JP2023167463A - Adhesive tape for semiconductor processing - Google Patents
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- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 title claims abstract description 162
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 153
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 147
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 109
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 99
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 152
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 152
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 91
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 23
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 23
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 77
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 40
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 40
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 40
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 35
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 35
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 26
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 26
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 26
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 24
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 24
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 20
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 17
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 16
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 16
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 14
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 13
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 12
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 11
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 11
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 9
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 5
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 5
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 5
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 5
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 5
- 229920003067 (meth)acrylic acid ester copolymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 4
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N edrophonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](C)(C)C1=CC=CC(O)=C1 BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 4
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 4
- 229920001897 terpolymer Polymers 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 3
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 3
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 3
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 2
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 2
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- 239000004801 Chlorinated PVC Substances 0.000 description 1
- 239000004709 Chlorinated polyethylene Substances 0.000 description 1
- IVRFYNSETZKRSJ-UHFFFAOYSA-N ClC=C.N#CC=CC=CC1=CC=CC=C1 Chemical compound ClC=C.N#CC=CC=CC1=CC=CC=C1 IVRFYNSETZKRSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 1
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N Nonylphenol Natural products CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002433 Vinyl chloride-vinyl acetate copolymer Polymers 0.000 description 1
- GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N [phenyl-(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphoryl]-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C1=C(C)C=C(C)C=C1C GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- 229920006222 acrylic ester polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 229920001893 acrylonitrile styrene Polymers 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 229920000457 chlorinated polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- ZJPJECQPVMSILT-UHFFFAOYSA-N chloroethene 3-(2-phenylethenyl)furan-2,5-dione Chemical compound ClC=C.O=C1OC(=O)C(C=CC=2C=CC=CC=2)=C1 ZJPJECQPVMSILT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEJNAGSUKYCWCR-UHFFFAOYSA-N chloroethene;1,1-dichloroethene;ethenyl acetate Chemical compound ClC=C.ClC(Cl)=C.CC(=O)OC=C IEJNAGSUKYCWCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSJDEWYENWWMAV-UHFFFAOYSA-N chloroethene;2-methylprop-2-enoic acid Chemical compound ClC=C.CC(=C)C(O)=O VSJDEWYENWWMAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRGNPJFAKZHQPS-UHFFFAOYSA-N chloroethene;ethene Chemical group C=C.ClC=C KRGNPJFAKZHQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- JXCHMDATRWUOAP-UHFFFAOYSA-N diisocyanatomethylbenzene Chemical compound O=C=NC(N=C=O)C1=CC=CC=C1 JXCHMDATRWUOAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005555 halobutyl Polymers 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 1
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- SJPFBRJHYRBAGV-UHFFFAOYSA-N n-[[3-[[bis(oxiran-2-ylmethyl)amino]methyl]phenyl]methyl]-1-(oxiran-2-yl)-n-(oxiran-2-ylmethyl)methanamine Chemical compound C1OC1CN(CC=1C=C(CN(CC2OC2)CC2OC2)C=CC=1)CC1CO1 SJPFBRJHYRBAGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 229920005671 poly(vinyl chloride-propylene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N prop-2-enenitrile;styrene Chemical compound C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
本開示は、半導体加工用粘着テープに関する。 The present disclosure relates to an adhesive tape for semiconductor processing.
半導体の製造工程では、回路が形成されたウェハをチップに切断（ダイシング）するダイシング工程において、ウェハおよびチップを保護および固定するために、ダイシングテープと呼ばれる半導体加工用粘着テープが用いられている。 In the semiconductor manufacturing process, an adhesive tape for semiconductor processing called a dicing tape is used to protect and fix the wafer and chips during the dicing process in which a wafer on which circuits are formed is cut into chips.
半導体加工用粘着テープには、加工工程中はウェハやチップを十分な粘着力で固定できるとともに、加工工程後はチップを破損することなく容易に剥離できることが求められる。 Adhesive tapes for semiconductor processing are required to be able to fix wafers and chips with sufficient adhesive force during the processing process, and to be able to be easily peeled off after the processing process without damaging the chips.
このような半導体加工用粘着テープとしては、例えば、エネルギー線硬化型の粘着テープの開発が盛んに行われている（例えば特許文献１～２）。エネルギー線硬化型の粘着テープは、エネルギー線の照射により粘着層を硬化させることで粘着力を低下させることができるため、エネルギー線照射前の強粘着性と、エネルギー線照射後の易剥離性とを両立することが可能である。 As such adhesive tapes for semiconductor processing, for example, energy ray-curable adhesive tapes are being actively developed (for example, Patent Documents 1 and 2). Energy ray-curable adhesive tapes can reduce adhesive strength by curing the adhesive layer by irradiating energy rays, so they have strong adhesiveness before irradiation with energy rays and easy peelability after irradiation with energy rays. It is possible to achieve both.
近年、電子部品の小型化、高性能化に伴い、ウェハに形成される回路の高集積化が求められており、回路の微細化、多層化が進められている。しかしながら、ウェハ等の基板上に形成された薄膜には内部応力が作用するため、薄膜の多層化により、ウェハ全体に反りが発生する現象が見られる。また、回路の微細化や多層化により、ウェハの回路面の凹凸（段差）が大きくなるため、凹凸（段差）によっても、ウェハ全体に反りが発生する傾向にある。 BACKGROUND ART In recent years, with the miniaturization and higher performance of electronic components, there is a demand for higher integration of circuits formed on wafers, and circuits are becoming smaller and more multilayered. However, since internal stress acts on a thin film formed on a substrate such as a wafer, a phenomenon in which the entire wafer warps is observed due to multilayering of thin films. Further, as circuits become finer and multilayered, the unevenness (steps) on the circuit surface of the wafer becomes larger, so the unevenness (steps) also tends to cause warpage in the entire wafer.
そのため、半導体加工用粘着テープには、回路が形成されたウェハが反りを有する場合であっても、ダイシング工程中にウェハやチップを確実に固定することが要望されている。 Therefore, there is a demand for adhesive tapes for semiconductor processing to reliably fix wafers and chips during the dicing process even when the wafers on which circuits are formed are warped.
本開示は、上記実情に鑑みてなされたものであり、反りを有する被着体に対する粘着性に優れる半導体加工用粘着テープを提供することを主目的とする。 The present disclosure has been made in view of the above circumstances, and its main purpose is to provide an adhesive tape for semiconductor processing that has excellent adhesiveness to warped adherends.
本開示の一実施形態は、基材と、上記基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層と、を有する半導体加工用粘着テープであって、下記試験により測定される剥離距離が４ｍｍ以下である、半導体加工用粘着テープを提供する。試験：下記工程（１）～（５）を順に有する。（１）上記半導体加工用粘着テープを幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍの大きさにカットして試験片を調製する。（２）内径３インチ、厚さ６ｍｍ、長さ９４ｍｍ、重量１５５ｇの円筒状のプラスチックコアと、上記プラスチックコアの外周面に配置された、厚さ３５μｍ、幅８０ｍｍ、長さ１００ｍｍの銅箔とを有する被着材を準備する。（３）上記試験片の上記粘着層の面のうち、幅２５ｍｍ、長さ２５ｍｍの領域を、上記被着材の上記銅箔の面に貼合し、上記被着材を下側にして、上記試験片が水平になるように、上記試験片の長手方向の両端を、金属枠に固定する。（４）温度２５℃±５℃、湿度４０％ＲＨ以上６０％ＲＨ以下、エネルギー線を遮断した環境下、上記金属枠が水平になるように、上記被着材を宙づりにした状態で、３日間保管する。（５）上記試験片が上記被着材から剥離した距離を測定し、剥離距離とする。 One embodiment of the present disclosure is an adhesive tape for semiconductor processing, which has a base material and an energy ray-curable adhesive layer disposed on one surface of the base material, the tape having peeling measured by the following test. To provide an adhesive tape for semiconductor processing having a distance of 4 mm or less. Test: The following steps (1) to (5) are carried out in order. (1) A test piece is prepared by cutting the above adhesive tape for semiconductor processing into a size of 25 mm in width and 100 mm in length. (2) A cylindrical plastic core with an inner diameter of 3 inches, a thickness of 6 mm, a length of 94 mm, and a weight of 155 g, and a copper foil with a thickness of 35 μm, a width of 80 mm, and a length of 100 mm arranged on the outer peripheral surface of the plastic core. Prepare an adherend having the following properties. (3) bonding a 25 mm wide and 25 mm long area of the adhesive layer surface of the test piece to the copper foil surface of the adherend, with the adherend facing downward; Both ends of the test piece in the longitudinal direction are fixed to a metal frame so that the test piece is horizontal. (4) Under an environment where the temperature is 25°C ± 5°C, the humidity is 40% RH or more and 60% RH or less, and energy rays are blocked, the adherend is suspended in the air so that the metal frame is horizontal. Store for days. (5) Measure the distance at which the test piece is peeled from the adherend, and define this as the peel distance.
本開示は、反りを有する被着体に対する粘着性に優れる半導体加工用粘着テープを提供することができる。 The present disclosure can provide an adhesive tape for semiconductor processing that has excellent adhesion to warped adherends.
下記に、図面等を参照しながら本開示の実施の形態を説明する。ただし、本開示は多くの異なる態様で実施することが可能であり、下記に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の形態に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表わされる場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。 Embodiments of the present disclosure will be described below with reference to the drawings and the like. However, the present disclosure can be implemented in many different ways, and should not be construed as being limited to the description of the embodiments exemplified below. Further, in order to make the explanation clearer, the drawings may schematically represent the width, thickness, shape, etc. of each part compared to the actual form, but this is just an example and does not limit the interpretation of the present disclosure. It's not something you do. In addition, in this specification and each figure, the same elements as those described above with respect to the previously shown figures are denoted by the same reference numerals, and detailed explanations may be omitted as appropriate.
本明細書において、ある部材の上に他の部材を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」あるいは「下に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある部材に接するように、直上あるいは直下に他の部材を配置する場合と、ある部材の上方あるいは下方に、さらに別の部材を介して他の部材を配置する場合との両方を含むものとする。また、本明細書において、ある部材の面に他の部材を配置する態様を表現するにあたり、単に「面に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある部材に接するように、直上あるいは直下に他の部材を配置する場合と、ある部材の上方あるいは下方に、さらに別の部材を介して他の部材を配置する場合との両方を含むものとする。 In this specification, when expressing a mode in which another member is placed on top of a certain member, when it is simply expressed as "above" or "below", unless otherwise specified, it means that the member is in contact with a certain member. This includes both cases in which another member is placed directly above or below a certain member, and cases in which another member is placed above or below a certain member via another member. In addition, in this specification, when expressing the aspect of arranging another member on the surface of a certain member, when it is simply written as "on the surface", unless otherwise specified, it means that it is placed directly above or in contact with a certain member. This includes both a case where another member is placed directly below a certain member and a case where another member is placed above or below a certain member via another member.
以下、本開示の半導体加工用粘着テープについて説明する。 The adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure will be described below.
本開示の半導体加工用粘着テープは、基材と、上記基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層と、を有し、下記試験により測定される剥離距離が４ｍｍ以下である。試験：下記工程（１）～（５）を順に有する。（１）上記半導体加工用粘着テープを幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍの大きさにカットして試験片を調製する。（２）内径３インチ、厚さ６ｍｍ、長さ９４ｍｍ、重量１５５ｇの円筒状のプラスチックコアと、上記プラスチックコアの外周面に配置された、厚さ３５μｍ、幅８０ｍｍ、長さ１００ｍｍの銅箔とを有する被着材を準備する。（３）上記試験片の上記粘着層の面のうち、幅２５ｍｍ、長さ２５ｍｍの領域を、上記被着材の上記銅箔の面に貼合し、上記被着材を下側にして、上記試験片が水平になるように、上記試験片の長手方向の両端を、金属枠に固定する。（４）温度２５℃±５℃、湿度４０％ＲＨ以上６０％ＲＨ以下、エネルギー線を遮断した環境下、上記金属枠が水平になるように、上記被着材を宙づりにした状態で、３日間保管する。（５）上記試験片が上記被着材から剥離した距離を測定し、剥離距離とする。 The adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure includes a base material and an energy ray-curable adhesive layer disposed on one surface of the base material, and has a peel distance of 4 mm or less as measured by the following test. be. Test: The following steps (1) to (5) are carried out in order. (1) A test piece is prepared by cutting the above adhesive tape for semiconductor processing into a size of 25 mm in width and 100 mm in length. (2) A cylindrical plastic core with an inner diameter of 3 inches, a thickness of 6 mm, a length of 94 mm, and a weight of 155 g, and a copper foil with a thickness of 35 μm, a width of 80 mm, and a length of 100 mm arranged on the outer peripheral surface of the plastic core. Prepare an adherend having the following properties. (3) bonding a 25 mm wide and 25 mm long area of the adhesive layer surface of the test piece to the copper foil surface of the adherend, with the adherend facing downward; Both ends of the test piece in the longitudinal direction are fixed to a metal frame so that the test piece is horizontal. (4) Under an environment where the temperature is 25°C ± 5°C, the humidity is 40% RH or more and 60% RH or less, and energy rays are blocked, the adherend is suspended in the air so that the metal frame is horizontal. Store for days. (5) Measure the distance at which the test piece is peeled from the adherend, and define this as the peel distance.
図１は、本開示の半導体加工用粘着テープを例示する概略断面図である。図１における半導体加工用粘着テープ１０は、基材１と、基材１の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層２とを有している。半導体加工用粘着テープ１０においては、上記試験により測定される剥離距離が所定の値以下である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure. The
図２（ａ）～（ｅ）は、半導体加工用粘着テープを用いた半導体の製造方法の一例を示す工程図である。まず、図２（ａ）に示すように、回路が形成されたウェハ１１を半導体加工用粘着テープ１０に貼り付けた後、図２（ｂ）に示すように、回路が形成されたウェハ１１をチップ１２に切断（ダイシング）するダイシング工程を行う。次に、図２（ｃ）に示すように、半導体加工用粘着テープ１０を引き伸ばして、チップ１２同士の間隔を広げるエキスパンド工程を行う。次に、図示しないが、半導体加工用粘着テープ１０のエネルギー線硬化性の粘着層２にエネルギー線を照射して硬化させることで粘着力を低下させ、図２（ｄ）に示すように、チップ１２を半導体加工用粘着テープ１０から剥離して、チップ１２をピックアップするピックアップ工程を行う。次いで、図２（ｅ）に示すように、ピックアップされたチップ１２を基板３０に接着するマウント（ダイボンディング）工程を行う。
FIGS. 2A to 2E are process diagrams showing an example of a method for manufacturing a semiconductor using an adhesive tape for semiconductor processing. First, as shown in FIG. 2(a), a wafer 11 on which a circuit is formed is attached to an
図３（ａ）～（ｄ）は、半導体加工用粘着テープを用いた半導体の製造方法の他の例を示す工程図である。まず、図３（ａ）に示すように、回路が形成されたウェハ１１を半導体加工用粘着テープ１０に貼り付けた後、図３（ｂ）に示すように、回路が形成されたウェハ１１をチップ１２に切断（ダイシング）するダイシング工程を行う。次に、図３（ｃ）に示すように、チップ１２の半導体加工用粘着テープ１０とは反対側の面に転写テープ４０を貼り付けた後、図示しないが、半導体加工用粘着テープ１０のエネルギー線硬化性の粘着層２にエネルギー線を照射して硬化させることで粘着力を低下させ、図３（ｄ）に示すように、半導体加工用粘着テープ１０をチップ１２から剥離して、チップ１２を転写テープ４０に転写する転写工程を行う。
FIGS. 3A to 3D are process diagrams showing another example of a method for manufacturing a semiconductor using an adhesive tape for semiconductor processing. First, as shown in FIG. 3(a), a wafer 11 on which a circuit is formed is attached to an
図４（ａ）、（ｂ）および図５（ａ）は、上記試験を説明する模式図である。図４（ａ）、（ｂ）は、半導体加工用粘着テープに、被着材の重量による荷重をかける前の状態を示す。図５は、半導体加工用粘着テープに、被着材の重量による荷重をかけた後の状態を示す。また、図４（ａ）は上面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ－Ａ線断面図である。図４（ａ）、（ｂ）に示すように、上記試験においては、幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍの半導体加工用粘着テープ１０、ならびに、内径３インチ、厚さ６ｍｍ、長さ９４ｍｍ、重量１５５ｇの円筒状のプラスチックコア５２と、プラスチックコア５２の外周面に配置された、厚さ３５μｍ、幅８０ｍｍ、長さ１００ｍｍの銅箔５３とを有する被着材５１を用いる。まず、半導体加工用粘着テープ１０の粘着層の面のうち、幅２５ｍｍ、長さ２５ｍｍの領域５５を、被着材５１の銅箔５３の面に貼合し、被着材５１を下側にして、半導体加工用粘着テープ１０が水平になるように、半導体加工用粘着テープ１０の長手方向の両端を、金属枠５４に固定する。なお、以下、上記の幅２５ｍｍ、長さ２５ｍｍの領域を、貼合領域と称する場合がある。次に、温度２５℃±５℃、湿度４０％ＲＨ以上６０％ＲＨ以下、エネルギー線を遮断した環境下、金属枠５４が水平になるように、被着材５１を宙づりにした状態で、３日間保管する。そして、図５に示すように、貼合領域５５において、半導体加工用粘着テープ１０が被着材５１から剥離した距離ｄを測定し、剥離距離とする。
4(a), (b) and FIG. 5(a) are schematic diagrams illustrating the above test. FIGS. 4A and 4B show the state before applying a load due to the weight of the adherend to the adhesive tape for semiconductor processing. FIG. 5 shows the state after a load due to the weight of the adherend is applied to the adhesive tape for semiconductor processing. Further, FIG. 4(a) is a top view, and FIG. 4(b) is a sectional view taken along the line AA in FIG. 4(a). As shown in FIGS. 4(a) and (b), in the above test,
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、上記試験により測定される剥離距離が所定の値以下であることにより、優れた曲面接着性を得ることができる。そのため、回路が形成されたウェハ等の被着体が反りを有する場合であっても、半導体加工用粘着テープを被着体に強く接着させることができ、端部からの浮き、剥がれを抑制することができる。したがって、ダイシング工程においては、半導体加工用粘着テープによって、被着体を確実に固定することができる。 In the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure, when the peel distance measured by the above test is equal to or less than a predetermined value, excellent curved surface adhesion can be obtained. Therefore, even if the adherend, such as a wafer on which a circuit is formed, is warped, the adhesive tape for semiconductor processing can be strongly adhered to the adherend, suppressing lifting and peeling from the edges. be able to. Therefore, in the dicing process, the adherend can be reliably fixed with the adhesive tape for semiconductor processing.
ここで、一般に、粘着テープの性能は、粘着力、保持力、タックの３つの特性で示されることが多く、粘着テープの試験方法は、ＪＩＳ Ｚ０２３７に規定されている。しかしながら、ＪＩＳ Ｚ０２３７に規定される粘着力、保持力、タックは、いずれも曲面に対しての粘着性能の評価ではない。 Generally, the performance of an adhesive tape is often indicated by three characteristics: adhesive strength, holding power, and tack, and the testing method for adhesive tapes is specified in JIS Z0237. However, none of the adhesive force, holding force, and tack specified in JIS Z0237 are evaluations of adhesive performance on curved surfaces.
これに対し、本開示においては、曲面に対しての粘着性能の評価として、上記試験を行っている。上記試験においては、半導体加工用粘着テープに、被着材の重量による荷重がかかることから、曲面に対しての、粘着力（剥がれにくさ）とともに、保持力（ずれにくさ）も評価していると考えられる。 In contrast, in the present disclosure, the above-mentioned test is conducted as an evaluation of adhesive performance on curved surfaces. In the above test, the adhesive tape for semiconductor processing is subjected to a load due to the weight of the adherend, so we evaluated both the adhesive strength (resistance to peeling) and the holding power (resistance to slipping) on curved surfaces. It is thought that there are.
よって、本開示においては、上記試験により測定される剥離距離が所定の値以下であることにより、曲面に対する粘着力および保持力を高めることができる。したがって、被着体が反りを有する場合であっても、半導体加工用粘着テープの端部からの浮き、剥がれを抑制することができ、さらには、ダイシング工程時のチップ飛び、チッピング（チップの欠け、クラック）を抑制することができる。そのため、本開示の半導体加工用粘着テープを用いることにより、被着体が反りを有する場合でも、半導体の製造に使用することが可能である。 Therefore, in the present disclosure, when the peel distance measured by the above test is equal to or less than a predetermined value, the adhesion and holding power to curved surfaces can be increased. Therefore, even if the adherend is warped, lifting and peeling from the edges of the adhesive tape for semiconductor processing can be suppressed, and furthermore, chip flying and chipping (chip chipping) during the dicing process can be suppressed. , cracks) can be suppressed. Therefore, by using the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure, even when the adherend has warp, it can be used for manufacturing semiconductors.
なお、粘着テープの曲面接着性の評価としては、例えば、粘着テープの一方の面をシート状の第１被着体に貼り付け、粘着テープの他方の面を第２被着体の曲面に貼り付けた状態で、所定時間経過した後、粘着テープの端部の浮き高さを測定する曲面接着性試験が知られている。このような曲面接着性試験では、粘着テープの一方の面にもシート状の第１被着体を貼り付けることで、粘着テープの他方の面を第２被着体の曲面に貼り付けた際に、反発力がかかるようにしていると考えられる。 In addition, to evaluate the curved surface adhesion of the adhesive tape, for example, one side of the adhesive tape is pasted on a sheet-like first adherend, and the other side of the adhesive tape is pasted on the curved surface of a second adherend. A curved surface adhesion test is known in which the floating height of the end of the adhesive tape is measured after a predetermined period of time has elapsed. In such a curved surface adhesion test, a sheet-shaped first adherend is also attached to one side of the adhesive tape, so that when the other side of the adhesive tape is attached to the curved surface of the second adherend, It is thought that a repulsive force is applied to the
これに対し、本開示においては、半導体加工用粘着テープの一方の面を被着材の曲面に貼り付けるが、半導体加工用粘着テープの他方の面は何にも貼り付けていない。この場合において、被着材の重量による荷重をかけないとすると、半導体加工用粘着テープの基材がコシがある場合には、反発力がかかるが、基材がコシがない場合には、反発力が小さいので、曲面接着性（耐反発性）を十分に評価できない可能性がある。そのため、基材が柔らかい場合であっても曲面接着性（耐反発性）を十分に評価できるように、被着材の重量による荷重をかけた状態としている。 In contrast, in the present disclosure, one side of the adhesive tape for semiconductor processing is attached to the curved surface of the adherend, but the other side of the adhesive tape for semiconductor processing is not attached to anything. In this case, if we do not apply a load due to the weight of the adherend, if the base material of the adhesive tape for semiconductor processing is stiff, a repulsive force will be applied, but if the base material is not stiff, a repulsive force will be applied. Since the force is small, curved surface adhesion (repulsion resistance) may not be fully evaluated. Therefore, even when the base material is soft, a load based on the weight of the adherend is applied so that curved surface adhesion (repulsion resistance) can be sufficiently evaluated.
以下、本開示の半導体加工用粘着テープの各構成について説明する。 Hereinafter, each structure of the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure will be explained.
１．半導体加工用粘着テープの特性
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、下記試験により測定される剥離距離が、４ｍｍ以下であり、好ましくは２ｍｍ以下であり、より好ましくは１ｍｍ以下である。上記剥離距離は小さいことが好ましく、下限は特に限定されない。
1. Characteristics of Adhesive Tape for Semiconductor Processing In the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure, the peel distance measured by the following test is 4 mm or less, preferably 2 mm or less, and more preferably 1 mm or less. The peeling distance is preferably small, and the lower limit is not particularly limited.
試験：下記工程（１）～（５）を順に有する。
（１）上記半導体加工用粘着テープを幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍの大きさにカットして試験片を調製する。
（２）内径３インチ、厚さ６ｍｍ、長さ９４ｍｍ、重量１５５ｇの円筒状のプラスチックコアと、上記プラスチックコアの外周面に配置された、厚さ３５μｍ、幅８０ｍｍ、長さ１００ｍｍの銅箔とを有する被着材を準備する。
（３）上記試験片の上記粘着層の面のうち、幅２５ｍｍ、長さ２５ｍｍの領域を、上記被着材の上記銅箔の面に貼合し、上記被着材を下側にして、上記試験片が水平になるように、上記試験片の長手方向の両端を、金属枠に固定する。
（４）温度２５℃±５℃、湿度４０％ＲＨ以上６０％ＲＨ以下、エネルギー線を遮断した環境下、上記金属枠が水平になるように、上記被着材を宙づりにした状態で、３日間保管する。
（５）上記試験片が上記被着材から剥離した距離を測定し、剥離距離とする。
Test: The following steps (1) to (5) are carried out in order.
(1) A test piece is prepared by cutting the above adhesive tape for semiconductor processing into a size of 25 mm in width and 100 mm in length.
(2) A cylindrical plastic core with an inner diameter of 3 inches, a thickness of 6 mm, a length of 94 mm, and a weight of 155 g, and a copper foil with a thickness of 35 μm, a width of 80 mm, and a length of 100 mm arranged on the outer peripheral surface of the plastic core. Prepare an adherend having the following properties.
(3) bonding a 25 mm wide and 25 mm long area of the adhesive layer surface of the test piece to the copper foil surface of the adherend, with the adherend facing downward; Both ends of the test piece in the longitudinal direction are fixed to a metal frame so that the test piece is horizontal.
(4) Under an environment where the temperature is 25°C ± 5°C, the humidity is 40% RH or more and 60% RH or less, and energy rays are blocked, the adherend is suspended in the air so that the metal frame is horizontal. Store for days.
(5) Measure the distance at which the test piece is peeled from the adherend, and define this as the peel distance.
上記工程（２）において、プラスチックコアとしては、昭和丸筒社製のアクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合樹脂（ＡＢＳ樹脂）製のプラスチックコアを用いる。また、銅箔としては、福田金属箔粉工業社製の厚さ３５μｍの圧延銅箔「ＲＣＦ－Ｔ５Ｂ」を用いる。被着材を作製する際には、圧延銅箔の光沢面が表になるように、プラスチックコアの外周面に銅箔を巻き付けて固定する。この際、銅箔の長手方向が、プラスチックコアの周方向になるように、銅箔をプラスチックコアに巻き付ける。プラスチックコアに銅箔を固定する方法としては、例えば、粘着テープで固定する方法を用いることができる。 In the above step (2), a plastic core made of acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer resin (ABS resin) manufactured by Showa Marusutsu Co., Ltd. is used as the plastic core. Further, as the copper foil, a rolled copper foil "RCF-T5B" manufactured by Fukuda Metal Foil and Powder Industries Co., Ltd. with a thickness of 35 μm is used. When producing the adherend, the copper foil is wrapped and fixed around the outer peripheral surface of the plastic core so that the shiny side of the rolled copper foil is facing up. At this time, the copper foil is wound around the plastic core so that the longitudinal direction of the copper foil is in the circumferential direction of the plastic core. As a method of fixing the copper foil to the plastic core, for example, a method of fixing with adhesive tape can be used.
なお、上記試験においては、回路が形成されたウェハ等の被着体が反りを有する場合を模して、プラスチックコアに銅箔を巻き付けている。また、半導体においては、微細化および高速化に伴い、銅配線が広く使用されていることから、上記試験においては、銅箔を用いている。 In the above test, copper foil was wrapped around a plastic core to simulate a case where an adherend such as a wafer on which a circuit was formed had warp. In addition, copper foil is used in the above test because copper wiring is widely used in semiconductors due to miniaturization and speeding up.
上記工程（３）においては、例えば図４（ａ）、（ｂ）に示すように、試験片の粘着層の面のうち、幅２５ｍｍ、長さ２５ｍｍの領域を、被着材の銅箔の面に貼合する。この際、試験片の中央部分の幅２５ｍｍ、長さ２５ｍｍの領域を、被着材の銅箔の面に貼合する。貼合は、重さ１００ｇのローラを２往復させて行う。また、この際、半導体加工用粘着テープがセパレータを有する場合には、セパレータを剥離して、粘着層を露出させればよい。次いで、例えば図４（ａ）、（ｂ）に示すように、被着材を下側にして、試験片が水平になるように、試験片の長手方向の両端を、金属枠に固定する。金属枠としては、試験片および被着材の重量によって変形せず、試験片を貼り付けることが可能なものであれば特に限定されず、例えば、厚さ１．０ｍｍ、表面仕上げ２Ｂ、材質ＳＵＳ３０４のＳＵＳ板を用いることができる。また、金属枠に試験片の長手方向の両端を固定する方法としては、例えば、半導体加工用粘着テープ自体の粘着力によって金属枠に試験片を固定してもよく、金属枠に対する半導体加工用粘着テープの粘着力が低い場合には、クリップ等の留め具を用いて金属枠に試験片を固定してもよい。 In step (3) above, for example, as shown in FIGS. 4(a) and 4(b), a region of 25 mm in width and 25 mm in length on the surface of the adhesive layer of the test piece is covered with the copper foil of the adherend. Paste on the surface. At this time, a region with a width of 25 mm and a length of 25 mm at the center of the test piece is bonded to the surface of the copper foil of the adherend. The lamination is performed by making two reciprocations with a roller weighing 100 g. Moreover, at this time, if the adhesive tape for semiconductor processing has a separator, the separator may be peeled off to expose the adhesive layer. Next, as shown in FIGS. 4A and 4B, for example, both ends of the test piece in the longitudinal direction are fixed to a metal frame so that the test piece is horizontal with the adherend facing down. The metal frame is not particularly limited as long as it does not deform due to the weight of the test piece and adherend and allows the test piece to be attached. For example, the metal frame may have a thickness of 1.0 mm, a surface finish of 2B, and a material made of SUS304. A SUS plate of 1 can be used. In addition, as a method for fixing both ends of the test piece in the longitudinal direction to the metal frame, for example, the test piece may be fixed to the metal frame using the adhesive force of the adhesive tape for semiconductor processing itself, and If the adhesive strength of the tape is low, the test piece may be fixed to the metal frame using a fastener such as a clip.
上記工程（４）においては、例えば図５に示すように、金属枠が水平になるように、被着材を宙づりにした状態とする。具体的には、金属枠５４が１２０ｍｍの高さになるまで、金属枠５４を持ち上げることで、金属枠５４が水平になるように、被着材５１を宙づりにした状態とすることができる。また、遮断するエネルギー線は、エネルギー線硬化性の粘着層を硬化させることが可能なエネルギー線であり、粘着層の種類に応じて適宜選択される。エネルギー線については、後述する。
In step (4), the adherend is suspended in the air so that the metal frame is horizontal, as shown in FIG. 5, for example. Specifically, by lifting the
また、上記工程（４）においては、上記のような被着材を宙づりにした状態で、３日間保管する。この際、被着材を宙づりにした状態としたときを試験時間０とする。そして、試験開始３日間保管する。 In step (4), the adherend as described above is suspended in the air and stored for 3 days. At this time, the test time is defined as 0 when the adherend is suspended in the air. Then, it is stored for 3 days after the start of the test.
なお、半導体加工用粘着テープは、加工工程中は被着体に貼合されているため、半導体加工用粘着テープと被着体とは長時間接触していることになる。そのため、上記工程（４）においては、保管条件について、標準的な温度および湿度とし、保管期間をやや長めに設定している。 Note that since the adhesive tape for semiconductor processing is bonded to the adherend during the processing process, the adhesive tape for semiconductor processing and the adherend are in contact for a long time. Therefore, in the above step (4), the storage conditions are set to standard temperature and humidity, and the storage period is set a little longer.
上記工程（５）においては、例えば図５に示すように、貼合領域５５において、試験片（半導体加工用粘着テープ１０）が被着材５１から剥離した距離ｄを測定する。なお、試験片（半導体加工用粘着テープ１０）が被着材５１から剥離した距離ｄは、貼合領域５５の試験片（半導体加工用粘着テープ１０）の長手方向の端部からの距離をいう。また、剥離距離は、試験片（半導体加工用粘着テープ１０）が被着材５１から剥離した距離ｄのうち、最大距離をいう。
In step (5), for example, as shown in FIG. 5, the distance d at which the test piece (adhesive tape for semiconductor processing 10) is peeled from the
上記剥離距離を制御する手段としては、例えば、基材の硬さを調整する方法、粘着層の硬さを調整する方法、半導体加工用粘着テープ全体の硬さを調整する方法、粘着層の粘着力を調整する方法等が挙げられる。例えば、基材が柔らかいと、上記剥離距離は小さくなり、基材が硬いと、上記剥離距離は大きくなる傾向にある。また、例えば、粘着層が柔らかいと、上記剥離距離は大きくなり、粘着層が硬いと、上記剥離距離は小さくなる傾向にある。また、例えば、半導体加工用粘着テープが柔らかいと、上記剥離距離は小さくなり、半導体加工用粘着テープが硬いと、上記剥離距離は大きくなる傾向にある。また、例えば、粘着層の粘着力が大きいと、上記剥離距離は小さくなり、粘着層の粘着力が小さいと、上記剥離距離は大きくなる傾向にある。具体的には、基材の硬さ、粘着層の硬さ、半導体加工用粘着テープ全体の硬さ、および、粘着層の粘着力を適宜調整することによって、剥離距離を制御することが好ましい。 Examples of means for controlling the peeling distance include methods for adjusting the hardness of the base material, methods for adjusting the hardness of the adhesive layer, methods for adjusting the hardness of the entire adhesive tape for semiconductor processing, and methods for adjusting the hardness of the adhesive layer. Examples include a method of adjusting force. For example, when the base material is soft, the above-mentioned peel distance tends to be small, and when the base material is hard, the above-mentioned peel distance tends to be large. Further, for example, if the adhesive layer is soft, the peel distance tends to be large, and if the adhesive layer is hard, the peel distance tends to be small. Further, for example, if the adhesive tape for semiconductor processing is soft, the peeling distance tends to be small, and if the adhesive tape for semiconductor processing is hard, the peeling distance tends to be large. Further, for example, when the adhesive force of the adhesive layer is high, the above-mentioned peeling distance tends to be small, and when the adhesive force of the adhesive layer is low, the above-mentioned peeling distance tends to be large. Specifically, it is preferable to control the peeling distance by appropriately adjusting the hardness of the base material, the hardness of the adhesive layer, the hardness of the entire adhesive tape for semiconductor processing, and the adhesive force of the adhesive layer.
また、基材の硬さを調整する方法において、基材の硬さは、例えば、基材のヤング率により評価することができる。 In addition, in the method of adjusting the hardness of the base material, the hardness of the base material can be evaluated by, for example, the Young's modulus of the base material.
また、粘着層の硬さを調整する方法において、粘着層の硬さは、例えば、粘着層の弾性率により評価することができる。 Furthermore, in the method of adjusting the hardness of the adhesive layer, the hardness of the adhesive layer can be evaluated, for example, by the elastic modulus of the adhesive layer.
また、半導体加工用粘着テープ全体の硬さを調整する方法において、半導体加工用粘着テープ全体の硬さは、例えば、半導体加工用粘着テープのヤング率により評価することができる。 Furthermore, in the method of adjusting the hardness of the entire adhesive tape for semiconductor processing, the hardness of the entire adhesive tape for semiconductor processing can be evaluated, for example, by the Young's modulus of the adhesive tape for semiconductor processing.
本開示の半導体加工用粘着テープのヤング率は、例えば、５０ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下であることが好ましく、７０ＭＰａ以上７００ＭＰａ以下であることがより好ましく、１００ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。半導体加工用粘着テープのヤング率が所定の値以下であることにより、上記剥離距離を小さくすることができる。一方、半導体加工用粘着テープのヤング率が低すぎると、半導体加工用粘着テープが極端に柔らかくなり、剥離時に糊残りが生じやすくなる可能性がある。 The Young's modulus of the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure is, for example, preferably 50 MPa or more and 1000 MPa or less, more preferably 70 MPa or more and 700 MPa or less, and even more preferably 100 MPa or more and 500 MPa or less. When the Young's modulus of the adhesive tape for semiconductor processing is equal to or less than a predetermined value, the above-mentioned peeling distance can be reduced. On the other hand, if the Young's modulus of the adhesive tape for semiconductor processing is too low, the adhesive tape for semiconductor processing becomes extremely soft, and there is a possibility that adhesive residue is likely to be left when peeled off.
ここで、半導体加工用粘着テープのヤング率は、ＪＩＳ Ｋ７１２７に準拠して測定することができる。具体的な測定条件を下記に示す。
・試験片：試験片タイプ５
・チャック間距離：６０ｍｍ
・引張速度：１００ｍｍ／ｍｉｎ
引張試験機としては、例えば、エー・アンド・デイ社製「テンシロンＲＴＦ１１５０」を用いることができる。
Here, the Young's modulus of the adhesive tape for semiconductor processing can be measured in accordance with JIS K7127. Specific measurement conditions are shown below.
・Test piece: Test piece type 5
・Distance between chucks: 60mm
・Tensile speed: 100mm/min
As the tensile tester, for example, "Tensilon RTF1150" manufactured by A&D Co., Ltd. can be used.
また、本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、銅板に対する粘着力が、例えば、５．０Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、７．５Ｎ／２５ｍｍ以上であることがより好ましく、１０．０Ｎ／２５ｍｍ以上であることがさらに好ましい。上記の銅板に対する粘着力が上記範囲であることにより、エネルギー線を照射するまでの間、半導体加工用粘着テープに被着体を十分に固定することができる。一方、上記の銅板に対する粘着力は、例えば、５．０Ｎ／２５ｍｍ以下である。 Further, in the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure, the adhesive force to a copper plate is preferably 5.0 N/25 mm or more, more preferably 7.5 N/25 mm or more, and 10.0 N/25 mm or more, for example. More preferably, the length is 25 mm or more. When the adhesive force to the copper plate is within the above range, the adherend can be sufficiently fixed to the adhesive tape for semiconductor processing until irradiation with energy rays. On the other hand, the adhesive force to the copper plate is, for example, 5.0 N/25 mm or less.
ここで、銅板に対する粘着力は、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９（粘着テープ・粘着シート試験方法）の試験方法の方法１（温度２３℃湿度５０％ＲＨ、テープおよびシートをステンレス試験板に対して１８０°に引きはがす試験方法）に準拠し、ステンレス試験板の代わりに銅板を用いて、幅２５ｍｍ、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、測定することができる。銅板としては、福田金属箔粉工業社製の厚さ３５μｍの圧延銅箔「ＲＣＦ－Ｔ５Ｂ」を用い、圧延銅箔の光沢面が上になるように、厚さ１．５ｍｍ、幅１００ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＳＵＳ板上に配置し、圧延銅箔の全面をＳＵＳ板に両面テープ等を介して固定することとする。 Here, the adhesion strength to the copper plate was determined by method 1 of the test method of JIS Z0237:2009 (adhesive tape/adhesive sheet testing method) (temperature: 23°C, humidity: 50% RH, tape and sheet held at 180° with respect to a stainless steel test plate). Peel test method), using a copper plate instead of a stainless steel test plate, measure by peeling the test piece in the length direction under conditions of width 25 mm, peel angle 180°, and peel rate 300 mm/min. be able to. As the copper plate, a rolled copper foil "RCF-T5B" with a thickness of 35 μm manufactured by Fukuda Metal Foil and Powder Industries Co., Ltd. was used. The rolled copper foil is placed on a SUS plate with a diameter of 150 mm, and the entire surface of the rolled copper foil is fixed to the SUS plate using double-sided tape or the like.
また、本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）板に対する粘着力が、例えば、１０．０Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、８．０Ｎ／２５ｍｍ以下であることがより好ましく、６．０Ｎ／２５ｍｍ以下であることがさらに好ましい。上記のＰＥＴ板に対する粘着力が上記範囲であることにより、エネルギー線照射前のＰＥＴ板に対するリワーク性（再剥離性）を良くすることができる。ここで、半導体加工用粘着テープは、リング状のフレームに貼付され、その半導体加工用粘着テープ上に回路が形成されたウェハが固定されて使用される。リング状のフレーム、ウェハが半導体加工用粘着テープを介してリング状のフレームに固定されたフレーム付きウェハを収納するための容器、および、半導体の製造工程での治具は、例えば樹脂製である場合がある。そのため、リング状のフレームが例えば樹脂製である場合には、上記のＰＥＴ板に対する粘着力が上記範囲であることにより、リング状のフレームへの半導体加工用粘着テープの貼付時に貼り付け不良が生じた場合であっても、半導体加工用粘着テープの貼り直しが可能である。また、容器、治具が例えば樹脂製である場合には、上記のＰＥＴ板に対する粘着力が上記範囲であることにより、フレーム付きウェハの半導体加工用粘着テープが容器や治具に貼り付いてしまった場合であっても、容器や治具からフレーム付きウェハの半導体加工用粘着テープを容易に剥離することができる。一方、上記のＰＥＴ板に対する粘着力は、例えば、１．０ Ｎ／２５ｍｍ以上であり、３．０Ｎ／２５ｍｍ以上であってもよく、５．０Ｎ／２５ｍｍ以上であってもよい。上記のＰＥＴ板に対する粘着力が上記範囲であることにより、基材と粘着層との密着性を維持することができる。 Further, in the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure, the adhesive force to a polyethylene terephthalate (PET) plate is preferably, for example, 10.0 N/25 mm or less, and more preferably 8.0 N/25 mm or less. , more preferably 6.0 N/25 mm or less. When the adhesive force to the PET board is within the above range, reworkability (repeelability) to the PET board before energy ray irradiation can be improved. Here, the adhesive tape for semiconductor processing is attached to a ring-shaped frame, and a wafer on which a circuit is formed is fixed on the adhesive tape for semiconductor processing. The ring-shaped frame, the container for storing the framed wafer in which the wafer is fixed to the ring-shaped frame via an adhesive tape for semiconductor processing, and the jig used in the semiconductor manufacturing process are made of resin, for example. There are cases. Therefore, if the ring-shaped frame is made of resin, for example, the adhesion strength to the PET board is within the above range, which may result in poor adhesion when applying the adhesive tape for semiconductor processing to the ring-shaped frame. Even in such cases, it is possible to reapply the adhesive tape for semiconductor processing. In addition, if the container or jig is made of resin, for example, the adhesive strength for the PET board is within the above range, so the adhesive tape for semiconductor processing of framed wafers may stick to the container or jig. Even in such a case, the adhesive tape for semiconductor processing of framed wafers can be easily peeled off from the container or jig. On the other hand, the adhesive force to the above-mentioned PET board is, for example, 1.0 N/25 mm or more, may be 3.0 N/25 mm or more, or may be 5.0 N/25 mm or more. When the adhesive force to the PET board is within the above range, the adhesion between the base material and the adhesive layer can be maintained.
ここで、ＰＥＴ板に対する粘着力は、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９（粘着テープ・粘着シート試験方法）の試験方法の方法１（温度２３℃湿度５０％、テープおよびシートをステンレス試験板に対し１８０°に引きはがす試験方法）に準拠し、ステンレス試験板の代わりにＰＥＴ板を用いて、幅２５ｍｍ、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、測定することができる。この際、ＰＥＴ板に半導体加工用粘着テープを貼付してから、１時間経過後に、粘着力を測定する。ＰＥＴ板としては、厚さ２．０ｍｍ、幅１００ｍｍ、長さ１５０ｍｍの住友ベークライト社製のＰＥＴ樹脂プレート「サンロイドペットエース ＥＰＧ １００（クリア）」を用いることができる。また、ＰＥＴ板としては、東レ社製のポリエステルフィルム「ルミラー＃５０－Ｓ１０」を用いることもでき、この場合、ＰＥＴ板を、厚さ１．５ｍｍ、幅１００ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＳＵＳ板に、両面テープ等を介して全面を固定して用いることとする。 Here, the adhesive strength to the PET board is determined by method 1 of the test method of JIS Z0237:2009 (adhesive tape/adhesive sheet testing method) (temperature 23°C humidity 50%, tape and sheet pulled at 180° to stainless steel test plate). Peel test method), use a PET plate instead of a stainless steel test plate, and measure by peeling the test piece in the length direction under conditions of width 25 mm, peel angle 180°, and peel rate 300 mm/min. be able to. At this time, the adhesive strength is measured one hour after the adhesive tape for semiconductor processing is attached to the PET board. As the PET plate, a PET resin plate "Sunroid PET Ace EPG 100 (clear)" manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd. with a thickness of 2.0 mm, a width of 100 mm, and a length of 150 mm can be used. In addition, as the PET board, a polyester film "Lumirror #50-S10" manufactured by Toray Industries can also be used. In this case, the PET board is replaced with a SUS board with a thickness of 1.5 mm, a width of 100 mm, and a length of 150 mm. The entire surface will be fixed using double-sided tape or the like.
また、本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、ＳＵＳ板に対する粘着力が、例えば、４．５Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、６．０Ｎ／２５ｍｍ以上であることがより好ましく、７．０Ｎ／２５ｍｍ以上であることがさらに好ましく、７．５Ｎ／２５ｍｍ以上であることが特に好ましい。上記のＳＵＳ板に対する粘着力が上記範囲であることにより、エネルギー線を照射するまでの間、半導体加工用粘着テープに被着体を十分に固定することができる。一方、上記のＳＵＳ板に対する粘着力の上限は、特に限定されないが、例えば、３０．０Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。 Further, in the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure, the adhesive force to the SUS plate is preferably 4.5N/25mm or more, more preferably 6.0N/25mm or more, and 7.0N /25mm or more is more preferable, and 7.5N/25mm or more is particularly preferable. When the adhesive force to the SUS plate is within the above range, the adherend can be sufficiently fixed to the adhesive tape for semiconductor processing until irradiation with energy rays. On the other hand, the upper limit of the adhesive force to the above-mentioned SUS plate is not particularly limited, but is preferably, for example, 30.0 N/25 mm or less.
ここで、ＳＵＳ板に対する粘着力は、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９（粘着テープ・粘着シート試験方法）の試験方法の方法１（温度２３℃湿度５０％ＲＨ、テープおよびシートをステンレス試験板に対して１８０°に引きはがす試験方法）に準拠し、幅２５ｍｍ、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、測定することができる。ＳＵＳ板は、ＳＵＳ３０４、表面仕上げＢＡ、厚さ１．５ｍｍ、幅１００ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＳＵＳ板を用いることができる。 Here, the adhesive strength to the SUS plate is determined by method 1 of the test method of JIS Z0237:2009 (adhesive tape/adhesive sheet testing method) (temperature 23°C humidity 50% RH, tape and sheet 180° to the stainless steel test plate). The test piece can be measured by peeling it in the longitudinal direction under the following conditions: width 25 mm, peel angle 180°, peel rate 300 mm/min. As the SUS plate, a SUS plate of SUS304, surface finish BA, thickness 1.5 mm, width 100 mm, and length 150 mm can be used.
また、本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が、例えば、２．０Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、１．５Ｎ／２５ｍｍ以下であることがより好ましい。エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が上記範囲であることにより、エネルギー線照射後には半導体加工用粘着テープからチップを容易に剥離することができる。一方、上記のエネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力の下限は特に限定されないが、例えば、０．０１Ｎ／２５ｍｍ以上とすることができる。 Further, in the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure, the adhesive force to the SUS plate after irradiation with energy rays is preferably, for example, 2.0 N/25 mm or less, and more preferably 1.5 N/25 mm or less. preferable. When the adhesive strength to the SUS plate after irradiation with energy rays is within the above range, the chip can be easily peeled off from the adhesive tape for semiconductor processing after irradiation with energy rays. On the other hand, the lower limit of the adhesive strength to the SUS plate after irradiation with energy rays is not particularly limited, but may be, for example, 0.01 N/25 mm or more.
ここで、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力は、下記の方法により、測定することができる。まず、半導体加工用粘着テープの粘着層にエネルギー線を照射し、硬化させる。この際、例えば、半導体加工用粘着テープの基材側の面からエネルギー線を照射することができる。次に、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９（粘着テープ・粘着シート試験方法）の試験方法の方法１（温度２３℃湿度５０％ＲＨ、テープおよびシートをステンレス試験板に対して１８０°に引きはがす試験方法）に準拠し、幅２５ｍｍ、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力を測定することができる。ＳＵＳ板は、ＳＵＳ３０４、表面仕上げＢＡ、厚さ１．５ｍｍ、幅１００ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＳＵＳ板を用いることができる。 Here, the adhesive strength to the SUS plate after irradiation with energy rays can be measured by the method described below. First, the adhesive layer of the adhesive tape for semiconductor processing is irradiated with energy rays and cured. At this time, for example, energy rays can be irradiated from the surface of the adhesive tape for semiconductor processing on the base material side. Next, test method 1 of JIS Z0237:2009 (adhesive tape/adhesive sheet test method) (temperature 23°C humidity 50% RH, test method in which the tape and sheet are peeled at 180 degrees from a stainless steel test plate) was applied. The adhesion force to the SUS plate after energy ray irradiation can be measured by peeling the test piece in the longitudinal direction under the following conditions: width 25 mm, peel angle 180°, peel speed 300 mm/min. As the SUS plate, a SUS plate of SUS304, surface finish BA, thickness 1.5 mm, width 100 mm, and length 150 mm can be used.
また、本開示の半導体加工用粘着テープにおいて、傾斜式ボールタック試験におけるボールナンバーが、例えば、５以下であることが好ましく、４以下であることがより好ましく、３以下であることがさらに好ましい。ここで、半導体加工用粘着テープのタック性が低いと、粘着層が硬くなる傾向にあり、半導体加工用粘着テープのタック性が高いと、粘着層が柔らかくなる傾向にある。本開示においては、上述したように、粘着層を柔らかくすることにより、上記剥離距離を小さくすることができるが、粘着層が柔らかくなりすぎると、伸びやすくなり、被着体が反りを有する場合には、半導体加工用粘着テープの端部から浮きや剥がれが生じやすくなる可能性がある。また、剥離時に糊残りが生じやすくなる可能性がある。そのため、半導体加工用粘着テープのタック性を適度に低くして、半導体加工用粘着テープを適度な硬さとすることにより、上記剥離距離を小さくすることができる。また、剥離時の糊残りを抑制することができる。 Further, in the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure, the ball number in the inclined ball tack test is, for example, preferably 5 or less, more preferably 4 or less, and even more preferably 3 or less. Here, if the tackiness of the adhesive tape for semiconductor processing is low, the adhesive layer tends to be hard, and if the tackiness of the adhesive tape for semiconductor processing is high, the adhesive layer tends to be soft. In the present disclosure, as described above, the peel distance can be reduced by making the adhesive layer soft, but if the adhesive layer becomes too soft, it will easily stretch, and if the adherend has warp, , the adhesive tape for semiconductor processing may easily lift or peel from the edge. Furthermore, adhesive residue may be likely to be left when peeling off. Therefore, by appropriately lowering the tackiness of the adhesive tape for semiconductor processing and making the adhesive tape for semiconductor processing appropriate hardness, the above peeling distance can be reduced. Further, it is possible to suppress adhesive residue when peeling off.
ここで、傾斜式ボールタック試験は、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準拠し、傾斜角度３０°、温度２３℃、湿度５０％ＲＨの条件で行う。ボールは、直径が１／３２インチから１インチまでの大きさのボールを用いる。そして、半導体加工用粘着テープの粘着層の表面にボールを転がしたときに、半導体加工用粘着テープの粘着層の表面で停止するボールのうち、最大のボールのナンバーで評価する。ボールナンバーは、ボールの直径を３２倍することで求められる。ボールナンバーが小さいほど、タック性が低い。 Here, the tilted ball tack test is conducted in accordance with JIS Z0237:2009 under the conditions of a tilt angle of 30°, a temperature of 23° C., and a humidity of 50% RH. The ball used has a diameter of 1/32 inch to 1 inch. Then, when a ball is rolled on the surface of the adhesive layer of the adhesive tape for semiconductor processing, evaluation is made based on the number of the largest ball among the balls that stop on the surface of the adhesive layer of the adhesive tape for semiconductor processing. The ball number is determined by multiplying the diameter of the ball by 32. The smaller the ball number, the lower the tackiness.
２．粘着層
本開示における粘着層は、基材の一方の面に配置され、エネルギー線硬化性を有する部材である。エネルギー線硬化性の粘着層は、エネルギー線の照射により硬化することで粘着力が低下する。エネルギー線硬化性の粘着層においては、ダイシング工程では、その初期粘着力により、ウェハや分割されたチップを固定することができる。また、エネルギー線硬化性の粘着層においては、ピックアップ工程または転写工程では、エネルギー線を照射して硬化させることで粘着力が低下して剥離性が向上するため、チップを剥離または転写することができる。
2. Adhesive Layer The adhesive layer in the present disclosure is a member that is disposed on one surface of the base material and has energy ray curability. The energy ray-curable adhesive layer is cured by irradiation with energy rays, thereby reducing its adhesive strength. In the energy ray-curable adhesive layer, in the dicing process, the wafer or divided chips can be fixed due to its initial adhesive force. In addition, in the pick-up process or the transfer process, energy ray-curable adhesive layers are irradiated with energy rays and cured, which reduces adhesive strength and improves releasability, making it difficult to peel or transfer chips. can.
エネルギー線としては、例えば、遠紫外線、紫外線、近紫外線、赤外線等の光線、Ｘ線、γ線等の電磁波の他、電子線、プロトン線、中性子線等が挙げられる。中でも、汎用性等の観点から、紫外線、電子線が好ましく、紫外線がより好ましい。 Examples of energy rays include light rays such as far ultraviolet rays, ultraviolet rays, near ultraviolet rays, and infrared rays, electromagnetic waves such as X-rays and gamma rays, as well as electron beams, proton beams, and neutron beams. Among these, from the viewpoint of versatility, ultraviolet rays and electron beams are preferable, and ultraviolet rays are more preferable.
粘着層の２５℃における貯蔵弾性率は、例えば、０．１ＭＰａ以上であることが好ましく、０．５ＭＰａ以上であることがより好ましく、１．０ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。ここで、粘着層の弾性率が高いと、粘着層が硬くなる傾向にあり、粘着層の弾性率が低いと、粘着層が柔らかくなる傾向にある。本開示においては、上述したように、粘着層を柔らかくすることにより、上記剥離距離を小さくすることができるが、粘着層が柔らかくなりすぎると、伸びやすくなり、被着体が反りを有する場合には、半導体加工用粘着テープの端部から浮きや剥がれが生じやすくなる可能性がある。また、剥離時に糊残りが生じやすくなる可能性がある。そのため、そのため、粘着層の弾性率を適度に高くして、粘着層を適度な硬さとすることにより、上記剥離距離を小さくすることができる。また、剥離時の糊残りを抑制することができる。一方、粘着層の２５℃における貯蔵弾性率は、例えば、１００．０ＭＰａ以下であることが好ましく、５０．０ＭＰａ以下であることがより好ましい。上記貯蔵弾性率が高すぎると、粘着層が硬くなりすぎて、上記剥離距離が大きくなったり、被着体に対する粘着性が低下したりする可能性がある。 The storage modulus of the adhesive layer at 25°C is, for example, preferably 0.1 MPa or more, more preferably 0.5 MPa or more, and even more preferably 1.0 MPa or more. Here, when the elastic modulus of the adhesive layer is high, the adhesive layer tends to be hard, and when the elastic modulus of the adhesive layer is low, the adhesive layer tends to be soft. In the present disclosure, as described above, the peel distance can be reduced by making the adhesive layer soft, but if the adhesive layer becomes too soft, it will easily stretch, and if the adherend has warp, , the adhesive tape for semiconductor processing may easily lift or peel from the edge. Furthermore, adhesive residue may be likely to be left when peeling off. Therefore, by appropriately increasing the elastic modulus of the adhesive layer and making the adhesive layer appropriate hardness, the above-mentioned peel distance can be reduced. Further, it is possible to suppress adhesive residue when peeling off. On the other hand, the storage modulus of the adhesive layer at 25° C. is preferably, for example, 100.0 MPa or less, more preferably 50.0 MPa or less. If the storage modulus is too high, the adhesive layer becomes too hard, which may increase the peel distance or reduce the adhesiveness to the adherend.
ここで、貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）によって測定された値である。動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）によって、粘着層の貯蔵弾性率を測定する際には、粘着層を巻くことによって、直径５ｍｍ以上１０ｍｍ以下、高さ５ｍｍ以上１０ｍｍ以下程度の円柱状のサンプルとする。まず、動的粘弾性測定装置の圧縮冶具（パラレルプレートφ８ｍｍ）の間に、上記の円柱状の測定サンプルを取り付ける。次に、温度：－５０℃以上１５０℃以下、昇温速度：１０℃／ｍｉｎ、周波数１．０Ｈｚの条件で、圧縮荷重をかけ、動的粘弾性測定を行う。動的粘弾性測定装置としては、例えば、ティー・エー・インスツルメント・ジャパン社製のＲＳＡ－３を用いることができる。 Here, the storage modulus is a value measured by a dynamic viscoelasticity measuring device (DMA). When measuring the storage modulus of an adhesive layer using a dynamic viscoelasticity measurement device (DMA), the adhesive layer is rolled to form a cylindrical sample with a diameter of 5 mm or more and 10 mm or less and a height of 5 mm or more and 10 mm or less. do. First, the above-mentioned cylindrical measurement sample is attached between a compression jig (parallel plate φ8 mm) of a dynamic viscoelasticity measuring device. Next, dynamic viscoelasticity is measured by applying a compressive load under the following conditions: temperature: −50° C. to 150° C., heating rate: 10° C./min, frequency 1.0 Hz. As the dynamic viscoelasticity measuring device, for example, RSA-3 manufactured by TA Instruments Japan may be used.
粘着層の貯蔵弾性率は、粘着層に含有される成分の組成や配合比等に応じて適宜調整が可能である。 The storage modulus of the adhesive layer can be adjusted as appropriate depending on the composition, blending ratio, etc. of the components contained in the adhesive layer.
粘着層としては、上記の粘着力を満たすものであれば特に限定されるものではなく、例えば、樹脂（粘着主剤）と、エネルギー線硬化性化合物とを少なくとも含有することができる。粘着層がエネルギー線硬化性化合物を含有することにより、エネルギー線の照射によりエネルギー線硬化性化合物を硬化させることで、粘着力を低下させることができ、また、このとき凝集力が高まるため、剥離が容易になる。 The adhesive layer is not particularly limited as long as it satisfies the above-mentioned adhesive strength, and may contain at least a resin (adhesive main ingredient) and an energy ray-curable compound, for example. When the adhesive layer contains an energy ray-curable compound, the adhesive force can be reduced by curing the energy ray-curable compound by irradiation with energy rays, and at this time, the cohesive force increases, making it difficult to peel off. becomes easier.
（１）樹脂（粘着主剤）
樹脂（粘着主剤）としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂等、一般に粘着剤の主剤として用いられる樹脂が挙げられる。中でも、アクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂を用いることにより、被着体への糊残りを低減することができる。
(1) Resin (adhesive base agent)
Examples of the resin (adhesive main material) include resins that are generally used as the main material of adhesives, such as acrylic resins, polyester resins, polyimide resins, and silicone resins. Among these, acrylic resin is preferred. By using an acrylic resin, it is possible to reduce adhesive residue on the adherend.
よって、粘着層は、アクリル系樹脂と、エネルギー線硬化性化合物と、架橋剤とを少なくとも含有することが好ましい。粘着層内において、アクリル系樹脂は、通常、架橋剤によりアクリル系樹脂間が架橋されてなる架橋体として存在するが、架橋体と共にアクリル系樹脂の単体が含まれていてもよい。 Therefore, it is preferable that the adhesive layer contains at least an acrylic resin, an energy ray-curable compound, and a crosslinking agent. In the adhesive layer, the acrylic resin usually exists as a crosslinked body formed by crosslinking the acrylic resins with a crosslinking agent, but a single acrylic resin may be included together with the crosslinked body.
（アクリル系樹脂）
アクリル系樹脂としては、特に限定されず、例えば、（メタ）アクリル酸エステルを単独重合させた(メタ)アクリル酸エステル重合体、（メタ）アクリル酸エステルを主成分として（メタ）アクリル酸エステルと他の単量体とを共重合させた（メタ）アクリル酸エステル共重合体が挙げられる。中でも、（メタ）アクリル酸エステル共重合体が好ましい。（メタ）アクリル酸エステルおよび他の単量体の具体例としては、特開２０１２－３１３１６号公報に開示されるものが挙げられる。他の単量体は単独または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、ここでの主成分とは、共重合割合が５１質量％以上であることを意味し、好ましくは６５質量％以上である。
(acrylic resin)
Acrylic resins are not particularly limited, and include, for example, (meth)acrylic ester polymers obtained by homopolymerizing (meth)acrylic esters, and (meth)acrylic esters containing (meth)acrylic esters as the main component. Examples include (meth)acrylic acid ester copolymers copolymerized with other monomers. Among these, (meth)acrylic acid ester copolymers are preferred. Specific examples of the (meth)acrylic acid ester and other monomers include those disclosed in JP-A No. 2012-31316. Other monomers can be used alone or in combination of two or more. In addition, the main component here means that the copolymerization ratio is 51% by mass or more, preferably 65% by mass or more.
中でも、アクリル系樹脂としては、（メタ）アクリル酸エステルを主成分とし、上記（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な水酸基含有モノマーとの共重合により得られる（メタ）アクリル酸エステル共重合体、または（メタ）アクリル酸エステルを主成分とし、上記（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な水酸基含有モノマーおよびカルボキシル基含有モノマーとの共重合により得られる（メタ）アクリル酸エステル共重合体を好適に用いることができる。 Among these, acrylic resins include (meth)acrylic ester copolymers that contain (meth)acrylic ester as a main component and are obtained by copolymerizing the above (meth)acrylic ester with a hydroxyl group-containing monomer that can be copolymerized. , or a (meth)acrylic ester copolymer containing a (meth)acrylic ester as a main component and obtained by copolymerizing a hydroxyl group-containing monomer and a carboxyl group-containing monomer that are copolymerizable with the above (meth)acrylic ester. It can be suitably used.
なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸およびメタクリル酸の少なくとも一方をいうものとする。 Note that in this specification, (meth)acrylic acid refers to at least one of acrylic acid and methacrylic acid.
共重合可能な水酸基含有モノマーおよびカルボキシル基含有モノマーとしては、特に限定されず、例えば特開２０１２－３１３１６号公報に開示される水酸基含有モノマーおよびカルボキシル基含有モノマーが用いられる。 The copolymerizable hydroxyl group-containing monomer and carboxyl group-containing monomer are not particularly limited, and for example, hydroxyl group-containing monomers and carboxyl group-containing monomers disclosed in JP-A No. 2012-31316 can be used.
アクリル系樹脂の重量平均分子量は、例えば、２０万以上１００万以下であることが好ましく、２０万以上８０万以下であることがより好ましい。アクリル系樹脂の重量平均分子量を上記範囲内とすることで、被着体への糊残りや汚染を低減することができる。 The weight average molecular weight of the acrylic resin is, for example, preferably 200,000 or more and 1,000,000 or less, and more preferably 200,000 or more and 800,000 or less. By setting the weight average molecular weight of the acrylic resin within the above range, adhesive residue and staining on the adherend can be reduced.
ここで、本明細書において、重量平均分子量とは、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定した際のポリスチレン換算値である。重量平均分子量は、例えば、測定装置に東ソー株式会社製のＨＬＣ－８２２０ＧＰＣを、カラムに東ソー株式会社製のＴＳＫＧＥＬ－ＳＵＰＥＲＭＵＬＴＩＰＯＲＥ－ＨＺ－Ｍを、溶媒にＴＨＦを、標準品として分子量が１０５０、５９７０、１８１００、３７９００、９６４００、７０６０００の標準ポリスチレンを用いることで測定することができる。 Here, in this specification, the weight average molecular weight is a polystyrene equivalent value measured by gel permeation chromatography (GPC). The weight average molecular weight can be determined by using, for example, HLC-8220GPC manufactured by Tosoh Corporation as a measuring device, TSKGEL-SUPERMULTIPORE-HZ-M manufactured by Tosoh Corporation as a column, THF as a solvent, and a standard product with a molecular weight of 1050, 5970, It can be measured using standard polystyrene of 18100, 37900, 96400, and 706000.
また、アクリル系樹脂が、（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な水酸基含有モノマーおよびカルボキシル基含有モノマーとの（メタ）アクリル酸エステル共重合体である場合、上記水酸基含有モノマーと上記カルボキシル基含有モノマーとの質量比としては、例えば、５１：４９～１００：０であることが好ましく、中でも７５：２５～１００：０であることが好ましい。各モノマーの質量比が上記範囲内であれば、エネルギー線照射による効果的な粘着力の低下が期待でき、糊残りの発生を抑制することができる。 In addition, when the acrylic resin is a (meth)acrylic ester copolymer of a hydroxyl group-containing monomer and a carboxyl group-containing monomer that are copolymerizable with the (meth)acrylic ester, the hydroxyl group-containing monomer and the carboxyl group-containing monomer are The mass ratio to the monomer is preferably 51:49 to 100:0, particularly preferably 75:25 to 100:0. If the mass ratio of each monomer is within the above range, it can be expected that the adhesive force will be effectively reduced by energy ray irradiation, and the generation of adhesive residue can be suppressed.
また、アクリル系樹脂は、エネルギー線硬化性を有していてもよく、例えば、側鎖にエネルギー線硬化性官能基を有していてもよい。エネルギー線硬化性官能基としては、例えば、エチレン性不飽和結合を有することが好ましく、具体的には、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、アリル基等が挙げられる。 Further, the acrylic resin may be energy ray curable, and may have, for example, an energy ray curable functional group in the side chain. The energy ray-curable functional group preferably has, for example, an ethylenically unsaturated bond, and specifically includes a (meth)acryloyl group, a vinyl group, an allyl group, and the like.
（２）エネルギー線硬化性化合物
エネルギー線硬化性化合物は、エネルギー線の照射を受けて重合するものであれば特に限定されず、例えば、エネルギー線硬化性官能基を有する化合物が挙げられる。
(2) Energy ray curable compound The energy ray curable compound is not particularly limited as long as it polymerizes upon irradiation with energy rays, and includes, for example, a compound having an energy ray curable functional group.
エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、エネルギー線硬化性モノマー、エネルギー線硬化性オリゴマー、エネルギー線硬化性ポリマーが挙げられる。なお、エネルギー線硬化性ポリマーは、上記の樹脂（粘着主剤）とは異なるポリマーである。中でも、エネルギー線照射前後の粘着力のバランスの観点から、エネルギー線硬化性オリゴマーが好ましい。また、エネルギー線硬化性モノマー、エネルギー線硬化性オリゴマー、エネルギー線硬化性ポリマーを組み合わせて用いてもよい。例えば、エネルギー線硬化性オリゴマーに加えてエネルギー線硬化性モノマーを用いる場合には、エネルギー線を照射した際に、粘着層を三次元架橋により硬化させて粘着力を低下させるとともに、凝集力を高めてチップ側へ転着させないようにすることができる。 Examples of the energy ray curable compound include energy ray curable monomers, energy ray curable oligomers, and energy ray curable polymers. Note that the energy ray curable polymer is a polymer different from the above-mentioned resin (adhesive base material). Among these, energy ray-curable oligomers are preferred from the viewpoint of the balance of adhesive strength before and after energy ray irradiation. Furthermore, an energy ray curable monomer, an energy ray curable oligomer, and an energy ray curable polymer may be used in combination. For example, when using an energy ray curable monomer in addition to an energy ray curable oligomer, when irradiated with energy rays, the adhesive layer is cured by three-dimensional crosslinking, reducing adhesive strength and increasing cohesive strength. This can prevent the particles from being transferred to the chip side.
また、エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、ラジカル重合性化合物、カチオン重合性化合物、アニオン重合性化合物等が挙げられる。中でも、ラジカル重合性化合物が好ましい。硬化速度が速く、また、多種多様な化合物から選択することができ、さらには、エネルギー線照射前後の粘着力等の物性を容易に制御することができる。 Moreover, examples of the energy ray-curable compound include radical polymerizable compounds, cationic polymerizable compounds, anionic polymerizable compounds, and the like. Among these, radically polymerizable compounds are preferred. It has a fast curing speed, can be selected from a wide variety of compounds, and can easily control physical properties such as adhesive strength before and after energy ray irradiation.
エネルギー線硬化性化合物において、エネルギー線硬化性官能基の数は、１分子中に２個以上であることが好ましく、１分子中に３個以上であることがより好ましく、４個以上であることがさらに好ましい。エネルギー線硬化性官能基の数が上記範囲内であれば、エネルギー線照射後の粘着層の架橋密度が十分となるので、所望の剥離性を実現することができる。また、凝集力の低下による汚染や糊残りの発生を抑制することができる。また、エネルギー線硬化性官能基の数の上限は、特に限定されない。 In the energy ray curable compound, the number of energy ray curable functional groups is preferably 2 or more in one molecule, more preferably 3 or more in 1 molecule, and 4 or more. is even more preferable. If the number of energy ray-curable functional groups is within the above range, the crosslinking density of the adhesive layer after energy ray irradiation will be sufficient, so that desired releasability can be achieved. Further, it is possible to suppress the occurrence of stains and adhesive residue due to a decrease in cohesive force. Moreover, the upper limit of the number of energy ray-curable functional groups is not particularly limited.
エネルギー線硬化性化合物は、ラジカル重合性オリゴマーであることが好ましく、ラジカル重合性多官能オリゴマーであることがより好ましい。ラジカル重合性オリゴマーとしては、例えば特開２０１２－３１３１６号公報に開示されるものが挙げられる。 The energy ray-curable compound is preferably a radically polymerizable oligomer, more preferably a radically polymerizable polyfunctional oligomer. Examples of radically polymerizable oligomers include those disclosed in JP-A No. 2012-31316.
また、エネルギー線硬化性化合物として、ラジカル重合性オリゴマーおよびラジカル重合性モノマーを用いてもよく、中でも、ラジカル重合性多官能オリゴマーおよびラジカル重合性多官能モノマーを用いてもよい。ラジカル重合性モノマーとしては、例えば特開２０１０－１７３０９１号公報に開示されるものが挙げられる。 Further, as the energy ray-curable compound, radically polymerizable oligomers and radically polymerizable monomers may be used, and among them, radically polymerizable polyfunctional oligomers and radically polymerizable polyfunctional monomers may be used. Examples of radically polymerizable monomers include those disclosed in JP-A No. 2010-173091.
また、エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、（メタ）アクリレート系モノマー、（メタ）アクリレート系オリゴマー、（メタ）アクリレート系ポリマー等を挙げることができる。また、エネルギー線硬化性化合物として、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート等を用いることもできる。 Further, examples of the energy ray-curable compound include (meth)acrylate monomers, (meth)acrylate oligomers, (meth)acrylate polymers, and the like. Further, as the energy ray-curable compound, for example, urethane (meth)acrylate, polyester (meth)acrylate, epoxy (meth)acrylate, etc. can also be used.
また、エネルギー線硬化性化合物は、市販品を用いてもよい。例えば、三菱ケミカル社製のウレタンアクリレート「紫光ＵＶ７６２０ＥＡ（分子量：４１００）」；根上工業社製のウレタンアクリレート「アートレジンＵＮ－９０５（分子量：５００００～２１００００）」、「アートレジンＵＮ－９０５ＤＵ１（分子量：２６０００）」、「アートレジンＵＮ－９５１ＳＣ（分子量：１２５００）」、「アートレジンＵＮ－９５２（分子量：６５００～９５００）」、「アートレジンＵＮ－９５３（分子量：１４０００～４００００）」、「アートレジンＵＮ－９５４（分子量：４２００）」、「アートレジンＨ－２１９（分子量：２５０００～５００００）」、「アートレジンＨ－３１５Ｍ（分子量：６６００）」、「アートレジンＨ－４１７Ｍ（分子量：４０００）」；大成ファインケミカル社製のアクリルウレタンポリマー「８ＢＲ－６００（分子量：１０００００）」；ＤＩＣ社製のポリマーアクリレート「ユニディックＶ－６８５０」；共栄社化学社製のアクリルポリマー「ＳＭＰ－２５０ＡＰ（分子量：２００００～３００００）」、「ＳＭＰ－３６０Ａ（分子量：２００００～３００００）」；昭和電工マテリアルズ社製のアクリル樹脂アクリレート「ＨＡ７９７５」等が挙げられる。 Moreover, a commercially available product may be used as the energy ray-curable compound. For example, urethane acrylate "Shikou UV7620EA (molecular weight: 4100)" manufactured by Mitsubishi Chemical; urethane acrylate "Art Resin UN-905 (molecular weight: 50,000 to 210,000)" manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd., "Art Resin UN-905DU1 (molecular weight: 26000)", "Art Resin UN-951SC (molecular weight: 12500)", "Art Resin UN-952 (molecular weight: 6500-9500)", "Art Resin UN-953 (molecular weight: 14000-40000)", "Art Resin UN-954 (molecular weight: 4200)", "Art Resin H-219 (molecular weight: 25000-50000)", "Art Resin H-315M (molecular weight: 6600)", "Art Resin H-417M (molecular weight: 4000)" Acrylic urethane polymer "8BR-600 (molecular weight: 100,000)" manufactured by Taisei Fine Chemical Co.; Polymer acrylate "Unidic V-6850" manufactured by DIC; Acrylic polymer "SMP-250AP (molecular weight: 20,000 ~) manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd. 30,000)", "SMP-360A (molecular weight: 20,000 to 30,000)"; and acrylic resin acrylate "HA7975" manufactured by Showa Denko Materials.
エネルギー線硬化性化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 Energy ray curable compounds may be used alone or in combination of two or more.
エネルギー線硬化性化合物の重量平均分子量は、特に限定されないが、例えば、５０，０００以下であることが好ましく、３５，０００であることがより好ましく、２０，０００以下であることがさらに好ましい。エネルギー線硬化性化合物の重量平均分子量が上記範囲であれば、アクリル系樹脂（粘着主剤）と十分な相溶性を示し、粘着層が、エネルギー線照射前には所望の粘着力を示し、エネルギー線照射後には糊残りの発生が抑制され、容易に剥離可能となる。一方、エネルギー線硬化性樹脂組成物の重量平均分子量は、例えば、５００以上とすることができる。 The weight average molecular weight of the energy ray-curable compound is not particularly limited, but is preferably, for example, 50,000 or less, more preferably 35,000, and even more preferably 20,000 or less. If the weight average molecular weight of the energy beam curable compound is within the above range, it will exhibit sufficient compatibility with the acrylic resin (adhesive main ingredient), the adhesive layer will exhibit the desired adhesive strength before energy beam irradiation, and After irradiation, the generation of adhesive residue is suppressed and peeling becomes easy. On the other hand, the weight average molecular weight of the energy ray curable resin composition can be, for example, 500 or more.
エネルギー線硬化性化合物の含有量は、例えば、樹脂（粘着主剤）１００質量部に対して、５質量部以上１５０質量部以下であることが好ましく、２０質量部以上１００質量部以下であることがより好ましく、５０質量部以上８０質量部以下であることがさらに好ましい。エネルギー線硬化性化合物の含有量が上記範囲内であれば、エネルギー線照射後の粘着層の架橋密度が十分となるので、所望の剥離性を実現することができる。また、凝集力の低下による汚染や糊残りの発生を抑制することができる。 The content of the energy ray-curable compound is preferably 5 parts by mass or more and 150 parts by mass or less, and preferably 20 parts by mass or more and 100 parts by mass or less, for example, with respect to 100 parts by mass of the resin (adhesive base material). More preferably, it is 50 parts by mass or more and 80 parts by mass or less. If the content of the energy ray-curable compound is within the above range, the crosslinking density of the adhesive layer after energy ray irradiation will be sufficient, so that desired releasability can be achieved. Further, it is possible to suppress the occurrence of stains and adhesive residue due to a decrease in cohesive force.
（３）重合開始剤
粘着層は、樹脂（粘着主剤）およびエネルギー線硬化性化合物に加えて、重合開始剤を含有することができる。
(3) Polymerization initiator The adhesive layer can contain a polymerization initiator in addition to the resin (adhesive main material) and the energy ray-curable compound.
重合開始剤としては、一般的な光重合開始剤を用いることができる。具体的には、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、α－ヒドロキシケトン類、ベンジルメチルケタール類、α－アミノケトン類、ビスアシルフォスフィンオキサイド類が挙げられる。エネルギー線硬化性化合物としてウレタンアクリレートを使用する場合には、重合開始剤がビスアシルフォスフィン系重合開始剤であることが好ましい。この重合開始剤は耐熱性を有するため、基材に粘着剤組成物を塗布してエネルギー線照射を行う際に、基材を介してエネルギー線照射を行う場合であっても、確実にエネルギー線硬化性化合物を硬化させることができる。 As the polymerization initiator, a general photopolymerization initiator can be used. Specific examples include acetophenones, benzophenones, α-hydroxyketones, benzylmethyl ketals, α-aminoketones, and bisacylphosphine oxides. When using urethane acrylate as the energy ray-curable compound, the polymerization initiator is preferably a bisacylphosphine-based polymerization initiator. This polymerization initiator has heat resistance, so when applying the adhesive composition to a base material and irradiating it with energy rays, even if the energy rays are irradiated through the base material, the energy rays can be reliably applied. Curable compounds can be cured.
重合開始剤は、波長２３０ｎｍ以上に吸収を有することが好ましく、波長３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下に吸収を有することが好ましい。このような重合開始剤は、波長３００ｎｍ以上の幅の広いエネルギー線を吸収し、エネルギー線硬化性化合物の重合反応を誘発する活性種を効率的に生成することができる。そのため、少量のエネルギー線照射量でもエネルギー線硬化性化合物を効率的に硬化させることができ、容易に剥離可能となる。また、後述するように基材には樹脂等を用いることができ、樹脂には、波長３００ｎｍ程度までのエネルギー線を吸収するものの、波長３００ｎｍ程度以上のエネルギー線を透過するものが多い。さらに、近年では、エネルギー線照射装置において、波長３００ｎｍ以上のＬＥＤランプを使用することが多い。そのため、波長２３０ｎｍ以上に吸収を有する重合開始剤を用いることにより、基材を透過したエネルギー線を利用してエネルギー線硬化性化合物を硬化させることができる。 The polymerization initiator preferably has absorption at a wavelength of 230 nm or more, and preferably has absorption at a wavelength of 300 nm or more and 400 nm or less. Such a polymerization initiator absorbs a wide range of energy rays with a wavelength of 300 nm or more, and can efficiently generate active species that induce a polymerization reaction of an energy ray-curable compound. Therefore, even with a small amount of energy ray irradiation, the energy ray curable compound can be efficiently cured and can be easily peeled off. Further, as will be described later, a resin or the like can be used as the base material, and many resins absorb energy rays with a wavelength of about 300 nm or more, but transmit energy rays with a wavelength of about 300 nm or more. Furthermore, in recent years, LED lamps with a wavelength of 300 nm or more are often used in energy ray irradiation devices. Therefore, by using a polymerization initiator that has absorption at a wavelength of 230 nm or more, it is possible to cure the energy ray-curable compound using energy rays that have passed through the base material.
重合開始剤の含有量は、例えば、樹脂（粘着主剤）およびエネルギー線硬化性化合物の合計１００質量部に対して、０．０１質量部以上１０質量部以下であることが好ましく、０．５質量部以上６質量部以下であることがより好ましい。重合開始剤の含有量が上記範囲に満たないと、エネルギー線硬化性化合物の重合反応が十分起こらず、エネルギー線照射後の粘着層の粘着力が過剰に高くなり、剥離性を実現することができない場合がある。一方、重合開始剤の含有量が上記範囲を超えると、エネルギー線照射面の近傍にしかエネルギー線が届かず、粘着層の硬化が不十分となる場合がある。また、凝集力が低下し、汚染や糊残りの発生の原因となる場合もある。 The content of the polymerization initiator is, for example, preferably 0.01 parts by mass or more and 10 parts by mass or less, and 0.5 parts by mass, based on a total of 100 parts by mass of the resin (adhesive main material) and the energy ray curable compound. More preferably, the amount is 6 parts by mass or more and 6 parts by mass or less. If the content of the polymerization initiator is less than the above range, the polymerization reaction of the energy ray-curable compound will not occur sufficiently, and the adhesive force of the adhesive layer after energy ray irradiation will become excessively high, making it difficult to achieve removability. It may not be possible. On the other hand, if the content of the polymerization initiator exceeds the above range, the energy rays may reach only the vicinity of the energy ray irradiated surface, resulting in insufficient curing of the adhesive layer. In addition, the cohesive force may decrease, causing stains and adhesive residue.
（４）架橋剤
粘着層は、樹脂（粘着主剤）およびエネルギー線硬化性化合物に加えて、架橋剤を含有することができる。
(4) Crosslinking agent The adhesive layer can contain a crosslinking agent in addition to the resin (adhesive main agent) and the energy ray-curable compound.
架橋剤は、少なくとも樹脂（粘着主剤）間を架橋するものであれば特に限定されるものではなく、樹脂（粘着主剤）の種類等に応じて適宜選択することができ、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。イソシアネート系架橋剤およびエポキシ系架橋剤の具体例としては、特開２０１２－３１３１６号公報に開示されるものが挙げられる。架橋剤は、単独または２種以上を組み合わせて用いることができる。 The crosslinking agent is not particularly limited as long as it crosslinks at least between the resins (adhesive main material), and can be selected as appropriate depending on the type of resin (adhesive main material). For example, isocyanate-based crosslinking agents , epoxy crosslinking agents, metal chelate crosslinking agents, and the like. Specific examples of the isocyanate-based crosslinking agent and the epoxy-based crosslinking agent include those disclosed in JP-A No. 2012-31316. Crosslinking agents can be used alone or in combination of two or more.
架橋剤の含有量としては、架橋剤の種類に応じて適宜設定することができるが、例えば、樹脂（粘着主剤）１００質量部に対して、０．０１質量部以上１５質量部以下であることが好ましく、０．０１質量部以上１０質量部以下であることがより好ましい。架橋剤の含有量が上記範囲に満たないと、密着性が劣る場合や、チップを剥離または転写する際に粘着層が凝集破壊を起こして糊残りが生じる場合がある。一方、架橋剤の含有量が上記範囲を超えると、エネルギー線照射後の粘着層中に架橋剤が未反応モノマーとして残留することで、凝集力の低下により汚染や糊残りの発生の原因となる場合がある。 The content of the crosslinking agent can be set as appropriate depending on the type of crosslinking agent, but for example, it should be 0.01 parts by mass or more and 15 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the resin (adhesive main ingredient). is preferable, and more preferably 0.01 parts by mass or more and 10 parts by mass or less. If the content of the crosslinking agent is less than the above range, the adhesion may be poor, or the adhesive layer may cause cohesive failure and adhesive residue may occur when the chip is peeled off or transferred. On the other hand, if the content of the cross-linking agent exceeds the above range, the cross-linking agent will remain as an unreacted monomer in the adhesive layer after irradiation with energy rays, resulting in a decrease in cohesive force and the generation of stains and adhesive residue. There are cases.
（５）添加剤
粘着層は、必要に応じて、各種添加剤を含んでいてもよい。添加剤としては、例えば、粘着付与剤、耐電防止剤、可塑剤、シランカップリング剤、金属キレート剤、界面活性剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、着色剤、防腐剤、消泡剤、ぬれ性調整剤、粘着力調整剤等が挙げられる。
(5) Additives The adhesive layer may contain various additives as necessary. Examples of additives include tackifiers, antistatic agents, plasticizers, silane coupling agents, metal chelating agents, surfactants, antioxidants, ultraviolet absorbers, colorants, preservatives, antifoaming agents, and wetting agents. Examples include a property regulator, an adhesive force regulator, and the like.
また、粘着層は、上述のように、粘着力調整剤を含んでいてもよい。粘着力調整剤は、例えば、セパレータに対する剥離性や、タック性を調整する目的で使用することができる。粘着力調整剤としては、例えば、アクリル系ブロック共重合体、ポリエステル樹脂等が挙げられる。アクリル系ブロック共重合体やポリエステル樹脂は、市販品を用いてもよい。アクリル系ブロック共重合体としては、具体的には、クラレ社の製クラリティシリーズ（例えば、「ＬＡ４２８５」、「ＬＡ２２７０」、「ＬＡ２２５０」、「ＬＡ２１４０」、「ＬＡ２３３０」、「ＬＡ３３２０」等）、アルケマ社製のＮＡＮＯＳＴＲＥＮＧＴＨ（例えば、「Ｍ２２」、「Ｍ２２Ｎ」、「Ｍ５２Ｎ」等）が挙げられる。また、ポリエステル樹脂としては、例えば、東洋紡社製のバイロンシリーズ（例えば、「バイロン２００」、「バイロン６００」等）、ユニチカ社製のエリーテルシリーズ（「エリーテルＵＥ３２１０」、「エリーテルＵＥ９２００」等）が挙げられる。 Further, the adhesive layer may contain an adhesive force regulator as described above. The adhesive force regulator can be used, for example, for the purpose of adjusting the peelability and tackiness of the separator. Examples of the adhesive strength modifier include acrylic block copolymers, polyester resins, and the like. Commercially available acrylic block copolymers and polyester resins may be used. Specifically, the acrylic block copolymer includes Clarity series manufactured by Kuraray Co., Ltd. (for example, "LA4285", "LA2270", "LA2250", "LA2140", "LA2330", "LA3320", etc.), Arkema Co., Ltd. NANOSTRENGTH (for example, "M22", "M22N", "M52N", etc.) manufactured by Co., Ltd. can be mentioned. Examples of polyester resins include the Byron series manufactured by Toyobo Co., Ltd. (for example, "Byron 200", "Byron 600", etc.) and the Elitel series manufactured by Unitika ("Eritel UE3210", "Eritel UE9200", etc.). Can be mentioned.
（６）粘着層の厚さおよび形成方法
粘着層の厚さとしては、十分な粘着力が得られ、かつ、エネルギー線が内部まで透過することが可能な厚さであればよく、例えば、３μｍ以上５０μｍ以下であり、好ましくは５μｍ以上４０μｍ以下である。
(6) Adhesive layer thickness and formation method The adhesive layer may have a thickness that provides sufficient adhesion and allows energy rays to penetrate inside, for example, 3 μm. It is not less than 50 μm and not more than 50 μm, preferably not less than 5 μm and not more than 40 μm.
粘着層の形成方法としては、例えば、基材上に粘着剤組成物を塗布する方法や、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して粘着層を形成し、粘着層および基材を貼り合わせる方法が挙げられる。 Examples of methods for forming the adhesive layer include a method of applying an adhesive composition onto a base material, a method of applying an adhesive composition onto a separator to form an adhesive layer, and a method of bonding the adhesive layer and the base material. can be mentioned.
３．基材
本開示における基材は、上記粘着層を支持する部材である。
3. Base Material The base material in the present disclosure is a member that supports the adhesive layer.
基材としては、特に限定されないが、ピックアップ工程または転写工程では半導体加工用粘着テープの基材側からエネルギー線を照射して粘着層を硬化させることにより、粘着層の粘着力を低下させることが好ましいことから、基材は、エネルギー線を透過するものであることが好ましい。 The base material is not particularly limited, but the adhesive strength of the adhesive layer can be reduced by irradiating the adhesive layer with energy rays from the base material side of the adhesive tape for semiconductor processing in the pick-up process or the transfer process. Preferably, the base material is one that transmits energy rays.
基材は、エキスパンド可能であることが好ましい。具体的には、基材のヤング率は、例えば、１０００ＭＰａ以下であることが好ましく、７００ＭＰａ以下であることがより好ましく、５００ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。基材のヤング率が上記範囲であれば、基材のエキスパンド性を向上させることができる。また、基材のヤング率は、例えば、５０ＭＰａ以上であることが好ましく、７０ＭＰａ以上であることがより好ましく、１００ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。基材のヤング率が低すぎると、基材が極端に柔らかくなり、半導体加工用粘着テープを均一に拡張することが困難になる可能性がある。 Preferably, the substrate is expandable. Specifically, the Young's modulus of the base material is, for example, preferably 1000 MPa or less, more preferably 700 MPa or less, and even more preferably 500 MPa or less. When the Young's modulus of the base material is within the above range, the expandability of the base material can be improved. Further, the Young's modulus of the base material is, for example, preferably 50 MPa or more, more preferably 70 MPa or more, and even more preferably 100 MPa or more. If the Young's modulus of the base material is too low, the base material will become extremely soft and it may be difficult to uniformly expand the adhesive tape for semiconductor processing.
ここで、基材のヤング率は、ＪＩＳ Ｋ７１２７に準拠して測定することができる。具体的な測定条件を下記に示す。
・試験片：試験片タイプ５
・チャック間距離：６０ｍｍ
・引張速度：１００ｍｍ／ｍｉｎ
引張試験機としては、例えば、エー・アンド・デイ社製「テンシロンＲＴＦ１１５０」を用いることができる。
Here, the Young's modulus of the base material can be measured in accordance with JIS K7127. Specific measurement conditions are shown below.
・Test piece: Test piece type 5
・Distance between chucks: 60mm
・Tensile speed: 100mm/min
As the tensile tester, for example, "Tensilon RTF1150" manufactured by A&D Co., Ltd. can be used.
基材の材質としては、上記の特性を満たすものであることが好ましく、例えば、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、ポリブタジエン、エチレン酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン（メタ）アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル樹脂；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂；ウレタン樹脂；ポリスチレン樹脂；ポリカーボネート樹脂；フッ素樹脂等が挙げられる。また、基材の材質としては、例えば、オレフィン系エラストマー、塩化ビニル系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、スチレン系エラストマー、ウレタン系エラストマー、アクリル系エラストマー、アミド系エラストマー等の熱可塑性エラストマー；イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブチルゴム、ハロゲン化ブチルゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、多硫化ゴム等のゴム系材料を挙げることができる。これらは１種単独で用いてもよく２種以上を組み合わせて用いてもよい。 The material for the base material preferably satisfies the above characteristics, such as low density polyethylene, high density polyethylene, polypropylene, polybutene, polymethylpentene, polybutadiene, ethylene vinyl acetate copolymer, ionomer resin, ethylene. Olefin resins such as (meth)acrylic acid copolymers and ethylene (meth)acrylic acid ester copolymers; Vinyl chloride resins such as polyvinyl chloride and vinyl chloride copolymers; Polyester resins such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate ; urethane resin; polystyrene resin; polycarbonate resin; fluororesin and the like. In addition, examples of the base material include thermoplastic elastomers such as olefin elastomers, vinyl chloride elastomers, polyester elastomers, styrene elastomers, urethane elastomers, acrylic elastomers, and amide elastomers; isoprene rubber, butadiene rubber; Rubber materials such as , styrene-butadiene rubber, chloroprene rubber, acrylonitrile-butadiene rubber, butyl rubber, halogenated butyl rubber, acrylic rubber, urethane rubber, and polysulfide rubber can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.
中でも、オレフィン系樹脂または塩化ビニル樹脂が好ましく、塩化ビニル樹脂がより好ましい。すなわち、基材は、オレフィン系樹脂または塩化ビニル樹脂を含有することが好ましく、塩化ビニル樹脂を含有することがより好ましい。塩化ビニル樹脂は可塑剤を添加することにより軟化するため、いわゆる軟質塩化ビニル樹脂を用いることにより、後述するように降伏点を有さない基材とすることができる。 Among these, olefin resins or vinyl chloride resins are preferred, and vinyl chloride resins are more preferred. That is, the base material preferably contains an olefin resin or a vinyl chloride resin, and more preferably contains a vinyl chloride resin. Since vinyl chloride resin is softened by adding a plasticizer, by using a so-called soft vinyl chloride resin, a base material having no yield point can be obtained as described later.
塩化ビニル樹脂としては、例えば、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、塩素化ポリエチレン、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－エチレン共重合体、塩化ビニル－プロピレン共重合体、塩化ビニル－スチレン共重合体、塩化ビニル－イソブチレン共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－スチレン－無水マレイン酸三元共重合体、塩化ビニル－スチレン－アクリロニトリル三元共重合体、塩化ビニル－ブタジエン共重合体、塩化ビニル－イソプレン共重合体、塩化ビニル－塩素化プロピレン共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン－酢酸ビニル三元共重合体、塩化ビニル－マレイン酸エステル共重合体、塩化ビニル－メタクリル酸エステル共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル－各種ビニルエーテル共重合体等の塩素含有樹脂；それらの塩素含有樹脂の混合物；それらの塩素含有樹脂と他の塩素を含まない樹脂との混合物、ブロック共重合体、グラフト共重合体等を挙げることができる。他の塩素を含まない樹脂としては、例えば、アクリロニトリル－スチレン共重合体、アクリロニトリル－スチレン－ブタジエン三元共重合体、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－エチル（メタ）アクリレート共重合体、ポリエステル等が挙げられる。 Examples of the vinyl chloride resin include polyvinyl chloride, chlorinated polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, chlorinated polyethylene, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, vinyl chloride-ethylene copolymer, and vinyl chloride-propylene copolymer. , vinyl chloride-styrene copolymer, vinyl chloride-isobutylene copolymer, vinyl chloride-vinylidene chloride copolymer, vinyl chloride-styrene-maleic anhydride terpolymer, vinyl chloride-styrene-acrylonitrile terpolymer polymerization, vinyl chloride-butadiene copolymer, vinyl chloride-isoprene copolymer, vinyl chloride-chlorinated propylene copolymer, vinyl chloride-vinylidene chloride-vinyl acetate terpolymer, vinyl chloride-maleic acid ester copolymer chlorine-containing resins such as vinyl chloride-methacrylic acid ester copolymers, vinyl chloride-acrylonitrile copolymers, vinyl chloride-various vinyl ether copolymers; mixtures of these chlorine-containing resins; mixtures of these chlorine-containing resins and other Examples include mixtures with chlorine-free resins, block copolymers, and graft copolymers. Other chlorine-free resins include, for example, acrylonitrile-styrene copolymer, acrylonitrile-styrene-butadiene terpolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl (meth)acrylate copolymer, polyester etc.
基材は、必要に応じて、例えば、可塑剤、充填剤、酸化防止剤、光安定剤、帯電防止剤、滑剤、分散剤、難燃剤、着色剤等の各種の添加剤を含有していてもよい。 The base material may contain various additives such as plasticizers, fillers, antioxidants, light stabilizers, antistatic agents, lubricants, dispersants, flame retardants, colorants, etc., as necessary. Good too.
基材は、例えば、単層であってもよく、多層であってもよい。 The base material may be, for example, a single layer or a multilayer.
基材は、降伏点を有さないことが好ましい。すなわち、基材は、応力－歪み曲線において、弾性変形を示すことが好ましい。応力－歪み曲線は、引張試験により得られる応力と歪みの関係曲線であり、歪み（％）を横軸に、応力（ＭＰａ）を縦軸にとって描かれる。応力－歪み曲線における降伏点までの領域は、弾性変形領域とみなせ、応力－歪み曲線における降伏点以降の領域は、塑性変形領域とみなせる。そのため、基材が降伏点を有さない場合には、基材は弾性変形を示すということができる。基材が降伏点を有さない場合には、エキスパンド工程およびピックアップ工程において、半導体加工用粘着テープを均一に拡張させることができる。また、基材が降伏点を有さない場合には、基材を伸長させても復元性を失わないため、半導体の加工をしやすくすることができる。 Preferably, the base material does not have a yield point. That is, the base material preferably exhibits elastic deformation in the stress-strain curve. The stress-strain curve is a relationship curve between stress and strain obtained by a tensile test, and is drawn with strain (%) on the horizontal axis and stress (MPa) on the vertical axis. The region up to the yield point on the stress-strain curve can be regarded as an elastic deformation region, and the region after the yield point on the stress-strain curve can be regarded as a plastic deformation region. Therefore, if the base material does not have a yield point, it can be said that the base material exhibits elastic deformation. When the base material does not have a yield point, the adhesive tape for semiconductor processing can be uniformly expanded in the expanding process and the picking up process. In addition, when the base material does not have a yield point, the base material does not lose its restorability even if it is stretched, which makes it easier to process semiconductors.
ここで、「降伏」とは、応力－歪み曲線で見られるように、物体に働く応力が弾性限度を超えると応力の増大がないのに変形が徐々に進行する現象のことをいい、「降伏点」とは、弾性挙動の最大応力値における点のことをいう。 Here, "yielding" refers to a phenomenon in which deformation gradually progresses even though there is no increase in stress when the stress acting on an object exceeds its elastic limit, as seen in the stress-strain curve. "Point" refers to the point at the maximum stress value of elastic behavior.
降伏点の有無は、以下の方法により確認することができる。基材についてＭＤ方向およびＴＤ方向にそれぞれ引張試験を行い、基材が破断するまでの応力と歪みを測定し、歪みを横軸、応力を縦軸にそれぞれプロットする。その際、傾きが正の値からゼロまたは負の値に変化する応力値をとる場合を降伏点を有する、傾きが正の値からゼロまたは負の値に変化する応力値をとらない場合を降伏点を有さないとする。引張試験は、ＪＩＳ Ｋ７１２７に準拠して行うことができる。引張試験機としては、例えば、エー・アンド・デイ社製「テンシロンＲＴＦ１１５０」を用いることができる。基材は、ＭＤ方向およびＴＤ方向の引張試験のいずれの場合においても、降伏点を有さないことが好ましい。 The presence or absence of a yield point can be confirmed by the following method. A tensile test is performed on the base material in the MD direction and the TD direction, and the stress and strain until the base material breaks are measured, and the strain is plotted on the horizontal axis and the stress is plotted on the vertical axis. In this case, a case where the slope takes a stress value that changes from a positive value to zero or a negative value is considered a yield point, and a case where the slope does not take a stress value that changes from a positive value to a zero or negative value is a yield point. Assume that it has no points. The tensile test can be performed in accordance with JIS K7127. As the tensile tester, for example, "Tensilon RTF1150" manufactured by A&D Co., Ltd. can be used. Preferably, the base material does not have a yield point in either the MD direction or the TD direction tensile test.
基材の粘着層側の面には、粘着層との密着性を向上させるために、表面処理が施されていてもよい。表面処理としては、特に限定されず、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、オゾン処理、フレーム処理、プライマー処理、アルカリ処理等が挙げられる。 The surface of the base material on the adhesive layer side may be subjected to surface treatment in order to improve adhesion to the adhesive layer. The surface treatment is not particularly limited, and includes, for example, corona treatment, plasma treatment, ozone treatment, flame treatment, primer treatment, alkali treatment, and the like.
基材の厚さとしては、特に限定されず、例えば、２０μｍ以上５００μｍ以下であり、４０μｍ以上３５０μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上２００μｍ以下であってもよい。基材の厚さが上記範囲内であれば、エキスパンドしやすく、また破断しない程度の十分な強度を有する基材とすることができる。 The thickness of the base material is not particularly limited, and may be, for example, 20 μm or more and 500 μm or less, 40 μm or more and 350 μm or less, or 50 μm or more and 200 μm or less. If the thickness of the base material is within the above range, the base material can be easily expanded and has sufficient strength to prevent breakage.
４．その他の構成
本開示の半導体加工用粘着テープは、上記の基材および粘着層の他に、必要に応じて、他の構成を有することができる。
4. Other Structures The adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure may have other structures as necessary in addition to the base material and adhesive layer described above.
本開示の半導体加工用粘着テープは、粘着層の基材とは反対側の面にセパレータを有していてもよい。セパレータにより粘着層を保護することができる。 The adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure may have a separator on the surface of the adhesive layer opposite to the base material. The separator can protect the adhesive layer.
また、本開示の半導体加工用粘着テープは、基材と粘着層との間にプライマー層を有していてもよい。プライマー層により基材および粘着層の密着性を高めることができる。 Moreover, the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure may have a primer layer between the base material and the adhesive layer. The primer layer can improve the adhesion between the base material and the adhesive layer.
５．用途
本開示の半導体加工用粘着テープは、ダイシングテープとして好適に用いることができる。
5. Applications The adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure can be suitably used as a dicing tape.
なお、本開示は、上記実施形態に限定されない。上記実施形態は、例示であり、本開示における特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本開示における技術的範囲に包含される。 Note that the present disclosure is not limited to the above embodiments. The above-mentioned embodiments are illustrative, and any configuration that has substantially the same technical idea as the claims of the present disclosure and provides similar effects is the present invention. within the technical scope of the disclosure.
以下、実施例および比較例を示し、本開示をさらに説明する。 Hereinafter, the present disclosure will be further explained by showing Examples and Comparative Examples.
［材料］
下記に、粘着剤組成物に用いた材料を示す。
・粘着主剤Ａ（アクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量８０万）
・粘着主剤Ｂ（アクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量２０万）
・ウレタンアクリレートＡ（紫外線硬化性化合物、９官能、分子量４１００）
・ウレタンアクリレートＢ（紫外線硬化性化合物、６官能、分子量４２００）
・ウレタンアクリレートＣ（紫外線硬化性化合物、１０官能、分子量２０００）
・ウレタンアクリレートＤ（紫外線硬化性化合物、９～１５官能、分子量２００００）
・ウレタンアクリレートＥ（紫外線硬化性化合物、２官能、分子量３０００）
・ウレタンアクリレートＦ（紫外線硬化性化合物、二重結合当量２０００ｇ／ｍｏｌ、分子量１５０００）
・重合開始剤（アシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキサイド）
・架橋剤Ａ（エポキシ系硬化剤、Ｎ，Ｎ，Ｎ‘，Ｎ’－テトラグリシジル－ｍ－キシリレンジアミン）
・架橋剤Ｂ：（金属キレート系硬化剤、アルミニウムトリスアセチルアセトネート）
・架橋剤Ｃ：（イソシアネート系硬化剤、トリメチロールプロパンのトルイレンジイソシアネートアダクト体）
・粘着力調整剤Ａ（メタクリル酸メチル・アクリル酸ｎ－ブチル共重合体、アクリル酸ｎ－ブチルの含有量：５０質量％）
・粘着力調整剤Ｂ（ポリアクリル酸エステル樹脂、ガラス転移温度（Ｔｇ）：２０℃、水酸基価：３５ｍｇＫＯＨ／ｇ、質量平均分子量：２５，０００）
[material]
The materials used in the adhesive composition are shown below.
・Adhesive main agent A (acrylic ester copolymer, weight average molecular weight 800,000)
・Adhesive main agent B (acrylic acid ester copolymer, weight average molecular weight 200,000)
・Urethane acrylate A (ultraviolet curable compound, 9 functional, molecular weight 4100)
・Urethane acrylate B (ultraviolet curable compound, hexafunctional, molecular weight 4200)
・Urethane acrylate C (ultraviolet curable compound, 10 functional, molecular weight 2000)
・Urethane acrylate D (ultraviolet curable compound, 9-15 functional, molecular weight 20,000)
・Urethane acrylate E (ultraviolet curable compound, bifunctional, molecular weight 3000)
・Urethane acrylate F (ultraviolet curable compound, double bond equivalent 2000g/mol, molecular weight 15000)
・Polymerization initiator (acylphosphine oxide photopolymerization initiator, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide)
・Crosslinking agent A (epoxy curing agent, N,N,N',N'-tetraglycidyl-m-xylylenediamine)
・Crosslinking agent B: (metal chelate curing agent, aluminum trisacetylacetonate)
・Crosslinking agent C: (isocyanate curing agent, toluylene diisocyanate adduct of trimethylolpropane)
・Adhesive strength modifier A (methyl methacrylate/n-butyl acrylate copolymer, content of n-butyl acrylate: 50% by mass)
・Adhesive strength modifier B (polyacrylic acid ester resin, glass transition temperature (Tg): 20°C, hydroxyl value: 35 mgKOH/g, mass average molecular weight: 25,000)
［実施例１］
基材として、塩化ビニル樹脂７０質量部と、可塑剤２５質量部と、ノニルフェノール０．３質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、カレンダー法により製膜し、厚さ９０μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）フィルムを作製した。
[Example 1]
Using a resin composition containing 70 parts by mass of vinyl chloride resin, 25 parts by mass of plasticizer, and 0.3 parts by mass of nonylphenol as a base material, a film was formed by a calendar method to form a polyvinyl chloride film with a thickness of 90 μm. (PVC) film was produced.
粘着主剤Ａ １００質量部と、ウレタンアクリレートＡ ４０質量部と、ウレタンアクリレートＢ ３０質量部と、架橋剤Ｃ ３．０質量部と、重合開始剤７質量部と、粘着力調整剤Ａ ０．５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２０％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。 100 parts by mass of adhesive main agent A, 40 parts by mass of urethane acrylate A, 30 parts by mass of urethane acrylate B, 3.0 parts by mass of crosslinking agent C, 7 parts by mass of polymerization initiator, and 0.5 parts by mass of adhesive force regulator A. parts by mass were diluted with a mixed solvent of methyl ethyl ketone and toluene (mixing ratio 1:1) to a solid content of 20%, and sufficiently dispersed to prepare an adhesive composition.
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）セパレータ上に、乾燥後の厚さが２０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗工し、１１０℃オーブンで３分間乾燥させて、粘着層を形成した。 The above adhesive composition was coated on a polyethylene terephthalate (PET) separator so that the thickness after drying was 20 μm, and dried in an oven at 110° C. for 3 minutes to form an adhesive layer.
次に、上記粘着層上に、上記基材をラミネートした後、５０℃で３日間エージングを行い、半導体加工用粘着テープを作製した。 Next, the base material was laminated on the adhesive layer, and then aged at 50° C. for 3 days to produce an adhesive tape for semiconductor processing.
［実施例２］
下記のようにして粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
[Example 2]
An adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the adhesive composition was prepared as described below.
粘着主剤Ａ １００質量部と、ウレタンアクリレートＡ ４０質量部と、ウレタンアクリレートＤ １５質量部と、ウレタンアクリレートＥ １５質量部と、架橋剤Ａ ０．０５質量部と、架橋剤Ｂ ０．１５質量部と、重合開始剤７．０質量部と、粘着力調整剤Ａ ０．５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２０％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。 100 parts by mass of adhesive main agent A, 40 parts by mass of urethane acrylate A, 15 parts by mass of urethane acrylate D, 15 parts by mass of urethane acrylate E, 0.05 parts by mass of crosslinking agent A, and 0.15 parts by mass of crosslinking agent B. , 7.0 parts by mass of polymerization initiator, and 0.5 parts by mass of adhesive strength modifier A are diluted with a mixed solvent of methyl ethyl ketone and toluene (mixing ratio 1:1) to a solid content of 20%, A pressure-sensitive adhesive composition was prepared by thoroughly dispersing the mixture.
［実施例３］
下記のようにして粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
[Example 3]
An adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the adhesive composition was prepared as described below.
粘着主剤Ａ １００質量部と、ウレタンアクリレートＢ ７０質量部と、架橋剤Ｃ ３質量部と、重合開始剤７質量部と、粘着力調整剤Ａ ０．５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２０％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。 100 parts by mass of adhesive base agent A, 70 parts by mass of urethane acrylate B, 3 parts by mass of crosslinking agent C, 7 parts by mass of polymerization initiator, and 0.5 parts by mass of adhesive strength modifier A are mixed with methyl ethyl ketone and toluene. A pressure-sensitive adhesive composition was prepared by diluting the mixture with a solvent (mixing ratio 1:1) to a solid content of 20% and thoroughly dispersing it.
［実施例４］
下記のようにして粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
[Example 4]
An adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the adhesive composition was prepared as described below.
粘着主剤Ａ １００質量部と、ウレタンアクリレートＤ ７０質量部と、架橋剤Ｃ ３質量部と、重合開始剤７質量部と、粘着力調整剤Ａ ０．５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２０％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。 100 parts by mass of adhesive main agent A, 70 parts by mass of urethane acrylate D, 3 parts by mass of crosslinking agent C, 7 parts by mass of polymerization initiator, and 0.5 parts by mass of adhesive strength modifier A are mixed with methyl ethyl ketone and toluene. A pressure-sensitive adhesive composition was prepared by diluting the mixture with a solvent (mixing ratio 1:1) to a solid content of 20% and thoroughly dispersing it.
［実施例５］
下記のようにして粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
[Example 5]
An adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the adhesive composition was prepared as described below.
粘着主剤Ａ １００質量部と、ウレタンアクリレートＡ ４０質量部と、ウレタンアクリレートＥ １５質量部と、ウレタンアクリレートＦ １５質量部と、架橋剤Ａ ０．０５質量部と、架橋剤Ｂ ０．１５質量部と、重合開始剤７質量部と、粘着力調整剤Ａ ０．５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２０％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。 100 parts by mass of adhesive main agent A, 40 parts by mass of urethane acrylate A, 15 parts by mass of urethane acrylate E, 15 parts by mass of urethane acrylate F, 0.05 parts by mass of crosslinking agent A, and 0.15 parts by mass of crosslinking agent B. , 7 parts by mass of polymerization initiator, and 0.5 parts by mass of adhesive strength modifier A were diluted with a mixed solvent of methyl ethyl ketone and toluene (mixing ratio 1:1) to a solid content of 20%, and then diluted sufficiently. A pressure-sensitive adhesive composition was prepared by dispersing the mixture.
［実施例６］
下記のようにして粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
[Example 6]
An adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the adhesive composition was prepared as described below.
粘着主剤Ａ １００質量部と、ウレタンアクリレートＡ ４０質量部と、ウレタンアクリレートＢ ３０質量部と、架橋剤Ａ ０．０５質量部と、架橋剤Ｂ ０．１５質量部と、重合開始剤７質量部と、粘着力調整剤Ａ ０．５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２０％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。 100 parts by mass of adhesive main agent A, 40 parts by mass of urethane acrylate A, 30 parts by mass of urethane acrylate B, 0.05 parts by mass of crosslinking agent A, 0.15 parts by mass of crosslinking agent B, and 7 parts by mass of polymerization initiator. and 0.5 parts by mass of adhesive strength modifier A are diluted with a mixed solvent of methyl ethyl ketone and toluene (mixing ratio 1:1) to a solid content of 20%, and sufficiently dispersed to form an adhesive composition. was prepared.
［比較例１］
下記のようにして粘着剤組成物を調製したこと、および、基材の厚さを７０μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
[Comparative example 1]
An adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the adhesive composition was prepared as described below and the thickness of the base material was 70 μm.
粘着主剤Ａ １００質量部と、ウレタンアクリレートＡ ４０質量部と、ウレタンアクリレートＢ ３０質量部と、架橋剤Ａ ０．３５質量部と、架橋剤Ｂ ０．２質量部と、重合開始剤７質量部と、粘着力調整剤Ａ ０．５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２０％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。 100 parts by mass of adhesive main agent A, 40 parts by mass of urethane acrylate A, 30 parts by mass of urethane acrylate B, 0.35 parts by mass of crosslinking agent A, 0.2 parts by mass of crosslinking agent B, and 7 parts by mass of polymerization initiator. and 0.5 parts by mass of adhesive strength modifier A are diluted with a mixed solvent of methyl ethyl ketone and toluene (mixing ratio 1:1) to a solid content of 20%, and sufficiently dispersed to form an adhesive composition. was prepared.
［比較例２］
下記のようにして粘着剤組成物を調製したこと、および、基材の厚さを７０μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
[Comparative example 2]
An adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the adhesive composition was prepared as described below and the thickness of the base material was 70 μm.
粘着主剤Ａ １００質量部と、ウレタンアクリレートＡ ７０質量部と、架橋剤Ａ ０．３５質量部と、架橋剤Ｂ ０．２質量部と、重合開始剤４．２質量部と、粘着力調整剤Ａ １．５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２０％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。 100 parts by mass of adhesive main agent A, 70 parts by mass of urethane acrylate A, 0.35 parts by mass of crosslinking agent A, 0.2 parts by mass of crosslinking agent B, 4.2 parts by mass of polymerization initiator, and adhesive force regulator. A 1.5 parts by mass was diluted with a mixed solvent of methyl ethyl ketone and toluene (mixing ratio 1:1) to give a solid content of 20%, and sufficiently dispersed to prepare an adhesive composition.
［比較例３］
比較例２と同じ粘着剤組成物を用いたこと、および、下記の基材を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
[Comparative example 3]
An adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the same adhesive composition as in Comparative Example 2 was used and the following base material was used.
粘着主剤Ａ １００質量部と、ウレタンアクリレートＡ ７０質量部と、架橋剤Ａ ０．３５質量部と、架橋剤Ｂ ０．２質量部と、重合開始剤４．２質量部と、粘着力調整剤Ａ １．５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２０％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。 100 parts by mass of adhesive main agent A, 70 parts by mass of urethane acrylate A, 0.35 parts by mass of crosslinking agent A, 0.2 parts by mass of crosslinking agent B, 4.2 parts by mass of polymerization initiator, and adhesive force regulator. 1.5 parts by mass of A was diluted with a mixed solvent of methyl ethyl ketone and toluene (mixing ratio 1:1) to a solid content of 20%, and sufficiently dispersed to prepare an adhesive composition.
また、基材として、塩化ビニル樹脂７０質量部と、可塑剤４０質量部と、安定剤０．５質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、キャスト法により製膜し、厚さ９０μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）フィルムを作製した。 In addition, a film with a thickness of 90 μm was formed by a casting method using a resin composition containing 70 parts by mass of vinyl chloride resin, 40 parts by mass of plasticizer, and 0.5 parts by mass of stabilizer as a base material. A polyvinyl chloride (PVC) film was produced.
［比較例４］
下記のようにして粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
[Comparative example 4]
An adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the adhesive composition was prepared as described below.
粘着主剤Ａ １００質量部と、ウレタンアクリレートＡ ６０質量部と、架橋剤Ａ ０．３５質量部と、架橋剤Ｂ ０．２質量部と、重合開始剤２．４質量部と、粘着力調整剤Ａ １質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２０％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。 100 parts by mass of adhesive main agent A, 60 parts by mass of urethane acrylate A, 0.35 parts by mass of crosslinking agent A, 0.2 parts by mass of crosslinking agent B, 2.4 parts by mass of polymerization initiator, and adhesive force regulator. A 1 part by mass was diluted with a mixed solvent of methyl ethyl ketone and toluene (mixing ratio 1:1) to a solid content of 20%, and sufficiently dispersed to prepare an adhesive composition.
［比較例５］
下記のようにして粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
[Comparative example 5]
An adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the adhesive composition was prepared as described below.
粘着主剤Ａ １００質量部と、ウレタンアクリレートＡ ７０質量部と、架橋剤Ａ ０．３５質量部と、架橋剤Ｂ ０．２質量部と、重合開始剤７質量部と、粘着力調整剤Ａ ０．５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２０％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。 100 parts by mass of adhesive main agent A, 70 parts by mass of urethane acrylate A, 0.35 parts by mass of crosslinking agent A, 0.2 parts by mass of crosslinking agent B, 7 parts by mass of polymerization initiator, and 0 parts by mass of adhesive force regulator A. .5 parts by mass was diluted with a mixed solvent of methyl ethyl ketone and toluene (mixing ratio 1:1) to a solid content of 20%, and sufficiently dispersed to prepare an adhesive composition.
［比較例６］
下記のようにして粘着剤組成物を調製したこと、および、下記の基材を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
[Comparative example 6]
An adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the adhesive composition was prepared as described below and the following base material was used.
粘着主剤Ｂ １００質量部と、ウレタンアクリレートＣ ５０質量部と、架橋剤Ｃ ３．０質量部と、重合開始剤１．５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２０％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。 100 parts by mass of adhesive main agent B, 50 parts by mass of urethane acrylate C, 3.0 parts by mass of crosslinking agent C, and 1.5 parts by mass of polymerization initiator were mixed in a mixed solvent of methyl ethyl ketone and toluene (mixing ratio 1:1). The mixture was diluted to a solid content of 20% and sufficiently dispersed to prepare an adhesive composition.
また、基材として、ポリオレフィン（ＰＯ）フィルム（日本マタイ社製「エスマーＯＥＳ ＤＣ－ＶＳ」、厚さ１００μｍ）を用いた。 In addition, a polyolefin (PO) film ("Esmer OES DC-VS" manufactured by Nippon Matai Co., Ltd., thickness 100 μm) was used as a base material.
［比較例７］
下記のようにして粘着剤組成物を調製したこと、および、下記の基材を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
[Comparative Example 7]
An adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the adhesive composition was prepared as described below and the following base material was used.
粘着主剤Ｂ １００質量部と、ウレタンアクリレートＣ ５０質量部と、架橋剤Ｃ ３．０質量部と、重合開始剤１．５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２０％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。 100 parts by mass of adhesive main agent B, 50 parts by mass of urethane acrylate C, 3.0 parts by mass of crosslinking agent C, and 1.5 parts by mass of polymerization initiator were mixed in a mixed solvent of methyl ethyl ketone and toluene (mixing ratio 1:1). The mixture was diluted to a solid content of 20% and sufficiently dispersed to prepare an adhesive composition.
また、基材として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東洋紡社製「Ａ４１６０」、厚さ５０μｍ）を用いた。 Moreover, a polyethylene terephthalate (PET) film ("A4160" manufactured by Toyobo Co., Ltd., thickness 50 μm) was used as a base material.
［評価］
（１）剥離距離
半導体加工用粘着テープを幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍの大きさにカットして試験片を調製した。また、内径３インチ、厚さ６ｍｍ、長さ９４ｍｍ、重量１５５ｇの円筒状のプラスチックコア（昭和丸筒社製のＡＢＳ樹脂製のプラスチックコア）の外周面に、厚さ３５μｍ、幅８０ｍｍ、長さ１００ｍｍの銅箔（福田金属箔粉工業社製の圧延銅箔「ＲＣＦ－Ｔ５Ｂ」）を、銅箔の長手方向がプラスチックコアの周方向になるように巻き付けて固定し、被着材を作製した。まず、上記試験片の粘着層の面のうち、中央部分の幅２５ｍｍ、長さ２５ｍｍの領域を、上記被着材の銅箔の面に貼合し、被着材を下側にして、試験片が水平になるように、試験片の長手方向の両端を、金属枠に固定した。次に、温度２５℃±５℃、湿度４０％ＲＨ以上６０％ＲＨ以下、紫外線を遮断した環境下、金属枠が水平になるように、金属枠を１２０ｍｍの高さまで持ち上げて、被着材を宙づりにした状態で、３日間保管した。次に、貼合領域において、上記試験片が上記被着材から剥離した距離を測定した。そして、上記距離のうち、最大距離を剥離距離とした。
[evaluation]
(1) Peel distance A test piece was prepared by cutting an adhesive tape for semiconductor processing into a size of 25 mm in width and 100 mm in length. In addition, on the outer peripheral surface of a cylindrical plastic core (plastic core made of ABS resin manufactured by Showa Marutsu Co., Ltd.) with an inner diameter of 3 inches, a thickness of 6 mm, a length of 94 mm, and a weight of 155 g, a thickness of 35 μm, a width of 80 mm, and a length of A 100 mm copper foil (rolled copper foil "RCF-T5B" manufactured by Fukuda Metal Foil and Powder Industry Co., Ltd.) was wrapped and fixed so that the longitudinal direction of the copper foil was in the circumferential direction of the plastic core to prepare an adherend. . First, a 25 mm wide and 25 mm long area at the center of the adhesive layer surface of the test piece was pasted to the copper foil surface of the adherend, and the adherend was placed on the lower side, and the test was conducted. Both ends of the test piece in the longitudinal direction were fixed to a metal frame so that the piece was horizontal. Next, under an environment where the temperature is 25°C ± 5°C, the humidity is 40% RH or more and 60% RH or less, and ultraviolet rays are blocked, the metal frame is lifted to a height of 120 mm so that it is horizontal, and the adherend is placed. It was kept suspended in the air for three days. Next, in the bonding area, the distance at which the test piece was peeled from the adherend was measured. Among the above distances, the maximum distance was defined as the peeling distance.
（２）ＳＵＳ板に対する粘着力
ＳＵＳ板に対する粘着力は、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９（粘着テープ・粘着シート試験方法）の試験方法の方法１（温度２３℃湿度５０％ＲＨ、テープおよびシートをステンレス試験板に対して１８０°に引きはがす試験方法）に準拠し、幅２５ｍｍ、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、測定した。ＳＵＳ板は、ＳＵＳ３０４、表面仕上げＢＡ、厚さ１．５ｍｍ、幅１００ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＳＵＳ板を用いた。
(2) Adhesive strength to SUS board Adhesive strength to SUS board is determined by test method 1 of JIS Z0237:2009 (adhesive tape/adhesive sheet testing method) (temperature: 23°C, humidity: 50% RH, tape and sheet were tested on a stainless steel test board). The measurement was performed by peeling the test piece in the longitudinal direction under conditions of a width of 25 mm, a peel angle of 180 degrees, and a peel rate of 300 mm/min. The SUS plate used was SUS304, surface finish BA, thickness 1.5 mm, width 100 mm, and length 150 mm.
また、紫外線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力については、半導体加工用粘着テープの基材側の面から、積算光量４５０ｍＪ／ｃｍ２となるように波長３６５ｎｍの紫外線を照射し、粘着層を硬化させた後、上記の方法にて粘着力を測定した。 In addition, regarding the adhesive strength to the SUS plate after UV irradiation, UV rays with a wavelength of 365 nm were irradiated from the base material side of the adhesive tape for semiconductor processing at a cumulative light intensity of 450 mJ/cm 2 to harden the adhesive layer. After that, the adhesive strength was measured using the method described above.
（３）銅板に対する粘着力
銅板に対する粘着力は、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９（粘着テープ・粘着シート試験方法）の試験方法の方法１（温度２３℃湿度５０％ＲＨ、テープおよびシートをステンレス試験板に対して１８０°に引きはがす試験方法）に準拠し、ステンレス試験板の代わりに銅板を用いて、幅２５ｍｍ、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、測定した。銅箔としては、福田金属箔粉工業社製の厚さ３５μｍの圧延銅箔「ＲＣＦ－Ｔ５Ｂ」を用い、圧延銅箔を光沢面が上になるように、厚さ１．５ｍｍ、幅１００ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＳＵＳ板上に配置し、圧延銅箔の全面をＳＵＳ板に両面テープ等を介して固定した。
(3) Adhesive strength to copper plate Adhesive strength to copper plate is determined by test method 1 of JIS Z0237:2009 (adhesive tape/adhesive sheet testing method) (temperature: 23°C, humidity: 50% RH, tape and sheet against a stainless steel test plate). Using a copper plate instead of the stainless steel test plate, peel the test piece in the length direction under conditions of width 25 mm, peel angle 180°, and peel speed 300 mm/min. It was measured by. As the copper foil, we used rolled copper foil "RCF-T5B" with a thickness of 35 μm manufactured by Fukuda Metal Foil and Powder Industry Co., Ltd., and rolled the copper foil with the glossy side facing up to a thickness of 1.5 mm and a width of 100 mm. It was placed on a SUS plate with a length of 150 mm, and the entire surface of the rolled copper foil was fixed to the SUS plate with double-sided tape or the like.
また、紫外線照射後の銅板に対する粘着力については、半導体加工用粘着テープの基材側の面から、積算光量４５０ｍＪ／ｃｍ２となるように波長３６５ｎｍの紫外線を照射し、粘着層を硬化させた後、上記の方法にて粘着力を測定した。 Regarding the adhesion to the copper plate after UV irradiation, the adhesive layer was cured by irradiating UV rays with a wavelength of 365 nm from the substrate side of the adhesive tape for semiconductor processing at a cumulative light intensity of 450 mJ/ cm2 . Thereafter, the adhesive strength was measured using the method described above.
（４）ＰＥＴ板に対する粘着力
ＰＥＴ板に対する粘着力は、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９（粘着テープ・粘着シート試験方法）の試験方法の方法１（温度２３℃湿度５０％ＲＨ、テープおよびシートをステンレス試験板に対して１８０°に引きはがす試験方法）に準拠し、ステンレス試験板の代わりにＰＥＴ板を用いて、幅２５ｍｍ、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、測定した。この際、ＰＥＴ板に半導体加工用粘着テープを貼付してから、１時間経過後に、粘着力を測定した。また、ＰＥＴ板としては、東レ社製のポリエステルフィルム「ルミラー＃５０－Ｓ１０」を用い、ＰＥＴ板を、厚さ１．５ｍｍ、幅１００ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＳＵＳ板に、両面テープ等を介して全面を固定して用いた。
(4) Adhesive strength to PET board Adhesive strength to PET board was determined by test method 1 of JIS Z0237:2009 (adhesive tape/adhesive sheet testing method) (temperature: 23°C, humidity: 50% RH, tape and sheet were tested on a stainless steel test board). A PET plate was used instead of the stainless steel test plate, and the length of the test piece was 25 mm wide, the peel angle was 180°, and the peel rate was 300 mm/min. The measurement was made by peeling it off. At this time, the adhesive strength was measured one hour after the adhesive tape for semiconductor processing was attached to the PET board. In addition, as the PET board, we used Toray's polyester film "Lumirror #50-S10", and attached the PET board to a SUS board with a thickness of 1.5 mm, width of 100 mm, and length of 150 mm using double-sided tape, etc. The entire surface was fixed and used.
（５）ヤング率
ＪＩＳ Ｋ７１２７に準拠し、引張試験機として、エー・アンド・デイ社製「テンシロンＲＴＦ１１５０」を用い、試験片：試験片タイプ５、チャック間距離：６０ｍｍ、引張速度：１００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、半導体加工用粘着テープのヤング率を測定した。
(5) Young's modulus In accordance with JIS K7127, the tensile tester was "Tensilon RTF1150" manufactured by A&D Co., Ltd., test piece: test piece type 5, distance between chucks: 60 mm, tensile speed: 100 mm/min The Young's modulus of the adhesive tape for semiconductor processing was measured under the following conditions.
（６）ボールタック試験
ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準拠し、傾斜角度３０°、温度２３℃、湿度５０％ＲＨの条件で、傾斜式ボールタック試験を行った。半導体加工用粘着テープの粘着層の表面にボールを転がしたときに、半導体加工用粘着テープの粘着層の表面で停止するボールのうち、最大のボールのナンバーで評価した。
(6) Ball tack test In accordance with JIS Z0237:2009, an inclined ball tack test was conducted under the conditions of an inclination angle of 30°, a temperature of 23° C., and a humidity of 50% RH. When a ball was rolled on the surface of the adhesive layer of the adhesive tape for semiconductor processing, evaluation was made based on the number of the largest ball that stopped on the surface of the adhesive layer of the adhesive tape for semiconductor processing.
（７）チップ飛び
半導体加工用粘着テープを用いて、８インチ径、厚さ１００μｍのシリコンウェハを３ｍｍ×３ｍｍのチップサイズで下記の条件にてダイシングした後、ダイシングを行い、チップの飛散の有無を確認した。なお、ウェハ周縁部で、２ｍｍ×２ｍｍの方形をなしていない（たとえば三角形）チップについては観察から除外して、２ｍｍ×２ｍｍのチップが形成されている部分でのみ評価した。
(7) Chip flying Using adhesive tape for semiconductor processing, dice a silicon wafer with a diameter of 8 inches and a thickness of 100 μm into a chip size of 3 mm x 3 mm under the following conditions. It was confirmed. Note that chips that did not form a 2 mm x 2 mm rectangle (for example, a triangle) at the periphery of the wafer were excluded from observation, and only the portion where the 2 mm x 2 mm chips were formed was evaluated.
（ダイシング条件）
ダイシング装置：ＤＩＳＣＯ社製「ＤＦＤ６３６１」
条件：ブレード Ｚ１♯３５００（幅４０μｍ）
回転数 Ｚ１ ４０，０００ｒｐｍ
送り速度 ３０ｍｍ／ｓｅｃ
(dicing conditions)
Dicing device: “DFD6361” manufactured by DISCO
Conditions: Blade Z1#3500 (width 40μm)
Rotation speed Z1 40,000rpm
Feed speed 30mm/sec
（評価基準）
Ａ：チップ飛びの割合が１％以下である。
Ｂ：チップ飛びの割合が１％超である。
(Evaluation criteria)
A: The chip skipping rate is 1% or less.
B: The chip skipping rate is more than 1%.
表１より、上記の剥離距離が所定の範囲である場合には、チップ飛びが少ないことが確認された。 From Table 1, it was confirmed that when the above-mentioned peeling distance was within a predetermined range, chip flying was small.
本開示は、以下の［１］～［７］を提供する。
［１］基材と、前記基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層と、を有する半導体加工用粘着テープであって、
下記試験により測定される剥離距離が４ｍｍ以下である、半導体加工用粘着テープ。
試験：下記工程（１）～（５）を順に有する。
（１）前記半導体加工用粘着テープを幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍの大きさにカットして試験片を調製する。
（２）内径３インチ、厚さ６ｍｍ、長さ９４ｍｍ、重量１５５ｇの円筒状のプラスチックコアと、前記プラスチックコアの外周面に配置された、厚さ３５μｍ、幅８０ｍｍ、長さ１００ｍｍの銅箔とを有する被着材を準備する。
（３）前記試験片の前記粘着層の面のうち、幅２５ｍｍ、長さ２５ｍｍの領域を、前記被着材の前記銅箔の面に貼合し、前記被着材を下側にして、前記試験片が水平になるように、前記試験片の長手方向の両端を、金属枠に固定する。
（４）温度２５℃±５℃、湿度４０％ＲＨ以上６０％ＲＨ以下、エネルギー線を遮断した環境下、前記金属枠が水平になるように、前記被着材を宙づりにした状態で、３日間保管する。
（５）前記試験片が前記被着材から剥離した距離を測定し、剥離距離とする。
［２］傾斜式ボールタック試験におけるボールナンバーが、５以下である、［１］に記載の半導体加工用粘着テープ。
［３］銅板に対する粘着力が、５．０Ｎ／２５ｍｍ以上である、［１］または［２］に記載の半導体加工用粘着テープ。
［４］ヤング率が５０ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下である、［１］から［３］までのいずれかに記載の半導体加工用粘着テープ。
［５］前記粘着層の２５℃における貯蔵弾性率が、０．１ＭＰａ以上である、［１］から［４］までのいずれかに記載の半導体加工用粘着テープ。
［６］ＳＵＳ板に対する粘着力が、４．５Ｎ／２５ｍｍ以上である、［１］から［５］までのいずれかに記載の半導体加工用粘着テープ。
［７］エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が、２．０Ｎ／２５ｍｍ以下である、［１］から［６］までのいずれかに記載の半導体加工用粘着テープ。
The present disclosure provides the following [1] to [7].
[1] An adhesive tape for semiconductor processing, comprising a base material and an energy ray-curable adhesive layer disposed on one surface of the base material,
An adhesive tape for semiconductor processing, which has a peel distance of 4 mm or less as measured by the following test.
Test: The following steps (1) to (5) are carried out in order.
(1) Cut the adhesive tape for semiconductor processing into a size of 25 mm in width and 100 mm in length to prepare a test piece.
(2) A cylindrical plastic core with an inner diameter of 3 inches, a thickness of 6 mm, a length of 94 mm, and a weight of 155 g, and a copper foil with a thickness of 35 μm, a width of 80 mm, and a length of 100 mm arranged on the outer peripheral surface of the plastic core. Prepare an adherend having the following properties.
(3) bonding a 25 mm wide and 25 mm long area of the adhesive layer surface of the test piece to the copper foil surface of the adherend, with the adherend facing downward; Both longitudinal ends of the test piece are fixed to a metal frame so that the test piece is horizontal.
(4) Under an environment where the temperature is 25°C ± 5°C, the humidity is 40% RH or more and 60% RH or less, and energy rays are blocked, the adherend is suspended in the air so that the metal frame is horizontal. Store for days.
(5) Measure the distance by which the test piece is peeled from the adherend, and define this as the peel distance.
[2] The adhesive tape for semiconductor processing according to [1], wherein the ball number in the inclined ball tack test is 5 or less.
[3] The adhesive tape for semiconductor processing according to [1] or [2], which has an adhesive force to a copper plate of 5.0 N/25 mm or more.
[4] The adhesive tape for semiconductor processing according to any one of [1] to [3], which has a Young's modulus of 50 MPa or more and 1000 MPa or less.
[5] The adhesive tape for semiconductor processing according to any one of [1] to [4], wherein the adhesive layer has a storage modulus at 25° C. of 0.1 MPa or more.
[6] The adhesive tape for semiconductor processing according to any one of [1] to [5], which has an adhesive force to an SUS board of 4.5 N/25 mm or more.
[7] The adhesive tape for semiconductor processing according to any one of [1] to [6], which has an adhesive force to a SUS plate of 2.0 N/25 mm or less after being irradiated with energy rays.
１ … 基材
２ … 粘着層
１０ … 半導体加工用粘着テープ
1...
Claims (7)
下記試験により測定される剥離距離が４ｍｍ以下である、半導体加工用粘着テープ。
試験：下記工程（１）～（５）を順に有する。
（１）前記半導体加工用粘着テープを幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍの大きさにカットして試験片を調製する。
（２）内径３インチ、厚さ６ｍｍ、長さ９４ｍｍ、重量１５５ｇの円筒状のプラスチックコアと、前記プラスチックコアの外周面に配置された、厚さ３５μｍ、幅８０ｍｍ、長さ１００ｍｍの銅箔とを有する被着材を準備する。
（３）前記試験片の前記粘着層の面のうち、幅２５ｍｍ、長さ２５ｍｍの領域を、前記被着材の前記銅箔の面に貼合し、前記被着材を下側にして、前記試験片が水平になるように、前記試験片の長手方向の両端を、金属枠に固定する。
（４）温度２５℃±５℃、湿度４０％ＲＨ以上６０％ＲＨ以下、エネルギー線を遮断した環境下、前記金属枠が水平になるように、前記被着材を宙づりにした状態で、３日間保管する。
（５）前記試験片が前記被着材から剥離した距離を測定し、剥離距離とする。 An adhesive tape for semiconductor processing, comprising a base material and an energy ray-curable adhesive layer disposed on one surface of the base material,
An adhesive tape for semiconductor processing, which has a peel distance of 4 mm or less as measured by the following test.
Test: The following steps (1) to (5) are carried out in order.
(1) Cut the adhesive tape for semiconductor processing into a size of 25 mm in width and 100 mm in length to prepare a test piece.
(2) A cylindrical plastic core with an inner diameter of 3 inches, a thickness of 6 mm, a length of 94 mm, and a weight of 155 g, and a copper foil with a thickness of 35 μm, a width of 80 mm, and a length of 100 mm arranged on the outer peripheral surface of the plastic core. Prepare an adherend having the following properties.
(3) bonding a 25 mm wide and 25 mm long area of the adhesive layer surface of the test piece to the copper foil surface of the adherend, with the adherend facing downward; Both longitudinal ends of the test piece are fixed to a metal frame so that the test piece is horizontal.
(4) Under an environment where the temperature is 25°C ± 5°C, the humidity is 40% RH or more and 60% RH or less, and energy rays are blocked, the adherend is suspended in the air so that the metal frame is horizontal. Store for days.
(5) Measure the distance by which the test piece is peeled from the adherend, and define this as the peel distance.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JP7173392B1 JP7173392B1 (en) | 2022-11-16 |
| JP2023167463A true JP2023167463A (en) | 2023-11-24 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7173392B1 (en) |
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2022
- 2022-05-12 JP JP2022078660A patent/JP7173392B1/en active Active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7173392B1 (en) | 2022-11-16 |
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