JP2022186615A - 光電変換装置およびx線撮像装置 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、第1実施形態に係る光電変換装置及びX線撮像装置について説明する。図1は、本実施形態に係る光電変換装置10を備えるX線撮像装置1の概略構成を示す模式図である。X線撮像装置1は、X線によって被写体Sを撮像する。X線撮像装置1は、例えば、X線透視検査装置やX線CT装置等に用いられる。本実施形態のX線撮像装置1は、X線源2、シンチレータ3および光電変換装置10を有する。
次に、第2実施形態について説明する。第1実施形態では、平坦化膜として2層の絶縁膜37及び52を用いる場合について説明したが、本実施形態は、1層の平坦化膜を用いて上記第1実施形態を実現するものである。以下では、第1実施形態と異なる点について説明する。
・第1絶縁膜36上に第3絶縁膜50が形成され、第3絶縁膜50上に第4絶縁膜51が形成され、第4絶縁膜51上に第5絶縁膜52が形成される。
・第1絶縁膜36上に、ソース電極33Dに接する金属膜74が形成され、第5絶縁膜52に金属膜74に達するコンタクトホールCH30が形成され、CH30を埋め込むようにして、多層金属膜61及び透明導電膜62を含む外部接続端子PAD2が形成される。なお、金属膜74は、例えば、図6Bで説明した第1ソース電極70と同一材料、同一行程、及び同一層に形成される。
次に第3実施形態について説明する。本実施形態は、上記第1実施形態で説明した構成において、更にESD(Electro-Static Discharge)素子を設けた構成に関する。以下では、第1実施形態と異なる点についてのみ説明する。
以上、第1乃至第3実施形態について説明したが、実施形態は上記説明したものに限定されない。
Claims (19)
- 基板の第1領域上に設けられた第1トランジスタと、
前記基板の前記第1領域上に設けられ、前記第1トランジスタに電気的に接続された第1光電変換素子と、
前記基板の第2領域上に設けられた第2トランジスタと、
前記基板上に設けられ、前記第1トランジスタ、前記第1光電変換素子、及び前記第2トランジスタを被覆する絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられ、前記第1トランジスタと前記第1光電変換素子のいずれかに電気的に接続され、外部と接続可能な第1端子と
を具備し、前記第2トランジスタは、前記第1トランジスタのダミートランジスタである光電変換装置。 - 前記第1端子は、前記第2領域内における前記絶縁層上に設けられる、請求項1記載の光電変換装置。
- 前記第1端子は、平面視において前記第2トランジスタとオーバーラップする、請求項1記載の光電変換装置。
- 前記第1端子は前記第1トランジスタのゲートに電気的に接続され、前記第2トランジスタのゲートは電気的にフローティングとされる、請求項1記載の光電変換装置。
- 前記第1端子は前記第1トランジスタのソースまたはドレインに電気的に接続される、請求項1記載の光電変換装置。
- 前記第2領域は、前記第1領域の周囲を取り囲む、請求項1記載の光電変換装置。
- 前記基板の第3領域上に設けられた第3トランジスタと、前記第3トランジスタに電気的に接続された第2光電変換素子と更に備え、
前記第3トランジスタは、前記第1トランジスタのダミートランジスタであり、
前記第2光電変換素子は、前記第1光電変換素子のダミー素子であり、
前記第3トランジスタのゲートは、前記第1端子に電気的に接続されず、
前記第3領域は、前記第1領域と第2領域との間において、前記第1領域を取り囲む、請求項6記載の光電変換装置。 - 前記第1領域は、入射した光に応じて電荷を発生させ、該電荷に応じた電圧を外部へ出力するアクティブ領域であり、
前記第2領域及び前記第3領域は、前記アクティブ領域のダミー領域である、請求項7記載の光電変換装置。 - 前記絶縁層は、前記基板上に設けられた第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に設けられた第2絶縁層とを含み、
前記第1端子は、前記第2絶縁層上に設けられる、請求項1記載の光電変換装置。 - 前記基板の第3領域上に設けられたESD(Electro-Static Discharge)素子を更に備え、
前記第3領域は前記第2領域に隣接する、請求項1記載の光電変換装置。 - 前記第1光電変換素子は、n型半導体層と、p型半導体層と、前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられたi型半導体層と、を含む、請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記n型半導体層は前記i型半導体層上に設けられ、前記i型半導体層は前記p型半導体層上に設けられる、請求項11に記載の光電変換装置。
- 前記p型半導体層は前記i型半導体層上に設けられ、前記i型半導体層は前記n型半導体層上に設けられる、請求項11に記載の光電変換装置。
- 前記第1トランジスタは、酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを備えた酸化物半導体TFT(Thin Film Transistor)である、請求項11記載の光電変換装置。
- 前記酸化物半導体層は、In-Ga-Zn-O系半導体を含む、請求項14記載の光電変換装置。
- 請求項1記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置上に設けられ、入射したX線をシンチレーション光に変換するシンチレータと
を具備するX線撮像装置。 - 前記シンチレーション光は、前記第1領域において電荷に変換され、該電荷に応じた電圧が前記第1端子を介して外部へ出力される、請求項16記載のX線撮像装置。
- 前記第2領域は光電変換素子を有さず、
前記シンチレータで得られ、且つ前記第2領域に入射した前記シンチレーション光は電荷に変換されない、請求項17記載のX線撮像装置。 - 請求項7記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置上に設けられ、入射したX線をシンチレーション光に変換するシンチレータと
を具備し、前記第2光電変換素子で発生された信号は、外部へ出力されない、X線撮像装置。
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