JP2022501650A - リソグラフィ装置におけるオブジェクト - Google Patents
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Abstract
Description
[0001] 本願は、2018年10月1日出願の欧州出願第18197937.8号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
−基準フレームに対する基板/支持テーブルのアライメント、
−レンズの(再)調整、セットアップ、加熱補償、及び、
−レチクル(マスク)加熱補償、
のために使用される。
センサのマークは、支持テーブル内に一体化された透明(クォーツ)板上に堆積される薄膜層のスタックに統合され、また、
−DUVのための透過型空間フィルタ(Integrated Lens Interferometry At Scanner「ILIAS」センサ、パラレルILIASセンサ(PARIS)、透過型イメージセンサ「TIS」センサ機能)
−可視放射「VIS」、近赤外線「NIR」、中赤外線「MIR」のための反射型空間フィルタ(Smart Alignment Sensor Hybrid「SMASH」センサ機能)
として作用する。
−任意選択で、放射ビームB(例えばUV放射又はDUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
−パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
−特定のパラメータに従った、例えば基板Wのテーブルの表面を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された、支持テーブル、例えば、1つ以上のセンサを支持するためのセンサテーブル、あるいは基板(例えば、レジストコートされた製品基板)Wを保持するように構築された基板テーブル又はウェーハテーブルWTと、
−パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ以上のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSと、を備える。
深紫外線(DUV)のための透過型空間フィルタ(PARIS、ILIAS、TIS機能)、及び、
VIS、NIR、MIRのための反射型空間フィルタ(SMASH機能)
として作用する。
1)総厚み〜100nm(例えば、50〜200nm)の青色クロム(CrOx−Cr−CrOx)310、320、330の連続層が、クォーツ板200上に堆積される。青色クロム310、320、330は、クォーツ板200の下に配置された材料600からの可視光の二次反射を最小限にする必要がある。この材料600はDUVを可視光に変換し、可視光はセンサによってキャプチャされる。投影システムPSからのDUVは、青色クロム310、320、330内にパターン付与されたスルーホール100を通る。CrOxの組成は、Cr2O3、CrOxNy、又はCrOxNyCzのいずれかである。青色クロム310、320、330内の層は、下層310 CrOx=10〜80nm厚さ、中層320 Cr=5〜60nm厚さ、及び上層330 CrOx=20〜100nm厚さである。
2)PARIS/ILIAS/TIS/SMASHマーク(1D及び2D格子)のパターン及び他のマークは、リソグラフィ堆積され、その後、クォーツ表面が露光される(エッチング停止として作用する)まで、青色クロム310、320、330内でエッチングされる。スルーホール100がパターンを形成する。
3)総厚みが最大300nm又は100nm未満のTiNの層350が、青色クロム310、320、330及びクォーツ板200の頂部に堆積され、パターンに従う。この層350はVIS/NIR/MIRの反射を介して測定のためのマークを提供し、これらのマークを介して光がクォーツ(VIS/IR/DUV)から漏出することはない。この層は、放射遮断層とみなすことができる。
4)親水性が制限されたコーティングの外側層400(例えば、好ましくはLipocer(登録商標)などのメチル基を伴う、例えばSi−O−Si−O主鎖を伴う、無機ポリマ)が、(下側)層350の頂部に塗布される。以下ではLipocerについて言及する(ただし、限定することは意図していない)。例えば、外側層400は任意の無機及び/又は有機ケイ素ポリマを含んでよい。ポリマは、メチル、エチル、プロピル、フェニル、ビニルから選択された、1つ以上の基を有することができる。Lipocerは下側(TiN)層350上に堆積され、センサを伴う支持テーブルWTが液体閉じ込め構造12の下から移動する間の水分損失を最小限にする。外側(Lipocer)層は、典型的には1〜300nmの厚みを有するが、それ以上、例えば500nmまで可能である。
5)測定手順に起因して高DUVドーズが予期される、センサ板上のいくつかのスポットにおいて、Lipocerは例えば除去されて存在しない(典型的には、スポットは〜100×100μm2であるが、それよりも大きい、例えば〜2×2cm2であってもよい)。
−格子は一定の縮尺ではなく、典型的なタイルサイズ(すなわち、パターンの正方形のサイズ)であり、格子のライン幅は1〜10umである。
−DUV(レチクルマーク及びレンズを介して投影される)は、青色クロム310、320、330内のスルーホール100を通る。
−(SMASH測定システムの放射源からの)IR/VISは、主に界面Lipocer/TiNから反射され、一部の反射は界面TiN/青色クロムでも発生する可能性がある。
−レベルセンサは、Lipocerからの反射、及び/又はTiNからの反射に基づく。
オブジェクトを備え、オブジェクトが、
基板及び外側層を備え、外側層が、使用中、液浸液と接触し、
外側層が希土類元素を含む組成物を有する、
液浸リソグラフィ装置。
2.組成物が無機及び/又は有機ケイ素ポリマを更に含む、条項1の液浸リソグラフィ装置。
3.ポリマがSi−O−Si−O主鎖を有する、条項2の液浸リソグラフィ装置。
4.希土類元素の一部が主鎖においてSiと部分的に置き換わる、条項3の液浸リソグラフィ装置。
5.ポリマが、メチル、エチル、プロピル、フェニル、ビニルから選択された1つ以上の基を有する、条項2、3、又は4の液浸リソグラフィ装置。
6.希土類元素が少なくとも部分的に酸化、窒化、ホウ化、炭化、又はケイ化される、条項1から4のいずれかの液浸リソグラフィ装置。
7.基板と外側層との間に中間層を更に備える、条項1から6のいずれか一項のリソグラフィ液浸装置。
8.中間層が、SiO2、SiO2−xのうちの1つ以上を含む、条項7のリソグラフィ液浸装置。
9.中間層が1nmから1μmの間、好ましくは10nmから300nmの間の厚みを有する、条項7又は8のいずれかの液浸リソグラフィ装置。
10.外側層が、基板からの距離が増加するにつれて増加する層厚みを介する希土類元素の濃度勾配を有する、条項1から9のいずれかの液浸リソグラフィ装置。
11.希土類元素が、0.1原子%から50原子%、好ましくは2.0原子%から30原子%の濃度(原子百分率)で外側層の外側表面内に存在する、条項1から10のいずれかの液浸リソグラフィ装置。
12.希土類元素が、10原子%より大きい濃度で外側層の外側表面内に存在する、条項1から11のいずれかの液浸リソグラフィ装置。
13.外側層が、1nmから300nmの間、好ましくは1nmから30nmの間の厚みを有する、条項1から12のいずれかの液浸リソグラフィ装置。
14.基板上に形成されるスルーホールのパターン及び/又は内部に形成されるステップを含む、少なくとも1つのパターン付き層を備え、外側層がパターン付き層の少なくとも一部の上に形成される、条項1から13のいずれかの液浸リソグラフィ装置。
15.外側層の下の基板上に形成された放射遮断層を更に備える、条項1から14のいずれかの液浸リソグラフィ装置。
16.放射遮断層がTiNを含む、条項15の液浸リソグラフィ装置。
17.外側層が深紫外線放射に対して透過型であり、外側層の透過率は少なくとも50%、好ましくは少なくとも90%である、条項1から16のいずれか一項の液浸リソグラフィ装置。
18.水が外側層と少なくとも75°の、好ましくは少なくとも90°の後退接触角を作る、条項1から17のいずれか一項の液浸リソグラフィ装置。
19.オブジェクトがセンサである、条項1から18のいずれかの液浸リソグラフィ装置。
20.センサが深紫外線のための透過型空間フィルタを備える、条項19の液浸リソグラフィ装置。
21.センサが透過型イメージセンサ又は集積レンズ干渉計センサである、条項19又は20の液浸リソグラフィ装置。
22.オブジェクトがセンサマークである、条項1から19のいずれかの液浸リソグラフィ装置。
23.センサマークが反射型空間フィルタである、条項22の液浸リソグラフィ装置。
24.センサマークがアライメントセンサのセンサマークである、条項22又は23の液浸リソグラフィ装置。
25.希土類元素が、セリウム(Ce)、ランタン(La)、イットリウム(Y)、ジスプロシウム(Dy)、エルビウム(Er)、ホルミウム(Ho)、サマリウム(Sm)、ツリウム(Tm)を含む基からの1つ以上の元素である、条項1から24のいずれかの液浸リソグラフィ装置。
26.外側層が、使用中、深紫外線放射に直接的又は間接的に露光される、条項1から25のいずれかの液浸リソグラフィ装置。
27.リソグラフィ装置のためのオブジェクトであって、
基板及び外側層を備え、
水が外側層と少なくとも75°の後退接触角を作り、
外側層が希土類元素を含む組成物を有する、
リソグラフィ装置のためのオブジェクト。
28.基板をコーティングする方法であって、
基板を提供すること、
(a)少なくとも1つのスパッタリングターゲット材料が希土類元素を含む、スパッタリング、及び(b)前駆体ガス/反応性ガスのうちの少なくとも1つが希土類元素を含む、PVD及び/又はCVD及び/又はALD、及び(c)プラズマ誘起(共)重合、及び(d)イオン源が金属蒸気アーク源であり、また蒸気が少なくとも部分的に希土類を含む、イオン注入、のうちの少なくとも1つによって、希土類元素を含む組成物を有する外側層を基板上に堆積させること、
を含む、基板をコーティングする方法。
29.希土類元素を含む組成物の堆積が先行されるか、あるいは、組成物がポリマ又はSiO2を含むように、(a)無機/有機ケイ素ポリマの堆積、又は(b)SiO2又はSiO2−xの堆積の、いずれかと交互に起こる、条項28の方法。
30.希土類元素を含む組成物の堆積が先行されるか、あるいは、組成物がポリマを含むように、PVD及び/又はプラズマ誘起重合による無機/有機ケイ素ポリマの堆積と交互に起こる、条項29の方法。
31.希土類元素を含む組成物の堆積が先行されるか、あるいは、組成物がSiO2を含むように、スパッタリング又はALDによるSiO2又はSiO2−xの堆積と交互に起こる、条項29の方法。
32.希土類元素を含む組成物の堆積が、重合、及び/又は共重合、及び/又は混合された、希土類元素の堆積である、条項28の方法。
33.組成物が、PVD又はプラズマ誘起重合によって堆積された無機及び/又は有機ケイ素ポリマを更に含む、条項28又は32の方法。
34.希土類元素が、少なくとも部分的に酸化、窒化、ホウ化、炭化、又はケイ化される、条項28から33のいずれかの方法。
35.基板をコーティングする方法であって、
基板を提供すること、
それによって共重合及び/又は共有結合した無機単量体及び希土類元素を含む基板上に外側層を堆積させるために、揮発性物質の形の希土類元素及び無機/有機ケイ素ポリマ前駆体の化合物を含む、酸化性大気に基板を晒すこと、
を含む、基板をコーティングする方法。
Claims (19)
- 液浸リソグラフィ装置であって、
オブジェクトを備え、前記オブジェクトが、
基板及び外側層を備え、前記外側層が、使用中、液浸液と接触し、
前記外側層が希土類元素を含む組成物を有する、
液浸リソグラフィ装置。 - 前記組成物が無機及び/又は有機ケイ素ポリマを更に含む、請求項1の液浸リソグラフィ装置。
- 前記ポリマがSi−O−Si−O主鎖を有する、請求項2の液浸リソグラフィ装置。
- 前記ポリマが、メチル、エチル、プロピル、フェニル、ビニルから選択された1つ以上の基を有する、請求項2の液浸リソグラフィ装置。
- 前記希土類元素が少なくとも部分的に酸化、窒化、ホウ化、炭化、又はケイ化される、請求項1又は2の液浸リソグラフィ装置。
- 前記オブジェクトが、前記基板と前記外側層との間に中間層を更に備える、請求項1又は2の液浸リソグラフィ装置。
- 前記中間層が、SiO2、SiO2−xのうちの1つ以上を含む、請求項7のリソグラフィ液浸装置。
- 前記外側層が、前記基板からの距離が増加するにつれて増加する前記層厚みを介する希土類元素の濃度勾配を有する、請求項1又は2の液浸リソグラフィ装置。
- 前記希土類元素が、0.1原子%から50原子%の前記濃度(原子百分率)で前記外側層の外側表面内に存在する、請求項1又は2の液浸リソグラフィ装置。
- 前記オブジェクトが、前記基板上に形成されるスルーホールのパターン及び/又は内部に形成されるステップを含む、少なくとも1つのパターン付き層を備え、前記外側層が前記パターン付き層の少なくとも一部の上に形成される、請求項1又は2の液浸リソグラフィ装置。
- 前記オブジェクトが、前記外側層の下の前記基板上に形成された放射遮断層を更に備える、請求項1から14のいずれかの液浸リソグラフィ装置。
- 前記放射遮断層がTiNを含む、請求項11の液浸リソグラフィ装置。
- 前記外側層が深紫外線放射に対して透過型であり、前記外側層の透過率は少なくとも50%である、請求項1又は2の液浸リソグラフィ装置。
- 前記オブジェクトがセンサである、請求項1から13のいずれかの液浸リソグラフィ装置。
- 前記希土類元素が、セリウム(Ce)、ランタン(La)、イットリウム(Y)、ジスプロシウム(Dy)、エルビウム(Er)、ホルミウム(Ho)、サマリウム(Sm)、ツリウム(Tm)を含む基からの1つ以上の元素である、請求項1又は2の液浸リソグラフィ装置。
- リソグラフィ装置のためのオブジェクトであって、
基板及び外側層を備え、
水が前記外側層と少なくとも75°の後退接触角を作り、
前記外側層が希土類元素を含む組成物を有する、
リソグラフィ装置のためのオブジェクト。 - 基板をコーティングする方法であって、
基板を提供すること、
(a)少なくとも1つのスパッタリングターゲット材料が希土類元素を含む、スパッタリング、及び、
(b)前駆体ガス/反応性ガスのうちの少なくとも1つが希土類元素を含む、PVD及び/又はCVD及び/又はALD、及び、
(c)プラズマ誘起(共)重合、及び、
(d)イオン源が金属蒸気アーク源であり、また蒸気が少なくとも部分的に希土類を含む、イオン注入、
のうちの少なくとも1つによって、希土類元素を含む組成物を有する外側層を前記基板上に堆積させること、
を含む、基板をコーティングする方法。 - 希土類元素を含む前記組成物の前記堆積が先行されるか、あるいは、前記組成物が前記ポリマ又はSiO2を含むように、(a)無機/有機ケイ素ポリマの堆積、又は(b)SiO2又はSiO2−xの堆積の、いずれかと交互に起こる、請求項28の方法。
- 基板をコーティングする方法であって、
基板を提供すること、
それによって共重合及び/又は共有結合した無機単量体及び希土類元素を含む前記基板上に外側層を堆積させるために、揮発性物質の形の希土類元素及び無機/有機ケイ素ポリマ前駆体の化合物を含む、酸化性大気に前記基板を晒すこと、
を含む、基板をコーティングする方法。
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