JP2023114211A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】信号の伝送品質が優れた配線基板が提供。【解決手段】実施形態の配線基板１は、交互に積層される複数の絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ及び導体層１２ａ、１２ｂ、１２ｃを備え、平面方向において互いに離間して配置される複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃと、複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ間の間隙を充填し、複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃを結合する封止層１００と、を有している。複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃのうち少なくとも２つの副基板は、互いに異なる厚さの導体層を有している。【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板に関する。

特許文献１に開示されている半導体パッケージは複数の接続構造を有している。複数の接続構造は、互いの間隙がパッシベーション層で充填されることによって一体の半導体パッケージを構成している。接続構造は交互に積層される絶縁層及びで再分配層（導体層）を含んでおり、複数の接続構造それぞれが有する絶縁層及び再分配層は、略等しい厚さを有している。

米国特許出願公開第２０２０／０１８５３５７号明細書

特許文献１に開示されている半導体パッケージに含まれる複数の接続構造それぞれに含まれる導体層（再分配層）の厚さは略等しい。半導体パッケージ内において導体厚が略均一であることから、同一の半導体パッケージ内に、異なる特性を有する配線が形成され難い場合があると考えられる。

本発明の配線基板は、交互に積層される複数の絶縁層及び導体層を備え、平面方向において互いに離間して配置される複数の副基板と、前記複数の副基板間の間隙を充填し、前記複数の副基板を結合する封止層と、を有している。前記複数の副基板のうち少なくとも２つの副基板は、互いに異なる厚さの前記導体層を有している。

本発明の実施形態によれば、配線基板は、異なる導体厚を有する複数の副基板を含む。同一の配線基板内に、伝送される信号に見合った特性を有する複数の配線パターンが設けられ得る。信号の伝送品質が優れた配線基板が提供され得る。

本発明の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 本発明の実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。なお、以下、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、本発明の特徴が理解され易いように描かれている。図１には、一実施形態の配線基板が有し得る構造の一例として、配線基板１の断面図が示されている。

図１に示されるように、配線基板１は、厚さ方向に対して直行する方向に延在する２つの表面である、Ｆ面ＦＳ、及び、Ｆ面ＦＳと反対側のＢ面ＢＳを有している。配線基板１は、複数の積層体１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃを有している。積層体１０Ａは複数の導体層１２ａ及び絶縁層１１ａを有している。積層体１０Ｂは複数の導体層１２ｂ及び絶縁層１１ｂを有している。積層体１０Ｃは複数の導体層１２ｃ及び絶縁層１１ｃを有している。複数の積層体１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、それぞれビルドアップ配線板における所謂ビルドアップ部と同様の積層構造を有している。

複数の積層体１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、互いに結合されることで一体的に配線基板１を構成している。複数の積層体１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃとも称される。なお、副基板１０Ａは第１副基板１０Ａとも称され、副基板１０Ｂは第２副基板１０Ｂとも称され、副基板１０Ｃは第３副基板１０Ｃとも称される。

複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは平面方向において互いに離間して配置されている。なお「平面方向」とは、絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ及び導体層１２ａ、１２ｂ、１２ｃが延在している、図示における左右の方向を意味しており、すなわち、配線基板１の厚さ方向に対して略直交する方向を意味している。複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ間の間隙は封止層１００によって充填されている。封止層１００は、複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ同士を結合させており、これにより複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは一体化されている。

複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、それぞれ、平面方向に延在する２つの表面として第１面１０ＡＦ、１０ＢＦ、１０ＣＦ、及び、第１面１０ＡＦ、１０ＢＦ、１０ＣＦと反対側の第２面１０ＡＳ、１０ＢＳ、１０ＣＳ、を有している。複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃの第１面１０ＡＦ、１０ＢＦ、１０ＣＦを構成する導体層１２ａ、１２ｂ、１２ｃは、その導体パターンとして、導体パッド１２ａｐ、１２ｂｐ、１２ｃｐを含んでいる。複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃの第２面１０ＡＳ、１０ＢＳ、１０ＣＳを構成する導体層１２ａ、１２ｂ、１２ｃは、その導体パターンとして、導体パッド１２ａｃ、１２ｂｃ、１２ｃｃを含んでいる。

図示の例では、封止層１００は、複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ間の間隙を充填すると共に、複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃの上面（第１面）１０ＡＦ、１０ＢＦ、１０ＣＦをも被覆している。第１面１０ＡＦ、１０ＢＦ、１０ＣＦを被覆する封止層１００には、導体パッド１２ａｐ、１２ｂｐ、１２ｃｐの位置に対応する開口１００ａ、１００ｂ、１００ｃが形成されている。開口１００ａ、１００ｂ、１００ｃの底部には、導体パッド１２ａｐ、１２ｂｐ、１２ｃｐの上面が露出している。

配線基板１のＦ面ＦＳは、封止層１００の表面（上面）、封止層１００に形成される開口１００ａ、１００ｂ、１００ｃの内面、及び、開口１００ａ、１００ｂ、１００ｃから露出する導体パッド１２ａｐ、１２ｂｐ、１２ｃｐの表面（上面）から構成されている。Ｆ面ＦＳは、外部の電子部品ＥＤａ、ＥＤｂ、ＥＤｃ１、ＥＤｃ２が搭載され得る部品搭載面であり、導体パッド１２ａｐ、１２ｂｐ、１２ｃｐは、適切な導電性を有する接続部材（例えば、はんだ）を介してＥＤａ、ＥＤｂ、ＥＤｃ１、ＥＤｃ２の接続パッドに接続され得る部品接続パッドとして機能する。

図示の例では、Ｂ面ＢＳは、封止層１００の表面（下面）、及び、副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃの表面（第２面）１０ＡＳ、１０ＢＳ、１０ＣＳによって構成されている。Ｂ面ＢＳには、各副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃが有する導体パッド１２ａｃ、１２ｂｃ、１２ｃｃが露出している。配線基板１のＢ面ＢＳは、外部の配線基板（例えば、任意の電気機器のマザーボード）などの外部要素に配線基板１自体が実装される場合に、外部要素に接続される接続面であり得る。導体パッド１２ａｃ、１２ｂｃ、１２ｃｃは任意の基板、電気部品、又は機構部品などと接続され得る。

なお、本実施形態の配線基板の説明においては、配線基板１の各構成要素における導体パッド１２ａｃ、１２ｂｃ、１２ｃｃが露出するＢ面ＢＳに近い側を「下」、「下方」、又は「下側」と称し、Ｂ面ＢＳから遠い側、すなわちＢ面ＢＳを基準としてＦ面ＦＳ側を「上」、「上方」、又は「上側」と称する。従って、配線基板１を構成する各要素の説明において、配線基板１の厚さ方向におけるＢ面ＢＳの外側を向く表面は「下面」とも称され、Ｆ面ＦＳの外側を向く面は「上面」とも称される。

配線基板１を構成する複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、それぞれ部品搭載領域ＥＤＡａ、ＥＤＡｂ、ＥＤＡｃを有している。第１副基板１０Ａの部品搭載領域ＥＤＡａを構成する部品接続パッド１２ａｐは、外部の電子部品ＥＤａと接続される。第２副基板１０Ｂの部品搭載領域ＥＤＡｂを構成する部品接続パッド１２ｂｐは、外部の電子部品ＥＤｂと接続される。第３副基板１０Ｃの部品搭載領域ＥＤＡｃを構成する部品接続パッド１２ｃｐは、外部の電子部品ＥＤｃ１、ＥＤｃ２と接続される。すなわち、副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃそれぞれが有する部品接続パッド１２ａｐ、１２ｂｐ、１２ｃｐは、副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃごとに個別の部品搭載領域ＥＤＡａ、ＥＤＡｂ、ＥＤＡｃを有している。

配線基板１に搭載され得る電子部品ＥＤａ、ＥＤｂ、ＥＤｃ１、ＥＤｃ２としては、例えば、半導体集積回路装置やトランジスタなどの能動部品のような電子部品が例示される。図示において、第１副基板１０Ａに搭載され得る電子部品ＥＤａは、例えば、ＨＢＭ（Ｈｉｇｈ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄａｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などのメモリ素子などであり得る。また、第２副基板１０Ｂに搭載され得る電子部品ＥＤｂは、例えば、高速通信用の集積回路などの通信用部品であり得る。また、第３副基板１０ｃに搭載され得る電子部品ＥＤｃ１、ＥＤｃ２は、例えば、論理回路を組み込んだロジックチップなどの集積回路、又は、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ Ｕｎｉｔ）などのプロセッサであり得る。

副基板１０Ａは複数の絶縁層１１ａ及び導体層１２ａが交互に積層されることで形成され、一層の絶縁層１１ａの厚さ方向の両側に形成される２つの導体層１２ａは、ビア導体１３ａを介して接続されている。副基板１０Ｂは複数の絶縁層１１ｂ及び導体層１２ｂが交互に積層されることで形成され、一層の絶縁層１１ｂの厚さ方向の両側に形成される２つの導体層１２ｂは、ビア導体１３ｂを介して接続されている。副基板１０Ｃは複数の絶縁層１１ｃ及び導体層１２ｃが交互に積層されることで形成され、一層の絶縁層１１ｃの厚さ方向の両側に形成される２つの導体層１２ｃは、ビア導体１３ｃを介して接続されている。

複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、それぞれ略等しい厚さを有している。図示の例では、第１副基板１０Ａ、及び第２副基板１０Ｂは、それぞれ、５層の絶縁層１１ａ、１１ｂ及び、６層の導体層１２ａ、１２ｂによって構成され、第３副基板１０Ｃは、６層の絶縁層１１ｃ及び７層の導体層１２ｃによって構成されている。すなわち、実施形態の配線基板においては、複数の副基板それぞれを構成する絶縁層及び導体層の厚さは異なり得る。特に、導体層に関して、複数の副基板のうち、少なくとも２つの副基板において導体層が有する厚さ（導体厚）が異なっている。これにより、複数の副基板のそれぞれに搭載され得る電子部品に応じた特性の回路が、副基板ごとに形成されることが可能となり得る。

図１に示される例の配線基板１においては、副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃのすべてにおける導体層１２ａ、１２ｂ、１２ｃの厚さがそれぞれ異なっている。具体的には、第１、第２、及び第３副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、のそれぞれが有する導体層１２ａ、１２ｂ、１２ｃが有する厚さの最小値は、それぞれ異なっている。

さらに具体的には、メモリ素子が搭載され得る第１副基板１０Ａの導体層１２ａは電源用の配線パターンを含んでおり比較的厚さが大きく、導体厚の最小値は例えば、２０μｍ以上、かつ、２５μｍ未満の値を有している。高速通信用の集積回路が搭載され得る第２副基板１０Ｂの導体層１２ｂは高速通信用の導体パターンを含んでおり、導体厚の最小値は第１副基板１０Ａの導体層１２ａが有する導体厚の最小値よりも小さく、導体厚の最小値は例えば、１５μｍ以上、かつ、２０μｍ未満の値を有している。プロセッサが搭載され得る第３副基板１０Ｃの導体層１２ｃは比較的微細な導体パターンを有しており、導体厚の最小値は第２副基板１０Ｂの導体層１２ｂが有する導体厚の最小値よりも小さく、最小値は例えば、５μｍ以上、かつ、１５μｍ未満の値を有している。

第３副基板１０Ｃに含まれる導体層１２ｃは、複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃが有する導体層１２ａ、１２ｂ、１２ｃのうち、最も小さい導体厚を有しており、また、最も微細な配線パターンを含み得る。例えば、第３副基板１０Ｃにおいては、導体層１２ｃが有する配線パターンのライン幅の最小値が１０μｍ以下であり、ライン間距離の最小値は１０μｍ以下である。図示の例においては、第１副基板１０Ａ及び第２副基板１０Ｂにおける、導体層１２ａ、１２ｂが有する配線パターンのライン幅の最小値は１５μｍ以上であり、ライン間距離の最小値は１５μｍ以上である。すなわち、第３副基板１０Ｃは、導体層１２ｃが有する配線パターンとして、配線基板１内における最も微細な配線パターンを有し得る。

すなわち、図示される複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃのうち、第２副基板１０Ｂが有する導体厚の最小値は第１副基板１０Ａが有する導体厚の最小値よりも小さく、第３副基板１０Ｃが有する導体厚の最小値は第２副基板１０Ｂが有する導体厚の最小値よりも小さい。これにより、第１、第２、及び第３副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃのそれぞれにおいて、搭載され得る電子部品ＥＤａ、ＥＤｂ、ＥＤｃ１、ＥＤｃ２に適した特性を有する配線パターンが形成される場合がある。第１、第２、及び第３副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃのそれぞれの導体層における信号伝送特性が向上し得る。

図示される例では、複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃのうち、第１副基板１０Ａは第３副基板１０Ｃの平面方向における一方の側に隣接している。第２副基板１０Ｂは、第３副基板１０Ｃの平面方向における第１副基板１０Ａとは反対側に隣接している。すなわち、電源パターンを含み得る導体層１２ａを有する第１副基板１０Ａと、高速通信用の回路パターンを含み得る第２副基板１０Ｂとの間には、第３副基板１０Ｃが介在している。

図示されるように、複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃのそれぞれは、平面方向に延在する２つの表面（第１面１０ＡＦ、１０ＢＦ、１０ＣＦ、及び、第２面１０ＡＳ、１０ＢＳ、１０ＣＳ）のうち、少なくとも一方の面に凹部を有している。複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃのそれぞれが有する凹部１０Ａｒ、１０Ｂｒ、１０Ｃｒ１、１０Ｃｒ２には、隣接する副基板の一部が嵌入している。

具体的には、第１副基板１０Ａは、その第１面１０ＡＦに凹部１０Ａｒを有し、凹部１０Ａｒ内には第３副基板１０Ｃの一部が入り込んでいる。第２副基板１０Ｂは、その第１面１０ＢＦに凹部１０Ｂｒを有し、凹部１０Ｂｒには第３副基板１０Ｃの一部が入り込んでいる。第３副基板１０Ｃは、その第２面１０ＣＳに凹部１０Ｃｒ１、１０Ｃｒ２を有しており、凹部１０Ｃｒ１には第１副基板１０Ａの一部が入り込み、凹部１０Ｃｒ２には第２副基板１０Ｂの一部が入り込んでいる。

複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃの配置において、このような構成を有することにより、配線基板１における望ましくない変形が抑制される場合がある。具体的には、例えば、配線基板１の任意の副基板に対してその厚さ方向に沿ってかかる外力が、特に、隣接する副基板の凹部の内面を介して隣接する副基板へと効果的に応力分散され得る。複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ間で効果的に応力が分散されることにより、配線基板１における、例えば反りなどの望ましくない変形の発生が抑制される場合がある。

副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃのそれぞれを構成する絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃは、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成され得る。各絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃは、ガラス繊維などの補強材（芯材）及び／又はシリカ、アルミナなどの無機フィラーを含んでいてもよい。

また、絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃは、熱可塑性樹脂を含む場合もあり得る。特に、高速通信用の配線パターンを含み比較的高周波の信号を伝送し得る第２副基板１０Ｂを構成する絶縁層１１ｂは、比誘電率及び誘電正接が比較的低い熱可塑性樹脂を含んでいることが好ましい。具体的には、熱可塑性樹脂のなかでも比較的、誘電率及び誘電正接の低い、フッ素樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、ポリエステル樹脂（ＰＥ）、変性ポリイミド樹脂（ＭＰＩ）のうちのいずれかを含んでもよい。導体層１２ｂを介して搬送される高周波信号の誘電損失が比較的小さく抑えられ得る。

複数の副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ間の間隙を充填する封止層１００は、例えば、感光性のエポキシ樹脂を含み得る。また、封止層１００は、絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ同様に、フッ素樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、ポリエステル樹脂（ＰＥ）、変性ポリイミド樹脂（ＭＰＩ）などの熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。

各副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃに含まれる導体層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ及びビア導体１３ａ、１３ｂ、１３ｃは、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され、例えば、銅箔などの金属箔、及び／又は、めっき若しくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって構成され得る。導体層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ及びビア導体１３ａ、１３ｂ、１３ｃは、図１では単層構造で示されているが、２つ以上の金属層を有する多層構造を有し得る。導体層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ及びビア導体１３ａ、１３ｂ、１３ｃは、例えば、金属箔又は無電解めっき膜と電解めっき膜とを含む２層構造を有し得る。

図２には、実施形態の配線基板の他の例として配線基板２が示されている。配線基板２は、図１を参照して上述された配線基板１と比較して、第３副基板１０Ｃに形成される凹部１０Ｃｒ２及び第２副基板１０Ｂに形成される凹部１０Ｂｒの位置が、配線基板の厚さ方向において反対側に形成される点を除き、同じ構造を有している。

具体的には、図１を参照して説明された配線基板１においては、第３副基板１０Ｃの凹部１０Ｃｒ１、１０Ｃｒ２は、第２面１０ＣＳのみに形成され、第２副基板１０Ｂの凹部１０Ｂｒは第１面１０ＢＦに形成されている。これに対して、配線基板２においては、第３副基板１０Ｃの凹部１０Ｃｒ１は第２面１０ＣＳに形成され、凹部１０Ｃｒ２は第１面１０ＣＦに形成されている。また、第２副基板１０Ｂの凹部１０Ｂｒは第２面１０ＢＳに形成されている。

すなわち、第３副基板１０Ｃにおいては、その第１面１０ＣＦ及び第２面１０ＣＳの双方に凹部１０Ｃｒ１、１０Ｃｒ２が形成されており、凹部１０Ｃｒ１、１０Ｃｒ２のそれぞれには、隣接する副基板１０Ａ、１０Ｂの一部が嵌入している。このような構成によって、特に、第３副基板１０Ｃに対して、その厚さ方向に沿ってかかり得る外力は、さらに効果的に、隣接する副基板１０Ｂ、１０Ａへと分散される場合がある。具体的には、上側（第１面１０ＣＦ側）から第３副基板１０Ｃに係る外力は第１副基板１０Ａが入り込む凹部１０Ｃｒ１を介して第１副基板１０Ａへと分散され、下側（第２面１０ＣＳ側）から第３副基板１０Ｃに係り得る外力は、凹部１０Ｃｒ２を介して第２副基板１０Ｂへと効果的に分散される場合がある。配線基板１の望ましくない反りなどの変形が効果的に抑制される場合がある。

続いて、図３Ａ～図３Ｅを参照して、図１に示される配線基板１が製造される場合を例に、配線基板の製造方法が説明される。先ず、図３Ａに示されるように、支持板ＳＢが用意される。支持板ＳＢの厚さ方向における一方の表面には接着層ＢＬが設けられる。支持板ＳＢには、例えば、ガラス繊維などの芯材にエポキシ樹脂などの樹脂材料を含浸してなるプリプレグ、銅などを含む金属板、又はセラミックスやガラスなどの板状体が用いられ得る。

図３Ｃを参照して後述されるように、接着層ＢＬの支持板ＳＢと反対側には、副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃの第２面１０ＡＳ、１０ＢＳ、１０ＣＳ、及び封止層１００が密着する。接着層ＢＬは、支持板ＳＢとの間に、これら副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃの第２面１０ＡＳ、１０ＢＳ、１０ＣＳ、及び封止層１００との間との接着力よりも強い接着力を発現し得る材料が好ましく用いられる。接着層ＢＬを構成する材料は、副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃの第２面１０ＡＳ、１０ＢＳ、１０ＣＳ及び封止層１００との間との接着性を加熱などの任意の処理によって喪失するものであってもよい。例えば、アクリル系樹脂接着剤が接着層ＢＬの材料として含まれ得る。

次いで、図３Ｂに示されるように、支持板ＳＢ上に接着層ＢＬを介して副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃが配置される。副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、その導体パッド１２ａｃ、１２ｂｃ、１２ｃｃを有する第２面１０ＡＳ、１０ＢＳ、１０ＣＳを支持板ＳＢに向けて配置される。副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、第１副基板１０Ａに第３副基板１０Ｃが隣接し、第３副基板１０Ｃの第１副基板１０Ａと反対側に第２副基板１０Ｂが隣接しし、互いの間に間隙を有するように配置される。

例えば、先ず、第１副基板１０Ａ及び第２副基板１０Ｂ接着層ＢＬ上の所望の位置に配置される。次いで、第１副基板１０Ａの第１面１０ＡＦに形成されている凹部１０Ａｒ内に第３副基板１０Ｃの第１副基板１０Ａ側の一部が入り込み、第２副基板１０Ｂの第１面１０ＢＦに形成されている凹部１０Ｂｒ内に第３副基板１０Ｃの第２副基板１０Ｂ側の一部が入り込むように、第３副基板１０Ｃが接着層ＢＬ上に配置される。

第１、第２、及び第３副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、例えば、一般的なビルドアップ配線板の製造方法により、それぞれ別個に形成され得る。第１、第２、及び第３副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、例えば、ベース板上への導体パッド１２ａｃ、１２ｂｃ、１２ｃｃを含む導体層１２ａ、１２ｂ、１２ｃの形成、及び、その上側への絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ及び、導体層１２ａ、１２ｂ、１２ｃの積層によって形成され得る。積層の完了後、副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃはベース板から取り外され、副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃのそれぞれに、凹部１０Ａｒ、１０Ｂｒ、１０Ｃｒ１、１０Ｃｒ２が形成される。例えば、ルーター加工により、副基板の一部を切削することに因り、凹部１０Ａｒ、１０Ｂｒ、１０Ｃｒ１、１０Ｃｒ２が形成され得る。

次いで、図３Ｃに示されるように、封止層１００が形成される。例えば、支持板ＳＢ上の、副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃが配置されている領域を含む所望の空間を囲う枠体（図示せず）が形成され、この枠体の内側に封止層１００を構成する樹脂材料（例えば、エポキシ樹脂）が流動性を有する状態で注入される。注入された樹脂材料は、副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃそれぞれの間の間隙を充填し、第１面１０ＡＦ、１０ＢＦ、１０ＣＦを完全に被覆する。注入された樹脂材料の硬化後に枠体は取り外され、図３Ｂに示される状態となる。封止層１００によって、第１、第２、及び第３副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃそれぞれの間の間隙が充填され、副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは一体的に結合される。硬化した封止層１００の上面は、必要に応じて、化学機械研磨などの任意の方法で研磨され得る。

次いで、図３Ｄに示されるように、封止層１００に開口１００ａ、１００ｂ、１００ｃが形成される。開口１００ａ、１００ｂ、１００ｃは、例えば、フォトリソグラフィによって形成され得る。副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃが有する部品接続パッド１２ａｐ、１２ｂｐ、１２ｃｐに対応した開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像によって、底部に部品接続パッド１２ａｐ、１２ｂｐ、１２ｃｐの上面を露出する開口１００ａ、１００ｂ、１００ｃが形成される。

次いで、図３Ｅに示されるように、接着層ＢＬと副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃが分離され、支持板ＳＢが除去される。支持板ＳＢの除去により、副基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃの第２面１０ＡＳ、１０ＢＳ、１０ＣＳ、及び、封止層１００の表面（下面）から構成されるＢ面ＢＳが露出する。なお、部品接続パッド１２ａｐ、１２ｂｐ、１２ｃｐ、及び、導体パッド１２ａｃ、１２ｂｃ、１２ｃｃの露出面には、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。以上の工程を経ることによって、図１の配線基板１が完成する。

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、配線基板が有し得る複数の副基板の数は３に限定されない。配線基板は４以上の副基板を有し得る。また、各副基板は任意の数の樹脂絶縁層及び配線層を有し得る。配線基板を構成するすべての副基板のそれぞれが互いに異なる層数の絶縁層及び導体層を有してもよい。

１、２ 配線基板
１０Ａ 副基板（第１副基板）
１０Ｂ 副基板（第２副基板）
１０Ｃ 副基板（第３副基板）
１０ＡＦ、１０ＢＦ、１０ＣＦ 第１面
１０ＡＳ、１０ＢＳ、１０ＣＳ 第２面
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ 絶縁層
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ 導体層
１２ａｐ、１２ｂｐ、１２ｃｐ 導体パッド（部品接続パッド）
１２ａｃ、１２ｂｃ、１２ｃｃ 導体パッド
１００ 封止層
１００ａ、１００ｂ、１００ｃ 開口
１０Ａｒ、１０Ｂｒ、１０Ｃｒ１、１０Ｃｒ２ 凹部
ＦＳ Ｆ面
ＢＳ Ｂ面
ＳＢ 支持板
ＢＬ 接着層
ＥＤＡａ、ＥＤＡｂ、ＥＤＡｃ 部品搭載領域

Claims (9)

1. 交互に積層される複数の絶縁層及び導体層を備え、平面方向において互いに離間して配置される複数の副基板と、
   前記複数の副基板間の間隙を充填し、前記複数の副基板を結合する封止層と、
   を有する配線基板であって、
   前記複数の副基板のうち少なくとも２つの副基板は、互いに異なる厚さの前記導体層を有している。
2. 請求項１記載の配線基板であって、前記複数の副基板のうち少なくとも２つの副基板における、前記導体層の厚さの最小値は異なっている。
3. 請求項２記載の配線基板であって、前記複数の副基板すべてにおける、前記導体層の厚さの最小値はそれぞれ異なっている。
4. 請求項１記載の配線基板であって、前記複数の副基板のそれぞれは部品接続パッドを有しており、前記副基板それぞれが有する前記部品接続パッドは、前記副基板ごとに個別の部品搭載領域を構成している。
5. 請求項１記載の配線基板であって、前記複数の副基板のうち隣接する２つの副基板それぞれは、前記平面方向に延在する２つの表面の少なくともいずれかに、隣接する副基板の一部が嵌入する凹部を有している。
6. 請求項５記載の配線基板であって、前記複数の副基板のうち２つの副基板と隣接する副基板は、前記２つの表面のそれぞれに前記凹部を有している。
7. 請求項２記載の配線基板であって、前記複数の副基板は、第１副基板、第２副基板、及び第３副基板を含んでおり、前記第２副基板に含まれる前記導体層の厚さの最小値は前記第１副基板に含まれる前記導体層の厚さの最小値よりも小さく、前記第３副基板に含まれる前記導体層の厚さの最小値は前記第２副基板に含まれる前記導体層の厚さの最小値よりも小さい。
8. 請求項７記載の配線基板であって、前記第１副基板と前記第３副基板は隣接しており、前記第３副基板と前記第２副基板は隣接している。
9. 請求項７記載の配線基板であって、前記第２副基板に含まれる前記絶縁層は熱可塑性樹脂を含んでいる。

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