JP2023111849A - マスク及びマスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】シリコン基板の厚みが薄くても破損しないマスク及びマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】マスクは、第１面３０１と、第１面の反対側に位置する第２面３０２と、第１面から第２面へ貫通する少なくとも１つの第１開口３１と、第１開口に面する第１壁面３２と、を含む第１層３０と、第２面に対向する第３面４０１と、第３面の反対側に位置する第４面４０２と、第３面から前記第４面へ貫通し、平面視において第１開口に重なる複数の第２開口４１と、を含む第２層４０と、少なくとも第２面と第３面との間に位置する第１中間層５１と、を含む。前記第１層は、シリコンを含む。第２層は、樹脂材料を含む。第１壁面は、第１層の厚み方向に並ぶ複数の凹部を含む。
【選択図】図５Ａ

Description

本開示の実施形態は、マスク及びマスクの製造方法に関する。

精密なパターンを形成するための方法として、蒸着法が知られている。蒸着法においては、まず、開口が形成されたマスクを基板に組み合わせる。続いて、マスクの開口を介して蒸着材料を基板に付着される。これにより、マスクの開口のパターンに対応したパターンで、蒸着材料を含む蒸着層を基板上に形成できる。蒸着法は、例えば、有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として用いられている。

例えば特許文献１は、フレームと、張力が加えられた状態でフレームに接合されているマスクと、を備えるマスク装置を用いる形態を開示している。フレーム及びマスクは、ニッケルを含む鉄合金によって構成されている。

例えば特許文献２は、スリットが設けられた金属マスクと、金属マスクに積層され、スリットに重なる開口部が設けられた樹脂マスクと、を備える蒸着マスクを開示している。樹脂マスクは、ポリイミド樹脂などの樹脂材料から構成されている。金属マスクは、張力が加えられた状態でフレームに接合されている。

一方、例えば特許文献３は、マスクに撓みが生じ、蒸着層の位置がずれるという課題を提起している。特許文献３は、このような課題を解決するため、シリコン基板によってマスクを構成することを提案している。

特開２０１３－４９８８９号公報 特開２０１３－１６３８６４号公報 特開２００１－１８５３５０号公報

シリコン基板の厚みが小さいほど、基板に形成される蒸着層の精度が高くなる。一方、シリコン基板の厚みが小さいほど、マスクが破損しやすくなる。

本開示の実施形態は、このような課題を効果的に解決し得るマスク及びマスクの製造方法を提供することを目的とする。

本開示の一実施形態によるマスクは、第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面へ貫通する少なくとも１つの第１開口と、前記第１開口に面する第１壁面と、を含む第１層と、前記第２面に対向する第３面と、前記第３面の反対側に位置する第４面と、前記第３面から前記第４面へ貫通し、平面視において前記第１開口に重なる複数の第２開口と、を含む第２層と、少なくとも前記第２面と前記第３面との間に位置する第１中間層と、を含んでもよい。前記第１層は、シリコンを含んでもよい。前記第２層は、樹脂材料を含んでもよい。前記第１壁面は、前記第１層の厚み方向に並ぶ複数の凹部を含んでもよい。

本開示の実施形態によれば、シリコンを含むマスクを移動させるときにマスクが破損することを抑制できる。

有機デバイスの一例を示す平面図である。 マスクを備えた蒸着装置の一例を示す図である。 入射面の側から見た場合のマスクの一例を示す平面図である。 入射面の側から見た場合のマスクの一変形例を示す平面図である。 入射面の側から見た場合のマスクの一変形例を示す平面図である。 出射面の側から見た場合のマスクの一例を示す平面図である。 図３ＡのマスクのV－V線に沿った断面図である。 有効領域の一例を示す断面図である。 第１層の第１壁面を拡大して示す断面図である。 図５Ａにおいて符号VIIが付された一点鎖線で囲まれた部分を拡大して示す断面図である。 図５Ａにおいて符号VIIIが付された一点鎖線で囲まれた部分を拡大して示す断面図である。 第１の実施の形態によるマスクの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施の形態によるマスクの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施の形態によるマスクの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施の形態によるマスクの製造方法の一例を示す断面図である。 第１層に第１開口を形成する方法の一例を示す断面図である。 第１層に第１開口を形成する方法の一例を示す断面図である。 第１層に第１開口を形成する方法の一例を示す断面図である。 第１層に第１開口を形成する方法の一例を示す断面図である。 第１の実施の形態によるマスクの製造方法の一例を示す断面図である。 第１の実施の形態によるマスクの製造方法の一例を示す断面図である。 第２の実施の形態によるマスクの製造方法の一例を示す断面図である。 第３の実施の形態によるマスクの一例を示す断面図である。 第３の実施の形態によるマスクの製造方法の一例を示す断面図である。 第３の実施の形態によるマスクの製造方法の一例を示す断面図である。 第３の実施の形態によるマスクの製造方法の一例を示す断面図である。 第３の実施の形態によるマスクの製造方法の一例を示す断面図である。 第４の実施の形態によるマスクの一例を示す断面図である。 第５の実施の形態によるマスクの一例を示す断面図である。 第５の実施の形態によるマスクの製造方法の一例を示す断面図である。 第５の実施の形態によるマスクの製造方法の一例を示す断面図である。 第５の実施の形態によるマスクの製造方法の一例を示す断面図である。 第５の実施の形態によるマスクの製造方法の一例を示す断面図である。 第６の実施の形態によるマスクの一例を示す断面図である。 第６の実施の形態によるマスクの製造方法の一例を示す断面図である。 第７の実施の形態によるマスクの一例を示す断面図である。 第８の実施の形態によるマスクの一例を示す断面図である。 第８の実施の形態によるマスクの製造方法の一例を示す断面図である。 第８の実施の形態によるマスクの製造方法の一例を示す断面図である。 第９の実施の形態によるマスクの一例を示す平面図である。 第９の実施の形態によるマスクの一例を示す平面図である。 第９の実施の形態によるマスクの一例を示す平面図である。 第９の実施の形態によるマスクの一例を示す平面図である。 有機デバイスを備える装置の一例を示す図である。 第１１の実施の形態による第１開口の一例を示す断面図である。 第１層の第１面の近傍における、第１開口の一例を示す断面図である。 第１層の第２面の近傍における、第１開口の一例を示す断面図である。 凹部の間隔が不均一になる理由の一例を説明するための図である。 凹部の間隔が不均一になる理由の一例を説明するための図である。 凹部の間隔が不均一になる理由の一例を説明するための図である。

以下、一実施形態に係るマスクの構成及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。本明細書において、「板」、「基材」、「シート」、「フィルム」など用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板」はシートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。「面」とは、対象となる部材を全体的かつ大局的に見た場合において、対象となる部材の平面方向と一致する面のことを指す。法線方向とは、部材の面に対する法線方向のことを指す。本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈する。

本明細書において、あるパラメータに関して複数の上限値の候補及び複数の下限値の候補が挙げられている場合、そのパラメータの数値範囲は、任意の１つの上限値の候補と任意の１つの下限値の候補とを組み合わせることによって構成されてもよい。例えば、「パラメータＢは、例えばＡ１以上であり、Ａ２以上であってもよく、Ａ３以上であってもよい。パラメータＢは、例えばＡ４以下であり、Ａ５以下であってもよく、Ａ６以下であってもよい。」と記載されている場合を考える。この場合、パラメータＢの数値範囲は、Ａ１以上Ａ４以下であってもよく、Ａ１以上Ａ５以下であってもよく、Ａ１以上Ａ６以下であってもよく、Ａ２以上Ａ４以下であってもよく、Ａ２以上Ａ５以下であってもよく、Ａ２以上Ａ６以下であってもよく、Ａ３以上Ａ４以下であってもよく、Ａ３以上Ａ５以下であってもよく、Ａ３以上Ａ６以下であってもよい。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。また、特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

本明細書および本図面において、本開示の実施形態は、特別な説明が無い限りは、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態や変形例と組み合わせられてもよい。また、その他の実施形態同士や、その他の実施形態と変形例も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられてもよい。また、変形例同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられてもよい。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、開示されている工程の順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。

本実施形態で参照する図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号又は類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

本明細書の一実施形態においては、マスクが、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機層又は電極を基板上に形成するために用いられる例について説明する。ただし、マスクの用途が特に限定されることはなく、種々の用途に用いられるマスクに対し、本実施形態を適用できる。例えば、仮想現実いわゆるＶＲや拡張現実いわゆるＡＲを表現するための画像や映像を表示又は投影するための装置の有機層、電極などの層を形成するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。また、液晶表示装置の電極などの、有機ＥＬ表示装置以外の表示装置の層を形成するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。また、圧力センサの有機層、電極などの、表示装置以外の有機デバイスの層を形成するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。

本開示の第１の態様は、マスクであって、
第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面へ貫通する少なくとも１つの第１開口と、前記第１開口に面する第１壁面と、を含む第１層と、
前記第２面に対向する第３面と、前記第３面の反対側に位置する第４面と、前記第３面から前記第４面へ貫通し、平面視において前記第１開口に重なる複数の第２開口と、を含む第２層と、
少なくとも前記第２面と前記第３面との間に位置する第１中間層と、を含み、
前記第１層は、シリコンを含み、
前記第２層は、樹脂材料を含み、
前記第１壁面は、前記第１層の厚み方向に並ぶ複数の凹部を含む、マスクである。

上述した第１の態様に従う第２の態様によるマスクにおいて、前記第１面に近接する複数の前記凹部は、第１周期で前記厚み方向に並んでいてもよく、前記第２面に近接する複数の前記凹部は、前記第１周期よりも小さい第２周期で前記厚み方向に並んでいてもよい。

上述した第１の態様又は第２の態様に従う第３の態様によるマスクにおいて、前記第１面に近接する複数の前記凹部は、第１深さを有していてもよく、前記第２面に近接する複数の前記凹部は、前記第１深さよりも小さい第２深さを有していてもよい。

上述した第１の態様から上述した第３の態様のいずれかに従う第４の態様によるマスクにおいて、前記第１中間層は、前記第２面上における前記第１開口の輪郭よりも外側に位置する第１中間壁面を含んでいてもよい。

上述した第１の態様から上述した第４の態様のいずれかに従う第５の態様によるマスクにおいて、前記第１中間層は、１μｍ以下の厚みを有する第１中間層を含んでいてもよい。

上述した第１の態様から上述した第５の態様のいずれかに従う第６の態様によるマスクにおいて、前記第２層の前記第３面に位置し、１μｍ以上の厚みを有する第２中間層を含んでいてもよい。

上述した第１の態様から上述した第６の態様のいずれかに従う第７の態様によるマスクにおいて、前記第１層は、複数の前記第１開口と、平面視において隣り合う前記第１開口の間に位置する内側領域と、平面視において前記第１層の外縁と前記第１開口との間に位置する外側領域と、を含んでいてもよい。

上述した第７の態様に従う第８の態様によるマスクにおいて、前記内側領域の厚みは、前記外側領域の厚みよりも小さくてもよい。

上述した第１の態様から上述した第８の態様のいずれかに従う第９の態様によるマスクにおいて、前記第２層の厚みは、前記第１層の厚みよりも小さくてもよく、前記第１中間層の厚みは、前記第２層の厚みよりも小さくてもよい。

上述した第１の態様から上述した第９の態様のいずれかに従う第１０の態様によるマスクにおいて、前記第１壁面は、前記第１面に向かうにつれて外側に広がるテーパ面を含んでいてもよい。

上述した第１の態様から上述した第１０の態様のいずれかに従う第１１の態様によるマスクは、前記第１面に位置する応力調整層を備えていてもよい。

上述した第１の態様から上述した第１１の態様のいずれかに従う第１２の態様によるマスクにおいて、前記第２層はポリイミドを含んでいてもよい。

本開示の第１３の態様は、マスクの製造方法であって、
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含む第１層と、前記第２面に対向する第３面及び前記第３面の反対側に位置する第４面を含む第２層と、前記第２面と前記第３面との間に位置する第１中間層と、を備える積層体を準備する工程と、
前記第１面上に部分的にレジスト層を形成する工程と、
前記第１面側から前記第１層をエッチングすることによって、前記第１層に第１開口を形成する第１加工工程と、
前記第２層に複数の第２開口を形成する第２加工工程と、を備える、マスクの製造方法である。

本開示の第１４の態様は、マスクの製造方法であって、
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含む第１層を準備する工程と、
前記第２面上に部分的にレジスト層を形成する工程と、
前記第２面側から前記第１層をエッチングすることによって、前記第１層に第１開口を形成する第１加工工程と、
前記第２面に対向する第３面及び前記第３面の反対側に位置する第４面を含む第２層を前記第１層に接合する工程と、
前記第２層に複数の第２開口を形成する第２加工工程と、を備え、
前記マスクは、前記第２面と前記第３面との間に位置する第１中間層を含む、マスクの製造方法である。

上述した第１３の態様又は上述した第１４の態様に従う第１５の態様によるマスクの製造方法において、前記第１加工工程は、交互に繰り返し実施されるドライエッチング工程及び保護膜形成工程を含んでいてもよい。

上述した第１３の態様から上述した第１５の態様のいずれかに従う第１６の態様によるマスクの製造方法は、前記第１加工工程の後、前記第２加工工程の前に、前記レジスト層を除去する工程を備えていてもよい。

上述した第１３の態様から上述した第１６の態様のいずれかに従う第１７の態様によるマスクの製造方法は、前記第１加工工程の後、前記第２加工工程の前に、平面視において前記第１開口に重なる前記第１中間層を除去する工程を備えていてもよい。

上述した第１３の態様から上述した第１６の態様のいずれかに従う第１７の態様によるマスクの製造方法は、前記第２加工工程の後、平面視において前記第１開口に重なる前記第１中間層を除去する工程を備えていてもよい。

本開示の第１９の態様は、有機デバイスの製造方法であって、
上述した第１の態様から上述した第１２の態様のいずれかのマスクを用いる蒸着法によって基板上に有機層を形成する工程を備える、有機デバイスの製造方法である。

（第１の実施の形態）
図１乃至図１８を参照して、第１の実施の形態について説明する。まず、マスクを用いることにより形成される有機層を備える有機デバイス１００について説明する。図１は、有機デバイス１００の一例を示す断面図である。

有機デバイス１００は、基板１１０と、基板１１０の面内方向に沿って並ぶ複数の素子１１５と、を含む。基板１１０は、第１面１１１及び第１面１１１の反対側に位置する第２面１１２を含む。素子１１５は、第１面１１１に位置している。素子１１５は、例えば画素である。基板１１０は、２以上の種類の素子１１５を含んでいてもよい。例えば、基板１１０は、第１素子１１５Ａ及び第２素子１１５Ｂを含んでいてもよい。図示はしないが、基板１１０は、第３素子を含んでいてもよい。第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子は、例えば、赤色画素、青色画素及び緑色画素である。

素子１１５は、第１電極１２０と、第１電極１２０上に位置する有機層１３０と、有機層１３０上に位置する第２電極１４０と、を有していてもよい。

有機デバイス１００は、平面視において隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０を備えていてもよい。絶縁層１６０は、例えばポリイミドを含んでいる。絶縁層１６０は、第１電極１２０の端部に重なっていてもよい。「平面視」とは、基板１１０などの板状の部材の面の法線方向に沿って対象を見ることを意味する。

基板１１０は、絶縁性を有する部材であってもよい。基板１１０の材料としては、例えば、シリコン、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、合成石英板等の可撓性のないリジッド材、あるいは、樹脂フィルム、光学用樹脂板、薄ガラス等の可撓性を有するフレキシブル材等を用いることができる。基板１１０は、半導体製造で用いられるシリコンウエハと同様の平面形状を有していてもよい。この場合、半導体製造工程を実施する装置を用いて基板１１０を処理できる。例えば、半導体製造工程を実施する装置を用いて基板１１０に第１電極１２０、絶縁層１６０などを形成できる。

素子１１５は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧が印加されることにより、又は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電流が流れることにより、何らかの機能を実現するよう構成されている。例えば、素子１１５が、有機ＥＬ表示装置の画素である場合、素子１１５は、映像を構成する光を放出できる。

第１電極１２０は、導電性を有する材料を含む。例えば、第１電極１２０は、金属、導電性を有する金属酸化物や、その他の導電性を有する無機材料などを含む。第１電極１２０は、インジウム・スズ酸化物などの、透明性及び導電性を有する金属酸化物を含んでいてもよい。

有機層１３０は、有機材料を含む。有機層１３０が通電されると、有機層１３０は、何らかの機能を発揮できる。通電とは、有機層１３０に電圧が印加されること、又は有機層１３０に電流が流れることを意味する。有機層１３０としては、通電により光を放出する発光層、通電により光の透過率や屈折率が変化する層などを用いることができる。有機層１３０は、有機半導体材料を含んでいてもよい。

図１に示すように、有機層１３０は、第１有機層１３０Ａ及び第２有機層１３０Ｂを含んでいてもよい。第１有機層１３０Ａは、第１素子１１５Ａに含まれる。第２有機層１３０Ｂは、第２素子１１５Ｂに含まれる。図示はしないが、有機層１３０は、第３素子に含まれる第３有機層を含んでいてもよい。第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層は、例えば、赤色発光層、青色発光層及び緑色発光層である。

第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧を印加すると、両者の間に位置する有機層１３０が駆動される。有機層１３０が発光層である場合、有機層１３０から光が放出され、光が第２電極１４０側又は第１電極１２０側から外部へ取り出される。

有機層１３０は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを更に含んでいてもよい。

第２電極１４０は、金属などの、導電性を有する材料を含んでいてもよい。第２電極１４０の材料としては、例えば、白金、金、銀、銅、鉄、錫、クロム、アルミニウム、インジウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、クロム、炭素等及びこれらの合金を用いることができる。図１に示すように、第２電極１４０は、平面視において隣り合う２つの有機層１３０に跨るように広がっていてもよい。

次に、有機層１３０を蒸着法によって基板１１０に形成する方法について説明する。図２は、蒸着装置１０を示す図である。蒸着装置１０は、対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する。

図２に示すように、蒸着装置１０は、その内部に、蒸着源６、ヒータ８、及びマスク２０を備えていてもよい。蒸着装置１０は、蒸着装置１０の内部を真空雰囲気にするための排気手段を更に備えていてもよい。蒸着源６は、例えばるつぼである。蒸着源６は、有機材料、金属材料などの蒸着材料７を収容する。ヒータ８は、蒸着源６を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料７を蒸発させる。

マスク２０は、入射面２０１、出射面２０２及び第２開口４１を含む。入射面２０１は、蒸着源６と対向している。出射面２０２は、入射面２０１の反対側に位置する。出射面２０２は、基板１１０の第１面１１１と対向している。出射面２０２からマスク２０に入った蒸着材料７の一部は、第２開口４１を通過して出射面２０２から出る。出射面２０２から出た蒸着材料７は、基板１１０の第１面１１１に付着する。マスク２０の出射面２０２は、基板１１０の第１面１１１に接していてもよい。

図２に示すように、蒸着装置１０は、基板１１０の第２面１１２側に配置されている磁石５を備えていてもよい。マスク２０が金属材料を含む場合、磁石５は、磁力によってマスク２０を基板１１０に向けて引き寄せることができる。これにより、マスク２０と基板１１０との間の隙間を低減したり、隙間をなくしたりすることができる。このことにより、蒸着工程においてシャドウが発生することを抑制できる。本願において、シャドウとは、第２開口４１の壁面の近傍に形成される有機層１３０の厚みが、第２開口４１の中心に形成される有機層１３０の厚みよりも小さくなる現象である。シャドウは、蒸着材料７がマスク２０の壁面に付着すること、蒸着材料７がマスク２０と基板１１０との間の隙間に入り込むこと、などに起因して生じる。

次に、マスク２０について詳細に説明する。図３Ａは、入射面２０１の側から見た場合のマスク２０の一例を示す平面図である。図４は、出射面２０２の側から見た場合のマスク２０の一例を示す平面図である。図５Ａは、図３Ａのマスク２０のV－V線に沿った断面図である。

図５Ａに示すように、マスク２０は、入射面２０１から出射面２０２に向かって順に並ぶ第１層３０、中間層５０及び第２層４０を備える。第１層３０は、シリコン又はシリコン化合物を含む。シリコン化合物は、例えばシリコンカーバイド（ＳｉＣ）である。第２層４０は、樹脂材料を含む。以下、各層について説明する。

第１層３０は、第１面３０１、第２面３０２、第１開口３１及び第１壁面３２を含む。第１面３０１は、入射面２０１を構成していてもよい。第２面３０２は、第１面３０１の反対側に位置している。

第１開口３１は、第１面３０１から第２面３０２へ貫通している。図３Ａに示すように、第１層３０は、複数の第１開口３１を含んでいてもよい。複数の第１開口３１は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に並んでいてもよい。第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１に直交していてもよい。

第１開口３１は、有機ＥＬ表示装置の１つの画面に対応していてもよい。図３Ａに示すマスク２０は、複数の画面に対応する有機層のパターンを同時に基板１１０に形成できる。図３Ａに示すように、第１開口３１は、平面視において矩形の輪郭を有していてもよい。

図３Ｂ及び図３Ｃはそれぞれ、マスク２０のその他の例を示す平面図である。図３Ｂに示すように、第１開口３１の輪郭の角部は曲線を含んでいてもよい。図３Ｃに示すように、第１開口３１の輪郭は八角形であってもよい。図３Ｂ及び図３Ｃに示す例によれば、第１開口３１の輪郭に応力が加わる場合に、応力が角部に集中することを抑制できる。このため、第１層３０が破損することを抑制できる。

第１壁面３２は、第１開口３１に面する第１層３０の面である。図３Ａに示す例において、第１壁面３２は、第１面３０１の法線方向に沿って広がっている。

図３Ａに示すように、第１開口３１が形成されていない第１層３０の領域は、外側領域３５及び内側領域３６に区画されてもよい。内側領域３６は、平面視において隣り合う２つの第１開口３１の間に位置する領域である。外側領域３５は、平面視において、第１層３０の外縁３０３と第１開口３１との間に位置する領域である。図３Ａに示すように、内側領域３６は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に延びていてもよい。

図３Ａ及び図４に示すように、第１層３０は、アライメントマーク３９を含んでいてもよい。アライメントマーク３９は、例えば第２面３０２に形成されている。アライメントマーク３９は、第１面３０１に形成されていてもよい。アライメントマーク３９は、例えば、マスク２０に対する基板１１０の相対的な位置を調整するために利用される。基板１１０が可視光を透過させる性質を有する場合、基板１１０を介しアライメントマーク３９を視認できる。

図３Ａ及び図４に示すように、アライメントマーク３９は、平面視において円形の輪郭を有していてもよい。図示はしないが、アライメントマーク３９は、矩形や十字形など、円形以外の輪郭を有していてもよい。アライメントマーク３９は、外側領域３５に位置していてもよく、内側領域３６に位置していてもよい。

断面図におけるアライメントマーク３９の形状は任意である。
例えば、アライメントマーク３９は、第１面３０１又は第２面３０２に位置する凹部を含んでいてもよい。アライメントマーク３９は、第１面３０１から第２面３０２に貫通する孔を含んでいてもよい。凹部及び孔は、第１面３０１又は第２面３０２をエッチングすることによって形成されてもよい。凹部及び孔は、第１面３０１又は第２面３０２にレーザを照射することによって形成されてもよい。
例えば、アライメントマーク３９は、第１面３０１又は第２面３０２の上に位置する層を含んでいてもよい。層は、第１層３０とは異なる材料によって形成されている。第２面３０２の上に層が形成される場合、第２層４０及び中間層５０は、層に重なる貫通孔を含んでいてもよい。これにより、アライメントマーク３９の視認性を高めることができる。
アライメントマーク３９は、第１層３０以外の層に形成されていてもよい。

第１層３０は、上述のようにシリコン又はシリコン化合物を含む。第１層３０は、例えば、シリコンウエハを加工することによって作製される。図３Ａに示すように、第１層３０の外縁３０３は、直線状の部分を含んでいてもよい。直線状の部分は、オリエンテーションフラットとも称される。図示はしないが、外縁３０３には切り欠きが形成されていてもよい。切り欠きは、ノッチとも称される。オリエンテーションフラット及びノッチは、シリコンウエハの結晶方位を表す。

平面視における第１層３０の最大の寸法Ｓ１は、例えば１００ｍｍ以上であり、１５０ｍｍ以上であってもよく、２００ｍｍ以上であってもよい。寸法Ｓ１は、例えば５００ｍｍ以下であり、４００ｍｍ以下であってもよく、３００ｍｍ以下であってもよい。

第１開口３１が並ぶ方向における第１開口３１の寸法Ｓ２は、例えば５ｍｍ以上であり、１０ｍｍ以上であってもよく、２０ｍｍ以上であってもよい。寸法Ｓ２は、例えば１００ｍｍ以下であり、５０ｍｍ以下であってもよく、３０ｍｍ以下であってもよい。

第１開口３１が並ぶ方向における２つの第１開口３１の間の間隔Ｓ３は、例えば０．１ｍｍ以上であり、０．５ｍｍ以上であってもよく、１．０ｍｍ以上であってもよい。間隔Ｓ３は、例えば２０ｍｍ以下であり、１５ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以下であってもよい。

第１層３０の厚みは、外側領域３５の最大の厚みＴ１として定義される。厚みＴ１は、例えば５０μｍ以上であり、１００μｍ以上であってもよく、２００μｍ以上であってもよい。厚みＴ１は、例えば１０００μｍ以下であり、８００μｍ以下であってもよく、６００μｍ以下であってもよい。

次に、第２層４０について説明する。第２層４０は、第３面４０１、第４面４０２、及び複数の第２開口４１を含む。第３面４０１は、第１層３０の第２面３０２に対向している。第４面４０２は、第３面４０１の反対側に位置している。

第２開口４１は、第３面４０１から第４面４０２へ貫通している。１つの第２開口４１が、１つの有機層１３０に対応している。規則的に並ぶ複数の第２開口４１の一群が、有機ＥＬ表示装置の１つの画面に対応している。図３Ａ及び図４に示すように、規則的に並ぶ複数の第２開口４１の一群が、平面視において１つの第１開口３１に重なっていてもよい。第２開口４１の複数の群が、シリコンウエハなどの１枚の部材を加工することによって形成された第１層３０によって支持されている。

第２層４０は、周縁領域４３及び有効領域４４に区画されてもよい。周縁領域４３は、平面視において第１層３０に重なる領域である。有効領域４４は、規則的に並ぶ複数の第２開口４１の一群が分布している領域である。

図５Ｂは、有効領域４４の一例を示す断面図である。第２層４０は、第２開口４１に面する第２壁面４２を含む。図５Ｂに示すように、第２壁面４２は、第３面４０１に向かうにつれて第２開口４１の中心から離れるように広がるテーパ面４２ａを含んでいてもよい。第２壁面４２がテーパ面４２ａを含むことにより、第２壁面４２の近傍においてシャドウが生じることを抑制できる。

図５Ｂにおいて、符号Ｓ８は、第２開口４１が並ぶ方向におけるテーパ面４２ａの幅を表す。幅Ｓ８は、例えば０．２μｍ以上であり、０．５μｍ以上であってもよく、１．０μｍ以上であってもよい。幅Ｓ７は、例えば２５μｍ以下であり、２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以下であってもよい。

図５Ｂにおいて、符号θ１は、第２壁面４２と第４面４０２とが成す角度を表す。角度θ１は、例えば５０°以上であり、５５°以上であってもよく、６０°以上であってもよい。角度θ１は、例えば９０°未満であり、８５°以下であってもよく、８０°以下であってもよい。

第２層４０は、上述のように樹脂材料を含む。樹脂材料は、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン－ビニルアルコール共重合体樹脂、エチレン－メタクリル酸共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、セロファン、アイオノマー樹脂等である。第２層４０は、単一の樹脂層によって構成されっていてもよく、複数の樹脂層を含んでいてもよい。

第２層４０の厚みは、第１層３０の厚みＴ１よりも小さい。第２層４０の厚みは、例えば２５μｍ以下であり、１０μｍ以下であってもよく、５μｍ以下であってもよい。これにより、シャドウの発生を抑制できる。第２層４０の厚みは、例えば０．５μｍ以上であり、１．０μｍ以上であってもよく、２．０μｍ以上であってもよい。これにより、ピンホール等の欠陥や変形等が第２層４０に生じることを抑制できる。

平面視における第２開口４１の寸法Ｓ４は、例えば１μｍ以上であり、２μｍ以上であってもよく、３μｍ以上であってもよい。寸法Ｓ４は、例えば２５μｍ以下であり、１０μｍ以下であってもよく、５μｍ以下であってもよい。

第２開口４１が並ぶ方向における２つの第２開口４１の間の間隔Ｓ５は、例えば１μｍ以上であり、２μｍ以上であってもよく、３μｍ以上であってもよい。寸法Ｓ４は、例えば２５μｍ以下であり、１０μｍ以下であってもよく、５μｍ以下であってもよい。

平面視における第１壁面３２と第２開口４１との間の間隔Ｓ６は、間隔Ｓ５よりも大きくてもよい。これにより、第１壁面３２に近接する第２開口４１においてシャドウが生じることを抑制できる。

第２層４０は、アライメントマークを含んでいてもよい。第２層４０のアライメントマークは、第１層３０のアライメントマーク３９とは別に形成されていてもよく、第１層３０のアライメントマーク３９の替わりに形成されていてもよい。

第２層４０のアライメントマークは、第３面４０１又は第４面４０２に位置する凹部を含んでいてもよい。第２層４０のアライメントマークは、第３面４０１から第４面４０２に貫通する孔を含んでいてもよい。凹部及び孔は、第３面４０１又は第４面４０２をエッチングすることによって形成されてもよい。凹部及び孔は、第３面４０１又は第４面４０２にレーザを照射することによって形成されてもよい。

次に、中間層５０について説明する。中間層５０は、第１層３０又は第２層４０に対する何らかの機能を果たす層を含む。例えば中間層５０は、第１中間層５１を含む。図５Ａに示す例において、第１中間層５１は、第１層３０と第２層４０との間に位置している。

第１中間層５１は、エッチングによって第１層３０を加工する工程において、エッチングをストップさせるストッパ層として機能してもよい。具体的には、第１中間層５１は、第１層３０をエッチングするエッチャントに対する耐性を有する。第１中間層５１は、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン又はチタン合金を含んでいてもよい。第１中間層５１は、酸化シリコンなどの無機化合物を含んでいてもよい。

第１中間層５１がストッパ層である場合、第１中間層５１の厚みは、第１層３０を加工する工程において第２層４０がエッチングされることを抑制できる限り特には限定されない。例えば、第１中間層５１の厚みは、第２層４０の厚みよりも小さくてもよく、第２層４０の厚み以上でもよい。第１中間層５１の厚みは、例えば５ｎｍ以上であり、５０ｎｍ以上であってもよく、７５ｎｍ以上であってもよい。第１中間層５１の厚みは、例えば１００μｍ以下であり、５０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以下であってもよく、５μｍ以下であってもよく、１μｍ以下であってもよく、１５０ｎｍ以下であってもよい。第１層３０用のエッチャントに対する第１中間層５１の耐性が高いほど、第１中間層５１の厚みを小さくできる。第１中間層５１の厚みが１μｍ以下であることが特に好ましい。

中間層５０は、第１層３０と第２層４０とを接合する機能を果たす層を含んでいてもよい。例えば第１中間層５１は、接着剤を含む接合層であってもよい。接合層の厚みは、例えば０．１μｍ以上であり、０．２μｍ以上であってもよく、０．５μｍ以上であってもよい。接合層の厚みは、例えば３μｍ以下であり、２μｍ以下であってもよく、１μｍ以下であってもよい。

好ましくは、中間層５０は、平面視において第２開口４１に重ならないよう位置している。これにより、中間層５０に起因するシャドウが生じることを抑制できる。

第１中間層５１は、アライメントマークを含んでいてもよい。第１中間層５１のアライメントマークは、第１層３０又は第２層４０のアライメントマークとは別に形成されていてもよく、第１層３０又は第２層４０のアライメントマークの替わりに形成されていてもよい。

各層の厚み、各構成要素の寸法、間隔などは、走査型電子顕微鏡を用いてマスク２０の断面の画像を観察することによって測定できる。

次に、第１層３０の第１壁面３２の構造について詳細に説明する。図６は、第１壁面３２を拡大して示す断面図である。

図６に示すように、第１壁面３２は、第１層３０の厚み方向に並ぶ複数の凹部３３を含む。このような複数の凹部３３は、後述するように、ドライエッチング工程及び保護膜形成工程を交互に繰り返し実施することによって第１開口３１を形成する場合に生じる。凹部３３は、頂部３３１及び底部３３２を含む。頂部３３１は、各凹部３３において最も内側に位置する部分である。底部３３２は、各凹部３３において最も外側に位置する部分である。「内側」とは、第１面３０１の面内方向において第１開口３１の中心に向かう側である。「外側」とは、第１面３０１の面内方向において第１開口３１の中心から離れる側である。

図６において、符号Ｐは、第１層３０の厚み方向における凹部３３の周期を表す。周期Ｐは、第１層３０の厚み方向において隣り合う２つの頂部３３１の間の間隔である。周期Ｐは、例えば１００ｎｍ以上であり、３００ｎｍ以上であってもよく、５００ｎｍ以上であってもよく、１μｍ以上であってもよく、１．５μｍ以上であってもよい。周期Ｐは、例えば１０μｍ以下であり、７μｍ以下であってもよく、５μｍ以下であってもよく、３μｍ以下であってもよく、２μｍ以下であってもよく、１μｍ以下であってもよい。

図６において、符号Ｈは、凹部３３の深さを表す。深さＨは、第１面３０１の面内方向における頂部３３１と底部３３２との間の距離である。深さＨは、例えば１ｎｍ以上であり、３ｎｍ以上であってもよく、５ｎｍ以上であってもよい。深さＨは、例えば３μｍ以下であり、２μｍ以下であってもよく、１μｍ以下であってもよい。

壁面が平坦であると仮定した場合に比べて、凹部３３を含む第１壁面３２の表面積は大きい。従って、第１壁面３２が凹部３３を含むことは、第１壁面３２に対する蒸着材料７の密着性の向上に寄与する。このため、例えば、第１壁面３２にいったん付着した蒸着材料７が蒸着工程の間に第１壁面３２から剥がれてしまうことを抑制できる。これにより、不要な蒸着材料７の塊が、蒸着装置１０の内部で浮遊することを抑制できる。浮遊する蒸着材料７の塊は、マスク２０又は基板１１０に再び付着する可能性があるので、蒸着材料７の剥離を抑制することは好ましい。

図７は、図５Ａにおいて符号VIIが付された一点鎖線で囲まれた部分を拡大して示す断面図である。図７に示すように、第１面３０１に近接する複数の凹部３３は、第１周期Ｐ１で第１層３０の厚み方向に並んでいる。凹部３３は、第１深さＨ１を有する。

図８は、図５Ａにおいて符号VIIIが付された一点鎖線で囲まれた部分を拡大して示す断面図である。図８に示すように、第２面３０２に近接する複数の凹部３３は、第２周期Ｐ２で第１層３０の厚み方向に並んでいる。凹部３３は、第２深さＨ２を有する。

図７及び図８に示すように、第２周期Ｐ２は第１周期Ｐ１よりも小さくてもよい。第２深さＨ２は、第１深さＨ１よりも小さくてもよい。この場合、第２面３０２に近接する第１壁面３２の表面積は、第１面３０１に近接する第１壁面３２の表面積よりも小さくなる。言い換えると、第１面３０１に近接する第１壁面３２の表面積が、第２面３０２に近接する第１壁面３２の表面積よりも大きくなる。これにより、第１面３０１の近傍において、第１壁面３２に対する蒸着材料７の密着性が高まることが期待される。
Ｐ２／Ｐ１は、例えば０．９８以下であり、０．９５以下であってもよく、０．９０以下であってもよい。Ｐ２／Ｐ１は、例えば０．１０以上であり、０．２０以上であってもよく、０．３０以上であってもよい。
Ｈ２／Ｈ１は、例えば０．９８以下であり、０．９５以下であってもよく、０．９０以下であってもよい。Ｈ２／Ｈ１は、例えば０．１０以上であり、０．２０以上であってもよく、０．３０以上であってもよい。

凹部３３の周期及び高さは、走査型電子顕微鏡を用いて第１層３０の断面の画像を観察することによって測定できる。観察のためのサンプルは、集束イオンビーム装置によって第１層３０を切断することによって取得できる。第１周期Ｐ１及び第１高さＨ１は、第１面３０１から第２面３０２側に向かって並ぶ５個の凹部３３の周期及び高さの平均値である。第２周期Ｐ２及び第２高さＨ２は、第２面３０２から第１面３０１側に向かって並ぶ５個の凹部３３の周期及び高さの平均値である。周期Ｐは、第１周期Ｐ１及び第２周期Ｐ２の平均値である。高さＨは、第１高さＨ１及び第２高さＨ２の平均値である。

図８に示すように、第１中間層５１は、第１開口３１に面する第１中間壁面５２を含んでいてもよい。第１中間壁面５２は、平面視において第１層３０の第２面３０２に重なっていてもよい。言い換えると、第１中間壁面５２は、第２面３０２上における第１開口３１の輪郭よりも外側に位置していてもよい。このような第１中間壁面５２は、平面視において第１開口３１に重なる第１中間層５１をウェットエッチングによって除去する際のサイドエッチングに起因して形成される。

（蒸着マスクの製造方法）
次に、本実施の形態による蒸着マスクの製造方法について、図９乃至図１８を参照して説明する。まず、第１層３０を準備する。第１層３０として、シリコンウエハを用いてもよい。第１層３０の第１面３０１及び第２面３０２は、鏡面状に研磨されていてもよい。第１面３０１及び第２面３０２の算術平均粗さＲａは、１．５ｎｍ以下であってもよく、１．０ｎｍ以下であってもよい。第１面３０１及び第２面３０２の面方位は、（１００）、（１１０）などであってもよい。

続いて、図９に示すように、第１層３０の第２面３０２上に中間層５０を形成する。中間層５０は、例えば第１中間層５１を含む。中間層５０は、第２面３０２の全体に形成されてもよい。中間層５０は、例えば、スパッタリング法などの真空成膜法によって形成されてもよい。

続いて、図１０に示すように、中間層５０上に第２層４０を形成する。これによって、第１層３０、中間層５０及び第２層４０を備える積層体２２を得ることができる。第２層４０は、中間層５０の全体に形成されてもよい。第２層４０は、例えば、スピンコート法などのコーティング法によって形成されてもよい。

第２層４０の材料を中間層５０上にコーティングした後、第２層４０を加熱する加熱工程を実施してもよい。これにより、第２層４０を固化させることができる。例えば、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸を中間層５０上にコーティングした後、加熱工程を実施することにより、イミド化反応を生じさせることができる。これにより、ポリイミドを含む第２層４０を形成できる。加熱工程の温度は、例えば２００℃以上であり、３００℃以上であってもよい。加熱工程の温度は、例えば
５００℃以下であり、４００℃以下であってもよい。加熱工程の時間は、例えば１０分以上であり、２０分以上であってもよい。加熱工程の時間は、例えば２００分以下であり、１００分以下であってもよい。

図示はしないが、第２層４０を押圧する押圧工程を実施してもよい。例えば、第１層３０とは別のシリコンウエハ、ガラスウエハなどの基板の面を第２層４０に押し付けてもよい。基板の面が第２層４０の第４面４０２よりも平坦である場合、押圧工程によって第４面４０２の平坦性を高めることができる。基板の面は、凹凸パターンを含んでいてもよい。この場合、押圧工程によって第４面４０２に凹凸パターンを付与できる。押圧工程は、第２層４０を加熱する工程の前に実施されてもよい。

図示はしないが、積層体２２は、第２層４０の第４面４０２上に位置する保護層を備えていてもよい。保護層は、例えば、第１中間層５１の材料と同一の材料を含む。第４面４０２に保護層を形成することにより、後述する第１加工工程において第４面４０２がエッチングされることを抑制できる。保護層は、第１中間層５１と同時に除去されてもよい。

続いて、図１１に示すように、第１層３０の第１面３０１上に部分的にレジスト層３８を形成するレジスト形成工程を実施する。レジスト層３８には、第１開口３１に対向するレジスト開口３８１が形成されている。

レジスト層３８は、フォトレジストであってもよい。この場合、まず、第１面３０１上に液状のレジスト材をコーティングすることによって、第１面３０１上にレジスト層３８を形成する。コーティングの後、レジスト層３８を加熱する工程を実施してもよい。続いて、レジスト層３８を露光及び現像するフォトリソグラフィ処理を実施する。これによって、レジスト層３８にレジスト開口３８１を形成できる。

図示はしないが、レジスト層３８は、第１面３０１に部分的に形成されたシリコン酸化膜であってもよい。シリコン酸化膜は、例えば、第１面３０１に部分的に熱酸化処理などを実施することによって形成される。シリコン酸化膜は、中間層５０及び第２層４０を第１層３０に積層する前に第１層３０に形成されていてもよい。

続いて、図１２に示すように、第１面３０１側から第１層３０をエッチングすることによって、第１層３０に第１開口３１を形成する第１加工工程を実施する。第１加工工程におけるエッチングは、エッチングガスを用いたドライエッチングであってもよい。エッチングガスは、上述のエッチャントの一例である。中間層５０がエッチャントに対する耐性を有するので、図１２に示すように、エッチングが第２層４０まで進行することを抑制できる。

第１加工工程について、図１３～図１６を参照して詳細に説明する。ここでは、深掘り反応性イオンエッチングによって第１開口３１を形成する例を説明する。

まず、図１３に示すように、第１面３０１側から第１層３０をドライエッチングする工程を実施する。例えば、チャンバ内にエッチングガスを導入する。また、チャンバ内の空間に電圧を加えることにより、エッチングガスをプラズマ化する。プラズマ中のラジカル、イオンなどが、レジスト開口３８１を通って第１面３０１に衝突することによって、図１３に示すように、第１面３０１に第１の穴３１１を形成できる。エッチングガスは、例えばＳＦ_６ガスである。

第１の穴３１１は、第１の壁面３１１ａ及び第１の底面３１１ｂを含む。第１の壁面３１１ａは、レジスト層３８の端面３８ｅよりも外側に位置していてもよい。ドライエッチング工程の時間、ガス流量、電圧などを調整することにより、第１の壁面３１１ａの位置を調整できる。１回のドライエッチング工程の時間は、例えば１秒以上であり、２秒以上であってもよい。１回のドライエッチング工程の時間は、例えば１０秒以下であり、５秒以下であってもよい。

続いて、穴の壁面及び底面に保護膜を形成する保護膜形成工程を実施する。具体的には、チャンバ内に導入するガスをエッチングガスから原料ガスに切り替える。原料ガスは、例えばＣ_４Ｆ_８ガスである。また、チャンバ内の空間に電圧を加えることにより、原料ガスをプラズマ化する。プラズマ中のラジカルなどが第１の壁面３１１ａ及び第１の底面３１１ｂで反応することによって、図１４に示すように、第１の壁面３１１ａ及び第１の底面３１１ｂに保護膜３４を形成できる。

続いて、２回目のドライエッチング工程を実施する。プラズマ中のラジカル、イオンなどが第１の底面３１１ｂ上の保護膜３４に衝突することにより、保護膜３４を除去できる。その後、プラズマ中のラジカル、イオンなどが第１の底面３１１ｂに衝突することにより、図１５に示すように、第１の底面３１１ｂに第２の穴３１２を形成できる。

第２の穴３１２は、第２の壁面３１２ａ及び第２の底面３１２ｂを含む。第２の壁面３１２ａは、第１面３０１の面内方向において第１の壁面３１１ａと同一の位置にあってもよい。図示はしないが、第２の壁面３１２ａは、第１の壁面３１１ａよりも外側に位置していてもよく、内側に位置していてもよい。ドライエッチング工程の時間、ガス流量、電圧などを調整することにより、第２の壁面３１２ａの位置を調整できる。

続いて、２回目の保護膜形成工程を実施する。これにより、図１６に示すように、第２の壁面３１２ａ及び第２の底面３１２ｂに保護膜３４を形成できる。

上述のドライエッチング工程及び保護膜形成工程を、第１開口３１が中間層５０に到達するまで交互に繰り返し実施する。これによって、第１面３０１から第２面３０２へ貫通する第１開口３１を形成できる。中間層５０がエッチングガスに対する耐性を有するので、第２層４０がエッチングされることを抑制できる。説明の便宜上、ドライエッチング工程から始まる例を取り挙げたが、保護膜形成工程から始めてもよい。

ところで、穴が深くなるほど、すなわち第１開口３１が第２面３０２に近づくほど、エッチャントが穴の底面まで到達しづらくなる。このため、エッチングの条件が一定である場合、１回のドライエッチング工程で形成される穴の大きさは、第２面３０２に近づくほど小さくなる。この結果、図７及び図８に示すように、第２周期Ｐ２が第１周期Ｐ１よりも小さくなり、第２深さＨ２が第１深さＨ１よりも小さくなる。

エッチング条件を穴の位置に応じて調整することにより、穴の大きさを調整してもよい。
例えば、第１開口３１が第２面３０２に近づくにつれて、エッチングの強度又は時間を増加させてもよい。これにより、第２周期Ｐ２と第１周期Ｐ１との間に差が生じることを抑制できる。また、第２深さＨ２と第１深さＨ１との間に差が生じることを抑制できる。エッチングの強度は、例えば、電圧、エッチングガスの流量、濃度などが増加するにつれて増加する。
反対に、第１開口３１が第２面３０２に近づくにつれて、エッチングの強度又は時間を減少させてもよい。これにより、第２周期Ｐ２と第１周期Ｐ１との間に差が生じることを促進できる。また、第２深さＨ２と第１深さＨ１との間に差が生じることを促進できる。

第１開口３１が中間層５０に到達した後、保護膜３４を除去する保護膜除去工程を実施してもよい。例えば、保護膜処理液を第１層３０の第１開口３１に供給する。保護膜処理液を収容する槽の中に積層体２２を浸漬させてもよい。保護膜処理液は、例えばハイドロフルオロエーテルを含む。

穴が中間層５０に到達した後、レジスト層３８を除去するレジスト除去工程を実施してもよい。例えば、レジスト処理液を第１面３０１に供給する。
レジスト層３８がフォトレジストである場合、レジスト処理液は、例えばＮ－メチル－２－ピロリドンを含む。酸素プラズマをレジスト層３８に照射することによってレジスト層３８を除去してもよい。
レジスト層３８がシリコン酸化膜である場合、レジスト処理液は、例えばフッ酸を含む。ＣＦ_４ガスなどを用いるドライエッチングによってレジスト層３８を除去してもよい。

第１加工工程の後、中間層５０を除去する中間層除去工程を実施してもよい。例えば、中間層５０用のエッチャントを第１開口３１に供給する。これにより、図１７に示すように、平面視において第１開口３１に重なる中間層５０を除去できる。この際、サイドエッチングが生じると、図８に示すように、第２面３０２上における第１開口３１の輪郭よりも外側に位置する第１中間壁面５２が形成される。中間層５０のエッチングは、フッ素系ガスなどを用いるドライエッチングであってもよく、酸性のエッチング液を用いるウェットエッチングであってもよい。

保護膜除去工程、レジスト除去工程及び中間層除去工程の順序は特には限定されない。保護膜除去工程、レジスト除去工程及び中間層除去工程のうちの２つの工程又は３つの工程が同時に実施されてもよい。

続いて、第２層４０に複数の第２開口４１を形成する第２加工工程を実施する。例えば図１８に示すように、第３面４０１側から第２層４０にレーザＬを照射する。これによって、第２層４０に第２開口４１を形成できる。レーザＬとしては、波長２４８ｎｍのＫｒＦのエキシマレーザ、波長３５５ｎｍのＹＡＧレーザなどを使用できる。

第２加工工程は、第２層４０の第４面４０２に保護フィルム又は保護膜が形成されている状態で実施されてもよい。
保護フィルムは、第４面４０２に貼り付けられる部材である。保護フィルムは、例えば、樹脂フィルム及び接着層を含む。接着層が第４面４０２に接するよう、保護フィルムが第４面４０２に貼り付けられる。接着層は、粘着層であってもよく、吸着層であってもよい。
保護膜は、樹脂を含む液を第４面４０２上に塗布することにより形成される。塗布方法は、例えばバーコート法、スピンコート法、スプレーコート法などである。
保護フィルム又は保護膜は、第２加工工程が終了した後に除去されてもよい。
好ましくは、レーザに対する保護フィルム又は保護膜の反応性が、レーザに対する第２層４０よりも低い。反応性とは、レーザによって保護フィルム又は保護膜若しくは第２層４０が加工される速度である

第２加工工程においては、まず、第４面４０２がステージ面に対向するように積層体２２をステージに載せる。続いて、積層体２２に対する照射ヘッドの位置を調整する。位置を調整する工程においては、照射ヘッドを移動させてもよく、ステージを移動させてもよい。レーザの照射及び位置の調整を繰り返し実施することにより、第２層４０に複数の第２開口４１を形成できる。このようにして、図５Ａに示すマスク２０を得ることができる。

若しくは、複数の第２開口４１のパターンに対応したレーザ用マスクを用いてもよい。この場合、レーザ用マスクと第２層４０との間に集光レンズを設置してもよい。縮小投影光学系を用いたレーザ加工法によって、複数の第２開口４１を形成できる。

レーザは、１回の照射工程で、１つの第１開口３１に重なる第２層４０の全域に照射されてもよい。例えば、レーザ用マスクが、１つの第１開口３１に重なる複数の第２開口４１に対応する複数の透過部を含み、これらの複数の透過部をレーザが同時に透過してもよい。この場合、１つの第１開口３１に重なる複数の第２開口４１が、１回のレーザの照射工程によって形成される。上述のように、１つの第１開口３１は、有機ＥＬ表示装置の１つの画面に対応していてもよい。この方法によれば、１つの画面を構成する複数の有機層の位置精度が、照射ヘッド又はステージの移動に起因して低下することを抑制できる。「１回の照射工程」とは、レーザに対する第２層４０の相対的な位置が一定の状態で実施されるレーザの照射を意味する。この方法は、１つの第１開口３１の寸法が比較的小さい場合に採用されてもよい。第１開口３１の一辺の長さは、例えば６ｍｍ以下である。第１開口３１の一辺の長さは、例えば２ｍｍ以上であってもよい。

１つの第１開口３１に重なる複数の第２開口４１が、２回以上のレーザの照射工程によって形成されてもよい。例えば、２回以上のレーザの照射工程により、レーザ用マスクの１つのパターン領域をレーザが累積的に透過してもよい。例えば、照射ヘッドをレーザ用マスクに対して移動させながらレーザを照射することにより、レーザ用マスクの１つのパターン領域をレーザが累積的に透過してもよい。レーザ用マスクの１つのパターン領域は、１つの第１開口３１に重なる複数の第２開口４１に対応する複数の透過部を含む。この方法は、１つの第１開口３１の寸法が比較的大きい場合に採用されてもよい。第１開口３１の一辺の長さは、例えば１０ｍｍ以上である。第１開口３１の一辺の長さは、例えば４０ｍｍ以下であってもよい。

１つの第２開口４１は、１回のレーザのショットによって形成されてもよい。
１つの第２開口４１は、２回以上のレーザのショットによって形成されてもよい。この場合、１回のレーザのショットによって第２層４０に形成される凹部の深さは、第２層４０の厚みよりも小さい。

レーザは、第２開口４１の第２壁面４２がテーパ面４２ａを含むように調整されてもよい。
例えば、第２開口４１に対応するレーザの照射面積を、ショット毎に変更してもよい。例えば、第２加工工程は、第１照射面積を有するレーザを第３面４０１に照射する第１ショット工程と、第１照射面積よりも大きい第２照射面積を有するレーザを第３面４０１に照射する第２ショット工程と、を含んでいてもよい。第１照射面積は、第４面４０２における第２開口４１の面積に対応していてもよい。第２照射面積は、第３面４０１における第２開口４１の面積に対応していてもよい。第２加工工程は、３以上のショット工程を含んでいてもよい。各ショット工程におけるレーザの照射面積及び強度は、第２壁面４２がテーパ面４２ａを含むように設定される。
例えば、レーザ用マスクの１つの透過部が、第１透過率を有する第１透過領域と、第１透過率よりも低い第２透過率を有する第２透過領域を含んでいてもよい。第１透過領域の輪郭は、第４面４０２における第２開口４１の輪郭に対応していてもよい。第２透過領域は、平面視において第１透過領域を囲んでいてもよい。第２透過領域の輪郭は、第３面４０１における第２開口４１の輪郭に対応していてもよい。１つの透過部は、３以上の透過領域を含んでいてもよい。各透過領域の形状及び透過率は、第２壁面４２がテーパ面４２ａを含むように設定される。

図示はしないが、レーザ以外の手段を用いて第２層４０に第２開口４１を形成してもよい。例えば、フォトリソグラフィ法によって第２層４０に第２開口４１を形成してもよい。この場合、第２層４０は、感光性を有する樹脂材料を含む。

次に、マスク２０を用いて有機デバイス１００を製造する方法の一例について説明する。

まず、第１電極１２０が形成されている基板１１０を準備する。基板１１０は、シリコンウエハであってもよい。第１電極１２０は、例えば、第１電極１２０を構成する導電層を真空成膜法などによって基板１１０に形成した後、フォトリソグラフィ法などによって導電層をパターニングすることによって形成されてもよい。導電層のパターニングは、半導体製造工程を実施する装置を用いて実施されてもよい。隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０が基板１１０に形成されていてもよい。

続いて、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂなどを含む有機層１３０を第１電極１２０上に形成する。例えば、まず、第１のマスク２０を用いる蒸着法によって第１有機層１３０Ａを形成する。第１のマスク２０は、第１有機層１３０Ａに対応する第２開口４１を備える。続いて、第２のマスク２０を用いる蒸着法によって第２有機層１３０Ｂを形成する。第２のマスク２０は、第２有機層１３０Ｂに対応する第２開口４１を備える。続いて、第３のマスク２０を用いる蒸着法によって第３有機層を形成する。第３のマスク２０は、第３有機層に対応する第２開口４１を備える。

続いて、有機層１３０上に第２電極１４０を形成する。例えば図１に示すように、真空成膜法などによって第１面１１１の全体に第２電極１４０を形成してもよい。若しくは、図示はしないが、有機層１３０と同様に、マスク２０を用いる蒸着法によって第２電極１４０を形成してもよい。その後、図示しない封止層などを第２電極１４０上に形成してもよい。このようにして、有機デバイス１００を得ることができる。

１つの基板１１０に複数の有機デバイス１００が形成されてもよい。１つの有機デバイス１００は、マスク２０の１つの第１開口３１に対応していてもよい。この場合、基板１１０を裁断する工程を実施してもよい。例えば、マスク２０の内側領域３６に対応する基板１１０の領域に沿って基板１１０を裁断する。これによって、複数の有機デバイス１００を得ることができる。

マスク２０を用いる蒸着法によって有機層１３０、第２電極１４０などを形成する場合の、マスク２０の効果について説明する。

マスク２０は、シリコン又はシリコン化合物を含む第１層３０を備える。このため、基板１１０がシリコンを含む場合、基板１１０に生じる熱膨張とマスク２０に生じる熱膨張との間に差が生じることを抑制できる。これにより、マスク２０の熱膨張に起因して有機層１３０、第２電極１４０などの蒸着層の位置、形状などの精度が低下することを抑制できる。従って、高い素子密度を有する有機デバイス１００を提供できる。

マスク２０は、複数の第２開口４１を含む第２層４０を備える。第２層４０は、樹脂材料を含む。第１層３０とは別に第２層４０を設けることによって、第２層４０の厚みを小さくできるので、蒸着工程においてシャドウが発生することを抑制できる。また、平面視における第１壁面３２と第２開口４１との間の間隔Ｓ６を適切に確保することにより、シャドウを抑制しながら第１層３０の厚みを適切に確保できる。これにより、マスク２０をハンドリングするときに、例えばマスクを移動させるときに、第１層３０が破損することを抑制できる。また、第２層４０が樹脂材料を含むので、第２層４０は、基板１１０又は基板１１０上の構成要素に接触しやすい。理由としては、以下の（Ａ）、（Ｂ）などが考えられる。
（Ａ）ファンデルワールス力が生じること。
（Ｂ）樹脂材料が柔軟性を有するので、第２層４０が基板１１０上の構成要素の形状に応じて変形しやすいこと。
第２層４０が基板１１０又は基板１１０上の構成要素に接触しやすいことにより、第２層４０と基板１１０又は基板１１０上の構成要素との間に隙間が生じることを抑制できる。このことも、シャドウの抑制に寄与できる。蒸着工程において、好ましくは、第２層４０が基板１１０又は基板１１０上の構成要素に接触している。第４面４０２上に保護膜が形成されている場合、蒸着工程において、好ましくは、保護膜が基板１１０又は基板１１０上の構成要素に接触している。保護膜の厚みは、好ましくは１．０μｍ以下であり、０．８μｍ以下であってもよく、０．６μｍ以下であってもよい。

また、樹脂材料を含む第２層４０が第１層３０に中間層５０を介して結合されているので、仮に第１層３０が破損した場合であっても、第１層３０の破片が飛散することを抑制できる。

マスク２０の第２層４０の周縁領域４３は、第１層３０の第２面３０２に対して固定されている。このため、第２層４０の有効領域４４が撓むことを抑制できる。これにより、有効領域４４に形成されている第２開口４１の位置が変化することを抑制できる。

上述した一実施形態を様々に変更できる。以下、必要に応じて図面を参照しながら、その他の実施形態について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した一実施形態と同様に構成され得る部分について、上述の一実施形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いる。重複する説明は省略する。また、上述した一実施形態において得られる作用効果がその他の実施形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略する場合もある。

（第２の実施の形態）
図１９を参照して、第２の実施の形態について説明する。

第１の実施の形態の場合と同様に、積層体２２を準備する。続いて、第１層３０に第１開口３１を形成する第１加工工程を実施する。

続いて、第２層４０に複数の第２開口４１を形成する第２加工工程を実施する。例えば図１９に示すように、第２層４０及び中間層５０を含む積層体に向けて中間層５０側からレーザＬを照射する。これによって、中間層５０に開口を形成し、且つ、第２層４０に第２開口４１を形成できる。

第２の実施の形態においては、レーザＬを照射する工程において、第２層４０の第３面４０１が中間層５０によって覆われている。このため、レーザの照射によって生じる飛散物が第３面４０１に付着することを抑制できる。

続いて、中間層５０を除去する中間層除去工程を実施する。例えば、中間層５０用のエッチャントを第１開口３１に供給する。これにより、平面視において第１開口３１に重なる中間層５０を除去できる。

（第３の実施の形態）
図２０は、第３の実施の形態によるマスク２０の一例を示す断面図である。図２０に示すように、第１層３０の内側領域３６の厚みＴ２は、外側領域３５の厚みＴ１よりも小さくてもよい。

厚みＴ２は、例えば１０μｍ以上であり、３０μｍ以上であってもよく、５０μｍ以上であってもよい。厚みＴ２は、例えば３００μｍ以下であり、２００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以下であってもよい。

厚みＴ１に対する厚みＴ２の比率は、例えば１％以上であり、１０％以上であってもよく、２０％以上であってもよい。厚みＴ１に対する厚みＴ２の比は、例えば９０％以下であり、７０％以下であってもよく、５０％以下であってもよい。

図２１～図２４を参照して、マスク２０の製造方法を説明する。まず、第１の実施の形態の場合と同様に、積層体２２を準備する。続いて、図２１に示すように、第１層３０の第１面３０１上に第１レジスト層３８ａ及び第２レジスト層３８ｂを形成する。第１レジスト層３８ａは、外側領域３５に対応する位置に形成される。第２レジスト層３８ｂは、内側領域３６に対応する位置に形成される。

第１レジスト層３８ａの材料は、第２レジスト層３８ｂの材料とは異なる。例えば、第１レジスト層３８ａはシリコン酸化膜を含み、第２レジスト層３８ｂはフォトレジストを含む。

続いて、第１層３０に第１開口３１を形成する第１加工工程を実施する。図２２に示すように、第１開口３１が第２面３０２に到達する前に第１加工工程を停止する。

続いて、図２３に示すように、第２レジスト層３８ｂを除去する。例えば、第２レジスト処理液を第１面３０１に供給する。第２レジスト処理液は、第１レジスト層３８ａに対するエッチング性を有さないことが好ましい。言い換えると、第１レジスト層３８ａが第２レジスト処理液に対する耐性を有することが好ましい。これにより、図２３に示すように、第１面３０１上に第１レジスト層３８ａを残すことができる。第２レジスト処理液は、例えばＮ－メチル－２－ピロリドンを含む。酸素プラズマを第２レジスト層３８ｂに照射することによって第２レジスト層３８ｂを除去してもよい。

続いて、第１層３０に第１開口３１を形成する第１加工工程を再開する。図２４に示すように、第１開口３１が第２面３０２に到達するまで第１加工工程を継続する。再開後の第１加工工程においては、内側領域３６に対応する第１層３０もエッチングされる。このため、内側領域３６に対応する第１層３０の厚みＴ２が、第１レジスト層３８ａによって覆われている第１層３０の厚みＴ１よりも小さくなる。

その後、第１レジスト層３８ａを除去する。例えば、第１レジスト処理液を第１面３０１に供給する。第１レジスト処理液は、例えばフッ酸を含む。ＣＦ_４ガスなどを用いるドライエッチングによって第１レジスト層３８ａを除去してもよい。

第１の実施の形態の場合と同様に、保護膜除去工程、中間層除去工程、第２加工工程などを実施する。これによって、図２０に示すマスク２０を得ることができる。

本実施の形態によれば、内側領域３６の厚みＴ２を小さくすることにより、内側領域３６の第１壁面３２に近接する第２開口４１においてシャドウが生じることを抑制できる。

（第４の実施の形態）
図２５は、第４の実施の形態によるマスク２０の一例を示す断面図である。図２５に示すように、内側領域３６の一部のみが、厚みＴ１よりも小さい厚みＴ３を有していてもよい。厚みＴ３を有する部分を、薄肉部３７とも称する。薄肉部３７は、平面視において第１開口３１に隣接するように位置していることが好ましい。これにより、薄肉部３７に近接する第２開口４１においてシャドウが生じることを抑制できる。

図２５に示すように、外側領域３５が薄肉部３７を含んでいてもよい。薄肉部３７は、平面視において第１開口３１に隣接するように位置していることが好ましい。これにより、薄肉部３７に近接する第２開口４１においてシャドウが生じることを抑制できる。

マスク２０の製造方法を説明する。まず、第１の実施の形態の場合と同様に、積層体２２を準備する。続いて、薄肉部３７に対応する第１層３０の部分に第２レジスト層３８ｂを形成する。また、薄肉部３７以外の内側領域３６に対応する第１層３０の部分に第１レジスト層３８ａを形成する。また、薄肉部３７以外の外側領域３５に対応する第１層３０の部分に第１レジスト層３８ａを形成する。続いて、第３の実施の形態の場合と同様に、第１加工工程、第２レジスト除去工程、第１加工工程、第１レジスト除去工程、保護膜除去工程、中間層除去工程、第２加工工程などを実施する。これによって、図２５に示すマスク２０を得ることができる。

本実施の形態によれば、第１層３０が薄肉部３７を含むことにより、薄肉部３７に近接する第２開口４１においてシャドウが生じることを抑制できる。また、内側領域３６が薄肉部３７よりも厚い部分を含むことにより、内側領域３６の強度を高めることができる。

（第５の実施の形態）
図２６は、第５の実施の形態によるマスク２０の一例を示す断面図である。図２６に示すように、第１壁面３２は、第１面３０１に向かうにつれて外側に広がるテーパ面３２ａを含んでいてもよい。

「外側」とは、上述のとおり、第１面３０１の面内方向において第１開口３１の中心から離れる側である。平面視において第１開口３１に重なる位置には第２開口４１が存在する。従って、テーパ面３２ａは、第１面３０１に向かうにつれて第１面３０１の面内
方向において第２開口４１から遠ざかるように広がる。第１壁面３２がテーパ面３２ａを含むことにより、テーパ面３２ａに近接する第２開口４１においてシャドウが生じることを抑制できる。

図２６において、符号Ｓ７は、第１開口３１が並ぶ方向におけるテーパ面３２ａの幅を表す。幅Ｓ７は、例えば２μｍ以上であり、５μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよい。幅Ｓ７は、例えば１００μｍ以下であり、５０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよい。

図２７～図３０を参照して、マスク２０の製造方法を説明する。まず、第１の実施の形態の場合と同様に、第１層３０を準備する。図２７に示すように、第１層３０の第１面３０１にはサポート基板７１が取り付けられていてもよい。続いて、図２７に示すように、第１層３０の第２面３０２上に部分的にレジスト層３８を形成するレジスト形成工程を実施する。レジスト層３８には、第１開口３１に対向するレジスト開口３８１が形成されている。レジスト層３８は、フォトレジストであってもよく、シリコン酸化膜であってもよい。

続いて、図２８に示すように、第２面３０２側から第１層３０をエッチングすることによって、第１層３０に第１開口３１を形成する第１加工工程を実施する。第１加工工程においては、ドライエッチング工程及び保護膜形成工程を、穴が第１面３０１に到達するまで交互に繰り返し実施する。

第１加工工程においては、穴が第１面３０１に近づくにつれて、第１面３０１の面内方向における穴の寸法が大きくなるよう、エッチング条件を調整する。例えば、穴が第１面３０１に近づくにつれて、エッチングの強度又は時間を増加させる。これにより、図２８に示すように、第１開口３１の第１壁面３２にテーパ面３２ａを形成できる。

続いて、第１層３０からサポート基板７１を取り外す。また、図２９に示すように、第２層４０及び中間層５０を含む積層体２４を準備する。第２層４０は、第１層３０の第２面３０２に対向する第３面４０１、及び第３面４０１の反対側に位置する第４面４０２を含む。中間層５０は、第２面３０２と第３面４０１との間に位置する。中間層５０は、接合層として機能する第１中間層５１を含んでいてもよい。図２９に示すように、第２層４０の第４面４０２にはサポート基板７２が取り付けられていてもよい。

続いて、第２層４０を第１層３０の第２面３０２に接合する接合工程を実施する。ここでは、図３０に示すように、積層体２４の中間層５０を第１層３０に接合することによって、中間層５０を介して第２層４０を第１層３０に接合する。その後、第２層４０からサポート基板７２を取り外す。また、第１の実施の形態の場合と同様に、中間層除去工程、第２加工工程などを実施する。これによって、図２６に示すマスク２０を得ることができる。

図２７～図３０においては、第２層４０及び中間層５０を含む積層体２４が第１層３０に接合される例を示した。しかしながら、マスク２０の状態のときに中間層５０が第２面３０２と第３面４０１との間に位置していればよく、中間層５０の提供方法は限定されない。例えば、図２８に示す第１加工工程のときに、中間層５０が第１層３０の第２面３０２に配置されていてもよい。また、第２層４０を第１層３０に接合する接合工程のときに、第２層４０と第１層３０との間に中間層５０が挟まれるように中間層５０を配置してもよい。

本実施の形態によれば、第１壁面３２がテーパ面３２ａを含むことにより、テーパ面３２ａに近接する第２開口４１においてシャドウが生じることを抑制できる。

（第６の実施の形態）
図３１は、第６の実施の形態によるマスク２０の一例を示す断面図である。図３１に示すように、第１層３０の第１壁面３２のテーパ面３２ａは、外側に向かって凸となる湾曲面を含んでいてもよい。この場合も、テーパ面３２ａに近接する第２開口４１においてシャドウが生じることを抑制できる。

マスク２０の製造方法を説明する。第１の実施の形態の場合と同様に、積層体２２を準備する。続いて、第１層３０の第１面３０１上に部分的にレジスト層３８を形成するレジスト形成工程を実施する。

続いて、第１層３０に第１開口３１を形成する第１加工工程を実施する。例えば、ウェットエッチングによって第１層３０を第１面３０１側から第２面３０２まで加工する。ドライエッチングによって第１層３０を第１面３０１側から第２面３０２まで加工してもよい。これにより、図３２に示すように、湾曲したテーパ面３２ａを形成できる。

その後、第１の実施の形態の場合と同様に、レジスト除去工程、中間層除去工程、第２加工工程などを実施する。これによって、図３１に示すマスク２０を得ることができる。

（第７の実施の形態）
図３３は、第７の実施の形態によるマスク２０の一例を示す断面図である。図３３に示すように、マスク２０は、第１層３０の第１面３０１に位置する応力調整層６１を備えていてもよい。応力調整層６１は、第２層４０が第１層３０の第２面３０２に及ぼす応力を打ち消すよう、第１層３０の第１面３０１に作用する。例えば、第２層４０が第２面３０２に引張応力を加える場合、応力調整層６１も第１面３０１に引張応力を加える。反対に、第２層４０が第２面３０２に圧縮応力を加える場合、応力調整層６１も第１面３０１に圧縮応力を加える。

応力調整層６１の材料は、有機材料であっても無機材料であってもよい。応力調整層６１が第１面３０１に加えるべき応力に応じて、応力調整層６１の材料を選択してもよい。例えば、酸化シリコンを含む応力調整層６１は、第１面３０１に圧縮応力を加えることができる。窒化シリコンを含む応力調整層６１は、第１面３０１に引張応力を加えることができる。

図示はしないが、マスク２０は、第１面３０１と応力調整層６１との間に位置する密着層を備えていてもよい。第１面３０１に対する密着層の密着性は、第１面３０１に対する応力調整層６１の密着性よりも高い。密着層は、１つの層で構成されていてもよく、２以上の層で構成されていてもよい。

マスク２０が密着層を含む場合、密着層の応力及び応力調整層６１の応力の合計が第１面３０１に加えられる。密着層の応力を考慮して、応力調整層６１の材料、厚みなどが調整される。

本実施の形態によれば、応力調整層６１を第１面３０１に形成することにより、第１層３０に加わる応力を低減できる。これにより、第１層３０に反りなどの変形が生じることを抑制できる。

（第８の実施の形態）
図３４は、第８の実施の形態によるマスク２０の一例を示す断面図である。図３４に示すように、第１層３０の第１壁面３２は、第１面３０１に接続されている湾曲面３２ｂを含んでいてもよい。湾曲面３２ｂは、第２面３０２まで広がっていなくてもよい。例えば、第１壁面３２は、第１面３０１に接続されている湾曲面３２ｂと、第２面３０２に接続されている凹凸面３２ｃと、を含んでいてもよい。凹凸面３２ｃは、第１層３０の厚み方向に並ぶ複数の凹部３３を含む。

マスク２０の製造方法を説明する。第１の実施の形態の場合と同様に、積層体２２を準備する。続いて、第１層３０の第１面３０１上に部分的にレジスト層３８を形成するレジスト形成工程を実施する。

続いて、第６の実施の形態の場合と同様に、ウェットエッチングによって第１層３０を第１面３０１側から加工する。これにより、図３５に示すように、第１面３０１に接続されている湾曲面３２ｂを形成できる。湾曲面３２ｂは、外側に向かって凸となる形状を有する。ウェットエッチングは、湾曲面３２ｂが第２面３０２に達する前に終了させる。なお、等方性のドライエッチングによって第１層３０を第１面３０１側から加工してもよい。

続いて、第１の実施の形態の場合と同様に、第１開口３１が中間層５０に到達するまで、ドライエッチング工程及び保護膜形成工程を繰り返し実施する。これによって、図３６に示すように、湾曲面３２ｂ及び第２面３０２に接続されている凹凸面３２ｃを形成できる。

湾曲面３２ｂは、第１面３０１に向かうにつれて外側に広がるテーパ面３２ａでもある。このため、湾曲面３２ｂに近接する第２開口４１においてシャドウが生じることを抑制できる。

（第９の実施の形態）
上述の実施の形態においては、平面視において１つの第１開口３１が１つの有効領域４４に重なる例を示した。本形態においては、１つの第１開口３１が２つ以上の有効領域４４に重なる例を説明する。

例えば図３７又は図３８に示すように、第１層３０が１つの第１開口３１を含み、１つの第１開口３１が２つ以上の有効領域４４に重なっていてもよい。第１開口３１は、図３７に示すように、平面視において、複数の直線の辺を含む輪郭を有していてもよい。第１開口３１は、図３８に示すように、平面視において、湾曲した部分を含む輪郭を有していてもよい。図３８に示すように、第１開口３１の輪郭は、第１層３０の輪郭の相似形であってもよい。

例えば図３９又は図４０に示すように、第１層３０が２つ以上の第１開口３１を含み、１つの第１開口３１が２つ以上の有効領域４４に重なっていてもよい。第１開口３１は、図３９に示すように、平面視において、第２方向Ｄ２に並ぶ２以上の有効領域４４の列を囲んでいてもよい。第１開口３１は、図４０に示すように、平面視において、第１方向Ｄ１に並ぶ２以上の有効領域４４及び第２方向Ｄ２に並ぶ２以上の有効領域４４を囲んでいてもよい。

本実施の形態によれば、上述の実施の形態の場合に比べて、平面視における第１層３０の面積を低減できる。このことは、基板１１０に対するマスク２０の出射面２０２の密着性を高める可能性がある。

（第１０の実施の形態）
図４１は、有機デバイス１００を備える装置２００の一例を示す図である。装置２００は、基板１１０と、有機層１３０とを含む。有機層１３０は、マスク２０を用いる蒸着法によって形成された層である。装置２００は、例えばスマートフォンである。装置２００は、タブレット端末、ウエアラブル端末などであってもよい。ウエアラブル端末は、スマートグラス、ヘッドマウントディスプレイなどである。

（第１１の実施の形態）
図４２は、第１１の実施の形態によるマスク２０の第１開口３１の第１壁面３２の一例を示す断面図である。符号Ｋは、第１層３０の厚み方向において隣り合う２つの凹部３３の頂部３３１の間の間隔を表す。図４２に示すように、間隔Ｋは不均一であってもよい。この場合、凹部３３の周期Ｐは、一定の範囲内に位置する複数の凹部３３の間隔Ｋの値を平均することによって算出される。

図４３は、第１層３０の第１面３０１の近傍における、第１開口３１の第１壁面３２の一例を示す断面図である。上述の第１周期Ｐ１は、第１面３０１から厚み方向において距離Ｌ１の範囲内に位置する複数の凹部３３の間隔Ｋの値を平均することによって算出される。

図４４は、第１層３０の第２面３０２の近傍における、第１開口３１の第１壁面３２の一例を示す断面図である。上述の第２周期Ｐ２は、第２面３０２から厚み方向において距離Ｌ１の範囲内に位置する複数の凹部３３の間隔Ｋの値を平均することによって算出される。

第１の実施の形態の場合と同様に、第２周期Ｐ２は第１周期Ｐ１よりも小さくてもよい。Ｐ２／Ｐ１は、例えば０．９８以下であり、０．９５以下であってもよく、０．９０以下であってもよい。Ｐ２／Ｐ１は、例えば０．１０以上であり、０．２０以上であってもよく、０．３０以上であってもよい。

距離Ｌ１は、第１層３０の厚みＴ１に応じて定められる。具体的には、距離Ｌ１は、厚みＴ１の４％である。例えば、第１層３０の厚みＴ１が６２５μｍである場合、距離Ｌ１は２５μｍである。

間隔Ｋは、走査型電子顕微鏡を用いて第１層３０の断面の画像を観察することによって測定できる。観察のためのサンプルは、集束イオンビーム装置によって第１層３０を切断することによって取得できる。第１層３０は、平面視における第１開口３１の中心点を通るように切断される。第１開口３１の中心点は、集束イオンビーム装置を操作する作業者の目視によって定められる。第１層３０の切断ラインは、加工の精度に起因して、第１開口３１の中心点からずれることがある。第１開口３１の中心点から３ｍｍ以下のずれは許容される。

第１面３０１の近傍における間隔Ｋの測定結果、及び第２面３０２の近傍における間隔Ｋの測定結果の一例を以下の表に示す。６個の第１開口３１に関して、第１面３０１の近傍及び第２面３０２の近傍のそれぞれにおいて間隔Ｋを測定した。第１面３０１の近傍における間隔Ｋの平均値は、上述の第１周期Ｐ１に相当する。第２面３０２の近傍における間隔Ｋの平均値は、上述の第２周期Ｐ２に相当する。第１層３０の厚みは６２５μｍであった。第１開口３１の寸法Ｓ２は１６ｍｍであった。

図４５は、第１開口３１の凹部３３の間隔Ｋが不均一になる理由の一例を説明するための図である。第１開口３１は、上述の第１加工工程によって形成される。第１加工工程においては、第１面３０１側から第１層３０をドライエッチングするドライエッチング工程と、ドライエッチングによって形成される穴の壁面及び底面に保護膜を形成する保護膜形成工程とが、チャンバ内で繰り返し実施される。図４５の縦軸は、チャンバ内に供給されるガスの流量を表す。横軸は、時間を表す。符号Ｆ１は、ドライエッチング工程ＳＴ１においてチャンバ内に供給されるエッチングガスの流量を表す。エッチングガスは、例えばＳＦ_６ガスである。符号Ｆ２は、保護膜形成工程ＳＴ２においてチャンバ内に供給される原料ガスの流量を表す。原料ガスは、例えばＣ_４Ｆ_８ガスである。

第１加工工程においては、チャンバ内においてエッチングガス及び原料ガスが混在していることがある。例えば、図４５に示すように、ドライエッチング工程ＳＴ１から保護膜形成工程ＳＴ２に切り替わった直後には、チャンバ内にエッチングガスが残っていることがある。例えば、図４５に示すように、保護膜形成工程ＳＴ２からドライエッチング工程ＳＴ１に切り替わった直後には、チャンバ内に原料ガスが残っていることがある。第１層３０のエッチング速度は、エッチングガスと原料ガスの混合比率の影響を受ける。このため、エッチングガスと原料ガスの混合比率が、位置に応じてばらついている場合、凹部３３の形状が、位置に応じてばらつく可能性がある。例えば、凹部３３の間隔及び／又は深さが、不均一になることがある。

第１層３０の厚みＴ１が大きくなるほど、第１開口３１の深さも大きくなる。このため、第１開口３１の内部に残留しているガスが排出されにくくなる。この結果、エッチングガスと原料ガスの混合が生じやすくなり、凹部３３の形状のばらつきが生じやすくなる。

図４６及び図４７は、第１開口３１の凹部３３の間隔Ｋが不均一になる理由の一例を説明するための図である。図４６は、第１加工工程によって形成された凹部３３の一例を示している。図４６に示すように、複数の頂部３３１のうちの一部は、内側に鋭く突出することがある。このような鋭い突出部は、バリとも称される。第１加工工程は、このようなバリを除去するスムージング工程を含んでもよい。スムージング工程は、例えば等方性エッチング処理を含む。等方性エッチング処理は、例えばＳＦ_６ガスを用いてバリを除去してもよい。

スムージング工程は、第１壁面３２にバリが生じている場合だけでなく、第１壁面３２が荒れている場合にも実施されてもよい。第１壁面３２の荒れの例は、例えば、線状の起伏などである。線状の起伏は、第１層３０の厚み方向に沿って生じることがある。第１壁面３２が荒れている場合、マスク２０の製造工程の間、マスク２０の洗浄工程の間などに、第１壁面３２の一部が破損することが考えられる。スムージング工程は、第１壁面３２の荒れを和らげることができる。このため、第１壁面３２の一部が破損することを抑制できる。

図４７は、スムージング工程が施された凹部３３の一例を示している。一部の鋭い頂部３３１が除去されることにより、凹部３３の頂部３３１の間の間隔Ｋが不均一になる。

凹部３３の頂部３３１の間の間隔Ｋが不均一であることのいくつかの利点を説明する。下記の複数の利点のうちの少なくとも１つが発現していることが好ましい。

第１の利点は、第１開口３１の第１壁面３２に付着する蒸着材料７の規則性を乱すことができる、という点である。例えば、第１壁面３２に付着する蒸着材料７の厚みを、位置に応じて不規則に変化させることができる。これにより、蒸着材料７が第１壁面３２に規則的に付着している場合に比べて、蒸着材料７が蒸着工程の間に第１壁面３２から剥がれてしまうことを抑制できる。

第２の利点は、マスク２０の洗浄工程において、第１壁面３２に付着した蒸着材料７の隙間に洗浄液が浸入しやすくなる、という点である。これにより、洗浄工程に要する時間を短縮できる。洗浄工程は、蒸着工程の後に実施される。洗浄されたマスク２０は、再び蒸着工程で使用される。

第３の利点は、第１開口３１の第１壁面３２に一旦付着した蒸着材料７が蒸発して基板１１０に向かう場合に、蒸着材料７の進行方向が不規則になる、という点である。これにより、基板１１０の第１面１１１に形成される蒸着層の厚みの均一性を高めることができる。第１壁面３２上の蒸着材料７の蒸発は、第１層３０が加熱される場合に生じ得る。

上記実施の形態および変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記実施の形態および変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。

Claims (19)

1. 第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面へ貫通する少なくとも１つの第１開口と、前記第１開口に面する第１壁面と、を含む第１層と、
   前記第２面に対向する第３面と、前記第３面の反対側に位置する第４面と、前記第３面から前記第４面へ貫通し、平面視において前記第１開口に重なる複数の第２開口と、を含む第２層と、
   少なくとも前記第２面と前記第３面との間に位置する第１中間層と、を含み、
   前記第１層は、シリコンを含み、
   前記第２層は、樹脂材料を含み、
   前記第１壁面は、前記第１層の厚み方向に並ぶ複数の凹部を含む、マスク。
2. 前記第１面に近接する複数の前記凹部は、第１周期で前記厚み方向に並び、
   前記第２面に近接する複数の前記凹部は、前記第１周期よりも小さい第２周期で前記厚み方向に並ぶ、請求項１に記載のマスク。
3. 前記第１面に近接する複数の前記凹部は、第１深さを有し、
   前記第２面に近接する複数の前記凹部は、前記第１深さよりも小さい第２深さを有する、請求項１に記載のマスク。
4. 前記第１中間層は、前記第２面上における前記第１開口の輪郭よりも外側に位置する第１中間壁面を含む、請求項１に記載のマスク。
5. 前記第１中間層は、１μｍ以下の厚みを有する第１中間層を含む、請求項１に記載のマスク。
6. 前記第２層の前記第３面に位置し、１μｍ以上の厚みを有する第２中間層を含む、請求項１に記載のマスク。
7. 前記第１層は、複数の前記第１開口と、平面視において隣り合う前記第１開口の間に位置する内側領域と、平面視において前記第１層の外縁と前記第１開口との間に位置する外側領域と、を含む、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のマスク。
8. 前記内側領域の厚みは、前記外側領域の厚みよりも小さい、請求項７に記載のマスク。
9. 前記第２層の厚みは、前記第１層の厚みよりも小さく、
   前記第１中間層の厚みは、前記第２層の厚みよりも小さい、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のマスク。
10. 前記第１壁面は、前記第１面に向かうにつれて外側に広がるテーパ面を含む、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のマスク。
11. 前記第１面に位置する応力調整層を備える、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のマスク。
12. 前記第２層はポリイミドを含む、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のマスク。
13. 第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含む第１層と、前記第２面に対向する第３面及び前記第３面の反対側に位置する第４面を含む第２層と、前記第２面と前記第３面との間に位置する第１中間層と、を備える積層体を準備する工程と、
    前記第１面上に部分的にレジスト層を形成する工程と、
    前記第１面側から前記第１層をエッチングすることによって、前記第１層に第１開口を形成する第１加工工程と、
    前記第２層に複数の第２開口を形成する第２加工工程と、を備える、マスクの製造方法。
14. マスクの製造方法であって、
    第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含む第１層を準備する工程と、
    前記第２面上に部分的にレジスト層を形成する工程と、
    前記第２面側から前記第１層をエッチングすることによって、前記第１層に第１開口を形成する第１加工工程と、
    前記第２面に対向する第３面及び前記第３面の反対側に位置する第４面を含む第２層を前記第１層に接合する工程と、
    前記第２層に複数の第２開口を形成する第２加工工程と、を備え、
    前記マスクは、前記第２面と前記第３面との間に位置する第１中間層を含む、マスクの製造方法。
15. 前記第１加工工程は、交互に繰り返し実施されるドライエッチング工程及び保護膜形成工程を含む、請求項１３又は１４に記載のマスクの製造方法。
16. 前記第１加工工程の後、前記第２加工工程の前に、前記レジスト層を除去する工程を備える、請求項１３又は１４に記載のマスクの製造方法。
17. 前記第１加工工程の後、前記第２加工工程の前に、平面視において前記第１開口に重なる前記第１中間層を除去する工程を備える、請求項１３又は１４に記載のマスクの製造方法。
18. 前記第２加工工程の後、平面視において前記第１開口に重なる前記第１中間層を除去する工程を備える、請求項１３又は１４に記載のマスクの製造方法。
19. 請求項１に記載のマスクを用いる蒸着法によって基板上に有機層を形成する工程を備える、有機デバイスの製造方法。