JP2023068669A - 発光パネルの作製方法 - Google Patents
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Abstract
Description
関する。特に、異なる色を呈する光を発する発光モジュールが複数設けられた発光パネル
および表示装置に関する。
ねて設けられた発光モジュール並びに基板上に発光素子や発光モジュールがマトリクス状
に複数設けられた発光パネルが知られている。
機EL素子ともいう)が知られている。有機EL素子の特徴として、発光が面状である点
と入力信号に対する応答速度が速い点を挙げることができる。よって、有機EL素子は発
光パネルや表示装置に適している。
が求められる。
光色が異なる発光素子を、基板上に形成する方法がある。この方法を用いて形成される発
光パネルは、カラーフィルタを用いる必要がないため消費電力を低減するうえで有利であ
る。
色が異なる発光層を選択的に設ける工程に課題がある。
や、色変換層が青色発光素子に重ねて設けられた発光パネルが知られている。これらは、
高精細化を実現するうえで有利である。
タや色変換層によるエネルギーの損失に課題がある。
、実際に当該発光性の有機化合物を含む層が形成される位置は、所望の位置から少なから
ずずれる。
形成する場合、シャドーマスクの開口部を所望の位置に配置(アライメントともいう)す
る。このときシャドーマスクのアライメントがずれると、当該発光性の有機化合物を含む
層は、所望の位置からずれて形成されてしまう。その結果、例えば、発光色が意図した色
と異なる発光性の有機化合物を含む層が、隣り合う発光素子に形成されてしまい、発光パ
ネルの作製における歩留まりが低下する。
ーマスク法の他、液滴吐出法(インクジェット法)等を挙げることができる。しかし、い
ずれの方法を用いても、発光性の有機化合物を含む層が、所望の位置からずれて形成され
るおそれが少なからずある。
素子の間に設けられる。
む層を選択的に形成する方法や、装置の精度により決定される。
が低下してしまう。開口率の低下に伴う輝度の低下を補うために、電流密度を高めて当該
発光素子を駆動すると、発光素子の信頼性が損なわれてしまう場合がある。
は、新規な発光パネルを提供することを課題の一とする。または、新規な発光パネルの作
製方法を提供することを課題の一とする。
る第1の発光素子および第1の発光素子と重なる第1の光学素子を備え、且つ第1の色を
呈する光を発する第1の副画素と、島状の第1の発光性の有機化合物を含む層を一対の電
極の間に挟持する第2の発光素子および第2の発光素子と重なる第2の光学素子を備え、
且つ第2の色を呈する光を発する第2の副画素と、第2の発光性の有機化合物を含む層を
一対の電極の間に挟持する第3の発光素子を備え、第1の色および第2の色と異なる第3
の色を呈する光を発し、且つ第1の副画素および第2の副画素から離間する第3の副画素
と、を有する発光パネルである。そして、第1の発光素子と第2の発光素子の間に設ける
間隙の長さは、第1の発光素子と第3の発光素子および第2の発光素子と第3の発光素子
の間に設ける間隙の長さより短い。
機化合物を含む層を、一対の電極の間に挟持する第1の発光素子および第1の発光素子が
発する光を第1の色を呈する光にする第1の光学素子を備える第1の副画素と、島状の第
1の発光性の有機化合物を含む層を一対の電極の間に挟持する第2の発光素子および第2
の発光素子が発する光を第2の色を呈する光にする第2の光学素子を備える第2の副画素
と、第2の発光性の有機化合物を含む層を一対の電極の間に挟持する第3の発光素子を備
え、第1の色および第2の色と異なる第3の色を呈する光を発し、且つ第1の副画素およ
び第2の副画素から離間する第3の副画素と、を有する発光パネルである。そして、第1
の発光素子と第2の発光素子は、長軸方向に並んで設けられ、第1の発光素子と第2の発
光素子の間に設ける間隙の長軸方向の長さは、第1の発光素子と第3の発光素子および第
2の発光素子と第3の発光素子の間に設ける間隔の短軸方向の長さより短い。
の、第1の発光素子の長さ、第2の発光素子の長さおよび第1の発光素子と第2の発光素
子の間に設けられた間隙の長さの合計が、短軸方向についての、第1の発光素子および第
2の発光素子の長さより長い、上記の発光パネルである。
2の発光性の有機化合物を含む層を一対の電極の間に備え、第1の発光素子と第2の発光
素子は、島状の第1の発光性の有機化合物を含む層を、第2の発光性の有機化合物を含む
層と一対の電極の陽極として機能する電極との間に備え、島状の第1の発光性の有機化合
物を含む層は、第1の色を呈する光と第2の色を呈する光を含む光を発するように、複数
の発光性の有機化合物を含み、第2の発光性の有機化合物を含む層は、第3の色を呈する
光を発する発光性の有機化合物を含む、上記の発光パネルである。
2の発光性の有機化合物を含む層を一対の電極の間に備え、第1の発光素子と第2の発光
素子は、島状の第1の発光性の有機化合物を含む層を、第2の発光性の有機化合物を含む
層と一対の電極の陽極として機能する電極との間に備え、島状の第1の発光性の有機化合
物を含む層は、第1の色を呈する光と第2の色を呈する光を含む光を発するように、複数
の発光性の有機化合物を含み、第2の発光性の有機化合物を含む層は、第3の色を呈する
光を発する発光性の有機化合物を含み、第1の光学素子は、第1の発光素子および第1の
光学距離調整層を挟み、且つ第1の色を呈する光を優先的に取り出すように設けられた反
射膜および半透過・半反射膜を備え、第2の光学素子は、第2の発光素子および第2の光
学距離調整層を挟み、且つ第2の色を呈する光を優先的に取り出すように設けられた反射
膜および半透過・半反射膜を備える、上記の発光パネルである。
ある。
整層が積層された第1の下部電極と、第1の下部電極と第1の間隙を挟んで離間する、第
2の反射層上に第2の光学距離調整層が積層された第2の下部電極と、第1の下部電極お
よび第2の下部電極と、第1の間隙より長い第2の間隙を挟んで離間する第3の反射層上
に積層された第3の下部電極と、を、フォトリソグラフィ法を用いて形成する第1のステ
ップと、第1の下部電極上および第2の下部電極上に、連続する一の島状の第1の発光性
の有機化合物を含む層を、シャドーマスク法を用いて形成する第2のステップと、第1の
下部電極上、第2の下部電極上および第3の下部電極上に、連続する第2の発光性の有機
化合物を含む層を形成する第3のステップと、第1の下部電極上、第2の下部電極上およ
び第3の下部電極上に、連続する上部電極を形成する第4のステップと、を有する発光パ
ネルの作製方法である。
とする。従って、電極間に挟まれた発光物質である有機化合物を含む発光層はEL層の一
態様である。
トリクスを構成する物質Bをホスト材料と呼び、マトリクス中に分散される物質Aをゲス
ト材料と呼ぶものとする。なお、物質A並びに物質Bは、それぞれ単一の物質であっても
良いし、2種類以上の物質の混合物であっても良いものとする。
源(照明装置含む)を指す。また、表示装置にコネクター、例えばFPC(Flexib
le printed circuit)もしくはTCP(Tape Carrier
Package)が取り付けられたモジュール、TCPの先にプリント配線板が設けられ
たモジュール、または発光素子が形成された基板にCOG(Chip On Glass
)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものと
する。
作製方法を提供できる。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
本発明の一態様は、高精細化に伴う開口率の低下が抑制された、新規な発光パネルを提供
することを課題とする。
るようにするための余白を、発光パネルに設けるとき、以下の留意すべき点がある。
トずれが、薄膜を選択的に形成する他の技術(例えば、フォトリソグラフィ法やナノイン
プリント法など)に比べて大きく、それを許容できるようにするために大きな余白を要す
る点である。
許容できるようにするための余白を大きくする必要が生じる点である。
て小さい微細加工技術の多くが、損傷を発光性の有機化合物を含む層に与えうる工程を含
む点である。
うにするための余白に着眼して創作されたものである。そして、本明細書に例示される構
成を備える発光パネルに想到した。
光素子、該選択的に形成された発光性の有機化合物を含む層を含まない発光素子、および
当該発光性の有機化合物を含む層より微細に加工された光学素子を備え、当該発光素子が
、発光性の有機化合物を含む層を選択的に形成する工程に必要とされる余白および当該余
白より小さい余白を備えて配置される構成に想到した。
子と第2の発光素子と、発光性の有機化合物を含む層を形成する前に若しくは発光性の有
機化合物を含む層に損傷を与えないように形成され、それぞれに第1の発光素子または第
2の発光素子が発する光が入射する光学素子と、該選択的に形成された発光性の有機化合
物を含む層を含まない第3の発光素子を有し、光学素子と第3の発光素子からそれぞれ異
なる色を呈する光が射出される発光パネルである。そして、第1の発光素子と第2の発光
素子の間の間隙よりも長い間隙を、第1の発光素子および第2の発光素子と第3の発光素
子の間に備える。
明する。
図1(A)の切断線H1-H2-H3-H4における断面を含む発光パネル400Aの構
造の側面図である。
02R、第2の副画素402Gおよび第3の副画素402Bを有する。
極(第1の下部電極421Rと上部電極422)の間に挟持する第1の発光素子420R
と、第1の発光素子420Rと重なる第1の光学素子441Rとを備え、且つ第1の色を
呈する光を発する。
極の間(第2の下部電極421Gと上部電極422)に挟持する第2の発光素子420G
と、第2の発光素子420Gと重なる第2の光学素子441Gとを備え、且つ第2の色を
呈する光を発する。
3の下部電極421Bと上部電極422)の間に挟持する第3の発光素子420Bを備え
、第1の色および第2の色とは異なる第3の色を呈する光を発し、且つ第1の副画素40
2Rおよび第2の副画素402Gから離間する。
は、第1の発光素子420Rと第3の発光素子420Bおよび第2の発光素子420Gと
第3の発光素子420Bの間に設ける間隙の長さd2より狭い。
、基板上に形成された層は、基板の外周や、素子が配設される領域に区切られて、島状に
なる。具体的には、シャドーマスク法を用いて形成される膜は、シャドーマスクの開口部
の形状と概略一致するように区切られて、島状になる。また、縞状に区切られる場合もあ
る。また、「間隙の長さ」は2つの下部電極が最も近接する部分における、両者の距離を
意味する。
光素子が形成される基板側に取り出す下面射出型(ボトムエミッション型ともいう)であ
り、第1の光学素子441Rと第2の光学素子441Gとが基板410に設けられている
。なお、本発明の一態様はこれに限定されず、発光素子が発する光を発光素子が形成され
る基板410とは反対側に取り出す上面射出型(トップエミッション型ともいう)であっ
てもよい。上面射出型の場合は、上部電極422が透光性を有する導電膜で形成される。
また、第1の光学素子441Rと第2の光学素子441Gとが対向基板440に設けられ
る。
極421B)を、透光性を有する導電膜で形成することにより、いずれの発光素子(第1
の発光素子420R、第2の発光素子420Gおよび第3の発光素子420B)からも発
光が、基板410側に取り出される。これにより、第1の発光素子420Rが発する光は
第1の光学素子441Rを透過して、第2の発光素子420Gが発する光は第2の光学素
子441Gを透過して、第3の発光素子420Bが発する光はそのまま、基板410側に
取り出される。
く、そのまま光を取り出すことができる。したがって、カラーフィルタが白色を呈する光
を発する発光素子に重ねて設けられた発光パネルや、色変換層が青色発光素子に重ねて設
けられた発光パネルに比べ、消費電力や寿命に関してかなり有利となる。第3の発光素子
として青色の蛍光発光素子を用いた場合に、この消費電力低減の効果はより顕著である。
なお、第3の発光素子に光学素子が設けられていない場合、第3の発光素子における外光
反射を防ぐため、用途によっては円偏光板を設けることが好ましい。
下部電極421R、第2の下部電極421Gおよび第3の下部電極421B)の端部を覆
い、下部電極(第1の下部電極421R、第2の下部電極421Gおよび第3の下部電極
421B)と重なる開口部を有する。
3iは、下部電極(第1の下部電極421R、第2の下部電極421Gおよび第3の下部
電極421B)に接する。
素子420Gは、いずれも島状の第1の発光性の有機化合物を含む層423aを備える。
また、第3の発光素子420Bは、第2の発光性の有機化合物を含む層423bを備える
。また、第1の発光素子420Rと重なる第1の光学素子441Rと、第2の発光素子4
20Gと重なる第2の光学素子441Gと、を含む。そして、第1の発光素子420Rと
第2の発光素子420Gの間に設ける間隙の長さd1は、第1の発光素子420Rと第3
の発光素子420Bおよび第2の発光素子420Gと第3の発光素子420Bの間に設け
る間隙の長さd2より短い。
に生じうるアライメントずれを許容できるようにするための余白を、第1の発光素子42
0Rと第2の発光素子420Gの間に設ける必要がない。よって、第1の発光素子420
Rと第2の発光素子420Gの間に設ける間隙の長さd1を短くできる。
イメントずれにより、第1の発光性の有機化合物を含む層423aが第3の発光素子42
0Bに重なって形成されないようにする必要がある。具体的には、当該ずれを許容できる
ようにするための余白を、第1の発光素子420Rと第3の発光素子420Bの間および
第2の発光素子420Gと第3の発光素子420Bの間に設ける必要がある。よって、当
該間隙の短軸方向の長さd2を十分な長さとする必要がある。
1は、第1の発光素子420Rと第3の発光素子420Bの間に設ける間隙および第2の
発光素子420Gと第3の発光素子420Bの間に設ける間隙の長さd2に比べて、短く
することができる。その結果、高精細化に伴う開口率の低下が抑制された、新規な発光パ
ネル400Aを提供できる。
発光パネル400Aは複数の副画素を備える。なお、複数の副画素を組み合わせて1つの
画素を構成してもよい。
光パネルに模様、色彩、画像または情報を表示し、発光パネルの発する光の強度、色また
はこれらの分布を制御することができる。
基板410は、透光性を有する部分を発光素子(第1の発光素子420R、第2の発光素
子420Gおよび第3の発光素子420B)と重なる領域に備える。なお、基板410に
は、発光素子の下部電極(第1の下部電極421R、第2の下部電極421G、第3の下
部電極421B)に電力を供給するための配線、スイッチング素子(例えばトランジスタ
)、スイッチング素子を制御するための信号線等の他、さまざまな電子素子を設けること
ができる。
副画素(第1の副画素402R、第2の副画素402Gおよび第3の副画素402B)は
、異なる色を呈する光を発する。例えば、第1の副画素402Rは赤色を呈する光を発し
、第2の副画素402Gは緑色を呈する光を発し、第3の副画素402Bは青色を呈する
光を発する。
示が可能な表示装置用の発光パネルを提供できる。
発光素子(第1の発光素子420R、第2の発光素子420Gおよび第3の発光素子42
0B)は、いずれも発光性の有機化合物を含む層を一対の電極(具体的には下部電極と上
部電極422)の間に挟持する。
1B)は、いずれも基板410上に形成されている。それぞれの下部電極は、図示されて
いない配線と電気的に接続され、異なる電位をそれぞれに供給することができる。
子420Bを、選択的に駆動できる。
3の下部電極421Bは、いずれも透光性を有する導電膜で形成されている。また、上部
電極422は反射性の導電膜で形成されている。
第1の発光素子と第2の発光素子はいずれも、少なくとも第1の発光性の有機化合物を含
む層423aを一対の電極の間に備えている。また、第2の発光性の有機化合物を含む層
423bを一対の電極の間に備えていてもよい。ここでは、第1の発光性の有機化合物を
含む層423aおよび第2の発光性の有機化合物を含む層423bの双方を一対の電極の
間に備える場合について説明する。
の電極の間に流すことにより光を発する。
有機化合物を含む層において再結合する。これにより、下部電極から注入されたキャリア
が上部電極側に、上部電極から注入されたキャリアが下部電極側に通り抜けて、発光に寄
与することなく電流が流れないようにする。その結果、効率よく電流を光に変換すること
ができる。
を発する有機化合物と、緑色を呈する光を発する有機化合物とを含み、一対の電極(下部
電極と上部電極)に電力を供給することにより、赤色を呈する光および緑色を呈する光を
含む光を発する。
ャリアを第1の発光性の有機化合物を含む層423aに輸送する。
3aの間に、下部電極に接して設けてもよい。有機化合物を含む層423iは、例えばキ
ャリア注入層とすることができる。キャリア注入層を下部電極に接して設ける構成とする
ことで、下部電極からのキャリアの注入が容易になり、発光素子の駆動電圧を低減できる
。
第3の発光素子は、第2の発光性の有機化合物を含む層423bを、一対の電極の間に備
える。また、第1の発光性の有機化合物を含む層を含まない。
光を発する。第2の発光性の有機化合物を含む層423bが発する光は、第1の発光性の
有機化合物を含む層423aが発する光とは異なる色を呈する。
光性の有機化合物を含む層において再結合する。これにより、下部電極から注入されたキ
ャリアが上部電極側に、上部電極から注入されたキャリアが下部電極側に通り抜けて、発
光に寄与することなく電流が流れないようにする。その結果、効率よく電流を光に変換す
ることができる。
を発する有機化合物を含み、一対の電極に電力を供給することにより、青色を呈する光を
発する。
第1の光学素子441Rと第2の光学素子441Gは、入射される光から特定の色を呈す
る光を選択的に透過するものである。例えば、カラーフィルタ、バンドパスフィルタ、多
層膜フィルタなどを適用できる。
る光を透過し、第2の光学素子441Gは、第2の発光素子420Gが発する光から緑色
を呈する光を透過する。
当該光の波長より長い波長の光に変換する光学素子である。
の発光素子420Rおよび/または第2の発光素子420Gに重ねて設けてもよい。他の
光学素子としては、例えば円偏向板や反射防止膜などを設けることができる。円偏光板を
、発光パネルの発光素子が発する光が取り出される側に設けると、発光パネルの外部から
入射した光が、発光パネルの内部で反射されて、外部に射出される現象を防ぐことができ
る。また、反射防止膜を設けると、発光パネルの表面で反射される外光を弱めることがで
きる。これにより、発光パネルが発する発光を、鮮明に観察できる。
間隙は複数の発光素子の下部電極を分離する。下部電極が、間隙に分離されることにより
、副画素を選択的に駆動できる。
るようにするための余白として機能する。間隙は、下部電極を離して形成する工程で必要
とされる余白の大きさ以上とする。
421Rと第2の下部電極421G並びに発光性の有機化合物を含む層並びに上部電極は
、いずれも同一の工程により形成されるものである。同一の工程で作製される構成におい
ては、アライメントずれは発生しない。
下部電極421Rと第2の下部電極421Gを作製する際に必要とされる余白とすること
ができる。
用いて形成する場合、使用するフォトマスク、露光装置、材料にもよるが、下部電極の間
に設ける余白としての間隙はおよそ2μm以上20μm未満とすることができる。
点で、第1の発光素子420Rおよび第2の発光素子420Gの構成とは異なる。これに
より、第1の発光性の有機化合物を含む層423aを、第1の発光素子420Rと第2の
発光素子420G上に選択的に形成する必要がある。
ライメントずれを許容できるようにするための余白を、第1の発光素子420Rと第3の
発光素子420Bの間および第2の発光素子420Gと第3の発光素子420Bの間に設
ける。
法により選択的に形成する場合、蒸着装置およびシャドーマスクの精度にもよるが、余白
としての間隙はおよそ20μm以上100μm以下とすることができる。
る。また、隔壁418は複数の開口部を備え、当該開口部から第1の下部電極421R、
第2の下部電極421Gおよび第3の下部電極421Bが露出している。
ば、アクリル、ポリイミド、感光性樹脂などを用いることができる。
対向基板440は、基板410と図示されていない封止材で貼り合わされている。封止材
は、第1の発光素子420R、第2の発光素子420Gと第3の発光素子420Bを囲む
ように設けられている。この構造により、第1の発光素子420R、第2の発光素子42
0Gおよび第3の発光素子420Bは、対向基板440と基板410の間に封止されてい
る。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光パネルの構成について、図2、図3および図8
を参照しながら説明する。
)の切断線H1-H2-H3-H4における断面を含む発光パネルの構造の側面図である
。
メントずれの関係を説明する上面図である。
02R、第2の副画素402Gおよび第3の副画素402Bを有する。
図中右側の矢印Xで示す方向。なお、本実施の形態では長軸Yと短軸Xは直交する。)を
具備する島状の第1の発光性の有機化合物を含む層423aを、一対の電極(第1の下部
電極421Rと上部電極422)の間に挟持する第1の発光素子420Rと、第1の発光
素子420Rに重ねて第1の発光素子420Rが発する光を第1の色を呈する光にする第
1の光学素子441Rと、を備える。
電極の間(第2の下部電極421Gと上部電極422)に挟持する第2の発光素子420
Gと、第2の発光素子420Gに重ねて第2の発光素子420Gが発する光を第2の色を
呈する光にする第2の光学素子441Gを備える。
3の下部電極421Bと上部電極422)の間に挟持する第3の発光素子420Bを備え
、第1の色および第2の色とは異なる第3の色を呈する光を発し、且つ第1の副画素40
2Rおよび第2の副画素402Gから離間する。
られ、第1の発光素子420Rと第2の発光素子420Gの間に設ける間隙の長軸Y方向
の長さd1は、第1の発光素子420Rと第3の発光素子420Bおよび第2の発光素子
420Gと第3の発光素子420Bの間に設ける間隙の短軸X方向の長さd2より狭い。
410側とは反対の側に光を取り出す上面射出型であり、上部電極422が透光性を有す
る導電膜で形成される。また、第1の光学素子441Rと第2の光学素子441Gとが対
向基板440に設けられる。なお、本発明の一態様はこれに限定されず、発光素子が発す
る光を発光素子が形成される基板410側に取り出す下面射出型であってもよい。下面射
出型の場合は、下部電極が透光性を有する導電膜で形成される。また、第1の光学素子4
41Rと第2の光学素子441Gとは基板410に設けられる。
41Rおよび第2の光学素子441Gを備える。第1の光学素子441Rは第1の発光素
子420Rと重なる位置に設けられ、第2の光学素子441Gは第2の発光素子420G
と重なる位置に設けられる。
封止材は、第1の発光素子420R、第2の発光素子420Gと第3の発光素子420B
を囲むように設けられている。この構造により、第1の発光素子420R、第2の発光素
子420Gと第3の発光素子420Bは、対向基板440と基板410の間に封止されて
いる。
下部電極421R、第2の下部電極421Gおよび第3の下部電極421B)の端部を覆
い、下部電極と重なる開口部を有する。
3iは、下部電極(第1の下部電極421R、第2の下部電極421Gおよび第3の下部
電極421B)に接する。
420Gは、いずれも長軸Yと短軸Xを具備する島状の第1の発光性の有機化合物を含む
層423aを備える。また、第3の発光素子420Bは、第2の発光性の有機化合物を含
む層423bを備える。そして、第1の光学素子441Rと第2の光学素子441Gを含
み、第1の光学素子441Rは第1の発光素子420Rと重ねられ、第2の光学素子44
1Gは第2の発光素子420Gと重ねられている。
れている。そして、第1の発光素子420Rと第2の発光素子420Gの間に設ける間隙
の長軸Y方向の長さd1は、第1の発光素子420Rと第3の発光素子420Bおよび第
2の発光素子420Gと第3の発光素子420Bの間に設ける間隙の短軸X方向の長さd
2より短い。
に生じうるアライメントずれを許容できるようにするための余白を、第1の発光素子42
0Rと第2の発光素子420Gの間に設ける必要がない。よって、第1の発光素子420
Rと第2の発光素子420Gの間に設ける間隙の長軸Y方向の長さd1を短くできる。
イメントずれにより、第1の発光性の有機化合物を含む層423aが第3の発光素子42
0Bに重ならないようにする必要がある。具体的には、当該ずれを許容できるようにする
ための余白を、第1の発光素子420Rと第3の発光素子420Bの間および第2の発光
素子420Gと第3の発光素子420Bの間に設ける必要がある。よって、当該間隙の短
軸X方向の長さd2は、当該プロセスにおいて歩留まりを確保するのに十分な長さとする
必要がある。
1は、第1の発光素子420Rと第3の発光素子420Bの間および第2の発光素子42
0Gと第3の発光素子420Bの間に設ける間隙の長さd2に比べて短くすることができ
る。その結果、高精細化に伴う開口率の低下が抑制された、新規な発光パネルを提供でき
る。
素が第1の発光素子420Rを含み、第2の副画素が第2の発光素子420Gを含む点で
一致する。しかし、島状の第1の発光性の有機化合物を含む層423aの長軸Y方向につ
いて、第1の発光素子420Rと第2の発光素子420Gが配置されている方向が異なる
。また、発光素子が形成される基板410側とは反対の側に光を取り出す上面射出型(ト
ップエミッション型ともいう)である点が異なる。
第2の発光素子420Gが、島状の第1の発光性の有機化合物を含む層423aの短軸方
向に並んで設けられる。一方、本実施の形態で例示する発光パネル400Bは、第1の発
光素子420Rと第2の発光素子420Gが、島状の第1の発光性の有機化合物を含む層
423aの長軸方向に並んで設けられる。
島状の第1の発光性の有機化合物を含む層423aの長軸Y方向についての、第1の発光
素子420Rと第2の発光素子420Gの配置とアライメントずれに起因する不良箇所の
関係について、図8を用いて説明する。
を含む層423aの短軸X方向に並んで配置される発光パネルの上面図を図8(A-1)
に示す。
化合物を含む層423aの長軸Y方向に並んで配置される発光パネルの上面図を図8(B
-1)に示す。
は帯状ともいえる)の領域に形成されている。なお、島状の第1の発光性の有機化合物を
含む層423aは、例えばシャドーマスク法を用いて蒸着法により形成できる。
トずれを許容できるようにするための余白として、短軸X方向の長さがd2の間隙を、第
1の発光素子420Rと第3の発光素子420Bの間および第2の発光素子420Gと第
3の発光素子420Bの間に設ける。
パネルの場合は、当該余白を、第2の発光素子420Gと第3の発光素子420Bの間お
よび第3の発光素子420Bと第1の発光素子420Rの間に設ける(図8(A-1)参
照)。
パネルの場合は、当該余白を、第1の発光素子420Rと第3の発光素子420Bの間お
よび第2の発光素子420Gと第3の発光素子420Bの間に設ける(図8(B-1)参
照)。
アライメントずれを許容できる。
の有機化合物を含む層423aが、意図しない領域に形成されてしまう(図8(A-2)
および図8(B-2)参照)。
れる発光パネルの場合、(図8(A-2)参照)、第1の発光性の有機化合物を含む層4
23aが形成されない不良箇所420REが、第1の発光素子420Rに形成されてしま
う場合がある。
置される発光パネルの場合、(図8(B-2)参照)、第1の発光性の有機化合物を含む
層423aが形成されない不良箇所420REが第1の発光素子420Rに、第1の発光
性の有機化合物を含む層423aが形成されない不良箇所420GEが第2の発光素子4
20Gに、形成されてしまう場合がある。
Rと第2の発光素子420Gが短軸X方向に並んで配置される発光パネルの場合、第1の
発光素子420Rにのみ不良箇所420REが形成され、第1の発光素子420Rの正常
な部分に対する不良箇所420REの割合が大きくなってしまう。
る発光パネルの場合、第1の発光素子420Rと第2の発光素子420Gにそれぞれ不良
箇所が形成され、それぞれの発光素子の正常な部分に対する不良箇所の割合は、第1の発
光素子420Rと第2の発光素子420Gが短軸X方向に並んで配置される発光パネルに
比べて小さい。
り決定されてしまう。例えば、特定の色の発光素子のみ発光しなくなることで、発光パネ
ルは使用できなくなってしまうからである。
で配置される発光パネルにおいて、不良箇所が第1の発光素子420Rに集中してしまう
。これにより、第2の発光素子420Gに不良箇所が発生しなくても、発光パネルの信頼
性は第1の発光素子420Rの信頼性により決定づけられてしまう。
ため、第1の発光素子420Rの信頼性は損なわれやすい。
る発光パネルにおいて、不良箇所は第1の発光素子420Rと第2の発光素子420Gに
分散して形成される。これにより、第1の発光素子420Rの信頼性と第2の発光素子4
20Gの信頼性はいずれも低下するものの、その程度は平均化される。
される発光パネルは、短軸X方向に並んで配置される発光パネルに比べて、良好な信頼性
を確保できる。
反射膜(第1の反射膜419R、第2の反射膜419Gおよび第3の反射膜419B)は
、いずれも発光素子が発する光を反射する層である。反射膜は、可視光に対する反射率が
高いものほど好ましく、例えば銀またはアルミニウムまたはこれらから選ばれた一を含む
合金などが好ましい(図2(B)参照)。
21Gおよび第3の下部電極421B)に電気的に接続する配線を兼ねることができる。
また、反射膜が下部電極を兼ねる構成とすることもできる。
注入しやすくするため、仕事関数及び/又は表面に導電性の酸化膜が形成される材料が好
ましい。
挙げられる。
本実施の形態の変形例について、図3および図9を参照しながら説明する。
上面図である。
層423aの長軸Y方向についての、第1の発光素子420Rの長さY1、第2の発光素
子420Gの長さY2および第1の発光素子420Rと第2の発光素子420Gの間に設
けられた間隙の長さd1の合計が、短軸X方向についての、第1の発光素子420Rの長
さX1および第2の発光素子420Gの長さX2より長い(図3参照)。
ができる。よって、ここでは、発光パネル400Bの構成についての説明を援用するもの
とする。
層423aの、長軸Y方向についての長さがd1の間隙を、第1の発光素子420Rと第
2の発光素子420Gの間に備える。なお、島状の第1の発光性の有機化合物を含む層4
23aの長軸Y方向についての、第1の発光素子420Rの長さY1、第2の発光素子4
20Gの長さY2および第1の発光素子420Rと第2の発光素子420Gの間に設けら
れた間隙の長さd1の合計が、第1の発光素子420Rおよび第2の発光素子420Gの
短軸X方向についての長さより長い。
を小さくできる。具体的には、第1の発光素子420Rと第2の発光素子420Gが、島
状の第1の発光性の有機化合物を含む層423aの短軸X方向に並んで設けられる構成に
比べて、間隙の面積を小さくできる。その結果、高精細化に伴う開口率の低下が抑制され
た、新規な発光パネルを提供できる。
島状の第1の発光性の有機化合物を含む層423aの長軸Y方向についての、第1の発光
素子420Rと第2の発光素子420Gの配置と開口率の関係について、図9を用いて説
明する。
副画素(第1の副画素402R、第2の副画素402G、第3の副画素402B)で構成
される。
ついて長さYpを有し、短軸X方向について長さXpを有する。
は第1の発光素子420Rを備え、第2の副画素402Gは第2の発光素子420Gを備
え、第3の副画素402Bは第3の発光素子420Bを備える。
8と同様であり、ここでは図8を用いてされた説明を援用する。
帯状ともいえる)に形成されている。
が、島状の第1の発光性の有機化合物を含む層423aの短軸X方向に並んで配置される
。
が、島状の第1の発光性の有機化合物を含む層423aの長軸Y方向に並んで配置される
。
島状の第1の発光性の有機化合物を含む層423aを挟持する。したがって、発光性の有
機化合物を含む層を選択的に形成するときに生じるアライメントずれを許容できるように
するための余白を、第1の発光素子420Rと第2の発光素子420Gの間には設ける必
要がない。
層が設けられるが、第1の発光性の有機化合物を含む層は設けられない。したがって、発
光性の有機化合物を含む層を選択的に形成するときに生じるアライメントずれを許容でき
るようにするための余白を設ける必要がある。具体的には、第1の発光素子420Rと第
3の発光素子420Bの間および第2の発光素子420Gと第3の発光素子420Bの間
に、短軸X方向について長さがd2の間隙を設ける必要がある。
形成し、島状の第1の発光性の有機化合物を含む層423aを、シャドーマスク法を用い
て蒸着法により形成する場合、第1の発光素子420Rと第2の発光素子420Gの間に
設ける間隙の長さd1を、第1の発光素子420Rと第3の発光素子420Bの間および
第2の発光素子420Gと第3の発光素子420Bの間に設ける間隙の長さd2より短い
ものとすることができる。
物を含む層を選択的に形成するときに生じるアライメントずれを許容できるようにするた
めの余白を、隣り合う第3の発光素子420Bの間に設ける必要がない。これにより、第
3の発光素子420Bの長軸Y方向の長さは、(Yp-d1)となる(図9(A-2)お
よび図9(B-2)参照)。
第2の発光素子420G並びにその間に設けられる間隙は、長軸Y方向について長さ(Y
p-d1)を有し、短軸X方向について長さ(Xp-2d2-X3)を有する領域に配置
されることになる(図9(A-2)および図9(B-2)参照)。
該領域に占める割合が小さいほど、発光素子の面積が占める割合(開口率ともいう)が大
きくなり、好ましい。
合、間隙の大きさは、図9(A-2)に示すようになる。また、長軸Y方向に並んで配置
される場合、間隙の大きさは、図9(B-2)に示すようになる。
配置される場合、その間に設けられる間隙の面積は、(Yp-d1)とd1の積で表され
る(図9(A-2)参照)。一方、長軸Y方向に並んで配置される場合は、(Xp-2d
2-X3)とd1の積で表される(図9(B-2)参照)。
第1の発光素子420R、第2の発光素子420G並びにその間に設けられる間隙領域が
長軸Y方向に長い場合)、第1の発光素子420Rと第2の発光素子420Gを、長軸Y
方向に並んで配置することにより開口率を高めることができる。
)より小さくなるため、第1の発光素子420Rと第2の発光素子420Gを、長軸Y方
向に並んで配置することにより開口率を高めることができる。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光パネルの構成について、図4を参照しながら説
明する。
)の切断線H1-H2-H3-H4における断面を含む発光パネルの構造の側面図である
。
ネル400Cの構成に加えて、以下の構成を備える(図4(B)参照)。
0B)は、第2の発光性の有機化合物を含む層423bを、一対の電極(具体的には、第
1の下部電極421Rと上部電極422、第2の下部電極421Gと上部電極422およ
び第3の下部電極421Bと上部電極422)の間に備える。
を含む層423aを、第2の発光性の有機化合物を含む層423bと一対の電極の陽極と
して機能する電極(例えば、第1の下部電極421R、第2の下部電極421Gおよび第
3の下部電極421Bまたは上部電極)との間に備える。
呈する光を含む光を発するように、複数の発光性の有機化合物を含み、第2の発光性の有
機化合物を含む層は、第3の色を呈する光を発する発光性の有機化合物を含む。
の発光素子420Rの長さY1、第2の発光素子420Gの長さY2および第1の発光素
子420Rと第2の発光素子420Gの間に設けられる間隙の長さd1の合計が、短軸X
方向についての、第1の発光素子420Rまたは第2の発光素子420Gの長さより長い
場合を例に、発光パネル400Dを説明するが、第1の発光素子420Rと第2の発光素
子420Gの大きさはこれに限らない(図4(A)参照)。
420Gおよび第3の発光素子420Bは、いずれも第2の発光性の有機化合物を含む層
423bを一対の電極の間に備える。なお、第2の発光性の有機化合物を含む層423b
は連続する層である。
発光性の有機化合物を含む層を選択的に形成する工程を一度とすることができる。その結
果、発光性の有機化合物を含む層を選択的に形成するときのアライメントずれを許容でき
るようにするため余白を設ける場所を少なくすることができ、高精細化に伴う開口率の低
下が抑制された、新規な発光パネルを提供できる。または、生産が容易な、新規な発光パ
ネルを提供できる。
発光性の有機化合物を含む層423aを、一対の電極の陽極として機能する電極(例えば
下部電極)と第2の発光性の有機化合物を含む層423bの間に備える。
して機能する電極(例えば上部電極422)から注入される電子とを、島状の第1の発光
性の有機化合物を含む層423aにおいて再結合することができる。その結果、第1の発
光素子420Rおよび第2の発光素子420Gにおいて、第2の発光性の有機化合物を含
む層423bからの発光を抑制しつつ、島状の第1の発光性の有機化合物を含む層423
aからの発光を得ることができる。また、第1の発光性の有機化合物を含む層423aが
設けられていない第3の発光素子420Bにおいて、第2の発光性の有機化合物を含む層
423bからの発光を得ることができる。
光と第2の色(例えば緑色)を呈する光を含む光を発するように、複数の発光性の有機化
合物を含み、第2の発光性の有機化合物を含む層423bは、第3の色(例えば青色)を
呈する光を発する発光性の有機化合物を含む。
素402Gは第2の色(例えば緑色)を呈する光を、第3の副画素402Bは第3の色(
例えば青色)を呈する光を、それぞれ発する新規な発光パネルを提供することができる。
本実施の形態の変形例について、図5を参照しながら説明する。図5(A)は本発明の一
態様の発光パネル400Eの構造の上面図であり、図5(B)は図5(A)の切断線H1
-H2-H3-H4における断面を含む発光パネル400Eの構造の側面図である。
構成を有する。よって、同じ構成を有する部分については、既にした説明を援用し、ここ
では、光学素子の構成を中心に説明する。
造ともいう)を用いる光学素子を備える。
発光素子が一対の反射膜と半透過・半反射膜の間に配置され、一対の反射膜と半透過・半
反射膜の間の光学距離が、特定の波長の光を強めるように調整される。
する光を効率良く取り出すことができる。なお、導電膜を用いて反射膜または/および半
透過・半反射膜を形成する場合、これらの膜は配線または電極を兼ねることができる。
0B)は、第2の発光性の有機化合物を含む層423bを一対の電極(具体的には、第1
の下部電極421Rと上部電極422、第2の下部電極421Gと上部電極422および
第3の下部電極421Bと上部電極422)の間に備える(図5(B)参照)。
を含む層423aを、第2の発光性の有機化合物を含む層423bと一対の電極の陽極と
して機能する電極(例えば、第1の下部電極421R、第2の下部電極421Gおよび第
3の下部電極421Bまたは上部電極)との間に備える。
呈する光を含む光を発するように、複数の発光性の有機化合物を含み、第2の発光性の有
機化合物を含む層423bは、第3の色を呈する光を発する発光性の有機化合物を含む。
上部電極422を有する。第1の反射膜419Rに接して設けられた透光性を有する導電
膜で形成された第1の下部電極421Rは、光学距離調整層を兼ねる。そして、第1の反
射膜419Rと上部電極422は、第1の発光性の有機化合物を含む層423aが発する
光から、第1の色を呈する光を優先的に取り出すように設けられている。
部電極422を有する。第2の反射膜419Gに接して設けられた透光性を有する導電膜
で形成された第2の下部電極421Gは、光学距離調整層を兼ねる。そして、第2の反射
膜419Gと上部電極422は、第1の発光性の有機化合物を含む層423aが発する光
から、第2の色を呈する光を優先的に取り出すように設けられている。
の発光素子420Rの長さY1、第2の発光素子420Gの長さY2および第1の発光素
子420Rと第2の発光素子420Gの間に設けられる間隙の長さd1の合計が、短軸X
方向についての、第1の発光素子420Rおよび第2の発光素子420Gのいずれの長さ
より長い場合を例に、発光パネル400Eを説明する。しかし、第1の発光素子420R
と第2の発光素子420Gの大きさはこれに限らない(図5(A)参照)。
の下部電極421Bと上部電極422の間に備える。
部電極422を有していてもよい。第3の反射膜419Bに接して設けられた透光性を有
する導電膜で形成された第3の下部電極421Bは、光学距離調整層を兼ねてもよい。そ
して、第3の反射膜419Bと上部電極422は、第2の発光性の有機化合物を含む層4
23bが発する光から、第3の色を呈する光を優先的に取り出すように設けられていても
よい。
ば赤色)を呈する光を第1の発光素子420Rが発する光から優先的に取り出す微小共振
器を用いた第1の光学素子441Rを備える。また、第2の副画素402Gは、第2の色
(例えば緑色)を呈する光を第2の発光素子420Gが発する光から優先的に取り出す微
小共振器を用いた第2の光学素子441Gを備える。
む層423bを備え、第3の色(例えば青)を呈する光を発する。
2の副画素を、第2の色(例えば緑色)を呈する光を発する副画素に、第3の副画素を、
第3の色(例えば青色)を呈する光を発する副画素にすることができる。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光パネルの作製方法について、図6を参照しなが
ら説明する。
。
るものである。
第1のステップは、発光素子の下部電極(具体的には、第1の下部電極421R、第2の
下部電極421Gおよび第3の下部電極421B)を、未だ発光性の有機化合物を含む層
が形成されていない基板410上に形成する工程である。発光性の有機化合物を含む層を
損傷するおそれがないため、さまざまな微細加工技術を適用できる。本実施の形態では、
フォトリソグラフィ法を用いて下部電極を形成する。
射膜419R、第2の反射膜419Gおよび第3の反射膜419B)を形成する。
1の光学距離調整層を兼ねる第1の下部電極421Rは3回、第2の光学距離調整層を兼
ねる第2の下部電極421Gは2回に分けて形成し、第3の光学距離調整層を兼ねる第3
の下部電極421Bは1回で形成することができる。
成する(図6(A)参照)。次いで、厚さt2の島状の透光性を有する導電膜を第1の反
射膜419Rおよび第2の反射膜419G上に形成する(図6(B)参照)。次いで、厚
さt3の島状の透光性を有する導電膜を第1の反射膜419R、第2の反射膜419Gお
よび第3の反射膜419B上に形成する。
射膜419R上に形成できる。また、厚さが(t2+t3)の島状の透光性を有する導電
膜を第2の反射膜419G上に形成できる。また、厚さがt3の島状の透光性を有する導
電膜を第3の反射膜419B上に形成できる。
光性を有する導電膜に重なるように、絶縁性の隔壁418を形成する(図6(C)参照)
。なお、絶縁性の隔壁418の開口部に露出する部分が、発光素子の下部電極として機能
する。
、第3の下部電極421Bを、第1の下部電極421Rおよび第2の下部電極421Gか
ら離間して設ける。
長さd2の間隙を第1の下部電極421Rと第3の下部電極421Bの間および第2の下
部電極421Gと第3の下部電極421Bの間に設ける。
第2のステップにおいて、シャドーマスクの連続する一の島状の開口部を第1の下部電極
421R上および第2の下部電極421G上に重なるように配置して、当該シャドーマス
クが配置された側から第1の発光性の有機化合物を蒸着することにより、連続する一の島
状の第1の発光性の有機化合物を含む層423aを形成する。
ない蒸着源の側に配置する。次いで、シャドーマスクの開口部を所望の位置に配置するた
めのアライメントを行う。具体的には、シャドーマスク51の開口部(図中に破線で示す
)を、第1の下部電極421Rと第2の下部電極421G上に重ね、非開口部を第3の下
部電極421B上に重ねて配置する(図6(D)参照)。
たは厚さが数百μm以下の金属等の板で形成された遮蔽板である。
む第1の発光性の有機化合物を含む層423aを蒸着法により形成する。
る光を発する有機化合物を含む層と、緑色を呈する光を発する有機化合物を含む層を順番
に成膜し、積層としてもよい。
ルギーが、励起された緑色を呈する光を発する有機化合物から赤色を呈する光を発する有
機化合物に、移動してしまう現象を抑制できる。
例えば、それぞれの材料をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホス
ト材料に当該ゲスト材料を分散して成膜してもよい。
0R、第2の発光素子420Gおよび第3の発光素子420Bに共通する有機化合物を含
む層423iを下部電極上に形成してもよい。
第3のステップは、下部電極(第1の下部電極421R、第2の下部電極421Gおよび
第3の下部電極421B)上に、連続する第2の発光性の有機化合物を含む層を形成する
工程である(図7(A)参照)。
蒸着法により形成する。
膜してもよい。例えば、当該材料をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大
きなホスト材料に当該ゲスト材料を分散して成膜してもよい。
第4のステップは、半透過・半反射膜を兼ねる上部電極422を、下部電極(第1の下部
電極421R、第2の下部電極421Gおよび第3の下部電極421B)上に、形成する
工程である。
子420Bが基板410上に形成される(図7(B)参照)。
9R、第2の反射膜419Gおよび第3の反射膜419B)に重ねて形成されることによ
り、微小共振器構造を用いた第1の光学素子441R、第2の光学素子441Gおよび第
3の光学素子441Bが形成される。
第5のステップは、第1の発光素子420R、第2の発光素子420Gおよび第3の発光
素子420Bを、基板410と対向基板440の間に、図示されていない封止材を用いて
封止する工程である(図7(C)参照)。
子420B)を囲むように設ける。次いで、基板410と対向基板440を当該封止材で
貼り合わせ、発光素子を対向基板440と基板410の間に封止する。
よび光学距離調整層ならびに発光素子の下部電極を、島状の第1の発光性の有機化合物を
含む層および第2の発光性の有機化合物を含む層を形成するステップより前に、形成する
。
形成するステップより後に適用できない。しかし、反射膜を、発光性の有機化合物を含む
層を形成するステップより前に形成するため、当該膜の形成方法は発光性の有機化合物を
含む層に制約されない。例えば、反射膜を、フォトリソグラフィ技術を用いて発光性の有
機化合物を含む層を形成する前に形成できる。その結果、高精細化に伴う開口率の低下が
抑制された、新規な発光パネルの作製方法を提供できる。または、生産が容易な、新規な
発光パネルを提供できる。
本実施の形態の変形例について、図12を参照しながら説明する。図12は本発明の一態
様の断面を含む発光パネル400Gの作製方法を説明するための側面図である。
0Gおよび第3の発光素子420B)の構成および作製方法が異なる他は、発光パネル4
00Eと同じ構成を有する。
に設けられ、第1の下部電極421Rおよび第2の下部電極421Gには重ならないよう
に設けられている点が異なる。また、第2の発光性の有機化合物を含む層423bが、第
1の発光性の有機化合物を含む層423aと上部電極422の間および第3の発光性の有
機化合物を含む層423cと上部電極422の間に形成されている点が異なる。
の構成および作製方法を中心に説明する。
る。
第3のステップの変形例は、図6(C)を参照して説明した第2のステップに続いて、第
3の下部電極421B上に第3の発光性の有機化合物を含む層423cを、シャドーマス
ク52を用いて選択的に形成する工程である(図12(A)参照)。
、シャドーマスク52の開口部(図中に破線で示す)を、第3の下部電極421B上に重
ね、非開口部を第1の下部電極421Rおよび第2の下部電極421G上に重ねて配置す
る。次いで、青色を呈する光を発する有機化合物を含む第3の発光性の有機化合物を含む
層423cを、シャドーマスクを用いて蒸着法により形成する。
膜してもよい。例えば、当該材料をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大
きなホスト材料に当該ゲスト材料を分散して成膜してもよい。
第4のステップの変形例は、連続する第2の発光性の有機化合物を含む層423bと、半
透過・半反射膜を兼ねる上部電極422を、下部電極(第1の下部電極421R、第2の
下部電極421Gおよび第3の下部電極421B)上に、この順に形成する工程である。
子420Bが基板410上に形成される(図12(B)参照)。
9R、第2の反射膜419Gおよび第3の反射膜419B)に重ねて形成されることによ
り、微小共振器構造を用いた第1の光学素子441R、第2の光学素子441Gおよび第
3の光学素子441Bが形成される。
第5のステップの変形例は、第1の発光素子420R、第2の発光素子420Gおよび第
3の発光素子420Bを、基板410と対向基板440の間に、図示されていない封止材
を用いて封止する工程である(図12(C)参照)。
子420B)を囲むように設ける。次いで、基板410と対向基板440を当該封止材で
貼り合わせ、発光素子を対向基板440と基板410の間に封止する。
法は、光学素子の反射膜および光学距離調整層ならびに発光素子の下部電極を、島状の第
1の発光性の有機化合物を含む層423aおよび島状の第3の発光性の有機化合物を含む
層423c並びに第2の発光性の有機化合物を含む層423bを形成するステップより前
に、形成する。
形成するステップより後に適用できない。しかし、反射膜を、発光性の有機化合物を含む
層を形成するステップより前に形成するため、当該膜の形成方法は発光性の有機化合物を
含む層に制約されない。例えば、反射膜を、フォトリソグラフィ技術を用いて発光性の有
機化合物を含む層を形成する前に形成できる。その結果、高精細化に伴う開口率の低下が
抑制された、新規な発光パネルの作製方法を提供できる。または、生産が容易な、新規な
発光パネルを提供できる。
が選択的に形成された第3の発光性の有機化合物を含む層423cを備える。これにより
、材料の選択の幅が広がり、第3の発光素子420Bの発光効率を高めること、または駆
動電圧を低減することが容易になる。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光パネルに用いることができる発光素子の構成に
ついて説明する。具体的には、一対の電極に第1の発光性の有機化合物を含む層と第2の
発光性の有機化合物を含む層が挟持された発光素子(第1の発光素子および第2の発光素
子)と、一対の電極に第2の発光性の有機化合物を含む層が挟持された発光素子(第3の
発光素子)の一例について、図10を参照しながら説明する。
発光性の有機化合物を含む層(以下EL層という)を備える。下部電極または上部電極の
一方は陽極、他方は陰極として機能する。
性および材質に合わせて適宜選択する。
発光素子の構成の一例を図10(A)に示す。図10(A)に示す発光素子は、陽極11
01と陰極1102の間にEL層が挟まれている。
L層に陽極1101の側から正孔が注入され、陰極1102の側から電子が注入される。
注入された電子と正孔はEL層において再結合し、EL層に含まれる発光物質が発光する
。
たは積層体を発光ユニットという。よって、当該発光素子の構成例は発光ユニットを1つ
備えるということができる。
、発光層以外の層と積層された構造であっても良い。発光層以外の層としては、例えば正
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔輸送性に乏しい(ブロッキングする)
物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、並びにバイポーラ性(電子及び正
孔の輸送性の高い)の物質等を含む層が挙げられる。
発光ユニット1103は、正孔注入層1113、正孔輸送層1114、第1の発光層11
15a、第2の発光層1115b、第3の発光層1115c並びに電子注入層1117が
陽極1101側からこの順に積層されている。
光層1115aと第2の発光層1115bの近傍で再結合し、そのエネルギーにより発光
性の有機化合物が発光する。
に輸送しない構成が好ましい。例えば、電子輸送性に優れ正孔輸送性に劣る材料や、HO
MO準位が第3の発光層1115cより深い材料を含む層を、第2の発光層1115bの
第3の発光層1115cに接する側に設ける構成としてもよい。
物質を含む。なお、第2の発光物質は、第1の発光物質の発する光が呈する色と異なる色
を呈する光を発するように選択される。これにより、発光スペクトルの幅を広げることが
でき、複数の色を呈する光を含む光を発する発光素子とすることができる。
色と青色または緑色と青色の組み合わせなどがある。
5aおよび第2の発光層1115bの双方から発光を得る。したがって、双方を効率よく
発光させるためには、第1の発光物質と第2の発光物質はいずれも燐光物質であるか、ま
たは、いずれも蛍光物質であることが好ましい。なお、本構成においては、第1の発光層
1115aおよび第2の発光層1115bにおいて励起子を分け合うことになるため、各
発光層の量子効率は通常の半分程度になる。したがって、発光効率の高い燐光物質を用い
ることが好ましく、信頼性の観点では緑色および赤色の燐光物質であることが好ましい。
む光を発する構成としてもよい。
光層として機能せず、電子輸送層として機能する。第3の発光層1115cは、陰極11
02側から注入される電子を第2の発光層1115bに輸送する。
)に示す発光ユニット1103は、正孔注入層1113、正孔輸送層1114、第3の発
光層1115c並びに電子注入層1117が陽極1101側からこの順に積層されている
。
光層1115cで再結合し、そのエネルギーにより発光性の有機化合物が発光する。
物質および第2の発光物質と、発光色が異なる。これにより、図10(B-1)を用いて
説明した発光素子とは異なる色を呈する光を発する発光素子とすることができる。
発光層として機能する。
質を用いた場合、第3の発光層1115cには青色の発光物質を用いることが好ましい。
この時、信頼性の観点から青色の蛍光物質を用いることが好ましい。また、第3の発光層
1115cに青色の蛍光物質を用いる場合、該蛍光物質はアントラセン誘導体に分散させ
ることが好ましい。アントラセン誘導体は電子輸送性が高いため、第3の発光層1115
cに用いることで、第1の発光素子および第2の発光素子において第3の発光層1115
cが発光してしまうのを防ぐことができる。この時、該蛍光物質は芳香族アミン化合物が
好ましい。芳香族アミン化合物は正孔トラップ性が高く(正孔が動きにくく)、相対的に
第3の発光層1115cの電子輸送性を高めるためである。芳香族アミン化合物としては
、特にピレン誘導体が好ましい。
次に、上述した構成を備える発光素子に用いることができる具体的な材料について、陽極
、陰極、並びにEL層の順に説明する。
陽極1101は導電性を有する金属、合金、電気伝導性化合物等およびこれらの混合物の
単層または積層体で構成される。特に、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上)
の材料をEL層に接する構成が好ましい。
、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(
Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、チタン(Ti)等の金属材料またはこれらを
含む合金材料が挙げられる。
子が挙げられる。
n Oxide)、珪素若しくは酸化珪素を含有したインジウム-錫酸化物、チタンを含
有したインジウム-錫酸化物、インジウム-チタン酸化物、インジウム-タングステン酸
化物、インジウム-亜鉛酸化物、タングステン及を含有したインジウム-亜鉛酸化物等が
挙げられる。また、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングス
テン酸化物、マンガン酸化物、チタン酸化物等が挙げられる。
などを応用して作製しても構わない。例えば、インジウム-亜鉛酸化物膜は、酸化インジ
ウムに対し1wt%以上20wt%以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタ
リング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した
酸化インジウム膜は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5wt%以上5wt
%以下、酸化亜鉛を0.1wt%以上1wt%以下含有したターゲットを用いてスパッタ
リング法により形成することができる。
チレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)、ポリアニリン/ポリ(スチレンスルホン酸
)(PAni/PSS)等が挙げられる。
考慮せずに様々な導電性材料を陽極1101に用いることができる。具体的には、仕事関
数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を用いることもできる。第2の電荷発
生領域を構成する材料については、第1の電荷発生領域と共に後述する。
陰極1102に接して第1の電荷発生領域を、発光ユニット1103との間に設ける場合
、陰極1102は仕事関数の大小に関わらず様々な導電性材料を用いることができる。
膜を用いて形成する。例えば、陰極1102または陽極1101の一方を、可視光を透過
する導電膜を用いて形成し、他方を、可視光を反射する導電膜を用いて形成すると、一方
の面に光を射出する発光素子を構成できる。また、陰極1102および陽極1101の両
方を、可視光を透過する導電膜を用いて形成すると、両方の面に光を射出する発光素子を
構成できる。
素を含有したインジウム-錫酸化物、チタンを含有したインジウム-錫酸化物、インジウ
ム-チタン酸化物、インジウム-タングステン酸化物、インジウム-亜鉛酸化物、タング
ステンを含有したインジウム-亜鉛酸化物等が挙げられる。また、光を透過する程度(好
ましくは、5nm以上30nm以下程度)の金属薄膜を用いることもできる。
ニウム、白金、金、銅等の金属材料またはこれらを含む合金材料が挙げられる。銀を含む
合金としては、銀-ネオジム合金、マグネシウム-銀等を挙げることができる。アルミニ
ウムの合金としては、アルミニウム-ニッケル-ランタン合金、アルミニウム-チタン合
金、アルミニウム-ネオジム合金等が挙げられる。
上述した発光ユニット1103を構成する各層に用いることができる材料について、以下
に具体例を示す。
例えば、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物
、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン(略称:H2Pc)
や銅フタロシアニン(略称:CuPc)等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ(3
,4-エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PS
S)等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。
荷発生領域を用いると、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を陽極1101に用いる
ことができるのは前述の通りである。第2の電荷発生領域を構成する材料については第1
の電荷発生領域と共に後述する。
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層は、単層に限られず正
孔輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子よりも正孔の輸送性
の高い物質であればよく、特に10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質が、
発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPBまたはα-NPD))
やカルバゾール誘導体(例えば、9-[4-(10-フェニル-9-アントラセニル)フ
ェニル]-9H-カルバゾール(略称:CzPA))などが挙げられる。また、高分子化
合物(例えば、ポリ(N-ビニルカルバゾール)(略称:PVK))等を用いることがで
きる。
発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、単層に限られず発光物質を含む層を二層
以上積層したものでもよい。発光物質は蛍光性化合物や、燐光性化合物を用いることがで
きる。発光物質に燐光性化合物を用いると、発光素子の発光効率を高められるため好まし
い。
リス(2-フェニルピリジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(ppy)3))等
を用いることができる。
起エネルギーが、発光物質の励起エネルギーよりも大きなものが好ましい。
ば、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、高分子化合物等)、後述の電子輸送性の
高い物質(例えば、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾ
ール系やチアゾール系配位子を有する金属錯体等)などを用いることができる。
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層は、単層に限られず電
子輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。正孔よりも電子の輸送性
の高い物質であればよく、特に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質が、
発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
体(例えば、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq))、オキサゾー
ル系やチアゾール系配位子を有する金属錯体(例えば、ビス[2-(2-ヒドロキシフェ
ニル)ベンズオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX)2))、その他の化合物(例え
ば、バソフェナントロリン(略称:BPhen))などが挙げられる。また、高分子化合
物(例えば、ポリ[(9,9-ジヘキシルフルオレン-2,7-ジイル)-co-(ピリ
ジン-3,5-ジイル)](略称:PF-Py))等を用いることができる。
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層は、単層に限られず電
子注入性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子注入層を設ける構成
とすることで陰極1102からの電子の注入効率が高まり、発光素子の駆動電圧を低減で
きるため好ましい。
Cs))、アルカリ土類金属(例えば、カルシウム(Ca))、またはこれらの化合物(
例えば、酸化物(具体的には酸化リチウム等)、炭酸塩(具体的には炭酸リチウムや炭酸
セシウム等)、ハロゲン化物(具体的にはフッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(
CsF)、フッ化カルシウム(CaF2)))などが挙げられる。
具体的には、Alq中にマグネシウム(Mg)を含有させたものなど)で形成してもよい
。なお、電子輸送性の高い物質に対するドナー性物質を添加量の質量比は0.001以上
0.1以下の比率が好ましい。
の化合物の他、テトラチアナフタセン(略称:TTN)、ニッケロセン、デカメチルニッ
ケロセン等の有機化合物を用いることもできる。
第1の電荷発生領域、及び第2の電荷発生領域は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター
性物質を含む領域である。なお、電荷発生領域は、同一膜中に正孔輸送性の高い物質とア
クセプター性物質を含有する場合だけでなく、正孔輸送性の高い物質を含む層とアクセプ
ター性物質を含む層とが積層されていても良い。但し、第1の電荷発生領域を陰極側に設
ける積層構造の場合には、正孔輸送性の高い物質を含む層が陰極1102と接する構造と
なり、第2の電荷発生領域を陽極側に設ける積層構造の場合には、アクセプター性物質を
含む層が陽極1101と接する構造となる。
0以下の比率でアクセプター性物質を添加することが好ましい。
る第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリ
ブデンが特に好ましい。なお、酸化モリブデンは、吸湿性が低いという特徴を有している
。
バゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー
等)など、種々の有機化合物を用いることができる。具体的には、10-6cm2/Vs
以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の
高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
電子リレー層は、第1の電荷発生領域においてアクセプター性物質がひき抜いた電子を速
やかに受け取ることができる層である。従って、電子リレー層は、電子輸送性の高い物質
を含む層であり、またそのLUMO準位は、第1の電荷発生領域におけるアクセプター性
物質のアクセプター準位と、当該電子リレー層が接する発光ユニット1103のLUMO
準位との間に位置する。具体的には、およそ-5.0eV以上-3.0eV以下とするの
が好ましい。
レンテトラカルボン酸二無水物(略称:PTCDA))や、含窒素縮合芳香族化合物(例
えば、ピラジノ[2,3-f][1,10]フェナントロリン-2,3-ジカルボニトリ
ル(略称:PPDN))などが挙げられる。
して好ましい。さらに、含窒素縮合芳香族化合物のうち、シアノ基やフルオロ基などの電
子吸引基を有する化合物を用いることにより、電子リレー層における電子の受け取りがさ
らに容易になるため、好ましい。
電子注入バッファーは、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入バッファーは、
第1の電荷発生領域から発光ユニット1103への電子の注入を容易にする層である。電
子注入バッファーを第1の電荷発生領域と発光ユニット1103の間に設けることにより
、両者の注入障壁を緩和することができる。
これらの化合物などが挙げられる。
形成してもよい。
発光素子の作製方法の一態様について説明する。下部電極上にこれらの層を適宜組み合わ
せてEL層を形成する。EL層は、それに用いる材料に応じて種々の方法(例えば、乾式
法や湿式法等)を用いることができ。例えば、真空蒸着法、転写法、印刷法、インクジェ
ット法またはスピンコート法などを選んで用いればよい。また、各層で異なる方法を用い
て形成してもよい。EL層上に上部電極を形成し、発光素子を作製する。
とができる。この発光素子からは、上述した発光物質からの発光が得られ、その発光色は
発光物質の種類を変えることにより選択できる。
のが好ましく、例えば、一つの発光素子が、青色を呈する光を発する層、緑色を呈する光
を発する層、赤色を呈する光を発する層を備える構成とすればよい。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光パネルを適用した表示パネルについて、図11
を参照しながら説明する。
1(A)の切断線A-BおよびC-Dにおける断面を含む構造の側面図である。
5に例示された発光パネル400Eの上面の構成と断面の構成と同様の構成を有する。具
体的には、図5(A)は図11(A)の画素部の拡大図に相当し、図5(B)は図5(A
)の切断線H1-H2-H3-H4における断面を含む画素の構造の側面図に相当する。
有し、表示部401には画素402が複数設けられている。また、画素402には複数(
例えば3つ)の副画素が設けられている(図11(A))。
回路部403gは表示部401に設けられた複数の画素を選択する。
するための、ソース側の駆動回路部を設けてもよい。また、これらの駆動回路部を表示パ
ネル400Fの外部に形成することもできる。
409を介して、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。
9またはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。
と対向基板440の間に形成された空間431に封止されている(図11(B)参照)。
ネル400Fは、ゲート側の駆動回路部403gと、画素402に含まれる第3の副画素
402Bと、引き回し配線408を備える。
で例示するトランジスタ472は、ボトムゲート型のトランジスタであるが、トップゲー
ト型のトランジスタを適用することができる。また、トランジスタの半導体層には、シリ
コン等の4属の元素を含む半導体層の他、インジウムまたは/および亜鉛を含む酸化物半
導体などを適用できる。
OS回路で構成しても良い。
に伝送する。
絶縁層416は、トランジスタ471等の構造に由来して生じる段差を平坦化、または、
トランジスタ471等への不純物の拡散を抑制するための、絶縁性の層であり、単一の層
であっても複数の層の積層体であってもよい。隔壁418は開口部を有する絶縁性の層で
あり、第3の発光素子420Bは隔壁418の開口部に形成される。
ねる上部電極422とで構成される光学素子と、第3の下部電極421Bおよび上部電極
422並びにこれらの間に挟持される第2の発光性の有機化合物を含む層423bとで構
成される第3の発光素子420Bを有する。
を反射する現象を防ぐ膜であり、表示部401が表示する画像のコントラストを高める効
果を奏する。なお、遮光性の膜442は、対向基板440に形成されている。
8上に設けても良い。
方向に光を射出して、画像を表示する。
。
52 シャドーマスク
400 表示パネル
400A 発光パネル
400B 発光パネル
400C 発光パネル
400D 発光パネル
400E 発光パネル
400F 表示パネル
400G 発光パネル
401 表示部
402 画素
402B 副画素
402G 副画素
402R 副画素
403g ゲート側の駆動回路部
405 封止材
408 配線
409 FPC
410 基板
416 絶縁層
418 隔壁
419B 反射膜
419G 反射膜
419R 反射膜
420B 発光素子
420G 発光素子
420GE 不良箇所
420R 発光素子
420RE 不良箇所
421B 下部電極
421G 下部電極
421R 下部電極
422 上部電極
423a 第1の発光性の有機化合物を含む層
423b 第2の発光性の有機化合物を含む層
423c 第3の発光性の有機化合物を含む層
423i 有機化合物を含む層
431 空間
440 対向基板
441B 光学素子
441G 光学素子
441R 光学素子
442 膜
445 スペーサー
471 トランジスタ
472 トランジスタ
1101 陽極
1102 陰極
1103 発光ユニット
1113 正孔注入層
1114 正孔輸送層
1115a 発光層
1115b 発光層
1115c 発光層
1117 電子注入層
Claims (2)
- 異なる発光色を呈する、第1の発光素子と、第2の発光素子と、第3の発光素子と、を有する発光パネルの作製方法であって、
絶縁表面を有する基板上に、第1の下部電極と、前記第1の下部電極と第1の間隙を挟んで離間する第2の下部電極と、前記第1の下部電極および前記第2の下部電極と前記第1の間隙より長い第2の間隙を挟んで離間する第3の下部電極と、を形成する第1のステップと、
遮蔽板の第1の開口部を、前記第1の下部電極および前記第2の下部電極に重なるように配置した状態で、前記遮蔽板が配置された側から第1の発光性の有機化合物を蒸着することにより、前記第1の下部電極上および前記第2の下部電極上に、島状の前記第1の発光性の有機化合物を含む層を形成する第2のステップと、
前記第1の下部電極上、前記第2の下部電極上および前記第3の下部電極上に、連続する第2の発光性の有機化合物を含む層を形成する第3のステップと、
前記第1の下部電極上、前記第2の下部電極上および前記第3の下部電極上に、連続する上部電極を形成する第4のステップと、を有する発光パネルの作製方法。 - 請求項1において、
前記第1の下部電極は、第1の反射層上に第1の光学距離調整層が積層され、
前記第2の下部電極は、第2の反射層上に第2の光学距離調整層が積層され、
前記第3の下部電極は、第3の反射層上に積層されている、発光パネルの作製方法。
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WO2015132693A1 (en) | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
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US9874775B2 (en) | 2014-05-28 | 2018-01-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
KR20230044334A (ko) | 2014-09-12 | 2023-04-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
JP2016072250A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、電子機器、及び照明装置 |
US9627650B2 (en) | 2014-10-24 | 2017-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Multiple light-emitting element device each with varying wavelength |
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JP2016091953A (ja) * | 2014-11-10 | 2016-05-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR20180093001A (ko) | 2015-12-11 | 2018-08-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
US10170521B2 (en) * | 2015-12-30 | 2019-01-01 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display device |
US10797113B2 (en) | 2016-01-25 | 2020-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device with layered electrode structures |
JP6299783B2 (ja) * | 2016-02-15 | 2018-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、および電子機器 |
KR102419770B1 (ko) | 2016-05-20 | 2022-07-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 전자 기기 |
JP6907051B2 (ja) * | 2016-07-08 | 2021-07-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP6930092B2 (ja) | 2016-11-17 | 2021-09-01 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び、電子機器 |
KR20180062268A (ko) * | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 구조물을 포함하는 디스플레이 장치 |
WO2018100458A1 (en) | 2016-11-30 | 2018-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
CN107564944B (zh) * | 2017-08-29 | 2020-06-05 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及显示装置 |
CN107561723B (zh) * | 2017-10-13 | 2020-05-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN107910353A (zh) * | 2017-11-23 | 2018-04-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光装置及其制作方法 |
CN111819909A (zh) * | 2018-03-06 | 2020-10-23 | 索尼半导体解决方案公司 | 发光元件单元 |
CN112424969A (zh) | 2018-05-18 | 2021-02-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置 |
TWI677979B (zh) * | 2019-03-21 | 2019-11-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板及其製作方法 |
CN110071159B (zh) * | 2019-04-30 | 2021-07-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素电极结构及像素电极结构制作方法 |
KR20210021216A (ko) * | 2019-08-16 | 2021-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
TWI730460B (zh) * | 2019-10-18 | 2021-06-11 | 進化光學有限公司 | 高出光效率的背接觸式全彩led顯示面板及其製造方法 |
CN110896097B (zh) * | 2019-11-13 | 2022-05-13 | 清华大学 | 一种全色有机电致发光装置 |
KR20220065975A (ko) * | 2020-11-13 | 2022-05-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11212076A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Toppan Printing Co Ltd | 液晶表示装置用カラーフィルタ |
AU2001257542A1 (en) * | 2000-05-03 | 2001-11-12 | The Regents Of The University Of California | Soluble tetrahedral compounds for use in electroluminescent devices |
JP2003234186A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-08-22 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
US6824893B2 (en) * | 2002-02-28 | 2004-11-30 | Eastman Kodak Company | Organic element for electroluminescent devices |
US6867549B2 (en) * | 2002-12-10 | 2005-03-15 | Eastman Kodak Company | Color OLED display having repeated patterns of colored light emitting elements |
US6933534B1 (en) * | 2003-03-03 | 2005-08-23 | Rockwell Collins | Display having differing element sizes to improve efficiency, luminance, chromaticity, and lifetime |
EP1672962B1 (en) * | 2003-09-19 | 2012-06-20 | Sony Corporation | Organic light emitting device, manufacturing method thereof and display device using the organic light emitting device |
JP4895490B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2012-03-14 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
CN1934216B (zh) * | 2004-03-25 | 2011-11-23 | 株式会社丰田中央研究所 | 发光材料及其制造方法 |
US7602119B2 (en) * | 2005-04-25 | 2009-10-13 | Eastman Kodak Company | OLED with magenta and green emissive layers |
JP2007234241A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機el素子 |
JP4062352B2 (ja) * | 2006-10-26 | 2008-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置 |
JP2008146904A (ja) * | 2006-12-07 | 2008-06-26 | Sony Corp | 有機電界発光素子および表示装置 |
US8330352B2 (en) * | 2007-11-13 | 2012-12-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
KR100953540B1 (ko) * | 2008-06-11 | 2010-04-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101499234B1 (ko) * | 2008-06-27 | 2015-03-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치, 그 제조 방법 및 이에 사용되는섀도우 마스크 |
KR101582937B1 (ko) * | 2008-12-02 | 2016-01-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2010140787A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Seiko Epson Corp | 発光装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2010165510A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Canon Inc | 有機el表示装置 |
KR101058109B1 (ko) * | 2009-09-15 | 2011-08-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
JP2011139044A (ja) * | 2009-12-01 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
KR101182442B1 (ko) * | 2010-01-27 | 2012-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 |
JP5019644B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2012-09-05 | 株式会社ジャパンディスプレイセントラル | 有機el装置 |
KR101137392B1 (ko) * | 2010-03-31 | 2012-04-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP5445364B2 (ja) * | 2010-07-09 | 2014-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置、有機el装置の製造方法、ならびに電子機器 |
DE102011053000B4 (de) * | 2010-08-27 | 2017-08-17 | Lg Display Co., Ltd. | Organische elektrolumineszente Vorrichtung |
KR101257734B1 (ko) * | 2010-09-08 | 2013-04-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
JP2012114073A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-06-14 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
KR101407585B1 (ko) * | 2011-01-10 | 2014-06-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
JP5820295B2 (ja) * | 2011-02-21 | 2015-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 照明装置 |
US20140111115A1 (en) * | 2012-10-22 | 2014-04-24 | Motorola Mobility Llc | Display devices having non-uniform sub-pixel spacing and methods therefor |
US9614191B2 (en) * | 2013-01-17 | 2017-04-04 | Kateeva, Inc. | High resolution organic light-emitting diode devices, displays, and related methods |
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