JP2023063024A - 粒子線治療装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】複数の照射空間での治療における、粒子線の品質にばらつきを低減できる粒子線治療装置を提供する。【解決手段】粒子線治療装置1は、複数の分岐経路31A,31Bのそれぞれに設けられ、粒子線のエネルギーを変更する複数のエネルギー変更部50A,50Bを備える。すなわち、複数の照射室101A,101Bの照射空間に対して、個別のエネルギー変更部50A,50Bを設けることができる。この場合、それぞれの各分岐経路31A,31Bのエネルギー変更部50A,50Bよりも下流において、粒子線の輸送パラメータの調整に関わる構造上の違いを低減し易くなる。従って、複数の照射室101A,101Bの照射空間に対する各輸送経路4での輸送パラメータの調整が容易となる。【選択図】図1
Description
本発明は、粒子線治療装置に関する。
粒子線治療装置として、例えば特許文献1に示すものが知られている。粒子線治療装置は、粒子を加速して粒子線を生成する加速器と、加速器で生成された粒子線を照射する照射装置と、加速器から照射装置へ粒子線を輸送する輸送経路と、を備える。粒子線治療装置が設けられる建屋には一つの加速器に対して一つの照射装置が設けられている。従って、輸送経路は、加速器から一つの照射室へ延びる。
ここで、建屋には複数の照射装置が設けられる場合がある。この場合、輸送経路は、加速器から延びて複数の分岐経路に分岐し、複数の照射空間へ粒子線を輸送するような構成となる。この場合、輸送経路の分岐部分よりも輸送方向の上流側の共通経路には、粒子線のエネルギーを変更するエネルギー変更部が設けられる。このような構成においては、エネルギー変更部よりも下流において粒子線の輸送パラメータの調整が難しく、複数の照射空間での治療において、粒子線の品質にばらつきが生じ易いという問題がある。
そこで、本発明は、複数の照射空間での治療における、粒子線の品質にばらつきを低減できる粒子線治療装置を提供することを目的とする。
本発明に係る粒子線治療装置は、粒子を加速して粒子線を生成する加速器と、加速器から延びて複数の分岐経路に分岐し、粒子線を輸送可能に設けられた輸送経路と、複数の分岐経路のそれぞれに設けられ、粒子線のエネルギーを変更する複数のエネルギー変更部と、を備える。
本発明に係る粒子線治療装置は、加速器から延びて複数の分岐経路に分岐し、粒子線を輸送可能に設けられた輸送経路を有する。そのため、加速器で生成された粒子線は、輸送経路の何れかの分岐経路を介して、何れかの照射空間にて照射される。これに対し、粒子線治療装置は、複数の分岐経路のそれぞれに設けられ、粒子線のエネルギーを変更する複数のエネルギー変更部を備える。すなわち、複数の照射空間に対して、個別のエネルギー変更部を設けることができる。この場合、それぞれの各分岐経路のエネルギー変更部よりも下流において、粒子線の輸送パラメータの調整に関わる構造上の違いを低減し易くなる。従って、複数の照射空間に対する各輸送経路での輸送パラメータの調整が容易となる。以上より、複数の照射空間での治療において、粒子線の品質にばらつきを低減できる。
それぞれの分岐経路は、エネルギー変更部よりも粒子線の輸送方向における下流側において互いに略同一の構造を有してよい。この場合、それぞれの各分岐経路のエネルギー変更部よりも下流において、粒子線の輸送パラメータの調整に関わる構成を略同一にすることができる。従って、複数の照射空間に対する各輸送経路での輸送パラメータの調整が容易となる。
それぞれの分岐経路は、エネルギー変更部よりも粒子線の輸送方向における下流側において、照射対象に照射される粒子線の照射野を形成する照射野形成装置を有してよい。この場合、各照射空間における照射野形成装置の構造上の違いを低減することで、複数の照射空間に対する各輸送経路での輸送パラメータの調整が容易となる。
それぞれの分岐経路は、エネルギー変更部よりも粒子線の輸送方向における下流側において、照射対象に照射する粒子線の照射方向を変更する照射方向変更装置を有してよい。この場合、各照射空間における照射方向変更装置の構造上の違いを低減することで、複数の照射空間に対する各輸送経路での輸送パラメータの調整が容易となる。
複数の分岐経路のそれぞれに設けられ、エネルギー変更部よりも粒子線の輸送方向における下流側において、粒子線のエネルギーを選択する選択部を更に備えてよい。この場合、各分岐経路における選択部の位置の違いを低減することで、複数の照射空間に対する各輸送経路での輸送パラメータの調整が容易となる。
複数の分岐経路は、照射対象への粒子線の照射が行われる複数の照射空間へ粒子線を輸送可能に設けられてよい。
本発明によれば、複数の照射空間での治療における、粒子線の品質にばらつきを低減できる粒子線治療装置を提供することができる。
以下、本発明に係る粒子線治療装置の好適な実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。本実施形態では、粒子線治療装置を荷電粒子線治療装置とした場合について説明する。粒子線治療装置は、例えばがん治療に適用されるものであり、患者の体内の腫瘍(照射対象)に対して、陽子ビームなどの粒子線を照射する装置である。
本実施形態の粒子線治療装置の概略構成について説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る粒子線治療装置の平面視における配置図である。図1に示されるように、粒子線治療装置1は、粒子線を生成する加速器2と、治療台16上の患者15に対して任意の方向から粒子線を照射する回転自在の複数の照射装置3と、加速器2で生成された粒子線を照射装置3へ輸送する輸送経路4とを備えている。また、粒子線治療装置1の各機器は、例えば、建屋100の部屋の中に設置されている。
本実施形態において、建屋100は、一つの加速器2に対して、複数の照射室101を有する。各照射室101にそれぞれ一つずつ照射装置3が設けられる。図1に示す例では、二つの照射室101及び二つの照射装置3が設けられているが、照射室101及び照射装置3の数は特に限定されない。なお、輸送経路4の構成の詳細、及び粒子線治療装置1のレイアウトの詳細については後述する。なお、一つの照射室101に設けられる照射装置3は一つである必要はなく、複数の照射装置3が一つの照射室101に設けられてもよい。
照射装置3は、照射野形成装置6と、ガントリ5(照射方向変更装置)と、を備える。照射野形成装置6は、照射対象に照射される粒子線の照射野を形成する装置である。照射野形成装置6は、治療台16を取り囲むように設けられたガントリ5に取り付けられている。照射野形成装置6は、ガントリ5によって治療台16の周りに回転可能とされている。ガントリ5は、回転軸線周りに回転可能である。輸送経路4は、ガントリ5の後端側から、ガントリ5内に進入する。そして、輸送経路4は、偏向電磁石7で外周側に粒子線の軌道を変更した後、偏向電磁石8(六極磁石又は六極成分を持つ偏向磁石の一例)で粒子線の軌道を大きく曲げて、外周側から照射装置3に進入する。
偏向電磁石7と偏向電磁石8との間に運動量分析スリット55が設けられている。偏向電磁石7、運動量分析スリット55、及び偏向電磁石8は、運動量分散を規定する(エネルギーの広がりを規定する)アナライザ57として機能する。なお、偏向電磁石7と偏向電磁石8との間に運動量分析スリット55に加えて四極磁石56が設けられていてもよい。
図2は、図1の粒子線治療装置の照射部付近の概略構成図である。なお、以下の説明においては、「X軸方向」、「Y軸方向」、「Z軸方向」という語を用いて説明する。「X軸方向」とは、照射装置3の基軸AXに沿った方向であり、粒子線Bの照射の深さ方向である。なお、「基軸AX」の詳細については後述する。図2では、基軸AXに沿って粒子線Bが照射されている様子を示している。「Y軸方向」とは、X軸方向と直交する平面内における一の方向である。「Z軸方向」とは、X軸方向と直交する平面内においてY軸方向と直交する方向である。
図1及び図2を参照して、本実施形態に係る粒子線治療装置1の詳細な構成について説明する。粒子線治療装置1として、スキャニング法に係る照射装置が例示されているが、特に限定されず、ブロードビーム法、その他の照射方法が採用されてもよい。なお、スキャニング方式は特に限定されず、ラインスキャニング、ラスタースキャニング、スポットスキャニング等を採用してよい。粒子線治療装置1は、加速器2、照射装置3及び輸送経路4の他に、制御部80と、治療計画装置90とを備えている。図2では、複数の照射装置3のうち、一つが示されている。
加速器2は、荷電粒子を加速して予め設定されたエネルギーの粒子線Bを生成する装置である。加速器2で生成された粒子線Bは、輸送経路4によって形成された軌道を通り、照射装置3まで誘導される。加速器2として、例えば、サイクロトロン、シンクロサイクロトロン、ライナック等が挙げられる。これらは、固定されたエネルギーの粒子線Bを生成する固定エネルギー加速器である。本実施形態における加速器2として予め定めたエネルギーの粒子線Bを出射するサイクロトロンを採用する。
照射装置3は、加速器2で生成された粒子線Bを照射する。具体的には、図2に示すように、照射装置3は、患者15の体内の腫瘍(照射対象)14に対し、粒子線Bを照射するものである。粒子線Bである荷電粒子は、電荷をもった粒子を高速に加速したものであり、例えば陽子線、重粒子(重イオン)線、電子線等が挙げられる。具体的に、照射装置3は、イオン源(不図示)で生成した荷電粒子を加速する加速器2から出射されて輸送経路4で輸送された粒子線Bを腫瘍14へ照射する装置である。照射装置3の照射野形成装置6は、走査電磁石10、ダクト11、ドーズモニタ12(モニタの一例)、ポジションモニタ13(モニタの一例)、コリメータ17、及びレンジシフタ30を備えている。走査電磁石10、ダクト11、各モニタ12,13、コリメータ17及びレンジシフタ30は、収容体としての照射ノズル9に収容されている。このように、照射ノズル9に各主構成要素を収容することによって照射野形成装置6が構成されている。なお、上述の要素に加えて、走査電磁石10の上流側に六極磁石又は六極成分を持つ偏向磁石、及びプロファイルモニタを設けてよい。
走査電磁石10は、Y軸方向走査電磁石10a及びZ軸方向走査電磁石10bを含む。Y軸方向走査電磁石10a及びZ軸方向走査電磁石10bは、それぞれ一対の電磁石から構成され、制御部80から供給される電流に応じて一対の電磁石間の磁場を変化させ、当該電磁石間を通過する粒子線Bを走査する。走査電磁石10によってY軸方向走査電磁石10aは、Y軸方向に粒子線Bを走査し、Z軸方向走査電磁石10bは、Z軸方向に粒子線Bを走査する。これらの走査電磁石10は、基軸AX上であって、加速器2よりも粒子線Bの下流側にこの順で配置されている。なお、走査電磁石10は、治療計画装置90で予め計画された走査経路で粒子線Bが照射されるように、粒子線Bを走査する。なお、一つの走査電磁石で粒子線BをX方向、及びY方向に走査させてもよい。
ダクト11は、基軸AX上であって走査電磁石10に対して下流側に配置されている。ダクト11は、走査電磁石10により走査された粒子線Bを、ダクト11に対して下流に配置されているドーズモニタ12に誘導する。ダクト11は、例えば、基軸AXの上流から下流に向かって広がる円錐台形を呈する。ダクト11は、基軸AXに沿って貫通している。ダクト11の内部は、大気曝露されている。すなわち、ダクト11は、その内部に大気(空気)を含む。大気(空気)は、例えば、窒素及び酸素を含む。ダクト11は、例えば、その内部が大気曝露されている。このとき、照射ノズル9の内部のすべてが大気曝露されていてもよく、ダクト11の内部のみが大気曝露されるように構成されていてもよい。なお、上記箇所は大気曝露されていなくともよく、ヘリウム充填されていてもよく、真空とされていてもよい。
ドーズモニタ12は、基軸AX上であってダクト11に対して下流側に配置されている。ポジションモニタ13は、粒子線Bのビーム形状及び位置を検出監視する。ポジションモニタ13は、基軸AX上であって、ドーズモニタ12よりも粒子線Bの下流側に配置されている。各モニタ12,13は、検出した検出結果を制御部80に出力する。
レンジシフタ30は、通過する粒子線Bのエネルギーを低下させて当該粒子線Bの飛程のシフトを行う。本実施形態では、レンジシフタ30は、照射ノズル9の先端部9aに設けられている。なお、照射ノズル9の先端部9aとは、粒子線Bの下流側の端部である。
コリメータ17は、少なくとも走査電磁石10よりも粒子線Bの下流側に設けられ、粒子線Bの一部を遮蔽し、一部を通過させる部材である。ここでは、コリメータ17は、ポジションモニタ13の下流側に設けられている。コリメータ17は、当該コリメータ17を移動させるコリメータ駆動部18に接続されている。
制御部80は、例えばCPU、ROM、及びRAM等により構成されている。この制御部80は、各モニタ12,13から出力された検出結果に基づいて、加速器2、走査電磁石10、及びコリメータ駆動部18を制御する。
また、粒子線治療装置1の制御部80は、粒子線治療の治療計画を行う治療計画装置90と接続されている。治療計画装置90は、治療前に患者15の腫瘍14をCT等で測定し、腫瘍14の各位置における線量分布を計画する。具体的には、治療計画装置90は、腫瘍14に対して治療計画マップを作成する。治療計画装置90は、作成した治療計画マップを制御部80へ送信する。治療計画装置90が作成した治療計画マップでは、粒子線Bがどのような走査経路を描くかが計画されている。
スキャニング方式による粒子線Bの照射を行う場合、腫瘍14をX軸方向に複数の層に仮想的に分割し、一の層において粒子線を治療計画において定めた走査経路に従うように走査して照射する。そして、当該一の層における粒子線Bの照射が完了した後に、隣接する次の層における粒子線Bの照射を行う。
スキャニング方式による粒子線の照射を行う場合、まず、加速器2から粒子線Bを出射する。出射された粒子線Bは、走査電磁石10の制御によって治療計画において定めた走査経路に従うように走査される。これにより、粒子線Bは、腫瘍14に対してZ軸方向に設定された一の層における照射範囲内を走査されつつ照射されることとなる。一の層に対する照射が完了したら、次の層へ粒子線Bを照射する。このようにして、照射野形成装置6は、一の層における照射野を形成することができる。
制御部80の制御に応じた走査電磁石10の粒子線照射イメージについて、図3(a)及び(b)を参照して説明する。図3は、腫瘍に対して設定された層を示す図である。図3(a)は、深さ方向において複数の層に仮想的にスライスされた被照射体を、図3(b)は、深さ方向から見た一の層における粒子線の走査イメージを、それぞれ示している。
図3(a)に示すように、被照射体は照射の深さ方向において複数の層に仮想的にスライスされており、本例では、深い(粒子線Bの飛程が長い)層から順に、層L1、層L2、…層Ln-1、層Ln、層Ln+1、…層LN-1、層LNとN層に仮想的にスライスされている。また、図3(b)に示すように、粒子線Bは、走査経路TLに沿ったビーム軌道を描きながら、連続照射(ラインスキャニング又はラスタースキャニング)の場合は層Lnの走査経路TLに沿って連続的に照射され、スポットスキャニングの場合は層Lnの複数の照射スポットに対して照射される。粒子線Bは、Z軸方向に延びる走査経路TL1に沿って照射され、走査経路TL2に沿ってY軸方向に僅かにシフトし、隣の走査経路TL1に沿って照射される。このように、制御部80に制御された照射装置3から出射した粒子線Bは、走査経路TL上を移動する。
図4は、照射部の基軸について説明するための概略図である。図4を参照して、照射装置3の「基軸AX」について説明する。基軸AXは、照射装置3が粒子線Bの照射を行うときの基準となる仮想的な基準線である。治療計画装置90が治療計画を行うときにスキャニングのパターンを作成する際にも、基軸AXを基準として治療計画を行う。例えば、図3(a)に示す層を設定する場合、各層は、基軸AXと垂直な面とする。また、Y軸方向への移動量、及びZ軸方向への移動量を設定する際も、基軸AXの位置を基準にする。図4(a)に示すように、基軸AXは、ガントリ5の中心線CLと直交し、且つ中心線CLを通過する。基軸AXは、ガントリ5の中心線CL上のアイソセンターACを通過する。図4(b)に示すように、ガントリ5を回転させて照射装置3をアイソセンターAC周りに回転させた場合、照射装置3の位置によらず、基軸AXは、ガントリ5上のアイソセンターACを通過する。なお、XYZ座標系は、基軸AXの向きによって変化する相対座標系である。図4では、基軸AXが鉛直方向に延びている状態におけるXYZ座標系が示されている。また、前述の図1においては、照射装置3の様子を示すために基軸AXが水平方向に延びている状態を示している。従って、図1では、当該状態に対応したXYZ座標系が示されている。
次に、図1を参照して、本実施形態に係る粒子線治療装置1の輸送経路4の詳細な構成、及び建屋100のレイアウトについて説明する。
建屋100は、X軸方向に並んだ照射室101A,101Bを有する。照射室101Aは、照射室101Bに対してX軸方向の正側に配置される。照射室101A,101Bには、照射装置3A,3Bがそれぞれ配置される。このとき、照射装置3A,3Bは、ガントリ5の回転軸がY軸方向と平行になるように配置される。また、ガントリ5の正面側がY軸方向の正側となり、ガントリ5の背面側がY軸方向の負側となるように配置される。また、建屋100は、照射室101A,101Bに対してY軸方向の負側で隣り合う加速器室102を備える。
照射室101A,101Bと加速器室102とは、X軸方向に延びる壁部103が設けられる。照射室101AのX軸方向の正側には、Y軸方向に延びる壁部104が設けられる。照射室101AのX軸方向の負側には、Y軸方向に延びる壁部106が設けられる。壁部106は、照射室101Aと照射室101Bとの隔壁である。照射室101AのY軸方向の正側には、X軸方向に延びる壁部107が設けられる。照射室101BのX軸方向の負側には、Y軸方向に延びる壁部108が設けられる。照射室101BのY軸方向の正側には、X軸方向に延びる壁部109が設けられる。加速器室102のX軸方向の正側には、Y軸方向に延びる壁部111が設けられる。壁部111は、壁部104と連続するように設けられている。加速器室102のX軸方向の負側には、Y軸方向に延びる壁部112が設けられる。加速器室102AのY軸方向の負側には、X軸方向に延びる壁部113が設けられる。
壁部104と壁部107との間には照射室101Aの入口121が形成される。壁部106と壁部109との間には照射室101Bの入口122が形成される。建屋100の各壁部は、放射線を遮蔽する遮蔽壁として機能する。
輸送経路4は、加速器2から延びて粒子線を輸送可能に設けられている。輸送経路4は、加速器2から延びて複数の分岐経路31A,31Bに分岐し、粒子線を照射対象へ照射する複数の照射室101A,101Bへ粒子線を輸送する。輸送経路4は、加速器2からX軸方向に延びる共通経路32を有する。分岐経路31A,31Bは、分岐部分にて共通経路32から分岐する。複数の分岐経路31A,31Bは、照射対象への粒子線の照射が行われる複数の照射空間へ粒子線を輸送可能に設けられる。
分岐経路31Aは、共通経路32から連続するように、X軸方向に延びる。分岐経路31Aは、X軸方向におけるガントリ5の背面の位置にて、Y軸方向の正側へ曲がる。分岐経路31Aは、壁部103を介してガントリ5の背面から照射装置3A内へ入り込む。照射装置3A内では、分岐経路31Aは、偏向電磁石7の位置にて偏向電磁石8へ向かって斜めに延びる。分岐経路31Aは、偏向電磁石8の内部では当該偏向電磁石8と同様に湾曲して照射野形成装置6の下流側の照射口まで延びる。分岐経路31Bは、共通経路32の分岐部分にてY軸方向の正側へ曲がる。分岐経路31Bは、壁部103を介してガントリ5の背面から照射装置3B内へ入り込む。分岐経路31Bの照射装置3B内での構成は、分岐経路31Aと同様である。なお、以降の説明においては、粒子線の輸送方向を基準として「上流側」「下流側」という語を用いる。
加速器室102において、分岐経路31Aの曲部付近には、上流側から下流側へ順に偏向磁石41A、四極磁石42A、偏向磁石43A、四極磁石44A、及び四極磁石46Aが設けられる。偏向磁石41A,43Aは、粒子線の軌道を曲げるための電磁石である。四極磁石42A,44A,46Aは、粒子線を収束させて粒子線の形状を整えるための磁石である。分岐経路31Aと同様に、分岐経路31Bの曲部付近には、上流側から下流側へ順に偏向磁石41B、四極磁石42B、偏向磁石43B、四極磁石44B、及び四極磁石46Bが設けられる。なお、分岐経路31Aのうち、偏向磁石41Aよりも上流側の直線部分には、複数の四極磁石47が設けられる。複数の四極磁石47の間には、図示されないプロファイルモニタ、及びビームストッパーが設けられていてもよい。なお、これらの磁石は電磁石であってもよい。
粒子線治療装置1は、複数の分岐経路31A,31Bのそれぞれに設けられ、粒子線のエネルギーを変更する複数のエネルギー変更部50A,50Bを備える。エネルギー変更部50A,50Bは、分岐経路31A,31Bのうち、四極磁石46Aよりも下流側であって、壁部103からY軸方向の負側へ離間した位置に設けられる。エネルギー変更部50A,50Bは、例えば、通過させた粒子線のエネルギーを減衰させる減衰部材を備えるディグレーダ51A,51Bによって構成される。ディグレーダ51A,51Bは、減衰部材の厚みを調整することで、エネルギーの減衰を調整することができる。また、更に、エネルギー変更部50A,50Bは、ディグレーダ51A,51Bの下流側において、コリメータ52A,52Bを含んでいてもよい。コリメータ52A,52Bは、ディグレーダにより広がったビームのエミッタンス(ビームの位置の広がりと方向のばらつき)を規定し、例えば、中空の金属材で構成され、中空形状や、スリット形状を有する。コリメータ52A、52Bは、ディグレーダ51A,51Bの下流側であって、壁部103からY方向の負側へ離間した位置に設けることができる。
上述のエネルギー変更部50A,50B、偏向電磁石7、四極磁石56、運動量分析スリット55、及び偏向電磁石8によって、粒子線のエネルギーを選択する選択システム(ESS:Energy Selection System)が構成される。このように、各分岐経路31A,31Bに個別の選択システムが設けられる。すなわち、各照射装置3A,3Bに対して、個別の選択システムが設けられる。なお、照射装置3Aに対する選択システムと、照射装置3Bに対する選択システムとは、それぞれの選択システムを構成する構成要素の相対位置が同じになるように配置され、同様の構造を有する。なお、本実施形態において、選択システムは、エネルギー変更部50A,50B、偏向電磁石7、四極磁石56、運動量分析スリット55、及び偏向電磁石8によって構成されているが、粒子線のエネルギーを選択する選択システムは、少なくとも、エネルギー変更部50A,50Bを有していればよい。
それぞれの分岐経路31A,31Bは、エネルギー変更部50A,50Bよりも下流側において互いに略同一の構造を有する。具体的には、分岐経路31Aにおるエネルギー変更部50Aよりも下流側の照射野形成装置6及びガントリ5と、分岐経路31Bにおるエネルギー変更部50Bよりも下流側の照射野形成装置6及びガントリ5とは、互いに同一の構造を有している。すなわち、照射装置3Aの照射野形成装置6と、照射装置3Bの照射野形成装置6とは、同様な構成要素を同様な配置にて備えている。照射装置3Aのガントリ5と、照射装置3Bのガントリ5とは、同様な構成要素を同様な配置にて備えている。
次に、本実施形態に係る粒子線治療装置1の作用・効果について説明する。
まず、図5に示す比較例に係る粒子線治療装置201について説明する。比較例に係る粒子線治療装置201は、建屋200の加速器室202の加速器2と、加速器2で生成された粒子線を照射する照射装置3と、加速器2から照射装置3へ粒子線を輸送する輸送経路204と、を備える。粒子線治療装置201が設けられる建屋200には一つの加速器2に対して一つの照射装置3が設けられている。従って、輸送経路204は、加速器2から一つの照射室203へ延びる。このような粒子線治療装置201では、加速器2、選択システム250、輸送経路204、及び照射装置3が直線的に配置されている。従って、当該構造を複数の照射室に照射装置が配置された粒子線治療装置に拡張することはできない。
次に、図6に示す比較例に係る粒子線治療装置301について説明する。この粒子線治療装置301は、複数の照射室301A,301B及び照射装置3A,3Bを有する。輸送経路304は、加速器2から延びて複数の分岐経路331A,331Bに分岐し、複数の照射室301A,301Bへ粒子線を輸送するような構成となる。この場合、輸送経路304の分岐部分よりも輸送方向の上流側の共通経路330には、粒子線のエネルギーを変更するエネルギー変更部351を含む選択システム350が設けられる。このような構成においては、エネルギー変更部351よりも下流において粒子線の輸送パラメータの調整が難しい。複数の照射室301A,301B間での治療において、粒子線の品質にばらつきが生じ易いという問題がある。
例えば、照射室301Bに対する分岐経路331Bは、照射室301Aに対する分岐経路331Aよりも長い。そのため、分岐経路331Bでは、エネルギー変更部351よりも下流側において、粒子線が広がりやすくなる。従って、照射室301Bに対する輸送経路304のエネルギー変更部351よりも下流側には、照射室301Aに対する輸送経路304よりも多数の電磁石等が設けられる。従って、粒子線治療装置301は、各照射室301A,301Bに振り分けるために、輸送経路における輸送パラメータがエネルギーごとに必要になるが、当該調整は難しい。ここで、調整を容易とするために大きな電磁石を用いた場合コストが増大する従って、コストを抑制するために小さい電磁石を用いると、各照射空間での治療線の品質にばらつきが生じる。
また、治療時間を短くするためにブラッグピークを太くするには、運動量分散を広くする必要がある。しかし、比較例に係る粒子線治療装置301では、選択システム350を照射装置3A,3Bから遠くに設ける必要があるため、そのような治療時間の短縮を行い難いという問題もある。
これに対し、本実施形態に係る粒子線治療装置1は、加速器2から延びて複数の分岐経路31A,31Bに分岐し、照射対象への粒子線の照射が行われる複数の照射室101A,101Bへ粒子線を輸送する輸送経路4を有する。そのため、加速器2で生成された粒子線は、輸送経路4の何れかの分岐経路31A,31Bを介して、何れかの照射室101A,101Bにて照射される。これに対し、粒子線治療装置1は、複数の分岐経路31A,31Bのそれぞれに設けられ、粒子線のエネルギーを変更する複数のエネルギー変更部50A,50Bを備える。すなわち、複数の照射室101A,101Bに対して、個別のエネルギー変更部50A,50Bを設けることができる。この場合、それぞれの各分岐経路31A,31Bのエネルギー変更部50A,50Bよりも下流において、粒子線の輸送パラメータの調整に関わる構造上の違いを低減し易くなる。従って、複数の照射室101A,101Bに対する各輸送経路4での輸送パラメータの調整が容易となる。以上より、複数の照射室101A,101Bの照射空間での治療において、粒子線の品質にばらつきを低減できる。
それぞれの分岐経路31A,31Bは、エネルギー変更部50A,50Bよりも粒子線の輸送方向における下流側において互いに略同一の構造を有してよい。この場合、それぞれの各分岐経路31A,31Bのエネルギー変更部50A,50Bよりも下流において、粒子線の輸送パラメータの調整に関わる構成を略同一にすることができる。従って、複数の照射室101A,101Bの照射空間に対する各輸送経路4での輸送パラメータの調整が容易となる。
それぞれの分岐経路31A,31Bは、エネルギー変更部50A,50Bよりも粒子線の輸送方向における下流側において、照射対象に照射される粒子線の照射野を形成する照射野形成装置6を有してよい。この場合、各照射室101A,101Bの照射空間における照射野形成装置6の構造上の違いを低減することで、複数の照射室101A,101Bの照射空間に対する各輸送経路4での輸送パラメータの調整が容易となる。
それぞれの分岐経路31A,31Bは、エネルギー変更部50A,50Bよりも粒子線の輸送方向における下流側において、照射対象に照射する粒子線の照射方向を変更するガントリ5(照射方向変更装置)を有してよい。この場合、各照射室におけるガントリ5の構造上の違いを低減することで、複数の照射室101A,101Bの照射空間に対する各輸送経路4での輸送パラメータの調整が容易となる。
複数の分岐経路31A,31Bのそれぞれに設けられ、エネルギー変更部50A,50Bりも粒子線の輸送方向における下流側において、粒子線のエネルギーを選択する選択部57を更に備えてよい。この場合、各分岐経路31A,31Bにおける選択部57の位置の違いを低減することで、複数の照射室101A,101Bの照射空間に対する各輸送経路4での輸送パラメータの調整が容易となる。
例えば、図5に示す比較例で用いていたような粒子線治療装置201において採用していた輸送パラメータやガントリ5の位置パラメータなどを、図6に示す照射装置3A,3Bに対してそのまま用いることはできない。そのため、輸送パラメータや位置パラメータの調整に時間がかかる。また、照射装置3A,3Bでの粒子線のアイソセンターでの特性は、粒子線治療装置201のものと異なるため、図5の粒子線治療装置201で治療していた患者を、(機器メンテナンスなどにより)途中から図6の粒子線治療装置301へ移行させることや、その逆を行うことができない。
これに対し、本実施形態に係る粒子線治療装置1の各照射装置3A,3Bでは、エネルギー変更部50A,50Bより下流の構造を図5の粒子線治療装置201と略同一にすることも可能である。従って、粒子線治療装置1の各照射装置3A,3Bでは、図5の粒子線治療装置201において採用していた輸送パラメータやガントリ5の位置パラメータなどを流用することができる。
また、複数の照射室101A,101Bの照射空間に対して個別のエネルギー変更部50A,50Bを設けることによって、加速器2や輸送経路4の配置の自由度が向上する。従って、図1に示すように、各部屋における放射線に対する遮蔽性を高めつつ、建屋100全体の面積をコンパクトにするようなレイアウトを採用することができる。
本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。
例えば、照射野形成装置の具体的な構成は、上述の実施形態に限定されるものではない。また、照射野形成装置の照射方式は、上述のようなスキャニング方式に限定されるものではなく、例えば、ワブラー法、二重散乱体法等のブロードビーム方式が採用されてもよい。
また、照射方向変更装置の具体的な構成は、上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、照射方向変更装置として、回転式の装置に変えて、非回転式の装置を採用してもよい。
建屋100の構造や、各構成要素のレイアウトは、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更してもよい。
例えば、輸送経路の分岐の仕方は特に限定されず、一組の偏向磁石で粒子線を複数の照射室に振り分けるパターンが採用されてもよい。例えば、図1に示す構成において、偏向磁石41Bから、紙面下側に延びるような分岐経路が存在していてもよいこれにより、三つの分岐経路で分岐するような構成となる。
1…粒子線治療装置、2…加速器、4…輸送経路、5…ガントリ(照射方向変更装置)、6…照射野形成装置、31A,31B…分岐経路、32…共通経路、50A,50B…エネルギー変更部、57…選択部、101A,101B…照射室。
Claims (6)
- 粒子を加速して粒子線を生成する加速器と、
前記加速器から延びて複数の分岐経路に分岐し、前記粒子線を輸送可能に設けられた輸送経路と、
複数の前記分岐経路のそれぞれに設けられ、前記粒子線のエネルギーを変更する複数のエネルギー変更部と、を備える、粒子線治療装置。 - それぞれの前記分岐経路は、前記エネルギー変更部よりも前記粒子線の輸送方向における下流側において互いに略同一の構造を有する、請求項1に記載の粒子線治療装置。
- それぞれの前記分岐経路は、前記エネルギー変更部よりも前記粒子線の輸送方向における下流側において、照射対象に照射される前記粒子線の照射野を形成する照射野形成装置を有する、請求項1又は2に記載の粒子線治療装置。
- それぞれの前記分岐経路は、前記エネルギー変更部よりも前記粒子線の輸送方向における下流側において、照射対象に照射する前記粒子線の照射方向を変更する照射方向変更装置を有する、請求項1~3の何れか一項に記載の粒子線治療装置。
- 複数の前記分岐経路のそれぞれに設けられ、前記エネルギー変更部よりも前記粒子線の輸送方向における下流側において、前記粒子線のエネルギーを選択する選択部を更に備える、請求項1~4の何れか一項に記載の粒子線治療装置。
- 前記複数の分岐経路は、照射対象への前記粒子線の照射が行われる複数の照射空間へ前記粒子線を輸送可能に設けられた、請求項1~5の何れか一項に記載の粒子線治療装置。
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