JP2023160355A - サーマルプリントヘッド、サーマルプリントヘッドの製造方法、およびサーマルプリンタ - Google Patents

Abstract

【課題】ラベル紙に印刷を行う際の騒音を抑制できるサーマルプリントヘッドおよびぞの製造方法と、サーマルプリンタとを提供する。【解決手段】サーマルプリントヘッドＡ１において、厚さ方向ｚの第１側ｚ１を向く第１主面１１を有し、かつ、単結晶半導体からなる発熱基板１と、発熱基板１の厚さ方向ｚの第１側ｚ１で主走査方向ｘに沿って配列された複数の発熱部４１を含む抵抗体層４と、発熱基板１と複数の発熱部４１との間に配置されたグレーズ層１７とを備えた。発熱基板１は、第１主面１１から厚さ方向ｚに凹んだ凹部１５をさらに備えている。凹部１５は、第１主面１１との境界であり主走査方向ｘに延びる凹部端縁１５１を備えている。厚さ方向ｚに視て、グレーズ層１７のグレーズ端縁１７１と、凹部端縁１５１とが一致している。【選択図】 図５

Description

本開示は、サーマルプリントヘッドおよびその製造方法と、当該サーマルプリントヘッドを備えているサーマルプリンタとに関する。

特許文献１には、従来のサーマルプリントヘッドの一例が開示されている。同文献に開示されたサーマルプリントヘッドは、主走査方向に延びる凸部が主面に一体に形成されたヘッド基板を備えている。凸部上には複数の発熱部が配置されている。発熱部が凸部上に配置されているため、印字媒体は、プラテンローラを介して確実に発熱部に押圧される。ヘッド基板は、単結晶半導体からなり、異方性エッチングを施すことにより、凸部が形成されている。したがって、凸部の傾斜外面の主面に対する傾斜角度は、例えば５０～６０度の一定の角度である。

サーマルプリントヘッドが印刷を行う印字媒体には、様々なものがあり、たとえば、台紙に感熱紙のシールが貼り付けられたラベル紙も含まれる。ラベル紙は、シールが貼り付けられた面を下方に向けて、サーマルプリントヘッドに送られる。シールはその厚さ（たとえば６０～８０μｍ程度）の分だけ台紙より下方に突出している。上記したサーマルプリントヘッドの場合、ラベル紙に印刷を行う際に、下方に突出したシール部分が凸部の傾斜外面に衝突することで、騒音が発生するという問題がある。

特開２０２１－１１０２１号公報

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、ラベル紙に印刷を行う際の騒音を抑制できるサーマルプリントヘッドを提供することをその課題とする。

本開示の第１の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドは、厚さ方向の第１側を向く第１主面を有し、かつ、単結晶半導体からなる発熱基板と、前記発熱基板の前記厚さ方向の第１側で主走査方向に沿って配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、前記発熱基板と前記複数の発熱部との間に配置されたグレーズ層と、を備えており、前記発熱基板は、前記第１主面から前記厚さ方向に凹んだ凹部をさらに備え、前記凹部は、前記第１主面との境界であり前記主走査方向に延びる凹部端縁を備え、前記厚さ方向に視て、前記グレーズ層のグレーズ端縁と、前記凹部端縁とが一致している。

本開示の第２の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドの製造方法は、厚さ方向の第１側を向く第１主面を有し、かつ、単結晶半導体からなる基材を準備する基材準備工程と、第１エッチングによって、前記第１主面から前記厚さ方向に凹んだ凹部を形成する第１エッチング工程と、第２エッチングによって、前記厚さ方向の前記第１側を向き、かつ、前記第１主面より前記第１側とは反対側の第２側に位置する第２主面を形成する第２エッチング工程と、前記基材の前記厚さ方向の第１側にグレーズ層を形成するグレーズ層形成工程と、を備えている。

本開示に係るサーマルプリントヘッドは、ラベル紙に印刷を行う際の騒音を抑制できる。

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

図１は、本開示の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す平面図である。 図２は、図１のサーマルプリントヘッドを示す要部平面図である。 図３は、図１のサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。 図４は、図１のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。 図５は、図１のサーマルプリントヘッドを示す要部断面図である。 図６は、図１のサーマルプリントヘッドの発熱基板を示す平面図である。 図７は、図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示すフローチャートである。 図８は、図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す要部断面図である。 図９は、図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す要部断面図である。 図１０は、図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す要部断面図である。 図１１は、図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す要部断面図である。 図１２は、図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す要部断面図である。 図１３は、図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す要部断面図である。 図１４は、図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す要部断面図である。 図１５は、図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す要部断面図である。 図１６は、図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す要部断面図である。 図１７は、本開示の第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部断面図である。 図１８は、本開示の第３実施形態に係るサーマルプリントヘッドの発熱基板を示す平面図である。 図１９は、図１８のＸＩＸ－ＸＩＸ線に沿う断面図である。 図２０は、本開示の第４実施形態に係るサーマルプリントヘッドの発熱基板を示す断面図である。 図２１は、本開示の第５実施形態に係るサーマルプリントヘッドの発熱基板を示す平面図である。

以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

＜第１実施形態＞
図１～図６は、本開示の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ１を示している。本実施形態のサーマルプリントヘッドＡ１は、発熱基板１、保護層２、導電層３、抵抗体層４、グレーズ層１７、絶縁層１８、第１基板５、ドライバＩＣ５５、第２基板６、コネクタ６９、第３基板７、および放熱部材８を備えている。サーマルプリントヘッドＡ１は、図４に示すようにサーマルプリンタＢ１に組み込まれており、プラテンローラ９１との間に挟まれて搬送される印刷媒体９２に印刷を施す。プラテンローラ９１は、後述する発熱部に対向して配置されており、印刷媒体９２を搬送しつつ、印刷媒体９２を発熱部に押圧する。このような印刷媒体９２としては、たとえばバーコードシートまたはデートコードシートを作成するための感熱紙が挙げられる。また、印刷媒体９２には、台紙に感熱紙のシールが貼り付けられたラベル紙なども含まれる。

図１は、サーマルプリントヘッドＡ１を示す平面図である。図２は、サーマルプリントヘッドＡ１を示す要部平面図である。図３は、サーマルプリントヘッドＡ１を示す要部拡大平面図である。図１～図３においては、理解の便宜上、保護層２を省略している。図２においては、理解の便宜上、後述の保護樹脂５７およびワイヤ５６１を省略している。図４は、図１のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。図５は、サーマルプリントヘッドＡ１を示す要部断面図である。図６は、サーマルプリントヘッドＡ１の発熱基板１を示す平面図である。図６においては、理解の便宜上、後述する凹部１５に点描を付している。また、これらの図において、発熱基板１の長手方向を主走査方向ｘとし、短手方向を副走査方向ｙとし、厚さ方向を厚さ方向ｚとして説明する。また、副走査方向ｙについては、図１～図３の下方（図４および図５の右方）を印刷媒体９２が送られてくる上流側ｙ１とし、図１～図３の上方（図４および図５の左方）を印刷媒体９２が排出される下流側ｙ２とする。また、厚さ方向ｚについては、図４および図５の上方を第１側ｚ１とし、図４および図５の下方を第２側ｚ２とする。また、主走査方向ｘについては、図１～図３の左方を第１側ｘ１とし、図１～図３の右方を第２側ｘ２とする。以下の図においても同様である。

発熱基板１は、放熱部材８に搭載され、導電層３および抵抗体層４を支持するものである。発熱基板１は、主走査方向ｘを長手方向とし、副走査方向ｙを幅方向とする細長矩形状である。発熱基板１の大きさは特に限定されないが、一例を挙げると、発熱基板１の厚さは、たとえば０．５～１ｍｍ程度である。また、発熱基板１の主走査方向ｘの寸法は、たとえば５０～１５０ｍｍ程度であり、副走査方向ｙの寸法は、たとえば１～５ｍｍ程度である。

本実施形態においては、発熱基板１は、単結晶半導体からなり、たとえばＳｉによって形成されている。なお、発熱基板１の構成材料は限定されない。図４および図５に示すように、発熱基板１は、第１主面１１および裏面１２を有する。第１主面１１および裏面１２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向いており、互いに平行である。第１主面１１は、厚さ方向ｚの第１側ｚ１を向く面である。第１主面１１は、発熱基板１の副走査方向ｙの下流側ｙ２に位置し、下流側ｙ２の端縁まで延びている。また、本実施形態では、第１主面１１は、図５および図６に示すように、後述する凹部１５によって２個の部位に分けられている。当該２個の部位はいずれも、主走査方向ｘに長く延びる細長矩形状である。第１主面１１には、導電層３および抵抗体層４が配置されている。裏面１２は、厚さ方向ｚの第２側ｚ２を向く面である。裏面１２は、図示しない接着部材を介して、放熱部材８（後述する第１支持面８１）に接着されている。

また、図５および図６に示すように、発熱基板１は、第２主面１３および傾斜面１４を有する。第２主面１３は、厚さ方向ｚの第１側ｚ１（第１主面１１と同じ側）を向き、第１主面１１より厚さ方向ｚの第２側ｚ２（裏面１２側）に位置する。また、第２主面１３は、副走査方向ｙにおいて第１主面１１の上流側ｙ１に位置し、発熱基板１の副走査方向ｙの上流側ｙ１の端縁まで延びている。第２主面１３は、主走査方向ｘに長く延びる細長矩形状である。傾斜面１４は、副走査方向ｙにおいて第１主面１１と第２主面１３との間に位置し、第１主面１１および第２主面１３につながっている。傾斜面１４は、第１主面１１および第２主面１３に対して傾斜しており、副走査方向ｙの上流側ｙ１ほど裏面１２に近づいている。傾斜面１４は、主走査方向ｘに長く延びる細長矩形状である。発熱基板１は、たとえばＳｉウエハなどの単結晶半導体材料の（１００）面にマスク層を形成し、ウエットエッチングにより異方性エッチングを行うことで形成される。マスク層に覆われてエッチングされずに残った部分が第１主面１１になる。したがって、第１主面１１は、（１００）面である。一方、エッチングにより現れた面が第２主面１３および傾斜面１４になる。第２主面１３は、第１主面１１に平行であり、第１主面１１と同様、（１００）面である。第１主面１１に対する傾斜面１４の傾斜角αは、異方性エッチングに応じた所定の角度になっている。本実施形態では、傾斜面１４は、（１１１）面であり、傾斜角αは、たとえば５４．８°である。なお、傾斜角αは限定されない。

また、図５および図６に示すように、発熱基板１は、凹部１５を有する。凹部１５は、第１主面１１から厚さ方向ｚの第２側ｚ２に凹んだ溝であり、主走査方向ｘに延びている。凹部１５は、厚さ方向ｚに視て、主走査方向ｘに長く延びる細長矩形状である。本実施形態では、凹部１５は、発熱基板１の主走査方向ｘの両端まで延びている。凹部１５は、たとえばドライエッチングによって形成される。なお、凹部１５の形成方法は限定されない。図５に示すように、凹部１５の深さの第１寸法（厚さ方向ｚの寸法）Ｄ１は、厚さ方向ｚにおける第１主面１１と第２主面１３との位置の差である第２寸法Ｄ２より小さい。第１寸法Ｄ１は、第２寸法Ｄ２の０．５％以上５％以下である、また、第１主面１１に対する凹部１５の側面１５３の傾斜角βは、傾斜角α（第１主面１１に対する傾斜面１４の傾斜角）より大きい。本実施形態では、傾斜角βは略直角である。凹部１５は、２個の凹部端縁１５１を備えている。各凹部端縁１５１は、凹部１５と第１主面１１との境界であり、主走査方向ｘに延びている。

グレーズ層１７は、たとえば非晶質ガラスなどのガラス材料からなる。グレーズ層１７は、たとえばガラスペーストを焼成することにより形成される。本実施形態では、グレーズ層１７の熱膨張係数は、発熱基板１の材料であるＳｉと同程度である。なお、グレーズ層１７のガラス材料の特性は限定されない。図５に示すように、グレーズ層１７は、凹部１５の内部に配置されている。グレーズ層１７は、ガラスペーストを凹部１５に配置し、焼成することで形成される。ガラスペーストは流動性があるが、凹部１５に配置されたとき、表面張力により、凹部端縁１５１を越えることが阻止される。また、焼成時にも加熱によりガラスペーストは流動化するが、表面張力により、凹部端縁１５１を越えることが阻止される。つまり、凹部１５はガラスペーストが流動して第１主面１１上で広がることを阻止するための凹部端縁１５１を有していればよいので、第１寸法Ｄ１は、上記したように相対的に小さくてもよい。また、傾斜角βは、上記したように相対的に大きいのが望ましい。厚さ方向ｚに視て、グレーズ層１７の端縁であるグレーズ端縁１７１と凹部１５の凹部端縁１５１とは一致している。より詳しくは、副走査方向ｙの上流側ｙ１のグレーズ端縁１７１と副走査方向ｙの上流側ｙ１の凹部端縁１５１とが一致し、副走査方向ｙの下流側ｙ２のグレーズ端縁１７１と副走査方向ｙの下流側ｙ２の凹部端縁１５１とが一致している。グレーズ層１７は、凹部１５によって形成領域を規定されて形成されている。また、グレーズ層１７の主走査方向ｘに直交する断面形状は、材料であるガラスペーストの表面張力によって形成された凸形状である。したがって、グレーズ層１７は、単結晶半導体に異方性エッチングを施すことで形成される凸部と比較して、厚さ（厚さ方向ｚの寸法）が小さく、なだらかな凸部になる。

絶縁層１８は、図５に示すように、第１主面１１、第２主面１３、傾斜面１４、およびグレーズ層１７を覆っており、発熱基板１を、抵抗体層４および導電層３に対してより確実に絶縁するためのものである。絶縁層１８は、発熱基板１の、抵抗体層４または導電層３が形成される領域に形成されていればよい。絶縁層１８は、絶縁性材料からなり、たとえばＳｉＯ₂やＳｉＮまたはＴＥＯＳ（オルトケイ酸テトラエチル）からなる。本実施形態においては、絶縁層１８は、ＴＥＯＳである。なお、絶縁層１８の構成材料は限定されない。絶縁層１８の厚さは特に限定されず、その一例を挙げるとたとえば５μｍ～１５μｍであり、好ましくは５μｍ～１０μｍである。

抵抗体層４は、絶縁層１８を介して発熱基板１に支持されている。抵抗体層４は、発熱基板１に対して厚さ方向ｚの第１側ｚ１に配置され、第１主面１１、第２主面１３、傾斜面１４、およびグレーズ層１７の少なくとも一部を覆っている。抵抗体層４は、複数の発熱部４１を有している。複数の発熱部４１は、各々に選択的に通電されることにより、印刷媒体９２を局所的に加熱するものである。本実施形態においては、発熱部４１は、抵抗体層４のうち導電層３から露出した領域であり、凹部１５に配置されたグレーズ層１７上に配置されている。つまり、グレーズ層１７は、発熱基板１と複数の発熱部４１との間に配置されている。図４に示すように、サーマルプリンタＢ１において、複数の発熱部４１は、プラテンローラ９１に対向している。複数の発熱部４１は、主走査方向ｘに沿って配列されており、主走査方向ｘにおいて互いに離間している。発熱部４１の形状は特に限定されず、本実施形態においては、厚さ方向ｚに視て副走査方向ｙを長手方向とする長矩形状である。抵抗体層４は、たとえばＴａＮからなる。なお、抵抗体層４の構成材料は限定されない。抵抗体層４の厚さは特に限定されず、たとえば０．０２μｍ～０．１μｍであり、好ましくは０．０８μｍ程度である。

導電層３は、複数の発熱部４１に通電するための通電経路を構成するためのものである。導電層３は、発熱基板１に支持されており、本実施形態においては、図５に示すように、抵抗体層４上に積層されている。導電層３は、抵抗体層４の発熱部４１となるべき部分を露出させている。導電層３は、抵抗体層４よりも低抵抗な金属材料からなり、たとえばＣｕからなる。導電層３の厚さは特に限定されず、たとえば０．３μｍ～２．０μｍである。

図１～図３および図５に示すように、本実施形態においては、導電層３は、複数の個別電極３１、共通電極３２、および複数の中継電極３３を有する。

複数の個別電極３１は、各々が概ね副走査方向ｙに延びる帯状であり、第１主面１１上、第２主面１３上、傾斜面１４上、およびグレーズ層１７上に配置されている。複数の個別電極３１は、複数の発熱部４１に対して副走査方向ｙの上流側ｙ１に配置されている。複数の個別電極３１は、それぞれが異なる発熱部４１に接続している。図２および図５に示すように、個別電極３１は、個別パッド３１１を有する。個別パッド３１１は、ドライバＩＣ５５と導通させるためのワイヤ５６１がワイヤボンディングされる部分である。個別パッド３１１には、たとえばＡｕを含むめっき層が形成されている。

共通電極３２は、第１主面１１上、第２主面１３上、傾斜面１４上、およびグレーズ層１７上に配置され、連結部３２３と複数の帯状部３２４とを有する。複数の帯状部３２４は、副走査方向ｙに延びている。図３に示すように、複数の帯状部３２４の一方端（副走査方向ｙの下流側ｙ２端）は、２個に分岐しており、各分岐部分が隣接する２個の発熱部４１にそれぞれ接続している。図２に示すように、連結部３２３は、複数の帯状部３２４の他方端側（副走査方向ｙの上流側ｙ１）に位置して主走査方向ｘに延びており、複数の帯状部３２４が繋がっている。

中継電極３３は、第１主面１１上およびグレーズ層１７上に配置され、開口を副走査方向ｙの上流側ｙ１に向けたコの字形状をなす。中継電極３３は、主走査方向ｘに等ピッチで、発熱部４１の副走査方向ｙの下流側ｙ２に複数配列されている。各中継電極３３は、隣接する２個の発熱部４１に接続している。

図３に示すように、共通電極３２の帯状部３２４は、２つの個別電極３１に挟まれて配置されている。１つの中継電極３３が接続する２個の発熱部４１の一方は共通電極３２に接続しており、他方はいずれかの個別電極３１に接続している。したがって、個別電極３１が通電することで、これに接続する発熱部４１と、当該発熱部４１に中継電極３３を介して接続する発熱部４１とに電流が流れて発熱する。つまり、２つの発熱部４１が、同時に発熱する。

なお、導電層３の配置および形状は、限定されない。たとえば、中継電極３３が設けられず、共通電極３２が発熱部４１の副走査方向ｙの下流側ｙ２に配置され、各発熱部４１が、それぞれ異なる共通電極３２の帯状部３２４と個別電極３１とに接続されてもよい。

保護層２は、発熱基板１の第１主面１１、第２主面１３、および傾斜面１４と、グレーズ層１７とに重なるように形成され、導電層３および抵抗体層４を覆っている。保護層２は、絶縁性の材料からなり、導電層３および抵抗体層４を保護している。保護層２の構成材料は、たとえばＳｉＯ₂、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＡｌＮ等であり、これらの単層もしくは複数層によって構成される。保護層２の厚さは特に限定されず、たとえば１．０μｍ～１０μｍ程度である。

図５に示すように、本実施形態においては、保護層２は、パッド用開口２１を有する。パッド用開口２１は、保護層２を厚さ方向ｚに貫通している。パッド用開口２１は、各個別電極３１の個別パッド３１１を露出させている。

第１基板５は、図１および図４に示すように、放熱部材８に搭載され、発熱基板１に対して副走査方向ｙの上流側ｙ１に配置されている。第１基板５は、たとえばＰＣＢ基板であり、ドライバＩＣ５５が搭載されている。第１基板５の形状等は特に限定されず、本実施形態においては、主走査方向ｘを長手方向とする長矩形状である。第１基板５は、主面５１および裏面５２を有する。主面５１は、発熱基板１の第１主面１１と同じ側を向く面であり、裏面５２は、発熱基板１の裏面１２と同じ側を向く面である。主面５１には、図示しない第１配線が形成されている。第１配線は、ドライバＩＣ５５がダイボンディングされ、ワイヤ５６２がワイヤボンディングされるので、本実施形態では、たとえばＣｕからなる配線上にたとえばＡｕを含むめっき層が形成されている。なお、第１配線の構成材料および形成方法は限定されない。

ドライバＩＣ５５は、第１基板５の主面５１に搭載されており、複数の発熱部４１に個別に通電させるためのものである。本実施形態においては、ドライバＩＣ５５は、複数のワイヤ５６１によって複数の個別電極３１に導通接続されている。ドライバＩＣ５５の通電制御は、第１基板５、第２基板６、第３基板７、およびコネクタ６９を介してサーマルプリントヘッドＡ１外から入力される指令信号に従う。ドライバＩＣ５５は、複数のワイヤ５６２によって第１基板５の第１配線に導通接続されている。本実施形態においては、複数の発熱部４１の個数に応じて、複数のドライバＩＣ５５が設けられている。

ドライバＩＣ５５、複数のワイヤ５６１および複数のワイヤ５６２は、保護樹脂５７に覆われている。保護樹脂５７は、たとえば絶縁性樹脂からなりたとえば黒色である。保護樹脂５７は、発熱基板１と第１基板５とに跨るように形成されている。

第２基板６は、図１および図４に示すように、第１基板５に対して副走査方向ｙの上流側ｙ１に配置されている。第２基板６は、たとえばＰＣＢ基板であり、図示しないその他の回路素子、および、コネクタ６９が搭載されている。第２基板６の形状等は特に限定されず、本実施形態においては、主走査方向ｘを長手方向とする長矩形状である。第２基板６は、主面６１および裏面６２を有する。主面６１は、発熱基板１の第１主面１１と同じ側を向く面であり、裏面６２は、発熱基板１の裏面１２と同じ側を向く面である。ただし、本実施形態においては、第２基板６は、発熱基板１および第１基板５に対して傾斜した状態で配置されている。主面６１および裏面６２には、図示しない第２配線が形成されている。なお、第２配線の構成材料および形成方法は限定されない。

コネクタ６９は、サーマルプリントヘッドＡ１をサーマルプリンタＢ１に接続するために用いられる。コネクタ６９は、裏面６２に取付けられており、第２配線に接続されている。

第３基板７は、第１基板５および第２基板６に接続され、第１基板５および第２基板６より柔軟性を有する。第３基板７は、フレキシブルプリント基板であり、第１基板５の第１配線と、第２基板６の第２配線とを導通接続する第３配線が形成されている。第１基板５および第２基板６が柔軟性を有する第３基板７によって接続されているので、第２基板６は第１基板５に対して傾斜した状態で配置可能になっている。第３基板７の形状等は特に限定されず、本実施形態においては、主走査方向ｘを長手方向とする長矩形状である。

放熱部材８は、発熱基板１、第１基板５、および第２基板６が搭載されており、複数の発熱部４１によって生じた熱の一部を、発熱基板１を介して外部へ放熱するためのものである。放熱部材８は、たとえばアルミニウム等の金属からなるブロック状の部材であり、たとえば押し出し成型によって形成される。なお、放熱部材８の構成材料および形成方法は限定されない。図４に示すように、放熱部材８は、第１支持面８１、第２支持面８２、および底面８３を有する。第１支持面８１および第２支持面８２と、底面８３とは、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向いている。

第１支持面８１および第２支持面８２は、厚さ方向ｚの第１側ｚ１を向いて、副走査方向ｙに並んで配置されている。図４に示すように、第２支持面８２は、第１支持面８１より底面８３から離れて（厚さ方向ｚの第１側ｚ１に）配置されている。また、第１支持面８１は、第２支持面８２および底面８３に対して傾斜している。なお、第１支持面８１は、第２支持面８２および底面８３に対して平行であってもよい。また、第１支持面８１と第２支持面８２とは互いに面一であってもよい。第１支持面８１には、発熱基板１の裏面１２および第１基板５の裏面５２が接着されている。第２支持面８２には、第２基板６の裏面６２が接着されている。なお、裏面１２、裏面５２、および裏面６２を放熱部材８に接着する接着部材の構成材料は限定されない。

底面８３は、厚さ方向ｚの第２側ｚ２を向いている。底面８３は、サーマルプリントヘッドＡ１をプリンタに組み込む際に基準になる面である。第２支持面８２は、底面８３と平行である。本明細書では、発熱基板１の厚さ方向を厚さ方向ｚと定義しているので、第１支持面８１は、厚さ方向ｚに対して直交している。一方、第２支持面８２は、厚さ方向ｚに直交する面（第１支持面８１）に対して傾斜しているので、厚さ方向ｚに対して直交していない。同様に、底面８３も、厚さ方向ｚに対して直交していない。

次に、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法の一例について、図７～図１６を参照しつつ、以下に説明する。図７は、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法の一例を示すフローチャートである。図８～図１６はそれぞれ、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法の一例の一工程を示す断面図であって、図４および図５に示す断面に対応する。なお、図８～図１６に示す主走査方向ｘ、副走査方向ｙ、および厚さ方向ｚは、図１～図６と同じ方向を示している。

図７に示すように、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法は、基材準備工程Ｓ１０、第１エッチング工程Ｓ２０、第２エッチング工程Ｓ３０、グレーズ層形成工程Ｓ４０、絶縁層形成工程Ｓ５０、発熱部形成工程Ｓ６０、保護層形成工程Ｓ７０、切断工程Ｓ８０、および組み立て工程Ｓ９０を備えている。

基材準備工程Ｓ１０は、発熱基板１の材料となる基材１０Ａを準備する工程である。当該工程では、図８に示すように、基材１０Ａを準備する。基材１０Ａは、単結晶半導体からなり、たとえばＳｉウエハである。基材１０Ａは、主面１１Ａを有する。主面１１Ａは、略平坦であり、厚さ方向ｚの第１側ｚ１を向く。主面１１Ａは（１００）面である。

第１エッチング工程Ｓ２０は、基材１０Ａに第１エッチングを施す工程であり、図９に示すように、凹部１５を形成する工程である。当該工程では、まず、基材１０Ａの主面１１Ａの一部に所定のマスク層９８（図８および図９において２点鎖線で示す）を形成する。マスク層９８は、たとえばレジストにフォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで形成される。マスク層９８は、マスク層９８を厚さ方向ｚに貫通し、かつ、主走査方向ｘに延びる開口９８ａを有している。そして、ドライエッチングを行うことで、図９に示すように、主面１１Ａから厚さ方向ｚに凹み、主走査方向ｘに延びる凹部１５が形成される。凹部１５の厚さ方向ｚに視た形状は、マスク層９８の開口９８ａに対応する形状となる。その後、マスク層９８を除去する。

第２エッチング工程Ｓ３０は、基材１０Ａに第２エッチングを施す工程である。当該工程では、まず、図１０に示すように、基材１０Ａの主面１１Ａの一部に所定のマスク層９９（図１０および図１１において２点鎖線で示す）を形成する。マスク層９９は、たとえばハードマスクにフォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで形成される。マスク層９９は、主走査方向ｘに延びており、凹部１５の全体および主面１１Ａの副走査方向ｙの下流側ｙ２の一部を覆う。そして、たとえばアルカリ水溶液を用いた異方性エッチングを行う。このアルカリ水溶液としては、たとえばＫＯＨ（水酸化カリウム）やＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）などが挙げられる。これにより、図１１に示すように、第１主面１１、第２主面１３、および傾斜面１４が形成される。第１主面１１は、マスク層９９に覆われてエッチングされずに残った主面１１Ａの一部である。第２主面１３および傾斜面１４は、主面１１Ａがエッチングされて現れた面である。第１主面１１および第２主面１３は、主面１１Ａと同じく（１００）面である。傾斜面１４は、（１１１）面であり、第１主面１１および第２主面１３に対して傾斜している。第１主面１１に対する傾斜面１４の傾斜角αは、たとえば５４．８°である。その後、マスク層９９を除去する。

グレーズ層形成工程Ｓ４０は、図１２に示すように、グレーズ層１７を形成する工程である。当該工程では、まず、凹部１５に、たとえばディスペンサーを用いて、ガラスペーストを配置する。配置されたガラスペーストは流動性があるが、表面張力により、凹部端縁１５１を越えることが阻止される。なお、ガラスペーストの配置方法は限定されず、たとえばスクリーン印刷などによって配置してもよい。その後、ガラスペーストを焼成することによって、図１２に示すように、グレーズ層１７が形成される。焼成時の加熱によりガラスペーストは流動化するが、表面張力により、凹部端縁１５１を越えることが阻止される。これにより、厚さ方向ｚに視てグレーズ端縁１７１と凹部端縁１５１とが一致した状態で、グレーズ層１７が形成される。

絶縁層形成工程Ｓ５０は、図１３に示すように、第１主面１１、第２主面１３、傾斜面１４、およびグレーズ層１７を覆う絶縁層１８を形成する工程である。当該工程では、たとえばＣＶＤを用いて、たとえばＴＥＯＳを原料ガスとした成膜を行う。なお、絶縁層１８の形成方法は限定されない。

発熱部形成工程Ｓ６０は、図１４に示すように、絶縁層１８上に、発熱部４１および発熱部４１に通電するための導電層３を形成する工程である。まず、絶縁層１８上に抵抗体膜を形成する（Ｓ６１）。抵抗体膜の形成は、たとえばスパッタリングにより絶縁層１８上にＴａＮの薄膜を形成することによって行う。抵抗体膜は、絶縁層１８の全面を覆う。次いで、導電膜を形成する（Ｓ６２）。導電膜の形成は、たとえばめっきやスパッタリングによりＣｕからなる層を形成することによって行う。導電膜は、抵抗体膜の全面を覆う。なお、導電膜の形成では、抵抗体膜上にＴｉ層を形成した後、Ｃｕ層を形成した構成でもよい。次いで、導電膜および抵抗体膜に選択的なエッチングを施すことにより、導電膜および抵抗体膜を部分的に除去する（Ｓ６３）。これにより、主走査方向ｘに分離された抵抗体層４と、複数の発熱部４１を残して抵抗体層４を覆う複数の個別電極３１、共通電極３２、および中継電極３３とが形成される。

保護層形成工程Ｓ７０は、保護層２を形成する工程である。当該工程では、たとえばＣＶＤを用いて、絶縁層１８、導電層３、および抵抗体層４のそれぞれの上に、たとえばＳｉＮおよびＳｉＣを堆積させることにより行われる。その後、パッド用開口２１を形成するために、保護層２をエッチング等により部分的に除去する。

切断工程Ｓ８０は、基材１０Ａを切断する工程である。当該工程では、基材１０Ａを主走査方向ｘおよび副走査方向ｙに沿って切断し個片に分割することで、複数の発熱基板１が形成される。以上により、各層が形成された発熱基板１が得られる。

また、発熱基板１の加工とは別に、第１基板５、第２基板６、および第３基板７を準備する。第１基板５は、第１配線が形成されたＰＣＢ基板である。第２基板６は、第２配線が形成されたＰＣＢ基板であり、コネクタ６９が搭載されている。第３基板７は、第３配線が形成されたフレキシブルプリント基板である。

組み立て工程Ｓ９０は、サーマルプリントヘッドＡ１を組み立てる工程である。当該工程では、まず、図１５に示すように、発熱基板１と第１基板５とを組み立てる。まず、支持テープ９５上に、所定の間隔を空けて、発熱基板１および第１基板５を配置する。次いで、ドライバＩＣ５５を第１基板５の主面５１に搭載し、複数のワイヤ５６１，５６２をボンディングする。そして、ドライバＩＣ５５および複数のワイヤ５６１，５６２を覆う保護樹脂５７を、発熱基板１と第１基板５とに跨るように形成する。また、第２基板６の主面６１に、第３基板７を接着剤などで接着することで、第２基板６と第３基板７とを組み立てる。次に、支持テープ９５から剥離された第１基板５の主面５１の副走査方向ｙの上流側ｙ１に、第３基板７の副走査方向ｙの下流側ｙ２の部分を、接着剤などで接着する。次に、第１支持面８１、第２支持面８２、および底面８３が形成された放熱部材８を準備する。放熱部材８は、アルミニウムなどの金属材料を用いて、押し出し成型によって形成される。次に、放熱部材８の第１支持面８１および第２支持面８２に接着部材を配置する。

次に、図１６に示すように、一体となった発熱基板１、第１基板５、および第２基板６を放熱部材８に取り付ける。発熱基板１は、第１支持面８１の副走査方向ｙの下流側ｙ２に、裏面１２を第１支持面８１に対向させるようにして配置される。第１基板５は、第１支持面８１の副走査方向ｙの上流側ｙ１に、裏面５２を第１支持面８１に対向させるようにして配置される。また、第２基板６は、裏面６２を第２支持面８２に対向させるようにして配置される。第１基板５は、柔軟性を有する第３基板７によって第２基板６に接続されているので、第２基板６に対する傾斜姿勢を自由に変更可能である。したがって、第１基板５は、第２支持面８２に対して傾斜している第１支持面８１に取り付け可能である。次いで、熱を加えることで、接着部材を固化させて、裏面１２および裏面５２を第１支持面８１に接着させる。

以上の工程により、上述のサーマルプリントヘッドＡ１が得られる。なお、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法は、上述した方法に限定されない。たとえば、第１エッチング工程Ｓ２０の前に第２エッチング工程Ｓ３０を行ってもよい。また、サーマルプリントヘッドＡ１の組み立ての順序は限定されない。サーマルプリントヘッドＡ１は、保護樹脂５７によって一体化された発熱基板１および第１基板５を放熱部材８に取り付け、その後、第２基板６を放熱部材８に取り付けて、第３基板７を第１基板５に接続してもよい。

次に、サーマルプリントヘッドＡ１の作用について説明する。

本実施形態によると、発熱基板１は、厚さ方向ｚの第１側ｚ１（第１主面１１側）にグレーズ層１７が形成されている。複数の発熱部４１は、グレーズ層１７上に配置されている。グレーズ層１７は、単結晶半導体に異方性エッチングを施すことで形成される凸部と比較して、厚さ（厚さ方向ｚの寸法）が小さく、なだらかな凸部として形成されている。したがって、グレーズ層１７によって形成された凸部は、異方性エッチングによって形成される凸部と比較して、ラベル紙の下方に突出したシール部分が衝突することを抑制できる。これにより、サーマルプリントヘッドＡ１は、ラベル紙に印刷を行う際の騒音を抑制できる。

また、本実施形態によると、発熱基板１は、第１主面１１から厚さ方向ｚの第２側ｚ２に凹み主走査方向ｘに延びる凹部１５を有する。グレーズ層１７は、製造工程において、流動性のあるガラスペーストが凹部１５の凹部端縁１５１を越えることを阻止されて形成される。したがって、グレーズ層１７は、第１主面１１上で広がることなく、凹部１５によって規定された形成領域に形成される。

また、本実施形態によると、発熱基板１は、第１主面１１より厚さ方向ｚの第２側ｚ２に位置し、かつ、第１主面１１と同じ側を向く第２主面１３を備えている。つまり、発熱基板１は、副走査方向ｙの上流側ｙ１の厚さ方向ｚの寸法が、副走査方向ｙの下流側ｙ２の厚さ方向ｚの寸法より小さい形状である。これにより、サーマルプリントヘッドＡ１は、図４に示すように、発熱基板１の副走査方向ｙの寸法を比較的小さくしつつ、印刷媒体９２が発熱基板１に形成された保護樹脂５７などに接触することを抑制できる。

また、本実施形態によると、第１基板５および第２基板６は、柔軟性を有する第３基板７によって接続されている。したがって、第１基板５および第２基板６は、互いに傾斜させた状態で、放熱部材８に搭載可能である。よって、サーマルプリントヘッドＡ１の設計の自由度は向上する。

図１７～図２１は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。

＜第２実施形態＞
図１７は、本開示の第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ２を説明するための図である。図１７は、サーマルプリントヘッドＡ２を示す要部断面図であり、図５に対応する図である。本実施形態のサーマルプリントヘッドＡ２は、発熱基板１が第２主面１３および傾斜面１４を有さない点で、上述した第１実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１実施形態の各部が任意に組み合わせられてもよい。

本実施形態においては、第１主面１１が発熱基板１の副走査方向ｙの上流側ｙ１の端縁まで延びている。発熱基板１は、第２主面１３および傾斜面１４を有さない。

本実施形態においても、発熱基板１は厚さ方向ｚの第１側ｚ１（第１主面１１側）にグレーズ層１７が形成され、複数の発熱部４１がグレーズ層１７上に配置されている。したがって、サーマルプリントヘッドＡ２は、ラベル紙に印刷を行う際の騒音を抑制できる。また、サーマルプリントヘッドＡ２は、サーマルプリントヘッドＡ１と共通する構成をとることにより、サーマルプリントヘッドＡ１と同等の効果を奏する。さらに、本実施形態によると、発熱基板１に第２主面１３および傾斜面１４を形成する工程（第２エッチング工程Ｓ３０）が必要ないので、製造工程を簡略化できる。

＜第３実施形態＞
図１８および図１９は、本開示の第３実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ３を説明するための図である。図１８は、サーマルプリントヘッドＡ３の発熱基板１を示す平面図であり、図６に対応する図である。図１８においては、理解の便宜上、凹部１５に点描を付している。図１９は、図１８のＸＩＸ－ＸＩＸ線に沿う断面図である。図１９においては、グレーズ層１７を想像線（２点鎖線）で示している。本実施形態のサーマルプリントヘッドＡ３は、凹部１５が副走査方向ｙに並ぶ２本の溝１５２からなる点で、上述した第１実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～２実施形態の各部が任意に組み合わせられてもよい。

本実施形態において、凹部１５は、副走査方向ｙに並ぶ２本の溝１５２からなる。各溝１５２は、第１主面１１から厚さ方向ｚの第２側ｚ２に凹んだ溝であり、主走査方向ｘに延びている。各溝１５２は、厚さ方向ｚに視て、主走査方向ｘに長く延びる細長矩形状である。本実施形態では、各溝１５２は、発熱基板１の主走査方向ｘの両端まで延びている。各溝１５２は、たとえばドライエッチングによって形成される。なお、各溝１５２の形成方法は限定されない。各溝１５２はそれぞれ、２個の凹部端縁１５１を備えている。各凹部端縁１５１は、各溝１５２と第１主面１１との境界であり、主走査方向ｘに延びている。２個の凹部端縁１５１は、凹部端縁１５１ａおよび凹部端縁１５１ｂを含んでいる。凹部端縁１５１ａは、副走査方向ｙにおいて他方の溝１５２とは反対側に位置している端縁である。凹部端縁１５１ｂは、副走査方向ｙにおいて他方の溝１５２側に位置している端縁である。

第１主面１１は、凹部１５（２本の溝１５２）によって３個の部位に分けられている。当該３個の部位はいずれも、主走査方向ｘに長く延びる細長矩形状である。第１主面１１は、溝間部１１１を含んでいる。溝間部１１１は、３個の部位のうち、２本の溝１５２の間の部位である。つまり、溝間部１１１は、凹部端縁１５１ｂを介して、溝１５２につながっている。

グレーズ層１７は、図１９に示すように、第１主面１１の溝間部１１１上および各溝１５２の内部に配置されている。グレーズ層１７の材料であるガラスペーストは流動性があるが、発熱基板１に配置されたとき、表面張力により、凹部端縁１５１ａを越えることが阻止される。また、焼成時にも加熱によりガラスペーストは流動化するが、表面張力により、凹部端縁１５１ａを越えることが阻止される。厚さ方向ｚに視て、グレーズ端縁１７１と凹部端縁１５１ａとは一致している。より詳しくは、副走査方向ｙの上流側ｙ１のグレーズ端縁１７１と副走査方向ｙの上流側ｙ１の溝１５２の凹部端縁１５１ａとが一致し、副走査方向ｙの下流側ｙ２のグレーズ端縁１７１と副走査方向ｙの下流側ｙ２の溝１５２の凹部端縁１５１ａとが一致している。グレーズ層１７は、凹部１５の各溝１５２の凹部端縁１５１ａによって形成領域を規定されて形成されている。また、グレーズ層１７の主走査方向ｘに直交する断面形状は、材料であるガラスペーストの表面張力によって形成された凸形状である。したがって、グレーズ層１７は、単結晶半導体に異方性エッチングを施すことで形成される凸部と比較して、厚さ（厚さ方向ｚの寸法）が小さく、なだらかな凸部になる。

本実施形態においても、発熱基板１は厚さ方向ｚの第１側ｚ１（第１主面１１側）にグレーズ層１７が形成され、複数の発熱部４１がグレーズ層１７上に配置されている。したがって、サーマルプリントヘッドＡ３は、ラベル紙に印刷を行う際の騒音を抑制できる。また、本実施形態によると、発熱基板１は、第１主面１１から厚さ方向ｚの第２側ｚ２に凹み主走査方向ｘに延びる、副走査方向ｙに並ぶ２本の溝１５２を有する。グレーズ層１７は、製造工程において、流動性のあるガラスペーストが各溝１５２の凹部端縁１５１ａを越えることを阻止されて形成される。したがって、グレーズ層１７は、第１主面１１上で広がることなく、凹部１５（２本の溝１５２）によって規定された形成領域に形成される。また、サーマルプリントヘッドＡ３は、サーマルプリントヘッドＡ１と共通する構成をとることにより、サーマルプリントヘッドＡ１と同等の効果を奏する。さらに、本実施形態によると、第１実施形態の場合と比較して、グレーズ層１７を形成するための材料の使用量を抑制できる。

＜第４実施形態＞
図２０は、本開示の第４実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ４を説明するための図である。図２０は、サーマルプリントヘッドＡ４の発熱基板１を示す要部断面図であり、図１９に対応する図である。図２０においては、グレーズ層１７を想像線（２点鎖線）で示している。本実施形態のサーマルプリントヘッドＡ４は、グレーズ層１７の形成領域が、上述した第３実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第３実施形態と同様である。なお、上記の第１～３実施形態の各部が任意に組み合わせられてもよい。

本実施形態においては、第３実施形態と同様、凹部１５は、副走査方向ｙに並ぶ２本の溝１５２からなる。各溝１５２はそれぞれ、凹部端縁１５１ａおよび凹部端縁１５１ｂを備えている。第１主面１１は、２本の溝１５２の間に位置する溝間部１１１を含んでいる。

本実施形態において、グレーズ層１７は、図２０に示すように、第１主面１１の溝間部１１１上に配置されており、２本の溝１５２の内部には配置されていない。つまり、２本の溝１５２は、グレーズ層１７から露出している。グレーズ層１７の材料であるガラスペーストは流動性があるが、発熱基板１に配置されたとき、表面張力により、凹部端縁１５１ｂを越えることが阻止される。また、焼成時にも加熱によりガラスペーストは流動化するが、表面張力により、凹部端縁１５１ｂを越えることが阻止される。厚さ方向ｚに視て、グレーズ端縁１７１と凹部端縁１５１ｂとは一致している。より詳しくは、副走査方向ｙの上流側ｙ１のグレーズ端縁１７１と副走査方向ｙの上流側ｙ１の溝１５２の凹部端縁１５１ｂとが一致し、副走査方向ｙの下流側ｙ２のグレーズ端縁１７１と副走査方向ｙの下流側ｙ２の溝１５２の凹部端縁１５１ｂとが一致している。グレーズ層１７は、凹部１５の各溝１５２の凹部端縁１５１ｂによって形成領域を規定されて形成されている。また、グレーズ層１７の主走査方向ｘに直交する断面形状は、材料であるガラスペーストの表面張力によって形成された凸形状である。したがって、グレーズ層１７は、単結晶半導体に異方性エッチングを施すことで形成される凸部と比較して、厚さ（厚さ方向ｚの寸法）が小さく、なだらかな凸部になる。

本実施形態においても、発熱基板１は厚さ方向ｚの第１側ｚ１（第１主面１１側）にグレーズ層１７が形成され、複数の発熱部４１がグレーズ層１７上に配置されている。したがって、サーマルプリントヘッドＡ４は、ラベル紙に印刷を行う際の騒音を抑制できる。また、本実施形態によると、発熱基板１は、第１主面１１から厚さ方向ｚの第２側ｚ２に凹み主走査方向ｘに延びる、副走査方向ｙに並ぶ２本の溝１５２を有する。グレーズ層１７は、製造工程において、流動性のあるガラスペーストが各溝１５２の凹部端縁１５１ｂを越えることを阻止されて形成される。したがって、グレーズ層１７は、第１主面１１上で広がることなく、凹部１５（２本の溝１５２）によって規定された形成領域に形成される。また、サーマルプリントヘッドＡ４は、サーマルプリントヘッドＡ３と共通する構成をとることにより、サーマルプリントヘッドＡ３と同等の効果を奏する。さらに、本実施形態によると、グレーズ層１７が各溝１５２に配置されないので、第３実施形態の場合と比較して、グレーズ層１７を形成するための材料の使用量をさらに抑制できる。

＜第５実施形態＞
図２１は、本開示の第５実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ５を説明するための図である。図２１は、サーマルプリントヘッドＡ５の発熱基板１を示す平面図であり、図６に対応する図である。本実施形態のサーマルプリントヘッドＡ５は、凹部１５が発熱基板１の主走査方向ｘの両端まで達していない点で、上述した第１実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～４実施形態の各部が任意に組み合わせられてもよい。

本実施形態においては、凹部１５は、発熱基板１の主走査方向ｘの両端まで達しておらず、厚さ方向ｚに視て、第１主面１１に内包されている。したがって、凹部１５は、副走査方向ｙに延びる２個の凹部端縁１５１をさらに備えている。

本実施形態においても、発熱基板１は厚さ方向ｚの第１側ｚ１（第１主面１１側）にグレーズ層１７が形成され、複数の発熱部４１がグレーズ層１７上に配置されている。したがって、サーマルプリントヘッドＡ５は、ラベル紙に印刷を行う際の騒音を抑制できる。また、サーマルプリントヘッドＡ５は、サーマルプリントヘッドＡ１と共通する構成をとることにより、サーマルプリントヘッドＡ１と同等の効果を奏する。さらに、本実施形態によると、第１実施形態の場合と比較して、グレーズ層１７を形成するための材料の使用量をさらに抑制できる。

本開示に係るサーマルプリントヘッドおよびその製造方法と、当該サーマルプリントヘッドを備えているサーマルプリンタとは、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係るサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタの各部の具体的な構成、および、本開示に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の各工程の具体的な処理は、種々に設計変更自在である。

〔付記１〕
厚さ方向（ｚ）の第１側（ｚ１）を向く第１主面（１１）を有し、かつ、単結晶半導体からなる発熱基板（１）と、
前記発熱基板の前記厚さ方向の第１側で主走査方向（ｘ）に沿って配列された複数の発熱部（４１）を含む抵抗体層（４）と、
前記発熱基板と前記複数の発熱部との間に配置されたグレーズ層（１７）と、
を備えており、
前記発熱基板は、前記第１主面から前記厚さ方向に凹んだ凹部（１５）をさらに備え、
前記凹部は、前記第１主面との境界であり前記主走査方向に延びる凹部端縁（１５１）を備え、
前記厚さ方向に視て、前記グレーズ層のグレーズ端縁（１７１）と、前記凹部端縁とが一致している、
サーマルプリントヘッド（Ａ１）。
〔付記２〕
前記凹部は、前記主走査方向に延びる１本の溝であり、
前記グレーズ層は、前記凹部の内部に配置されている、
付記１に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記３〕
前記凹部は、副走査方向に並ぶ２本の溝を含んでいる、
付記１に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記４、第３実施形態、図１８、図１９〕
前記グレーズ層は、前記第１主面における前記２本の溝の間の部位である溝間部、および、前記２本の溝の内部に配置されている、
付記３に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記５、第４実施形態、図２０〕
前記グレーズ層は、前記第１主面における前記２本の溝の間の部位である溝間部に配置され、
前記２本の溝は、前記グレーズ層から露出している、
付記３に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記６〕
前記凹部は、前記発熱基板の前記主走査方向の両端まで延びている、
付記２ないし５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記７〕
前記発熱基板は、前記厚さ方向の前記第１側を向き、かつ、前記第１主面より前記第１側とは反対側の第２側（ｚ２）に位置する第２主面（１３）をさらに備え、
前記第２主面は、前記発熱基板の副走査方向の端縁まで延びている、
付記１ないし６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記８、図５〕
前記厚さ方向における前記凹部の第１寸法（Ｄ１）は、前記厚さ方向における前記第１主面と前記第２主面との位置の差である第２寸法（Ｄ２）より小さい
付記７に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記９〕
前記第１寸法は、前記第２寸法の０．５％以上５％以下である、
付記８に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１０、図５〕
前記発熱基板は、前記第１主面と前記第２主面との間に位置し、かつ、前記第１主面および前記第２主面に対して傾斜する傾斜面（１４）をさらに備え、
前記第１主面に対する前記溝の側面（１５２）の第１傾斜角（β）は、前記第１主面に対する前記傾斜面の第２傾斜角（α）より大きい、
付記７ないし９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１１〕
前記単結晶半導体は、Ｓｉを含み、
前記第１主面は、（１００）面である、
付記１ないし１０のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１２〕
付記１ないし１１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドと、
前記複数の発熱部に対向して配置されたプラテンローラと、
を備えているサーマルプリンタ。
〔付記１３、図７〕
厚さ方向の第１側を向く第１主面を有し、かつ、単結晶半導体からなる基材（１０Ａ）を準備する基材準備工程（Ｓ１０）と、
第１エッチングによって、前記第１主面から前記厚さ方向に凹んだ凹部を形成する第１エッチング工程（Ｓ２０）と、
第２エッチングによって、前記厚さ方向の前記第１側を向き、かつ、前記第１主面より前記第１側とは反対側の第２側に位置する第２主面を形成する第２エッチング工程（Ｓ３０）と、
前記基材の前記厚さ方向の第１側にグレーズ層を形成するグレーズ層形成工程（Ｓ４０）と、
を備えている、
サーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記１４〕
前記第１エッチングは、ドライエッチングであり、
前記第２エッチングは、ウエットエッチングである、
付記１３に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記１５〕
前記第２エッチングは、異方性エッチングである、
付記１３または１４に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

Ａ１～Ａ５：サーマルプリントヘッド
１ ：発熱基板
１１ ：第１主面
１１１ ：溝間部
１２ ：裏面
１３ ：第２主面
１４ ：傾斜面
１５ ：凹部
１５１，１５１ａ，１５１ｂ：凹部端縁
１５２ ：溝
１５３ ：側面
１７ ：グレーズ層
１７１ ：グレーズ端縁
１８ ：絶縁層
２ ：保護層
２１ ：パッド用開口
３ ：導電層
３１ ：個別電極
３１１ ：個別パッド
３２ ：共通電極
３２３ ：連結部
３２４ ：帯状部
３３ ：中継電極
４ ：抵抗体層
４１ ：発熱部
５ ：第１基板
５１ ：主面
５２ ：裏面
５５ ：ドライバＩＣ
５６１，５６２：ワイヤ
５７ ：保護樹脂
６ ：第２基板
６１ ：主面
６２ ：裏面
６９ ：コネクタ
７ ：第３基板
８ ：放熱部材
８１ ：第１支持面
８２ ：第２支持面
８３ ：底面
９１ ：プラテンローラ
９２ ：印刷媒体
９５ ：支持テープ
９８ ：マスク層
９８ａ ：開口
９９ ：マスク層
１０Ａ ：基材
１１Ａ ：主面
Ｂ１ ：サーマルプリンタ

Claims (15)

1. 厚さ方向の第１側を向く第１主面を有し、かつ、単結晶半導体からなる発熱基板と、
   前記発熱基板の前記厚さ方向の第１側で主走査方向に沿って配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、
   前記発熱基板と前記複数の発熱部との間に配置されたグレーズ層と、
   を備えており、
   前記発熱基板は、前記第１主面から前記厚さ方向に凹んだ凹部をさらに備え、
   前記凹部は、前記第１主面との境界であり前記主走査方向に延びる凹部端縁を備え、
   前記厚さ方向に視て、前記グレーズ層のグレーズ端縁と、前記凹部端縁とが一致している、
   サーマルプリントヘッド。
2. 前記凹部は、前記主走査方向に延びる１本の溝であり、
   前記グレーズ層は、前記凹部の内部に配置されている、
   請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
3. 前記凹部は、副走査方向に並ぶ２本の溝を含んでいる、
   請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
4. 前記グレーズ層は、前記第１主面における前記２本の溝の間の部位である溝間部、および、前記２本の溝の内部に配置されている、
   請求項３に記載のサーマルプリントヘッド。
5. 前記グレーズ層は、前記第１主面における前記２本の溝の間の部位である溝間部に配置され、
   前記２本の溝は、前記グレーズ層から露出している、
   請求項３に記載のサーマルプリントヘッド。
6. 前記凹部は、前記発熱基板の前記主走査方向の両端まで延びている、
   請求項２に記載のサーマルプリントヘッド。
7. 前記発熱基板は、前記厚さ方向の前記第１側を向き、かつ、前記第１主面より前記第１側とは反対側の第２側に位置する第２主面をさらに備え、
   前記第２主面は、前記発熱基板の副走査方向の端縁まで延びている、
   請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
8. 前記厚さ方向における前記凹部の第１寸法は、前記厚さ方向における前記第１主面と前記第２主面との位置の差である第２寸法より小さい
   請求項７に記載のサーマルプリントヘッド。
9. 前記第１寸法は、前記第２寸法の０．５％以上５％以下である、
   請求項８に記載のサーマルプリントヘッド。
10. 前記発熱基板は、前記第１主面と前記第２主面との間に位置し、かつ、前記第１主面および前記第２主面に対して傾斜する傾斜面をさらに備え、
    前記第１主面に対する前記溝の側面の第１傾斜角は、前記第１主面に対する前記傾斜面の第２傾斜角より大きい、
    請求項７に記載のサーマルプリントヘッド。
11. 前記単結晶半導体は、Ｓｉを含み、
    前記第１主面は、（１００）面である、
    請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
12. 請求項１ないし１１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドと、
    前記複数の発熱部に対向して配置されたプラテンローラと、
    を備えているサーマルプリンタ。
13. 厚さ方向の第１側を向く第１主面を有し、かつ、単結晶半導体からなる基材を準備する基材準備工程と、
    第１エッチングによって、前記第１主面から前記厚さ方向に凹んだ凹部を形成する第１エッチング工程と、
    第２エッチングによって、前記厚さ方向の前記第１側を向き、かつ、前記第１主面より前記第１側とは反対側の第２側に位置する第２主面を形成する第２エッチング工程と、
    前記基材の前記厚さ方向の第１側にグレーズ層を形成するグレーズ層形成工程と、
    を備えている、
    サーマルプリントヘッドの製造方法。
14. 前記第１エッチングは、ドライエッチングであり、
    前記第２エッチングは、ウエットエッチングである、
    請求項１３に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
15. 前記第２エッチングは、異方性エッチングである、
    請求項１３または１４に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

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