JP2022112567A - Mems素子及び電気回路 - Google Patents
Mems素子及び電気回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022112567A JP2022112567A JP2021008399A JP2021008399A JP2022112567A JP 2022112567 A JP2022112567 A JP 2022112567A JP 2021008399 A JP2021008399 A JP 2021008399A JP 2021008399 A JP2021008399 A JP 2021008399A JP 2022112567 A JP2022112567 A JP 2022112567A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive member
- electrode
- movable electrode
- fixed
- fixed electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
- H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
- B81B3/0086—Electrical characteristics, e.g. reducing driving voltage, improving resistance to peak voltage
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/01—Switches
- B81B2201/012—Switches characterised by the shape
- B81B2201/018—Switches not provided for in B81B2201/014 - B81B2201/016
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/04—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
- H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
- H01H2059/0027—Movable electrode connected to ground in the open position, for improving isolation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
Description
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1(a)及び図1(b)は、第1実施形態に係るMEMS素子を例示する模式図である。
図1(a)は、図1(b)の矢印AR1からみた平面図である。図1(b)は、図1(a)のA1-A2線断面図である。
これらの図は、第2導電部材22と第1固定電極11との間に第1電気信号Sg1が印加されたときの、素子部51の変化を例示している。既に説明したように、第1電気信号Sg1は、制御部70により供給される。
図3は、第1導電部材21を例示している。第1導電部材21は、第1導電部材21及び第1可動電極20Eを含む第1電流経路21cpに沿う第1長さL21を有する。第1長さL21は、長さL21a~L21gの和に対応する。
図4に示すように、実施形態に係るMEMS素子110aにおいては、第1支持部21Sと第1可動電極20Eとの間のX軸方向(第2方向)に沿う距離dx1は、第1可動電極20Eと第2支持部22Sとの間のX軸方向に沿う距離dx2よりも長い。第1導電部材21の剛性は、第2導電部材22の剛性よりも低くなる。
図5に示すように、実施形態に係るMEMS素子110bにおいては、第1導電部材21の第1厚さt1は、第2導電部材22の第2厚さt2よりも薄い。第1厚さt1は、第1状態ST1における第1方向(Z軸方向)に沿う、第1導電部材21の長さである。第2厚さt2は、第1状態ST1における第1方向に沿う、第2導電部材22の長さである。このような厚さの差により、第1導電部材21の特性は、第2導電部材22の特性と非対称になる。
図6(a)に示すように、実施形態に係るMEMS素子111においては、複数の第2導電部材22が設けられる。1つの第2導電部材22に穴が設けられていると見なされても良い。
図7に示すように、実施形態に係るMEMS素子114においては、第1可動電極20Eの幅W20が変化する。既に説明したように、第1可動電極20Eは、第1導電部材21と接続された第1接続部21Cと、第2導電部材22と接続された第2接続部22Cと、を含む。第1接続部21Cから第2接続部22Cへの方向は、第1固定電極11から第1可動電極20Eへの第1方向(Z軸方向)と交差する第2方向(例えば、X軸方向)に沿う。第1方向及び第2方向を含む平面と交差する方向を第3方向とする。第3方向は、例えばY軸方向である。第3方向に沿う第1可動電極20Eの幅W20は、第1可動電極20Eの少なくとも一部において、第1接続部21Cから第2接続部22Cへの向きにおいて増大する。
図8(a)は、図8(b)の矢印AR1からみた平面図である。図8(b)は、断面図である。
図9(a)は、図9(b)の矢印AR1からみた平面図である。図9(b)は、図9(a)のA1-A2線断面図である。
図10(a)に示す第1状態ST1は、第2導電部材22及び第1固定電極11の間に第1電気信号Sg1が印加される前の状態である。例えば、第2導電部材22、第1固定電極11及び第2固定電極12は、例えばフローティング状態FLTである。第1状態ST1において、第2導電部材22及び第1固定電極11の間の電位差、及び、第2導電部材22及び第2固定電極12の間の電位差、が、プルイン電圧未満でも良い。
図11は、第1実施形態に係るMEMS素子125を例示している。図11は、第1状態ST1を例示している。図11に示すように、MEMS素子125は、第1部材41及び素子部51に加え、第2部材42をさらに含む。第1部材41と第2部材42との間に、第1固定電極11及び第1可動電極20Eがある。第1状態ST1において、第1固定電極11と第1可動電極20Eとの間に第1間隙g1がある。第1状態ST1において、第1可動電極20Eと第2部材42との間に第2間隙g2がある。MEMS素子125において、素子部51の構成は、既に説明した構成を有して良い。
図12は、第2実施形態に係るMEMS素子を例示する模式図である。
図12に示すように、実施形態に係るMEMS素子130は、複数の素子部51を含む。複数の素子部51は、例えば、並列に接続される。複数の素子部51のそれぞれに、制御信号Vppが互いに独立して印加可能である。
第3実施形態は、電気回路に係る。上記の図12は、実施形態に係る電気回路210の構成を例示している。図12に示すように、電気回路210は、実施形態に係るMEMS素子(例えばMEMS素子130)と、電気素子55と、を含む。電気素子55は、MEMS素子130と電気的に接続される。電気素子55は、抵抗、容量素子、インダクタ素子、ダイオード及びトランジスタよりなる群から選択された少なくとも1つを含む。電気素子55に含まれる容量素子は、センサを含んでも良い。例えば、電気素子55は、センサ素子を含んでも良い。例えば、電気素子55は、容量型センサ素子を含んでも良い。
図13に示すように、制御回路310は、昇圧回路321、論理回路322、及び、スイッチングマトリクス323を含む。昇圧回路321には、電源電圧Vccが供給される、昇圧回路321は、スイッチングマトリクス323に高電圧Vhを出力する。論理回路322からスイッチングマトリクス323に供給された信号322aに応じて、スイッチングマトリクス323は、複数の制御信号Vppを出力する。複数の制御信号Vppの1つが、複数の素子部51の1つに供給される。
(構成1)
第1部材と、
素子部と、
を備え、
前記素子部は、
前記第1部材に固定された第1固定電極と、
前記第1固定電極と対向する第1可動電極と、
前記第1可動電極と電気的に接続された第1導電部材と、
前記第1可動電極と電気的に接続された第2導電部材と、
を含み、
前記第2導電部材と前記第1固定電極との間に第1電気信号が印加される前の第1状態において、前記第1可動電極は前記第1導電部材及び前記第2導電部材により前記第1固定電極から離されて支持され、
前記第2導電部材と前記第1固定電極との間に前記第1電気信号が印加された後の第2状態において、前記第1導電部材は前記第1可動電極から分離され、前記第1可動電極は前記第2導電部材により前記第1固定電極から離されて支持される、MEMS素子。
前記第1可動電極は、前記第1固定電極から前記第1可動電極への第1方向と交差する第2方向において、前記第1導電部材と前記第2導電部材との間にある、構成1記載のMEMS素子。
前記第1可動電極は、前記第1導電部材と接続された第1接続部と、前記第2導電部材と接続された第2接続部と、を含み、
前記第1接続部から前記第2接続部への方向は、前記第1固定電極から前記第1可動電極への第1方向と交差する第2方向に沿い、
前記第1方向及び前記第2方向を含む平面と交差する第3方向に沿う前記第1可動電極の幅は、前記第1可動電極の少なくとも一部において、前記第1接続部から前記第2接続部への向きにおいて増大する、構成1記載のMEMS素子。
前記第1可動電極は、前記第1導電部材と接続された第1接続部と、前記第2導電部材と接続された第2接続部と、を含み、
前記第1接続部から前記第2接続部への方向は、前記第1固定電極から前記第1可動電極への第1方向と交差する第2方向に沿い、
前記第1固定電極は、第1固定端部と、第2固定端部と、を含み、前記第2固定端部の前記第2方向における位置は、前記第1固定端部の前記第2方向における位置と、前記第2接続部の前記第2方向における位置と、の間にあり、
前記第1固定端部と前記第1接続部との間の前記第2方向に沿う第1距離は、前記第2固定端部と前記第2接続部との間の前記第2方向に沿う第2距離よりも短い、構成1記載のMEMS素子。
前記素子部は、前記第1部材に固定された第1支持部及び第2支持部をさらに含み、
前記第1状態において、前記第1導電部材の一端部は前記第1可動電極と接続され、前記第1導電部材の他端部は前記第1支持部に接続され、前記第1導電部材は前記第1支持部により前記第1部材から離されて支持され、
前記第1状態において、前記第2導電部材の一端部は前記第1可動電極と接続され、前記第2導電部材の他端部は前記第2支持部に接続され、前記第2導電部材は前記第2支持部により前記第1部材から離されて支持される、構成1~4のいずれか1つに記載のMEMS素子。
前記素子部は、前記第1部材に固定された第3支持部をさらに含み、
前記第1可動電極は、
前記第1状態において前記第1導電部材と接続された第1電極領域と、
前記第1状態において前記第2導電部材と接続された第2電極領域と、
前記第1中間領域と、
を含み、
前記第2方向における前記第1中間領域の位置は、前記第2方向における前記第1電極領域の位置と、前記第2方向における前記第2電極領域の位置と、の間にあり、
前記第1中間領域は前記第3支持部により前記第1部材から離され支持される、構成5記載のMEMS素子。
前記素子部は、前記第1部材に固定された第4支持部をさらに含みえ、
前記第1方向及び前記第2方向を含む平面と交差する第3方向において、前記第1中間領域の少なくとも一部は、前記第3支持部と前記第4支持部との間にあり、
前記第1中間領域は前記第4支持部により前記第1部材から離されて支持される、構成6記載のMEMS素子。
前記素子部は、前記第1部材に固定された第2固定電極をさらに含み、
前記第1可動電極は、第1電極領域及び第2電極領域を含み、
前記第1電極領域と前記第1導電部材との間の距離は、前記第2電極領域と前記第1導電部材との間の距離よりも短く、
前記第1電極領域は、前記第1固定電極と対向し、
前記第2電極領域は、前記第2固定電極と対向し、
前記第1可動電極は前記第1導電部材及び前記第2導電部材により前記第2固定電極から離されて支持される、構成1~7のいずれか1つに記載のMEMS素子。
第1部材と、
素子部と、
を備え、
前記素子部は、
前記第1部材に固定された第1固定電極と、
前記第1固定電極と対向する第1可動電極と、
前記第1可動電極と電気的に接続された第1導電部材と、
前記第1可動電極と電気的に接続された第2導電部材と、
を含み、
前記第1可動電極は、前記第1導電部材と接続された第1接続部と、前記第2導電部材と接続された第2接続部と、を含み、
前記第1接続部から前記第2接続部への方向は、前記第1固定電極から前記第1可動電極への第1方向と交差する第2方向に沿い、
前記第1固定電極は、第1固定端部と、第2固定端部と、を含み、前記第2固定端部の前記第2方向における位置は、前記第1固定端部の前記第2方向における位置と、前記第2接続部の前記第2方向における位置と、の間にある、MEMS素子。
前記第1固定端部と前記第1接続部との間の前記第2方向に沿う第1距離は、前記第2固定端部と前記第2接続部との間の前記第2方向に沿う第2距離よりも短い、構成9記載のMEMS素子。
前記第2導電部材と前記第1固定電極との間に第1電気信号が印加される前の第1状態において、前記第1可動電極は前記第1導電部材及び前記第2導電部材により前記第1固定電極から離されて支持され、
前記第2導電部材と前記第1固定電極との間に前記第1電気信号が印加された後の第2状態において、前記第1導電部材は前記第1可動電極から分離され、前記第1可動電極は前記第2導電部材により前記第1固定電極から離されて支持される、構成9または10に記載のMEMS素子。
前記第2導電部材と前記第1固定電極との間に第1電気信号が印加される前の第1状態において、前記第1可動電極は前記第1導電部材及び前記第2導電部材により前記第1固定電極から離されて支持され、
前記第2導電部材と前記第1固定電極との間に前記第1電気信号が印加された後の第2状態において、前記第1導電部材及び前記第2導電部材は前記第1可動電極から分離される、構成9または10に記載のMEMS素子。
第1部材と、
素子部と、
を備え、
前記素子部は、
前記第1部材に固定された第1固定電極と、
前記第1固定電極と対向する第1可動電極と、
前記第1可動電極と電気的に接続された第1導電部材と、
前記第1可動電極と電気的に接続された第2導電部材と、
を含み、
前記第1固定電極から前記第1可動電極への第1方向と交差する第2方向において、前記第1導電部材と前記第2導電部材との間にあり、
前記第1可動電極は、前記第1導電部材と接続された第1接続部と、前記第2導電部材と接続された第2接続部と、を含み、
前記第2方向に沿う前記第1可動電極の幅は、前記第1可動電極の少なくとも一部において、前記第1接続部から前記第2接続部への向きにおいて増大する、MEMS素子。
前記第1可動電極の前記少なくとも一部は、前記第2方向に対して傾斜する側部を含む、構成13記載のMEMS素子。
前記第1導電部材の剛性は、前記第2導電部材の剛性よりも低い、構成1~14のいずれか1つに記載のMEMS素子。
前記第1導電部材の少なくとも一部の第1幅は、前記第2導電部材の少なくとも一部の第2幅よりも細い、構成1~15のいずれか1つに記載のMEMS素子。
前記第1幅は、前記第2幅の0.5倍以下である、構成16記載のMEMS素子。
前記第1導電部材の第1厚さは、前記第2導電部材の第2厚さよりも薄い、構成1~17のいずれか1つに記載のMEMS素子。
第1部材と、
素子部と、
を備え、
前記素子部は、
前記第1部材に固定された第1固定電極と、
前記第1固定電極と対向する第1可動電極と、
前記第1可動電極と電気的に接続された第1導電部材と、
前記第1導電部材を支持する第1支持部と、
前記第1可動電極を支持し前記第1可動電極と電気的に接続された第2支持部と、
を含み、
前記第2支持部と前記第1固定電極との間に第1電気信号が印加される前の第1状態において、前記第1可動電極は前記第1導電部材及び前記第2支持部により前記第1固定電極から離されて支持され、
前記第2支持部と前記第1固定電極との間に前記第1電気信号が印加された後の第2状態において、前記第1導電部材は前記第1可動電極から分離され、前記第1可動電極は前記第2支持部により前記第1固定電極から離されて支持される、MEMS素子。
構成1~19のいずれか1つに記載のMEMS素子と、
前記MEMS素子と電気的に接続された電気素子と、
を備えた電気回路。
Claims (13)
- 第1部材と、
素子部と、
を備え、
前記素子部は、
前記第1部材に固定された第1固定電極と、
前記第1固定電極と対向する第1可動電極と、
前記第1可動電極と電気的に接続された第1導電部材と、
前記第1可動電極と電気的に接続された第2導電部材と、
を含み、
前記第2導電部材と前記第1固定電極との間に第1電気信号が印加される前の第1状態において、前記第1可動電極は前記第1導電部材及び前記第2導電部材により前記第1固定電極から離されて支持され、
前記第2導電部材と前記第1固定電極との間に前記第1電気信号が印加された後の第2状態において、前記第1導電部材は前記第1可動電極から分離され、前記第1可動電極は前記第2導電部材により前記第1固定電極から離されて支持される、MEMS素子。 - 前記第1可動電極は、前記第1導電部材と接続された第1接続部と、前記第2導電部材と接続された第2接続部と、を含み、
前記第1接続部から前記第2接続部への方向は、前記第1固定電極から前記第1可動電極への第1方向と交差する第2方向に沿い、
前記第1方向及び前記第2方向を含む平面と交差する第3方向に沿う前記第1可動電極の幅は、前記第1可動電極の少なくとも一部において、前記第1接続部から前記第2接続部への向きにおいて増大する、請求項1記載のMEMS素子。 - 前記第1可動電極は、前記第1導電部材と接続された第1接続部と、前記第2導電部材と接続された第2接続部と、を含み、
前記第1接続部から前記第2接続部への方向は、前記第1固定電極から前記第1可動電極への第1方向と交差する第2方向に沿い、
前記第1固定電極は、第1固定端部と、第2固定端部と、を含み、前記第2固定端部の前記第2方向における位置は、前記第1固定端部の前記第2方向における位置と、前記第2接続部の前記第2方向における位置と、の間にあり、
前記第1固定端部と前記第1接続部との間の前記第2方向に沿う第1距離は、前記第2固定端部と前記第2接続部との間の前記第2方向に沿う第2距離よりも短い、請求項1記載のMEMS素子。 - 前記素子部は、前記第1部材に固定された第1支持部及び第2支持部をさらに含み、
前記第1状態において、前記第1導電部材の一端部は前記第1可動電極と接続され、前記第1導電部材の他端部は前記第1支持部に接続され、前記第1導電部材は前記第1支持部により前記第1部材から離されて支持され、
前記第1状態において、前記第2導電部材の一端部は前記第1可動電極と接続され、前記第2導電部材の他端部は前記第2支持部に接続され、前記第2導電部材は前記第2支持部により前記第1部材から離されて支持される、請求項1~3のいずれか1つに記載のMEMS素子。 - 第1部材と、
素子部と、
を備え、
前記素子部は、
前記第1部材に固定された第1固定電極と、
前記第1固定電極と対向する第1可動電極と、
前記第1可動電極と電気的に接続された第1導電部材と、
前記第1可動電極と電気的に接続された第2導電部材と、
を含み、
前記第1可動電極は、前記第1導電部材と接続された第1接続部と、前記第2導電部材と接続された第2接続部と、を含み、
前記第1接続部から前記第2接続部への方向は、前記第1固定電極から前記第1可動電極への第1方向と交差する第2方向に沿い、
前記第1固定電極は、第1固定端部と、第2固定端部と、を含み、前記第2固定端部の前記第2方向における位置は、前記第1固定端部の前記第2方向における位置と、前記第2接続部の前記第2方向における位置と、の間にある、MEMS素子。 - 前記第1固定端部と前記第1接続部との間の前記第2方向に沿う第1距離は、前記第2固定端部と前記第2接続部との間の前記第2方向に沿う第2距離よりも短い、請求項5記載のMEMS素子。
- 前記第2導電部材と前記第1固定電極との間に第1電気信号が印加される前の第1状態において、前記第1可動電極は前記第1導電部材及び前記第2導電部材により前記第1固定電極から離されて支持され、
前記第2導電部材と前記第1固定電極との間に前記第1電気信号が印加された後の第2状態において、前記第1導電部材は前記第1可動電極から分離され、前記第1可動電極は前記第2導電部材により前記第1固定電極から離されて支持される、請求項5または6に記載のMEMS素子。 - 前記第2導電部材と前記第1固定電極との間に第1電気信号が印加される前の第1状態において、前記第1可動電極は前記第1導電部材及び前記第2導電部材により前記第1固定電極から離されて支持され、
前記第2導電部材と前記第1固定電極との間に前記第1電気信号が印加された後の第2状態において、前記第1導電部材及び前記第2導電部材は前記第1可動電極から分離される、請求項5または6に記載のMEMS素子。 - 第1部材と、
素子部と、
を備え、
前記素子部は、
前記第1部材に固定された第1固定電極と、
前記第1固定電極と対向する第1可動電極と、
前記第1可動電極と電気的に接続された第1導電部材と、
前記第1可動電極と電気的に接続された第2導電部材と、
を含み、
前記第1固定電極から前記第1可動電極への第1方向と交差する第2方向において、前記第1導電部材と前記第2導電部材との間にあり、
前記第1可動電極は、前記第1導電部材と接続された第1接続部と、前記第2導電部材と接続された第2接続部と、を含み、
前記第2方向に沿う前記第1可動電極の幅は、前記第1可動電極の少なくとも一部において、前記第1接続部から前記第2接続部への向きにおいて増大する、MEMS素子。 - 前記第1導電部材の剛性は、前記第2導電部材の剛性よりも低い、請求項1~9のいずれか1つに記載のMEMS素子。
- 前記第1導電部材の少なくとも一部の第1幅は、前記第2導電部材の少なくとも一部の第2幅よりも細い、請求項1~10のいずれか1つに記載のMEMS素子。
- 第1部材と、
素子部と、
を備え、
前記素子部は、
前記第1部材に固定された第1固定電極と、
前記第1固定電極と対向する第1可動電極と、
前記第1可動電極と電気的に接続された第1導電部材と、
前記第1導電部材を支持する第1支持部と、
前記第1可動電極を支持し前記第1可動電極と電気的に接続された第2支持部と、
を含み、
前記第2支持部と前記第1固定電極との間に第1電気信号が印加される前の第1状態において、前記第1可動電極は前記第1導電部材及び前記第2支持部により前記第1固定電極から離されて支持され、
前記第2支持部と前記第1固定電極との間に前記第1電気信号が印加された後の第2状態において、前記第1導電部材は前記第1可動電極から分離され、前記第1可動電極は前記第2支持部により前記第1固定電極から離されて支持される、MEMS素子。 - 請求項1~12のいずれか1つに記載のMEMS素子と、
前記MEMS素子と電気的に接続された電気素子と、
を備えた電気回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021008399A JP7446248B2 (ja) | 2021-01-22 | 2021-01-22 | Mems素子及び電気回路 |
US17/446,033 US11837425B2 (en) | 2021-01-22 | 2021-08-26 | MEMS element and electrical circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021008399A JP7446248B2 (ja) | 2021-01-22 | 2021-01-22 | Mems素子及び電気回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022112567A true JP2022112567A (ja) | 2022-08-03 |
JP7446248B2 JP7446248B2 (ja) | 2024-03-08 |
Family
ID=82495827
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021008399A Active JP7446248B2 (ja) | 2021-01-22 | 2021-01-22 | Mems素子及び電気回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11837425B2 (ja) |
JP (1) | JP7446248B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05259404A (ja) * | 1991-12-18 | 1993-10-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | マイクロ・メカニカル・スイッチ |
JP2020035828A (ja) * | 2018-08-28 | 2020-03-05 | 株式会社東芝 | Icチップ及び切断ヒューズ決定方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59121730A (ja) | 1982-12-27 | 1984-07-13 | 富士通株式会社 | ヒユ−ズ回路 |
US6998946B2 (en) * | 2002-09-17 | 2006-02-14 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | High cycle deflection beam MEMS devices |
US7119943B2 (en) * | 2004-08-19 | 2006-10-10 | Teravicta Technologies, Inc. | Plate-based microelectromechanical switch having a three-fold relative arrangement of contact structures and support arms |
US20070040637A1 (en) * | 2005-08-19 | 2007-02-22 | Yee Ian Y K | Microelectromechanical switches having mechanically active components which are electrically isolated from components of the switch used for the transmission of signals |
JP5050022B2 (ja) * | 2009-09-16 | 2012-10-17 | 株式会社東芝 | Memsデバイス |
JP7297653B2 (ja) * | 2019-12-09 | 2023-06-26 | 株式会社東芝 | Mems素子及び電気回路 |
JP7444745B2 (ja) * | 2020-09-15 | 2024-03-06 | 株式会社東芝 | Mems素子及び電気回路 |
-
2021
- 2021-01-22 JP JP2021008399A patent/JP7446248B2/ja active Active
- 2021-08-26 US US17/446,033 patent/US11837425B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05259404A (ja) * | 1991-12-18 | 1993-10-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | マイクロ・メカニカル・スイッチ |
JP2020035828A (ja) * | 2018-08-28 | 2020-03-05 | 株式会社東芝 | Icチップ及び切断ヒューズ決定方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11837425B2 (en) | 2023-12-05 |
US20220238290A1 (en) | 2022-07-28 |
JP7446248B2 (ja) | 2024-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7297653B2 (ja) | Mems素子及び電気回路 | |
US7027284B2 (en) | Variable capacitance element | |
US7257307B2 (en) | MEMS switch | |
US11646170B2 (en) | MEMS element and electrical circuit | |
JP7217748B2 (ja) | 高インピーダンスrf mems伝送素子およびその製造方法 | |
US6750742B2 (en) | Radio frequency device using micro-electronic-mechanical system technology | |
CN111201724B (zh) | 真延时波束成形器及操作方法 | |
US9187311B2 (en) | MEMS device and method of manufacturing the same | |
JP2006310927A (ja) | アンテナ装置 | |
US7202763B2 (en) | Micro-electromechanical switching device | |
JP2022112567A (ja) | Mems素子及び電気回路 | |
JPH09213191A (ja) | 静電型可動接点素子および静電型可動接点集積回路 | |
JP4161075B2 (ja) | Rf−memsスイッチ装置及びrf−memsスイッチ装置を装荷したアンテナ装置 | |
TW200522347A (en) | Relay | |
US6800820B1 (en) | Mesoscale MEMS switch apparatus and method | |
JP4842041B2 (ja) | スイッチ | |
JP2007103312A (ja) | スイッチ | |
JP2006279493A (ja) | アンテナ装置 | |
KR101024324B1 (ko) | Rf mems 스위치 | |
ES2294352T3 (es) | Amplificador de potencia heterogeneo muy adaptable con micro sistemas de circuito integrado empleando tecnologias micropastilla flip chip y micro electromecanica en sustrato de baja perdida. | |
KR100947719B1 (ko) | 마이크로 매트릭스 릴레이 스위치 | |
JP2005184126A (ja) | スイッチ素子 | |
KR20220128286A (ko) | 입력 단자 전극과 출력 단자 전극 사이에서 연속적으로 연장되는 빔 접촉 부분을 갖는 mems 스위치 | |
JP2008252612A (ja) | 高周波回路、それを用いたアレイアンテナ装置および集積回路 | |
JP2007273347A (ja) | マイクロスイッチング素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230214 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20230616 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230817 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231013 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240129 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240227 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7446248 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |