JP2023152756A - 硬化性組成物、硬化物、プリプレグ、回路基板、ビルドアップフィルム、半導体封止材及び半導体装置。 - Google Patents

Abstract

【課題】本開示は、硬化時において、低誘電正接及び低吸湿率を示す硬化性組成物及びその硬化物を提供することを目的とする。【解決手段】本開示は、２以上の直鎖又は分岐状のアルキレン基が結合された単環式又は縮合多環式芳香族基を含有するポリマレイミド化合物（Ａ）と、反応性二重結合を有する不飽和炭化水素化合物（Ｂ）と、を含有することを特徴とする硬化性組成物である。【選択図】なし

Description

本開示は、硬化性組成物、硬化物、プリプレグ、回路基板、ビルドアップフィルム、半導体封止材及び半導体装置に関するものである。

エポキシ系樹脂又はＢＴ（ビスマレイミド－トリアジン）系樹脂などの熱硬化性樹脂をガラスクロスに含浸、加熱乾燥して得られるプリプレグ、該プリプレグを加熱硬化した積層板、及び当該積層板と該プリプレグとを組み合わせて加熱硬化した多層板が、電子機器用の回路基板材料として広く使用されている。中でも、半導体を実装するためのインターポーザの役割を果たすプリント配線板の一種であるパッケージ基板は、薄型化が進み、実装時のパッケージ基板の反りが問題となることから、実装時のパッケージ基板の反りを抑制するため、高耐熱性を発現する材料が求められている。
また、近年、信号の高速化及び高周波数化が進み、これらの環境下で十分に低い誘電率を維持し、かつ十分に低い誘電正接を発現する硬化物を形成しうる熱硬化性組成物の提供が望まれている。特に最近では各種電材用途、とりわけ先端材料用途においては、耐熱性、誘電特性に代表される性能の一層の向上、及びこれらを兼備する材料、組成物が求められている。これらの要求に対し、耐熱性と低誘電率・低誘電正接を兼備する材料としてマレイミド樹脂が注目されている。しかしながら、従来のマレイミド樹脂は高耐熱性を示すものの、吸湿性が高く、誘電特性（誘電率・誘電正接値）が先端材料用途に要求されるレベルには達していない。
例えば、特許文献１には、耐熱性を損なわず、積層板としての誘電率が４．０以下であるプリント基板用材料として、インダン環を有するポリマレイミド樹脂とトリアリルシアヌレート又は芳香族ジアミンとを含有する熱硬化性組成物が開示されている。

特開平５－２４７２０２号公報

しかしながら、特許文献１の熱硬化性組成物は、誘電正接値を検討していないため、誘電率及び誘電正接値が先端材料用途に要求されるレベルには達しておらず、高温時の低吸湿性と、低誘電率及び低誘電正接性とを両立していない。
そこで、本開示が解決しようとする技術的課題は、硬化時において、吸湿性が小さく、かつ低誘電正接及び低誘電率を示す硬化性組成物、硬化物、プリプレグ、回路基板、ビルドアップフィルム、半導体封止材及び半導体装置を提供することにある。

本発明者らは、上述した課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、２以上の直鎖又は分岐状のアルキレン基が結合された単環式又は縮合多環式芳香族環を含有するポリマレイミド化合物（Ａ）と、反応性二重結合を有する不飽和炭化水素化合物（Ｂ）と、を含有する硬化性組成物を用いることにより、硬化時における吸湿性と、低誘電正接及び低誘電率とを高次に両立することができることを見いだし、本発明を完成するに至った。

本開示によれば、硬化時における低吸湿性、低い誘電率及び低誘電正接性を高次に両立することができる硬化性組成物、並びにその硬化物、プリプレグ、回路基板、ビルドアップフィルム、半導体封止材及び半導体装置を提供しうる。このような硬化性組成物は、電子部品封止材料用途などにおいて、特に有用である。

図１Ａは、本実施例のポリマレイミド化合物（Ａ－１）のＧＰＣ測定結果を示す。 図１Ｂは、本実施例のポリマレイミド化合物（Ａ－１）のＦＤ－ＭＳ測定結果を示す。 図１Ｃは、本実施例のポリマレイミド化合物（Ａ－１）の^１３Ｃ－ＮＭＲ測定結果を示す。

以下、本発明の実施の形態（「本実施形態」と称する。）について詳細に説明するが、本開示は以下の記載に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。

［用語］
本明細書における「反応原料」とは、化合又は分解といった化学反応により目的の化合物を得るために用いられ、目的の化合物の化学構造を部分的に構成する化合物をいい、溶媒、触媒といった、化学反応の助剤の役割を担う物質は除外される。本明細書では特に、「反応原料」とは、例えば目的物をポリマレイミド化合物（Ａ）とした場合、当該ポリマレイミド化合物（Ａ）又はその前駆体化合物（例、前記芳香族アミン化合物（ａ）同士が前記芳香族ジビニル化合物（ｂ１）を介して連結された中間体アミン化合物（ｃ））を化学反応により得るための前駆体をいう。
本明細書における「芳香族基」は、炭素原子数３～３０の芳香族環を有することが好ましく、炭素原子数４～２６の芳香族環を有することがより好ましい。そして、本明細書における「芳香族基」は、当該芳香族基中の芳香族環の水素原子が、置換基、例えば、炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数１～１０のアルコキシ基又はハロゲン原子に置換されてもよい。また、「芳香族基」は、複素芳香族を含み、「芳香族基」中の－ＣＨ_２－又は－ＣＨ＝が互いに隣接しないよう、－Ｏ－、－Ｓ－又は－Ｎ＝に置換されてもよい。
当該芳香族環の種類は、例えば、単環式芳香族環、縮合多環式芳香族環が挙げられる。前記単環式芳香族環としては、例えば、ベンゼン、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、イソキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、トリアジン等が挙げられる。前記縮合多環式芳香族環としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、キノリン、イソキノリン、キナゾリン、フタラジン、プテリジン、クマリン、インドール、ベンゾイミダゾール、ベンゾフラン、アクリジン等が挙げられる。また、当該芳香族基中の芳香族環の水素原子が、例えば、炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数１～１０のアルケニル基,
炭素原子数１～１０のアルコキシ基、炭素原子数１～１２のアリール基、炭素原子数１～１２のアラルキル基又はハロゲン原子に置換されてもよい。
なお、一価の芳香族基とは、「芳香族基」中の水素原子を１つ除いた基をいい、二価の芳香族基とは、「芳香族基」中の任意の水素原子を２つ除いた基をいい、三価～六価の芳香族基とは、「芳香族基」中の水素原子を３～６つ除いた基をいう。
本明細書における「アラルキル基」としては、例えば、ベンジル基、ジフェニルメチル基、ナフチルメチル基等が挙げられる。当該アラルキル基中の芳香族環の水素原子が、例えば、炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数１～１０のアルケニル基、炭素原子数１～１０のアルコキシ基又はハロゲン原子に置換されてもよい。なお、「アラルキレン基」は、前記「アラルキル基」から任意の水素原子を１つ除いた二価の基が挙げられる。
本明細書における「アルキル基」は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、１，２－ジメチルプロピル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、（ｎ－）ヘプチル基、（ｎ－）オクチル基、（ｎ－）ノニル基、（ｎ－）デシル基、（ｎ－）ウンデシル基、（ｎ－）ドデシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基又はシクロノニル基が挙げられる。
本明細書における「シクロアルキル基」は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、メチルシクロブチル基、ノルボルニル基又はアダマンチル基等が挙げられる。
本明細書における「アルキルチオ基」は、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、オクチルチオ基又は２－エチルヘキシルチオ基が挙げられる。
本明細書における「アルケニル基」は、エチニル基、１－プロピニル基、２－プロピニル基、２－ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、ビニル基、アリル基又はイソプロペニル基等が挙げられる。
本明細書における「アルコキシ基」は、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基又はノニルオキシ基等が挙げられる。
本明細書における「アリール基」は、例えば、フェニル基、ナフチル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントリル基、アズレニル基、テトラリニル基等が挙げられる。また、当該「アリール基」は、当該アリール基中の芳香族環の水素原子が、例えば、炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数１～１０のアルコキシ基、炭素原子数１～１０のアルケニル基又はハロゲン原子に置換されてもよい。なお、「アリーレン基」は、前記「アリール基」から任意の水素原子を１つ除いた二価の基が挙げられる。
本明細書における「アリールオキシ基」は、フェノキシ基、ナフチルオキシ基、アンスリルオキシ基、フェナントリルオキシ基又はピレニルオキシ基等が挙げられる。
本明細書における「アリールチオ基」は、フェニルチオ基、ナフチルチオ基、アンスリルチオ基、フェナントリルチオ基又はピレニルチオ基等のアリールチオ基が挙げられる。
本明細書における「ハロゲン原子」は、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子等が挙げられる。
本明細書における「構造単位」とは、反応又は重合時に形成される化学構造の（繰り返し）単位をいい、換言すると、反応又は重合よりに形成される生成化合物において、当該反応又は重合に関与する化学結合の構造以外の部分構造をいい、いわゆる残基をいう。

［硬化性組成物］
本実施形態の硬化性組成物は、２以上の直鎖又は分岐状のアルキレン基が結合された単環式又は縮合多環式芳香族環を含有するポリマレイミド化合物（Ａ）（以下、単にポリマレイミド化合物（Ａ）と称する。）と、反応性二重結合を有する不飽和炭化水素化合物（Ｂ）（以下、単に不飽和炭化水素化合物（Ｂ）と称する。）と、を含有する。
化学構造中に極性官能基の割合が少ない、ポリマレイミド化合物（Ａ）及び反応性二重結合を有する不飽和炭化水素化合物（Ｂ）を有するため、組成物全体として優れた低誘電特性及び低吸湿性を両立しえる。

本実施形態の硬化性組成物において、ポリマレイミド化合物（Ａ）、及び、反応性二重結合を有する不飽和炭化水素化合物（Ｂ）の成分の配合比（質量部）としては、ポリマレイミド化合物（Ａ）：反応性二重結合を有する不飽和炭化水素化合物（Ｂ）、９０：１０～１０：９０であることが好ましく、より好ましくは、８０：２０～２０：８０であり、さらに好ましくは、７５：２５～２５：７５である。前記範囲に配合比を調製することにより、優れた、低吸湿性、低誘電率及び低誘電正接を発現することができるため、好ましい。

本実施形態の硬化性組成物は、反応性二重結合を有する不飽和炭化水素化合物（Ｂ）以外の硬化剤（Ｄ）を本発明の硬化を損なわない範囲で含有してもよい。また、本実施形態の硬化性組成物は、エポキシ樹脂（Ｃ）をさらに含有してもよい。そして、本実施形態の硬化性組成物は、エポキシ樹脂（Ｃ）以外の他の樹脂（Ｅ）、硬化促進剤又は添加剤を添加してもよい。当該添加剤としては、難燃剤、無機充填材、シランカップリング剤、離型剤、酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤、顔料及び乳化剤等が挙げられる。

以下、本実施形態の硬化性組成物の必須成分である芳香族環を含有するアルキレン基を有するポリマレイミド化合物（Ａ）及び不飽和炭化水素化合物（Ｂ）について詳説した後、任意成分である、エポキシ樹脂（Ｃ）、不飽和炭化水素化合物（Ｂ）以外の硬化剤（Ｄ）、エポキシ樹脂（Ｃ）以外の他の樹脂（Ｅ）、硬化促進剤並びに添加剤について説明する。

（ポリマレイミド化合物（Ａ））
本実施形態にかかるポリマレイミド化合物（Ａ）は、２以上の直鎖又は分岐状のアルキレン基が結合された単環式又は縮合多環式芳香族環及び２以上のマレイミド基を有する化合物である。
前記２以上の直鎖又は分岐状のアルキレン基が結合された単環式又は縮合多環式芳香族環とは、直鎖又は分岐鎖の炭素原子数１～１２のアルキレン基が２以上存在し、かつ前記アルキレン基の一方の結合手が単環式又は縮合多環式芳香族環に２以上結合した二価以上の基をいう。したがって、単環式又は縮合多環式芳香族環に結合した直鎖又は分岐鎖のアルキレン基の数が、前記芳香族環を含有するアルキレン基の価数と一致する。本実施形態における２以上の直鎖又は分岐状のアルキレン基が結合された単環式又は縮合多環式芳香族環としては、２価～４価の基であることが好ましく、２価～３価の基であることがより好ましい。
本実施形態における２以上の直鎖又は分岐状のアルキレン基が結合された単環式又は縮合多環式芳香族環としては、以下の一般式（Ｉ）で表される基であることが好ましい。

（上記一般式（Ｉ）中、Ａｒ^１は、（２＋ｈ）価の芳香族基を表し、Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３はそれぞれ独立して、炭素原子数１～１２のアルキレン基を表し、ｈは０以上２以下の整数を表し、＊は他の原子との結合を表す。）
なお、上記一般式（Ｉ）において、ｈが０の場合は一般式（Ｉ）で表される基は２価であり、ｈが２の場合は一般式（Ｉ）で表される基は４価である。
前記マレイミド基とは、以下の一般式（ＩＩ）で表される基であることが好ましい。

（上記一般式（ＩＩ）中、Ａｒ^２は芳香族基を表し、破線は不在であるか、あるいは単結合を表し、＊は他の原子との結合を表す。）
なお、一般式（ＩＩ）中、破線は、不在であるか、あるいは単結合を表す。前記破線が不在である場合、上記一般式（ＩＩ）のマレイミド基は一価になりうる。一方、前記破線が単結合である場合、上記一般式（ＩＩ）のマレイミド基は二価になりうる。
本実施形態の好適なポリマレイミド化合物（Ａ）は、以下の一般式（１）で表される構造単位を有する化合物である、あるいはアルキル基を１以上３以下有する芳香族アミン化合物（ａ）（以下、芳香族アミン化合物（ａ）とも称する。）と、エテニル基を２つ有する芳香族ジビニル化合物（ｂ１）（以下、芳香族ジビニル化合物（ｂ１）とも称する。）と、無水マレイン酸とを反応原料（１）とする化合物である。

（上記一般式（１）中、Ｒ^１はそれぞれ独立して、アルキル基を表し、
Ｒ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基、アルコキシ基若しくはアルキルチオ基；炭素原子数６～１０のアリール基、アリールオキシ基若しくはアリールチオ基；炭素原子数３～１０のシクロアルキル基；ハロゲン原子；水酸基；又はメルカプト基を表し、
Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、かつＲ^３及びＲ^４の一方が水素原子、他方がメチル基であり、Ｒ^５及びＲ^６の一方が水素原子、他方がメチル基であり、
Ｘ^１は、以下の一般式（ｘ）：

（一般式（ｘ）中、Ｒ^７及びＲ^８はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、かつＲ^７及びＲ^８の一方が水素原子、他方がメチル基であり、Ｒ^９はそれぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基、アルコキシ基若しくはアルキルチオ基；炭素原子数６～１０のアリール基、アリールオキシ基若しくはアリールチオ基；炭素原子数３～１０のシクロアルキル基；ハロゲン原子；水酸基；又はメルカプト基を表し、ｔは０～４の整数を表す。）
で表される置換基を表し、ｒは、Ｘ^１が結合されたベンゼン環１つ当たりのＸ^１の置換数の平均値であり、０～４の数を表し、ｐは１～３の整数を表し、ｑは０～４の整数を表し、ｋは１～１００の整数を表す。）
これにより、硬化時において、低吸湿性及び低誘電正接性をより高次に両立することができる。

＜ポリマレイミド化合物（Ａ）の好ましい形態＞
本実施形態のポリマレイミド化合物（Ａ）は、上記一般式（１）で表される構造単位を有することが好ましい。
また、上記一般式（１）において、ｐが２以上の整数である場合、複数存在するＲ^１は互いに同一であっても、又は異なっていてもよい。ｑが２以上の整数である場合、複数存在するＲ^２は互いに同一であっても、又は異なっていてもよい。ｔが２以上の整数である場合、複数存在するＲ^９は互いに同一であっても、又は異なっていてもよい。

上記一般式（１）中、Ｒ^１はそれぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基を表すことが好ましく、炭素原子数１～６のアルキル基を表すことがより好ましい。また、ｐが２以上の整数である場合、複数存在するＲ^１は互いに同一であっても、又は異なっていてもよい。一般式（１）中の好ましいＲ^１としては、メチル基、エチル基又はｎ－プロピル基である。なお、一般式（１）中のＲ^１が結合したベンゼン環は、芳香族アミン化合物（ａ）のベンゼン環でありうる。
上記一般式（１）中、ｐは１又は２を表すことが好ましい。なお、一般式（１）中のＲ^１が結合されたベンゼン環の２位、３位、４位、５位又は６位の少なくとも１つにＲ^１が結合されていることが好ましい。

上記一般式（１）中、Ｒ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数１～１０のアルコキシ基；炭素原子数６～１０のアリール基；炭素原子数３～１０のシクロアルキル基；ハロゲン原子；又は水酸基を表すことが好ましく、炭素原子数１～１０のアルキル基を表すことがより好ましく、炭素原子数１～６のアルキル基を表すことがさらに好ましい。また、ｑが２以上の整数である場合、複数存在するＲ^２は互いに同一であっても、又は異なっていてもよい。一般式（１）中の好ましいＲ^２としては、メチル基、エチル基又はｎ－プロピル基である。なお、一般式（１）中のＲ^２が結合したベンゼン環は、芳香族ジビニル化合物（ｂ１）のベンゼン環でありうる。また、上記一般式（１）中、ｑは０、１又は２を表すことが好ましい。

上記一般式（１）中、Ｒ^３及びＲ^４の一方が水素原子、他方がメチル基であり、Ｒ^５及びＲ^６の一方が水素原子、他方がメチル基である。これにより、ポリマレイミド化合物（Ａ）自体が有する不飽和結合の反応性を高い水準に維持することができる。上記一般式（１）中のＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６において、アルキル基の占める割合が多くなるとその立体的障害により、ポリマレイミド化合物（Ａ）自体が有する不飽和結合の反応性が低下しうる傾向が見受けられる。そのため、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６が全てアルキル基であると、ポリマレイミド化合物（Ａ）自体が有する不飽和結合の反応性が低下し、効率よく硬化物を形成できない。

上記一般式（１）中、Ｘ^１は上記の一般式（ｘ）で表され、かつ当該一般式（ｘ）において、Ｒ^７は水素原子、Ｒ^８はメチル基を表すことが好ましい。また、上記一般式（ｘ）中、Ｒ^９は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数１～１０のアルコキシ基；炭素原子数６～１０のアリール基；炭素原子数３～１０のシクロアルキル基；ハロゲン原子；又は水酸基を表すことが好ましく、炭素原子数１～１０のアルキル基又は炭素原子数６～１０のアリール基を表すことがより好ましく、炭素原子数１～６のアルキル基又は炭素原子数６～１０のアリール基を表すことがさらに好ましい。また、上記一般式（ｘ）中、ｔは０～４の整数を表すことが好ましく、０～３の整数を表すことがより好ましい。なお、ｔが２以上の整数である場合、複数存在するＲ^９は互いに同一であっても、又は異なっていてもよい。

上記一般式（１）中、ｒは、Ｘ^１が結合されたベンゼン環１つ当たりのＸ^１の置換数の平均値を意味し、０～４の範囲であることが好ましく、０～３の範囲であることがさらに好ましい。
上記一般式（１）中、ｋは繰り返し単位数を表し、１～１００の整数であることが好ましく、１～９０の整数であることがより好ましく、１～８０の整数であることがさらに好ましい。

＜ポリマレイミド化合物（Ａ）の他の好ましい形態＞
本実施形態のポリマレイミド化合物（Ａ）の他の好ましい形態としては、アルキル基を１以上３以下有する芳香族アミン化合物（ａ）と、エテニル基を２つ有する芳香族ジビニル化合物（ｂ１）と、無水マレイン酸とを反応原料（１）とする化合物でありうる。この際、本実施形態において、エテニル基を１つ有する芳香族モノビニル化合物（ｂ２）（以下、芳香族モノビニル化合物（ｂ２）とも称する。）をさらに前記反応原料（１）に含有されてもよい。また、本実施形態のポリマレイミド化合物（Ａ）は、アルキル基を１以上３以下有する芳香族アミン化合物（ａ）同士がエテニル基を２つ有する芳香族ジビニル化合物（ｂ１）を介して架橋された中間体アミン化合物（ｃ）と、無水マレイン酸とを反応原料（３）とするポリマレイミド化合物（Ａ）であることが好ましい。さらには、前記中間体アミン化合物（ｃ）は、アルキル基を１以上３以下有する芳香族アミン化合物（ａ）と、エテニル基を２つ有する芳香族ジビニル化合物（ｂ１）と、必要により添加されるエテニル基を１つ有する芳香族モノビニル化合物（ｂ２）とを反応原料（２）とする化合物であることが好ましい。
換言すると、本実施形態における中間体アミン化合物（ｃ）は、アミノ基（アミノ基の水素原子がさらに炭素原子数１～６のアルキル基で置換された置換アミノ基も含む。）が結合された芳香族環及び前記芳香族環にアルキル基を１以上３以下有する芳香族アミン化合物（ａ）の構造単位と、エテニル基を２つ有する芳香族ジビニル化合物（ｂ１）の構造単位とが化学結合により連結され、かつ必要により芳香族モノビニル化合物（ｂ２）の構造単位が前記芳香族アミン化合物（ａ）の構造単位中の前記芳香族環に化学結合された構造を有することが好ましい。そして、本実施形態におけるポリマレイミド化合物（Ａ）は、前記中間体アミン化合物（ｃ）の芳香族環に結合したアミノ基（－ＮＨ_２及び置換アミノ基を含む。）がＮ－置換マレイミド環に置換された構造を有する。
したがって、本実施形態における「ポリマレイミド化合物（Ａ）」と、当該「ポリマレイミド化合物（Ａ）」の前駆体である「中間体アミン化合物（ｃ）」とは、芳香族環に結合したアミノ基（－ＮＨ_２及び置換アミノ基を含む。）がＮ－置換マレイミド環に置き換わっている点が異なる重合体化合物である。
なお、上記芳香族アミン化合物（ａ）の構造単位とは、芳香族アミン化合物（ａ）の芳香族環から２つの水素原子を取り除いた基をいう。例えば、芳香族アミン化合物（ａ）が後述の一般式（ａ）で表される場合、一般式（ａ）のベンゼン環から２つの水素原子を取り除いた基を芳香族アミン化合物（ａ）の構造単位という。また、上記芳香族ジビニル化合物（ｂ１）の構造単位とは、芳香族ジビニル化合物（ｂ１）の２つのエテニル基の不飽和結合が開裂した基をいう。
本実施形態において、特定の芳香族環構造を有する芳香族アミン化合物（ａ）を反応原料としていることから、後述の芳香族ジビニル化合物（ｂ１）との反応部位を制御しやすくなるため、均一な化学構造又は鎖長のポリマレイミド化合物（Ａ）が得られやすくなり、その結果、硬化時における低吸湿性及び低誘電正接性を示すポリマレイミド化合物（Ａ）を提供しうる。

以下、ポリマレイミド化合物（Ａ）の反応原料（１）の構成成分である、アルキル基を１以上３以下有する芳香族アミン化合物（ａ）、エテニル基を２つ有する芳香族ジビニル化合物（ｂ１）、任意成分でありうるエテニル基を１つ有する芳香族モノビニル化合物（ｂ２）及び無水マレイン酸について説明した後、ポリマレイミド化合物（Ａ）の別の好ましい形態及びポリマレイミド化合物（Ａ）の製造方法について説明する。

＜＜芳香族アミン化合物（ａ）＞＞
本実施形態における芳香族アミン化合物（ａ）は、アミノ基（－ＮＨ_２又は置換アミノ基）が結合された芳香族環を有し、かつ前記芳香族環にはアルキル基が１以上３以下結合されている。そのため、芳香族アミン化合物（ａ）はアミン系化合物でありうる。また、芳香族アミン化合物（ａ）の中心構造を形成する芳香族環は、単環式であることが好ましく、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環を含む。芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環であることが好ましい。芳香族複素環としては、例えば、ピラン環又はピリジン環などのヘテロ六員環が挙げられる。また、本実施形態における芳香族アミン化合物（ａ）は、置換アミノ基を含まない－ＮＨ_２が結合された芳香族環を有し、かつ前記芳香族環にはアルキル基が１以上３以下結合されていることがより好ましい。

本実施形態の芳香族アミン化合物（ａ）において、当該芳香族アミン化合物（ａ）の芳香族環の１以上３以下の水素原子に置換されるアルキル基としては、炭素原子数１～１０のアルキル基が挙げられ、炭素原子数１～６のアルキル基が好ましく、炭素原子数１～３のアルキル基がより好ましい。前記アルキル基は、直鎖型、分岐型又は環状型のいずれでもよい。例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基等が挙げられる。前記アルキル基の分子量が小さくなるほど、本発明が奏する効果（低寸法変化率）が一層顕著なものとなる。また、前記アルキル基の分子量が高くなるほど、本発明が奏する効果（低吸水）が一層顕著なものとなる。

芳香族アミン化合物（ａ）におけるアミノ基（－ＮＨ_２及び置換アミノ基を含む。）を有する芳香族環に結合されるアルキル基の数の上限は、前記芳香族環がアミノ基（－ＮＨ_２及び置換アミノ基を含む。）を有し、かつ２本の結合手が重合に用いられる観点から、無置換状態の前記芳香族環における置換可能な環構成原子の数から３を引いた数であればよい。例えば、前記芳香族環がベンゼン環である場合、前記アルキル基の数は、３以下である。
また、芳香族アミン化合物（ａ）の芳香族環に置換されるアルキル基の数を２以上にすることにより、後述の芳香族ジビニル化合物（ｂ１）と反応部位を制御しやすくなるため、均一な化学構造又は鎖長のポリマレイミド化合物（Ａ）が得られやすくなる。その結果、ポリマレイミド化合物（Ａ）の硬化物において、低吸湿性及び優れた高周波電気特性を発揮しやすくなる。

本実施形態における芳香族アミン化合物（ａ）の芳香族環がベンゼン環である場合を一例として、芳香族アミン化合物（ａ）の好ましい形態について説明する。
本実施形態において、芳香族アミン化合物（ａ）を構成するベンゼン環中の炭素原子のうち、最も大きいＨＯＭＯの電子密度（ヒュッケル係数）を有する炭素原子が１以上無置換である（又は水素原子に置換されている）ことが好ましい。
これにより、後述の芳香族ジビニル化合物（ｂ１）から形成されるカチオノイド試剤によるＡｒＳ_Ｅ反応及び分子設計を制御しやすくなる。より詳細に説明すると、芳香族アミン化合物（ａ）を構成するベンゼン環中の炭素原子のうち、最も大きいＨＯＭＯの電子密度（ヒュッケル係数）を有する炭素原子が無置換であると、当該最も大きいＨＯＭＯの電子密度を有する炭素原子に対して、カチオノイド試剤である芳香族ジビニル化合物（ｂ１）のカルボカチオンが反応しやすい。そのため、ベンゼン環の炭素原子に結合するアルキル基の数及び位置等を制御することにより、芳香族ジビニル化合物（ｂ１）との結合部位又は結合数等を調整できる。そのため、得られるポリマレイミド化合物（Ａ）の化学構造又は分子鎖長を設計しやすくなると推測している。
例えば、芳香族アミン化合物（ａ）が１つのベンゼン環と１つのアミノ基とを有するアニリン骨格を有する場合、当該アニリン核の２位，４位及び６位のうち少なくとも１つの炭素原子が水素原子に置換されていることが好ましい。これにより、アニリン核の電子密度の高いオルト位及びパラ位である２位，４位及び６位のうち少なくとも１つの炭素原子に対して、後述の芳香族ジビニル化合物（ｂ１）から形成されるカチオノイド試剤が攻撃しやすくなる。特に、特定の位置にアルキル基が置換されたアニリン核を有する芳香族アミン化合物（ａ）を使用すると、芳香族ジビニル化合物（ｂ１）との結合部位を概ね制御できるため、均一な化学構造又は鎖長のポリマレイミド化合物（Ａ）が得られやすくなる。例えば、芳香族アミン化合物（ａ）として２，６－ジアルキルアミンを使用すると、４位に芳香族ジビニル化合物（ｂ１）と結合したポリマレイミド化合物（Ａ）を多く得られると考えられる。

本実施形態の芳香族アミン化合物（ａ）の具体例としては、例えば、ジメチルアニリン（２，３－キシリジン、２，４－キシリジン、２，６－キシリジン、３，４－キシリジン又は３，５－キシリジン）、ジエチルアニリン（２，３－ジエチルアニリン、２，４－ジエチルアニリン、２，６－ジエチルアニリン、３，４－ジエチルアニリン若しくは３，５－ジエチルアニリン）、ジイソプロピルアニリン（２，３－ジイソプロピルアニリン、２，４－ジイソプロピルアニリン、２，６－ジイソプロピルアニリン、３，４－ジイソプロピルアニリン若しくは３，５－ジイソプロピルアニリン）、エチルメチルアニリン（例えば、２，３位、２，４位、２，６位、３，４位若しくは３，５位のいずれか一方がメチル基であり、他方がエチル基であるエチルメチルアニリン）、シクロブチルアニリン、シクロペンチルアニリン、シクロヘキシルアニリン、ｏ，ｍ，若しくはｐ－トルイジン、ｏ，ｍ，若しくはｐ－エチルアニリン、ｏ，ｍ，若しくはｐ－イソプロピルアニリン、ｏ，ｍ，若しくはｐ－プロピルアニリン、ｏ，ｍ，若しくはｐ－ブチルアニリン、メチルイソプロピルアニリン（例えば、２，３位、２，４位、２，６位、３，４位若しくは３，５位のいずれか一方がメチル基であり、他方がイソプロピル基であるメチルイソプロピルアニリン）、あるいはエチルブチルアニリン（例えば、２，３位、２，４位、２，６位、３，４位若しくは３，５位のいずれか一方がエチル基であり、他方がブチル基であるエチルブチルアニリン）等を用いることができる。また前記ブチルは、ｎ－ブチル，ｔｅｒｔ－ブチル及びｓｅｃ－ブチルを含む。なお、本実施形態における芳香族アミン化合物（ａ）は、単独で用いても、あるいは２種以上を組み合わせて用いてもよい。

例えば、Ｎ－フェニルマレイミドのように、無置換のベンゼン環にマレイミド基が直接結合する化学構造の場合、ベンゼン環とマレイミドの５員環が、同一平面上に並んだ状態が安定なため、スタッキングしやすくなり、高い結晶性が発現してしまう。そのため、溶剤溶解性が劣る原因となる。これに対して、本開示の場合、例えば、２，６－ジメチルアニリンのように、ベンゼン環に対する置換基として、アルキル基（例えば、メチル基）を有する場合、メチル基の立体障害からベンゼン環とマレイミドの５員環とがねじれた配座をとり、スタッキングしにくくなることから結晶性が低下し、溶剤溶解性が向上し、好ましい態様となる。但し、立体障害が大きすぎると、マレイミドの合成時における反応性を阻害する場合も懸念されるため、例えば、炭素原子数１～６のアルキル基を有する芳香族アミン化合物（ａ）を使用することが好ましい。

本実施形態における反応原料（１）の必須である芳香族アミン化合物（ａ）は、例えば、下記一般式（ａ）で表すことができる。

（上記一般式（ａ）中、Ｒ^１ａはアルキル基を表し、ｐ^ａは、１～３の整数を表す。複数存在するＲ^１ａは同一であっても、あるいは異なっていてもよい。）

上記一般式（ａ）中、アルキル基は、炭素原子数１～６のアルキル基であることが好ましく、炭素原子数１～３のアルキル基であることがより好ましい。当該炭素原子数１～６のアルキル基及び炭素原子数１～３のアルキル基の例示は、上記と同様である。
上記一般式（ａ）中、ｐ^ａは、１又は２であることが好ましい。なお、Ｒ^１ａが複数存在する場合、互いに同一のアルキル基であっても、あるいは異なるアルキル基であってもよい。
なお、本実施形態において、上記一般式（ａ）で表される芳香族アミン化合物（ａ）は、単独で用いても、あるいは２種以上を組み合わせて用いてもよい。

＜＜芳香族ジビニル化合物（ｂ１）＞＞
本実施形態における芳香族ジビニル化合物（ｂ１）は、芳香族環上の置換基として２つのエテニル基（ＣＨ_２＝ＣＨ－）（ビニル基とも称する。）を有し、前記芳香族アミン化合物（ａ）と反応できれば、特に制限なく使用できる。
また、本実施形態において、芳香族ジビニル化合物（ｂ１）と芳香族モノビニル化合物（ｂ２）との混合物を反応原料（１）に含むことが好ましい。
芳香族ジビニル化合物（ｂ１）としては、例えば、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、ジビニルナフタレン、及びこれらの芳香族環上に炭素原子数１～１０のアルキル基、アルコキシ基若しくはアルキルチオ基；炭素原子数６～１０のアリール基、アリールオキシ基若しくはアリールチオ基；炭素原子数３～１０のシクロアルキル基；ハロゲン原子；水酸基；又はメルカプト基等の置換基が１以上置換した各種の化合物等が挙げられる。当該置換基の好ましい形態としては、上記一般式（１）中のＲ^２と同様である。また、前記アルキル基は、直鎖型及び分岐型のいずれでもよい。中でも、高耐熱性の効果を示す観点から、前記アルキル基又はアルコキシ基の炭素原子数は、１～４であることが好ましい。前記アルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ－ブチル基、イソブチル基等が挙げられる。前記アルコキシ基は、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。前記ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。

本開示のポリマレイミド化合物（Ａ）の反応原料（１）である芳香族ジビニル化合物（ｂ１）は、下記式（ｂ１）で表すことが好ましい。

（上記一般式（ｂ１）中、Ｒ^２ｂはそれぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基、アルコキシ基若しくはアルキルチオ基；炭素原子数６～１０のアリール基、アリールオキシ基若しくはアリールチオ基；炭素原子数３～１０のシクロアルキル基；ハロゲン原子；水酸基；又はメルカプト基を表し、ｑ^１ｂは０～４の整数を表す。なお、ｑ^１ｂが２以上の整数の場合、複数存在するＲ^２ｂは互いに同一であっても、あるいは異なっていてもよい。）

上記式（ｂ１）中のＲ^２ｂは、一般式（１）中のＲ^２に対応しうる。したがって、上記一般式（ｂ１）中のＲ^２ｂは、一般式（１）と同様に、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数１～１０のアルコキシ基；炭素原子数６～１０のアリール基；炭素原子数３～１０のシクロアルキル基；ハロゲン原子；又は水酸基を表すことが好ましく、炭素原子数１～１０のアルキル基を表すことがより好ましく、炭素原子数１～６のアルキル基を表すことがさらに好ましい。
上記一般式（ｂ１）中、ｑ^１ｂは、０～２であることが好ましい。なお、ｑ^１ｂが２以上の場合、複数存在するＲ^ｂ１は、互いに同一の基であっても、あるいは異なる基であってもよい。

本実施形態の芳香族ジビニル化合物（ｂ１）の具体例としては、例えば、１，２－ジビニルベンゼン、１，３－ジビニルベンゼン、１，４－ジビニルベンゼン、２，５－ジメチル－１，４－ジビニルベンゼン、２，５－ジエチル－１，４－ジビニルベンゼン、ｃｉｓ，ｃｉｓ，β，β’－ジエトキシ－ｍ－ｍ－ジビニルベンゼン、１，４－ジビニル－２，５－ジブチルベンゼン、１，４－ジビニル－２，５－ジヘキシルベンゼン、１，４－ジビニル－２，５－ジメトキシベンゼン及びこれらの誘導体からなる化合物等のジビニルベンゼン類、並びに、１，３－ジビニルナフタレン、１，４－ジビニルナフタレン、１，５－ジビニルナフタレン、１，６－ジビニルナフタレン、１，７－ジビニルナフタレン、２，３－ジビニルナフタレン、２，６－ジビニルナフタレン、２，７－ジビニルナフタレン、３，４－ジビニルナフタレン、１，８－ジビニルナフタレン、１，５－ジメトキシ－４，８－ジビニルナフタレン及びこれらの誘導体からなる化合物等のジビニルナフタレン類が挙げられるが、これらに限定されない。
なお、本実施形態における芳香族ジビニル化合物（ｂ１）は、単独で用いても、あるいは２種以上を組み合わせて用いてもよい。
特に、流動性の観点から、芳香族ジビニル化合物（ｂ１）として、ジビニルベンゼン及びその芳香族環上に置換基を有する化合物が好ましく、ジビニルベンゼンがより好ましい。また、本実施形態において、ジビニルベンゼンのビニル基の置換位置は、特に限定されないが、メタ体を主成分とすることが好ましい。ジビニルベンゼン中のメタ体の含有量は、ジビニルベンゼンの総量に対して４０質量％以上であることが好ましく、５０質量％以上あることがより好ましい。
本実施形態において、ポリマレイミド化合物（Ａ）の総量（１００質量％）に対して、芳香族ジビニル化合物（ｂ１）の構造単位は１０～９０質量％含有することが好ましく、２０～９０質量％含有することがより好ましい。上記芳香族ジビニル化合物（ｂ１）の構造単位とは、芳香族ジビニル化合物（ｂ１）の２つのエテニル基から水素原子をそれぞれ２つ（合計水素原子を４つ）取り除いた基をいう。

＜＜芳香族モノビニル化合物（ｂ２）＞＞
本実施形態におけるポリマレイミド化合物（Ａ）は、芳香族アミン化合物（ａ）、芳香族ジビニル化合物（ｂ１）及び無水マレイン酸の他、さらに、その他の化合物を反応原料として用いてもよい。当該その他の化合物としては、例えば、エテニル基を一つ有する芳香族モノビニル化合物（ｂ２）等が挙げられる。すなわち、実施形態において、芳香族アミン化合物（ａ）と、芳香族ジビニル化合物（ｂ１）と、芳香族モノビニル化合物（ｂ２）と、無水マレイン酸とを反応原料（１）とすることが好ましい。本実施形態のポリマレイミド化合物（Ａ）が、その反応原料として芳香族アミン化合物（ａ）、芳香族ジビニル化合物（ｂ１）及び無水マレイン酸に加えて、芳香族モノビニル化合物（ｂ２）を用いることにより、最終的に得られるポリマレイミド化合物（Ａ）の硬化物が低誘電正接の点に優れることから好ましい。
また、芳香族モノビニル化合物（ｂ２）も芳香族ジビニル化合物（ｂ１）と同様にカルボカチオンを生成するため、芳香族アミン化合物（ａ）を構成する芳香族炭化水素環中の炭素原子のうち、最も大きいＨＯＭＯの電子密度（ヒュッケル係数）を有する炭素原子に対して反応しやすい。

本実施形態における芳香族モノビニル化合物（ｂ２）は、例えば、ビニルベンゼン（スチレン）、ビニルビフェニル、ビニルナフタレン、及びこれらの芳香族環上に炭素原子数１～１０のアルキル基、アルコキシ基若しくはアルキルチオ基；炭素原子数６～１０のアリール基、アリールオキシ基若しくはアリールチオ基；炭素原子数３～１０のシクロアルキル基；ハロゲン原子；水酸基；又はメルカプト基等の置換基が１以上置換した各種の化合物等が挙げられる。前記アルキル基は、直鎖型及び分岐型のいずれでもよく、構造中に不飽和結合を有していてもよい。中でも、低吸湿性を重視する場合、前記アルキル基又は前記アルコキシ基は、炭素原子数１～４であることが好ましい。前記アルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ－ブチル基、イソブチル基等が挙げられる。前記アルコキシ基は、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。前記ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。

本開示のポリマレイミド化合物（Ａ）の反応原料（１）となり得る芳香族モノビニル化合物（ｂ２）は、下記一般式（ｂ２）で表すことができる。

（上記一般式（ｂ２）中、Ｒ^９ｂはそれぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基、アルコキシ基若しくはアルキルチオ基；炭素原子数６～１０のアリール基、アリールオキシ基若しくはアリールチオ基；炭素原子数３～１０のシクロアルキル基；ハロゲン原子；水酸基；又はメルカプト基を表し、ｔ^１ｂは０～５の整数を表す。なお、ｔ^１ｂが２以上の整数の場合、複数存在するＲ^９ｂは互いに同一であっても、あるいは異なっていてもよい。）

上記式（ｂ２）中のＲ^９ｂは、一般式（ｘ）中のＲ^９に対応しうる。したがって、上記一般式（ｂ１）中のＲ^９ｂは、一般式（ｘ）と同様に、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数１～１０のアルコキシ基；炭素原子数６～１０のアリール基；炭素原子数３～１０のシクロアルキル基；ハロゲン原子；又は水酸基を表すことが好ましく、炭素原子数１～１０のアルキル基を表すことがより好ましく、炭素原子数１～６のアルキル基を表すことがさらに好ましい。
上記一般式（ｂ１）中、ｔ^１ｂは、１～４であることが好ましい。なお、ｔ^１ｂが２以上の場合、複数存在するＲ^９ｂは、互いに同一の基であっても、あるいは異なる基であってもよい。

本実施形態の芳香族モノビニル化合物（ｂ２）の具体例としては、例えば、スチレン、フルオロスチレン、ビニル塩化ベンジル、アルキルビニルベンゼン（ｏ－，ｍ－，ｐ－メチルスチレン、ｏ－，ｍ－，ｐ－エチルビニルベンゼン）、ｏ－，ｍ－，ｐ－（クロロメチル）スチレン及びこれらの誘導体からなる化合物等のビニルベンゼン類；４－ビニルビフェニル、４－ビニル－ｐ－ターフェニル及びこれらの誘導体からなる化合物等のビフェニル化合物；並びに、１－ビニルナフタレン、２－ビニルナフタレン及びこれらの誘導体からなる化合物等のビニルナフタレン類が挙げられるが、これらに限定されない。
特に、原料入手の観点から、アルキルビニルベンゼン及びその芳香族環上に置換基を有する化合物が好ましく、エチルビニルベンゼンがより好ましい。
また、エチルビニルベンゼンのビニル基及びエチル基の置換位置は、特に限定されないが、メタ体を主成分とすることが好ましく、エチルビニルベンゼン中のメタ体の含有量は、エチルビニルベンゼンの総量に対して４０質量％以上であることがより好ましく、５０質量％以上であることがさらに好ましい。

本実施形態におけるポリマレイミド化合物（Ａ）の反応原料（１）として、芳香族モノビニル化合物（ｂ２）を用いる場合、前記反応原料（１）中の芳香族ジビニル化合物（ｂ１）に対する芳香族モノビニル化合物（ｂ２）のモル比（（ｂ１）／（ｂ２））が、９９／１～５０／５０であることが好ましく、より好ましくは、９８／２～７０／３０である。
本実施形態において、ポリマレイミド化合物（Ａ）の総量（１００質量％）に対して、芳香族モノビニル化合物（ｂ２）の構造単位は０～４０質量％含有することが好ましく、０～３０質量％含有することがより好ましい。上記芳香族モノビニル化合物（ｂ２）の構造単位とは、芳香族モノビニル化合物（ｂ２）の１つのビニル基から水素原子を２つ取り除いた基をいう。

＜＜無水マレイン酸＞＞
本実施形態において、無水マレイン酸は、ポリマレイミド化合物（Ａ）の反応原料（１）の必須成分であり、後述のポリマレイミド化合物（Ａ）の製造方法の欄で説明する通り、芳香族アミン化合物（ａ）に由来するアミノ基（－ＮＨ_２及び置換アミノ基を含む。）をマレイミド化する反応に使用される。

＜ポリマレイミド化合物（Ａ）の好ましい形態＞
以下、本開示の好適なポリマレイミド化合物（Ａ）の態様について、各芳香族環がベンゼン環である場合を例に取り説明する。以下の化学構造式は、本開示を例示的に説明するためのものであり、本開示の範囲は、以下の化学構造式に限定されることはない。

本実施形態にポリマレイミド化合物（Ａ）は、以下の一般式（２）で表されることが好ましい。

（上記一般式（２）中、Ｒ^１はそれぞれ独立して、アルキル基を表し、Ｒ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数１～１０のアルコキシ基；炭素原子数６～１０のアリール基；炭素原子数３～１０のシクロアルキル基；ハロゲン原子；又は水酸基を表し、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、かつＲ^３及びＲ^４の一方が水素原子、他方がメチル基であり、Ｒ^５及びＲ^６の一方が水素原子、他方がメチル基であり、
Ｘ^１は、以下の一般式（ｘ）：

（一般式（ｘ）中、Ｒ^７及びＲ^８はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、かつＲ^７及びＲ^８の一方が水素原子、他方がメチル基であり、Ｒ^９は炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数１～１０のアルコキシ基；炭素原子数６～１０のアリール基；炭素原子数３～１０のシクロアルキル基；ハロゲン原子；又は水酸基を表し、ｔは０～４の整数を表す。）
で表される置換基を表し、
Ｍ^２１は水素原子又は下記一般式（ｉ）で表される基を表し、Ｍ^２２は、水素原子、下記一般式（ｉｉ）で表される基又は下記一般式（ｉｉｉ）で表される基を表し、

［上記一般式（ｉ）中、Ｒ^９は炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数１～１０のアルコキシ基；炭素原子数６～１０のアリール基；炭素原子数３～１０のシクロアルキル基；ハロゲン原子；又は水酸基を表し、Ｒ^７及びＲ^８はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、かつＲ^７及びＲ^８の一方が水素原子、他方がメチル基であり、ｔは０～４の整数を表し、＊は他の原子との結合を表す。なお、ｔが２以上の整数である場合、複数存在するＲ^９は互いに同一であっても、又は異なっていてもよい。］

［上記一般式（ｉｉ）中、Ｒ^１ｉｉはアルキル基を表し、ｐ^ｉｉは０～４の整数を表す。なお、ｐ^ｉｉが２以上の整数である場合、複数存在するＲ^１ｉｉは互いに同一であっても、又は異なっていてもよい。上記一般式（ｉｉｉ）中、Ｒ^１ｉｉｉはアルキル基を表し、Ｒ^９は炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数１～１０のアルコキシ基；炭素原子数６～１０のアリール基；炭素原子数３～１０のシクロアルキル基；ハロゲン原子；又は水酸基を表し、Ｒ^７及びＲ^８はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、かつＲ^７及びＲ^８の一方が水素原子、他方がメチル基であり、ｐ^ｉｉｉは０～３の整数を表し、ｔは０～４の整数を表し、ｒ^１ｉｉｉは、Ｘ^１が結合されたベンゼン環１つ当たりの置換数の平均値であり、１～４の数を表し、＊は他の原子との結合を表す。なお、ｐ^ｉｉｉが２以上の整数である場合、複数存在するＲ^１ｉｉｉは互いに同一であっても、又は異なっていてもよく、ｔが２以上の整数である場合、複数存在するＲ^９は互いに同一であっても、又は異なっていてもよい。］
ｒは、Ｘ^１が結合されたベンゼン環１つ当たりのＸ^１の置換数の平均値であり、０～４の数を表し、ｐは１～３の整数を表し、ｑは０～４の整数を表し、ｋは１～１００の整数を表す。）
上記一般式（２）中、ｐが２以上の整数である場合、複数存在するＲ^１は互いに同一であっても、又は異なっていてもよく、ｑが２以上の整数である場合、複数存在するＲ^２は互いに同一であっても、又は異なっていてもよく、ｔが２以上の整数である場合、複数存在するＲ^９は互いに同一であっても、又は異なっていてもよい。）で表されることが好ましい。
なお、上記一般式（２）中のＲ^１～Ｒ^９、Ｘ^１、ｐ、ｑ、ｒ、ｔ及びｋの好ましい形態は、上記一般式（１）と同様である。さらには、上記一般式（ｉ）は上記一般式（ｘ）に対応し、上記一般式（ｉｉ）中のＲ^１ｉｉは上記一般式（１）中のＲ^１に対応し、上記一般式（ｉｉｉ）中のＲ^１ｉｉｉは上記一般式（１）中のＲ^１に対応する。

本開示のポリマレイミド化合物（Ａ）の数平均分子量（Ｍｎ）は、３５０～２，０００の範囲であることが好ましく、４００～１，５００の範囲であることがより好ましい。また、ポリマレイミド化合物（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は４００～５００，０００の範囲であることが好ましく、４５０～４００，０００の範囲であることがより好ましい。
本開示のポリマレイミド化合物（Ａ）は、低誘電率及び低誘電正接に優れる点から、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）測定から算出される分子量分布（重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ））が１．００１～５００の範囲であることが好ましく、より好ましくは、１．００１～４００である。なお、ＧＰＣ測定から得られるＧＰＣチャートより、分子量分布が広範囲にわたり、高分子量成分が多い場合には、可撓性に寄与する高分子量成分の割合が多くなるため、従来のマレイミドを使用した硬化物と比較して、脆性が抑えられ、可撓性や柔軟性に優れた硬化物を得ることができ、好ましい態様となる。
なお、本実施形態のポリマレイミド化合物（Ａ）の数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ））は、ゲル浸透クロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」と略記する。）を用いて、後述する実施例に記載の測定条件で測定したものである。

本実施形態におけるポリマレイミド化合物（Ａ）が、下記一般式（３）で表されるインダン骨格（又はインダン骨格を有する構造単位）を含有する場合、当該ポリマレイミド化合物（Ａ）の総量（１００質量％）に対して、前記インダン骨格の比率は１０質量％以下が好ましく、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がさらに好ましく、２質量％以下がよりさらに好ましく、０．９質量％以下が特に好ましい。

（上記一般式（３）中、Ｒ^３１、Ｒ^３２及びＲ^３３はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数１～３のアルキル基を表し、Ｒ^３４はそれぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基、アルコキシ基若しくはアルキルチオ基；炭素原子数６～１０のアリール基、アリールオキシ基若しくはアリールチオ基；炭素原子数３～１０のシクロアルキル基；ハロゲン原子；水酸基；又はメルカプト基を表し、ｑ^３は、０～３の整数を表し、ｑ^３が２以上の整数の場合、複数存在するＲ^３４は、互いに同一であっても、あるいは異なっていてもよい。また、＊は他の原子との結合を表す。）
上記一般式（３）中、Ｒ^３４はそれぞれ独立して、炭素原子数１～６のアルキル基を表すことが好ましく、炭素原子数１～３のアルキル基を表すことがより好ましい。また、上記一般式（３）中、Ｒ^３１、Ｒ^３２及びＲ^３３は水素原子又はメチル基であることが好ましい。
本実施形態の硬化性組成物において、硬化性組成物全体に対して、ポリマレイミド化合物（Ａ）を３０質量％以上９５質量％以下含有することが好ましく、４０質量％以上８５質量％以下含有することがより好ましく、５０質量％以上８０質量％以下含有することが最も好ましい。ポリマレイミド化合物（Ａ）の含有量が５０質量％以上８０質量％以下の範囲であると耐熱性及び低吸湿性の観点で好ましい。

＜ポリマレイミド化合物（Ａ）の製造方法＞
以下、本開示のポリマレイミド化合物（Ａ）の製造方法について説明する。
本実施形態のポリマレイミド化合物（Ａ）は、その製法は特に限定されず、芳香族アミン化合物（ａ）と、芳香族ジビニル化合物（ｂ１）と、無水マレイン酸とを反応原料（１）として使用する、あるいは、上記一般式（１）で表される構造単位を有する限りどのように製造されたものでもよい。本開示のポリマレイミド化合物（Ａ）の製造方法の一例としては、例えば、以下の工程（１）及び（２）を含む製造方法が挙げられる。
工程（１）：反応原料（２）として、芳香族アミン化合物（ａ）と、芳香族ジビニル化合物（ｂ１）とを反応させて、本実施形態における中間体アミン化合物（ｃ）を得る工程；
工程（２）：反応原料（３）として、上記工程（１）で得られた中間体アミン化合物（ｃ）と、無水マレイン酸とを反応させて、本開示のポリマレイミド化合物（Ａ）を得る工程。
具体的には、本実施形態のポリマレイミド化合物（Ａ）の製造方法は、芳香族アミン化合物（ａ）と、芳香族ジビニル化合物（ｂ１）とを固体酸触媒下で反応させる工程（１）（架橋工程とも称する。）と、前記工程（１）により生成した中間体アミン化合物（ｃ）と無水マレイン酸とを縮合させる工程（２）（縮合工程とも称する。）を有することが好ましい。
以下、本開示のポリマレイミド化合物（Ａ）を製造する方法の各工程について順に説明する。

＜＜工程（１）：中間体アミン化合物（ｃ）の製造工程＞＞
以下に、本実施形態における中間体アミン化合物（ｃ）の製造工程について説明する。
本実施形態における工程（１）は、特に制限されないが、例えば、上述した芳香族アミン化合物（ａ）と、上述した芳香族ジビニル化合物（ｂ１）（例えば、ジビニルベンゼン）と、さらに必要に応じて、芳香族モノビニル化合物（ｂ２）（例えば、エチルビニルベンゼン）等のその他の化合物を、酸触媒の存在下で反応させる工程である。これにより、中間体アミン化合物（ｃ）が生成されうる。

前記芳香族アミン化合物（ａ）と、前記芳香族ジビニル化合物（ｂ１）の配合割合としては、得られる硬化物の製造時の成形性、硬化性の物性バランスを考慮すると、前記芳香族アミン化合物（ａ）１モルに対して、前記芳香族ジビニル化合物（ｂ１）のモル割合として、０．１～１０モルが好ましく、０．２～３モルがより好ましい。また、前記芳香族モノビニル化合物（ｂ２）を併用する場合には、前記芳香族アミン化合物（ａ）１モルに対して、前記芳香族ジビニル化合物（ｂ１）と前記芳香族モノビニル化合物（ｂ２）との合計のモル割合として、０．１～１０モルが好ましく、０．２～３モルがより好ましい。
また、上記反応を実施する具体的方法としては、全原料を一括装入し、そのまま所定の温度で反応させるか、又は、芳香族アミン化合物（ａ）と酸触媒とを装入し、所定の温度に保ちつつ、芳香族ジビニル化合物（ｂ１）やその他の化合物（例えば、芳香族モノビニル化合物（ｂ２））等を滴下させながら反応させる方法が一般的である。この際、滴下時間は、通常、０．１～１２時間であり、６時間以下が好ましい。反応後、溶媒を使用した場合は、必要により、溶媒と未反応物を留去させて、前記中間体アミン化合物（ｃ）を得ることができ、溶媒を使用しない場合は、未反応物を留去することによって目的物である前記中間体アミン化合物（ｃ）を得ることができる。

本実施形態の工程（１）に用いる酸触媒には、例えば、リン酸、塩酸、硫酸のような無機酸、シュウ酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、フルオロメタンスルホン酸等の有機酸、活性白土、酸性白土、シリカアルミナ、ゼオライト、強酸性イオン交換樹脂のような固体酸、ヘテロポリ塩酸等を挙げることができるが、反応後、ろ過により簡便に触媒除去が可能な固体酸がハンドリンク性の観点からも好ましく、他の酸を用いるときは、反応後、塩基による中和と水による洗浄を行うことが好ましい。
前記酸触媒の配合量は、仕込む原料（芳香族ジビニル化合物（ｂ１）又は芳香族ジビニル化合物（ｂ１）及び芳香族モノビニル化合物（ｂ２）の混合物、及び、芳香族アミン化合物（ａ））の総量１００質量部に対して、酸触媒を１～１００質量部の範囲で配合されるが、ハンドリング性と経済性の点から、１～６０質量部が好ましい。反応温度は、通常１００～２７０℃の範囲であればよいが、異性体構造の生成を抑制し、熱分解等の副反応を避けるためには１００～２２０℃が好ましい。

本実施形態の工程（１）において、芳香族ジビニル化合物（ｂ１）又は芳香族ジビニル化合物（ｂ１）及び芳香族モノビニル化合物（ｂ２）の混合物と、芳香族アミン化合物（ａ）との混合物反応時間、すなわち架橋反応の時間としては、短時間では反応が完全に進行せず、また長時間にすると生成物の熱分解反応等の副反応が起こることから、前記反応温度条件下で、通常は、のべ１～４８時間の範囲であるが、好ましくは、のべ１～３０時間の範囲である。
本実施形態における中間体アミン化合物（ｃ）の製造方法においては、アニリン又はその誘導体が溶剤を兼ねるため、必ずしも他の溶剤は用いなくても良いが、溶剤を用いることも可能である。例えば、ジビニルベンゼンを原料として反応させる場合には、トルエン、キシレン、又はクロロベンゼン等の共沸脱水可能な溶剤を用いて、必要により触媒等に含まれる水分を共沸脱水させた後、溶媒を留去してから、上記反応温度の範囲で反応を行う方法を採用してもよい。

上記工程（１）により得られる中間体アミン化合物（ｃ）は、例えば、以下の一般式（４）で表されることが好ましい。

（上記一般式（４）中、Ｒ^１はそれぞれ独立して、アルキル基を表し、Ｒ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基、アルコキシ基若しくはアルキルチオ基；炭素原子数６～１０のアリール基、アリールオキシ基若しくはアリールチオ基；炭素原子数３～１０のシクロアルキル基；ハロゲン原子；水酸基又はメルカプト基を表し、
Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、かつＲ^３及びＲ^４の一方が水素原子、他方がメチル基であり、Ｒ^５及びＲ^６の一方が水素原子、他方がメチル基であり、
Ｘ^１は、以下の一般式（ｘ）：

（一般式（ｘ）中、Ｒ^７及びＲ^８はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、かつＲ^７及びＲ^８の一方が水素原子、他方がメチル基であり、Ｒ^９はアルキル基を表し、ｔは０～４の整数を表す。）
で表される置換基を表し、ｒは、Ｘ^１が結合されたベンゼン環１つ当たりのＸ^１の置換数の平均値であり、０～４の数を表し、ｐは１～３の整数を表し、ｑは０～４の整数を表し、ｋは１～１００の整数を表す。）で表される構造単位を有することが好ましい。

また、上記一般式（４）において、ｐが２以上の整数である場合、複数存在するＲ^１は互いに同一であっても、又は異なっていてもよい。ｑが２以上の整数である場合、複数存在するＲ^２は互いに同一であっても、又は異なっていてもよい。ｔが２以上の整数である場合、複数存在するＲ^９は互いに同一であっても、又は異なっていてもよい。

なお、上記一般式（４）中のＲ^１～Ｒ^９、Ｘ^１、ｐ、ｑ、ｒ、ｔ及びｋの好ましい形態は、上記一般式（１）と同様である。また、上記工程（１）により得られる中間体アミン化合物（ｃ）の別の好ましい形態としては、ポリマレイミド化合物（Ａ）の好ましい形態でもある上記一般式（２）中のＮ－置換マレイミド基をアミノ基（－ＮＨ_２及び置換アミノ基を含む。）に置換した構造が挙げられる。

本実施形態において、中間体アミン化合物（ｃ）のアミン当量としては、１７２～４００ｇ／当量であることが好ましく、より好ましくは１７２～３５０ｇ／当量である。
なお、本明細書における中間体アミン化合物（ｃ）のアミン当量の測定は、ＪＩＳ Ｋ ００７０（１９９２）に規定される中和滴定法に準拠した方法で測定した値とする。

＜＜工程（２）：マレイミド化＞＞
本実施形態における工程（２）は、工程（１）で得られた中間体アミン化合物（ｃ）と、無水マレイン酸とを反応させる工程である。中間体アミン化合物（ｃ）のアミノ基（－ＮＨ_２及び置換アミノ基を含む。）がマレイミド化反応により、前記アミノ基がＮ－置換マレイミド環に置換された化学構造を形成することができるため、本開示のポリマレイミド化合物（Ａ）が得られる。
本実施形態において、工程（１）により得られた上記一般式（４）で表される中間体アミン化合物（ｃ）を反応器に仕込み、適当な溶媒に溶解した後、触媒の存在下で無水マレイン酸と反応させる。そして反応後、水洗等により未反応の無水マレイン酸又は他の不純物を除去し、減圧によって溶媒を除くことにより目的物であるポリマレイミド化合物（Ａ）を得ることができる。また、必要により反応時に脱水剤を用いてもよい。

本実施形態の工程（２）において使用される有機溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン類、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、アセトニトリル、スルホラン等の非プロトン性溶媒、ジオキサン、テトラヒドロフラン等の環状エーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒等が挙げられ、またこれらは単独で用いても混合して用いてもよい。

本実施形態の工程（２）において、中間体アミン化合物（ｃ）と無水マレイン酸との混合比率としては、中間体アミン化合物（ｃ）のアミノ当量に対する無水マレイン酸の当量比を、１～５の範囲に配合することが好ましく、より好ましくは１～３で仕込み、中間体アミン化合物（ｃ）と無水マレイン酸との合計量に対して、０．１～１０の質量比、好ましくは０．２～５の質量比の有機溶媒中で反応させることが好ましい態様となる。

本実施形態の工程（２）において使用可能な触媒としては、ニッケル、コバルト、ナトリウム、カルシウム、鉄、リチウム、マンガン等の酢酸塩、塩化物、臭化物、硫酸塩、硝酸塩等の無機塩、リン酸、塩酸、硫酸のような無機酸、シュウ酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、フルオロメタンスルホン酸等の有機酸、活性白土、酸性白土、シリカアルミナ、ゼオライト、強酸性イオン交換樹脂のような固体酸、ヘテロポリ塩酸等を挙げることができるが、特にトルエンスルホン酸が好ましく用いられる。

本実施形態の工程（２）に用いる脱水剤としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸のような低級脂肪族カルボン酸無水物、五酸化リン、酸化カルシウム、酸化バリウム等の酸化物、硫酸等の無機酸、モレキュラーシーブ等の多孔性セラミック等が挙げられるが、好ましくは無水酢酸を用いることができる。
本実施形態の工程（２）において使用される触媒、脱水剤の使用量の制限は特にないが、通常、中間体アミン化合物（ｃ）のアミノ基（－ＮＨ_２）１当量に対し、触媒は０．０００１～１．０モル、好ましくは０．０１～０．３モル、脱水剤は１～３モル、好ましくは１～１．５モルで使用することができる。
本実施形態の工程（２）において、マレイミド化の反応条件としては、上記中間体アミン化合物（ｃ）と無水マレイン酸を仕込み、１０～１００℃、好ましくは３０～６０℃の温度範囲で、０．５～１２時間、好ましくは１～４時間反応させた後、前記触媒を加えて、９０～１３０℃、好ましくは１０５～１２０℃の温度範囲で、１～２４時間、好ましくは１～１０時間反応させることができる。

（不飽和炭化水素化合物（Ｂ））
本開示の硬化性組成物は、ポリマレイミド化合物（Ａ）に加えて、反応性二重結合を有する基を含む不飽和炭化水素化合物（Ｂ）を含有する。前記不飽和炭化水素化合物（Ｂ）は、反応性二重結合（例えば、アリル基）が、ポリマレイミド化合物（Ａ）のマレイミド基と反応することにより高い架橋密度を発現するとともに、極性が低くなりうる硬化物を得ることができるため、不飽和炭化水素化合物（Ｂ）を含有する硬化性組成物を用いることにより、電子材料用の成形材料として利用でき、有用である。また、ポリマレイミド化合物（Ａ）との反応により、硬化剤として作用し、三次元架橋を生じることができ、耐熱性にも優れた硬化物を得ることができ、好ましい態様となる。さらに、任意成分であるエポキシ樹脂（Ｃ）との関係においても、硬化剤として作用し、銅への密着性が向上し、例えば、銅箔を使用する回路基板など製造において、有用となる。

本実施形態の不飽和炭化水素化合物（Ｂ）としては、分子中に２以上の反応性二重結合（炭素－炭素の不飽和結合）を有する基を含む化合物であれば特に限定されない。当該反応性二重結合を有する基としては、アリル基、イソプロペニル基、１－プロペニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、スチリル基、スチリルメチル基などが挙げられる。これらの中でも、アリル基、１－プロペニル基、スチリル基、スチリルメチル基などは、ポリマレイミド化合物（Ａ）のマレイミド基と良好な反応性を示し、高い架橋密度で耐熱性に優れる硬化物を与える点で好ましい。

また、不飽和炭化水素化合物（Ｂ）としては、前記反応性二重結合を有する基以外の反応性官能基をさらに有していてもよい。前記反応性官能基としては、特に限定されないが、例えば、シアネート基（シアン酸エステル基）、ヒドロキシル基、エポキシ基、活性エステル基、アミン基、イソシアネート基、グリシジル基、及びリン酸基が挙げられる。このなかでも、シアネート基（シアン酸エステル基）、ヒドロキシル基、エポキシ基、及び、活性エステル基からなる群より選択される少なくとも１つが好ましく、シアネート基（シアン酸エステル基）がより好ましい。ヒドロキシル基、シアネート基（シアン酸エステル基）、エポキシ基、活性エステル基を有することにより、高い曲げ強度及び曲げ弾性率、低い誘電率、高ガラス転移温度（Ｔｇ）を有し、熱膨張係数が低く、熱伝導率がより向上する傾向にある。

前記反応性二重結合を有する基以外の反応性官能基を有する不飽和炭化水素化合物（Ｂ）は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。２種類以上の反応性二重結合を有する基以外の反応性官能基を有する不飽和炭化水素化合物（Ｂ）を併用する場合は、反応性二重結合以外の反応性官能基は同一であってもよく、異なっていてもよい。この中でも、前記反応性官能基がシアネート基（シアン酸エステル基）である不飽和炭化水素化合物（Ｂ）と、前記反応性官能基がエポキシ基である不飽和炭化水素化合物（Ｂ）とを含むことが好ましい。このような反応性二重結合を有する不飽和炭化水素化合物（Ｂ）を併用することにより、曲げ強度、曲げ弾性率、ガラス転移温度（Ｔｇ）、熱伝導率がより向上する傾向にある。

本実施形態の不飽和炭化水素化合物（Ｂ）として、例えば、芳香族環の水素原子がアリル基で置換されたビスフェノール（Ｂ１）、芳香族環の水素原子がアリル基で置換され、フェノール性水酸基が、上述した反応性二重結合以外の反応性官能基中、ヒドロキシル基以外の反応性官能基で変性された変性フェノール化合物（Ｂ２）又は反応性二重結合を有するポリフェニレンエーテル化合物（Ｂ３）が挙げられる。より具体的には、ジアリルビスフェノールＡ、ジアリルビスフェノールＡのシアン酸エステル化合物、ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ化合物、アリルフェノール末端活性エステル化合物などが挙げられる。
前記ビスフェノールとしては、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＰ、ビスフェノールＡＦ、ビスフェノールＢ、ビスフェノールＢＰ、ビスフェノールＣ、ビスフェノールＣ、ビスフェノールＥ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＧ、ビスフェノールＭ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールＰ、ビスフェノールＰＨ、ビスフェノールＴＭＣ、ビスフェノールＺが挙げられる。この中でも、ビスフェノールＡが好ましい。

本実施形態の反応性二重結合を有するポリフェニレンエーテル化合物（Ｂ３）としては、その分子内に反応性二重結合を有するポリフェニレンエーテル化合物であれば、特に限定されないが、例えば、下記一般式（５）及び一般式（６）で表される部分構造からなる群から選択される構造単位と、当該部分構造に結合される反応性二重結合を有する基を含む末端構造とを有することが好ましい。

（上記一般式（５）及び（６）中において、Ｒ^ｄ１～Ｒ^ｄ８はそれぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数１～５のアルケニル基、炭素原子数３～５のシクロアルキル基、炭素原子数１～５のアルコキシ基、炭素原子数１～５のチオエーテル基、炭素原子数２～５のアルキルカルボニル基、炭素原子数２～５のアルキルオキシカルボニル基、炭素原子数２～５のアルキルカルボニルオキシ基又は炭素原子数１～５のアルキルスルホニル基を表し、上記一般式（６）中のＹは、フェノール性水酸基を２つ有する芳香族化合物由来の２価の芳香族基を表し、ｖは１～３０の整数値であり、ｗ及びｕは１～３０の整数値である。）
なお、上記一般式（５）及び／又は一般式（６）で表される部分構造は、その構造の末端構造に、反応性二重結合を含有する基を有する。当該反応性二重結合を含有する基としては、例えば、炭素原子数１～５のアルケニル基、（メタ）アクリロイル基、スチリル基、スチリルメチル基等が挙げられる。

本実施形態の反応性二重結合を有するポリフェニレンエーテル化合物（Ｂ３）の構造中に含まれるポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）は、誘電率又は誘電正接等の誘電特性に優れるため、ＭＨｚ帯からＧＨｚ帯という高周波数帯（高周波領域）においても、十分に低い誘電率を維持しつつ、十分に低い誘電正接を発現する硬化物を得ることができる硬化性組成物を調製することができるため、高周波用成形材料として用いることができ、有用である。また、ポリマレイミド化合物（Ａ）との反応により、硬化剤として作用し、三次元架橋を生じることができ、耐熱性にも優れた硬化物を得ることができ、好ましい態様となる。

上記炭素原子数１～５のチオエーテル基としては、特に制限されないが、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基等が挙げられる。

上記炭素原子数２～５のアルキルカルボニル基としては、特に制限されないが、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、イソプロピルカルボニル基、ブチルカルボニル基等が挙げられる。

上記炭素原子数２～５のアルキルオキシカルボニル基としては、特に制限されないが、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基等が挙げられる。

上記炭素原子数２～５のアルキルカルボニルオキシ基としては、特に制限されないが、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基等が挙げられる。

上記炭素原子数１～５のアルキルスルホニル基としては、特に制限されないが、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ブチルスルホニル基、ペンチルスルホニル基等が挙げられる。

上記一般式（５）及び（６）中のＲ^ｄ１～Ｒ^ｄ８は互いに同一であっても又は異なっていてもよく、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数３～５のシクロアルキル基であることが好ましく、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基であることがより好ましく、水素原子、メチル基、エチル基であることがさらに好ましく、水素原子、メチル基であることが特に好ましい。

上記一般式（６）中のＹは、フェノール性水酸基を２つ有する芳香族化合物由来の２価の芳香族基が挙げられる。
そして、前記フェノール性水酸基を２つ有する芳香族化合物としては、特に制限されないが、カテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、１，４－ジヒドロキシナフタレン、１，５－ジヒドロキシナフタレン、２，６－ジヒドロキシナフタレン、２，７－ジヒドロキシナフタレン、４，４’－ビフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＢ、ビスフェノールＢＰ、ビスフェノールＣ、ビスフェノールＦ、テトラメチルビスフェノールＡ等が挙げられる。これらのうち、ヒドロキノン、２，６－ジヒドロキシナフタレン、２，７－ジヒドロキシナフタレン、４，４’－ビフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＥ、ビスフェノールＦであることが好ましく、４，４’－ビフェノール、ビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＡであることがより好ましい。
また、前記フェノール性水酸基を２つ有する芳香族化合物の２つのフェノール性水酸基は、フェニレンエーテル結合（Ｙと結合する２つの酸素原子）を形成することとなるため、Ｙはフェノール性水酸基を２つ有する芳香族化合物由来の２価の芳香族基となる。換言すると、上記フェノール性水酸基を２つ有する芳香族化合物から任意の水素原子を２つ取り除いた基を「フェノール性水酸基を２つ有する芳香族化合物由来の２価の芳香族基」とする。

また、本実施形態において、反応性二重結合を有するポリフェニレンエーテル化合物（Ｂ３）の重量平均分子量（Ｍｗ）としては、好ましくは１０００～５０００であり、より好ましくは１２００～４０００であり、さらに好ましくは１４００～３０００である。前記範囲内であれば、より確実に優れた誘電特性、及び、耐熱性のバランスの取れた硬化物を得ることができ、好ましい態様となる。なお、ここでの重量平均分子量（Ｍｗ）は、一般的な分子量測定方法で測定したものであればよく、具体的には、後述の実施例の欄に記載したＧＰＣを用いて測定した値が挙げられる。

本実施形態の硬化性組成物において、硬化性組成物全体に対して、不飽和炭化水素化合物（Ｂ）を１０質量％以上７０質量％以下含有することが好ましく、１５質量％以上６５質量％以下含有することがより好ましく、２０質量％以上５０質量％以下含有することが最も好ましい。不飽和炭化水素化合物（Ｂ）の含有量が２０質量％以上５０質量％以下の範囲であると耐熱性及び低吸湿性の観点で好ましい。

（不飽和炭化水素化合物（Ｂ）以外の硬化剤（Ｄ））
本実施形態の硬化性組成物には、不飽和炭化水素化合物（Ｂ）以外の硬化剤（Ｄ）を本発明の硬化を損なわない範囲で加えることもできる。なお、硬化性組成物全量１００質量％に対して、前記硬化剤（Ｄ）は、２質量％以上２０質量％以下が好ましく、５質量％以上１０質量％以下が最も好ましい。硬化剤（Ｄ）の含有量が５質量％以上１０質量％以下の範囲であると低吸湿性及び低誘電正接の観点で好ましい。

本実施形態の硬化剤（Ｄ）としては、例えば、アミン系化合物、シアネートエステル化合物、アミド系化合物、酸無水物系化合物、フェノ－ル系化合物、末端に水酸基を有するポリフェニレンエーテル系化合物、ジエン系ポリマーなどが挙げられる。これらの硬化剤は、単独でも２種類以上の併用でも構わない。

上記アミン系化合物としてはジアミノジフェニルメタン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジアミノジフェニルスルホン、イソホロンジアミン、イミダゾ－ル、ＢＦ_３－アミン錯体、グアニジン誘導体等が挙げられる。

上記シアネートエステル化合物としては、例えば、ビスフェノールＡ型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールＦ型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールＥ型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールＳ型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールスルフィド型シアネートエステル樹脂、フェニレンエーテル型シアネートエステル樹脂、ナフチレンエーテル型シアネートエステル樹脂、ビフェニル型シアネートエステル樹脂、テトラメチルビフェニル型シアネートエステル樹脂、ポリヒドロキシナフタレン型シアネートエステル樹脂、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂、クレゾールノボラック型シアネートエステル樹脂、トリフェニルメタン型シアネートエステル樹脂、テトラフェニルエタン型シアネートエステル樹脂、ジシクロペンタジエン－フェノール付加反応型シアネートエステル樹脂、フェノールアラルキル型シアネートエステル樹脂、ナフトールノボラック型シアネートエステル樹脂、ナフトールアラルキル型シアネートエステル樹脂、ナフトール－フェノール共縮ノボラック型シアネートエステル樹脂、ナフトール－クレゾール共縮ノボラック型シアネートエステル樹脂、芳香族炭化水素ホルムアルデヒド樹脂変性フェノール樹脂型シアネートエステル樹脂、ビフェニル変性ノボラック型シアネートエステル樹脂、アントラセン型シアネートエステル樹脂等が挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いても良いし、２種類以上を併用してもよい。

上記アミド系化合物としては、例えば、ジシアンジアミド、リノレン酸の２量体とエチレンジアミンとより合成されるポリアミド樹脂等が挙げられる。

上記酸無水物系化合物としては、例えば、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。

上記フェノール系化合物としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、芳香族炭化水素ホルムアルデヒド樹脂変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエンフェノール付加型樹脂、フェノールアラルキル樹脂（ザイロック樹脂）、レゾルシンノボラック樹脂に代表される多価ヒドロキシ化合物とホルムアルデヒドから合成される多価フェノールノボラック樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、トリメチロールメタン樹脂、テトラフェニロールエタン樹脂、ナフトールノボラック樹脂、ナフトール－フェノール共縮ノボラック樹脂、ナフトール－クレゾール共縮ノボラック樹脂、ビフェニル変性フェノール樹脂（ビスメチレン基でフェノール核が連結された多価フェノール化合物）、ビフェニル変性ナフトール樹脂（ビスメチレン基でフェノール核が連結された多価ナフトール化合物）、アミノトリアジン変性フェノール樹脂（メラミン、ベンゾグアナミンなどでフェノール核が連結された多価フェノール化合物）やアルコキシ基含有芳香族環変性ノボラック樹脂（ホルムアルデヒドでフェノール核及びアルコキシ基含有芳香族環が連結された多価フェノール化合物）等の多価フェノール化合物が挙げられる。

上記末端に水酸基を有するポリフェニレンエーテル系化合物としては、例えば、上記一般式（５）又は一般式（６）で表される部分構造と、当該部分構造に結合する末端構造が水酸基である化合物が挙げられる。

上記ジエン系ポリマーとしては、例えば、極性基により変性されていない非変性ジエン系ポリマーが挙げられる。ここで、極性基とは、誘電特性に影響を及ぼす官能基であり、例えば、フェノール基、アミノ基、エポキシ基等が挙げられる。前記ジエン系ポリマーとしては、特に限定されず、例えば、１，２－ポリブタジエンや１，４－ポリブタジエン等を用いることができる。

上記ジエン系ポリマーとして、ポリマー鎖中のブタジエン単位の５０％以上が１，２－結合であるブタジエンのホモポリマー及びその誘導体を用いることもできる。

（エポキシ樹脂（Ｃ））
本実施形態の硬化性組成物は、エポキシ樹脂（Ｃ）をさらに含有することが好ましい。前記エポキシ樹脂（Ｃ）は、硬化性組成物の調製時の流動性が良好となり、密着性に優れた硬化物を得ることができる硬化性組成物を調製することができ、有用である。また、本実施形態の硬化性組成物として、ポリマレイミド化合物（Ａ）と不飽和炭化水素化合物（Ｂ）とエポキシ樹脂（Ｃ）とを使用した際には、銅への密着性が向上し、例えば、銅箔を使用する回路基板など製造において、有用となる。

本実施形態のエポキシ樹脂（Ｃ）としては、特に限定されないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、α―ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、β―ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、フェノールビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＢ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＢＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＣ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂、テトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格及びジグリシジルオキシベンゼン骨格を有するエポキシ樹脂等のビフェニル型エポキシ樹脂；ナフタレン型エポキシ樹脂；ビナフトール型エポキシ樹脂；ビナフチル型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエンフェノール型エポキシ樹脂等のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン型エポキシ樹脂、トリグリシジル－ｐ－アミノフェノール型エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルスルホンのグリシジルアミン型エポキシ樹脂等のグリシジルアミン型エポキシ樹脂；２，６－ナフタレンジカルボン酸ジグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ヘキサヒドロ無水フタル酸のグリシジルエステル型エポキシ樹脂等のジグリシジルエステル型エポキシ樹脂；ジベンゾピラン、ヘキサメチルジベンゾピラン、７－フェニルヘキサメチルジベンゾピラン等のベンゾピラン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

これらのなかでもフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂や、ナフタレン骨格を含有するナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール－フェノール共縮ノボラック型エポキシ樹脂、ナフトール－クレゾール共縮ノボラック型エポキシ樹脂や、結晶性のビフェニル型エポキシ樹脂、テトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂、キサンテン型エポキシ樹脂や、アルコキシ基含有芳香族環変性ノボラック型エポキシ樹脂（ホルムアルデヒドでグリシジル基含有芳香族環及びアルコキシ基含有芳香族環が連結された化合物）等が耐熱性に優れる硬化物が得られる点から特に好ましい。

本実施形態の硬化性組成物において、硬化性組成物全体に対して、エポキシ樹脂（Ｃ）を２質量％以上３０質量％以下含有することが好ましく、５質量％以上２５質量％以下含有することが最も好ましい。エポキシ樹脂（Ｃ）の含有量が５質量％以上２５質量％以下の範囲であると耐熱性の観点で好ましい。

本実施形態の好ましい硬化性組成物は、ポリマレイミド化合物（Ａ）、不飽和炭化水素化合物（Ｂ）、及び、エポキシ樹脂（Ｃ）を含有することを特徴とする。ポリマレイミド化合物（Ａ）は、２以上のマレイミド基が単環又は縮合多環式の芳香族環を備えたアルカンジイル基に連結された化学構造を有することにより、従来のマレイミド樹脂と比較して、溶剤溶解性に優れ、硬化性組成物の調製が容易で、ハンドリング性に優れ、ポリマレイミド化合物（Ａ）の構造中に極性官能基の割合が少ないため、誘電特性に優れた硬化物を得ることができる。また、硬化剤として作用する前記不飽和炭化水素化合物（Ｂ）は、当該不飽和炭化水素化合物（Ｂ）中の反応性二重結合とマレイミド基とが反応することにより、高い架橋密度の硬化物形成に寄与でき、さらにエポキシ樹脂（Ｃ）は、硬化性組成物の調製時の流動性が良好となり、密着性に優れた硬化物を得ることができる。また、ポリマレイミド化合物（Ａ）とエポキシ樹脂（Ｃ）に対して、硬化剤として作用する不飽和炭化水素化合物（Ｂ）が反応することにより、三次元架橋を生じることができ、耐熱性に優れた硬化物を得ることができ、好ましい態様となる。また、不飽和炭化水素化合物（Ｂ）とエポキシ樹脂（Ｃ）との反応により、銅への密着性が向上し、例えば、銅箔を使用する回路基板など製造において、有用となる。

ポリマレイミド化合物（Ａ）と、不飽和炭化水素化合物（Ｂ）及びエポキシ樹脂（Ｃ）とのの配合比（質量部）としては、ポリマレイミド化合物（Ａ）：（不飽和炭化水素化合物（Ｂ）＋エポキシ樹脂（Ｃ））が、９０：１０～１０：９０であることが好ましく、より好ましくは、８０：２０～２０：８０であり、さらに好ましくは、６５：３５～３５：６５であり、特に好ましくは、５５：４５～４５：５５である。前記範囲に配合比を調製することにより、耐熱性、低誘電率、低誘電正接にすることができ、好ましい。

本発明の硬化性組成物において、不飽和炭化水素化合物（Ｂ）と、エポキシ樹脂（Ｃ）との配合比（質量部）としては、特に制限されるものではないが、得られる硬化物特性が良好である点から、不飽和炭化水素化合物（Ｂ）：エポキシ樹脂（Ｃ）が、９０：１０～１０：９０であることが好ましく、より好ましくは、８０：２０～２０：８０であり、さらに好ましくは、６５：３５～３５：６５である。前記範囲に配合比を調製することにより、耐熱性、低誘電率、低誘電正接にすることができ、好ましい。

（他の樹脂（Ｅ））
また、本開示の目的を損なわない範囲であれば、ポリマレイミド化合物（Ａ）、不飽和炭化水素化合物（Ｂ）及びエポキシ樹脂（Ｃ）以外に、他の樹脂（Ｅ）を含有してもよい。当該他の樹脂（Ｅ）としては、前記ポリマレイミド化合物（Ａ）以外のビスマレイミド類、アリルエーテル系化合物、アリルアミン系化合物、トリアリルシアヌレート、アルケニルフェノール系化合物、ビニル基含有ポリオレフィン化合物等、フェノール樹脂、活性エステル樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、スチレン無水マレイン酸共重合体、ポリブタジエン及びその変性物、ポリアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、液晶ポリマー、フッ素樹脂、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリイミド樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、シリコーンゲル、シリコーンオイル等を適宜配合することも可能である。他の樹脂（Ｅ）の含有量は、硬化性組成物全量１００質量％に対して、２質量％以上２０質量％以下が好ましく、５質量％以上１０質量％以下が最も好ましい。他の樹脂（Ｅ）の含有量が５質量％以上１０質量％以下の範囲であると耐熱性及び相溶性の観点で好ましい。

（硬化促進剤）
本実施形態の硬化性組成物は、必要に応じて、硬化促進剤を適宜併用することもできる。前記硬化促進剤としては種々のものが使用でき、例えば、有機過酸化物、アゾ化合物のような重合開始剤あるいはホスフィン系化合物、第３級アミンのような塩基性触媒の添加が効果的である。前記硬化促進剤の具体例としては、例えば、ベンゾイルパーオキシド、ジクミルパーオキシド、アゾビスイソブチロニトリル、トリフェニルホスフィン、ＴＰＰ－ＭＫ、ＴＰＰ－Ｋ、トリエチルアミン、イミダゾール類等が挙げられる。硬化促進剤は、単独で用いることも２種以上を併用することもできる。本実施形態における硬化促進剤の配合量としては、硬化性樹脂組成物全体の０．０５～５質量％が好ましい。

（添加剤）
本実施形態の硬化性組成物は、必要に応じて、添加剤を適宜併用することもできる。前記添加剤としては、シランカップリング剤、離型剤、顔料、乳化剤、非ハロゲン系難燃剤、無機充填材、難燃剤、溶媒等が挙げられる。添加剤の含有量は、硬化性組成物全量１００質量％に対して、１質量％以上２０質量％以下が好ましく、３質量％以上１０質量％以下が最も好ましい。

上記難燃剤としては、無機リン系難燃剤、有機リン系難燃剤、ハロゲン系難燃剤又は非ハロゲン系難燃剤が挙げられる。本実施形態の硬化性組成物には、目的を損なわない範囲で、難燃性を発揮させるために、実質的にハロゲン原子を含有しない非ハロゲン系難燃剤を配合することがより好ましい。前記非ハロゲン系難燃剤として、例えば、リン系難燃剤、窒素系難燃剤、シリコーン系難燃剤、無機系難燃剤、有機金属塩系難燃剤等が挙げられ、これらを単独、あるいは、組み合わせて用いることができる。

本実施形態の硬化性組成物には、必要に応じて、無機充填材を配合することができる。前記無機充填材として、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、水酸化アルミ等が挙げられる。前記無機充填材の配合量を特に大きくする場合は溶融シリカを用いることが好ましい。前記溶融シリカは破砕状、球状のいずれでも使用可能であるが、溶融シリカの配合量を高め且つ成形材料の溶融粘度の上昇を抑制するためには、球状のものを主に用いる方が好ましい。さらに球状シリカの配合量を高めるためには、球状シリカの粒度分布を適当に調整することが好ましい。その充填率は難燃性を考慮して、高い方が好ましく、硬化性組成物の全体量に対して３０質量％以上５０質量％以下が特に好ましい。また、前記硬化性組成物を以下に詳述する導電ペーストなどの用途に使用する場合は、銀粉や銅粉等の導電性充填剤を用いることができる。

本実施形態の硬化性組成物は、硬化性組成物全体（１００質量％）に対して、ポリマレイミド化合物（Ａ）及び不飽和炭化水素化合物（Ｂ）の合計含有量の下限が、４０質量％、４２質量％、４５質量％、４７質量％、４８％質量又は５０質量％であることが好ましい。また、前記合計含有量の上限は、１００質量％、９９質量％、９８質量％又は９７質量％であることが好ましい。上記上限値と上記下限値とは任意に組み合わせすることができる。したがって、例えば、本実施形態の硬化性組成物は、硬化性組成物全体（１００質量％）に対して、ポリマレイミド化合物（Ａ）及び不飽和炭化水素化合物（Ｂ）の合計含有量が４０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、ポリマレイミド化合物（Ａ）及び不飽和炭化水素化合物（Ｂ）の合計含有量が４５質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、ポリマレイミド化合物（Ａ）及び不飽和炭化水素化合物（Ｂ）の合計含有量が５０質量％以上１００質量％以下であることがさらに好ましい。
本実施形態の硬化性組成物は、硬化性組成物全体（１００質量％）に対して、ポリマレイミド化合物（Ａ）、不飽和炭化水素化合物（Ｂ）、無機充填材及び添加剤の合計含有量の下限が、７０質量％、７２質量％、７５質量％、７７％質量又は８０質量％であることが好ましい。また、前記合計含有量の上限は、１００質量％、９９質量％、９８質量％又は９７質量％であることが好ましい。前記上限値と前記下限値とは、ポリマレイミド化合物（Ａ）及び不飽和炭化水素化合物（Ｂ）の合計含有量の範囲と同様に任意に組み合わせすることができる。
本実施形態の硬化性組成物は、硬化性組成物全体（１００質量％）に対して、ポリマレイミド化合物（Ａ）、不飽和炭化水素化合物（Ｂ）、エポキシ樹脂（Ｃ）及び添加剤の合計含有量の下限が、４３質量％、４５質量％、４８質量％、５０％質量又は５３質量％であることが好ましい。また、前記合計含有量の上限は、１００質量％、９９質量％、９８質量％又は９７質量％であることが好ましい。前記上限値と前記下限値とは、ポリマレイミド化合物（Ａ）及び不飽和炭化水素化合物（Ｂ）の合計含有量の範囲と同様に任意に組み合わせすることができる。

［硬化物］
本開示の硬化物は、前記硬化性組成物により得られることが好ましい。前記硬化物は、前記硬化性組成物を硬化反応させて得ることができる。前記硬化性組成物は、上述した各成分（例えば、硬化剤、配合剤）を均一に混合することにより得られ、従来知られている方法と同様の方法で容易に硬化物とすることができる。前記硬化物としては、積層物、注型物、接着層、塗膜、フィルム等の成形硬化物が挙げられる。
前記硬化（熱硬化）反応としては、無触媒下でも容易に行われるが、さらに速く反応させたい場合には、有機過酸化物、アゾ化合物のような重合開始剤やホスフィン系化合物、三級アミンの様な塩基性触媒の添加が効果的である。例えば、ベンゾイルパーオキシド、ジクミルパーオキシド、アゾビスイソブチロニトリル、トリフェニルホスフィン、トリエチルアミン、イミダゾール類等があり、配合量としては、硬化性組成物全体の０．０５～５質量％が好ましい。

［耐熱材料及び電子材料］
本開示のポリマレイミド化合物（Ａ）及び不飽和炭化水素化合物（Ｂ）を含有する硬化性組成物により得られる硬化物が、優れた低吸湿性及び低誘電特性を両立することから、耐熱部材又は電子部材に好適に使用可能である。特に、プリプレグ、回路基板、半導体封止材、半導体装置、ビルドアップフィルム、ビルドアップ基板、導電性ペーストを用いた接着剤やレジスト材料などに好適に使用できる。また、繊維強化樹脂のマトリクス樹脂にも好適に使用でき、高耐熱性又は寸法変化率が小さいプリプレグとして特に適している。また、前記硬化性組成物に含まれる前記ポリマレイミド化合物（Ａ）は、各種溶剤への優れた溶解性を示すことから塗料化が可能である。こうして得られる耐熱部材や電子部材は、各種用途に好適に使用可能であり、例えば、産業用機械部品、一般機械部品、自動車・鉄道・車両等部品、宇宙・航空関連部品、電子・電気部品、建築材料、容器・包装部材、生活用品、スポーツ・レジャー用品、風力発電用筐体部材等が挙げられるが、これらに限定される物ではない。

以下、本発明の硬化性組成物を用いて製造される代表的な製品（回路基板、半導体封止材料、半導体装置、プリプレグ、ビルドアップ基板、ビルドアップフィルム、導電ペースト）について例を挙げて説明する。

［回路基板］
本開示は、プリプレグ、及び、銅箔の積層体である回路基板である。本実施形態の硬化性組成物からプリント回路基板を得る方法としては、下記プリプレグを、常法により積層し、適宜銅箔を重ねて、１～１０ＭＰａの加圧下に１７０～３００℃で１０分～３時間、加熱圧着させる方法が挙げられる。

［半導体封止材料］
本開示は、本実施形態の硬化性組成物を含有する半導体封止材料である。本実施形態の硬化性組成物を用いて得られる半導体封止材料は、本開示のポリマレイミド化合物（Ａ）及び不飽和炭化水素化合物（Ｂ）を使用することにより、吸湿性、低誘電正接性率が改善されているため、製造工程における加工性や成形性、耐リフロー性に優れ、好ましい態様となる。
前記半導体封止材料に用いられる本実施形態の硬化性組成物には、無機充填材を含有することができる。なお、前記無機充填材の充填率としては、本実施形態の硬化性組成物１００質量部に対して、例えば、無機充填材を０．５～１２００質量部の範囲で用いることができる。また、当該無機充填材としては、上記の通り、例えば、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、無定形シリカ、結晶性シリカ、ノイブルグ珪土、溶融シリカ、球状シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、等を挙げることができる。

前記半導体封止材料を得る方法としては、本実施形態の硬化性組成物に、さらに任意成分である、硬化促進剤及び／又は添加剤を必要に応じて、押出機、ニ－ダ、ロ－ル等を用いて均一になるまで充分に溶融混合する方法などが挙げられる。パワートランジスタ、パワーＩＣ用高熱伝導半導体封止材として用いる場合は、溶融シリカよりも熱伝導率の高い結晶シリカ、アルミナ、窒化ケイ素などの高充填化、又は溶融シリカ、結晶性シリカ、アルミナ、窒化ケイ素などを用いるとよい。その充填率は、硬化性組成物１００質量部当たり、無機充填材を３０～９５質量部の範囲で用いることが好ましく、中でも、難燃性や耐湿性や耐ハンダクラック性の向上、線膨張係数の低下を図るためには、７０質量部以上がより好ましく、８０質量部以上であることがさらに好ましい。

［半導体装置］
本開示は、前記半導体封止材料の硬化物を含む半導体装置である。本実施形態の硬化性組成物を用いて得られる半導体封止材料を用いて得られる半導体装置は、本開示のポリマレイミド化合物（Ａ）及び不飽和炭化水素化合物（Ｂ）を使用するため、低粘度で流動性に優れ、さらに、吸湿性、熱時弾性率又は金属材料との接着性が改善されているため、製造工程における加工性や成形性、耐リフロー性に優れ、好ましい態様となる。

前記半導体装置を得る方法としては、前記半導体封止材料を注型、又は、トランスファー成形機、射出成形機などを用いて成形し、さらに室温（２０℃）～２５０℃の温度範囲で、加熱硬化する方法が挙げられる。

［プリプレグ］
本開示は、補強基材、及び、前記補強基材に含浸した本実施形態の硬化性組成物の半硬化物を有するプリプレグである。上記硬化性組成物からプリプレグを得る方法としては、後述する有機溶媒を配合して、ワニス化した硬化性組成物を、補強基材（紙、ガラス布、ガラス不織布、アラミド紙、アラミド布、ガラスマット、ガラスロービング布など）に含浸したのち、用いた溶媒種に応じた加熱温度、好ましくは５０～１７０℃で加熱することによって、前記硬化性組成物を半硬化（あるいは未硬化）してプリプレグを得る方法が挙げられる。この時用いる硬化性組成物と補強基材の質量割合としては、特に限定されないが、通常、プリプレグ中の組成物に含まれる樹脂分が２０～６０質量％となるように調製することが好ましい。
本実施形態において、硬化性組成物の半硬化物は、加熱温度及び加熱時間を調整して、硬化反応を完了させずに途中で停止させることによって得られる。また、例えば、半硬化物は、例えば８５％以下５％以上の硬化度でありうる。一方、本実施形態における硬化物は、半硬化物より高い硬化度を有しうる。
なお、当該半硬化物の硬化度は、硬化性組成物を加熱する際の硬化発熱量と、その半硬化物の硬化発熱量をＤＳＣにより測定し、以下の式から算出できる。
硬化度（％）＝［１－（半硬化物の硬化発熱量／硬化性組成物の硬化発熱量）］×１００

本実施形態のプリプレグの製造に用いる有機溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、メトキシプロパノール、シクロヘキサノン、メチルセロソルブ、エチルジグリコールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられ、その選択や適正な使用量は用途によって適宜選択し得るが、例えば、下記のようにプリプレグからプリント回路基板をさらに製造する場合には、メチルエチルケトン、アセトン、ジメチルホルムアミド等の沸点が１６０℃以下の極性溶媒を用いることが好ましく、また、不揮発分が４０～８０質量％となる割合で用いることが好ましい。また、本実施形態のプリプレグの製造に用いる補強基材としては、ガラス繊維、ポリエステル繊維、ポリアミド繊維等の無機繊維、有機繊維からなる織布や不織布、又はマット、紙等であり、これらを単独、あるいは、組み合わせて用いることができる。

本実施形態のプリプレグの熱処理の条件としては、使用する有機溶剤、触媒、各種添加剤の種類や使用量などに応じて、適宜選択されるが、通常、８０～２２０℃の温度で、３分～３０分といった条件で行われることが好ましい。

［ビルドアップ基板］
本実施形態の硬化性組成物からビルドアップ基板を得る方法としては、以下の工程１～３を経由する方法が挙げられる。工程１では、まず、ゴム、フィラーなどを適宜配合した前記硬化性組成物を、回路を形成した回路基板にスプレーコーティング法、カーテンコーティング法等を用いて塗布した後、硬化させる。工程２では、必要に応じて、硬化性組成物が塗布された回路基板に所定のスルーホール部等の穴あけを行った後、粗化剤により処理し、その表面を湯洗することによって、前記基板に凹凸を形成させ、銅などの金属をめっき処理する。工程３では、工程１～２の操作を所望に応じて順次繰り返し、樹脂絶縁層及び所定の回路パターンの導体層を交互にビルドアップしてビルドアップ基板を成形する。なお、前記工程において、スルーホール部の穴あけは、最外層の樹脂絶縁層の形成後に行うとよい。また、本実施形態におけるビルドアップ基板は、銅箔上で当該組成物を半硬化させた樹脂付き銅箔を、回路を形成した配線基板上に、１７０～３００℃で加熱圧着することで、粗化面を形成、メッキ処理の工程を省き、ビルドアップ基板を作製することも可能である。

［ビルドアップフィルム］
本開示は、本実施形態の硬化性組成物を含有するビルドアップフィルムである。本実施形態のビルドアップフィルムを製造する方法としては、上記硬化性組成物を、支持フィルム（Ｙ）上に塗布したのち、乾燥させて、支持フィルム（Ｙ）上に硬化性組成物層を形成させて多層プリント配線板用の接着フィルムとすることにより製造する方法が挙げられる。
硬化性組成物からビルドアップフィルムを製造する場合、該フィルムは、真空ラミネート法におけるラミネートの温度条件（通常７０～１４０℃）で軟化し、回路基板のラミネートと同時に、回路基板に存在するビアホール、あるいは、スルーホール内の樹脂充填が可能な流動性（樹脂流れ）を示すことが肝要であり、このような特性を発現するよう上記各成分を配合することが好ましい。なお、得られるビルドアップフィルムや回路基板（銅張積層板等）においては、相分離などに起因する、局所的に異なる特性値を示すといった現象を生じさせず、任意の部位において一定の性能を発現させるため、外観均一性が要求される。

ここで、多層プリント配線板のスルーホールの直径は、通常０．１～０．５ｍｍ、深さは通常０．１～１．２ｍｍであり、通常この範囲で樹脂充填を可能とするのが好ましい。なお回路基板の両面をラミネートする場合はスルーホールの１／２程度充填されることが望ましい。

上記した接着フィルムを製造する方法は、具体的には、ワニス状の上記硬化性組成物を調製した後、支持フィルム（Ｙ）の表面に、このワニス状の組成物を塗布し、さらに加熱、あるいは熱風吹きつけ等により有機溶媒を乾燥させて硬化性組成物からなる組成物層（Ｘ）を形成させることにより製造することができる。前記有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、カルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ、ブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン等を用いることが好ましく、また、不揮発分３０～６０質量％となる割合で使用することが好ましい。

形成される組成物層（Ｘ）の厚さは、通常、導体層の厚さ以上とすることが好ましい。回路基板が有する導体層の厚さは通常５～７０μｍの範囲であるので、樹脂組成物層の厚さは１０～１００μｍの厚みを有するのが好ましい。なお、本実施形態における組成物層（Ｘ）は、後述する保護フィルムで保護されていてもよい。保護フィルムで保護することにより、樹脂組成物層表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。

上記した支持フィルム（Ｙ）及び保護フィルムは、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、さらには離型紙や銅箔、アルミニウム箔等の金属箔などを挙げることができる。なお、支持フィルム及び保護フィルムはマッド処理、コロナ処理の他、離型処理を施してあってもよい。支持フィルムの厚さは特に限定されないが、通常１０～１５０μｍであり、好ましくは２５～５０μｍの範囲で用いられる。また保護フィルムの厚さは１～４０μｍとするのが好ましい。

上記した支持フィルム（Ｙ）は、回路基板にラミネートした後に、或いは加熱硬化することにより絶縁層を形成した後に、剥離される。接着フィルムを加熱硬化した後に支持フィルム（Ｙ）を剥離すれば、硬化工程でのゴミ等の付着を防ぐことができる。硬化後に剥離する場合、通常、支持フィルムには予め離型処理が施される。
なお、前記のようにして得られたビルドアップフィルムから多層プリント回路基板を製造することができる。例えば、前記樹脂組成物層（Ｘ）が保護フィルムで保護されている場合はこれらを剥離した後、前記樹脂組成物の層（Ｘ）を回路基板に直接接するように回路基板の片面又は両面に、例えば真空ラミネート法によりラミネートする。ラミネートの方法はバッチ式であってもロールでの連続式であってもよい。また必要により、ラミネートを行う前にビルドアップフィルム及び回路基板を必要により加熱（プレヒート）しておいてもよい。ラミネートの条件は、圧着温度（ラミネート温度）を７０～１４０℃とすることが好ましく、圧着圧力を１～１１ｋｇｆ／ｃｍ^２（９．８×１０^４～１０７．９×１０^４Ｎ／ｍ^２）とすることが好ましく、空気圧を２０ｍｍＨｇ（２６．７ｈＰａ）以下の減圧下でラミネートすることが好ましい。

＜導電ペースト＞
本発明の硬化性組成物から導電ペーストを得る方法としては、例えば、導電性粒子を該組成物中に分散させる方法が挙げられる。上記導電ペーストは、用いる導電性粒子の種類によって、回路接続用ペースト樹脂組成物や異方性導電接着剤とすることができる。

本発明を実施例、比較例により具体的に説明するが、以下において「部」及び「％」は特に断わりのない限り質量基準である。尚、合成したポリマレイミド化合物（Ａ）の物性測定は以下の通り実施し、表１に示した。

（１）アミン当量
以下の測定法により、中間体アミン化合物（ｃ）のアミン当量を測定した。
５００ｍＬ共栓付き三角フラスコに、試料である中間体アミン化合物（ｃ）を約２．５ｇ、ピリジン７．５ｇ、無水酢酸２．５ｇ、トリフェニルホスフィン７．５ｇを精秤後、冷却管を装着し１２０℃に設定したオイルバスにて１５０分加熱還流する。
冷却後、蒸留水５．０ｍＬ、プロピレングリコールモノメチルエーテル１００ｍＬ、テトラヒドロフラン７５ｍＬを加え、０．５ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム－エタノール溶液で電位差滴定法により滴定した。同様の方法で空試験を行なって補正した。
アミン当量（ｇ／当量）＝（Ｓ×２，０００）／（Ｂｌａｎｋ－Ａ）
Ｓ：試料の量（ｇ）
Ａ：０．５ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム－エタノール溶液の消費量（ｍＬ）
Ｂｌａｎｋ：空試験における０．５ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム－エタノール溶液の消費量（ｍＬ）

（２）ＧＰＣ測定
以下の測定装置、測定条件を用いて、実施例及び比較例で得られたポリマレイミド化合物（Ａ）についての、数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ）、及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を算出した。
「測定装置」
東ソー株式会社製「ＨＬＣ－８３２０ ＧＰＣ」
「測定条件」
カラム：東ソー株式会社製ガードカラム「ＨＸＬ－Ｌ」＋東ソー株式会社製「ＴＳＫ－ＧＥＬ Ｇ２０００ＨＸＬ」＋東ソー株式会社製「ＴＳＫ－ＧＥＬ Ｇ２０００ＨＸＬ」＋東ソー株式会社製「ＴＳＫ－ＧＥＬ Ｇ３０００ＨＸＬ」＋東ソー株式会社製「ＴＳＫ－ＧＥＬ Ｇ４０００ＨＸＬ」
検出器：ＲＩ（示差屈折計）
データ処理：東ソー株式会社製「ＧＰＣワークステーション ＥｃｏＳＥＣ－ＷｏｒｋＳｔａｔｉｏｎ」
測定条件：カラム温度 ４０℃
展開溶媒 テトラヒドロフラン
流速 １．０ｍｌ／分
標準：前記「ＧＰＣワークステーション ＥｃｏＳＥＣ－ＷｏｒｋＳｔａｔｉｏｎ」の測定マニュアルに準拠して、分子量が既知の下記の単分散ポリスチレンを用いた。
（使用ポリスチレン）
東ソー株式会社製「Ａ－５００」
東ソー株式会社製「Ａ－１０００」
東ソー株式会社製「Ａ－２５００」
東ソー株式会社製「Ａ－５０００」
東ソー株式会社製「Ｆ－１」
東ソー株式会社製「Ｆ－２」
東ソー株式会社製「Ｆ－４」
東ソー株式会社製「Ｆ－１０」
東ソー株式会社製「Ｆ－２０」
東ソー株式会社製「Ｆ－４０」
東ソー株式会社製「Ｆ－８０」
東ソー株式会社製「Ｆ－１２８」
試料：合成例で得られたポリマレイミド化合物（Ａ）の樹脂固形分換算で１．０質量％のテトラヒドロフラン溶液をマイクロフィルターでろ過したもの（５０μｌ）。

（３）ＦＤ－ＭＳ測定
実施例で得られたポリマレイミド化合物（Ａ）のＦＤ－ＭＳスペクトルは、以下の測定装置、測定条件を用いて測定した。
測定装置：ＪＭＳ－Ｔ１００ＧＣ ＡｃｃｕＴＯＦ
測定条件
測定範囲：ｍ／ｚ＝４．００～２０００．００
変化率：５１．２ｍＡ／ｍｉｎ
最終電流値：４５ｍＡ
カソード電圧：－１０ｋＶ
記録間隔：０．０７ｓｅｃ

（４）^１３Ｃ－ＮＭＲ測定
実施例で得られたポリマレイミド化合物（Ａ）の^１３Ｃ－ＮＭＲスペクトルは以下の測定装置、測定条件にて測定した。
^１３Ｃ－ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＲＥＳＯＮＡＮＣＥ製「ＪＮＭ－ＥＣＺ４００Ｓ」
共鳴周波数：１００ＭＨｚ
積算回数：４０００回
溶媒：クロロホルム－ｄ
試料濃度：１２質量％
緩和試薬：クロム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート

（５）ポリマレイミド化合物（Ａ）の合成
＜合成例１＞ポリマレイミド化合物（Ａ－１）の合成
（Ｉ）中間体アミン化合物（ｃ－１）の合成
温度計、冷却管、ディーンスタークトラップ及び攪拌機を取り付けたフラスコに、２－エチルアニリン２４２．４ｇ（２．０ｍｏｌ）、キシレン２４２ｇ及び活性白土８０ｇを仕込み、攪拌しながら１３０℃まで昇温し、３０分間ホールドした。その後、（ＤＶＢ－８１０（ジビニルベンゼン／エチルスチレンの混合物（ジビニルベンゼン／エチルスチレン＝８１／１９（ｍｏｌ）％）、日鉄ケミカル＆マテリアル製）２７２．０ｇ）を２時間かけて滴下し、そのまま１時間反応させた。その後、６時間かけて１９０℃に昇温させ、１０時間ホールドした。反応後、１００℃まで空冷し、トルエン３００ｇで希釈してろ過により活性白土を除き、減圧下で溶剤及び未反応物等の低分子量物を留去することにより、中間体アミン化合物（ｃ－１）を得た。中間体アミン化合物（ｃ－１）のアミン当量は２１４ｇ／当量であった。
（ＩＩ）マレイミド化
温度計、冷却管、ディーンスタークトラップ及び攪拌機を取り付けた２Ｌフラスコに無水マレイン酸１１７．７ｇ（１．２ｍｏｌ）、トルエン７００ｇを仕込み室温で攪拌した。次に中間体アミン化合物（ｃ－１）を２１４ｇ（１当量）とＤＭＦ１７５ｇとの混合溶液を１時間かけて滴下し、その後２時間反応させた。その反応液にｐ－トルエンスルホン酸一水和物３７．１ｇを加え、１１５℃まで加熱し還流下で共沸してくる水とトルエンとを冷却・分離した後、トルエンだけを系内に戻して脱水反応を５時間行った。室温まで空冷後、４９％ＮａＯＨで中和した。その後、６０℃でトルエンと水を減圧留去し、フラスコ内に残ったＤＭＦ溶液にＭＥＫ（メチルエチルケトン）６００ｇを加えた。その溶液を６０℃に昇温後、イオン交換水２００ｇで３回分液処理して溶液中の塩を取り除いた。さらに硫酸ナトリウムを加え乾燥後、減圧濃縮し得られた反応物を８０℃で真空乾燥を行い、ポリマレイミド化合物（Ａ－１）を得た。当該ポリマレイミド化合物（Ａ－１）の化学構造及び特性解析は、ＧＰＣ、ＦＤ－ＭＳ及び^１３Ｃ－ＮＭＲを用いて確認した。その測定結果を、図１Ａ～図１Ｃに示す。ＧＰＣ測定結果より、ポリマレイミド化合物（Ａ－１）のＭｎは９９８、Ｍｗは３６７，８３４、Ｍｗ／Ｍｎは３６８．６９７であった。

＜実施例１～２及び比較例１～２＞
＜＜硬化性組成物の調製と硬化物の作製＞＞
上記合成例１で得られたポリマレイミド化合物（Ａ－１）と、以下の式（７）で表される比較用マレイミド（１）（「ＢＭＩ－１０００」大和化成工業株式会社製）と、

不飽和炭化水素化合物（Ｂ）として、不飽和炭化水素化合物（Ｂ－１）（「ＳＡ－９０００」、ＳＡＢＩＣ社製、両末端メタクリル変性ポリフェニレンエーテル）と、不飽和炭化水素化合物（Ｂ－２）（「ＮＥ－Ｖ－１１００」、ＤＩＣ社製、両末端ビニル樹脂）と、不飽和炭化水素化合物（Ｂ－３）（「ＤＡＢＰＡ」、大和化成工業株式会社製、２，２’－ジアリルビスフェノールＡ）と、エポキシ樹脂（Ｃ）として、エポキシ樹脂（Ｃ－１）（ＢＰＡ型エポキシ樹脂「８５０－Ｓ」当量：１８８ｇ／ｅｑ、ＤＩＣ株式会社製）と、ＤＣＰＯ（「パークミルＤ」、日油株式会社製、Ｄｉｃｕｍｙｌ Ｐｅｒｏｘｉｄｅ）と、を以下の表１に示す割合で配合し、実施例１～３及び比較例１～３の硬化性組成物を調製した。

次いで、実施例１～３及び比較例１～３の硬化性組成物を以下の硬化条件を用いて硬化することにより、実施例１～３及び比較例１～３の硬化性組成物に対応する硬化物をそれぞれ作製した。そして、下記の方法で誘電率及び誘電正接、吸湿性の物性評価を行った。その結果を表１に示す。
＜＜硬化条件＞＞
真空プレスを用いて２００℃で２時間の後、２５０℃で２時間加熱硬化した。
成型後板厚：１．３ｍｍ
＜＜誘電率及び誘電正接の評価＞＞
ＪＩＳ－Ｃ－６４８１に準拠し、アジレント・テクノロジー株式会社製ネットワークアナライザ「Ｅ８３６２Ｃ」を用い空洞共振法にて、絶乾後２３℃、湿度５０％の室内に２４時間保管した後の試験片の１ＧＨｚでの誘電率（Ｄｋ）及び誘電正接（Ｄｆ）を測定した。
＜＜吸湿性の評価＞＞
本実施例・比較例において、低吸湿性の評価方法として、以下の方法により吸湿率（％）を算出して評価した。
上記得られた硬化物から５ｍｍ×５５ｍｍ×１．３ｍｍの寸法に切り出した試験片を、プレッシャークッカー試験機を使用して、８５℃、８５％ＲＨ、１気圧の条件で５０時間保持後、下記式にて、吸湿率（％）を算出して評価した。
吸湿率（％）＝（試験後の試験片の質量－試験前の試験片の質量）／（試験前の試験片の質量）×１００

上記表１に示す結果から、実施例１～３と比較例１～３とを比較すると、実施例１～３のポリマレイミド化合物（Ａ）及び不飽和炭化水素化合物（Ｂ）を含有した硬化性組成物を用いることにより、低誘電率及び低誘電正接性、高温多湿下における低吸湿率が達成されたことを確認できる。

本開示によれば、硬化時において、低誘電特性及び低吸湿率を示す硬化性組成物及びその硬化物を提供できる。

Claims (9)

1. ２以上の直鎖又は分岐状のアルキレン基が結合された単環式又は縮合多環式芳香族基を含有するポリマレイミド化合物（Ａ）と、
   反応性二重結合を有する不飽和炭化水素化合物（Ｂ）と、を含有することを特徴とする硬化性組成物。
2. 前記ポリマレイミド化合物（Ａ）は、以下の一般式（１）で表される構造単位を有する、請求項１に記載の硬化性組成物。
   

   

   （上記一般式（１）中、Ｒ^１はそれぞれ独立して、アルキル基を表し、
   Ｒ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基、アルコキシ基若しくはアルキルチオ基；炭素原子数６～１０のアリール基、アリールオキシ基若しくはアリールチオ基；炭素原子数３～１０のシクロアルキル基；ハロゲン原子；水酸基；又はメルカプト基を表し、
   Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、かつＲ^３及びＲ^４の一方が水素原子、他方がメチル基であり、Ｒ^５及びＲ^６の一方が水素原子、他方がメチル基であり、
   Ｘ^１は、以下の一般式（ｘ）：
   

   

   （一般式（ｘ）中、Ｒ^７及びＲ^８はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、かつＲ^７及びＲ^８の一方が水素原子、他方がメチル基であり、Ｒ^９はそれぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基、アルコキシ基若しくはアルキルチオ基；炭素原子数６～１０のアリール基、アリールオキシ基若しくはアリールチオ基；炭素原子数３～１０のシクロアルキル基；ハロゲン原子；水酸基；又はメルカプト基を表し、ｔは０～４の整数を表す。）
   で表される置換基を表し、ｒは、Ｘ^１が結合されたベンゼン環１つ当たりのＸ^１の置換数の平均値であり、０～４の数を表し、ｐは１～３の整数を表し、ｑは０～４の整数を表し、ｋは１～１００の整数を表す。）
3. エポキシ樹脂（Ｃ）をさらに含有する、請求項１又は２に記載の硬化性組成物。
4. 請求項１～３のいずれか１項に記載の硬化性組成物の硬化物。
5. 補強基材、及び、前記補強基材に含浸した請求項１～３のいずれか１項に記載の硬化性組成物の半硬化物を有するプリプレグ。
6. 請求項５に記載のプリプレグ、及び、銅箔を積層した積層体を有する、回路基板。
7. 請求項１～３のいずれか１項に記載の硬化性組成物を含有するビルドアップフィルム。
8. 請求項１～３のいずれか１項に記載の硬化性組成物を含有する半導体封止材。
9. 請求項８に記載の半導体封止材の硬化物を含む半導体装置。

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