JP2023131657A - 基板処理方法及び基板処理システム - Google Patents
基板処理方法及び基板処理システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023131657A JP2023131657A JP2022036544A JP2022036544A JP2023131657A JP 2023131657 A JP2023131657 A JP 2023131657A JP 2022036544 A JP2022036544 A JP 2022036544A JP 2022036544 A JP2022036544 A JP 2022036544A JP 2023131657 A JP2023131657 A JP 2023131657A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- ionic liquid
- substrate processing
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 178
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 37
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 claims abstract description 92
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 54
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 46
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 26
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 25
- 150000004715 keto acids Chemical group 0.000 claims description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- -1 carboxylic acid anion Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- HQIPXXNWLGIFAY-UHFFFAOYSA-M decanoate;trihexyl(tetradecyl)phosphanium Chemical compound CCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCC[P+](CCCCCC)(CCCCCC)CCCCCC HQIPXXNWLGIFAY-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 238000007710 freezing Methods 0.000 claims description 3
- 230000008014 freezing Effects 0.000 claims description 3
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N decanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 125000005616 oxoacid group Chemical group 0.000 abstract 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 37
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 35
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 19
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【課題】酸化性ガスの遮断性が高くかつ除去しやすい保護膜を形成できる技術を提供する。【解決手段】本開示の一態様による基板処理方法は、表面に対象膜が露出した基板を準備する工程と、前記基板の表面に、炭素数が6以上のオキソ酸構造を含むイオン液体を第1温度で供給し、前記対象膜の表面に液膜を形成する工程と、前記基板を前記第1温度より低い第2温度に冷却し、前記液膜を凝固させて固体膜を形成する工程と、前記基板に極性溶媒を供給し、前記固体膜を除去する工程と、を有する。【選択図】図1
Description
本開示は、基板処理方法及び基板処理システムに関する。
基板の上にイオン液体を含む液体材料を塗布して保護膜を形成する技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。
本開示は、酸化性ガスの遮断性が高くかつ除去しやすい保護膜を形成できる技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理方法は、表面に対象膜が露出した基板を準備する工程と、前記基板の表面に、炭素数が6以上のオキソ酸構造を含むイオン液体を第1温度で供給し、前記対象膜の表面に液膜を形成する工程と、前記基板を前記第1温度より低い第2温度に冷却し、前記液膜を凝固させて固体膜を形成する工程と、前記基板に極性溶媒を供給し、前記固体膜を除去する工程と、を有する。
本開示によれば、酸化性ガスの遮断性が高くかつ除去しやすい保護膜を形成できる。
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
〔基板処理方法〕
図1及び図2を参照し、実施形態に係る基板処理方法について説明する。図1に示されるように、実施形態に係る基板処理方法は、準備工程S10と、液膜形成工程S20と、固体膜形成工程S30と、除去工程S40とを有する。
図1及び図2を参照し、実施形態に係る基板処理方法について説明する。図1に示されるように、実施形態に係る基板処理方法は、準備工程S10と、液膜形成工程S20と、固体膜形成工程S30と、除去工程S40とを有する。
準備工程S10は、金属膜12で覆われたパターン11を表面に有する基板Wを準備することを含む(図2(a)参照)。基板Wは、例えば半導体ウエハである。パターン11は、例えばトレンチ、ホールである。金属膜12は、基板Wの表面に露出する。金属膜12は、例えば銅(Cu)膜、アルミニウム(Al)膜、コバルト(Co)膜、ルテニウム(Ru)膜、タンタル(Ta)膜であってよい。金属膜12は、例えば化学気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)法や、スパッタリング法等の物理気相成長(PVD:Physical Vapor Deposition)法により形成される。ただし、金属膜12の形成方法はこれに限定されない。金属膜12を形成する前後の少なくともいずれか一方において、基板Wの表面の自然酸化膜を除去することを含んでもよい。
液膜形成工程S20は、準備工程S10の後に行われる。液膜形成工程S20は、基板Wの表面に露出した金属膜12が酸化しないように、金属膜12が形成された後に、酸素を含む雰囲気に基板Wを曝すことなく行うことが好ましい。液膜形成工程S20は、例えば真空雰囲気、不活性ガス雰囲気等の酸素を含まない雰囲気で実施される。
液膜形成工程S20は、基板Wの表面にイオン液体を第1温度で供給し、金属膜12の表面にイオン液体の膜(以下「液膜13」という。)を形成することを含む(図2(b)参照)。第1温度は、イオン液体を液相状態で塗布できる温度であればよく、例えばイオン液体の凝固点よりも高い温度である。イオン液体を供給する際には、基板Wを所定温度に加熱してもよい。基板Wを加熱することにより、基板Wの表面においてイオン液体が液相状態を維持するので、基板Wの表面の全体にイオン液体が広がりやすい。所定温度は、例えば第1温度と同じ温度であってよい。なお、イオン液体を供給する際に基板Wを加熱しなくてもよい。
イオン液体は、炭素数が6以上のオキソ酸構造を含む。炭素数が6以上である場合、イオン液体は比較的低い温度で低粘性を示すため、比較的低い温度で基板Wにイオン液体を塗布できる。炭素数は8以上であることが好ましい。この場合、低温で基板Wにイオン液体を塗布しやすい。イオン液体がオキソ酸構造を含む場合、後述する固体膜14を容易に除去できる。詳細については後述する。
FEOL(Front End of Line)工程において保護膜を形成するためにイオン液体を用いる場合、保護対象の膜などへの金属の拡散を防ぐという観点から、イオン液体は金属イオンを含まないことが好ましい。イオン液体が金属イオンを含む場合、FEOL工程の熱処理の際にイオン液体に含まれる金属イオンが保護対象の膜などに拡散して半導体デバイスの特性を劣化させる場合がある。
オキソ酸構造は、陽イオン(カチオン)及び陰イオン(アニオン)の少なくとも一方が有していればよい。オキソ酸構造としては、例えば炭素数が6以上のカルボン酸アニオンが挙げられる。炭素数が6以上のカルボン酸アニオンとしては、デカン酸アニオン(C9H19COO-)が好適である。イオン液体が、炭素数が6以上のカルボン酸アニオンを含む場合、陽イオンとしては種々のものを利用できる。陽イオンとしては、例えばリン酸カチオン、硫酸カチオンが挙げられる。
イオン液体の具体例としては、トリヘキシルテトラデシルホスホニウムデカノエート(THTDP-DcO)が好適である。イオン液体がTHTDP-DcOである場合、第1温度は50℃以上200℃以下が好ましく、70℃以上90℃以下がより好ましい。
固体膜形成工程S30は、液膜形成工程S20の後に行われる。固体膜形成工程S30は、例えば真空雰囲気、不活性ガス雰囲気等の酸素を含まない雰囲気で実施される。固体膜形成工程S30は、液膜形成工程S20と同じチャンバ内で行われてもよく、液膜形成工程S20と異なるチャンバ内で行われてもよい。
固体膜形成工程S30は、基板Wを第2温度に冷却し、液膜13を凝固させて固体膜14を形成することを含む(図2(c)参照)。固体膜14は、酸素ガス等の酸化性ガスの遮断性が液膜13よりも高い。このため、固体膜14が形成された基板Wが酸素を含む雰囲気に曝されても、固体膜14によって酸化性ガスが金属膜12に到達することが抑制される。その結果、金属膜12の酸化が抑制される。このように、固体膜14は、金属膜12を酸化性ガスから保護する保護膜として機能する。固体膜14が液膜13よりも酸化性ガスの遮断性が高いのは、液膜13が固相になることで結晶化し、酸素の拡散経路が少なくなるためと考えられる。第2温度は、第1温度より低い温度である。第2温度は、液膜13を凝固させることができる温度であればよく、例えばイオン液体の凝固点以下の温度である。液膜形成工程S20において用いられるイオン液体がTHTDP-DcOである場合、第2温度は20℃以上30℃以下が好ましく、25℃がより好ましい。
除去工程S40は、固体膜形成工程S30の後に行われる。固体膜形成工程S30と除去工程S40との間には、大気を含む雰囲気に基板Wを曝す工程を有してもよい。大気を含む雰囲気に基板Wを曝す工程は、例えば固体膜形成工程S30が行われる装置から除去工程S40が行われる装置へ搬送装置が大気を含む雰囲気で基板Wを搬送することを含んでよい。除去工程S40は、成膜工程など次の工程の直前に行われることが好ましい。これにより、次の工程が行われる直前まで固体膜14により金属膜12の表面が酸化することを抑制できる。
除去工程S40は、基板Wに極性溶媒を供給し、固体膜14を除去することを含む(図2(d)参照)。除去工程S40は、固体膜14に含まれるオキソ酸構造の少なくとも一部をエステル化することを含む。イオン液体がオキソ酸構造を含む場合、固体膜14に極性溶媒を供給することにより、固体膜14が含むオキソ酸構造の少なくとも一部が極性溶媒との縮合反応によりエステル化する。オキソ酸構造の少なくとも一部がエステル化すると、極性が変化して疎水性が高まるので、金属膜12との結合性が低くなり、固体膜14が金属膜12の表面から剥がれやすくなる。このように、イオン液体がオキソ酸構造を含む場合、液膜13を凝固させた固体膜14を保護膜として利用した後、除去工程S40において固体膜14に極性溶媒を供給するという簡単な方法で固体膜14を除去できる。また、固体膜14を液相に戻すことなく固相の状態で除去できるので、基板Wの表面にパーティクル等の異物が付着している場合に、付着物を固体膜14と同時に除去できる。極性溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒が挙げられる。
除去工程S40は、不活性ガス雰囲気で行われることが好ましい。これにより、固体膜14が除去されることで露出する金属膜12の酸化を抑制できる。不活性ガス雰囲気は、例えばアルゴン雰囲気であってよい。極性溶媒が真空雰囲気で蒸発しない溶媒である場合、除去工程S40は真空雰囲気で行ってもよい。また、基板Wに極性溶媒を供給する前にアッシングにより固体膜14を除去してもよい。
以上に説明したように、実施形態に係る基板処理方法によれば、基板Wの表面に、炭素数が6以上のオキソ酸構造を含むイオン液体を第1温度で供給し、金属膜12の表面に液膜13を形成する。次いで、基板Wを第1温度より低い第2温度に冷却し、液膜13を凝固させて固体膜14を形成する。これにより、酸化性ガスの遮断性が高くかつ除去しやすい保護膜を形成できる。
〔塗布装置〕
図3を参照し、塗布装置の一例である真空スリットコータ200について説明する。真空スリットコータ200は、実施形態に係る基板処理方法の液膜形成工程S20及び固体膜形成工程S30を実施可能である。
図3を参照し、塗布装置の一例である真空スリットコータ200について説明する。真空スリットコータ200は、実施形態に係る基板処理方法の液膜形成工程S20及び固体膜形成工程S30を実施可能である。
真空スリットコータ200は、チャンバ210と、液体供給部220と、液体循環部230と、加熱部240と、制御部290とを有する。
チャンバ210は、内部に基板Wを収納する密閉構造の処理空間211を形成する。チャンバ210内には、ステージ212が設けられる。ステージ212は、基板Wを略水平の状態で保持する。ステージ212は、駆動機構213により回転する回転軸214の上端に接続され、回転可能に構成される。ステージ212の下方の周囲には、上方側が開口する液受け部215が設けられる。液受け部215は、基板Wからこぼれ落ちたり、振り切られたりするイオン液体を受け止め、貯留する。チャンバ210の内部は、圧力制御弁及び真空ポンプ等を含む排気システム(図示せず)により排気される。
液体供給部220は、スリットノズル221を含む。スリットノズル221は、基板Wの上方を水平方向に移動することにより、液体循環部230からのイオン液体をステージ212に載置された基板Wの表面に供給する。
液体循環部230は、液受け部215に貯留されたイオン液体を回収してスリットノズル221に供給する。液体循環部230は、圧縮器231と、原液槽232と、キャリアガス供給源233と、洗浄部234と、pHセンサ235,236とを含む。
圧縮器231は、配管239aを介して液受け部215と接続され、液受け部215に貯留されたイオン液体を回収し、例えば大気圧以上に圧縮する。圧縮器231は、配管239bを介して原液槽232と接続され、配管239bを介して圧縮したイオン液体を原液槽232に輸送する。配管239aには、例えばバルブ、流量制御器(いずれも図示せず)が介設される。例えば、バルブの開閉を制御することにより、圧縮器231から原液槽232へのイオン液体の輸送を定期的に行う。
原液槽232は、イオン液体を貯留する。原液槽232には、配管239b~239dの一端が挿入される。配管239bの他端は圧縮器231に接続され、原液槽232には配管239bを介して圧縮器231で圧縮されたイオン液体が供給される。配管239cの他端はキャリアガス供給源233に接続され、原液槽232には配管239cを介してキャリアガス供給源233から窒素(N2)ガス等のキャリアガスが供給される。配管239dの他端はスリットノズル221に接続され、キャリアガスと共に原液槽232内のイオン液体が配管239dを介してスリットノズル221に輸送される。配管239b~239dには、例えばバルブ、流量制御器(いずれも図示せず)が介設される。
キャリアガス供給源233は、配管239cを介して原液槽232と接続され、配管239cを介して原液槽232にN2ガス等のキャリアガスを供給する。
洗浄部234は、配管239bに介設される。洗浄部234は、圧縮器231から輸送されたイオン液体を洗浄する。洗浄部234には排水管239eが接続され、特性が劣化したイオン液体は排水管239eを介して排出される。例えば、洗浄部234は、pHセンサ236の検出値に基づいて、イオン液体を再利用するか又は排出するかを制御する。また、例えば洗浄部234は、pHセンサ235の検出値に基づいて、イオン液体を再利用するか又は排出するかを制御してもよい。また、例えば洗浄部234は、pHセンサ235及びpHセンサ236の検出値に基づいて、イオン液体を再利用するか又は排出するかを制御してもよい。
pHセンサ235は、圧縮器231に設けられ、圧縮器231内のイオン液体の水素イオン指数(pH)を検出する。
pHセンサ236は、洗浄部234に設けられ、洗浄部234内のイオン液体の水素イオン指数(pH)を検出する。
加熱部240は、配管ヒータ241と、加熱ランプ242とを含む。配管ヒータ241は、配管239dに取り付けられる。配管ヒータ241は、配管239dを流れるイオン液体を第1温度に加熱する。これにより、液化した状態のイオン液体がステージ212上の基板Wに塗布される。加熱ランプ242は、ステージ212の上方に設けられる。加熱ランプ242は、基板Wの吸収波長領域の光、例えば赤外線光を照射することにより、ステージ212に載置される基板Wを所定温度に加熱する。所定温度は、例えば第1温度と同じ温度であってよい。加熱ランプ242は、複数設けられてもよい。
制御部290は、液膜形成工程S20及び固体膜形成工程S30を真空スリットコータ200に実行させるコンピュータ実行可能な指示を処理する。制御部290は、液膜形成工程S20及び固体膜形成工程S30を実行するように真空スリットコータ200の各要素を制御するように構成され得る。制御部290は、例えばコンピュータを含む。コンピュータは、例えばCPU、記憶部及び通信インタフェースを含む。
係る真空スリットコータ200において液膜形成工程S20及び固体膜形成工程S30を実施する場合の一例について説明する。
まず、図示しない搬入出口からチャンバ210の内部に基板Wを搬入し、ステージ212上に基板Wを載置する。次いで、加熱ランプ242により、ステージ212上の基板Wを所定温度に加熱する。次いで、駆動機構213によりステージ212を回転させながら、スリットノズル221によりステージ212上の基板Wの表面にイオン液体を塗布する。このとき、イオン液体を配管ヒータ241により第1温度に調整しながらスリットノズル221に供給する。これにより、液化した状態のイオン液体がステージ212上の基板Wに塗布されるので、イオン液体が基板Wの表面の全体に広がる。また、加熱ランプ242により基板Wが加熱されることにより、基板Wの表面においてイオン液体が液相状態を維持するので、基板Wの表面の全体にイオン液体が広がりやすい。このように、基板Wの表面の全体に液膜13を形成できる。次いで、加熱ランプ242による基板Wの加熱を停止する。これにより、基板Wが第2温度に冷却され、液膜13が凝固して固体膜14が形成される。
なお、前述した例では、イオン液体を循環させて再利用する場合を説明したが、これに限定されない。例えば、イオン液体を循環させなくてもよい。また、前述した例では、加熱ランプ242による加熱を停止することでステージ212上の基板Wを冷却する場合を説明したが、これに限定されない。例えば、ステージ212上の基板Wを冷却する冷却機構を設けてもよい。冷却機構は、空冷でもよく、水冷でもよい。
〔基板処理システム〕
図4を参照し、実施形態に係る基板処理方法を実施可能な基板処理システムの一例について説明する。図4に示されるように、基板処理システムPS1は、大気装置として構成される。
図4を参照し、実施形態に係る基板処理方法を実施可能な基板処理システムの一例について説明する。図4に示されるように、基板処理システムPS1は、大気装置として構成される。
基板処理システムPS1は、大気搬送モジュールTM1、プロセスモジュールPM11~PM14、バッファモジュールBM11,BM12及びローダモジュールLM1等を備える。
大気搬送モジュールTM1は、平面視において略四角形状を有する。大気搬送モジュールTM1は、対向する2つの側面にプロセスモジュールPM11~PM14が接続されている。大気搬送モジュールTM1の他の対向する2つの側面のうち、一方の側面にはバッファモジュールBM11,BM12が接続されている。大気搬送モジュールTM1は、不活性ガス雰囲気の搬送室を有し、内部に搬送ロボット(図示せず)が配置されている。搬送ロボットは、旋回、伸縮、昇降自在に構成されている。搬送ロボットは、後述する制御部CU1が出力する動作指示に基づいて基板Wを搬送する。例えば、搬送ロボットは、先端に配置されたフォークで基板Wを保持し、バッファモジュールBM11,BM12とプロセスモジュールPM11~PM14との間で基板Wを搬送する。なお、フォークは、ピック、エンドエフェクタとも称される。
プロセスモジュールPM11~PM14は、処理室を有し、内部に配置されたステージ(図示せず)を有する。大気搬送モジュールTM1とプロセスモジュールPM11~PM14とは、開閉自在なゲートバルブG11で仕切られている。
バッファモジュールBM11,BM12は、大気搬送モジュールTM1とローダモジュールLM1との間に配置されている。バッファモジュールBM11,BM12は、内部に配置されたステージを有する。基板Wは、バッファモジュールBM11,BM12を介して、大気搬送モジュールTM1とローダモジュールLM1との間で受け渡される。バッファモジュールBM11,BM12と大気搬送モジュールTM1とは、開閉自在なゲートバルブG12で仕切られている。バッファモジュールBM11,BM12とローダモジュールLM1とは、開閉自在なゲートバルブG13で仕切られている。
ローダモジュールLM1は、大気搬送モジュールTM1に対向して配置されている。ローダモジュールLM1は、例えばEFEM(Equipment Front End Module)である。ローダモジュールLM1は、直方体状であり、FFU(Fan Filter Unit)を備え、大気圧雰囲気に保持された大気搬送室である。ローダモジュールLM1の長手方向に沿った一の側面には、2つのバッファモジュールBM11,BM12が接続されている。ローダモジュールLM1の長手方向に沿った他の側面には、ロードポートLP11~LP14が接続されている。ロードポートLP11~LP14には、複数(例えば25枚)の基板Wを収容する容器(図示せず)が載置される。容器は、例えばFOUP(Front-Opening Unified Pod)である。ローダモジュールLM1内には、基板Wを搬送する搬送ロボット(図示せず)が配置されている。搬送ロボットは、ローダモジュールLM1の長手方向に沿って移動可能に構成されると共に、旋回、伸縮、昇降自在に構成されている。搬送ロボットは、制御部CU1が出力する動作指示に基づいて基板Wを搬送する。例えば、搬送ロボットは、先端に配置されたフォークで基板Wを保持し、ロードポートLP11~LP14とバッファモジュールBM11,BM12との間で基板Wを搬送する。
基板処理システムPS1には、制御部CU1が設けられている。制御部CU1は、例えばコンピュータであってよい。制御部CU1は、CPU(Central Processing Unit)、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、補助記憶装置等を備える。CPUは、ROM又は補助記憶装置に格納されたプログラムに基づいて動作し、基板処理システムPS1の各部を制御する。
図5を参照し、実施形態に係る基板処理方法を実施可能な基板処理システムの別の一例について説明する。図5に示されるように、基板処理システムPS2は、真空装置として構成される。
基板処理システムPS2は、真空搬送モジュールTM2、プロセスモジュールPM21~PM24、ロードロックモジュールLL21,LL22及びローダモジュールLM2等を備える。
真空搬送モジュールTM2は、平面視において略四角形状を有する。真空搬送モジュールTM2は、対向する2つの側面にプロセスモジュールPM21~PM24が接続されている。真空搬送モジュールTM2の他の対向する2つの側面のうち、一方の側面にはロードロックモジュールLL21,LL22が接続されている。真空搬送モジュールTM2は、真空雰囲気の真空室を有し、内部に搬送ロボット(図示せず)が配置されている。搬送ロボットは、旋回、伸縮、昇降自在に構成されている。搬送ロボットは、後述する制御部CU2が出力する動作指示に基づいて基板Wを搬送する。例えば、搬送ロボットは、先端に配置されたフォークで基板Wを保持し、ロードロックモジュールLL21,LL22とプロセスモジュールPM21~PM24との間で基板Wを搬送する。
プロセスモジュールPM21~PM24は、処理室を有し、内部に配置されたステージ(図示せず)を有する。プロセスモジュールPM21~PM24は、前述した真空スリットコータ200を含む。真空搬送モジュールTM2とプロセスモジュールPM21~PM24とは、開閉自在なゲートバルブG21で仕切られている。
ロードロックモジュールLL21,LL22は、真空搬送モジュールTM2とローダモジュールLM2との間に配置されている。ロードロックモジュールLL21,LL22は、内部を真空、大気圧に切り換え可能な内圧可変室を有する。ロードロックモジュールLL21,LL22は、内部に配置されたステージ(図示せず)を有する。ロードロックモジュールLL21,LL22は、基板WをローダモジュールLM2から真空搬送モジュールTM2へ搬入する際、内部を大気圧に維持してローダモジュールLM2から基板Wを受け取り、内部を減圧して真空搬送モジュールTM2へ基板Wを搬入する。ロードロックモジュールLL21,LL22は、基板Wを真空搬送モジュールTM2からローダモジュールLM2へ搬出する際、内部を真空に維持して真空搬送モジュールTM2から基板Wを受け取り、内部を大気圧まで昇圧してローダモジュールLM2へ基板Wを搬入する。ロードロックモジュールLL21,LL22と真空搬送モジュールTM2とは、開閉自在なゲートバルブG22で仕切られている。ロードロックモジュールLL21,LL22とローダモジュールLM2とは、開閉自在なゲートバルブG23で仕切られている。
ローダモジュールLM2は、真空搬送モジュールTM2に対向して配置されている。ローダモジュールLM2は、例えばEFEMである。ローダモジュールLM2は、直方体状であり、FFUを備え、大気圧雰囲気に保持された大気搬送室である。ローダモジュールLM2の長手方向に沿った一の側面には、2つのロードロックモジュールLL21,LL22が接続されている。ローダモジュールLM2の長手方向に沿った他の側面には、ロードポートLP21~LP24が接続されている。ロードポートLP21~LP24には、複数(例えば25枚)の基板Wを収容する容器(図示せず)が載置される。容器は、例えばFOUPである。ローダモジュールLM2内には、基板Wを搬送する搬送ロボット(図示せず)が配置されている。搬送ロボットは、ローダモジュールLM2の長手方向に沿って移動可能に構成されると共に、旋回、伸縮、昇降自在に構成されている。搬送ロボットは、制御部CU2が出力する動作指示に基づいて基板Wを搬送する。例えば、搬送ロボットは、先端に配置されたフォークで基板Wを保持し、ロードポートLP21~LP24とロードロックモジュールLL21,LL22との間で基板Wを搬送する。
基板処理システムPS2には、制御部CU2が設けられている。制御部CU2は、例えばコンピュータであってよい。制御部CU2は、CPU、RAM、ROM、補助記憶装置等を備える。CPUは、ROM又は補助記憶装置に格納されたプログラムに基づいて動作し、基板処理システムPS2の各部を制御する。
〔基板処理方法を含む半導体製造プロセス〕
図6~図15を参照し、実施形態に係る基板処理方法が適用可能な半導体製造プロセスの一例について説明する。
図6~図15を参照し、実施形態に係る基板処理方法が適用可能な半導体製造プロセスの一例について説明する。
まず、基板21の表面に無電解メッキにより銅膜22を形成する(図7参照)。銅膜の厚さは、例えば0.5μmである。次いで、銅膜22の上に、塗布によりレジスト膜23を形成する(図8参照)。
次に、レジスト膜23が形成された基板21を、ローダを介して大気装置内の露光装置に搬送し、露光装置においてフォトマスク24を用いてレジスト膜23の一部を露光する露光処理を行う(図9参照)。露光装置は、例えば基板処理システムPS1におけるプロセスモジュールPM11~PM14のいずれかであってよい。
次に、露光処理が行われた基板21を、ローダを介して大気装置内から搬出し、大気搬送機構によりローダを介して真空装置内に搬送する。次いで、真空装置内に搬送された基板21を、真空装置内の現像装置に搬送し、現像装置においてレジスト膜23を現像することにより銅膜22の一部を露出する開口を有するレジストパターン23pを形成する(図10参照)。現像装置は、例えば基板処理システムPS2におけるプロセスモジュールPM21~PM24のいずれかであってよい。
次に、基板21を現像装置からイオン液体塗布装置に搬送し、イオン液体塗布装置においてレジストパターン23pの上にイオン液体を塗布することにより、イオン液体の膜25を形成する(図11参照)。イオン液体の膜25を形成する際、前述した実施形態に係る基板処理方法の液膜形成工程S20及び固体膜形成工程S30を適用することが好ましい。この場合、イオン液体の膜25が酸化性ガスに対して高い遮断性を有する保護膜として機能し、酸化性ガスが銅膜22に到達することを抑制する。その結果、銅膜22の表面の腐食を抑制できる。イオン液体塗布装置は、例えば基板処理システムPS2におけるプロセスモジュールPM21~PM24のいずれかであってよい。なお、現像装置において、イオン液体の膜25を形成してもよい。
次に、イオン液体の膜25が形成された基板21を、ローダを介して真空装置内から搬出し、大気搬送機構によりローダを介して大気装置内に搬送する。次いで、大気装置内に搬送された基板21を、大気装置内の成膜装置に搬送し、成膜装置において基板21に対して成膜処理を行うことにより金属膜26を形成する(図12参照)。成膜処理は、例えばメッキ処理である。このとき、イオン液体は導電性を有しているので、イオン液体を利用した電解メッキを行うことができる。また、無電解メッキを行ってもよい。なお、成膜処理を行う前に成膜装置において基板21の表面に塗布されたイオン液体の膜25を洗い流し(置換洗浄)で除去してもよい。イオン液体の膜25を除去する際、前述した実施形態に係る基板処理方法の除去工程S40を適用することが好ましい。この場合、イオン液体の膜25を容易に除去できる。また、成膜処理がメッキ処理である場合、イオン液体の膜25を、成膜する金属を溶解させたイオン液体への置換(洗い流しによる置き換え)を行ってもよい。成膜装置は、例えば基板処理システムPS1におけるプロセスモジュールPM11~PM14のいずれかであってよい。
次に、基板21を成膜装置からイオン液体塗布装置に搬送し、イオン液体塗布装置において、金属膜26の上にイオン液体を塗布することにより、イオン液体の膜27を形成する(図13参照)。イオン液体の膜27を形成する際、前述した実施形態に係る基板処理方法の液膜形成工程S20及び固体膜形成工程S30を適用することが好ましい。この場合、イオン液体の膜27が酸化性ガスに対して高い遮断性を有する保護膜として機能し、酸化性ガスが金属膜26に到達することを抑制する。その結果、金属膜26の表面の腐食を抑制できる。イオン液体塗布装置は、例えば基板処理システムPS1におけるプロセスモジュールPM11~PM14のいずれかであってよい。なお、成膜装置においてイオン液体の膜27を形成してもよい。
次に、イオン液体の膜27が形成された基板21を、ローダを介して大気装置内から搬出し、大気搬送機構によりローダを介して真空装置内に搬送する。次いで、真空装置内に搬送された基板21を、真空装置内のイオン液体除去装置に搬送し、イオン液体除去装置においてイオン液体の膜27を除去する(図14参照)。イオン液体の膜27を除去する際、前述した実施形態に係る基板処理方法の除去工程S40を適用することが好ましい。この場合、イオン液体の膜27を容易に除去できる。イオン液体除去装置は、例えば基板処理システムPS2におけるプロセスモジュールPM21~PM24のいずれかであってよい。
次に、基板21をイオン液体除去装置からレジスト除去装置に搬送し、レジスト除去装置において、アッシング等によりレジストパターン23pを除去する(図15参照)。レジスト除去装置は、例えば基板処理システムPS2におけるプロセスモジュールPM21~PM24のいずれかであってよい。なお、イオン液体除去装置においてレジストパターン23pを除去してもよい。
なお、大気装置のローダは、例えば基板処理システムPS1におけるロードポートLP11~LP14のいずれかであってよい。真空装置のローダは、例えば基板処理システムPS2におけるロードポートLP21~LP24のいずれかであってよい。
〔評価結果〕
図16~図19を参照し、イオン液体の一例であるTHTDP-DcOの固体膜及び液膜の酸化性ガスの遮断性を評価した。
図16~図19を参照し、イオン液体の一例であるTHTDP-DcOの固体膜及び液膜の酸化性ガスの遮断性を評価した。
まず、図16を参照し、THTDP-DcOの固体膜の酸化性ガスの遮断性を評価するサンプル(以下「固体膜評価用サンプル」という。)の作製方法について説明する。図16は、固体膜評価用サンプルの作製方法を示す断面図である。
図16(a)に示されるように、シリコン基板31上に、スパッタリング法により銅膜32を形成した。次いで、図16(b)に示されるように、銅膜32の表面にTHTDP-DcOを80℃で供給し、銅膜32の表面に液膜33を形成した。次いで、図16(c)に示されるように、シリコン基板31を25℃に冷却し、液膜33を凝固させて固体膜34を形成した。次いで、シリコン基板31を酸素濃度が約20%のドライエア雰囲気に24時間放置した。シリコン基板31がドライエア雰囲気に放置された状態では、固体膜34による酸化性ガスの遮断性が高いほど、固体膜34で保護された銅膜32の表面の酸化度合いが小さくなる。次いで、図16(d)に示されるように、シリコン基板31にアルコール系溶媒を供給し、固体膜34を除去した。次いで、図16(e)に示されるように、銅膜32上に、スパッタリング法により銅膜35を約13nmの厚さで形成した。銅膜35は、固体膜34を除去することで露出する銅膜32の表面が、後述する評価の前に酸化するのを防ぐための保護膜として機能する。以上の方法により、固体膜評価用サンプルを作製した。なお、銅膜32の形成、液膜33の形成、固体膜34の形成、固体膜34の除去及び銅膜35の形成は、露点が-59℃、酸素濃度が25ppmのアルゴン雰囲気で行った。
次に、図17を参照し、THTDP-DcOの液膜の酸化性ガスの遮断性を評価するサンプル(以下「液膜評価用サンプル」という。)の作製方法について説明する。図17は、液膜評価用サンプルの作製方法を示す断面図である。
図17(a)に示されるように、シリコン基板31上に、スパッタリング法により銅膜32を形成した。次いで、図17(b)に示されるように、銅膜32の表面にTHTDP-DcOを80℃で供給し、銅膜32の表面に液膜33を形成した。次いで、液膜33を凝固させないように液膜33を80℃に保持した状態で、シリコン基板31を酸素濃度が約20%のドライエア雰囲気に24時間放置した。シリコン基板31がドライエア雰囲気に放置された状態では、液膜33による酸化性ガスの遮断性が高いほど、液膜33で保護された銅膜32の表面の酸化度合いが小さくなる。次いで、図17(c)に示されるように、シリコン基板31にアルコール系溶媒を供給し、液膜33を除去した。次いで、図17(d)に示されるように、銅膜32上に、スパッタリング法により銅膜35を約22nmの厚さで形成した。銅膜35は、液膜33を除去することで露出する銅膜32の表面が、後述する評価の前に酸化するのを防ぐための保護膜として機能する。以上の方法により、液膜評価用サンプルを作製した。なお、銅膜32の形成、液膜33の形成、液膜33の除去及び銅膜35の形成は、露点が-59℃、酸素濃度が25ppmのアルゴン雰囲気で行った。
次に、X線光電子分光(XPS:X-ray Photoelectron Spectroscopy)により、固体膜評価用サンプル及び液膜評価用サンプルの深さ方向における酸素原子(O)及び銅原子(Cu)の原子濃度を測定した。原子濃度の測定は、固体膜評価用サンプル及び液膜評価用サンプルを作製する際に、それぞれ固体膜34及び液膜33により保護された銅膜32の領域に対して行った。
図18は、固体膜34で保護された銅膜32表面の酸化状態を示す図であり、固体膜評価用サンプルの深さ方向の酸素原子及び銅原子の原子濃度を示す。図19は、液膜33で保護された銅膜32表面の酸化状態を示す図であり、液膜評価用サンプルの深さ方向の酸素原子及び銅原子の原子濃度を示す。図18及び図19において、横軸は銅膜35表面からの深さ[nm]を示し、縦軸は酸素原子及び銅原子の原子濃度[at%]を示す。図18及び図19において、実線は酸素原子の原子濃度を示し、破線は銅原子の原子濃度を示す。
図18及び図19に示されるように、固体膜評価用サンプルの銅膜32表面における酸素濃度は、液膜評価用サンプルの銅膜32表面における酸素濃度よりも大きく低下していることが分かる。この結果から、THTDP-DcOは固相で利用することにより酸化性ガスの遮断性が大幅に向上することが示された。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
上記の実施形態では、対象膜の一例である金属膜の表面に保護膜を形成する場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、対象膜は半導体製造工程間での意図しない表面変質を抑制したい各種の膜であってよい。各種の膜としては、例えばポリシリコン膜等の導電性膜、半導体素子基板上の拡散層(p型拡散層、n型拡散層)等、酸化性ガスによる表面酸化を嫌う膜が挙げられる。導電性膜、拡散層等の表面に保護膜を形成することで、導電性膜、拡散層等の表面酸化を抑制できる。各種の膜は、絶縁膜であってもよい。絶縁膜としては、例えばSiOC膜、窒化ホウ素(BN)膜等のLow-k膜が挙げられる。Low-k膜は、表面が酸化するとk値が劣化する場合がある。Low-k膜の表面に保護膜を形成することで、k値の劣化を抑制できる。Low-k膜は、例えば層間絶縁膜として用いられる。
12 金属膜
13 液膜
14 固体膜
W 基板
S10 準備工程
S20 液膜形成工程
S30 固体膜形成工程
S40 除去工程
13 液膜
14 固体膜
W 基板
S10 準備工程
S20 液膜形成工程
S30 固体膜形成工程
S40 除去工程
Claims (10)
- 表面に対象膜が露出した基板を準備する工程と、
前記基板の表面に、炭素数が6以上のオキソ酸構造を含むイオン液体を第1温度で供給し、前記対象膜の表面に液膜を形成する工程と、
前記基板を前記第1温度より低い第2温度に冷却し、前記液膜を凝固させて固体膜を形成する工程と、
前記基板に極性溶媒を供給し、前記固体膜を除去する工程と、
を有する、
基板処理方法。 - 前記第2温度は、前記イオン液体の凝固点以下の温度である、
請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記固体膜を除去する工程は、前記固体膜に含まれるオキソ酸構造の少なくとも一部をエステル化することを含む、
請求項1又は2に記載の基板処理方法。 - 前記オキソ酸構造は、カルボン酸アニオンを含む、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記カルボン酸アニオンは、デカン酸アニオンである、
請求項4に記載の基板処理方法。 - 前記イオン液体は、トリヘキシルテトラデシルホスホニウムデカノエートである、
請求項1乃至5のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記第1温度は、50℃以上200℃以下であり、
前記第2温度は、20℃以上30℃以下である、
請求項6に記載の基板処理方法。 - 前記極性溶媒は、アルコール系溶媒である、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記固体膜を形成する工程と前記固体膜を除去する工程との間に、前記基板を大気に曝す工程を有する、
請求項1乃至8のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 基板に第1処理を施す第1処理装置と、
前記基板に第2処理を施す第2処理装置と、
前記基板に第3処理を施す第3処理装置と、
前記第1処理装置と前記第2処理装置との間で、酸素を含む雰囲気に曝すことなく前記基板を搬送する搬送装置と、
を備え、
前記第1処理は、前記基板の表面に対象膜を形成する処理を含み、
前記第2処理は、前記基板の表面に、炭素数が6以上のオキソ酸構造を含むイオン液体を第1温度で供給し、前記対象膜の表面に液膜を形成する処理と、前記基板を前記第1温度より低い第2温度に冷却し、前記液膜を凝固させて固体膜を形成する処理とを含み、
前記第3処理は、前記基板に極性溶媒を供給し、前記固体膜を除去する処理を含む、
基板処理システム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022036544A JP2023131657A (ja) | 2022-03-09 | 2022-03-09 | 基板処理方法及び基板処理システム |
PCT/JP2023/006871 WO2023171428A1 (ja) | 2022-03-09 | 2023-02-24 | 基板処理方法及び基板処理システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022036544A JP2023131657A (ja) | 2022-03-09 | 2022-03-09 | 基板処理方法及び基板処理システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023131657A true JP2023131657A (ja) | 2023-09-22 |
Family
ID=87935140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022036544A Pending JP2023131657A (ja) | 2022-03-09 | 2022-03-09 | 基板処理方法及び基板処理システム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023131657A (ja) |
WO (1) | WO2023171428A1 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010025656A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Jeol Ltd | イオン液体を用いた試料の処理方法及び処理システム |
US8420529B2 (en) * | 2008-09-19 | 2013-04-16 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Copper wiring surface protective liquid and method for manufacturing semiconductor circuit |
JP5442417B2 (ja) * | 2009-12-14 | 2014-03-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置及び試料観察方法 |
EP2876675B1 (en) * | 2012-07-17 | 2021-02-17 | Mitsui Chemicals, Inc. | Method for manufacturing semiconductor device |
TW202208075A (zh) * | 2020-04-28 | 2022-03-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 半導體裝置之製造方法、半導體製造裝置及系統 |
-
2022
- 2022-03-09 JP JP2022036544A patent/JP2023131657A/ja active Pending
-
2023
- 2023-02-24 WO PCT/JP2023/006871 patent/WO2023171428A1/ja unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2023171428A1 (ja) | 2023-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI383451B (zh) | A manufacturing method of a semiconductor device, and a manufacturing apparatus for a semiconductor device | |
JP5452894B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 | |
KR100810163B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 시스템 및 기록 매체 | |
US7341633B2 (en) | Apparatus for electroless deposition | |
US7256111B2 (en) | Pretreatment for electroless deposition | |
TWI431693B (zh) | A semiconductor manufacturing apparatus, a manufacturing method of a semiconductor device, and a memory medium | |
US20040175944A1 (en) | Method and apparatus for surface treatment | |
JP6315694B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、ならびに皮膜の形成方法および形成装置 | |
JP4800235B2 (ja) | 処理方法 | |
KR20190111100A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
EP1630858A1 (en) | Substrate processing system and method for manufacturing semiconductor device | |
JP2004363596A (ja) | インサイチュー金属膜形成方法及びそれに使用される化学気相蒸着装置 | |
WO2023171428A1 (ja) | 基板処理方法及び基板処理システム | |
US20090286399A1 (en) | Substrate Processing Method and Storage Medium | |
JP2010525164A5 (ja) | ||
JP2010525164A (ja) | ウエハ無電解めっきシステムおよびその関連方法 | |
JP2009188411A (ja) | シリル化処理方法、シリル化処理装置およびエッチング処理システム | |
WO2003001579A1 (fr) | Dispositif et procede de traitement de substrat | |
JP5232514B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR101956879B1 (ko) | 기판 핸들러 진공 챔버에서의 산화물 성장을 억제하기 위한 시스템 및 방법 | |
KR20140135709A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기억 매체 및 반도체 장치 | |
US20090023297A1 (en) | Method and apparatus for hmds treatment of substrate edges | |
KR20200086637A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP2004214388A (ja) | 基板処理方法 | |
JP2005072589A (ja) | 紫外線により雰囲気内でシード層を補修するためのシステム |