JP2022126503A - ハニカム構造体の製造方法及び電気加熱式担体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)炭化珪素-金属珪素複合材を主成分とするセラミックス原料を含有する成形原料を押出成形して、外周壁と、前記外周壁の内側に配設され、一方の端面から他方の端面まで延びて流路を形成する複数のセルを区画形成する隔壁と、を有する柱状のハニカム成形体を作製する成形工程と、
前記ハニカム成形体を乾燥してハニカム乾燥体を作製する乾燥工程と、
前記ハニカム乾燥体を焼成してハニカム焼成体を作製する焼成工程と、
を備え、
前記乾燥工程は、
前記ハニカム成形体を2~200MHzの周波数にて誘電乾燥することで、誘電乾燥後のハニカム成形体の水分飛散率を30~85%にする第1の乾燥工程と、
前記第1の乾燥工程の後、前記水分飛散率を30~85%にしたハニカム成形体を熱風乾燥する第2の乾燥工程を備える、ハニカム構造体の製造方法。
(2)前記ハニカム乾燥体の側面に、セラミックス原料を含有する電極部形成原料を塗布し、乾燥させて、前記ハニカム乾燥体の中心軸を挟んで、前記外周壁の外面上において、前記セルの流路方向に帯状に延びるように一対の未焼成電極部を形成して、未焼成電極部付きハニカム乾燥体を作製する工程と、
前記未焼成電極部付きハニカム乾燥体を焼成して一対の電極部を有するハニカム構造体を作製する工程と、
を更に備えた、(1)に記載のハニカム構造体の製造方法。
(3)(2)に記載の方法で製造されたハニカム構造体の前記一対の電極部のそれぞれに、金属電極を電気的に接続する工程を備えた、電気加熱式担体の製造方法。
図1は、本発明の実施形態におけるハニカム構造体10の外観模式図である。ハニカム構造体10は、柱状ハニカム構造部11と、電極部13a、13bとを備えている。なお、電極部13a、13bは、備えていなくてもよい。
柱状ハニカム構造部11は、外周壁12と、外周壁12の内側に配設され、一方の端面から他方の端面まで延びて流路を形成する複数のセル18を区画形成する隔壁19とを有する。
本発明の実施形態に係るハニカム構造体10は、柱状ハニカム構造部11の中心軸を挟んで、外周壁12の外面上において、セル18の流路方向に帯状に延びるように、一対の電極部13a、13bが設けられている。一対の電極部13a、13bがこのように設けられていることで、ハニカム構造体の均一発熱性を高めることができる。電極部13a、13bは、ハニカム構造体の両底面間の80%以上の長さに亘って、好ましくは90%以上の長さに亘って、より好ましくは全長に亘って延びていることが、電極部13a、13bの軸方向へ電流が広がりやすいという観点から望ましい。なお、電極部13a、13bは設けなくてもよい。
図2は、本発明の実施形態における電気加熱式担体30のセルの延伸方向に垂直な断面模式図である。電気加熱式担体30は、ハニカム構造体10と、ハニカム構造体10の電極部13a、13bに電気的に接続された金属電極33a、33bとを備えている。
金属電極33a、33bは、ハニカム構造体10の電極部13a、13b上に設けられている。金属電極33a、33bは、一方の金属電極33aが、他方の金属電極33bに対して、柱状ハニカム構造部11の中心軸を挟んで対向するように配設される一対の金属電極であってもよい。金属電極33a、33bは、電極部13a、13bを介して電圧を印加すると通電してジュール熱により柱状ハニカム構造部11を発熱させることが可能である。このため、電気加熱式担体30はヒーターとしても好適に用いることができる。印加する電圧は12~900Vが好ましく、48~600Vが更に好ましいが、印加する電圧は適宜変更可能である。
次に、本発明の実施形態に係るハニカム構造体10の製造方法について説明する。
本発明の実施形態に係るハニカム構造体10の製造方法は、ハニカム成形体を作製する成形工程と、ハニカム乾燥体を作製する乾燥工程と、ハニカム焼成体を作製する焼成工程と、を備える。
成形工程では、まず、導電性のセラミックス原料を含有する成形原料を準備する。成形原料は、炭化珪素粉末(炭化珪素)に、金属珪素粉末(金属珪素)、バインダ、界面活性剤、造孔材、水等を添加して作製する。炭化珪素粉末の質量と金属珪素の質量との合計に対して、金属珪素の質量が10~40質量%となるようにすることが好ましい。炭化珪素粉末における炭化珪素粒子の平均粒子径は、3~50μmが好ましく、3~40μmが更に好ましい。金属珪素(金属珪素粉末)の平均粒子径は、2~35μmであることが好ましい。炭化珪素粒子及び金属珪素(金属珪素粒子)の平均粒子径はレーザー回折法で粒度の頻度分布を測定したときの、体積基準による算術平均径を指す。炭化珪素粒子は、炭化珪素粉末を構成する炭化珪素の微粒子であり、金属珪素粒子は、金属珪素粉末を構成する金属珪素の微粒子である。
次に、得られたハニカム成形体を乾燥してハニカム乾燥体を作製する。乾燥工程は、ハニカム成形体を2~200MHzの周波数にて誘電乾燥することで、誘電乾燥後のハニカム成形体の水分飛散率を30~85%にする第1の乾燥工程と、第1の乾燥工程の後、水分飛散率を30~85%にしたハニカム成形体を熱風乾燥する第2の乾燥工程とを備える。
(1)誘電乾燥装置の平行平板電極の電極間距離の制御
図3に示すような誘電乾燥装置40の、平行平板電極41a、41bの電極間距離を制御することにより、誘電乾燥後のハニカム成形体の水分飛散率を制御することができる。具体的には、平行平板電極41a、41bの電極間距離を短くすることで、ハニカム成形体の水分飛散率を大きくすることができる。また、平行平板電極41a、41bの電極間距離を長くすることで、ハニカム成形体の水分飛散率を小さくすることができる。平行平板電極41a、41bの電極間距離は、特に限定されず、所望の水分飛散率によって適宜設計することができるが、例えば60~400mmとしてもよく、100~300mmとしてもよい。
第1の乾燥工程におけるハニカム成形体の搬送速度を制御することで、誘電乾燥後のハニカム成形体の水分飛散率を制御することができる。具体的には、ハニカム成形体の搬送速度を低くすると、搬送時間が長くなり、水分飛散率を大きくすることができる。また、ハニカム成形体の搬送速度を高くすると、搬送時間が短くなり、水分飛散率を抑えることができる。ハニカム成形体の搬送速度は、特に限定されず、所望の水分飛散率によって適宜設計することができるが、例えば100~600mm/minとしてもよく、150~300mm/minとしてもよい。
成形工程において作製するハニカム成形体のセルの流路方向の長さを制御することで、誘電乾燥後のハニカム成形体の水分飛散率を制御することができる。具体的には、ハニカム成形体のセルの流路方向の長さを大きくすると、ハニカム成形体が高周波電源からの高周波を受けやすくなり、水分飛散率を大きくすることができる。また、ハニカム成形体のセルの流路方向の長さを小さくすると、ハニカム成形体が高周波電源からの高周波を受け難くなり、水分飛散率を小さくすることができる。ハニカム成形体のセルの流路方向の長さは、特に限定されず、製造するハニカム構造体のセルの流路方向の長さによって適宜設計されるが、例えば、50~200cmとしてもよく、170~190cmとしてもよい。
次に、得られたハニカム乾燥体を焼成してハニカム焼成体を作製する。焼成条件としては、窒素、アルゴン等の不活性雰囲気において、1400~1500℃で、1~20時間加熱することが好ましい。また、焼成後、耐久性向上のために、1200~1350℃で、1~10時間、酸化処理を行うことが好ましい。脱脂及び焼成の方法は特に限定されず、電気炉、ガス炉等を用いて焼成することができる。
本発明の実施形態に係る電気加熱式担体30の製造方法は一実施形態において、ハニカム構造体10の一対の電極部のそれぞれに、金属電極を電気的に接続する。接続方法としては、例えば、レーザー溶接、溶射、超音波溶接などが挙げられる。より具体的には、柱状ハニカム構造部11の中心軸を挟んで、電極部の表面上において、一対の金属電極を設ける。このようにして、本発明の実施形態に係る電気加熱式担体30が得られる。このような構成によれば、電気加熱式担体のハニカム構造体内が所望の電気抵抗率分布に制御されているため、排気ガスを浄化する際のエネルギーを低減する、または、発熱分布の偏りを抑制し均一に発熱させること等の所望の効果を有する電気加熱式担体を製造することができる。
上述した本発明の実施形態に係る電気加熱式担体30は、排気ガス浄化装置に用いることができる。当該排気ガス浄化装置は、電気加熱式担体30と、電気加熱式担体30を保持する金属製の筒状部材とを有する。排気ガス浄化装置において、電気加熱式担体30は、エンジンからの排気ガスを流すための排気ガス流路の途中に設置される。
(1.坏土の作製)
炭化珪素(SiC)粉末と金属珪素(Si)粉末とを80:20の質量割合で混合してセラミックス原料を調製した。そして、セラミックス原料に、バインダとしてヒドロキシプロピルメチルセルロース、造孔材として吸水性樹脂を添加すると共に、水を添加して成形原料とした。そして、成形原料を真空土練機により混練し、円柱状の坏土を作製した。バインダの含有量は炭化珪素(SiC)粉末と金属珪素(Si)粉末の合計を100質量部としたときに7質量部とした。造孔材の含有量は炭化珪素(SiC)粉末と金属珪素(Si)粉末の合計を100質量部としたときに3質量部とした。水の含有量は炭化珪素(SiC)粉末と金属珪素(Si)粉末の合計を100質量部としたときに42質量部とした。炭化珪素粉末の平均粒子径は20μmであり、金属珪素粉末の平均粒子径は6μmであった。また、造孔材の平均粒子径は20μmであった。炭化珪素粉末、金属珪素粉末及び造孔材の平均粒子径は、レーザー回折法で粒度の頻度分布を測定したときの、体積基準による算術平均径を指す。
得られた円柱状の坏土を、口金構造を有する押出成形機を用いて成形し、セルの流路方向に垂直な断面における各セル形状が六角形である円柱状のハニカム成形体を得た。ハニカム成形体の長さは180mmであり、端面の直径は86mmであった。
得られた、成形体に対し、表1に記載の水準1~9のいずれかで乾燥を行うことで、ハニカム乾燥体を作製した。水準1~4、7~9の誘電乾燥は電極高さ200mm、搬送速度を180mm/minとすることで、水分の飛散率を制御した。水準6の第1の乾燥工程における熱風乾燥で用いる熱風の温度は120℃とした。
第2の乾燥工程での熱風乾燥で用いる熱風の温度は120℃とした。
次に、水準1~9のそれぞれの乾燥によって得られたハニカム乾燥体を目視観察し、キレ、ヨレの程度を以下のように判別した。
A:キレ、ヨレは、見られない。
B:キレ、ヨレは、セルとその隣接するセルの距離が、その設計値を100としたとき、50以上かつ70未満、あるいは130以上かつ150未満となるセルが1つ以上存在する。
C:キレ、ヨレは、セルとその隣接するセルの距離が、その設計値を100としたとき、50未満、あるいは150以上となるセルが1つ以上存在する。あるいは、隔壁あるいは外周壁が切断された箇所が1つ以上存在する。
ハニカム乾燥体をAr雰囲気にて1400℃で3時間焼成し、柱状ハニカム構造体とした。
水準1、2、4、7~9の乾燥方法は、本発明の実施例に相当し、水準3、5、6の乾燥方法は、本発明の比較例に相当するものである。
水準1、2、4、7~9の乾燥方法では、ハニカム成形体のキレ及びヨレの発生が抑制されていた。なお、水準2の乾燥方法は、水準1の乾燥方法と比較すると、第1の乾燥工程における相対湿度が少なく、バインダの硬化が水準1より進まず、ハニカム成形体にキレ及びヨレが少し発生したものと推測される。また、水準7の乾燥方法は、水準1の乾燥方法と比較すると、第1の乾燥工程における周波数が低く、ハニカム内での温度ムラが水準1より大きくなり、ハニカム成形体にキレ及びヨレが少し発生したものと推測される。
水準5、6の乾燥方法では、ハニカム成形体の外周からの水分飛散により乾燥ムラが発生し、ヨレが発生した。
水準3の乾燥方法では、誘電乾燥での乾燥が不十分なため、水準5の乾燥方法と同様のキレが発現した。
11 柱状ハニカム構造部
12 外周壁
13a、13b 電極部
18 セル
19 隔壁
30 電気加熱式担体
33a、33b 金属電極
40 誘電乾燥装置
41a、41b 平行平板電極
42 ハニカム成形体
43 高周波電源
Claims (11)
- 炭化珪素-金属珪素複合材を主成分とするセラミックス原料を含有する成形原料を押出成形して、外周壁と、前記外周壁の内側に配設され、一方の端面から他方の端面まで延びて流路を形成する複数のセルを区画形成する隔壁と、を有する柱状のハニカム成形体を作製する成形工程と、
前記ハニカム成形体を乾燥してハニカム乾燥体を作製する乾燥工程と、
前記ハニカム乾燥体を焼成してハニカム焼成体を作製する焼成工程と、
を備え、
前記乾燥工程は、
前記ハニカム成形体を2~200MHzの周波数にて誘電乾燥することで、誘電乾燥後のハニカム成形体の水分飛散率を30~85%にする第1の乾燥工程と、
前記第1の乾燥工程の後、前記水分飛散率を30~85%にしたハニカム成形体を熱風乾燥する第2の乾燥工程を備える、ハニカム構造体の製造方法。 - 前記第1の乾燥工程における前記誘電乾燥の周波数が10~150MHzである、請求項1に記載のハニカム構造体の製造方法。
- 前記誘電乾燥後の前記ハニカム成形体の水分飛散率が45~85%である、請求項1または2に記載のハニカム構造体の製造方法。
- 前記第1の乾燥工程において、乾燥雰囲気における相対湿度を30~100%に制御する、請求項1~3のいずれか一項に記載のハニカム構造体の製造方法。
- 前記ハニカム成形体にカバー部材を被せて、前記ハニカム成形体の飛散水分によって前記カバー部材内の相対湿度を上げることで、前記第1の乾燥工程の乾燥雰囲気における相対湿度を制御する、請求項4に記載のハニカム構造体の製造方法。
- 前記ハニカム成形体の周囲に湿潤蒸気を供給することで、前記第1の乾燥工程の乾燥雰囲気における相対湿度を制御する、請求項4に記載のハニカム構造体の製造方法。
- 前記誘電乾燥で使用する平行平板電極の電極間距離を制御することで、前記誘電乾燥後の前記ハニカム成形体の水分飛散率を制御する、請求項1~6のいずれか一項に記載のハニカム構造体の製造方法。
- 前記ハニカム成形体の搬送速度を制御することで、前記誘電乾燥後の前記ハニカム成形体の水分飛散率を制御する、請求項1~6のいずれか一項に記載のハニカム構造体の製造方法。
- 前記成形工程において作製する前記ハニカム成形体のセルの流路方向の長さを制御することで、前記誘電乾燥後の前記ハニカム成形体の水分飛散率を制御する、請求項1~6のいずれか一項に記載のハニカム構造体の製造方法。
- 前記ハニカム乾燥体の側面に、セラミックス原料を含有する電極部形成原料を塗布し、乾燥させて、前記ハニカム乾燥体の中心軸を挟んで、前記外周壁の外面上において、前記セルの流路方向に帯状に延びるように一対の未焼成電極部を形成して、未焼成電極部付きハニカム乾燥体を作製する工程と、
前記未焼成電極部付きハニカム乾燥体を焼成して一対の電極部を有するハニカム構造体を作製する工程と、
を更に備えた、請求項1~9のいずれか一項に記載のハニカム構造体の製造方法。 - 請求項10に記載の方法で製造されたハニカム構造体の前記一対の電極部のそれぞれに、金属電極を電気的に接続する工程を備えた、電気加熱式担体の製造方法。
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