JP2023068558A - 基板処理システム及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】エッチング処理後の基板厚みの面内均一性を適切に向上する。【解決手段】基板を処理する基板処理システムであって、前記基板の処理対象面にエッチング液を供給して、前記処理対象面をエッチングするエッチング装置と、前記基板の厚みを複数点で測定する厚み測定装置と、を有し、前記エッチング装置は、前記処理対象面に対して相対的に移動可能に構成され、前記処理対象面に前記エッチング液を供給するエッチング液供給部と、前記処理対象面に対して相対的に移動可能に構成され、前記処理対象面に選択的にレーザ光を照射可能なレーザ光照射部と、を備える。【選択図】図３

Description

本開示は、基板処理システム及び基板処理方法に関する。

特許文献１には、半導体インゴットをスライスして得られたウェハの少なくともおもて面を平坦化する工程と、平坦化されたウェハのおもて面をスピンエッチングによりエッチングする工程と、を含む半導体ウェハの製造方法が開示されている。

特開平１１－１３５４６４号公報

本開示にかかる技術は、エッチング処理後の基板厚みの面内均一性を適切に向上する。

本開示の一態様は、基板を処理する基板処理システムであって、前記基板の処理対象面にエッチング液を供給して、前記処理対象面をエッチングするエッチング装置と、前記基板の厚みを複数点で測定する厚み測定装置と、を有し、前記エッチング装置は、前記処理対象面に対して相対的に移動可能に構成され、前記処理対象面に前記エッチング液を供給するエッチング液供給部と、前記処理対象面に対して相対的に移動可能に構成され、前記処理対象面に選択的にレーザ光を照射可能なレーザ光照射部と、を備える。

本開示によれば、エッチング処理後の基板厚みの面内均一性を適切に向上することができる。

ウェハ処理システムで処理されるウェハの一例を示す側面図である。 ウェハ処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。 エッチング装置の構成の概略を示す側面図である。 エッチング液供給部が径方向に移動する様子を示す説明図である。 ウェハ処理の主な工程を示す説明図である。 ウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。 エッチング液供給部の他の構成例を示す説明図である。

近年の半導体デバイスの製造工程では、半導体デバイスの高精度化に伴い、半導体基板（以下、「ウェハ」という。）を研削して薄化し、更に、当該ウェハの加工面を平坦化、平滑化する一連の処理に際して、当該加工面に従来以上の平坦度が求められている。加工面の平坦化、平滑化は、例えば研削後の加工面に対してエッチング処理及びＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理を順次施すことにより行われる。

ここで、上記したＣＭＰ処理は、上記した研削処理やエッチング処理と比較して加工の面内均一性や加工精度が高い一方、ウェハ面内を局所的に加工することで当該加工面を平坦化することには不適である。このため、上記した一連の処理に際して加工面の平坦度を更に向上させるためには、特に、エッチング処理における加工精度の向上が求められる。

上述した特許文献１には、半導体インゴットをスライスして得られたウェハの少なくともおもて面を平面研削又はラッピングにより平坦化した後、当該おもて面をスピンエッチングによりエッチングすることが開示されている。

しかしながら、特許文献１に記載のエッチング工程は、平面研削又はラッピングによりウェハのおもて面を平坦化した後、当該おもて面をスピンエッチングによりエッチングすることが開示されるのみで、更に加工面の平坦度を精密に向上させることについては記載がない。

本開示にかかる技術は上記事情に鑑みてなされたものであり、エッチング処理後の基板厚みの面内均一性を適切に向上する。以下、本実施形態にかかる基板処理システムとしてのウェハ処理システム、及び基板処理方法としてのウェハ処理方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

本実施形態にかかる後述のウェハ処理システム１では、一例として、図１に示すように第１のウェハＷと第２のウェハＳとが接合された基板としての重合ウェハＴに対して処理を行う。以下、第１のウェハＷにおいて、第２のウェハＳと接合される側の面を表面Ｗａといい、表面Ｗａと反対側の面を裏面Ｗｂという。同様に、第２のウェハＳにおいて、第１のウェハＷと接合される側の面を表面Ｓａといい、表面Ｓａと反対側の面を裏面Ｓｂという。

第１のウェハＷは、例えばシリコン基板等の半導体ウェハであって、表面Ｗａ側に複数のデバイスを含むデバイス層Ｄｗが形成されている。また、デバイス層Ｄｗには更に接合用膜Ｆｗが形成され、当該接合用膜Ｆｗを介して第２のウェハＳと接合されている。接合用膜Ｆｗとしては、例えば酸化膜（ＴＨＯＸ膜、ＳｉＯ_２膜、ＴＥＯＳ膜）、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜又は接着剤などが用いられる。

第２のウェハＳは、例えばシリコン基板等の半導体ウェハであって、第１のウェハＷのデバイス層Ｄｗを保護する保護材として機能する。第２のウェハＳは、接合用膜Ｆｓを介して第１のウェハＷと接合されている。なお、第２のウェハＳはデバイス層Ｄｗを保護するサポートウェハである必要はなく、第１のウェハＷと同様に、表面Ｓａにデバイス層（図示せず）が形成されたデバイスウェハであってもよい。

図２に示すようにウェハ処理システム１は、搬入出ステーション２と処理ステーション３を一体に接続した構成を有している。搬入出ステーション２では、例えば外部との間で複数の重合ウェハＴを収容可能なカセットＣが搬入出される。処理ステーション３は、重合ウェハＴに対して所望の処理を施す各種処理装置を備えている。

搬入出ステーション２には、複数、例えば３つのカセットＣを載置するカセット載置台１０が設けられている。また、カセット載置台１０のＸ軸負方向側には、当該カセット載置台１０に隣接してウェハ搬送装置２０が設けられている。ウェハ搬送装置２０は、Ｙ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動自在に構成されている。また、ウェハ搬送装置２０は、重合ウェハＴを保持して搬送する、例えば２つの搬送アーム２２、２２を有している。各搬送アーム２２は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸回りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム２２の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。そして、ウェハ搬送装置２０は、カセット載置台１０のカセットＣ、及び後述するトランジション装置３０に対して、重合ウェハＴを搬送可能に構成されている。

搬入出ステーション２には、ウェハ搬送装置２０のＸ軸負方向側において、当該ウェハ搬送装置２０に隣接して、重合ウェハＴを処理ステーション３との間で受け渡すためのトランジション装置３０が設けられている。

処理ステーション３には、例えば３つの処理ブロックＢ１～Ｂ３が設けられている。第１の処理ブロックＢ１、第２の処理ブロックＢ２、及び第３の処理ブロックＢ３は、Ｘ軸正方向側（搬入出ステーション２側）から負方向側にこの順で並べて配置されている。

第１の処理ブロックＢ１には、エッチング装置４０、厚み測定装置４１及びウェハ搬送装置５０が設けられている。エッチング装置４０と厚み測定装置４１は、積層して配置されている。なお、エッチング装置４０と厚み測定装置４１の数や配置はこれに限定されない。

エッチング装置４０は、後述の加工装置８０における研削後の第１のウェハＷの裏面Ｗｂ（処理対象面としての研削面）をエッチングし、研削後の第１のウェハＷ（重合ウェハＴ）の更なる薄化を行うとともに、研削処理により生じた研削痕を除去して研削面を平坦化する。なお、エッチング装置４０の詳細な構成は後述する。

厚み測定装置４１は、一例において測定部（図示せず）と算出部（図示せず）を備える。測定部は、エッチング前、またはエッチング後の第１のウェハＷの厚みを複数点で測定するセンサを備える。算出部は、測定部による測定結果（第１のウェハＷの厚み）から第１のウェハＷの厚み分布を取得し、更に第１のウェハＷの平坦度（ＴＴＶ：Ｔｏｔａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）を算出する。なお、かかる第１のウェハＷの厚み分布及び平坦度の算出は、当該算出部に代えて、後述の制御装置９０で行われてもよい。換言すれば、後述の制御装置９０内に算出部（図示せず）が設けられてもよい。なお、厚み測定装置４１の構成はこれに限定されず、任意に構成できる。

ウェハ搬送装置５０は、トランジション装置３０のＸ軸負方向側に配置されている。ウェハ搬送装置５０は、重合ウェハＴを保持して搬送する、例えば２つの搬送アーム５１、５１を有している。各搬送アーム５１は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸回りに移動自在に構成されている。そしてウェハ搬送装置５０は、トランジション装置３０、エッチング装置４０、厚み測定装置４１、後述の洗浄装置６０及び後述するバッファ装置６１に対して、重合ウェハＴを搬送可能に構成されている。

第２の処理ブロックＢ２には、洗浄装置６０、バッファ装置６１及びウェハ搬送装置７０が設けられている。洗浄装置６０とバッファ装置６１は、積層して配置されている。なお、洗浄装置６０とバッファ装置６１の数や配置はこれに限定されない。

洗浄装置６０は、後述の加工装置８０における研削後の第１のウェハＷの裏面Ｗｂ（研削面）を洗浄する。例えば裏面Ｗｂにブラシを当接させて、当該裏面Ｗｂをスクラブ洗浄する。なお、第１のウェハＷの洗浄には、加圧された洗浄液を用いてもよい。また、洗浄装置６０は、第１のウェハＷを洗浄する際、第２のウェハＳの裏面Ｓｂを同時に洗浄可能に構成されていてもよい。

バッファ装置６１は、第１の処理ブロックＢ１から第２の処理ブロックＢ２に受け渡される処理前の重合ウェハＴを一時的に保持する。バッファ装置６１の構成は任意である。なお、バッファ装置６１は、後述するチャック８３に対する重合ウェハＴの中心位置、及び／又は重合ウェハＴの水平方向の向きを調整するアライメント機構（図示せず）を有していてもよい。

ウェハ搬送装置７０は、例えば洗浄装置６０とバッファ装置６１のＹ軸正方向側に配置されている。ウェハ搬送装置７０は、重合ウェハＴを図示しない吸着保持面により吸着保持して搬送する、例えば２つの搬送アーム７１、７１を有している。各搬送アーム７１は、多関節のアーム部材７２に支持され、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸回りに移動自在に構成されている。そしてウェハ搬送装置７０は、エッチング装置４０、厚み測定装置４１、洗浄装置６０、バッファ装置６１及び後述する加工装置８０に対して、重合ウェハＴを搬送可能に構成されている。

第３の処理ブロックＢ３には、加工装置８０が設けられている。加工装置８０は、第１のウェハＷを研削して薄化する。

加工装置８０は、回転テーブル８１を有している。回転テーブル８１は、回転機構（図示せず）によって、鉛直な回転中心線８２を中心に回転自在に構成されている。回転テーブル８１上には、重合ウェハＴを吸着保持するチャック８３が２つ設けられている。チャック８３は、回転テーブル８１と同一円周上に均等に配置されている。２つのチャック８３は、回転テーブル８１が回転することにより、受渡位置Ａ０及び加工位置Ａ１に移動可能になっている。また、２つのチャック８３はそれぞれ、回転機構（図示せず）によって鉛直軸回りに回転可能に構成されている。

受渡位置Ａ０では、重合ウェハＴの受け渡しが行われる。加工位置Ａ１には、研削ユニット８４が配置され、第２のウェハＳをチャック８３で吸着保持した状態で第１のウェハＷを研削する。研削ユニット８４は、環状形状で回転自在な研削砥石（図示せず）を備えた研削部８５を有している。また研削部８５は、支柱８６に沿って鉛直方向に移動可能に構成されている。

また加工装置８０には、研削処理中、又は研削処理後の重合ウェハＴの厚みを測定する厚み測定機構８７が設けられている。厚み測定機構８７の構成は任意に選択することができるが、一例として接触式、又は非接触式のセンサを備えた測定部８７ａと、算出部８７ｂと、を備える。

なお、加工装置８０の構成はこれに限定されるものではない。例えば、回転テーブル８１上に４つのチャック８３を設け、当該４つのチャック８３が、重合ウェハＴの受渡位置、第１のウェハＷの粗研削を行う粗研削位置（図示せず）、第１のウェハＷの中研削を行う中研削位置（図示せず）及び第１のウェハＷの仕上げ研削を行う仕上研削位置（図示せず）の間で移動可能に構成されてもよい。また、図示の例では厚み測定機構８７を加工装置８０における加工位置Ａ１に配置したが、厚み測定機構８７は受渡位置Ａ０に配置されてもよい。

以上のウェハ処理システム１には、制御装置９０が設けられている。制御装置９０は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理システム１における重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御装置９０にインストールされたものであってもよい。また、上記記憶媒体Ｈは、一時的なものであっても非一時的なものであってもよい。

次に、上述したエッチング装置４０の構成について説明する。図３に示すようにエッチング装置４０は、ウェハ保持部１００と、エッチング液供給部１１０と、レーザ光照射部１２０とを有している。

ウェハ保持部１００は、重合ウェハＴの外縁部を複数点、本実施形態においては３点で保持する。なお、ウェハ保持部１００の構成は図示の例には限定されず、例えばウェハ保持部１００は、重合ウェハＴを下方から吸着保持するチャックを備えていてもよい。また、ウェハ保持部１００は、回転機構１０１を有している。回転機構１０１は、ウェハ保持部１００に保持された重合ウェハＴ（第１のウェハＷ）を鉛直な回転中心線１００ａを中心に回転させる。

エッチング液供給部１１０は、一例として、ウェハ保持部１００に保持された第１のウェハＷの裏面Ｗｂにエッチング液Ｅを供給するノズル１１１を有する。ノズル１１１は、ウェハ保持部１００の上方に設けられ、移動機構１１２によって水平方向及び鉛直方向に移動可能に構成されている。一例においてエッチング液供給部１１０のノズル１１１は、ウェハ保持部１００の回転中心線１００ａを通って、すなわち、図４に示すように第１のウェハＷの中心部上方を通って、当該第１のウェハＷの中心部と外周部の間で往復移動（スキャン移動）可能に構成される。

エッチング液Ｅは、フッ酸（ＨＦ）、硝酸（ＨＮＯ_３）、及び酢酸（ＣＨ_３ＣＯＯＨ）を含む。一例においてエッチング液Ｅは、フッ酸、硝酸、酢酸、及び水を含有する水溶液である。エッチング液Ｅ中のフッ酸と硝酸は第１のウェハＷのエッチングに化学的に寄与し、フッ酸でエッチングして硝酸で酸化するというプロセスを繰り返すことで、第１のウェハＷのエッチングが進行する。エッチング液Ｅ中の酢酸は、エッチング液Ｅ中の水との混合比率（エッチング液Ｅ中の酢酸濃度）に応じ、第１のウェハＷのエッチング速度を調整する。

なお、エッチング液供給部１１０は、第１のウェハＷに供給されるエッチング液Ｅ中のフッ酸、硝酸及び酢酸の各々の濃度を、独立して制御可能に構成される。換言すれば、エッチング液Ｅ中における各成分の混合比率は特に限定されない。
また、エッチング液Ｅ中に含まれる各成分もフッ酸、硝酸及び酢酸に限定されるものではない。具体的にエッチング液Ｅは、例えば、酢酸に代えてリン酸（Ｈ_３ＰＯ_４）を含んでいてもよい。換言すれば、エッチング液Ｅは、フッ酸、硝酸、リン酸、及び水を含有する水溶液であってもよい。

レーザ光照射部１２０は、レーザヘッド１２１、及びレンズ１２２を有している。レーザ光照射部１２０は、図示しない移動機構によって水平方向及び鉛直方向に移動自在に構成される。

レーザヘッド１２１は、エッチング液Ｅに対する吸収性が低く、且つ、シリコン（第１のウェハＷ）に対する吸収性が高いレーザ光Ｌ、例えばＬＤレーザ（半導体レーザ：Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）を、レンズ１２２を介して第１のウェハＷに向けて照射する。レーザ光Ｌを吸収した第１のウェハＷは、当該レーザ光Ｌの照射位置において局所的に温度が上昇し、当該加熱部分において、エッチング液Ｅによるエッチングレートが局所的に向上される。

なお、レーザ光照射部１２０から照射されるレーザ光Ｌの種類はＬＤレーザには限定されず、少なくともエッチング液Ｅを透過して第１のウェハＷに吸収されるレーザ光であれば、任意に選択できる。すなわちレーザ光Ｌは、シリコン（第１のウェハＷ）に対する吸収率が最大、水（エッチング液Ｅ）に対する吸収率が最小である波長、一例として１０００ｎｍ以下の波長を有することが望ましい。

なお、エッチング装置４０には、図示しないエッチング液Ｅのリサイクル機構が設けられてもよい。エッチング液Ｅのリサイクル機構は、ノズル１１１から吐出され、ウェハ保持部１００に保持された第１のウェハＷのエッチングに供されたエッチング液Ｅを回収し、更に、次にエッチング装置４０で行われるエッチング処理に再利用する。

次に、以上のように構成されたウェハ処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。本実施形態では、予めウェハ処理システム１の外部の接合装置（図示せず）において重合ウェハＴ（図５（ａ）を参照）が形成されている。また、第１のウェハＷの周縁部、例えば第１のウェハＷの外端部から径方向に０．５ｍｍ～３ｍｍの範囲は、図５（ａ）に示したように予め除去（いわゆるエッジトリム）されていてもよい。

先ず、複数の重合ウェハＴを収納したカセットＣが、搬入出ステーション２のカセット載置台１０に載置される。次に、ウェハ搬送装置２０によりカセットＣ内の重合ウェハＴが取り出され、トランジション装置３０に搬送される。トランジション装置３０に搬送された重合ウェハＴは、ウェハ搬送装置５０によりバッファ装置６１に搬送される。バッファ装置６１では、チャック８３に対する重合ウェハＴの中心位置、及び／又は重合ウェハＴの水平方向の向きを調整してもよい。

次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置７０により加工装置８０に搬送され、受渡位置Ａ０のチャック８３に受け渡される。チャック８３には、第２のウェハＳの裏面Ｓｂが吸着保持される。次に、チャック８３を加工位置Ａ１に移動させ、研削ユニット８４によって第１のウェハＷの裏面Ｗｂを研削する。かかる研削処理により、第１のウェハＷ（重合ウェハＴ）の厚みを、図５（ｂ）に示すように所望の研削目標厚みまで減少させる（図６のステップＳt１）。

なお、加工装置８０においては、ステップＳｔ１の研削処理中、又は研削処理後の重合ウェハＴ（第１のウェハＷ）の厚みを、厚み測定機構８７により測定してもよい。この時、第１のウェハＷの厚みを複数点で測定し、当該第１のウェハＷの厚み分布及び平坦度を算出してもよい。
又は、ステップＳｔ１の研削処理後の重合ウェハＴ（第１のウェハＷ）の厚みを測定する場合においては、加工装置８０の厚み測定機構８７に代え、厚み測定装置４１を用いて研削後の重合ウェハＴ（第１のウェハＷ）の厚みを測定してもよい。

次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置７０により洗浄装置６０に搬送される。洗浄装置６０では、研削後の第１のウェハＷの研削面である裏面Ｗｂを洗浄する（図６のステップＳt２）。また、洗浄装置６０では、上述したように第２のウェハＳの裏面Ｓｂが洗浄されてもよい。

次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置５０によりエッチング装置４０に搬送される。エッチング装置４０では、第１のウェハＷの研削面である裏面Ｗｂの全面が第２のエッチング液Ｅ２によりエッチングされる（図６のステップＳt３：全面エッチング）。ステップＳｔ３では、図５（ｃ）に示すように、加工装置８０での研削処理（ステップＳt１）により第１のウェハＷの裏面Ｗｂに生じた研削痕を除去するとともに、研削後の第１のウェハＷ（重合ウェハＴ）の厚みを所望の全面エッチング目標厚みまで減少させる。なお、ステップＳｔ３における第１のウェハＷの全面エッチング量は、前記した厚み測定機構８７による測定結果に基づいて決定されてもよい。

ステップＳt３の第１のウェハＷの全面エッチングでは、ウェハ保持部１００（第１のウェハＷ）を鉛直な回転中心線１００ａを中心に回転させるとともに、エッチング液供給部１１０からの全面エッチング用の第２のエッチング液Ｅ２の供給（吐出）を開始し、研削後の裏面Ｗｂの全面をスピンエッチングする。なお、全面エッチングに用いられる第１のエッチング液Ｅ１としては、エッチングレートの向上を目的として、フッ酸及び硝酸の濃度と比較して酢酸の濃度が低い薬液、一例として、フッ酸：硝酸：酢酸＝１：１：０．１～１．０程度の組成比率を有する薬液を使用し得る。

また第１のウェハＷの全面エッチングに際しては、エッチング液供給部１１０からの第２のエッチング液Ｅ２の供給を継続しながら、図４に示したようにエッチング液供給部１１０を第１のウェハＷの回転中心の上方、すなわち回転中心線１００ａを通るように、当該回転中心線１００ａを中間点として往復移動（スキャン）させる。第１のウェハＷの回転速度、エッチング液供給部１１０のスキャン幅、及びエッチング液供給部１１０を往復移動させる際のスキャン速度等のエッチング条件は、研削後の第１のウェハＷの裏面Ｗｂの表面形状やその他種々の条件に応じて、適宜変更できる。

第１のウェハＷに所望の時間のエッチングが行われると、エッチング液供給部１１０からの第２のエッチング液Ｅ２の供給を停止し、第１のウェハＷの裏面Ｗｂを純水でリンスした後、振り切り乾燥させる。その後、ウェハ保持部１００（第１のウェハＷ）の回転を停止し、第１のウェハＷの全面エッチングを終了する。

次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置５０により厚み測定装置４１に搬送される。厚み測定装置４１では、全面エッチング後の第１のウェハＷ（重合ウェハＴ）の厚みを複数点で測定することで第１のウェハＷの全面エッチング後の厚み分布を取得し、更に第１のウェハＷの平坦度を算出する（図６のステップＳt４）。算出された第１のウェハＷの厚み分布及び平坦度は例えば制御装置９０に出力され、一例として、後述する第１のウェハＷの局所エッチングに用いられる。

次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置５０によりエッチング装置４０に再度搬送される。エッチング装置４０では、ステップＳｔ４で制御装置９０に出力された第１のウェハＷの厚み分布及び平坦度に基づいて、第１のウェハＷの裏面Ｗｂの平坦度を向上させるための局所的なエッチングを行う（図６ステップＳt５：局所エッチング）。より具体的には、図５（ｄ）に示すように、ステップＳt４で取得された第１のウェハＷの厚み分布に基づいて、当該第１のウェハＷの厚みが大きいと判断される部分（図５（ｃ）のエッチング対象部分Ｅｓを参照）を、厚みが小さい判断される部分と略同一の厚みとなるように、局所的にエッチングする。

エッチング対象部分Ｅｓは、一例としてステップＳt４で取得された第１のウェハＷの厚み分布において、最も厚み小さい部分を基準として、当該基準よりも厚みが大きい部分に設定できる。またはエッチング対象部分Ｅｓは、図５（ｄ）に示したように、ステップＳt４で取得された第１のウェハＷの厚み分布において検知された１つ、又は複数の特異点を対象として設定してもよい。

ステップＳt５の第１のウェハＷの局所エッチングでは、ウェハ保持部１００（第１のウェハＷ）を鉛直な回転中心線１００ａを中心に回転させるとともに、エッチング対象部分Ｅｓに向けて局所エッチング用の第１のエッチング液Ｅ１を供給し、更に、エッチング対象部分Ｅｓに向けてレーザ光Ｌを照射する。

なお、局所エッチングに用いられる第１のエッチング液Ｅ１としては、エッチング速度が大きくエッチング対象部分Ｅｓを迅速に除去でき、且つ、エッチング対象部分Ｅｓ以外の部分でのエッチング進行を抑制し得る薬液を選択し得る。具体的には、第１のエッチング液Ｅ１と比較して、第１のウェハＷのエッチングに化学的に寄与するフッ酸と硝酸の濃度が低く、且つ、第１のウェハＷのエッチング速度に起因する酢酸の濃度が高い薬液、一例として、フッ酸：硝酸：酢酸＝１：１：５程度の組成比率を有する薬液を使用し得る。

本実施形態にかかるステップＳt５の局所エッチングでは、このようにフッ酸と硝酸の濃度が低くエッチング性能の小さな第１のエッチング液Ｅ１を薬液として用いることで、第１のウェハＷの裏面Ｗｂにおけるエッチング対象部分Ｅｓ以外の部分ではエッチングを進行させない、乃至、第１のウェハＷのエッチング量を小さくする。一方で、第１のウェハＷの厚みが大きいと判断されるエッチング対象部分Ｅｓにおいては、レーザ光Ｌの照射によりエッチング対象部分Ｅｓの温度を局所的に上昇させることで、当該加熱部分において、第１のエッチング液Ｅ１によるエッチングレートを局所的に向上させる。これにより、局所エッチング処理でのエッチング対象部分Ｅｓにおけるエッチング量を、少なくとも第１のウェハＷの面内におけるエッチング対象部分Ｅｓ以外の部分（レーザ光Ｌの非照射部分）と比較して大きくし、これにより第１のウェハＷの裏面Ｗｂの平坦度を向上させる。またこの時、第１のエッチング液Ｅ１ではエッチング速度に起因する酢酸の濃度が大きく設定されるため、エッチング対象部分Ｅｓでエッチングを迅速に進行でき、更に適切に第１のウェハＷの裏面Ｗｂの平坦度を向上できる。

第１のウェハＷに所望の時間のエッチングが行われると、エッチング液供給部１１０からの第１のエッチング液Ｅ１の供給及びレーザ光照射部１２０からのレーザ光Ｌの照射を停止し、第１のウェハＷの裏面Ｗｂを純水でリンスした後、振り切り乾燥させる。その後、ウェハ保持部１００（第１のウェハＷ）の回転を停止し、第１のウェハＷの局所エッチングを終了する。

なお、ステップＳt５の局所エッチングが完了した重合ウェハＴは、再度、厚み測定装置４１において厚み分布及び平坦度が測定（ステップＳt４）されてもよい。また、当該重合ウェハＴには、再度取得された厚み分布及び平坦度に基づいて、第１のウェハＷに所望の平坦度が得られるまで、局所エッチング（ステップＳt５）が繰り返し実行されてもよい。

その後、全ての処理が施された重合ウェハＴは、トランジション装置３０を介してカセット載置台１０のカセットＣに搬送される。こうして、ウェハ処理システム１における一連のウェハ処理が終了する。なお、ウェハ処理システム１で所望の処理が施された第１のウェハＷには、ウェハ処理システム１の外部においてＣＭＰ処理等による裏面Ｗｂの平滑化が行われてもよい。

本実施形態にかかるウェハ処理システム１でのウェハ処理は、以上のようにして行われる。

以上の実施形態によれば、第１のウェハＷに対してエッチング液Ｅを供給すると同時にレーザ光Ｌを照射することで、処理対象の裏面Ｗｂの一部分であるエッチング対象部分Ｅｓを局所的に加熱し、当該エッチング対象部分Ｅｓにおけるエッチングレートを局所的に上昇させる。エッチング対象部分Ｅｓは、一例として、事前に厚み測定装置４１によりスピンエッチング（ステップＳt３の全面エッチング）後の第１のウェハＷの面内均一性を測定することにより決定される。このように、エッチングの促進が必要な部分にのみレーザ光Ｌを照射してエッチングレートを上昇できるので、エッチング対象部分Ｅｓにおけるエッチングレートをレーザ光Ｌの非照射部分と比較して大きくでき、この結果、第１のウェハＷの面内均一性（平坦度）を向上できる。

またこの局所エッチングに際しては、第１のエッチング液Ｅ１として、シリコンウェハ（第１のウェハＷ）のエッチング性能が低い薬液が採用される。これにより、当該局所エッチング処理に際して、エッチング対象部分Ｅｓ以外の部分の厚みが所望のエッチング目標厚み未満に減少することが抑制され、より適切なエッチング処理結果を得ることができる。

更に局所エッチングに際しては、第１のウェハＷに照射されるレーザ光Ｌとして、エッチング液Ｅに対する吸収性が低く、且つ、第１のウェハＷに対する吸収性が高いレーザ光Ｌ、例えばＬＤレーザを採用する。これにより、エッチング液Ｅに対するレーザ光Ｌの吸収を最小限にして効率的に第１のウェハＷを加熱でき、適切にエッチング対象部分Ｅｓのエッチングレートを向上できる。また、このようにエッチング液Ｅへの吸収が抑制されることから、当該エッチング液Ｅの加熱に伴うシリコン（第１のウェハＷ）のエッチングレートの向上が抑制され、この結果、エッチング対象部分Ｅｓ以外の部分がエッチングされることが抑制され、更に適切に第１のウェハＷのエッチングを局所的に促進できる。

なお、上記したウェハ処理システム１においては、カセットＣに収納された複数の重合ウェハＴに対して連続的に処理が行われる。この時、ウェハ処理システム１で処理される２枚目以降の重合ウェハＴの処理に際しては、上記した厚み測定装置４１における厚み分布及び平坦度の測定を適宜省略できる。
具体的には、ウェハ処理システム１において同一の条件で処理された重合ウェハＴには、同一の第１のウェハＷの表面形状傾向が表れるものと考えられる。このため、２枚目以降の重合ウェハＴの処理に際しては、予め取得された１枚目の重合ウェハＴの処理結果（厚み測定装置４１における測定結果）をフィードバックし、エッチング処理条件を決定してもよい。

なお、上記実施形態では、エッチング液供給部１１０から供給されるエッチング液Ｅの各成分、より具体的には、上記実施形態では酢酸の濃度を制御することで、エッチング液供給部１１０からの第２のエッチング液Ｅ２と第１のエッチング液Ｅ１の供給を切り替えた。しかしながら、エッチング液供給部１１０の構成はこれに限定されるものではなく、例えば、ノズル１１１に複数のエッチング液供給源（第２のエッチング液Ｅ２を貯留する第１の供給源、及び第１のエッチング液Ｅ１を貯留する第２の供給源）を接続することで、第２のエッチング液Ｅ２と第１のエッチング液Ｅ１の供給を切り替え可能に構成してもよい。
またこの時、エッチング液供給部１１０は、第２のエッチング液Ｅ２と第１のエッチング液Ｅ１をそれぞれ独立して吐出するため、複数のノズルを備えていてもよい。

なお、上記実施形態においてはエッチング液Ｅを供給するノズル１１１と、レーザ光Ｌを照射するためのレーザヘッド１２１（レンズ１２２）とを独立して構成し、各々を独立して移動可能に構成したが、これらノズル１１１とレーザヘッド１２１は一体に構成してもよい。かかる場合、ノズル１１１とレーザヘッド１２１は、一体に移動可能に構成されてもよい。このようにノズル１１１とレーザヘッド１２１を一体に構成する場合、エッチング液Ｅを供給するノズル１１１の吐出端と反対側の面をレーザ光Ｌが透過可能な構造、例えばレンズ１２２とし、エッチング液Ｅの液柱を通じてレーザ光Ｌを第１のウェハＷに照射してもよい。

また、このようにノズル１１１とレーザヘッド１２１を一体に構成する場合、当該一体型のノズルの外側に外部ジャケット構造を設け、第１のウェハＷの裏面Ｗｂに供給したエッチング液Ｅを外部ジャケットから吸引回収可能に構成してもよい。

図７に、上記した外部ジャケット構造を有する一体型ノズルの構成例を示す。
図７に示すように一体型ノズル２００は、第１のウェハＷの裏面Ｗｂに向けてエッチング液Ｅを供給するためのエッチング液供給部２１０と、エッチング液供給部２１０から吐出されたエッチング液Ｅを吸引回収するための外部ジャケット２２０と、第１のウェハＷの裏面Ｗｂに向けてレーザ光Ｌを照射するためのレーザ光照射部２３０を備える。

エッチング液供給部２１０は、第１のウェハＷの裏面Ｗｂに向けてエッチング液Ｅを吐出するノズル２１１を備える。ノズル２１１はエッチング液供給源２４０に接続され、下面に形成された吐出口２１２から第１のウェハＷの裏面Ｗｂに向けてエッチング液Ｅを吐出する。また、吐出口２１２が形成された吐出端の反対側の面であるノズル２１１の上面は、後述するレーザ光照射部２３０のレンズ２３２により構成されている。

またエッチング液供給部２１０は、第１のウェハＷの裏面Ｗｂに対して、全面エッチング用の薬液である第２のエッチング液Ｅ２と、局所エッチング用の薬液である第１のエッチング液Ｅ１の供給を切り替え自在に構成される。具体的には、例えばエッチング液供給源２４０からのエッチング液Ｅの各成分の濃度を独立して制御可能に構成していてもよいし、ノズル２１１に複数のエッチング液供給源２４０を接続し、第２のエッチング液Ｅ２と第１のエッチング液Ｅ１の供給を切り替え可能に構成してもよい。

エッチング液回収部としての外部ジャケット２２０は少なくともノズル２１１よりも大径の筒型構造を有し、ノズル２１１の周囲を囲むように配置される。外部ジャケット２２０の下端部は、第１のウェハＷの裏面Ｗｂの近傍、好適には、ノズル２１１から吐出されたエッチング液Ｅが外部に漏出しない程度に近接して配置される。
また、外部ジャケット２２０は吸引回収機構２５０に接続され、ノズル２１１から第１のウェハＷの裏面Ｗｂ（外部ジャケット２２０の内部空間２２０ａ）に吐出されたエッチング液Ｅを吸引可能に構成される。吸引回収機構２５０によるエッチング液Ｅの回収能力（回収量）は、少なくともノズル２１１からのエッチング液Ｅの供給能力（供給量）より大きいことが望ましい。外部ジャケット２２０の内部空間２２０ａから吸引されたエッチング液Ｅは一例として図示しないリサイクル機構に回収され、後のエッチング処理に再利用されても良い。

レーザ光照射部２３０は、レーザヘッド２３１とレンズ２３２を有している。レーザヘッド２３１は、ノズル２１１の上方において、当該ノズル２１１と略同軸に配置される。レンズ２３２は、ノズル２１１とレーザヘッド２３１の間に配置され、ノズル２１１の上面の少なくとも一部を構成する。レーザ光照射部２３０は、レーザヘッド２３１からのレーザ光Ｌを、レンズ２３２を介して第１のウェハＷの裏面Ｗｂに向けて照射する。

以上のように構成された一体型ノズル２００を用いた第１のウェハＷの全面エッチング（図６のステップＳt３）は、上記したノズル１１１を用いた全面エッチングと略同一の方法により行い得る。すなわち、ウェハ保持部１００（第１のウェハＷ）を鉛直な回転中心線１００ａを中心に回転させるとともに、ノズル２１１から第２のエッチング液Ｅ２を供給し、更にノズル２１１（一体型ノズル２００）を第１のウェハＷの上方で往復移動（スキャン）させる。なお、この時、レーザ光照射部２３０から第１のウェハＷの裏面Ｗｂに対するレーザ光Ｌの照射は行わない。

また、実施の形態にかかる一体型ノズル２００を用いた全面エッチングでは、更に、外部ジャケット２２０に接続された吸引回収機構を用いて第２のエッチング液Ｅ２をリサイクル機構に回収し、回収した第２のエッチング液Ｅ２を、後のエッチング処理で用いられる第２のエッチング液Ｅ２、又は第１のエッチング液Ｅ１として再利用しても良い。

本実施形態にかかる一体型ノズル２００を用いた全面エッチング方法よれば、ノズルとレーザヘッドを独立して配置し、移動させる場合と比較して、これらノズルとレーザヘッドの移動に係る制御を簡易化でき、全面エッチング処理に係る制御を容易にできる。
また、このようにノズル２１１の周囲を囲むように外部ジャケット２２０を設けることで、ノズル２１１から吐出された第２のエッチング液Ｅ２を外部に漏出させずに効率的に回収、再利用でき、ウェハ処理に要するエッチング液Ｅやエネルギーの消費量を低減できる。

なお、一体型ノズル２００を用いた全面エッチングでは、上記したようにノズル２１１からの第２のエッチング液Ｅ２の吐出に際してレーザ光Ｌの照射を行わなかったが、この時、第２のエッチング液Ｅ２の供給に加えて更にレーザ光Ｌの照射を行うことで、全面エッチングのエッチングレートを向上させてもよい。

レーザヘッド２３１からのレーザ光Ｌとしては、上記した局所エッチングと同様のレーザ光Ｌ、すなわち第２のエッチング液Ｅ２に対する吸収性が低く、且つ、第１のウェハＷに対する吸収性が高いレーザ光（例えばＬＤレーザ）を採用し得る。かかる場合、レーザ光Ｌの照射により適切に第１のウェハＷを加熱でき、これにより当該第１のウェハＷのエッチングレートを向上させ、全面エッチングに要する時間を短縮できる。
また、全面エッチングに用いられるレーザ光Ｌとしては、上記したＬＤレーザ等に代え、第２のエッチング液Ｅ２に対する吸収性が高いレーザ光も採用し得る。かかる場合、レーザ光Ｌの吸収により第２のエッチング液Ｅ２を加熱することができ、これにより、当該第２のエッチング液Ｅ２による第１のウェハＷのエッチングレートを向上させ、全面エッチングに要する時間を短縮できる。

なお、以上の実施形態ではエッチング装置４０に一体型ノズル２００を設け、当該一体型ノズル２００を用いて第１のウェハＷの全面エッチングを行う場合を例に説明を行ったが、当該全面エッチングでは、必ずしも第２のエッチング液Ｅ２の吐出直下以外の部分におけるエッチングの進行を抑制する必要はない。すなわち、局所エッチングのように第１のウェハＷの裏面Ｗｂの一部を、局所的にエッチングする必要はない。
このため、エッチング装置４０に一体型ノズル２００を設ける場合であっても、当該一体型ノズル２００に加えて上記した従来のノズル１１１を更に設け、当該ノズル１１１を用いて全面エッチングを行うようにしてもよい。
又は、例えば一体型ノズル２００の外部ジャケット２２０を着脱自在、又は昇降自在に構成し、全面エッチングに供された第２のエッチング液Ｅ２の回収を行わないようにしてもよい。

また、以上のように構成された一体型ノズル２００を用いた第１のウェハＷの局所エッチング（図６のステップＳt５）も、上記したノズル１１１を用いた局所エッチングと略同一の方法により行い得る。すなわち、ウェハ保持部１００（第１のウェハＷ）を鉛直な回転中心線１００ａを中心に回転させ、更にノズル２１１（一体型ノズル２００）を第１のウェハＷの上方で水平方向に移動させる。この時、一体型ノズル２００がエッチング対象部分Ｅｓの上方を通過する際には、当該エッチング対象部分Ｅｓに対してレーザ光Ｌを照射する。
レーザヘッド２３１からのレーザ光Ｌとしては、第２のエッチング液Ｅ２に対する吸収性が低く、且つ、第１のウェハＷに対する吸収性が高いレーザ光（例えばＬＤレーザ）を採用する。
またこの時、第１のウェハＷの局所エッチングに先立って第１のウェハＷの全面エッチングを行っていた場合には、ノズル２１１から供給される薬液を第２のエッチング液Ｅ２から第１のエッチング液Ｅ１へと切り替える。

本実施形態にかかる一体型ノズル２００を用いた局所エッチング方法よれば、ノズルとレーザヘッドを独立して配置し、移動させる場合と比較して、これらノズルとレーザヘッドの移動に係る制御を簡易化でき、局所エッチング処理に係る制御を容易にできる。
また、このようにノズル２１１の周囲を囲むように外部ジャケット２２０を設けることで、ノズル２１１から吐出された第１のエッチング液Ｅ１がエッチング対象部分Ｅｓ以外の部分に供給されることが抑制される。この結果、局所エッチングによる加工精度を向上させ、第１のウェハＷの裏面Ｗｂの平坦度を更に適切に向上できる。
更に、このようにノズル２１１の周囲を囲むように外部ジャケット２２０を設けることで、ノズル２１１から吐出された第１のエッチング液Ｅ１を外部に漏出させずに効率的に回収、再利用でき、局所エッチングに要するエッチング液Ｅやエネルギーの消費量を低減できる。

なお、上記実施形態においては、第１のウェハＷの局所エッチング（図６のステップＳt５）を、ウェハ保持部１００（第１のウェハＷ）を回転させながらエッチング液Ｅを供給するスピンエッチングにより行ったが、エッチング装置４０が上記した一体型ノズル２００を備える場合においては、当該局所エッチングは、必ずしもスピンエッチングにより行う必要はない。
すなわち、エッチング装置４０が一体型ノズル２００を備える場合においては、ノズル２１１から供給されたエッチング液Ｅを外部ジャケット２２０の外部に漏出させることなく回収できるため、遠心力を用いたエッチング液Ｅの振り切りを行う必要がない。このため、例えば第１のウェハＷの裏面Ｗｂの一部に環形状以外の形状を有する特異点が発生してしまった場合には、第１のウェハＷを回転させることなく当該特異点に対するエッチング液Ｅの供給、及び必要に応じたレーザ光Ｌの照射を行い、更に供給されたエッチング液Ｅを回収する。
これにより、第１のウェハＷを回転させることなく適切に当該特異点の局所的なエッチングを実施できると共に、特異点以外の部分に対してエッチング液Ｅが供給されることを抑制できる。

なお、上記実施形態においては、第１のウェハＷの全面エッチング（ステップＳt３）と局所エッチング（ステップＳt５）をこの順に行ったが、これら全面エッチングと局所エッチングの順序は限定されるものではない。
すなわち、第１のウェハＷを研削により薄化（ステップＳt１）した後に、厚み測定装置４１において研削処理後の第１のウェハＷの厚み分布及び平坦度を取得（ステップＳt４）し、その後、第１のウェハＷの局所エッチング（ステップＳt５）と全面エッチング（ステップＳt３）をこの順で行ってもよい。
また、このように第１のウェハＷを研削に続けて第１のウェハＷの局所エッチングを行う場合、厚み測定装置４１に代えて、加工装置８０に配置された厚み測定機構８７を用いて、研削処理後の第１のウェハＷの厚み分布及び平坦度を取得してもよい。

また、上記実施形態においては、第１のウェハＷの全面エッチング（ステップＳt３）と局所エッチング（ステップＳt５）を両方行ったが、厚み測定装置４１において取得された第１のウェハＷの厚み分布や平坦度に基づいて、全面エッチングが省略されてもよい。
具体的には例えば第１のウェハＷを研削により薄化（ステップＳt１）した後、厚み測定装置４１において研削処理後の第１のウェハＷの厚み分布及び平坦度を取得（ステップＳt４）し、その後、第１のウェハＷの局所エッチング（ステップＳt５）のみを行ってもよい。
かかる場合であっても、エッチング装置４０の内部において第１のウェハＷに向けてレーザ光Ｌを照射し、当該第１のウェハＷを加熱することで、エッチング処理に係るエッチングレートを適切に向上させ、及び／又は、適切に第１のウェハＷの平坦度を向上させることができる。

なお、上記実施形態においては、第１のウェハＷの全面エッチング（ステップＳt３）と局所エッチング（ステップＳt５）を同一のエッチング装置４０の内部で実施したが、これら全面エッチングと局所エッチングは、各々異なる装置において実施されてもよい。かかる場合、第１のウェハＷの全面エッチングを行うための第２のエッチング装置としての全面エッチング装置（図示せず）と、局所エッチングを行うための第１のエッチング装置としての局所エッチング装置（図示せず）を、独立してウェハ処理システム１の内部に配置し得る。全面エッチング装置と局所エッチング装置は、一例として、図２に示したウェハ処理システム１の第１の処理ブロックＢ１に積層して配置され得る。

また、上記実施形態においては全面エッチング後（研削処理後）の第１のウェハＷの厚みを測定する厚み測定装置４１を、ウェハ処理システム１の第１の処理ブロックＢ１においてエッチング装置４０と積層して配置したが、厚み測定装置４１は、エッチング装置４０と一体に構成されてもよい。換言すれば、エッチング装置４０の内部には、全面エッチング後（研削処理後）の第１のウェハＷの厚みを測定するための厚み測定部（図示せず）が配置されてもよい。
また、上記実施形態においては、研削処理後（エッチング処理前）の第１のウェハＷの厚みを測定する厚み測定機構８７と、全面エッチング処理後の第１のウェハＷの厚みを測定する厚み測定装置４１と、を配置したが、ウェハ処理システム１には、研削処理後（エッチング処理前）の第１のウェハＷの厚みを測定するための厚み測定装置４１が更に配置されてもよい。換言すれば、ウェハ処理システム１には、エッチング処理前後の第１のウェハＷの厚みをそれぞれ独立して計測するための、複数の厚み測定装置４１が設けられていても良い。

なお、上記実施形態においては、第１のウェハＷと第２のウェハＳが接合された重合ウェハＴを本開示の技術に係る処理対象の「基板」の例として説明を行ったが、本開示の技術に係る処理対象の「基板」は重合ウェハＴには限定されない。具体的には、処理対象の「基板」は単枚ウェハであってもよいし、又は、インゴットからワイヤーソー等により切り出され、ラッピングされたウェハであってもよい。

また、上記実施形態においては、処理対象の第１のウェハＷを研削により薄化し、当該研削後の研削面をエッチングにより平坦化したが、エッチング対象となる第１のウェハＷの加工面はこれに限定されない。例えば、第１のウェハＷの内部に形成された改質層（図示せず）を基点として第１のウェハＷを表面Ｗａ側と裏面Ｗｂ側とに分離し、当該分離面をエッチングにより平坦化してもよい。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

１ ウェハ処理システム
４０ エッチング装置
４１ 厚み測定装置
１１０ エッチング液供給部
１２０ レーザ光照射部
Ｅ１ 第１のエッチング液
Ｌ レーザ光
Ｗ 第１のウェハ
Ｗｂ 裏面

Claims (20)

1. 基板を処理する基板処理システムであって、
   前記基板の処理対象面にエッチング液を供給して、前記処理対象面をエッチングするエッチング装置と、
   前記基板の厚みを複数点で測定する厚み測定装置と、を有し、
   前記エッチング装置は、
   前記処理対象面に対して相対的に移動可能に構成され、前記処理対象面に前記エッチング液を供給するエッチング液供給部と、
   前記処理対象面に対して相対的に移動可能に構成され、前記処理対象面に選択的にレーザ光を照射可能なレーザ光照射部と、
   前記エッチング液供給部と前記レーザ光照射部の動作を制御する制御装置と、を備える、基板処理システム。
2. 前記制御装置は、
   前記厚み測定装置による測定結果に基づいて、前記基板における厚みの大きな部分に対して前記レーザ光を選択的に照射する制御を実行する、請求項１に記載の基板処理システム。
3. 前記レーザ光は、前記エッチング液に対する吸収性が低く、且つ、前記基板に対する吸収性が高い波長を有する、請求項１又は２に記載の基板処理システム。
4. 前記エッチング液供給部と前記レーザ光照射部とを一体に構成する、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理システム。
5. 前記レーザ光照射部を、前記エッチング液供給部の上方において当該エッチング液供給部と同軸に配置し、
   前記レーザ光を、前記エッチング液供給部から供給される前記エッチング液の液柱を通じて前記処理対象面に照射する、請求項４に記載の基板処理システム。
6. 前記エッチング液供給部から吐出される前記エッチング液を回収するエッチング液回収部を備え、
   当該エッチング液回収部は、前記エッチング液供給部が備える前記エッチング液の供給ノズルよりも大径の筒型構造で構成され、前記供給ノズルの周囲を囲むように配置される、請求項４又は５に記載の基板処理システム。
7. 前記制御装置は、
   前記基板の処理対象面に前記エッチング液を供給して、前記処理対象面を選択的にエッチングする制御と、
   前記基板の処理対象面に第２のエッチング液を供給して、前記処理対象面の全面をエッチングする制御と、を実行する、請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理システム。
8. 前記基板の処理対象面に第２のエッチング液を供給して、前記処理対象面の全面をエッチングする第２のエッチング装置、を有し、
   前記第２のエッチング装置は、
   前記処理対象面に対して相対的に移動可能に構成され、前記処理対象面に前記第２のエッチング液を供給する第２のエッチング液供給部、を備える、請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理システム。
9. 前記第２のエッチング液は、前記エッチング液と比較してフッ酸の濃度が低い、請求項７又は８に記載の基板処理システム。
10. 前記第２のエッチング液は、前記エッチング液と比較して酢酸の濃度が高い、請求項７～９のいずれか一項に記載の基板処理システム。
11. 前記処理対象面のエッチングに先立ち、当該処理対象面を研削する加工装置を備える、請求項１～１０のいずれか一項に記載の基板処理システム。
12. 基板の処理方法であって、
    前記基板の厚みを複数点で測定することと、
    前記基板の処理対象面にエッチング液を供給して、測定された前記基板の厚みに基づいて設定されたエッチング対象部分を局所的にエッチングすることと、を含み、
    前記基板のエッチングに際しては、
    前記処理対象面に対して前記エッチング液を供給することに加え、前記エッチング対象部分に対してレーザ光を照射し、当該エッチング対象部分を選択的に加熱する、基板処理方法。
13. 前記レーザ光は、前記エッチング液に対する吸収性が低く、且つ、前記基板に対する吸収性が高い波長を有する、請求項１２に記載の基板処理方法。
14. 前記レーザ光は、１０００ｎｍ以下の波長を有する、請求項１３に記載の基板処理方法。
15. 前記エッチング液を供給するエッチング液供給部と、前記レーザ光を照射するレーザ光照射部とを一体に構成し、
    前記レーザ光を、前記エッチング液供給部から供給される前記エッチング液の液柱を通じて前記処理対象面に照射する、請求項１２～１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
16. 前記処理対象面に供給された前記エッチング液を、前記エッチング対象部分以外の部分に供給することなく回収すること、を含む、請求項１２～１５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
17. 前記レーザ光を照射することなく前記基板の処理対象面に第２のエッチング液を供給し、前記処理対象面の全面をエッチングすることを含む、請求項１２～１６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
18. 前記第２のエッチング液として、前記エッチング液と比較してフッ酸の濃度が低い薬液を用いる、請求項１７に記載の基板処理方法。
19. 前記第２のエッチング液として、前記エッチング液と比較して酢酸の濃度が高い薬液を用いる、請求項１７又は１８に記載の基板処理方法。
20. 前記処理対象面をエッチングすることに先立ち、前記処理対象面を研削することを含む、請求項１２～１９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
    

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