JP2022509103A - 基板上の限界寸法測定の方法、および基板上の電子デバイスを検査し、カッティングするための装置 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図4A
Description
Claims (21)
- 基板上の限界寸法測定のための方法であって、
前記基板の主表面がXY平面内にある状態で、前記基板を支持することと、
前記基板の前記主表面の平面に対して第1の角度で角度を付けられた集束イオンビームカラムでノッチをカッティングすることと、
前記基板の前記主表面の前記平面に対して前記第1の角度とは異なる第2の角度で角度を付けられた光軸を有する第1の画像化荷電粒子ビーム顕微鏡で、前記ノッチに隣接する1つ以上の構造の第1の寸法および第2の寸法であって、前記XY平面内にある第1の寸法および第2の寸法のうちの少なくとも1つを、原寸に比例して測定することと、
前記光軸を有する前記第1の画像化荷電粒子ビーム顕微鏡で、前記XY平面に対して角度を付けられた方向において、前記1つ以上の構造の第3の寸法を原寸に比例して測定することと、
を含む方法。 - 前記第1の寸法または前記第2の寸法が、特に前記XY平面内における、前記基板上の距離である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の角度が、約42°から約48°である、請求項1または2に記載の方法。
- 前記第2の角度が、約89°から約91°である、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 画像であって、第1の寸法および第2の寸法のうちの少なくとも1つを測定することが、前記画像に基づいており、前記第3の寸法を測定することが、前記画像に基づいている、画像を得るために、前記ノッチを含む前記基板の領域を画像化することを、さらに含む、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1の寸法、前記第2の寸法、および前記第3の寸法のうちの少なくとも1つを測定することが、前記画像の強度信号によって測定される限界寸法測定である、請求項5に記載の方法。
- 原寸に比例して測定された前記第1の寸法または前記第2の寸法の所望の寸法を決定することと、
前記所望の寸法に基づいて、原寸に比例して測定された前記第3の寸法を補正することと、
をさらに含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。 - 前記第1の角度および前記第2の角度が、固定されている、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板を支持するためのステージが、X方向、Y方向、およびZ方向の移動ならびに前記XY平面内での回転に限定される、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- 基板上の限界寸法測定のための方法であって、
前記基板内に生成されたノッチを含む画像を得るために、走査荷電粒子ビームデバイスであって、前記走査荷電粒子ビームデバイスの画像化平面が前記基板の主表面に平行である、走査荷電粒子ビームデバイスで、前記基板上に設けられた1つ以上の構造を画像化することと、
前記画像において、3次元座標系の3つの異なる方向に沿って限界寸法を原寸に比例して測定することと、
を含む方法。 - 前記3つの異なる方向が、第1の方向、第2の方向、および第3の方向を含み、前記第1の方向および前記第2の方向が、前記基板の前記主表面に平行な平面を規定し、前記第3の方向が、前記平面に対して角度を付けられており、特に前記平面にほぼ垂直である、請求項10に記載の方法。
- 前記平面が、XY平面であり、前記第3の方向が、z方向である、請求項11に記載の方法。
- 前記限界寸法が、前記ノッチに隣接する1つ以上の構造の第1の寸法および第2の寸法のうちの少なくとも1つ、ならびに第3の寸法を含み、前記第3の寸法が、層の厚さである、請求項10から12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記画像の焦点深度が、5μmよりも大きく、かつ/または30μmよりも小さい、請求項10から13のいずれか一項に記載の方法。
- 基板を検査し、前記基板上の電子デバイスをカッティングするための装置であって、
真空チャンバ、
前記真空チャンバ内に配置されたステージであって、前記電子デバイスを上に有する前記基板を支持するように構成されたステージ、
前記ステージの上方の集束イオンビームカラムであって、前記基板の主表面の平面に対して第1の角度で角度を付けられたビーム経路を有する集束イオンビームカラム、および
前記集束イオンビームカラムに隣接し、前記基板の前記主表面の前記平面に対して第2の角度で角度を付けられた光軸を有する第1の画像化荷電粒子ビーム顕微鏡であって、前記第2の角度が前記第1の角度とは異なっており、前記第2の角度が、光学的歪みを低減するように構成され、前記第1の角度が、前記電子デバイスの3つの方向に沿った原寸に比例した限界寸法測定を可能にするように構成されている、第1の画像化荷電粒子ビーム顕微鏡、
を備える装置。 - 前記第1の角度が、約42°から約48°である、請求項15に記載の、基板を検査し、前記基板上の電子デバイスをカッティングするための装置。
- 前記第2の角度が、約89°から約91°である、請求項15または16に記載の、基板を検査し、前記基板上の電子デバイスをカッティングするための装置。
- 基板受容領域を提供する前記ステージが、前記第1の画像化荷電粒子ビーム顕微鏡から前記基板受容領域のサイズの30%から70%の距離がある第2の画像化荷電粒子ビーム顕微鏡を、さらに備える、請求項15から17のいずれか一項に記載の、基板を検査し、前記基板上の電子デバイスをカッティングするための装置。
- プロセッサと、前記プロセッサによって実行されると、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法を前記装置に実行させる命令を格納するメモリと、を備えるコントローラを、さらに備える、請求項15から18のいずれか一項に記載の、基板を検査し、前記基板上の電子デバイスをカッティングするための装置。
- 前記真空チャンバが、基板受容領域の150%から180%の内側寸法を有する、請求項15から19のいずれか一項に記載の、基板を検査し、前記基板上の電子デバイスをカッティングするための装置。
- 第2の画像化荷電粒子ビーム顕微鏡が、前記第1の画像化荷電粒子ビーム顕微鏡から少なくとも30cmの距離だけ離れている、請求項15から20のいずれか一項に記載の、基板を検査し、前記基板上の電子デバイスをカッティングするための装置。
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