JP2023132803A - 発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[実施形態1]
(基板1)
(半導体構造体10)
(誘電体層40)
(透光性導電層20)
(第一透光性導電層21)
(第二透光性導電層22)
[発光素子の製造方法]
[実施例1]
[比較例1]
[比較例2]
(比較試験)
1…基板
10…半導体構造体
11…第一半導体層
12…第二半導体層
13…活性層
20…透光性導電層
21…第一透光性導電層
22…第二透光性導電層
30…電極
31…第一電極;31a…第一n側電極;31b…第二n側電極
32…第二電極;32b…p側電極
40…誘電体層
50…レジストマスク
60…保護膜
Claims (9)
- 第一半導体層と、
第二半導体層と、
前記第一半導体層と第二半導体層との間に位置する活性層と、
を含む半導体構造体を準備する工程と、
前記第二半導体層上に、第一膜厚の第一透光性導電層を第一温度で形成する工程と、
前記第一透光性導電層を、酸素を含む雰囲気中で、前記第一温度よりも高い第二温度で加熱する工程と、
前記加熱する工程の後、前記第一透光性導電層上に、前記第一膜厚よりも厚い第二膜厚の第二透光性導電層を、前記第一温度よりも高い第三温度で形成する工程と、
を含む発光素子の製造方法。 - 請求項1に記載の発光素子の製造方法であって、
前記第一透光性導電層を、蒸着法で形成する発光素子の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の発光素子の製造方法であって、
前記第二透光性導電層を、スパッタリング法又は蒸着法で形成する発光素子の製造方法。 - 請求項1~3のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法であって、
前記第二温度が、200℃以上500℃以下である発光素子の製造方法。 - 請求項1~4のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法であって、
前記第二膜厚が、前記第一膜厚の5倍以上40倍以下である発光素子の製造方法。 - 請求項1~5のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法であって、
前記第一膜厚が、2nm以上8nm以下である発光素子の製造方法。 - 請求項1~6のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法であって、
前記第二膜厚が、40nm以上80nm以下である発光素子の製造方法。 - 請求項1~7のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法であって、
前記第一温度が、25℃以上35℃以下である発光素子の製造方法。 - 請求項1~8のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法であって、
前記第一透光性導電層及び第二透光性導電層が、酸化インジウム錫である発光素子の製造方法。
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