JP2022189845A - resin composition - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin composition that reduction of dielectric characteristics of a hardened material and generation control of a flow mark are possible.
SOLUTION: A resin composition contains (A) epoxy resin, (B) curing agent and (C) inorganic filler. The (B) component contains (B-1) an active ester resin that the softening point is not more than 100°C, (B-2) an active ester resin with two functional groups, or (B-3) an active ester resin that the molecular weight is not more than 1000.
SELECTED DRAWING: None
COPYRIGHT: (C)2023,JPO&INPIT

Description

本発明は、エポキシ樹脂及び硬化剤を含む樹脂組成物；上記樹脂組成物の硬化物；上記樹脂組成物を含む樹脂シート；上記硬化物を含む回路基板；上記硬化物を含む半導体チップパッケージ；及び上記半導体チップパッケージを備える半導体装置に関する。 The present invention provides a resin composition containing an epoxy resin and a curing agent; a cured product of the resin composition; a resin sheet containing the resin composition; a circuit board containing the cured product; a semiconductor chip package containing the cured product; The present invention relates to a semiconductor device including the above semiconductor chip package.

近年、スマートフォン、タブレット型デバイスといった小型の高機能電子機器の需要が増大しており、それに伴い、これら小型の電子機器に用いられる半導体チップパッケージ用絶縁材料も更なる高機能化が求められている。このような絶縁層は、樹脂組成物を硬化して形成されるもの等が知られている（例えば特許文献１参照）。 In recent years, the demand for small, high-performance electronic devices such as smartphones and tablet devices has increased, and along with this, there is a demand for even higher functionality in insulating materials for semiconductor chip packages used in these small electronic devices. . Such an insulating layer is known to be formed by curing a resin composition (see, for example, Patent Document 1).

特開２０１７－００８３１２号公報JP 2017-008312 A

半導体チップパッケージ用絶縁材料は、今後の小型化・薄膜化のますますの要求の高まりの中、誘電特性を低くすることが求められる。しかし、従来の絶縁材料のうち、誘電特性が低い材料はフローマークが発生しやすい。 Insulating materials for semiconductor chip packages are required to have low dielectric properties as the demand for miniaturization and thinning is increasing in the future. However, among conventional insulating materials, materials with low dielectric properties tend to generate flow marks.

本発明の課題は、硬化物の誘電特性の低減とフローマークの発生抑制とが可能な樹脂組成物を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a resin composition capable of reducing the dielectric properties of a cured product and suppressing the generation of flow marks.

本発明の課題を達成すべく、本発明者らは鋭意検討した結果、（Ｂ）硬化剤として、（Ｂ－１）軟化点が１００℃以下の活性エステル樹脂、（Ｂ－２）２官能の活性エステル樹脂又は（Ｂ－３）分子量が１，０００以下の活性エステル樹脂を使用することにより、上記の課題の解決が可能であることを見出し、本発明を完成させるに至った。 In order to achieve the object of the present invention, the present inventors have made intensive studies and found that (B) as a curing agent, (B-1) an active ester resin having a softening point of 100 ° C. or less, (B-2) a bifunctional The inventors have found that the above problems can be solved by using an active ester resin or (B-3) an active ester resin having a molecular weight of 1,000 or less, and have completed the present invention.

すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］ （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）無機充填材を含む樹脂組成物であって、（Ｂ）成分が、（Ｂ－１）軟化点が１００℃以下の活性エステル樹脂を含む、樹脂組成物。
［２］ （Ｂ－１）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、１質量％～５０質量％である、上記［１］に記載の樹脂組成物。
［３］ （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）無機充填材を含む樹脂組成物であって、（Ｂ）成分が、（Ｂ－２）２官能の活性エステル樹脂を含む、樹脂組成物。
［４］ （Ｂ－２）成分が、式（１）： That is, the present invention includes the following contents.
[1] A resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) an inorganic filler, wherein the component (B) comprises (B-1) an active agent having a softening point of 100° C. or less A resin composition comprising an ester resin.
[2] The resin composition according to [1] above, wherein the content of component (B-1) is 1% by mass to 50% by mass when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass.
[3] A resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) an inorganic filler, wherein the component (B) contains (B-2) a bifunctional active ester resin , resin composition.
[4] Component (B-2) is represented by formula (1):

Figure 2022189845000001
Figure 2022189845000001

［式中、環Ｘ、Ｙ及びＺは、それぞれ独立して、さらに置換基を有していてもよい芳香環を示す。］
で表される化合物である、上記［３］に記載の樹脂組成物。
［５］ （Ｂ）成分が、さらに、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、アミン系硬化剤、及び酸無水物系硬化剤から選ばれる１種以上の硬化剤を含む、上記［１］～［４］の何れかに記載の樹脂組成物。
［６］ （Ａ）成分が、液状エポキシ樹脂である、上記［１］～［５］の何れかに記載の樹脂組成物。
［７］ （Ｃ）成分の平均粒径が、１μｍ～４０μｍである、上記［１］～［６］の何れかに記載の樹脂組成物。
［８］ （Ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、８０質量％以上である、上記［１］～［７］の何れかに記載の樹脂組成物。
［９］ ２５℃で液状である、上記［１］～［８］の何れかに記載の樹脂組成物。
［１０］ 半導体チップパッケージの絶縁層を形成するための上記［１］～［９］の何れかに記載の樹脂組成物。
［１１］ 回路基板の絶縁層を形成するための上記［１］～［９］の何れかに記載の樹脂組成物。
［１２］ 半導体チップパッケージの半導体チップを封止するための上記［１］～［９］の何れかに記載の樹脂組成物。
［１３］ 上記［１］～［１２］の何れかに記載の樹脂組成物の硬化物。
［１４］ 支持体と、上記支持体上に設けられた上記［１］～［１２］の何れかに記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
［１５］ 上記［１］～［１２］の何れかに記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む回路基板。
［１６］ 上記［１５］に記載の回路基板と、当該回路基板に搭載された半導体チップと、を含む半導体チップパッケージ。
［１７］ 半導体チップと、当該半導体チップを封止する上記［１］～［１２］の何れかに記載の樹脂組成物の硬化物と、を含む半導体チップパッケージ。
［１８］ 上記［１６］又は［１７］に記載の半導体チップパッケージを備える半導体装置。
［１９］ （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）無機充填材を含む樹脂組成物であって、（Ｂ）成分が、（Ｂ－３）分子量が１，０００以下の活性エステル樹脂を含む、樹脂組成物。 [In the formula, rings X, Y and Z each independently represent an aromatic ring which may further have a substituent. ]
The resin composition according to [3] above, which is a compound represented by
[5] Component (B) further contains one or more curing agents selected from phenol-based curing agents, naphthol-based curing agents, amine-based curing agents, and acid anhydride-based curing agents [1] to The resin composition according to any one of [4].
[6] The resin composition according to any one of [1] to [5] above, wherein component (A) is a liquid epoxy resin.
[7] The resin composition according to any one of [1] to [6] above, wherein the component (C) has an average particle size of 1 μm to 40 μm.
[8] The resin composition according to any one of [1] to [7] above, wherein the content of component (C) is 80% by mass or more when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass. thing.
[9] The resin composition according to any one of [1] to [8], which is liquid at 25°C.
[10] The resin composition according to any one of [1] to [9] above for forming an insulating layer of a semiconductor chip package.
[11] The resin composition according to any one of [1] to [9] above for forming an insulating layer of a circuit board.
[12] The resin composition according to any one of the above [1] to [9] for encapsulating a semiconductor chip in a semiconductor chip package.
[13] A cured product of the resin composition according to any one of [1] to [12] above.
[14] A resin sheet comprising a support and a resin composition layer containing the resin composition according to any one of [1] to [12] provided on the support.
[15] A circuit board comprising an insulating layer formed from a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [12] above.
[16] A semiconductor chip package including the circuit board according to [15] above and a semiconductor chip mounted on the circuit board.
[17] A semiconductor chip package comprising a semiconductor chip and a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [12] for encapsulating the semiconductor chip.
[18] A semiconductor device comprising the semiconductor chip package according to [16] or [17] above.
[19] A resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) an inorganic filler, wherein the component (B) comprises (B-3) an active compound having a molecular weight of 1,000 or less A resin composition comprising an ester resin.

本発明によれば、硬化物の誘電特性の低減とフローマークの発生抑制とが可能な樹脂組成物；上記樹脂組成物の硬化物；上記樹脂組成物を含む樹脂シート；上記硬化物を含む回路基板；上記硬化物を含む半導体チップパッケージ；及び上記半導体チップパッケージを備える半導体装置を提供することができる。 According to the present invention, a resin composition capable of reducing the dielectric properties of a cured product and suppressing the generation of flow marks; the cured product of the resin composition; the resin sheet containing the resin composition; the circuit containing the cured product A substrate; a semiconductor chip package containing the cured product; and a semiconductor device comprising the semiconductor chip package can be provided.

以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。ただし、本発明は、下記実施形態及び例示物に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施され得る。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will now be described in detail with reference to its preferred embodiments. However, the present invention is not limited to the following embodiments and examples, and can be arbitrarily modified without departing from the scope of the claims of the present invention and their equivalents.

＜樹脂組成物＞
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）無機充填材を含む。第１の実施形態では、（Ｂ）成分は、（Ｂ－１）軟化点が１００℃以下の活性エステル樹脂を含む。第２の実施形態では、（Ｂ）成分は、（Ｂ－２）２官能の活性エステル樹脂を含む。第３の実施形態では、（Ｂ）成分は、（Ｂ－３）分子量が１，０００以下の活性エステル樹脂を含む。 <Resin composition>
The resin composition of the present invention contains (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) an inorganic filler. In the first embodiment, component (B) contains (B-1) an active ester resin having a softening point of 100° C. or lower. In a second embodiment, component (B) contains (B-2) a bifunctional active ester resin. In a third embodiment, component (B) contains (B-3) an active ester resin having a molecular weight of 1,000 or less.

このような樹脂組成物を用いることにより、硬化物の誘電特性の低減とフローマークの発生抑制との両方を達成できる。さらに、このような樹脂組成物によれば、一実施形態において、長期にわたって維持可能な半導体チップに対する密着性、優れた貯蔵弾性率を備える硬化物を得ることができる。 By using such a resin composition, it is possible to achieve both reduction in the dielectric properties of the cured product and suppression of flow marks. Furthermore, according to such a resin composition, in one embodiment, it is possible to obtain a cured product having a long-term maintainable adhesion to a semiconductor chip and an excellent storage elastic modulus.

本発明の樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）無機充填材の他に、さらに任意の成分を含んでいてもよい。任意の成分としては、例えば、（Ｄ）硬化促進剤、（Ｅ）有機溶剤、及び（Ｆ）その他の添加剤が挙げられる。以下、樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。 The resin composition of the present invention may further contain optional components in addition to (A) the epoxy resin, (B) the curing agent, and (C) the inorganic filler. Optional components include, for example, (D) a curing accelerator, (E) an organic solvent, and (F) other additives. Each component contained in the resin composition will be described in detail below.

＜（Ａ）エポキシ樹脂＞
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂を含有する。 <(A) Epoxy resin>
The resin composition of the present invention contains (A) an epoxy resin.

（Ａ）エポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ－ブチル－カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 (A) Epoxy resins include, for example, bixylenol type epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol S type epoxy resins, bisphenol AF type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, and trisphenol type epoxy resins. Epoxy resin, naphthol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin , cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, epoxy resin having a butadiene structure, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resin, cyclohexane type epoxy resin, cyclohexane Examples include dimethanol type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, trimethylol type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin and the like. Epoxy resins may be used singly or in combination of two or more.

樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂として、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、（Ａ）エポキシ樹脂の不揮発成分１００質量％に対して、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。 The resin composition preferably contains an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule as (A) the epoxy resin. From the viewpoint of obtaining the desired effects of the present invention remarkably, the ratio of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule to 100% by mass of the non-volatile components of the epoxy resin (A) is preferably 50% by mass. % or more, more preferably 60 mass % or more, and particularly preferably 70 mass % or more.

エポキシ樹脂には、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」ということがある。）と、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」ということがある。）とがある。一実施形態では、本発明の樹脂組成物は、エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂を含む。一実施形態では、本発明の樹脂組成物は、エポキシ樹脂として、固体状エポキシ樹脂を含む。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とは、組み合わせて用いてもよい。本発明の樹脂組成物は、エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂のみを含むことが好ましい。 Epoxy resins include liquid epoxy resins at a temperature of 20° C. (hereinafter sometimes referred to as “liquid epoxy resins”) and solid epoxy resins at a temperature of 20° C. (hereinafter sometimes referred to as “solid epoxy resins”). ). In one embodiment, the resin composition of the present invention contains a liquid epoxy resin as the epoxy resin. In one embodiment, the resin composition of the present invention contains a solid epoxy resin as the epoxy resin. A liquid epoxy resin and a solid epoxy resin may be used in combination. The resin composition of the present invention preferably contains only a liquid epoxy resin as the epoxy resin.

液状エポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましい。 A liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferable as the liquid epoxy resin.

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましい。 Examples of liquid epoxy resins include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidyl amine type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, ester skeleton. An alicyclic epoxy resin, a cyclohexane type epoxy resin, a cyclohexanedimethanol type epoxy resin, and an epoxy resin having a butadiene structure are preferred.

液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「８２８ＥＬ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」、「８２５」、「エピコート８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ８０７」、「１７５０」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）；ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＰ－３９５０Ｓ」、「ＥＰ－３９５０Ｌ」、「ＥＰ－３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）；ナガセケムテックス社製の「ＥＸ－７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ（ＣＥＬ２０２１Ｐ）」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「ＰＢ－３６００」、日本曹達社製の「ＪＰ－１００」、「ＪＰ－２００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４－グリシジルシクロヘキサン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of liquid epoxy resins include "HP4032", "HP4032D", and "HP4032SS" (naphthalene type epoxy resins) manufactured by DIC; "828US", "828EL", "jER828EL", and "825" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; ", "Epikote 828EL" (bisphenol A type epoxy resin); "jER807" and "1750" (bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "jER152" (phenol novolac type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; Mitsubishi Chemical "630", "630LSD" (glycidylamine type epoxy resin); ADEKA "EP-3950S", "EP-3950L", "EP-3980S" (glycidylamine type epoxy resin); Nippon Steel "ZX1059" manufactured by Sumikin Chemical Co., Ltd. (mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin); "EX-721" manufactured by Nagase ChemteX Corporation (glycidyl ester type epoxy resin); "Celoxide" manufactured by Daicel Corporation 2021P (CEL2021P)” (alicyclic epoxy resin having an ester skeleton); “PB-3600” manufactured by Daicel Corporation, “JP-100” and “JP-200” manufactured by Nippon Soda Co., Ltd. (epoxy resin having a butadiene structure ); “ZX1658” and “ZX1658GS” (liquid 1,4-glycidylcyclohexane type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., and the like. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

固体状エポキシ樹脂としては、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましく、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する芳香族系の固体状エポキシ樹脂がより好ましい。 The solid epoxy resin is preferably a solid epoxy resin having 3 or more epoxy groups per molecule, more preferably an aromatic solid epoxy resin having 3 or more epoxy groups per molecule.

固体状エポキシ樹脂としては、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましい。 Solid epoxy resins include bixylenol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, and tetraphenylethane type epoxy resin.

固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ－４７００」、「ＨＰ－４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ－６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ－６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ－７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ－７２００ＨＨ」、「ＨＰ－７２００Ｈ」、「ＥＸＡ－７３１１」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ３」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＥＰＰＮ－５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフトール型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ７７００」（キシレン構造含有ノボラック型エポキシ樹脂）；大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ－１００」、「ＣＧ－５００」；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of solid epoxy resins include "HP4032H" (naphthalene-type epoxy resin) manufactured by DIC; "HP-4700" and "HP-4710" (naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin) manufactured by DIC; "N-690" (cresol novolac type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "N-695" (cresol novolac type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "HP-7200" (dicyclopentadiene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; DIC's "HP-7200HH", "HP-7200H", "EXA-7311", "EXA-7311-G3", "EXA-7311-G4", "EXA-7311-G4S", "HP6000" ( Naphthylene ether type epoxy resin); Nippon Kayaku Co., Ltd. "EPPN-502H" (trisphenol type epoxy resin); Nippon Kayaku Co., Ltd. "NC7000L" (naphthol novolac type epoxy resin); "NC3000H", "NC3000", "NC3000L", "NC3100" (biphenyl type epoxy resin); "ESN475V" (naphthol type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.; type epoxy resin); "YX4000H", "YX4000", "YL6121" (biphenyl type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "YX4000HK" (bixylenol type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; YX8800" (anthracene type epoxy resin); "YX7700" (xylene structure-containing novolac type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical; "PG-100" and "CG-500" manufactured by Osaka Gas Chemicals; "YL7760" (bisphenol AF type epoxy resin); "YL7800" (fluorene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "jER1010" (solid bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; jER1031S" (tetraphenylethane type epoxy resin) and the like. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

（Ａ）エポキシ樹脂として液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて用いる場合、液状エポキシ樹脂の固体状エポキシ樹脂に対する質量比（液状エポキシ樹脂／固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、好ましくは１以上、より好ましくは１０以上、特に好ましくは５０以上である。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比が斯かる範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。 (A) When a combination of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin is used as the epoxy resin, the mass ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin (liquid epoxy resin/solid epoxy resin) is preferably It is 1 or more, more preferably 10 or more, and particularly preferably 50 or more. The desired effect of the present invention can be remarkably obtained by setting the amount ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin within such a range.

（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～５０００ｇ／ｅｑ．、より好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～３０００ｇ／ｅｑ．、さらに好ましくは８０ｇ／ｅｑ．～２０００ｇ／ｅｑ．、さらにより好ましくは１１０ｇ／ｅｑ．～１０００ｇ／ｅｑ．である。この範囲となることで、樹脂シートの硬化物の架橋密度が十分となり、表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。エポキシ当量は、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。このエポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができる。 (A) The epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 50 g/eq. ~5000g/eq. , more preferably 50 g/eq. ~3000g/eq. , more preferably 80 g/eq. ~2000g/eq. , even more preferably 110 g/eq. ~1000 g/eq. is. Within this range, the crosslink density of the cured product of the resin sheet is sufficient, and an insulating layer with a small surface roughness can be obtained. Epoxy equivalent weight is the mass of resin containing one equivalent of epoxy groups. This epoxy equivalent can be measured according to JIS K7236.

（Ａ）エポキシ樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは１００～５０００、より好ましくは１００～３０００、さらに好ましくは１００～１５００である。樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、ポリスチレン換算の値として測定できる。 (A) The weight average molecular weight (Mw) of the epoxy resin is preferably 100 to 5,000, more preferably 100 to 3,000, and still more preferably 100 to 1,500 from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention. The weight average molecular weight of the resin can be measured as a polystyrene-equivalent value by a gel permeation chromatography (GPC) method.

樹脂組成物中の「不揮発成分」を１００質量％とした場合、（Ａ）エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されるものではないが、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは１質量％以上、より好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上、特に好ましくは４質量％以上である。その上限は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下、特に好ましくは１０質量％以下である。 When the "non-volatile component" in the resin composition is 100% by mass, the content of (A) the epoxy resin is not particularly limited, but from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention, it is preferable. is 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, still more preferably 3% by mass or more, and particularly preferably 4% by mass or more. The upper limit is preferably 50% by mass or less, more preferably 30% by mass or less, even more preferably 20% by mass or less, and particularly preferably 10% by mass or less, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention.

樹脂組成物中の「樹脂成分」を１００質量％とした場合、（Ａ）エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されるものではないが、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは２０質量％以上、より好ましくは３０質量％以上、さらに好ましくは４０質量％以上、特に好ましくは４５質量％以上である。その上限は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは９０質量％以下、より好ましくは７０質量％以下、さらに好ましくは６０質量％以下、特に好ましくは５０質量％以下である。 When the "resin component" in the resin composition is 100% by mass, the content of (A) the epoxy resin is not particularly limited, but from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention, it is preferable. is 20% by mass or more, more preferably 30% by mass or more, still more preferably 40% by mass or more, and particularly preferably 45% by mass or more. The upper limit is preferably 90% by mass or less, more preferably 70% by mass or less, even more preferably 60% by mass or less, and particularly preferably 50% by mass or less, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention.

本明細書において「樹脂成分」とは、樹脂組成物から（Ｃ）無機充填剤を除いた残りの全不揮発成分を意味する。したがって、「樹脂成分」には、低分子化合物も含まれ得る。 As used herein, the term "resin component" means all remaining non-volatile components of the resin composition excluding (C) the inorganic filler. Therefore, the "resin component" may also include low-molecular-weight compounds.

＜（Ｂ）硬化剤＞
本発明の樹脂組成物は、（Ｂ）硬化剤を含有する。（Ｂ）硬化剤は、（Ａ）エポキシ樹脂を硬化する機能を有する。 <(B) Curing agent>
The resin composition of the present invention contains (B) a curing agent. (B) The curing agent has a function of curing (A) the epoxy resin.

樹脂組成物中の「不揮発成分」を１００質量％とした場合、（Ｂ）硬化剤の含有量は、特に限定されるものではないが、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは４質量％以上、特に好ましくは５質量％以上である。その上限は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下、特に好ましくは１０質量％以下である。 When the "non-volatile component" in the resin composition is 100% by mass, the content of (B) the curing agent is not particularly limited, but from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention, it is preferable is 1% by mass or more, more preferably 3% by mass or more, still more preferably 4% by mass or more, and particularly preferably 5% by mass or more. The upper limit is preferably 50% by mass or less, more preferably 30% by mass or less, even more preferably 20% by mass or less, and particularly preferably 10% by mass or less, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention.

樹脂組成物中の「樹脂成分」を１００質量％とした場合、（Ｂ）硬化剤の含有量は、特に限定されるものではないが、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは２０質量％以上、より好ましくは３０質量％以上、さらに好ましくは４０質量％以上、特に好ましくは５０質量％以上である。その上限は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは９０質量％以下、より好ましくは７０質量％以下、さらに好ましくは６０質量％以下、特に好ましくは５５質量％以下である。 When the "resin component" in the resin composition is 100% by mass, the content of (B) the curing agent is not particularly limited, but from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention, it is preferable. is 20% by mass or more, more preferably 30% by mass or more, still more preferably 40% by mass or more, and particularly preferably 50% by mass or more. The upper limit is preferably 90% by mass or less, more preferably 70% by mass or less, even more preferably 60% by mass or less, and particularly preferably 55% by mass or less, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention.

第１の実施形態では、（Ｂ）硬化剤は、（Ｂ－１）軟化点が１００℃以下の活性エステル樹脂を含む。第２の実施形態では、（Ｂ）成分は、（Ｂ－２）２官能の活性エステル樹脂を含む。第３の実施形態では、（Ｂ）成分は、（Ｂ－３）分子量が１，０００以下の活性エステル樹脂を含む。 In the first embodiment, (B) the curing agent contains (B-1) an active ester resin having a softening point of 100° C. or lower. In a second embodiment, component (B) contains (B-2) a bifunctional active ester resin. In a third embodiment, component (B) contains (B-3) an active ester resin having a molecular weight of 1,000 or less.

活性エステル樹脂とは、エポキシ樹脂のエポキシ基と付加反応可能なエステル化合物をいう。活性エステル樹脂は、エポキシ樹脂のエポキシ基との付加反応で水酸基を発生させない特徴を有する。したがって、硬化剤として活性エステル樹脂を用いることにより、得られる硬化物中の極性基濃度を低減できるため、低誘電特性を実現できる。 An active ester resin means an ester compound capable of addition reaction with an epoxy group of an epoxy resin. The active ester resin has the characteristic that it does not generate a hydroxyl group through an addition reaction with the epoxy group of the epoxy resin. Therefore, by using an active ester resin as a curing agent, the concentration of polar groups in the resulting cured product can be reduced, and low dielectric properties can be achieved.

＜（Ｂ－１）軟化点が１００℃以下の活性エステル樹脂＞
（Ｂ－１）成分の活性エステル樹脂は、軟化点が１００℃以下である限り特に限定されるものではない。軟化点は、例えば、ＪＩＳ Ｋ２３５１に基づく環球法により測定することができる。（Ｂ－１）成分を用いることにより、樹脂組成物の組成の均一性を高めることができるので、フローマークの発生を抑制することができる。（Ｂ－１）成分としては、好ましくは、軟化点が１００℃以下の２官能の活性エステル樹脂（「２官能の活性エステル樹脂」については下記の説明の通り）であり、より好ましくは、式（１）： <(B-1) Active ester resin having a softening point of 100°C or less>
The active ester resin of component (B-1) is not particularly limited as long as it has a softening point of 100° C. or lower. The softening point can be measured, for example, by the ring and ball method based on JIS K2351. By using the component (B-1), the uniformity of the composition of the resin composition can be improved, so that the occurrence of flow marks can be suppressed. Component (B-1) is preferably a bifunctional active ester resin having a softening point of 100° C. or less (“bifunctional active ester resin” is described below), and more preferably, the formula (1):

Figure 2022189845000002
Figure 2022189845000002

［式中、環Ｘ、Ｙ及びＺは、それぞれ独立して、さらに置換基を有していてもよい芳香環を示す。］
で表される２官能の活性エステル樹脂のうち軟化点が１００℃以下のものであり、さらに好ましくは、式（２）： [In the formula, rings X, Y and Z each independently represent an aromatic ring which may further have a substituent. ]
Among the bifunctional active ester resins represented by the formula (2):

Figure 2022189845000003
Figure 2022189845000003

［式中、環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥは、それぞれ独立して、さらに置換基を有していてもよいベンゼン環を示す。］
で表される２官能の活性エステル樹脂のうち軟化点が１００℃以下のものである。 [In the formula, rings A, B, C, D and E each independently represent a benzene ring which may further have a substituent. ]
The softening point of the bifunctional active ester resin represented by is 100° C. or less.

本明細書中、「芳香環」とは、環上のπ電子系に含まれる電子数が４ｎ＋２個（ｎは自然数）のヒュッケル則に従う環を意味し、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環が挙げられる。 As used herein, the term "aromatic ring" means a ring having 4n+2 (n is a natural number) electrons contained in the π-electron system on the ring and conforming to Hückel's rule, aromatic hydrocarbon rings and aromatic heterocycles is mentioned.

本明細書中、「芳香族炭化水素環」とは、炭素原子を環構成原子とする芳香環を意味する。「芳香族炭化水素環」は、好ましくは炭素原子数６～１４の芳香族炭化水素環、より好ましくは炭素原子数６～１０の芳香族炭化水素環である。「芳香族炭化水素環」としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等が挙げられる。 As used herein, the term "aromatic hydrocarbon ring" means an aromatic ring having carbon atoms as ring-constituting atoms. The "aromatic hydrocarbon ring" is preferably an aromatic hydrocarbon ring having 6 to 14 carbon atoms, more preferably an aromatic hydrocarbon ring having 6 to 10 carbon atoms. Examples of the "aromatic hydrocarbon ring" include benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring and the like.

本明細書中、「芳香族複素環」とは、環構成原子として炭素原子以外に窒素原子、硫黄原子、酸素原子等の（好ましくは１～４個の）ヘテロ原子を含有する芳香環を意味する。「芳香族複素環」としては、好ましくは５～１４員の芳香族複素環、より好ましくは５～１０員の芳香族複素環が挙げられる。「芳香族複素環」としては、例えば、チオフェン環、フラン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、１，２，４－オキサジアゾール環、１，３，４－オキサジアゾール環、１，２，４－チアジアゾール環、１，３，４－チアジアゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、トリアジン環等の５又は６員の単環式芳香族複素環；ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾトリアゾール環等の８～１４員の縮合芳香族複素環が挙げられる。 As used herein, the term "aromatic heterocyclic ring" means an aromatic ring containing (preferably 1 to 4) heteroatoms such as nitrogen atoms, sulfur atoms, oxygen atoms in addition to carbon atoms as ring-constituting atoms. do. The “aromatic heterocycle” preferably includes a 5- to 14-membered aromatic heterocycle, more preferably a 5- to 10-membered aromatic heterocycle. Examples of the "aromatic heterocyclic ring" include thiophene ring, furan ring, pyrrole ring, imidazole ring, pyrazole ring, thiazole ring, isothiazole ring, oxazole ring, isoxazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, 1,2,4-oxadiazole ring, 1,3,4-oxadiazole ring, 1,2,4-thiadiazole ring, 1,3,4-thiadiazole ring, triazole ring, tetrazole ring, triazine ring 5- or 6-membered monocyclic aromatic heterocycle such as; and 14-membered fused aromatic heterocycles.

式（１）の「さらに置換基を有していてもよい芳香環」、式（２）の「さらに置換基を有していてもよいベンゼン環」それぞれにおけるさらなる置換基は、特に限定されるものではないが、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリール基、アリールオキシ基、アリールカルボニル基、アラルキル基、芳香族複素環基、非芳香族複素環基等が挙げられる。 Further substituents in each of the "aromatic ring optionally further having substituents" of formula (1) and the "benzene ring optionally further having substituents" of formula (2) are particularly limited. Examples include halogen atoms, alkyl groups, alkenyl groups, alkoxy groups, alkylcarbonyl groups, aryl groups, aryloxy groups, arylcarbonyl groups, aralkyl groups, aromatic heterocyclic groups, non-aromatic heterocyclic groups, etc. is mentioned.

本明細書中、「ハロゲン原子」としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。 As used herein, the "halogen atom" includes, for example, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and the like.

本明細書中、「アルキル基」は、直鎖、分枝鎖又は環状の１価の脂肪族飽和炭化水素基を意味する。「アルキル基」の炭素原子数は、好ましくは１～６であり、より好ましくは１～４であり、さらに好ましくは１～３である。「アルキル基」としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１－エチルプロピル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、１，１－ジメチルブチル基、２，２－ジメチルブチル基、３，３－ジメチルブチル基、２－エチルブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。 As used herein, an "alkyl group" means a linear, branched or cyclic monovalent saturated aliphatic hydrocarbon group. The “alkyl group” preferably has 1 to 6 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and still more preferably 1 to 3 carbon atoms. "Alkyl group" includes, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, 1-ethylpropyl group, hexyl group, isohexyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 2,2-dimethylbutyl group, 3,3-dimethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc. is mentioned.

本明細書中、「アルケニル基」とは、少なくとも１つの炭素－炭素二重結合を有する直鎖、分枝鎖又は環状の１価の不飽和脂肪族炭化水素基を意味する。「アルケニル基」の炭素原子数は、好ましくは２～６であり、より好ましくは２～４であり、さらに好ましくは２又は３である。「アルケニル基」としては、例えば、エテニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基、２－メチル－１－プロペニル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、３－メチル－２－ブテニル基、１－ペンテニル基、２－ペンテニル基、３－ペンテニル基、４－ペンテニル基、４－メチル－３－ペンテニル基、１－ヘキセニル基、３－ヘキセニル基、５－ヘキセニル基、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられる。 As used herein, "alkenyl group" means a linear, branched or cyclic monovalent unsaturated aliphatic hydrocarbon group having at least one carbon-carbon double bond. The "alkenyl group" preferably has 2 to 6 carbon atoms, more preferably 2 to 4 carbon atoms, and still more preferably 2 or 3 carbon atoms. Examples of the "alkenyl group" include ethenyl, 1-propenyl, 2-propenyl, 2-methyl-1-propenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 3-methyl- 2-butenyl group, 1-pentenyl group, 2-pentenyl group, 3-pentenyl group, 4-pentenyl group, 4-methyl-3-pentenyl group, 1-hexenyl group, 3-hexenyl group, 5-hexenyl group, cyclobutenyl group, cyclopentenyl group, cyclohexenyl group, and the like.

本明細書中、「アルコキシ基」とは、アルキル基が酸素原子に結合して形成される１価の基（アルキル－Ｏ－）を意味する。「アルコキシ基」の炭素原子数は、好ましくは１～６であり、より好ましくは１～４であり、さらに好ましくは１～３である。「アルコキシ基」としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基等が挙げられる。 As used herein, the term "alkoxy group" means a monovalent group formed by bonding an alkyl group to an oxygen atom (alkyl-O-). The “alkoxy group” preferably has 1 to 6 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and still more preferably 1 to 3 carbon atoms. Examples of "alkoxy group" include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, isopropoxy group, butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, tert-butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group and the like.

本明細書中、「アルキルカルボニル基」とは、アルキル基がカルボニルに結合して形成される１価の基（アルキル－ＣＯ－）を意味する。「アルキルカルボニル基」の炭素原子数は、好ましくは２～７であり、より好ましくは２～５であり、さらに好ましくは２～４である。「アルキルカルボニル基」としては、例えば、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、２－メチルプロパノイル基、ペンタノイル基、３－メチルブタノイル基、２－メチルブタノイル基、２，２－ジメチルプロパノイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等が挙げられる。 As used herein, the term "alkylcarbonyl group" means a monovalent group (alkyl-CO-) formed by bonding an alkyl group to a carbonyl. The "alkylcarbonyl group" preferably has 2 to 7 carbon atoms, more preferably 2 to 5 carbon atoms, and still more preferably 2 to 4 carbon atoms. "Alkylcarbonyl group" includes, for example, acetyl group, propanoyl group, butanoyl group, 2-methylpropanoyl group, pentanoyl group, 3-methylbutanoyl group, 2-methylbutanoyl group, 2,2-dimethylpropanoyl group, hexanoyl group, heptanoyl group and the like.

本明細書中、「アリール基」とは、１価の芳香族炭化水素基を意味する。「アリール基」の炭素原子数は、好ましくは６～１４であり、より好ましくは６～１０である。「アリール基」としては、例えば、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、１－アントリル基、２－アントリル基、９－アントリル基等が挙げられる。 As used herein, the term "aryl group" means a monovalent aromatic hydrocarbon group. The number of carbon atoms in the "aryl group" is preferably 6-14, more preferably 6-10. Examples of "aryl group" include phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthryl group, 2-anthryl group, 9-anthryl group and the like.

本明細書中、「アリールオキシ基」とは、アリール基が酸素原子に結合して形成される１価の基（アリール－Ｏ－）を意味する。「アリールオキシ基」の炭素原子数は、好ましくは６～１４であり、より好ましくは６～１０である。「アリールオキシ基」としては、例えば、フェノキシ基、ナフトキシ基等が挙げられる。 As used herein, the term "aryloxy group" means a monovalent group (aryl-O-) formed by bonding an aryl group to an oxygen atom. The number of carbon atoms in the "aryloxy group" is preferably 6-14, more preferably 6-10. The "aryloxy group" includes, for example, a phenoxy group, a naphthoxy group and the like.

本明細書中、「アリールカルボニル基」とは、アリール基がカルボニルに結合して形成される１価の基（アリール－ＣＯ－）を意味する。「アリールカルボニル基」の炭素原子数は、好ましくは７～１５であり、より好ましくは７～１１である。「アリールカルボニル基」としては、例えば、ベンゾイル基、１－ナフトイル基、２－ナフトイル基等が挙げられる。 As used herein, the term "arylcarbonyl group" means a monovalent group (aryl-CO-) formed by bonding an aryl group to a carbonyl. The number of carbon atoms in the "arylcarbonyl group" is preferably 7-15, more preferably 7-11. Examples of "arylcarbonyl group" include benzoyl group, 1-naphthoyl group, 2-naphthoyl group and the like.

本明細書中、「アラルキル基」としては、１又は２個以上のアリール基で置換されたアルキル基を意味する。「アラルキル基」の炭素原子数は、好ましくは７～１５であり、より好ましくは７～１１である。「アラルキル基」としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、２－ナフチルメチル基等が挙げられる。 As used herein, an "aralkyl group" means an alkyl group substituted with one or more aryl groups. The number of carbon atoms in the "aralkyl group" is preferably 7-15, more preferably 7-11. "Aralkyl group" includes, for example, benzyl group, phenethyl group, 2-naphthylmethyl group and the like.

本明細書中、「芳香族複素環基」とは、環構成原子として炭素原子以外に窒素原子、硫黄原子、酸素原子等の（好ましくは１～４個の）ヘテロ原子を含有する芳香環基を意味する。「芳香族複素環基」としては、好ましくは５～１４員の芳香族複素環基、より好ましくは５～１０員の芳香族複素環基が挙げられる。「芳香族複素環基」としては、例えば、チエニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、１，２，４－オキサジアゾリル基、１，３，４－オキサジアゾリル基、１，２，４－チアジアゾリル基、１，３，４－チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、トリアジニル基等の５又は６員の単環式芳香族複素環基；ベンゾチオフェニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾトリアゾリル基等の８～１４員の縮合芳香族複素環基が挙げられる。 As used herein, the term "aromatic heterocyclic group" refers to an aromatic ring group containing (preferably 1 to 4) heteroatoms such as nitrogen atoms, sulfur atoms, oxygen atoms in addition to carbon atoms as ring-constituting atoms. means The “aromatic heterocyclic group” preferably includes a 5- to 14-membered aromatic heterocyclic group, more preferably a 5- to 10-membered aromatic heterocyclic group. Examples of "aromatic heterocyclic group" include thienyl group, furyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, pyridyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group , 1,2,4-oxadiazolyl group, 1,3,4-oxadiazolyl group, 1,2,4-thiadiazolyl group, 1,3,4-thiadiazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, triazinyl group, etc. 5 or 6 monocyclic aromatic heterocyclic group; benzothiophenyl group, benzofuranyl group, benzimidazolyl group, benzoxazolyl group, benzoisoxazolyl group, benzothiazolyl group, benzoisothiazolyl group, benzotriazolyl group, etc. and an 8- to 14-membered condensed aromatic heterocyclic group.

本明細書中、「非芳香族複素環基」とは、環構成原子として炭素原子以外に窒素原子、硫黄原子、酸素原子等の（好ましくは１～４個の）ヘテロ原子を含有する非芳香環基を意味する。「非芳香族複素環基」としては、好ましくは３～１４員の非芳香族複素環基、より好ましくは４～１０員の非芳香族複素環基が挙げられる。「非芳香族複素環基」としては、例えば、アジリジニル基、オキシラニル基、チイラニル基、アゼチジニル基、オキセタニル基、チエタニル基、テトラヒドロチエニル基、テトラヒドロフラニル基、ピロリニル基、ピロリジニル基、イミダゾリニル基、イミダゾリジニル基、オキサゾリニル基、オキサゾリジニル基、ピラゾリニル基、ピラゾリジニル基、チアゾリニル基、チアゾリジニル基、テトラヒドロイソチアゾリル基、テトラヒドロオキサゾリル基、テトラヒドロイソオキサゾリル基、ピペリジニル基、ピペラジニル基などの３～８員の単環式非芳香族複素環基；ジヒドロベンゾフラニル基、ジヒドロベンゾイミダゾリル基、ジヒドロベンゾオキサゾリル基、ジヒドロベンゾチアゾリル基、ジヒドロベンゾイソチアゾリル基、ジヒドロナフト［２，３－ｂ］チエニル基、テトラヒドロイソキノリル基等の９～１４員の縮合非芳香族複素環基が挙げられる。 As used herein, the term “non-aromatic heterocyclic group” refers to a non-aromatic heterocyclic group containing (preferably 1 to 4) heteroatoms such as nitrogen, sulfur, and oxygen atoms in addition to carbon atoms as ring-constituting atoms. means a cyclic group. The “non-aromatic heterocyclic group” preferably includes a 3- to 14-membered non-aromatic heterocyclic group, more preferably a 4- to 10-membered non-aromatic heterocyclic group. The "non-aromatic heterocyclic group" includes, for example, an aziridinyl group, an oxiranyl group, a thiiranyl group, an azetidinyl group, an oxetanyl group, a thietanyl group, a tetrahydrothienyl group, a tetrahydrofuranyl group, a pyrrolinyl group, a pyrrolidinyl group, an imidazolinyl group, and an imidazolidinyl group. , oxazolinyl group, oxazolidinyl group, pyrazolinyl group, pyrazolidinyl group, thiazolinyl group, thiazolidinyl group, tetrahydroisothiazolyl group, tetrahydrooxazolyl group, tetrahydroisoxazolyl group, piperidinyl group, piperazinyl group, etc. monocyclic non-aromatic heterocyclic group; dihydrobenzofuranyl group, dihydrobenzimidazolyl group, dihydrobenzoxazolyl group, dihydrobenzothiazolyl group, dihydrobenzisothiazolyl group, dihydronaphtho[2,3-b] 9- to 14-membered condensed non-aromatic heterocyclic groups such as thienyl group and tetrahydroisoquinolyl group.

式（１）において、環Ｘ、Ｙ及びＺは、それぞれ独立して、さらに置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環であることが好ましく、さらに置換基を有していてもよいベンゼン環又はナフタレン環であることがより好ましく、無置換のベンゼン環又はナフタレン環であることがさらに好ましい。 In formula (1), rings X, Y and Z are each independently preferably an aromatic hydrocarbon ring which may further have a substituent, and may further have a substituent. A benzene ring or a naphthalene ring is more preferred, and an unsubstituted benzene ring or naphthalene ring is even more preferred.

式（２）において、環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥは、無置換のベンゼン環であることが好ましい。 In formula (2), rings A, B, C, D and E are preferably unsubstituted benzene rings.

（Ｂ－１）成分の軟化点は、好ましくは９０℃以下であり、より好ましくは８５℃以下であり、さらに好ましくは８０℃以下である。 The softening point of component (B-1) is preferably 90° C. or lower, more preferably 85° C. or lower, and even more preferably 80° C. or lower.

（Ｂ－１）成分の分子量は、１，０００以下であることが好ましく、７００以下であることがより好ましく、６００以下であることがさらに好ましく、５００以下であることがなお一層好ましく、４５０以下であることが特に好ましい。下限値は、特に限定されるものではないが、２００等とし得る。 The molecular weight of component (B-1) is preferably 1,000 or less, more preferably 700 or less, even more preferably 600 or less, even more preferably 500 or less, and 450 or less. is particularly preferred. The lower limit is not particularly limited, but may be 200 or the like.

（Ｂ－１）成分の具体例としては、式（３）： Specific examples of the component (B-1) include formula (3):

Figure 2022189845000004
Figure 2022189845000004

で表される化合物等が挙げられる。 Compounds represented by and the like.

（Ｂ－１）成分は、市販されているものを用いてもよいし、公知の方法により合成したものを使用してもよい。（Ｂ－１）成分は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 As the component (B-1), a commercially available product or a product synthesized by a known method may be used. Component (B-1) may be used alone or in combination of two or more.

＜（Ｂ－２）２官能の活性エステル樹脂＞
（Ｂ－２）成分の活性エステル樹脂は、２官能である限り特に限定されるものではない。２官能の活性エステル樹脂とは、エポキシ樹脂のエポキシ基と付加反応可能なエステル構造を２個有する化合物を意味する。（Ｂ－２）成分を用いることにより、樹脂組成物の組成の均一性を高めることができるので、フローマークの発生を抑制することができる。（Ｂ－２）成分としては、好ましくは、式（１）： <(B-2) Bifunctional active ester resin>
The active ester resin of component (B-2) is not particularly limited as long as it is bifunctional. A bifunctional active ester resin means a compound having two ester structures capable of addition reaction with an epoxy group of an epoxy resin. By using the component (B-2), the uniformity of the composition of the resin composition can be improved, so that the generation of flow marks can be suppressed. Component (B-2) is preferably represented by formula (1):

Figure 2022189845000005
Figure 2022189845000005

［式中、環Ｘ、Ｙ及びＺは、それぞれ独立して、さらに置換基を有していてもよい芳香環を示す。］
で表される２官能の活性エステル樹脂であり、より好ましくは、式（２）： [In the formula, rings X, Y and Z each independently represent an aromatic ring which may further have a substituent. ]
is a bifunctional active ester resin represented by the formula (2):

Figure 2022189845000006
Figure 2022189845000006

［式中、環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥは、それぞれ独立して、さらに置換基を有していてもよいベンゼン環を示す。］
で表される２官能の活性エステル樹脂である。 [In the formula, rings A, B, C, D and E each independently represent a benzene ring which may further have a substituent. ]
It is a bifunctional active ester resin represented by.

（Ｂ－２）成分の軟化点は、好ましくは１００℃以下であり、より好ましくは９０℃以下であり、さらに好ましくは８５℃以下であり、特に好ましくは８０℃以下である。 The softening point of component (B-2) is preferably 100° C. or lower, more preferably 90° C. or lower, still more preferably 85° C. or lower, and particularly preferably 80° C. or lower.

（Ｂ－２）成分の分子量は、１，０００以下であることが好ましく、７００以下であることがより好ましく、６００以下であることがさらに好ましく、５００以下であることがなお一層好ましく、４５０以下であることが特に好ましい。下限値は、特に限定されるものではないが、２００等とし得る。 The molecular weight of component (B-2) is preferably 1,000 or less, more preferably 700 or less, even more preferably 600 or less, even more preferably 500 or less, and 450 or less. is particularly preferred. The lower limit is not particularly limited, but may be 200 or the like.

（Ｂ－２）成分の具体例としては、式（３）： Specific examples of the component (B-2) include formula (3):

Figure 2022189845000007
Figure 2022189845000007

で表される化合物等が挙げられる。 Compounds represented by and the like.

（Ｂ－２）成分は、市販されているものを用いてもよいし、公知の方法により合成したものを使用してもよい。（Ｂ－２）成分は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 As the component (B-2), a commercially available one may be used, or one synthesized by a known method may be used. Component (B-2) may be used alone or in combination of two or more.

＜（Ｂ－３）分子量が１，０００以下の活性エステル樹脂＞
（Ｂ－３）成分の活性エステル樹脂は、分子量が１，０００以下である限り特に限定されるものではない。（Ｂ－３）成分を用いることにより、樹脂組成物の組成の均一性を高めることができるので、フローマークの発生を抑制することができる。（Ｂ－３）成分としては、好ましくは、分子量が１，０００以下の２官能の活性エステル樹脂（「２官能の活性エステル樹脂」については上記の説明の通り）であり、より好ましくは、式（１）： <(B-3) Active ester resin having a molecular weight of 1,000 or less>
The active ester resin of component (B-3) is not particularly limited as long as it has a molecular weight of 1,000 or less. By using the component (B-3), the uniformity of the composition of the resin composition can be improved, so that the generation of flow marks can be suppressed. Component (B-3) is preferably a bifunctional active ester resin having a molecular weight of 1,000 or less (“bifunctional active ester resin” is as described above), more preferably the formula (1):

Figure 2022189845000008
Figure 2022189845000008

［式中、環Ｘ、Ｙ及びＺは、それぞれ独立して、さらに置換基を有していてもよい芳香環を示す。］
で表される２官能の活性エステル樹脂のうち分子量が１，０００以下のものであり、より好ましくは、式（２）： [In the formula, rings X, Y and Z each independently represent an aromatic ring which may further have a substituent. ]
Among the bifunctional active ester resins represented by the formula (2):

Figure 2022189845000009
Figure 2022189845000009

［式中、環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥは、それぞれ独立して、さらに置換基を有していてもよいベンゼン環を示す。］
で表される２官能の活性エステル樹脂のうち分子量が１，０００以下のものである。 [In the formula, rings A, B, C, D and E each independently represent a benzene ring which may further have a substituent. ]
Among the bifunctional active ester resins represented by the above, those having a molecular weight of 1,000 or less.

（Ｂ－３）成分の軟化点は、好ましくは１００℃以下であり、より好ましくは９０℃以下であり、さらに好ましくは８５℃以下であり、特に好ましくは８０℃以下である。 The softening point of component (B-3) is preferably 100° C. or lower, more preferably 90° C. or lower, still more preferably 85° C. or lower, and particularly preferably 80° C. or lower.

（Ｂ－３）成分の分子量は、７００以下であることが好ましく、６００以下であることがより好ましく、５００以下であることがさらに好ましく、４５０以下であることが特に好ましい。下限値は、特に限定されるものではないが、２００等とし得る。 The molecular weight of component (B-3) is preferably 700 or less, more preferably 600 or less, still more preferably 500 or less, and particularly preferably 450 or less. The lower limit is not particularly limited, but may be 200 or the like.

（Ｂ－３）成分の具体例としては、式（３）： (B-3) Specific examples of the component include formula (3):

Figure 2022189845000010
Figure 2022189845000010

で表される化合物等が挙げられる。 Compounds represented by and the like.

（Ｂ－３）成分は、市販されているものを用いてもよいし、公知の方法により合成したものを使用してもよい。（Ｂ－３）成分は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 As the component (B-3), a commercially available product or a product synthesized by a known method may be used. Component (B-3) may be used alone or in combination of two or more.

樹脂組成物中の「不揮発成分」を１００質量％とした場合、（Ｂ－１）成分、（Ｂ－２）成分又は（Ｂ－３）成分の含有量は、特に限定されるものではないが、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは１質量％以上、より好ましくは１．５質量％以上、さらに好ましくは２質量％以上、なお一層好ましくは２．５質量％以上、特に好ましくは３質量％以上である。その上限は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは２０質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下、特に好ましくは５質量％以下である。 When the "non-volatile component" in the resin composition is 100% by mass, the content of component (B-1), component (B-2) or component (B-3) is not particularly limited. , from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention, preferably 1% by mass or more, more preferably 1.5% by mass or more, even more preferably 2% by mass or more, and even more preferably 2.5% by mass or more, Particularly preferably, it is 3% by mass or more. The upper limit is preferably 50% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, still more preferably 10% by mass or less, and particularly preferably 5% by mass or less, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention.

樹脂組成物中の「樹脂成分」を１００質量％とした場合、（Ｂ－１）成分、（Ｂ－２）成分又は（Ｂ－３）成分は、特に限定されるものではないが、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは１０質量％以上、より好ましくは１５質量％以上、さらに好ましくは２０質量％以上、特に好ましくは２５質量％以上である。その上限は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは６０質量％以下、より好ましくは５０質量％以下、さらに好ましくは４５質量％以下、特に好ましくは４０質量％以下である。 When the "resin component" in the resin composition is 100% by mass, the component (B-1), component (B-2) or component (B-3) is not particularly limited, but the present invention From the viewpoint of obtaining the desired effect remarkably, the content is preferably 10% by mass or more, more preferably 15% by mass or more, still more preferably 20% by mass or more, and particularly preferably 25% by mass or more. The upper limit is preferably 60% by mass or less, more preferably 50% by mass or less, even more preferably 45% by mass or less, and particularly preferably 40% by mass or less, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention.

（Ｂ）硬化剤に対する（Ｂ－１）成分、（Ｂ－２）成分又は（Ｂ－３）成分の質量割合は、特に限定されるものではないが、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の（Ｂ）硬化剤を１００質量％とした場合、好ましくは５質量％以上、より好ましくは１５質量％以上、さらに好ましくは２５質量％以上、特に好ましくは３５質量％以上である。その上限は、好ましくは１００質量％以下、より好ましくは９０質量％以下、さらに好ましくは８０質量％以下、特に好ましくは７５質量％以下である。 The mass ratio of the component (B-1), the component (B-2) or the component (B-3) to the curing agent (B) is not particularly limited, but the desired effects of the present invention can be obtained remarkably. From the viewpoint, when the (B) curing agent in the resin composition is 100% by mass, it is preferably 5% by mass or more, more preferably 15% by mass or more, still more preferably 25% by mass or more, and particularly preferably 35% by mass. That's it. The upper limit is preferably 100% by mass or less, more preferably 90% by mass or less, even more preferably 80% by mass or less, and particularly preferably 75% by mass or less.

＜（Ｂ－１）～（Ｂ－３）成分以外の任意の硬化剤＞
（Ｂ）硬化剤は、（Ｂ－１）成分、（Ｂ－２）成分又は（Ｂ－３）成分に加えて、さらにその他の任意の硬化剤を含んでいてもよい。（Ｂ－１）成分、（Ｂ－２）成分又は（Ｂ－３）成分以外の任意の硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、（Ｂ－１）成分、（Ｂ－２）成分又は（Ｂ－３）成分以外の活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤及びアミン系硬化剤が挙げられる。中でも、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、アミン系硬化剤、及び酸無水物系硬化剤が好ましく、酸無水物系硬化剤がより好ましい。このような硬化剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 <Optional curing agent other than components (B-1) to (B-3)>
(B) Curing agent may contain any other curing agent in addition to component (B-1), component (B-2) or component (B-3). Any curing agent other than component (B-1), component (B-2) or component (B-3) is not particularly limited as long as it has a function of curing epoxy resin. Naphthol-based curing agent, acid anhydride-based curing agent, active ester-based curing agent other than component (B-1), (B-2) or (B-3), benzoxazine-based curing agent, cyanate ester-based curing agent curing agents, carbodiimide curing agents and amine curing agents. Among them, phenol-based curing agents, naphthol-based curing agents, amine-based curing agents, and acid anhydride-based curing agents are preferable, and acid anhydride-based curing agents are more preferable. Such curing agents may be used singly or in combination of two or more.

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、被着体に対する密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤又は含窒素ナフトール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤又はトリアジン骨格含有ナフトール系硬化剤がより好ましい。中でも、耐熱性、耐水性、及び密着性を高度に満足させる観点から、トリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂が好ましい。フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成社製の「ＭＥＨ－７７００」、「ＭＥＨ－７８１０」、「ＭＥＨ－７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金化学社製の「ＳＮ－１７０」、「ＳＮ－１８０」、「ＳＮ－１９０」、「ＳＮ－４７５」、「ＳＮ－４８５」、「ＳＮ－４９５」、「ＳＮ－３７５」、「ＳＮ－３９５」、ＤＩＣ社製の「ＬＡ－７０５２」、「ＬＡ－７０５４」、「ＬＡ－３０１８」、「ＬＡ－３０１８－５０Ｐ」、「ＬＡ－１３５６」、「ＴＤ２０９０」、「ＴＤ－２０９０－６０Ｍ」等が挙げられる。 As the phenolic curing agent and the naphtholic curing agent, a phenolic curing agent having a novolac structure or a naphtholic curing agent having a novolac structure is preferable from the viewpoint of heat resistance and water resistance. From the viewpoint of adhesion to adherends, a nitrogen-containing phenolic curing agent or a nitrogen-containing naphthol curing agent is preferable, and a triazine skeleton-containing phenolic curing agent or a triazine skeleton-containing naphthol curing agent is more preferable. Among them, a triazine skeleton-containing phenol novolak resin is preferable from the viewpoint of highly satisfying heat resistance, water resistance, and adhesion. Specific examples of phenol-based curing agents and naphthol-based curing agents include "MEH-7700", "MEH-7810" and "MEH-7851" manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., "NHN" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., "CBN", "GPH", Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. "SN-170", "SN-180", "SN-190", "SN-475", "SN-485", "SN-495", "SN-375", "SN-395", DIC "LA-7052", "LA-7054", "LA-3018", "LA-3018-50P", "LA-1356", "TD2090" ”, “TD-2090-60M” and the like.

酸無水物系硬化剤としては、１分子内中に１個以上の酸無水物基を有する硬化剤が挙げられる。酸無水物系硬化剤の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、５－（２，５－ジオキソテトラヒドロ－３－フラニル）－３－メチル－３－シクロヘキセン－１，２－ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、３，３’－４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ－ヘキサヒドロ－５－（テトラヒドロ－２，５－ジオキソ－３－フラニル）－ナフト［１，２－Ｃ］フラン－１，３－ジオン、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。酸無水物系硬化剤の市販品としては、新日本理化社製の「ＨＮＡ－１００」、「ＭＨ－７００」、「ＭＴＡ－１５」、「ＤＤＳＡ」、「ＨＦ－０８」、「ＯＳＡ」、三菱ケミカル社製の「ＹＨ３０６」、「ＹＨ３０７」、三菱ガス化学社製の「Ｈ－ＴＭＡｎ」、日立化成社製の「ＨＮ－２２００」、「ＨＮ－２０００」、「ＨＮ－５５００」、「ＭＨＡＣ－Ｐ」等が挙げられる。 Acid anhydride curing agents include curing agents having one or more acid anhydride groups in one molecule. Specific examples of acid anhydride curing agents include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, and hydrogenated methylnadic acid. anhydride, trialkyltetrahydrophthalic anhydride, dodecenylsuccinic anhydride, 5-(2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl)-3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride, trianhydride mellitic acid, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic dianhydride, biphenyltetracarboxylic dianhydride, naphthalenetetracarboxylic dianhydride, oxydiphthalic dianhydride, 3,3'-4,4'- Diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 1,3,3a,4,5,9b-hexahydro-5-(tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl)-naphtho[1,2-C]furan-1 , 3-dione, ethylene glycol bis(anhydrotrimellitate), polymer-type acid anhydrides such as styrene/maleic acid resin obtained by copolymerizing styrene and maleic acid. Commercially available acid anhydride curing agents include "HNA-100", "MH-700", "MTA-15", "DDSA", "HF-08", "OSA" manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd. Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "YH306", "YH307", Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. "H-TMAn", Hitachi Chemical Co., Ltd. "HN-2200", "HN-2000", "HN-5500", "MHAC -P” and the like.

（Ｂ－１）成分、（Ｂ－２）成分又は（Ｂ－３）成分以外の活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ－ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に３個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、３個以上カルボキシ基を有する化合物が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、カテコール、α－ナフトール、β－ナフトール、１，５－ジヒドロキシナフタレン、１，６－ジヒドロキシナフタレン、２，６－ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。 Active ester curing agents other than component (B-1), component (B-2), or component (B-3) are not particularly limited, but are generally phenol esters, thiophenol esters, and N-hydroxyamine. Compounds having 3 or more highly reactive ester groups in one molecule, such as esters and esters of heterocyclic hydroxy compounds, are preferably used. The active ester curing agent is preferably obtained by a condensation reaction between a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylic acid compound and a hydroxy compound and/or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferred, and an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a phenol compound and/or a naphthol compound is more preferred. Carboxylic acid compounds include compounds having 3 or more carboxy groups. Examples of phenol compounds or naphthol compounds include hydroquinone, resorcinol, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthalin, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucine, Benzenetriol, dicyclopentadiene-type diphenol compound, phenol novolak, and the like. Here, the term "dicyclopentadiene-type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensing one molecule of dicyclopentadiene with two molecules of phenol.

具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン－ジシクロペンタレン－フェニレンからなる２価の構造単位を表す。 Specifically, an active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac, and an active ester compound containing a benzoylated product of phenol novolak are preferred. Among them, an active ester compound containing a naphthalene structure and an active ester compound containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure are more preferable. "Dicyclopentadiene-type diphenol structure" represents a divalent structural unit consisting of phenylene-dicyclopentalene-phenylene.

（Ｂ－１）成分、（Ｂ－２）成分又は（Ｂ－３）成分以外の活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ－８０００」、「ＨＰＣ－８０００Ｈ」、「ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ」、「ＨＰＣ－８０００Ｈ－６５ＴＭ」、「ＥＸＢ－８０００Ｌ」、「ＥＸＢ－８０００Ｌ－６５ＴＭ」（ＤＩＣ社製）；ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６－７０ＢＫ」、「ＥＸＢ－８１５０－６５Ｔ」（ＤＩＣ社製）；フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱ケミカル社製）；等が挙げられる。 As a commercially available active ester curing agent other than component (B-1), component (B-2) or component (B-3), an active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, "EXB9451". , "EXB9460", "EXB9460S", "HPC-8000", "HPC-8000H", "HPC-8000-65T", "HPC-8000H-65TM", "EXB-8000L", "EXB-8000L-65TM" (manufactured by DIC); "EXB9416-70BK" and "EXB-8150-65T" (manufactured by DIC) as active ester compounds containing a naphthalene structure; "DC808" (Mitsubishi Chemical (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation); "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound containing a benzoylated phenol novolak; "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester curing agent that is an acetylated phenol novolac; "YLH1026" (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), "YLH1030" (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), "YLH1048" (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.);

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、ＪＦＥケミカル社製の「ＪＢＺ－ＯＰ１００Ｄ」、「ＯＤＡ－ＢＯＺ」；昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ－ｄ」、「Ｆ－ａ」などが挙げられる。 Specific examples of benzoxazine-based curing agents include "JBZ-OP100D" and "ODA-BOZ" manufactured by JFE Chemical; "HFB2006M" manufactured by Showa Polymer Co., Ltd.; Examples include "Fa".

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート（オリゴ（３－メチレン－１，５－フェニレンシアネート））、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルフェニルシアネート）、４，４’－エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２－ビス（４－シアネート）フェニルプロパン、１，１－ビス（４－シアネートフェニルメタン）、ビス（４－シアネート－３，５－ジメチルフェニル）メタン、１，３－ビス（４－シアネートフェニル－１－（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４－シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４－シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。 Examples of cyanate ester curing agents include bisphenol A dicyanate, polyphenolcyanate (oligo(3-methylene-1,5-phenylenecyanate)), 4,4'-methylenebis(2,6-dimethylphenylcyanate), 4, 4′-ethylidene diphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis(4-cyanate)phenylpropane, 1,1-bis(4-cyanatophenylmethane), bis(4-cyanate-3,5- Difunctional cyanate resins such as dimethylphenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanatophenyl-1-(methylethylidene))benzene, bis(4-cyanatophenyl)thioether, and bis(4-cyanatophenyl)ether, Polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolak, cresol novolak, etc., and prepolymers obtained by partially triazine-forming these cyanate resins. Specific examples of cyanate ester curing agents include "PT30" and "PT60" (both phenol novolac type polyfunctional cyanate ester resins), "BA230" and "BA230S75" (part of bisphenol A dicyanate) manufactured by Lonza Japan Co., Ltd. or a prepolymer that is entirely triazined to form a trimer), and the like.

カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル社製の「Ｖ－０３」、「Ｖ－０７」等が挙げられる。 Specific examples of carbodiimide curing agents include "V-03" and "V-07" manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd., and the like.

アミン系硬化剤としては、１分子内中に１個以上のアミノ基を有する硬化剤が挙げられ、例えば、脂肪族アミン類、ポリエーテルアミン類、脂環式アミン類、芳香族アミン類等が挙げられ、中でも、本発明の所望の効果を奏する観点から、芳香族アミン類が好ましい。アミン系硬化剤は、第１級アミン又は第２級アミンが好ましく、第１級アミンがより好ましい。アミン系硬化剤の具体例としては、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルアニリン）、ジフェニルジアミノスルホン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、ｍ－フェニレンジアミン、ｍ－キシリレンジアミン、ジエチルトルエンジアミン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジヒドロキシベンジジン、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、３，３－ジメチル－５，５－ジエチル－４，４－ジフェニルメタンジアミン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス（４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４－（３－アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、等が挙げられる。アミン系硬化剤は市販品を用いてもよく、例えば、日本化薬社製の「ＫＡＹＡＢＯＮＤ Ｃ－２００Ｓ」、「ＫＡＹＡＢＯＮＤ Ｃ－１００」、「カヤハードＡ－Ａ」、「カヤハードＡ－Ｂ」、「カヤハードＡ－Ｓ」、三菱ケミカル社製の「エピキュアＷ」等が挙げられる。 Amine-based curing agents include curing agents having one or more amino groups in one molecule, such as aliphatic amines, polyether amines, alicyclic amines, and aromatic amines. Among them, aromatic amines are preferred from the viewpoint of achieving the desired effects of the present invention. Amine-based curing agents are preferably primary amines or secondary amines, more preferably primary amines. Specific examples of amine-based curing agents include 4,4′-methylenebis(2,6-dimethylaniline), diphenyldiaminosulfone, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, and 3,3′. -diaminodiphenyl sulfone, m-phenylenediamine, m-xylylenediamine, diethyltoluenediamine, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl- 4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dihydroxybenzidine, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)propane, 3,3-dimethyl-5,5-diethyl-4,4-diphenylmethane Diamine, 2,2-bis(4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)propane, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, 1,3- bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 4,4′-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone, bis(4-(3-aminophenoxy)phenyl)sulfone, and the like. Commercially available amine-based curing agents may be used. Kayahard AS", "Epicure W" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., and the like.

樹脂組成物が（Ｂ－１）成分、（Ｂ－２）成分又は（Ｂ－３）成分以外の任意の硬化剤を含有する場合、樹脂組成物中の「不揮発成分」を１００質量％としたとき、（Ｂ－１）成分、（Ｂ－２）成分又は（Ｂ－３）成分以外の任意の硬化剤の含有量は、特に限定されるものではないが、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは１質量％以上、特に好ましくは１．５質量％以上である。その上限は、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは２０質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下、特に好ましくは５質量％以下である。 When the resin composition contains any curing agent other than the component (B-1), the component (B-2), or the component (B-3), the "non-volatile component" in the resin composition is 100% by mass. When the content of any curing agent other than component (B-1), component (B-2) or component (B-3) is not particularly limited, it is preferably 0.1% by mass or more. , more preferably 0.5% by mass or more, still more preferably 1% by mass or more, and particularly preferably 1.5% by mass or more. The upper limit is preferably 50% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, still more preferably 10% by mass or less, and particularly preferably 5% by mass or less.

樹脂組成物が（Ｂ－１）成分、（Ｂ－２）成分又は（Ｂ－３）成分以外の任意の硬化剤を含有する場合、樹脂組成物中の「樹脂成分」を１００質量％としたとき、（Ｂ－１）成分、（Ｂ－２）成分又は（Ｂ－３）成分以外の任意の硬化剤の含有量は、特に限定されるものではないが、好ましくは１質量％以上、より好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは１０質量％以上、特に好ましくは１５質量％以上である。その上限は、好ましくは６０質量％以下、より好ましくは５０質量％以下、さらに好ましくは４０質量％以下、特に好ましくは３０質量％以下である。 When the resin composition contains any curing agent other than the component (B-1), the component (B-2), or the component (B-3), the "resin component" in the resin composition is 100% by mass. When the content of any curing agent other than component (B-1), component (B-2) or component (B-3) is not particularly limited, it is preferably 1% by mass or more, more It is preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, and particularly preferably 15% by mass or more. The upper limit is preferably 60% by mass or less, more preferably 50% by mass or less, still more preferably 40% by mass or less, and particularly preferably 30% by mass or less.

（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．２～１：２の範囲が好ましく、１：０．３～１：１．５がより好ましく、１：０．４～１：１．２がさらに好ましい。ここで、硬化剤の反応基とは、活性水酸基、活性エステル基等であり、硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の不揮発成分質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、硬化剤の反応基の合計数とは、各硬化剤の不揮発成分質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。エポキシ樹脂と硬化剤との量比を斯かる範囲とすることにより、得られる硬化物の耐熱性がより向上する。 The ratio of (A) the epoxy resin to (B) the curing agent is [total number of epoxy groups in the epoxy resin]:[total number of reactive groups in the curing agent], and is 1:0.2 to 1:1. A range of 2 is preferred, 1:0.3 to 1:1.5 is more preferred, and 1:0.4 to 1:1.2 is even more preferred. Here, the reactive group of the curing agent is an active hydroxyl group, an active ester group, or the like, and varies depending on the type of curing agent. The total number of epoxy groups in the epoxy resin is the sum of the values obtained by dividing the mass of the non-volatile components of each epoxy resin by the epoxy equivalent, and the total number of reactive groups in the curing agent is It is a value obtained by dividing the non-volatile component mass of each curing agent by the reactive group equivalent and totaling all the curing agents. By setting the ratio of the epoxy resin to the curing agent within this range, the heat resistance of the resulting cured product is further improved.

＜（Ｃ）無機充填材＞
本発明の樹脂組成物は、（Ｃ）無機充填材を含有する。 <(C) Inorganic filler>
The resin composition of the present invention contains (C) an inorganic filler.

（Ｃ）無機充填材の材料は特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられ、シリカ及びアルミナが特に好適である。シリカとしては、例えば、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等が挙げられる。またシリカとしては球形シリカが好ましい。（Ｃ）無機充填材は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。 (C) The material of the inorganic filler is not particularly limited, but examples include silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, Boehmite, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate , titanium oxide, zirconium oxide, barium titanate, barium zirconate titanate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungstate phosphate, with silica and alumina being particularly preferred. Examples of silica include amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, and hollow silica. As silica, spherical silica is preferable. (C) An inorganic filler may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

（Ｃ）無機充填材の市販品としては、例えば、電化化学工業社製の「ＵＦＰ－３０」；新日鉄住金マテリアルズ社製の「ＳＰ６０－０５」、「ＳＰ５０７－０５」；アドマテックス社製の「ＹＣ１００Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ－ＭＪＥ」、「ＹＡ０１０Ｃ」、「ＦＥ９シリーズ」、「ＦＥＢシリーズ」、「ＦＥＤシリーズ」；デンカ社製の「ＵＦＰ－３０」；トクヤマ社製の「シルフィルＮＳＳ－３Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ－４Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ－５Ｎ」；アドマテックス社製の「ＳＣ２５００ＳＱ」、「ＳＯ－Ｃ４」、「ＳＯ－Ｃ２」、「ＳＯ－Ｃ１」；などが挙げられる。 (C) Commercially available inorganic fillers include, for example, “UFP-30” manufactured by Denka Kagaku Kogyo; “SP60-05” and “SP507-05” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Materials; "YC100C", "YA050C", "YA050C-MJE", "YA010C", "FE9 series", "FEB series", "FED series"; "UFP-30" manufactured by Denka; "Silfill NSS" manufactured by Tokuyama -3N", "Silfil NSS-4N", "Silfil NSS-5N"; Admatechs "SC2500SQ", "SO-C4", "SO-C2", "SO-C1";

（Ｃ）無機充填材の平均粒径は、特に限定されるものではないが、フローマークの発生を抑制する観点から、好ましくは４０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは２５μｍ以下、さらにより好ましくは２０μｍ以下、特に好ましくは１５μｍ以下である。無機充填材の平均粒径の下限は、特に限定されるものではないが、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上、さらにより好ましくは７μｍ以上、特に好ましくは８μｍ以上である。無機充填材の平均粒径は、ミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的には、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、無機充填材の粒径分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材１００ｍｇ、メチルエチルケトン１０ｇをバイアル瓶に秤取り、超音波にて１０分間分散させたものを使用することができる。測定サンプルを、レーザー回折式粒径分布測定装置を使用して、使用光源波長を青色及び赤色とし、フローセル方式で無機充填材の体積基準の粒径分布を測定し、得られた粒径分布からメディアン径として平均粒径を算出した。レーザー回折式粒径分布測定装置としては、例えば堀場製作所社製「ＬＡ－９６０」等が挙げられる。 (C) The average particle size of the inorganic filler is not particularly limited, but from the viewpoint of suppressing the generation of flow marks, it is preferably 40 μm or less, more preferably 30 μm or less, still more preferably 25 μm or less, and even more preferably 40 μm or less. It is preferably 20 μm or less, particularly preferably 15 μm or less. The lower limit of the average particle size of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 0.1 μm or more, more preferably 1 μm or more, still more preferably 3 μm or more, still more preferably 5 μm or more, and even more preferably 7 μm. 8 μm or more, particularly preferably 8 μm or more. The average particle size of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction/scattering method based on Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the inorganic filler is prepared on a volume basis using a laser diffraction/scattering type particle size distribution measuring device, and the median diameter can be used as the average particle size for measurement. A measurement sample can be obtained by weighing 100 mg of an inorganic filler and 10 g of methyl ethyl ketone in a vial and dispersing them with ultrasonic waves for 10 minutes. A measurement sample is measured using a laser diffraction particle size distribution measuring device, the wavelengths of the light source used are blue and red, the volume-based particle size distribution of the inorganic filler is measured by the flow cell method, and from the obtained particle size distribution The average particle diameter was calculated as the median diameter. Examples of the laser diffraction particle size distribution analyzer include "LA-960" manufactured by Horiba, Ltd., and the like.

（Ｃ）無機充填材は、耐湿性及び分散性を高める観点から、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、アルコキシシラン化合物、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤などの１種以上の表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ４０３」（３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ８０３」（３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＥ９０３」（３－アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＳＺ－３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ－４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）、信越化学工業社製「ＫＢＭ－７１０３」（３，３，３－トリフルオロプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５０３」（３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７８３」（Ｎ－フェニル－３－アミノオクチルトリメトキシシラン）等が挙げられる。 (C) Inorganic fillers include aminosilane-based coupling agents, epoxysilane-based coupling agents, mercaptosilane-based coupling agents, alkoxysilane compounds, organosilazane compounds, and titanate-based coupling agents, from the viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility. It is preferably treated with one or more surface treatment agents such as agents. Examples of commercially available surface treatment agents include "KBM403" (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM803" (3-mercaptopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd. "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "SZ-31" ( Hexamethyldisilazane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM103" (phenyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM-4803" (long-chain epoxy type silane coupling agent), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM- 7103” (3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “KBM503” (3-methacryloxypropyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “KBM5783” (N-phenyl-3 -aminooctyltrimethoxysilane) and the like.

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の分散性向上の観点から、所定の範囲に収まることが好ましい。具体的には、無機充填材１００質量％は、０．２質量％～５質量％の表面処理剤で表面処理されていることが好ましく、０．２質量％～３質量％で表面処理されていることが好ましく、０．３質量％～２質量％で表面処理されていることが好ましい。 From the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler, the degree of surface treatment with the surface treatment agent is preferably within a predetermined range. Specifically, 100% by mass of the inorganic filler is preferably surface-treated with a surface treatment agent of 0.2% to 5% by mass, and is surface-treated with 0.2% to 3% by mass. preferably 0.3 mass % to 2 mass % of the surface treatment.

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、０．０２ｍｇ／ｍ２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ２以上がさらに好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度やシート形態での溶融粘度の上昇を防止する観点から、１ｍｇ／ｍ２以下が好ましく、０.８ｍｇ／ｍ２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ２以下がさらに好ましい。 The degree of surface treatment by the surface treatment agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler. The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is preferably 0.02 mg/m 2 or more, more preferably 0.1 mg/m 2 or more, and more preferably 0.2 mg/m 2 from the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler. The above is more preferable. On the other hand, from the viewpoint of preventing an increase in the melt viscosity of the resin varnish and the melt viscosity in the form of a sheet, it is preferably 1 mg/m 2 or less, more preferably 0.8 mg/m 2 or less, and further preferably 0.5 mg/m 2 or less. preferable.

（Ｃ）無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の無機充填材を溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「ＥＭＩＡ－３２０Ｖ」等を使用することができる。 (C) The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured after the surface-treated inorganic filler is washed with a solvent (eg, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to the inorganic filler surface-treated with the surface treatment agent, and ultrasonic cleaning is performed at 25° C. for 5 minutes. After removing the supernatant liquid and drying the solid content, a carbon analyzer can be used to measure the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler. As a carbon analyzer, "EMIA-320V" manufactured by Horiba Ltd. can be used.

（Ｃ）無機充填材の比表面積は、本発明の効果をより向上させる観点から、好ましくは０．０１ｍ２／ｇ以上、より好ましくは０．１ｍ２／ｇ以上、特に好ましくは０．２ｍ２／ｇ以上である。上限に特段の制限は無いが、好ましくは５０ｍ２／ｇ以下、より好ましくは２０ｍ２／ｇ以下、１０ｍ２／ｇ以下又は５ｍ２／ｇ以下である。無機充填材の比表面積は、ＢＥＴ法に従って、比表面積測定装置（マウンテック社製Ｍａｃｓｏｒｂ ＨＭ－１２１０）を使用して試料表面に窒素ガスを吸着させ、ＢＥＴ多点法を用いて比表面積を算出することで得られる。 (C) The specific surface area of the inorganic filler is preferably 0.01 m 2 /g or more, more preferably 0.1 m 2 /g or more, and particularly preferably 0.2 m 2 from the viewpoint of further improving the effects of the present invention. / g or more. Although there is no particular upper limit, it is preferably 50 m 2 /g or less, more preferably 20 m 2 /g or less, 10 m 2 /g or less, or 5 m 2 /g or less. The specific surface area of the inorganic filler is determined by adsorbing nitrogen gas on the sample surface using a specific surface area measuring device (Macsorb HM-1210 manufactured by Mountech) according to the BET method, and calculating the specific surface area using the BET multipoint method. obtained by

（Ｃ）無機充填材の含有量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物中の「不揮発成分」を１００質量％とした場合、好ましくは２０質量％以上、より好ましくは５０質量％以上、さらに好ましくは７０質量％以上、特に好ましくは８０質量％以上である。その上限は、特に限定されるものではないが、例えば、９８質量％以下、９５質量％以下、９２質量％以下、９０質量％以下等とし得る。 (C) The content of the inorganic filler is not particularly limited, but when the "non-volatile component" in the resin composition is 100% by mass, it is preferably 20% by mass or more, more preferably 50% by mass. Above, more preferably 70% by mass or more, particularly preferably 80% by mass or more. The upper limit is not particularly limited, but may be, for example, 98% by mass or less, 95% by mass or less, 92% by mass or less, or 90% by mass or less.

＜（Ｄ）硬化促進剤＞
本発明の樹脂組成物は、任意成分として（Ｄ）硬化促進剤を含む場合がある。 <(D) Curing accelerator>
The resin composition of the present invention may contain (D) a curing accelerator as an optional component.

（Ｄ）硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられる。中でも、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤がより好ましく、イミダゾール系硬化促進剤が特に好ましい。硬化促進剤は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 (D) Curing accelerators include, for example, phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, guanidine-based curing accelerators, metal-based curing accelerators, and the like. Among them, phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, and metal-based curing accelerators are preferable, and amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, and metallic-based curing accelerators are more preferable. System curing accelerators are particularly preferred. The curing accelerator may be used singly or in combination of two or more.

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ－ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４－メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられる。 Phosphorus curing accelerators include, for example, triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl)triphenylphosphonium thiocyanate. , tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyltriphenylphosphonium thiocyanate, and the like.

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４－ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセン等が挙げられ、４－ジメチルアミノピリジンが好ましい。 Examples of amine curing accelerators include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine (DMAP), benzyldimethylamine, 2,4,6-tris(dimethylaminomethyl)phenol, 1, 8-diazabicyclo(5,4,0)-undecene, etc., and 4-dimethylaminopyridine is preferred.

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）]－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール、１－ドデシル－２－メチル－３－ベンジルイミダゾリウムクロライド、２－メチルイミダゾリン、２－フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。 Examples of imidazole curing accelerators include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl- 2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-undecyl imidazolyl-(1′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2′-ethyl-4′-methylimidazolyl-(1′)]-ethyl-s-triazine, 2,4- Diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine isocyanurate, 2-phenylimidazole isocyanurate, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2- Phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo[1,2-a]benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline , 2-phenylimidazoline and other imidazole compounds, and adducts of imidazole compounds and epoxy resins.

イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００－Ｈ５０」等が挙げられる。 As the imidazole-based curing accelerator, a commercially available product may be used, such as "P200-H50" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１－メチルグアニジン、１－エチルグアニジン、１－シクロヘキシルグアニジン、１－フェニルグアニジン、１－（ｏ－トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、７－メチル－１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、１－メチルビグアニド、１－エチルビグアニド、１－ｎ－ブチルビグアニド、１－ｎ－オクタデシルビグアニド、１，１－ジメチルビグアニド、１，１－ジエチルビグアニド、１－シクロヘキシルビグアニド、１－アリルビグアニド、１－フェニルビグアニド、１－（ｏ－トリル）ビグアニド等が挙げられる。 Guanidine curing accelerators include, for example, dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine, trimethylguanidine, Tetramethylguanidine, Pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0] Dec-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1,1-diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1 -allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1-(o-tolyl)biguanide and the like.

金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。 Metal-based curing accelerators include, for example, organometallic complexes or organometallic salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin. Specific examples of organometallic complexes include organocobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organocopper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate. organic zinc complexes such as iron (III) acetylacetonate; organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate; organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate; Examples of organic metal salts include zinc octoate, tin octoate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, and zinc stearate.

樹脂組成物が（Ｄ）硬化促進剤を含有する場合、樹脂組成物中の「不揮発成分」を１００質量％としたとき、（Ｄ）硬化促進剤の含有量は、特に限定されるものではないが、好ましくは０．００１質量％以上、より好ましくは０．０１質量％以上、さらに好ましくは０．０５質量％以上、特に好ましくは０．１質量％以上である。その上限は、好ましくは２質量％以下、より好ましくは１質量％以下、さらに好ましくは０．５質量％以下、特に好ましくは０．２質量％以下である。 When the resin composition contains (D) a curing accelerator, the content of (D) the curing accelerator is not particularly limited when the "non-volatile component" in the resin composition is 100% by mass. However, it is preferably 0.001% by mass or more, more preferably 0.01% by mass or more, still more preferably 0.05% by mass or more, and particularly preferably 0.1% by mass or more. The upper limit is preferably 2% by mass or less, more preferably 1% by mass or less, even more preferably 0.5% by mass or less, and particularly preferably 0.2% by mass or less.

樹脂組成物が（Ｄ）硬化促進剤を含有する場合、樹脂組成物中の「樹脂成分」を１００質量％としたとき、（Ｄ）硬化促進剤の含有量は、特に限定されるものではないが、好ましくは０．００１質量％以上、より好ましくは０．０１質量％以上、さらに好ましくは０．１質量％以上、特に好ましくは０．５質量％以上である。その上限は、好ましくは５質量％以下、より好ましくは２質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下、特に好ましくは０．６質量％以下である。 When the resin composition contains (D) a curing accelerator, when the "resin component" in the resin composition is 100% by mass, the content of (D) the curing accelerator is not particularly limited. However, it is preferably 0.001% by mass or more, more preferably 0.01% by mass or more, still more preferably 0.1% by mass or more, and particularly preferably 0.5% by mass or more. The upper limit is preferably 5% by mass or less, more preferably 2% by mass or less, even more preferably 1% by mass or less, and particularly preferably 0.6% by mass or less.

＜（Ｅ）有機溶剤＞
本発明の樹脂組成物は、任意の揮発性成分として、さらに（Ｅ）有機溶剤を含有する場合がある。 <(E) Organic solvent>
The resin composition of the present invention may further contain (E) an organic solvent as an optional volatile component.

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、カルビトールアセテート、エチルジグリコールアセテート、γ－ブチロラクトン等のエステル系溶剤；セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール溶剤；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ－メチルピロリドン等のアミド系溶剤；メタノール、エタノール、２－メトキシプロパノール等のアルコール系溶剤；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素系溶剤等を挙げることができる。有機溶剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。 Examples of organic solvents include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone; ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, carbitol acetate, ethyl diglycol acetate and γ-butyrolactone. carbitol solvents such as cellosolve and butyl carbitol; aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, xylene, ethylbenzene and trimethylbenzene; amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone; alcohol solvents such as methanol, ethanol, and 2-methoxypropanol; and hydrocarbon solvents such as cyclohexane and methylcyclohexane. The organic solvent may be used singly or in combination of two or more at any ratio.

＜（Ｆ）その他の添加剤＞
樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として、更にその他の添加剤を含んでいてもよい。このような添加剤としては、例えば、有機充填剤、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、重合開始剤、難燃剤などが挙げられる。これらの添加剤は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。それぞれの含有量は当業者であれば適宜設定できる。 <(F) Other additives>
The resin composition may further contain other additives as optional components in addition to the components described above. Examples of such additives include organic fillers, thickeners, antifoaming agents, leveling agents, adhesion imparting agents, polymerization initiators, flame retardants and the like. These additives may be used singly or in combination of two or more. Each content can be appropriately set by those skilled in the art.

＜樹脂組成物の製造方法＞
一実施形態において、本発明の樹脂組成物は、例えば、反応容器に（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材、必要に応じて（Ｄ）硬化促進剤、必要に応じて（Ｅ）有機溶剤、及び必要に応じて（Ｆ）その他の添加剤を、任意の順で及び／又は一部若しくは全部同時に加えて混合し、樹脂組成物を得る工程を含む方法によって、製造することができる。 <Method for producing resin composition>
In one embodiment, the resin composition of the present invention contains, for example, (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) an inorganic filler, optionally (D) a curing accelerator, and optionally a If necessary, (E) an organic solvent, and if necessary, (F) other additives are added in any order and/or partly or wholly at the same time and mixed to obtain a resin composition. can be manufactured.

上記工程において、各成分を加える過程の温度は適宜設定することができ、各成分を加える過程で、一時的に又は終始にわたって、加熱及び／又は冷却してもよい。各成分を加える過程において、撹拌又は振盪を行ってもよい。また、上記工程の後に、樹脂組成物を、例えば、ミキサーなどの撹拌装置を用いて撹拌し、均一に分散させる工程をさらに含むことが好ましい。 In the above steps, the temperature during the process of adding each component can be set appropriately, and heating and/or cooling may be performed temporarily or throughout the process of adding each component. Stirring or shaking may be used during the process of adding each component. Moreover, it is preferable to further include a step of uniformly dispersing the resin composition after the above step by stirring it with a stirring device such as a mixer.

＜樹脂組成物の特性＞
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）無機充填材を含み、（Ｂ）成分が、（Ｂ－１）軟化点が１００℃以下の活性エステル樹脂、（Ｂ－２）２官能の活性エステル樹脂又は（Ｂ－３）分子量が１，０００以下の活性エステル樹脂を含むため、誘電特性が低減され、且つフローマークの発生が抑制された硬化物を得ることができる。また、本発明の樹脂組成物によれば、一実施形態において、長期にわたって維持可能な半導体チップに対する密着性、優れた貯蔵弾性率を備える硬化物を得ることができる。 <Characteristics of resin composition>
The resin composition of the present invention comprises (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) an inorganic filler, and the component (B) is (B-1) an active ester having a softening point of 100° C. or less. Resin, (B-2) Bifunctional active ester resin or (B-3) Cured product with reduced dielectric properties and suppressed generation of flow marks because it contains an active ester resin with a molecular weight of 1,000 or less can be obtained. Moreover, according to the resin composition of the present invention, in one embodiment, it is possible to obtain a cured product having a long-term maintainable adhesion to a semiconductor chip and an excellent storage elastic modulus.

本発明の樹脂組成物の硬化物の特徴の一つである低い誘電特性に関しては、一実施形態において、例えば、樹脂組成物を熱硬化させて得られる硬化物のファブリペロー法（測定周波数７９ＧＨｚ）で測定した誘電正接（ｔａｎδ）が、好ましくは０．０１以下、より好ましくは０．００５以下、さらに好ましくは０．００４以下、特に好ましくは０．００３以下である。誘電正接の下限値は特に限定されないが、０．００１以上、０．０００１以上、０．００００１以上等とし得る。 With respect to low dielectric properties, which is one of the features of the cured product of the resin composition of the present invention, in one embodiment, for example, the Fabry-Perot method (measurement frequency 79 GHz) of the cured product obtained by thermally curing the resin composition is preferably 0.01 or less, more preferably 0.005 or less, still more preferably 0.004 or less, and particularly preferably 0.003 or less. Although the lower limit of the dielectric loss tangent is not particularly limited, it may be 0.001 or more, 0.0001 or more, or 0.00001 or more.

一実施形態における本発明の樹脂組成物の硬化物の特徴の一つである長期にわたって維持可能な半導体チップに対する密着性に関しては、例えば、樹脂組成物から形成される樹脂組成物層をシリコンウエハ上に圧縮成型して熱硬化させた後、１３０℃、８５％ＲＨの条件で１００時間の高温高湿環境試験（ＨＡＳＴ）に付した場合であっても、樹脂組成物層の硬化物と下地のシリコンウエハの界面に剥がれが生じない。 Regarding the adhesion to a semiconductor chip that can be maintained for a long period of time, which is one of the characteristics of the cured product of the resin composition of the present invention in one embodiment, for example, a resin composition layer formed from a resin composition is coated on a silicon wafer. Even if it is subjected to a high temperature and high humidity environment test (HAST) for 100 hours under the conditions of 130 ° C. and 85% RH after compression molding and heat curing, the cured product of the resin composition layer and the base No peeling occurs at the interface of the silicon wafer.

一実施形態における本発明の樹脂組成物の硬化物の特徴の一つである優れた貯蔵弾性率に関しては、例えば、樹脂組成物を熱硬化させて得られる層状硬化物の周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／分の条件で測定した２５℃での貯蔵弾性率が、好ましくは４０ＧＰａ以下、より好ましくは３０ＧＰａ以下、さらに好ましくは２５ＧＰａ以下である。貯蔵弾性率の下限値は特に限定されないが、１０ＧＰａ以上、１ＧＰａ以上、０．１ＧＰａ以上等とし得る。 Regarding the excellent storage modulus, which is one of the characteristics of the cured product of the resin composition of the present invention in one embodiment, for example, a layered cured product obtained by thermally curing the resin composition has a frequency of 1 Hz and a heating rate of The storage modulus at 25°C measured under the condition of 5°C/min is preferably 40 GPa or less, more preferably 30 GPa or less, and even more preferably 25 GPa or less. Although the lower limit of the storage modulus is not particularly limited, it may be 10 GPa or more, 1 GPa or more, or 0.1 GPa or more.

また、一実施形態において、本発明の樹脂組成物は、圧縮成型して、樹脂組成物層を形成し、１５０℃で６０分間加熱させた後であっても、樹脂組成物層の表面にフローマークが発生しない。また、一実施形態において、本発明の樹脂組成物は、２５℃で流動性のある液状の性状を有する。 In one embodiment, the resin composition of the present invention is compression molded to form a resin composition layer, and even after heating at 150° C. for 60 minutes, the resin composition flows on the surface of the resin composition layer. No marking occurs. Moreover, in one embodiment, the resin composition of the present invention has liquid properties with fluidity at 25°C.

＜樹脂組成物の用途＞
本発明の樹脂組成物の硬化物は、上述した利点により、半導体の封止層及び絶縁層に有用である。よって、この樹脂組成物は、半導体封止用又は絶縁層用の樹脂組成物として用いることができる。 <Application of resin composition>
The cured product of the resin composition of the present invention is useful for sealing layers and insulating layers of semiconductors due to the advantages described above. Therefore, this resin composition can be used as a resin composition for semiconductor encapsulation or an insulating layer.

例えば、本発明の樹脂組成物は、半導体チップパッケージの絶縁層を形成するための樹脂組成物（半導体チップパッケージの絶縁層用の樹脂組成物）、及び、回路基板（プリント配線板を含む。）の絶縁層を形成するための樹脂組成物（回路基板の絶縁層用の樹脂組成物）として、好適に使用することができる。 For example, the resin composition of the present invention is a resin composition for forming an insulating layer of a semiconductor chip package (a resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package), and a circuit board (including a printed wiring board). It can be suitably used as a resin composition for forming an insulating layer (resin composition for an insulating layer of a circuit board).

また、例えば、本発明の樹脂組成物は、半導体チップパッケージの半導体チップを封止するための樹脂組成物（半導体チップ封止用の樹脂組成物）として、好適に使用することができる。 Further, for example, the resin composition of the present invention can be suitably used as a resin composition for sealing a semiconductor chip of a semiconductor chip package (resin composition for semiconductor chip sealing).

本発明の樹脂組成物の硬化物で形成された封止層又は絶縁層を適用できる半導体チップパッケージとしては、例えば、ＦＣ－ＣＳＰ、ＭＩＳ－ＢＧＡパッケージ、ＥＴＳ－ＢＧＡパッケージ、Ｆａｎ－ｏｕｔ型ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ－ｉｎ型ＷＬＰ、Ｆａｎ－ｏｕｔ型ＰＬＰ（Ｐａｎｅｌ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ－ｉｎ型ＰＬＰが挙げられる。 Semiconductor chip packages to which the sealing layer or insulating layer formed of the cured product of the resin composition of the present invention can be applied include, for example, FC-CSP, MIS-BGA package, ETS-BGA package, Fan-out type WLP ( Wafer Level Package), Fan-in type WLP, Fan-out type PLP (Panel Level Package), and Fan-in type PLP.

また、本発明の樹脂組成物は、アンダーフィル材として用いてもよく、例えば、半導体チップを基板に接続した後に用いるＭＵＦ（Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｕｎｄｅｒ Ｆｉｌｌｉｎｇ）の材料として用いてもよい。 The resin composition of the present invention may also be used as an underfill material, for example, as a material for MUF (Molding Under Filling) used after connecting a semiconductor chip to a substrate.

さらに、本発明の樹脂組成物は、樹脂シート、プリプレグ等のシート状積層材料、ソルダーレジスト等のための樹脂インク等の液状材料、ダイボンディング材、穴埋め樹脂、部品埋め込み樹脂等、樹脂組成物が用いられる広範な用途に使用できる。 Furthermore, the resin composition of the present invention includes resin sheets, sheet-like laminated materials such as prepreg, liquid materials such as resin inks for solder resists, die bonding materials, hole-filling resins, component-embedding resins, and the like. It can be used for a wide range of applications.

＜樹脂シート＞
本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層と、を有する。樹脂組成物層は、本発明の樹脂組成物を含む層であり、通常は、樹脂組成物で形成されている。 <Resin sheet>
The resin sheet of the present invention has a support and a resin composition layer provided on the support. The resin composition layer is a layer containing the resin composition of the present invention, and is usually formed of the resin composition.

樹脂組成物層の厚みは、薄型化の観点から、好ましくは６００μｍ以下、より好ましくは５００μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、好ましくは１μｍ以上、５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、さらに好ましくは５０μｍ以上、特に好ましくは１００μｍ以上でありうる。 The thickness of the resin composition layer is preferably 600 µm or less, more preferably 500 µm or less, from the viewpoint of thinning. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is preferably 1 µm or more, 5 µm or more, more preferably 10 µm or more, still more preferably 50 µm or more, and particularly preferably 100 µm or more.

また、樹脂組成物層を硬化させて得られる硬化物の厚みは、好ましくは１μｍ以上、５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、さらに好ましくは５０μｍ以上、特に好ましくは１００μｍ以上である。 The thickness of the cured product obtained by curing the resin composition layer is preferably 1 µm or more, 5 µm or more, more preferably 10 µm or more, still more preferably 50 µm or more, and particularly preferably 100 µm or more.

支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。 Examples of the support include a film made of a plastic material, a metal foil, and a release paper, and a film made of a plastic material and a metal foil are preferable.

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル；ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）；ポリメチルメタクリレート（以下「ＰＭＭＡ」と略称することがある。）等のアクリルポリマー；環状ポリオレフィン；トリアセチルセルロース（以下「ＴＡＣ」と略称することがある。）；ポリエーテルサルファイド（以下「ＰＥＳ」と略称することがある。）；ポリエーテルケトン；ポリイミド；等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。 When a film made of a plastic material is used as the support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as "PET") and polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes abbreviated as "PEN"). Polycarbonate (hereinafter sometimes abbreviated as "PC"); Acrylic polymers such as polymethyl methacrylate (hereinafter sometimes abbreviated as "PMMA"); Cyclic polyolefins; Triacetyl cellulose (hereinafter polyether sulfide (hereinafter sometimes abbreviated as "PES"); polyether ketone; polyimide; Among them, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられる。中でも、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。 When a metal foil is used as the support, examples of the metal foil include copper foil and aluminum foil. Among them, copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, and a foil made of an alloy of copper and other metals (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used. may be used.

支持体は、樹脂組成物層と接合する面に、マット処理、コロナ処理、帯電防止処理等の処理が施されていてもよい。 The support may be subjected to matte treatment, corona treatment, antistatic treatment, or the like on the surface to be bonded to the resin composition layer.

また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型剤の市販品としては、例えば、アルキド樹脂系離型剤である、リンテック社製の「ＳＫ－１」、「ＡＬ－５」、「ＡＬ－７」等が挙げられる。また、離型層付き支持体としては、例えば、東レ社製の「ルミラーＴ６０」；帝人社製の「ピューレックス」；ユニチカ社製の「ユニピール」；等が挙げられる。 Further, as the support, a support with a release layer having a release layer on the surface to be bonded to the resin composition layer may be used. The release agent used in the release layer of the release layer-attached support includes, for example, one or more release agents selected from the group consisting of alkyd resins, polyolefin resins, urethane resins, and silicone resins. . Examples of commercially available release agents include alkyd resin release agents such as “SK-1”, “AL-5” and “AL-7” manufactured by Lintec. Examples of the release layer-attached support include "Lumirror T60" manufactured by Toray Industries, Inc.; "Purex" manufactured by Teijin Limited; and "Unipeel" manufactured by Unitika.

支持体の厚さは、５μｍ～７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ～６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。 The thickness of the support is preferably in the range of 5 μm to 75 μm, more preferably in the range of 10 μm to 60 μm. When a release layer-attached support is used, the thickness of the release layer-attached support as a whole is preferably within the above range.

樹脂シートは、例えば、樹脂組成物を、ダイコーター等の塗布装置を用いて支持体上に塗布して、製造することができる。また、必要に応じて、樹脂組成物を有機溶剤に溶解して樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを塗布して樹脂シートを製造してもよい。溶剤を用いることにより、粘度を調整して、塗布性を向上させることができる。樹脂ワニスを用いた場合、通常は、塗布後に樹脂ワニスを乾燥させて、樹脂組成物層を形成する。 The resin sheet can be produced, for example, by coating a resin composition on a support using a coating device such as a die coater. If necessary, the resin composition may be dissolved in an organic solvent to prepare a resin varnish, and this resin varnish may be applied to produce a resin sheet. By using a solvent, the viscosity can be adjusted and the coatability can be improved. When a resin varnish is used, the resin composition layer is usually formed by drying the resin varnish after application.

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が、通常１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％～６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃～１５０℃で３分～１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。 Drying may be carried out by a known method such as heating or blowing hot air. The drying conditions are such that the content of the organic solvent in the resin composition layer is usually 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less. Although it varies depending on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when using a resin varnish containing 30% by mass to 60% by mass of the organic solvent, drying at 50 ° C. to 150 ° C. for 3 minutes to 10 minutes The resin composition layer can be formed.

樹脂シートは、必要に応じて、支持体及び樹脂組成物層以外の任意の層を含んでいてもよい。例えば、樹脂シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムが設けられていてもよい。保護フィルムの厚さは、例えば、１μｍ～４０μｍである。保護フィルムにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって樹脂シートは使用可能となる。また、樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。 The resin sheet may contain arbitrary layers other than the support and the resin composition layer, if necessary. For example, in the resin sheet, the surface of the resin composition layer that is not bonded to the support (that is, the surface opposite to the support) may be provided with a protective film conforming to the support. The thickness of the protective film is, for example, 1 μm to 40 μm. The protective film can prevent dust from adhering to the surface of the resin composition layer and scratches on the surface of the resin composition layer. When the resin sheet has a protective film, the resin sheet can be used by peeling off the protective film. In addition, the resin sheet can be wound into a roll and stored.

樹脂シートは、半導体チップパッケージの製造において絶縁層を形成するため（半導体チップパッケージの絶縁用樹脂シート）に好適に使用できる。例えば、樹脂シートは、回路基板の絶縁層を形成するため（回路基板の絶縁層用樹脂シート）に使用できる。このような基板を使ったパッケージの例としては、ＦＣ－ＣＳＰ、ＭＩＳ－ＢＧＡパッケージ、ＥＴＳ－ＢＧＡパッケージが挙げられる。 A resin sheet can be suitably used for forming an insulating layer in the manufacture of a semiconductor chip package (an insulating resin sheet for a semiconductor chip package). For example, the resin sheet can be used to form an insulating layer of a circuit board (resin sheet for insulating layer of circuit board). Examples of packages using such substrates include FC-CSP, MIS-BGA packages, and ETS-BGA packages.

また、樹脂シートは、半導体チップを封止するため（半導体チップ封止用樹脂シート）に好適に使用することができる。適用可能な半導体チップパッケージとしては、例えば、Ｆａｎ－ｏｕｔ型ＷＬＰ、Ｆａｎ－ｉｎ型ＷＬＰ、Ｆａｎ－ｏｕｔ型ＰＬＰ、Ｆａｎ－ｉｎ型ＰＬＰ等が挙げられる。 In addition, the resin sheet can be suitably used for sealing semiconductor chips (semiconductor chip sealing resin sheet). Applicable semiconductor chip packages include, for example, Fan-out type WLP, Fan-in type WLP, Fan-out type PLP, Fan-in type PLP and the like.

また、樹脂シートを、半導体チップを基板に接続した後に用いるＭＵＦの材料に用いてもよい。 Also, the resin sheet may be used as a material for the MUF that is used after connecting the semiconductor chip to the substrate.

さらに、樹脂シートは高い絶縁信頼性が要求される他の広範な用途に使用できる。例えば、樹脂シートは、プリント配線板等の回路基板の絶縁層を形成するために好適に使用することができる。 Furthermore, the resin sheet can be used in a wide range of other applications that require high insulation reliability. For example, a resin sheet can be suitably used to form an insulating layer of a circuit board such as a printed wiring board.

＜回路基板＞
本発明の回路基板は、本発明の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。この回路基板は、例えば、下記の工程（１）及び工程（２）を含む製造方法によって、製造できる。
（１）基材上に、樹脂組成物層を形成する工程。
（２）樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する工程。 <Circuit board>
The circuit board of the present invention includes an insulating layer formed from a cured product of the resin composition of the present invention. This circuit board can be manufactured, for example, by a manufacturing method including the following steps (1) and (2).
(1) A step of forming a resin composition layer on a substrate.
(2) A step of thermosetting the resin composition layer to form an insulating layer.

工程（１）では、基材を用意する。基材としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板（ステンレスや冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）など）、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の基板が挙げられる。また、基材は、当該基材の一部として表面に銅箔等の金属層を有していてもよい。例えば、両方の表面に剥離可能な第一金属層及び第二金属層を有する基材を用いてもよい。このような基材を用いる場合、通常、回路配線として機能できる配線層としての導体層が、第二金属層の第一金属層とは反対側の面に形成される。このような金属層を有する基材としては、例えば、三井金属鉱業社製のキャリア銅箔付極薄銅箔「Ｍｉｃｒｏ Ｔｈｉｎ」が挙げられる。 In step (1), a substrate is prepared. Examples of base materials include substrates such as glass epoxy substrates, metal substrates (stainless steel, cold-rolled steel plate (SPCC), etc.), polyester substrates, polyimide substrates, BT resin substrates, and thermosetting polyphenylene ether substrates. Moreover, the base material may have a metal layer such as a copper foil on the surface as part of the base material. For example, a substrate having peelable first and second metal layers on both surfaces may be used. When such a substrate is used, a conductor layer as a wiring layer capable of functioning as circuit wiring is usually formed on the surface of the second metal layer opposite to the first metal layer. As a substrate having such a metal layer, for example, an ultra-thin copper foil with a carrier copper foil "Micro Thin" manufactured by Mitsui Kinzoku Mining Co., Ltd. can be used.

また、基材の一方又は両方の表面には、導体層が形成されていてもよい。以下の説明では、基材と、この基材表面に形成された導体層とを含む部材を、適宜「配線層付基材」ということがある。導体層に含まれる導体材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む材料が挙げられる。導体材料としては、単金属を用いてもよく、合金を用いてもよい。合金としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）が挙げられる。中でも、導体層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性の観点から、単金属としてのクロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅；及び、合金としてのニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金；が好ましい。その中でも、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属；及び、ニッケル・クロム合金；がより好ましく、銅の単金属が特に好ましい。 Also, a conductor layer may be formed on one or both surfaces of the substrate. In the following description, a member including a base material and a conductor layer formed on the surface of the base material may be referred to as a "wiring layer-attached base material" as appropriate. The conductor material contained in the conductor layer is, for example, one selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. Materials containing the above metals can be mentioned. As the conductor material, a single metal may be used, or an alloy may be used. Examples of alloys include alloys of two or more metals selected from the above group (eg, nickel-chromium alloys, copper-nickel alloys and copper-titanium alloys). Among them, chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper as single metals; and nickel-chromium alloys as alloys , a copper-nickel alloy, and a copper-titanium alloy; are preferred. Among them, single metals of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper; and nickel-chromium alloys; are more preferred, and single metals of copper are particularly preferred.

導体層は、例えば配線層として機能させるために、パターン加工されていてもよい。この際、導体層のライン（回路幅）／スペース（回路間の幅）比は、特に制限されないが、好ましくは２０／２０μｍ以下（即ちピッチが４０μｍ以下）、より好ましくは１０／１０μｍ以下、さらに好ましくは５／５μｍ以下、よりさらに好ましくは１／１μｍ以下、特に好ましくは０．５／０．５μｍ以上である。ピッチは、導体層の全体にわたって同一である必要はない。導体層の最小ピッチは、例えば、４０μｍ以下、３６μｍ以下、又は３０μｍ以下であってもよい。 The conductor layer may be patterned, for example, to function as a wiring layer. At this time, the line (circuit width)/space (width between circuits) ratio of the conductor layer is not particularly limited, but is preferably 20/20 μm or less (that is, the pitch is 40 μm or less), more preferably 10/10 μm or less, and further preferably 10/10 μm or less. It is preferably 5/5 μm or less, more preferably 1/1 μm or less, and particularly preferably 0.5/0.5 μm or more. The pitch need not be the same throughout the conductor layer. The minimum pitch of the conductor layers may be, for example, 40 μm or less, 36 μm or less, or 30 μm or less.

導体層の厚さは、回路基板のデザインによるが、好ましくは３μｍ～３５μｍ、より好ましくは５μｍ～３０μｍ、さらに好ましくは１０μｍ～２０μｍ、特に好ましくは１５μｍ～２０μｍである。 The thickness of the conductor layer is preferably 3 μm to 35 μm, more preferably 5 μm to 30 μm, even more preferably 10 μm to 20 μm, particularly preferably 15 μm to 20 μm, depending on the design of the circuit board.

導体層は、例えば、基材上にドライフィルム（感光性レジストフィルム）を積層する工程、フォトマスクを用いてドライフィルムに対して所定の条件で露光及び現像を行ってパターンを形成してパターンドライフィルムを得る工程、現像したパターンドライフィルムをめっきマスクとして電解めっき法等のメッキ法によって導体層を形成する工程、及び、パターンドライフィルムを剥離する工程を含む方法によって、形成できる。ドライフィルムとしては、フォトレジスト組成物からなる感光性のドライフィルムを用いることができ、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等の樹脂で形成されたドライフィルムを用いることができる。基材とドライフィルムとの積層条件は、後述する基材と樹脂シートとの積層の条件と同様でありうる。ドライフィルムの剥離は、例えば、水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ性の剥離液を使用して実施することができる。 The conductor layer is formed by, for example, a process of laminating a dry film (photosensitive resist film) on a base material, and performing pattern drying by exposing and developing the dry film under predetermined conditions using a photomask to form a pattern. It can be formed by a method including a step of obtaining a film, a step of forming a conductor layer by a plating method such as electroplating using the developed patterned dry film as a plating mask, and a step of peeling off the patterned dry film. As the dry film, a photosensitive dry film made of a photoresist composition can be used. For example, a dry film made of a resin such as a novolak resin or an acrylic resin can be used. The conditions for laminating the substrate and the dry film may be the same as the conditions for laminating the substrate and the resin sheet, which will be described later. Stripping of the dry film can be carried out using, for example, an alkaline stripping solution such as sodium hydroxide solution.

基材を用意した後で、基材上に、樹脂組成物層を形成する。基材の表面に導体層が形成されている場合、樹脂組成物層の形成は、導体層が樹脂組成物層に埋め込まれるように行うことが好ましい。 After preparing the substrate, a resin composition layer is formed on the substrate. When a conductor layer is formed on the surface of the substrate, the resin composition layer is preferably formed so that the conductor layer is embedded in the resin composition layer.

樹脂組成物層の形成は、例えば、樹脂シートと基材とを積層することによって行われる。この積層は、例えば、支持体側から樹脂シートを基材に加熱圧着することにより、基材に樹脂組成物層を貼り合わせることで、行うことができる。樹脂シートを基材に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ということがある。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール等）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、基材の表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。 Formation of the resin composition layer is performed, for example, by laminating a resin sheet and a substrate. This lamination can be performed, for example, by bonding the resin composition layer to the substrate by thermocompression bonding the resin sheet to the substrate from the support side. Examples of the member for thermocompression bonding the resin sheet to the substrate (hereinafter sometimes referred to as "thermocompression member") include heated metal plates (such as SUS end plates) and metal rolls (such as SUS rolls). be done. Instead of pressing the thermocompression member directly onto the resin sheet, it is preferable to press the resin sheet through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet can sufficiently follow the uneven surface of the substrate.

基材と樹脂シートとの積層は、例えば、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは６０℃～１６０℃、より好ましくは８０℃～１４０℃の範囲である。加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ～１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ～１．４７ＭＰａの範囲である。加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間～４００秒間、より好ましくは３０秒間～３００秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力１３ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。 Lamination of the base material and the resin sheet may be carried out, for example, by a vacuum lamination method. In the vacuum lamination method, the thermocompression bonding temperature is preferably in the range of 60°C to 160°C, more preferably 80°C to 140°C. The thermocompression pressure is preferably in the range of 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably 0.29 MPa to 1.47 MPa. The heat-pressing time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably 30 seconds to 300 seconds. Lamination is preferably carried out under reduced pressure conditions of 13 hPa or less.

積層の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された樹脂シートの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。なお、積層と平滑化処理は、真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。 After lamination, the laminated resin sheets may be smoothed under normal pressure (atmospheric pressure), for example, by pressing a thermocompression member from the support side. The pressing conditions for the smoothing treatment may be the same as the thermocompression bonding conditions for the lamination described above. Lamination and smoothing may be performed continuously using a vacuum laminator.

また、樹脂組成物層の形成は、例えば、圧縮成型法によって行うことができる。成型条件は、後述する半導体チップパッケージの封止層を形成する工程における樹脂組成物層の形成方法と同様な条件を採用してもよい。 Formation of the resin composition layer can be performed by, for example, a compression molding method. As the molding conditions, the same conditions as in the method of forming the resin composition layer in the step of forming the sealing layer of the semiconductor chip package, which will be described later, may be adopted.

基材上に樹脂組成物層を形成した後、樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する。樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類によっても異なるが、硬化温度は通常１２０℃～２４０℃の範囲（好ましくは１５０℃～２２０℃の範囲、より好ましくは１７０℃～２００℃の範囲）、硬化時間は５分間～１２０分間の範囲（好ましくは１０分間～１００分間、より好ましくは１５分間～９０分間）である。 After forming the resin composition layer on the substrate, the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer. The thermosetting conditions for the resin composition layer vary depending on the type of resin composition, but the curing temperature is usually in the range of 120°C to 240°C (preferably in the range of 150°C to 220°C, more preferably in the range of 170°C to 200°C). range), and the curing time is in the range of 5 minutes to 120 minutes (preferably 10 minutes to 100 minutes, more preferably 15 minutes to 90 minutes).

樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層に対して、硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。例えば、樹脂組成物層を熱硬化させるのに先立ち、通常５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、樹脂組成物層を、通常５分間以上（好ましくは５分間～１５０分間、より好ましくは１５分間～１２０分間）、予備加熱してもよい。 Prior to thermal curing of the resin composition layer, the resin composition layer may be subjected to a preheating treatment of heating at a temperature lower than the curing temperature. For example, prior to thermosetting the resin composition layer, the resin composition layer is usually heated at a temperature of 50 ° C. or higher and lower than 120 ° C. (preferably 60 ° C. or higher and 110 ° C. or lower, more preferably 70 ° C. or higher and 100 ° C. or lower). may be preheated for usually 5 minutes or more (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes).

以上のようにして、絶縁層を有する回路基板を製造できる。また、回路基板の製造方法は、更に、任意の工程を含んでいてもよい。
例えば、樹脂シートを用いて回路基板を製造した場合、回路基板の製造方法は、樹脂シートの支持体を剥離する工程を含んでいてもよい。支持体は、樹脂組成物層の熱硬化の前に剥離してもよく、樹脂組成物層の熱硬化の後に剥離してもよい。 A circuit board having an insulating layer can be manufactured in the manner described above. Moreover, the method for manufacturing the circuit board may further include an arbitrary step.
For example, when a circuit board is manufactured using a resin sheet, the method for manufacturing the circuit board may include a step of peeling off the support of the resin sheet. The support may be peeled off before heat curing of the resin composition layer, or may be peeled off after heat curing of the resin composition layer.

回路基板の製造方法は、例えば、絶縁層を形成した後で、その絶縁層の表面を研磨する工程を含んでいてもよい。研磨方法は特に限定されない。例えば、平面研削盤を用いて絶縁層の表面を研磨することができる。 The method of manufacturing the circuit board may include, for example, a step of polishing the surface of the insulating layer after forming the insulating layer. A polishing method is not particularly limited. For example, the surface of the insulating layer can be polished using a surface grinder.

回路基板の製造方法は、例えば、導体層を層間接続する工程（３）、いわゆる絶縁層に穴あけをする工程を含んでいてもよい。これにより絶縁層にビアホール、スルーホール等のホールを形成することができる。ビアホールの形成方法としては、例えば、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられる。ビアホールの寸法や形状は回路基板の出デザインに応じて適宜決定してよい。なお、工程（３）は、絶縁層の研磨又は研削によって層間接続を行ってもよい。 The method of manufacturing the circuit board may include, for example, the step (3) of connecting the conductor layers between the layers, that is, the step of drilling holes in the insulating layers. As a result, holes such as via holes and through holes can be formed in the insulating layer. Examples of methods for forming via holes include laser irradiation, etching, and mechanical drilling. The size and shape of the via hole may be appropriately determined according to the design of the circuit board. In step (3), interlayer connection may be performed by polishing or grinding the insulating layer.

ビアホールの形成後、ビアホール内のスミアを除去する工程を行うことが好ましい。この工程は、デスミア工程と呼ばれることがある。例えば、絶縁層上への導体層の形成をめっき工程により行う場合には、ビアホールに対して、湿式のデスミア処理を行ってもよい。また、絶縁層上への導体層の形成をスパッタ工程により行う場合には、プラズマ処理工程などのドライデスミア工程を行ってもよい。さらに、デスミア工程によって、絶縁層に粗化処理が施されてもよい。 After forming the via hole, it is preferable to perform a step of removing smear in the via hole. This process is sometimes called a desmear process. For example, when the conductive layer is formed on the insulating layer by a plating process, the via holes may be subjected to a wet desmear treatment. Further, when the conductor layer is formed on the insulating layer by a sputtering process, a dry desmear process such as a plasma treatment process may be performed. Furthermore, the insulating layer may be roughened by a desmear process.

また、絶縁層上に導体層を形成する前に、絶縁層に対して、粗化処理を行ってもよい。この粗化処理によれば、通常、ビアホール内を含めた絶縁層の表面が粗化される。粗化処理としては、乾式及び湿式のいずれの粗化処理を行ってもよい。乾式の粗化処理の例としては、プラズマ処理等が挙げられる。また、湿式の粗化処理の例としては、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、及び、中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。 Further, the insulating layer may be roughened before forming the conductor layer on the insulating layer. According to this roughening treatment, the surface of the insulating layer including the inside of the via hole is usually roughened. As the roughening treatment, either dry or wet roughening treatment may be performed. Examples of dry roughening treatment include plasma treatment and the like. Moreover, examples of wet roughening treatment include a method in which swelling treatment with a swelling liquid, roughening treatment with an oxidizing agent, and neutralization treatment with a neutralizing liquid are performed in this order.

ビアホールを形成後、絶縁層上に導体層を形成してもよい。ビアホールが形成された位置に導体層を形成することで、新たに形成された導体層と基材表面の導体層とが導通して、層間接続が行われる。導体層の形成方法は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法などが挙げられ、中でもめっき法が好ましい。好適な実施形態では、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の適切な方法によって絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成する。また、樹脂シートにおける支持体が金属箔である場合、サブトラクティブ法により、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。形成される導体層の材料は、単金属でもよく、合金でもよい。また、この導体層は、単層構造を有していてもよく、異なる種類の材料の層を２層以上含む複層構造を有していてもよい。 After forming the via holes, a conductor layer may be formed on the insulating layer. By forming a conductor layer at the position where the via hole is formed, the newly formed conductor layer and the conductor layer on the surface of the base material are electrically connected to each other, thereby performing interlayer connection. Methods for forming the conductor layer include, for example, plating, sputtering, vapor deposition, etc. Among them, plating is preferable. In a preferred embodiment, the surface of the insulating layer is plated by an appropriate method such as a semi-additive method or a full-additive method to form a conductor layer having a desired wiring pattern. Moreover, when the support in the resin sheet is a metal foil, a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed by a subtractive method. The material of the conductor layer to be formed may be a single metal or an alloy. Moreover, this conductor layer may have a single layer structure, or may have a multi-layer structure including two or more layers of different kinds of materials.

ここで、絶縁層上に導体層を形成する実施形態の例を、詳細に説明する。絶縁層の表面に、無電解めっきにより、めっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応して、めっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等の処理により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成できる。なお、導体層を形成する際、マスクパターンの形成に用いるドライフィルムは、上記ドライフィルムと同様である。 An example embodiment of forming a conductor layer on an insulating layer will now be described in detail. A plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Next, a mask pattern is formed on the formed plating seed layer to expose a portion of the plating seed layer corresponding to a desired wiring pattern. After forming an electrolytic plating layer on the exposed plating seed layer by electrolytic plating, the mask pattern is removed. After that, the unnecessary plating seed layer is removed by a treatment such as etching to form a conductor layer having a desired wiring pattern. The dry film used for forming the mask pattern when forming the conductor layer is the same as the dry film described above.

回路基板の製造方法は、基材を除去する工程（４）を含んでいてもよい。基材を除去することにより、絶縁層と、この絶縁層に埋め込まれた導体層とを有する回路基板が得られる。この工程（４）は、例えば、剥離可能な金属層を有する基材を用いた場合に、行うことができる。 The circuit board manufacturing method may include a step (4) of removing the base material. By removing the substrate, a circuit board having an insulating layer and a conductor layer embedded in this insulating layer is obtained. This step (4) can be performed, for example, when a base material having a peelable metal layer is used.

＜半導体チップパッケージ＞
本発明の第一実施形態に係る半導体チップパッケージは、上述した回路基板と、この回路基板に搭載された半導体チップとを含む。この半導体チップパッケージは、回路基板に半導体チップを接合することにより、製造することができる。 <Semiconductor chip package>
A semiconductor chip package according to a first embodiment of the present invention includes the circuit board described above and a semiconductor chip mounted on the circuit board. This semiconductor chip package can be manufactured by bonding a semiconductor chip to a circuit board.

回路基板と半導体チップとの接合条件は、半導体チップの端子電極と回路基板の回路配線とが導体接続できる任意の条件を採用できる。例えば、半導体チップのフリップチップ実装において使用される条件を採用できる。また、例えば、半導体チップと回路基板との間に、絶縁性の接着剤を介して接合してもよい。 Any condition that allows conductor connection between the terminal electrodes of the semiconductor chip and the circuit wiring of the circuit board can be adopted as the bonding condition of the circuit board and the semiconductor chip. For example, conditions used in flip-chip mounting of semiconductor chips can be employed. Alternatively, for example, the semiconductor chip and the circuit board may be bonded via an insulating adhesive.

接合方法の例としては、半導体チップを回路基板に圧着する方法が挙げられる。圧着条件としては、圧着温度は通常１２０℃～２４０℃の範囲（好ましくは１３０℃～２００℃の範囲、より好ましくは１４０℃～１８０℃の範囲）、圧着時間は通常１秒間～６０秒間の範囲（好ましくは５秒間～３０秒間）である。 As an example of the bonding method, there is a method of crimping the semiconductor chip to the circuit board. As for the crimping conditions, the crimping temperature is usually in the range of 120° C. to 240° C. (preferably 130° C. to 200° C., more preferably 140° C. to 180° C.), and the crimping time is usually in the range of 1 second to 60 seconds. (preferably 5 seconds to 30 seconds).

また、接合方法の他の例としては、半導体チップを回路基板にリフローして接合する方法が挙げられる。リフロー条件は、１２０℃～３００℃の範囲としてもよい。 Another example of the bonding method is a method of reflowing and bonding a semiconductor chip to a circuit board. The reflow conditions may range from 120.degree. C. to 300.degree.

半導体チップを回路基板に接合した後、半導体チップをモールドアンダーフィル材で充填してもよい。このモールドアンダーフィル材として、上述した樹脂組成物を用いてもよく、また、上述した樹脂シートを用いてもよい。 After bonding the semiconductor chip to the circuit board, the semiconductor chip may be filled with a mold underfill material. As the mold underfill material, the resin composition described above may be used, or the resin sheet described above may be used.

本発明の第二実施形態に係る半導体チップパッケージは、半導体チップと、この半導体チップを封止する前記樹脂組成物の硬化物とを含む。このような半導体チップパッケージでは、通常、樹脂組成物の硬化物は封止層として機能する。第二実施形態に係る半導体チップパッケージとしては、例えば、Ｆａｎ－ｏｕｔ型ＷＬＰが挙げられる。 A semiconductor chip package according to a second embodiment of the present invention includes a semiconductor chip and a cured product of the resin composition sealing the semiconductor chip. In such a semiconductor chip package, the cured resin composition usually functions as a sealing layer. As a semiconductor chip package according to the second embodiment, for example, a fan-out type WLP can be used.

このような半導体チップパッケージの製造方法は、
（Ａ）基材に仮固定フィルムを積層する工程、
（Ｂ）半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
（Ｃ）半導体チップ上に封止層を形成する工程、
（Ｄ）基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
（Ｅ）半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程、
（Ｆ）再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程、並びに、
（Ｇ）再配線層上にソルダーレジスト層を形成する工程、
を含む。また、前記の半導体チップパッケージの製造方法は、
（Ｈ）複数の半導体チップパッケージを、個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程
を含んでいてもよい。 A method for manufacturing such a semiconductor chip package includes:
(A) a step of laminating a temporary fixing film on a substrate;
(B) temporarily fixing the semiconductor chip on the temporary fixing film;
(C) forming a sealing layer on the semiconductor chip;
(D) a step of peeling the substrate and the temporary fixing film from the semiconductor chip;
(E) forming a rewiring formation layer as an insulating layer on the surface of the semiconductor chip from which the substrate and the temporary fixing film have been removed;
(F) forming a rewiring layer as a conductor layer on the rewiring forming layer;
(G) forming a solder resist layer on the rewiring layer;
including. Further, the method for manufacturing the semiconductor chip package includes:
(H) A step of dicing the plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages to individualize them.

（工程（Ａ））
工程（Ａ）は、基材に仮固定フィルムを積層する工程である。基材と仮固定フィルムとの積層条件は、回路基板の製造方法における基材と樹脂シートとの積層条件と同様でありうる。 (Step (A))
Step (A) is a step of laminating a temporary fixing film on a substrate. The conditions for laminating the base material and the temporary fixing film may be the same as the conditions for laminating the base material and the resin sheet in the method for manufacturing a circuit board.

基材としては、例えば、シリコンウェハ；ガラスウェハー；ガラス基板；銅、チタン、ステンレス、冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）等の金属基板；ＦＲ－４基板等の、ガラス繊維にエポキシ樹脂等をしみこませ熱硬化処理した基板；ＢＴ樹脂等のビスマレイミドトリアジン樹脂からなる基板；などが挙げられる。 Examples of substrates include silicon wafers; glass wafers; glass substrates; metal substrates such as copper, titanium, stainless steel and cold-rolled steel plate (SPCC); FR-4 substrates and the like; A heat-cured substrate; a substrate made of bismaleimide triazine resin such as BT resin; and the like.

仮固定フィルムは、半導体チップから剥離でき、且つ、半導体チップを仮固定することができる任意の材料を用いうる。市販品としては、日東電工社製「リヴァアルファ」等が挙げられる。 Any material that can be peeled off from the semiconductor chip and that can temporarily fix the semiconductor chip can be used for the temporary fixing film. Commercially available products include "Riva Alpha" manufactured by Nitto Denko Corporation.

（工程（Ｂ））
工程（Ｂ）は、半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程である。半導体チップの仮固定は、例えば、フリップチップボンダー、ダイボンダー等の装置を用いて行うことができる。半導体チップの配置のレイアウト及び配置数は、仮固定フィルムの形状、大きさ、目的とする半導体チップパッケージの生産数等に応じて適切に設定できる。例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に半導体チップを整列させて、仮固定してもよい。 (Step (B))
Step (B) is a step of temporarily fixing the semiconductor chip on the temporary fixing film. Temporary fixing of the semiconductor chip can be performed using a device such as a flip chip bonder, a die bonder, or the like. The layout and the number of semiconductor chips to be arranged can be appropriately set according to the shape and size of the temporary fixing film, the target production number of semiconductor chip packages, and the like. For example, the semiconductor chips may be arranged in a matrix of multiple rows and multiple columns and temporarily fixed.

（工程（Ｃ））
工程（Ｃ）は、半導体チップ上に封止層を形成する工程である。封止層は、上述した樹脂組成物の硬化物によって形成する。封止層は、通常、半導体チップ上に樹脂組成物層を形成する工程と、この樹脂組成物層を熱硬化させて封止層を形成する工程とを含む方法で形成する。 (Step (C))
Step (C) is a step of forming a sealing layer on the semiconductor chip. The sealing layer is formed from a cured product of the resin composition described above. The encapsulation layer is usually formed by a method including the steps of forming a resin composition layer on the semiconductor chip and thermosetting the resin composition layer to form the encapsulation layer.

樹脂組成物の優れた圧縮成型性を活用して、樹脂組成物層の形成は、圧縮成型法によって行うことが好ましい。圧縮成型法では、通常、半導体チップ及び樹脂組成物を型に配置し、その型内で樹脂組成物に圧力及び必要に応じて熱を加えて、半導体チップを覆う樹脂組成物層を形成する。 It is preferable to form the resin composition layer by compression molding, taking advantage of the excellent compression moldability of the resin composition. In the compression molding method, a semiconductor chip and a resin composition are usually placed in a mold, and pressure and, if necessary, heat are applied to the resin composition in the mold to form a resin composition layer covering the semiconductor chip.

圧縮成型法の具体的な操作は、例えば、下記のようにしうる。圧縮成型用の型として、上型及び下型を用意する。また、前記のように仮固定フィルム上に仮固定された半導体チップに、樹脂組成物を塗布する。樹脂組成物を塗布された半導体チップを、基材及び仮固定フィルムと一緒に、下型に取り付ける。その後、上型と下型とを型締めして、樹脂組成物に熱及び圧力を加えて、圧縮成型を行う。 A specific operation of the compression molding method can be, for example, as follows. An upper mold and a lower mold are prepared as molds for compression molding. Also, the resin composition is applied to the semiconductor chip temporarily fixed on the temporary fixing film as described above. The semiconductor chip coated with the resin composition is attached to the lower mold together with the substrate and the temporary fixing film. After that, the upper mold and the lower mold are clamped, and heat and pressure are applied to the resin composition for compression molding.

また、圧縮成型法の具体的な操作は、例えば、下記のようにしてもよい。圧縮成型用の型として、上型及び下型を用意する。下型に、樹脂組成物を載せる。また、上型に、半導体チップを、基材及び仮固定フィルムと一緒に取り付ける。その後、下型に載った樹脂組成物が上型に取り付けられた半導体チップに接するように上型と下型とを型締めし、熱及び圧力を加えて、圧縮成型を行う。 Further, the specific operation of the compression molding method may be, for example, as follows. An upper mold and a lower mold are prepared as molds for compression molding. A resin composition is placed on the lower mold. Also, the semiconductor chip is attached to the upper mold together with the base material and the temporary fixing film. Thereafter, the upper mold and the lower mold are clamped so that the resin composition placed on the lower mold is in contact with the semiconductor chip attached to the upper mold, and heat and pressure are applied to perform compression molding.

成型条件は、樹脂組成物の組成により異なり、良好な封止が達成されるように適切な条件を採用できる。例えば、成型時の型の温度は、樹脂組成物が優れた圧縮成型性を発揮できる温度が好ましく、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上、特に好ましくは１２０℃以上であり、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１７０℃以下、特に好ましくは１５０℃以下である。また、成形時に加える圧力は、好ましくは１ＭＰａ以上、より好ましくは３ＭＰａ以上、特に好ましくは５ＭＰａ以上であり、好ましくは５０ＭＰａ以下、より好ましくは３０ＭＰａ以下、特に好ましくは２０ＭＰａ以下である。キュアタイムは、好ましくは１分以上、より好ましくは２分以上、特に好ましくは５分以上であり、好ましくは６０分以下、より好ましくは３０分以下、特に好ましくは２０分以下である。通常、樹脂組成物層の形成後、型は取り外される。型の取り外しは、樹脂組成物層の熱硬化前に行ってもよく、熱硬化後に行ってもよい。 Molding conditions vary depending on the composition of the resin composition, and suitable conditions can be adopted so as to achieve good sealing. For example, the temperature of the mold during molding is preferably a temperature at which the resin composition can exhibit excellent compression moldability, preferably 80° C. or higher, more preferably 100° C. or higher, particularly preferably 120° C. or higher. 200° C. or lower, more preferably 170° C. or lower, particularly preferably 150° C. or lower. The pressure applied during molding is preferably 1 MPa or higher, more preferably 3 MPa or higher, particularly preferably 5 MPa or higher, and preferably 50 MPa or lower, more preferably 30 MPa or lower, and particularly preferably 20 MPa or lower. The curing time is preferably 1 minute or longer, more preferably 2 minutes or longer, particularly preferably 5 minutes or longer, and preferably 60 minutes or shorter, more preferably 30 minutes or shorter, and particularly preferably 20 minutes or shorter. After formation of the resin composition layer, the mold is usually removed. The mold may be removed before or after heat curing of the resin composition layer.

樹脂組成物層の形成は、樹脂シートと半導体チップとを積層することによって行ってもよい。例えば、樹脂シートの樹脂組成物層と半導体チップとを加熱圧着することにより、半導体チップ上に樹脂組成物層を形成することができる。樹脂シートと半導体チップとの積層は、通常、基材の代わりに半導体チップを用いて、回路基板の製造方法における樹脂シートと基材との積層と同様にして行うことができる。 The resin composition layer may be formed by laminating a resin sheet and a semiconductor chip. For example, the resin composition layer can be formed on the semiconductor chip by thermocompression bonding the resin composition layer of the resin sheet and the semiconductor chip. The lamination of the resin sheet and the semiconductor chip can be carried out in the same manner as the lamination of the resin sheet and the base material in the manufacturing method of the circuit board, usually using the semiconductor chip instead of the base material.

半導体チップ上に樹脂組成物層を形成した後で、この樹脂組成物層を熱硬化させて、半導体チップを覆う封止層を得る。これにより、樹脂組成物の硬化物による半導体チップの封止が行われる。樹脂組成物層の熱硬化条件は、回路基板の製造方法における樹脂組成物層の熱硬化条件と同じ条件を採用してもよい。さらに、樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層に対して、硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。この予備加熱処理の処理条件は、回路基板の製造方法における予備加熱処理と同じ条件を採用してもよい。 After forming the resin composition layer on the semiconductor chip, the resin composition layer is thermally cured to obtain a sealing layer covering the semiconductor chip. As a result, the semiconductor chip is sealed with the cured product of the resin composition. The thermosetting conditions for the resin composition layer may be the same as the thermosetting conditions for the resin composition layer in the circuit board manufacturing method. Furthermore, before thermally curing the resin composition layer, the resin composition layer may be subjected to a preheating treatment of heating at a temperature lower than the curing temperature. As the processing conditions for this preheating treatment, the same conditions as those for the preheating treatment in the circuit board manufacturing method may be employed.

（工程（Ｄ））
工程（Ｄ）は、基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程である。剥離方法は、仮固定フィルムの材質に応じた適切な方法を採用することが望ましい。剥離方法としては、例えば、仮固定フィルムを加熱、発泡又は膨張させて剥離する方法が挙げられる。また、剥離方法としては、例えば、基材を通して仮固定フィルムに紫外線を照射して、仮固定フィルムの粘着力を低下させて剥離する方法が挙げられる。 (Step (D))
Step (D) is a step of peeling off the substrate and the temporary fixing film from the semiconductor chip. As for the peeling method, it is desirable to employ an appropriate method according to the material of the temporary fixing film. Examples of the peeling method include a method of heating, foaming, or expanding the temporary fixing film to peel it. Moreover, as a peeling method, for example, a method of irradiating the temporary fixing film with ultraviolet rays through the base material to reduce the adhesive strength of the temporary fixing film and peel it off can be used.

仮固定フィルムを加熱、発泡又は膨張させて剥離する方法において、加熱条件は、通常、１００℃～２５０℃で１秒間～９０秒間又は５分間～１５分間である。また、紫外線を照射して仮固定フィルムの粘着力を低下させて剥離する方法において、紫外線の照射量は、通常、１０ｍＪ／ｃｍ2～１０００ｍＪ／ｃｍ2である。 In the method of peeling by heating, foaming or expanding the temporary fixing film, the heating conditions are usually 100° C. to 250° C. for 1 second to 90 seconds or 5 minutes to 15 minutes. In the method of peeling off the temporary fixing film by irradiating it with ultraviolet rays to reduce its adhesive strength, the irradiation dose of ultraviolet rays is usually 10 mJ/cm 2 to 1000 mJ/cm 2 .

（工程（Ｅ））
工程（Ｅ）は、半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程である。 (Step (E))
Step (E) is a step of forming a rewiring forming layer as an insulating layer on the surface of the semiconductor chip from which the substrate and the temporary fixing film have been removed.

再配線形成層の材料は、絶縁性を有する任意の材料を用いることができる。中でも、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂及び熱硬化性樹脂が好ましい。また、この熱硬化性樹脂として、本発明の樹脂組成物を用いてもよい。 Any insulating material can be used as the material of the rewiring formation layer. Among them, photosensitive resins and thermosetting resins are preferable from the viewpoint of easiness in manufacturing semiconductor chip packages. Moreover, you may use the resin composition of this invention as this thermosetting resin.

再配線形成層を形成した後、半導体チップと再配線層とを層間接続するために、再配線形成層にビアホールを形成してもよい。 After the rewiring formation layer is formed, via holes may be formed in the rewiring formation layer for interlayer connection between the semiconductor chip and the rewiring layer.

再配線形成層の材料が感光性樹脂である場合のビアホールの形成方法では、通常、再配線形成層の表面に、マスクパターンを通して活性エネルギー線を照射して、照射部の再配線形成層を光硬化させる。活性エネルギー線としては、例えば、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等が挙げられ、特に紫外線が好ましい。紫外線の照射量及び照射時間は、感光性樹脂に応じて適切に設定できる。露光方法としては、例えば、マスクパターンを再配線形成層に密着させて露光する接触露光法、マスクパターンを再配線形成層に密着させずに平行光線を使用して露光する非接触露光法、などが挙げられる。 In the method of forming a via hole when the material of the rewiring layer is a photosensitive resin, the surface of the rewiring layer is usually irradiated with an active energy ray through a mask pattern to irradiate the rewiring layer in the irradiated portion with light. Harden. Examples of active energy rays include ultraviolet rays, visible rays, electron beams, and X-rays, and ultraviolet rays are particularly preferred. The irradiation amount and irradiation time of ultraviolet rays can be appropriately set according to the photosensitive resin. The exposure method includes, for example, a contact exposure method in which the mask pattern is brought into close contact with the rewiring layer and exposed, and a non-contact exposure method in which the mask pattern is not brought into close contact with the rewiring layer and is exposed using parallel light rays. is mentioned.

再配線形成層を光硬化させた後で、再配線形成層を現像し、未露光部を除去して、ビアホールを形成する。現像は、ウェット現像、ドライ現像のいずれを行ってもよい。現像の方式としては、例えば、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式、ブラッシング方式、スクラッピング方式等が挙げられ、解像性の観点から、パドル方式が好適である。 After the rewiring layer is photo-cured, the rewiring layer is developed to remove the unexposed portions to form via holes. The development may be either wet development or dry development. The development method includes, for example, a dipping method, a paddle method, a spray method, a brushing method, a scraping method, and the like, and the paddle method is preferable from the viewpoint of resolution.

再配線形成層の材料が熱硬化性樹脂である場合のビアホールの形成方法としては、例えば、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられる。中でも、レーザー照射が好ましい。レーザー照射は、炭酸ガスレーザー、ＵＶ－ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等の光源を用いる適切なレーザー加工機を用いて行うことができる。 When the material of the rewiring formation layer is a thermosetting resin, the method of forming via holes includes, for example, laser irradiation, etching, mechanical drilling, and the like. Among them, laser irradiation is preferable. Laser irradiation can be performed using an appropriate laser processing machine using a light source such as a carbon dioxide laser, a UV-YAG laser, an excimer laser, or the like.

ビアホールの形状は、特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。ビアホールのトップ径は、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下であり、好ましくは３μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１５μｍ以上である。ここで、ビアホールのトップ径とは、再配線形成層の表面でのビアホールの開口の直径をいう。 Although the shape of the via hole is not particularly limited, it is generally circular (substantially circular). The top diameter of the via hole is preferably 50 μm or less, more preferably 30 μm or less, still more preferably 20 μm or less, preferably 3 μm or more, preferably 10 μm or more, and more preferably 15 μm or more. Here, the top diameter of the via hole means the diameter of the opening of the via hole on the surface of the rewiring layer.

（工程（Ｆ））
工程（Ｆ）は、再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程である。再配線形成層上に再配線層を形成する方法は、回路基板の製造方法における絶縁層上への導体層の形成方法と同様でありうる。また、工程（Ｅ）及び工程（Ｆ）を繰り返し行い、再配線層及び再配線形成層を交互に積み上げて（ビルドアップ）もよい。 (Step (F))
Step (F) is a step of forming a rewiring layer as a conductor layer on the rewiring formation layer. The method of forming the rewiring layer on the rewiring forming layer can be the same as the method of forming the conductor layer on the insulating layer in the method of manufacturing the circuit board. Alternatively, the steps (E) and (F) may be repeated to alternately build up the rewiring layers and the rewiring formation layers (build-up).

（工程（Ｇ））
工程（Ｇ）は、再配線層上にソルダーレジスト層を形成する工程である。ソルダーレジスト層の材料は、絶縁性を有する任意の材料を用いることができる。中でも、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂及び熱硬化性樹脂が好ましい。また、熱硬化性樹脂として、本発明の樹脂組成物を用いてもよい。 (Step (G))
Step (G) is a step of forming a solder resist layer on the rewiring layer. Any insulating material can be used as the material of the solder resist layer. Among them, photosensitive resins and thermosetting resins are preferable from the viewpoint of easiness in manufacturing semiconductor chip packages. Moreover, you may use the resin composition of this invention as a thermosetting resin.

また、工程（Ｇ）では、必要に応じて、バンプを形成するバンピング加工を行ってもよい。バンピング加工は、半田ボール、半田めっきなどの方法で行うことができる。また、バンピング加工におけるビアホールの形成は、工程（Ｅ）と同様に行うことができる。 Moreover, in the step (G), a bumping process for forming bumps may be performed as necessary. Bumping can be performed by a method such as solder balls or solder plating. Formation of via holes in the bumping process can be performed in the same manner as in step (E).

（工程（Ｈ））
半導体チップパッケージの製造方法は、工程（Ａ）～（Ｇ）以外に、工程（Ｈ）を含んでいてもよい。工程（Ｈ）は、複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程である。半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングする方法は特に限定されない。 (Step (H))
The method for manufacturing a semiconductor chip package may include step (H) in addition to steps (A) to (G). Step (H) is a step of dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages to separate them into pieces. The method of dicing the semiconductor chip package into individual semiconductor chip packages is not particularly limited.

＜半導体装置＞
半導体装置は、半導体チップパッケージを備える。半導体装置としては、例えば、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。 <Semiconductor device>
A semiconductor device includes a semiconductor chip package. Semiconductor devices include, for example, electrical products (e.g., computers, mobile phones, smartphones, tablet devices, wearable devices, digital cameras, medical equipment, televisions, etc.) and vehicles (e.g., motorcycles, automobiles, trains, ships, etc.) and aircraft, etc.).

以下、本発明を実施例により具体的に説明する。本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples. The invention is not limited to these examples. In the following, "parts" and "%" representing amounts mean "parts by mass" and "% by mass", respectively, unless otherwise specified.

＜合成例１：活性エステル樹脂の合成＞
反応容器に１－ナフトール２８８質量部、トルエン１４００質量部を仕込み、容器内を減圧窒素置換させながら溶解させた。続いて、イソフタル酸クロライド２０３質量部を仕込み溶解させた。容器内を窒素パージしながら２０％水酸化ナトリウム水溶液４００ｇを３時間かけ滴下した。その際、系内の温度は６０℃以下に制御した。その後、１時間攪拌させ反応させた。反応終了後、反応物を分液し水層を取り除いた。水層のｐＨが７になるまでこの操作を繰り返し、加熱減圧条件でトルエン等を留去させ活性エステル樹脂（上記式（３）の化合物；分子量４１８．４）を得た。活性エステル樹脂の官能基当量は２０９ｇ／当量、軟化点７８℃であった。 <Synthesis Example 1: Synthesis of active ester resin>
288 parts by mass of 1-naphthol and 1,400 parts by mass of toluene were charged into a reaction vessel and dissolved while replacing the pressure in the vessel with nitrogen. Subsequently, 203 parts by mass of isophthaloyl chloride was charged and dissolved. While purging the inside of the container with nitrogen, 400 g of a 20% sodium hydroxide aqueous solution was added dropwise over 3 hours. At that time, the temperature in the system was controlled at 60° C. or lower. After that, the mixture was stirred for 1 hour to react. After completion of the reaction, the reactant was liquid-separated and the aqueous layer was removed. This operation was repeated until the pH of the aqueous layer reached 7, and toluene and the like were distilled off under heating and reduced pressure conditions to obtain an active ester resin (compound of the above formula (3); molecular weight: 418.4). The active ester resin had a functional group equivalent weight of 209 g/equivalent and a softening point of 78°C.

＜実施例１＞
グリシジルアミン型エポキシ樹脂（ＡＤＥＫＡ社製「ＥＰ－３９８０Ｓ」、エポキシ当量１１５ｇ／ｅｑ．）２部、脂環型エポキシ樹脂（ダイセル社製「セロキサイド２０２１Ｐ」、エポキシ当量１３６ｇ／ｅｑ．）７部、合成例１で得た活性エステル樹脂（軟化点７８℃）５部、酸無水物系硬化剤（新日本理化製「ＭＨ－７００」）５部、シリカＡ（平均粒径９ｕｍ、比表面積５．０ｍ２／ｇ，ＫＢＭ５７３（信越化学工業製）で表面処理されたもの）を１４０部、硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール）０．１部を、ミキサーを用いて均一に分散して、樹脂組成物を得た。 <Example 1>
Glycidylamine type epoxy resin (ADEKA "EP-3980S", epoxy equivalent 115 g / eq.) 2 parts, alicyclic epoxy resin (Daicel "Celoxide 2021P", epoxy equivalent 136 g / eq.) 7 parts, synthesis Active ester resin obtained in Example 1 (softening point 78 ° C.) 5 parts, acid anhydride curing agent (Shin Nippon Rika "MH-700") 5 parts, silica A (average particle size 9 um, specific surface area 5.0 m 2 / g, KBM573 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 140 parts, a curing accelerator ("1B2PZ" manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 1-benzyl-2-phenylimidazole) 0.1 part, a mixer to obtain a resin composition.

＜実施例２＞
シリカＡを１４０部使用する代わりに、アルミナＡ（平均粒径１０μｍ、比表面積０．３ｍ２／ｇ、ＫＢＭ５７８３（信越化学製）で表面処理されたもの）を１７０部使用したこと以外は、実施例１と同じ操作を行って、樹脂組成物を得た。 <Example 2>
Instead of using 140 parts of silica A, 170 parts of alumina A (average particle size 10 μm, specific surface area 0.3 m 2 /g, surface-treated with KBM5783 (manufactured by Shin-Etsu Chemical)) was used. The same operation as in Example 1 was performed to obtain a resin composition.

＜実施例３＞
シリカＡを１４０部使用する代わりに、シリカＢ（平均粒径９μｍ、比表面積５．０ｍ２／ｇ、ＫＢＭ５０３（信越化学製）で表面処理されたもの）を１４０部使用したこと以外は、実施例１と同じ操作を行って、樹脂組成物を得た。 <Example 3>
Instead of using 140 parts of silica A, except that 140 parts of silica B (average particle size 9 μm, specific surface area 5.0 m 2 /g, surface treated with KBM503 (manufactured by Shin-Etsu Chemical)) was used. The same operation as in Example 1 was performed to obtain a resin composition.

＜実施例４＞
合成例１で得た活性エステル樹脂（軟化点７８℃）の使用量を５部から３部に変更したこと、酸無水物系硬化剤（新日本理化製「ＭＨ－７００」）の使用量を５部から７部に変更したこと以外は、実施例１と同じ操作を行って、樹脂組成物を得た。 <Example 4>
The amount of active ester resin (softening point 78 ° C.) obtained in Synthesis Example 1 was changed from 5 parts to 3 parts, and the amount of acid anhydride curing agent ("MH-700" manufactured by Shin Nippon Rika) was changed to A resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, except that the amount was changed from 5 parts to 7 parts.

＜実施例５＞
合成例１で得た活性エステル樹脂（軟化点７８℃）の使用量を５部から７部に変更したこと、酸無水物系硬化剤（新日本理化製「ＭＨ－７００」）の使用量を５部から３部に変更したこと以外は、実施例１と同じ操作を行って、樹脂組成物を得た。 <Example 5>
The amount of the active ester resin (softening point 78 ° C.) obtained in Synthesis Example 1 was changed from 5 parts to 7 parts, and the amount of acid anhydride curing agent ("MH-700" manufactured by Shin Nippon Rika) was changed to A resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, except that the amount was changed from 5 parts to 3 parts.

＜比較例１＞
合成例１で得た活性エステル樹脂（軟化点７８℃）を使用しなかったこと、酸無水物系硬化剤（新日本理化製「ＭＨ－７００」）の使用量を５部から１０部に変更したこと以外は、実施例１と同じ操作を行って、樹脂組成物を得た。 <Comparative Example 1>
The active ester resin (softening point 78 ° C.) obtained in Synthesis Example 1 was not used, and the amount of acid anhydride curing agent ("MH-700" manufactured by Shin Nippon Rika) was changed from 5 parts to 10 parts. A resin composition was obtained by performing the same operation as in Example 1, except for the above.

＜比較例２＞
合成例１で得た活性エステル樹脂（軟化点７８℃）を５部使用する代わりに、市販の活性エステル樹脂（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ－８０００」、軟化点１５２℃）５部使用したこと以外は、実施例１と同じ操作を行って、樹脂組成物を得た。 <Comparative Example 2>
Instead of using 5 parts of the active ester resin (softening point 78 ° C.) obtained in Synthesis Example 1, a commercially available active ester resin ("HPC-8000" manufactured by DIC, softening point 152 ° C.) was used except that 5 parts were used. , the same operation as in Example 1 was performed to obtain a resin composition.

＜試験例１：高温高湿環境試験（ＨＡＳＴ）後のシリコンウエハに対する密着性の評価＞
１２インチシリコンウエハ上に、実施例及び比較例で作製した樹脂組成物を、コンプレッションモールド装置（金型温度：１３０℃、圧力：６ＭＰａ、キュアタイム：１０分）を用いて圧縮成型して、厚さ３００μｍの樹脂組成物層を形成した。その後、１８０℃で９０分間加熱して樹脂組成物層を熱硬化させてサンプルを作製した。作製したサンプルについて、高度加速寿命試験装置（楠本化成社製「ＰＭ４２２」）を用いて、１３０℃、８５％ＲＨの条件で１００時間の高温高湿環境試験を実施した。試験後のサンプルについて、硬化物と下地のシリコンウエハの界面に剥がれがあるか確認した。硬化物と下地のシリコンウエハの界面に剥がれが無い場合を「○」、硬化物と下地のシリコンウエハの界面に剥がれがある場合を「×」と評価した。 <Test Example 1: Evaluation of adhesion to silicon wafer after high temperature and high humidity environment test (HAST)>
On a 12-inch silicon wafer, the resin compositions prepared in Examples and Comparative Examples were compression-molded using a compression molding apparatus (mold temperature: 130°C, pressure: 6 MPa, cure time: 10 minutes) to obtain a thickness. A resin composition layer having a thickness of 300 μm was formed. Thereafter, the resin composition layer was thermally cured by heating at 180° C. for 90 minutes to prepare a sample. A high-temperature and high-humidity environment test was performed on the prepared samples under conditions of 130° C. and 85% RH for 100 hours using a highly accelerated life tester (“PM422” manufactured by Kusumoto Kasei Co., Ltd.). After the test, the sample was checked for peeling at the interface between the cured product and the underlying silicon wafer. A case where there was no peeling at the interface between the cured product and the underlying silicon wafer was evaluated as "◯", and a case where there was peeling at the interface between the cured product and the underlying silicon wafer was evaluated as "X".

＜試験例２：誘電正接の測定＞
離型処理した１２インチシリコンウエハ上に、実施例及び比較例で作製した樹脂組成物を、コンプレッションモールド装置（金型温度：１３０℃、圧力：６ＭＰａ、キュアタイム：１０分）を用いて圧縮成型して、厚さ３００μｍの樹脂組成物層を形成した。その後、離型処理したシリコンウエハから樹脂組成物を剥がし、１８０℃で９０分間加熱して樹脂組成物を熱硬化させサンプルを作製した。ファブリペロー法により７９ＧＨｚでの誘電正接の測定を行った。３本の試験片について測定を行い、平均値を算出した。 <Test Example 2: Measurement of Dielectric Loss Tangent>
The resin compositions prepared in Examples and Comparative Examples were compression-molded on a release-treated 12-inch silicon wafer using a compression molding apparatus (mold temperature: 130°C, pressure: 6 MPa, cure time: 10 minutes). Then, a resin composition layer having a thickness of 300 μm was formed. After that, the resin composition was peeled off from the release-treated silicon wafer and heated at 180° C. for 90 minutes to thermally cure the resin composition to prepare a sample. The dielectric loss tangent was measured at 79 GHz by the Fabry-Perot method. Three test pieces were measured, and the average value was calculated.

＜試験例３：貯蔵弾性率の測定＞
離型処理した１２インチシリコンウエハ上に、実施例及び比較例で作製した樹脂組成物を、コンプレッションモールド装置（金型温度：１３０℃、圧力：６ＭＰａ、キュアタイム：１０分）を用いて圧縮成型して、厚さ３００μｍの樹脂組成物層を形成した。その後、離型処理したシリコンウエハから樹脂組成物を剥がし、１８０℃で９０分間加熱して樹脂組成物を熱硬化させ硬化物サンプルを作製した。上記硬化物を幅７ｍｍ、長さ４０ｍｍの試験片に切断し、動的機械分析装置ＤＭＳ－６１００（セイコーインスツルメンツ（株）製）を使用して、引張モードにて動的機械分析を行った。試験片を前記装置に装着後、周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／分の測定条件にて測定した。かかる測定における２５℃のときの貯蔵弾性率（Ｅ‘）ＧＰａの値を読み取った。 <Test Example 3: Measurement of storage elastic modulus>
The resin compositions prepared in Examples and Comparative Examples were compression-molded on a release-treated 12-inch silicon wafer using a compression molding apparatus (mold temperature: 130°C, pressure: 6 MPa, cure time: 10 minutes). Then, a resin composition layer having a thickness of 300 μm was formed. After that, the resin composition was peeled off from the release-treated silicon wafer and heated at 180° C. for 90 minutes to thermally cure the resin composition to prepare a cured product sample. The cured product was cut into a test piece having a width of 7 mm and a length of 40 mm, and subjected to dynamic mechanical analysis in tensile mode using a dynamic mechanical analyzer DMS-6100 (manufactured by Seiko Instruments Inc.). After mounting the test piece on the apparatus, measurement was performed under the measurement conditions of a frequency of 1 Hz and a heating rate of 5° C./min. The value of storage modulus (E') GPa at 25°C in this measurement was read.

＜試験例４：フローマークの評価＞
１２インチシリコンウエハ上に、実施例及び比較例で作製した樹脂組成物を、コンプレッションモールド装置（金型温度：１３０℃、圧力：６ＭＰａ、キュアタイム：１０分）を用いて圧縮成型して、厚さ３００μｍの樹脂組成物層を形成した。その後、１５０℃で６０分間加熱させた後、樹脂組成物層の表面を目視にてフローマークを確認した。フローマークがあるものを「×」、フローマークがないものを「○」とした。 <Test Example 4: Evaluation of flow marks>
On a 12-inch silicon wafer, the resin compositions prepared in Examples and Comparative Examples were compression-molded using a compression molding apparatus (mold temperature: 130°C, pressure: 6 MPa, cure time: 10 minutes) to obtain a thickness. A resin composition layer having a thickness of 300 μm was formed. Then, after heating at 150° C. for 60 minutes, flow marks were visually observed on the surface of the resin composition layer. Those with flow marks were evaluated as "×", and those without flow marks were evaluated as "○".

＜試験例５：樹脂組成物の性状の評価＞
実施例及び比較例で作製した樹脂組成物の性状を評価した。２５℃で樹脂組成物が流動性のある液状である場合を「液状」、流動性のない粘土状である場合を「粘土状」と評価した。 <Test Example 5: Evaluation of Properties of Resin Composition>
The properties of the resin compositions prepared in Examples and Comparative Examples were evaluated. The case where the resin composition was liquid with fluidity at 25° C. was evaluated as “liquid”, and the case where the resin composition was clay with no fluidity was evaluated as “clay”.

実施例及び比較例の樹脂組成物の不揮発成分及びその使用量、並びに試験例の測定結果及び評価結果を下記表１に示す。 Table 1 below shows the non-volatile components and amounts used in the resin compositions of Examples and Comparative Examples, as well as the measurement results and evaluation results of Test Examples.

Figure 2022189845000011
Figure 2022189845000011

上記の結果の通り、（Ｂ）硬化剤として、（Ｂ－１）～（Ｂ－３）成分を用いた場合に、誘電特性が低減され、且つフローマークの発生が抑制された硬化物を得ることができることがわかる。 As shown in the above results, when the components (B-1) to (B-3) are used as the curing agent (B), a cured product having reduced dielectric properties and suppressed generation of flow marks is obtained. know that it can be done.

Claims (19)

（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）無機充填材を含む樹脂組成物であって、（Ｂ）成分が、（Ｂ－１）軟化点が１００℃以下の活性エステル樹脂を含み、（Ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、５０質量％以上であり、樹脂組成物を１８０℃で９０分熱硬化させて得られる硬化物のファブリペロー法で測定した誘電正接（測定周波数７９ＧＨｚ）が、０．００４以下である、樹脂組成物。 A resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) an inorganic filler, wherein the component (B) is (B-1) an active ester resin having a softening point of 100° C. or less. The content of component (C) is 50% by mass or more when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, and the cured product obtained by thermally curing the resin composition at 180 ° C. for 90 minutes A resin composition having a dielectric loss tangent (measured at a frequency of 79 GHz) of 0.004 or less as measured by the Fabry-Perot method. （Ｂ）成分が、（Ｂ－１）式（１）：
Figure 2022189845000012
 ［式中、環Ｘ、Ｙ及びＺは、それぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリール基、アリールオキシ基、アリールカルボニル基、アラルキル基、芳香族複素環基、及び非芳香族複素環基から選ばれる置換基を有していてもよい芳香環を示す。］
で表される２官能の活性エステル樹脂のうち軟化点が１００℃以下のものを含む、請求項１に記載の樹脂組成物。 (B) component is (B-1) formula (1):
Figure 2022189845000012
 [Wherein, rings X, Y and Z each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an alkylcarbonyl group, an aryl group, an aryloxy group, an arylcarbonyl group, an aralkyl group, an aromatic heteroaromatic It represents an aromatic ring optionally having a substituent selected from a cyclic group and a non-aromatic heterocyclic group. ]
2. The resin composition according to claim 1, which contains bifunctional active ester resins represented by the above having a softening point of 100[deg.] C. or lower. （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）無機充填材を含む樹脂組成物であって、（Ｂ）成分が、（Ｂ－１）式（１）：
Figure 2022189845000013
 ［式中、環Ｘ、Ｙ及びＺは、それぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリール基、アリールオキシ基、アリールカルボニル基、アラルキル基、芳香族複素環基、及び非芳香族複素環基から選ばれる置換基を有していてもよい芳香環を示す。］
で表される２官能の活性エステル樹脂のうち軟化点が１００℃以下のものを含み、（Ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、５０質量％以上である、樹脂組成物。 A resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) an inorganic filler, wherein the component (B) is (B-1) formula (1):
Figure 2022189845000013
 [Wherein, rings X, Y and Z each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an alkylcarbonyl group, an aryl group, an aryloxy group, an arylcarbonyl group, an aralkyl group, an aromatic heteroaromatic It represents an aromatic ring optionally having a substituent selected from a cyclic group and a non-aromatic heterocyclic group. ]
Among the bifunctional active ester resins represented by, including those having a softening point of 100 ° C. or less, the content of the component (C) is 50% by mass when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass. The above resin composition. （Ｂ）成分が、さらに、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤及びアミン系硬化剤から選ばれる１種以上の硬化剤を含む、請求項１又は３に記載の樹脂組成物。 Component (B) is further selected from phenol-based curing agents, naphthol-based curing agents, acid anhydride-based curing agents, benzoxazine-based curing agents, cyanate ester-based curing agents, carbodiimide-based curing agents, and amine-based curing agents. 4. The resin composition of claim 1 or 3, comprising one or more curing agents. （Ｂ）成分が、さらに、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、アミン系硬化剤、及び酸無水物系硬化剤から選ばれる１種以上の硬化剤を含む、請求項１又は３に記載の樹脂組成物。 The component (B) according to claim 1 or 3, further comprising one or more curing agents selected from phenolic curing agents, naphthol curing agents, amine curing agents, and acid anhydride curing agents. Resin composition. （Ｂ－１）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、１質量％～２０質量％である、請求項１又は３に記載の樹脂組成物。 4. The resin composition according to claim 1, wherein the content of component (B-1) is 1% by mass to 20% by mass when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass. （Ａ）成分が、液状エポキシ樹脂である、請求項１又は３に記載の樹脂組成物。 4. The resin composition according to claim 1, wherein component (A) is a liquid epoxy resin. （Ｃ）成分の平均粒径が、１μｍ～４０μｍである、請求項１又は３に記載の樹脂組成物。 4. The resin composition according to claim 1, wherein component (C) has an average particle size of 1 μm to 40 μm. （Ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、８０質量％以上である、請求項１又は３に記載の樹脂組成物。 4. The resin composition according to claim 1 or 3, wherein the content of component (C) is 80% by mass or more when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass. ２５℃で液状である、請求項１又は３に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 1 or 3, which is liquid at 25°C. 半導体チップパッケージの絶縁層を形成するための請求項１又は３に記載の樹脂組成物。 4. The resin composition according to claim 1 or 3, for forming an insulating layer of a semiconductor chip package. 回路基板の絶縁層を形成するための請求項１又は３に記載の樹脂組成物。 4. The resin composition according to claim 1 or 3, for forming an insulating layer of a circuit board. 半導体チップパッケージの半導体チップを封止するための請求項１又は３に記載の樹脂組成物。 4. The resin composition according to claim 1 or 3, for encapsulating a semiconductor chip in a semiconductor chip package. 請求項１又は３に記載の樹脂組成物の硬化物。 A cured product of the resin composition according to claim 1 or 3. 支持体と、上記支持体上に設けられた請求項１又は３に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。 A resin sheet comprising a support and a resin composition layer containing the resin composition according to claim 1 or 3 provided on the support. 請求項１又は３に記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む回路基板。 A circuit board comprising an insulating layer formed from a cured product of the resin composition according to claim 1 or 3. 請求項１６に記載の回路基板と、当該回路基板に搭載された半導体チップと、を含む半導体チップパッケージ。 A semiconductor chip package comprising the circuit board according to claim 16 and a semiconductor chip mounted on the circuit board. 半導体チップと、当該半導体チップを封止する請求項１又は３に記載の樹脂組成物の硬化物と、を含む半導体チップパッケージ。 A semiconductor chip package comprising a semiconductor chip and a cured product of the resin composition according to claim 1 or 3 for encapsulating the semiconductor chip. 請求項１８に記載の半導体チップパッケージを備える半導体装置。 A semiconductor device comprising the semiconductor chip package according to claim 18 .
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