JP2022518595A - ケイ素含有膜のための組成物及びその組成物を使用する方法 - Google Patents
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
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- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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Abstract
Description
本出願は、2019年2月1日に提出された米国仮出願第62/800085号に対する優先権を主張していて、その全体の内容は、全ての可能な目的のために、それに対する参照によって、本明細書に組み込まれる。
(a)以下の式I:
(b)少なくとも1つの溶媒と
を含む組成物が提供される。本明細書において説明される組成物の特定の実施態様において、例示的な溶媒は、以下に限定するものではないが、エーテル、第三級アミン、アルキル炭化水素、芳香族炭化水素、シロキサン、第三級アミノエーテル及びそれらの組み合わせを含む。特定の実施態様において、ケイ素化合物の沸点と溶媒の沸点との差は、40℃以下、約30℃未満、幾つかの場合においては約20℃未満、最も好ましくは10℃未満である。
基材の少なくとも1つの表面を反応チャンバー中に提供する工程と;
以下の式I:
を含む方法が提供される。
a.基材を反応器中に提供する工程と;
b.以下の式I:
c.パージガスを用いて反応器をパージする工程と;
d.酸素含有源を反応器中に導入する工程と;
e.パージガスを用いて反応器をパージする工程と
を含み、工程b~eが、所望の厚さの膜が得られるまで繰り返される方法が提供される。
a.基材を反応器中に提供する工程と;
b.以下の式I:
c.酸素含有源を提供して、少なくとも1つの表面に膜を堆積する工程と
を含む方法が提供される。特定の実施態様において、R1とR2とは同じである。幾つかの他の実施態様において、R1とR2とは異なる。
a.基材を反応器中に提供する工程;
b.以下の式I:
c.パージガスを用いて反応器をパージする工程;
d.窒素含有源を反応器中に導入する工程;
e.パージガスを用いて反応器をパージする工程
を含み、工程b~eが、所望の厚さの窒化ケイ素膜が得られるまで繰り返される方法が提供される。特定の実施態様において、R1とR2とは同じである。幾つかの他の実施態様において、R1とR2とは異なる。
a.基材を反応器中に提供する工程と;
b.以下の式I:
c.窒素含有源を提供する工程であって、少なくとも1つのシラザン前駆体と窒素含有源とが反応して、少なくとも1つの表面に膜を堆積する工程と
を含む方法が提供される。特定の実施態様において、R1とR2とは同じである。幾つかの他の実施態様において、R1とR2とは異なる。
a.1つ又は複数の基材を反応器中に配置し、周囲温度~約1000℃の範囲の1つ又は複数の温度に反応器を加熱する工程と;
b.以下の式I:
c.還元剤源を反応器中に提供して、少なくとも1つのシラザン前駆体と少なくとも部分的に反応させて、1つ又は複数の基材にケイ素含有膜を堆積する工程と
を含む。還元剤は、水素、水素プラズマ及び塩化水素からなる群から選択される。CVD方法の特定の実施態様において、反応器は、導入する工程の間、10mTorr~760Torrの圧力に保たれる。上の工程は、本明細書において説明される方法のための1サイクルを規定し、工程のサイクルは、所望の厚さの膜が得られるまで繰り返すことができる。幾つかの実施態様において、R1とR2とは同じである。他の実施態様において、R1とR2とは異なる。
a.基材を反応器中に提供する工程;
b.以下の式I:
を含み、工程bが、所望の厚さの膜が得られるまで繰り返される方法が提供される。特定の実施態様において、膜の厚さは1Å以上、1~10000Å、1~1000Å又は1~100Åである。
a.基材をALD反応器中に提供する工程と;
b.以下の式I:
c.パージガスを使用して、任意の未反応の少なくとも1つのシラザン前駆体を反応器からパージする工程と;
d.窒素含有源を反応器中に提供して、化学吸着された少なくとも1つのシラザン前駆体と反応させる工程と;
e.任意選択で、任意の未反応の窒素含有源をパージ又はポンピングする工程と
を含むALD、PEALD、CCVD又はPECCVD堆積方法を使用して形成される。工程b~eは、ケイ素及び窒素の両方を含有する膜の所望の厚さに到達するまで繰り返される。上の発明の1つの特定の実施態様において、窒化ケイ素又は炭素ドープされた窒化ケイ素の高温堆積について、基材温度は、600℃~850℃、650℃~800℃又は700℃~800℃である。別の実施態様において、窒化ケイ素又は炭素ドープされた窒化ケイ素の低温堆積について、とりわけX=Iについて、基材温度は、20℃~500℃、20℃~400℃又は50℃~400℃である。
a.基材を反応器中に提供する工程と;
b.以下の式I:
c.酸素とともにパージガスを用いて、反応器をパージする工程と;
d.酸素含有プラズマを導入する工程と;
e.パージガスを用いて反応器をパージするか、又は反応器をポンピングする工程と
を含み、工程b~eが、所望の厚さの膜が得られるまで繰り返される方法が提供される。本発明の幾つかの実施態様において、酸化ケイ素の低温堆積のために、基材温度は20℃~500℃、20℃~400℃又は50℃~400℃である。
a.基材を反応器中に提供する工程と;
b.以下の式I:
c.パージガスを使用して、未反応の少なくとも1つのシラザン前駆体をパージする工程と;
d.酸素含有源を、加熱された基材にあるシラザン前駆体に提供して、化学吸着された少なくとも1つのシラザン前駆体と反応させる工程と;
e.任意選択で、任意の未反応の酸素含有源をパージ又はポンピングする工程と
を含むALD堆積方法を使用して形成される。
a.基材を反応器中に提供する工程と;
b.窒素含有源と、以下の式I:
c.パージガスを用いて反応器をパージする工程と;
d.窒素含有プラズマを導入する工程と;
e.パージガスを用いて反応器をパージするか、又は反応器をポンピングする工程と
を含み、工程b~eが、所望の厚さの膜が得られるまで繰り返される方法が提供される。上の発明の1つの特定の実施態様において、窒化ケイ素又は酸炭窒化ケイ素の低温堆積について、とりわけX=Iについて、基材温度は、20℃~500℃、20℃~400℃又は50℃~400℃である。
a.1つ又は複数の基材を反応器中に配置して、周囲温度~約1000℃の範囲の1つ又は複数の温度に反応器を加熱する工程と;
b.以下の式I:
c.酸素含有源を反応器中に提供して、少なくとも1つのシラザン前駆体と少なくとも部分的に反応させて、1つ又は複数の基材にケイ素含有膜を堆積する工程と
を含む。CVD方法の特定の実施態様において、導入する工程の間に、反応器は、10mTorr~760Torrの圧力に保持される。上の工程は、本明細書において説明される方法のための1サイクルを規定し;サイクルは、所望の厚さのケイ素含有膜が得られるまで繰り返すことができる。この実施態様又は他の実施態様において、本明細書において説明される方法の工程は、様々な順序で行うことができ、順次に又は同時に(例えば別の工程の少なくとも一部の間に)、及びそれらの任意の組み合わせで行うことができると考えられる。前駆体及び酸素含有源を供給するそれぞれの工程は、それらを供給するための期間を変えて行って、得られるケイ素含有膜の化学量論的な組成を変えることができるが、常に、利用可能なケイ素に対する化学量論的な量より少ない量で酸素を使用する。
a.1つ又は複数の基材を反応器中に配置して、周囲温度~約1000℃の範囲の1つ又は複数の温度に反応器を加熱する工程と;
b.以下の式I:
c.還元剤源を反応器中に提供して、少なくとも1つのシラザン前駆体と少なくとも部分的に反応させて、1つ又は複数の基材にケイ素含有膜を堆積する工程であって、還元剤が、水素、水素プラズマ、塩化水素からなる群から選択される工程と
を含む。CVD方法の特定の実施態様において、導入する工程の間に、反応器は、10mTorr~760Torrの圧力に保持される。上の工程は、本明細書において説明される方法のための1サイクルを規定し;サイクルは、所望の厚さの膜が得られるまで繰り返すことができる。
a.1つ又は複数の基材を反応器中に配置して、周囲温度~約1000℃の範囲の1つ又は複数の温度に反応器を加熱する工程と;
b.以下の式I:
d.窒素含有源を反応器中に提供して、少なくとも1つのシラザン前駆体と少なくとも部分的に反応させて、1つ又は複数の基材にケイ素含有膜を堆積する工程と
を含む。CVD方法の特定の実施態様において、導入する工程の間に、反応器は、10mTorr~760Torrの圧力に保持される。
a.1つ又は複数の基材を反応器中に配置して、周囲温度~約1000℃の範囲の1つ又は複数の温度に反応器を加熱する工程と;
b.以下の式I:
c.パージガスを用いて反応器をパージする工程と;
d.プラズマ源を反応器中に提供して、少なくとも1つのシラザン前駆体と少なくとも部分的に反応させて、1つ又は複数の基材にケイ素含有膜を堆積する工程と;
e.パージガスを用いて反応器をパージする工程と
を含む。
a.表面特徴を備える1つ又は複数の基材をALD反応器中に配置して、約600℃~約800℃の範囲の1つ又は複数の温度に反応器を加熱して、任意選択で、100Torr以下の圧力に反応器を保持する工程と;
b.1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-メチル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-エチル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-n-プロピル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-イソ-プロピル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサブロモ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサヨード-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-テトラクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,3,3-テトラクロロ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-シクロペンチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-シクロヘキシルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-シクロペンチルジシラザン、及び1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-シクロヘキシルジシラザンからなる群から選択される少なくとも1つのシラザンを反応器中に導入する工程と;
c.不活性ガスを用いて反応器をパージして、それによって未反応のケイ素前駆体を除去し、パージガス及びケイ素前駆体を含む組成物を形成する工程と;
d.窒素源を反応器中に提供して、表面と反応させて、炭窒化ケイ素膜を形成する工程と;
e.不活性ガスを用いてパージして、反応副生成物を除去する工程と;
f.酸素含有源を反応器中に提供する工程と;
g.不活性ガスを用いてパージして、反応副生成物を除去する工程と
を含む。工程b~gを繰り返して、所望の厚さの酸窒化ケイ素又は酸炭窒化ケイ素を提供する。
h.表面特徴を備える1つ又は複数の基材を反応器中に配置して、周囲温度~約550℃の範囲の1つ又は複数の温度に反応器を加熱して、任意選択で、100Torr以下の圧力に反応器を保持する工程と;
i.1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-メチル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-エチル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-n-プロピル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-イソ-プロピル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサブロモ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサヨード-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-テトラクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,3,3-テトラクロロ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-シクロペンチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-シクロヘキシルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-シクロペンチルジシラザン、及び1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-シクロヘキシルジシラザンからなる群から選択される少なくとも1つのシラザンを反応器中に導入する工程と;
j.不活性ガスを用いて反応器をパージして、それによって未反応のケイ素前駆体を除去し、パージガス及びケイ素前駆体を含む組成物を形成する工程と;
k.窒素源を反応器中に提供して、表面と反応させて、炭窒化ケイ素膜を形成する工程と;
l.不活性ガスを用いてパージして、反応副生成物を除去する工程と;
m.工程c~fを繰り返して、所望の厚さの炭素ドープされた窒化ケイ素を提供する工程と;
n.インサイチュで、又は別のチャンバー中でのいずれかで、ほぼ周囲温度~1000℃又は約100℃~400℃の範囲の1つ又は複数の温度で、酸素源を用いた炭素ドープされた窒化ケイ素膜の後堆積処理を提供して、炭素ドープされた窒化ケイ素膜を炭素ドープされた酸化ケイ素膜に変換する工程と;
o.炭素ドープされた酸化ケイ素膜の、水素を含むプラズマへの後堆積暴露を提供して、膜の特性を改善し、膜の特性のうち少なくとも1つを改善する工程と;
p.任意選択で、400~1000℃の温度におけるスパイクアニール、又はUV光源を用いて炭素ドープされた酸化ケイ素膜を後堆積処理する工程と
を含む。この実施態様又は他の実施態様において、UV暴露工程は、膜堆積の間か、又は堆積が完了した後のいずれかで行うことができる。
a.表面特徴を備える1つ又は複数の基材を反応器中に(例えば従来型のALD反応器中に)配置する工程と;
b.周囲温度~約550℃の範囲の1つ又は複数の温度に反応器を加熱して、任意選択で、100Torr以下の圧力に反応器を保持する工程と;
c.1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-メチル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-エチル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-n-プロピル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-イソ-プロピル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサブロモ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサヨード-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-テトラクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,3,3-テトラクロロ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-シクロペンチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-シクロヘキシルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-シクロペンチルジシラザン、及び1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-シクロヘキシルジシラザンからなる群から選択される少なくとも1つのシラザンを反応器中に導入する工程と;
d.不活性ガスを用いて反応器をパージする工程と;
e.窒素源を反応器中に提供して、表面と反応させて、炭素ドープされた窒化ケイ素膜を形成する工程と;
f.不活性ガスを用いて反応器をパージして、反応副生成物を除去する工程と;
g.工程c~fを繰り返して、所望の厚さの炭素ドープされた窒化ケイ素を提供する工程と;
h.インサイチュで、又は別のチャンバー中でのいずれかで、ほぼ周囲温度~1000℃又は約100℃~400℃の範囲の1つ又は複数の温度で、酸素源を用いた炭素ドープされた窒化ケイ素膜の後堆積処理を提供して、炭素ドープされた窒化ケイ素膜を炭素ドープされた酸化ケイ素膜に変換する工程と;
i.炭素ドープされた酸化ケイ素膜の、水素を含むプラズマへの後堆積暴露を提供して、膜の物理的特性のうち少なくとも1つを改善する工程と;
j.任意選択で、400~1000℃の温度における熱アニール、又はUV光源を用いて炭素ドープされた酸化ケイ素膜を後堆積処理する工程と
を含む。この実施態様又は他の実施態様において、UV暴露工程は、膜堆積の間か、又は堆積が完了した後のいずれかで行うことができる。
a.表面特徴を備える1つ又は複数の基材を反応器中に配置する工程と;
b.周囲温度~約150℃の範囲の1つ又は複数の温度に反応器を加熱して、任意選択で、100Torr以下の圧力に反応器を保持する工程と;
c.1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-メチル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-エチル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-n-プロピル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-イソ-プロピル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサブロモ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサヨード-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-テトラクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,3,3-テトラクロロ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-シクロペンチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-シクロヘキシルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-シクロペンチルジシラザン、及び1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-シクロヘキシルジシラザンからなる群から選択される少なくとも1つのシラザン、並びに触媒を反応器中に導入する工程と;
d.不活性ガスを用いて反応器をパージする工程と;
e.水の蒸気を反応器中に提供して、前駆体並びに触媒と反応させて、炭素ドープされた酸化ケイ素の堆積されたままの膜を形成する工程と;
f.不活性ガスを用いて反応器をパージして、反応副生成物を除去する工程と;
g.工程c~fを繰り返して、所望の厚さの炭素ドープされた酸化ケイ素を提供する工程と;
h.処理された膜の、水素を含むプラズマへの後堆積暴露を提供して、膜の特性を改善して、膜の特性のうち少なくとも1つを改善する工程と;
i.任意選択で、400~1000℃の温度におけるスパイクアニール、又はUV光源を用いて、炭素ドープされた酸化ケイ素膜を後堆積処理する工程と
を含む。この実施態様又は他の実施態様において、UV暴露工程は、膜堆積の間か、又は堆積が完了した後のいずれかで行うことができる。
Claims (12)
- 以下の式I:
- シラザン前駆体が、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサブロモ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-メチル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-エチル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-n-プロピル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-イソ-プロピル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサヨード-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-テトラクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,3,3-テトラクロロ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-シクロペンチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-シクロヘキシルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-シクロペンチルジシラザン、及び1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-シクロヘキシルジシラザンからなる群から選択される、請求項1に記載の組成物。
- (a)式I:
(b)ある沸点を有する溶媒であって、溶媒の沸点と、少なくとも1つのシラザンの沸点との差が40℃以下である溶媒と
を含み、かつ有機アミン、ハライドイオン及び金属イオンを実質的に含有しない、組成物。 - シラザン前駆体が、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-メチル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-エチル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-n-プロピル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-イソ-プロピル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサブロモ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサヨード-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-テトラクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,3,3-テトラクロロ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-シクロペンチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-シクロヘキシルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-シクロペンチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-シクロヘキシルジシラザンからなる群から選択される少なくとも1つを含む、請求項3に記載の組成物。
- 溶媒が、エーテル、第三級アミン、アルキル炭化水素、芳香族炭化水素及び第三級アミノエーテルからなる群から選択される少なくとも1つを含む、請求項3に記載の組成物。
- 化学気相堆積プロセス及び原子層堆積プロセスから選択される堆積プロセスによって、基材の少なくとも1つの表面にケイ素含有膜を形成する方法であって、
基材の少なくとも1つの表面を反応チャンバー中に提供する工程と;
以下の式I:
窒素含有源を反応器中に導入する工程であって、少なくとも1つのシラザン前駆体と窒素含有源とが反応して、少なくとも1つの表面に膜を形成する工程と
を含み、シラザンが、有機アミン、ハライドイオン及び金属イオンを実質的に含有しない、方法。 - 少なくとも1つのシラザンが、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-メチル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-エチル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-n-プロピル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-イソ-プロピル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサブロモ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサヨード-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-テトラクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,3,3-テトラクロロ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-シクロペンチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-シクロヘキシルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-シクロペンチルジシラザン、及び1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-シクロヘキシルジシラザンからなる群から選択される、請求項6に記載の方法。
- 窒素含有源が、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、窒素、窒素/水素、アンモニアプラズマ、窒素プラズマ、窒素/水素プラズマ及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項6に記載の方法。
- ケイ素含有膜が、窒化ケイ素及び炭窒化ケイ素からなる群から選択される、請求項6に記載の方法。
- プラズマ強化原子層堆積及びプラズマ強化サイクル性化学気相堆積から選択される堆積プロセスによる非晶質膜及び結晶性膜から選択されるケイ素含有膜を形成する方法であって、
1つ又は複数の基材を反応器中に配置して、周囲温度~約1000℃の範囲の1つ又は複数の温度に反応器を加熱する工程と;
以下の式I:
パージガスを用いて反応器をパージする工程と;
プラズマ源を反応器中に提供して、少なくとも1つのシラザン前駆体と少なくとも部分的に反応させて、1つ又は複数の基材にケイ素含有膜を堆積する工程と;
パージガスを用いて反応器をパージする工程と
を含む、方法。 - プラズマ源が、水素及びアルゴンを含むプラズマ、水素及びヘリウムを含むプラズマ、アルゴンプラズマ、ヘリウムプラズマ並びにそれらの混合物からなる群から選択される、請求項6に記載の方法。
- 少なくとも1つのシラザンが、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-メチル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-エチル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-n-プロピル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3-ペンタクロロ-2-イソ-プロピル-3-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサブロモ-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ブロモ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヘキサヨード-2-メチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-エチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-n-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-n-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,1,3,3,3-ヨード-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-テトラクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-n-ブチルジシラザン、1,3,3-テトラクロロ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラブロモ-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-メチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-エチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-n-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-イソ-プロピルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-n-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-イソ-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-sec-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラヨード-2-tert-ブチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-シクロペンチルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-2-シクロヘキシルジシラザン、1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-シクロペンチルジシラザン、及び1,1,3,3-テトラクロロ-1,3-ジメチル-2-シクロヘキシルジシラザンからなる群から選択される、請求項10に記載の方法。
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