JP2023000038A - Heat treatment device - Google Patents

Abstract

To provide a heat treatment device which is capable of lowering the cost of a support part and suppressing generation of particles in the support part.SOLUTION: A heat treatment device comprises: a chamber; a support part which is provided inside the chamber and capable of supporting a workpiece; and a heating part which is provided inside the chamber and capable of heating the workpiece. The support part includes: a cylindrical tip part of which one end is capable of coming into contact with the workpiece; a columnar part of which one end side is provided via a gap inside the tip part; and a holding part for holding the tip part.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明の実施形態は、加熱処理装置に関する。 An embodiment of the present invention relates to a heat treatment apparatus.

ワークを加熱して、ワークの表面に膜などを形成したり、ワークの表面を処理したりする加熱処理装置がある。
例えば、有機材料と溶媒を含む溶液を基板の上に塗布し、これを加熱することで基板の上に有機膜を形成する加熱処理装置が提案されている。この様な加熱処理装置においては、例えば、チャンバの内部空間を大気圧よりも減圧し、大気圧よりも減圧された雰囲気において、溶液が塗布された基板を１００℃～６００℃程度の温度にまで加熱する場合がある。この場合、チャンバの内部には、ピン状を呈する複数の支持部が設けられ、溶液が塗布された基板が複数の支持部の頂部に載置される。 2. Description of the Related Art There is a heat treatment apparatus that heats a work to form a film or the like on the surface of the work, or treats the surface of the work.
For example, a heat treatment apparatus has been proposed in which a solution containing an organic material and a solvent is applied onto a substrate and heated to form an organic film on the substrate. In such a heat treatment apparatus, for example, the pressure inside the chamber is reduced below the atmospheric pressure, and the substrate coated with the solution is heated to a temperature of about 100° C. to 600° C. in the atmosphere reduced below the atmospheric pressure. May be heated. In this case, a plurality of pin-shaped support portions are provided inside the chamber, and the substrate coated with the solution is placed on top of the plurality of support portions.

溶液が塗布された基板は、１００℃～６００℃程度にまで加熱されるため、複数の支持部は、耐熱性を有する材料から形成される。この場合、複数の支持部をステンレスなどの金属から形成すると、複数の支持部が接触する基板の裏面に傷が発生する場合がある。 Since the substrate coated with the solution is heated to about 100° C. to 600° C., the plurality of supporting portions are made of heat-resistant material. In this case, if the plurality of supporting portions are made of metal such as stainless steel, scratches may occur on the back surface of the substrate with which the plurality of supporting portions come into contact.

一方、複数の支持部をセラミックスなどから形成すれば、基板の裏面に傷が発生するのを抑制することができる。しかしながら、複数の支持部をセラミックスなどから形成すれば、製造コストが増大するという新たな課題が生じる。 On the other hand, if the plurality of support portions are made of ceramics or the like, it is possible to suppress the occurrence of scratches on the back surface of the substrate. However, forming the plurality of support portions from ceramics or the like poses a new problem of increased manufacturing costs.

また、基板の裏面に接触させる先端部と、先端部が挿入される筒状の基部とを有する支持部が提案されている。（例えば、特許文献１を参照）。
この様な支持部とすれば、先端部のみをセラミックスなどから形成することができる。そのため、基板の裏面に傷が発生するのを抑制することができ、且つ、製造コストが増大するのを抑制することができる。 Further, a support has been proposed that has a tip that contacts the back surface of the substrate and a tubular base into which the tip is inserted. (See, for example, Patent Document 1).
With such a support portion, only the tip portion can be formed of ceramics or the like. Therefore, it is possible to suppress the back surface of the substrate from being damaged, and to suppress the increase in the manufacturing cost.

ところが、単に、先端部を基部の内部に挿入すると、先端部と基部とが擦れて、パーティクルが発生する場合がある。例えば、先端部をセラミックスから形成し、基部をセラミックスよりも低コストのステンレスから形成すると、先端部と基部との間に、線膨張率の差に起因する擦れが発生する。そのため、先端部と基部との間からパーティクルが放出される場合がある。 However, if the tip is simply inserted into the base, the tip and the base may rub against each other, generating particles. For example, if the tip is made of ceramics and the base is made of stainless steel, which is cheaper than ceramics, rubbing occurs between the tip and the base due to the difference in coefficient of linear expansion. Therefore, particles may be emitted from between the tip and the base.

発生したパーティクルが、溶液、および形成された有機膜の少なくともいずれかに付着すると、有機膜の品質が低下するおそれがある。
そこで、支持部の低コスト化と、支持部においてパーティクルが発生するのを抑制することができる加熱処理装置の開発が望まれていた。 If the generated particles adhere to at least one of the solution and the formed organic film, the quality of the organic film may deteriorate.
Therefore, development of a heat treatment apparatus capable of reducing the cost of the supporting portion and suppressing the generation of particles in the supporting portion has been desired.

特開２００６－１７０５３４号公報JP-A-2006-170534

本発明が解決しようとする課題は、支持部の低コスト化と、支持部においてパーティクルが発生するのを抑制することができる加熱処理装置を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide a heat treatment apparatus capable of reducing the cost of the supporting portion and suppressing the generation of particles in the supporting portion.

実施形態に係る加熱処理装置は、チャンバと、前記チャンバの内部に設けられ、ワークを支持可能な支持部と、前記チャンバの内部に設けられ、前記ワークを加熱可能な加熱部と、を備えている。前記支持部は、筒状を呈し、一方の端部が前記ワークに接触可能な先端部と、一方の端部側が、前記先端部の内部に隙間を介して設けられた柱状部と、前記先端部を保持する保持部と、を有する。 A heat treatment apparatus according to an embodiment includes a chamber, a support section provided inside the chamber capable of supporting a work, and a heating section provided inside the chamber capable of heating the work. there is The support portion has a cylindrical shape, and has one end that can come into contact with the workpiece, a columnar portion that has one end provided inside the tip with a gap therebetween, and the tip. and a holding portion that holds the portion.

本発明の実施形態によれば、支持部の低コスト化と、支持部においてパーティクルが発生するのを抑制することができる加熱処理装置が提供される。 According to the embodiment of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus capable of reducing the cost of the supporting portion and suppressing the generation of particles in the supporting portion.

本実施の形態に係る加熱処理装置を例示するための模式斜視図である。1 is a schematic perspective view for illustrating a heat treatment apparatus according to an embodiment; FIG. 支持部を例示するための模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram for illustrating a support part; 他の実施形態に係る支持部を例示するための模式図である。FIG. 11 is a schematic diagram for illustrating a support portion according to another embodiment; 他の実施形態に係る支持部を例示するための模式図である。FIG. 11 is a schematic diagram for illustrating a support portion according to another embodiment;

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
以下においては、一例として、大気圧よりも減圧された雰囲気においてワークを加熱して、ワークの表面に有機膜を形成する加熱処理装置を説明する。しかしながら、本発明は、これに限定されるわけではない。例えば、本発明は、ワークを加熱して、ワークの表面に無機膜などを形成したり、ワークの表面を処理したりする加熱処理装置にも適用することができる。 Hereinafter, embodiments will be illustrated with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same reference numerals are given to the same constituent elements, and detailed description thereof will be omitted as appropriate.
In the following, as an example, a heat treatment apparatus that heats a workpiece in an atmosphere that is reduced below atmospheric pressure to form an organic film on the surface of the workpiece will be described. However, the invention is not so limited. For example, the present invention can also be applied to a heat treatment apparatus that heats a work to form an inorganic film or the like on the surface of the work, or treats the surface of the work.

また、加熱前のワークは、例えば、基板と、基板の表面に塗布された溶液と、を有するものであってもよいし、基板のみであってもよい。以下においては、一例として、加熱前のワークが、基板と、基板の表面に塗布された溶液と、を有する場合を説明する。 Moreover, the work before heating may have, for example, a substrate and a solution applied to the surface of the substrate, or may be only the substrate. In the following, as an example, a case where the work before heating has a substrate and a solution applied to the surface of the substrate will be described.

図１は、本実施の形態に係る加熱処理装置１を例示するための模式斜視図である。
なお、図１中のＸ方向、Ｙ方向、およびＺ方向は、互いに直交する三方向を表している。本明細書における上下方向は、Ｚ方向とすることができる。 FIG. 1 is a schematic perspective view for illustrating a heat treatment apparatus 1 according to this embodiment.
Note that the X direction, Y direction, and Z direction in FIG. 1 represent three directions orthogonal to each other. The vertical direction in this specification can be the Z direction.

加熱前のワーク１００は、基板と、基板の表面に塗布された溶液と、を有する。
基板は、例えば、ガラス基板や半導体ウェーハなどである。ただし、基板は、例示をしたものに限定されるわけではない。
溶液は、例えば、有機材料と溶剤を含んでいる。有機材料は、溶剤により溶解が可能なものであれば特に限定はない。溶液は、例えば、ポリアミド酸を含むワニスなどとすることができる。ただし、溶液は、例示をしたものに限定されるわけではない。 The workpiece 100 before heating has a substrate and a solution applied to the surface of the substrate.
The substrate is, for example, a glass substrate or a semiconductor wafer. However, the substrate is not limited to those illustrated.
A solution includes, for example, an organic material and a solvent. The organic material is not particularly limited as long as it can be dissolved by a solvent. The solution can be, for example, a varnish containing polyamic acid. However, the solution is not limited to the exemplified one.

図１に示すように、加熱処理装置１には、例えば、チャンバ１０、排気部２０、処理部３０、冷却部４０、およびコントローラ５０が設けられている。
チャンバ１０は、箱状を呈している。チャンバ１０は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な気密構造を有している。チャンバ１０の外観形状には特に限定はない。チャンバ１０の外観形状は、例えば、直方体や円筒とすることができる。チャンバ１０は、例えば、ステンレスなどの金属から形成することができる。 As shown in FIG. 1, the heat treatment apparatus 1 is provided with, for example, a chamber 10, an exhaust section 20, a processing section 30, a cooling section 40, and a controller 50. As shown in FIG.
The chamber 10 has a box shape. The chamber 10 has an airtight structure capable of maintaining an atmosphere pressure-reduced below atmospheric pressure. The external shape of the chamber 10 is not particularly limited. The external shape of the chamber 10 can be, for example, a rectangular parallelepiped or a cylinder. The chamber 10 can be made of metal such as stainless steel, for example.

例えば、チャンバ１０の一方の端部にはフランジ１１が設けられている。フランジ１１には、Ｏリングなどのシール材１２を設けることができる。チャンバ１０の、フランジ１１が設けられた側の開口は、開閉扉１３により開閉可能となっている。図示しない駆動装置により、開閉扉１３がフランジ１１（シール材１２）に押し付けられることで、チャンバ１０の開口が気密になるように閉鎖される。図示しない駆動装置により、開閉扉１３がフランジ１１から離隔することで、チャンバ１０の開口を介したワーク１００の搬入または搬出が可能となる。 For example, one end of the chamber 10 is provided with a flange 11 . The flange 11 may be provided with a sealing material 12 such as an O-ring. The opening of the chamber 10 on the side where the flange 11 is provided can be opened and closed by an open/close door 13 . A driving device (not shown) presses the opening/closing door 13 against the flange 11 (sealing material 12), thereby closing the opening of the chamber 10 in an airtight manner. By separating the opening/closing door 13 from the flange 11 by a driving device (not shown), the workpiece 100 can be carried in or out through the opening of the chamber 10 .

チャンバ１０の他方の端部にはフランジ１４を設けることができる。フランジ１４には、Ｏリングなどのシール材１２を設けることができる。チャンバ１０の、フランジ１４が設けられた側の開口は、蓋１５により開閉可能となっている。例えば、蓋１５は、ネジなどの締結部材を用いてフランジ１４に着脱可能に設けることができる。メンテナンスなどを行う際には、蓋１５を取り外すことで、チャンバ１０の、フランジ１４が設けられた側の開口を露出させる。 A flange 14 may be provided at the other end of the chamber 10 . The flange 14 may be provided with a sealing material 12 such as an O-ring. The opening of the chamber 10 on the side where the flange 14 is provided can be opened and closed with a lid 15 . For example, the lid 15 can be detachably attached to the flange 14 using fastening members such as screws. When performing maintenance or the like, the lid 15 is removed to expose the opening of the chamber 10 on the side where the flange 14 is provided.

チャンバ１０の外壁には冷却部１６を設けることができる。冷却部１６には、図示しない冷却水供給部が接続されている。冷却部１６は、例えば、ウォータージャケット（Water Jacket）とすることができる。冷却部１６が設けられていれば、チャンバ１０の外壁温度が所定の温度よりも高くなるのを抑制することができる。 A cooling section 16 can be provided on the outer wall of the chamber 10 . A cooling water supply unit (not shown) is connected to the cooling unit 16 . The cooling unit 16 can be, for example, a water jacket. If the cooling part 16 is provided, it is possible to suppress the outer wall temperature of the chamber 10 from becoming higher than a predetermined temperature.

排気部２０は、チャンバ１０の内部を排気する。排気部２０は、第１の排気部２１と、第２の排気部２２を有する。
第１の排気部２１は、チャンバ１０の底面に設けられた排気口１７に接続されている。 第１の排気部２１は、排気ポンプ２１ａと、圧力制御部２１ｂを有する。
排気ポンプ２１ａは、大気圧から所定の圧力まで粗引き排気を行う排気ポンプとすることができる。そのため、排気ポンプ２１ａは、後述する排気ポンプ２２ａよりも排気量が多い。排気ポンプ２１ａは、例えば、ドライ真空ポンプなどとすることができる。 The exhaust part 20 exhausts the inside of the chamber 10 . The exhaust section 20 has a first exhaust section 21 and a second exhaust section 22 .
The first exhaust section 21 is connected to an exhaust port 17 provided on the bottom surface of the chamber 10 . The first exhaust section 21 has an exhaust pump 21a and a pressure control section 21b.
The exhaust pump 21a can be an exhaust pump that performs rough evacuation from atmospheric pressure to a predetermined pressure. Therefore, the exhaust pump 21a has a larger displacement than the later-described exhaust pump 22a. The exhaust pump 21a can be, for example, a dry vacuum pump.

圧力制御部２１ｂは、排気口１７と排気ポンプ２１ａとの間に設けられている。圧力制御部２１ｂは、チャンバ１０の内圧を検出する図示しない真空計などの出力に基づいて、チャンバ１０の内圧が所定の圧力となるように制御する。圧力制御部２１ｂは、例えば、ＡＰＣ（Auto Pressure Controller）などとすることができる。 The pressure control section 21b is provided between the exhaust port 17 and the exhaust pump 21a. The pressure control unit 21b controls the internal pressure of the chamber 10 to a predetermined pressure based on the output of a vacuum gauge (not shown) that detects the internal pressure of the chamber 10 . The pressure control unit 21b can be, for example, an APC (Auto Pressure Controller).

第２の排気部２２は、チャンバ１０の底面に設けられた排気口１８に接続されている。 第２の排気部２２は、排気ポンプ２２ａと、圧力制御部２２ｂを有する。
排気ポンプ２２ａは、排気ポンプ２１ａによる粗引き排気の後、さらに低い所定の圧力まで排気を行う。排気ポンプ２２ａは、例えば、高真空の分子流領域まで排気可能な排気能力を有する。例えば、排気ポンプ２２ａは、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ：Turbo Molecular Pump）などとすることができる。
圧力制御部２２ｂは、排気口１８と排気ポンプ２２ａとの間に設けられている。圧力制御部２２ｂは、チャンバ１０の内圧を検出する図示しない真空計などの出力に基づいて、チャンバ１０の内圧が所定の圧力となるように制御する。圧力制御部２２ｂは、例えば、ＡＰＣなどとすることができる。 The second exhaust section 22 is connected to an exhaust port 18 provided on the bottom surface of the chamber 10 . The second exhaust section 22 has an exhaust pump 22a and a pressure control section 22b.
After the rough evacuation by the exhaust pump 21a, the exhaust pump 22a evacuates to a predetermined lower pressure. The evacuation pump 22a has, for example, an evacuation capability capable of evacuating to a high-vacuum molecular flow region. For example, the exhaust pump 22a can be a turbo molecular pump (TMP) or the like.
The pressure control section 22b is provided between the exhaust port 18 and the exhaust pump 22a. The pressure controller 22b controls the internal pressure of the chamber 10 to a predetermined pressure based on the output of a vacuum gauge (not shown) that detects the internal pressure of the chamber 10 . The pressure control unit 22b can be, for example, an APC.

排気口１７、および排気口１８は、チャンバ１０の底面に配置されている。そのため、チャンバ１０の内部、および後述する処理部３０の内部に、チャンバ１０の底面に向かうダウンフローの気流が形成される。ダウンフローの気流が形成されれば、ワーク１００を加熱した際に生じた、有機材料を含む昇華物が、ダウンフローの気流に乗ってチャンバ１０の外部に排出される。そのため、ワーク１００に昇華物などの異物が付着するのを抑制することができる。 The exhaust port 17 and the exhaust port 18 are arranged on the bottom surface of the chamber 10 . Therefore, a downflow airflow toward the bottom surface of the chamber 10 is formed inside the chamber 10 and inside the processing section 30 which will be described later. When the downflow airflow is formed, the sublimate containing the organic material generated when the workpiece 100 is heated is discharged to the outside of the chamber 10 along with the downflow airflow. Therefore, it is possible to suppress adhesion of foreign substances such as sublimation substances to the workpiece 100 .

なお、以上においては、排気口１７および排気口１８がチャンバ１０の底面に設けられる場合を例示したが、排気口１７および排気口１８は、例えば、チャンバ１０の天井面や側面に設けることもできる。排気口１７および排気口１８がチャンバ１０の底面、または天井面に設けられていれば、チャンバ１０の内部に、チャンバ１０の底面、または天井面に向かう気流を形成することができる。 In the above, the case where the exhaust port 17 and the exhaust port 18 are provided on the bottom surface of the chamber 10 is illustrated, but the exhaust port 17 and the exhaust port 18 can be provided on the ceiling surface or the side surface of the chamber 10, for example. . If the exhaust port 17 and the exhaust port 18 are provided on the bottom surface or the ceiling surface of the chamber 10 , an airflow can be formed inside the chamber 10 toward the bottom surface or the ceiling surface of the chamber 10 .

処理部３０は、例えば、フレーム３１、加熱部３２、支持部３３、均熱部３４、均熱板支持部３５、および、カバー３６を有する。
処理部３０の内部には、処理領域３０ａおよび処理領域３０ｂが設けられている。処理領域３０ａ、３０ｂは、ワーク１００に処理を施す空間となる。ワーク１００は、処理領域３０ａ、３０ｂの内部に支持される。処理領域３０ｂは、処理領域３０ａの上方に設けられている。なお、２つの処理領域が設けられる場合を例示したがこれに限定されるわけではない。１つの処理領域のみを設けたり、３つ以上の処理領域を設けたりすることもできる。本実施の形態においては、一例として、２つの処理領域が設けられる場合を例示するが、１つの処理領域、および、３つ以上の処理領域が設けられる場合も同様に考えることができる。 The processing section 30 has, for example, a frame 31 , a heating section 32 , a support section 33 , a soaking section 34 , a soaking plate support section 35 , and a cover 36 .
Inside the processing unit 30, a processing region 30a and a processing region 30b are provided. The processing areas 30a and 30b are spaces in which the workpiece 100 is processed. A workpiece 100 is supported inside the processing areas 30a, 30b. The processing area 30b is provided above the processing area 30a. In addition, although the case where two processing areas are provided is illustrated, it is not limited to this. It is also possible to provide only one processing area, or to provide three or more processing areas. In this embodiment, as an example, two processing regions are provided, but one processing region and three or more processing regions can be similarly considered.

処理領域３０ａ、３０ｂは、加熱部３２と加熱部３２との間に設けられている。処理領域３０ａ、３０ｂは、均熱部３４（上部均熱板３４ａ、下部均熱板３４ｂ、側部均熱板３４ｃ、側部均熱板３４ｄ）により囲まれている。 The processing regions 30 a and 30 b are provided between the heating units 32 . The processing areas 30a and 30b are surrounded by a soaking section 34 (an upper soaking plate 34a, a lower soaking plate 34b, a side soaking plate 34c, and a side soaking plate 34d).

後述するように、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂは、板状を呈し、複数の均熱板支持部３５によって支持される。処理領域３０ａとチャンバ１０の内部の空間は、上部均熱板３４ａ同士の間の隙間、および下部均熱板３４ｂ同士の間の隙間を介して繋がっている。そのため、チャンバ１０の内壁と処理部３０との間の空間の圧力が減圧されると、処理領域３０ａの内部の空間も減圧される。なお、処理領域３０ｂは、処理領域３０ａと同様の構造であるので、説明は省略する。 As will be described later, the upper heat soaking plate 34a and the lower heat soaking plate 34b have plate shapes and are supported by a plurality of heat soaking plate support portions 35. As shown in FIG. The processing region 30a and the internal space of the chamber 10 are connected through the gaps between the upper heat soaking plates 34a and the gaps between the lower heat soaking plates 34b. Therefore, when the pressure in the space between the inner wall of the chamber 10 and the processing section 30 is reduced, the pressure in the space inside the processing region 30a is also reduced. Note that the processing region 30b has the same structure as the processing region 30a, so the description thereof is omitted.

チャンバ１０の内壁と処理部３０との間の空間の圧力が減圧されていれば、処理領域３０ａ、３０ｂから外部に放出される熱を抑制することができる。すなわち、加熱効率と蓄熱効率を向上させることができる。そのため、後述するヒータ３２ａに印加する電力を低減できる。ヒータ３２ａに印加する電力を低減できれば、ヒータ３２ａの温度が所定の温度以上となるのを抑制できるので、ヒータ３２ａの寿命を長くすることができる。 If the pressure in the space between the inner wall of the chamber 10 and the processing section 30 is reduced, the heat released from the processing regions 30a and 30b to the outside can be suppressed. That is, heating efficiency and heat storage efficiency can be improved. Therefore, the electric power applied to the heater 32a, which will be described later, can be reduced. If the electric power applied to the heater 32a can be reduced, the temperature of the heater 32a can be suppressed from exceeding a predetermined temperature, so the life of the heater 32a can be lengthened.

また、蓄熱効率が向上すれば、処理領域３０ａ、３０ｂの温度を迅速に上昇させることができる。そのため、急激な温度上昇を必要とする処理にも対応が可能となる。また、チャンバ１０の外壁の温度が高くなるのを抑制できるので、冷却部１６を簡易なものとすることができる。 Further, if the heat storage efficiency is improved, the temperature of the processing regions 30a and 30b can be raised quickly. Therefore, it is possible to cope with processing that requires a rapid temperature rise. Moreover, since the temperature of the outer wall of the chamber 10 can be suppressed from rising, the cooling section 16 can be simplified.

フレーム３１は、例えば、細長い板材や形鋼などを用いた骨組み構造を有している。フレーム３１の外観形状は、チャンバ１０の外観形状と同様とすることができる。フレーム３１の外観形状は、例えば、直方体とすることができる。 The frame 31 has a frame structure using, for example, elongated plate materials or shaped steel. The external shape of the frame 31 can be made similar to the external shape of the chamber 10 . The external shape of the frame 31 can be, for example, a rectangular parallelepiped.

加熱部３２は、複数設けられている。加熱部３２は、処理領域３０ａ、３０ｂの下部、および処理領域３０ａ、３０ｂの上部に設けることができる。処理領域３０ａ、３０ｂの下部に設けられた加熱部３２は、下部加熱部となる。処理領域３０ａ、３０ｂの上部に設けられた加熱部３２は、上部加熱部となる。下部加熱部は、上部加熱部と対向している。なお、複数の処理領域が上下方向に重ねて設けられる場合には、下側の処理領域に設けられた上部加熱部は、上側の処理領域に設けられた下部加熱部と兼用することができる。 A plurality of heating units 32 are provided. The heating units 32 can be provided below the processing regions 30a and 30b and above the processing regions 30a and 30b. The heating section 32 provided below the processing regions 30a and 30b serves as a lower heating section. The heating section 32 provided above the processing regions 30a and 30b serves as an upper heating section. The lower heating section faces the upper heating section. When a plurality of processing areas are vertically stacked, the upper heating section provided in the lower processing area can also serve as the lower heating section provided in the upper processing area.

加熱部３２は、チャンバ１０の内部に設けられ、ワーク１００を加熱する。
例えば、処理領域３０ａに支持されたワーク１００の裏面（下面）は、処理領域３０ａの下部に設けられた加熱部３２により加熱される。処理領域３０ａに支持されたワーク１００の表面（上面）は、処理領域３０ａと処理領域３０ｂとにより兼用される加熱部３２により加熱される。 The heating unit 32 is provided inside the chamber 10 and heats the workpiece 100 .
For example, the back surface (lower surface) of the workpiece 100 supported by the processing area 30a is heated by the heating unit 32 provided below the processing area 30a. The surface (upper surface) of the workpiece 100 supported by the processing area 30a is heated by the heating unit 32 shared by the processing areas 30a and 30b.

処理領域３０ｂに支持されたワーク１００の裏面は、処理領域３０ａと処理領域３０ｂとにより兼用される加熱部３２により加熱される。処理領域３０ｂに支持されたワーク１００の表面は、処理領域３０ｂの上部に設けられた加熱部３２により加熱される。
この様にすれば、加熱部３２の数を減らすことができるので消費電力の低減、製造コストの低減、省スペース化などを図ることができる。 The back surface of the workpiece 100 supported by the processing area 30b is heated by the heating unit 32 shared by the processing areas 30a and 30b. The surface of the workpiece 100 supported by the processing area 30b is heated by the heating unit 32 provided above the processing area 30b.
By doing so, the number of heating units 32 can be reduced, so that power consumption, manufacturing cost, and space can be reduced.

複数の加熱部３２のそれぞれは、少なくとも１つのヒータ３２ａと、一対のホルダ３２ｂを有する。なお、以下においては、複数のヒータ３２ａが設けられる場合を説明する。 ヒータ３２ａは、棒状を呈し、一対のホルダ３２ｂの間をＹ方向に延びている。複数のヒータ３２ａは、Ｘ方向に並べて設けることができる。複数のヒータ３２ａは、等間隔に設けることができる。ヒータ３２ａは、例えば、シーズヒータ、遠赤外線ヒータ、遠赤外線ランプ、セラミックヒータ、カートリッジヒータなどである。また、各種ヒータを石英カバーで覆うこともできる。 Each of the plurality of heating units 32 has at least one heater 32a and a pair of holders 32b. In addition, below, the case where several heater 32a is provided is demonstrated. The heater 32a has a bar shape and extends in the Y direction between the pair of holders 32b. A plurality of heaters 32a can be arranged side by side in the X direction. A plurality of heaters 32a can be provided at regular intervals. The heater 32a is, for example, a sheathed heater, a far infrared heater, a far infrared lamp, a ceramic heater, a cartridge heater, or the like. Also, various heaters can be covered with a quartz cover.

なお、本明細書においては、石英カバーで覆われた各種ヒータをも含めて「棒状のヒータ」と称する。また、「棒状」の外観形状には限定がなく、例えば、円柱状や角柱状などとすることができる。 In this specification, the term "rod-shaped heater" includes various heaters covered with a quartz cover. In addition, there is no limitation on the external shape of the "rod-like", and for example, it may be cylindrical, prismatic, or the like.

また、ヒータ３２ａは、大気圧よりも減圧された雰囲気においてワーク１００を加熱できれば、前述したものに限定されない。すなわち、ヒータ３２ａは、放射による熱エネルギーを利用するものであればよい。 Moreover, the heater 32a is not limited to the one described above as long as it can heat the workpiece 100 in an atmosphere that is reduced in pressure below the atmospheric pressure. That is, the heater 32a may be any device that utilizes heat energy by radiation.

上部加熱部および下部加熱部における複数のヒータ３２ａの仕様、数、間隔などは、加熱する溶液の組成（溶液の加熱温度）、ワーク１００の大きさなどに応じて適宜変更することができる。複数のヒータ３２ａの仕様、数、間隔などは、シミュレーションや実験などを行うことで適宜決定することができる。 The specifications, number, spacing, and the like of the plurality of heaters 32a in the upper heating section and the lower heating section can be appropriately changed according to the composition of the solution to be heated (solution heating temperature), the size of the workpiece 100, and the like. The specifications, number, intervals, etc. of the plurality of heaters 32a can be appropriately determined by performing simulations, experiments, and the like.

ワーク１００は、処理領域３０ａ、３０ｂにおいて、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂを介して両面側から加熱される。ここで、溶液を加熱する際に生じた昇華物を含む蒸気は、加熱対象であるワーク１００の温度よりも低い温度の物に付着しやすい。しかしながら、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂは加熱されているので、昇華物が上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂに付着するのが抑制される。また、昇華物は、前述したダウンフローの気流に乗ってチャンバ１０の外に排出される。そのため、昇華物がワーク１００に付着するのを抑制できる。 The workpiece 100 is heated from both sides in the processing regions 30a and 30b via the upper heat soaking plate 34a and the lower heat soaking plate 34b. Here, the vapor containing the sublimate generated when the solution is heated tends to adhere to objects having a temperature lower than the temperature of the workpiece 100 to be heated. However, since the upper heat soaking plate 34a and the lower heat soaking plate 34b are heated, the sublimate is suppressed from adhering to the upper heat soaking plate 34a and the lower heat soaking plate 34b. Also, the sublimate is discharged out of the chamber 10 along with the aforementioned downflow air current. Therefore, adhesion of the sublimate to the workpiece 100 can be suppressed.

一対のホルダ３２ｂは、Ｘ方向（例えば、処理領域３０ａ、３０ｂの長手方向）に延びている。一対のホルダ３２ｂは、Ｙ方向において、互いに対向している。一方のホルダ３２ｂは、フレーム３１の、開閉扉１３側の端面に固定されている。他方のホルダ３２ｂは、フレーム３１の、開閉扉１３側とは反対側の端面に固定されている。一対のホルダ３２ｂは、例えば、ネジなどの締結部材を用いてフレーム３１に固定される。一対のホルダ３２ｂは、ヒータ３２ａの端部近傍の非発熱部を保持する。一対のホルダ３２ｂは、例えば、細長い金属の板材や形鋼などから形成される。一対のホルダ３２ｂの材料は、例えば、ステンレスなどとすることができる。 A pair of holders 32b extend in the X direction (for example, the longitudinal direction of the processing regions 30a and 30b). The pair of holders 32b are opposed to each other in the Y direction. One holder 32b is fixed to the end face of the frame 31 on the open/close door 13 side. The other holder 32b is fixed to the end surface of the frame 31 on the side opposite to the opening/closing door 13 side. The pair of holders 32b are fixed to the frame 31 using, for example, fastening members such as screws. A pair of holders 32b hold non-heat generating portions near the ends of the heater 32a. The pair of holders 32b is formed of, for example, an elongated metal plate or shaped steel. The material of the pair of holders 32b can be, for example, stainless steel.

複数の支持部３３は、チャンバ１０の内部に設けられ、ワーク１００を支持する。例えば、複数の支持部３３は、上部加熱部と下部加熱部との間にワーク１００を支持する。複数の支持部３３は、処理領域３０ａの下部、および、処理領域３０ｂの下部に設けられている。複数の支持部３３の数、配置、間隔などは、ワーク１００の大きさや剛性（撓み）などに応じて適宜変更することができる。
なお、支持部３３に関する詳細は後述する。 A plurality of supports 33 are provided inside the chamber 10 to support the workpiece 100 . For example, the plurality of supporting parts 33 support the workpiece 100 between the upper heating part and the lower heating part. A plurality of support portions 33 are provided below the processing region 30a and below the processing region 30b. The number, arrangement, intervals, etc., of the plurality of support portions 33 can be appropriately changed according to the size and rigidity (deflection) of the workpiece 100 .
Details of the support portion 33 will be described later.

均熱部３４は、複数の上部均熱板３４ａ、複数の下部均熱板３４ｂ、複数の側部均熱板３４ｃ、および、複数の側部均熱板３４ｄを有する。複数の上部均熱板３４ａ、複数の下部均熱板３４ｂ、複数の側部均熱板３４ｃ、および、複数の側部均熱板３４ｄは、板状を呈している。 The heat soaking section 34 has a plurality of upper heat soaking plates 34a, a plurality of lower heat soaking plates 34b, a plurality of side heat soaking plates 34c, and a plurality of side heat soaking plates 34d. The plurality of upper heat soaking plates 34a, the plurality of lower heat soaking plates 34b, the plurality of side heat soaking plates 34c, and the plurality of side heat soaking plates 34d are plate-shaped.

複数の上部均熱板３４ａは、上部加熱部において下部加熱部側（ワーク１００側）に設けられている。複数の上部均熱板３４ａは、複数のヒータ３２ａと離隔して設けられている。複数の上部均熱板３４ａは、Ｘ方向に並べて設けられている。複数の上部均熱板３４ａ同士の間には隙間が設けられている。隙間が設けられていれば、熱膨張により上部均熱板３４ａの寸法が増加した分を吸収することができる。そのため、上部均熱板３４ａ同士が干渉して変形が生じるのを抑制することができる。また、前述したように、この隙間を介して、処理領域３０ａ、３０ｂの雰囲気の圧力を減圧することができる。 The plurality of upper heat soaking plates 34a are provided on the lower heating section side (workpiece 100 side) in the upper heating section. The plurality of upper heat soaking plates 34a are separated from the plurality of heaters 32a. The plurality of upper heat soaking plates 34a are arranged side by side in the X direction. A gap is provided between the plurality of upper heat equalizing plates 34a. If the gap is provided, it is possible to absorb the increase in the dimension of the upper heat equalizer plate 34a due to thermal expansion. Therefore, it is possible to prevent the upper heat equalizing plates 34a from interfering with each other and causing deformation. Moreover, as described above, the pressure of the atmosphere in the processing areas 30a and 30b can be reduced through this gap.

複数の下部均熱板３４ｂは、下部加熱部において上部加熱部側（ワーク１００側）に設けられている。複数の下部均熱板３４ｂは、複数のヒータ３２ａと離隔して設けられている。複数の下部均熱板３４ｂは、Ｘ方向に並べて設けられている。複数の下部均熱板３４ｂ同士の間には隙間が設けられている。隙間が設けられていれば、熱膨張により下部均熱板３４ｂの寸法が増加した分を吸収することができる。そのため、下部均熱板３４ｂ同士が干渉して変形が生じるのを抑制することができる。また、前述したように、この隙間を介して、処理領域３０ａ、３０ｂの雰囲気の圧力を減圧することができる。また、下部均熱板３４ｂの一部には、支持部３３との干渉を防止するための孔が設けられる。 The plurality of lower heat equalizing plates 34b are provided on the upper heating section side (workpiece 100 side) in the lower heating section. The plurality of lower heat soaking plates 34b are separated from the plurality of heaters 32a. A plurality of lower heat equalizing plates 34b are arranged side by side in the X direction. A gap is provided between the plurality of lower heat equalizing plates 34b. If the gap is provided, it is possible to absorb the increased dimension of the lower heat equalizing plate 34b due to thermal expansion. Therefore, it is possible to prevent the lower heat equalizing plates 34b from interfering with each other and causing deformation. Moreover, as described above, the pressure of the atmosphere in the processing areas 30a and 30b can be reduced through this gap. A hole for preventing interference with the support portion 33 is provided in a part of the lower heat equalizing plate 34b.

側部均熱板３４ｃは、Ｘ方向において、処理領域３０ａ、３０ｂの両側の側部のそれぞれに設けられている。側部均熱板３４ｃは、カバー３６の内側に設けることができる。また、少なくとも１つのヒータ３２ａを、側部均熱板３４ｃとカバー３６との間に設けることもできる。
側部均熱板３４ｄは、Ｙ方向において、処理領域３０ａ、３０ｂの両側の側部のそれぞれに設けられている。 The side soaking plates 34c are provided on both sides of the processing regions 30a and 30b in the X direction. The side heat equalizing plate 34 c can be provided inside the cover 36 . Also, at least one heater 32a may be provided between the side hot plate 34c and the cover 36. FIG.
The side soaking plates 34d are provided on both sides of the processing regions 30a and 30b in the Y direction.

前述したように、複数のヒータ３２ａは、棒状を呈し、所定の間隔を空けて並べて設けられている。ヒータ３２ａが棒状である場合、ヒータ３２ａの中心軸から放射状に熱が放射される。この場合、ヒータ３２ａの中心軸と加熱される部分との間の距離が短くなるほど加熱される部分の温度が高くなる。そのため、複数のヒータ３２ａに対して対向するようにワーク１００が保持された場合には、ヒータ３２ａの直上または直下に位置するワーク１００の領域は、複数のヒータ３２ａ同士の間の空間の直上または直下に位置するワーク１００の領域よりも温度が高くなる。すなわち、棒状を呈する複数のヒータ３２ａを用いてワーク１００を直接加熱すると、加熱されたワーク１００の温度の面内分布にばらつきが生じる。 As described above, the plurality of heaters 32a are bar-shaped and arranged side by side at predetermined intervals. When the heater 32a is rod-shaped, heat is radiated radially from the central axis of the heater 32a. In this case, the shorter the distance between the center axis of the heater 32a and the heated portion, the higher the temperature of the heated portion. Therefore, when the workpiece 100 is held so as to face the plurality of heaters 32a, the area of the workpiece 100 located directly above or below the heaters 32a is either directly above or below the space between the plurality of heaters 32a. The temperature becomes higher than the area of the workpiece 100 located directly below. That is, when the work 100 is directly heated using the plurality of rod-shaped heaters 32a, the in-plane distribution of the temperature of the heated work 100 varies.

ワーク１００の温度に面内分布が生じると、形成された有機膜の品質が低下するおそれがある。例えば、温度が高くなった部分において、泡が発生したり、有機膜の組成が変化したりするおそれがある。 If the temperature of the workpiece 100 has an in-plane distribution, the quality of the formed organic film may deteriorate. For example, bubbles may be generated or the composition of the organic film may change in the portion where the temperature is high.

複数の上部均熱板３４ａ、および複数の下部均熱板３４ｂが設けられていれば、複数のヒータ３２ａから放射された熱は、複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂに入射する。複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂに入射した熱は、これらの内部を面方向に伝搬しながらワーク１００に向けて放射される。そのため、ワーク１００の温度に面内分布が生じるのを抑制することができ、ひいては形成される有機膜の品質を向上させることができる。 If a plurality of upper heat soaking plates 34a and a plurality of lower heat soaking plates 34b are provided, the heat radiated from the plurality of heaters 32a is transferred to the plurality of upper heat soaking plates 34a and the plurality of lower heat soaking plates 34b. Incident. The heat incident on the plurality of upper heat soaking plates 34a and the plurality of lower heat soaking plates 34b is radiated toward the workpiece 100 while propagating in the plane direction inside them. Therefore, it is possible to suppress the in-plane distribution of the temperature of the workpiece 100, thereby improving the quality of the formed organic film.

複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂの材料は、熱伝導率の高い材料とすることが好ましい。これらの材料は、例えば、アルミニウム、銅、ステンレスなどとすることができる。なお、アルミニウムや銅などの酸化しやすい材料を用いる場合には、酸化しにくい材料を含む層を表面に設けることができる。 The materials of the plurality of upper heat soaking plates 34a and the plurality of lower heat soaking plates 34b are preferably made of a material with high thermal conductivity. These materials can be, for example, aluminum, copper, stainless steel, and the like. Note that when a material that is easily oxidized such as aluminum or copper is used, a layer containing a material that is not easily oxidized can be provided on the surface.

複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂから放射された熱の一部は、処理領域の側方に向かう。そのため、処理領域の側部には、前述した側部均熱板３４ｃ、３４ｄが設けられている。側部均熱板３４ｃ、３４ｄに入射した熱は、側部均熱板３４ｃ、３４ｄを面方向に伝搬しながら、その一部がワーク１００に向けて放射される。そのため、ワーク１００の加熱効率を向上させることができる。
側部均熱板３４ｃ、３４ｄの材料は、前述した上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂの材料と同じとすることができる。 A portion of the heat radiated from the plurality of upper heat equalizer plates 34a and the plurality of lower heat equalizer plates 34b is directed to the sides of the processing area. Therefore, the above-described side soaking plates 34c and 34d are provided on the sides of the processing area. Part of the heat incident on the side heat soaking plates 34c and 34d is radiated toward the workpiece 100 while propagating in the plane direction of the side heat soaking plates 34c and 34d. Therefore, the heating efficiency of the workpiece 100 can be improved.
The material of the side heat equalizer plates 34c, 34d can be the same as the material of the upper heat equalizer plate 34a and the lower heat equalizer plate 34b described above.

なお、以上においては、複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂが、設けられる場合を例示したが、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂの少なくとも一方は、単一の板状部材とすることもできる。 In the above description, a case where a plurality of upper heat soaking plates 34a and a plurality of lower heat soaking plates 34b are provided is illustrated, but at least one of the upper heat soaking plates 34a and the lower heat soaking plates 34b is a single heat soaking plate. A plate-like member can also be used.

複数の均熱板支持部３５は、Ｘ方向に並べて設けられている。均熱板支持部３５は、Ｘ方向において、上部均熱板３４ａ同士の間の直下に設けられる。複数の均熱板支持部３５は、ネジなどの締結部材を用いて一対のホルダ３２ｂに固定される。一対の均熱板支持部３５は、上部均熱板３４ａの両端を着脱自在に支持する。なお、複数の下部均熱板３４ｂを支持する複数の均熱板支持部３５も同様の構成を有することができる。 A plurality of heat equalizer support portions 35 are arranged side by side in the X direction. The heat equalizer support portion 35 is provided directly below between the upper heat equalizer plates 34a in the X direction. The plurality of heat equalizer support portions 35 are fixed to the pair of holders 32b using fastening members such as screws. A pair of heat equalizer support portions 35 detachably support both ends of the upper heat equalizer plate 34a. The plurality of heat equalizer support portions 35 that support the plurality of lower heat equalizer plates 34b can also have the same configuration.

一対の均熱板支持部３５により、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂが支持されていれば、熱膨張による寸法差を吸収することができる。そのため、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂが変形するのを抑制することができる。 If the upper and lower heat equalizer plates 34a and 34b are supported by the pair of heat equalizer support portions 35, the dimensional difference due to thermal expansion can be absorbed. Therefore, deformation of the upper heat soaking plate 34a and the lower heat soaking plate 34b can be suppressed.

カバー３６は、板状を呈し、フレーム３１の上面、底面、および側面を覆っている。すなわち、カバー３６によりフレーム３１の内部が覆われている。ただし、開閉扉１３側のカバー３６は、例えば、開閉扉１３に設けることができる。
カバー３６は処理領域３０ａ、３０ｂを囲っているが、フレーム３１の上面と側面の境目、フレーム３１の側面と底面の境目、開閉扉１３の付近には、隙間が設けられている。 The cover 36 has a plate shape and covers the top surface, bottom surface and side surfaces of the frame 31 . That is, the inside of the frame 31 is covered with the cover 36 . However, the cover 36 on the opening/closing door 13 side can be provided on the opening/closing door 13, for example.
Although the cover 36 surrounds the processing areas 30 a and 30 b , gaps are provided at the boundary between the top and side surfaces of the frame 31 , the boundary between the side surfaces and the bottom surface of the frame 31 , and near the opening/closing door 13 .

また、フレーム３１の上面および底面に設けられるカバー３６は複数に分割されている。また、分割されたカバー３６同士の間には隙間が設けられている。すなわち、処理部３０（処理領域３０ａ、処理領域３０ｂ）の内部空間は、これらの隙間を介して、チャンバ１０の内部空間に連通している。そのため、処理領域３０ａ、３０ｂの圧力が、チャンバ１０の内壁とカバー３６との間の空間の圧力と同じとなるようにすることができる。カバー３６は、例えば、ステンレスなどから形成される。 Also, the covers 36 provided on the top and bottom surfaces of the frame 31 are divided into a plurality of pieces. A gap is provided between the divided covers 36 . That is, the internal space of the processing section 30 (processing regions 30a and 30b) communicates with the internal space of the chamber 10 through these gaps. Therefore, the pressure in the processing regions 30a, 30b can be made to be the same as the pressure in the space between the inner wall of the chamber 10 and the cover 36. FIG. The cover 36 is made of, for example, stainless steel.

冷却部４０は、複数のヒータ３２ａが設けられた空間に冷却ガスを供給する。冷却部４０は、処理領域３０ａ、３０ｂにも冷却ガスを供給するようにしてもよい。冷却部４０は、冷却ガスにより、処理領域３０ａ、３０ｂを囲む均熱部３４を冷却する。均熱部３４が冷却されることで、高温状態にあるワーク１００が間接的に冷却される。また、均熱部３４が冷却されることで、均熱部３４の熱がワーク１００に伝わるのを抑制できる。冷却ガスが、処理領域３０ａ、３０ｂに供給される場合には、高温状態にあるワーク１００が直接冷却される。 The cooling unit 40 supplies cooling gas to the space provided with the plurality of heaters 32a. The cooling unit 40 may also supply the cooling gas to the processing regions 30a and 30b. The cooling unit 40 cools the soaking unit 34 surrounding the processing areas 30a and 30b with cooling gas. By cooling the soaking section 34, the workpiece 100 in a high temperature state is indirectly cooled. Further, by cooling the soaking portion 34 , it is possible to suppress the heat from the soaking portion 34 from being transmitted to the workpiece 100 . When the cooling gas is supplied to the processing areas 30a, 30b, the workpiece 100 in a high temperature state is directly cooled.

なお、冷却部４０は必ずしも必要ではなく、省くこともできる。ただし、冷却部４０が設けられていれば、ワーク１００の冷却時間を短縮することができる。また、ワーク１００の冷却の際に、均熱部３４からの熱で、ワーク１００の温度に面内分布が生じるのを抑制することができる。 Note that the cooling unit 40 is not necessarily required and can be omitted. However, if the cooling unit 40 is provided, the cooling time of the workpiece 100 can be shortened. Further, when the work 100 is cooled, the heat from the soaking section 34 can suppress the in-plane distribution of the temperature of the work 100 .

冷却部４０は、ノズル４１、ガス源４２、およびガス制御部４３を有する。
ノズル４１は、複数のヒータ３２ａが設けられた空間に接続される。なお、冷却ガスを処理領域３０ａ、３０ｂに供給する場合には、ノズル４１が処理領域３０ａ、３０ｂに接続される。ノズル４１は、例えば、側部均熱板３４ｃ、フレーム３１、カバー３６に設けられた孔などに取り付けられる。ノズル４１は、例えば、Ｘ方向において、処理部３０の一方の側に設けることもできるし、処理部３０の両側に設けることもできる。なお、ノズル４１の数や配置は適宜変更することができる。 The cooling section 40 has a nozzle 41 , a gas source 42 and a gas control section 43 .
The nozzle 41 is connected to a space provided with a plurality of heaters 32a. In addition, when supplying the cooling gas to the processing regions 30a and 30b, the nozzles 41 are connected to the processing regions 30a and 30b. The nozzles 41 are attached to, for example, holes provided in the side heat soaking plate 34c, the frame 31, and the cover 36, or the like. For example, the nozzles 41 can be provided on one side of the processing section 30 in the X direction, or can be provided on both sides of the processing section 30 . Note that the number and arrangement of the nozzles 41 can be changed as appropriate.

ガス源４２は、ノズル４１に冷却ガスを供給する。ガス源４２は、例えば、高圧ガスボンベ、工場配管などとすることができる。また、ガス源４２は、複数設けることもできる。 A gas source 42 supplies cooling gas to the nozzle 41 . The gas source 42 can be, for example, a high pressure gas cylinder, factory piping, or the like. Also, a plurality of gas sources 42 can be provided.

冷却ガスは、加熱されたワーク１００と反応し難いガスとすることができる。冷却ガスは、例えば、窒素ガス、炭酸ガス（ＣＯ_２）、希ガスなどである。希ガスは、例えば、アルゴンガスやヘリウムガスなどである。冷却ガスの温度は、例えば、室温（例えば、２５℃）以下とすることができる。 The cooling gas can be a gas that does not readily react with the heated workpiece 100 . The cooling gas is, for example, nitrogen gas, carbon dioxide (CO ₂ ), rare gas, or the like. The rare gas is, for example, argon gas or helium gas. The temperature of the cooling gas can be, for example, room temperature (eg, 25° C.) or lower.

ガス制御部４３は、ノズル４１とガス源４２との間に設けられている。ガス制御部４３は、例えば、冷却ガスの供給と、供給の停止と、冷却ガスの流速および流量の少なくともいずれかの制御と、を行うことができる。 A gas control unit 43 is provided between the nozzle 41 and the gas source 42 . The gas control unit 43 can, for example, supply the cooling gas, stop the supply, and control at least one of the flow velocity and flow rate of the cooling gas.

コントローラ５０は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などの演算部と、メモリなどの記憶部とを備えている。コントローラ５０は、例えば、コンピュータなどである。コントローラ５０は、記憶部に格納されている制御プログラムに基づいて、加熱処理装置１に設けられた各要素の動作を制御する。 The controller 50 includes, for example, an arithmetic unit such as a CPU (Central Processing Unit) and a storage unit such as a memory. The controller 50 is, for example, a computer. The controller 50 controls the operation of each element provided in the heat treatment apparatus 1 based on the control program stored in the storage unit.

次に、複数の支持部３３についてさらに説明する。
有機膜を形成する際には、基板と、基板の表面に塗布された溶液と、を有するワーク１００を、例えば、１００℃～６００℃程度にまで加熱する。そのため、支持部３３は、耐熱性を有する材料から形成される。例えば、支持部は、ステンレスなどの金属から形成することができる。しかしながら、この様にすると、支持部が接触する基板の裏面に傷が発生する場合がある。また、支持部は、セラミックスなどから形成することもできる。支持部をセラミックスなどから形成すれば、基板の裏面に傷が発生するのを抑制することができる。しかしながら、この様にすると、製造コストが増大する。 Next, the plurality of support portions 33 will be further described.
When forming the organic film, the workpiece 100 having the substrate and the solution applied to the surface of the substrate is heated to, for example, about 100.degree. C. to 600.degree. Therefore, the support portion 33 is made of a heat-resistant material. For example, the support can be made of metal such as stainless steel. However, in this case, the back surface of the substrate with which the supporting portion is in contact may be damaged. Moreover, the support part can also be formed from ceramics or the like. If the supporting portion is made of ceramics or the like, it is possible to suppress the back surface of the substrate from being scratched. However, doing so increases manufacturing costs.

この場合、基板の裏面に接触させる、支持部の先端部をセラミックスなどから形成し、先端部を保持する基部をステンレスなどの金属から形成することができる。しかしながら、先端部と基部の材料が異なると、先端部と基部との間に、線膨張率の差に起因する擦れが発生する。そのため、先端部と基部との間からパーティクルが放出される場合がある。発生したパーティクルが、ワーク１００に付着すると、ワーク１００の品質が低下するおそれがある。 In this case, the tip portion of the support portion, which contacts the back surface of the substrate, can be made of ceramics or the like, and the base portion that holds the tip portion can be made of metal such as stainless steel. However, if the materials of the tip portion and the base portion are different, rubbing occurs between the tip portion and the base portion due to the difference in coefficient of linear expansion. Therefore, particles may be emitted from between the tip and the base. If the generated particles adhere to the workpiece 100, the quality of the workpiece 100 may deteriorate.

そこで、本実施の形態に係る支持部３３は、以下に説明をする構成を有している。
図２は、支持部３３を例示するための模式図である。
図２に示すように、支持部３３は、例えば、先端部３３ａ、基部３３ｂ、および保持部３３ｃを有する。 Therefore, the support portion 33 according to this embodiment has a configuration described below.
FIG. 2 is a schematic diagram for illustrating the support portion 33. As shown in FIG.
As shown in FIG. 2, the support portion 33 has, for example, a tip portion 33a, a base portion 33b, and a holding portion 33c.

先端部３３ａは、筒状を呈し、一方の端部（ワーク１００の裏面側の端部）３３ａ１が閉鎖されている。端部３３ａ１はワーク１００の裏面に接触する。そのため、端部３３ａ１の形状は、半球状などとすることが好ましい。端部３３ａ１の形状が半球状であれば、ワーク１００の裏面に損傷が発生するのを抑制することができる。また、ワーク１００の裏面と先端部３３ａとの接触面積を小さくすることができるので、ワーク１００から支持部３３に伝わる熱を少なくすることができる。 The tip 33a has a tubular shape, and one end (the end on the back side of the workpiece 100) 33a1 is closed. The end portion 33 a 1 contacts the back surface of the work 100 . Therefore, the shape of the end portion 33a1 is preferably semispherical. If the shape of the end portion 33a1 is hemispherical, it is possible to suppress the back surface of the workpiece 100 from being damaged. Further, since the contact area between the back surface of the work 100 and the tip portion 33a can be reduced, the heat transferred from the work 100 to the support portion 33 can be reduced.

先端部３３ａの、他方の端部３３ａ２は開口している。また、端部３３ａ２には、フランジ３３ａ３を設けることができる。フランジ３３ａ３は、環状を呈し、先端部３３ａの側面から外側に向けて突出している。 The other end 33a2 of the tip 33a is open. A flange 33a3 can be provided on the end portion 33a2. The flange 33a3 has an annular shape and protrudes outward from the side surface of the tip portion 33a.

先端部３３ａは、例えば、酸化アルミニウムや窒化アルミニウムなどのセラミックス、またはガラスなどから形成される。先端部３３ａが、セラミックスやガラスなどから形成されていれば、ワーク１００の裏面に損傷が発生するのを抑制することができる。 The tip portion 33a is made of, for example, ceramics such as aluminum oxide or aluminum nitride, or glass. If the tip portion 33a is made of ceramics, glass, or the like, it is possible to prevent the rear surface of the workpiece 100 from being damaged.

基部３３ｂは、例えば、柱状部３３ｂ１、および取付部３３ｂ２を有する。
柱状部３３ｂ１の一方の端部側は、先端部３３ａの内部に隙間を介して設けられている。例えば、柱状部３３ｂ１と先端部３３ａの内壁との間には隙間が設けられる。柱状部３３ｂ１の他方の端部側は、取付部３３ｂ２に設けられている。柱状部３３ｂ１と取付部３３ｂ２は、一体に形成してもよいし、溶接などで接合してもよい。取付部３３ｂ２は、例えば、後述するブラケット３２ｂ１に取り付けられる。
柱状部３３ｂ１、および取付部３３ｂ２は、例えば、ステンレスなどの金属から形成することができる。 The base portion 33b has, for example, a columnar portion 33b1 and a mounting portion 33b2.
One end side of the columnar portion 33b1 is provided inside the tip portion 33a with a gap therebetween. For example, a gap is provided between the columnar portion 33b1 and the inner wall of the tip portion 33a. The other end side of the columnar portion 33b1 is provided on the mounting portion 33b2. The columnar portion 33b1 and the mounting portion 33b2 may be integrally formed or joined by welding or the like. The attachment portion 33b2 is attached to, for example, a bracket 32b1, which will be described later.
The columnar portion 33b1 and the mounting portion 33b2 can be made of metal such as stainless steel, for example.

ブラケット３２ｂ１は、支持部３３が取り付けられる部材である。ブラケット３２ｂ１は、例えば、板状の部材で、ネジなどの締結部材を用いて一対のホルダ３２ｂに固定される。ブラケット３２ｂ１は、下部均熱板３４ｂとヒータ３２ａとの間に設けられる。このようにすることで、下部均熱板３４ｂおよびヒータ３２ａとの干渉が防止される。しかし、ブラケット３２ｂ１の取付け位置は、これに限定されない。例えば、下部均熱板３４ｂの上方に設けるようにしてもよい。この場合、ブラケット３２ｂ１は、下部均熱板３４ｂをまたぐように一対のホルダ３２ｂに固定される。また、下部均熱板３４ｂに支持部３３との干渉を防止するための孔を設ける必要もない。
ブラケット３２ｂ１は、例えば、ステンレスなどの金属から形成することができる。 The bracket 32b1 is a member to which the support portion 33 is attached. The bracket 32b1 is, for example, a plate-like member and is fixed to the pair of holders 32b using fastening members such as screws. Bracket 32b1 is provided between lower heat equalizing plate 34b and heater 32a. By doing so, interference with the lower heat equalizing plate 34b and the heater 32a is prevented. However, the mounting position of the bracket 32b1 is not limited to this. For example, it may be provided above the lower heat equalizing plate 34b. In this case, the bracket 32b1 is fixed to the pair of holders 32b so as to straddle the lower heat equalizing plate 34b. Further, it is not necessary to provide holes for preventing interference with the support portion 33 in the lower heat equalizing plate 34b.
The bracket 32b1 can be made of metal such as stainless steel, for example.

保持部３３ｃは、先端部３３ａを保持する。保持部３３ｃの一方の端部は、先端部３３ａ（フランジ３３ａ３）に取り付けられている。保持部３３ｃの他方の端部は、基部３３ｂ（取付部３３ｂ２）またはブラケット３２ｂ１に取り付けられている。 The holding portion 33c holds the tip portion 33a. One end of the holding portion 33c is attached to the tip portion 33a (flange 33a3). The other end of the holding portion 33c is attached to the base portion 33b (mounting portion 33b2) or the bracket 32b1.

ここで、保持部３３ｃをセラミックスなどから形成すると製造コストが増大する。保持部３３ｃを、ステンレスなどの金属から形成すると、製造コストの増大を抑制することができる。ただし、単に、保持部３３ｃを金属から形成すると、保持部３３ｃと先端部３３ａとの間に、線膨張率の差に起因する擦れが発生する。そのため、保持部３３ｃと先端部３３ａとの間からパーティクルが放出されるおそれがある。 Here, if the holding portion 33c is made of ceramics or the like, the manufacturing cost increases. If the holding portion 33c is made of metal such as stainless steel, an increase in manufacturing cost can be suppressed. However, if the holding portion 33c is simply made of metal, rubbing occurs between the holding portion 33c and the tip portion 33a due to the difference in coefficient of linear expansion. Therefore, particles may be emitted from between the holding portion 33c and the tip portion 33a.

そこで、保持部３３ｃは、金属を含む弾性体となっている。例えば、図２に示すように、保持部３３ｃは、金属を含むコイルバネとすることができる。保持部３３ｃは、例えば、ステンレスやインコネルから形成されたコイルバネとすることができる。保持部３３ｃが弾性体であれば、保持部３３ｃが変形することで、線膨張率の差に起因する、保持部３３ｃと先端部３３ａとの間のズレを吸収することができる。そのため、保持部３３ｃと先端部３３ａとの間からパーティクルが放出されるのを抑制することができる。 Therefore, the holding portion 33c is an elastic body containing metal. For example, as shown in FIG. 2, the holding portion 33c can be a coil spring containing metal. The holding portion 33c can be, for example, a coil spring made of stainless steel or Inconel. If the holding portion 33c is an elastic body, the deformation of the holding portion 33c can absorb the displacement between the holding portion 33c and the distal end portion 33a caused by the difference in coefficient of linear expansion. Therefore, particles can be suppressed from being emitted from between the holding portion 33c and the tip portion 33a.

また、保持部３３ｃが設けられていれば、基部３３ｂ（柱状部３３ｂ１）と先端部３３ａの内壁との間の隙間を維持することができるので、基部３３ｂと先端部３３ａとの間からパーティクルが放出されるのを抑制することができる。
また、基部３３ｂ（柱状部３３ｂ１）と先端部３３ａの内壁との間の隙間を設けることで、ワーク１００が熱変形した際に、ワーク１００の熱変形に合わせて支持部３３の先端部３３ａが移動することができる。また、保持部３３ｃによって先端部３３ａが支持されることで、よりワーク１００の熱変形に合わせて支持部３３の先端部３３ａが移動しやすくなる。ワーク１００の熱変形に合わせて支持部３３の先端部３３ａが移動することができると、ワーク１００の裏面を傷つけることを防止することができる。したがって、ワーク１００と先端部３３ａとの接触部分からのパーティクルの発生も抑制することができる。
また、金属を含む保持部３３ｃとすれば、製造コストの増大を抑制することができる。 Further, if the holding portion 33c is provided, it is possible to maintain the gap between the base portion 33b (the columnar portion 33b1) and the inner wall of the tip portion 33a. release can be suppressed.
Further, by providing a gap between the base portion 33b (the columnar portion 33b1) and the inner wall of the tip portion 33a, when the workpiece 100 is thermally deformed, the tip portion 33a of the support portion 33 is bent in accordance with the thermal deformation of the workpiece 100. can move. Further, since the tip portion 33a is supported by the holding portion 33c, the tip portion 33a of the support portion 33 can be easily moved according to the thermal deformation of the workpiece 100. FIG. If the front end portion 33a of the support portion 33 can move according to the thermal deformation of the work 100, it is possible to prevent the back surface of the work 100 from being damaged. Therefore, it is possible to suppress the generation of particles from the contact portion between the workpiece 100 and the tip portion 33a.
Moreover, if the holding portion 33c is made of metal, it is possible to suppress an increase in manufacturing cost.

図３は、他の実施形態に係る支持部１３３を例示するための模式図である。
図３に示すように、支持部１３３は、例えば、先端部１３３ａ、基部１３３ｂ、および保持部１３３ｃを有する。 FIG. 3 is a schematic diagram for illustrating the support portion 133 according to another embodiment.
As shown in FIG. 3, the support portion 133 has, for example, a tip portion 133a, a base portion 133b, and a holding portion 133c.

先端部１３３ａは、筒状を呈し、一方の端部（ワーク１００の裏面側の端部）１３３ａ１が閉鎖されている。端部１３３ａ１は、例えば、前述した端部３３ａ１と同様とすることができる。
先端部１３３ａの、他方の端部１３３ａ２は開口している。端部１３３ａ２には、フランジを設けてもよいし、フランジを設けなくてもよい。
先端部１３３ａの材料は、例えば、前述した先端部３３ａの材料と同じとすることができる。 The tip portion 133a has a cylindrical shape, and one end portion (the end portion on the back side of the workpiece 100) 133a1 is closed. The end portion 133a1 can be, for example, similar to the end portion 33a1 described above.
The other end 133a2 of the tip 133a is open. The end portion 133a2 may be provided with a flange, or may not be provided with a flange.
The material of the tip portion 133a can be, for example, the same as the material of the tip portion 33a described above.

基部１３３ｂは、例えば、柱状部１３３ｂ１、および取付部１３３ｂ２を有する。
柱状部１３３ｂ１の一方の端部側は、先端部１３３ａの内部に隙間を介して設けられている。例えば、柱状部１３３ｂ１と先端部１３３ａの内壁との間には隙間が設けられている。柱状部１３３ｂ１の他方の端部側は、取付部１３３ｂ２に設けられている。また、柱状部１３３ｂ１にはフランジ１３３ｂ３を設けることもできる。フランジ１３３ｂ３は、先端部１３３ａの端部１３３ａ２の近傍に設けることができる。なお、フランジ１３３ｂ３は省略することもできる。ただし、フランジ１３３ｂ３が設けられていれば、柱状部１３３ｂ１の軸方向における、保持部１３３ｃの長さを短くすることができるので、先端部１３３ａの姿勢を安定させることができる。 The base portion 133b has, for example, a columnar portion 133b1 and a mounting portion 133b2.
One end side of the columnar portion 133b1 is provided inside the tip portion 133a with a gap therebetween. For example, a gap is provided between the columnar portion 133b1 and the inner wall of the tip portion 133a. The other end side of the columnar portion 133b1 is provided on the mounting portion 133b2. A flange 133b3 can also be provided on the columnar portion 133b1. The flange 133b3 can be provided near the end 133a2 of the tip 133a. Note that the flange 133b3 can be omitted. However, if the flange 133b3 is provided, the length of the holding portion 133c in the axial direction of the columnar portion 133b1 can be shortened, so the posture of the tip portion 133a can be stabilized.

柱状部１３３ｂ１、取付部１３３ｂ２、およびフランジ１３３ｂ３は、一体に形成してもよいし、溶接などで接合してもよい。取付部１３３ｂ２は、例えば、ホルダ３２ｂに設けられたブラケット３２ｂ１に取り付けられる。
柱状部１３３ｂ１、取付部１３３ｂ２、およびフランジ１３３ｂ３は、例えば、ステンレスなどの金属から形成することができる。 The columnar portion 133b1, the mounting portion 133b2, and the flange 133b3 may be integrally formed or joined by welding or the like. The attachment portion 133b2 is attached to, for example, a bracket 32b1 provided on the holder 32b.
The columnar portion 133b1, the mounting portion 133b2, and the flange 133b3 can be made of metal such as stainless steel, for example.

保持部１３３ｃは、先端部１３３ａを保持する。保持部１３３ｃの一方の端部は、先端部１３３ａの端部１３３ａ２に取り付けられている。保持部１３３ｃの他方の端部は、フランジ１３３ｂ３に取り付けられている。フランジ１３３ｂ３が設けられない場合には、保持部１３３ｃの他方の端部は、取付部１３３ｂ２に取り付けることができる。 The holding portion 133c holds the tip portion 133a. One end of the holding portion 133c is attached to the end 133a2 of the tip portion 133a. The other end of the holding portion 133c is attached to the flange 133b3. If the flange 133b3 is not provided, the other end of the holding portion 133c can be attached to the mounting portion 133b2.

保持部１３３ｃは、金属を含む弾性体となっている。例えば、図３に示すように、保持部１３３ｃは、金属を含む板バネとすることができる。保持部１３３ｃは、例えば、ステンレスやインコネルから形成された板バネとすることができる。保持部１３３ｃが弾性体であれば、保持部１３３ｃが変形することで、線膨張率の差に起因する、保持部１３３ｃと先端部１３３ａとの間のズレを吸収することができる。そのため、保持部１３３ｃと先端部１３３ａとの間からパーティクルが放出されるのを抑制することができる。 The holding portion 133c is an elastic body containing metal. For example, as shown in FIG. 3, the holding portion 133c can be a leaf spring containing metal. The holding portion 133c can be, for example, a leaf spring made of stainless steel or Inconel. If the holding portion 133c is an elastic body, the deformation of the holding portion 133c can absorb the displacement between the holding portion 133c and the distal end portion 133a caused by the difference in coefficient of linear expansion. Therefore, particles can be suppressed from being emitted from between the holding portion 133c and the tip portion 133a.

また、保持部１３３ｃが設けられていれば、基部１３３ｂ（柱状部１３３ｂ１）と先端部１３３ａの内壁との間の隙間を維持することができるので、基部１３３ｂと先端部１３３ａとの間からパーティクルが放出されるのを抑制することができる。
また、金属を含む保持部１３３ｃとすれば、製造コストの増大を抑制することができる。 Further, if the holding portion 133c is provided, the gap between the base portion 133b (the columnar portion 133b1) and the inner wall of the tip portion 133a can be maintained, so that particles can be trapped between the base portion 133b and the tip portion 133a. release can be suppressed.
Further, if the holding portion 133c contains metal, an increase in manufacturing cost can be suppressed.

図４は、他の実施形態に係る支持部２３３を例示するための模式図である。
図４に示すように、支持部２３３は、例えば、先端部３３ａ、基部３３ｂ、および保持部２３３ｃを有する。
保持部２３３ｃは、先端部３３ａを保持する。
保持部２３３ｃは、第１の部分２３３ｃ１、および第２の部分２３３ｃ２を有する。
第１の部分２３３ｃ１は、例えば、先端部３３ａ（フランジ３３ａ３）に設けられている。第１の部分２３３ｃ１は、例えば、環状を呈する磁性体とすることができる。
第２の部分２３３ｃ２は、隙間を介して第１の部分２３３ｃ１と対向している。第２の部分２３３ｃ２は、例えば、基部３３ｂ（取付部３３ｂ２）またはブラケット３２ｂ１に設けることができる。第２の部分２３３ｃ２は、例えば、環状を呈する磁性体とすることができる。 FIG. 4 is a schematic diagram for illustrating a support portion 233 according to another embodiment.
As shown in FIG. 4, the support portion 233 has, for example, a tip portion 33a, a base portion 33b, and a holding portion 233c.
The holding portion 233c holds the tip portion 33a.
The holding portion 233c has a first portion 233c1 and a second portion 233c2.
The first portion 233c1 is provided, for example, at the distal end portion 33a (flange 33a3). The first portion 233c1 can be, for example, an annular magnetic body.
The second portion 233c2 faces the first portion 233c1 with a gap therebetween. The second portion 233c2 can be provided on, for example, the base portion 33b (mounting portion 33b2) or the bracket 32b1. The second portion 233c2 can be, for example, an annular magnetic body.

この場合、第１の部分２３３ｃ１、および第２の部分２３３ｃ２は、永久磁石とすることができる。また、第１の部分２３３ｃ１の、第２の部分２３３ｃ２と対向する側の磁極は、第２の部分２３３ｃ２の、第１の部分２３３ｃ１と対向する側の磁極と同じとなっている。例えば、第１の部分２３３ｃ１の、第２の部分２３３ｃ２と対向する側がＳ極の場合には、第２の部分２３３ｃ２の、第１の部分２３３ｃ１と対向する側がＳ極となっている。例えば、第１の部分２３３ｃ１の、第２の部分２３３ｃ２と対向する側がＮ極の場合には、第２の部分２３３ｃ２の、第１の部分２３３ｃ１と対向する側がＮ極となっている。 In this case, the first portion 233c1 and the second portion 233c2 can be permanent magnets. The magnetic pole of the first portion 233c1 facing the second portion 233c2 is the same as the magnetic pole of the second portion 233c2 facing the first portion 233c1. For example, when the side of the first portion 233c1 facing the second portion 233c2 is the S pole, the side of the second portion 233c2 facing the first portion 233c1 is the S pole. For example, when the side of the first portion 233c1 facing the second portion 233c2 is the N pole, the side of the second portion 233c2 facing the first portion 233c1 is the N pole.

この様にすれば、第１の部分２３３ｃ１と第２の部分２３３ｃ２との間に反発力（斥力）が生じる。そのため、線膨張率の差に起因する、保持部２３３ｃと先端部３３ａとの間のズレを吸収することができる。その結果、保持部２３３ｃと先端部３３ａとの間からパーティクルが放出されるのを抑制することができる。 By doing so, a repulsive force (repulsive force) is generated between the first portion 233c1 and the second portion 233c2. Therefore, it is possible to absorb the deviation between the holding portion 233c and the tip portion 33a due to the difference in linear expansion coefficient. As a result, particles can be suppressed from being emitted from between the holding portion 233c and the tip portion 33a.

また、保持部２３３ｃが設けられていれば、基部３３ｂ（柱状部３３ｂ１）と先端部３３ａの内壁との間の隙間を維持することができるので、基部３３ｂと先端部３３ａとの間からパーティクルが放出されるのを抑制することができる。
また、第１の部分２３３ｃ１、および第２の部分２３３ｃ２が永久磁石であれば、製造コストの増大を抑制することができる。 Further, if the holding portion 233c is provided, the gap between the base portion 33b (the columnar portion 33b1) and the inner wall of the tip portion 33a can be maintained, so that the particles can be prevented from entering between the base portion 33b and the tip portion 33a. release can be suppressed.
Further, if the first portion 233c1 and the second portion 233c2 are permanent magnets, an increase in manufacturing cost can be suppressed.

以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、加熱処理装置１の形状、寸法、配置などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。 The embodiments have been illustrated above. However, the invention is not limited to these descriptions.
Appropriate design changes made by those skilled in the art with respect to the above embodiments are also included in the scope of the present invention as long as they have the features of the present invention.
For example, the shape, dimensions, arrangement, etc. of the heat treatment apparatus 1 are not limited to those illustrated and can be changed as appropriate.

また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
本実施の形態において、支持部３３は、ブラケット３２ｂ１によって保持されていたが、これに限定されない。例えば、下部均熱板３４ｂを支持する均熱板支持部３５の幅を大きくし、均熱板支持部３５の上面に支持部３３を設けるようにしてもよい。つまり、下部均熱板３４ｂを支持する均熱板支持部３５にブラケット３２ｂ１の機能を持たせてもよい。このようにすることで、ブラケット３２ｂ１を設ける必要が無いので、部品点数が減り、メンテナンスが容易となる。あるいは、下部均熱板３４ｂと支持部３３を一体に形成してもよい。 Moreover, each element provided in each of the above-described embodiments can be combined as much as possible, and a combination thereof is also included in the scope of the present invention as long as it includes the features of the present invention.
Although the support portion 33 is held by the bracket 32b1 in the present embodiment, the present invention is not limited to this. For example, the width of the heat equalizer support portion 35 that supports the lower heat equalizer plate 34 b may be increased, and the support portion 33 may be provided on the upper surface of the heat equalizer support portion 35 . In other words, the heat equalizer support portion 35 that supports the lower heat equalizer plate 34b may have the function of the bracket 32b1. By doing so, there is no need to provide the bracket 32b1, which reduces the number of parts and facilitates maintenance. Alternatively, the lower heat equalizing plate 34b and the support portion 33 may be integrally formed.

１ 加熱処理装置、１０ チャンバ、２０ 排気部、３０ 処理部、３０ａ 処理領域、３０ｂ 処理領域、３２ 加熱部、３３ 支持部、３３ａ 先端部、３３ｂ 基部、３３ｃ 保持部、５０ コントローラ、１００ ワーク、１３３ 支持部、１３３ａ 先端部、１３３ｂ 基部、１３３ｃ 保持部、２３３ 支持部、２３３ｃ 保持部、２３３ｃ１ 第１の部分、２３３ｃ２ 第２の部分 1 Heat Treatment Apparatus 10 Chamber 20 Exhaust Part 30 Treatment Part 30a Treatment Area 30b Treatment Area 32 Heating Part 33 Supporting Part 33a Tip Part 33b Base Part 33c Holding Part 50 Controller 100 Workpiece 133 Supporting Part 133a Tip Part 133b Base Part 133c Holding Part 233 Supporting Part 233c Holding Part 233c1 First Part 233c2 Second Part

Claims (5)

チャンバと、
前記チャンバの内部に設けられ、ワークを支持可能な支持部と、
前記チャンバの内部に設けられ、前記ワークを加熱可能な加熱部と、
を備え、
前記支持部は、
筒状を呈し、一方の端部が前記ワークに接触可能な先端部と、
一方の端部側が、前記先端部の内部に隙間を介して設けられた柱状部と、
前記先端部を保持する保持部と、
を有する加熱処理装置。 a chamber;
a support provided inside the chamber and capable of supporting a workpiece;
a heating unit provided inside the chamber and capable of heating the workpiece;
with
The support part is
a tip portion having a cylindrical shape, one end portion of which is capable of contacting the work;
a columnar portion having one end side provided inside the tip portion with a gap therebetween;
a holding portion that holds the tip portion;
A heat treatment apparatus having 前記チャンバの内部を排気可能な排気部をさらに備えた請求項１記載の加熱処理装置。 2. The heat treatment apparatus according to claim 1, further comprising an exhaust part capable of exhausting the interior of said chamber. 前記先端部は、セラミックス、またはガラスを含み、
前記柱状部は、金属を含む請求項１または２に記載の加熱処理装置。 The tip includes ceramics or glass,
3. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the columnar portion contains metal. 前記保持部は、金属を含む弾性体である請求項１～３のいずれか１つに記載の加熱処理装置。 The heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the holding part is an elastic body containing metal. 前記保持部は、
前記先端部に設けられた第１の部分と、
隙間を介して、前記第１の部分に対向する第２の部分と、
を有し、
前記第１の部分、および前記第２の部分は、永久磁石であり、
前記第１の部分の、前記第２の部分と対向する側の磁極は、前記第２の部分の、前記第１の部分と対向する側の磁極と同じである請求項１～３のいずれか１つに記載の加熱処理装置。 The holding part is
a first portion provided at the tip;
a second portion facing the first portion with a gap;
has
the first portion and the second portion are permanent magnets;
4. The magnetic pole of the first portion facing the second portion is the same as the magnetic pole of the second portion facing the first portion. 1. The heat treatment apparatus according to 1.

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