CN114497148A - 显示设备 - Google Patents
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Abstract
显示设备包括：布置在基板上的第一有机发光二极管、第二有机发光二极管和第三有机发光二极管；共同包括在第一有机发光二极管和第二有机发光二极管中的第一中间层，第一中间层包括第一发射层和第一空穴传输层；包括在第三有机发光二极管中的第二中间层，第二中间层包括第二发射层和第二空穴传输层；和第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射窗口。第一发射层和第二发射层配置为发射彼此不同的颜色光，并且第一空穴传输层的空穴迁移率与第二空穴传输层的空穴迁移率不同。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年11月13日提交的韩国专利申请第10-2020-0152282号的优先权和权益，其为了所有的目的通过引用并入本文，如同在本文中充分地陈述。
技术领域
本发明的实施方式大体上涉及显示设备，并且更具体地，涉及具有有机发光二极管的显示设备。
背景技术
显示设备可视地显示图像数据。这种显示设备包括具有显示区和外周区的基板。扫描线和数据线布置在显示区中，并且彼此绝缘。多个子像素设置在显示区中。薄膜晶体管和电连接至薄膜晶体管的子像素电极提供为对应于显示区中的子像素中的每一个。显示区中的相对电极共同提供在多个子像素中。各种电线布置在外周区中，并且将电信号输送至显示区、扫描驱动器、数据驱动器、控制器、焊盘单元等。
这种显示设备已经应用于各种技术领域。相应地，已经进行了用于显示设备的质量提高的各种设计努力。
该背景技术章节中公开的上面的信息仅仅用于本发明构思的背景的理解，并且所以，其可含有不构成现有技术的信息。
发明内容
根据本发明的原理构造的具有有机发光二极管的显示设备能够通过在显示设备的有机发光二极管中提供各种光转换层而降低功耗、提高光转换效率并且增加其寿命。
本发明构思的另外的特征将在下面的描述中陈述，并且部分将从描述中显而易见，或可通过本发明构思的实践而了解到。
根据本发明的方面，显示设备包括用于发射第一颜色光的第一子像素、用于发射第二颜色光的第二子像素和用于发射第三颜色光的第三子像素。显示设备包括布置在基板上的第一子像素的第一有机发光二极管、第二子像素的第二有机发光二极管和第三子像素的第三有机发光二极管；共同包括在第一有机发光二极管和第二有机发光二极管中的第一中间层，第一中间层包括第一发射层和第一空穴传输层；包括在第三有机发光二极管中的第二中间层，第二中间层包括第二发射层和第二空穴传输层；和布置为分别与第一有机发光二极管、第二有机发光二极管和第三有机发光二极管重叠的第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射窗口。第一发射层和第二发射层配置为发射彼此不同的颜色光，并且第一空穴传输层的空穴迁移率与第二空穴传输层的空穴迁移率不同。
第一空穴传输层可通过用氧化物掺杂有机材料的主体来形成，并且第二空穴传输层可通过用p-型有机掺杂剂掺杂有机材料的主体来形成。
氧化物的介电常数可为约3至约60。
氧化物可包括HfOx、ZrOx、LaOx、La2O3、LaAlOx、TaOx、AlOx、Al2O3、SiO2、ZrSiO4、HfSiO4、SrO、Y2O3、CaO、BaO、BaZrO、MgO、TiO2和Si3N4中的一种。
第一空穴传输层中的氧化物的掺杂浓度可为约0.5％至约30％。
p-型有机掺杂剂可包括含氰基化合物，并且第二空穴传输层中的p-型有机掺杂剂的掺杂浓度可为约0.5％至约25％。
第一空穴传输层可通过用在第一掺杂浓度下的氧化物掺杂有机材料的主体来形成，第二空穴传输层可通过用在第二掺杂浓度下的氧化物掺杂有机材料的主体来形成，并且第一掺杂浓度可与第二掺杂浓度不同。
显示设备可进一步包括布置在基板上并且在第一发射层和第二发射层之间的堤挡。
堤挡可布置在限定第一有机发光二极管、第二有机发光二极管和第三有机发光二极管的发射区的像素限定层之上，并且围绕第三有机发光二极管。
第一中间层可进一步包括布置在第一发射层上的第1-1发射层，并且第二中间层可进一步包括布置在第二发射层上的第2-1发射层。
第1-1发射层可包括与包括在第2-1发射层中的材料相同的材料。
第一发射层可配置为发射绿光，第二发射层可配置为发射蓝光，第一空穴传输层可掺杂有p-型有机掺杂剂，并且第二空穴传输层可掺杂有氧化物。
根据本发明的另一方面，显示设备包括用于发射第一颜色光的第一子像素、用于发射第二颜色光的第二子像素和用于发射第三颜色光的第三子像素。显示设备包括布置在基板上的第一子像素的第一有机发光二极管、第二子像素的第二有机发光二极管和第三子像素的第三有机发光二极管；共同包括在第一有机发光二极管和第二有机发光二极管中的第一中间层，第一中间层包括第一发射层和第一空穴传输层；包括在第三有机发光二极管中的第二中间层，第二中间层包括第二发射层和第二空穴传输层；和布置在基板上以围绕第二中间层的至少一部分的堤挡。第一发射层和第二发射层配置为发射彼此不同的颜色光。
第一空穴传输层的空穴迁移率可与第二空穴传输层的空穴迁移率不同。
第一发射层可配置为发射绿光，并且第二发射层可配置为发射蓝光。
第一空穴传输层可通过用氧化物掺杂有机材料的主体来形成，并且第二空穴传输层可通过用p-型有机掺杂剂掺杂有机材料的主体来形成。
氧化物可包括HfOx、ZrOx、LaOx、La2O3、LaAlOx、TaOx、AlOx、Al2O3、SiO2、ZrSiO4、HfSiO4、SrO、Y2O3、CaO、BaO、BaZrO、MgO、TiO2和Si3N4中的一种。
p-型有机掺杂剂可为含氰基化合物，并且第二空穴传输层中的p-型有机掺杂剂的掺杂浓度可为约0.5％至约25％。
第一中间层可进一步包括布置在第一发射层上的第1-1发射层，并且第二中间层可进一步包括布置在第二发射层上的第2-1发射层。
第1-1发射层可包括与包括在第2-1发射层中的材料相同的材料。
根据本发明的另一方面，显示设备包括：配置为发射第一颜色光的第一子像素，第一子像素包括第一有机发光二极管；配置为发射第二颜色光的第二子像素，第二子像素包括第二有机发光二极管；和配置为发射第三颜色光的第三子像素，第三子像素包括第三有机发光二极管，其中：第一有机发光二极管和第二有机发光二极管配置为发射具有第一波长宽度的光，并且第三有机发光二极管配置为发射具有与第一波长宽度不同的第二波长宽度的光。
第一有机发光二极管和第二有机发光二极管可共同包括配置为发射具有第一波长宽度的光的第一发射层，并且第三有机发光二极管可包括配置为发射具有与第一波长宽度不同的第二波长宽度的光的第二发射层。
第一子像素可包括配置为将具有第一波长宽度的光转换为第一颜色光的第一颜色转换层，第二子像素可包括配置为将具有第一波长宽度的光转换为第二颜色光的第二颜色转换层；并且第三子像素可包括配置为将具有第二波长宽度的光作为第三颜色光透射的透射层。
应理解，前述的一般性描述和下述的详细描述二者都为阐释性的和解释性的，并且旨在提供如所要求的本发明的进一步解释。
附图说明
为提供本发明的进一步理解而包括的并且并入本说明书中以及构成本说明书的一部分的所附附图，阐释了本发明的阐释性实施方式，并且与描述一起用于解释本发明构思。
图1A为根据本发明的原理构造的显示设备的实施方式的平面图。
图1B为图1A的显示设备的另一实施方式的平面图。
图2A为图1A和图1B的显示设备的代表性子像素的实施方式的等效电路图。
图2B为图1A和图1B的显示设备的代表性子像素的另一实施方式的等效电路图。
图3为图1A和图1B的显示设备的显示区的一部分的平面图。
图4为图1A和图1B的显示设备的显示区的一部分的横截面图。
图5为包括在图1A和图1B的显示设备中的第一有机发光二极管、第二有机发光二极管和第三有机发光二极管的实施方式的横截面图。
图6为包括在图1A和图1B的显示设备中的第一有机发光二极管、第二有机发光二极管和第三有机发光二极管的其他实施方式的横截面图。
图7为包括在图1A和图1B的显示设备中的第一有机发光二极管、第二有机发光二极管和第三有机发光二极管的其他实施方式的横截面图。
图8为包括在图1A和图1B的显示设备中的第一有机发光二极管、第二有机发光二极管和第三有机发光二极管的其他实施方式的横截面图。
图9为图1A和图1B的显示设备的一部分的横截面图。
具体实施方式
在下述描述中，为了解释的目的，陈述了许多具体的细节，以便提供对本发明的各种实施方式或实施的透彻理解。如本文使用的，“实施方式”和“实施”为可互换的词语，为采用本文公开的一个或多个本发明构思的装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，在没有这些具体的细节或利用一个或多个等效布置的情况下可实践各种实施方式。在其他情况中，为了避免不必要地混淆各种实施方式，以方框图形式显示了熟知的结构和装置。进一步，各种实施方式可为不同的，但是不必是排他性的。例如，在不背离本发明构思的情况下，可在另一实施方式中使用或实施实施方式的具体形状、配置和特点。
除非另外指出，否则阐释的实施方式应理解为提供其中可在实践中实施本发明构思的一些方式的不同细节的阐释性特征。因此，除非另有指出，否则在不背离本发明构思的情况下，各种实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(下文单独或共同称为“元件”)可以以其他方式组合、分开、互换和/或重排。
在所附附图中通常提供交叉影线和/或阴影的使用，以阐明邻近元件之间的边界。正因如此，除非另外指出，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对于元件的特定材料、材料特性、维度、比例、阐释的元件之间的共性和/或任何其他特点、属性、特性等的任何偏好或要求。进一步，在所附附图中，为了清楚和/或描述性目的，可放大元件的尺寸和相对尺寸。当可不同地实施实施方式时，可与描述的顺序不同地进行特定的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时进行或以与描述的顺序相反的顺序进行。而且，相同的附图标记表示相同的元件。
当元件，比如层，被称为“在”另一元件或层“上”、“连接至”另一元件或层或“联接至”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、连接至另一元件或层或联接至另一元件或层，或可存在居间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接至”另一元件或层或“直接联接至“另一元件或层时，不存在居间元件或层。为此，术语“连接”可指用或不用居间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。进一步，D1轴、D2轴和D3轴不限于矩形坐标系的三个轴，比如x轴、y轴和z轴，并且可在更宽的意义上解释。例如，D1轴、D2轴和D3轴可彼此垂直，或可表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可解释为仅X、仅Y、仅Z或X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合，比如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等可在本文用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于区分一个元件与另一元件。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可称为第二元件。
空间相对术语，比如“之下”、“下面”、“下方”、“下”、“上面”、“上”、“之上”、“较高”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等可在本文用于描述性目的，并且由此描述如附图中阐释的一个元件与另一元件的关系。除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在囊括使用、操作和/或制造中的设备的不同定向。例如，如果将附图中的设备翻转，则描述为“在”其他元件或特征“下面”或“之下”的元件将接着定向“在”其他元件或特征“上面”。因此，术语“下面”可囊括上面和下面的两种定向。此外，设备可以其他方式定向(例如，旋转90度或以其他定向)，并且，正因如此，相应地解释本文中使用的空间相对描述符。
本文使用的术语是为了描述特定实施方式的目的，并且不旨在是限制性的。如本文使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“所述”旨在也包括复数形式。而且，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”当在本说明书中使用时，指定存在叙述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组。也应注意，如本文使用的，术语“基本上”、“约”和其他类似的术语用作近似的术语并且不用作程度的术语，并且，正因如此，用于考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差。
本文参考作为理想化实施方式和/或中间结构的示意性阐释的截面阐释和/或分解阐释来描述各种实施方式。正因如此，应预期由例如制造技术和/或公差造成的阐释的形状的变型。因此，本文公开的实施方式不必应解释为限于特定阐释的区域的形状，而是包括由例如制造造成的形状的偏差。如此，附图中阐释的区域本质上可为示意性的，并且这些区域的形状可不反映装置的区域的实际形状，并且，正因如此，不必旨在是限制性的。
除非以其他方式限定，否则本文使用的所有术语(包括技术和科技术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。术语，比如在常用词典中限定的那些，应解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化的或过于正式的意义来解释，除非本文明确地如此限定。
显示图像的显示设备可为有机发光显示设备、无机发光显示设备或量子点发光显示设备等。
尽管有机发光显示设备现在将被阐释并且描述为根据本发明的实施方式的显示设备，但是实施方式不限于此，并且可使用各种类型的显示设备。
图1A和图1B为根据实施方式的显示设备的示意性平面图。
参考图1A，显示设备可以通过用密封构件600将基板100与上基板200联接来形成。密封构件600可设置为围绕显示区DA。
显示设备包括显示区DA和在显示区DA周围的外周区PA。显示设备可通过使用从布置在显示区DA中的多个像素发射的光显示一定的图像。
显示区DA包括子像素P，所述子像素P连接至在y方向上延伸的数据线DL和在与y方向相交的x方向上延伸的扫描线SL。子像素P中的每一个还连接至在y方向上延伸的驱动电压线PL。
子像素P中的每一个可包括显示元件，比如有机发光二极管OLED(见图2A和图2B)。子像素P中的每一个可经有机发光二极管OLED发射，例如，红光、绿光、蓝光或白光。根据一些实施方式，除了通过包括在子像素P中的有机发光二极管OLED发射的光，子像素P的颜色可通过设置在有机发光二极管OLED上面的滤色器实现或实施。
子像素P中的每一个可电连接至布置在外周区PA中的嵌入电路(未显示)。第一电源线10、第二电源线20和焊盘单元30可位于或设置在外周区PA中。
第一电源线10可沿着显示区DA的一侧设置。第一电源线10可连接至配置为将图2A和图2B的驱动电压ELVDD输送至子像素P的多个驱动电压线PL。
第二电源线20可通过具有一侧为打开的环形而部分围绕显示区DA。第二电源线20可向子像素P的相对电极提供公共电压。第二电源线20可称为公共电压供应线。
焊盘单元30可包括多个焊盘31并且可位于或设置在基板100的一侧上。焊盘31中的每一个可连接至第一连接线41(所述第一连接线41连接至第一电源线10)或连接线CW(所述连接线CW延伸至显示区DA)。焊盘单元30的焊盘31可通过不被绝缘层覆盖而暴露，并且可电连接至印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的端子单元PCB-P可电连接至焊盘单元30。
印刷电路板PCB将控制器的信号或功率输送至焊盘单元30。控制器可分别经第一连接线41和第二连接线42向第一电源线10和第二电源线20提供图2A和图2B的驱动电压ELVDD和公共电压ELVSS。
数据驱动电路60电连接至数据线DL。数据驱动电路60的数据信号可经连接至焊盘单元30的连接线CW和连接至连接线CW的数据线DL提供至子像素P中的每一个。图1A阐释了印刷电路板PCB上数据驱动电路60的布置。然而，根据另一实施方式，数据驱动电路60可布置在基板100上。例如，数据驱动电路60可在焊盘单元30和第一电源线10之间。
坝单元120可布置在外周区PA中。在形成图4的薄膜封装层400的有机封装层420的同时，坝单元120可阻挡有机材料朝向基板100的边缘流动，从而防止形成有机封装层420的边缘尾部。坝单元120可布置在外周区PA上，以围绕显示区DA的至少一部分。坝单元120可包括多个坝。多个坝可布置为彼此间隔开。在外周区PA中，坝单元120可布置为比密封构件600更靠近显示区DA。外周区PA可进一步包括嵌入驱动电路单元(未显示)，所述嵌入驱动电路单元提供子像素P中的每一个的扫描信号。根据一些实施方式，嵌入驱动电路单元和坝单元120可彼此重叠。
图1A阐释了一个印刷电路板PCB附接至焊盘单元30。然而，如图1B中显示，多个印刷电路板PCB可附接至焊盘单元30。
焊盘单元30可沿着基板100的两侧布置。焊盘单元30可包括多个子焊盘单元30S，并且一个印刷电路板PCB可附接至子焊盘单元30S中的每一个。
图2A和图2B为根据实施方式的显示设备的子像素的等效电路图。
参考图2A，每个子像素P可通过连接至扫描线SL和数据线DL的像素电路PC，以及连接至像素电路PC的有机发光二极管OLED来实施。像素电路PC包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2连接至扫描线SL和数据线DL，并且配置为根据经扫描线SL接收的扫描信号Sn将经数据线DL接收的数据信号Dm输送至驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst连接至开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且存储对应于从开关薄膜晶体管T2接收的电压和供应至驱动电压线PL的第一电源电压(或驱动电压)ELVDD之间的差的电压。
驱动薄膜晶体管T1连接至驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可配置为按照存储电容器Cst中存储的电压值控制从驱动电压线PL流向有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可发射具有对应于驱动电流的一定亮度的光。
尽管图2A中阐释了其中像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况，但是实施方式不限于此。
参考图2B，像素电路PC可包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、感测薄膜晶体管T3和存储电容器Cst。
扫描线SL可连接至开关薄膜晶体管T2的栅电极G2，数据线DL可连接至开关薄膜晶体管T2的源电极S2，并且存储电容器Cst的第一电极CE1可连接至开关薄膜晶体管T2的漏电极D2。
相应地，开关薄膜晶体管T2配置为响应于来自每个子像素P的扫描线SL的扫描信号Sn将数据线DL的数据电压供应至第一节点N。
驱动薄膜晶体管T1的栅电极G1可连接至第一节点N，驱动薄膜晶体管T1的源电极S1可连接至配置为输送驱动电压ELVDD的驱动电压线PL，并且驱动薄膜晶体管T1的漏电极D1可连接至有机发光二极管OLED的负极。
相应地，驱动薄膜晶体管T1可根据其自身的源极-栅极电压(Vgs)，例如，驱动电压ELVDD和第一节点N之间的电压，来调整在有机发光二极管OLED中流动的电流的量。
感测控制线SSL连接至感测薄膜晶体管T3的栅电极G3，感测薄膜晶体管T3的源电极S3连接至第二节点S，并且感测薄膜晶体管T3的漏电极D3连接至参考电压线RL。根据一些实施方式，感测薄膜晶体管T3可不由感测控制线SSL控制，而是由扫描线SL控制。
感测薄膜晶体管T3可操作为感测有机发光二极管OLED的子像素电极(例如，负极)的电势。感测薄膜晶体管T3配置为响应于来自感测控制线SSL的感测信号SSn将来自参考电压线RL的预充电电压供应至第二节点S，或配置为在感测期间将有机发光二极管OLED的子像素电极(例如，负极)的电压供应至参考电压线RL。
存储电容器Cst的第一电极CE1连接至第一节点N，并且存储电容器Cst的第二电极CE2连接至第二节点S。存储电容器Cst充电了分别供应至第一节点N和第二节点S的电压之间的电压差，并且供应充电的电压差作为驱动薄膜晶体管T1的驱动电压。例如，存储电容器Cst可充电了分别供应至第一节点N的数据信号Dm和第二节点S的预充电电压(Vpre)之间的电压差。
偏置电极BSM可设置为与驱动薄膜晶体管T1重叠，并且可连接至感测薄膜晶体管T3的源电极S3。由于偏置电极BSM供应与感测薄膜晶体管T3的源电极S3的电势相关的电压，所以驱动薄膜晶体管T1可为稳定的。根据一些实施方式，偏置电极BSM可连接至专用偏置电线，而不连接至感测薄膜晶体管T3的源电极S3。
有机发光二极管OLED的相对电极(例如，正极)接收公共电压ELVSS。有机发光二极管OLED接收来自驱动薄膜晶体管T1的驱动电流并且发光。
尽管在图2B中每个子像素P包括信号线，比如扫描线SL、感测控制线SSL和数据线DL；参考电压线RL和驱动电压线PL，但是实施方式不限于此。例如，信号线，比如扫描线SL、感测控制线SSL和数据线DL中的至少一条，或/和参考电压线RL和驱动电压线PL可由相邻的子像素共享。
像素电路PC不限于上面参考图2A和图2B描述的薄膜晶体管的数量、存储电容器的数量和电路设计。可改变薄膜晶体管的数量、存储电容器的数量和像素电路PC的电路设计。
图3为根据实施方式的显示设备的显示区的一部分的示意性平面图。
参考图3，用于发射不同颜色光的第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3可布置在根据实施方式的显示设备的显示区DA中。例如，第一子像素P1可发射红光，第二子像素P2可发射绿光，并且第三子像素P3可发射蓝光。
尽管图3阐释了第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3布置为其中它们在x方向上顺序布置的条纹图案，但是实施方式不限于此。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3可布置为各种配置，比如蜂窝状矩阵配置、马赛克配置和德尔塔配置中的任何一种。
根据阐释性实施方式，第一发射层EMLa和第一空穴传输层HTLa可布置在第一子像素P1和第二子像素P2的区中。第二发射层EMLb和第二空穴传输层HTLb可布置在第三子像素P3的区中。换句话说，不同的发射层和不同的空穴传输层可布置在其中布置第一子像素P1和第二子像素P2的区中以及其中布置第三子像素P3的区中。稍后将描述发射层和空穴传输层的材料。
堤挡119b可布置为将其中布置第一子像素P1和第二子像素P2的区与其中布置第三子像素P3的区分开。堤挡119b可布置在第一子像素P1和第三子像素P3之间以及布置在第二子像素P2和第三子像素P3之间。根据一些实施方式，堤挡119b可布置为围绕第三子像素P3的至少一部分。堤挡119b可不布置在第一子像素P1和第二子像素P2之间，并且可布置为至少部分围绕第一子像素P1和第二子像素P2。
图4为根据实施方式的显示设备的显示区DA的一部分的横截面图，并且可为沿着图3的线I-I’截取的横截面图。
参考图4，至少一个薄膜晶体管(例如，T1)和连接至至少一个薄膜晶体管(例如，T1)的显示装置可设置在根据实施方式的显示设备的显示区DA中。在图4的显示区DA中，阐释了包括在上面参考图2A和图2B描述的像素电路PC中的驱动薄膜晶体管T1和存储电容器Cst。
显示设备的显示区DA包括多个子像素P1、P2和P3，每个子像素包括发射区EA。发射区EA可为其中产生光并且发射至外侧的区。非发射区NEA可设置在发射区EA之间，并且因此第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3的发射区EA可被非发射区NEA划分开。
根据阐释性实施方式的显示设备可包括对应于至少一个像素的颜色转换层。例如，与在图3的情况中一样，第一颜色转换层QD1和第二颜色转换层QD2可分别对应于第一子像素P1和第二子像素P2。例如，第一颜色转换层QD1和第二颜色转换层QD2可分别与第一子像素P1和第二子像素P2重叠。第一颜色转换层QD1和第二颜色转换层QD2可包括量子点和散射颗粒。
可没有颜色转换层对应于第三子像素P3的发射区，并且以透射窗口TW的形式的透射层可设置在第三子像素P3的发射区中。透射窗口TW可包括有机材料，可从该有机材料发射光而由第三子像素P3的第三有机发光二极管OLED3发射的光没有波长转换。
分别包括在第一子像素P1和第二子像素P2中的第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2可发射相同颜色的光。第三子像素P3的第三有机发光二极管OLED3可发射与由分别包括在第一子像素P1和第二子像素P2中的第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2发射的光的颜色不同的颜色的光。
为了方便解释，现在将根据堆叠顺序来描述布置在显示区DA中的组件。
基板100可包括玻璃材料、金属材料或具有柔性特点或可弯曲特点的材料。当基板100具有柔性特点或可弯曲特点时，基板100可包括聚合物树脂，比如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳族酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)。基板100可具有任何上述材料的单层结构或多层结构。多层结构可进一步包括无机层。在一些实施方式中，基板100可具有有机材料/无机材料/有机材料的堆叠结构。
隔离层(未显示)可进一步包括在基板100和第一缓冲层111之间。隔离层可防止或最小化杂质通过基板100等渗入至半导体层A1中。隔离层可包括无机材料(比如，氧化物或氮化物)、有机材料或有机材料和无机材料，并且可形成为无机材料和有机材料的单层或多层。
偏置电极BSM可布置在第一缓冲层111上以与驱动薄膜晶体管T1重叠。电压可施加至偏置电极BSM。例如，偏置电极BSM可连接至图2B的感测薄膜晶体管T3的源电极S3，并且因此源电极S3的电压可施加至偏置电极BSM。偏置电极BSM可防止外部光到达半导体层A1。相应地，驱动薄膜晶体管T1的特点可为稳定的。在一些实施方式中，可省略偏置电极BSM。
半导体层A1可布置在第二缓冲层112上。半导体层A1可包括非晶硅或多晶硅。根据另一实施方式，半导体层A1可包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。根据一些实施方式，半导体层A1可由作为Zn氧化物类材料的Zn氧化物、In-Zn氧化物或Ga-In-Zn氧化物等形成。根据其他实施方式，半导体层A1可为在ZnO中含有金属，比如In、Ga或Sn的In-Ga-Zn-O(IGZO)、In-Sn-Zn-O(ITZO)或In-Ga-Sn-Zn-O(IGTZO)半导体。半导体层A1可包括沟道区以及分别布置在沟道区的两侧上的源区和漏区。半导体层A1可具有单层结构或多层结构。
栅电极G1布置在半导体层A1上，其中栅极绝缘层113在栅电极G1和半导体层A1之间，并且栅电极G1的至少一部分与半导体层A1重叠。栅电极G1可包括，例如，钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)，并且可具有单层结构或多层结构。例如，栅电极G1可为Mo的单层。存储电容器Cst的第一电极CE1可布置在与其上布置栅电极G1的层相同的层上。第一电极CE1可由与栅电极G1的材料相同的材料形成。
夹层绝缘层115可覆盖栅电极G1和存储电容器Cst的第一电极CE1。夹层绝缘层115可包括硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)等。
存储电容器Cst的第二电极CE2、源电极S1、漏电极D1和数据线(未显示)可布置在夹层绝缘层115之上。
存储电容器Cst的第二电极CE2、源电极S1、漏电极D1和数据线(未显示)可包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的导电材料，并且可形成为包括上述材料的多层结构或单层结构。例如，第二电极CE2、源电极S1、漏电极D1和数据线(未显示)中的每一个可具有Ti/Al/Ti的多层结构。源电极S1和漏电极D1可通过接触孔连接至半导体层A1的源区或漏区。
存储电容器Cst的第二电极CE2与第一电极CE1重叠(夹层绝缘层115在第二电极CE2和第一电极CE1之间)，并且形成电容。在该情况下，夹层绝缘层115可用作存储电容器Cst的介电层。
存储电容器Cst的第二电极CE2、源电极S1、漏电极D1和数据线(未显示)可由无机保护层PVX覆盖。
无机保护层PVX可为硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)的单层或多层。无机保护层PVX可用于覆盖和保护设置在夹层绝缘层115上的一些电线。在与用于形成数据线(未显示)的工艺相同的工艺期间形成的电线可暴露在基板100的部分区(例如，外周区的一部分)中。电线的暴露部分可被用于图案化稍后将描述的像素电极310的蚀刻剂损坏。然而，如在阐释性实施方式中，由于无机保护层PVX覆盖数据线(未显示)和与数据线(未显示)一起形成的电线的至少一部分，所以可防止电线在图案化像素电极310的工艺期间被损坏。
平坦化层118可布置在无机保护层PVX上，并且第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可布置在平坦化层118上。
平坦化层118可具有包括有机材料的层的单层结构或多层结构，并且提供平坦的上表面。平坦化层118可包括商用聚合物，比如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMM)或聚苯乙烯(PS)，具有苯酚类基团的聚合物衍生物，丙烯酸类聚合物，酰亚胺类聚合物，芳基醚类聚合物，酰胺类聚合物，氟类聚合物，对二甲苯类聚合物，乙烯醇类聚合物或其混合物等。
在基板100的显示区DA中，第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3布置在平坦化层118上。第一有机发光二极管OLED1可布置在第一子像素P1的区中，第二有机发光二极管OLED2可布置在第二子像素P2的区中，并且第三有机发光二极管OLED3可布置在第三子像素P3的区中。第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3中的每一个包括像素电极310、包括发射层的中间层和相对电极330。
像素电极310可形成在平坦化层118上，以根据第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3图案化。像素电极310可电连接至像素电路PC。
像素电极310可为透光电极、半透光电极或反射电极。根据一些实施方式，像素电极310可包括由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物形成的反射层，和在反射层上形成的透明电极层或半透明电极层。透明电极层或半透明电极层可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)等中的至少一种。根据一些实施方式，像素电极310可具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层119可布置在平坦化层118上。像素限定层119可包括分别对应于显示区DA中的子像素的开口，例如，暴露像素电极310的至少中心部分的开口OP，并且相应地限定子像素的发射区。像素限定层119可通过增加像素电极310的边缘与在像素电极310上的相对电极330的部分之间的距离来防止在像素电极310的边缘上发生电弧等。
像素限定层119可通过使用比如旋涂工艺的方法由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂当中的至少一种有机绝缘材料形成。
第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2可包括第一中间层320a，并且第一中间层320a可包括第一发射层EMLa和第一空穴传输层HTLa。第三有机发光二极管OLED3可包括第二中间层320b。第二中间层320b可包括第二发射层EMLb和第二空穴传输层HTLb。第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可进一步包括布置在第一发射层EMLa和第二发射层EMLb下面和上面的功能层，比如空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。
根据阐释性实施方式，第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2可共同包括第一发射层EMLa和第一空穴传输层HTLa，并且第三有机发光二极管OLED3可包括第二发射层EMLb和第二空穴传输层HTLb。
第一发射层EMLa可发射与由第二发射层EMLb发射的光的颜色不同颜色的光。根据一些实施方式，第一发射层EMLa可包括发射绿光的有机材料，并且第二发射层EMLb可包括发射蓝光的有机材料。
第一发射层EMLa可通过在一定的主体材料中使用，例如，绿色掺杂剂形成。例如，第一发射层EMLa可包括磷光主体材料，比如三(4-咔唑-9-基苯基)胺(TCTA)、4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)、双(8-羟基-2-甲基喹啉)-(4-苯基苯氧基)铝(BAlq)和聚(对亚苯基乙烯)(PPV)。第一发射层EMLa可掺杂有磷光掺杂剂，比如三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)或Ir(mmapy)3。
第二发射层EMLb可通过在一定的主体材料中使用，例如，蓝色掺杂剂形成。例如，第二发射层EMLb可包括包含CBP或1,3-双(9-咔唑基)苯(mCP)的主体材料，并且可由包括掺杂剂材料的磷光材料形成，所述掺杂剂材料包括(4,6-F2ppy)2Ir pic。相对照，第二发射层EMLb可包括包含螺-DPVBi、螺-6P、二苯乙烯苯(DSB)、二苯乙烯基芳烃(DSA)、PFO类聚合物和PPV类聚合物中的一种的荧光材料。然而，实施方式不限于此。
第一空穴传输层HTLa可在第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2的像素电极310和第一发射层EMLa之间，并且第二空穴传输层HTLb可在第三有机发光二极管OLED3的像素电极310和第二发射层EMLb之间。
第一空穴传输层HTLa和第二空穴传输层HTLb可将从作为负极的像素电极310接收的空穴分别平滑地移动至第一发射层EMLa和第二发射层EMLb，并且可将从作为正极的相对电极330接收的电子分别移动至第一发射层EMLa和第二发射层EMLb。
根据阐释性实施方式，第一空穴传输层HTLa的空穴迁移率可与第二空穴传输层HTLb的空穴迁移率不同。根据一些实施方式，第一空穴传输层HTLa的空穴迁移率可小于第二空穴传输层HTLb的空穴迁移率。
根据一些实施方式，第一空穴传输层HTLa和第二空穴传输层HTLb可包括具有高空穴迁移率和高稳定性的三苯胺衍生物，比如N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-1,1’-联苯基-4,4’-二胺(TPD)或N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-联苯胺(NPB)作为空穴传输层的主体。
为了调整第一空穴传输层HTLa和第二空穴传输层HTLb的空穴迁移率，第一空穴传输层HTLa的主体可掺杂有P-型有机掺杂剂，从而增加空穴迁移率。P-型有机掺杂剂可为醌衍生物，比如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F4-TCNQ)；或含氰基化合物，比如2-(7-二氰基亚甲基-1,3,4,5,6,8,9,10-八氟-7H-芘-2-亚基)-丙二腈(NDP-9；Novaled公司的一种商业产品)。
P-型有机掺杂剂的掺杂浓度可为约0.5％至约25％。
第二空穴传输层HTLb的空穴迁移率可通过用具有高介电常数的氧化物掺杂主体来降低。氧化物的介电常数可在约3至约60的范围内。氧化物可包括HfOX、ZrOX、LaOX、La2O3、LaAlOX、TaOX、AlOX、Al2O3、SiO2、ZrSiO4、HfSiO4、SrO、Y2O3、CaO、BaO、BaZrO、MgO、TiO2和Si3N4中的一种。在该情况下，氧化物的掺杂浓度可为约0.5％至约30％。
根据另一实施方式，第一空穴传输层HTLa和第二空穴传输层HTLb的空穴迁移率可通过用具有高介电常数的氧化物掺杂其主体来调整。例如，掺杂在第一空穴传输层HTLa中的氧化物的掺杂浓度小于掺杂在第二空穴传输层HTLb中的氧化物的掺杂浓度，以便第一空穴传输层HTLa的空穴迁移率可高于第二空穴传输层HTLb的空穴迁移率。
根据阐释性实施方式，由于最终由第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3呈现或产生的颜色是在上基板200外侧看到的颜色，所以当将发射层施加至第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3时，供应至第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3的电压可根据第一颜色转换层QD1和第二颜色转换层QD2的光转换效率而变化。
例如，当将蓝色发射层施加至所有的第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3时，呈现红色或绿色的第一子像素P1和第二子像素P2需要通过颜色转换层的光转换。因此，可需要向第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2供应更大的驱动电压。结果，当第一子像素P1和第二子像素P2提供与通过呈现蓝色的第三子像素P3提供的亮度相同的亮度时，功耗可急剧增加。
根据阐释性实施方式，考虑到光转换效率，第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2采用第一发射层EMLa，并且第三有机发光二极管OLED3采用与第一发射层EMLa呈现不同颜色的第二发射层EMLb。因此，可降低功耗，并且可提高光转换效率。
有机发光二极管可根据其采用的发射层的类型而具有不同的寿命。例如，蓝色发射层可比绿色发射层和红色发射层具有更短的寿命。
根据阐释性实施方式，可通过根据发射层的耐久性调整空穴传输层的空穴迁移率来提高有机发光二极管的耐久性。换句话说，在具有相对长寿命的第一发射层EMLa下面可采用具有高空穴迁移率的第一空穴传输层HTLa，并且在具有相对短寿命的第二发射层EMLb下面可采用具有低空穴迁移率的第二空穴传输层HTLb，并且因此第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可具有均匀的寿命。
相对电极330可为作为电子注入电极的正极。在该情况下，具有低功函的金属、合金、导电化合物或其任何组合可用作用于相对电极330的材料。相对电极330可为透光电极、半透光电极或反射电极。
相对电极330可包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任何组合。相对电极330可具有包括单层的单层结构，或包括多个层的多层结构。
相对电极330可在显示区DA和外周区之上延伸，并且可布置在第一中间层320a、第二中间层320b和像素限定层119之上。相对电极330可整体形成，以覆盖多个有机发光二极管，例如，第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3，并且因此可对应于多个像素电极310。
堤挡119b可布置在像素限定层119之上。堤挡119b可与像素限定层119整体形成。例如，堤挡119b和像素限定层119可通过使用半色调掩模工艺根据相同的工艺同时形成。根据一些实施方式，堤挡119b可包括拒液材料。
堤挡119b可为用于将第一发射层EMLa与第二发射层EMLb分开的结构。堤挡119b可在第一有机发光二极管OLED1和第三有机发光二极管OLED3之间并且在第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3之间。堤挡119b可不设置在第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2之间。
由于第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可容易被外部水分或外部氧气等损坏，所以第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可被薄膜封装层400覆盖和保护。薄膜封装层400可覆盖显示区DA并且延伸超出显示区DA。薄膜封装层400包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。例如，薄膜封装层400可包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
第一无机封装层410可覆盖相对电极330并且可包括硅氧化物、硅氮化物和/或氮氧化硅。例如，其他层(例如，封盖层)可在第一无机封装层410和相对电极330之间。由于第一无机封装层410沿着第一无机封装层410下面的结构形成，所以其上表面是不平坦的。有机封装层420覆盖第一无机封装层410。与第一无机封装层410对照，有机封装层420可具有近似平坦的上表面。详细地，有机封装层420的对应于显示区DA的一部分可具有近似平坦的上表面。有机封装层420可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳族酯和六甲基二硅氧烷当中的至少一种材料。第二无机封装层430可覆盖有机封装层420并且可包括硅氧化物、硅氮化物和/或氮氧化硅。
即使当在具有上述多层结构的薄膜封装层400中发生裂纹时，由于薄膜封装层400的上述多层结构，出现的裂纹可不在第一无机封装层410和有机封装层420之间或在有机封装层420和第二无机封装层430之间延伸。相应地，可防止或最小化外部湿气或外部氧气等经其渗入显示区DA中的路径的形成。
填料610可设置在薄膜封装层400上。填料610可用作抵抗外部压力等的缓冲层。填料610可包括有机材料，比如甲基硅氧烷、苯基硅氧烷或聚酰亚胺。然而，实施方式不限于此。例如，填料610可包括有机密封剂，比如氨基甲酸乙酯类树脂、环氧类树脂或丙烯酸树脂；或无机密封剂，比如硅。
第一颜色转换层QD1和第二颜色转换层QD2、透射窗口TW和隔离壁210可布置在上基板200之上，上基板200布置为面对基板100。隔离壁210可包括散射颗粒。
第一颜色转换层QD1和第二颜色转换层QD2中的每一个可包括量子点。在描述中，量子点指半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶体的尺寸而发射各种发射波长的光的任何材料。
取决于量子点的材料和尺寸，量子点具有独特的激发特性和独特的发射特性，并且相应地可将入射光转换为一定颜色的光。量子点可由各种材料形成。例如，量子点可包括含第II-VI族元素的化合物、含第III-V族元素的化合物、含第III-VI族元素的化合物、含第I-III-VI族元素的半导体化合物、含第IV-VI族元素的半导体化合物、第IV族元素、含第IV族元素的化合物或其任何组合。
含第II-VI族元素的化合物可为下述当中的一种化合物：二元素化合物，选自CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和其混合物；三元素化合物，选自CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和其混合物；和四元素化合物，选自HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe和其混合物。
含第III-V族元素的化合物可为下述当中的一种化合物：二元素化合物，选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和其混合物；三元素化合物，选自GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和其混合物；和四元素化合物，选自GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和其混合物。含第III-V族元素的半导体化合物可进一步包括第II族元素。进一步包括第II族元素的含第III-V族元素的半导体化合物的示例可包括InZnP、InGaZnP和InAlZnP。
含第III-VI族元素的半导体化合物的示例可包括二元素化合物，比如GaS、GaSe、Ga2Se3、GaTe、InS、InSe、In2S3、In2Se3或InTe；三元素化合物，比如InGaS3或InGaSe3；或其任何组合。
含第I-III-VI族元素的半导体化合物的示例可包括三元素化合物，比如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、CuGaO2、AgGaO2AgAlO2或其任何组合。
含第IV-VI族元素的化合物可为下述当中的一种化合物：二元素化合物，选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和其混合物；三元素化合物，选自SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和其混合物；和四元素化合物，选自SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和其混合物。
第IV族元素可为Si、Ge和其混合物中的一种。含第IV族元素的化合物可为选自SiC、SiGe和其混合物中的二元素化合物。
在该情况下，二元素化合物、三元素化合物或四元素化合物可以均匀的浓度存在于颗粒中，或可在同一颗粒内具有部分分成不同状态的浓度分布。
量子点中的每一个可具有具备核和壳的核壳结构。核和壳之间的界面可具有浓度梯度，其中布置在壳中的元素的浓度随着朝向壳的中心移动而减小。
量子点的壳可用作用于通过防止核的化学变性来维持半导体特性的保护层，和/或可用作用于赋予量子点电泳特性的充电层。壳可为单层或多层。
量子点的壳的示例可包括金属的氧化物、准金属的氧化物或非金属的氧化物；半导体化合物；或其组合。金属的氧化物、准金属的氧化物或非金属的氧化物的示例可包括二元素化合物，比如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO；三元素化合物，比如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4；和其任何组合。半导体化合物的示例可包括如上所述的含第III-VI族元素的半导体化合物；含第II-VI族元素的半导体化合物；含第III-V元素族的半导体化合物；含第VI族元素的化合物；含第I-III-VI族元素的半导体化合物；含第IV-VI族元素的半导体化合物；和其任何组合。例如，半导体化合物可包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其任何组合。
量子点可具有约45nm或更小，或约40nm或更小，或约30nm或更小的尺寸，并且在该范围内，可提高颜色纯度或颜色再现性。此外，由于通过这种量子点发射的光在所有方向上发射，所以可提高光的视角。
此外，量子点的形状特别限于本领域通常使用的形状，但是可为球形、锥体形、多臂形或立方纳米颗粒的形状，立方纳米管的形状，立方纳米线的形状，立方纳米纤维的形状或立方纳米板颗粒的形状。
量子点的核可具有2nm至10nm的直径，并且当量子点暴露于光时，可根据颗粒的尺寸和材料的类型而发射特定频率的光。因此，包括在第一颜色转换层QD1中的量子点的平均尺寸可与包括在第二颜色转换层QD2中的量子点的平均尺寸不同。例如，随着量子点的尺寸增大，可发射长波长的光。因此，可按照第一子像素P1和第二子像素P2的颜色来选择量子点的尺寸。
除了量子点之外，第一颜色转换层QD1和第二颜色转换层QD2可进一步包括能够混合量子点并且适当地分布量子点的各种材料。例如，第一颜色转换层QD1和第二颜色转换层QD2可进一步包括散射颗粒、溶剂、光引发剂、粘合剂聚合物和分散剂。
可没有颜色转换层对应于第三子像素P3的发射区，并且透射窗口TW可设置在第三子像素P3的发射区中。透射窗口TW可包括有机材料，可从所述有机材料发射光而由第三子像素P3的第三有机发光二极管OLED3发射的光没有波长转换。透射窗口TW可包括用于使颜色分散均匀化的散射颗粒。在该情况下，散射颗粒可具有在约200nm至约400nm的范围内的直径。
根据阐释性实施方式，第一子像素P1中的第一有机发光二极管OLED1和第二子像素P2中的第二有机发光二极管OLED2可发射相同颜色的光(例如，第一波长宽度的光)。第一子像素P1和第二子像素P2的颜色可分别由第一颜色转换层QD1的量子点和第二颜色转换层QD2的量子点发射的光的颜色确定。例如，由第一有机发光二极管OLED1发射的第一波长宽度的光可由第一颜色转换层QD1的量子点转换为红色光。由第二有机发光二极管OLED2发射的第一波长宽度的光可由第二颜色转换层QD2的量子点转换为绿色光。
由于未包括对应于第三子像素P3的发射区EA的颜色转换层，所以第三子像素P3的颜色可由第三有机发光二极管OLED3发射的光(例如，第二波长宽度的光)的颜色确定。例如，由第三有机发光二极管OLED3发射的第二波长宽度的光可作为蓝色光透射穿过透射窗口TW。例如，第一子像素P1可为红色子像素，第二子像素P2可为绿色子像素，并且第三子像素P3可为蓝色子像素。
根据一些实施方式，由于施加了透射窗口而不是第二颜色转换层QD2，所以第二子像素P2的颜色可实现为由第二有机发光二极管OLED2发射的光的颜色。
隔离壁210可在第一颜色转换层QD1、第二颜色转换层QD2和透射窗口TW之间，以对应于非发射区NEA。详细地，隔离壁210可，例如，在第一颜色转换层QD1和第二颜色转换层QD2之间，并且在第二颜色转换层QD2和透射窗口TW之间。
隔离壁210可包括有机材料，以及Cr、CrOx、Cr/CrOx、Cr/CrOx/CrNy、树脂(例如，碳颜料或RGB混合颜料)、石墨、非Cr类材料等作为用于调整光学密度的材料。可选地，隔离壁210可包括各种颜色，比如红色、绿色和黄色的颜料。隔离壁210可用作黑色矩阵，用于防止颜色混合并且提高可见性。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3以及光隔离图案BM可在上基板200与第一颜色转换层QD1和第二颜色转换层QD2以及透射窗口TW之间。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可用于实现或产生全色图像并且提高颜色纯度和室外可见度。第一滤色器CF1可透射由第一颜色转换层QD1转换的光，并且吸收未转换的光(例如，具有与由第一颜色转换层QD1转换的光不同的波长的光)。类似地，第二滤色器CF2可透射由第二颜色转换层QD2转换的光，并且吸收未转换的光(例如，具有与由第二颜色转换层QD1转换的光不同的波长的光)。第三滤色器CF3可用与从第三有机发光二极管OLED3发射的光相同的颜色来实施。第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可通过阻挡来自外侧的入射光而抑制第一颜色转换层QD1和第二颜色转换层QD2的量子点的发光。
根据一些实施方式，第一滤色器CF1可具有红色，第二滤色器CF2可具有绿色，并且第三滤色器CF3可具有蓝色。
光隔离图案BM可在第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3之间，以对应于非发射区NEA。光隔离图案BM可通过用作黑色矩阵来提高颜色清晰度和对比度。光隔离图案BM可包括黑色颜料、黑色染料和黑色颗粒中的至少一种。根据一些实施方式，光隔离图案BM可包括Cr、CrOx、Cr/CrOx、Cr/CrOx/CrNy、树脂(例如，碳颜料或RGB混合颜料)、石墨、非Cr类材料等。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3当中的邻近滤色器可布置为在非发射区NEA中彼此重叠。不同颜色的滤色器的这种重叠布置可提高阻光率。在其他实施方式中，可省略第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3以及光隔离图案BM。
图5为根据阐释性实施方式的显示设备可采用的第一有机发光二极管、第二有机发光二极管和第三有机发光二极管的示意性横截面图。图4和图5中相同的附图标记表示相同的元件，并且因此为了方便描述，省略了其重复的描述。
参考图5，像素电极310可通过图案化工艺分别形成在第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3中。用于第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3的相对电极330可整体形成在第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3中。
第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2可包括第一中间层320a，并且第一中间层320a可包括第一发射层EMLa和第一空穴传输层HTLa。第一中间层320a可进一步包括空穴注入层HIL、第一电子传输层ETLa和电子注入层EIL。空穴注入层HIL可在像素电极310和第一空穴传输层HTLa之间。第一电子传输层ETLa可布置在第一发射层EMLa之上，以将电子从相对电极330传输至第一发射层EMLa。电子注入层EIL可在第一电子传输层ETLa和相对电极330之间。
第三有机发光二极管OLED3可包括第二中间层320b。第二中间层320b可包括第二发射层EMLb和第二空穴传输层HTLb。第二中间层320b可进一步包括空穴注入层HIL、第二电子传输层ETLb和电子注入层EIL。空穴注入层HIL可在像素电极310和第二空穴传输层HTLb之间。第二电子传输层ETLb可布置在第二发射层EMLb之上，以将电子从相对电极330传输至第二发射层EMLb。电子注入层EIL可在第二电子传输层ETLb和相对电极330之间。
第一电子传输层ETLa和第二电子传输层ETLb可平滑地传输电子，并且可包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq、喹啉锂(Liq)、BMB-3T、PF-6P、TPBI、COT和Salq中的至少一种。然而，实施方式不限于此。根据一些实施方式，第一电子传输层ETLa可包括与包括在第二电子传输层ETLb中的材料不同的材料。
空穴注入层HIL共同适用于第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3。空穴注入层HIL可平滑地注入空穴，并且可包括HATCN、酞菁铜(CuPc)、聚(3,4-乙烯基二氧噻吩)(PEDOT)、聚苯胺(PANI)和N,N-二萘基-N,N’-二苯基联苯胺(NPD)中的至少一种。然而，实施方式不限于此。
电子注入层EIL共同适用于第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3。电子注入层EIL可使用Yb、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq或Salq，但是实施方式不限于此。
根据阐释性实施方式，第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2可共同包括第一发射层EMLa和第一空穴传输层HTLa，并且第三有机发光二极管OLED3可包括第二发射层EMLb和第二空穴传输层HTLb。
第一发射层EMLa可发射与由第二发射层EMLb发射的光的颜色不同的颜色的光。根据一些实施方式，第一发射层EMLa可包括发射绿光的有机材料，并且第二发射层EMLb可包括发射蓝光的有机材料。
第一发射层EMLa可通过在一定的主体材料中使用，例如，绿色掺杂剂来形成。第二发射层EMLb可通过在一定的主体材料中使用，例如，蓝色掺杂剂来形成。
第一空穴传输层HTLa可在第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2的像素电极310和第一发射层EMLa之间，并且第二空穴传输层HTLb可在第三有机发光二极管OLED3的像素电极310和第二发射层EMLb之间。
根据阐释性实施方式，第一空穴传输层HTLa的空穴迁移率可与第二空穴传输层HTLb的空穴迁移率不同。根据一些实施方式，第一空穴传输层HTLa的空穴迁移率可小于第二空穴传输层HTLb的空穴迁移率。
根据一些实施方式，第一空穴传输层HTLa和第二空穴传输层HTLb可包括具有高空穴迁移率和高稳定性的三苯胺衍生物，比如N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-1,1’-联苯基-4,4’-二胺(TPD)或N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-联苯胺(NPB)作为空穴传输层的主体。
为了调整第一空穴传输层HTLa和第二空穴传输层HTLb的空穴迁移率，第一空穴传输层HTLa的主体可掺杂有P-型有机掺杂剂，从而增加空穴迁移率。P-型有机掺杂剂可为醌衍生物，比如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F4-TCNQ)；或含氰基化合物，比如2-(7-二氰基亚甲基-1,3,4,5,6,8,9,10-八氟-7H-芘-2-亚基)-丙二腈(NDP-9；Novaled公司的商业产品)。
P-型有机掺杂剂的掺杂浓度可为约0.5％至约25％。
第二空穴传输层HTLb的空穴迁移率可通过用具有高介电常数的氧化物掺杂主体来降低。氧化物的介电常数可在约3至约60的范围内。氧化物可包括HfOX、ZrOX、LaOX、La2O3、LaAlOX、TaOX、AlOX、Al2O3、SiO2、ZrSiO4、HfSiO4、SrO、Y2O3、CaO、BaO、BaZrO、MgO、TiO2和Si3N4中的一种。在该情况下，氧化物的掺杂浓度可为约0.5％至约30％。当具有低介电常数的氧化物添加至第二空穴传输层HTLb时，电荷的移动可被快速地限制，并且因此可无法适当地进行第二空穴传输层HTLb的作用。根据阐释性实施方式，因为掺杂了具有高介电常数的氧化物，所以可通过偶极来进行电荷移动。换句话说，根据阐释性实施方式，由于掺杂了具有高介电常数的氧化物，所以可进行第二空穴传输层HTLb的作用，并且还可调整空穴迁移率。
根据另一实施方式，第一空穴传输层HTLa和第二空穴传输层HTLb的空穴迁移率可通过用具有高介电常数的氧化物掺杂第一空穴传输层HTLa和第二空穴传输层HTLb二者的主体来调整。例如，掺杂在第一空穴传输层HTLa中的氧化物的掺杂浓度小于掺杂在第二空穴传输层HTLb中的氧化物的掺杂浓度，以便第一空穴传输层HTLa的空穴迁移率可高于第二空穴传输层HTLb的空穴迁移率。
图6为根据阐释性实施方式的显示设备可采用的第一有机发光二极管、第二有机发光二极管和第三有机发光二极管的示意性横截面图。图5和图6中相同的附图标记表示相同的元件，并且因此为了方便描述，省略了其重复的描述。
参考图6，第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3的第一中间层320a和第二中间层320b可各自包括多个发射层的堆叠体。
例如，第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2的第一中间层320a可包括在第一发射层EMLa之上的第1-1发射层EMLa-1。第1-1发射层EMLa-1可包括与包括在第一发射层EMLa中的材料相同的材料。例如，第一发射层EMLa和第1-1发射层EMLa-1可包括发射绿光的有机材料。
第三有机发光二极管OLED3的第二中间层320b可包括在第二发射层EMLb之上的第2-1发射层EMLb-1。第2-1发射层EMLb-1可包括与包括在第二发射层EMLb中的材料相同的材料。例如，第二发射层EMLb和第2-1发射层EMLb-1可包括发射蓝光的有机材料。
根据一些实施方式，第一中间层320a可包括第一堆叠体321a，所述第一堆叠体321a包括第一发射层EMLa；第1-1堆叠体323a，所述第1-1堆叠体323a包括第1-1发射层EMLa-1；以及在第一堆叠体321a和第1-1堆叠体323a之间的电荷生成层322a。
第一堆叠体321a可具有其中依次堆叠空穴注入层HIL、第一空穴传输层HTLa、第一发射层EMLa和第一电子传输层ETLa的结构。第1-1堆叠体323a可具有其中依次堆叠第1-1空穴传输层HTLa-1、第1-1发射层EMLa-1和第1-1电子传输层ETLa-1的结构。
电荷生成层322a可向第一堆叠体321a和第1-1堆叠体323a供应电荷。电荷生成层322a可包括用于向第一堆叠体321a供应电子的n-型电荷生成层n-CGL，和用于向第1-1堆叠体323a供应空穴的p-型电荷生成层p-CGL。n-型电荷生成层n-CGL可包括金属材料作为掺杂剂。
类似地，第二中间层320b可包括第二堆叠体321b，所述第二堆叠体321b包括第二发射层EMLb；第2-1堆叠体323b，所述第2-1堆叠体323b包括第2-1发射层EMLb-1；以及在第二堆叠体321b和第2-1堆叠体323b之间的电荷生成层322b。
第二堆叠体321b可具有其中依次堆叠空穴注入层HIL、第二空穴传输层HTLb、第二发射层EMLb和第二电子传输层ETLb的结构。第2-1堆叠体323b可具有其中依次堆叠第2-1空穴传输层HTLb-1、第2-1发射层EMLb-1和第2-1电子传输层ETLb-1的结构。
电荷生成层322b可向第二堆叠体321b和第2-1堆叠体323b供应电荷。电荷生成层322b可包括用于向第二堆叠体321b供应电子的n-型电荷生成层n-CGL，和用于向第2-1堆叠体323b供应空穴的p-型电荷生成层p-CGL。n-型电荷生成层n-CGL可包括金属材料作为掺杂剂。
第一中间层320a的一些构件可与第二中间层320b的一些构件包括相同的材料。例如，空穴注入层HIL和电子注入层EIL共同适用于第一中间层320a和第二中间层320b。
根据阐释性实施方式，第一空穴传输层HTLa和第1-1空穴传输层HTLa-1的空穴迁移率可与第二空穴传输层HTLb和第2-1空穴传输层HTLb-1的空穴迁移率不同。根据一些实施方式，第一空穴传输层HTLa和第1-1空穴传输层HTLa-1的空穴迁移率可小于第二空穴传输层HTLb和第2-1空穴传输层HTLb-1的空穴迁移率。
为了增加第一空穴传输层HTLa和第1-1空穴传输层HTLa-1的空穴迁移率，第一空穴传输层HTLa和第1-1空穴传输层HTLa-1的主体可掺杂有P-型有机掺杂剂。P-型有机掺杂剂可为醌衍生物，比如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F4-TCNQ)；或含氰基化合物，比如2-(7-二氰基亚甲基-1,3,4,5,6,8,9,10-八氟-7H-芘-2-亚基)-丙二腈(NDP-9；Novaled公司的商业产品)。
P-型有机掺杂剂的掺杂浓度可为约0.5％至约25％。
第二空穴传输层HTLb和第2-1空穴传输层HTLb-1的空穴迁移率可通过用具有高介电常数的氧化物掺杂其主体来降低。氧化物的介电常数可在约3至约60的范围内。氧化物可包括HfOX、ZrOX、LaOX、La2O3、LaAlOX、TaOX、AlOX、Al2O3、SiO2、ZrSiO4、HfSiO4、SrO、Y2O3、CaO、BaO、BaZrO、MgO、TiO2和Si3N4中的一种。在该情况下，氧化物的掺杂浓度可为约0.5％至约30％。
根据另一实施方式，第一空穴传输层HTLa、第1-1空穴传输层HTLa-1、第二空穴传输层HTLb和第2-1空穴传输层HTLb-1的空穴迁移率可通过用具有高介电常数的氧化物掺杂所有的第一空穴传输层HTLa、第1-1空穴传输层HTLa-1、第二空穴传输层HTLb和第2-1空穴传输层HTLb-1的主体来调整。例如，掺杂在第一空穴传输层HTLa和第1-1空穴传输层HTLa-1中的氧化物的掺杂浓度小于掺杂在第二空穴传输层HTLb和第2-1空穴传输层HTLb-1中的氧化物的掺杂浓度，以便第一空穴传输层HTLa和第1-1空穴传输层HTLa-1的空穴迁移率可高于第二空穴传输层HTLb和第2-1空穴传输层HTLb-1的空穴迁移率。
图7和图8为根据阐释性实施方式的显示设备可采用的第一有机发光二极管、第二有机发光二极管和第三有机发光二极管的示意性横截面图。图6以及图7和图8中相同的附图标记表示相同的元件，并且因此为了方便描述，省略了其重复的描述。
参考图7和图8，第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3的第一中间层320a和第二中间层320b可各自包括多个发射层的堆叠体。尽管图7和图8中堆叠了三个发射层，但是实施方式不限于此。可包括四个或更多个发射层。
例如，第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2的第一中间层320a可包括堆叠在第一发射层EMLa之上的第1-1发射层EMLa-1和第1-2发射层EMLa-2。
根据一些实施方式，第一发射层EMLa、第1-1发射层EMLa-1和第1-2发射层EMLa-2可包括发射相同颜色的材料。例如，第一发射层EMLa、第1-1发射层EMLa-1和第1-2发射层EMLa-2可包括发射绿光的有机材料。
根据另一实施方式，第一发射层EMLa、第1-1发射层EMLa-1和第1-2发射层EMLa-2中的至少一个可包括发射与其他发射的光的颜色不同的颜色的材料。例如，第一发射层EMLa、第1-1发射层EMLa-1和第1-2发射层EMLa-2可包括依次发射绿光、蓝光和绿光的有机材料或依次发射蓝光、绿光和绿光的有机材料。
第三有机发光二极管OLED3的第二中间层320b可包括堆叠在第二发射层EMLb之上的第2-1发射层EMLb-1和第2-2发射层EMLb-2。所有的第二发射层EMLb、第2-1发射层EMLb-1和第2-2发射层EMLb-2可包括发射相同颜色的材料。例如，所有的第二发射层EMLb、第2-1发射层EMLb-1和第2-2发射层EMLb-2可包括发射蓝光的材料。
根据一些实施方式，第一中间层320a可包括第一堆叠体321a，所述第一堆叠体321a包括第一发射层EMLa；第1-1堆叠体323a，所述第1-1堆叠体323a包括第1-1发射层EMLa-1；第1-2堆叠体325a，所述第1-2堆叠体325a包括第1-2发射层EMLa-2；以及在第一堆叠体321a和第1-1堆叠体323a之间的电荷生成层322a以及在第1-1堆叠体323a和第1-2堆叠体325a之间的电荷生成层324a。第1-2堆叠体325a可具有其中依次堆叠第1-2空穴传输层HTLa-2、第1-2发射层EMLa-2、第1-2电子传输层ETLa-2和电子注入层EIL的结构。
类似地，第二中间层320b可包括第二堆叠体321b，所述第二堆叠体321b包括第二发射层EMLb；第2-1堆叠体323b，所述第2-1堆叠体323b包括第2-1发射层EMLb-1；第2-2堆叠体325b，所述第2-2堆叠体325b包括第2-2发射层EMLb-2，以及在第二堆叠体321b和第2-1堆叠体323b之间的电荷生成层322b和在第2-1堆叠体323b和第2-2堆叠体325b之间的电荷生成层324b。第2-2堆叠体325b可具有其中依次堆叠第2-2空穴传输层HTLb-2、第2-2发射层EMLb-2、第2-2电子传输层ETLb-2和电子注入层EIL的结构。
第一中间层320a的一些构件可与第二中间层320b的一些构件包括相同的材料。例如，空穴注入层HIL和电子注入层EIL共同适用于第一中间层320a和第二中间层320b。
如图8中显示，包括在第一中间层320a中的堆叠体中的一个和包括在第二中间层320b中的堆叠体中的一个可包括相同的材料。在图8中，第二中间层320b的第2-1堆叠体323b共同适用于第一中间层320a和第二中间层320b。然而，实施方式不限于此。第二堆叠体323b或第2-2堆叠体325b共同适用于第一中间层320a和第二中间层320b。
图9为根据实施方式的显示设备的一部分的横截面图。详细地，图9阐释了根据实施方式的第一有机发光二极管、第二有机发光二极管和第三有机发光二极管以及堤挡。图7和图9中相同的附图标记表示相同的元件，并且因此为了方便描述，省略了其重复的描述。
参考图9，第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3的发射区可由像素限定层119的开口限定。堤挡119b可布置在像素限定层119之上，以将包括在第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2中的第一发射层EMLa与包括在第三有机发光二极管OLED3中的第二发射层EMLb分开。
第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3的第一中间层320a和第二中间层320b可各自包括多个发射层的堆叠体。例如，第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2的第一中间层320a可包括堆叠在第一发射层EMLa之上的第1-1发射层EMLa-1和第2-2发射层EMLb-2。第三有机发光二极管OLED3的第二中间层320b可包括堆叠在第二发射层EMLb之上的第2-1发射层EMLb-1和第2-2发射层EMLb-2。
第一空穴传输层HTLa可布置在第一发射层EMLa下面，并且第1-1空穴传输层HTLa-1可布置在第1-1发射层EMLa-1下面。第二空穴传输层HTLb可布置在第二发射层EMLb下面，第2-1空穴传输层HTLb-1可布置在第2-1发射层EMLb-1下面，并且第2-2空穴传输层HTLb-2可布置在第2-2发射层EMLb-2下面。
根据阐释性实施方式，作为布置在顶部的发射层的第2-2发射层EMLb-2和布置在第2-2发射层EMLb-2下面的第2-2空穴传输层HTLb-2可整体形成在第一中间层320a和第二中间层320b中。第一发射层EMLa和第二发射层EMLb以及第1-1发射层EMLa-1和第2-1发射层EMLb-1可由堤挡119b分开。
第一发射层EMLa和第1-1发射层EMLa-1可包括发射绿光的有机材料。第二发射层EMLb、第2-1发射层EMLb-1和第2-2发射层EMLb-2可包括发射蓝光的材料。
如上述，在根据实施方式的显示设备中，第一子像素和第二子像素的发射层和空穴传输层与第三子像素的发射层和空穴传输层不同。因此，可降低功耗并且可提高耐久性。
尽管本文已经描述了一定的实施方式和实施，但是其他实施方式和修改从本描述中将是显而易见的。相应地，本发明构思不限于这种实施方式，而是限于所附的权利要求的更宽的范围以及将对本领域普通技术人员显而易见的各种明显的修改和等效布置。
Claims (23)
1.一种显示设备，所述显示设备包括用于发射第一颜色光的第一子像素、用于发射第二颜色光的第二子像素和用于发射第三颜色光的第三子像素，所述显示设备包括：
布置在基板上的所述第一子像素的第一有机发光二极管、所述第二子像素的第二有机发光二极管和所述第三子像素的第三有机发光二极管；
共同包括在所述第一有机发光二极管和所述第二有机发光二极管中的第一中间层，所述第一中间层包括第一发射层和第一空穴传输层；
包括在所述第三有机发光二极管中的第二中间层，所述第二中间层包括第二发射层和第二空穴传输层；和
布置为分别与所述第一有机发光二极管、所述第二有机发光二极管和所述第三有机发光二极管重叠的第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射窗口，其中：
所述第一发射层和所述第二发射层配置为发射彼此不同的颜色光，并且
所述第一空穴传输层的空穴迁移率与所述第二空穴传输层的空穴迁移率不同。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述第一空穴传输层通过用氧化物掺杂有机材料的主体来形成，并且
所述第二空穴传输层通过用p-型有机掺杂剂掺杂所述有机材料的所述主体来形成。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中所述氧化物的介电常数为3至60。
4.根据权利要求2所述的显示设备，其中所述氧化物包括HfOx、ZrOx、LaOx、La2O3、LaAlOx、TaOx、AlOx、Al2O3、SiO2、ZrSiO4、HfSiO4、SrO、Y2O3、CaO、BaO、BaZrO、MgO、TiO2和Si3N4中的至少一种，x为大于0的实数。
5.根据权利要求2所述的显示设备，其中所述第一空穴传输层中的所述氧化物的掺杂浓度为0.5％至30％。
6.根据权利要求2所述的显示设备，其中：
所述p-型有机掺杂剂包括含氰基化合物，并且
所述第二空穴传输层中的所述p-型有机掺杂剂的掺杂浓度为0.5％至25％。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述第一空穴传输层通过用在第一掺杂浓度下的氧化物掺杂有机材料的主体来形成，
所述第二空穴传输层通过用在第二掺杂浓度下的所述氧化物掺杂所述有机材料的所述主体来形成，并且
所述第一掺杂浓度与所述第二掺杂浓度不同。
8.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括布置在所述基板上并且在所述第一发射层和所述第二发射层之间的堤挡。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中所述堤挡布置在限定所述第一有机发光二极管、所述第二有机发光二极管和所述第三有机发光二极管的发射区的像素限定层上，并且围绕所述第三有机发光二极管。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述第一中间层进一步包括布置在所述第一发射层上的第1-1发射层，并且
所述第二中间层进一步包括布置在所述第二发射层上的第2-1发射层。
11.根据权利要求10所述的显示设备，其中所述第1-1发射层包括与包括在所述第2-1发射层中的材料相同的材料。
12.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述第一发射层配置为发射绿光，
所述第二发射层配置为发射蓝光，
所述第一空穴传输层掺杂有p-型有机掺杂剂，并且
所述第二空穴传输层掺杂有氧化物。
13.一种显示设备，所述显示设备包括用于发射第一颜色光的第一子像素、用于发射第二颜色光的第二子像素和用于发射第三颜色光的第三子像素，所述显示设备包括：
布置在基板上的所述第一子像素的第一有机发光二极管、所述第二子像素的第二有机发光二极管和所述第三子像素的第三有机发光二极管；
共同包括在所述第一有机发光二极管和所述第二有机发光二极管中的第一中间层，所述第一中间层包括第一发射层和第一空穴传输层；
包括在所述第三有机发光二极管中的第二中间层，所述第二中间层包括第二发射层和第二空穴传输层；和
布置在所述基板上以围绕所述第二中间层的至少一部分的堤挡，
其中所述第一发射层和所述第二发射层配置为发射彼此不同的颜色光。
14.根据权利要求13所述的显示设备，其中所述第一空穴传输层的空穴迁移率与所述第二空穴传输层的空穴迁移率不同。
15.根据权利要求13所述的显示设备，其中：
所述第一发射层配置为发射绿光，并且
所述第二发射层配置为发射蓝光。
16.根据权利要求15所述的显示设备，其中：
所述第一空穴传输层通过用氧化物掺杂有机材料的主体来形成，并且
所述第二空穴传输层通过用p-型有机掺杂剂掺杂所述有机材料的所述主体来形成。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中所述氧化物包括HfOX、ZrOX、LaOX、La2O3、LaAlOX、TaOX、AlOX、Al2O3、SiO2、ZrSiO4、HfSiO4、SrO、Y2O3、CaO、BaO、BaZrO、MgO、TiO2和Si3N4中的一种，x为大于0的实数。
18.根据权利要求16所述的显示设备，其中所述p-型有机掺杂剂为含氰基化合物，并且所述第二空穴传输层中的所述p-型有机掺杂剂的掺杂浓度为0.5％至25％。
19.根据权利要求13所述的显示设备，其中：
所述第一中间层进一步包括布置在所述第一发射层上的第1-1发射层，并且
所述第二中间层进一步包括布置在所述第二发射层上的第2-1发射层。
20.根据权利要求19所述的显示设备，其中所述第1-1发射层包括与包括在所述第2-1发射层中的材料相同的材料。
21.一种显示设备，包括：
配置为发射第一颜色光的第一子像素，所述第一子像素包括第一有机发光二极管；
配置为发射第二颜色光的第二子像素，所述第二子像素包括第二有机发光二极管；和
配置为发射第三颜色光的第三子像素，所述第三子像素包括第三有机发光二极管，其中：
所述第一有机发光二极管和所述第二有机发光二极管配置为发射具有第一波长宽度的光，并且
所述第三有机发光二极管配置为发射具有与所述第一波长宽度不同的第二波长宽度的光。
22.根据权利要求21所述的显示设备，其中：
所述第一有机发光二极管和所述第二有机发光二极管共同包括配置为发射具有所述第一波长宽度的光的第一发射层，并且
所述第三有机发光二极管包括配置为发射具有与所述第一波长宽度不同的所述第二波长宽度的所述光的第二发射层。
23.根据权利要求21所述的显示设备，其中：
所述第一子像素包括配置为将具有所述第一波长宽度的所述光转换为所述第一颜色光的第一颜色转换层，
所述第二子像素包括配置为将具有所述第一波长宽度的所述光转换为所述第二颜色光的第二颜色转换层；并且
所述第三子像素包括配置为将具有所述第二波长宽度的所述光作为所述第三颜色光透射的透射层。
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