JP2022138205A - 電力用半導体装置 - Google Patents
電力用半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022138205A JP2022138205A JP2021037943A JP2021037943A JP2022138205A JP 2022138205 A JP2022138205 A JP 2022138205A JP 2021037943 A JP2021037943 A JP 2021037943A JP 2021037943 A JP2021037943 A JP 2021037943A JP 2022138205 A JP2022138205 A JP 2022138205A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power semiconductor
- lead
- semiconductor device
- notch
- mold resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
Description
図1は実施の形態1に係る電力用半導体装置100を模式的に示す平面図、図2は電力用半導体装置100の構成の概略を示す平面図で、封止部材であるモールド樹脂4及び電気部品5を取り除いて示した図、図3は図2のA-A断面位置で切断した電力用半導体装置100の概略を示す断面図、図4は電力用半導体装置100の要部の概略を示す平面図で、電気部品5を取り除いた図、図5、図6は電力用半導体装置100の要部を説明する平面図である。図2において、破線はモールド樹脂4の外形及び電気部品5の外形である。電力用半導体装置100はスイッチング素子であるパワー半導体チップ1を複数有し、パワー半導体チップ1のスイッチング動作にて電力を変換する装置である。本実施の形態に示す図では電力用半導体装置100に1つのパワーモジュール50を示しているが、パワーモジュール50の個数は1つに限るものではない。電力用半導体装置100は複数のパワーモジュール50を組み合わせて構成しても構わない。
電力用半導体装置100は、図2に示すように、複数のリードフレーム(AC電位リード2a、P電位リード2b、N電位リード2c)と、パワー半導体チップ1と、インナーリード3a、3bと、モールド樹脂4と、電気部品5と、信号端子6とを備える。図2は、複数のリードフレームの一方の面に垂直な方向に見た平面図である。複数のリードフレームは、板状に形成され、同一平面上に並べられ、配線パターンを形成する。本実施の形態では、複数のリードフレームは、2つのAC電位リード2a、2つのP電位リード2b、及び1つのN電位リード2cである。パワー半導体チップ1は、第一のリードフレームであるAC電位リード2aの一方の面、及び第三のリードフレームであるP電位リード2bの一方の面に接合される。インナーリード3aは、第二のリードフレームであるN電位リード2cの一方の面と、AC電位リード2aに接合されたパワー半導体チップ1におけるAC電位リード2aの側とは反対側の面とを接合する。インナーリード3bは、AC電位リード2aの一方の面と、P電位リード2bに接合されたパワー半導体チップ1におけるP電位リード2bの側とは反対側の面とを接合する。
リードフレームは、銅またはアルミを基材にした合金の板材を配線パターン状に成形して作製される。リードフレームを構成するAC電位リード2a、P電位リード2b、及びN電位リード2cは、モールド樹脂4で封止された後に切り離されることでそれぞれが形成される。信号端子6もリードフレームと同じ板材から同様に切り離されることで形成しても構わない。リードフレームは、一方の面の側にパワー半導体チップ1、インナーリード3a、インナーリード3b、はんだ7などの導電性部材、ワイヤボンド配線、電流検出用抵抗器などが実装される。一方の面は、実装面2dである。リードフレームの配線パターン状への加工は、板状の材料のエッチング加工、またはプレス加工にて行われる。リードフレームの表面は、基材の金属が露出しているものも使用可能であるが、一部もしくは全部にめっき処理を行っても構わない。めっき処理を施すことで、リードフレームへの部材の実装が容易になる。
モールド樹脂4におけるAC電位リード2a、P電位リード2b、及びN電位リード2cが突出している外周部に、内側に引っ込んだ切欠き4aが設けられる。切欠き4aは、図4において破線で囲まれた部分である。モールド樹脂4は、複数のリードフレームの実装面2dに垂直な方向に見て、単数又は複数の角部に切欠き4aが設けられた矩形状に形成されている。モールド樹脂4の形状は矩形状に限るものではなく、他の形状であっても構わない。図4では2つの角部に切欠き4aが設けられているが、切欠き4aの数及び位置はこれに限るものではない。切欠き4aの位置は、切欠き4aに配置される電気部品5の機能等により任意に定めて構わない。切欠き4aは、モールド樹脂4でパワーモジュール50を成形する際に同時に形成される。切欠き4aは、パワーモジュール50の樹脂成形後に切削加工等により形成しても構わない。切欠き4aを矩形状のモールド樹脂4の角部に設けた場合、切欠き4aの形成位置が角部なため、容易に切欠き4aを形成することができる。
実施の形態2に係る電力用半導体装置100について説明する。図7は実施の形態2に係る電力用半導体装置100を模式的に示す平面図、図8は実施の形態2に係る別の電力用半導体装置100を模式的に示す平面図で、電流検出回路11を取り除いて示した図、図9は図8のB-B断面位置で切断した電力用半導体装置100の要部を示す断面図である。図8に示した破線は、電流検出回路11の外形である。実施の形態2に係る電力用半導体装置100は、電気部品5である電流検出回路11を備えた構成になっている。
実施の形態3に係る電力用半導体装置100について説明する。図10は実施の形態3に係る電力用半導体装置100を模式的に示す平面図である。実施の形態3に係る電力用半導体装置100は、電気部品5であるスナバ回路12を備えた構成になっている。
実施の形態4に係る電力用半導体装置100について説明する。図11は実施の形態4に係る電力用半導体装置100を模式的に示す平面図である。実施の形態4に係る電力用半導体装置100は、電気部品5であるヒューズ回路13を備えた構成になっている。
実施の形態5に係る電力用半導体装置100について説明する。図12は実施の形態5に係る電力用半導体装置100の構成の概略を示す平面図である。実施の形態5に係る電力用半導体装置100は、信号端子6の配置を規定した構成になっている。
実施の形態6に係る電力用半導体装置100について説明する。図13は実施の形態6に係る電力用半導体装置100を模式的に示す平面図である。実施の形態6に係る電力用半導体装置100は、切欠き4aの部分の形状が異なる構成になっている。
従って、例示されていない無数の変形例が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも1つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも1つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
Claims (10)
- 板状に形成され、同一平面上に並べられ、配線パターンを形成する複数のリードフレームと、
第一の前記リードフレームの一方の面に接合されたスイッチング素子と、
第二の前記リードフレームの一方の面と前記スイッチング素子における前記第一の前記リードフレームの側とは反対側の面とを接合するインナーリードと、
複数の前記リードフレームの少なくとも一部を外部に露出させて、複数の前記リードフレームと前記スイッチング素子と前記インナーリードとを封止するモールド樹脂と、
電気部品と、を備え、
前記モールド樹脂における前記リードフレームが突出している外周部に、内側に引っ込んだ切欠きが設けられ、
前記電気部品は、前記切欠きにより引っ込んでいる領域に重複して配置されている電力用半導体装置。 - 前記モールド樹脂は、複数の前記リードフレームの一方の面に垂直な方向に見て、単数又は複数の角部に前記切欠きが設けられた矩形状に形成されている請求項1に記載の電力用半導体装置。
- 前記切欠きは、複数の前記リードフレームの一方の面に垂直な前記モールド樹脂の2つの側面により形成されており、前記2つの側面の角度は、直角よりも大きい請求項2に記載の電力用半導体装置。
- 前記電気部品は、電流検出回路又はスナバ回路又はヒューズ回路である請求項1から3のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。
- 前記切欠きにより引っ込んでいる領域において前記モールド樹脂から外部に突出した前記リードフレームの部分である切欠きリード突出部を、前記切欠きリード突出部の一方の面を除いて取り囲む、断面がU字状又はC字状の電磁シールドを備え、
前記電気部品としての電流検出回路のセンサ部が、前記電磁シールドの配置位置における、前記切欠きリード突出部の一方の面に対向して配置され、
前記電流検出回路のセンサ部は、前記電磁シールドにおける前記U字状又は前記C字状の開口部の内側に配置されている請求項1から4のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。 - 前記電磁シールドに挟まれた前記切欠きリード突出部の部分である挟まれ部の幅は、前記切欠きリード突出部の突出方向における前記挟まれ部の前後の前記切欠きリード突出部の部分の幅よりも狭い請求項5に記載の電力用半導体装置。
- 隣接した2つの前記リードフレームが、前記切欠きの領域において突出しており、
前記電気部品としてのスナバ回路は、前記切欠きにより引っ込んでいる領域に重複して配置され、2つの前記リードフレームの一方の面を接続している請求項1から6のいずれか一項に記載の電力用半導体装置。 - 前記切欠きが設けられていない前記モールド樹脂の外周部から外部に露出した信号端子を備えた請求項1から7のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。
- 前記モールド樹脂に封止された電子部品を備えた請求項1から8のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。
- 複数の前記リードフレームの他方の面が、前記モールド樹脂から外部に露出しており、放熱面とされている請求項1から9のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021037943A JP7170767B2 (ja) | 2021-03-10 | 2021-03-10 | 電力用半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021037943A JP7170767B2 (ja) | 2021-03-10 | 2021-03-10 | 電力用半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022138205A true JP2022138205A (ja) | 2022-09-26 |
JP7170767B2 JP7170767B2 (ja) | 2022-11-14 |
Family
ID=83399342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021037943A Active JP7170767B2 (ja) | 2021-03-10 | 2021-03-10 | 電力用半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7170767B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5993148U (ja) * | 1982-12-16 | 1984-06-25 | 東光株式会社 | 樹脂封止型モジユ−ル |
JP2021015857A (ja) * | 2019-07-10 | 2021-02-12 | 株式会社デンソー | 半導体装置及び電子装置 |
-
2021
- 2021-03-10 JP JP2021037943A patent/JP7170767B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5993148U (ja) * | 1982-12-16 | 1984-06-25 | 東光株式会社 | 樹脂封止型モジユ−ル |
JP2021015857A (ja) * | 2019-07-10 | 2021-02-12 | 株式会社デンソー | 半導体装置及び電子装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7170767B2 (ja) | 2022-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5921055B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3516789B2 (ja) | 半導体パワーモジュール | |
US10854589B2 (en) | Semiconductor device | |
KR101585306B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP5232367B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3910383B2 (ja) | パワーモジュールおよびインバータ | |
US10468338B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5930070B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2007234690A (ja) | パワー半導体モジュール | |
JP7100569B2 (ja) | 半導体モジュール、電力変換装置および半導体モジュールの製造方法 | |
US9159715B2 (en) | Miniaturized semiconductor device | |
JP7046742B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP2018196180A (ja) | 電力変換装置用のパワーモジュール、電力変換装置、制御装置一体型回転電機装置 | |
JP4403166B2 (ja) | パワーモジュールおよび電力変換装置 | |
JP6948855B2 (ja) | パワー半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 | |
JP7170767B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
US20240040702A1 (en) | Power semiconductor device | |
JP2019079935A (ja) | 電力用半導体装置 | |
US10854537B2 (en) | Power semiconductor device and power module | |
JP2022139064A (ja) | 半導体モジュール | |
JP2017069351A (ja) | 半導体装置 | |
JP7329578B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
CN112750800A (zh) | 半导体功率模块 | |
CN116646326B (zh) | 智能功率模块和具有其的电子设备 | |
JP6952824B2 (ja) | パワーモジュール及びこれを用いた電力用半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220426 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220527 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221004 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221101 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7170767 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |