JP2023090151A - 半導体パワーモジュールおよび電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】過電流保護の精度を向上させた半導体パワーモジュールを提供する。【解決手段】パッケージ内に3相交流インバータが組み込まれた半導体パワーモジュールであって、第4から第6のスイッチング素子をそれぞれ搭載する第1から第3の回路パターンおよび第1から第3のスイッチング素子を搭載する第4の回路パターンと、第4から第6のスイッチング素子のそれぞれの主電極配線が共通に接続される第2の主電極と、第2の主電極に接続される第2の主電極端子と、第4の回路パターンと電気的に接続される第1の主電極と、第1の主電極に接続される第1の主電極端子と、を備え、第2の主電極はパッケージの一辺に沿って延在し、第2の主電極端子は、平面視で第2の主電極の延在方向の端部に設けられ、第4から第6のスイッチング素子のそれぞれの主電極配線は、平面視で第2の主電極端子までの水平方向の距離が近い主電極配線ほど長さが長くなる。【選択図】図1
Description
本開示は半導体パワーモジュールに関し、特に、過電流保護の精度を向上させた半導体パワーモジュールに関する。
並列接続された複数のトランジスタチップを有する半導体パワーモジュールにおいて、均一に低インダクタンスとなるようなワイヤボンディングによる接続方法が、例えば特許文献1おいて開示されている。
特許文献1に開示の技術は、同一の回路パターン上に複数のトランジスタチップが並列に接続される半導体パワーモジュールを対象としており、3相交流インバータが同一のパッケージ内に組み込まれた半導体パワーモジュールについては対象としていない。
同一のパッケージ内に3相交流インバータを組み込む場合、N端子に接続されるエミッタ電極は共通に接続され、負荷電流が流れると共通に接続されたエミッタ電極の配線インダクタンスの差異により、過電流保護動作時に規定値よりも早くパワーモジュールが遮断されるという問題があった。
本開示は上記のような問題点を解決するためになされたもので、過電流保護の精度を向上させた半導体パワーモジュールを提供することを目的とする。
本開示に係る半導体パワーモジュールは、パッケージ内に3相交流インバータが組み込まれた半導体パワーモジュールであって、前記3相交流インバータは、第1の電位が与えられる第1の主電源線と、前記第1の電位よりも低い第2の電位が与えられる第2の主電源線との間に直列に接続された第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子、第3のスイッチング素子および第4のスイッチング素子、第5のスイッチング素子および第6のスイッチング素子と、前記第1および第6のスイッチング素子のそれぞれに、逆並列に接続された第1の還流素子、第2の還流素子、第3の還流素子、第4の還流素子、第5の還流素子および第6の還流素子と、を有し、前記半導体パワーモジュールは、前記第4から第6のスイッチング素子をそれぞれ搭載する第1の回路パターン、第2の回路パターン、第3の回路パターンおよび前記第1から第3のスイッチング素子を搭載する第4の回路パターンと、前記第4から第6のスイッチング素子のそれぞれの主電極配線が共通に接続される第2の主電極と、前記第2の主電極に接続される第2の主電極端子と、前記第4の回路パターンと電気的に接続される第1の主電極と、前記第1の主電極に接続される第1の主電極端子と、を備え、前記第1から第3の回路パターンの前記第4から第6のスイッチング素子をそれぞれ搭載する第1のダイパッド、第2のダイパッドおよび第3のダイパッドは、互いに平行になるように一列に配列され、その配列方向は、前記パッケージの一辺に沿った方向であって、前記第2の主電極は、前記一辺に沿って延在するように設けられ、前記第2の主電極端子は、平面視で前記第2の主電極の延在方向の端部に設けられ、前記第4から第6のスイッチング素子のそれぞれの前記主電極配線は、平面視で前記第2の主電極端子までの水平方向の距離が近い前記主電極配線ほど長さが長くなるように設けられる。
本開示に係る半導体パワーモジュールによれば、第4から第6のスイッチング素子のそれぞれの主電極配線が、平面視で第2の主電極端子までの水平方向の距離が近い主電極配線ほど長さが長くなるように設けられるので、第4から第6のスイッチング素子から第2の主電極までのそれぞれの配線インダクタンスの大きさを揃えることができ、過電流保護の精度を向上させた半導体パワーモジュールを得ることができる。
<実施の形態1>
図1は、本開示に係る実施の形態1の半導体パワーモジュール100の構成を示す平面図であり、図2は、図1のX-Y線における矢示方向断面図である。なお、図1では、便宜的に、樹脂ケースRCの上部構造を省略し、回路パターンが目視できるようにしている。また、図2では、便宜的に、樹脂ケースRC内に充填される封止樹脂を省略している。
図1は、本開示に係る実施の形態1の半導体パワーモジュール100の構成を示す平面図であり、図2は、図1のX-Y線における矢示方向断面図である。なお、図1では、便宜的に、樹脂ケースRCの上部構造を省略し、回路パターンが目視できるようにしている。また、図2では、便宜的に、樹脂ケースRC内に充填される封止樹脂を省略している。
図2に示されるように、半導体パワーモジュール100は、樹脂ケースRCの底面を形成するベース板BPの上に絶縁基板IBが搭載されている。
絶縁基板IBには、図1に示されるように複数の回路パターンが形成されている。すなわち、P側コレクタ回路パターンPCP、N側コレクタ回路パターンNCP1、NCP2およびNCP3が形成されている。
P側コレクタ回路パターンPCPには、トランジスタチップ4、5および6と、ダイオードチップ14、15および16が搭載されている。N側コレクタ回路パターンNCP1には、トランジスタチップ1およびダイオードチップ11が搭載され、N側コレクタ回路パターンNCP2には、トランジスタチップ2およびダイオードチップ12が搭載され、N側コレクタ回路パターンNCP3には、トランジスタチップ3およびダイオードチップ13が搭載されている。
トランジスタチップ4のエミッタおよびダイオードチップ14のアノードは、ワイヤWRを介してN側コレクタ回路パターンNCP1に共通に接続され、トランジスタチップ5のエミッタおよびダイオードチップ15のアノードは、ワイヤWRをN側コレクタ回路パターンNCP2に共通に接続され、トランジスタチップ5のエミッタおよびダイオードチップ15のアノードは、ワイヤWRをN側コレクタ回路パターンNCP3に共通に接続されている。
N側コレクタ回路パターンNCP1は、ワイヤWRを介してU端子UTに電気的に接続され、N側コレクタ回路パターンNCP2は、ワイヤWRを介してV端子VTに電気的に接続され、N側コレクタ回路パターンNCP3は、ワイヤWRを介してW端子WTに電気的に接続されている。なお、U端子UT、V端子VTおよびW端子WTは、樹脂ケースRCの上部構造において露出している。
トランジスタチップ1のエミッタおよびダイオードチップ11のアノードは、エミッタワイヤEW1を介してN側主電極NMに共通に接続され、トランジスタチップ2のエミッタおよびダイオードチップ12のアノードは、エミッタワイヤEW2を介してN側主電極NMに共通に接続され、トランジスタチップ3のエミッタおよびダイオードチップ13のアノードは、エミッタワイヤEW3を介してN側主電極NMに共通に接続され、N側主電極NMは、樹脂ケースRCの上部構造において、半導体パワーモジュール100のN端子NTとして露出している。
P側コレクタ回路パターンPCPは、ワイヤWRを介してP側主電極PMに接続され、P側主電極PMは、樹脂ケースRCの上部構造において、半導体パワーモジュール100のP端子PTとして露出している。
なお、トランジスタチップ1~6のエミッタ側となる表面には、センス電流端子CSがそれぞれ設けられ、ワイヤWRを介して中継端子RTに電気的に接続されている。
また、トランジスタチップ1~6のエミッタ側となる表面には、ゲート端子(図示せず)がそれぞれ設けられ、ワイヤWRを介して中継端子RTに電気的に接続されている。
図2に示されるように、中継端子RTは、半導体パワーモジュール100内の絶縁基板IBに設けられる制御基板CBに搭載される制御回路CCに電気的に接続され、制御回路CCから出力されるゲート信号を、トランジスタチップに入力したり、センス電流端子CSから出力されるセンス電流を制御回路CCに入力したりする。
また、図2に示されるように、樹脂ケースRCの上部構造には、製造時に制御基板CBと外部との電気的な信号をやり取りするための複数のコネクタCNが設けられ、複数のコネクタCNの配列の両側には外部コネクタの挿入性向上のための、ガイドピンGDが設けられている。
図3は、半導体パワーモジュール100の回路構成を示す図である。図3に示すように、電源PWの正極に接続された高電位側(P側)のP端子PTに接続される主電源線PLと、電源PWの負極に接続された低電位側(N側)のN端子NTに接続される主電源線NLとの間に、トランジスタチップ4とトランジスタチップ1が直列に接続され、トランジスタチップ5とトランジスタチップ2が直列に接続され、トランジスタチップ6とトランジスタチップ3が直列に接続されている。また、電源PWには平滑コンデンサCXが並列に接続されている。なお、電源PWは半導体パワーモジュール100に組み込まれているものではなくモジュール外部に設けられ、P端子PTおよびN端子NTを介して外部から直流電力が供給される。
トランジスタチップ4とトランジスタチップ1の接続ノードは、U相を出力するU端子UTとなり、トランジスタチップ5とトランジスタチップ2の接続ノードは、V相を出力するV端子VTとなり、トランジスタチップ6とトランジスタチップ3の接続ノードは、W相を出力するW端子WTとなり、トランジスタチップ1~6で3相交流インバータが構成される。
また、トランジスタチップ1~6には、それぞれダイオードチップ11~16が逆並列に接続されている。
トランジスタチップ1~6は、それぞれ制御回路CC1、CC2、CC3、CC4、CC5およびCC6によって制御され、例えば、制御回路CC4のゲート端子GTからは、ゲート信号が出力され、トランジスタチップ4のゲートに入力される。また、制御回路CC4の電流センス端子SCには、トランジスタチップ4のセンス電流端子CS(図1)からセンス電流が入力される。制御回路CC4の基準電位端子GNDは、U端子UTに接続されている。
図1に示されるように、半導体パワーモジュール100においては、コレクタ電位が異なるトランジスタチップ1~3のそれぞれのエミッタワイヤEW1、EW2およびEW3の長さは、N端子NTまでの水平方向の距離が近いエミッタワイヤほど長くなるように構成されている。すなわち、N側コレクタ回路パターンNCP1、NCP2およびNCP3は、トランジスタチップおよびダイオードチップを搭載するダイパッドDP1、DP2およびDP3が、互いに平行になるように一列に配列され、その配列方向は、平面視形状が長方形の樹脂ケースRCの長辺に沿った方向となっている。また、N側コレクタ回路パターンNCP1、NCP2およびNCP3のダイパッドDP1~DP3は、互いに段違いとなるように設けられている。すなわち、ダイパッドDP1のN側主電極NM側の先端は、N側主電極NMから最も離れた位置に設けられ、ダイパッドDP3のN側主電極NM側の先端は、N側主電極NMから最も近い位置に設けられ、ダイパッドDP3のN側主電極NM側の先端は、ダイパッドDP1とダイパッドDP3との間の位置に設けられている。換言すれば、ダイパッドDP1~DP3は、平面視でN端子NTに向けて高さが低くなるステップ状の配置となるように設けられている。
そして、N端子NTおよびP端子PTは、樹脂ケースRCの一方の短辺に沿って設けられており、N側主電極NMは、樹脂ケースRCの一方の長辺に沿って延在し、樹脂ケースRCの一方の短辺側の側壁内で折れ曲がり(図2)、樹脂ケースRCの上部構造において露出している。このため、平面視においては、エミッタワイヤEW1、EW2およびEW3が、N端子NTに対して一列に並ぶような配置となり、N端子NTまでの水平方向の距離、すなわち、樹脂ケースRCの長辺に平行な方向の距離が近いエミッタワイヤほど長さが長くなるように構成されている。より具体的には、N端子NTに最も近いエミッタワイヤEW1の長さが最も長く、N端子NTに最も遠いエミッタワイヤEW3の長さが最も短くなっている。
なお、N端子NTおよびP端子PTを樹脂ケースRCの一方の短辺に隣り合って設けることで、N側主電極NMおよびP側主電極のインダクタンスを低減でき、サージ電圧を抑制することができる。
このように、ダイパッドDP1~DP3を平面視でN端子NTに向けて高さが低くなるステップ状の配置とすることで、N端子NTまでの水平方向の距離が近いエミッタワイヤほどワイヤ長を長くすることができ、寄生インダクタンスを揃え、配線インダクタンスを同じにすることができ、過電流保護の精度を向上させることができる。
以下、過電流保護の精度向上のメカニズムを説明する。まず、各トランジスタチップに設けられたセンス電流端子CSは、ワイヤWRを介して中継端子RTを経由し、制御基板CB(図2)上の制御回路CCの電流センス端子SCに接続されている。
電流センス端子SCは過電流および短絡電流を検知するために設けられており、SC-GND間の電圧をモニタしている。トランジスタチップ1~6に設けられたセンス電流端子CS(図1)にコレクタ電流に比例した微小な電流、例えばコレクタ電流の1/10000程度のセンス電流が流れることで、SC-GND間の電圧が上昇する。SC-GND間の電圧が閾値に達すると制御回路CCの過電流保護機能が動作し、過電流保護がかけられ、過電流時に半導体パワーモジュール100が破損する前に過電流を遮断することができる。
ここで、図3に示されるように、主電源線NLすなわちN側主電極NM(図1)には寄生インダクタンスが存在しており、N側主電極NMの寄生インダクタンスをN端子NTに近い方からLN1、LN2、LN3とし、N側のエミッタワイヤEW1、エミッタワイヤEW2およびエミッタワイヤEW3の寄生インダクタンスを、それぞれLUN、LVNおよびLWNとする。
次に、半導体パワーモジュール100の3相交流インバータのインバータ動作を模擬したHブリッジ回路を図4、図5に示す。
図4は、P側はトランジスタチップ6、N側はトランジスタチップ1を通電(オン)させた場合の電流経路を矢印で示しており、制御基板CB上のN側の基準電位端子GNDが共通であることを太い実線で示している。この基準電位端子GNDが共通となっているパターンをN側エミッタのGNDパターンと呼称する。なお、図4では、U端子UT、V端子VTおよびW端子WTを介する電流経路が示されているが、これは各端子に接続される外部の誘導性負荷(図示せず)を介しての電流経路である。
図5は、3相交流インバータを図4の電流経路で動作させた後、トランジスタチップ6の通電を止めた場合の還流電流経路を矢印で示しており、制御基板CB(図2)上のN側の基準電位端子GNDが共通であることを太い実線で示している。
3相交流インバータを図4の電流経路で動作させた後、トランジスタチップ6の通電を止めると、図5のような還流電流が発生する。このとき、還流電流の通電経路にある寄生インダクタンスLN2、LN3およびLWNの影響によって制御基板CB上のN側エミッタのGNDパターンに電位差が生じ、トランジスタチップ1に接続される制御回路CC1のSC-GND間にスパイク状のノイズ電圧が発生する。
このスパイク状のノイズ電圧のシミュレーション結果を図6に示す。図6においては、横軸を時間(任意単位)とし、縦軸をSC-GND間電圧(任意単位)としており、スパイク状のノイズ電圧SNが周期的に発生していることが示されている。ここで、シミュレーション条件としては、図1に示したエミッタワイヤEW1、EW2およびEW3の長さを全て等しくしたと想定して、寄生インダクタンスLUN、LVNおよびLWNを同じ値としている。
スパイク状のノイズ電圧が発生することで制御回路での過電流保護の誤動作を誘発する。なお、スパイク状のノイズ電圧の大きさは還流時の通電経路の寄生インダクタンスに依存する。
また、図4、図5と同様のインバータ動作を模擬したHブリッジ回路を図7、図8に示す。
図7は、P側はトランジスタチップ4、N側はトランジスタチップ3を通電(オン)させた場合の電流経路を矢印で示しており、制御基板CB上のN側の基準電位端子GNDが共通であることを太い実線で示している。
図8は、3相交流インバータを図7の電流経路で動作させた後、トランジスタチップ4の通電を止めた場合の還流電流経路を矢印で示しており、制御基板CB(図2)上のN側の基準電位端子GNDが共通であることを太い実線で示している。
3相交流インバータを図7の電流経路で動作させた後、トランジスタチップ4の通電を止めると、図8のような還流電流が発生する。このとき還流電流の通電経路にある寄生インダクタンスLUNの影響によって制御基板CB上のN側エミッタのGNDパターンに電位差が生じ、トランジスタチップ3に接続される制御回路CC3のSC-GND間にスパイク状のノイズ電圧が発生する。
このスパイク状のノイズ電圧のシミュレーション結果を図9に示す。図9においては、横軸を時間(任意単位)とし、縦軸をSC-GND間電圧(任意単位)としており、スパイク状のノイズ電圧SNが周期的に発生していることが示されている。ここで、シミュレーション条件としては、図1に示したエミッタワイヤEW1、EW2およびEW3の長さを全て等しくしたと想定して、寄生インダクタンスLUN、LVNおよびLWNを同じ値としている。なお、図9のシミュレーション結果は、寄生インダクタンスLUNの影響だけを受けた結果であるので、図6のシミュレーション結果と比較して、スパイク状のノイズ電圧SNの高さは低い。このように、影響を受ける寄生インダクタンスの値によってスパイク状のノイズ電圧に有意差が生じるため、過電流保護の精度にバラつきが生じる。
これに対し、図1を用いて説明したように、実施の形態1の半導体パワーモジュール100においては、トランジスタチップ1~3のそれぞれのエミッタワイヤEW1、EW2およびEW3の長さは、N端子NTまでの水平方向の距離が近いエミッタワイヤほど長くなるようにすることで、寄生インダクタンスの値がLUN>LVN>LWNの関係となるようにしている。
ここで、3相交流インバータを図4の電流経路で動作させた後、トランジスタチップ6の通電を止めた場合に図5の還流電流経路が形成される場合のトランジスタチップ1に接続される制御回路CC1のSC-GND間に発生するスパイク状のノイズ電圧のシミュレーション結果を図10に示す。図10においてもスパイク状のノイズ電圧SNが周期的に発生しているが、図6に示したシミュレーション結果と比較して、スパイク状のノイズ電圧SNの高さは低い。
また、3相交流インバータを図7の電流経路で動作させた後、トランジスタチップ4の通電を止めた場合に図7の還流電流経路が形成される場合のトランジスタチップ3に接続される制御回路CC3のSC-GND間に発生するスパイク状のノイズ電圧のシミュレーション結果を図11に示す。図11においてもスパイク状のノイズ電圧SNが周期的に発生しているが、スパイク状のノイズ電圧SNの高さは図10に示したシミュレーション結果と同様となっている。このように、トランジスタチップ1~3に接続される制御回路CC1~CC3のSC-GND間のスパイク状のノイズ電圧を揃えることができ、トランジスタチップ1~3の過電流保護の精度を向上させることができる。
なお、図10および図11に示したシミュレーション結果のシミュレーション条件は、寄生インダクタンスの数値をLUN=LVN+LN2=LWN+LN2+LN3の関係となるように各寄生インダクタンスの大きさを設定し、トランジスタチップ1~3のそれぞれのエミッタワイヤEW1、EW2およびEW3の長さを、N端子NTまでの水平方向の距離が近いエミッタワイヤほど長くすることと等価とした。
また、半導体パワーモジュール100の定格としては、出力電流10~500A、出力電圧600~1700Vを想定した。
<実施の形態2>
図12は、本開示に係る実施の形態2の半導体パワーモジュール200の構成を示す平面図であり、図1に示した実施の形態1の半導体パワーモジュール100と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
図12は、本開示に係る実施の形態2の半導体パワーモジュール200の構成を示す平面図であり、図1に示した実施の形態1の半導体パワーモジュール100と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
図12に示されるように、半導体パワーモジュール200においては、コレクタ電位が異なるトランジスタチップ1~3のそれぞれのエミッタワイヤEW1、EW2およびEW3のワイヤ数は、N端子NTまでの水平方向の距離が近いエミッタワイヤほどワイヤ数が少なくなるように構成されている。すなわち、樹脂ケースRCの長辺に平行な方向においてN端子NTまでの距離が近いエミッタワイヤほど配線本数が少なくなるように構成されている。より具体的には、N端子NTに最も近いエミッタワイヤEW1のワイヤ数が最も少なく、N端子NTに最も遠いエミッタワイヤEW3のワイヤ数が最も多くなっている。
N端子NTまでの水平方向の距離が近いエミッタワイヤほどワイヤ数を少なくすることで、寄生インダクタンスを揃え、配線インダクタンスを同じにすることができ、過電流保護の精度を向上させることができる。
<実施の形態3>
図13は、本開示に係る実施の形態3の半導体パワーモジュール300の構成を示す平面図であり、図1に示した実施の形態1の半導体パワーモジュール100と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
図13は、本開示に係る実施の形態3の半導体パワーモジュール300の構成を示す平面図であり、図1に示した実施の形態1の半導体パワーモジュール100と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
図13に示されるように、半導体パワーモジュール300においては、コレクタ電位が異なるトランジスタチップ1~3のそれぞれのエミッタワイヤEW1、EW2およびEW3のワイヤ径は、N端子NTまでの水平方向の距離が近いエミッタワイヤほどワイヤ径が小さくなるように構成されている。すなわち、樹脂ケースRCの長辺に平行な方向においてN端子NTまでの距離が近いエミッタワイヤほどワイヤ径が小さくなるように構成されている。より具体的には、N端子NTに最も近いエミッタワイヤEW1のワイヤ径が最も小さく、N端子NTに最も遠いエミッタワイヤEW3のワイヤ径が最も大きくなっている。
N端子NTまでの水平方向の距離が近いエミッタワイヤほどワイヤ径を小さくすることで、寄生インダクタンスを揃え、配線インダクタンスを同じにすることができ、過電流保護の精度を向上させることができる。
<変形例>
なお、以上説明した実施の形態1~3では、スイッチング素子であるトランジスタチップと還流素子であるダイオードチップを個別のチップとして示したが、スイッチング素子と還流素子を1チップ化した逆動通絶縁ゲートトランジスタ(Reverse Conducting IGBT:RC-IGBT)を用いた場合でも、同様の効果を奏することができる。
なお、以上説明した実施の形態1~3では、スイッチング素子であるトランジスタチップと還流素子であるダイオードチップを個別のチップとして示したが、スイッチング素子と還流素子を1チップ化した逆動通絶縁ゲートトランジスタ(Reverse Conducting IGBT:RC-IGBT)を用いた場合でも、同様の効果を奏することができる。
スイッチング素子の半導体としては、シリコン(Si)に限定されず、炭化珪素(SiC)および窒化ガリウム(GaN)などのワイドバンドギャップ半導体を用いることができる。ワイドバンドギャップ半導体を用いたワイドバンドギャップ半導体素子は、シリコン半導体素子と比較して、小型化が可能で、耐圧性に優れ、許容電流密度も高く、また耐熱性も高いため高温動作も可能である。
また、以上説明した実施の形態1~3では、エミッタワイヤEW1~EW3として、ワイヤを用いた例を示したが、リボンワイヤを用いこともできる。
<実施の形態4>
本実施の形態は、上述した実施の形態1~3の半導体パワーモジュール100~300を電力変換装置に適用したものである。
本実施の形態は、上述した実施の形態1~3の半導体パワーモジュール100~300を電力変換装置に適用したものである。
図14は、実施の形態4に係る電力変換装置を適用した電力変換システムの構成を示すブロック図である。
図14に示す電力変換システムは、電源1000、電力変換装置2000および負荷3000で構成される。
電源1000は、直流電源であり、電力変換装置2000に直流電力を供給する。電源1000は種々のもので構成することが可能であり、例えば、直流系統、太陽電池、蓄電池で構成することができるし、交流系統に接続された整流回路およびAC/DCコンバータで構成することとしても良い。また、電源1000を、直流系統から出力される直流電力を所定の電力に変換するDC/DCコンバータによって構成することとしても良い。
電力変換装置2000は、上述した実施の形態1~3の半導体パワーモジュール100~300の何れかを、少なくとも1個適用する。半導体パワーモジュール100~300のU端子UT、V端子VT、W端子WTは、負荷3000に接続される。
負荷3000は、電力変換装置2000によって直流電力から交流電力に変換された交流電力によって駆動される三相の電動機である。なお、負荷3000は特定の用途に限られるものではなく、各種電気機器に搭載された電動機であり、例えば、ハイブリッド自動車、電気自動車、鉄道車両、エレベーター、若しくは、空調機器向けの電動機として用いられる。
本実施の形態に係る電力変換装置は、実施の形態1~3の半導体パワーモジュール100~300の何れかを少なくとも1個適用するため、過電流保護の精度を向上させることができる。また、半導体パワーモジュールが小型化されることで、システム全体を小型化できる。
なお、本開示は、その開示の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
1~6 トランジスタチップ、11~16 ダイオードチップ、CC1~CC6 制御回路、NL,PL 主電源線、NCP1,NCP2,NCP3 N側コレクタ回路パターン、PCP P側コレクタ回路パターン、EW1,EW2,EW3 エミッタワイヤ、NM N側主電極、PM P側主電極、NT N端子、PT P端子、DP1,DP2,DP3 ダイパッド、CS センス電流端子、SC 電流センス端子。
Claims (8)
- パッケージ内に3相交流インバータが組み込まれた半導体パワーモジュールであって、
前記3相交流インバータは、
第1の電位が与えられる第1の主電源線と、前記第1の電位よりも低い第2の電位が与えられる第2の主電源線との間に直列に接続された第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子、第3のスイッチング素子および第4のスイッチング素子、第5のスイッチング素子および第6のスイッチング素子と、
前記第1および第6のスイッチング素子のそれぞれに、逆並列に接続された第1の還流素子、第2の還流素子、第3の還流素子、第4の還流素子、第5の還流素子および第6の還流素子と、を有し、
前記半導体パワーモジュールは、
前記第4から第6のスイッチング素子をそれぞれ搭載する第1の回路パターン、第2の回路パターン、第3の回路パターンおよび前記第1から第3のスイッチング素子を搭載する第4の回路パターンと、
前記第4から第6のスイッチング素子のそれぞれの主電極配線が共通に接続される第2の主電極と、
前記第2の主電極に接続される第2の主電極端子と、
前記第4の回路パターンと電気的に接続される第1の主電極と、
前記第1の主電極に接続される第1の主電極端子と、を備え、
前記第1から第3の回路パターンの前記第4から第6のスイッチング素子をそれぞれ搭載する第1のダイパッド、第2のダイパッドおよび第3のダイパッドは、互いに平行になるように一列に配列され、その配列方向は、前記パッケージの一辺に沿った方向であって、
前記第2の主電極は、前記一辺に沿って延在するように設けられ、
前記第2の主電極端子は、平面視で前記第2の主電極の延在方向の端部に設けられ、
前記第4から第6のスイッチング素子のそれぞれの前記主電極配線は、平面視で前記第2の主電極端子までの水平方向の距離が近い前記主電極配線ほど長さが長くなるように設けられる、半導体パワーモジュール。 - 前記第1から第3のダイパッドは、
前記第1のダイパッドが平面視で前記第2の主電極端子までの水平方向の距離が最も近く、前記第2のダイパッド、前記第3のダイパッドの順に前記第2の主電極端子までの水平方向の距離が遠くなると共に、前記第2の主電極端子に向けて平面視での高さが低くなるステップ状に設けられる、請求項1記載の半導体パワーモジュール。 - 前記第1から第6のスイッチング素子は、センス電流端子を有し、
前記半導体パワーモジュールは、
前記第1および第6のスイッチング素子のスイッチングをそれぞれ制御する制御回路を備え、
前記制御回路は、
前記第1から第6のスイッチング素子のそれぞれの前記センス電流端子から出力されるセンス電流が入力される電流センス端子を有し、入力された前記センス電流に基づいて、前記第1および第6のスイッチング素子のスイッチングを制御する、請求項1記載の半導体パワーモジュール。 - 前記第1の主電極端子および前記第2の主電極端子は、
前記パッケージの前記一辺とは直交する他の一辺に沿って隣り合って設けられる、請求項1記載の半導体パワーモジュール。 - 前記第4から第6のスイッチング素子のそれぞれの前記主電極配線は、平面視で前記第2の主電極端子までの水平方向の距離が近い前記主電極配線ほど配線本数が少なくなるように設けられる、請求項1記載の半導体パワーモジュール。
- 前記第4から第6のスイッチング素子のそれぞれの前記主電極配線は、平面視で前記第2の主電極端子までの水平方向の距離が近い前記主電極配線ほど配線太さが小さくなくなるように設けられる、請求項1記載の半導体パワーモジュール。
- 前記第1から第6のスイッチング素子は、ワイドバンドギャップ半導体素子である、請求項1記載の半導体パワーモジュール。
- 請求項1から請求項7の何れか1項に記載の半導体パワーモジュールを有し、入力される電力を変換して出力する電力変換装置。
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