JP2022525364A - 磁気アイソレータ - Google Patents

Abstract

本開示は、基板、磁場生成ユニット、磁場検出ユニット、シールド層、および絶縁誘電体を備える磁気アイソレータであって、磁場生成ユニットは、電流導体を備え、電流導体は、基板の片側で第１の方向に沿って延びるように配置され、磁場検出ユニットおよび電流導体は、基板の同じ側に配置され、磁場検出ユニットは、電流導体の側面に位置し、電流導体と磁場検出ユニットとの間の距離は、第２の方向に沿って０よりも大きく、第１の方向は、第２の方向に直交し、絶縁誘電体は、電流導体と磁場検出ユニットとの間に配置され、絶縁誘電体は、第２の方向に沿って電流導体と磁場検出ユニットとの間の距離内に配置され、それによって電気的アイソレーションで役割を果たし、アイソレーション強度を改善するのを助け、プロセスを単純化する、磁気アイソレータを開示する。シールド層は、外部干渉磁場を吸収し、信号対ノイズ比をさらに改善することができる。【選択図】図２

Description

本開示は、磁気センサの分野に関し、詳細には、磁気アイソレータに関する。

電子回路では、様々な信号が互いに干渉する恐れがある。信号の安定性を確実にするために、信号アイソレータがしばしば使用される。今のところ、市販の信号アイソレータには、オプトカプラ、容量性カップリング・アイソレータ、および磁気アイソレータが含まれ、磁気アイソレータは、高速応答周波数および統合容易という特徴を有し、現在広く使用されている。

基板上で一次コイルと二次コイルを統合するために、チップレベルの変換器技術が、ＡＤＩによって商品化に成功しているｉＣｏｕｐｌｅｒの一連の製品に使用されている。一次コイルと二次コイルとの間に、高い絶縁破壊強さを有するポリイミドが設けられ、それによってアイソレーション電圧が５０００ＶＲＭＳ／分まで到達するとともに、伝送速度が１５０Ｍｂｐｓにと到達する。変換器が高周波信号だけに応答するので、入力信号が低周波信号である場合、一次コイルと二次コイルとの間の信号伝送は、例えば、チョッピングによって生信号を処理することによってのみ実現することができる。

ＮＶＥは、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ：ｇｉａｎｔ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子を用いたＩｓｏＬｏｏｐの一連の製品を開発し、それによりアイソレーション電圧が６０００Ｖまで到達し、伝送速度も５０Ｍｂｐｓに到達している。一次コイルが、この一連の製品内に設けられている。ＧＭＲ素子は、一次コイルの下方に設けられ、一次コイルは、ＧＭＲ素子の位置に水平磁場を生成する。ＧＭＲ素子は、水平磁場を検出して出力し、それによって分離された信号の伝送を実現する。１０μｍの厚さを有するベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）が、一次コイルとＧＭＲ素子との間に設けられ、それによって数キロボルトのアイソレーション電圧を実現する。ＧＭＲ素子の周波数応答は、０Ｈｚから数ＭＨｚまでであり、それによって変換器は高周波信号しか伝送できないという問題を解決する。

上記２つの方法の高いアイソレーション電圧は、信号送信素子と信号受信素子との間でアイソレーション層によって実現される。高いアイソレーション電圧を実現するために、高いアイソレーション電圧および比較的厚いアイソレーション層を有する材料が必要とされる。酸化ケイ素または酸化アルミニウムがアイソレーション層として働く場合、比較的長いコーティング時間が必要とされ、比較的高いコストが必要とされ、ポリイミドまたはＢＣＢなどのポリマー材料が、アイソレーション層として働く場合、一部の極端な環境において、例えば、湿気の場合、または高度環境において、装置故障の隠れた危険がある。

上記の技術的課題に鑑みて、本開示は、基板、磁場生成ユニット、磁場検出ユニット、シールド層、および絶縁誘電体を含む磁気アイソレータであって、磁場生成ユニットは、電流導体を含み、電流導体は、基板の片側で第１の方向に沿って延びるように配置され、磁場検出ユニットは、電流導体の側面に位置し、電流導体と磁場検出ユニットとの間の距離は、第２の方向に沿って０よりも大きく、第１の方向は、第２の方向に直交する、磁気アイソレータを提示する。絶縁誘電体が、電流導体と磁場検出ユニットとの間に配置される。絶縁誘電体は、高絶縁耐力を有するアイソレート材料であってもよく、アイソレーション距離は、電流導体と磁場検出ユニットとの間の水平距離に単に関連している。磁場検出ユニットの上側および下側には、磁気濃縮シートが、磁場検出ユニットの出力信号を改善するために設けられている。シールド層は、外部干渉磁場を吸収し、電流導体により生成される磁場の漏れを同時に防ぐために、磁場検出ユニットの上側および／または下側ならびに電流導体に設けられる。磁気アイソレータは、単純な構造を有し、それによって準備プロセスを単純化し、費用を節約する。

本開示は、以下の技術的解決策を用いて実施されるものであり、
磁気アイソレータは、基板、磁場生成ユニット、磁場検出ユニット、シールド層、および絶縁誘電を含み、
磁場生成ユニットは、電流導体を含み、電流導体は、基板の片側で第１の方向に沿って延びるように配置され、磁場検出ユニットおよび電流導体は、基板の同じ側に配置され、磁場検出ユニットは、電流導体の側面に位置し、電流導体と磁場検出ユニットとの間の距離は、第２の方向に沿って０よりも大きく、第１の方向は、第２の方向に直交し、
絶縁誘電体は、電流導体と磁場検出ユニットとの間に配置され、電流信号は、入力端子を備え、入力端子から入力された電流信号は、電流導体を通って流れて電流導体の周りに磁場を生成し、磁場は、磁場検出ユニットの感受方向に成分を有し、磁場検出ユニットによって検出される出力信号は、電流導体の周りに生成される磁場に正比例し、
シールド層および磁場生成ユニットは、基板の同じ側に位置し、シールド層は、外部干渉磁場を吸収するとともに磁場生成ユニットの電流導体の周りに生成される磁場の漏れを防ぐように、基板の近くにおよび／または基板から離れて磁場生成ユニットの片側に位置する。

好ましくは、磁場生成ユニットは、電圧変換ユニットをさらに備え、電圧変換ユニットは、入力された電圧信号を電流信号に変換するように電流導体の入力端子に電気的に接続される。

好ましくは、磁気アイソレータは、信号処理ユニットをさらに含み、信号処理ユニットは、磁場検出ユニットの出力信号を受け入れて処理し、処理された信号を出力するように磁場検出ユニットに電気的に接続される。

好ましくは、信号処理ユニットは、直列に連続的に接続されたフィルタ・モジュール、増幅モジュール、比較モジュール、およびレベル変換モジュールを含み、フィルタ・モジュールは、磁場検出ユニットに電気的に接続される。

好ましくは、磁場検出ユニットは、巨大磁気抵抗素子で構成され、巨大磁気抵抗素子のピン止め層の磁化方向は、巨大磁気抵抗素子の表面に直交し、巨大磁気抵抗素子の感受方向は、巨大磁気抵抗素子の表面に直交し、または
巨大磁気抵抗素子のピン止め層は、巨大磁気抵抗素子の表面に平行であり、巨大磁気抵抗素子の感受方向は、巨大磁気抵抗素子の表面に平行である。

好ましくは、磁場検出ユニットは、トンネル磁気抵抗素子で構成され、トンネル磁気抵抗素子のピン止め層の磁化方向は、トンネル磁気抵抗素子の表面に直交し、トンネル磁気抵抗素子の感受方向は、トンネル磁気抵抗素子の表面に直交し、または
トンネル磁気抵抗素子のピン止め層は、トンネル磁気抵抗素子の表面に平行であり、トンネル磁気抵抗素子の感受方向は、トンネル磁気抵抗素子の表面に平行である。

好ましくは、磁場検出ユニットは、ホール素子または異方向性磁気抵抗素子で構成される。

好ましくは、磁気アイソレータは、磁場検出ユニットの第１の側および第２の側に配置された磁気濃縮シートをさらに含み、第１の側および第２の側は、磁場検出ユニットの２つの反対の側であり、第１の側から第２の側への接続方向は、磁場検出ユニットの感受方向と同じまたは反対であり、磁気濃縮シートは、電流導体によって生成される磁場信号、および磁気アイソレータの信号対ノイズ比を強化するように構成される。

好ましくは、磁気濃縮シートおよびシールド層の材料は、パーマロイ、工業用純鉄、フェライトのうちの少なくとも１つを含む。

好ましくは、シリコン基板、水晶基板、またはガラス基板は、基板として用いられ、
絶縁誘電体は、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリイミド、およびベンゾシクロブテンのうちの少なくとも１つを含む。

先行技術と比較して、本開示は、以下の有益な技術的効果を有する。

絶縁誘電体は、本開示において与えられる磁気アイソレータの第２の方向に（水平に配置された磁気アイソレータについての水平方向に）電流導体と磁場検出ユニットとの間の距離内に設けられ、それによって電気的アイソレーションで役割を果たし、アイソレーション強度を改善するのを助け、プロセスを単純化する。シールド層は、外部干渉磁場を吸収し、信号対ノイズ比をさらに改善することができる。

以下の添付図面を参照して非限定の実施形態の詳細な説明を読んだ後、本開示の他の特徴、目的、および利点が、より明らかになる。

先行技術の従来の磁気アイソレータの概略断面図である。 本開示の一実施形態において与えられる磁気アイソレータの概略立体構造図である。 本開示に示された磁気アイソレータの断面図である。 本開示に示された別の磁気アイソレータの概略断面図である。 本開示の一実施形態において与えられる別の磁気アイソレータの概略立体構造図である。 本開示の一実施形態において与えられるさらに別の磁気アイソレータの概略立体構造図である。 本開示の一実施形態において与えられる磁場検出ユニットの出力曲線の概略図である。 本開示の一実施形態において与えられるブリッジ構造式磁場検出ユニットの概略回路図である。 本開示の一実施形態において与えられる別のブリッジ構造式磁場検出ユニットの概略回路図である。 本開示の一実施形態において与えられる電流導体と磁場検出ユニットとの間の位置関係の概略図である。 本開示の一実施形態において与えられる電流導体と磁場検出ユニットとの間の別の位置関係の概略図である。 本開示の一実施形態において与えられる電流導体と磁場検出ユニットとの間のさらに別の位置関係の概略図である。 本開示の一実施形態において与えられる抵抗器の値の出力を有する磁気アイソレータの電気構造の概略図である。 本開示の一実施形態において与えられるブリッジされた電圧出力を有する磁気アイソレータの電気構造の概略図である。 本開示の一実施形態において与えられる信号処理を有する磁気アイソレータの電気構造の概略図である。

本開示は、特定の実施形態とあわせて以下に詳細に説明される。以下の実施形態は、当業者が本開示をさらに理解するのを助けるが、本開示に対する限定を何ら課すものではない。当業者は、本開示の原理から逸脱することなく、いくらかの改善および修正をさらに行うことができることに留意されたい。全てのこれらの改善および修正は、本開示の保護範囲に含まれる。

図１は、当業界における従来の磁気アイソレータの概略断面図である。全ての、構成要素が、半導体プロセスまたはＭＥＭＳプロセスによって基板１０１上に配置されている。電流信号が電流導体１０２に入力され、電流信号の方向が紙面に内に直交することに関する説明が以下に与えられる。電流信号の大きさは、測定された電流の大きさに関連している。磁場検出ユニット１０４は、電流導体１０２の真下にあり、磁場検出ユニット１０４の位置における電流導体１０２によって生成される磁場の方向は、図中の矢印１０３によって示されるようなものである。磁場検出ユニット１０４は、磁場を検出し、電圧モードで磁場を出力する。絶縁誘電体１０５は、電流導体１０２と磁場検出ユニット１０４との間に設けられ、絶縁誘電体の材料および厚さがアイソレーション電圧を決定する。外部場の抑制を強化し、磁場の漏れを減少させるために、シールド層１０６は、電流導体１０２および磁場検出ユニット１０４の上側および下側に設けられる。比較的高いアイソレーション電圧を実現するために、通常、比較的厚い絶縁誘電体が必要とされる。酸化ケイ素または酸化アルミニウムがアイソレーション層として働く場合、比較的長いコーティング時間が必要とされ、比較的高いコストが必要とされ、ポリイミドまたはＢＣＢなどのポリマー材料がアイソレーション層として働く場合、一部の極端な環境において、例えば、湿気の場合、または高温環境において、装置故障の隠れた危険がある。

上記の問題に鑑みて、本開示の一実施形態は、磁気アイソレータを示す。図２は、本開示の一実施形態に設けられた磁気アイソレータの概略立体構造図である。図３は、本開示に示された磁気アイソレータの断面図であり、その断面に対応する断面線は、Ａ－Ａ’である。図２および図３を参照すると、磁気アイソレータは、基板２０１、磁場生成ユニット、磁場検出ユニット２０３、シールド層２０９、および絶縁誘電体を備える。磁場生成ユニットは、電流導体２０２を備える。電流導体２０２は、基板２０１の片側で第１の方向ｘに沿って延びるように配置され、磁場検出ユニット２０３および電流導体２０２は、基板２０１の同じ側に配置され、磁場検出ユニット２０３は、電流導体２０２の側面に位置し、電流導体２０２と磁場検出ユニット２０３との間の距離は、第２の方向ｙに沿って０よりも大きく、第１の方向ｘは、第２の方向ｙに直交し、絶縁誘電体は、電流導体２０２と磁場検出ユニット２０３との間に配置され、電流導体は、入力端子を含み、入力端子から入力された電流信号は、電流導体２０２を通って流れて電流導体２０２の周りに磁場を生成し、磁場は、磁場検出ユニット２０３の感受方向に成分を有し、磁場検出ユニット２０３によって検出される出力信号は、電流導体２０２の周りに生成される磁場に正比例し、
シールド層２０９および磁場生成ユニット２０３は、基板２０１の同じ側に位置し、シールド層は、外部干渉磁場を吸収するとともに電流導体２０２の周りに生成される磁場の漏れを防ぐように、基板２０１の近くにおよび／または基板２０１から離れて磁場生成ユニットの片側に位置する。

電流導体２０２と磁場検出ユニット２０３との間のアイソレーション電圧は、電流導体２０２と磁場検出ユニット２０３との間の間隔距離に正比例する。間隔距離は、電流導体２０２と磁場検出ユニット２０３との間の接続の長さを指す。

図２および図３を参照すると、具体的には、電流導体２０２は、基板２０１の片側に設けられ、絶縁誘電体は、電流導体２０２とシールド層２０９との間に設けられ得る。磁場検出ユニット２０３および２０５は、電流導体２０２の側面に設けられる。２つの磁場検出ユニットの位置において、電流信号によって生成される磁場の方向は、それぞれ図において矢印２０４および２０６であり、２つの矢印の方向は、磁場検出ユニット２０３および２０５の感受方向でもある。特定の電流値について、磁場検出ユニット２０３および２０５の出力信号が異なるとき、分離された信号出力が実現され得る。

第２の方向に沿って電流導体２０２と磁場検出ユニット２０３との間の間隔距離がａ１であり、電流導体２０２と磁場検出ユニット２０５との間の間隔距離がａ２であり、ａ１およびａ２は、０よりも大きく、アイソレーション電圧の大きさは、間隔距離の長さに関連しており、アイソレーション電圧は、プロセスにおいてとても容易に達成される間隔の長さを増加させることによって増大させることができる。加えて、シールド層２０９は、外部場の抑圧を強化するとともに磁場の漏れを減少させるように、基板２０１の近くにおよび／または基板２０１から離れて、すなわち、図３の上側および下側に電流導体２０２ならびに磁場検出ユニット２０３および２０５の片側に設けられる。

図２および図３をさらに参照すると、上記解決策に基づいて、磁気アイソレータは、磁気濃縮シート２０７をさらに含む。磁気濃縮シート２０７は、磁場検出ユニットの第１の側および第２の側に配置され、第１の側および第２の側は、磁場検出ユニットの２つの反対にあり、第１の側から第２の側への接続方向は、磁場検出ユニットの感受方向と同じまたは反対であり、磁気濃縮シート２０７は、磁場検出ユニットの磁場信号、および磁気アイソレータの信号対ノイズ比を強化するように構成される。

例えば、図３の水平に配置された磁気アイソレータについて、磁場検出ユニットの第１の側は、磁気検出ユニットの上側にあってもよく、第２の側は、磁気検出ユニットの下側にあってもよく、あるいは磁場検出ユニットの第１の側は、磁気検出ユニットの下側にあってもよく、第２の側は、磁気検出ユニットの上側にあってもよい。磁気濃縮シート２０７は、磁場検出ユニットにおける磁場の強度を増大させるために、磁場方向が磁場検出ユニットの感受方向に沿っているように、磁場検出ユニットの第１の側および第２の側に設けられる。

本開示の実施形態により与えられる磁気アイソレータは、基板、磁場生成ユニット、磁場検出ユニット、シールド層、および絶縁誘電体を含み、磁場生成ユニットは電流導体を含み、電流導体は、基板の片側で第１の方向に沿って延びるように配置され、磁場検出ユニットおよび電流導体は、基板の同じ側に配置され、磁場検出ユニットは、電流導体の側面に位置し、電流導体と磁場検出ユニットとの間の距離は、第２の方向に沿って０よりも大きく、第１の方向は、第２の方向に直交し、絶縁誘電体は、電流導体と磁場検出ユニットとの間に配置され、絶縁誘電体は、第２の方向に沿って電流導体と磁場検出ユニットとの間の距離内に配置され、それによって電気的アイソレーションで役割を果たし、アイソレーション強度を改善するのを助け、プロセスを単純化する。シールド層は、外部干渉磁場を吸収し、信号対ノイズ比をさらに改善することができる。

上記の解決策に基づいて、磁気濃縮シートおよびシールド層の材料は、パーマロイ、工業用純鉄、フェライトのうちの少なくとも１つを含む。シリコン基板、水晶基板、またはガラス基板は、基板として用いられる。絶縁誘電体は、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリイミド、およびベンゾシクロブテンのうちの少なくとも１つを含む。

図４は、本開示に示された別の磁気アイソレータの概略断面図である。あるプロセス条件下で、電流導体３０２は、高さ方向に磁場検出ユニット３０３および３０５の中心線から逸脱し、説明は、一例として、電流導体３０２内の電流の方向が紙面に内に直交することで、さらに与えられる。この場合には、図中に矢印３０４および３０６によって示されるように、磁場検出ユニット３０３および３０５の水平成分がある。この設計では、磁場検出ユニット３０３および３０５の感受方向は、水平方向である（水平に配置された磁気アイソレータを一例として採用する）。磁場検出ユニット３０３および３０５の上側および下側に、磁気濃縮シート３０７が、磁場検出ユニットにおける磁場の強度を増大させ、信号出力を改善するために、さらに設けられてもよい。

図５は、本開示の一実施形態において与えられる別の磁気アイソレータの概略立体構造図であり、図６は、本開示の一実施形態において与えられるさらに別の磁気アイソレータの概略立体構造図である。

図５では、４０１は基板であり、磁場検出ユニットは、電流導体４０２の側面に位置し、磁場検出ユニットは、複数の磁気検出素子４０３で構成されたＭ＊Ｎのアレイであり、ただし、ＭおよびＮは、１以上の整数であり、絶縁誘電体は、電流導体４０２と磁気検出素子４０３との間で間隔距離内に設けられ、したがって、磁気アイソレータを形成する。加えて、外部磁場の干渉を低下させ、磁場の漏れを減少させるために、高透磁率を有するシールド層４０５は、磁場検出ユニットの上方および電流導体４０２の上方に設けられる。

図５の磁気アイソレータと比較して、図６の磁気アイソレータは、高透磁率を有した上側および下側シールド層５０５を有し、より良いシールド効果を有する。

図７は、本開示の一実施形態において与えられる磁場検出ユニットの入出力曲線の概略図であり、横座標は、電流導体の周りの電流によって発生する磁場信号を示し、縦座標は、フル・ブリッジ構造式磁場検出ユニットの出力電圧を示す。磁場検出ユニットは、飽和磁場Ｂ１を有する。磁場の絶対値が飽和磁場Ｂ１よりも小さい限り、磁場検出ユニットの出力電圧は、磁場信号に正比例し、磁場信号は、電流信号に正比例する。したがって、磁気検出ユニットの出力電圧は、電流信号に正比例する。

図８は、本開示の一実施形態において与えられるブリッジ構造式磁場検出ユニットの概略回路図であり、８０１から８０４は、４つの磁気検出用抵抗器を表し、各磁気検出用抵抗器は、いくつかの磁気検出素子で構成され、実線矢印は、４つの磁気検出用抵抗器の感受方向であり、破線矢印は、４つの磁気検出用抵抗器の位置における磁場方向である。４つの磁気検出用抵抗器の感受方向は、ペアで互いに反対であるので、磁場が４つの磁気検出用抵抗器に適用されるとき、差分出力信号が形成され、出力曲線が、図７に示されるように、得られ得る。

図９は、本開示の一実施形態において与えられる別のブリッジ構造式磁場検出ユニットの概略構造図である。４つの磁気検出用抵抗器９０１から９０４は、同じ感受方向を有する。レイアウト設計に基づいて、４つの磁気検出用抵抗器の位置における磁場は、ペアで互いに反対に作られてもよく、出力曲線は、図７に示されるように、同様に得られ得る。同じ感受方向により、このブリッジ構造は、外部コモン・モード磁場の干渉を減少させることができる。

電流導体は、例えば、本明細書で本開示に特に限定されるものではないストリップ状または螺旋コイル状であってもよいことに留意されたい。図１０から図１２は、電流導体と磁場検出ユニットとの間の３つの典型的な位置関係の図である。

図１０は、本開示の一実施形態において与えられる電流導体と磁場検出ユニットとの間の位置関係の概略図である。図１０を参照すると、図１０の点線のブロック１００４は、磁場検出ユニットが位置する場所を示し、電流導体１００１は、２つのポート１００２および１００３を含む。電流が電流導体１００１を通って流れるとき、点線のブロック１００４内に同じ方向の磁場があり、磁場は同じ大きさであるとともに同じ方向である。４つの磁気検出用抵抗器が点線のブロック内に配置されるとき、各磁気検出用抵抗器の感受方向は、隣接した磁気検出用抵抗器の感受方向の反対であり、ブリッジ構造は、図８に示されるように、形成され得る。電流導体がコイル状であるとき、コイルの２つのポート１００２および１００３は、それぞれ電流導体の入力端子および出力端子として働くことに留意されたい。磁気検出ユニットは、電流導体の側面にあり、磁場検出ユニットと電流導体の入力端子または出力端子との間の距離は、第２の方向に０よりも大きい。

図１１は、本開示の一実施形態に設けられた電流導体と磁場検出ユニットとの間の別の位置関係の概略図である。図１１を参照すると、電流導体１１０１は、２つのポート１１０２および１１０３も有する。電流が電流導体１１０１を通って流れるとき、点線のブロック１１０３および１１０４内の磁場は、同じ大きさおよび反対方向にある。同じ感度の磁気検出用抵抗器が破線のブロック１１０３および１１０４内に配置されるとき、磁気検出用抵抗器の個数は、実際に必要とされるときに決定することができ、ブリッジ構造は、図９に示されるように、形成されてもよい。

図１２は、本開示の一実施形態に設けられ電流導体と磁場検出ユニットとの間の別の位置関係の概略図である。図１２を参照すると、図１２にはいくつかの点線のブロックがあり、電流導体１２０１は、２つのポート１２０２および１２０３も含む。電流が電流導体１２０１を通って流れるとき、点線のブロック１２０４および１２０５内の磁場は、同じ大きさであり、反対方向である。同じ感度の磁気検出用抵抗器が、破線のブロック１２０４および１２０５内に配置されるとき、ブリッジ構造は、図９に示されるように、形成されてもよい。

図１３から図１５は、出力の形態で３つの磁気アイソレータである。

図１３は、本開示の一実施形態において与えられる、抵抗器の値の出力を伴う磁気アイソレータの電気構造の概略図である。図１３は、抵抗値出力の形態の磁気アイソレータである。図では、１３０１および１３０２は、アイソレータの信号入力端子であり、電流導体は、磁場生成ユニット１３０３内に設けられている。入力信号があるとき、電流導体は、磁場を生成する。磁場検出ユニット１３０４（ホール、ＡＭＲ、ＧＭＲ、またはＴＭＲ抵抗器で構成される抵抗器アレイ）は、磁場を検出し、抵抗値を変化させ、抵抗値は、出力ポート１３０５および１３０６を介して出力される。

本開示の特定の実施形態によれば、磁場検出ユニットは、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子で構成され、ＧＭＲ素子のピン止め層の磁化方向は、ＧＭＲ素子の表面に直交し、ＧＭＲ素子の感受方向は、ＧＭＲ素子の表面に直交し、または
ＧＭＲ素子のピン止め層は、ＧＭＲ素子の表面に平行であり、ＧＭＲ素子の感受方向は、ＴＭＲまたはＧＭＲ素子の表面に平行である。

本開示の別の特定の実施形態によれば、磁場検出ユニットは、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）素子で構成され、ＴＭＲ素子のピン止め層の磁化方向が、ＴＭＲ素子の表面に直交し、ＴＭＲ素子の感受方向が、ＴＭＲ素子の表面に直交し、または
ＴＭＲ素子のピン止め層は、ＴＭＲ素子の表面に平行であり、ＴＭＲ素子の感受方向は、ＴＭＲ素子の表面に平行である。

本開示の別の実施形態によれば、磁場検出ユニットは、ホール素子または異方向性磁気抵抗素子で構成される。

図１４は、本開示の一実施形態において与えられるブリッジされた電圧出力を有する磁気アイソレータの電気構造の概略図である。図では、１４０１および１４０２は、アイソレータの信号入力端子であり、電流導体は、磁場生成ユニット１４０３内に設けられる。入力信号があるとき、電流導体は、磁場を生成する。磁場検出ユニット１４０４は、ハーフ・ブリッジ回路構造またはフル・ブリッジ回路構造を有し、電圧信号を出力し、ポート１４０５および１４０６は、磁場検出ユニットの電源端子であり、ポート１４０７および１４０８は、磁場検出ユニットの電圧出力端子である。

代替として、磁気アイソレータは、信号処理ユニットが、磁場検出ユニットの出力信号を受け入れ処理し、処理された信号を出力するように磁場検出ユニットに電気的に接続される、信号処理ユニットをさらに備える。信号処理ユニットは、直列に連続的に接続されたフィルタ・モジュール、増幅モジュール、比較モジュール、およびレベル変換モジュールを備え、フィルタ・モジュールは、磁場検出ユニットに電気的に接続される。図１５は、本開示の一実施形態において与えられる信号処理を伴う磁気アイソレータの電気構造の概略図である。図では、１５０１および１５０２は、アイソレータの信号入力端子であり、電圧または電流信号は、信号入力端子に入力され、電流導体は、磁場生成ユニット１５０３内に設けられる。入力信号があり、電流導体は、磁場を生成する。磁場検出ユニット１５０４は、ハーフ・ブリッジ回路構造またはフル・ブリッジ回路構造を有し、電圧信号を出力する。信号処理ユニット１５０７は、磁場検出ユニット１５０４の出力信号を受け取り、磁場検出ユニット１５０４の出力信号を処理し、ポート１５０８および１５０９からの処理された出力信号を出力する。ポート１５０５および１５０６は、磁場生成ユニットおよび信号処理ユニットの電源端子である。

創作的作業を行うことなく、本開示の実施形態に基づいて、当業者によって得られる全ての他の実施形態は、本開示の保護範囲に含まれる。本開示は、好ましい実施形態の観点で図示および説明されてきたが、当業者は、本開示の添付の特許請求の範囲に定められた範囲内で、本開示に様々な代替および修正がなされてもよいことを理解されたい。

Claims (10)

1. 基板、磁場生成ユニット、磁場検出ユニット、シールド層、および絶縁誘電体を備える磁気アイソレータであって、
   該磁場生成ユニットは、電流導体を備え、該電流導体は、該基板の片側で第１の方向に沿って延びるように配置され、該磁場検出ユニットおよび該電流導体は、該基板の同じ側に配置され、該磁場検出ユニットは、該電流導体の側面に位置し、該電流導体と該磁場検出ユニットとの間の距離は、第２の方向に沿って０よりも大きく、該第１の方向は、該第２の方向に直交し、
   絶縁誘電体が、該電流導体と該磁場検出ユニットとの間に配置され、該電流導体は、入力端子を備え、該入力端子から入力された電流信号は、該電流導体を通って流れて該電流導体の周りに磁場を生成し、該磁場は、該磁場検出ユニットの感受方向に成分を有し、該磁場検出ユニットによって検出される出力信号は、該電流導体の周りに生成される該磁場に正比例し、
   該シールド層および該磁場生成ユニットは、該基板の該同じ側に位置し、該シールド層は、外部干渉磁場を吸収するとともに該磁場生成ユニットの該電流導体の周りに生成される該磁場の漏れを防ぐように、該基板の近くにおよび／または該基板から離れて該磁場生成ユニットの片側に位置する、磁気アイソレータ。
2. 前記磁場生成ユニットは、電圧変換ユニットをさらに備え、該電圧変換ユニットは、入力された電圧信号を電流信号に変換するように前記電流導体の前記入力端子に電気的に接続される、請求項１に記載の磁気アイソレータ。
3. 信号処理ユニットをさらに備え、該信号処理ユニットは、前記磁場検出ユニットの出力信号を受け入れて処理し、処理された該信号を出力するように該磁場検出ユニットに電気的に接続される、請求項１または２に記載の磁気アイソレータ。
4. 前記信号処理ユニットは、直列に連続的に接続されたフィルタ・モジュール、増幅モジュール、比較モジュール、およびレベル変換モジュールを備え、該フィルタ・モジュールは、前記磁場検出ユニットに電気的に接続される、請求項３に記載の磁気アイソレータ。
5. 前記磁場検出ユニットは、巨大磁気抵抗素子で構成され、該巨大磁気抵抗素子のピン止め層の磁化方向は、該巨大磁気抵抗素子の表面に直交し、該巨大磁気抵抗素子の感受方向は、該巨大磁気抵抗素子の該表面に直交し、または
   該巨大磁気抵抗素子の該ピン止め層は、該巨大磁気抵抗素子の該表面に平行であり、該巨大磁気抵抗素子の該感受方向は、該巨大磁気抵抗素子の該表面に平行である、請求項１に記載の磁気アイソレータ。
6. 前記磁場検出ユニットは、トンネル磁気抵抗素子で構成され、該トンネル磁気抵抗素子のピン止め層の磁化方向は、該トンネル磁気抵抗素子の表面に直交し、該トンネル磁気抵抗素子の感受方向は、該トンネル磁気抵抗素子の該表面に直交し、または
   該トンネル磁気抵抗素子の該ピン止め層は、該トンネル磁気抵抗素子の該表面に平行であり、該トンネル磁気抵抗素子の該感受方向は、該トンネル磁気抵抗素子の該表面に平行である、請求項１に記載の磁気アイソレータ。
7. 前記磁場検出ユニットは、ホール素子または異方向性磁気抵抗素子で構成される、請求項１に記載の磁気アイソレータ。
8. 前記磁場検出ユニットの第１の側および第２の側に配置された磁気濃縮シートをさらに備え、該第１の側および該第２の側は、該磁場検出ユニットの２つの反対の側であり、該第１の側から該第２の側への接続方向は、前記磁場検出ユニットの前記感受方向と同じまたは反対であり、該磁気濃縮シートは、前記電流導体によって生成される磁場信号、および前記磁気アイソレータの信号対ノイズ比を強化するように構成される、請求項１に記載の磁気アイソレータ。
9. 前記磁気濃縮シートおよび前記シールド層の材料は、パーマロイ、工業用純鉄、フェライトのうちの少なくとも１つを含む、請求項８に記載の磁気アイソレータ。
10. シリコン基板、水晶基板、またはガラス基板は、前記基板として用いられ、
    前記絶縁誘電体は、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリイミド、およびベンゾシクロブテンのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の磁気アイソレータ。
    

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