. a plurality of holding grooves for holding the plurality of substrates, the plurality of holding grooves having a tip holding groove located at the end of the tip side of the holding member, and the substrate detection sensor unit , detecting the presence or absence of a substrate accommodated in the first carrier while moving vertically with respect to the first carrier placed on the carrier placement shelf; The presence or absence of a substrate stored in the second carrier is detected while moving up and down with respect to a second carrier placed on a shelf that stores the second group of substrates in a horizontal position, and the horizontal substrate The transport mechanism transports the first substrate group from the first carrier mounted on the carrier mounting shelf to the attitude changing mechanism, and the horizontal substrate transport mechanism transports the first substrate group mounted on the carrier mounting shelf. The second substrate group is transported from the second carrier to the attitude changing mechanism, and the substrate detection sensor section detects that there is no corresponding substrate corresponding to the tip holding groove in the first carrier or the second carrier. In this case, the horizontal substrate transfer mechanism transfers the dummy substrate from the dummy substrate carrier to a portion of the row of the first substrate group or the second substrate group transferred to the attitude changing mechanism where the corresponding substrate is not present. The attitude changing mechanism converts the first substrate group, the second substrate group, and the dummy substrate from a horizontal attitude to a vertical attitude, and also combines the first substrate group and the second substrate group. the plurality of substrates in a vertical posture are formed in the batch substrate transfer mechanism, the batch substrate transfer mechanism transfers the plurality of substrates in the vertical posture and the dummy substrate from the attitude changing mechanism, and the substrate holding section The plurality of substrates and the dummy substrates in a vertical posture are received from the batch substrate transfer mechanism in a plurality of holding grooves, and the batch substrate transfer mechanism receives the plurality of substrates and the dummy substrate in a vertical posture that have been processed in the processing tank. from the substrate holder to the attitude changing mechanism, and the attitude changing mechanism divides the plurality of substrates transferred by the batch substrate transferring mechanism into the first substrate group and the second substrate group, and , converting the first substrate group, the second substrate group, and the dummy substrate from a vertical posture to a vertical posture, and the horizontal substrate transfer mechanism converting the first substrate group, the second substrate group, and the dummy substrate from the posture changing mechanism to the first substrate placed on the carrier mounting shelf. Returning the first board group in a horizontal position to the first carrier, returning the second board group in a horizontal position from the attitude changing mechanism to the second carrier placed on the carrier mounting shelf, and changing the attitude. It is preferable to return the dummy substrate in a horizontal position from the mechanism to the dummy substrate carrier.

基板保持部の保持部材の複数の保持溝は、保持部材の先端部側の最も端に位置する先端保持溝を有する。基板検出センサ部が先端保持溝に対応する対応基板が第１キャリアまたは第２キャリアに無いことを検出したときは、水平基板搬送機構は、姿勢変換機構に搬送された第１基板群または第２基板群の列の対応基板がない部分にダミー基板を搬送する。これにより、先端基板と、保持部材の先端部側が対向するチャンバの側壁との間にダミー基板を自動的に配置することができる。また、基板処理装置は、ダミー基板用キャリアを備え、ダミー基板用キャリアは、遮蔽用のダミー基板を収納する。ダミー基板は、処理槽で一括して処理される複数の基板に選択的に加えられる。そして、処理槽で処理された後、ダミー基板は、複数の基板とは別に、ダミー基板用キャリアに戻される。そのため、処理槽を囲うチャンバ内に遮蔽板を常設することなく、パーティクルが先端基板に付着することを防止することができる。 The plurality of holding grooves of the holding member of the substrate holding part has a tip holding groove located at the end of the holding member on the tip side. When the substrate detection sensor section detects that there is no corresponding substrate corresponding to the tip holding groove in the first carrier or the second carrier, the horizontal substrate transport mechanism moves the first substrate group or the second substrate group transported to the attitude changing mechanism. A dummy substrate is transported to a part of the row of substrates where there is no corresponding substrate. Thereby, the dummy substrate can be automatically placed between the tip substrate and the side wall of the chamber where the tip side of the holding member faces. Further, the substrate processing apparatus includes a dummy substrate carrier, and the dummy substrate carrier accommodates a shielding dummy substrate. The dummy substrate is selectively added to a plurality of substrates that are collectively processed in the processing tank. After being processed in the processing tank, the dummy substrate is returned to the dummy substrate carrier separately from the plurality of substrates. Therefore, it is possible to prevent particles from adhering to the tip substrate without permanently installing a shielding plate in the chamber surrounding the processing tank.

また、上述の基板処理装置において、前記複数の基板は、前記第１基板群の基板と前記第２基板群の基板とが１枚ずつ交互に配置されていることが好ましい。複数の基板は、第１基板群の基板と第２基板群の基板とが１枚ずつ交互に配置されている場合において、パーティクルが基板（先端基板）に付着することを防止することができる。 Moreover, in the above-described substrate processing apparatus, it is preferable that among the plurality of substrates, one substrate of the first substrate group and one substrate of the second substrate group are alternately arranged. The plurality of substrates can prevent particles from adhering to the substrate (tip substrate) when one substrate of the first substrate group and one substrate of the second substrate group are arranged alternately.

また、上述の基板処理装置において、前記先端基板は、前記チャンバの前記側壁を向いていることが好ましい。先端基板がチャンバの側壁を向いている場合において、パーティクルが基板（先端基板）に付着することを防止することができる。 Moreover, in the above-described substrate processing apparatus, it is preferable that the tip substrate faces the side wall of the chamber. When the tip substrate faces the side wall of the chamber, particles can be prevented from adhering to the substrate (tip substrate).

本発明に係る基板処理装置によれば、パーティクルの付着を防止することができる。 According to the substrate processing apparatus according to the present invention, adhesion of particles can be prevented.

実施例１に係る基板処理装置の正面の概略構成を示す縦断面図である。1 is a vertical cross-sectional view showing a schematic front configuration of a substrate processing apparatus according to Example 1. FIG. （ａ）は、リフタの基板保持部を示す左側面図であり、（ｂ）は、（ａ）の平面図である。(a) is a left side view showing the substrate holding part of the lifter, and (b) is a plan view of (a). 基板処理装置の左側面の概略構成を示す縦断面図である。FIG. 2 is a vertical cross-sectional view showing a schematic configuration of the left side of the substrate processing apparatus. （ａ）は、複数の基板を図示しないときの基板処理装置の左側面の概略構成を示す縦断面図であり、（ｂ）は、溶剤蒸気ノズル（撥水剤蒸気ノズル）を示す図である。(a) is a vertical cross-sectional view showing a schematic configuration of the left side of the substrate processing apparatus when a plurality of substrates are not illustrated, and (b) is a diagram showing a solvent vapor nozzle (water repellent vapor nozzle). . 基板処理装置の正面の概略構成を示す縦断面図である。FIG. 2 is a vertical cross-sectional view showing a schematic front configuration of the substrate processing apparatus. 基板処理装置の動作を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the substrate processing apparatus. 基板処理装置の課題を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining problems of the substrate processing apparatus. （ａ）～（ｃ）は、基板処理装置の課題を説明するための図である。(a) to (c) are diagrams for explaining problems of the substrate processing apparatus. 実施例２に係る洗浄処理部の左側面の概略構成を示す縦断面図である。FIG. 3 is a vertical cross-sectional view showing a schematic configuration of a left side surface of a cleaning processing section according to Example 2. FIG. 実施例２に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。2 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to Example 2. FIG. 基板ハンドリング機構の側面図である。FIG. 3 is a side view of the substrate handling mechanism. （ａ）～（ｆ）は、姿勢変換機構（姿勢変換部およびプッシャ機構）の構成および動作を説明するための側面図である。(a) to (f) are side views for explaining the configuration and operation of the attitude changing mechanism (the attitude changing unit and the pusher mechanism). （ａ）は、実施例２に係るリフタの基板保持部を示す左側面図であり、（ｂ）は、（ａ）の平面図である。(a) is a left side view showing a substrate holding part of a lifter according to Example 2, and (b) is a plan view of (a). 実施例２の基板処理装置の動作を説明するためのフローチャートである。7 is a flowchart for explaining the operation of the substrate processing apparatus of Example 2. FIG. 実施例３に係る洗浄処理部の左側面の概略構成を示す縦断面図である。FIG. 7 is a vertical cross-sectional view showing a schematic configuration of the left side surface of a cleaning processing section according to Example 3; （ａ）は、オープナの構成を示す側面図であり、（ｂ）は、基板検出センサの検出状態を示す平面図である。(a) is a side view showing the configuration of the opener, and (b) is a plan view showing the detection state of the substrate detection sensor. 実施例３の基板処理装置の動作を説明するためのフローチャートである。13 is a flowchart for explaining the operation of the substrate processing apparatus of Example 3. （ａ）～（ｆ）は、実施例３に係る姿勢変換機構の動作を説明するための側面図である。(a) to (f) are side views for explaining the operation of the posture changing mechanism according to the third embodiment. リフタの基板保持部を示す左側面図である。FIG. 3 is a left side view showing the substrate holding section of the lifter. （ａ）～（ｆ）は、実施例４に係る姿勢変換機構の動作を説明するための側面図である。(a) to (f) are side views for explaining the operation of the posture changing mechanism according to the fourth embodiment. （ａ）は、変形例に係る遮蔽板を説明するための左側面図であり、（ｂ）は、（ａ）の矢印の方向に見た図である。(a) is a left side view for explaining a shielding plate according to a modification, and (b) is a view seen in the direction of the arrow in (a). 変形例に係る溶剤蒸気ノズル（撥水剤蒸気ノズル）を示す図である。It is a figure which shows the solvent vapor nozzle (water repellent agent vapor nozzle) based on a modification. 変形例に係るダミー基板を説明するための左側面図である。FIG. 7 is a left side view for explaining a dummy board according to a modification.

以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。図１は、実施例１に係る基板処理装置１の正面の概略構成を示す縦断面図である。図２（ａ）は、リフタ４の基板保持部５を示す左側面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）の平面図である。 Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a schematic front configuration of a substrate processing apparatus 1 according to a first embodiment. FIG. 2A is a left side view showing the substrate holding section 5 of the lifter 4. FIG. FIG. 2(b) is a plan view of FIG. 2(a).

＜１．基板処理装置１の構成＞
図１を参照する。基板処理装置１は、複数の基板Ｗを一括して処理する装置である。基板処理装置１は、処理液を貯留する処理槽２と、処理槽２を囲うチャンバ３と、リフタ４とを備える。処理槽２は、略鉛直姿勢とされた複数の基板Ｗを収容可能に構成される。処理槽２は、チャンバ３内の側面および底面から離れて配置される。 <1. Configuration of substrate processing apparatus 1>
Please refer to FIG. The substrate processing apparatus 1 is an apparatus that processes a plurality of substrates W at once. The substrate processing apparatus 1 includes a processing tank 2 that stores processing liquid, a chamber 3 that surrounds the processing tank 2, and a lifter 4. The processing tank 2 is configured to be able to accommodate a plurality of substrates W in a substantially vertical posture. The processing tank 2 is placed away from the side and bottom surfaces of the chamber 3 .

リフタ４は、複数の基板Ｗを保持する基板保持部５と、基板保持部５を上下方向（Ｚ方向）に昇降させる昇降機構６とを備える。昇降機構６は、処理槽２の上方でかつチャンバ３内の「乾燥位置Ｈ１」と、処理槽２の内部の「処理位置Ｈ２」との間で、基板Ｗを昇降させることが可能である。図１では、基板保持部５は、チャンバ３内でかつ処理槽２の上方の乾燥位置Ｈ１に位置する。昇降機構６は、基板保持部５を昇降させるために、電動モータまたはエアシリンダを備える。 The lifter 4 includes a substrate holding section 5 that holds a plurality of substrates W, and a lifting mechanism 6 that moves the substrate holding section 5 up and down in the vertical direction (Z direction). The elevating mechanism 6 is capable of elevating the substrate W between a “drying position H1” in the chamber 3 above the processing tank 2 and a “processing position H2” inside the processing tank 2. In FIG. 1 , the substrate holder 5 is located at a drying position H1 within the chamber 3 and above the processing tank 2 . The elevating mechanism 6 includes an electric motor or an air cylinder to raise and lower the substrate holder 5.

基板保持部５は、３つの保持部材７と背板９を備える。保持部材７は、図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように、水平方向（Ｙ方向）に直線状に延びるように形成される。保持部材７は、所定間隔を空けて略鉛直姿勢で対向するように一列に整列配置された複数（例えば５０枚）の基板Ｗを保持する。言い換えると、保持部材７は、水平方向に延びるＹ軸に沿って一列に配置された複数の基板Ｗを保持する。保持部材７は、略鉛直姿勢の複数の基板Ｗを保持する。複数の基板Ｗは、互いに平行に配置される。保持部材７は、所定のピッチ（例えば５ｍｍ（ハーフピッチ））でＹ方向に並んで形成された複数（例えば５０個）の溝部を有する。 The substrate holding section 5 includes three holding members 7 and a back plate 9. The holding member 7 is formed to extend linearly in the horizontal direction (Y direction), as shown in FIGS. 2(a) and 2(b). The holding member 7 holds a plurality of (for example, 50) substrates W arranged in a line so as to face each other in a substantially vertical posture at a predetermined interval. In other words, the holding member 7 holds a plurality of substrates W arranged in a line along the Y axis extending in the horizontal direction. The holding member 7 holds a plurality of substrates W in a substantially vertical posture. The plurality of substrates W are arranged parallel to each other. The holding member 7 has a plurality of grooves (for example, 50 grooves) formed in line in the Y direction at a predetermined pitch (for example, 5 mm (half pitch)).

５０個の溝はそれぞれ、スロット（slot）１～５０と呼ばれる。図２（ａ）および、後述する図８（ａ）～図８（ｃ）において、例えば、スロット１を「ＳＬ１」と示し、スロット４９を「ＳＬ４９」と示す。背板９に最も近い溝は、スロット１である。背板９から離れるほど、スロット２、スロット３およびスロット４のように、スロットの番号が増えていく。そして、背板９から最も離れた溝は、スロット５０である。例えば５０枚の基板Ｗを５０個の溝部に収めることで、保持部材７は、５０枚の基板Ｗを保持することができる。 Each of the 50 grooves is called slot 1-50. In FIG. 2(a) and FIGS. 8(a) to 8(c) to be described later, for example, slot 1 is indicated as "SL1" and slot 49 is indicated as "SL49". The groove closest to the back plate 9 is slot 1. As the distance from the back plate 9 increases, the slot numbers increase, such as slot 2, slot 3, and slot 4. The groove farthest from the back plate 9 is the slot 50. For example, by storing 50 substrates W in 50 grooves, the holding member 7 can hold 50 substrates W.

なお、図１、図２（ｂ）に示すように、基板保持部５は、３つの保持部材７を有する。この点、基板保持部５は、１つ又は複数の保持部材７を有していればよい。 Note that, as shown in FIGS. 1 and 2(b), the substrate holding section 5 has three holding members 7. In this regard, the substrate holding section 5 only needs to have one or more holding members 7.

背板９は、３つの保持部材７の基端部７Ｂを支持する。すなわち、３つの保持部材７は、背板９の下端部に連結される。例えば図２（ａ）の矢印ＡＲ１に示すように、背板９側から複数の基板Ｗを見たときに、背板９は、例えば、各基板Ｗを覆うように形成される。なお、３つの保持部材７の先端部７Ａは、連結部材１１で連結される（図２（ｂ）参照）。 The back plate 9 supports the base end portions 7B of the three holding members 7. That is, the three holding members 7 are connected to the lower end of the back plate 9. For example, as shown by arrow AR1 in FIG. 2A, when the plurality of substrates W are viewed from the back plate 9 side, the back plate 9 is formed to cover each substrate W, for example. Note that the tip portions 7A of the three holding members 7 are connected by a connecting member 11 (see FIG. 2(b)).

図１に戻る。処理槽２内の底部には、処理槽２内に処理液を供給する２本の噴出管１３が設けられる。各噴出管１３は、複数の基板Ｗが整列されるＹ方向に沿って直線状に形成される。各噴出管１３は、Ｙ方向（管軸）に並ぶ複数の吐出口（図示しない）を有する。 Return to Figure 1. Two spout pipes 13 are provided at the bottom of the processing tank 2 to supply the processing liquid into the processing tank 2 . Each ejection pipe 13 is formed linearly along the Y direction in which the plurality of substrates W are aligned. Each ejection pipe 13 has a plurality of ejection ports (not shown) lined up in the Y direction (pipe axis).

処理液配管１５は、２本の噴出管１３と処理液供給源１７とを結ぶ。処理液供給源１７は、処理液として純水を処理液配管１５に送る。純水として、例えば脱イオン水（ＤＩＷ：Deionized Water）が用いられる。処理液配管１５には、開閉弁Ｖ１が設けられる。開閉弁Ｖ１は、純水の供給およびその停止を行う。開閉弁Ｖ１が開状態のとき、２本の噴出管１３から処理槽２に純水が供給される。また、開閉弁Ｖ１が閉状態のとき、２本の噴出管１３からの純水の供給が停止される。 The processing liquid piping 15 connects the two ejection pipes 13 and the processing liquid supply source 17. The processing liquid supply source 17 sends pure water to the processing liquid piping 15 as the processing liquid. For example, deionized water (DIW) is used as the pure water. The processing liquid pipe 15 is provided with an on-off valve V1. The on-off valve V1 supplies and stops pure water. When the on-off valve V1 is in the open state, pure water is supplied from the two jet pipes 13 to the processing tank 2. Further, when the on-off valve V1 is in the closed state, the supply of pure water from the two jet pipes 13 is stopped.

また、２本の噴出管１３と開閉弁Ｖ１の間の処理液配管１５には、処理液配管１９の先端が接続される。処理液配管１９の基端は、第２処理液供給源２１に接続される。第２処理液供給源２１は、純水（例えばＤＩＷ）で希釈されたイソプロピルアルコール液（以下、「希釈ＩＰＡ液」と呼ぶ）を処理液配管１９に送る。開閉弁Ｖ２は、処理液配管１９に設けられる。開閉弁Ｖ２は、希釈ＩＰＡ液の供給およびその停止を行う。２つの開閉弁Ｖ１，Ｖ２により、各噴出管１３から純水と希釈ＩＰＡ液との一方が選択的に供給される。 Further, the tip of a processing liquid pipe 19 is connected to the processing liquid pipe 15 between the two ejection pipes 13 and the on-off valve V1. A base end of the processing liquid pipe 19 is connected to a second processing liquid supply source 21 . The second processing liquid supply source 21 sends an isopropyl alcohol liquid (hereinafter referred to as “diluted IPA liquid”) diluted with pure water (for example, DIW) to the processing liquid piping 19. The on-off valve V2 is provided in the processing liquid pipe 19. The on-off valve V2 supplies and stops the diluted IPA liquid. Either pure water or diluted IPA liquid is selectively supplied from each jet pipe 13 by the two on-off valves V1 and V2.

処理槽２の底部には、処理槽２内の処理液をチャンバ３内の底面に放出するＱＤＲ弁（開閉弁）２３が設けられている。ＱＤＲ弁２３を開状態にすると、処理槽２内の処理液がチャンバ３内の底面に急速放出される。ＱＤＲ弁２３を閉状態にすると、処理槽２に処理液を貯留することができる。 A QDR valve (on/off valve) 23 is provided at the bottom of the processing tank 2 to release the processing liquid in the processing tank 2 to the bottom of the chamber 3 . When the QDR valve 23 is opened, the processing liquid in the processing tank 2 is rapidly discharged to the bottom of the chamber 3. When the QDR valve 23 is closed, the processing liquid can be stored in the processing tank 2.

チャンバ３は、処理槽２を収容する。チャンバ３は、その上面に開閉自在の上部カバー２５を備えている。上部カバー２５が閉じているとき、上部カバー２５はチャンバ３の天井壁として機能する。 Chamber 3 accommodates processing tank 2 . The chamber 3 includes an upper cover 25 on its upper surface that can be opened and closed. When the upper cover 25 is closed, the upper cover 25 functions as a ceiling wall of the chamber 3.

チャンバ３内には、２本の不活性ガスノズル２７、４本の溶剤蒸気ノズル３１，３２および２本の撥水剤蒸気ノズル３３が設けられる。８本のノズル２７，３１，３２，３３は、処理槽２（または処理槽２の上面）よりも高い位置に配置される。また、２本の不活性ガスノズル２７、２本の溶剤蒸気ノズル３１、２本の溶剤蒸気ノズル３２および２本の撥水剤蒸気ノズル３３は、この順番で上から配置される。 Inside the chamber 3, two inert gas nozzles 27, four solvent vapor nozzles 31, 32, and two water repellent vapor nozzles 33 are provided. The eight nozzles 27, 31, 32, and 33 are arranged at a higher position than the processing tank 2 (or the upper surface of the processing tank 2). Furthermore, the two inert gas nozzles 27, the two solvent vapor nozzles 31, the two solvent vapor nozzles 32, and the two water repellent vapor nozzles 33 are arranged in this order from above.

また、基板保持部５が乾燥位置Ｈ１に位置するときに、各基板Ｗの上端付近の高さには、２本の溶剤蒸気ノズル３１が配置される。また、各基板Ｗの中心付近の高さには、２本の溶剤蒸気ノズル３２が配置される。更に、各基板Ｗの下端付近の高さには、２本の撥水剤蒸気ノズル３３が配置される。 Further, when the substrate holding section 5 is located at the drying position H1, two solvent vapor nozzles 31 are arranged at a height near the upper end of each substrate W. Furthermore, two solvent vapor nozzles 32 are arranged at a height near the center of each substrate W. Furthermore, two water repellent vapor nozzles 33 are arranged at a height near the lower end of each substrate W.

２本の不活性ガスノズル２７は各々、チャンバ３内に不活性ガスを供給する。各不活性ガスノズル２７には、供給管３５の先端が接続される。供給管３５の基端は、不活性ガス供給源３７に接続される。不活性ガス供給源３７は、不活性ガスとして例えば窒素ガスを供給管３５に送る。供給管３５には、開閉弁Ｖ４が設けられる。開閉弁Ｖ４は、不活性ガスの供給およびその停止を行う。 The two inert gas nozzles 27 each supply inert gas into the chamber 3 . Each inert gas nozzle 27 is connected to the tip of a supply pipe 35 . The base end of the supply pipe 35 is connected to an inert gas supply source 37 . The inert gas supply source 37 sends nitrogen gas, for example, to the supply pipe 35 as an inert gas. The supply pipe 35 is provided with an on-off valve V4. The on-off valve V4 supplies and stops inert gas.

２本の不活性ガスノズル２７は、複数の基板Ｗの移動経路ＲＴを挟み込むように水平に配置される。各不活性ガスノズル２７は、水平（Ｙ方向）に直線状に延びる管部２７Ａを備えている（後述する図４（ａ）参照）。管部２７Ａには、管軸（Ｙ方向）に沿って複数の吐出口２７Ｂが形成される。 The two inert gas nozzles 27 are arranged horizontally so as to sandwich the movement path RT of the plurality of substrates W. Each inert gas nozzle 27 includes a pipe portion 27A that linearly extends horizontally (in the Y direction) (see FIG. 4(a) described later). A plurality of discharge ports 27B are formed in the tube portion 27A along the tube axis (Y direction).

４本の溶剤蒸気ノズル３１，３２は各々、チャンバ３内に溶剤蒸気を供給する。各溶剤蒸気ノズル３１，３２には、供給管３９の先端が接続される。供給管３９の基端は、溶剤蒸気供給源４１に接続される。溶剤蒸気供給源４１は、溶剤蒸気として例えばイソプロピルアルコール蒸気（以下「ＩＰＡ蒸気」と呼ぶ）を供給管３９に送る。溶剤蒸気は、ヒータによって溶剤の液体を蒸発させて生成される。溶剤蒸気は、キャリアガスとして不活性ガス（窒素ガス）を含んでいてもよい。供給管３９には、開閉弁Ｖ５が設けられる。開閉弁Ｖ５は、溶剤蒸気の供給およびその停止を行う。 Four solvent vapor nozzles 31 , 32 each supply solvent vapor into the chamber 3 . The tip of a supply pipe 39 is connected to each solvent vapor nozzle 31, 32. The base end of the supply pipe 39 is connected to a solvent vapor supply source 41 . The solvent vapor supply source 41 sends, for example, isopropyl alcohol vapor (hereinafter referred to as "IPA vapor") to the supply pipe 39 as a solvent vapor. Solvent vapor is produced by vaporizing the solvent liquid by a heater. The solvent vapor may contain an inert gas (nitrogen gas) as a carrier gas. The supply pipe 39 is provided with an on-off valve V5. The on-off valve V5 supplies and stops the solvent vapor.

２本の溶剤蒸気ノズル３１は、複数の基板Ｗの移動経路ＲＴを挟み込むように水平に配置される。同様に、２本の溶剤蒸気ノズル３２は、複数の基板Ｗの移動経路ＲＴを挟み込むように水平に配置される。４本の溶剤蒸気ノズル３１，３２の更なる構成は後述する。 The two solvent vapor nozzles 31 are arranged horizontally so as to sandwich the movement path RT of the plurality of substrates W. Similarly, the two solvent vapor nozzles 32 are arranged horizontally so as to sandwich the movement path RT of the plurality of substrates W. Further configuration of the four solvent vapor nozzles 31, 32 will be described later.

２本の撥水剤蒸気ノズル３３は各々、チャンバ３内に撥水剤蒸気を供給する。各撥水剤蒸気ノズル３３には、供給管４３の先端が接続される。供給管４３の基端は、撥水剤蒸気供給源４５に接続される。撥水剤蒸気供給源４５は、撥水剤蒸気を供給管４３に送る。撥水剤蒸気は、ヒータによって撥水剤（シリル化剤）の液体を蒸発させて生成される。撥水剤蒸気は、キャリアガスとして不活性ガス（窒素ガス）を含んでいてもよい。供給管４３には、開閉弁Ｖ６が設けられる。開閉弁Ｖ６は、撥水剤蒸気の供給およびその停止を行う。 Two water repellent vapor nozzles 33 each supply water repellent vapor into the chamber 3 . The tip of a supply pipe 43 is connected to each water repellent vapor nozzle 33 . The base end of the supply pipe 43 is connected to a water repellent vapor supply source 45 . Water repellent vapor supply source 45 sends water repellent vapor to supply pipe 43 . The water repellent vapor is generated by evaporating the water repellent (silylation agent) liquid using a heater. The water repellent vapor may contain an inert gas (nitrogen gas) as a carrier gas. The supply pipe 43 is provided with an on-off valve V6. The on-off valve V6 supplies and stops water repellent vapor.

２本の撥水剤蒸気ノズル３３は、複数の基板Ｗの移動経路ＲＴを挟み込むように水平に配置される。２本の撥水剤蒸気ノズル３３の更なる構成は後述する。 The two water repellent vapor nozzles 33 are arranged horizontally so as to sandwich the movement path RT of the plurality of substrates W. Further configuration of the two water repellent vapor nozzles 33 will be described later.

チャンバ３の側壁には、排気口４７が設けられている。排気口４７は、処理槽２の上面よりも低い位置に配置される。例えば、排気口４７は、処理槽２の外側面２Ａに対向するような高さに配置される。また、排気口４７は、後述するシールド板５５よりも低い位置に配置される。排気口４７には、排気管４９が接続される。排気管４９には、排気口４７側から順番に、開閉弁Ｖ７および排気ポンプ５１が設けられる。排気ポンプ５１は、排気口４７からチャンバ３内の気体を排気する。これにより、チャンバ３内を大気圧よりも低い圧力に減圧する。 An exhaust port 47 is provided in the side wall of the chamber 3 . The exhaust port 47 is arranged at a position lower than the upper surface of the processing tank 2 . For example, the exhaust port 47 is arranged at a height opposite to the outer surface 2A of the processing tank 2. Further, the exhaust port 47 is arranged at a lower position than a shield plate 55, which will be described later. An exhaust pipe 49 is connected to the exhaust port 47 . The exhaust pipe 49 is provided with an on-off valve V7 and an exhaust pump 51 in this order from the exhaust port 47 side. The exhaust pump 51 exhausts the gas inside the chamber 3 through the exhaust port 47. This reduces the pressure inside the chamber 3 to a pressure lower than atmospheric pressure.

なお、図１において、図示の便宜上、排気口４７は、側壁３Ｃに設けられている。この点、後述する図３に示すように、排気口４７は、側壁３Ａに設けられる。 In addition, in FIG. 1, for convenience of illustration, the exhaust port 47 is provided in the side wall 3C. In this regard, as shown in FIG. 3, which will be described later, the exhaust port 47 is provided in the side wall 3A.

さらに、チャンバ３の底壁には、排出管５３が接続される。排出管５３には、開閉弁Ｖ８が設けられる。開閉弁Ｖ８が開状態のとき、チャンバ３内の処理液をチャンバ３の外部に排出することができる。開閉弁Ｖ８が閉状態のとき、チャンバ３内の底部に処理液を貯留させることができる。 Furthermore, a discharge pipe 53 is connected to the bottom wall of the chamber 3. The discharge pipe 53 is provided with an on-off valve V8. When the on-off valve V8 is in the open state, the processing liquid in the chamber 3 can be discharged to the outside of the chamber 3. When the on-off valve V8 is in the closed state, the processing liquid can be stored at the bottom of the chamber 3.

また、チャンバ３は、シールド板５５を備える。シールド板５５は、処理槽２の上縁（または開口）からやや下方に、かつ、処理槽２の外側面２Ａの全周にわたって設けられる。言い換えると、シールド板５５は、処理槽２の外側壁とチャンバ３の内側壁との間に設けられる。シールド板５５は、チャンバ３内の上部（上部空間）とチャンバ３内の下部（下部空間）との間で雰囲気を遮蔽する。シールド板５５は、処理槽２から溢れた処理液をチャンバ３内の下部に流通させる隙間Ｇ１，Ｇ２（開口）を有する。すなわち、シールド板５５は、処理槽２の外側壁との間に隙間Ｇ１を有すると共に、チャンバ３の内側壁との間に隙間Ｇ２を有する。なお、必要により、隙間Ｇ１，Ｇ２の一方は設けられていなくてもよい。 Further, the chamber 3 includes a shield plate 55. The shield plate 55 is provided slightly below the upper edge (or opening) of the processing tank 2 and over the entire circumference of the outer surface 2A of the processing tank 2. In other words, the shield plate 55 is provided between the outer wall of the processing tank 2 and the inner wall of the chamber 3. The shield plate 55 shields the atmosphere between the upper part of the chamber 3 (upper space) and the lower part of the chamber 3 (lower space). The shield plate 55 has gaps G1 and G2 (openings) that allow the processing liquid overflowing from the processing tank 2 to flow to the lower part of the chamber 3. That is, the shield plate 55 has a gap G1 between it and the outer wall of the processing tank 2, and a gap G2 between it and the inner wall of the chamber 3. Note that, if necessary, one of the gaps G1 and G2 may not be provided.

基板処理装置１は、制御部６１と記憶部（図示しない）を備えている。制御部６１は、基板処理装置１の各構成を制御する。制御部６１は、例えば中央演算処理装置（ＣＰＵ）などの１つ以上のプロセッサを備える。記憶部は、例えば、ＲＯＭ（Read-Only Memory）、ＲＡＭ（Random-Access Memory）、およびハードディスクの少なくとも１つを備えている。記憶部は、基板処理装置１の各構成を制御するために必要なコンピュータプログラムを記憶する。 The substrate processing apparatus 1 includes a control section 61 and a storage section (not shown). The control unit 61 controls each component of the substrate processing apparatus 1. The control unit 61 includes, for example, one or more processors such as a central processing unit (CPU). The storage unit includes, for example, at least one of a ROM (Read-Only Memory), a RAM (Random-Access Memory), and a hard disk. The storage unit stores computer programs necessary for controlling each component of the substrate processing apparatus 1.

＜２．遮蔽板７１＞
次に、本実施例の特徴部分の１つである遮蔽板７１について説明する。図３は、基板処理装置１の左側面の概略構成を示す縦断面図である。図４（ａ）は、複数の基板Ｗを図示しないときの基板処理装置１の左側面の概略構成を示す縦断面図である。図４（ｂ）は、溶剤蒸気ノズル３１，３２（撥水剤蒸気ノズル３３）を示す図である。図５は、基板処理装置１の正面の概略構成を示す縦断面図である。 <2. Shielding plate 71>
Next, the shielding plate 71, which is one of the features of this embodiment, will be explained. FIG. 3 is a vertical cross-sectional view showing a schematic configuration of the left side of the substrate processing apparatus 1. As shown in FIG. FIG. 4A is a vertical cross-sectional view showing a schematic configuration of the left side surface of the substrate processing apparatus 1 when a plurality of substrates W are not shown. FIG. 4(b) is a diagram showing the solvent vapor nozzles 31 and 32 (water repellent vapor nozzle 33). FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a schematic front configuration of the substrate processing apparatus 1. As shown in FIG.

基板処理装置１は、遮蔽板７１を備える。遮蔽板７１は、パーティクルおよびミストなどが、後述する先端基板ＷＴのデバイス面に付着することを防止する。遮蔽板７１は、図示しない取付部材を介して処理槽２に取り付けられる。遮蔽板７１は、上下方向（Ｚ方向）に延びるように形成される。なお、遮蔽弁７１は、チャンバ３に取り付けられてもよい。 The substrate processing apparatus 1 includes a shielding plate 71. The shielding plate 71 prevents particles, mist, and the like from adhering to the device surface of the tip substrate WT, which will be described later. The shielding plate 71 is attached to the processing tank 2 via an attachment member (not shown). The shielding plate 71 is formed to extend in the vertical direction (Z direction). Note that the shielding valve 71 may be attached to the chamber 3.

遮蔽板７１は、「先端基板ＷＴ」と、保持部材７の先端部７Ａ側が対向するチャンバ３の側壁３Ａとの間に設けられる。先端基板ＷＴは、複数（例えば４９枚）の基板Ｗのうちの背板９から最も離れた基板Ｗである。なお、保持部材７の基端部７Ｂ側および背板９側のチャンバ３の側壁は、符号３Ｂで示される。 The shielding plate 71 is provided between the "tip substrate WT" and the side wall 3A of the chamber 3 facing the tip 7A side of the holding member 7. The tip substrate WT is the substrate W furthest from the back plate 9 among the plurality of (for example, 49) substrates W. Note that the side walls of the chamber 3 on the side of the base end 7B of the holding member 7 and on the side of the back plate 9 are indicated by the reference numeral 3B.

図５において、遮蔽板７１は、保持部材７の先端部７Ａ側から基端部７Ｂ側に向かう方向（＋Ｙ方向）に見たときに、各基板Ｗの全体を覆うように配置される。先端基板ＷＴのデバイス面（表面）は、保持部材７の基端部７Ｂ側から先端部７Ａ側に向かう方向（－Ｙ方向）を向いている。図２（ａ）に示すスロット４９（ＳＬ４９）が先端基板ＷＴであるとする。図２（ａ）の矢印ＡＲ２が示すように、先端基板ＷＴのデバイス面は、遮蔽板７１と対向する。 In FIG. 5, the shielding plate 71 is arranged to cover the entirety of each substrate W when viewed in the direction (+Y direction) from the distal end 7A side to the base end 7B side of the holding member 7. The device surface (front surface) of the tip substrate WT faces in the direction from the base end 7B side to the tip end 7A side of the holding member 7 (-Y direction). It is assumed that the slot 49 (SL49) shown in FIG. 2(a) is the tip board WT. As indicated by the arrow AR2 in FIG. 2(a), the device surface of the tip substrate WT faces the shielding plate 71.

スロット４９の先端基板ＷＴのデバイス面と遮蔽板７１との間の距離Ｋ１は、例えば１３ｍｍである（図３参照）。なお、遮蔽板７１と側壁３Ａとの間の距離を距離Ｋ２と仮定する。距離Ｋ１は、距離Ｋ２よりも小さい（距離Ｋ１＜距離Ｋ２）。 The distance K1 between the device surface of the tip substrate WT of the slot 49 and the shielding plate 71 is, for example, 13 mm (see FIG. 3). Note that it is assumed that the distance between the shielding plate 71 and the side wall 3A is a distance K2. The distance K1 is smaller than the distance K2 (distance K1<distance K2).

なお、先端基板ＷＴを含む基板Ｗのデバイス面とは、電子回路が形成される面であり、「表面」と呼ばれる。また、基板Ｗの裏面とは、電子回路が形成されない面をいう。デバイス面の反対側の面が裏面である。 Note that the device surface of the substrate W including the tip substrate WT is a surface on which an electronic circuit is formed, and is referred to as a "front surface." Further, the back surface of the substrate W refers to the surface on which no electronic circuit is formed. The side opposite the device side is the back side.

また、図３、図５に示すように、遮蔽板７１の上端７２は、チャンバ３の天井面３Ｅに到達するように配置される。すなわち、遮蔽板７１の上端７２は、チャンバ３の天井面３Ｅと略同じ高さに配置される（例えば遮蔽板７１の上端７２と天井面３Ｅの間には、隙間を有する）。例えば溶剤蒸気ノズル３１，３２の後述する液排出口７６から吐出されたミスト状の溶剤が、チャンバ３の天井面３Ｅに到達するような遮蔽板７１を乗り越えて複数の基板Ｗに向かうことを防止できる。なお、遮蔽板７１の下端側は、気流が比較的速いので、ミスト状の溶剤が複数の基板Ｗ側に向かわないと考えられる。撥水剤蒸気ノズル３３の後述する第２液排出口８６から吐出されたミスト状の撥水剤の場合も同様である。 Further, as shown in FIGS. 3 and 5, the upper end 72 of the shielding plate 71 is arranged so as to reach the ceiling surface 3E of the chamber 3. That is, the upper end 72 of the shielding plate 71 is arranged at approximately the same height as the ceiling surface 3E of the chamber 3 (for example, there is a gap between the upper end 72 of the shielding plate 71 and the ceiling surface 3E). For example, the mist-like solvent discharged from the liquid discharge ports 76 of the solvent vapor nozzles 31 and 32, which will be described later, is prevented from reaching the ceiling surface 3E of the chamber 3 and going over the shielding plate 71 and toward the plurality of substrates W. can. Note that since the airflow is relatively fast on the lower end side of the shielding plate 71, it is considered that the mist-like solvent does not flow toward the plurality of substrates W. The same applies to the case of a mist-like water repellent discharged from a second liquid outlet 86 of the water repellent vapor nozzle 33, which will be described later.

＜３．溶剤蒸気ノズル３１，３２および撥水剤蒸気ノズル３３の液排出口７６，８６＞
次に、本実施例の他の特徴部分である各溶剤蒸気ノズル３１，３２および撥水剤蒸気ノズル３３の液排出口７６，８６について説明する。 <3. Liquid discharge ports 76, 86 of solvent vapor nozzles 31, 32 and water repellent vapor nozzle 33>
Next, the liquid discharge ports 76 and 86 of the solvent vapor nozzles 31 and 32 and the water repellent vapor nozzle 33, which are other characteristic parts of this embodiment, will be explained.

図３、図４（ａ）、図４（ｂ）を参照する。各溶剤蒸気ノズル３１，３２は、水平に（Ｙ方向）直線状に延びる管部７３と、管部７３に設けられた複数（例えば５０個）の吐出口７５を備える。５０個の吐出口７５は、予め設定された間隔で管軸ＡＸ（図４（ｂ）参照）に沿って配置される。例えば、５０個の吐出口７５は、５ｍｍ間隔（ピッチ）で配置される。５０個の吐出口７５は各々、チャンバ３内に溶剤蒸気を吐出する。 Refer to FIG. 3, FIG. 4(a), and FIG. 4(b). Each of the solvent vapor nozzles 31 and 32 includes a pipe portion 73 that linearly extends horizontally (in the Y direction) and a plurality of (for example, 50) discharge ports 75 provided in the pipe portion 73. The 50 discharge ports 75 are arranged along the tube axis AX (see FIG. 4(b)) at preset intervals. For example, 50 discharge ports 75 are arranged at intervals (pitch) of 5 mm. Each of the 50 outlets 75 discharges solvent vapor into the chamber 3 .

５０個の吐出口７５は互いに同じ直径Ｄ１の円状の開口を有する。５０個の吐出口７５は、基板保持部５が保持可能な例えば５０枚の基板Ｗに対応するように配置される。すなわち、５０個の吐出口７５は、基板保持部５で保持された５０枚の基板Ｗの領域に対応する領域に配置される。各吐出口７５は、溶剤蒸気を基板Ｗに向けて吐出するために、例えば、水平方向（Ｘ方向）または、斜め下方向（ＸＺ方向）に向いている。 The 50 discharge ports 75 have circular openings with the same diameter D1. The 50 ejection ports 75 are arranged to correspond to, for example, 50 substrates W that the substrate holder 5 can hold. That is, the 50 ejection ports 75 are arranged in areas corresponding to the areas of the 50 substrates W held by the substrate holder 5. Each discharge port 75 faces, for example, in the horizontal direction (X direction) or diagonally downward direction (XZ direction) in order to discharge solvent vapor toward the substrate W.

また、従来の基板処理装置は、溶剤の液体（液滴）が基板Ｗに付着し、その液体がパーティクルの原因になるおそれがある問題を有する。すなわち、各溶剤蒸気ノズル３１，３２の上流側で配管温度の低下により溶剤蒸気が結露し、各溶剤蒸気ノズル３１，３２の上流側の１以上の吐出口から、結露した溶剤の液体が例えばミスト状に吐出される場合がある。ミスト状の溶剤がスロット４９側の基板Ｗに付着すると、付着した溶剤の液体がパーティクルの原因になるおそれがある。なお、撥水剤蒸気ノズル３３も同様である。 Furthermore, the conventional substrate processing apparatus has a problem in that the solvent liquid (droplets) may adhere to the substrate W, and the liquid may cause particles. That is, the solvent vapor condenses on the upstream side of each solvent vapor nozzle 31, 32 due to a decrease in piping temperature, and the dew condensed solvent liquid flows from one or more discharge ports on the upstream side of each solvent vapor nozzle 31, 32 into, for example, mist. It may be discharged in a shape. If the mist-like solvent adheres to the substrate W on the slot 49 side, the adhered solvent liquid may cause particles. The same applies to the water repellent vapor nozzle 33.

そこで、本実施例において、各溶剤蒸気ノズル３１，３２は、更に、複数の吐出口７５の上流の管部７３に設けられた液排出口７６を備える。液排出口７６は、溶剤蒸気が結露して生じた溶剤の液体をチャンバ３内に排出する。液排出口７６は、図３、図４（ａ）に示すように、遮蔽板７１とチャンバ３の側壁３Ａとの間に対応する領域７８に配置される。液排出口７６は、例えば、溶剤の液体を遮蔽板７１とチャンバ３の側壁３Ａとの間の領域（すなわち、遮蔽板７１とチャンバ３の側壁３Ａとで挟まれた空間）に排出する。 Therefore, in this embodiment, each of the solvent vapor nozzles 31 and 32 further includes a liquid discharge port 76 provided in the pipe section 73 upstream of the plurality of discharge ports 75. The liquid discharge port 76 discharges the solvent liquid generated by condensation of the solvent vapor into the chamber 3 . The liquid discharge port 76 is arranged in a region 78 corresponding to between the shielding plate 71 and the side wall 3A of the chamber 3, as shown in FIGS. 3 and 4(a). The liquid discharge port 76 discharges, for example, a solvent liquid to a region between the shielding plate 71 and the side wall 3A of the chamber 3 (that is, a space sandwiched between the shielding plate 71 and the side wall 3A of the chamber 3).

５０個の吐出口７５のうちの保持部材７の先端部７Ａ側の吐出口７５を「吐出口７５Ａ」とする。この場合、吐出口７５Ａから液排出口７６までの距離ＬＮ１は、２つの吐出口７５の間隔ＬＮ２よりも長くなるように構成される。液排出口７６は、直径Ｄ２の円状の開口を有する。液排出口７６の直径Ｄ２は、各吐出口７５の直径Ｄ１と同じである（直径Ｄ１＝直径Ｄ２）。また、例えば溶剤蒸気ノズル３２の各吐出口７５が水平方向（Ｘ方向）に溶剤蒸気を吐出する場合、液排出口７６も、各吐出口７５と同じ方向である水平方向（Ｘ方向）に結露した溶剤を排出する。 Among the 50 discharge ports 75, the discharge port 75 on the side of the tip 7A of the holding member 7 is referred to as the "discharge port 75A." In this case, the distance LN1 from the discharge port 75A to the liquid discharge port 76 is configured to be longer than the distance LN2 between the two discharge ports 75. The liquid outlet 76 has a circular opening with a diameter D2. The diameter D2 of the liquid discharge port 76 is the same as the diameter D1 of each discharge port 75 (diameter D1=diameter D2). For example, when each discharge port 75 of the solvent vapor nozzle 32 discharges solvent vapor in the horizontal direction (X direction), the liquid discharge port 76 also condenses in the horizontal direction (X direction), which is the same direction as each discharge port 75. Drain the solvent.

各撥水剤蒸気ノズル３３も、溶剤蒸気ノズル３１と略同様に構成される。すなわち、各撥水剤蒸気ノズル３３は、水平（Ｙ方向）に直線状に延びる第２管部８３と、第２管部８３に設けられた複数（例えば５０個）の第２吐出口８５を備える。５０個の第２吐出口８５は、予め設定された間隔（例えば５ｍｍ）で管軸ＡＸ（Ｙ方向）に沿って配置される。第２吐出口８５は各々、チャンバ３内に撥水剤蒸気を吐出する。各第２吐出口８５も、例えば、水平方向（Ｘ方向）または、斜め下方向（ＸＺ方向）に向いている。 Each water repellent vapor nozzle 33 is also configured substantially similarly to the solvent vapor nozzle 31. That is, each water repellent vapor nozzle 33 has a second pipe section 83 that linearly extends horizontally (in the Y direction) and a plurality of (for example, 50) second discharge ports 85 provided in the second pipe section 83. Be prepared. The 50 second discharge ports 85 are arranged along the tube axis AX (Y direction) at preset intervals (for example, 5 mm). The second discharge ports 85 each discharge water repellent vapor into the chamber 3 . Each second discharge port 85 also faces, for example, in the horizontal direction (X direction) or in the diagonally downward direction (XZ direction).

撥水剤蒸気ノズル３３は、更に、５０個の第２吐出口８５の上流の第２管部８３に設けられた第２液排出口８６を備える。第２液排出口８６は、遮蔽板７１とチャンバ３の側壁３Ａとの間に対応する領域７８に配置される。図４（ａ）において、５０個の第２吐出口８５のうちの保持部材７の先端部７Ａ側の第２吐出口８５を「第２吐出口８５Ａ」とする。この場合、第２吐出口８５Ａから第２液排出口８６までの距離ＬＮ１は、２つの第２吐出口８５の間隔ＬＮ２（例えば５ｍｍ）よりも大きい。第２液排出口８６は、撥水剤蒸気が結露して生じた撥水剤の液体（液滴）をチャンバ３内に排出する。第２液排出口８６は、例えば、撥水剤の液体を遮蔽板７１とチャンバ３の側壁３Ａとの間の領域に排出する。第２液排出口８６は、例えば、撥水剤の液体をミスト状に排出する。 The water repellent vapor nozzle 33 further includes a second liquid discharge port 86 provided in the second pipe section 83 upstream of the 50 second discharge ports 85 . The second liquid outlet 86 is arranged in a region 78 corresponding to between the shielding plate 71 and the side wall 3A of the chamber 3. In FIG. 4A, of the 50 second discharge ports 85, the second discharge port 85 on the tip 7A side of the holding member 7 is referred to as a "second discharge port 85A." In this case, the distance LN1 from the second discharge port 85A to the second liquid discharge port 86 is larger than the interval LN2 (for example, 5 mm) between the two second discharge ports 85. The second liquid discharge port 86 discharges water repellent liquid (droplets) generated by condensation of water repellent vapor into the chamber 3 . The second liquid discharge port 86 discharges, for example, a water repellent liquid to a region between the shielding plate 71 and the side wall 3A of the chamber 3. The second liquid discharge port 86 discharges, for example, a water repellent liquid in the form of a mist.

本実施例において、各溶剤蒸気ノズル３１，３２は、１つの液排出口７６を備えるが、Ｙ方向に並ぶ２以上の液排出口７６を備えてもよい。これと同様に、撥水剤蒸気ノズル３３は、１つの第２液排出口８６を備えるが、Ｙ方向に並ぶ２以上の第２液排出口８６を備えてもよい。 In this embodiment, each solvent vapor nozzle 31, 32 is provided with one liquid discharge port 76, but may be provided with two or more liquid discharge ports 76 lined up in the Y direction. Similarly, the water repellent vapor nozzle 33 includes one second liquid discharge port 86, but may include two or more second liquid discharge ports 86 lined up in the Y direction.

＜４．基板処理装置１の動作＞
図６を参照しながら、基板処理装置１の動作について説明する。なお、図６において、基板保持部５の図示を省略する。図６において、排気ポンプ５１および開閉弁Ｖ７による排気動作を符号「ＶＡＣ」で示す。 <4. Operation of substrate processing apparatus 1>
The operation of the substrate processing apparatus 1 will be described with reference to FIG. 6. Note that in FIG. 6, illustration of the substrate holding section 5 is omitted. In FIG. 6, the exhaust operation by the exhaust pump 51 and the on-off valve V7 is indicated by the symbol "VAC".

処理槽２には、噴出管１３により処理液として純水が貯留されている。基板保持部５は、乾燥位置Ｈ１に位置する。図示しない搬送ロボットは、例えば４９枚の基板Ｗを基板保持部５に搬送する。基板保持部５は、鉛直姿勢の例えば４９枚の基板Ｗを保持している。リフタ４は、乾燥位置Ｈ１から処理位置Ｈ２に基板保持部５を下降させることで、予め設定された期間、４９枚の基板Ｗを処理槽２の純水に浸漬させる（ステップＳ０１）。これにより、基板Ｗは洗浄される。基板保持部５を下降させた後、上部カバー２５を閉じる。 Pure water is stored in the processing tank 2 as a processing liquid through a jet pipe 13 . The substrate holding section 5 is located at the drying position H1. A transport robot (not shown) transports, for example, 49 substrates W to the substrate holding section 5. The substrate holding unit 5 holds, for example, 49 substrates W in a vertical posture. The lifter 4 lowers the substrate holder 5 from the drying position H1 to the processing position H2, thereby immersing the 49 substrates W in the pure water of the processing tank 2 for a preset period (step S01). Thereby, the substrate W is cleaned. After lowering the substrate holder 5, the upper cover 25 is closed.

なお、４９枚の基板Ｗについて、奇数のスロット（例えばスロット１，３，５，・・・，４７，４９）の基板Ｗのデバイス面は、遮蔽板７１側（－Ｙ方向）を向いており、偶数のスロット（例えばスロット２，４，６，・・・，４６，４８）の基板Ｗのデバイス面は、背板９側を向いている。すなわち、４９枚の基板Ｗは、フェース・ツー・フェース（face to face）方式で配置される。スロット４９（ＳＬ４９）の基板Ｗは、先端基板ＷＴである（図２（ａ）、図３参照）。 Note that among the 49 substrates W, the device surfaces of the substrates W in odd-numbered slots (for example, slots 1, 3, 5, ..., 47, 49) face the shielding plate 71 side (-Y direction). , the device surfaces of the substrates W in even-numbered slots (for example, slots 2, 4, 6, . . . , 46, 48) face the back plate 9 side. That is, the 49 substrates W are arranged in a face-to-face manner. The substrate W in the slot 49 (SL49) is the tip substrate WT (see FIG. 2(a) and FIG. 3).

その後、不活性ガスノズル２７からチャンバ３内に窒素ガスを供給する。また、排気ポンプ５１を作動させながら開閉弁Ｖ７を開くことで、排気口４７からチャンバ３内を排気してチャンバ３内を大気圧よりも低い圧力に減圧する（ステップＳ０２）。その後、排気ポンプ５１等によりチャンバ３内の排気を継続する。また、不活性ガスノズル２７からの窒素ガスの供給を停止すると共に、溶剤蒸気ノズル３１，３２からチャンバ３内にＩＰＡ蒸気を供給する（ステップＳ０３）。 Thereafter, nitrogen gas is supplied into the chamber 3 from the inert gas nozzle 27. Further, by opening the on-off valve V7 while operating the exhaust pump 51, the inside of the chamber 3 is evacuated from the exhaust port 47, and the pressure inside the chamber 3 is reduced to a pressure lower than atmospheric pressure (step S02). Thereafter, the chamber 3 is continued to be evacuated using the exhaust pump 51 or the like. Further, the supply of nitrogen gas from the inert gas nozzle 27 is stopped, and IPA vapor is supplied into the chamber 3 from the solvent vapor nozzles 31 and 32 (step S03).

その後、排気ポンプ５１を停止すると共に開閉弁Ｖ７を閉じる。また、ＩＰＡ蒸気の供給は継続される。リフタ４は、処理位置Ｈ２から乾燥位置Ｈ１に基板保持部５を移動させることで、処理槽２の純水から４９枚の基板Ｗを引き上げる（ステップＳ０４）。これにより、基板Ｗのデバイス面に付着した純水をＩＰＡに置換する。 Thereafter, the exhaust pump 51 is stopped and the on-off valve V7 is closed. Additionally, the supply of IPA vapor will continue. The lifter 4 moves the substrate holder 5 from the processing position H2 to the drying position H1, thereby lifting the 49 substrates W from the pure water in the processing tank 2 (step S04). Thereby, the pure water adhering to the device surface of the substrate W is replaced with IPA.

ここで、液排出口７６および遮蔽板７１の効果を説明する。結露した溶剤の液体（液滴）は、液排出口７６から排出されるので、スロット４９の基板Ｗ側にミスト状の溶剤を吐出することを防止する。そのため、５０個の吐出口７５から４９枚の基板ＷにＩＰＡ蒸気を均等に供給することができる。また、遮蔽板７１により、液排出口７６から排出された溶剤の液体が基板Ｗに付着することを防止することができる。後述するステップＳ０７，Ｓ１２も同様である。 Here, the effects of the liquid discharge port 76 and the shielding plate 71 will be explained. The condensed solvent liquid (droplets) is discharged from the liquid discharge port 76, thereby preventing the mist-like solvent from being discharged to the substrate W side of the slot 49. Therefore, IPA vapor can be evenly supplied to the 49 substrates W from the 50 discharge ports 75. Further, the shielding plate 71 can prevent the solvent liquid discharged from the liquid discharge port 76 from adhering to the substrate W. The same applies to steps S07 and S12, which will be described later.

ステップＳ０４の後、ＱＤＲ弁２３を開き、処理槽２内の純水をチャンバ３の底面に放出する（ステップＳ０５）。その後、排気ポンプ５１を作動させながら開閉弁Ｖ７を開くことで、チャンバ３内を排気する。また、溶剤蒸気ノズル３１，３２からのＩＰＡ蒸気の供給を停止する共に、撥水剤蒸気ノズル３３からチャンバ３内に撥水剤蒸気を供給する（ステップＳ０６）。これにより、基板Ｗに付着したＩＰＡを撥水剤に置換する。撥水剤により基板Ｗのデバイス面は改質される。 After step S04, the QDR valve 23 is opened and the pure water in the processing tank 2 is discharged to the bottom of the chamber 3 (step S05). Thereafter, the chamber 3 is evacuated by opening the on-off valve V7 while operating the exhaust pump 51. Further, the supply of IPA vapor from the solvent vapor nozzles 31 and 32 is stopped, and water repellent vapor is supplied into the chamber 3 from the water repellent vapor nozzle 33 (step S06). This replaces IPA adhering to the substrate W with the water repellent agent. The device surface of the substrate W is modified by the water repellent.

ここでも、複数の第２吐出口８５から４９枚の基板Ｗに撥水剤蒸気を均等に供給することができる。また、遮蔽板７１により、第２液排出口８６から排出された撥水剤の液体が基板Ｗに付着することを防止することができる。 Here too, the water repellent vapor can be evenly supplied to the 49 substrates W from the plurality of second discharge ports 85. Further, the shielding plate 71 can prevent the water repellent liquid discharged from the second liquid discharge port 86 from adhering to the substrate W.

ステップＳ０６の後、排気ポンプ５１等によりチャンバ３内の排気を継続する。また、撥水剤蒸気ノズル３３からの撥水剤蒸気の供給を停止すると共に、溶剤蒸気ノズル３１，３２からチャンバ３内にＩＰＡ蒸気を供給する（ステップＳ０７）。これにより、基板Ｗに付着した撥水剤をＩＰＡに置換しつつ、例えば撥水剤および撥水剤由来のパーティクルを洗い流す。 After step S06, the chamber 3 is continued to be evacuated by the exhaust pump 51 or the like. Further, the supply of water repellent vapor from the water repellent vapor nozzle 33 is stopped, and IPA vapor is supplied into the chamber 3 from the solvent vapor nozzles 31 and 32 (step S07). As a result, the water repellent adhering to the substrate W is replaced with IPA while, for example, the water repellent and particles derived from the water repellent are washed away.

その後、排気ポンプ５１を停止すると共に開閉弁Ｖ７を閉じる。また、溶剤蒸気ノズル３１，３２からのＩＰＡ蒸気の供給を停止すると共に、不活性ガスノズル２７からチャンバ３内に窒素ガスを供給する（ステップＳ０８）。これにより、減圧状態のチャンバ３内を大気圧に戻す。その後、排出管５３を通じて、チャンバ３内の下部の純水をチャンバ３の外部に排出する（ステップＳ０８）。 Thereafter, the exhaust pump 51 is stopped and the on-off valve V7 is closed. Further, the supply of IPA vapor from the solvent vapor nozzles 31 and 32 is stopped, and nitrogen gas is supplied into the chamber 3 from the inert gas nozzle 27 (step S08). As a result, the pressure inside the chamber 3, which is in a reduced pressure state, is returned to atmospheric pressure. Thereafter, the pure water in the lower part of the chamber 3 is discharged to the outside of the chamber 3 through the discharge pipe 53 (step S08).

ここで、遮蔽板７１の効果を説明する。図７は、遮蔽板７１が設けられていない基板処理装置２０１を示す。なお、基板処理装置２０１の各構成は、図３に示す基板処理装置１と同じ符号を付けているものとする。図７において、排気ポンプ５１は、側壁３Ａに設けられた排気口４７からチャンバ３内を排気して、チャンバ３内を減圧する。このとき、保持部材７の先端部７Ａ側の領域９１は、気流が遅い領域である。それにより、雰囲気が滞留しやすくなる。例えば、ステップＳ０６で生じたパーティクル（汚れ）、およびステップＳ０７で生じたパーティクル（汚れ）が領域９１に集まって滞留する場合がある。なお、パーティクルには、パーティクルの原因になる例えばミストを含む。 Here, the effect of the shielding plate 71 will be explained. FIG. 7 shows a substrate processing apparatus 201 in which a shielding plate 71 is not provided. Note that each component of the substrate processing apparatus 201 is given the same reference numeral as the substrate processing apparatus 1 shown in FIG. 3. In FIG. 7, the exhaust pump 51 exhausts the inside of the chamber 3 from the exhaust port 47 provided in the side wall 3A to reduce the pressure inside the chamber 3. At this time, a region 91 on the side of the distal end portion 7A of the holding member 7 is a region where the airflow is slow. This makes it easier for the atmosphere to stagnate. For example, particles (dirt) generated in step S06 and particles (dirt) generated in step S07 may gather and stay in region 91. Note that the particles include, for example, mist that causes particles.

そして、窒素ガスを供給してチャンバ３内を大気圧に戻す際に、排気ポンプ５１が停止され、窒素ガスによって領域９１に滞留するパーティクルが巻き上げられて、そのパーティクルがスロット４９の基板Ｗ（先端基板ＷＴ）に付着する場合がある。 Then, when nitrogen gas is supplied to return the inside of the chamber 3 to atmospheric pressure, the exhaust pump 51 is stopped, and the particles staying in the region 91 are stirred up by the nitrogen gas, and the particles are transported to the substrate W (the tip of the slot 49). may adhere to the substrate WT).

なお、図８（ａ）に示すように、基板保持部５がフェース・ツー・フェース式で配置された５０枚の基板Ｗを保持する場合、スロット５０（ＳＬ５０）の基板Ｗのデバイス面は、背板９側を向く。なお、矢印ＡＲ２は、デバイス面の向きを示す。すなわち、スロット５０の基板Ｗの裏面は、保持部材７の先端部７Ａ側（－Ｙ方向）を向く。この場合、スロット５０の基板Ｗの裏面で遮蔽されるためか、領域９１の気流が遅くなることによるデバイス面へのパーティクル付着の問題は生じない。 Note that, as shown in FIG. 8(a), when the substrate holding section 5 holds 50 substrates W arranged in a face-to-face manner, the device surface of the substrates W in the slot 50 (SL50) is as follows. Facing the back plate 9 side. Note that arrow AR2 indicates the direction of the device surface. That is, the back surface of the substrate W in the slot 50 faces toward the tip 7A of the holding member 7 (-Y direction). In this case, probably because the slot 50 is shielded by the back surface of the substrate W, the problem of particles adhering to the device surface due to the slow airflow in the region 91 does not occur.

図８（ｂ）に示すように、基板保持部５がフェース・ツー・フェース式で配置された４９枚の基板Ｗを保持する場合、スロット４９（ＳＬ４９）の基板Ｗのデバイス面は、保持部材７の先端部７Ａ側（－Ｙ方向）を向く。そのため、スロット４９の基板Ｗのデバイス面は領域９１に対向するため、そのデバイス面にはパーティクルが付着しやすい。 As shown in FIG. 8(b), when the substrate holder 5 holds 49 substrates W arranged in a face-to-face manner, the device surface of the substrate W in the slot 49 (SL49) is 7, facing toward the 7A side (-Y direction). Therefore, since the device surface of the substrate W in the slot 49 faces the region 91, particles tend to adhere to the device surface.

また、図８（ｃ）に示すように、基板保持部５がフェース・ツー・フェース式で配置された２５枚の基板Ｗを保持する場合、スロット２５（ＳＬ２５）の基板Ｗのデバイス面は、保持部材７の先端部７Ａ側（－Ｙ方向）を向く。そのため、スロット２５の基板Ｗのデバイス面は、領域９１に対向するためパーティクルが付着しやすい。しかし、スロット２５の基板Ｗは、領域９１から離れているため、図８（ｃ）のスロット２５の基板Ｗに付着するパーティクル数は、図８（ｂ）のスロット４９の基板Ｗに付着するパーティクル数よりも少ない。 Further, as shown in FIG. 8(c), when the substrate holding unit 5 holds 25 substrates W arranged in a face-to-face manner, the device surface of the substrates W in the slot 25 (SL25) is It faces toward the tip 7A side (-Y direction) of the holding member 7. Therefore, since the device surface of the substrate W in the slot 25 faces the region 91, particles tend to adhere thereto. However, since the substrate W in the slot 25 is far from the region 91, the number of particles attached to the substrate W in the slot 25 in FIG. 8(c) is equal to the number of particles attached to the substrate W in the slot 49 in FIG. less than the number.

なお、図８（ａ）～図８（ｃ）において、「良」は、デバイス面へのパーティクルの付着が確認されないことを示す。また、「不良」は、デバイス面へのパーティクルの付着が確認されることを示す。また、スロット１の基板Ｗは、背板９が存在し、かつ背板９側にデバイス面が向いていないので、デバイス面へのパーティクルの付着の問題が生じないと考えられる。 Note that in FIGS. 8(a) to 8(c), "good" indicates that no particles are observed to be attached to the device surface. Moreover, "defective" indicates that particles are confirmed to be attached to the device surface. Further, since the substrate W in the slot 1 has the back plate 9 and the device surface does not face the back plate 9 side, it is thought that there will be no problem of particles adhering to the device surface.

遮蔽板７１が設けられていることで、保持部材７の先端部７Ａ側で滞留した領域９１の雰囲気に混在するパーティクルからスロット４９の先端基板ＷＴのデバイス面を保護する。また、先端基板ＷＴと遮蔽板７１との間の気体の流れを改善させることでできる。これにより、領域９１のように、先端基板ＷＴに対向して雰囲気が滞留することを防止する。これらにより、パーティクルが基板Ｗのデバイス面に付着することを防止することができる。 The provision of the shielding plate 71 protects the device surface of the tip substrate WT in the slot 49 from particles mixed in the atmosphere of the region 91 that have accumulated on the side of the tip 7A of the holding member 7. Further, this can be achieved by improving the gas flow between the tip substrate WT and the shielding plate 71. This prevents the atmosphere from remaining opposite the tip substrate WT like in the region 91. These can prevent particles from adhering to the device surface of the substrate W.

ステップＳ０８の後、ステップＳ０９，Ｓ１０において、噴出管１３から処理槽２に純水を供給することで処理槽２内の洗浄を行い、その後、ＱＤＲ弁２３および開閉弁Ｖ８により、処理槽２内の純水を処理槽２およびチャンバ３の外部に排出する。なお、ステップＳ０９～Ｓ１１において、窒素ガスの供給が継続される。 After step S08, in steps S09 and S10, the inside of the processing tank 2 is cleaned by supplying pure water from the jet pipe 13 to the processing tank 2, and then the QDR valve 23 and the on-off valve V8 are used to clean the inside of the processing tank 2. of pure water is discharged to the outside of the processing tank 2 and chamber 3. Note that in steps S09 to S11, the supply of nitrogen gas is continued.

その後、噴出管１３から処理槽２に第２処理液として予め設定された量の希釈ＩＰＡ液を供給する。その後、リフタ４は、予め設定された期間、４９枚の基板Ｗを処理槽２の希釈ＩＰＡ液に浸漬させる（ステップＳ１１）。これにより、ステップＳ０７で残ったパーティクル等を除去する基板Ｗの追加の洗浄を行う。 Thereafter, a preset amount of diluted IPA liquid is supplied as the second processing liquid to the processing tank 2 from the jet pipe 13 . Thereafter, the lifter 4 immerses the 49 substrates W in the diluted IPA solution in the processing tank 2 for a preset period (step S11). As a result, additional cleaning of the substrate W is performed to remove particles and the like remaining in step S07.

その後、排気ポンプ５１を作動させながら開閉弁Ｖ７を開くことで、チャンバ３内を排気する。また、不活性ガスノズル２７からの窒素ガスの供給を停止すると共に、溶剤蒸気ノズル３１，３２からチャンバ３内にＩＰＡ蒸気を供給する（ステップＳ１２）。その後、リフタ４は、４９枚の基板Ｗを上昇させて、処理槽２の希釈ＩＰＡ液から４９枚の基板Ｗを引き上げる（ステップＳ１２）。これにより、基板Ｗに付着した希釈ＩＰＡ液をＩＰＡに置換させる。その後、溶剤蒸気ノズル３１，３２からのＩＰＡ蒸気の供給を停止して、基板Ｗを乾燥させる（ステップＳ１２）。 Thereafter, the chamber 3 is evacuated by opening the on-off valve V7 while operating the exhaust pump 51. Further, the supply of nitrogen gas from the inert gas nozzle 27 is stopped, and IPA vapor is supplied into the chamber 3 from the solvent vapor nozzles 31 and 32 (step S12). Thereafter, the lifter 4 raises the 49 substrates W and lifts them out of the diluted IPA solution in the processing tank 2 (step S12). As a result, the diluted IPA liquid adhering to the substrate W is replaced with IPA. Thereafter, the supply of IPA vapor from the solvent vapor nozzles 31 and 32 is stopped, and the substrate W is dried (step S12).

その後、排気ポンプ５１を停止すると共に開閉弁Ｖ７を閉じる。また、溶剤蒸気ノズル３１，３２からのＩＰＡ蒸気の供給を停止すると共に、不活性ガスノズル２７からチャンバ３内に窒素ガスを供給する（ステップＳ１３）。これにより、減圧状態のチャンバ３内を大気圧に戻す。 Thereafter, the exhaust pump 51 is stopped and the on-off valve V7 is closed. Further, the supply of IPA vapor from the solvent vapor nozzles 31 and 32 is stopped, and nitrogen gas is supplied into the chamber 3 from the inert gas nozzle 27 (step S13). As a result, the pressure inside the chamber 3, which is in a reduced pressure state, is returned to atmospheric pressure.

ここで、ステップＳ１２で生じたパーティクル（汚れ）が領域９１（図７参照）に集まって滞留する場合がある。そして、窒素ガスを供給してチャンバ３内を大気圧に戻す際に、排気ポンプ５１が停止され、窒素ガスによって領域９１に滞留するパーティクルがスロット４９（ＳＬ４９）の基板Ｗ（先端基板ＷＴ）に付着する場合がある。しかし、遮蔽板７１が設けられていることで、保持部材７の先端部７Ａ側で滞留した領域９１の雰囲気に混在するパーティクルからスロット４９の先端基板ＷＴのデバイス面を保護する。 Here, the particles (dirt) generated in step S12 may gather and stay in the area 91 (see FIG. 7). Then, when nitrogen gas is supplied to return the inside of the chamber 3 to atmospheric pressure, the exhaust pump 51 is stopped, and the particles staying in the region 91 are transferred to the substrate W (tip substrate WT) in the slot 49 (SL49) by the nitrogen gas. It may stick. However, the provision of the shielding plate 71 protects the device surface of the tip substrate WT in the slot 49 from particles mixed in the atmosphere of the region 91 that have accumulated on the side of the tip 7A of the holding member 7.

ステップＳ１３の後、不活性ガスノズル２７からの窒素ガスの供給を停止する。その後、上部カバー２５を開いて、図示しない搬送ロボットは、４９枚の基板Ｗを次の目的地に搬送する（ステップＳ１４）。 After step S13, the supply of nitrogen gas from the inert gas nozzle 27 is stopped. Thereafter, the upper cover 25 is opened, and the transport robot (not shown) transports the 49 substrates W to the next destination (step S14).

本実施例によれば、遮蔽板７１が設けられていることで、保持部材７の先端部７Ａ側で滞留した雰囲気に混在するパーティクルから基板Ｗを保護する。また、先端基板ＷＴと遮蔽板７１との間で気体の流れを改善させることができる。これらにより、パーティクルが基板Ｗ（先端基板ＷＴ）に付着することを防止することができる。 According to this embodiment, the shielding plate 71 is provided to protect the substrate W from particles mixed in the atmosphere that remains on the side of the tip 7A of the holding member 7. Furthermore, the flow of gas between the tip substrate WT and the shielding plate 71 can be improved. These can prevent particles from adhering to the substrate W (tip substrate WT).

また、基板処理装置１は、溶剤蒸気ノズル３１，３２は、チャンバ３内で水平（Ｙ方向）に沿って直線状に延びる管部７３と、管部７３に設けられると共に管軸ＡＸ（Ｙ方向）に沿って配置された複数の吐出口７５とを備える。溶剤蒸気ノズル３１．３２は、更に、複数の吐出口７５の上流の管部７３に設けられ、遮蔽板７１とチャンバ３の側壁３Ａとの間に対応する領域７８に配置された液排出口７６を備える。複数の吐出口７５は各々、チャンバ３内に溶剤蒸気を吐出する。液排出口７６は、溶剤蒸気が結露して生じた溶剤を遮蔽板７１とチャンバ３の側壁３Ａとの間の領域に排出する。 In addition, in the substrate processing apparatus 1, the solvent vapor nozzles 31 and 32 are provided in a tube section 73 that extends linearly along the horizontal direction (Y direction) in the chamber 3, and are provided on the tube section 73, and on the tube axis AX (Y direction). ) are provided with a plurality of discharge ports 75 arranged along. The solvent vapor nozzle 31 , 32 is further provided with a liquid outlet 76 provided in the tube section 73 upstream of the plurality of discharge ports 75 and arranged in a corresponding region 78 between the shielding plate 71 and the side wall 3 A of the chamber 3 . Equipped with Each of the plurality of discharge ports 75 discharges solvent vapor into the chamber 3 . The liquid discharge port 76 discharges the solvent generated by condensation of the solvent vapor to the area between the shielding plate 71 and the side wall 3A of the chamber 3.

溶剤蒸気ノズル３１、３２の上流側で結露して生じた溶剤の液体が、複数の吐出口７５の上流の管部７３に設けられた液排出口７６から排出される。液排出口７６は、遮蔽板７１とチャンバ３の保持部材７の先端部７Ａ側の側壁３Ａとの間に対応する領域７８に配置される。そのため、液排出口７６から排出された溶剤の液体が基板Ｗ（先端基板ＷＴ）に付着することを防止することができる。また、複数の吐出口７５のうちの所定の吐出口７５（例えば吐出口７５Ａ）から溶剤の液体が基板Ｗに供給されることを防止できる。そのため、複数の吐出口の全てから溶剤蒸気を供給することができる。 Solvent liquid generated by condensation on the upstream side of the solvent vapor nozzles 31 and 32 is discharged from a liquid discharge port 76 provided in the pipe section 73 upstream of the plurality of discharge ports 75. The liquid discharge port 76 is arranged in a region 78 corresponding to between the shielding plate 71 and the side wall 3A of the chamber 3 on the distal end 7A side of the holding member 7. Therefore, it is possible to prevent the solvent liquid discharged from the liquid discharge port 76 from adhering to the substrate W (tip substrate WT). Further, it is possible to prevent the solvent liquid from being supplied to the substrate W from a predetermined discharge port 75 (for example, discharge port 75A) among the plurality of discharge ports 75. Therefore, solvent vapor can be supplied from all of the plurality of discharge ports.

また、基板処理装置１は、チャンバ３内に設けられると共に処理槽２よりも高い位置に配置された撥水剤蒸気ノズル３３であって、チャンバ３内に撥水剤蒸気を供給する撥水剤蒸気ノズル３３を更に備える。撥水剤蒸気ノズル３３は、チャンバ３内で水平（Ｙ方向）に沿って直線状に延びる第２管部８３と、第２管部８３に設けられると共に管軸ＡＸ（Ｙ方向）に沿って配置された複数の第２吐出口８５とを備える。撥水剤蒸気ノズル３３は、更に、複数の第２吐出口８５の上流の第２管部８３に設けられ、遮蔽板７１とチャンバ３の側壁３Ａとの間に対応する領域７８に配置された第２液排出口８６を備える。複数の第２吐出口８５は各々、チャンバ３内に撥水剤蒸気を吐出する。第２液排出口８６は、撥水剤蒸気が結露して生じた撥水剤を遮蔽板７１とチャンバ３の側壁３Ａとの間の領域に排出する。 The substrate processing apparatus 1 also includes a water repellent vapor nozzle 33 provided in the chamber 3 and located at a higher position than the processing tank 2, which supplies water repellent vapor into the chamber 3. It further includes a steam nozzle 33. The water repellent vapor nozzle 33 is provided in a second pipe portion 83 that linearly extends horizontally (in the Y direction) within the chamber 3, and is provided in the second pipe portion 83 and extends along the pipe axis AX (in the Y direction). A plurality of second discharge ports 85 are arranged. The water repellent vapor nozzle 33 is further provided in the second pipe section 83 upstream of the plurality of second discharge ports 85, and is arranged in a region 78 corresponding to between the shielding plate 71 and the side wall 3A of the chamber 3. A second liquid outlet 86 is provided. Each of the plurality of second discharge ports 85 discharges water repellent vapor into the chamber 3 . The second liquid discharge port 86 discharges the water repellent produced by condensation of the water repellent vapor to the area between the shielding plate 71 and the side wall 3A of the chamber 3.

撥水剤蒸気ノズル３３の上流側で結露して生じた撥水剤の液体が、複数の第２吐出口８５の上流の第２管部８３に設けられた第２液排出口８６から排出される。第２液排出口８６は、遮蔽板７１とチャンバ３の保持部材７の先端部７Ａ側の側壁３Ａとの間に対応する領域７８に配置される。そのため、第２液排出口８６から排出された撥水剤の液体が基板Ｗ（先端基板ＷＴ）に付着することを防止することができる。また、複数の第２吐出口８５のうちの所定の第２吐出口８５（例えば第２吐出口８５Ａ）から撥水剤の液体が基板Ｗに供給されることを防止できる。そのため、複数の第２吐出口８５の全てから撥水剤蒸気を供給することができる。 The water repellent liquid generated by condensation on the upstream side of the water repellent vapor nozzle 33 is discharged from the second liquid discharge port 86 provided in the second pipe section 83 upstream of the plurality of second discharge ports 85. Ru. The second liquid discharge port 86 is arranged in a region 78 corresponding to between the shielding plate 71 and the side wall 3A of the chamber 3 on the side of the distal end 7A of the holding member 7. Therefore, it is possible to prevent the water repellent liquid discharged from the second liquid discharge port 86 from adhering to the substrate W (tip substrate WT). Further, it is possible to prevent the water repellent liquid from being supplied to the substrate W from a predetermined second discharge port 85 (for example, the second discharge port 85A) among the plurality of second discharge ports 85. Therefore, water repellent vapor can be supplied from all of the plurality of second discharge ports 85.

次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。なお、実施例１と重複する説明は省略する。 Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that explanations that overlap with those of Example 1 will be omitted.

図９は、実施例２に係る各洗浄処理部ＢＴ２，ＢＴ４の左側面の概略構成を示す縦断面図である。図１０は、実施例２に係る基板処理装置１Ａの概略構成を示す平面図である。図１１は、基板ハンドリング機構ＨＴＲの側面図である。 FIG. 9 is a vertical cross-sectional view showing a schematic configuration of the left side surface of each of the cleaning processing units BT2 and BT4 according to the second embodiment. FIG. 10 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1A according to the second embodiment. FIG. 11 is a side view of the substrate handling mechanism HTR.

実施例１の遮蔽板７１は、図示しない取付部材を介して処理槽２に取り付けられた。この点、実施例２の遮蔽板は、図９に示すように、保持部材７で保持された、パターンが形成されていないダミー基板（ダミーウエハ）１００であってもよい。ダミー基板１００は、パーティクルを遮蔽するための遮蔽用のダミー基板である。ダミー基板１００は、シリコンで形成される。また、ダミー基板１００は、セラミックで形成されていてもよい。 The shielding plate 71 of Example 1 was attached to the processing tank 2 via an attachment member (not shown). In this regard, the shielding plate of Example 2 may be a dummy substrate (dummy wafer) 100 on which no pattern is formed, which is held by a holding member 7, as shown in FIG. The dummy substrate 100 is a shielding dummy substrate for shielding particles. Dummy substrate 100 is made of silicon. Further, the dummy substrate 100 may be made of ceramic.

なお、実施例１の基板処理装置１は、本実施例では、各洗浄処理部ＢＴ２，ＢＴ４として説明する。なお、各洗浄処理部ＢＴ２，ＢＴ４は、図３に示される遮蔽板７１を備えていない。 Note that the substrate processing apparatus 1 of Example 1 will be described as cleaning processing units BT2 and BT4 in this example. Note that each of the cleaning processing units BT2 and BT4 does not include the shielding plate 71 shown in FIG. 3.

＜５．基板処理装置の構成＞
図１０を参照する。本実施例の基板処理装置１Ａは、ダミー基板１００を自動的にセッティングする機能を備える。基板処理装置１Ａは、ストッカーブロック１０３、移載ブロック１０５および処理ブロック１０７を備える。 <5. Configuration of substrate processing equipment>
See FIG. 10. The substrate processing apparatus 1A of this embodiment has a function of automatically setting the dummy substrate 100. The substrate processing apparatus 1A includes a stocker block 103, a transfer block 105, and a processing block 107.

＜５－１．ストッカーブロック＞
ストッカーブロック１０３は、少なくとも１個のキャリアＣを収容するものである。ストッカーブロック１０３は、少なくとも１個のロードポート１０９を備える。また、ストッカーブロック１０３は、キャリア搬送機構（ロボット）１１１と、複数の保管棚１１３とを備える。複数の保管棚１１３は、ダミー基板用キャリアＣＤを含む複数のキャリアＣをそれぞれ保管する。キャリア搬送機構１１１は、保管棚１１３に保管された任意のキャリアＣを載置棚１１９（後述する）に搬送する。キャリア搬送機構１１１は、ロードポート１０９、複数の保管棚１１３および載置棚１１９（後述する）の間でキャリアＣを搬送する。キャリア搬送機構１１１は、キャリアＣの上面の突起部を把持する把持部、あるいは、キャリアＣの底面に接触しつつキャリアＣを支持するハンドを備える。 <5-1. Stocker block>
Stocker block 103 accommodates at least one carrier C. Stocker block 103 includes at least one load port 109. Further, the stocker block 103 includes a carrier transport mechanism (robot) 111 and a plurality of storage shelves 113. The plurality of storage shelves 113 each store a plurality of carriers C including the dummy board carrier CD. The carrier transport mechanism 111 transports any carrier C stored on the storage shelf 113 to a mounting shelf 119 (described later). The carrier transport mechanism 111 transports the carrier C between the load port 109, a plurality of storage shelves 113, and a mounting shelf 119 (described later). The carrier transport mechanism 111 includes a grip portion that grips a protrusion on the top surface of the carrier C, or a hand that supports the carrier C while contacting the bottom surface of the carrier C.

ストッカーブロック１０３は、１枚以上のダミー基板１００を水平姿勢で収納するダミー基板用キャリアＣＤを備える。ダミー基板用キャリアＣＤは、保管棚１１３に予め保管されている。キャリア搬送機構１１１は、通常、保管棚１１３と、後述する載置棚１１９との間で、ダミー基板用キャリアＣＤを搬送する。 The stocker block 103 includes a dummy substrate carrier CD that stores one or more dummy substrates 100 in a horizontal position. The dummy board carrier CD is stored in the storage shelf 113 in advance. The carrier transport mechanism 111 normally transports the dummy substrate carrier CD between a storage shelf 113 and a mounting shelf 119, which will be described later.

＜５－２．移載ブロック＞
移載ブロック１０５は、ストッカーブロック１０３に隣接して配置される。移載ブロック１０５は、オープナ１１５、基板ハンドリング機構（ロボット）ＨＴＲおよび姿勢変換機構１１７を備える。オープナ１１５は、キャリアＣを載置する載置棚１１９を備える。載置棚１１９は、複数のキャリアＣを１個ずつ順番に載置する。なお、移載ブロック１０５は、複数のオープナ１１５を備えていてもよい。また、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、本発明の水平基板搬送機構に相当する。載置棚１１９は、本発明のキャリア載置棚に相当する。 <5-2. Transfer block＞
The transfer block 105 is arranged adjacent to the stocker block 103. The transfer block 105 includes an opener 115, a substrate handling mechanism (robot) HTR, and an attitude changing mechanism 117. The opener 115 includes a shelf 119 on which the carrier C is placed. The mounting shelf 119 sequentially places a plurality of carriers C one by one. Note that the transfer block 105 may include a plurality of openers 115. Further, the substrate handling mechanism HTR corresponds to the horizontal substrate transport mechanism of the present invention. The mounting shelf 119 corresponds to the carrier mounting shelf of the present invention.

キャリアＣは、複数（例えば２５枚）の基板Ｗを水平姿勢で所定間隔（例えば１０ｍｍ間隔（フルピッチ））を空けて鉛直方向Ｚに収納する。なお、基板Ｗは、基板Ｗの厚み方向に整列される。例えば、キャリアＣは、最大で２５枚の基板Ｗを収納することができる。キャリアＣとして、例えば、ＦＯＵＰ（Front Opening Unify Pod）が用いられる。ＦＯＵＰは、密閉型容器である。キャリアＣは、開放型容器でもよく、種類を問わない。ダミー基板用キャリアＣＤは、キャリアＣと同様に構成される。 The carrier C stores a plurality of substrates W (for example, 25 substrates) in a vertical direction Z in a horizontal position at predetermined intervals (for example, 10 mm intervals (full pitch)). Note that the substrates W are aligned in the thickness direction of the substrates W. For example, the carrier C can accommodate up to 25 substrates W. As the carrier C, for example, a FOUP (Front Opening Unify Pod) is used. A FOUP is a closed container. The carrier C may be an open container, and any type of carrier C may be used. The dummy substrate carrier CD is configured similarly to the carrier C.

＜５－２－１．基板ハンドリング機構＞
図１０、図１１を参照する。基板ハンドリング機構ＨＴＲは、載置棚１１９に載置されたキャリアＣから複数の基板Ｗを取り出して搬送する。すなわち、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、載置棚１１９に載置されたキャリアＣと姿勢変換機構１１７の間で水平姿勢の複数（例えば２５枚）の基板Ｗを一括して搬送することができる。また、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、載置棚１１９に載置されたキャリアＣと姿勢変換機構１１７との間で水平姿勢の基板Ｗを１枚ずつ搬送することができる。そのため、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、載置棚１１９に載置されたダミー基板用キャリアＣＤから１枚のダミー基板１００を取り出して搬送することができる。 <5-2-1. Substrate handling mechanism>
Refer to FIGS. 10 and 11. The substrate handling mechanism HTR takes out a plurality of substrates W from the carrier C placed on the mounting shelf 119 and transports them. That is, the substrate handling mechanism HTR can collectively transport a plurality of (for example, 25) substrates W in a horizontal posture between the carrier C placed on the mounting shelf 119 and the posture changing mechanism 117. Further, the substrate handling mechanism HTR can transport horizontally oriented substrates W one by one between the carrier C placed on the mounting shelf 119 and the attitude changing mechanism 117. Therefore, the substrate handling mechanism HTR can take out one dummy substrate 100 from the dummy substrate carrier CD placed on the mounting shelf 119 and transport it.

基板ハンドリング機構ＨＴＲは、バッチハンド１２５と枚葉ハンド１２７を備える。
バッチハンド１２５は、複数個（例えば２５個）のハンド１２５Ａを備える。図１１において、図示の便宜上、バッチハンド１２５は、３個のハンド１２５Ａを備えるものとする。各ハンド１２５Ａは、１枚の基板Ｗを保持する。また、枚葉ハンド１２７は、１枚の基板Ｗを保持する。 The substrate handling mechanism HTR includes a batch hand 125 and a single wafer hand 127.
The batch hand 125 includes a plurality of (for example, 25) hands 125A. In FIG. 11, for convenience of illustration, it is assumed that the batch hand 125 includes three hands 125A. Each hand 125A holds one substrate W. Further, the single wafer hand 127 holds one substrate W.

また、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、バッチハンド支持部１２９、枚葉ハンド支持部１３１、進退部１３３および昇降回転部１３５を備える。バッチハンド支持部１２９は、バッチハンド１２５（複数個のハンド１２５Ａ）を支持する。これにより、複数個のハンド１２５Ａは、一体的に移動する。枚葉ハンド支持部１３１は、枚葉ハンド１２７を支持する。 Further, the substrate handling mechanism HTR includes a batch hand support section 129, a single wafer hand support section 131, an advancing/retreating section 133, and an elevating and rotating section 135. The batch hand support section 129 supports the batch hand 125 (a plurality of hands 125A). Thereby, the plurality of hands 125A move integrally. The single-wafer hand support section 131 supports the single-wafer hand 127.

進退部１３３は、バッチハンド１２５および枚葉ハンド１２７を独立して前進および後退させることができる。具体的には、進退部１３３は、枚葉ハンド１２７と独立して、バッチハンド支持部１２９を介して、複数個のハンド１２５Ａを前進および後退させる。また、進退部１３３は、バッチハンド１２５と独立して、枚葉ハンド１２７を前進および後退させることができる。昇降回転部１３５は、鉛直軸ＡＸ１周りに進退部１３３を回転させることで、鉛直軸ＡＸ１周りにバッチハンド１２５および枚葉ハンド１２７を回転させる。また、昇降回転部１３５は、進退部１３３を昇降させることで、バッチハンド１２５および枚葉ハンド１２７を昇降させる。なお、進退部１３３および昇降回転部１３５は各々、電動モータを備える。 The advancing/retracting section 133 can move the batch hand 125 and the single wafer hand 127 forward and backward independently. Specifically, the advance/retreat section 133 advances and retreats the plurality of hands 125A independently of the single-wafer hand 127 via the batch hand support section 129. Furthermore, the advance/retreat unit 133 can advance and retreat the single wafer hand 127 independently of the batch hand 125 . The elevating/lowering rotation unit 135 rotates the batch hand 125 and the single wafer hand 127 around the vertical axis AX1 by rotating the advance/retreat unit 133 around the vertical axis AX1. Further, the lifting/lowering rotating section 135 moves the batch hand 125 and the single-wafer hand 127 up and down by moving the forward/backward moving section 133 up and down. Note that each of the advancing/retracting section 133 and the lifting/lowering rotation section 135 includes an electric motor.

＜５－２－２．姿勢変換機構＞
図１０を参照する。姿勢変換機構１１７は、水平姿勢と鉛直姿勢との間で複数の基板Ｗおよびダミー基板１００を姿勢変換する。例えば、姿勢変換機構１１７は、基板ハンドリング機構ＨＴＲで搬送された複数の基板Ｗおよびダミー基板１００を水平姿勢から鉛直姿勢に変換する。また、姿勢変換機構１１７は、後述する搬送機構ＷＴＲで搬送された複数の基板Ｗおよびダミー基板１００を鉛直姿勢から水平姿勢に変換する。 <5-2-2. Posture change mechanism>
See FIG. 10. The attitude changing mechanism 117 changes the attitude of the plurality of substrates W and the dummy substrate 100 between a horizontal attitude and a vertical attitude. For example, the attitude conversion mechanism 117 converts the plurality of substrates W and the dummy substrate 100 transported by the substrate handling mechanism HTR from a horizontal attitude to a vertical attitude. Further, the attitude changing mechanism 117 converts a plurality of substrates W and a dummy substrate 100 transported by a transport mechanism WTR, which will be described later, from a vertical attitude to a horizontal attitude.

また、複数の基板Ｗは、第１基板群および第２基板群を有する。そのため、姿勢変換機構１１７は、第１基板群の２枚以上の基板Ｗ１と第２基板群の２枚以上の基板Ｗ２とを組み合わせて複数の基板Ｗ（Ｗ１，Ｗ２）を形成する。 Further, the plurality of substrates W includes a first substrate group and a second substrate group. Therefore, the attitude changing mechanism 117 forms a plurality of substrates W (W1, W2) by combining two or more substrates W1 of the first substrate group and two or more substrates W2 of the second substrate group.

姿勢変換機構１１７は、姿勢変換部１３７とプッシャ機構１３９を備える。図１０において、基板ハンドリング機構ＨＴＲ、姿勢変換部１３７およびプッシャ機構１３９は、この順番で幅方向Ｙに配置される。図１２（ａ）～図１２（ｆ）は、移載ブロック１０５の姿勢変換機構１１７（姿勢変換部１３７およびプッシャ機構１３９）を説明するための図である。 The attitude changing mechanism 117 includes an attitude changing section 137 and a pusher mechanism 139. In FIG. 10, the substrate handling mechanism HTR, the attitude changing section 137, and the pusher mechanism 139 are arranged in this order in the width direction Y. FIGS. 12(a) to 12(f) are diagrams for explaining the attitude changing mechanism 117 (the attitude changing unit 137 and the pusher mechanism 139) of the transfer block 105.

図１２（ａ）を参照する。姿勢変換部１３７は、支持台１３７Ａ、１対の水平保持部１３７Ｂ、１対の鉛直保持部１３７Ｃ、および回転駆動部１３７Ｄを備える。１対の水平保持部１３７Ｂおよび１対の鉛直保持部１３７Ｃは、支持台１３７Ａに設けられる。水平保持部１３７Ｂおよび鉛直保持部１３７Ｃは、基板ハンドリング機構ＨＴＲよって搬送された複数の基板Ｗを受け取る。基板Ｗが水平姿勢であるとき、１対の水平保持部１３７Ｂは、各基板Ｗの下面に接触しつつ、基板Ｗを下方から支持する。 Refer to FIG. 12(a). The attitude changing section 137 includes a support base 137A, a pair of horizontal holding sections 137B, a pair of vertical holding sections 137C, and a rotation drive section 137D. A pair of horizontal holding parts 137B and a pair of vertical holding parts 137C are provided on the support base 137A. The horizontal holding section 137B and the vertical holding section 137C receive the plurality of substrates W transported by the substrate handling mechanism HTR. When the substrates W are in a horizontal position, the pair of horizontal holding parts 137B support the substrates W from below while contacting the lower surface of each substrate W.

また、基板Ｗが鉛直姿勢であるとき、１対の鉛直保持部１３７Ｃは、基板Ｗを保持する。各鉛直保持部１３７Ｃは、複数（例えば２６枚）の基板Ｗを保持するための複数（例えば２６個）の保持溝と、複数（例えば２６枚）の基板を通過させるための複数（例えば２６個）の通過溝を備える。複数の保持溝と複数の通過溝は、１個ずつ交互に設けられる。 Further, when the substrate W is in a vertical posture, the pair of vertical holding parts 137C hold the substrate W. Each vertical holding part 137C has a plurality of (for example, 26) holding grooves for holding a plurality of (for example, 26) substrates W and a plurality of (for example, 26) holding grooves for passing a plurality of (for example, 26) substrates. ) is provided with a passage groove. The plurality of holding grooves and the plurality of passage grooves are provided alternately one by one.

回転駆動部１３７Ｄは、水平軸ＡＸ２周りに支持台１３７Ａを回転可能に支持する。また、回転駆動部１３７Ｄは、水平軸ＡＸ２周りに支持台１３７Ａを回転させることで、保持部１３７Ｂ，１３７Ｃに保持された複数の基板Ｗの姿勢を水平から鉛直に変換する。 The rotation drive unit 137D rotatably supports the support base 137A around the horizontal axis AX2. Further, the rotation drive unit 137D converts the orientation of the plurality of substrates W held by the holding units 137B and 137C from horizontal to vertical by rotating the support base 137A around the horizontal axis AX2.

図１２（ｆ）を参照する。プッシャ機構１３９は、プッシャ１３９Ａ、昇降回転部１３９Ｂ、水平移動部１３９Ｃおよびレール１３９Ｄを備える。プッシャ１３９Ａは、複数（例えば５２個）の保持溝を備える。プッシャ１３９Ａは、鉛直姿勢の複数（例えば５２枚）の基板Ｗおよびダミー基板１００の各々の下部を支持する。なお、図１２（ａ）～図１２（ｆ）において、図示の便宜上、プッシャ１３９Ａは、ダミー基板１００を含む８枚の基板Ｗを保持できるように構成される。なお、後述する図１８（ａ）、図２０（ａ）において、図示の便宜上、プッシャ１３９Ａは、６枚の基板Ｗを保持できるように構成される。 Refer to FIG. 12(f). The pusher mechanism 139 includes a pusher 139A, a lifting/lowering rotating section 139B, a horizontal moving section 139C, and a rail 139D. The pusher 139A includes a plurality of (for example, 52) holding grooves. The pusher 139A supports the lower part of each of the plurality of (for example, 52) substrates W and the dummy substrate 100 in a vertical posture. Note that in FIGS. 12(a) to 12(f), for convenience of illustration, the pusher 139A is configured to be able to hold eight substrates W including the dummy substrate 100. Note that in FIGS. 18(a) and 20(a), which will be described later, for convenience of illustration, the pusher 139A is configured to be able to hold six substrates W.

昇降回転部１３９Ｂは、プッシャ１３９Ａの下面に連結される。昇降回転部１３９Ｂは、伸縮することでプッシャ１３９Ａを上下方向に昇降させる。また、昇降回転部１３９Ｂは、鉛直軸ＡＸ３周りにプッシャ１３９Ａを回転させる。水平移動部１３９Ｃは、昇降回転部１３９Ｂを支持する。水平移動部１３９Ｃは、プッシャ１３９Ａおよび昇降回転部１３９Ｂをレール１３９Ｄに沿って水平移動させる。レール１３９Ｄは、幅方向Ｙに延びるように形成される。なお、回転駆動部１３７Ｄ、昇降回転部１３９Ｂおよび水平移動部１３９Ｃは各々、電動モータを備える。 The lifting/lowering rotating part 139B is connected to the lower surface of the pusher 139A. The elevating and lowering rotating section 139B moves the pusher 139A up and down in the vertical direction by expanding and contracting. Further, the elevating/lowering rotating section 139B rotates the pusher 139A around the vertical axis AX3. The horizontal movement section 139C supports the lifting/lowering rotation section 139B. The horizontal movement section 139C horizontally moves the pusher 139A and the lifting/lowering rotation section 139B along the rail 139D. The rail 139D is formed to extend in the width direction Y. Note that the rotation drive unit 137D, the lifting/lowering rotation unit 139B, and the horizontal movement unit 139C each include an electric motor.

＜５－３．処理ブロック＞
図１０を参照する。処理ブロック１０７は、移載ブロック１０５に隣接する。処理ブロック１０７は、移載ブロック１０５を介してストッカーブロック１０３の反対側に配置される。処理ブロック１０７は、４つのバッチ処理部ＢＴ１～ＢＴ４と搬送機構ＷＴＲとを備える。 <5-3. Processing block>
See FIG. 10. Processing block 107 is adjacent to transfer block 105 . The processing block 107 is arranged on the opposite side of the stocker block 103 with the transfer block 105 interposed therebetween. The processing block 107 includes four batch processing units BT1 to BT4 and a transport mechanism WTR.

４個のバッチ処理部ＢＴ１～ＢＴ４は、この順番で前後方向Ｘに沿って配置される。図１０において、バッチ処理部ＢＴ１は、移載ブロック１０５から最も遠い位置に配置される。４個のバッチ処理部ＢＴ１～ＢＴ４は各々、複数の基板Ｗおよびダミー基板１００を一括して処理する。例えば、４個のバッチ処理部ＢＴ１～ＢＴ４は、２つの薬液処理部ＢＴ１，ＢＴ３と、２つの洗浄処理部ＢＴ２，ＢＴ４とで構成される。薬液処理部ＢＴ１と洗浄処理部ＢＴ２を１組とし、薬液処理部ＢＴ３と洗浄処理部ＢＴ４を他の１組とする。なお、１組のバッチ処理部は、１個以上の薬液処理部と１個以上の洗浄処理部とを備えていればよい。 The four batch processing units BT1 to BT4 are arranged along the front-rear direction X in this order. In FIG. 10, the batch processing unit BT1 is arranged at the farthest position from the transfer block 105. Each of the four batch processing units BT1 to BT4 processes a plurality of substrates W and dummy substrates 100 at once. For example, the four batch processing sections BT1 to BT4 are composed of two chemical processing sections BT1 and BT3 and two cleaning processing sections BT2 and BT4. One set includes the chemical processing section BT1 and the cleaning processing section BT2, and another set includes the chemical processing section BT3 and the cleaning processing section BT4. Note that one set of batch processing sections may include one or more chemical solution processing sections and one or more cleaning processing sections.

２個の薬液処理部ＢＴ１，ＢＴ３は各々、処理槽１４１を備える。２個の薬液処理部ＢＴ１，ＢＴ３は各々、薬液によるエッチング処理を行う。薬液として、例えば燐酸が用いられる。薬液処理部ＢＴ１，ＢＴ３の２個の処理槽１４１は各々、図示しない薬液噴出管から供給された薬液を貯留する。薬液噴出管は、各処理槽１４１の内壁に設けられる。 Each of the two chemical treatment units BT1 and BT3 includes a treatment tank 141. The two chemical processing units BT1 and BT3 each perform an etching process using a chemical. For example, phosphoric acid is used as the chemical solution. The two processing tanks 141 of the chemical liquid processing units BT1 and BT3 each store a chemical liquid supplied from a chemical liquid ejection pipe (not shown). A chemical liquid ejection pipe is provided on the inner wall of each processing tank 141.

２個の薬液処理部ＢＴ１，ＢＴ３は、２個のリフタＬＦ１，ＬＦ３をそれぞれ備える。２個のリフタＬＦ１，ＬＦ３は各々、所定間隔（例えば５ｍｍ（ハーフピッチ））で配置された鉛直姿勢の複数の基板Ｗおよびダミー基板１００を保持する。また、各リフタＬＦ１，ＬＦ３は、処理槽１４１の内部の処理位置と、処理槽１４１の上方の受け渡し位置との間で、複数の基板Ｗおよびダミー基板１００を昇降させる。 The two chemical liquid processing units BT1 and BT3 each include two lifters LF1 and LF3. The two lifters LF1 and LF3 each hold a plurality of substrates W and a dummy substrate 100 arranged in a vertical posture at predetermined intervals (for example, 5 mm (half pitch)). Further, each of the lifters LF1 and LF3 raises and lowers the plurality of substrates W and dummy substrates 100 between a processing position inside the processing tank 141 and a delivery position above the processing tank 141.

なお、上述のように、洗浄処理部ＢＴ２，ＢＴ４は各々、遮蔽板７１を除いて、図１、図３に示す実施例１の構成を備える。洗浄処理部ＢＴ２，ＢＴ４は各々、処理液を貯留する処理槽２と、処理槽２を囲うチャンバ３と、リフタ４とを備える。リフタ４は、基板保持部５と、基板保持部５を昇降させる昇降機構６とを備える。基板保持部５は、３つの保持部材７と背板９を備える。 Note that, as described above, each of the cleaning processing units BT2 and BT4 has the configuration of the first embodiment shown in FIGS. 1 and 3, except for the shielding plate 71. Each of the cleaning processing units BT2 and BT4 includes a processing tank 2 that stores a processing liquid, a chamber 3 that surrounds the processing tank 2, and a lifter 4. The lifter 4 includes a substrate holding section 5 and a lifting mechanism 6 that moves the substrate holding section 5 up and down. The substrate holding section 5 includes three holding members 7 and a back plate 9.

図１３（ａ）、図１３（ｂ）を参照する。各保持部材７は、所定のピッチ（例えば５ｍｍ（ハーフピッチ））でＹ方向に並んで形成された複数（例えば５１個）の溝部を有する。５１個の溝はそれぞれ、スロット１～５１（ＳＬ１～ＳＬ５１）と呼ばれる。背板９に最も近い溝は、スロット１であり、背板９から最も離れた溝は、スロット５１である。 Refer to FIGS. 13(a) and 13(b). Each holding member 7 has a plurality of grooves (for example, 51 grooves) formed in line in the Y direction at a predetermined pitch (for example, 5 mm (half pitch)). The 51 grooves are respectively called slots 1 to 51 (SL1 to SL51). The groove closest to the back plate 9 is slot 1 and the groove furthest from the back plate 9 is slot 51.

言い換えると、各保持部材７は、複数（例えば５０個）の基板Ｗを保持する複数（例えば５０個）の溝ＳＬ１～ＳＬ５０および、ダミー基板１００を保持する溝ＳＬ５１を有する。溝ＳＬ５１（ダミー基板用保持溝）は、溝ＳＬ１～ＳＬ５０に対して各保持部材７の先端部７Ａ側に配置される。すなわち、溝ＳＬ５１は、溝ＳＬ５０を介して溝ＳＬ４９の反対側に配置される。また、溝ＳＬ１～ＳＬ５０および溝ＳＬ５１は、所定間隔（ハーフピッチ）を空けて一列に整列配置される。なお、各溝ＳＬ１～ＳＬ５０は、本発明の保持溝に相当する。 In other words, each holding member 7 has a plurality of (for example, 50) grooves SL1 to SL50 that hold a plurality of (for example, 50) substrates W, and a groove SL51 that holds a dummy substrate 100. Groove SL51 (dummy substrate holding groove) is arranged on the tip end 7A side of each holding member 7 with respect to grooves SL1 to SL50. That is, the groove SL51 is arranged on the opposite side of the groove SL49 with the groove SL50 interposed therebetween. Further, the grooves SL1 to SL50 and the groove SL51 are arranged in a line with a predetermined interval (half pitch). Note that each of the grooves SL1 to SL50 corresponds to the holding groove of the present invention.

本実施例では、各洗浄処理部ＢＴ２，ＢＴ４で複数の基板Ｗを処理するために、毎回、複数の基板Ｗにダミー基板１００が加えられる。そのため、溝ＳＬ５１には、遮蔽用のダミー基板１００以外の基板Ｗが配置されないように構成される。また、図９に示すように、液排出口７６および第２液排出口８６は、ダミー基板１００よりもチャンバ３の側壁３Ａの近くに配置される。 In this embodiment, in order to process a plurality of substrates W in each of the cleaning processing units BT2 and BT4, a dummy substrate 100 is added to the plurality of substrates W each time. Therefore, the structure is such that no substrate W other than the shielding dummy substrate 100 is placed in the groove SL51. Further, as shown in FIG. 9, the liquid outlet 76 and the second liquid outlet 86 are arranged closer to the side wall 3A of the chamber 3 than the dummy substrate 100.

搬送機構ＷＴＲは、鉛直姿勢の複数の基板Ｗおよびダミー基板１００を一括して搬送する。搬送機構ＷＴＲは、姿勢変換機構１１７と４個のバッチ処理部ＢＴ１～ＢＴ４との間で鉛直姿勢の複数の基板Ｗおよびダミー基板１００を搬送する。搬送機構ＷＴＲは、１対のチャック１４３，１４５、ガイドレール１４７および昇降部（図示しない）を備える。チャック１４３，１４５は各々、例えば、５０枚の基板Ｗおよび１枚のダミー基板１００を保持するために５１個の保持溝を備える。搬送機構ＷＴＲは、２つのチャック１４３，１４５を開いたり閉じたりする。搬送機構ＷＴＲは、一対のチャック１４３，１４５をガイドレール１４７に沿って移動させる。昇降部は、１対のチャック１４３，１４５を昇降させる。搬送機構ＷＴＲは、電動モータで駆動される。 The transport mechanism WTR transports a plurality of vertically-oriented substrates W and dummy substrates 100 all at once. The transport mechanism WTR transports a plurality of substrates W and dummy substrates 100 in a vertical orientation between the orientation changing mechanism 117 and the four batch processing units BT1 to BT4. The transport mechanism WTR includes a pair of chucks 143, 145, a guide rail 147, and a lifting section (not shown). Each of the chucks 143 and 145 includes, for example, 51 holding grooves for holding 50 substrates W and one dummy substrate 100. The transport mechanism WTR opens and closes the two chucks 143 and 145. The transport mechanism WTR moves a pair of chucks 143 and 145 along a guide rail 147. The elevating section raises and lowers the pair of chucks 143 and 145. The transport mechanism WTR is driven by an electric motor.

基板処理装置１Ａは、制御部６１と記憶部（図示しない）を備えている。制御部６１は、基板処理装置１Ａの各構成を制御する。記憶部は、基板処理装置１Ａの各構成を制御するために必要なコンピュータプログラムを記憶する。 The substrate processing apparatus 1A includes a control section 61 and a storage section (not shown). The control unit 61 controls each component of the substrate processing apparatus 1A. The storage unit stores computer programs necessary for controlling each component of the substrate processing apparatus 1A.

＜６．基板処理装置の動作＞
図１４のフローチャートを参照しながら、基板処理装置１Ａの動作について説明する。図１０を参照する。図示しない外部搬送ロボットは、２個のキャリアＣをロードポート１０９に順番に搬送する。 <6. Operation of substrate processing equipment>
The operation of the substrate processing apparatus 1A will be described with reference to the flowchart in FIG. 14. See FIG. 10. An external transfer robot (not shown) sequentially transfers the two carriers C to the load port 109.

基板処理装置１Ａは、第１キャリアＣの第１基板群の２枚以上の基板Ｗ１と第２キャリアＣの第２基板群の２枚以上の基板Ｗ２とを組み合わせて、フェース・ツー・フェース方式でかつハーフピッチで整列された基板Ｗである処理基板群を形成する。また、基板処理装置１Ａは、例えば第１薬液処理部ＢＴ１、第２洗浄処理部ＢＴ２に順番に処理基板群を搬送して、処理基板群を一括して処理する。これらの詳細を説明する。 The substrate processing apparatus 1A combines two or more substrates W1 of the first substrate group of the first carrier C and two or more substrates W2 of the second substrate group of the second carrier C to perform a face-to-face method. A group of substrates to be processed, which are substrates W arranged at a half-pitch, is formed. Further, the substrate processing apparatus 1A sequentially transports the processing substrate group to, for example, the first chemical processing section BT1 and the second cleaning processing section BT2, and processes the processing substrate group at once. These details will be explained below.

〔ステップＳ２１〕姿勢変換機構への第１基板群の搬送
ストッカーブロック１０３のキャリア搬送機構１１１は、ロードポート１０９から載置棚１１９に第１キャリアＣを搬送する。ここで、第１キャリアＣは、２５枚の基板Ｗ１からなる第１基板群を収納する。なお、２個のキャリアＣは、保管棚１１３を介して、ロードポート１０９から載置棚１１９に搬送されてもよい。 [Step S21] Transporting the first substrate group to the attitude changing mechanism The carrier transport mechanism 111 of the stocker block 103 transports the first carrier C from the load port 109 to the mounting shelf 119. Here, the first carrier C stores a first substrate group consisting of 25 substrates W1. Note that the two carriers C may be transported from the load port 109 to the mounting shelf 119 via the storage shelf 113.

図１２（ａ）を参照する。なお、図１２（ａ）～図１２（ｆ）において、図示の便宜上、第１基板群は３枚の基板Ｗ１で構成され、第２基板群は３枚の基板Ｗ２で構成される。また、基板Ｗ１と基板Ｗ２とを特に区別しない場合、基板Ｗ１および基板Ｗ２は「基板Ｗ」と記載される。 Refer to FIG. 12(a). Note that in FIGS. 12(a) to 12(f), for convenience of illustration, the first substrate group is composed of three substrates W1, and the second substrate group is composed of three substrates W2. Further, when the substrate W1 and the substrate W2 are not particularly distinguished, the substrate W1 and the substrate W2 are referred to as a "substrate W."

基板ハンドリング機構ＨＴＲは、バッチハンド１２５を用いて、載置棚１１９に載置された第１キャリアＣから姿勢変換部１３７に第１基板群の２５枚の基板Ｗ１を一括して搬送する。ここで、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、図１３（ａ）、図１３（ｂ）に示される奇数番号の２５個の溝ＳＬ１，ＳＬ３，ＳＬ５，・・・ＳＬ４７，ＳＬ４９に対応するように、２５枚の基板Ｗ１を姿勢変換部１３７に搬送する。姿勢変換部１３７は、２対の保持部１３７Ｂ，１３７Ｃと用いて、基板ハンドリング機構ＨＴＲから２５枚の基板Ｗ１を受け取る。この際、２５枚の基板Ｗ１は、水平姿勢であり、デバイス面は上向きである。２５枚の基板Ｗ１は、所定の間隔（フルピッチ）で配置される。フルピッチは、例えば１０ｍｍ間隔である。フルピッチは、ノーマルピッチとも呼ばれる。なお、ハーフピッチは、フルピッチの半分の間隔（例えば５ｍｍ）である。 The substrate handling mechanism HTR uses the batch hand 125 to collectively transport the 25 substrates W1 of the first substrate group from the first carrier C placed on the mounting shelf 119 to the attitude changing unit 137. Here, the substrate handling mechanism HTR handles 25 sheets so as to correspond to the 25 odd-numbered grooves SL1, SL3, SL5,...SL47, SL49 shown in FIGS. 13(a) and 13(b). The substrate W1 is transported to the attitude changing section 137. The posture changing unit 137 uses two pairs of holding units 137B and 137C to receive 25 substrates W1 from the substrate handling mechanism HTR. At this time, the 25 substrates W1 are in a horizontal position, with the device surfaces facing upward. The 25 substrates W1 are arranged at predetermined intervals (full pitch). The full pitch is, for example, an interval of 10 mm. Full pitch is also called normal pitch. Note that the half pitch is an interval that is half the full pitch (for example, 5 mm).

〔ステップＳ２２〕ダミー基板の挿入
基板ハンドリング機構ＨＴＲが第１キャリアＣから２５枚の基板Ｗ１を取り出した後、キャリア搬送機構１１１は、載置棚１１９から保管棚１１３に空の第１キャリアＣを搬送し、その後、保管棚１１３から載置棚１１９にダミー基板用キャリアＣＤを搬送する（図１０参照）。 [Step S22] Insertion of dummy substrate After the substrate handling mechanism HTR takes out 25 substrates W1 from the first carrier C, the carrier transport mechanism 111 inserts the empty first carrier C from the mounting shelf 119 to the storage shelf 113. Then, the dummy substrate carrier CD is transported from the storage shelf 113 to the mounting shelf 119 (see FIG. 10).

その後、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、図１２（ａ）に示すように、枚葉ハンド１２７を用いて、ダミー基板用キャリアＣＤから姿勢変換部１３７にダミー基板１００を搬送する。ここで、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、溝ＳＬ５１に対応するように、ダミー基板１００を姿勢変換部１３７に搬送する。姿勢変換部１３７は、図１２（ａ）に示すように、水平姿勢の２５枚の基板Ｗ１の上方の保持溝で水平姿勢のダミー基板１００を受け取る。図１２（ａ）において、水平姿勢の２５枚の基板Ｗ１およびダミー基板１００は、フルピッチ（例えば１０ｍｍ）で鉛直方向Ｚに整列される。 Thereafter, the substrate handling mechanism HTR uses the single wafer hand 127 to transport the dummy substrate 100 from the dummy substrate carrier CD to the posture changing unit 137, as shown in FIG. 12(a). Here, the substrate handling mechanism HTR transports the dummy substrate 100 to the attitude changing unit 137 so as to correspond to the groove SL51. As shown in FIG. 12A, the attitude converting unit 137 receives the dummy substrate 100 in the horizontal attitude in the holding groove above the 25 substrates W1 in the horizontal attitude. In FIG. 12A, 25 substrates W1 and dummy substrates 100 in a horizontal posture are aligned in the vertical direction Z at a full pitch (for example, 10 mm).

基板ハンドリング機構ＨＴＲがダミー基板用キャリアＣＤから１枚のダミー基板１００を取り出した後、キャリア搬送機構１１１は、載置棚１１９から保管棚１１３にダミー基板用キャリアＣＤを搬送し、その後、ロードポート１０９から載置棚１１９に第２キャリアＣを搬送する（図１０参照）。 After the substrate handling mechanism HTR takes out one dummy substrate 100 from the dummy substrate carrier CD, the carrier conveyance mechanism 111 conveys the dummy substrate carrier CD from the mounting shelf 119 to the storage shelf 113, and then transfers the dummy substrate carrier CD to the loading port. The second carrier C is transported from 109 to the mounting shelf 119 (see FIG. 10).

〔ステップＳ２３〕第１基板群の鉛直姿勢への姿勢変換
図１２（ｂ）を参照する。姿勢変換部１３７にダミー基板１００が搬送された後、回転駆動部１３７Ｄは、支持台１３７Ａに設けられた２対の保持部１３７Ｂ，１３７Ｃを水平軸ＡＸ２周りに９０度回転させる。これにより、姿勢変換部１３７は、２５枚の基板Ｗ１およびダミー基板１００を水平姿勢から鉛直姿勢に変換する。 [Step S23] Attitude conversion of first substrate group to vertical attitude Refer to FIG. 12(b). After the dummy substrate 100 is transferred to the attitude changing unit 137, the rotation drive unit 137D rotates the two pairs of holding units 137B and 137C provided on the support base 137A by 90 degrees around the horizontal axis AX2. Thereby, the attitude converting unit 137 converts the 25 substrates W1 and the dummy substrate 100 from the horizontal attitude to the vertical attitude.

図１２（ｃ）を参照する。その後、プッシャ機構１３９の昇降回転部１３９Ｂは、姿勢変換部１３７の保持部１３７Ｂ，１３７Ｃよりも高い位置にプッシャ１３９Ａを上昇させる。これにより、プッシャ１３９Ａは、保持部１３７Ｂ，１３７Ｃから２５枚の基板Ｗ１およびダミー基板１００を受け取る。プッシャ１３９Ａで保持された２５枚の基板Ｗ１は、左方Ｙを向く。なお、図１２（ａ）～図１２（ｆ）中、基板Ｗ（Ｗ１，Ｗ２）に付された矢印ＡＲ２は、基板Ｗのデバイス面の向きを示す。 Refer to FIG. 12(c). Thereafter, the elevating and rotating part 139B of the pusher mechanism 139 raises the pusher 139A to a position higher than the holding parts 137B and 137C of the attitude changing part 137. As a result, the pusher 139A receives the 25 substrates W1 and the dummy substrate 100 from the holding parts 137B and 137C. The 25 substrates W1 held by the pusher 139A face leftward Y. Note that in FIGS. 12(a) to 12(f), an arrow AR2 attached to the substrate W (W1, W2) indicates the direction of the device surface of the substrate W.

図１２（ｄ）を参照する。プッシャ機構１３９は、鉛直軸ＡＸ３周りに鉛直姿勢の２５枚の基板Ｗ１およびダミー基板１００を１８０度回転させる。これにより、２５枚の基板Ｗ１は、反転されて右方Ｙを向く。更に、反転された２５枚の基板Ｗ１は、回転前の位置から左方Ｙにハーフピッチ分（例えば５ｍｍ）移動する。また、姿勢変換部１３７は、保持部１３７Ｂ，１３７Ｃを水平軸ＡＸ２周りに－９０度回転させて、次の基板Ｗ２を受け取ることができる状態にする。なお、姿勢変換部１３７とプッシャ機構１３９は互いに干渉しないように動作される。 Refer to FIG. 12(d). The pusher mechanism 139 rotates the 25 substrates W1 and the dummy substrate 100 in a vertical posture by 180 degrees around the vertical axis AX3. As a result, the 25 substrates W1 are inverted and face rightward Y. Further, the 25 inverted substrates W1 are moved to the left Y by a half pitch (for example, 5 mm) from the position before rotation. Additionally, the attitude changing unit 137 rotates the holding units 137B and 137C by -90 degrees around the horizontal axis AX2, so that they can receive the next substrate W2. Note that the posture changing section 137 and the pusher mechanism 139 are operated so as not to interfere with each other.

〔ステップＳ２４〕姿勢変換機構への第２基板群の搬送
第２キャリアＣは、載置棚１１９に載置されている。第２キャリアＣは、２５枚の基板Ｗ２からなる第２基板群を収納している。基板ハンドリング機構ＨＴＲは、バッチハンド１２５を用いて、載置棚１１９に載置された第２キャリアＣから姿勢変換部１３７に第２基板群の２５枚の基板Ｗ２を一括して搬送する。ここで、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、図１３（ａ）、図１３（ｂ）に示される偶数番号の２５個の溝ＳＬ２，ＳＬ４，ＳＬ６，・・・ＳＬ４８，ＳＬ５０に対応するように、２５枚の基板Ｗ２を姿勢変換部１３７に搬送する。図１２（ｄ）に示すように、姿勢変換部１３７は、２つの保持部１３７Ｂ，１３７Ｃで、水平姿勢の２５枚の基板Ｗ２を受け取る。この際、２５枚の基板Ｗ２の各々のデバイス面は上向きである。 [Step S24] Transporting the second substrate group to the attitude changing mechanism The second carrier C is placed on the placement shelf 119. The second carrier C accommodates a second substrate group consisting of 25 substrates W2. The substrate handling mechanism HTR uses the batch hand 125 to collectively transport the 25 substrates W2 of the second substrate group from the second carrier C placed on the mounting shelf 119 to the attitude changing unit 137. Here, the substrate handling mechanism HTR handles 25 sheets so as to correspond to the 25 even-numbered grooves SL2, SL4, SL6,...SL48, SL50 shown in FIGS. 13(a) and 13(b). The substrate W2 is transported to the attitude changing section 137. As shown in FIG. 12(d), the attitude converting unit 137 receives 25 substrates W2 in a horizontal attitude using two holding units 137B and 137C. At this time, the device surface of each of the 25 substrates W2 faces upward.

〔ステップＳ２５〕第２基板群の鉛直姿勢への姿勢変換
図１２（ｅ）を参照する。プッシャ機構１３９は、２５枚の基板Ｗ１およびダミー基板１００を保持するプッシャ１３９Ａを退避位置に下降させる。その後、姿勢変換部１３７は、２５枚の基板Ｗ２の姿勢を水平から鉛直に変換する。姿勢変換後の２５枚の基板Ｗ２は、左方Ｙを向く。図１２（ｆ）を参照する。その後、プッシャ機構１３９は、第２基板群の２５枚の基板Ｗ２を保持するプッシャ１３９Ａを上昇させる。これにより、プッシャ機構１３９は、姿勢変換部１３７から２５枚の基板Ｗ２を更に受け取る。 [Step S25] Attitude conversion of second board group to vertical attitude Refer to FIG. 12(e). The pusher mechanism 139 lowers the pusher 139A holding the 25 substrates W1 and the dummy substrate 100 to the retracted position. After that, the attitude converting unit 137 converts the attitude of the 25 substrates W2 from horizontal to vertical. The 25 substrates W2 after the attitude change face leftward Y. Refer to FIG. 12(f). After that, the pusher mechanism 139 raises the pusher 139A that holds the 25 substrates W2 of the second substrate group. As a result, the pusher mechanism 139 further receives 25 substrates W2 from the attitude changing section 137.

そのため、第１基板群と第２基板群とダミー基板１００とが組み合わされて、処理基板群（５０枚の基板Ｗ１，Ｗ２およびダミー基板１００）が形成される。処理基板群は、ハーフピッチで整列される。５０枚の基板Ｗ１，Ｗ２は、第１基板群の２５枚の基板Ｗ１と第２基板群の２５枚の基板Ｗ２とが１枚ずつ交互に配置される。２５枚の基板Ｗ１は、２５枚の基板Ｗ２と逆方向を向いている。そのため、５０枚の基板Ｗ１，Ｗ２は、フェース・ツー・フェース方式で配置される。すなわち、隣接する２枚の基板Ｗ１，Ｗ２は、２つのデバイス面（または２つの裏面）が向き合っている。 Therefore, the first substrate group, the second substrate group, and the dummy substrate 100 are combined to form a processed substrate group (50 substrates W1, W2 and the dummy substrate 100). The processing substrate group is arranged at half pitch. Among the 50 substrates W1 and W2, 25 substrates W1 of the first substrate group and 25 substrates W2 of the second substrate group are arranged alternately. The 25 substrates W1 face in the opposite direction to the 25 substrates W2. Therefore, the 50 substrates W1 and W2 are arranged in a face-to-face manner. That is, the two device surfaces (or two back surfaces) of the two adjacent substrates W1 and W2 face each other.

その後、プッシャ機構１３９は、移載ブロック１０５内に定められた基板受け渡し位置ＰＰにレール１３９Ｄに沿って処理基板群を搬送する。基板受け渡し位置ＰＰは、搬送機構ＷＴＲの１対のチャック１４３，１４５の下方に定められている。 Thereafter, the pusher mechanism 139 transports the group of processed substrates along the rail 139D to a substrate delivery position PP defined in the transfer block 105. The substrate transfer position PP is defined below the pair of chucks 143 and 145 of the transport mechanism WTR.

〔ステップＳ２６〕薬液処理
搬送機構ＷＴＲは、基板受け渡し位置ＰＰでプッシャ機構１３９から鉛直姿勢の処理基板群（５０枚の基板Ｗ１，Ｗ２と１枚のダミー基板１００）を搬送する。すなわち、搬送機構ＷＴＲは、基板受け渡し位置ＰＰで鉛直姿勢の処理基板群を受け取り、２個の薬液処理部ＢＴ１，ＢＴ３の２個のリフタＬＦ１，ＬＦ３の一方に処理基板群を搬送する。例えば、リフタＬＦ１は、薬液処理部ＢＴ１の処理槽１４１の上方の位置で、搬送機構ＷＴＲによって搬送された処理基板群を受け取る。リフタＬＦ１は、処理槽１４１に貯留された燐酸（処理液）に処理基板群を浸漬させる。これにより、５０枚の基板Ｗは、エッチング処理が行われる。この処理の際に、ダミー基板１００はカウントせずに、５０枚の基板Ｗに応じた燐酸を補充する。 [Step S26] Chemical Processing The transport mechanism WTR transports a group of processing substrates (50 substrates W1, W2 and one dummy substrate 100) in a vertical posture from the pusher mechanism 139 at the substrate delivery position PP. That is, the transport mechanism WTR receives a group of processed substrates in a vertical posture at the substrate delivery position PP, and transports the group of processed substrates to one of the two lifters LF1 and LF3 of the two chemical processing units BT1 and BT3. For example, the lifter LF1 receives a group of processed substrates transported by the transport mechanism WTR at a position above the processing tank 141 of the chemical processing section BT1. The lifter LF1 immerses the group of processed substrates in phosphoric acid (processing liquid) stored in the processing tank 141. As a result, the etching process is performed on the 50 substrates W. During this process, phosphoric acid is replenished according to the 50 substrates W without counting the dummy substrates 100.

エッチング処理後、リフタＬＦ１は、処理基板群を処理槽１４１内の燐酸から引き上げる。なお、リフタＬＦ３に処理基板群が搬送された場合も、薬液処理部ＢＴ３は、処理基板群に対して薬液処理部ＢＴ１と同様の処理を行う。 After the etching process, the lifter LF1 lifts the group of processed substrates from the phosphoric acid in the processing tank 141. Note that even when the group of processed substrates is transferred to the lifter LF3, the chemical liquid processing section BT3 performs the same processing as the chemical liquid processing section BT1 on the group of processed substrates.

〔ステップＳ２７〕洗浄処理および乾燥処理
搬送機構ＷＴＲは、例えばリフタＬＦ１から鉛直姿勢の処理基板群（５０枚の基板Ｗ１，Ｗ２と１枚のダミー基板１００）を受け取り、図１、図９、図１３（ａ）、図１３（ｂ）に示す洗浄処理部ＢＴ２のリフタ４の基板保持部５にその処理基板群を搬送する。処理基板群を受け取るとき、昇降機構６（図１参照）は、基板保持部５を乾燥位置Ｈ１に位置させる。基板保持部５は、鉛直姿勢の５０枚の基板Ｗ１，Ｗ２を保持すると共に、５０枚の基板Ｗ１，Ｗ２のうちの背板９から最も離れた先端基板ＷＴと、各保持部材７の先端部７Ａ側が対向するチャンバ３の側壁３Ａとの間に位置するようにダミー基板１００を保持する。具体的には、基板保持部５は、各保持部材７の５０個の溝ＳＬ１～ＳＬ５０と１個の溝ＳＬ５１で５０枚の基板Ｗ１，Ｗ２とダミー基板１００を受け取って保持する。なお、基板保持部５は、処理基板群を保持した状態で処理槽２内の処理位置Ｈ２と処理槽２の上方の乾燥位置Ｈ１とに亘って移動する。 [Step S27] Cleaning process and drying process The transport mechanism WTR receives a group of processed substrates (50 substrates W1, W2 and one dummy substrate 100) in a vertical posture from, for example, the lifter LF1, and transfers them to FIGS. The group of processed substrates is transferred to the substrate holding section 5 of the lifter 4 of the cleaning processing section BT2 shown in FIG. 13(a) and FIG. 13(b). When receiving a group of processed substrates, the elevating mechanism 6 (see FIG. 1) positions the substrate holder 5 at the drying position H1. The substrate holding unit 5 holds the 50 substrates W1 and W2 in a vertical posture, and also holds the tip substrate WT furthest from the back plate 9 among the 50 substrates W1 and W2 and the tip of each holding member 7. The dummy substrate 100 is held so that the side 7A is located between the opposing side wall 3A of the chamber 3. Specifically, the substrate holding section 5 receives and holds the 50 substrates W1 and W2 and the dummy substrate 100 through the 50 grooves SL1 to SL50 and one groove SL51 of each holding member 7. Note that the substrate holding unit 5 moves between a processing position H2 in the processing tank 2 and a drying position H1 above the processing tank 2 while holding the group of processing substrates.

洗浄処理部ＢＴ２は、処理基板群に対して図６に示すステップＳ０１～Ｓ１４の洗浄処理および乾燥処理を行う。この際、遮蔽用のダミー基板１００が設けられていることで、各保持部材７の先端部７Ａ側で滞留した雰囲気を遮蔽する。そのため、その雰囲気に混在するパーティクルから基板Ｗを保護する。 The cleaning processing unit BT2 performs the cleaning process and drying process of steps S01 to S14 shown in FIG. 6 on the group of substrates to be processed. At this time, the dummy substrate 100 for shielding is provided to shield the atmosphere stagnant on the tip 7A side of each holding member 7. Therefore, the substrate W is protected from particles mixed in the atmosphere.

なお、処理基板群が薬液処理部ＢＴ３で処理された場合、搬送機構ＷＴＲは、薬液処理部ＢＴ３から洗浄処理部ＢＴ４に処理基板群を搬送する。洗浄処理部ＢＴ４は、処理基板群に対して洗浄処理部ＢＴ２と同様の処理を行う。 Note that when the processing substrate group is processed in the chemical processing section BT3, the transport mechanism WTR transports the processing substrate group from the chemical processing section BT3 to the cleaning processing section BT4. The cleaning processing section BT4 performs the same processing as the cleaning processing section BT2 on the group of substrates to be processed.

〔ステップＳ２８〕水平姿勢への姿勢変換
その後、搬送機構ＷＴＲは、処理槽２等で処理された鉛直姿勢の処理基板群を２個の基板保持部５の一方から姿勢変換機構１１７に搬送する。すなわち、搬送機構ＷＴＲは、２個の洗浄処理部ＢＴ２，ＢＴ４の２個の基板保持部５の一方から処理基板群を受け取り、その処理基板群を姿勢変換機構１１７に搬送する。プッシャ１３９Ａは、水平移動部１３９Ｃによって、基板受け渡し位置ＰＰに移動されている。プッシャ１３９Ａは、搬送機構ＷＴＲによって搬送された処理基板群の５０枚の基板Ｗ（Ｗ１，Ｗ２）とダミー基板１００とを鉛直姿勢で保持する。 [Step S28] Posture Conversion to Horizontal Posture After that, the transport mechanism WTR transports the group of vertically processed substrates processed in the processing tank 2 or the like from one of the two substrate holders 5 to the posture conversion mechanism 117. That is, the transport mechanism WTR receives a group of processed substrates from one of the two substrate holders 5 of the two cleaning processing units BT2 and BT4, and transports the group of processed substrates to the attitude changing mechanism 117. The pusher 139A is moved to the substrate transfer position PP by the horizontal moving section 139C. The pusher 139A holds the 50 substrates W (W1, W2) of the processing substrate group transported by the transport mechanism WTR and the dummy substrate 100 in a vertical posture.

姿勢変換機構１１７は、搬送機構ＷＴＲで搬送された５０枚の基板Ｗ１，Ｗ２を第１基板群の２５枚の基板Ｗ１と第２基板群の２５枚の基板Ｗ２とに分ける。また、姿勢変換機構１１７は、第１基板群、第２基板群およびダミー基板１００を鉛直姿勢から垂直姿勢に変換する。具体的に説明する。 The attitude changing mechanism 117 divides the 50 substrates W1 and W2 transported by the transport mechanism WTR into a first substrate group of 25 substrates W1 and a second substrate group of 25 substrates W2. Further, the attitude changing mechanism 117 converts the first substrate group, the second substrate group, and the dummy substrate 100 from a vertical attitude to a vertical attitude. I will explain in detail.

姿勢変換機構１１７は、例えば、図１２（ｆ）から図１２（ａ）に向かう順番で動作する。すなわち、姿勢変換機構１１７は、処理基板群から第２基板群の２５枚の基板Ｗ２を抜き出し、これらを水平姿勢から鉛直姿勢に変換する。その後、姿勢変換機構１１７は、第１基板群の２５枚の基板Ｗ１およびダミー基板１００を鉛直姿勢から水平姿勢に変換する。なお、姿勢変換機構１１７は、第２基板群よりも先に空のキャリアＣに第１基板群を戻すために、処理基板群から第１基板群の２５枚の基板Ｗ１およびダミー基板１００を抜き出してもよい。 The attitude changing mechanism 117 operates, for example, in the order from FIG. 12(f) to FIG. 12(a). That is, the attitude conversion mechanism 117 extracts the 25 substrates W2 of the second substrate group from the processing substrate group and converts them from a horizontal attitude to a vertical attitude. Thereafter, the attitude changing mechanism 117 converts the 25 substrates W1 of the first substrate group and the dummy substrate 100 from the vertical attitude to the horizontal attitude. Note that the attitude changing mechanism 117 extracts the 25 substrates W1 and the dummy substrates 100 of the first substrate group from the processed substrate group in order to return the first substrate group to the empty carrier C before the second substrate group. It's okay.

〔ステップＳ２９〕キャリアへの基板搬送
キャリア搬送機構１１１は、第１キャリアＣ、第２キャリアＣおよびダミー基板用キャリアＣＤのいずれか１つを載置棚１１９に選択的に搬送する。基板ハンドリング機構ＨＴＲは、バッチハンド１２７を用いて、姿勢変換部１３７から載置棚１１９の第２キャリアＣに第２基板群の２５枚の基板Ｗ２を搬送する。また、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、枚葉ハンド１２７を用いて、姿勢変換部１３７から載置棚１１９のダミー基板用キャリアＣＤにダミー基板１００を搬送する。また、更に、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、バッチハンド１２５を用いて、姿勢変換部１３７から載置棚１１９の第１キャリアＣに第１基板群の２５枚の基板Ｗ１を搬送する。 [Step S29] Transfer of substrate to carrier The carrier transfer mechanism 111 selectively transfers any one of the first carrier C, the second carrier C, and the dummy substrate carrier CD to the mounting shelf 119. The substrate handling mechanism HTR uses the batch hand 127 to transport the 25 substrates W2 of the second substrate group from the attitude changing section 137 to the second carrier C of the mounting shelf 119. Further, the substrate handling mechanism HTR uses the single-wafer hand 127 to transport the dummy substrate 100 from the attitude changing section 137 to the dummy substrate carrier CD on the mounting shelf 119. Further, the substrate handling mechanism HTR uses the batch hand 125 to transport the 25 substrates W1 of the first substrate group from the attitude changing unit 137 to the first carrier C of the mounting shelf 119.

キャリア搬送機構１１１は、ダミー基板１００が収納されたダミー基板用キャリアＣＤを載置棚１１９から保管棚１１３に搬送する。また、キャリア搬送機構１１１は、処理済の基板Ｗ１が収納された第１キャリアＣと、処理済の基板Ｗ２が収納された第２キャリアＣとを載置棚１１９からロードポート１０９に各々搬送する。外部搬送ロボットは、ロードポート１０９に各々搬送された２個のキャリアＣを次の目的地に順番に搬送する。 The carrier transport mechanism 111 transports the dummy board carrier CD containing the dummy board 100 from the mounting shelf 119 to the storage shelf 113. Further, the carrier transport mechanism 111 transports the first carrier C in which the processed substrate W1 is stored and the second carrier C in which the processed substrate W2 is stored from the mounting shelf 119 to the load port 109. . The external transport robot sequentially transports the two carriers C, each transported to the load port 109, to the next destination.

本実施例によれば、遮蔽板としてのダミー基板１００が設けられていることで、保持部材７の先端部７Ａ側で滞留した雰囲気に混在するパーティクルから基板Ｗを保護する。また、先端基板ＷＴとダミー基板１００との間で気体の流れを改善させることができる。これらにより、パーティクルが基板Ｗ（先端基板ＷＴ）に付着することを防止することができる。 According to this embodiment, by providing the dummy substrate 100 as a shielding plate, the substrate W is protected from particles mixed in the atmosphere that remains on the tip 7A side of the holding member 7. Furthermore, the gas flow between the tip substrate WT and the dummy substrate 100 can be improved. These can prevent particles from adhering to the substrate W (tip substrate WT).

基板保持部５は、鉛直姿勢の複数の基板Ｗを保持すると共に、複数の基板Ｗのうちの先端基板ＷＴとチャンバ３の側壁３Ａとの間に位置するようにダミー基板１００を保持する。そのため、パーティクルが先端基板ＷＴに付着することを防止することができる。また、基板処理装置１Ａは、ダミー基板用キャリアＣＤを備え、ダミー基板用キャリアＣＤは、遮蔽用のダミー基板１００を収納する。ダミー基板１００は、処理槽２で一括して処理される複数の基板Ｗ毎に加えられる。そして、処理槽２で処理された後、ダミー基板１００は、複数の基板Ｗとは別に、ダミー基板用キャリアＣＤに戻される。そのため、処理槽２を囲うチャンバ３内に遮蔽板７１を常設することなく、パーティクルが先端基板ＷＴに付着することを防止することができる。 The substrate holding unit 5 holds a plurality of substrates W in a vertical posture, and also holds a dummy substrate 100 so as to be located between the tip substrate WT of the plurality of substrates W and the side wall 3A of the chamber 3. Therefore, it is possible to prevent particles from adhering to the tip substrate WT. Further, the substrate processing apparatus 1A includes a dummy substrate carrier CD, and the dummy substrate carrier CD stores a dummy substrate 100 for shielding. The dummy substrate 100 is added to each of the plurality of substrates W to be processed at once in the processing tank 2 . After being processed in the processing tank 2, the dummy substrate 100 is returned to the dummy substrate carrier CD separately from the plurality of substrates W. Therefore, it is possible to prevent particles from adhering to the tip substrate WT without permanently installing the shielding plate 71 in the chamber 3 surrounding the processing tank 2.

なお、図１２（ｆ）において、符号ＥＥ１で示される第２基板群の基板Ｗ２が先端基板ＷＴであった。この状態からプッシャ１３９Ａを鉛直軸ＡＸ３周りに１８０度回転させると、符号ＥＥ２で示される第１基板群の基板Ｗ１が先端基板ＷＴになる。そのため、５０枚の基板Ｗの形成手法によって、先端基板ＷＴが変化する。この場合、ダミー基板１００は、図１２（ａ）において、姿勢変換部１３７に搬送されず、図１２（ｄ）において、姿勢変換部１３７に搬送されてもよい。その後、姿勢変換部１３７は、第２基板群とダミー基板１００とを水平姿勢から鉛直姿勢に変換する。 In addition, in FIG. 12(f), the substrate W2 of the second substrate group indicated by the symbol EE1 was the tip substrate WT. When the pusher 139A is rotated 180 degrees around the vertical axis AX3 from this state, the substrate W1 of the first substrate group indicated by the symbol EE2 becomes the tip substrate WT. Therefore, the tip substrate WT changes depending on the method of forming the 50 substrates W. In this case, the dummy substrate 100 may not be transported to the attitude changing section 137 in FIG. 12(a), but may be transported to the attitude changing section 137 in FIG. 12(d). Thereafter, the attitude converting unit 137 converts the second board group and the dummy substrate 100 from the horizontal attitude to the vertical attitude.

次に、図面を参照して本発明の実施例３を説明する。なお、実施例１，２と重複する説明は省略する。図１５は、実施例３に係る各洗浄処理部ＢＴ２，ＢＴ４の左側面の概略構成を示す縦断面図である。 Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that explanations that overlap with those of Examples 1 and 2 will be omitted. FIG. 15 is a vertical sectional view showing a schematic configuration of the left side surface of each of the cleaning processing units BT2 and BT4 according to the third embodiment.

実施例２では、毎回、バッチ処理を行う１組の複数の基板Ｗ（Ｗ１，Ｗ２）に対してダミー基板１００を追加した。この点、実施例３では、基板検出センサ部１５３が溝ＳＬ５０（先端保持溝）に対応する基板ＷがキャリアＣに無いことを検出したときに、バッチ処理を行う１組の複数の基板Ｗに対してダミー基板１００を追加する。ダミー基板１００は、図１５に示すように、溝ＳＬ５０で保持される。 In Example 2, a dummy substrate 100 was added to a set of multiple substrates W (W1, W2) to be subjected to batch processing each time. In this regard, in the third embodiment, when the substrate detection sensor unit 153 detects that there is no substrate W corresponding to the groove SL50 (tip holding groove) in the carrier C, a plurality of substrates W in a set to be subjected to batch processing are A dummy board 100 is added to the board. The dummy substrate 100 is held in the groove SL50, as shown in FIG.

図１６（ａ）は、オープナ１１５の構成を示す側面図である。図１６（ｂ）は、基板検出センサの検出状態を示す平面図である。オープナ１１５は、キャリアＣを載置する載置棚１１９と、キャリアＣのドアＤＲを着脱するシャッタ１５１と、基板検出センサ部１５３とを備える。載置棚１１９は、ストッカーブロック１０３の領域に突出するように配置される。 FIG. 16(a) is a side view showing the configuration of the opener 115. FIG. 16(b) is a plan view showing the detection state of the substrate detection sensor. The opener 115 includes a shelf 119 on which the carrier C is placed, a shutter 151 for attaching and detaching the door DR of the carrier C, and a substrate detection sensor section 153. The loading shelf 119 is arranged so as to protrude into the area of the stocker block 103.

基板検出センサ部１５３は、載置棚１１９に載置されたキャリアＣに対して上下方向に移動しながら、キャリアＣに収容される基板Ｗの有無を検出する。基板検出センサ部１５３は、センサ本体１５３Ａ、アーム１５３Ｂ、センサ昇降部１５３Ｃおよびセンサ進退部１５３Ｄを備える。 The substrate detection sensor section 153 detects the presence or absence of a substrate W accommodated in the carrier C while moving vertically with respect to the carrier C placed on the mounting shelf 119. The substrate detection sensor section 153 includes a sensor main body 153A, an arm 153B, a sensor elevating section 153C, and a sensor advancing/retracting section 153D.

センサ本体１５３Ａは、例えば、投光器と受光器を有する透過型センサ（光学式センサ）を備える。制御部６１は、投光器からの光が基板Ｗに遮られて、受光器が光を検出しないときは、基板Ｗが有ることを検出する。また、制御部６１は、受光器が投光器からの光を検出するときは、基板Ｗが無いことを検出する。 The sensor main body 153A includes, for example, a transmission type sensor (optical sensor) having a light projector and a light receiver. The control unit 61 detects the presence of the substrate W when the light from the light emitter is blocked by the substrate W and the light receiver does not detect the light. Moreover, the control unit 61 detects that there is no substrate W when the light receiver detects light from the light projector.

アーム１５３Ｂは、センサ本体１５３Ａを支持する。センサ昇降部１５３Ｃは、センサ本体１５３Ａおよびアーム１５３Ｂを昇降させる。すなわち、センサ昇降部１５３Ｃは、センサ本体１５３Ａ等を上下方向Ｚに移動させる。センサ進退部１５３Ｄは、センサ本体１５３Ａおよびアーム１５３Ｂを前後方向Ｘに進退させる。センサ昇降部１５３Ｃおよびセンサ進退部１５３Ｄは各々、電動モータを備える。また、センサ昇降部１５３Ｃは、センサ本体１５３Ａ（検出される基板Ｗ）の高さ位置を検出するための高さセンサ（例えば、リニアエンコーダまたはロータリーエンコーダ）を備える。 Arm 153B supports sensor body 153A. The sensor elevating section 153C moves the sensor main body 153A and the arm 153B up and down. That is, the sensor elevating section 153C moves the sensor main body 153A and the like in the vertical direction Z. The sensor advancing/retracting section 153D moves the sensor main body 153A and the arm 153B back and forth in the front-rear direction X. The sensor elevating section 153C and the sensor advancing/retracting section 153D each include an electric motor. Further, the sensor elevating section 153C includes a height sensor (for example, a linear encoder or a rotary encoder) for detecting the height position of the sensor main body 153A (substrate W to be detected).

図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように、本実施例の基板保持部５の各保持部材７は、例えば５０個の溝ＳＬ１～ＳＬ５０を備える。また、本実施例の搬送機構ＷＴＲの２個のチャック１４３，１４５は各々、例えば５０個の保持溝を備える。各鉛直保持部１３７Ｃは、例えば、２５個の保持溝と２５個の通過溝とを備える。プッシャ１３９Ａは、５０個の保持溝を有する。 As shown in FIGS. 2(a) and 2(b), each holding member 7 of the substrate holding section 5 of this embodiment includes, for example, 50 grooves SL1 to SL50. Further, each of the two chucks 143 and 145 of the transport mechanism WTR of this embodiment includes, for example, 50 holding grooves. Each vertical holding portion 137C includes, for example, 25 holding grooves and 25 passage grooves. Pusher 139A has 50 holding grooves.

＜７．基板処理装置の動作＞
図１７のフローチャートを参照しながら、基板処理装置１Ａの動作について説明する。なお、図１８（ａ）～図１８（ｆ）は、実施例３に係る姿勢変換機構を説明するための側面図である。 <7. Operation of substrate processing equipment>
The operation of the substrate processing apparatus 1A will be described with reference to the flowchart in FIG. 17. Note that FIGS. 18(a) to 18(f) are side views for explaining the posture changing mechanism according to the third embodiment.

基板処理装置１Ａは、第１キャリアＣの第１基板群の基板Ｗ１と第２キャリアＣの第２基板群の基板Ｗ２とを組み合わせて、フェース・ツー・フェース方式でかつハーフピッチで整列された基板Ｗである処理基板群を形成する。これらの詳細を説明する。 The substrate processing apparatus 1A combines the substrates W1 of the first substrate group of the first carrier C and the substrates W2 of the second substrate group of the second carrier C, and aligns them face-to-face with half pitch. A group of substrates to be processed, which is a substrate W, is formed. These details will be explained below.

〔ステップＳ４１〕第１キャリア内の基板の有無の検出
ストッカーブロック１０３のキャリア搬送機構１１１は、ロードポート１０９から載置棚１１９に第１キャリアＣを搬送する。ここで、第１キャリアＣは、２５枚の基板Ｗ１を収納する。 [Step S41] Detecting the presence or absence of a substrate in the first carrier The carrier transport mechanism 111 of the stocker block 103 transports the first carrier C from the load port 109 to the mounting shelf 119. Here, the first carrier C stores 25 substrates W1.

オープナ１１５のシャッタ１５１は、第１キャリアＣのドアＤＲを取り外す。その後、基板検出センサ部１５３（センサ昇降部１５３Ｃおよびセンサ進退部１５３Ｄ）は、図１６（ｂ）に示すように、センサ本体１５３ＡをキャリアＣ内に進入させる。その後、センサ昇降部１５３Ｃは、センサ本体１５３Ａを上昇または下降させることで、第１キャリアＣ内の基板Ｗ１の有無を検出する。 The shutter 151 of the opener 115 removes the door DR of the first carrier C. Thereafter, the substrate detection sensor section 153 (sensor elevating section 153C and sensor advancing/retreating section 153D) moves the sensor main body 153A into the carrier C, as shown in FIG. 16(b). Thereafter, the sensor lifting section 153C detects the presence or absence of the substrate W1 in the first carrier C by raising or lowering the sensor body 153A.

また、基板検出センサ部１５３は、溝ＳＬ５０に対応する基板Ｗ１（対応基板）が第１キャリアＣ内に無いこと（第１の基板無し状態）を検出することが可能である。基板処理装置１Ａの記憶部には、処理基板群の形成手法に基づいて、フェース・ツー・フェース方式でかつハーフピッチで整列された基板Ｗ（処理基板群）と、第１キャリアＣの基板Ｗ１（第１基板群）と、第１キャリアＣの基板Ｗ２（第２基板群）との対応関係が記憶されている。そのため、基板処理装置１Ａは、第１キャリアＣ内で所定の基板Ｗ１が無い場合、その基板Ｗ１が処理基板群のどの位置の基板Ｗ１が無いか判定することができる。 Further, the substrate detection sensor section 153 can detect that the substrate W1 (corresponding substrate) corresponding to the groove SL50 is not in the first carrier C (first substrate absent state). The storage unit of the substrate processing apparatus 1A stores substrates W (processed substrate group) arranged in a face-to-face manner and at half pitch based on the method of forming the processed substrate group, and the substrates W1 of the first carrier C. (first substrate group) and the substrate W2 (second substrate group) of the first carrier C is stored. Therefore, when a predetermined substrate W1 is not present in the first carrier C, the substrate processing apparatus 1A can determine in which position of the processing substrate group the substrate W1 is absent.

なお、図１８（ａ）～図１８（ｆ）に示す処理基板群の形成手法において、第１基板群の基板Ｗ１は、各保持部材７の奇数の溝ＳＬ１，ＳＬ３，ＳＬ５，・・・．ＳＬ４７，ＳＬ４９で保持される。また、第２基板群の基板Ｗ２は、各保持部材７の偶数の溝ＳＬ２，ＳＬ４，ＳＬ６，・・・，ＳＬ４８，ＳＬ５０で保持される。 In addition, in the method of forming the processed substrate group shown in FIGS. 18(a) to 18(f), the substrates W1 of the first substrate group are formed by forming odd numbered grooves SL1, SL3, SL5, . . . in each holding member 7. It is held at SL47 and SL49. Further, the substrates W2 of the second substrate group are held in the even numbered grooves SL2, SL4, SL6, . . . , SL48, SL50 of each holding member 7.

〔ステップＳ４２〕姿勢変換機構への第１基板群の搬送
図１８（ａ）に示すように、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、バッチハンド１２５を用いて、載置棚１１９に載置された第１キャリアＣから姿勢変換機構１１７の姿勢変換部１３７に２５枚の基板Ｗ１を一括して搬送する。ここで、基板検出センサ部１５３は、溝ＳＬ５０に対応する基板Ｗ１（対応基板Ｗ１）が第１キャリアＣに無いことを検出しない。そのため、ダミー基板１００の挿入は行われない。 [Step S42] Transporting the first substrate group to the attitude changing mechanism As shown in FIG. The 25 substrates W1 are collectively transported from C to the attitude changing unit 137 of the attitude changing mechanism 117. Here, the substrate detection sensor section 153 does not detect that the first carrier C does not have the substrate W1 (corresponding substrate W1) corresponding to the groove SL50. Therefore, the dummy board 100 is not inserted.

〔ステップＳ４３〕第１基板群の鉛直姿勢への姿勢変換
その後、姿勢変換部１３７は、２５枚の基板Ｗ１を水平姿勢から鉛直姿勢に変換する。図１８（ｂ）を参照する。その後、プッシャ機構１３９の昇降回転部１３９Ｂは、プッシャ１３９Ａを上昇させることで、姿勢変換部１３７から鉛直姿勢の２５枚の基板Ｗ１を受け取る。図１８（ｃ）を参照する。その後、昇降回転部１３９Ｂは、鉛直軸ＡＸ３周りに２５枚の基板Ｗ１を１８０度回転させる。 [Step S43] Attitude conversion of first substrate group to vertical attitude After that, the attitude conversion unit 137 converts the 25 substrates W1 from the horizontal attitude to the vertical attitude. Refer to FIG. 18(b). Thereafter, the elevating and rotating section 139B of the pusher mechanism 139 receives the 25 substrates W1 in the vertical posture from the posture changing section 137 by lifting the pusher 139A. Refer to FIG. 18(c). Thereafter, the elevating and rotating section 139B rotates the 25 substrates W1 by 180 degrees around the vertical axis AX3.

〔ステップＳ４４〕第２キャリア内の基板の有無の検出
第１キャリアＣから２５枚の基板Ｗ１が搬送された後、オープナ１１５のシャッタ１５１は、第１キャリアＣに対してドアＤＲを取り付ける。その後、キャリア搬送機構１１１は、空の第１キャリアＣを保管棚１１３に搬送する。その後、キャリア搬送機構１１１は、ロードポート９から載置棚１１９に第２キャリアＣを搬送する。ここで、第２キャリアＣは、最大で２５枚の基板Ｗ２を収納することができる。しかし、第２キャリアＣには、第２基板群の２４枚の基板Ｗ２が収納されているとする。 [Step S44] Detection of presence or absence of substrates in the second carrier After the 25 substrates W1 are transferred from the first carrier C, the shutter 151 of the opener 115 attaches the door DR to the first carrier C. Thereafter, the carrier transport mechanism 111 transports the empty first carrier C to the storage shelf 113. Thereafter, the carrier transport mechanism 111 transports the second carrier C from the load port 9 to the mounting shelf 119. Here, the second carrier C can accommodate up to 25 substrates W2. However, it is assumed that the second carrier C accommodates 24 substrates W2 of the second substrate group.

その後、オープナ１１５のシャッタ１５１は、第２キャリアＣのドアＤＲを取り外す。その後、基板検出センサ部１５３は、第２キャリアＣ内の基板Ｗ２の有無を検出する。そして、基板検出センサ部１５３は、溝ＳＬ５０に対応する基板Ｗ２（対応基板Ｗ２）が第２キャリアＣ内に無いこと（第１の基板無し状態）を検出する。 Thereafter, the shutter 151 of the opener 115 removes the door DR of the second carrier C. Thereafter, the substrate detection sensor section 153 detects the presence or absence of the substrate W2 in the second carrier C. Then, the substrate detection sensor section 153 detects that the substrate W2 (corresponding substrate W2) corresponding to the groove SL50 is not in the second carrier C (first substrate absent state).

〔ステップＳ４５〕姿勢変換機構への第２基板群の搬送
図１８（ｃ）に示すように、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、バッチハンド１２５を用いて、第１キャリアＣに代えて載置棚１１９に載置された第２キャリアＣから姿勢変換機構１１７の姿勢変換部１３７に２４枚の基板Ｗ２を一括して搬送する。 [Step S45] Transferring the second substrate group to the attitude changing mechanism As shown in FIG. The 24 substrates W2 are collectively transported from the placed second carrier C to the attitude changing unit 137 of the attitude changing mechanism 117.

〔ステップＳ４６〕ダミー基板の挿入
その後、基板検出センサ部１５３が溝ＳＬ５０に対応する対応基板Ｗ２が第２キャリアＣに無いことを検出したときは、基板処理装置１Ａは、次のように動作する。すなわち、第２キャリアＣから２４枚の基板Ｗ２が搬送された後、オープナ１１５のシャッタ１５１は、第２キャリアＣに対してドアＤＲを取り付ける。その後、キャリア搬送機構１１１は、空の第２キャリアＣを保管棚１１３に搬送する。その後、キャリア搬送機構１１１は、保管棚１１３から載置棚１１９に１枚以上のダミー基板１００が収納されたダミー基板用キャリアＣＤを搬送する。 [Step S46] Insertion of dummy substrate After that, when the substrate detection sensor section 153 detects that the corresponding substrate W2 corresponding to the groove SL50 is not present in the second carrier C, the substrate processing apparatus 1A operates as follows. . That is, after the 24 substrates W2 are transported from the second carrier C, the shutter 151 of the opener 115 attaches the door DR to the second carrier C. Thereafter, the carrier transport mechanism 111 transports the empty second carrier C to the storage shelf 113. Thereafter, the carrier transport mechanism 111 transports the dummy board carrier CD containing one or more dummy boards 100 from the storage shelf 113 to the mounting shelf 119.

その後、オープナ１１５のシャッタ１５１は、ダミー基板用キャリアＣＤのドアＤＲを外す。そして、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、枚葉ハンド１２７を用いて、姿勢変換部１３７に搬送された２４枚の基板Ｗ２の列の対応基板Ｗ２がない部分にダミー基板１００を搬送する。具体的に説明する。基板ハンドリング機構ＨＴＲは、枚葉ハンド１２７を用いて、第２キャリアＣに代わって載置棚１１９に載置されたダミー基板用キャリアＣＤからダミー基板１００を取り出す。その後、図１８（ｄ）に示すように、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、姿勢変換部１３７の鉛直保持部１３７Ｃの複数対の保持溝のうちの対応基板Ｗ２（各保持部材７の溝ＳＬ５０に対応する基板Ｗ２）がない保持溝（部分）にそのダミー基板１００を搬送する。 Thereafter, the shutter 151 of the opener 115 removes the door DR of the dummy board carrier CD. Then, the substrate handling mechanism HTR uses the single wafer hand 127 to transfer the dummy substrate 100 to a portion of the row of 24 substrates W2 transferred to the attitude changing unit 137 where there is no corresponding substrate W2. I will explain in detail. The substrate handling mechanism HTR uses the single-wafer hand 127 to take out the dummy substrate 100 from the dummy substrate carrier CD placed on the mounting shelf 119 instead of the second carrier C. Thereafter, as shown in FIG. 18(d), the substrate handling mechanism HTR moves the corresponding substrate W2 (corresponding to the groove SL50 of each holding member 7 The dummy substrate 100 is transported to the holding groove (portion) where the substrate W2) is not present.

〔ステップＳ４７〕第２基板群の鉛直姿勢への姿勢変換
図１８（ｅ）を参照する。２５枚の基板Ｗ１（第１基板群）を鉛直姿勢で保持するプッシャ１３９Ａは、プッシャ機構１３９の昇降回転部１３９Ｂによって、姿勢変換部１３７の保持部１３７Ｂ，１３７Ｃの下方に下降されている。２４枚の基板Ｗ２とダミー基板１００が姿勢変換部１３７に搬送された後、姿勢変換部１３７は、２４枚の基板Ｗ２とダミー基板１００を水平姿勢から鉛直姿勢に変換する。 [Step S47] Attitude conversion of second board group to vertical attitude Refer to FIG. 18(e). The pusher 139A, which holds the 25 substrates W1 (first substrate group) in a vertical posture, is lowered below the holding sections 137B and 137C of the attitude changing section 137 by the lifting/lowering rotating section 139B of the pusher mechanism 139. After the 24 substrates W2 and the dummy substrates 100 are transported to the attitude conversion unit 137, the attitude conversion unit 137 converts the 24 substrates W2 and the dummy substrates 100 from the horizontal attitude to the vertical attitude.

図１８（ｆ）を参照する。その後、昇降回転部１３９Ｂは、プッシャ１３９Ａを上昇させることで、姿勢変換部１３７から鉛直姿勢の２４枚の基板Ｗ２（第２基板群）とダミー基板１００とを更に受け取る。これにより、第１基板群と第２基板群とダミー基板１００とが組み合わされて、ハーフピッチでかつフェース・ツー・フェース方式で整列された処理基板群（４９枚の基板Ｗ１，Ｗ２と１枚のダミー基板１００）が形成される。プッシャ機構１３９の水平移動部１３９Ｃは、移載ブロック５内に定められた基板受け渡し位置ＰＰに処理基板群を搬送する。 Refer to FIG. 18(f). Thereafter, the lifting/lowering rotation section 139B further receives the 24 substrates W2 (second substrate group) and the dummy substrate 100 in the vertical posture from the posture changing section 137 by lifting the pusher 139A. As a result, the first substrate group, the second substrate group, and the dummy substrate 100 are combined to form a processed substrate group (49 substrates W1, W2 and one A dummy substrate 100) is formed. The horizontal movement section 139C of the pusher mechanism 139 transports the group of processed substrates to a substrate delivery position PP defined in the transfer block 5.

ステップＳ４８，Ｓ４９は、実施例２のステップＳ２６，Ｓ２７と同様の処理が行われる。なお、ステップＳ４８のエッチング処理の際に、ダミー基板１００はカウントせずに、４９枚の基板Ｗに応じた燐酸を補充する。また、ステップＳ４９の洗浄処理および乾燥処理において、基板保持部５の各保持部材７は、５０個の溝ＳＬ１～ＳＬ５０で４９枚の基板Ｗとダミー基板１００を保持する。この際、先端基板ＷＴは、図１５に示すように、溝（スロット）ＳＬ４９で保持される。ダミー基板１００は、溝ＳＬ５０で保持される。ダミー基板１００により、パーティクルが基板Ｗ（先端基板ＷＴ）に付着することを防止することができる。 In steps S48 and S49, the same processing as steps S26 and S27 in the second embodiment is performed. Note that during the etching process in step S48, phosphoric acid is replenished according to the 49 substrates W without counting the dummy substrates 100. Furthermore, in the cleaning process and drying process in step S49, each holding member 7 of the substrate holding section 5 holds 49 substrates W and the dummy substrate 100 in the 50 grooves SL1 to SL50. At this time, the tip substrate WT is held in a groove (slot) SL49, as shown in FIG. 15. The dummy substrate 100 is held in the groove SL50. The dummy substrate 100 can prevent particles from adhering to the substrate W (tip substrate WT).

〔ステップＳ５０〕水平姿勢への姿勢変換
その後、搬送機構ＷＴＲは、２個の洗浄処理部ＢＴ２，ＢＴ４の２個の基板保持部５の一方から処理基板群を受け取り、その処理基板群を姿勢変換機構１１７に搬送する。プッシャ１３９Ａは、水平移動部１３９Ｃによって、基板受け渡し位置ＰＰに移動されている。プッシャ１３９Ａは、搬送機構ＷＴＲによって搬送された処理基板群の４９枚の基板Ｗ（Ｗ１，Ｗ２）とダミー基板１００とを鉛直姿勢で保持する。 [Step S50] Attitude conversion to horizontal attitude After that, the transport mechanism WTR receives a group of processed substrates from one of the two substrate holding units 5 of the two cleaning processing units BT2 and BT4, and converts the attitude of the group of processed substrates. It is transported to mechanism 117. The pusher 139A is moved to the substrate transfer position PP by the horizontal moving section 139C. The pusher 139A holds the 49 substrates W (W1, W2) of the processing substrate group transported by the transport mechanism WTR and the dummy substrate 100 in a vertical posture.

姿勢変換機構１１７は、例えば、図１８（ｆ）から図１８（ａ）に向かう順番で動作する。すなわち、姿勢変換機構１１７は、処理基板群から第２基板群の２４枚の基板Ｗ２と１枚のダミー基板１００とを抜き出し、これらを水平姿勢から鉛直姿勢に変換する。その後、姿勢変換機構１１７は、第１基板群の２５枚の基板Ｗ１を鉛直姿勢から水平姿勢に変換する。なお、姿勢変換機構１１７は、第２基板群よりも先に空のキャリアＣに第１基板群を戻すために、処理基板群から第１基板群の２５枚の基板Ｗ１を抜き出してもよい。 The posture changing mechanism 117 operates, for example, in the order from FIG. 18(f) to FIG. 18(a). That is, the attitude conversion mechanism 117 extracts the 24 substrates W2 of the second substrate group and one dummy substrate 100 from the processing substrate group, and converts them from a horizontal attitude to a vertical attitude. Thereafter, the attitude changing mechanism 117 converts the 25 substrates W1 of the first substrate group from the vertical attitude to the horizontal attitude. Note that the attitude changing mechanism 117 may extract the 25 substrates W1 of the first substrate group from the processed substrate group in order to return the first substrate group to the empty carrier C before the second substrate group.

〔ステップＳ５１〕キャリアへの基板搬送
キャリア搬送機構１１１は、第１キャリアＣ、第２キャリアＣおよびダミー基板用キャリアＣＤのいずれか１つを載置棚１１９に選択的に搬送する。基板ハンドリング機構ＨＴＲは、枚葉ハンド１２７を用いて、姿勢変換部１３７から載置棚１１９のダミー基板用キャリアＣＤにダミー基板１００を搬送する。また、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、バッチハンド１２５を用いて、姿勢変換部１３７から載置棚１１９の第２キャリアＣに第２基板群の２４枚の基板Ｗ２を搬送する。更に、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、バッチハンド１２５を用いて、姿勢変換部１３７から載置棚１１９の第１キャリアＣに第１基板群の２５枚の基板Ｗ１を搬送する。 [Step S51] Substrate Transport to Carrier The carrier transport mechanism 111 selectively transports any one of the first carrier C, the second carrier C, and the dummy substrate carrier CD to the mounting shelf 119. The substrate handling mechanism HTR uses the single-wafer hand 127 to transport the dummy substrate 100 from the attitude conversion unit 137 to the dummy substrate carrier CD on the mounting shelf 119. Further, the substrate handling mechanism HTR uses the batch hand 125 to transport the 24 substrates W2 of the second substrate group from the attitude changing section 137 to the second carrier C of the mounting shelf 119. Further, the substrate handling mechanism HTR uses the batch hand 125 to transport the 25 substrates W1 of the first substrate group from the attitude changing unit 137 to the first carrier C of the mounting shelf 119.

キャリア搬送機構１１１は、ダミー基板１００が収納されたダミー基板用キャリアＣＤを保管棚１１３に搬送する。また、キャリア搬送機構１１１は、処理済の基板Ｗ１が収納された第１キャリアＣと、処理済の基板Ｗ２が収納された第２キャリアＣとをロードポート１０９に各々搬送する。外部搬送機構は、ロードポート１０９に各々搬送された２個のキャリアＣを次の目的地に順番に搬送する。 The carrier transport mechanism 111 transports the dummy board carrier CD containing the dummy board 100 to the storage shelf 113. Further, the carrier transport mechanism 111 transports the first carrier C containing the processed substrate W1 and the second carrier C containing the processed substrate W2 to the load port 109, respectively. The external transport mechanism sequentially transports the two carriers C, each transported to the load port 109, to the next destination.

本実施例によれば、基板保持部５の各保持部材７の５０個の溝ＳＬ１～ＳＬ５０は、各保持部材７の先端部７Ａ側の最も端に位置する溝ＳＬ５０（先端保持溝）を有する。基板検出センサ部１５３が溝ＳＬ５０に対応する対応基板Ｗ２が第２キャリアＣに無いことを検出したときは、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、姿勢変換機構１１７に搬送された第２基板群の列の対応基板Ｗがない部分にダミー基板１００を搬送する。これにより、先端基板ＷＴと、各保持部材７の先端部７Ａ側が対向するチャンバ３の側壁３Ａとの間にダミー基板１００を自動的に配置することができる。また、基板処理装置１Ａは、ダミー基板用キャリアＣＤを備え、ダミー基板用キャリアＣＤは、遮蔽用のダミー基板１００を収納する。ダミー基板１００は、処理槽２で一括して処理される複数の基板Ｗに選択的に加えられる。そして、処理槽２で処理された後、ダミー基板１００は、４９枚の基板Ｗとは別に、ダミー基板用キャリアＣＤに戻される。そのため、処理槽２を囲うチャンバ３内に遮蔽板７１を常設することなく、パーティクルが先端基板ＷＴに付着することを防止することができる。 According to this embodiment, the 50 grooves SL1 to SL50 of each holding member 7 of the substrate holding part 5 include the groove SL50 (tip holding groove) located at the end of the tip 7A side of each holding member 7. . When the substrate detection sensor unit 153 detects that there is no corresponding substrate W2 corresponding to the groove SL50 in the second carrier C, the substrate handling mechanism HTR changes the correspondence between the rows of the second substrate group conveyed to the attitude changing mechanism 117. The dummy substrate 100 is transported to a portion where the substrate W is not present. Thereby, the dummy substrate 100 can be automatically arranged between the tip substrate WT and the side wall 3A of the chamber 3, which the tip portion 7A side of each holding member 7 faces. Further, the substrate processing apparatus 1A includes a dummy substrate carrier CD, and the dummy substrate carrier CD stores a dummy substrate 100 for shielding. The dummy substrate 100 is selectively added to a plurality of substrates W that are collectively processed in the processing tank 2 . After being processed in the processing tank 2, the dummy substrate 100 is returned to the dummy substrate carrier CD separately from the 49 substrates W. Therefore, it is possible to prevent particles from adhering to the tip substrate WT without permanently installing the shielding plate 71 in the chamber 3 surrounding the processing tank 2.

なお、本実施例において、基板検出センサ部１５３が溝ＳＬ５０に対応する基板Ｗ２が第２キャリアＣに無いことを検出しなかった場合、例えば、１組の５０枚の基板Ｗ１，Ｗ２には、ダミー基板１００が挿入されない。これは、図２（ａ）に示すように、デバイス面が保持部材７の先端部７Ａ側に向く例えば溝ＳＬ４９のデバイス面が溝ＳＬ５０で保持される基板Ｗ１で保護されるためである。また、溝ＳＬ５０で保持される基板Ｗ１のデバイス面が溝ＳＬ４９で保持される基板Ｗ２を向くので、溝ＳＬ５０で保持される基板Ｗ１のデバイス面にパーティクルが付着することを防止する。この場合、溝ＳＬ５０で保持される基板Ｗ１の裏面には、パーティクルが付着するが、本実施例では、このパーティクルの付着は許容されている。 In this embodiment, if the substrate detection sensor unit 153 does not detect that the substrate W2 corresponding to the groove SL50 is not present in the second carrier C, for example, one set of 50 substrates W1 and W2 has Dummy board 100 is not inserted. This is because, as shown in FIG. 2A, the device surface of the groove SL49, for example, where the device surface faces toward the tip 7A of the holding member 7, is protected by the substrate W1 held by the groove SL50. Furthermore, since the device surface of the substrate W1 held in the groove SL50 faces the substrate W2 held in the groove SL49, particles are prevented from adhering to the device surface of the substrate W1 held in the groove SL50. In this case, particles adhere to the back surface of the substrate W1 held by the groove SL50, but in this embodiment, this particle adhesion is allowed.

なお、図１８（ａ）～図１８（ｆ）の処理基板群の作成手法では、第２キャリアＣに収納される第２基板群の１枚の基板Ｗ２が溝ＳＬ５０に対応する対応基板Ｗ２に該当した。この点、例えば、図１８（ｆ）の状態で、鉛直姿勢の基板Ｗ（Ｗ１，Ｗ２）が鉛直軸ＡＸ３周りに１８０度回転される場合、第１基板群の基板Ｗ１が溝ＳＬ５０に対応する対応基板Ｗ１に該当する。 In addition, in the method of creating the processed substrate group shown in FIGS. 18(a) to 18(f), one substrate W2 of the second substrate group stored in the second carrier C is placed in the corresponding substrate W2 corresponding to the groove SL50. Applicable. In this regard, for example, when the substrates W (W1, W2) in the vertical posture are rotated 180 degrees around the vertical axis AX3 in the state shown in FIG. 18(f), the substrate W1 of the first substrate group corresponds to the groove SL50. This corresponds to the compatible board W1.

次に、図面を参照して本発明の実施例４を説明する。なお、実施例１～３と重複する説明は省略する。 Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that explanations that overlap with Examples 1 to 3 will be omitted.

図１９は、リフタ４の基板保持部５を示す左側面図である。図２０（ａ）～図２０（ｆ）は、実施例４に係る姿勢変換機構１１７のダミー基板１００の挿入を含む動作を説明するための側面図である。 FIG. 19 is a left side view showing the substrate holding section 5 of the lifter 4. As shown in FIG. 20(a) to 20(f) are side views for explaining operations including insertion of the dummy board 100 of the attitude changing mechanism 117 according to the fourth embodiment.

実施例３では、基板検出センサ部１５３が溝ＳＬ５０に対応する対応基板Ｗ（Ｗ２）が第２キャリアＣに無いことを検出した場合に、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、姿勢変換部１３７に搬送された第２基板群の列の対応基板Ｗ２（溝ＳＬ５０に対応する）がない部分に１枚のダミー基板１００を搬送した。溝ＳＬ４８，ＳＬ４９に対応する基板Ｗが無い場合も同様で有る。この点、実施例３では、図１９に示すように、基板検出センサ部１５３が溝ＳＬ５０だけでなく例えば２個の溝ＳＬ４８～ＳＬ４９に対応する基板Ｗ（対応基板Ｗ）が無いことを検出した場合に、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、１枚のダミー基板１００を搬送する。 In the third embodiment, when the substrate detection sensor section 153 detects that the corresponding substrate W (W2) corresponding to the groove SL50 is not present in the second carrier C, the substrate handling mechanism HTR transfers the substrate to the attitude changing section 137. One dummy substrate 100 was transferred to a portion of the row of the second substrate group where there was no corresponding substrate W2 (corresponding to the groove SL50). The same applies when there is no substrate W corresponding to the grooves SL48 and SL49. In this regard, in Example 3, as shown in FIG. 19, the substrate detection sensor unit 153 detects that there is no substrate W (corresponding substrate W) corresponding not only to the groove SL50 but also to, for example, two grooves SL48 to SL49. In this case, the substrate handling mechanism HTR transports one dummy substrate 100.

図１９を参照する。例えば、リフタ４の基板保持部５は、４７個の溝ＳＬ１～ＳＬ４７で４７枚の基板Ｗを保持している。すなわち、基板保持部５の３個の溝ＳＬ４８～ＳＬ５０は各々、基板Ｗを保持していない。この場合、基板処理装置１Ａは、２個の溝ＳＬ４８，ＳＬ５０のいずれかにダミー基板１００を配置するように動作する。 See FIG. 19. For example, the substrate holding section 5 of the lifter 4 holds 47 substrates W in 47 grooves SL1 to SL47. That is, each of the three grooves SL48 to SL50 of the substrate holding section 5 does not hold the substrate W. In this case, the substrate processing apparatus 1A operates to place the dummy substrate 100 in either of the two grooves SL48 and SL50.

図１６（ａ）に示される基板検出センサ部１５３は、溝ＳＬ５０に対応する対応基板がキャリアＣ内に無いこと（第１の基板無し状態）を検出することが可能である。更に、基板検出センサ部１５３は、５０個の溝ＳＬ１～ＳＬ５０のうちの先端基板ＷＴを保持する溝（先端保持溝）と溝ＳＬ５０との間の１個以上の溝に対応する第２対応基板Ｗが第１キャリアＣおよび第２キャリアの少なくとも一方に無いこと（第２の基板無し状態）を検出することが可能である。例えば、図１９において、溝ＳＬ５０に対応する対応基板Ｗがないこと、および、先端基板ＷＴを保持する溝ＳＬ４７と溝ＳＬ５０との間の２個の溝ＳＬ４８，ＳＬ４９に対応する第２対応基板Ｗが無いことが、基板検出センサ部１５３によって検出される。基板ハンドリング機構ＨＴＲは、枚葉ハンド１２７を用いて、第２基板群の複数の基板Ｗ２の列の溝ＳＬ４８，ＳＬ５０のいずれかに対応する部分に１枚のダミー基板１００を搬送する。 The substrate detection sensor section 153 shown in FIG. 16(a) can detect that there is no corresponding substrate corresponding to the groove SL50 in the carrier C (first substrate absent state). Further, the substrate detection sensor section 153 detects a second corresponding substrate corresponding to one or more grooves between the groove SL50 and the groove (tip holding groove) that holds the tip substrate WT among the 50 grooves SL1 to SL50. It is possible to detect that W is not present in at least one of the first carrier C and the second carrier (second substrate absent state). For example, in FIG. 19, there is no corresponding substrate W corresponding to the groove SL50, and there is a second corresponding substrate W corresponding to the two grooves SL48 and SL49 between the groove SL47 holding the tip substrate WT and the groove SL50. The substrate detection sensor section 153 detects that there is no. The substrate handling mechanism HTR uses the single wafer hand 127 to transport one dummy substrate 100 to a portion corresponding to one of the grooves SL48 and SL50 in the row of the plurality of substrates W2 of the second substrate group.

次に、図１７のフローチャートを参照しながら、本実施例の基板処理装置１Ａの動作について説明する。 Next, the operation of the substrate processing apparatus 1A of this embodiment will be described with reference to the flowchart in FIG. 17.

キャリア搬送機構１１１は、第１キャリアＣを載置棚１１９に搬送する。基板検出センサ部１５３は、載置棚１１９に載置された第１キャリアＣに対して上下方向に移動しながら、第１キャリアＣに収納される基板Ｗ１の有無を検出する。これにより、基板検出センサ部１５３は、各保持部材７の溝ＳＬ４９に対応する対応基板Ｗ１が無いことを検出する（ステップＳ４１）。 The carrier transport mechanism 111 transports the first carrier C to the mounting shelf 119. The substrate detection sensor unit 153 detects the presence or absence of a substrate W1 stored in the first carrier C while moving vertically with respect to the first carrier C placed on the mounting shelf 119. Thereby, the substrate detection sensor section 153 detects that there is no corresponding substrate W1 corresponding to the groove SL49 of each holding member 7 (step S41).

その後、図２０（ａ）に示すように、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、バッチハンド１２５を用いて、載置棚１１９に載置された第１キャリアＣから姿勢変換部１３７に第１基板群の２４枚の基板Ｗ１を搬送する（ステップＳ４２）。その後、姿勢変換部１３７は、搬送された２４枚の基板Ｗ１を水平姿勢から鉛直姿勢に変換する。図２０（ｂ）に示すように、プッシャ機構１３９は、鉛直姿勢に変換された２４枚の基板Ｗ１をプッシャ１３９Ａで受け取る。図２０（ｃ）に示すように、プッシャ機構１３９は、プッシャ１３９Ａで保持される鉛直姿勢の２４枚の基板Ｗ１を鉛直軸ＡＸ３周りに回転させる（ステップＳ４３）。 Thereafter, as shown in FIG. 20(a), the substrate handling mechanism HTR uses the batch hand 125 to move 24 of the first substrate group from the first carrier C placed on the mounting shelf 119 to the attitude changing unit 137. The substrate W1 is transported (step S42). Thereafter, the attitude converting unit 137 converts the transported 24 substrates W1 from the horizontal attitude to the vertical attitude. As shown in FIG. 20(b), the pusher mechanism 139 receives the 24 substrates W1 that have been converted into a vertical posture using a pusher 139A. As shown in FIG. 20(c), the pusher mechanism 139 rotates the 24 substrates W1 in the vertical posture held by the pusher 139A around the vertical axis AX3 (step S43).

その後、キャリア搬送機構１１１は、第１キャリアＣに代えて第２キャリアＣを載置棚１１９に搬送する。基板検出センサ部１５３は、載置棚１１９に載置された第２キャリアＣに対して上下方向に移動しながら、第２キャリアＣに収納される基板Ｗ２の有無を検出する。これにより、基板検出センサ部１５３は、各保持部材７の溝ＳＬ４８，５０に対応する対応基板Ｗが無いことを検出する（ステップＳ４４）。 Thereafter, the carrier transport mechanism 111 transports the second carrier C instead of the first carrier C to the mounting shelf 119. The substrate detection sensor section 153 detects the presence or absence of the substrate W2 stored in the second carrier C while moving vertically with respect to the second carrier C placed on the mounting shelf 119. Thereby, the substrate detection sensor unit 153 detects that there is no corresponding substrate W corresponding to the grooves SL48, 50 of each holding member 7 (step S44).

その後、図２０（ｃ）に示すように、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、バッチハンド１２５を用いて、載置棚１１９に載置された第１キャリアＣから姿勢変換部１３７に第１基板群の２３枚の基板Ｗ２を搬送する（ステップＳ４５）。ここで、ステップＳ４４により、溝ＳＬ５０に対応する対応基板Ｗがないこと（第１の基板無し状態）、および、先端基板ＷＴを保持する溝ＳＬ４７と溝ＳＬ５０との間の２個の溝ＳＬ４８，ＳＬ４９に対応する第２対応基板が無いこと（第２の基板無し状態）が、基板検出センサ部１５３によって検出された。 Thereafter, as shown in FIG. 20(c), the substrate handling mechanism HTR uses the batch hand 125 to move the first substrate group from the first carrier C placed on the mounting shelf 119 to the posture changing unit 137. The substrate W2 is transported (step S45). Here, in step S44, it is determined that there is no corresponding substrate W corresponding to the groove SL50 (first substrate absent state), and that two grooves SL48, The substrate detection sensor section 153 has detected that there is no second corresponding substrate corresponding to SL49 (second substrate absent state).

この場合、図２０（ｄ）に示すように、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、枚葉ハンド１２７を用いて、対応基板Ｗが無い３個の溝ＳＬ４８～ＳＬ５０のうちの先端基板ＷＴに最も近い偶数番号である例えば溝ＳＬ４８に対応する対応基板Ｗ２が無い部分にダミー基板１００を搬送する（ステップＳ４６）。また、溝ＳＬ５０に対応する基板Ｗがない部分にダミー基板１００が搬送されてもよい。また、例えば、連続する５個の溝ＳＬ４６～ＳＬ５０に対応する対応基板Ｗが無い場合、溝ＳＬ４６，ＬＳ４８，ＬＳ５０に対応する対応基板Ｗ２がない部分のいずれかにダミー基板１００が搬送されてもよい。 In this case, as shown in FIG. 20(d), the substrate handling mechanism HTR uses the single-wafer hand 127 to select the even-numbered grooves closest to the tip substrate WT among the three grooves SL48 to SL50 that do not have a corresponding substrate W. For example, the dummy substrate 100 is transported to a portion where there is no corresponding substrate W2 corresponding to the groove SL48 (step S46). Furthermore, the dummy substrate 100 may be transported to a portion where there is no substrate W corresponding to the groove SL50. Further, for example, if there is no corresponding substrate W corresponding to the five consecutive grooves SL46 to SL50, even if the dummy substrate 100 is transported to any of the parts where there is no corresponding substrate W2 corresponding to the grooves SL46, LS48, and LS50. good.

その後、図２０（ｅ）に示すように、姿勢変換部１３７は、搬送された２３枚の基板Ｗ２および１枚のダミー基板１００を水平姿勢から鉛直姿勢に変換する。図２０（ｆ）に示すように、プッシャ機構１３９は、鉛直姿勢に変換された２３枚の基板Ｗ２および１枚のダミー基板１００をプッシャ１３９Ａで受け取る（ステップＳ４７）。 Thereafter, as shown in FIG. 20(e), the attitude converting unit 137 converts the transported 23 substrates W2 and one dummy substrate 100 from the horizontal attitude to the vertical attitude. As shown in FIG. 20(f), the pusher mechanism 139 receives the 23 substrates W2 and one dummy substrate 100, which have been converted into a vertical posture, using the pusher 139A (step S47).

これにより、第１基板群と第２基板群とダミー基板１００とが組み合わされて、ハーフピッチでかつフェース・ツー・フェース方式で整列された処理基板群（４７枚の基板Ｗ１，Ｗ２と１枚のダミー基板１００）が形成される。この後の説明は、実施例３と同じなので省略する。 As a result, the first substrate group, the second substrate group, and the dummy substrate 100 are combined to form a processed substrate group (47 substrates W1, W2 and one A dummy substrate 100) is formed. The explanation after this is the same as in the third embodiment, so it will be omitted.

本実施例によれば、基板検出センサ部１５３は、溝ＳＬ５０（先端保持溝）に対応する対応基板が第２キャリアＣに無いこと（第１の基板無し状態）を検出することが可能である。基板検出センサ部１５３は、５０個の溝ＳＬ１～ＳＬ５０のうちの先端基板ＷＴを保持する例えば溝ＳＬ４７と溝ＳＬ５０との間の例えば２個の溝ＳＬ４８，ＳＬ４９（１個以上の溝）に対応する２枚の第２対応基板（１枚以上の第２対応基板）が第１キャリアＣおよび第２キャリアＣ内に無いこと（第２の基板無し状態）を検出することが可能である。基板検出センサ部１５３が第１の基板無し状態および第２の基板無し状態を検出したときは、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、姿勢変換機構１１７に搬送された第２基板群の列における第１対応基板および第２対応基板のいずれかが無い部分にダミー基板を搬送する。 According to this embodiment, the substrate detection sensor section 153 can detect that there is no corresponding substrate corresponding to the groove SL50 (tip holding groove) in the second carrier C (first substrate absent state). . The substrate detection sensor section 153 corresponds to, for example, two grooves SL48 and SL49 (one or more grooves) between groove SL47 and groove SL50 that hold the tip substrate WT among the 50 grooves SL1 to SL50. It is possible to detect that two second compatible substrates (one or more second compatible substrates) are not present in the first carrier C and the second carrier C (second substrate absent state). When the substrate detection sensor unit 153 detects the first substrate absent state and the second substrate absent state, the substrate handling mechanism HTR handles the first corresponding substrate in the row of the second substrate group conveyed to the attitude changing mechanism 117. Then, the dummy substrate is transported to a portion where one of the second corresponding substrates is absent.

ダミー基板１００は例えば溝ＳＬ４８，５０のいずれかに挿入されることができる。ダミー基板１００が溝ＳＬ５０に保持されるとき、ダミー基板１００は、保持部材７の先端部７Ａ側で滞留した雰囲気の近くで、その雰囲気を遮蔽することができる。また、基板Ｗ１，Ｗ２の枚数に関わらず同じ位置でパーティクルの付着を防止することができる。また、先端基板ＷＴの近くにダミー基板１００が配置されると、先端基板ＷＴの近くからパーティクルを防止できる。 The dummy substrate 100 can be inserted into either of the grooves SL48 and SL50, for example. When the dummy substrate 100 is held in the groove SL50, the dummy substrate 100 is close to the atmosphere stagnant on the tip 7A side of the holding member 7 and can shield the atmosphere. Furthermore, particles can be prevented from adhering to the same position regardless of the number of substrates W1 and W2. Furthermore, when the dummy substrate 100 is placed near the tip substrate WT, particles can be prevented from coming from near the tip substrate WT.

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiments, and can be modified as described below.

（１）上述した実施例では、基板保持部５の保持部材７は、複数の基板Ｗとして、例えば５０枚の基板Ｗを保持できるように構成された。この点、例えば２５枚の基板Ｗを保持できるように構成されていてもよい。この場合、保持部材７は、１０ｍｍ間隔で２５個の溝を設けてもよい。 (1) In the embodiment described above, the holding member 7 of the substrate holding section 5 was configured to be able to hold a plurality of substrates W, for example, 50 substrates W. In this respect, it may be configured to be able to hold, for example, 25 substrates W. In this case, the holding member 7 may be provided with 25 grooves at intervals of 10 mm.

（２）上述した実施例および変形例（１）では、保持部材７は４９枚（奇数枚）の基板Ｗを保持した。これにより、先端基板ＷＴのデバイス面へのパーティクルの付着を防止した。この点、保持部材７は５０枚（偶数枚）の基板Ｗを保持してもよい。これにより、先端基板ＷＴの「裏面」へのパーティクルの付着を防止することができる。 (2) In the above-described embodiment and modification (1), the holding member 7 held 49 (odd number) substrates W. This prevented particles from adhering to the device surface of the tip substrate WT. In this regard, the holding member 7 may hold 50 (even number) substrates W. Thereby, it is possible to prevent particles from adhering to the "back surface" of the tip substrate WT.

（３）上述した実施例および各変形例では、保持部材７は４９枚の基板Ｗを保持した。奇数のスロットの基板Ｗのデバイス面を保持部材７の基端部７Ｂから先端部７Ａに向かう方向（－Ｙ方向）に向けた。また、偶数のスロットの基板Ｗのデバイス面を基端部７Ｂに向かう方向（＋Ｙ方向）に向けた。すなわち、隣接する２枚の基板Ｗの２つのデバイス面または２つの裏面を対向させた。この点、４９枚の基板Ｗの全てを先端部７Ａに向かう方向（－Ｙ方向）に向けてもよい。また、４９枚の基板Ｗの全てを基端部７Ｂに向かう方向（＋Ｙ方向）に向けてもよい。すなわち、隣接する２枚の基板Ｗのデバイス面と裏面が対向する。 (3) In the embodiment and each modification described above, the holding member 7 held 49 substrates W. The device surfaces of the substrates W in odd-numbered slots were oriented in the direction from the base end 7B to the distal end 7A of the holding member 7 (-Y direction). Further, the device surfaces of the substrates W in even-numbered slots were oriented in the direction toward the base end portion 7B (+Y direction). That is, two device surfaces or two back surfaces of two adjacent substrates W were made to face each other. In this regard, all of the 49 substrates W may be directed in the direction (-Y direction) toward the tip portion 7A. Alternatively, all of the 49 substrates W may be directed toward the base end portion 7B (+Y direction). That is, the device surfaces and back surfaces of two adjacent substrates W face each other.

（４）上述した実施例および各変形例の遮蔽板７１は、次のように構成されていてもよい。すなわち、図２１（ａ）に示すように、遮蔽板９５は、本体９５Ａと、円柱部９５Ｂとを備えてもよい。円柱部９５Ｂは、基板保持部５側に配置され、先端基板ＷＴと対向する。円柱部９５Ｂの直径は、各基板Ｗの直径と略同じである。これにより、図２１（ｂ）に示すように、乾燥位置Ｈ１に位置する複数の基板Ｗを搬送ロボットが搬送する時に、搬送ロボットの２本のアーム９６が遮蔽板９５と干渉しないことを更に実現できる。図２１（ｂ）は、図２１（ａ）の矢印ＡＲ１の方向に見た図である。 (4) The shielding plate 71 of the above-described embodiment and each modification may be configured as follows. That is, as shown in FIG. 21(a), the shielding plate 95 may include a main body 95A and a cylindrical portion 95B. The columnar part 95B is arranged on the substrate holding part 5 side and faces the tip substrate WT. The diameter of the cylindrical portion 95B is approximately the same as the diameter of each substrate W. This further ensures that the two arms 96 of the transfer robot do not interfere with the shielding plate 95 when the transfer robot transfers a plurality of substrates W located at the drying position H1, as shown in FIG. 21(b). can. FIG. 21(b) is a view seen in the direction of arrow AR1 in FIG. 21(a).

（５）上述した実施例および各変形例では、液排出口７６は、複数の吐出口７５と同じ方向を向いていた。この点、図２２に示すように、液排出口７６は、複数の吐出口７５と異なる方向（例えば下方向）を向いていてもよい。これにより、結露した溶剤の液体をパーティクル付着の問題などの基板Ｗに影響がない方向に向けることができる。また、撥水剤蒸気ノズル３３の第２液排出口８６も、複数の第２吐出口８５と異なる方向を向いていてもよい。 (5) In the embodiment and each modification described above, the liquid discharge port 76 faced the same direction as the plurality of discharge ports 75. In this regard, as shown in FIG. 22, the liquid discharge port 76 may face in a different direction (for example, downward) than the plurality of discharge ports 75. This allows the condensed solvent liquid to be directed in a direction that does not affect the substrate W, such as the problem of particle adhesion. Further, the second liquid discharge port 86 of the water repellent vapor nozzle 33 may also face in a different direction from the plurality of second discharge ports 85.

（６）上述した実施例および各変形例では、排気口４７は、図３に示すように、チャンバ３の側壁３Ａに設けられた。この点、図７に示す領域９１で流速が遅くなり、それにより、雰囲気が滞留しやすくなっていれば、排気口４７は、保持部材７の先端部７Ａ側と対向する側壁３Ａに設けられなくてもよい。 (6) In the embodiment and each modification described above, the exhaust port 47 was provided in the side wall 3A of the chamber 3, as shown in FIG. In this regard, if the flow velocity is slow in the region 91 shown in FIG. 7 and the atmosphere is likely to stagnate, the exhaust port 47 will not be provided on the side wall 3A facing the tip 7A side of the holding member 7. It's okay.

（７）上述した各実施例および各変形例では、図２（ａ）の矢印ＡＲ１に示すように、背板９側から複数の基板Ｗを見たときに、背板９は、各基板Ｗの一部を覆うように形成されていた。この点、背板９は、各基板Ｗの全体を覆うように形成されてもよい。 (7) In each of the embodiments and modifications described above, when viewing the plurality of substrates W from the back plate 9 side, as shown by the arrow AR1 in FIG. It was formed to cover part of the In this regard, the back plate 9 may be formed to cover the entirety of each substrate W.

（８）上述した各実施例および各変形例では、遮蔽板７１の上端７２は、チャンバの天井面３Ｅに到達するように配置された。この点、遮蔽板７１の上端は、先端基板ＷＴの上端よりも高い位置に配置されてもよい。ノズル３１，３２，３３の液排出口７６，８６から吐出されたミスト状の溶剤が、先端基板ＷＴの上端よりも高い遮蔽板７１を乗り越えて複数の基板Ｗに向かうことを防止できる。 (8) In each of the embodiments and modifications described above, the upper end 72 of the shielding plate 71 was arranged so as to reach the ceiling surface 3E of the chamber. In this regard, the upper end of the shielding plate 71 may be arranged at a higher position than the upper end of the tip substrate WT. The mist-like solvent discharged from the liquid discharge ports 76, 86 of the nozzles 31, 32, 33 can be prevented from going over the shielding plate 71 which is higher than the upper end of the tip substrate WT and toward the plurality of substrates W.

（９）上述した各実施例および各変形例では、遮蔽板７１の上端７２は、チャンバの天井面３Ｅに到達するように配置された。この点、遮蔽板７１の上端７２は、不活性ガスノズル２７の上端よりも高い位置に配置されてもよい。ノズル３１，３２，３３の液排出口７６，８６から吐出されたミスト状の溶剤が、不活性ガスノズル２７の上端よりも高い遮蔽板７１を乗り越えて複数の基板Ｗに向かうことを防止できる。 (9) In each of the embodiments and modifications described above, the upper end 72 of the shielding plate 71 is arranged so as to reach the ceiling surface 3E of the chamber. In this regard, the upper end 72 of the shielding plate 71 may be arranged at a higher position than the upper end of the inert gas nozzle 27. The mist-like solvent discharged from the liquid discharge ports 76, 86 of the nozzles 31, 32, 33 can be prevented from climbing over the shielding plate 71, which is higher than the upper end of the inert gas nozzle 27, and heading toward the plurality of substrates W.

（１０）上述した各実施例および各変形例では、基板処理装置１は、４本の溶剤蒸気ノズル３１，３２を備えた。この点、基板処理装置１は、１本または複数本の溶剤蒸気ノズル３１を備えていてもよい。噴出管１３、不活性ガスノズル２７、および撥水剤蒸気ノズル３３も同様である。 (10) In each of the embodiments and modifications described above, the substrate processing apparatus 1 includes four solvent vapor nozzles 31 and 32. In this regard, the substrate processing apparatus 1 may include one or more solvent vapor nozzles 31. The same applies to the ejection pipe 13, the inert gas nozzle 27, and the water repellent vapor nozzle 33.

（１１）上述した各実施例および各変形例では、ダミー基板１００は、ダミー基板用キャリアＣＤに収納されると共に、ダミー基板用キャリアＣＤは、ストッカーブロック１０３の保管棚１１３に保管されていた。この点、図１０の二点鎖線で示すように、基板処理装置１Ａは、基板ハンドリング機構ＨＴＲがアクセス可能な位置に基板バッファ部（キャリアを含む）１６０を備えてもよい。この場合、基板バッファ部１６０は、鉛直方向Ｚに配置された複数の基板載置棚を備えている。複数の基板載置棚は各々、１枚のダミー基板１００を載置できるように構成される。これにより、ダミー基板１００が必要な場合に、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、ダミー基板１００を直ぐに搬送することができる。 (11) In each of the embodiments and modifications described above, the dummy substrate 100 was stored in the dummy substrate carrier CD, and the dummy substrate carrier CD was stored in the storage shelf 113 of the stocker block 103. In this regard, as shown by the two-dot chain line in FIG. 10, the substrate processing apparatus 1A may include a substrate buffer section (including a carrier) 160 at a position accessible to the substrate handling mechanism HTR. In this case, the substrate buffer section 160 includes a plurality of substrate mounting shelves arranged in the vertical direction Z. Each of the plurality of substrate mounting shelves is configured to be able to place one dummy substrate 100 thereon. Thereby, when the dummy substrate 100 is required, the substrate handling mechanism HTR can immediately transport the dummy substrate 100.

（１２）上述した各実施例および各変形例では、１枚のダミー基板１００が挿入された。この点、２枚以上のダミー基板１００が挿入されてもよい。図２３に示すように、例えば、基板保持部５の保持部材７は、４７枚の基板Ｗおよび３枚のダミー基板１００を５０個の溝ＳＬ１～ＳＬ５０で保持してもよい。基板保持部５の保持部材７が２枚以上の基板Ｗを保持していない場合に、保持部材７は、１枚のダミー基板１００を保持するのではなく、複数のダミー基板１００を保持するので、１枚のダミー基板１００に比べて整流機能を向上させることができる。 (12) In each of the embodiments and modifications described above, one dummy board 100 was inserted. In this regard, two or more dummy substrates 100 may be inserted. As shown in FIG. 23, for example, the holding member 7 of the substrate holding section 5 may hold 47 substrates W and three dummy substrates 100 with 50 grooves SL1 to SL50. When the holding member 7 of the substrate holding part 5 does not hold two or more substrates W, the holding member 7 does not hold one dummy substrate 100 but holds a plurality of dummy substrates 100. , the rectification function can be improved compared to a single dummy substrate 100.

（１３）上述した各実施例および各変形例では、洗浄処理部ＢＴ２，ＢＴ４は各々、ハーフピッチでかつフェース・ツー・フェース方式で配置された複数の基板Ｗおよび１枚のダミー基板１００を一括して処理した。この点、洗浄処理部ＢＴ２，ＢＴ４は各々、ハーフピッチでかつフェース・ツー・バック方式で配置された複数の基板Ｗおよび１枚のダミー基板１００を一括して処理してもよい。フェース・ツー・バック方式は、全ての基板Ｗが同じ方向を向いて配置される方式である。 (13) In each of the embodiments and modifications described above, each of the cleaning processing units BT2 and BT4 collectively processes a plurality of substrates W arranged in a half-pitch and face-to-face manner and one dummy substrate 100. and processed it. In this regard, each of the cleaning processing units BT2 and BT4 may collectively process a plurality of substrates W and one dummy substrate 100 arranged in a half-pitch and face-to-back manner. The face-to-back method is a method in which all substrates W are arranged facing the same direction.

また、洗浄処理部ＢＴ２，ＢＴ４は各々、フルピッチでかつフェース・ツー・バック方式で配置された１個のキャリア分の２５枚の基板Ｗを一括して処理してもよい。フェース・ツー・バック方式の場合、基板Ｗの向きは、先端部７Ａ側を向いていてもよいし、基端部７Ｂ側を向いていてもよい。 Further, each of the cleaning processing units BT2 and BT4 may collectively process 25 substrates W corresponding to one carrier arranged in a full-pitch and face-to-back manner. In the case of the face-to-back method, the substrate W may face toward the tip end 7A or toward the base end 7B.

（１４）上述した各実施例および各変形例において、遮蔽用のダミー基板１００以外の複数（例えば５０枚または４９枚）の基板Ｗは、基板処理の状態をチェックするためのチェック用のダミー基板を含んでいてもよい。チェック用のダミー基板は、第１キャリアＣまたは第２キャリアＣに収納されている。また、チェック用のダミー基板は、ダミー基板用キャリアＣＤに戻されない。 (14) In each of the embodiments and modifications described above, a plurality of (for example, 50 or 49) substrates W other than the shielding dummy substrate 100 are check dummy substrates for checking the state of substrate processing. May contain. A dummy board for checking is housed in the first carrier C or the second carrier C. Further, the dummy board for checking is not returned to the dummy board carrier CD.

１，１Ａ … 基板処理装置
２ … 処理槽
３ … チャンバ
５ … 基板保持部
７ … 保持部材
７Ａ … 先端部
７Ｂ … 基端部
９ … 背板
３１，３２ … 溶剤蒸気ノズル
３３ … 撥水剤蒸気ノズル
４７ … 排気口
５１ … 排気ポンプ
６１ … 制御部
７１，９５ … 遮蔽板
７２ … 上端
７３ … 管部
ＡＸ … 管軸
７５ … 吐出口
７６ … 液排出口
７８ … 領域
８３ … 第２管部
８５ … 第２吐出口
８６ … 第２液排出口
ＷＴ … 先端基板
ＲＴ … 移動経路
ＡＲ２ … デバイス面の向き
Ｈ１ … 乾燥位置
Ｈ２ … 処理位置
１００ … ダミー基板
ＨＴＲ … 基板ハンドリング機構
１１７ … 姿勢変換機構
１１９ … 載置棚
１３７ … 姿勢変換部
１３９ … プッシャ機構
１５３ … 基板検出センサ部
ＷＴＲ … 搬送機構
Ｃ … キャリア
ＳＬ１～ＳＬ５１ … 溝
1, 1A... Substrate processing apparatus 2... Processing tank 3... Chamber 5... Substrate holding part 7... Holding member 7A... Tip part 7B... Base end part 9... Back plate 31, 32... Solvent vapor nozzle 33... Water repellent vapor nozzle 47... Exhaust port 51... Exhaust pump 61... Control section 71, 95... Shield plate 72... Upper end 73... Pipe section AX... Pipe axis 75... Discharge port 76... Liquid discharge port 78... Area 83... Second pipe section 85... No. 2 discharge port 86...Second liquid discharge port WT...Tip substrate RT...Movement path AR2...Orientation of device surface H1...Drying position H2...Processing position 100...Dummy substrate HTR...Substrate handling mechanism 117...Position changing mechanism 119...Placement Shelf 137... Posture change unit 139... Pusher mechanism 153... Board detection sensor unit WTR... Transport mechanism C... Carrier SL1 to SL51... Groove

Claims

処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽を囲うチャンバと、
前記チャンバ内に設けられると共に前記処理槽よりも高い位置に配置された溶剤蒸気ノズルであって、前記チャンバ内に溶剤蒸気を供給する前記溶剤蒸気ノズルと、
前記処理槽の上面よりも低い位置に配置された排気口から前記チャンバ内を排気する排気ポンプと、
所定間隔を空けて鉛直姿勢で対向するように一列に整列配置された複数の基板を保持する保持部材および、前記保持部材の基端部を支持する背板を有する基板保持部であって、前記チャンバ内でかつ前記処理槽内の位置と前記処理槽の上方の位置とに亘って移動可能な前記基板保持部と、
前記基板保持部が前記処理槽の上方の位置にある状態で、前記複数の基板のうちの前記背板から最も離れた先端基板と、前記保持部材の先端部側が対向する前記チャンバの側壁との間に設けられた遮蔽板と、を備えることを特徴とする基板処理装置。 A processing tank that stores processing liquid;
a chamber surrounding the processing tank;
a solvent vapor nozzle provided in the chamber and located at a higher position than the processing tank, the solvent vapor nozzle supplying solvent vapor into the chamber;
an exhaust pump that exhausts the inside of the chamber from an exhaust port located at a position lower than the top surface of the processing tank;
A substrate holder having a holding member for holding a plurality of substrates arranged in a line so as to face each other vertically at a predetermined interval, and a back plate for supporting a proximal end portion of the holding member, the substrate holding portion comprising: the substrate holder movable within the chamber and between a position within the processing tank and a position above the processing tank;
With the substrate holder located above the processing tank, the tip substrate of the plurality of substrates that is farthest from the back plate and the side wall of the chamber that faces the tip end of the holding member. A substrate processing apparatus comprising: a shielding plate provided in between.

請求項１に記載の基板処理装置において、
前記溶剤蒸気ノズルは、前記チャンバ内で水平に直線状に延びる管部と、前記管部に設けられると共に管軸に沿って配置された複数の吐出口とを備え、
前記溶剤蒸気ノズルは、更に、前記複数の吐出口の上流の前記管部に設けられ、前記遮蔽板と前記チャンバの前記側壁との間に対応する領域に配置された液排出口を備え、
前記複数の吐出口は各々、前記チャンバ内に前記溶剤蒸気を吐出し、
前記液排出口は、前記溶剤蒸気が結露して生じた溶剤を前記遮蔽板と前記チャンバの前記側壁との間の領域に排出することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The solvent vapor nozzle includes a pipe section extending horizontally and linearly within the chamber, and a plurality of discharge ports provided in the pipe section and arranged along the pipe axis,
The solvent vapor nozzle further includes a liquid outlet provided in the pipe section upstream of the plurality of discharge ports and located in a region corresponding to between the shielding plate and the side wall of the chamber,
each of the plurality of outlets discharges the solvent vapor into the chamber;
The substrate processing apparatus is characterized in that the liquid discharge port discharges a solvent generated by condensation of the solvent vapor to a region between the shielding plate and the side wall of the chamber.

請求項２に記載の基板処理装置において、
前記液排出口は、前記複数の吐出口とは異なる方向を向いていることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2,
A substrate processing apparatus characterized in that the liquid discharge port faces in a different direction from the plurality of discharge ports.

請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記遮蔽板の上端は、前記先端基板の上端よりも高い位置に配置されることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3,
A substrate processing apparatus characterized in that an upper end of the shielding plate is arranged at a higher position than an upper end of the tip substrate.

請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記遮蔽板の上端は、前記チャンバの天井面に到達するように配置されることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3,
The substrate processing apparatus is characterized in that an upper end of the shielding plate is arranged so as to reach a ceiling surface of the chamber.

請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記チャンバ内に設けられると共に前記処理槽よりも高い位置に配置された撥水剤蒸気ノズルであって、前記チャンバ内に撥水剤蒸気を供給する前記撥水剤蒸気ノズルを更に備え、
前記撥水剤蒸気ノズルは、前記チャンバ内で水平に直線状に延びる第２管部と、前記第２管部に設けられると共に管軸に沿って配置された複数の第２吐出口とを備え、
前記撥水剤蒸気ノズルは、更に、前記複数の第２吐出口の上流の前記第２管部に設けられ、前記遮蔽板と前記チャンバの前記側壁との間に対応する領域に配置された第２液排出口を備え、
前記複数の第２吐出口は各々、前記チャンバ内に前記撥水剤蒸気を吐出し、
前記第２液排出口は、前記撥水剤蒸気が結露して生じた撥水剤を前記遮蔽板と前記チャンバの前記側壁との間の領域に排出することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3,
A water repellent vapor nozzle provided in the chamber and located at a higher position than the processing tank, further comprising the water repellent vapor nozzle that supplies water repellent vapor into the chamber,
The water repellent vapor nozzle includes a second pipe section extending horizontally and linearly within the chamber, and a plurality of second discharge ports provided in the second pipe section and arranged along the pipe axis. ,
The water repellent vapor nozzle is further provided in the second pipe section upstream of the plurality of second discharge ports, and further includes a water repellent vapor nozzle disposed in a region corresponding to the shielding plate and the side wall of the chamber. Equipped with a 2-liquid outlet,
Each of the plurality of second discharge ports discharges the water repellent vapor into the chamber,
The substrate processing apparatus is characterized in that the second liquid discharge port discharges water repellent produced by condensation of the water repellent vapor to a region between the shielding plate and the side wall of the chamber.

請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記遮蔽板は、前記処理槽に取り付けられていることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3,
A substrate processing apparatus, wherein the shielding plate is attached to the processing tank.

請求項１に記載の基板処理装置において、
前記遮蔽板は、前記保持部材で保持されたダミー基板であることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the shielding plate is a dummy substrate held by the holding member.

請求項８に記載の基板処理装置において、
前記複数の基板を水平姿勢で収納するキャリアを載置するキャリア載置棚と、
前記ダミー基板を収納するダミー基板用キャリアと、
前記複数の基板を搬送し、また、前記ダミー基板を搬送する水平基板搬送機構と、
水平姿勢と鉛直姿勢との間で前記複数の基板および前記ダミー基板を姿勢変換する姿勢変換機構と、
鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を搬送するバッチ基板搬送機構と、
を更に備え、
前記水平基板搬送機構は、前記キャリア載置棚に載置された前記キャリアから前記姿勢変換機構に前記複数の基板を搬送し、また、前記ダミー基板用キャリアから前記姿勢変換機構に前記ダミー基板を搬送し、
前記姿勢変換機構は、前記水平基板搬送機構で搬送された前記複数の基板および前記ダミー基板を水平姿勢から鉛直姿勢に変換し、
前記バッチ基板搬送機構は、鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記姿勢変換機構から搬送し、
前記基板保持部は、鉛直姿勢の前記複数の基板を保持すると共に、前記複数の基板のうちの前記背板から最も離れた先端基板と、前記保持部材の先端部側が対向する前記チャンバの側壁との間に位置するように前記ダミー基板を保持し、
前記基板保持部は、前記複数の基板と前記ダミー基板とを保持した状態で前記処理槽内の位置と前記処理槽の上方の位置とに亘って移動し、
前記バッチ基板搬送機構は、前記処理槽で処理された鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記基板保持部から前記姿勢変換機構に搬送し、
前記姿勢変換機構は、前記バッチ基板搬送機構で搬送された前記複数の基板および前記ダミー基板を鉛直姿勢から水平姿勢に変換し、
前記水平基板搬送機構は、前記姿勢変換機構から前記キャリア載置棚に載置された前記キャリアに水平姿勢の前記複数の基板を戻し、また、前記姿勢変換機構から前記ダミー基板用キャリアに水平姿勢の前記ダミー基板を戻すことを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 8,
a carrier mounting shelf on which a carrier for storing the plurality of substrates in a horizontal position is mounted;
a dummy board carrier that stores the dummy board;
a horizontal substrate transport mechanism that transports the plurality of substrates and also transports the dummy board;
an attitude changing mechanism that changes the attitude of the plurality of substrates and the dummy substrate between a horizontal attitude and a vertical attitude;
a batch board transport mechanism that transports the plurality of boards and the dummy board in a vertical posture;
further comprising;
The horizontal substrate transport mechanism transports the plurality of substrates from the carrier placed on the carrier mounting shelf to the attitude changing mechanism, and also transports the dummy substrates from the dummy substrate carrier to the attitude changing mechanism. transport,
The attitude changing mechanism converts the plurality of substrates and the dummy substrate transported by the horizontal substrate transport mechanism from a horizontal attitude to a vertical attitude,
The batch substrate transport mechanism transports the plurality of substrates and the dummy substrate in a vertical posture from the posture changing mechanism,
The substrate holder holds the plurality of substrates in a vertical posture, and also includes a tip substrate farthest from the back plate among the plurality of substrates, and a side wall of the chamber where the tip side of the holding member faces. Hold the dummy board so that it is located between the
The substrate holding unit moves between a position within the processing tank and a position above the processing tank while holding the plurality of substrates and the dummy substrate,
The batch substrate transport mechanism transports the plurality of vertically-oriented substrates and the dummy substrates that have been processed in the processing tank from the substrate holding unit to the attitude changing mechanism;
The attitude conversion mechanism converts the plurality of substrates and the dummy substrates transported by the batch substrate transport mechanism from a vertical attitude to a horizontal attitude,
The horizontal substrate transfer mechanism returns the plurality of substrates in a horizontal attitude from the attitude changing mechanism to the carrier placed on the carrier mounting shelf, and returns the plurality of substrates in a horizontal attitude from the attitude changing mechanism to the dummy substrate carrier. A substrate processing apparatus characterized in that the dummy substrate is returned.

請求項９に記載の基板処理装置において、
複数のキャリアを保管する保管棚と、
前記保管棚に保管された任意のキャリアを前記キャリア載置棚に搬送するキャリア搬送機構と、を更に備え、
前記ダミー基板用キャリアは、前記保管棚に予め保管されていることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 9,
A storage shelf for storing multiple carriers,
further comprising a carrier transport mechanism that transports any carrier stored on the storage shelf to the carrier mounting shelf,
The substrate processing apparatus is characterized in that the dummy substrate carrier is stored in the storage shelf in advance.

請求項８に記載の基板処理装置において、
前記複数の基板を水平姿勢で収納するキャリアを載置するキャリア載置棚と、
前記ダミー基板を収納するダミー基板用キャリアと、
前記複数の基板を搬送し、また、前記ダミー基板を搬送する水平基板搬送機構と、
水平姿勢と鉛直姿勢との間で前記複数の基板および前記ダミー基板を姿勢変換する姿勢変換機構と、
鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を搬送するバッチ基板搬送機構と、
前記キャリアに収納される基板の有無を検出する基板検出センサ部と、を更に備え、
を更に備え、
前記保持部材は、一列に整列された、前記複数の基板を保持する複数の保持溝を備え、
前記複数の保持溝は、前記保持部材の先端部側の最も端に位置する先端保持溝を有し、
前記基板検出センサ部は、前記キャリア載置棚に載置された前記キャリアに対して上下方向に移動しながら、前記キャリアに収納される基板の有無を検出し、
前記水平基板搬送機構は、前記キャリア載置棚に載置された前記キャリアから前記姿勢変換機構に前記複数の基板を搬送し、
前記基板検出センサ部が前記先端保持溝に対応する対応基板が前記キャリアに無いことを検出したときは、前記水平基板搬送機構は、前記姿勢変換機構に搬送された前記複数の基板の列の前記対応基板が無い部分に前記ダミー基板用キャリアから前記ダミー基板を搬送し、
前記姿勢変換機構は、前記水平基板搬送機構で搬送された前記複数の基板および前記ダミー基板を水平姿勢から鉛直姿勢に変換し、
前記バッチ基板搬送機構は、鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記姿勢変換機構から搬送し、
前記基板保持部は、前記保持部材の前記複数の保持溝で鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記バッチ基板搬送機構から受け取り、
前記バッチ基板搬送機構は、前記処理槽で処理された鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記基板保持部から前記姿勢変換機構に搬送し、
前記姿勢変換機構は、前記バッチ基板搬送機構で搬送された前記複数の基板および前記ダミー基板を鉛直姿勢から水平姿勢に変換し、
前記水平基板搬送機構は、前記姿勢変換機構から前記キャリア載置棚に載置された前記キャリアに水平姿勢の前記複数の基板を戻し、また、前記姿勢変換機構から前記ダミー基板用キャリアに水平姿勢の前記ダミー基板を戻すことを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 8,
a carrier mounting shelf on which a carrier for storing the plurality of substrates in a horizontal position is mounted;
a dummy board carrier that stores the dummy board;
a horizontal substrate transport mechanism that transports the plurality of substrates and also transports the dummy board;
an attitude changing mechanism that changes the attitude of the plurality of substrates and the dummy substrate between a horizontal attitude and a vertical attitude;
a batch board transport mechanism that transports the plurality of boards and the dummy board in a vertical posture;
further comprising a substrate detection sensor unit that detects the presence or absence of a substrate accommodated in the carrier,
further comprising;
The holding member includes a plurality of holding grooves arranged in a line and holding the plurality of substrates,
The plurality of holding grooves have a tip holding groove located at the end of the tip side of the holding member,
The substrate detection sensor section detects the presence or absence of a substrate stored in the carrier while moving in a vertical direction with respect to the carrier placed on the carrier mounting shelf,
The horizontal substrate transport mechanism transports the plurality of substrates from the carrier placed on the carrier mounting shelf to the attitude changing mechanism,
When the substrate detection sensor unit detects that there is no corresponding substrate corresponding to the tip holding groove in the carrier, the horizontal substrate transport mechanism moves the substrate in the row of the plurality of substrates transported to the attitude changing mechanism. transporting the dummy board from the dummy board carrier to a part where there is no corresponding board;
The attitude changing mechanism converts the plurality of substrates and the dummy substrate transported by the horizontal substrate transport mechanism from a horizontal attitude to a vertical attitude,
The batch substrate transport mechanism transports the plurality of substrates and the dummy substrate in a vertical posture from the posture changing mechanism,
The substrate holding unit receives the plurality of substrates and the dummy substrate in a vertical posture from the batch substrate transport mechanism in the plurality of holding grooves of the holding member,
The batch substrate transport mechanism transports the plurality of vertically-oriented substrates and the dummy substrates that have been processed in the processing tank from the substrate holding unit to the attitude changing mechanism;
The attitude conversion mechanism converts the plurality of substrates and the dummy substrates transported by the batch substrate transport mechanism from a vertical attitude to a horizontal attitude,
The horizontal substrate transfer mechanism returns the plurality of substrates in a horizontal attitude from the attitude changing mechanism to the carrier placed on the carrier mounting shelf, and returns the plurality of substrates in a horizontal attitude from the attitude changing mechanism to the dummy substrate carrier. A substrate processing apparatus characterized in that the dummy substrate is returned.

請求項８に記載の基板処理装置において、
２枚以上の基板からなる第１基板群の水平姿勢で収納する第１キャリアを載置するキャリア載置棚と、
前記ダミー基板を収納するダミー基板用キャリアと、
前記第１基板群を搬送し、２枚以上からなる第２基板群を搬送し、また、前記ダミー基板を搬送する水平基板搬送機構と、
水平姿勢と鉛直姿勢との間で前記第１基板群、前記第２基板群および前記ダミー基板を姿勢変換し、また、前記第１基板群と前記第２基板群とを組み合わせて鉛直姿勢の前記複数の基板を形成する姿勢変換機構と、
鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を搬送するバッチ基板搬送機構と、
前記第１キャリアに収納される基板の有無を検出する基板検出センサ部と、
を更に備え、
前記保持部材は、一列に整列された、前記複数の基板を保持する複数の保持溝を備え、
前記複数の保持溝は、前記保持部材の先端部側の最も端に位置する先端保持溝を有し、
前記基板検出センサ部は、前記キャリア載置棚に載置された前記第１キャリアに対して上下方向に移動しながら、前記第１キャリアに収納される基板の有無を検出し、
前記基板検出センサ部は、前記キャリア載置棚に載置された、前記第２基板群を水平姿勢で収納する第２キャリアに対して上下方向に移動しながら、前記第２キャリアに収納される基板の有無を検出し、
前記水平基板搬送機構は、前記キャリア載置棚に載置された前記第１キャリアから前記姿勢変換機構に前記第１基板群を搬送し、
前記水平基板搬送機構は、前記キャリア載置棚に載置された前記第２キャリアから前記姿勢変換機構に前記第２基板群を搬送し、
前記基板検出センサ部が、前記先端保持溝に対応する対応基板が前記第１キャリアまたは前記第２キャリアに無いことを検出したときは、前記水平基板搬送機構は、前記姿勢変換機構に搬送された前記第１基板群または前記第２基板群の列の前記対応基板が無い部分に前記ダミー基板用キャリアから前記ダミー基板を搬送し、
前記姿勢変換機構は、前記第１基板群、前記第２基板群および前記ダミー基板を水平姿勢から鉛直姿勢に変換し、また、前記第１基板群と前記第２基板群とを組み合わせて鉛直姿勢の前記複数の基板を形成し、
前記バッチ基板搬送機構は、鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記姿勢変換機構から搬送し、
前記基板保持部は、前記保持部材の前記複数の保持溝で鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記バッチ基板搬送機構から受け取り、
前記バッチ基板搬送機構は、前記処理槽で処理された鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記基板保持部から前記姿勢変換機構に搬送し、
前記姿勢変換機構は、前記バッチ基板搬送機構で搬送された前記複数の基板を前記第１基板群と前記第２基板群とに分け、また、前記第１基板群、前記第２基板群および前記ダミー基板を鉛直姿勢から垂直姿勢に変換し、
前記水平基板搬送機構は、前記姿勢変換機構から前記キャリア載置棚に載置された前記第１キャリアに水平姿勢の前記第１基板群を戻し、前記姿勢変換機構から前記キャリア載置棚に載置された前記第２キャリアに水平姿勢の前記第２基板群を戻し、また、前記姿勢変換機構から前記ダミー基板用キャリアに水平姿勢の前記ダミー基板を戻すことを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 8,
a carrier mounting shelf on which a first carrier for storing a first board group consisting of two or more boards in a horizontal position is placed;
a dummy board carrier that stores the dummy board;
a horizontal substrate transport mechanism that transports the first board group, transports a second board group consisting of two or more boards, and transports the dummy board;
The postures of the first substrate group, the second substrate group, and the dummy substrate are changed between the horizontal posture and the vertical posture, and the first substrate group and the second substrate group are combined to change the posture of the first substrate group, the second substrate group, and the dummy substrate between the horizontal posture and the vertical posture. a posture changing mechanism forming a plurality of substrates;
a batch board transport mechanism that transports the plurality of boards and the dummy board in a vertical posture;
a substrate detection sensor unit that detects the presence or absence of a substrate accommodated in the first carrier;
further comprising;
The holding member includes a plurality of holding grooves arranged in a line and holding the plurality of substrates,
The plurality of holding grooves have a tip holding groove located at the end of the tip side of the holding member,
The substrate detection sensor unit detects the presence or absence of a substrate stored in the first carrier while moving in a vertical direction with respect to the first carrier placed on the carrier mounting shelf,
The substrate detection sensor unit is housed in the second carrier while moving in a vertical direction with respect to a second carrier placed on the carrier shelf and housing the second group of substrates in a horizontal position. Detects the presence or absence of the board,
The horizontal substrate transport mechanism transports the first substrate group from the first carrier placed on the carrier mounting shelf to the attitude changing mechanism,
The horizontal substrate transport mechanism transports the second substrate group from the second carrier placed on the carrier mounting shelf to the attitude changing mechanism,
When the substrate detection sensor section detects that there is no corresponding substrate corresponding to the tip holding groove in the first carrier or the second carrier, the horizontal substrate transport mechanism transports the substrate to the attitude changing mechanism. transporting the dummy substrate from the dummy substrate carrier to a part of the row of the first substrate group or the second substrate group where the corresponding substrate is not present;
The attitude changing mechanism converts the first board group, the second board group, and the dummy board from a horizontal attitude to a vertical attitude, and also converts the first board group and the second board group to a vertical attitude by combining the first board group and the second board group. forming the plurality of substrates;
The batch substrate transport mechanism transports the plurality of substrates and the dummy substrate in a vertical posture from the posture changing mechanism,
The substrate holding unit receives the plurality of substrates and the dummy substrate in a vertical posture from the batch substrate transport mechanism in the plurality of holding grooves of the holding member,
The batch substrate transport mechanism transports the plurality of vertically-oriented substrates and the dummy substrates that have been processed in the processing tank from the substrate holding unit to the attitude changing mechanism;
The attitude changing mechanism divides the plurality of substrates transported by the batch substrate transport mechanism into the first substrate group and the second substrate group, and divides the plurality of substrates into the first substrate group, the second substrate group, and the second substrate group. Convert the dummy board from vertical posture to vertical posture,
The horizontal substrate transport mechanism returns the first substrate group in a horizontal position from the attitude changing mechanism to the first carrier placed on the carrier placement shelf, and returns the first substrate group from the attitude changing mechanism to the first carrier placed on the carrier placement shelf. A substrate processing apparatus characterized in that the second substrate group in a horizontal position is returned to the placed second carrier, and the dummy substrate in a horizontal position is returned from the attitude changing mechanism to the dummy substrate carrier.

請求項１２に記載の基板処理装置において、
前記複数の基板は、前記第１基板群の基板と前記第２基板群の基板とが１枚ずつ交互に配置されていることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 12,
The substrate processing apparatus is characterized in that the plurality of substrates include one substrate of the first substrate group and one substrate of the second substrate group arranged alternately.

請求項１１から１３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記先端基板は、前記チャンバの前記側壁を向いていることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 11 to 13,
A substrate processing apparatus, wherein the tip substrate faces the side wall of the chamber.