JP2023070909A - 乾燥検出方法及び乾燥検出装置 - Google Patents

乾燥検出方法及び乾燥検出装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2023070909A
JP2023070909A JP2021183365A JP2021183365A JP2023070909A JP 2023070909 A JP2023070909 A JP 2023070909A JP 2021183365 A JP2021183365 A JP 2021183365A JP 2021183365 A JP2021183365 A JP 2021183365A JP 2023070909 A JP2023070909 A JP 2023070909A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
liquid resin
solvent
wavelength
light source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021183365A
Other languages
English (en)
Inventor
良信 齋藤
Yoshinobu Saito
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2021183365A priority Critical patent/JP2023070909A/ja
Priority to KR1020220135667A priority patent/KR20230068296A/ko
Priority to TW111140465A priority patent/TW202320197A/zh
Priority to US18/052,023 priority patent/US20230296498A1/en
Priority to DE102022211606.2A priority patent/DE102022211606A1/de
Priority to CN202211383331.9A priority patent/CN116106250A/zh
Publication of JP2023070909A publication Critical patent/JP2023070909A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/255—Details, e.g. use of specially adapted sources, lighting or optical systems
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/02—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine for mounting on a work-table, tool-slide, or analogous part
    • B23Q3/06—Work-clamping means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/3554—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for determining moisture content
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/59—Transmissivity
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N2021/1738—Optionally different kinds of measurements; Method being valid for different kinds of measurement
    • G01N2021/1742—Optionally different kinds of measurements; Method being valid for different kinds of measurement either absorption or reflection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N2021/1748—Comparative step being essential in the method
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N2021/8472—Investigation of composite materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】適切なタイミングで液状樹脂の乾燥を判断することができる乾燥検出方法、及び乾燥検出装置を提供する。【解決手段】本発明によれば、溶剤を含む液状樹脂の乾燥を検出する乾燥検出方法であって、該溶剤の光吸収波長を選定する波長選定工程と、該選定された波長の光を含む光源を選定する光源選定工程と、液状樹脂に光を照射して該液状樹脂を通過した光を受光する受光工程と、該受光工程において該溶剤が吸収する波長の光の光量が所定の閾値を超えた際、該溶剤が蒸発し、乾燥したと判断する判断工程と、を含み構成される乾燥検出方法、及び液状樹脂Ｐに含まれる溶剤の光吸収波長の光を含む光源６２と、光源６２から照射され液状樹脂Ｐを通過した光を受光する受光手段７と、受光手段７によって受光した光の光量Ｑに基づき、該溶剤が吸収する波長の光の光量Ｑが閾値Ｑ９を超えたか否かを判定して、液状樹脂Ｐが乾燥したことを判断する判断手段１１０と、を含み構成される乾燥検出装置２が提供される。【選択図】図３

Description

本発明は、液状樹脂の乾燥を検出する乾燥検出方法、及び乾燥検出装置に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが、分割予定ラインによって区画された表面に形成されたウエーハは、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
レーザー加工装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする送り手段と、から概ね構成されていて、ウエーハを高精度に加工することができる。
また、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してアブレーション加工によって分割予定ラインに分割溝を形成する場合は、飛散するデブリがデバイスの表面に付着して品質を低下させないように、予めウエーハの表面に保護膜が被覆される（例えば特許文献１を参照）。
特開２００４－１８８４７５号公報
ところで、液状樹脂をウエーハの表面に被覆して上記の保護膜を形成する場合、保護膜が十分に乾燥して硬化する前にレーザー光線を照射して加工を施すと、保護膜としての機能を十分に発揮することができず、分割予定ライン上に形成されるＴＥＧ等の金属膜が剥がれて、デバイスの品質を低下させるという問題がある。なお、前記した問題は、上記のようにデバイスが形成されたウエーハの表面に液状樹脂により保護膜を形成する場合に限定されず、液状樹脂が使用される種々の場面で、該液状樹脂が十分に乾燥したか否かを判断しなければならないことから、該液状樹脂の乾燥を確実に判断することが求められている。
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、液状樹脂の乾燥を確実に判断することができる乾燥検出方法、及び乾燥検出装置を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、溶剤を含む液状樹脂の乾燥を検出する乾燥検出方法であって、該溶剤の光吸収波長を選定する波長選定工程と、該選定された波長の光を含む光源を選定する光源選定工程と、液状樹脂に光を照射して該液状樹脂を通過した光を受光する受光工程と、該受光工程において該溶剤が吸収する波長の光の光量が所定の閾値を超えた際、該溶剤が蒸発し、乾燥したと判断する判断工程と、を含み構成される乾燥検出方法が提供される。
該光源選定工程で選定した光源の光を、溶剤が蒸発して乾燥した液状樹脂に照射して、該液状樹脂を通過した光を受光して光量を計測し、該光量を下回る値を該閾値として選定することが好ましい。また、該液状樹脂は、水溶性樹脂であり、該溶剤は水であることが好ましい。水が吸収する光の波長は、１４５０ｎｍ、１９４０ｎｍ、２９００ｎｍであり、該光源選定工程において、前記のいずれかの波長の光を含む光源を選定することが好ましい。
また、本発明によれば、液状樹脂の乾燥を検出する乾燥検出装置であって、液状樹脂に含まれる溶剤の光吸収波長の光を含む光源と、該光源から照射され該液状樹脂を通過した光を受光する受光手段と、該受光手段によって受光した光の光量に基づき、該溶剤が吸収する波長の光の光量が閾値を超えたか否かを判定して、該液状樹脂が乾燥したことを判断する判断手段と、を含み構成される乾燥検出装置が提供される。
本発明の乾燥検出方法は、溶剤を含む液状樹脂の乾燥を検出する乾燥検出方法であって、該溶剤の光吸収波長を選定する波長選定工程と、該選定された波長の光を含む光源を選定する光源選定工程と、液状樹脂に光を照射して該液状樹脂を通過した光を受光する受光工程と、該受光工程において該溶剤が吸収する波長の光の光量が所定の閾値を超えた際、該溶剤が蒸発し、乾燥したと判断する判断工程と、を含み構成されることから、液状樹脂の乾燥を確実に判断することができ、例えば、液状樹脂が確実に乾燥した状態でウエーハに対してレーザー光線を照射してアブレーション加工を施すことが可能になり、分割予定ラインにＴＥＧ等の金属膜が形成されていても、該アブレーション加工によって剥がれて、デバイスの品質を低下させるという問題が解消する。
また、本発明の乾燥検出装置は、液状樹脂の乾燥を検出する乾燥検出装置であって、液状樹脂に含まれる溶剤の光吸収波長の光を含む光源と、該光源から照射され該液状樹脂を通過した光を受光する受光手段と、該受光手段によって受光した光の光量に基づき、該溶剤が吸収する波長の光の光量が閾値を超えたか否かを判定して、該液状樹脂が乾燥したことを判断する判断手段と、を含み構成されることから、液状樹脂の乾燥を確実に判断することができ、例えば、確実に液状樹脂が乾燥した状態でウエーハに対してレーザー光線を照射してアブレーション加工を施すことが可能になり、分割予定ラインにＴＥＧ等の金属膜が形成されていても、該アブレーション加工によって剥がれて、デバイスの品質を低下させるという問題が解消する。
（ａ）ウエーハに液状樹脂からなる保護膜を形成する態様を示す斜視図、（ｂ）（ａ）に示すウエーハの一部を拡大して示す断面図である。 本実施形態の乾燥検出装置の全体斜視図である。 （ａ）図２に示す乾燥検出装置の乾燥検出手段の光学系を示すブロック図、（ｂ）受光工程を実施している状態のウエーハの一部を拡大して示す断面図である。 乾燥度と光量の関係を示す概念図である。 判断工程を示すフローチャートである。 受光工程を実施する態様の別の実施形態を示す断面図である。
以下、本発明に基づいて構成される乾燥検出方法、及び乾燥検出装置に係る実施形態について、添付図面を参照しながら、詳細に説明する。
図１（ａ）には、保護膜形成装置２０（一部のみを示している）と共に、本実施形態の乾燥検出方法によって液状樹脂の乾燥が検出されるウエーハ１０が示されている。ウエーハ１０は、複数のデバイス１２が分割予定ライン１４によって区画された表面１０ａに形成された半導体の円盤状の基板である。ウエーハ１０は、ウエーハ１０を収容可能な開口部Ｆａを備えた環状のフレームＦに、粘着テープＴを介して保持されている。
本実施形態のウエーハ１０は、図示を省略するレーザー加工装置によって、ウエーハ１０に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してアブレーション加工によって分割予定ライン１４に沿って分割溝が形成されるものであり、ウエーハ１０に対するレーザー加工時に飛散するデブリがデバイス１２の表面に付着して品質を低下させないように、上記したレーザー加工を実施する前に、ウエーハ１０の表面１０ａに液状樹脂Ｐを被覆する。
液状樹脂Ｐは、例えば図１（ａ）に示す保護膜形成装置２０によってウエーハ１０の表面１０ａに供給される。保護膜形成装置２０は、上記したウエーハ１０を吸引保持することが可能に構成され図中矢印Ｒ１で示す方向に高速回転させられるスピンナーテーブル２２と、所定量の液状樹脂Ｐを該スピンナーテーブル２２の中央上方から下方に滴下する液状樹脂供給ノズル２４とを備えている。
上記のウエーハ１０をスピンナーテーブル２２に吸引保持し、ウエーハ１０の表面１０ａに液状樹脂供給ノズル２４から液状樹脂Ｐを滴下すると共に、スピンナーテーブル２２を矢印Ｒ１で示す方向に高速回転させる。本実施形態の該液状樹脂Ｐは、例えば水溶性の樹脂ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）であり、溶剤は水である。スピンナーテーブル２２の回転によって、ウエーハ１０の表面１０ａにおいて液状樹脂Ｐが広がり、図１（ｂ）に一部を拡大して示す断面図から理解されるように、ウエーハ１０の表面１０ａ上に液状樹脂Ｐの保護膜が形成される。ウエーハ１０の表面１０ａに形成された液状樹脂Ｐの保護膜は、時間経過と共に溶剤である水が蒸発して乾燥し硬化する。本実施形態の乾燥検出方法は、この保護膜を形成する液状樹脂Ｐが、レーザー光線によるアブレーション加工に適した乾燥状態となったか否かを確実に判断することを目的とする。
上記した液状樹脂Ｐの乾燥状態を検出すべく、該ウエーハ１０を、本発明の乾燥検出方法を実施するのに好適な図２に示す乾燥検出装置２に搬送する。
図２には、乾燥検出装置２の全体斜視図が示されている。乾燥検出装置２は、基台２ａ上に配設され、上記したウエーハ１０を保持する保持手段３と、該保持手段３をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させる移動手段４と、保持手段３に保持されたウエーハ１０に液状樹脂Ｐの乾燥を検出する乾燥検出手段６と、移動手段４の側方に立設される垂直壁部５ａ及び該垂直壁部５ａの上端部から水平方向に延びる水平壁部５ｂからなる枠体５と、制御手段１００と、を備えている。乾燥検出手段６の光学系（追って詳述する）は、水平壁部５ｂの内部に収容されている。
保持手段３は、図２に示すように、Ｘ軸方向において移動自在に基台２ａに搭載された矩形状のＸ軸方向可動板３１と、Ｙ軸方向において移動自在にＸ軸方向可動板３１に搭載された矩形状のＹ軸方向可動板３２と、Ｙ軸方向可動板３２の上面に固定された円筒状の支柱３３と、支柱３３の上端に固定された矩形状のカバー板３４とを含む。カバー板３４にはカバー板３４上に形成された長穴を通って上方に延びるチャックテーブル３５が配設されている。チャックテーブル３５は、Ｘ座標及びＹ座標で特定されるＸＹ平面を保持面としウエーハ１０を保持する手段であり、支柱３３内に収容された図示を省略する回転駆動手段により回転可能に構成される。チャックテーブル３５の上面には、通気性を有する多孔質材料から形成された該保持面を構成する吸着チャック３６が配設されている。吸着チャック３６は、支柱３３を通る流路によって図示しない吸引手段に接続されており、吸着チャック３６の周囲には、後述するウエーハ１０をチャックテーブル３５に保持する際に環状のフレームＦを把持する４つのクランプ３７が等間隔で配置されている。
移動手段４は、上記したチャックテーブル３５をＸ軸方向に移動するＸ軸移動手段４ａと、チャックテーブル３５をＹ軸方向に移動するＹ軸移動手段４ｂとを備えている。Ｘ軸移動手段４ａは、モータ４２ａの回転運動を、ボールねじ４２ｂを介して直線運動に変換してＸ軸方向可動板３１に伝達し、基台２ａ上にＸ軸方向に沿って配設された一対の案内レール２ｂ、２ｂに沿ってＸ軸方向可動板３１をＸ軸方向に移動させる。Ｙ軸移動手段４ｂは、モータ４４ａの回転運動を、ボールねじ４４ｂを介して直線運動に変換し、Ｙ軸方向可動板３２に伝達し、Ｘ軸方向可動板３１上においてＹ軸方向に沿って配設された一対の案内レール３１ａ、３１ａに沿ってＹ軸方向可動板３２をＹ軸方向に移動させる。
図３（ａ）には、本実施形態の乾燥検出手段６の光学系の概略を示すブロック図が示されている。乾燥検出手段６は、光Ｌ０を照射する光源６２と、該光Ｌ０がウエーハ１０の表面１０ａの液状樹脂Ｐに照射され該液状樹脂Ｐを通過した後の光Ｌ１を受光する受光手段７とを少なくとも備える。さらに説明すると、該光源６２から照射された光Ｌ０の光路を適宜の方向に変更する反射ミラー６３と、反射ミラー６３から照射された光Ｌ０を透過するビームスプリッター６４と、該光Ｌ０を集光し、ウエーハ１０の液状樹脂Ｐに照射する集光レンズ６１を備えた集光器６０と、ウエーハ１０の液状樹脂Ｐを通過してウエーハ１０の表面１０ａで反射した光Ｌ１が該ビームスプリッター６４において反射した光Ｌ１に含まれる所定の波長領域のみを透過させるバンドパスフィルター６５と、該バンドパスフィルター６５を透過した後の光Ｌ２を受光し、光Ｌ２の光量を電圧値（ｍＶ）で出力するホトデテクタによって構成された受光手段７と、を備え、該受光手段７によって検出される光量の値は、制御手段１００に送られて記憶される。
上記した乾燥検出装置２に配設された制御手段１００は、コンピュータにより構成され、制御プログラムに従って演算処理する中央演算処理装置（ＣＰＵ）と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）と、検出した検出値、演算結果等を一時的に格納するための読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）と、入力インターフェース、及び出力インターフェースとを備えている（詳細についての図示は省略する）。制御手段１００には、少なくとも受光手段７が接続されており、制御手段１００は、受光手段７によって受光した光Ｌ２の光量に基づき該液状樹脂Ｐが乾燥したことを判断する制御プログラムで構成された判断手段１１０（追って詳述する）を備えている。なお、図示は省略するが、この制御手段１００によって、保持手段３、移動手段４等の作動を制御してもよい。
本実施形態の乾燥検出措置２は、概ね上記したとおりの構成を備えており、乾燥検出装置２を使用して実施される本実施形態の乾燥検出方法について、以下に説明する。なお、上記の保護膜形成装置２０は、図２に示す乾燥検出装置２の内部に配設されていてもよく、その場合は、ウエーハ１０を保持手段３に保持した状態で、ウエーハ１０の表面１０ａに液状樹脂Ｐを供給して上記した保護膜を形成する。
本実施形態の乾燥検出方法を実施するに際し、ウエーハ１０に保護膜として供給される液状樹脂Ｐの溶剤の光吸収波長を選定する波長選定工程を実施する。より具体的には、上記したように、本実施形態のウエーハ１０に形成されている保護膜は、溶剤を水とする液状樹脂Ｐによって形成される。水は、７００ｎｍよりも長い波長の光を吸収する特性があり、特に、１４５０ｎｍ、１９４０ｎｍ、２９００ｎｍの波長の光を吸収することが知られている。よって、本実施形態の波長選定工程では、溶剤である水の光吸収波長として、１４５０ｎｍ、１９４０ｎｍ、２９００ｎｍのうちのいずれかの波長、例えば１９４０ｎｍを選定する。
次いで、上記した波長選定工程において選定された波長（１９４０ｎｍ）の光を含む光源を選定する光源選定工程を実施する。本実施形態の光源６２としては、上記の波長選定工程によって選定された波長、すなわち１９４０ｎｍの波長の光を含む光を照射可能な、例えばＱＴＨランプが選定される。ＱＴＨランプは、３５０～４０００ｎｍと幅広い波長の光を含む光源であり、上記の波長選定工程において、水が特に吸収する光吸収波長１４５０ｎｍ、１９４０ｎｍ、２９００ｎｍのうち、いずれの波長が選択されていても使用することが可能である。
次いで、液状樹脂Ｐに光Ｌ０を照射して液状樹脂Ｐを通過した後の光を受光する受光工程を実施する。より具体的には、上記の光源選定工程により光源６２が選定された乾燥検出装置２の保持手段３によってウエーハ１０を保持し、上記した乾燥検出手段６の集光器６０の直下に位置付ける。
次いで、乾燥検出手段６の光源６２を作動して光Ｌ０を照射し、上記のビームスプリッター６４を透過した光Ｌ０がウエーハ１０の液状樹脂Ｐに照射される。図３（ｂ）に示すように、液状樹脂Ｐに照射された光Ｌ０は、液状樹脂Ｐを通過しつつウエーハ１０の表面１０ａに到達して反射し、さらに液状樹脂Ｐを通過した光Ｌ１となって上記のビームスプリッター６４に達する。ビームスプリッター６４に達した光Ｌ１は、ビームスプリッター６４において反射して、受光手段７が配設された光路側へと導かれる。上記したように、ビームスプリッター６４と受光手段７との間には、バンドパスフィルター６５が配設されている。本実施形態のバンドパスフィルター６５は、上記した波長選定工程によって選定された波長領域のみを透過するフィルターであり、本実施形態においては、例えば、１９００～１９８０ｎｍの波長領域の光のみを透過するように設定されている。このバンドパスフィルター６５を透過した後の光Ｌ２が、受光手段７に到達し、受光手段７によって検出された光Ｌ２の光量Ｑが、制御手段１００に伝達されて記憶され、受光工程が完了する。制御手段１００には、判断手段１１０が備えられており、受光手段７によって受光した光の光量Ｑを所定の閾値Ｑ２に基づいて、液状樹脂Ｐが乾燥したか否かを判断する判断工程を実施する。ここで、上記の閾値Ｑ２は、例えば、以下に説明する手順により予め決定され、制御手段１００に記憶されている。
図４において、横軸に液状樹脂Ｐの乾燥度（％）を示し、縦軸に受光手段７によって計測される光量（ｍＶ）を示す概念図から理解されるように、ウエーハ１０に供給された液状樹脂Ｐの乾燥が全く進んでいない状態（０％）では、上記の受光手段７によって受光される光の光量は、最も低い光量Ｑ１（例えば１．０ｍＶ）になる。これは、上記したように、溶剤として含まれる水は、１９４０ｎｍの波長の光を吸収する特性を備えており、光Ｌ０に含まれる１９４０ｎｍの波長の光が、液状樹脂Ｐを通過する際において溶剤である水に最大限吸収されることになるからである。そして、液状樹脂Ｐに含まれる水が蒸発して、液状樹脂Ｐの乾燥度が進行すると、液状樹脂Ｐにおいて吸収される１９４０ｎｍ波長の光が減少し、受光手段７によって計測される光量Ｑは、図に示すように乾燥の進行と共に上昇する。そして、ウエーハ１０の表面１０ａに液状樹脂Ｐを供給してから十分な時間が経過し、該液状樹脂Ｐが完全に乾燥させた状態（乾燥度１００％）となれば、１９４０ｎｍ波長の光が水の作用で液状樹脂Ｐにおいて吸収されないことから、最大となる光量Ｑ１０（例えば１０．０ｍＶ）が計測される。そして、ウエーハ１０をアブレーション加工によって加工する場合に支障とならない程度の液状樹脂の乾燥度を判断すべく、例えば、上記の光量Ｑ１０を下回る乾燥度が９０％である光量Ｑ９を、液状樹脂が十分乾燥していると判断するための閾値Ｑ９として選定する。この閾値Ｑ９は、予め実験により求めておき、制御手段１００に記憶しておく。
上記した閾値Ｑ９が制御手段１００に記憶された状態で、上記の判断工程を実施すべく、図５に示す判断手段１１０のフローチャートを実行する。より具体的には、上記の乾燥検出装置２において、ウエーハ１０の表面１０ａ上の液状樹脂Ｐに、乾燥検出手段６の光源６２から光Ｌ０を照射して液状樹脂Ｐを通過させ、上記した受光手段７によって検出される光量Ｑを検出する（ステップＳ１）。次いで、該光量Ｑが、上記の閾値Ｑ９よりも大きいか否かを判定する（ステップＳ２）。ここで、光量Ｑが、閾値Ｑ９以下（Ｎｏ）である場合は、光Ｌ０の１９４０ｎｍ波長の光が吸収されて低い値となっていることから、液状樹脂Ｐに溶剤である水が多く存在して液状樹脂Ｐの乾燥不十分と判断され（ステップＳ３）、ステップＳ１に戻る。これに対し、ステップＳ２において、光量Ｑが閾値Ｑ９よりも大きい（Ｙｅｓ）場合は、液状樹脂Ｐから溶剤である水が十分減少し所定のレベルまで乾燥したと判断され、乾燥完了であると判断（ステップＳ４）される。以上により、本実施形態の乾燥検出方法が完了する。
上記したように本実施形態の乾燥検出方法により液状樹脂Ｐの乾燥が検出されたならば、ウエーハ１０を、図示を省略するレーザー加工装置に搬送し、ウエーハ１０の表面１０ａ側から、分割予定ライン１４に沿ってウエーハ１０に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射して、アブレーション加工を実行し、ウエーハ１０を個々のデバイスチップに分割することができる。
本実施形態の乾燥検出方法、及び乾燥検出装置によれば、確実にウエーハ１０に保護膜として配設された液状樹脂Ｐの乾燥を判断することができ、液状樹脂Ｐが確実に乾燥した状態でウエーハ１０に対してレーザー光線を照射してアブレーション加工を施すことが可能になり、例えば分割予定ライン１４にＴＥＧ等の金属膜が形成されていても、該アブレーション加工によって剥がれて、デバイスの品質を低下させるという問題が解消する。また、必要以上に乾燥に時間を掛ける必要もなくなることから、生産性も向上する。
上記した実施形態では、液状樹脂Ｐの溶剤が水である場合について説明したが、本発明は、溶剤が水である液状樹脂に限定されない。たとえば、液状樹脂に含まれる溶剤は、アセトン、ヘキサであってもよい。溶剤がアセトンである場合、該アセトンが吸収する光の波長は２２０～３３０ｎｍの波長の光であることから、光源６２としては、例えば２００～４００ｎｍの光を照射する重水素ランプが選択され、２２０～３３０ｎｍの波長のみの光を透過するバンドパスフィルター６５を配設する。なお、重水素ランプから照射される光は、アセトンに吸収される波長領域の光が主な成分であるため、２２０～３３０ｎｍの波長のみの光を透過するバンドパスフィルター６５を省略することも可能である。また、溶剤がヘキサである場合、該ヘキサが吸収する光の波長は、３５０ｎｍ、５００ｎｍであることから、２５０～１５００ｎｍの光を照射するショートアークキセノンランプを光源６２として選択することができる。この場合は、上記した乾燥検出手段６のバンドパスフィルター６５を、例えば３４０～３６０ｎｍの波長のみを透過するように設定して、受光手段７によって、液状樹脂Ｐを通過した光Ｌ２の光量Ｑを検出すればよい。
なお、上記した液状樹脂Ｐによって形成される保護膜の厚みや、液状樹脂Ｐに含まれる溶剤の濃度、溶剤の種類が変更された場合は、光源６２、バンドパスフィルター６５を変更すると共に、上記の判断工程において使用される閾値Ｑ９も、その都度、上記した手順に則って、実験により改めて算出して、制御手段１００に記憶する。
さらに、上記した実施形態では、光源６２から照射され液状樹脂Ｐを通過した光を受光手段７によって受光するために、ウエーハ１０の表面１０ａに光Ｌ０を照射して反射させた光を使用していたが、本発明はこれに限定されない。例えば、ウエーハ１０及び粘着テープＴが、光Ｌ０を透過することが可能な素材である場合は、ウエーハ１０を保持するチャックテーブル３５に、図示を省略する開口孔を形成したうえで、図６に示すように、ウエーハ１０を支持する粘着テープＴ側に、上記のバンドパスフィルター６５と受光手段７を配設し、液状樹脂Ｐ、ウエーハ１０、及び粘着テープＴを透過した後の光Ｌ２を受光手段７によって受光するようにしてもよい。ただし、この場合は、ウエーハ１０と粘着テープＴによっても光の吸収が発生することが想定されるため、閾値Ｑ９の設定が難しくなるので、上記の図３に基づいて説明した実施形態の方が好ましい。また、上記した実施形態では、乾燥検出装置２を独立した装置として説明したが、本発明はこれに限定されず、レーザー光線を照射してウエーハ１０にアブレーション加工を施すレーザー加工装置に組み込んでもよい。
２：乾燥検出装置
２ａ：基台
３：保持手段
３５：チャックテーブル
３６：吸着チャック
４：移動手段
５：枠体
６：乾燥検出手段
６０：集光器
６１：集光レンズ
６２：光源
６３：反射ミラー
６４：ビームスプリッター
６５：バンドパスフィルター
７：受光手段
１０：ウエーハ
１０ａ：表面
１２：デバイス
１４：分割予定ライン１４
２０：保護膜形成装置
２２：スピンナーテーブル
２４：液状樹脂供給ノズル
１００：制御手段
１１０：判断手段（フローチャート）

Claims (5)

  1. 溶剤を含む液状樹脂の乾燥を検出する乾燥検出方法であって、
    該溶剤の光吸収波長を選定する波長選定工程と、
    該選定された波長の光を含む光源を選定する光源選定工程と、
    液状樹脂に光を照射して該液状樹脂を通過した光を受光する受光工程と、
    該受光工程において該溶剤が吸収する波長の光の光量が所定の閾値を超えた際、該溶剤が蒸発し、乾燥したと判断する判断工程と、
    を含み構成される乾燥検出方法。
  2. 該光源選定工程で選定した光源の光を、溶剤が蒸発して乾燥した液状樹脂に照射して、該液状樹脂を通過した光を受光して光量を計測し、該光量を下回る値を該閾値として選定する請求項１に記載の乾燥検出方法。
  3. 該液状樹脂は、水溶性樹脂であり、該溶剤は水である請求項１又は２に記載の乾燥検出方法。
  4. 水が吸収する光の波長は、１４５０ｎｍ、１９４０ｎｍ、２９００ｎｍであり、該光源選定工程において、前記のいずれかの波長の光を含む光源を選定する請求項３に記載の乾燥検出方法。
  5. 液状樹脂の乾燥を検出する乾燥検出手段を備えた乾燥検出装置であって、
    該乾燥検出手段は、
    液状樹脂に含まれる溶剤の光吸収波長の光を含む光源と、
    該光源から照射され該液状樹脂を通過した光を受光する受光手段と、
    該受光手段によって受光した光の光量に基づき、該溶剤が吸収する波長の光の光量が閾値を超えたか否かを判定して、該液状樹脂が乾燥したことを判断する判断手段と、
    を含み構成される乾燥検出装置。
JP2021183365A 2021-11-10 2021-11-10 乾燥検出方法及び乾燥検出装置 Pending JP2023070909A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021183365A JP2023070909A (ja) 2021-11-10 2021-11-10 乾燥検出方法及び乾燥検出装置
KR1020220135667A KR20230068296A (ko) 2021-11-10 2022-10-20 건조 검출 방법 및 건조 검출 장치
TW111140465A TW202320197A (zh) 2021-11-10 2022-10-25 乾燥檢測方法及乾燥檢測裝置
US18/052,023 US20230296498A1 (en) 2021-11-10 2022-11-02 Dryness detection method and dryness detection apparatus
DE102022211606.2A DE102022211606A1 (de) 2021-11-10 2022-11-03 Trockenheit-erfassungsverfahren und trockenheit-erfassungsvorrichtung
CN202211383331.9A CN116106250A (zh) 2021-11-10 2022-11-07 干燥检测方法和干燥检测装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021183365A JP2023070909A (ja) 2021-11-10 2021-11-10 乾燥検出方法及び乾燥検出装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023070909A true JP2023070909A (ja) 2023-05-22

Family

ID=86053033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021183365A Pending JP2023070909A (ja) 2021-11-10 2021-11-10 乾燥検出方法及び乾燥検出装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230296498A1 (ja)
JP (1) JP2023070909A (ja)
KR (1) KR20230068296A (ja)
CN (1) CN116106250A (ja)
DE (1) DE102022211606A1 (ja)
TW (1) TW202320197A (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004188475A (ja) 2002-12-13 2004-07-08 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202320197A (zh) 2023-05-16
CN116106250A (zh) 2023-05-12
US20230296498A1 (en) 2023-09-21
DE102022211606A1 (de) 2023-05-11
KR20230068296A (ko) 2023-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107546151B (zh) 保护膜包覆装置和保护膜包覆方法
KR102493116B1 (ko) 웨이퍼의 분할 방법
KR101844071B1 (ko) 측정 방법 및 측정 장치
TWI571345B (zh) The laser processing method and laser processing apparatus
KR101835888B1 (ko) 측정 방법 및 측정 장치
CN108231676A (zh) 晶片的加工方法
KR102527031B1 (ko) 레이저 가공 방법
KR20130037638A (ko) 다이 어태치 필름의 애블레이션 가공 방법
JP6757185B2 (ja) レーザー光線の検査方法
KR20160002353A (ko) 레이저 가공 장치
KR102317696B1 (ko) 보호막 피복 방법 및 보호막 피복 장치
JP5902529B2 (ja) レーザ加工方法
JP2017006930A (ja) レーザー加工装置
KR20180103913A (ko) 이물 검출 장치 및 이물 검출 방법
JP2023070909A (ja) 乾燥検出方法及び乾燥検出装置
JP2017208460A (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
JP5715370B2 (ja) 検出方法
JP7387227B2 (ja) ウェーハの加工方法
US20230141691A1 (en) Processing method
JP2022109400A (ja) レーザ加工装置
JP7433715B2 (ja) レーザー加工装置及び集光レンズの状態確認方法
WO2023176338A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20240040030A (ko) 피가공물의 검사 방법 및 검사 장치
JP2024102422A (ja) 保護膜形成装置、判定方法、及び保護膜形成方法
JP2023181852A (ja) 加工装置