JP2022119776A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、複数の配線74の下でフレキシブル基板10に積層する第1無機絶縁膜28と、共通の最低面78Lを含むとともに相互に高さが異なって第2方向D2に隣り合う複数の上面78と、最上面78Uを除く複数の上面78から立ち上がる蹴上面80と、をそれぞれ含み第1方向に並ぶ複数の階段部STを第2領域に含む。複数の配線74の各々の下地面は、複数の階段部のうち対応する一つと、第2領域にて接する。第1無機絶縁膜は、複数の階段部の各々において、少なくとも、最低面を除く複数の上面及び蹴上面を構成する。半導体装置は、第2領域において、互いに隣り合う2つの階段部の間に窪み部をさらに有する。最低面は、窪み部の部分において、複数の階段部の最上面を除く複数の上面より第1領域側に延在して、窪み部の底面を構成する。隣同士の配線は、窪み部により分離されている。
【選択図】図10
Description
Claims (13)
- 第1方向の幅及び前記第1方向に直交する第2方向の長さを有し、前記第2方向に隣り合うように、第1領域及び第2領域を有するフレキシブル基板と、
前記第1領域で前記フレキシブル基板に積層された回路層と、
前記第1領域から前記第2方向に延び、相互に電気的に接続しないように前記第1方向に並び、前記第2領域で前記フレキシブル基板に積層する複数の配線と、
前記複数の配線の下で前記フレキシブル基板に積層する第1無機絶縁膜と、
を含む半導体装置において、
共通の最低面を含むとともに相互に高さが異なって前記第2方向に隣り合う複数の上面と、最上面を除く前記複数の上面から立ち上がる蹴上面と、をそれぞれ含み前記第1方向に並ぶ複数の階段部を前記第2領域にさらに含み、
前記複数の配線のそれぞれの下地面は、前記複数の階段部のうち対応する一つと、前記第2領域にて接し、
前記第1無機絶縁膜は、前記複数の階段部のそれぞれにおいて、少なくとも、最低面を除く前記複数の上面及び前記蹴上面を構成し、
前記半導体装置は、前記第2領域において、互いに隣り合う2つの前記階段部の間に窪み部をさらに有し、
前記最低面は、前記窪み部の部分において、前記複数の階段部の前記最上面を除く前記複数の上面より前記第1領域側に延在して、前記窪み部の底面を構成し、
隣同士の前記配線は、前記窪み部により分離されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載された半導体装置において、
前記複数の配線は、隣同士の前記配線から平面視で相互に対向する方向に突出する一対の凸部を有し、
前記一対の凸部は、間隔があいて電気的に絶縁されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載された半導体装置において、
前記一対の凸部は、前記最上面を除く前記複数の上面のそれぞれと前記蹴上面とで構成される入角部に沿って前記第1方向に突出することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載された半導体装置において、
前記複数の上面の前記最低面は、前記フレキシブル基板の上面の一部であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載された半導体装置において、
前記複数の上面のいずれもが、前記第1無機絶縁膜の上面の一部であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載された半導体装置において、
前記複数の配線の上で前記フレキシブル基板に積層する第2無機絶縁膜をさらに有し、
前記第2無機絶縁膜は、少なくとも前記窪み部を避けて設けられることを特徴とする半導体装置。 - 請求項6に記載された半導体装置において、
前記第2無機絶縁膜は、前記複数の上面の前記最低面では、前記複数の配線のそれぞれの少なくとも一部との重複を避けるように設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項7に記載された半導体装置において、
前記第2無機絶縁膜は、前記複数の上面の前記最低面では、前記第1方向の全幅にわたる領域を避けるように設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項6から8のいずれか1項に記載された半導体装置において、
前記第2無機絶縁膜は、前記最低面を除く前記複数の上面では、前記複数の配線の全体と重複するように設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項6から9のいずれか1項に記載された半導体装置において、
前記第2無機絶縁膜の上で前記フレキシブル基板に積層する有機絶縁膜をさらに有し、
前記有機絶縁膜は、前記窪み部において前記フレキシブル基板の上面に接触することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から10のいずれか1項に記載された半導体装置において、
前記第1無機絶縁膜は、複数の絶縁層からなり、
前記階段部は、複数段になるように構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から11のいずれか1項に記載された半導体装置において、
前記フレキシブル基板は、前記第1方向に延びる軸AXの周りに屈曲していることを特徴とする半導体装置。 - 第1方向の幅及び前記第1方向に直交する第2方向の長さを有し、前記第2方向に隣り合うように、第1領域及び第2領域を有するフレキシブル基板と、
前記第1領域で前記フレキシブル基板に積層された回路層と、
前記第1領域から前記第2方向に延び、相互に電気的に接続しないように前記第1方向に並び、前記第2領域で前記フレキシブル基板に積層する複数の配線と、
前記複数の配線の下で前記フレキシブル基板に積層する第1無機絶縁膜と、
を含む半導体装置において、
共通の最低面を含むとともに相互に高さが異なって前記第2方向に隣り合う複数の上面と、最上面を除く前記複数の上面から立ち上がる蹴上面と、をそれぞれ含み前記第1方向に並ぶ複数の階段部を前記第2領域にさらに含み、
前記複数の配線のそれぞれの下地面は、前記複数の階段部のうち対応する一つと、前記第2領域にて接し、
前記第1無機絶縁膜は、前記複数の階段部のそれぞれにおいて、少なくとも、最低面を除く前記複数の上面及び前記蹴上面を構成し、
前記半導体装置は、それぞれが前記第2領域の前記階段部よりも低く相互に高さが異なって前記第2方向に隣り合う複数の他の上面と、前記複数の他の上面から立ち上がる蹴上面とを含む第2階段部を、前記第2領域において、互いに隣り合う2つの前記階段部の間に持ち、
前記第2階段部により隣り合う前記複数の配線は分離されている半導体装置。
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