JP2023048712A - 感光性組成物の検査方法、及び感光性組成物の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】製造時期が異なり、同じ材料を含む感光性組成物の評価をより正確にできる感光性組成物の検査方法、及び感光性組成物の製造方法を提供する。【解決手段】第１感光性組成物を用いて形成された第１感光性組成物層を含むダミー基板に対して露光処理、加熱処理及び現像処理を実施する第１工程と、第１感光性組成物層を含む第１評価用基板に対して第１工程と同じ条件の露光処理、加熱処理及び現像処理を実施してパターンを形成する第２工程と、第２感光性組成物を用いて形成された第２感光性組成物層を含む第２評価用基板に対して第１工程と同じ条件の露光処理、加熱処理及び現像処理を実施してパターンを形成する第３工程と、第２工程で得られたパターンの寸法と第３工程で得られたパターンの寸法の差が許容範囲内であるかを判定する第４工程とを有し、第１感光性組成物と第２感光性組成物とは同じ材料を含む組成物であって製造ロットが異なる。【選択図】図１

Description

本発明は、同じ材料を含む組成物であって製造ロットが異なる感光性組成物の検査方法、及び感光性組成物の製造方法に関する。

従来、ＩＣ（Integrated Circuit、集積回路）及びＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit、大規模集積回路）等の半導体デバイスの製造プロセスにおいては、感光性組成物を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われている。近年、集積回路の高集積化に伴い、サブミクロン領域又はクオーターミクロン領域の超微細パターン形成が要求されるようになってきている。それに伴い、露光波長もｇ線からｉ線に、更にＡｒＦエキシマレーザー光、及びＫｒＦエキシマレーザー光にというように短波長化の傾向が見られる。更には、現在では、エキシマレーザー光以外にも、電子線、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet、極紫外線）光を用いたリソグラフィーも開発が進んでいる。
例えば、特許文献１には、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光又は波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー光で露光される所定の組成のレジスト材料が開示されている。

特開２０２０－０４６６６２号公報

一般的に、感光性組成物を製造する際には、製造ロット間での性能差が少ないことが望ましい。一方で、酸分解性樹脂及び光酸発生剤等の感光性組成物の原料自体の製造ロットが変わると、以前と同じ原料組成比にて感光性組成物を製造しても、以前の感光性組成物とは異なる性能を示す場合があった。
このようなことから感光性組成物としては、製造時期が異なるロットの感光性組成物を使用する場合があり、それぞれの製造ロットで性能差がないかを評価することが実施されていた。
製造ロットによる性能差の評価では、まず、製造時期が異なる２つの感光性組成物を用意する。次に、各感光性組成物を用いて形成された層を有する評価基板をそれぞれ作製する。各評価基板に露光処理及び現像処理を連続して実施して得られたパターンの寸法を用いて、感光性組成物の評価を行う。評価の結果、パターンの寸法のばらつきが大きく、製造ロットが異なる感光性組成物の評価を正確にできなかった。

本発明の目的は、同じ材料を含む組成物であって製造ロットが異なるものの評価をより正確にできる感光性組成物の検査方法、及び感光性組成物の製造方法を提供することにある。

上述の目的を達成するために、本発明の一態様は、第１感光性組成物を用いて形成された第１感光性組成物層を含むダミー基板に対して、露光処理、加熱処理、及び現像処理をこの順で実施する第１工程と、第１感光性組成物層を含む第１評価用基板に対して、第１工程と同じ条件の露光処理、加熱処理、及び現像処理を実施して、パターンを形成する第２工程と、第２感光性組成物を用いて形成された第２感光性組成物層を含む第２評価用基板に対して、第１工程と同じ条件の露光処理、加熱処理、及び現像処理を実施して、パターンを形成する第３工程と、第２工程で得られたパターンの寸法と、第３工程で得られたパターンの寸法との差が許容範囲内であるかどうかを判定する第４工程と、を有し、第１感光性組成物と、第２感光性組成物とは、同じ材料を含む組成物であって製造ロットが異なる、感光性組成物の検査方法を提供するものである。
第２工程と、第３工程との間に、第２感光性組成物層を含むダミー基板に対して、第１工程と同じ条件の露光処理、加熱処理、及び現像処理をこの順で実施する第５工程を有することが好ましい。

第１工程は、第１感光性組成物層を含むダミー基板を露光ユニット内で露光処理し、露光処理されたダミー基板を加熱ユニット内で加熱処理し、加熱処理されたダミー基板を現像ユニット内で現像処理する工程であり、第２工程は、第１感光性組成物層を含む第１評価用基板を露光ユニット内で第１工程と同じ条件にて露光処理し、露光処理された第１評価用基板を加熱ユニット内で第１工程と同じ条件にて加熱処理し、加熱処理された第１評価用基板を現像ユニット内で第１工程と同じ条件にて現像処理して、パターンを形成する工程であり、第３工程は、第２感光性組成物層を含む第２評価用基板を露光ユニット内で第１工程と同じ条件にて露光処理し、露光処理された第２評価用基板を加熱ユニット内で第１工程と同じ条件にて加熱処理し、加熱処理された第２評価用基板を現像ユニット内で第１工程と同じ条件にて現像処理して、パターンを形成する工程であることが好ましい。
第５工程は、第２感光性組成物層を含むダミー基板を露光ユニット内で第１工程と同じ条件にて露光処理し、露光処理されたダミー基板を加熱ユニット内で第１工程と同じ条件にて加熱処理し、加熱処理されたダミー基板を現像ユニット内で第１工程と同じ条件にて現像処理する工程であることが好ましい。

第１工程において、露光ユニット、加熱ユニット、及び現像ユニットのそれぞれにおいて、１枚のダミー基板を処理することが好ましい。
第２工程において、露光ユニット、加熱ユニット、及び現像ユニットのそれぞれにおいて、１枚の第１評価用基板を処理することが好ましい。
第３工程において、露光ユニット、加熱ユニット、及び現像ユニットのそれぞれにおいて、１枚の第２評価用基板を処理することが好ましい。
第５工程において、露光ユニット、加熱ユニット、及び現像ユニットのそれぞれにおいて、１枚のダミー基板を処理することが好ましい。
第２工程と第３工程との間の時間が８分間以上であることが好ましい。
第１工程を複数回実施することが好ましい。
本発明の一態様は、感光性組成物の検査方法を含む、感光性組成物の製造方法を提供するものである。

本発明によれば、同じ材料を含む組成物であって製造ロットが異なるものの評価をより正確にできる感光性組成物の検査方法、及び感光性組成物の製造方法を提供できる。

本発明の実施形態の感光性組成物の検査方法の第１の例を示すフローチャートである。 本発明の実施形態の感光性組成物の検査方法の一工程を示す模式的断面図である。 本発明の実施形態の感光性組成物の検査方法の一工程を示す模式的断面図である。 本発明の実施形態の感光性組成物の検査方法の一工程を示す模式的断面図である。 本発明の実施形態の感光性組成物の検査方法の第２の例を示すフローチャートである。 本発明の実施形態の感光性組成物の検査方法の第３の例を示すフローチャートである。 本発明の実施形態の感光性組成物の検査方法の第４の例を示すフローチャートである。 本発明の実施形態の感光性組成物の検査方法に用いる処理装置群の一例を概念的に示す模式図である。

以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の感光性組成物の検査方法、及び感光性組成物の製造方法を詳細に説明する。
なお、以下に説明する図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図に本発明が限定されるものではない。

なお、以下において数値範囲を示す「～」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値ε_ａ～数値ε_ｂとは、εの範囲は数値ε_ａと数値ε_ｂを含む範囲であり、数学記号で示せばε_ａ≦ε≦ε_ｂである。
「平行」等は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。また、「同一」とは、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。

感光性組成物の品質管理においては、品質評価環境が安定していることが前提となるため、感光性組成物を品質評価する場合には、品質評価環境を一定の状態に安定させることが求められる。本発明では、ダミー基板を用いて、感光性組成物の品質評価環境を安定にしている。より具体的には、感光性組成物層を有する基板を露光すると、感光性組成物層が化学変化を起こし、分解物の一部が揮発するなどして、露光前後で環境が変化する。そのため、例えば、２枚の評価サンプルの露光処理、加熱処理、現像処理を順次実施すると、１枚目の評価サンプルの各種処理を行った装置内で、２枚目の評価サンプルの露光処理を行おうとすると、１枚目の評価サンプル由来の分解物などが装置内に残っており、１枚目の評価サンプルの処理環境と２枚目の評価サンプルの処理環境とが異なっており、このような雰囲気の違いが評価結果のばらつきにつながっていることを知見した。そこで、本発明では、ダミー基板を用いて、実際の評価サンプルに対して行う各種処理を実施することにより、評価サンプルが評価される時点で処理雰囲気が同じようになるようにしている。これにより、品質評価環境の変動による評価結果のばらつきを解決し、製造ロットが異なるが、同じ材料を含む感光性組成物の評価をより正確にできる。
感光性組成物の検査方法は、露光処理、加熱処理、及び現像処理をこの順で実施して、パターンを形成する。形成したパターンの寸法を得て、パターンの寸法を用いて感光性組成物を検査する。以下、感光性組成物の検査方法について、具体的に説明する。

［感光性組成物の検査方法の第１の例］
図１は本発明の実施形態の感光性組成物の検査方法の第１の例を示すフローチャートである。図２～図４は本発明の実施形態の感光性組成物の検査方法を工程順に示す模式的断面図である。
感光性組成物の検査方法の第１の例は、まず、第１感光性組成物を用いて形成された第１感光性組成物層を含むダミー基板に対して、露光処理、加熱処理、及び現像処理をこの順で実施する（第１工程、ステップＳ１０）。第１工程（ステップＳ１０）により、パターンを有するダミー基板が得られる。

第１工程（ステップＳ１０）の前に、まず、第１感光性組成物を用いて、図２に示すように、１枚の支持基板１０の表面１０ａに第１感光性組成物層１５を形成する。これにより、第１感光性組成物層１５を含むダミー基板１１を得る。第１感光性組成物層１５の形成は、特に限定されるものではなく、例えば、スピンコーターを用いる。

そして、第１工程（ステップＳ１０）に移行する。第１工程（ステップＳ１０）では、次に、第１感光性組成物層１５を含むダミー基板１１に対して、図３に示すように露光光Ｌｖを用いて第１感光性組成物層１５に露光処理する。露光処理では、例えば、パターン露光し、これにより露光パターンに基づく潜像が形成される。パターン露光では、例えば、複数のチップのそれぞれに相当する各領域（図示せず）に対して、それぞれパターン露光を実施する。チップ数は、各領域の大きさ及びダミー基板の大きさにより適宜決定されるが、チップ数は、例えば、５０よりも多い。
露光処理は、予め設定された露光量及び露光時間にて実施される。また、露光光Ｌｖの波長は、第１感光性組成物層１５の組成に応じたものが適宜設定される。
露光処理後、加熱処理を実施する。加熱処理は、例えば、露光後ベーク（ＰＥＢ）である。加熱処理は、第１感光性組成物層１５の組成に応じて、加熱温度及び加熱時間が適宜設定される。
加熱処理後、現像処理を実施する。現像処理は、第１感光性組成物層１５の組成に応じた現像液が用いられ、予め定められた現像時間で現像される。これにより、図４に示すように第１樹脂組成物層１７に開口部１７ａが形成される。第１樹脂組成物層１７は、第１感光性組成物層１５が露光により形成されたものである。開口部１７ａを有する第１樹脂組成物層１７がパターン１９である。第１感光性組成物層１５に露光処理及び現像処理を実施してパターン１９が得られる。このようにしてパターン１９を有するダミー基板１１が得られる。

ここで、パターン１９の寸法は、例えば、支持基板１０の表面１０ａに平行な方向Ｈに沿った第１樹脂組成物層１７に開口部１７ａの長さＬｐである。なお、ダミー基板１１において、パターン１９の寸法は測定しない。
第１感光性組成物層１５がポジ型の場合、露光された箇所が現像によりなくなる。第１感光性組成物層１５がネガ型の場合、露光された箇所が現像により残る。
また、現像処理後、必要に応じて、リンス処理を実施する。リンス処理には、例えば、純水が用いられる。リンス処理後、乾燥される。乾燥には、例えば、回転乾燥が用いられる。

上述の露光処理、加熱処理、及び現像処理により形成するパターンは、特に限定されるものではなく、孤立パターン、密集パターン及びラインアンドスペース等のレジストパターンが挙げられる。
感光性組成物がポジ型の場合は、ホール及びトレンチ等、露光された箇所が現像によりなくなる抜きパターンが光学的なコントラストが小さく環境変動の影響を受けやすいため、パターンとして好ましい。
感光性組成物がネガ型の場合、ドット及びライン等、露光された箇所が現像により残る残しパターンが光学的なコントラストが小さく環境変動の影響を受けやすいため、パターンとして好ましい。
このように環境変動の影響を受けやすいパターンを利用することにより、感光性組成物において、同じ材料を含む組成物であって製造ロットが異なるものの評価をより正確にできる。

次に、第１感光性組成物層を含む第１評価用基板に対して、第１工程と同じ条件の露光処理、加熱処理、及び現像処理を実施して、パターンを形成する（第２工程、ステップＳ１２）。第２工程（ステップＳ１２）により、パターンを有する第１評価用基板が得られる。
第２工程（ステップＳ１２）は、上述の第１工程（ステップＳ１０）に比して、ダミー基板１１にかえて、第１評価用基板を用いた点が異なる。また、第２工程（ステップＳ１２）では、パターンの寸法を測定している。

第２工程（ステップＳ１２）の前に、まず、第１感光性組成物を用いて、図２に示すように、１枚の支持基板１０の表面１０ａに第１感光性組成物層１５を形成する。これにより、第１感光性組成物層１５を含む第１評価用基板１２を得る。第１感光性組成物層１５の形成は、特に限定されるものではなく、例えば、スピンコーターを用いる。

そして、第２工程（ステップＳ１２）に移行する。第２工程（ステップＳ１２）では、次に、第１感光性組成物層１５を含む第１評価用基板１２に対して、図３に示すように露光光Ｌｖを用いて第１感光性組成物層１５に露光処理する。露光処理では、例えば、第１工程と同じ条件でパターン露光し、これにより露光パターンに基づく潜像が形成される。
露光処理は、第１工程と同じ条件の露光量及び露光時間にて実施される。また、露光光Ｌｖの波長は、第１工程と同じ条件が設定される。
露光処理後、加熱処理を実施する。加熱処理は、例えば、露光後ベーク（ＰＥＢ）である。加熱処理は、第１工程と同じ条件の加熱温度及び加熱時間が設定される。

加熱処理後、現像処理を実施する。現像処理は、第１工程と同じ現像液が用いられ、第１工程と同じ条件の現像時間で現像される。これにより、図４に示すように第１樹脂組成物層１７に開口部１７ａが形成され、パターン１９が得られる。このようにしてパターン１９を有する第１評価用基板１２が得られる。第１評価用基板１２のパターン１９の寸法を測定する。
また、現像処理後、必要に応じて、リンス処理を実施する。リンス処理には、例えば、純水が用いられる。リンス処理後、乾燥される。乾燥には、例えば、回転乾燥が用いられる。
第１評価用基板１２のパターン１９の寸法は、例えば、トレンチ又はラインの場合、支持基板１０の表面１０ａに平行な方向Ｈに沿った第１樹脂組成物層１７の開口部１７ａの長さＬｐである。
第１樹脂組成物層１７の開口部１７ａの長さＬｐは、複数のチップのそれぞれに相当する各領域（図示せず）のうち、例えば、５０程度の領域について、各領域の第１樹脂組成物層１７の開口部１７ａの長さＬｐに相当する距離を、１～７箇所程度、走査電子顕微鏡を用いて測定し、各測定値の平均値を長さＬｐとした。
また、第１評価用基板１２のパターン１９の寸法は、例えば、ホール又はドットの場合、ホール又はドットの直径方向の長さである。

次に、第２感光性組成物を用いて形成された第２感光性組成物層を含む第２評価用基板に対して、第１工程と同じ条件の露光処理、加熱処理、及び現像処理を実施して、パターンを形成する（第３工程、ステップＳ１４）。第３工程（ステップＳ１４）により、パターンを有する第２評価用基板が得られる。
第３工程（ステップＳ１４）は、第２工程（ステップＳ１２）に比して、第２感光性組成物を用いる点、第２評価用基板を用いる点が異なる。また、第２評価用基板でもパターンの寸法を測定している。

第３工程（ステップＳ１４）の前に、まず、第２感光性組成物を用いて、図２に示すように、１枚の支持基板１０の表面１０ａに第２感光性組成物層１６を形成する。第２感光性組成物層１６を含む第２評価用基板１４を得る。第２感光性組成物層１６の形成は、特に限定されるものではなく、例えば、スピンコーターを用いる。

そして、第３工程（ステップＳ１４）に移行する。第３工程（ステップＳ１４）では、次に、第２感光性組成物層１６を含む第２評価用基板１４に対して、図３に示すように露光光Ｌｖを用いて第２感光性組成物層１６に露光処理する。露光処理では、例えば、第１工程と同じ条件でパターン露光し、これにより露光パターンに基づく潜像が形成される。
露光処理は、第１工程と同じ条件の露光量及び露光時間にて実施される。また、露光光Ｌｖの波長は、第１工程と同じ条件が設定される。
露光処理後、加熱処理を実施する。加熱処理は、例えば、露光後ベーク（ＰＥＢ）である。加熱処理は、第１工程と同じ条件の加熱温度及び加熱時間が設定される。

加熱処理後、現像処理を実施する。現像処理は、第１工程と同じ現像液が用いられ、第１工程と同じ条件の現像時間で現像される。これにより、図４に示すように第２樹脂組成物層１８に開口部１８ａが形成される。第２樹脂組成物層１８は、第２感光性組成物層１６が露光により形成されたものである。開口部１８ａを有する第２樹脂組成物層１８がパターン１９である。第２感光性組成物層１６に露光処理及び現像処理を実施してパターン１９が得られる。このようにしてパターン１９を有する第２評価用基板１４が得られる。第２評価用基板１４のパターン１９の寸法を測定する。

第２感光性組成物層１６がポジ型の場合、露光された箇所が現像によりなくなる。第２感光性組成物層１６がネガ型の場合、露光された箇所が現像により残る。
また、現像処理後、必要に応じて、リンス処理を実施する。リンス処理には、例えば、純水が用いられる。リンス処理後、乾燥される。乾燥には、例えば、回転乾燥が用いられる。
第２評価用基板１４のパターン１９の寸法は、上述の第１評価用基板１２のパターン１９の寸法と同じく、例えば、トレンチ又はラインの場合、支持基板１０の表面１０ａに平行な方向Ｈに沿った第２樹脂組成物層１８に開口部１８ａの長さＬｐである。
第１評価用基板１２と同様に、第２樹脂組成物層１８に開口部１８ａの長さＬｐは、複数のチップのそれぞれに相当する各領域（図示せず）のうち、例えば、５０程度の領域について、各領域の第２樹脂組成物層１８に開口部１８ａの長さＬｐに相当する距離を、１～７箇所程度、走査電子顕微鏡を用いて測定し、各測定値の平均値を長さＬｐとした。
また、第１評価用基板１２と同様に、第２評価用基板１４のパターン１９の寸法は、例えば、ホール又はドットの場合、ホール又はドットの直径方向の長さである。

次に、第２工程（ステップＳ１２）で得られたパターンの寸法と、第３工程（ステップＳ１４）で得られたパターンの寸法との差が許容範囲内であるかどうかを判定する（第４工程、ステップＳ１６）。
なお、上述の第１感光性組成物層を形成するための感光性組成物と、第２感光性組成物層を形成するための感光性組成物とは、同じ材料を含む組成物であって製造ロットが異なるものである。第１感光性組成物層を形成するための感光性組成物と、第２感光性組成物層を形成するための感光性組成物とは、組成が同じであるが、製造時期が異なる。
同じ材料を含む組成物とは、同じレシピで作製されたということである。製造ロットが異なるとは、製造時期が異なることであるが、製造装置が異なることも含まれる。

第４工程（ステップＳ１６）において、例えば、第２工程（ステップＳ１２）で得られたパターンの寸法と、第３工程（ステップＳ１４）で得られたパターンの寸法との差が許容範囲内であれば、第１感光性組成物層を形成するための感光性組成物と、第２感光性組成物層を形成するための感光性組成物との性能差がないと判定する。一方、許容範囲を超える場合、第１感光性組成物層を形成するための感光性組成物と、第２感光性組成物層を形成するための感光性組成物とは性能差があると判定する。
パターンの寸法との差の許容範囲は、特に限定されるものではなく、パターンの寸法差の目標値でもよい。パターンの寸法の大きさに対する割合でもよい。
パターンの寸法との差の許容範囲は、例えば、±３５．０ｎｍ以下が好ましく、±１０．０ｎｍ以下がより好ましく、±１．０ｎｍ以下がさらに好ましく、±０．７ｎｍ以下がよりさらに好ましい。

ダミー基板、第１評価用基板及び第２評価用基板に用いられる支持基板には、半導体デバイスの製造に用いられる基板が用いられる。ダミー基板、第１評価用基板及び第２評価用基板は、感光性組成物の検査に用いられるため、それぞれ大きさ及び組成が同じ支持基板が用いられる。大きさ及び組成が同じ支持基板とは、例えば、大きさと純度が同じシリコン基板である。ダミー基板、第１評価用基板及び第２評価用基板に用いられる支持基板は、大きさ及び組成が同じであれば、特に限定されるものではなく、後述のようにシリコン基板以外に、各種の半導体基板を用いることができる。

［感光性組成物の検査方法の第２の例］
図５は本発明の実施形態の感光性組成物の検査方法の第２の例を示すフローチャートである。なお、感光性組成物の検査方法の第２の例において、上述の感光性組成物の検査方法の第１の例と同一工程については、その詳細な説明は省略する。
感光性組成物の検査方法の第２の例は、感光性組成物の検査方法の第１の例に比して、ダミー基板を複数回処理する点が異なり、それ以外の工程は、感光性組成物の検査方法の第１の例と同じである。

感光性組成物の検査方法の第２の例は、第１工程（ステップＳ１０）により、パターンを有するダミー基板を得た後、再度、第１感光性組成物を用いて形成された第１感光性組成物層を含むダミー基板に対して、第１工程と同じ条件で露光処理、加熱処理、及び現像処理をこの順で実施する（ステップＳ１１）。ステップＳ１１により、第１工程（ステップＳ１０）と同様に、パターンを有するダミー基板が得られる。
感光性組成物の検査方法の第２の例では、ステップＳ１１の後、第２工程（ステップＳ１２）、第３工程（ステップＳ１４）で及び第４工程（ステップＳ１６）を実施する。
感光性組成物の検査方法の第２の例は、第１工程（ステップＳ１０）を複数回実施する検査方法である。第１工程（ステップＳ１０）を複数回実施することにより、感光性組成物の品質評価環境を安定化することができる。
第１工程（ステップＳ１０）を複数回実施する場合、特に限定されるものではないが、検査方法に要する時間の増加を抑制する観点から、２回が好ましい。

［感光性組成物の検査方法の第３の例］
図６は本発明の実施形態の感光性組成物の検査方法の第３の例を示すフローチャートである。なお、感光性組成物の検査方法の第３の例において、上述の感光性組成物の検査方法の第１の例と同一工程については、その詳細な説明は省略する。
感光性組成物の検査方法の第３の例は、感光性組成物の検査方法の第１の例に比して、第２工程（ステップＳ１２）と、第３工程（ステップＳ１４）との間に、第２感光性組成物を用いて形成された第２感光性組成物層を含むダミー基板に対して、露光処理、加熱処理、及び現像処理をこの順で実施する第５工程（ステップＳ１３）を有する点が異なり、それ以外の工程は、感光性組成物の検査方法の第１の例と同じである。
感光性組成物の検査方法の第３の例は、第５工程（ステップＳ１３）により、パターンを有するダミー基板が得られる。
第３工程（ステップＳ１４）の前に、第５工程（ステップＳ１３）により、第２感光性組成物層を含むダミー基板を作製することで、感光性組成物の品質評価環境を安定化し、第３工程（ステップＳ１４）の第２感光性組成物層を含む第２評価用基板におけるパターンの寸法が、パターン形成環境による影響を小さくできる。これにより、同じ材料を含む感光性組成物の評価をより正確にできる。

第５工程（ステップＳ１３）の前に、まず、第２感光性組成物を用いて、図２に示すように支持基板１０の表面１０ａに第２感光性組成物層１６を形成する。第２感光性組成物層１６を含むダミー基板１１を得る。第２感光性組成物層１６の形成は、特に限定されるものではなく、例えば、スピンコーターを用いる。

そして、第５工程（ステップＳ１３）に移行する。第５工程（ステップＳ１３）では、次に、第２感光性組成物層１６を含むダミー基板１１に対して、図３に示すように露光光Ｌｖを用いて第２感光性組成物層１６に露光処理する。露光処理では、例えば、第１工程と同じ条件でパターン露光し、これにより露光パターンに基づく潜像が形成される。
露光処理は、第１工程と同じ条件の露光量及び露光時間にて実施される。また、露光光Ｌｖの波長は、第１工程と同じ条件が設定される。
露光処理後、加熱処理を実施する。加熱処理は、例えば、露光後ベーク（ＰＥＢ）である。加熱処理は、第１工程と同じ条件の加熱温度及び加熱時間が設定される。
加熱処理後、現像処理を実施する。現像処理は、第１工程と同じ現像液が用いられ、第１工程と同じ条件の現像時間で現像される。これにより、図４に示すように第２樹脂組成物層１８に開口部１８ａが形成され、パターン１９が得られる。このようにしてパターン１９を有するダミー基板１１が得られる。
また、現像処理後、必要に応じて、リンス処理を実施する。リンス処理には、例えば、純水が用いられる。リンス処理後、乾燥される。乾燥には、例えば、回転乾燥が用いられる。
第５工程（ステップＳ１３）は、上述の第１工程（ステップＳ１０）と同様に複数回実施してもよい。第５工程（ステップＳ１３）を複数回実施することにより、感光性組成物の品質評価環境を安定化することができる。
第５工程（ステップＳ１３）を複数回実施する場合、特に限定されるものではないが、検査方法に要する時間の増加を抑制する観点から、２回が好ましい。

［感光性組成物の検査方法の第４の例］
図７は本発明の実施形態の感光性組成物の検査方法の第４の例を示すフローチャートである。なお、感光性組成物の検査方法の第４の例において、上述の感光性組成物の検査方法の第３の例と同一工程については、その詳細な説明は省略する。
感光性組成物の検査方法の第４の例は、感光性組成物の検査方法の第３の例に比して、ダミー基板を複数回処理する点が異なり、それ以外の工程は、感光性組成物の検査方法の第３の例と同じである。すなわち、感光性組成物の検査方法の第４の例は、上述のステップＳ１１を有する。
感光性組成物の検査方法の第４の例は、第１工程（ステップＳ１０）により、パターンを有するダミー基板を得た後、再度、第１感光性組成物を用いて形成された第１感光性組成物層を含むダミー基板に対して、第１工程と同じ条件で露光処理、加熱処理、及び現像処理をこの順で実施する（ステップＳ１１）。ステップＳ１１により、第１工程（ステップＳ１０）と同様に、パターンを有するダミー基板が得られる。
感光性組成物の検査方法の第４の例は、第１工程（ステップＳ１０）を複数回実施する検査方法である。第１工程（ステップＳ１０）を複数回実施することにより、感光性組成物の品質評価環境を安定化することができる。

感光性組成物の検査方法の第３の例、及び感光性組成物の検査方法の第４の例では、第２工程（ステップＳ１２）と、第３工程（ステップＳ１４）との間において、第５工程（ステップＳ１３）を複数回繰り返してもよい。これにより、感光性組成物の品質評価環境を安定化し、第３工程（ステップＳ１４）の第２感光性組成物層を有する第２評価用基板におけるパターンの寸法が、パターン形成環境による影響を小さくできる。
また、第２工程（ステップＳ１２）と、第３工程（ステップＳ１４）との間の時間が８分間以上であることが好ましい。第２工程（ステップＳ１２）と、第３工程（ステップＳ１４）との間の時間が８分間以上であると、前の基板の影響をキャンセルできるため好ましい。
ここで、第２工程（ステップＳ１２）と第３工程（ステップＳ１４）との間の時間においては、第２工程（ステップＳ１２）の露光処理後、第１評価用基板が露光ユニット等の装置を出た時点（第１評価用基板の全部が出た時点）を開始時期とする。この開始時期からの経過時間が、第２工程（ステップＳ１２）と第３工程（ステップＳ１４）との間の時間である。
また、第２工程（ステップＳ１２）と、第３工程（ステップＳ１４）との間の時間は、上限が１０分であることがより好ましい。上述の時間が１０分程度であれば、基板作成時間の総時間の増加を抑制できるため、好ましい。
第２工程（ステップＳ１２）と第３工程（ステップＳ１４）との間の時間は、時計により測定される。
なお、第２工程（ステップＳ１２）と第３工程（ステップＳ１４）との間に上述のステップＳ１３（第５工程）のダミー基板を処理する場合、第２工程（ステップＳ１２）と第３工程（ステップＳ１４）との間の時間には、上述のステップＳ１３（第５工程）のダミー基板の処理の時間も含まれる。
なお、上述のように第２工程と第３工程との間に第５工程を含む場合、第２工程と第３工程との間の時間（分）は８分以下でも良く、第２工程、第５工程及び第３工程と連続処理することが好ましい。連続処理の場合、第２工程と第３工程との間の時間（分）は、例えば、１～１０分である。

第２工程、第３工程及び第５工程において、露光処理、加熱処理及び現像処理を第１工程と同じ条件としている。第１工程と同じ条件とは、第１工程、第２工程、第３工程及び第５工程における露光処理、加熱処理及び現像処理の各設定条件が同じであることである。露光処理では、例えば、露光量及び露光時間が同じである。加熱処理では、加熱温度及び加熱時間が同じである。現像処理では、現像液、現像時間、リンス液、リンス時間、及び乾燥方法が同じである。

また、露光処理、加熱処理及び現像処理をこの順で実施するとしたが、上述の処理以外の処理を実施してもよく、例えば、感光性組成物層にパターンを形成する公知の処理を実施してもよい。
例えば、第１感光性組成物層１５及び第２感光性組成物層１６の形成後、かつ露光処理前に、第１感光性組成物層１５及び第２感光性組成物層１６にプリベークを実施する。この場合、プリベークのプリベーク温度の最高温度及び処理時間等の条件を同じ条件に統一する。また、第１感光性組成物層１５及び第２感光性組成物層１６の現像処理後に、第１樹脂組成物層１７及び第２樹脂組成物層１８にポストベークを実施する。この場合、ポストベークのポストベーク温度の最高温度及び処理時間等の条件を同じ条件に統一する。
また、第１工程と同じ条件には、第１工程、第２工程、第３工程及び第５工程が、後述のように同じ装置を用いて、各装置の設定条件を同じにして、上述の露光処理、加熱処理及び現像処理を実施することも含まれ、さらには、上述のプリベーク、ポストベークも同じ装置を用いて、各装置の設定条件を同じにして実施することも含まれる。

＜処理装置群＞
図８は本発明の実施形態の感光性組成物の検査方法に用いる処理装置群の一例を概念的に示す模式図である。
上述の感光性組成の検査方法は、例えば、図８に示す処理装置群２０で露光処理、加熱処理、及び現像処理が実施することもできる。処理装置群２０は、露光ユニット２２と、加熱ユニット２４と、現像ユニット２６とを有する。
処理装置群２０は、例えば、露光ユニット２２、加熱ユニット２４、及び現像ユニット２６に、それぞれダミー基板、第１評価用基板及び第２評価用基板を、搬入出させる搬入出装置（図示せず）と、これらの基板を待機させるための待機部（図示せず）とを有する。
なお、処理装置群２０の各ユニットの配置は、特に限定されるものではなく、露光ユニット２２、加熱ユニット２４、及び現像ユニット２６は、隣接して配置してもよく、離間して配置してもよい。露光ユニット２２、加熱ユニット２４、及び現像ユニット２６を離間して配置する場合、例えば、ダミー基板、第１評価用基板及び第２評価用基板を、露光ユニット２２、加熱ユニット２４、及び現像ユニット２６に搬送する自動搬送装置（図示せず）を設ける構成でもよい。

露光ユニット２２は内部で、第１感光性組成物を用いて形成された第１感光性組成物層、及び第２感光性組成物を用いて形成された第２感光性組成物層に対して、例えば、パターン露光するものである。露光ユニット２２の構成は、特に限定されるものではなく、半導体製造装置において、レジスト膜の露光に用いられるものを適宜利用可能である。
加熱ユニット２４は内部で、パターン露光された第１感光性組成物層、及び第２感光性組成物層に対して、露光後ベーク（ＰＥＢ）を実施するものである。加熱ユニット２４内で加熱処理は、露光後ベーク（ＰＥＢ）である。加熱ユニット２４の構成は、特に限定されるものではなく、半導体製造装置において、パターン露光されたレジスト膜の露光後ベークに用いられるものを適宜利用可能である。
現像ユニット２６は内部で、パターン露光された第１感光性組成物層、及び第２感光性組成物層に対して、現像液を接触させてパターン露光した箇所を溶解除去又は未露光領域を溶解除去するものである。現像ユニット２６の構成は、特に限定されるものではなく、半導体製造装置において、パターン露光されたレジスト膜の現像に用いられるものを適宜利用可能である。また、現像ユニット２６は、リンス処理を実施する機能を有する構成でもよい。

処理装置群２０を利用する場合、上述の感光性組成の検査方法において、例えば、第１工程は、第１感光性組成物層を含むダミー基板を露光ユニット２２内で露光処理し、露光処理されたダミー基板を加熱ユニット２４内で加熱処理し、加熱処理されたダミー基板を加熱ユニット２４内で現像処理する工程である。
例えば、第２工程は、第１感光性組成物層を含む第１評価用基板を露光ユニット２２内で第１工程と同じ条件にて露光処理し、露光処理された第１評価用基板を加熱ユニット２４内で第１工程と同じ条件にて加熱処理し、加熱処理された第１評価用基板を加熱ユニット２４内で第１工程と同じ条件にて現像処理して、パターンを形成する工程である。
例えば、第３工程は、第２感光性組成物を用いて形成された第２感光性組成物層を含む第２評価用基板を露光ユニット２２内で第１工程と同じ条件にて露光処理し、露光処理された第２評価用基板を加熱ユニット２４内で第１工程と同じ条件にて加熱処理し、加熱処理された第２評価用基板を加熱ユニット２４内で第１工程と同じ条件にて現像処理して、パターンを形成する工程である。
例えば、第５工程は、第２感光性組成物層を含むダミー基板を露光ユニット２２内で露光処理し、露光処理されたダミー基板を加熱ユニット２４内で加熱処理し、加熱処理されたダミー基板を加熱ユニット２４内で現像処理する工程である。

また、上述のように第１感光性組成物層１５及び第２感光性組成物層１６の形成後、かつ露光処理前に、第１感光性組成物層１５及び第２感光性組成物層１６にプリベークを実施してもよく、現像処理後に第１樹脂組成物層１７及び第２樹脂組成物層１８にポストベークを実施してもよい。このため、処理装置群２０は、露光ユニット２２の前段に、プリベークを実施する加熱処理ユニットを有する構成でもよい。また、処理装置群２０は、現像ユニット２６の後段に、ポストベークを実施する加熱処理ユニットを有する構成でもよい。この場合、プリベークを実施する加熱処理ユニット及びポストベークを実施する加熱処理ユニットでも、上述のようにダミー基板、第１評価用基板及び第２評価用基板は、いずれも同じ条件にてプリベーク及びポストベークが実施される。
また、処理装置群２０は、感光性組成物を塗布するスピンコーターを有する構成でもよく、露光ユニット２２を兼ねるコーターデベロッパーを有する構成でもよい。

第１工程において、露光ユニット２２、加熱ユニット２４、及び現像ユニット２６のそれぞれにおいて、上述のように１枚のダミー基板を処理することが好ましい。
第２工程において、露光ユニット２２、加熱ユニット２４、及び現像ユニット２６のそれぞれにおいて、上述のように１枚の第１評価用基板を処理することが好ましい。
第３工程において、露光ユニット２２、加熱ユニット２４、及び現像ユニット２６のそれぞれにおいて、上述のように１枚の第２評価用基板を処理することが好ましい。
第５工程において、露光ユニット２２、加熱ユニット２４、及び現像ユニット２６のそれぞれにおいて、上述のように１枚のダミー基板を処理することが好ましい。
上述のように第１工程、第２工程、第３工程及び第５工程において、１枚ずつ処理することにより、同じ材料を含む組成物であって製造ロットが異なる感光性組成物を用いて得られたパターンの測定値のばらつきを、更に小さくできるため好ましい。すなわち、同じ材料を含む組成物であって製造ロットが異なる感光性組成物を、更に正確に評価できるため好ましい。
なお、露光ユニット２２、加熱ユニット２４、及び現像ユニット２６の構成としては、１枚ずつ処理するものに限定されるものではなく、例えば、２枚ずつ処理するものでもよく、各ユニットの構成に応じた枚数で処理することができる。

［感光性組成物の製造方法］
上述の感光性組成物の検査方法を、感光性組成物の製造方法に利用することができる。感光性組成物の製造方法に、上述のようにダミー基板を用いた検査方法の結果を利用する。感光性組成物の製造方法は、感光性組成物の製造方法を含む。
また、例えば、感光性組成物の製造方法では、予めパターンの寸法との差の許容範囲を設定しておく。製造した感光性組成物に対して、上述の感光性組成物の検査方法により、感光性組成物を用いてパターンの寸法の差を測定する。測定されたパターンの寸法の差と、許容範囲とを比較して、例えば、パターンの寸法の差が許容範囲内であるものを合格とし、感光性組成とする。一方、パターンの寸法の差が許容範囲を超えるものを不合格とし、感光性組成としない。

以上の説明において、比較、及び判定は、例えば、コンピューターに各種の数値が入力されて、許容範囲等と比較され、許容範囲等に基づいて判定される。このように比較、及び判定は、例えば、コンピューターにより実行される。

（ダミー基板、第１評価用基板及び第２評価用基板）
ダミー基板、第１評価用基板及び第２評価用基板に用いられる支持基板は、大きさ及び組成が同じ基板が用いられる。大きさ及び組成が同じ基板とは、上述のように、例えば、シリコン基板である。ダミー基板、第１評価用基板及び第２評価用基板に支持基板は、大きさ及び組成が同じであれば、シリコン基板に、特に限定されるものではない。シリコン基板以外に、サファイア基板、ＳｉＣ基板、ＧａＰ基板、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、又はＧａＮ基板等の各種の半導体基板を用いることができる。
ダミー基板は、上述のように露光処理、加熱処理及び現像処理は施されるが、パターンの寸法は測定されない。一方、第１評価用基板及び第２評価用基板は、パターンの寸法が測定される。

本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の感光性組成物の検査方法、及び感光性組成物の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良又は変更をしてもよいのはもちろんである。

［感光性組成物］
感光性組成物（第１感光性組成物、第２感光性組成物）の種類は特に制限されず、公知の感光性組成物を用いることができる。
例えば、感光性組成物として、酸の作用により極性基を生じる基（以下、単に「酸分解性基」ともいう。）を有する樹脂（以下、単に「酸分解性樹脂」ともいう。）、光酸発生剤、及び、溶媒を含む感光性組成物を用いることができる。
酸分解性基は、酸の作用により脱離する脱離基で極性基が保護された構造を有することが好ましい。つまり、酸分解性樹脂は、酸分解性基を有する繰り返し単位を有する。この繰り返し単位を有する樹脂は、酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解度が増大し、有機溶剤に対する溶解度が減少する。
極性基としては、アルカリ可溶性基が好ましく、例えば、カルボキシル基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、リン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、及び、トリス（アルキルスルホニル）メチレン基等の酸性基、並びに、アルコール性水酸基等が挙げられる。

酸分解性樹脂は、酸分解性基を有する繰り返し単位以外の他の繰り返し単位（例えば、酸基を有する繰り返し単位、ラクトン基、スルトン基、又は、カーボネート基を有する繰り返し単位、フッ素原子又はヨウ素原子を有する繰り返し単位など）を含んでいてもよい。
酸分解性樹脂としては、公知の酸分解性樹脂を使用できる。

光酸発生剤は、公知のものであれば特に制限されないが、活性光線又は放射線、好ましくは電子線又は極紫外線の照射により、有機酸、例えば、スルホン酸、ビス（アルキルスルホニル）イミド、及び、トリス（アルキルスルホニル）メチドの少なくともいずれかを発生する化合物が好ましい。

溶媒としては、水及び有機溶媒が挙げられる。有機溶媒の種類は特に制限されず、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、及び、炭化水素系溶媒が挙げられる。

上記感光性組成物は、酸分解性樹脂、光酸発生剤、及び、溶媒以外の他の材料を含んでいてもよい。
例えば、感光性組成物は、酸拡散制御剤を含んでいてもよい。酸拡散制御剤としては、塩基性化合物、及び、プロトンアクセプター性官能基を有し、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又は、プロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物が挙げられる。
また、感光性組成物は、疎水性樹脂、界面活性剤、溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び、現像液に対する溶解性を促進させる化合物からなる群から選択される化合物を含んでいてもよい。
上記酸分解性樹脂などを含む感光性組成物としては、国際公開第２０２１／０７０５９０号公報に記載の感光性組成物が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。

感光性組成物としては、架橋性基を有する架橋剤と、架橋性基と反応する反応性基を有する化合物と、溶媒とを含む感光性組成物であってもよい。
架橋性基と反応性基との組み合わせは特に制限されず、公知の組み合わせが採用される。
なお、架橋性基又は反応性基は保護基で保護されていてもよく、例えば、感光性組成物に光酸発生剤がさらに含まれ、光酸発生剤より発生する酸によって上記保護基が脱離する態様であってもよい。また、光酸発生剤により発生する酸により架橋剤と樹脂が縮合反応を起こすことにより架橋構造が形成される態様であってもよい。
また、上記感光性組成物においては、架橋性基を有する架橋剤と、架橋性基と反応する反応性基を有する化合物との２種が含まれる態様について述べたが、１つの化合物が架橋性基と反応性基とを含む態様であってもよい。

感光性組成物としては、主鎖切断型の重合体、及び、溶媒を含む感光性組成物であってもよい。
重合体が「主鎖切断型である」とは、重合体に対して電離放射線、紫外線などの光を照射した場合に、重合体の主鎖が切断される性質を有することを意味する。
主鎖切断型の重合体としては、アクリル系主鎖切断型レジストが挙げられ、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、α－クロロメタクリレートとα－メチルスチレンとの共重合体であるＺＥＰ（日本ゼオン社製）、及び、ポリ２，２，２－トリフルオロエチルαクロロクリレート（ＥＢＲ－９、東レ社製）が挙げられる。

感光性組成物としては、いわゆるメタルレジスト組成物であってもよい。
上記メタルレジスト組成物としては、金属炭素結合及び／又は金属カルボキシラート結合により有機配位子を有する金属オキソ－ヒドロキソネットワークを含むコーティングを形成し得る感光性組成物が挙げられる。
上記メタルレジスト組成物としては、特開２０１９－１１３８５５号公報に記載の組成物が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。

以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、及び、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。

＜第１感光性組成物の調製＞
以下に示す各成分を混合することにより、感光性組成物を調製した。
・樹脂（以下に示すＡ－１） ３．９１４ｇ
・酸発生剤（以下に示すＢ－１） ０．０８ｇ
・塩基性化合物（以下に示すＢＳ－１） ０．００４ｇ
・界面活性剤（以下に示すＨ－１） ０．００２ｇ
・溶剤（ＰＧＭＥＡ） 固形分濃度にあわせて適宜加えた

組成比７０／３０、重量平均分子量Ｍｗ２３，０００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．５１
酸発生剤 Ｂ－１：トリフェニルスルホニウムパーフルオロブタン-1-スルホナート
塩基性化合物 ＢＳ－１：ジシクロヘキシルメチルアミン
界面活性剤 Ｈ－１：メガファックＦ１７６（ＤＩＣ株式会社製）

＜第２感光性組成物の調製＞
上記<第１感光性組成物の調製>より２週間後に、同じ組成物を調製した。

＜第１評価用基板の処理＞
第１評価用基板の処理には、Ｓｉ基板（グローバルウェーハズジャパン株式会社製）を用いた。
固形分濃度１９質量％となるように調製された第１感光性組成物を、Ｅｎｔｅｇｒｉｓ社製ポアサイズ２００ｎｍのポリエチレンフィルタで濾過した後、更に、Ｅｎｔｅｇｒｉｓ社製ポアサイズ５０ｎｍのポリエチレンフィルタで濾過して、感光性組成物を得た。
得られた感光性組成物を、ヘキサメチルジシラザン処理を施したＳｉ基板（グローバルウェーハズジャパン株式会社製）上に塗布し、１３０℃で６０秒間のプリベーク処理をして、厚み５μｍの感光性組成物層を形成した。
Ｓｉ基板を、ＫｒＦエキシマレーザースキャナー（ＡＳＭＬ製、ＰＡＳ５５００／８５０Ｃ，波長２４８ｎｍ、ＮＡ（numerical aperture）０．８０）を用い、露光マスクを介して、パターン露光を行った。露光マスクは、トレンチ幅３μｍ、ピッチ３３μｍの孤立トレンチパターンを有するものとした。Ｓｉ基板上において、１００のチップのそれぞれに相当する１００の領域をパターン露光した。
露光後のＳｉ基板を１２０℃で６０秒間のポストベーク処理した後、２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液（ＴＭＡＨａｑ）で６０秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥した。これにより、孤立トレンチパターンを有するＳｉ基板を得た。なお、トレンチ幅が３μｍとなるようにパターンを形成した。得られた孤立トレンチパターンのトレンチ幅については、パターンをＳｉ基板の表面側から観察し、パターン露光した１００の領域のうち、５０の領域について、各領域のトレンチ幅に相当する距離を、それぞれ３箇所、合計１５０箇所、走査電子顕微鏡を用いて測定し、各測定値の平均値をトレンチ幅とした。

＜第２評価用基板の処理＞
第２評価用基板の処理では、固形分濃度１９質量％となるように調製された第２感光性組成物を用いた以外は、第１評価用基板の処理と同様に処理して、トレンチ幅３μｍ、ピッチ３３μｍの孤立トレンチパターンを形成した。

＜ダミー基板１の処理＞
ダミー基板１の処理では、第１評価用基板の処理と同様に処理して、トレンチ幅３μｍ、ピッチ３３μｍの孤立トレンチパターンを形成した。ダミー基板１の処理では、トレンチ幅を測定していない。
＜ダミー基板２の処理＞
ダミー基板２の処理では、固形分濃度１９質量％となるように調製された第２感光性組成物を用いた以外は、第１評価用基板の処理と同様に処理して、トレンチ幅３μｍ、ピッチ３３μｍの孤立トレンチパターンを形成した。ダミー基板２の処理では、トレンチ幅を測定していない。

第１評価用基板の処理、第２評価用基板の処理、ダミー基板１の処理及びダミー基板１の処理は、いずれも露光ユニット、加熱ユニット、及び現像ユニットを用いて実施した。
露光ユニットは、露光量を３０ｍＪ／ｃｍ^２とし、露光時間を６０秒とした。
加熱ユニットは、露光後ベーク（ＰＥＢ）を、加熱温度１１０℃、処理時間を６０秒とした。
現像ユニットは、現像液に２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液を用いた。現像時間を６０秒とした。リンス液に純水を用い、リンス時間を１５秒とした。４０００ｒｐｍ（revolution per minute）で１０秒間、スピン乾燥した。
なお、第１評価用基板の処理、第２評価用基板の処理、ダミー基板１の処理及びダミー基板１の処理は、いずれも露光前にプリベークを実施し、現像後にポストベークを実施した。プリベーク温度（最高温度）を１３０℃とし、プリベーク処理時間を６０秒とした。ポストベーク温度（最高温度）を１２０℃とし、ポストベーク処理時間を６０秒とした。

まず、ダミー基板を用いることについて検証した。以下に、ダミー基板を用いることの検証結果を示す。
（検証例１）
検証例１は、ダミー基板を用いることなく、第１評価用基板の処理を２回連続して実施した。検証例１では、１回目の第１評価用基板Ａのトレンチ幅と、２回目の第１評価用基板Ｂのトレンチ幅とを測定し、トレンチ幅の測定値の差を求めた。その結果を下記表１に示す。なお、下記表１において、列に対して検証例１、２から評価結果に向かう方向に工程が進行していることを示す。
（検証例２）
検証例２は、ダミー基板１の処理を実施した後に、第１評価用基板の処理を２回連続して実施した。検証例２では、１回目の第１評価用基板Ａのトレンチ幅と、２回目の第１評価用基板Ｂのトレンチ幅とを測定し、トレンチ幅の測定値の差を求めた。その結果を下記表１に示す。
下記表１に示すように、第１感光性組成物だけを用いても、ダミー基板を用いない場合、測定値の差が大きく、ダミー基板を用いた場合、測定値の差が小さく、ダミー基板を用いない場合には、測定値がばらつくことを確認した。従って、２つの異なる組成物の評価を行う際には、ダミー基板を使用した工程を実施した上で行う必要がある。

次に、実施例１～９及び比較例１について説明する。
実施例１～９及び比較例１では、第１評価用基板のトレンチ幅と、第２評価用基板のトレンチ幅とを測定し、トレンチ幅の測定値の差を求めた。その結果を下記表２に示す。なお、下記表２において、第１工程の欄及び第５工程の欄の「－」は実施していないことを示す。また、下記表２において、列に対して実施例１～９及び比較例１から評価結果に向かう方向に工程が進行していることを示す。
（実施例１）
実施例１は、ダミー基板１の処理（第１工程）を２回連続して実施した後、第１評価用基板の処理（第２工程）を実施し、第２評価用基板の処理（第３工程）を実施した。
また、第１評価用基板の処理（第２工程）と第２評価用基板の処理（第３工程）との間の時間を１０分とした。第１評価用基板の処理（第２工程）と第２評価用基板の処理（第３工程）との間の時間は、時計を用いて測定した。
なお、第１評価用基板の処理（第２工程）と第２評価用基板の処理（第３工程）との間の時間においては、上述のように露光ユニットから第１評価用基板の全部が出た時点を開始時期とした。
（実施例２）
実施例２は、実施例１に比して、第１評価用基板の処理（第２工程）と、第２評価用基板の処理（第３工程）との間で、ダミー基板２の処理（第５工程）を実施する点が異なり、それ以外は実施例１と同じとした。

（実施例３）
実施例３は、実施例１に比して、第１評価用基板の処理（第２工程）と第２評価用基板の処理（第３工程）との間の時間を７分とした点が異なり、それ以外は実施例１と同じとした。
（実施例４）
実施例４は、実施例１に比して、２回のダミー基板１の処理（第１工程）において、２回とも、ダミー基板１を２枚まとめて処理した点が異なり、それ以外は実施例１と同じとした。
（実施例５）
実施例５は、実施例１に比して、第１評価用基板の処理（第２工程）において、第１評価用基板を２枚まとめて処理した点が異なり、それ以外は実施例１と同じとした。

（実施例６）
実施例６は、実施例１に比して、第２評価用基板の処理（第３工程）において、第２評価用基板を２枚まとめて処理した点が異なり、それ以外は実施例１と同じとした。
（実施例７）
実施例７は、実施例１に比して、ダミー基板１の処理（第１工程）を１回とした点が異なり、それ以外は実施例１と同じとした。
（実施例８）
実施例８は、実施例２に比して、ダミー基板１の処理（第１工程）を１回とした点が異なり、それ以外は実施例２と同じとした。
（実施例９）
実施例９は、実施例２に比して、２回のダミー基板１の処理（第１工程）、第１評価用基板の処理（第２工程）、第２評価用基板の処理（第３工程）、及びダミー基板２の処理（第５工程）において、それぞれ２枚まとめて処理した点が異なり、それ以外は実施例２と同じとした。

（比較例１）
比較例１は、ダミー基板１を用いることなく、第１評価用基板の処理（第２工程）と、第２評価用基板の処理（第３工程）との間の時間を１０分として実施した。

表２に示すように、実施例１～９は比較例１に比して、ダミー基板を用いることにより、測定値のばらつきを小さくできた。これにより、全く同じ組成の第１感光性組成物と第２感光性組成物との性能差を評価できる。
実施例１と実施例２及び実施例７と実施例８から、第１評価用基板の処理（第２工程）と第２評価用基板の処理（第３工程）との間に、ダミー基板２の処理（第５工程）を実施すると、測定値のばらつきを、更に小さくできるため好ましい。
実施例１と実施例３とから、第１評価用基板の処理（第２工程）と第２評価用基板の処理（第３工程）との間の時間が８分間以上であると、測定値のばらつきを、更に小さくできるため好ましい。
実施例１と実施例４、５、６、及び実施例２と実施例９から、処理する基板が１枚であると、測定値のばらつきを、更に小さくできるため好ましい。
実施例１と実施例７から、ダミー基板１の処理（第１工程）を複数回実施すると、測定値のばらつきを、更に小さくできるため好ましい。

１０ 支持基板
１０ａ 表面
１１ ダミー基板
１２ 第１評価用基板
１４ 第２評価用基板
１５ 第１感光性組成物層
１６ 第２感光性組成物層
１７ 第１樹脂組成物層
１８ 第２樹脂組成物層
１７ａ、１８ａ 開口部
１９ パターン
２０ 処理装置群
２２ 露光ユニット
２４ 加熱ユニット
２６ 現像ユニット
Ｈ 方向
Ｌｖ 露光光
Ｓ１０、Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１４、Ｓ１６ ステップ

Claims (11)

1. 第１感光性組成物を用いて形成された第１感光性組成物層を含むダミー基板に対して、露光処理、加熱処理、及び現像処理をこの順で実施する第１工程と、
   前記第１感光性組成物層を含む第１評価用基板に対して、前記第１工程と同じ条件の露光処理、加熱処理、及び現像処理を実施して、パターンを形成する第２工程と、
   第２感光性組成物を用いて形成された第２感光性組成物層を含む第２評価用基板に対して、前記第１工程と同じ条件の露光処理、加熱処理、及び現像処理を実施して、パターンを形成する第３工程と、
   前記第２工程で得られたパターンの寸法と、前記第３工程で得られたパターンの寸法との差が許容範囲内であるかどうかを判定する第４工程と、を有し、
   前記第１感光性組成物と、前記第２感光性組成物とは、同じ材料を含む組成物であって製造ロットが異なる、感光性組成物の検査方法。
2. 前記第２工程と、前記第３工程との間に、前記第２感光性組成物層を含むダミー基板に対して、前記第１工程と同じ条件の露光処理、加熱処理、及び現像処理をこの順で実施する第５工程を有する、請求項１に記載の感光性組成物の検査方法。
3. 前記第１工程は、前記第１感光性組成物層を含む前記ダミー基板を露光ユニット内で前記露光処理し、露光処理された前記ダミー基板を加熱ユニット内で前記加熱処理し、加熱処理された前記ダミー基板を現像ユニット内で前記現像処理する工程であり、
   前記第２工程は、前記第１感光性組成物層を含む前記第１評価用基板を前記露光ユニット内で前記第１工程と同じ条件にて露光処理し、露光処理された前記第１評価用基板を前記加熱ユニット内で前記第１工程と同じ条件にて加熱処理し、加熱処理された前記第１評価用基板を前記現像ユニット内で前記第１工程と同じ条件にて現像処理して、パターンを形成する工程であり、
   前記第３工程は、前記第２感光性組成物層を含む第２評価用基板を前記露光ユニット内で前記第１工程と同じ条件にて露光処理し、露光処理された前記第２評価用基板を前記加熱ユニット内で前記第１工程と同じ条件にて加熱処理し、加熱処理された前記第２評価用基板を前記現像ユニット内で前記第１工程と同じ条件にて現像処理して、パターンを形成する工程である、請求項１に記載の感光性組成物の検査方法。
4. 前記第５工程は、前記第２感光性組成物層を含む前記ダミー基板を露光ユニット内で前記第１工程と同じ条件にて前記露光処理し、露光処理された前記ダミー基板を加熱ユニット内で前記第１工程と同じ条件にて前記加熱処理し、加熱処理された前記ダミー基板を現像ユニット内で前記第１工程と同じ条件にて前記現像処理する工程である、請求項２に記載の感光性組成物の検査方法。
5. 前記第１工程において、前記露光ユニット、前記加熱ユニット、及び前記現像ユニットのそれぞれにおいて、１枚の前記ダミー基板を処理する、請求項３に記載の感光性組成物の検査方法。
6. 前記第２工程において、前記露光ユニット、前記加熱ユニット、及び前記現像ユニットのそれぞれにおいて、１枚の前記第１評価用基板を処理する、請求項３に記載の感光性組成物の検査方法。
7. 前記第３工程において、前記露光ユニット、前記加熱ユニット、及び前記現像ユニットのそれぞれにおいて、１枚の前記第２評価用基板を処理する、請求項３に記載の感光性組成物の検査方法。
8. 前記第５工程において、前記露光ユニット、前記加熱ユニット、及び前記現像ユニットのそれぞれにおいて、１枚の前記ダミー基板を処理する、請求項４に記載の感光性組成物の検査方法。
9. 前記第２工程と前記第３工程との間の時間が８分間以上である、請求項１～８のいずれか１項に記載の感光性組成物の検査方法。
10. 前記第１工程を複数回実施する、請求項１～９のいずれか１項に記載の感光性組成物の検査方法。
11. 請求項１～１０のいずれか１項に記載の感光性組成物の検査方法を含む、感光性組成物の製造方法。

Images