JP2023171798A - 光変調素子の光学特性の測定方法、測定装置、測定プログラム - Google Patents
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Abstract
Description
最初に本開示の実施形態の内容を列記して説明する。
(2)上記(1)において、前記光変調素子の入射部と前記第1光ファイバとの調芯を行う工程において、前記合計値が最大になるように調芯を行ってもよい。合計値に基づいて自動的に光変調素子と光ファイバとの調芯が可能である。
(3)上記(1)または(2)において、前記光変調素子の1つの面に前記入射部および前記複数の出射部が設けられ、前記光源から前記入射部に光を入射する工程の前に、前記第1光ファイバおよび複数の第2光ファイバが配列された光ファイバアレイと、前記光変調素子の前記1つの面とを対向させる工程を有してもよい。光変調素子と光ファイバアレイとを対向させることで、出射部と第1光ファイバとを対向させ、入射部と第2光ファイバとを対向させる。第2光ファイバを介した光の入射、および第1光ファイバを介した光の出射が可能である。
(4)上記(3)において、前記光変調素子の入射部と前記第1光ファイバとの調芯を行う工程は、前記合計された電気信号に基づいて、前記光ファイバアレイおよび前記光変調素子のうち少なくとも一方の位置を調整する工程を含んでもよい。光変調素子の入射部と第1光ファイバとの調芯を行うと同時に、出射部と第2光ファイバとの調芯も可能である。
(5)上記(1)から(4)のいずれかにおいて、前記第2光ファイバの径は前記第1光ファイバの径よりも大きくてもよい。光を受ける部分の直径を大きくすることによって、出射部からの出射光との光結合を大きくし、光のロスを抑制し、出射光を第2光ファイバに伝搬させることができる。
(6)上記(1)から(5)のいずれかにおいて、前記光変調素子の入射部と前記第1光ファイバとの調芯を行う工程は、前記光変調素子の導波路に設けられた電極に電圧を印加せずに前記光変調素子の入射部と前記第1光ファイバとの調芯を行う工程を含んでもよい。2つの調芯の工程を自動で行うため、手動で調芯を行う場合に比べて、調芯にかかる時間および労力が低減する。
(7)上記(1)から(6)のいずれかにおいて、前記光変調素子の入射部と前記第1光ファイバとの調芯を行う工程は、前記光変調素子の導波路に設けられた電極に電圧を印加して前記光変調素子の入射部と前記第1光ファイバとの調芯を行う工程を含んでもよい。2つの調芯の工程を自動で行うため、手動で調芯を行う場合に比べて、調芯にかかる時間および労力が低減する。
(8)上記(1)において、前記光変調素子の入射部と前記第1光ファイバとの調芯を行う工程において、前記合計値が閾値以上になるように調芯を行ってもよい。
(9)入射部、前記入射部から入射される光を伝搬する導波路、および前記導波路を伝搬した光を出射する複数の出射部を有する、マッハツェンダ型の光変調素子の光学特性の測定装置であって、光源から出射される光を、前記光変調素子の入射部に光を入射する第1光ファイバと、前記複数の出射部から出射される出射光が入射する複数の第2光ファイバと、前記出射光が前記複数の第2光ファイバを介して入射することで、電気信号を出力する複数の受光部と、前記複数の受光部のそれぞれが出力する電気信号を電流に変換し、前記電流の大きさを合計することで合計値を取得する電流変換部と、前記合計値に基づいて、前記光変調素子の入射部と前記第1光ファイバとの調芯を行う制御部と、を具備する測定装置である。光変調素子ごとに、複数の出射部から出射される光の強度のバランスは変化する。一方、強度の合計は一定である。したがって変換した電流の合計値に基づいて自動的に光変調素子と光ファイバとの調芯が可能である。
(10)上記(9)において、前記第1光ファイバおよび前記複数の第2光ファイバが配列された光ファイバアレイを具備し、前記制御部は、前記合計値に基づいて、前記光ファイバアレイおよび前記光変調素子のうち少なくとも一方の位置を調整することで、前記調芯を行ってもよい。
(11)上記(9)または(10)において、前記第2光ファイバの径は前記第1光ファイバの径よりも大きくてもよい。
(12)入射部、前記入射部から入射される光を伝搬する導波路、および前記導波路を伝搬した光を出射する複数の出射部を有する、マッハツェンダ型の光変調素子の光学特性の測定プログラムであって、コンピュータに、光源から出射される光を、第1光ファイバを介して前記光変調素子の入射部に入射する処理と、複数の受光部のそれぞれが前記光変調素子の複数の出射部から出射される出射光を、複数の第2光ファイバを介して受光することで出力する電気信号を電流に変換し、前記電流の大きさを合計することで合計値を取得する処理と、前記合計値に基づいて、前記光変調素子の入射部と前記第1光ファイバとの調芯を行う処理と、を実行させる測定プログラムである。光変調素子ごとに、複数の出射部から出射される光の強度のバランスは変化する。一方、強度の合計は一定である。したがって変換した電流の合計値に基づいて自動的に光変調素子と光ファイバとの調芯が可能である。
本開示の実施形態に係る光変調素子の光学特性の測定方法、測定装置、測定プログラムの具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本開示はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
図1は実施形態に係る測定装置100を例示する模式図である。図1に示すように、測定装置100は、光ファイバアレイ70、調芯用ステージ60、温度調整機能付き(温調)ステージ64、角度調整用ステージ65、モニタ57、カメラ59、温度コントローラ50、自動調芯コントローラ52、波長可変レーザ光源54、電流変換器51(電流変換部)、4つの光パワーメータ56a~56d、電流電圧源58、マルチコンタクトプローブ66および制御部80を有する。
光ファイバアレイ70はベースプレート71、光ファイバ72a~72dおよび光ファイバ74を有する。ベースプレート71のX軸方向の長さは例えば3mm以上、30mm以下である。Y軸方向の幅は例えば3mm以上、8mm以下である。
図3Aに示す光変調素子10は、例えばガリウムヒ素(GaAs)系半導体またはインジウムリン(InP)系半導体などで形成され、複数のマッハツェンダ変調器を含む、1入力4出力の素子である。光変調素子10は、基板11、複数の導波路、位相調整用の電極、入力および出力用のパッドを有する。
10a、70a 面
11 基板
13a,13b マッハツェンダ変調器
14 入射ポート
12a~12d 出射ポート
16、20a、20b、24a~24d,28a~28h、32a~32d、36a~36d 導波路
18、22a、22b、26a~26d、30a~30d、34a、34b カプラ
40a~40h、42a~42h、44a~44d 電極
46、48 パッド
50 温度コントローラ
51 電流変換器
52 自動調芯コントローラ
54 波長可変レーザ光源
53、55 コネクタ
56a~56d 光パワーメータ
57 モニタ
59 カメラ
60 調芯用ステージ
61 フォルダ
62 冶具
63 固定器具
64 温調ステージ
65 角度調整用ステージ
66 マルチコンタクトプローブ
67 ピン
70 光ファイバアレイ
71 ベースプレート
72a~72d、74 光ファイバ
76 偏光板
80 制御部
81 位置制御部
82 合計値取得部
83 光源制御部
84 電圧制御部
100 測定装置
101 CPU
102 RAM
103 記憶装置
104 インターフェース
Claims (12)
- 入射部、前記入射部から入射される光を伝搬する導波路、および前記導波路を伝搬した光を出射する複数の出射部を有する、マッハツェンダ型の光変調素子の光学特性の測定方法であって、
第1光ファイバを介して、光源から前記光変調素子の入射部に光を入射する工程と、
前記光変調素子の前記複数の出射部から出射される出射光を、複数の第2光ファイバを介して複数の受光部が受光する工程と、
前記出射光を受光することで前記複数の受光部のそれぞれが出力する電気信号を電流に変換し、前記電流の大きさを合計することで合計値を取得する工程と、
前記合計値に基づいて、前記光変調素子の入射部と前記第1光ファイバとの調芯を行う工程と、を有する測定方法。 - 前記光変調素子の入射部と前記第1光ファイバとの調芯を行う工程において、前記合計値が最大になるように調芯を行う請求項1に記載の測定方法。
- 前記光変調素子の1つの面に前記入射部および前記複数の出射部が設けられ、
前記光源から前記入射部に光を入射する工程の前に、前記第1光ファイバおよび前記複数の第2光ファイバが配列された光ファイバアレイと、前記光変調素子の前記1つの面とを対向させる工程を有する請求項1または請求項2に記載の測定方法。 - 前記光変調素子の入射部と前記第1光ファイバとの調芯を行う工程は、前記合計された電気信号に基づいて、前記光ファイバアレイおよび前記光変調素子のうち少なくとも一方の位置を調整する工程を含む請求項3に記載の測定方法。
- 前記第2光ファイバの径は前記第1光ファイバの径よりも大きい請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の測定方法。
- 前記光変調素子の入射部と前記第1光ファイバとの調芯を行う工程は、前記光変調素子の導波路に設けられた電極に電圧を印加せずに前記光変調素子の入射部と前記第1光ファイバとの調芯を行う工程を含む請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の測定方法。
- 前記光変調素子の入射部と前記第1光ファイバとの調芯を行う工程は、前記光変調素子の導波路に設けられた電極に電圧を印加して前記光変調素子の入射部と前記第1光ファイバとの調芯を行う工程を含む請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の測定方法。
- 前記光変調素子の入射部と前記第1光ファイバとの調芯を行う工程において、前記合計値が閾値以上になるように調芯を行う請求項1に記載の測定方法。
- 入射部、前記入射部から入射される光を伝搬する導波路、および前記導波路を伝搬した光を出射する複数の出射部を有する、マッハツェンダ型の光変調素子の光学特性の測定装置であって、
光源から出射される光を、前記光変調素子の入射部に光を入射する第1光ファイバと、
前記複数の出射部から出射される出射光が入射する複数の第2光ファイバと、
前記出射光が前記複数の第2光ファイバを介して入射することで、電気信号を出力する複数の受光部と、
前記複数の受光部のそれぞれが出力する電気信号を電流に変換し、前記電流の大きさを合計することで合計値を取得する電流変換部と、
前記合計値に基づいて、前記光変調素子の入射部と前記第1光ファイバとの調芯を行う制御部と、を具備する測定装置。 - 前記第1光ファイバおよび前記複数の第2光ファイバが配列された光ファイバアレイを具備し、
前記制御部は、前記合計値に基づいて、前記光ファイバアレイおよび前記光変調素子のうち少なくとも一方の位置を調整することで、前記調芯を行う請求項9に記載の測定装置。 - 前記第2光ファイバの径は前記第1光ファイバの径よりも大きい請求項9または請求項10に記載の測定装置。
- 入射部、前記入射部から入射される光を伝搬する導波路、および前記導波路を伝搬した光を出射する複数の出射部を有する、マッハツェンダ型の光変調素子の光学特性の測定プログラムであって、
コンピュータに、
光源から出射される光を、第1光ファイバを介して前記光変調素子の入射部に入射する処理と、
複数の受光部のそれぞれが前記光変調素子の複数の出射部から出射される出射光を、複数の第2光ファイバを介して受光することで出力する電気信号を電流に変換し、前記電流の大きさを合計することで合計値を取得する処理と、
前記合計値に基づいて、前記光変調素子の入射部と前記第1光ファイバとの調芯を行う処理と、を実行させる測定プログラム。
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